CN109690181B - 光学半导体元件覆盖用薄片 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种光学半导体元件覆盖用薄片，所述光学半导体元件覆盖用薄片是用于直接或间接地覆盖光学半导体元件的薄片，沿厚度方向依次包括含有白色粒子的白色层和含有光扩散粒子的光扩散层。

Description

光学半导体元件覆盖用薄片
技术领域
本发明涉及一种光学半导体元件覆盖用薄片。
背景技术
以往，作为可发出高能量光的发光装置，已知的是一种白光半导体装置。在白光半导体装置中，例如设有：二极管基板，其向LED供给电力；LED(发光二极管)，其安装在所述二极管基板上，发出蓝光；以及荧光体层，其覆盖LED，能够将蓝光转换成黄光。白光半导体装置通过蓝光与黄光的混色而发出高能量的白光，其中所述蓝光从LED发出并透射荧光体层，所述黄光是在荧光体层中对蓝光的一部分进行波长转换而成。
作为这种光学半导体发光装置，例如提出有专利文献1的光学半导体发光装置。专利文献1的光学半导体发光装置具有包含发光层的半导体多层膜和衬底基板，以荧光体膜将光学半导体多层膜的侧面和上表面(与衬底基板相反侧的表面)覆盖的方式形成。
根据专利文献1的光学半导体发光装置，能够不造成装置大型化，并且能够提高光学半导体发光装置的成品率。
专利文献1：(日本)特开2005-252222号公报
但是，在专利文献1的光学半导体发光装置中，从半导体多层膜通过荧光体膜而发出的光因其发出角度不同而产生不均匀的不良现象。具体地说，与向正面方向(上侧)发出的光相比，向倾斜方向发出的光稍偏黄色。其结果，因发出的角度不同造成颜色不均。特别是在沿正上方向观看光学半导体装置时，产生在白光中观察到黄色环(黄环)的不良情况。
此外，一般来说，在荧光体层中，作为荧光体，大多使用黄色荧光体。因此，在非发光时，光学半导体发光装置本身呈现黄色，造成于外观设计上外观变差的不良现象。
发明内容
本发明的目的在于提供一种光学半导体元件覆盖用薄片，使用该光学半导体元件覆盖用薄片能够容易地制造具有不同角度方向的颜色均匀性以及非发光时的外观良好的光学半导体元件。
本发明第一方面的光学半导体元件覆盖用薄片，用于直接或间接地覆盖光学半导体元件，沿厚度方向依次具有含有白色粒子的白色层和含有光扩散粒子的光扩散层。
本发明第二方面的光学半导体元件覆盖用薄片，在第一方面的基础上，所述光学半导体元件覆盖用薄片的厚度方向的亮度L＊在51.2以上且67.7以下。
本发明第三方面的光学半导体元件覆盖用薄片，在第二方面的基础上，所述光学半导体元件覆盖用薄片的厚度方向上的亮度L＊在55.7以上且66.6以下。
本发明第四方面的光学半导体元件覆盖用薄片，在第一方面至第三方面中的任一方面的基础上，所述光扩散层的半值角在20°以上且120°以下。
本发明第五方面的光学半导体元件覆盖用薄片，在第四方面的基础上，所述光扩散层的半值角在40°以上且120°以下。
本发明第六方面的光学半导体元件覆盖用薄片，在第一方面至第五方面中的任一方面的基础上，所述白色层的厚度在30μm以上且200μm以下。
本发明第七方面的光学半导体元件覆盖用薄片，在第一方面至第六方面中的任一方面的基础上，所述光扩散层的厚度在30μm以上且600μm以下。
本发明第八方面的光学半导体元件覆盖用薄片，在第一方面至第七方面中的任一方面的基础上，所述光扩散层含有B阶段的树脂。
本发明第九方面的光学半导体元件覆盖用薄片，在第八方面的基础上，所述光扩散层在频率1Hz和升温速度20℃/分钟的条件下利用动态粘弹性测量得到的表示剪切储能模量G’和温度T的关系的曲线具有极小值，所述极小值中的温度T在40℃以上且200℃以下的范围内，所述极小值中的剪切储能模量G’在1000Pa以上且90000Pa以下的范围内。
根据本发明的光学半导体元件覆盖用薄片，通过将光学半导体元件覆盖用薄片覆盖在光学半导体元件上，能够将含有白色粒子的白色层和含有光扩散粒子的光扩散层配置在光学半导体元件中。因此，能够容易地得到具有不同角度方向的颜色均匀性和非发光时的外观美观的覆盖光学半导体元件。
附图说明
图1表示本发明的覆盖片的一实施方式的剖面图；
图2A～图2F是三层覆盖元件的制造方法的流程图，图2A表示准备荧光体层覆盖元件集合体的步骤，图2B表示设置覆盖片的步骤，图2C表示将覆盖片相对于荧光体层覆盖元件集合体进行压合的步骤，图2D表示对剥离片进行剥离的步骤，图2E表示将三层覆盖元件集合体切断的步骤，图2F表示安装三层覆盖元件的步骤；
图3A～图3B表示利用图2A～图2F的制造方法制作的三层覆盖元件，图3A表示俯视图，图3B表示图3A的A-A的剖面图；
图4A～图4F表示三层覆盖元件的制造方法的变形例(仅在荧光体层覆盖元件的上表面配置光扩散层的实施方式)的流程图，图4A表示准备荧光体层覆盖元件集合体的步骤，图4B表示配置光扩散层侧部的步骤，图4C表示设置覆盖片的步骤，图4D表示将覆盖片相对于荧光体层覆盖元件集合体进行压合的步骤，图4E表示将剥离片剥离的步骤，图4F表示将三层覆盖元件集合体切断的步骤；
图5A～图5B表示利用图4A～图4F的制造方法制作的三层覆盖元件的变形例(具有光扩散层边缘部和白色层边缘部的实施方式)，图5A表示俯视图，图5B表示图5A的A-A的剖面剖面图；
图6表示实施例的测量光扩散层的半值角的装置的示意图；
图7表示实施例的荧光体层的剪切储能模量G’和温度T的关系。
标记说明
1：覆盖片
2：白色层
3：光扩散层
6：光学半导体元件
具体实施方式
在图1中，纸面上下方向是上下方向(第一方向、厚度方向)，纸面上侧为上侧(第一方向一侧、厚度方向一侧)，纸面下侧为下侧(第一方向另一侧、厚度方向另一侧)。纸面左右方向为左右方向(与第一方向垂直的第二方向、相对于上下方向的垂直方向的一例)，纸面左侧为左侧(第二方向一侧)，纸面右侧为右侧(第二方向另一侧)。纸厚方向是前后方向(与第一方向和第二方向垂直的第三方向、相对于上下方向的垂直方向的一例)，纸面跟前一侧是前侧(第三方向一侧)，纸面里侧是后侧(第三方向另一侧)。具体地说，以各图的方向箭头为基准。
<一种实施方式>
参照图1对本发明的光学半导体元件覆盖用薄片(以下简称为覆盖片)的一实施方式进行说明。
1.覆盖片
覆盖片1是用于直接或间接地覆盖光学半导体元件的薄片，具有沿平面方向(与厚度方向垂直的方向、前后方向和左右方向)延伸的拟似板状(薄片)的形状。覆盖片1沿厚度方向依次具有白色层2和光扩散层3。覆盖片1仅由白色层2和光扩散层3构成。
此外，覆盖片1不是后述的三层覆盖元件5(参照图2E、图3B)，并且也不是光学半导体装置10(参照图2F)。即，覆盖片1是三层覆盖元件5和光学半导体装置10的一部件，即，是用于制造三层覆盖元件5和光学半导体装置10的部件。因此，覆盖片1不包含光学半导体元件6和安装光学半导体元件6的基板15(参照图2F)，覆盖片1本身是作为部件可单独流通且能够用于工业上的设备。
2.白色层
白色层2具有沿平面方向延伸的拟似板状(薄片)的形状。白色层2在三层覆盖元件5中是在非发光时的外观呈现白色的白色层。
白色层2含有白色粒子。具体地说，白色层2是由含有白色粒子和第一树脂的白色组成物组成。
作为白色粒子，可列举白色无机粒子和白色有机粒子。若从散热性和耐久性的观点出发，优选白色无机粒子。
作为构成白色无机粒子的材料，列举例如氧化钛、氧化锌、氧化锆和氧化铝等氧化物，例如铅白(碱式碳酸铅)、碳酸钙等碳酸盐、例如高岭土等粘土矿物等。若从亮度和白色性的观点出发，优选为氧化物，更优选氧化钛。
白色粒子的平均粒径，例如在0.1μm以上，优选在0.2μm以上，并且，例如在2.0μm以下，优选在0.5μm以下。若白色粒子的平均粒径在上述范围内，可以进一步提高白色性。
在本发明中，白色粒子、光扩散粒子、填充材料和触变赋予粒子等粒子的平均粒径计算为D50值，具体地说，利用激光衍射式粒径分布仪来测量。
白色粒子相对于白色组成物的含有率，例如为1.0质量％以上，优选2.0质量％以上，更优选2.5质量％以上，并且，例如为9.0质量％以下，优选7.0质量％以下，更优选6.0％质量以下。
第一树脂是能够构成可使白色粒子分散的矩阵的树脂。作为这种第一树脂的，可列举热固性树脂和热塑性树脂，优选是热固性树脂。
作为热固性树脂，可列举二级反应固化型树脂和一级反应固化型树脂。
两级反应固化型树脂具有两个反应机构，可以通过第一级反应从A阶段成为B阶段(半固化)，接着，通过第二级反应从B阶段成为C阶段(完全固化)。即，二级反应固化型树脂是能够利用适当的加热条件成为B阶段的热固性树脂。B阶段是热固性树脂处于液体的A阶段和完全固化的C阶段之间的状态，并且是稍许进行固化和胶化而处于压缩弹性率小于C阶段的弹性率的半固体状态或固体状态。
一级反应固化型树脂具有一个反应机构，可以通过第一级反应从A阶段成为C阶段(完全固化)。这种一级反应固化性树脂包含如下的热固性树脂：可以在第一级反应的中途，使其反应停止而能够从A阶段成为B阶段，并且通过此后的进一步加热，使第一级反应再次开始而从B阶段成为C阶段(完全固化)。即，上述热固性树脂是能够成为B阶段的一级反应固化型树脂。此外，一级反应固化型树脂还包含如下的热固性树脂：不能控制成在一级的反应的中途停止，即，不能成为B阶段而从A阶段一次成为C阶段(完全固化)。即，上述热固性树脂是不能成为B阶段的一级反应固化型树脂。
优选的是，作为热固性树脂，列举能够成为B阶段的热固性树脂(二级反应固化性树脂和一级反应固化型树脂)。
作为能够成为B阶段的热固性树脂，优选例如硅树脂、环氧树脂，更优选例如硅树脂。
此外，作为能够成为B阶段的硅树脂，列举兼具热塑性和热固性的硅树脂(热塑性·热固性硅树脂)、以及不具有热塑性而具有热固性的硅树脂(非热塑性·热固性硅树脂)。优选热塑性·热固性硅树脂。
热塑性·热固性硅树脂在B阶段中通过加热而暂时塑化(或液化)，之后，通过进一步加热而固化(C阶段化)。具体地说，作为一级反应固化型树脂，列举例如特开2016-037562号公报和特开2016-119454号公报等中记载的苯基类硅树脂组成物。作为二级反应固化型树脂，列举例如特开2014-72351号公报和特开2013-187227号公报中记载的第一～第六热塑性·热固性硅树脂组成物(例如，含有双端胺基型硅树脂的组成物和含有笼型八聚倍半硅氧烷(Octasilsesquioxane cage)的组成物)等。优选例如，苯基类硅树脂组成物。
苯基类硅树脂组成物是在硅氧烷键的主骨架下具有苯基。作为苯基类硅树脂组成物优选例如加成反应固化型硅树脂组成物。具体地说，列举例如加成反应固化型硅树脂组成物等，该加成反应固化型硅树脂组成物包括含有烯基的聚硅氧烷、含有氢化硅烷基的聚硅氧烷和氢化硅烷化催化剂，并且含有烯基的聚硅氧烷和含有氢化硅烷基的聚硅氧烷中的一方具有苯基。苯基类硅树脂组成物虽然在上述的进一步加热中软化(表示极小点)，但比普通的热塑性·热固性硅树脂硬。
作为非热塑性·热固性硅树脂的二级反应固化型树脂，列举例如特开2010-265436号公报和特开2013-187227号公报等中记载的第一～第八缩合·加成反应固化型硅树脂组成物。
此外，作为不采用B阶段的热固性树脂，列举加成反应固化型硅树脂组成物。作为不采用B阶段的加成反应固化型硅树脂组成物可使用市场销售产品(例如商品名：KER-2500、KER-6110、信越化学工业公司制，商品名：LR-7665、旭化成WACKER公司制造)。
这种不采用B阶段的加成反应固化型硅树脂组成物，例如在作为硅氧烷键的主骨架下实质上仅具有甲基。另外，这种硅树脂组成物是甲基类硅树脂组成物。
第一树脂的折射率例如在1.30以上、1.75以下。特别是树脂的苯基类硅树脂组成物的折射率在C阶段，例如在1.45以上，优选在1.50以上，更优选在1.55以上，并且，例如在1.75以下，优选在1.65以下。此外，树脂的甲基类硅树脂组成物的折射率在C阶段，例如在1.30以上，进而在1.35以上，并且，例如在1.50以下。在本发明中，可利用阿贝氏折射计来测量折射率。
第一树脂相对于白色组成物的含有率，例如为10质量％以上，优选在20质量％以上，并且，例如在99质量％以下，优选在98质量％以下，更优选在90质量％以下。
白色组成物除了上述成分之外，还可以具有触变赋予粒子和填充材料等粒子。
触变赋予粒子是触变剂，赋予白色组成物触变性(thixotropy、摇溶性)或提高触变性。触变性是如下性质：如果持续受到剪切应力则粘度逐渐下降，如果静止则粘度逐渐上升。如此，能够使白色粒子均匀地分散在白色组成物(进而在白色层2)中，能够在非发光时呈现无颜色不均的均匀的外观(白色)。
从分散性的观点出发，作为触变赋予粒子优选例如气相二氧化硅等纳米二氧化硅等。
作为气相二氧化硅，可以为例如二甲基二氯硅烷、利用硅油等表面处理剂而使表面疏水化的疏水性气相二氧化硅、以及未进行表面处理的亲水性气相二氧化硅中的一种。
纳米二氧化硅(特别是气相二氧化硅)的平均粒径例如在1nm以上，优选在5nm以上，并且例如在200nm以下，优选在50nm以下。此外，纳米二氧化硅(特别是气相二氧化硅)的比表面积(BET法)例如在50m2/g以上，优选在200m2/g以上，并且例如在500m2/g以下。
白色组成物含有触变赋予粒子的情况下，触变赋予粒子白色组成物的含有率例如为0.1质量％以上，优选在0.5质量％以上，并且，例如在10质量％以下，优选在3质量％以下。
填充材料是透明性的粒子，并且是与第一树脂的折射率差小的粒子。具体地说，列举与第一树脂的折射率差的绝对值例如在0.03以下，优选在0.01以下的粒子。如此，能够确保白色层2的透明性，并且能够提高白色层2的刚性。
作为填充材料，列举与在光扩散组成物中后述的填充材料相同，优选例如玻璃粒子。
白色组成物含有填充材料的情况下，填充材料相对于白色组成物的含有率例如在5质量％以上，优选在10质量％以上，并且，例如比在80质量％以下，优选在70质量％以下。
白色层2的厚度T1例如在30μm以上，优选在50μm以上，并且，例如在200μm以下，优选在180μm以下。
如果白色层2的厚度在上述下限以上，则能够更有效地遮挡荧光体层7的颜色，从而能够使非发光时的外观进一步呈现白色。另一方面，如果白色层2的厚度在上述上限以下，则能够充分阻止因白色层2产生的返回光学半导体元件6的反射，从而能够保持亮度。
3.光扩散层
光扩散层3具有沿平面方向延伸的拟似板状(薄片)的形状。光扩散层3是扩散层，使从光学半导体元件6(参照图3B)发出的光扩散。
光扩散层3的厚度为100μm，以450nm波长的光照射时的光透射率例如超过30％，优选在40％以上，并且，例如在80％以下，优选在70％以下。
光扩散层3含有光扩散粒子。具体地说，光扩散层3例如由含有光扩散粒子和第二树脂的光扩散组成物形成。
光扩散粒子是使光扩散的透明性粒子，列举例如与第二树脂的折射率差大的粒子。
具体地说，可列举光扩散无机粒子和光扩散有机粒子等。
作为光扩散无机粒子，可列举二氧化硅粒子和复合无机氧化物粒子。
复合无机氧化物粒子优选的是玻璃粒子，具体地说，作为主成分，含有二氧化硅或二氧化硅和氧化硼，作为副成分，含有氧化铝、氧化钙、氧化锌、氧化锶、氧化镁、氧化锆、氧化钡和氧化锑等。复合无机氧化物粒子中的主成分相对于复合无机氧化物粒子的含有率例如在40质量％以上，优选在50质量％以上，并且，例如在90质量％以下，优选在80质量％以下。副成分的含量是上述主成分的含有比例的剩余量。
作为光扩散有机粒子，列举例如丙烯酸类树脂粒子、苯乙烯类树脂、丙烯酸-苯乙烯类树脂粒子、硅类树脂粒子、聚碳酸酯类树脂粒子、苯并胍胺类树脂粒子、聚烯烃类树脂粒子、聚酯类树脂粒子、聚酰胺类树脂粒子和聚酰亚胺类树脂粒子等。优选是，例如，丙烯酸类树脂和硅类树脂粒子，更优选例如硅类树脂粒子。
从光扩散性和耐久性的观点出发，作为光扩散粒子优选例如光扩散无机粒子，更优选例如二氧化硅粒子和玻璃粒子，进一步优选例如二氧化硅粒子。
光扩散粒子的折射率可对应于第二树脂的折射率而适当设定，例如在1.40以上，优选在1.45以上，并且，例如在1.60以下，优选在1.55以下。
光扩散粒子与第二树脂的折射率差的绝对值例如在0.04以上，优选在0.05以上，更优选在0.10以上，并且，例如在0.20以下，优选在0.18以下。如果折射率差低于上述下限，则有时不能发挥充分的光扩散性。另一方面，如果折射率差高于上述上限，则将因为光过度扩散而使得亮度等光学特性下降。
光扩散粒子的平均粒径，例如在1.0μm以上，优选在2.0μm以上，并且，例如在10μm以下，优选在5.0μm以下。
光扩散粒子相对于光扩散组成物的含有率例如在5质量％以上，优选在10％质量以上，更优选在30质量％以上，并且，例如在60质量％以下，优选在50质量％以下，更优选在40质量％以下。此外，光扩散粒子的主成分相对于光扩散组成物所占的含有率例如在40质量％以上，优选在50质量％以上，并且例如在90质量％以下，优选在80质量％以下。
第二树脂是可构成能够使光扩散粒子分散的矩阵的透明树脂。作为第二树脂，列举与第一树脂同样的树脂。优选固化性树脂，更优选能够成为B阶段的热固性树脂，进一步优选热塑性·热固性硅树脂，尤其优选苯基硅树脂组成物。
第二树脂相对于光扩散组成物的含有率例如在10质量％以上，优选在20质量％以上，并且，例如在90质量％以下，优选在80质量％以下，更优选在60质量％以下。
光扩散组成物除了上述成分之外，还可含有触变赋予粒子和填充材料等粒子。
作为触变赋予粒子，例如是与在白色组成物中上述触变赋予粒子同样的粒子。优选气相二氧化硅。
在光扩散组成物含有触变赋予粒子的情况下，触变赋予粒子相对于光扩散组成物的含有率例如在0.1质量％以上，优选在0.5质量％以上，并且，例如在10质量％以下，优选在3质量％以下。
填充材料是透明性的粒子，并且是与第二树脂的折射率差小的粒子。具体地说，与第二树脂的折射率差的绝对值例如在0.03以下，优选在0.01以下。由此，能够确保光扩散层3的透明性，并且能够提高光扩散层3的刚性。
填充材料的折射率对应于第二树脂的折射率而适当设定，例如在1.40以上，优选在1.45以上，并且，例如在1.60以下，优选在1.55以下。
作为这种填充材料，可列举例如无机粒子和有机粒子。优选无机粒子。
作为无机粒子，可列举与光扩散粒子相同材料的粒子，优选复合无机氧化物粒子(玻璃粒子等)。
作为有机粒子，列举与光扩散有机粒子相同材料的粒子。
填充材料的平均粒径，例如在1.0μm以上，优选在5.0μm以上，并且，例如在100μm以下，优选在50μm以下。
在含有填充材料的情况下，填充材料相对于光扩散组成物的含有率例如在5质量％以上，优选在10质量％以上，并且，例如在50质量％以下，优选在30质量％以下。
另外，本发明使用的粒子中，即使材料相同，也能够与树脂的折射率差对应而适当地区分是光扩散粒子还是填充材料。
光扩散层3的厚度T2例如在30μm以上，优选在50μm以上，更优选在100μm以上，并且，例如在600μm以下，优选在500μm以下，更优选在200μm以下。
若光扩散层3的厚度在上述下限以上，则能够使光可靠地扩散，因此能够使不同角度方向的颜色均匀性更好。另一方面，若白色层2的厚度在上述上限以下，则能够减少光学特性的下降，并且能够在非发光时具有更美观的外观。
光扩散层3的半值角α，例如在20°以上，优选在40°以上，更优选在80°以上，进一步优选在100°以上，并且，例如在180°以下，优选在150°以下，更优选在120°以下。如果半值角在上述下限以上，则能够使光有效地扩散，所以能够使不同角度方向的颜色均匀性更好。半值角的测量方法在实施例中详细说明。
4.覆盖片的制造方法
覆盖片1可以通过如下步骤制造：在剥离片4的表面(图1中下表面)形成白色层2的白色层形成步骤；以及在白色层2的表面(图1中下表面)形成光扩散层3的光扩散层形成步骤。
(白色层形成步骤)
为了形成白色层2，例如首先制备白色树脂组成物(漆)。具体地说，通过将白色粒子、第一树脂，根据需要也可以与白色粒子以外的粒子(填充材料和触变赋予粒子等)配合并进行混合而制备。
接着，在剥离片4的表面涂布白色组成物并进行烘干。
剥离片4例如由沿平面方向延伸的可弯曲性薄膜构成。作为剥离片4，列举例如聚乙烯薄膜和聚酯薄膜等聚合物薄膜、例如，陶瓷片、例如，金属箔等。此外，若有需要，对剥离片4的接触面，即涂布白色组成物的面进行氟处理等剥离处理。剥离片4的厚度，例如在1μm以上，优选在10μm以上，并且，例如在2000μm以下，优选在1000μm以下。
接着，在白色组成物含有热固性树脂的情况下，对白色组成物进行C阶段化。具体地说，对A阶段的白色组成物进行加热(烘干)而使其C阶段化。
加热(烘干)条件与白色组成物的种类等对应而适当地调整，加热温度，例如在100℃以上，优选在110℃以上，并且，例如在150℃以下，优选在130℃以下。加热时间，例如在5分钟以上，优选在10分钟以上，并且，例如在480分钟以下，优选在300分钟以下。另外，能够在不同的温度下进行多次的加热。
如此，白色层2形成在剥离片4的表面。具体地说，形成C阶段的白色层2。
(光扩散层形成步骤)
为了形成光扩散层3，例如首先制备光扩散层组成物(漆)。具体地说，通过将光扩散粒子、第二树脂，以及根据需要与光扩散粒子以外的粒子(填充材料和触变赋予粒子等)配合并进行混合而制备。
接着，在白色层2的表面上涂布光扩散层组成物并进行烘干。
接着，在光扩散层组成物含有热固性树脂的情况下，对光扩散层组成物进行B阶段化。具体地说，对A阶段的光扩散层组成物进行加热(烘干)而使其B阶段化。
加热(烘干)条件与光扩散层组成物的种类等对应而适当地调整，加热温度，例如在50℃以上，优选在70℃以上，并且，例如低于100℃，优选在90℃以下。加热时间，例如在1分钟以上，优选在5分钟以上，并且，例如在30分钟以下，优选在20分钟以下。
如此，光扩散层3形成(配置)在白色层2的表面。具体地说，形成B阶段的光扩散层3。即，光扩散层3中包含的树脂是在B阶段。
其结果，在被剥离片4支承的状态下，得到包括白色层2和光扩散层3的覆盖片1。
覆盖片1的厚度方向上的亮度L*例如在51.2以上，优选在55.7以上，更优选在60.0以上，并且，例如在67.7以下，优选在66.6以下，更优选在62.5以下。另外，覆盖片1的亮度与所含有的树脂的状态(B阶段或C阶段)无关而实质上相同。亮度的测量使用紫外可见近红外光谱仪并通过积分球的透射率测量方法来测量，具体在实施例中进行详细说明。
如果亮度在上述下限以上，则从三层覆盖元件5发出的光的总光通量良好，三层覆盖元件5的亮度良好。另一方面，如果亮度在上述上限以下，则能够更有效地遮挡荧光体层7的颜色，从而能够进一步使非发光时的外观呈现白色。
覆盖片1的厚度，例如在50μm以上，优选在150μm以上，并且，例如在1000μm以下，优选在500μm以下。
5.三层覆盖元件的制造方法
接着，参照图2A～图2F说明覆盖片1覆盖在光学半导体元件6上的方法。具体地说，说明覆盖片1覆盖在荧光体层覆盖元件8上来制造三层覆盖元件5的方法。
三层覆盖元件5的制造方法例如包括：准备步骤，准备荧光体层覆盖元件集合体11；压合步骤，将覆盖片1相对于荧光体层覆盖元件集合体11进行热压合；剥离步骤，对剥离片进行剥离；以及切断步骤，将三层覆盖元件集合体12切断。
(准备步骤)
在准备步骤中，如图2A所示，准备荧光体层覆盖元件集合体11。
荧光体层覆盖元件集合体11包括多个荧光体层覆盖元件8和将上述多个荧光体层覆盖元件8临时固定的临时固定片30。
荧光体层覆盖元件8包括光学半导体元件6和覆盖该光学半导体元件6的荧光体层7。
光学半导体元件6例如是将电能转换为光能的LED(发光二极管元件)或LD(半导体激光元件)。优选的是，光学半导体元件6是发出蓝光的蓝色LED。另一方面，光学半导体元件6不包括技术领域与光学半导体元件6不同的晶体管等整流器(半导体元件)。
光学半导体元件6具有沿平面方向延伸的拟似平板形状。此外，光学半导体元件6俯视为拟似矩形(优选的是俯视为拟似正方形)。光学半导体元件6包括上表面21、下表面22和侧面23(参照图3B)。
上表面21是将光向上侧发出的发光面，具有平坦的形状。在上表面21设有荧光体层7(后述)。
下表面22是形成有电极24的面，相对于上表面21向下侧隔开间隔相对配置。电极24设有多个(两个)，具有从下表面22朝向下侧稍突出的形状。
侧面23是发出光的发光面，连接上表面21的周向端部边缘和下表面22的周向端部边缘。侧面23包括前面23a、后面23b、左面23c及右面23d四个面(参照图3B)。
光学半导体元件6至少从五个面(即上表面21和侧面23)朝向五个方向(即上侧、前侧、后侧、左侧和右侧)发出光。
可适当地设定光学半导体元件6的尺寸，具体地说，厚度(上下方向长度)，例如在0.1μm以上，优选在10μm以上，更优选在100μm以上，并且，例如在2000μm以下，优选在1500μm以下，更优选在500μm以下。光学半导体元件6的平面方向(左右方向和/或前后方向)上的长度例如分别在200μm以上，优选在500μm以上，并且，例如在3000μm以下，优选在2000μm以下。
荧光体层7含有荧光体，对从光学半导体元件6发出的光的波长进行转换。荧光体层7配置在光学半导体元件6的上侧和侧方，覆盖光学半导体元件6的上表面21和侧面23(前面23a、后面23b、左面23c及右面23d)。即，荧光体层7配置在光学半导体元件6的上侧和周围，完全覆盖光学半导体元件6的下表面以外的五个面。荧光体层7俯视为拟似矩形(优选的是俯视为正方形)，向上下方向投影时，形成为包含光学半导体元件6。
作为荧光体，列举例如能够将蓝光转换为黄光的黄色荧光体、以及能够将蓝光转换为红光的红色荧光体。优选例如黄色荧光体。
作为黄色荧光体，列举例如(Ba，Sr，Ca)2SiO4：Eu、(Sr、Ba)2SiO4：Eu(原硅酸钡(BOS))等硅酸盐荧光体、例如，具有Y3Al5O12：Ce(YAG(钇·铝·石榴石)：Ce)、Tb3Al3O12：Ce(TAG(铽·铝·石榴石)：Ce)等石榴石型结晶结构的石榴石型荧光体、例如，Ca-α-SiAlON等氮氧化物荧光体等。
配置在光学半导体元件6上侧的荧光体层7的上下方向长度L1(厚度，参照图3B)，例如在10μm以上，优选在50μm以上，更优选在100μm以上，并且，例如在500μm以下，优选在400μm以下，更优选在300μm以下。
临时固定片30包括支承基材31和配置在支承基材31上的压敏粘接剂层32。
作为支承基材31，列举例如，聚乙烯薄膜、聚酯薄膜(PET等)等聚合物薄膜、例如，陶瓷片、例如，金属箔等可弯曲性薄片。
压敏粘接剂层32配置在支承基材31的整个上表面。压敏粘接剂层32在支承基材31的上表面具有薄片形状。压敏粘接剂层32，例如由通过处理(例如紫外线的照射或加热等)使压敏粘接力下降的压敏粘接剂形成。压敏粘接剂层32的厚度，例如在1μm以上，优选在10μm以上，并且，例如在1000μm以下，优选在500μm以下。
在荧光体层覆盖元件集合体11中，多个荧光体层覆盖元件8以荧光体层覆盖元件8的下表面22粘接在压敏粘接剂层32的上表面的方式，在临时固定片30上相互隔开间隔排列设置。此时，多个电极24埋入压敏粘接剂层32。
这种荧光体层覆盖元件集合体11例如可参考特开2014-168036号公报和特开2016-119454号公报等记载的方法来制作。
(压合步骤)
在压合步骤中，如图2B和图2C所示，将覆盖片1相对于荧光体层覆盖元件集合体11进行热压合。
首先，准备包括下板41和上板42的热压合机43，所述上板42隔开间隔相对配置在下板41的上方，压合时能够移动到下板41的上表面。在下板41和上板42上设有加热装置(未图标)，能够将它们加热到规定的温度。
接着，如图2B所示，在压合机43上设置荧光体层覆盖元件集合体11和覆盖片1。具体地说，在下板41的上表面配置荧光体层覆盖元件集合体11。此外，以光扩散层3成为下侧的方式，将覆盖片1固定在上板42的下表面。
接着，如图2C所示，使上板42向下方移动，将覆盖片1相对于荧光体层覆盖元件集合体11压合。此时，利用加热装置对下板41和上板42进行加热。
加热温度，例如在40℃以上，优选在45℃以上，并且，例如在200℃以下，优选在150℃以下。
压合压力，例如在0.01MPa以上，优选在0.1MPa以上，并且，例如在10MPa以下，优选在5MPa以下。
压合时间，例如在1秒以上，优选在10秒以上，并且，例如在30分钟以下，优选在10分钟以下。
由此，荧光体层覆盖元件8埋入光扩散层3。具体地说，荧光体层覆盖元件8的上表面和侧面被光扩散层3覆盖，临时固定片30的露出面(从荧光体层覆盖元件8露出的上表面部分)被光扩散层3覆盖。
其结果，在层积有剥离片4的状态下，得到包括临时固定片30、多个光学半导体元件6、荧光体层7、光扩散层3和白色层2的三层覆盖元件集合体12。
(剥离步骤)
在剥离步骤中，如图2D的假想线所示，将剥离片4从三层覆盖元件集合体12剥离。即，将剥离片4从白色层2剥离。
接着，在光扩散层3是B阶段的情况下，使热固性树脂完全固化(C阶段化)。具体地说，例如，利用烘箱等对三层覆盖元件集合体12进行加热。
加热温度，例如在100℃以上，优选在120℃以上，并且，例如在200℃以下，优选在160℃以下。此外，加热时间，例如在10分钟以上，优选在30分钟以上，并且，例如在480分钟以下，优选在300分钟以下。另外，能够以不同的温度进行多次加热。
使用苯基硅树脂组成物作为树脂的情况下，在C阶段的生成物中与硅原子直接键合的烃基的苯基的含有率，例如在30mol％以上，优选在35mol％以上，并且，例如在55mol％以下，优选在50mol％以下。利用29Si-NMR计算苯基的含有率。例如在WO2011/125463等中记载了苯基的含有率的详细计算方法。
(切断步骤)
在切断步骤中，如图2E所示，将三层覆盖元件集合体12切断(单片化)。
具体地说，如图2D的虚线所示，在相互相邻的光学半导体元件6之间沿厚度方向将白色层2和光扩散层3完全切断。由此，三层覆盖元件集合体12被单片化为各荧光体层覆盖元件8。因此，白色层2和光扩散层3以与一个荧光体层覆盖元件8一一对应的方式被单一化。
为了切断白色层2和光扩散层3，例如采用使用窄幅圆盘状切割锯的切割装置、例如，使用刀具的切割装置、例如，激光照射装置等切断装置。
接着，如图2E的假想线所示，将临时固定片30从光学半导体元件6剥离。
由此，得到包括光学半导体元件6、荧光体层7、光扩散层3和白色层2的三层覆盖元件5。
如图3A和图3B所示，在三层覆盖元件5中，光扩散层3配置在荧光体层7的上侧和侧方，覆盖荧光体层7的上表面和侧面。即，光扩散层3配置在荧光体层7的上侧和周围，完全覆盖荧光体层7的下表面以外的五个面。荧光体层7俯视为拟似矩形(优选的是俯视为拟似正方形)，向上下方向投影时，形成为包含荧光体层7。
配置在荧光体层7上侧的光扩散层3的上下方向长度L2(厚度)，例如在30μm以上，优选在50μm以上，更优选在100μm以上，并且，例如在600μm以下，优选在500μm以下，更优选在200μm以下。
白色层2配置在光扩散层3的上侧，覆盖光扩散层3的上表面。即，白色层2配置在光扩散层3的上侧，仅完全覆盖光扩散层3的上表面。白色层2俯视为矩形(优选的是俯视为拟似正方形)，向上下方向投影时，形成为与光扩散层3一致。
白色层2的上下方向长度L3(厚度)，例如在30μm以上，优选在50μm以上，并且，例如在200μm以下，优选在180μm以下。
三层覆盖元件5不是光学半导体装置10(参照图2F)，即，不包含光学半导体装置10所具有的基板15。即，三层覆盖元件5构成为电极24尚未与设置在光学半导体装置10的基板15上的端子(未图示)电连接。此外，三层覆盖元件5是光学半导体装置10的一个部件，即，是用于制造光学半导体装置10的部件，并且是作为部件可单独流通而能够用于工业上的设备。
另外，参照图2F，通过将三层覆盖元件5倒装片安装在二极管基板等基板15上，得到发光二极管装置等光学半导体装置10。
基板15具有拟似平板形状，具体地说，由导体层在绝缘基板的上表面，作为电路图案而层积的层积板形成。绝缘基板例如由硅基板、陶瓷基板和塑料基板(例如，聚酰亚胺树脂基板)等构成。导体层例如由金、铜、银和镍等导体形成。导体层包括用于与单数的光学半导体元件6电连接的电极(未图示)。基板15的厚度，例如在25μm以上，优选在50μm以上，并且，例如在2000μm以下，优选在1000μm以下。
<作用效果>
由于覆盖片1沿厚度方向依次具有含有白色粒子的白色层2和含有光扩散粒子的光扩散层3，所以能够在荧光体层覆盖元件8中配置含有白色粒子的白色层2和含有光扩散粒子的光扩散层3。
特别是能够将光扩散层3配置在荧光体层覆盖元件8的上表面和侧方。因此，能够使从荧光体层覆盖元件8发出的白光在光扩散层3中可靠地扩散，从而可降低正面方向和倾斜方向的颜色不均。即，不同角度方向的颜色均匀性良好。其结果，能够防止观察到从三层覆盖元件5发出的白光中因颜色不均所造成的黄环等。
此外，能够将白色层2配置在三层覆盖元件5最外侧的表面。因此，非发光时(以及发光时)，三层覆盖元件5呈白色。其结果，外观是美观的。
此外，由于覆盖片1可利用热压合而配置在荧光体层覆盖元件8上，所以能够容易地制造不同角度方向上的颜色均匀性以及非发光时外观(白色性)良好的三层覆盖元件5。
<变形例>
在以下的变形例中，对与图1-图3B的实施方式相同的部件标注相同的附图标记，并且省略详细的说明。
(1)在图2A-图2F所示的三层覆盖元件5的制造方法中，以光扩散层3覆盖荧光体层7的上表面和侧面的方式，将覆盖片1配置在荧光体层覆盖元件8上，但例如也可以如图4A-图4F所示，以光扩散层3仅覆盖荧光体层7的上表面的方式，将覆盖片1配置在荧光体层覆盖元件8上。
在图4A-图4F所示的实施方式中，优选的是，在覆盖片1中，使光扩散层3为B阶段，使其硬度比在图2A-图2F中使用的B阶段的光扩散层3稍硬。
具体地说，满足全部以下的条件[1]～[3]。
[1]在频率1Hz和升温速度20℃/分钟的条件下，对光扩散层3进行动态粘弹性测量而得到的表示剪切储能模量G’和温度T的关系的曲线具有极小值。
[2]极小值的温度T在40℃以上以及200℃以下的范围内。
[3]极小值的剪切储能模量G’在1000Pa以上、90000Pa以下的范围内。优选在10000Pa以上，更优选在20000Pa以上，进一步优选在30000Pa以上，并且优选在70000Pa以下。
通过使光扩散层3满足上述条件，光扩散层3能够以良好的粘附力贴附在荧光体层覆盖元件8上，并且能够保持压合前和压合后光扩散层3的厚度。此外，能够更可靠地使贴附在荧光体层覆盖元件8上的光扩散层3的厚度均匀。
另外，为了制造包括满足上述条件的光扩散层3的覆盖片1，例如，作为第二树脂使用苯基硅树脂组成物，且在光扩散层3形成时的B阶段化时，使其固化的程度比图2A-图2F所示的实施方式使用的覆盖片1的光扩散层3更高。即表示，加热程度提高。
具体地说，加热温度，例如在70℃以上，优选在80℃以上，并且，例如在150℃以下，优选在140℃以下，加热时间，例如超过10分钟，优选在12分钟以上，更优选在15分钟以上，并且，例如在60分钟以下，优选在50分钟以下。
另外，在上述图2A-图2F所示的实施方式的覆盖片1的光扩散层3中，上述条件[3]为极小值的剪切储能模量G’例如小于1000Pa，优选在500Pa以下，并且，例如在10Pa以上。
接着，说明使用图4A-图4F所示的实施方式的覆盖片1覆盖在荧光体层覆盖元件8上来制造三层覆盖元件5的方法。
三层覆盖元件5的制造方法例如包括：准备步骤，准备荧光体层覆盖元件集合体11；光扩散层配置步骤，在荧光体层覆盖元件集合体11上配置光扩散层侧部13；压合步骤，将相对于覆盖片1配置有光扩散层侧部13的荧光体层覆盖元件集合体11进行热压合；对剥离片4进行剥离的步骤；以及将三层覆盖元件集合体12切断的切断步骤。
如图4A所示，准备步骤与图2A所示的准备步骤相同。
在光扩散层配置步骤中，如图4B所示，在荧光体层覆盖元件集合体11上配置光扩散层侧部13。具体地说，在压合步骤前，在荧光体层覆盖元件集合体11中，在多个荧光体层覆盖元件8之间配置光扩散层侧部13。
为了配置光扩散层侧部13，例如，将光扩散组成物灌封在多个荧光体层覆盖元件8之间。接着，在光扩散组成物含有热固性树脂的情况下，利用加热等使光扩散组成物B阶段化。或者是使用包括B阶段的光扩散层侧部13和剥离片的光扩散层侧部转印片，在荧光体层覆盖元件集合体11上进行热压合。
此时，以形成的光扩散层侧部13的上表面与荧光体层7的上表面位于同一平面的方式配置光扩散层侧部13。根据需要，对光扩散层侧部13和/或荧光体层7的上表面进行研磨加工。
在压合步骤中，如图4C-图4D所示，将覆盖片1相对于配置有光扩散层侧部13的荧光体层覆盖元件集合体11进行热压合。热压合的条件与图2B-图2C所示的压合步骤相同。
由此，光扩散层3以覆盖荧光体层7和光扩散层侧部13上表面的方式配置在它们的上表面。
其结果，在层积有剥离片4的状态下得到三层覆盖元件集合体12，所述三层覆盖元件集合体12包括：临时固定片30、多个光学半导体元件6、荧光体层7、光扩散层侧部13、光扩散层3和白色层2。此时，荧光体层覆盖元件集合体11的光扩散层侧部13与覆盖片1的光扩散层3一体化，形成一个光扩散层。
在剥离步骤中，如图4E的假想线所示，将剥离片4从荧光体层覆盖元件集合体11剥离。即，将剥离片4从白色层2和光扩散层侧部13剥离。
接着，在光扩散层3和/或光扩散层侧部13为B阶段的情况下，使热固性树脂完全固化(C阶段化)。具体地说，例如，利用烘箱等对三层覆盖元件集合体12进行加热。加热条件与图2E所示的加热条件相同。
在切断步骤中，如图4F所示，将三层覆盖元件集合体12切断(单一化)。
具体地说，在相互相邻的光学半导体元件6之间，如图4E的虚线所示，沿厚度方向将白色层2、光扩散层3和光扩散层侧部13完全切断。由此，三层覆盖元件集合体12被单片化成各荧光体层覆盖元件8。
切断方法与图2E所示的切断步骤的方法相同。
由此，得到三层覆盖元件5，该三层覆盖元件5包括光学半导体元件6、荧光体层7、光扩散层侧部13、光扩散层3、白色层2和光扩散层侧部13。
图4A-图4F所示的实施方式的制造方法也能够起到与图2A-图2F所示的实施方式的制造方法同样的作用效果。特别是在由所述第二实施方式的制造方法得到的三层覆盖元件5中，可使配置在荧光体层7的上表面的光扩散层3的厚度L2与覆盖片1的光扩散层3的厚度相同。因此，容易进行光扩散层3的厚度设计。
(2)此外，在上述(1)(图4A-图4F)所述的实施方式中，在荧光体层覆盖元件集合体11配置有光扩散层侧部13，但是例如也可以参照图5A-图5B，不配置光扩散层侧部13而将覆盖片1相对于荧光体层覆盖元件集合体11进行热压合。
此时，以覆盖片1的光扩散层3与临时固定片30的上表面(露出面)接触的方式，利用模具等来进行热压合。
由此，能够得到图5A-图5B所示的三层覆盖元件5。
在图5A-图5B所示的三层覆盖元件5中，光扩散层3包括：光扩散层上部51，其配置在荧光体层7的上表面；光扩散层侧部52，其配置在荧光体层7的侧方；以及光扩散层边缘部53，其从光扩散层侧部52的下端向侧方突出。光扩散层上部51的厚度(上下方向长度)、光扩散层侧部52的厚度(前后方向长度/左右方向长度)和光扩散层边缘部53的厚度(上下方向长度)彼此相同。
白色层2包括：白色层上部61，其配置在光扩散层上部51的上表面；白色层侧部62，其配置在光扩散层侧部52的侧方；以及白色层边缘部63，其从白色层侧部62的下端向侧方突出。白色层上部61的厚度(上下方向长度)、白色层侧部62的厚度(前后方向长度/左右方向长度)和白色层边缘部63的厚度(上下方向长度)彼此相同。
制造上述图5A-图5B所示的三层覆盖元件5的实施方式也能够起到与图4A-图4F所示的实施方式相同的作用效果。
(3)此外，在图2A-图2F所示的实施方式中，将覆盖片1间接覆盖在光学半导体元件6上，即，将覆盖片1覆盖在荧光体层覆盖元件8上，例如，虽然未图示，但是也可以将覆盖片1直接覆盖在光学半导体元件6上。
即，能够以光扩散层3与光学半导体元件6的上表面接触的方式，将覆盖片1配置在不具备荧光体层7的光学半导体元件6上。在上述实施方式中，也能够起到与图2所示的实施方式相同的作用效果。
(4)此外，在图2A-图2F所示的实施方式中，将覆盖片1覆盖在荧光体层覆盖元件8上，虽然未图示，也可以覆盖在光学半导体装置上。即，在光学半导体元件6安装在基板15上的光学半导体装置中，能够将覆盖片1覆盖在上述光学半导体元件6上。在上述实施方式中，也可以起到与图2A-图2F所示的实施方式相同的作用效果。
[实施例]
在以下的记载中使用的配合比例(含有率)、物性值、参数等具体数值可以代替为上述“具体实施方式”中记载的与它们对应的配合比例(含有率)、物性值、参数等记载的上限值(定义为“以下”、“小于”的数值)或下限值(定义为“以上”、“超过”的数值)。
<硅树脂组成物的制备>
以特开2016-037562号公报的实施例中记载的制备例1为基准，制备A阶段的苯基硅树脂组成物(能够成为B阶段的一级反应固化型树脂)。
接着，使A阶段的苯基硅树脂组成物以100℃反应1小时(完全固化、C阶段化)，得到生成物。测量得到的生成物的29Si-NMR，计算与硅原子直接键合的烃基中的苯基所占的比例(mol％)，其结果是48％。
此外，利用阿贝折射率计测量苯基硅树脂组成物于C阶段的折射率。其结果是1.56。
<在实施例中使用的材料>
氧化钛：白色粒子、平均粒径0.36μm、商品名“R706S”、杜邦公司制造
二氧化硅粒子：光扩散粒子、折射率1.45、平均粒径3.4μm，商品名“FB-3SDC”、电气化学公司制造
玻璃粒子：填充材料、折射率1.55、组成和组成比例(质量％)：SiO2/Al2O3/CaO/MgO＝60/20/15/5的无机粒子、平均粒径20μm
气相二氧化硅：触变赋予粒子、平均粒径7nm、商品名“R976S”、赢创公司制造
实施例1
将46.6质量％的硅树脂组成物、3.0质量％的氧化钛、48.5质量％的玻璃粒子和1.9质量％的气相二氧化硅混合，制备白色组成物。利用逗号刮刀将白色组成物涂布在剥离片(分离器、商品名“SE-1”、厚度50μm、FUJICO公司制)上，通过以120℃加热10分钟，形成C阶段的白色层。白色层的厚度是100μm。
接着，将41.4质量％的硅树脂组成物、40质量％的二氧化硅粒子、18质量％的玻璃粒子和0.6质量％的气相二氧化硅混合，制备光扩散组成物。利用逗号刮刀将光扩散组成物涂布在白色层上，通过以80℃加热10分钟，形成B阶段的光扩散层。光扩散层的厚度是150μm。
由此，在被剥离片支承的状态下，制造包括白色层和光扩散层的覆盖片。
实施例2～15
除了将白色组成物(即白色层)的氧化钛的配合比例、光扩散组成物(即光扩散层)的二氧化硅粒子的配合比例、以及白色层和光扩散层的厚度改变为表1中记载的配合比例或厚度以外，以与实施例1同样的方式制作覆盖片。
比较例1
在白色组成物中，除了不配合氧化钛以外，以与实施例1同样的方式来制作覆盖片。即，比较例1的覆盖片由非白色层(透明层)和光扩散层形成。
比较例2
在光扩散组成物中，除了不配合二氧化硅粒子以外，以与实施例1同样的方式来制作覆盖片。即，比较例2的覆盖片由白色层和非光扩散层(透明层)形成。
实施例16
除了将光扩散层的二氧化硅粒子的配合比例以及白色层的厚度改变为表1中记载的配合比例或厚度、且将光扩散组成物的加热条件设为80℃、20分钟以外，以与实施例1同样的方式来制作覆盖片。
(厚度的测量)
利用测量仪器(光学尺、西铁城公司制)来测量光扩散层和白色层的厚度。
(亮度的测量)
利用紫外可见近红外光谱仪并通过积分球的透射率测量方法，测量各实施例和各比较例的覆盖片的亮度。
具体地说，以光扩散层与载玻片接触的方式，在90℃、0.1MPa、10分钟的条件下，将由各实施例和各比较例得到的覆盖片相对于载玻片进行热压合。接着，对剥离片进行剥离，通过以150℃加热120分钟，使光扩散层C阶段化。此时，得到亮度测量用的试样(载玻片/光扩散层/白色层的层积体)。
接着，在紫外可见近红外光谱仪(“V-670”、JASCO公司制)上仅设置载玻片，照射波长380～780nm的光，进行基准测定。此后，设置试样，照射与上述相同的光，测量试样的透射光谱。根据所述透射光谱，以JIS Z 8781-4：2013为基准来进行计算，计算覆盖片的亮度L*。表1表示结果。
另外，以同样的方式测量C阶段化前的B阶段的光扩散层，也能够得到与C阶段的光扩散层同样的结果。
(光扩散层的半值角的测量)
通过将由各实施例和各比较例制作的光扩散层3配置在载玻片70上，制作半值角测量用的试样71。
接着，准备分光变角色差计(GC5000、日本电色工业公司制)，在试样71的上侧隔开间隔(5cm)固定光源72，在试样71的下侧隔开间隔(3cm)配置检测器73(参照图6)。
接着，从光源72向试样71照射入射光(C光源)。
将透射试样71而到达光源72正下方的透射光作为角度0°的正面光，测量正面项的强度I0。接着，使检测器73从正面(0°)向倾斜方向(-60°～60°)移动，测量倾斜方向的透射光的强度。
测量相对于正面光的强度I0成为其一半的强度I1/2的角度，计算发出一半以上的强度的角度范围α。表1表示结果。
(荧光体层的动态粘弹性(剪切储能模量G’)的测量)
在以下条件下，对由实施例1和实施例16得到的B阶段的荧光体层进行动态粘弹性测量。
[条件]
粘弹性装置：旋转流变仪(C-VOR装置，马尔文公司制造)
试样形状：圆板形状
试样尺寸：厚度225μm、直径8mm
变形量：10％
频率：1Hz
板直径：8mm
板间间隙：200μm
升温速度20℃/分钟
温度范围：20～200℃
图7图示了表示此时的剪切储能模量G’和温度T的关系的曲线。
实施例1的光扩散层的剪切储能模量G’的极小值是25Pa。实施例16的光扩散层的剪切储能模量G’的极小值是1980Pa。
(三层覆盖元件的制作方法A)
准备多个光学半导体元件(1.1mm见方、厚度150μm、晶元光电公司制造)的上表面和侧面被荧光体层(含有黄色荧光体)覆盖的俯视为大致矩形的荧光体层覆盖元件。配置在光学半导体元件的上表面的荧光体层的厚度是200μm。
接着，准备包括支承板(不锈钢载体)和配置在支承板的上表面的粘接片(“REVALPHA”、日东电工公司制造)的临时固定片。
以将光学半导体元件的下表面的电极埋入粘接片的方式，将荧光体层覆盖元件以1.77mm间隔、前后方向五个、左右方向五个的方式排列配置在临时固定片上(图2A)。由此，得到荧光体层覆盖元件集合体。
接着，以荧光体层覆盖元件成为上侧的方式将荧光体层覆盖元件集合体固定在热压合机的下板的上表面，另一方面，以光扩散层成为下侧的方式，将实施例1～15或各比较例的覆盖片固定在热压合机上板的下表面(图2B)。此后，在90℃、0.1MPa、10分钟的条件下进行热压合。此时，进行热压合，使配置在荧光体层覆盖元件的上表面的光扩散层被压缩10μm，即，使在得到的三层覆盖元件中荧光体层上表面的光扩散层比层积前的覆盖片的光扩散层减少10μm(图2C)。具体地说，覆盖片的光扩散层的厚度是150μm的情况下，压合后的三层覆盖元件的光扩散层的厚度是140μm。
接着，对剥离片进行剥离，利用150℃的烘箱加热120分钟，使光扩散层C阶段化(图2D)。
接着，利用切割机切断相邻的光学半导体元件之间的白色层和光扩散层而单片化后，剥离临时固定片(图2E)。
由此，制作三层覆盖元件A。
(三层覆盖元件的制作方法B)
以与上述方法同样的方式，得到荧光体层覆盖元件集合体(图4A)。
接着，作为形成光扩散层侧部的材料，使用由实施例16制备的光扩散组成物。将所述光扩散组成物填充在荧光体层覆盖元件之间，通过加热形成光扩散层侧部。形成的光扩散层侧部的上表面与光学半导体元件的上表面位于同一平面(图4B)。
接着，以荧光体层覆盖元件成为上侧的方式，将荧光体层覆盖元件集合体固定在热压合机下板的上表面，另一方面，以光扩散层成为下侧的方式，将实施例16的覆盖片固定在热压合机上板的下表面(图4C)。此后，在90℃、0.1MPa、2分钟的条件下进行热压合(图4D)。此时，配置在荧光体层覆盖元件的上表面的光扩散层未被压缩。即，在得到的三层覆盖元件中，荧光体层上表面的光扩散层的厚度与层积前的覆盖片的光扩散层的厚度相同。
接着，对剥离片进行剥离，利用150℃的烘箱加热120分钟，使光扩散层C阶段化(图4E)。
接着，利用切割机将相邻的光学半导体元件之间的白色层、光扩散层和光扩散层侧部切断而单一化后，剥离临时固定片(图4F)。
由此，制作三层覆盖元件B。
(角度方向上的颜色均匀性的测量)
将各实施例和各比较例的三层覆盖元件A～B倒装片安装在二极管基板上，得到光学半导体装置。向所述光学半导体装置施加300mA的电流，使光学半导体装置发光。测量此时从正面方向(0°：上方向)向倾斜方向(-60°～60°)发出的光的色度(CIE、y)，得出0°的光的色度与±60的光的色度的差(Δu′v′)。
在测量中，利用多通道光谱仪(“MCPD-9800”、大冢电子公司制造)来进行测量。表1表示其结果。
另外，由于如果差(Δu′v′)小于0.0040，则观察不到黄环，所以能够判断为非常良好。此外，由于如果超过0.040、小于0.0050，则几乎观察不到黄环，所以判断为良好。由于如果超过0.0050、小于0.0060，则仅能够稍许观察到黄环，所以判断为可。由于如果超过0.0050，则明显能够观察到黄环，所以判断为不可。
(三层覆盖元件的外观)
从白色层一侧通过目视观察各实施例和各比较例的三层覆盖元件A～B的外观，以如下方式进行评价。表1表示结果。
◎：完全不能确认基底(荧光体层)的颜色(黄色)。
○：几乎不能确认基底的颜色。
△：能够稍许确认基底的颜色。
×：能够清楚地确认基底的颜色。
(三层覆盖元件的亮度的测量)
将各实施例和各比较例的三层覆盖元件A～B倒装片安装在二极管基板上，得到光学半导体装置。向所述光学半导体装置施加300mA的电流，测量总光通量。另外，利用多通道光谱仪(“MCPD-9800”、大冢电子公司制造)，以曝光时间19ms、累计次数16次的测量条件来进行测量。表1表示结果。
[表1]
Figure BDA0001988103790000261
另外，上述发明作为本发明示例的实施方式进行了表述，其只不过为示例，并非限定性的解释。本领域技术人员可明了的本发明的变形例也包含在本发明要求保护的范围中。
【产业上的可利用性】
本发明的光学半导体元件覆盖用片能够适用于各种工业产品，例如，能够用于白色光学半导体装置等发光装置等。

Claims (9)

1.一种光学半导体元件覆盖用薄片，用于直接地覆盖荧光体层覆盖元件的上表面和侧表面，该荧光体层覆盖元件包括光学半导体元件和覆盖该光学半导体元件的荧光体层，其特征在于，
沿厚度方向依次具有含有白色粒子的透光白色层、和含有光扩散粒子的光扩散层，
其中，该透光白色层为沿平面方向延伸且厚度均一的薄片并完整覆盖于该光扩散层上。
2.如权利要求1所述的光学半导体元件覆盖用薄片，其特征在于，
所述光学半导体元件覆盖用薄片的厚度方向上的亮度L＊在51.2以上且67.7以下。
3.如权利要求2所述的光学半导体元件覆盖用薄片，其特征在于，
所述光学半导体元件覆盖用薄片的厚度方向上的亮度L＊在55.7以上且66.6以下。
4.如权利要求1所述的光学半导体元件覆盖用薄片，其特征在于，
所述光扩散层的半值角在20°以上且120°以下。
5.如权利要求4所述的光学半导体元件覆盖用薄片，其特征在于，
所述光扩散层的半值角在40°以上且120°以下。
6.如权利要求1所述的光学半导体元件覆盖用薄片，其特征在于，
所述透光白色层的厚度在30μm以上且200μm以下。
7.如权利要求1所述的光学半导体元件覆盖用薄片，其特征在于，
所述光扩散层的厚度在30μm以上且600μm以下。
8.如权利要求1所述的光学半导体元件覆盖用薄片，其特征在于，
所述光扩散层含有B阶段的树脂。
9.如权利要求8所述的光学半导体元件覆盖用薄片，其特征在于，
所述光扩散层在频率1Hz、升温速度20℃/分钟的条件下利用动态粘弹性测量得到的表示剪切储能模量G’和温度T的关系的曲线具有极小值，
所述极小值中的温度T在40℃以上且200℃以下的范围内，
所述极小值中的剪切储能模量G’在1000Pa以上且90000Pa以下的范围内。
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