JP5388167B2 - 光半導体素子封止用シート及びそれを用いてなる光半導体装置 - Google Patents
光半導体素子封止用シート及びそれを用いてなる光半導体装置 Download PDFInfo
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〔1〕少なくとも離型基材、封止層及び光拡散層から構成される光半導体素子封止用シートであって、
当該光拡散層は当該離型基材上に設けられ、
当該光拡散層には開口部が設けられ、そして
当該封止層は当該開口部内に設けられ、かつ、当該封止層の底面は当該離型基材に接し、上部には当該光拡散層が存在せず、当該封止層の厚さが200〜1000μmである、
光半導体素子封止用シート、並びに
〔2〕前記〔1〕に記載の光半導体素子封止用シートの封止層に光半導体素子を埋設して封止してなり、該封止層の側面には光拡散層が存在するが、上部には光拡散層が存在しない構造を特徴とする光半導体装置、に関するものである。
まず、本発明の光半導体素子封止用シートについて説明する。
当該光拡散層は当該離型基材上に設けられ、
当該光拡散層には開口部が設けられ、そして
当該封止層は当該開口部内に設けられてなるものである。
a)離型基材上に塗工溶液を塗布して光拡散層を形成させる工程、
b)光拡散層に開口部を設ける工程、及び
c)設けられた開口部に封止材組成液を充填して封止層を形成させる工程、
を含む方法によって製造することができる。
次に、本発明の光半導体装置について説明する。
A)基板上に光半導体素子が実装された面に、本発明の光半導体素子封止用樹脂シートを、光半導体素子に対向する位置に封止層を合わせるように積層する工程、並びに
B)工程A)で積層した光半導体素子封止用樹脂シートを加圧硬化させて、光半導体素子を封止層で封止する工程、
を含む方法によって製造することができる。
エポキシ当量7500のビスフェノールA骨格(BFA)のエポキシ樹脂(ジャパンエポキシレジン社:EP1256)45重量部、エポキシ当量260の脂環式骨格のエポキシ樹脂(ダイセル化学社:EHPE3150)33重量部、硬化剤としての4−メチルヘキサヒドロ無水フタル酸22重量部及び2−メチルイミダゾール0.2重量部、並びに光拡散粒子としての硫酸バリウム粒子(体積平均粒子径:5μm;竹原化学工業社:W−6)100重量部を、200重量部のメチルエチルケトンで溶解させ、光拡散層を形成させるための塗工溶液を調製した。
実施例1で製造した光半導体素子封止用シートを用いて、次のようにして光半導体装置を製造した。
上記のベースシートAを2枚用意した。実施例1と同じ方法で、200μmの光拡散層が形成された状態のシート(図3c)を製造した。このシートの光拡散層2上に実施例1で使用した封止材組成液を、形成される封止層の厚さが100μmとなるように塗布し、そのままの状態で100℃で5分間加熱して半硬化状態の封止層を形成させて、光半導体素子封止用シートを製造した。
塗工溶液に硫酸バリウム粒子を配合しないこと以外は、実施例1と同様にして光半導体素子封止用シートを製造した(図10)。図10においては、光拡散層2の代わりに樹脂層21(光拡散層から光拡散粒子を除いた層)が設けられた。
光拡散粒子としての硫酸バリウム粒子の代わりに二酸化ケイ素粒子(体積平均粒子径:8μm;東海化学工業所社:ML−369W)を用いたこと以外は実施例1と同様の方法で光半導体素子封止用シートを製造した。次いで、得られた半導体素子封止用シートを用いて実施例2と同様の方法で光半導体装置を製造し、全光束を測定した。その結果、輝度(Y値)は1350であり、製造された光半導体装置は優れた光取り出し効率を有していた。
光拡散層を形成させるための塗工溶液を下記のようにして作製した塗工溶液に代えたこと以外は、実施例1と同様の方法で光半導体素子封止用シートを製造した。即ち、実施例1で得た変性シリコーン樹脂100重量部に対して、硫酸バリウム粒子(体積平均粒子径:5μm;竹原化学工業社:W−6)100重量部を添加して、塗工溶液を得た。
封止層を形成させるための封止材組成液を下記のようにして作製した封止材組成液に代えたこと以外は、実施例1と同様の方法で光半導体素子封止用シートを製造した。即ち、溶媒としての酢酸エチル300重量部に、モノマーとしてのメチルメタクリレート50重量部、ブチルメタクリレート45重量部及びメタクリル酸5重量部、重合触媒としてのアゾビスイソブチロニトリルを1重量部添加して、窒素雰囲気下、80℃で重合してポリマー溶液を得た。このポリマー溶液に、ポリマー100重量部に対して、ビスフェノールA型エポキシ樹脂(ジャパンエポキシレジン社:EP828)5重量部、硬化触媒としてのトリメトキシボロキシン1重量部及び15重量部のサイアロンを添加して、アクリル系樹脂がベースの封止材組成液を得た。この封止材組成液の粘度は800mPa・sであった。
2 光拡散層
3 封止層
4 開口部
5 貫通孔
11 光半導体素子
12 配線回路基板
21 樹脂層(光拡散層から光拡散粒子を除いた層)
Claims (2)
- 少なくとも離型基材、封止層及び光拡散層から構成される光半導体素子封止用シートであって、
該光拡散層は該離型基材上に設けられ、
該光拡散層には開口部が設けられ、そして
該封止層は該開口部内に設けられ、かつ、該封止層の底面は該離型基材に接し、上部には該光拡散層が存在せず、該封止層の厚さが200〜1000μmである、
光半導体素子封止用シート。 - 請求項1に記載の光半導体素子封止用シートの封止層に光半導体素子を埋設して封止してなり、該封止層の側面には光拡散層が存在するが、上部には光拡散層が存在しない構造を特徴とする光半導体装置。
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