JP2014168035A - 封止層被覆半導体素子、その製造方法および半導体装置 - Google Patents

封止層被覆半導体素子、その製造方法および半導体装置 Download PDF

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Abstract

【課題】粘着層に利用できる材料を広範に選択でき、工程設計の自由度を向上させることができ、さらには、封止層被覆半導体素子の製造に要する工数を低減することができる、封止層被覆半導体素子の製造方法、それにより得られる封止層被覆半導体素子、および、それを備える半導体装置を提供すること。
【解決手段】蛍光体シート被覆ＬＥＤ１０の製造方法は、貫通孔２１が形成される支持板２と粘着層３とを備える支持シート１を用意する用意工程、ＬＥＤ４を粘着層３に配置するＬＥＤ配置工程、蛍光体シート５によってＬＥＤ４を被覆して、ＬＥＤ４と蛍光体シート５とを備える蛍光体シート被覆ＬＥＤ１０を得るＬＥＤ被覆工程、および、押圧部材１４を貫通孔２１に挿通させて、蛍光体シート被覆ＬＥＤ１０を相対移動させながら、蛍光体シート被覆ＬＥＤ１０を粘着層３から剥離するＬＥＤ剥離工程を備える。
【選択図】図１

Description

本発明は、封止層被覆半導体素子、その製造方法および半導体装置に関し、詳しくは、封止層被覆半導体素子の製造方法、それにより得られる封止層被覆半導体素子、および、それを備える半導体装置に関する。
従来、発光ダイオード装置（以下、ＬＥＤ装置と略記する。）や電子装置などを含む半導体装置は、まず、基板に複数の半導体素子（発光ダイオード素子（以下、ＬＥＤと略記する。）や電子素子などを含む。）を実装し、次いで、複数の半導体素子を被覆するように封止層を設け、その後、各半導体素子に個片化することにより、製造されることが知られている。
とりわけ、半導体素子がＬＥＤであり、半導体装置がＬＥＤ装置である場合には、複数のＬＥＤの間において、発光波長や発光効率にバラツキを生じるため、そのようなＬＥＤが実装されたＬＥＤ装置では、複数のＬＥＤの間において発光にバラツキを生じるという不具合がある。
かかる不具合を解消すべく、例えば、複数のＬＥＤを蛍光体層で被覆して蛍光体層被覆ＬＥＤを作製し、必要により各蛍光体層被覆ＬＥＤに個片化し、その後、蛍光体層被覆ＬＥＤを発光波長や発光効率に応じて選別した後、基板に実装することが検討されている。
例えば、平坦な透明基板（石英基板）の上に、粘着シートを介してチップを貼り付け、次いで、チップの上から樹脂を塗布して、樹脂で被覆されたチップからなる疑似ウエーハを作製する。
そして、石英基板側より紫外線を照射して、または、薬液もしくは加熱によって、粘着シートの粘着力を低下させ、疑似ウエーハを、石英基板および粘着シートから剥離した後、疑似ウエーハを、チップ単位でダイシングして個片化することにより得られるチップ部品が提案されている（例えば、下記特許文献１参照。）。特許文献１のチップ部品は、その後、基板に実装されて、半導体装置が得られる。
特開２００１−３０８１１６号公報
しかるに、特許文献１に記載の方法では、疑似ウエーハを、石英基板および粘着シートから剥離するために、石英基板側より紫外線を照射して、または、薬液もしくは加熱によって粘着シートの粘着力を低下させている。
そのため、粘着シートに利用できる材料に制約を受けたり、粘着シートの粘着力を低下させる工程が必要となって工数が増加するという不具合がある。その結果、封止層被覆半導体素子の製造コストの増加が不可避である。
本発明の目的は、粘着層に利用できる材料を広範に選択でき、工程設計の自由度を向上させることができ、さらには、封止層被覆半導体素子の製造に要する工数を低減することができる、封止層被覆半導体素子の製造方法、それにより得られる封止層被覆半導体素子、および、それを備える半導体装置を提供することにある。
上記目的を達成するために、本発明の封止層被覆半導体素子の製造方法は、厚み方向を貫通する貫通孔が形成される硬質の支持板と、前記支持板の厚み方向一方側の表面に前記貫通孔を被覆するように積層される粘着層とを備える支持シートを用意する用意工程、半導体素子を、前記貫通孔と前記厚み方向に対向する前記粘着層の前記厚み方向一方側の表面に配置する半導体素子配置工程、封止層によって前記半導体素子を被覆して、前記半導体素子と、前記半導体素子を被覆する前記封止層とを備える封止層被覆半導体素子を得る半導体素子被覆工程、および、押圧部材を前記貫通孔に前記厚み方向他方側から挿通させて、前記貫通孔に対応する前記粘着層を前記支持板に対して相対的に前記厚み方向一方側に押圧することによって、前記封止層被覆半導体素子を前記厚み方向一方側に相対移動させながら、前記封止層被覆半導体素子を前記粘着層から剥離する半導体素子剥離工程を備えることを特徴としている。
また、本発明の封止層被覆半導体素子の製造方法では、前記封止層は、封止シートから形成されていることが好適である。
また、本発明の封止層被覆半導体素子の製造方法において、前記半導体素子被覆工程は、前記半導体素子配置工程の後に、硬化性樹脂を含有する封止樹脂組成物から形成される前記封止層を、前記半導体素子を埋設するように、前記支持シートの前記厚み方向一方側に配置する層配置工程、前記封止層を硬化させて、可撓性の前記封止層によって前記半導体素子を封止する封止工程、および、前記封止工程の後に、可撓性の前記封止層を、前記半導体素子に対応して切断することにより、前記半導体素子と、前記半導体素子を被覆する前記封止層とを備える前記封止層被覆半導体素子を得る切断工程を備えることが好適である。
また、本発明の封止層被覆半導体素子の製造方法において、前記層配置工程では、Ｂステージの前記封止層によって、前記半導体素子を埋設し、前記封止工程では、前記封止層を硬化させてＣステージにし、Ｃステージの前記封止層によって前記半導体素子を封止することが好適である。
また、本発明の封止層被覆半導体素子の製造方法において、前記用意工程では、前記支持シートを、切断工程において切断の基準となる基準マークが予め設けられるように、用意することが好適である。
また、本発明の封止層被覆半導体素子の製造方法において、前記半導体素子が、ＬＥＤであり、前記封止層が、蛍光体層であることが好適である。
また、本発明の封止層被覆半導体素子の製造方法では、前記封止層は、前記半導体素子を被覆する被覆部と、光反射成分を含有し、前記被覆部を囲むようにして形成されるリフレクタ部とを備えることが好適である。
また、本発明の封止層被覆半導体素子は、上記した封止層被覆半導体素子の製造方法により得られることを特徴としている。
また、本発明の半導体装置は、基板と、前記基板に実装される上記した封止層被覆半導体素子とを備えることを特徴としている。
本発明の封止層被覆半導体素子の製造方法では、硬質の支持板の貫通孔に押圧部材を挿通させて粘着層を押圧することにより、半導体素子を粘着層から剥離する。
そのため、半導体素子剥離工程の前に、粘着層の粘着力を低下させる工程を必要とせずとも、半導体素子を粘着層から剥離することができる。
その結果、封止層被覆半導体素子の製造に要する工数を削減することができる。
また、粘着層の材料を、紫外線照射、薬液または加熱によって粘着力が低下するような材料だけでなく、広範に選択することができる。
その結果、工程設計の自由度を向上させることができる。
本発明の封止層被覆半導体素子は、その製造に要する工数が低減されているので、コストを低減することができる。
また、本発明の半導体装置は、上記した封止層被覆半導体素子を備えているので、コストを低減することができる。
図１は、本発明の封止層被覆半導体素子の製造方法の第１実施形態を示す工程図であり、（ａ）は、支持シートを用意する用意工程、（ｂ）は、ＬＥＤを支持シートの上側の表面に配置するＬＥＤ配置工程、（ｃ）は、蛍光体シートを支持シートの上側の表面に配置するシート配置工程、（ｄ）は、蛍光体シートによってＬＥＤを封止する封止工程、および、蛍光体シートを切断する切断工程、（ｅ）は、蛍光体シート被覆ＬＥＤを支持シートから剥離するＬＥＤ剥離工程、（ｅ’）は、（ｅ）のＬＥＤ剥離工程において、ピックアップ装置を用いて蛍光体シート被覆ＬＥＤを粘着層から剥離する状態を詳説する工程図、（ｆ）は、蛍光体シート被覆ＬＥＤを基板に実装する実装工程を示す。 図２は、図１（ａ）に示す支持シートの平面図を示す。 図３は、図１（ｅ）および（ｅ’）に示すＬＥＤ剥離工程の変形例であって、個片化しない複数の蛍光体シート被覆ＬＥＤ１０を剥離する変形例を示す。 図４は、本発明の封止層被覆半導体素子の製造方法の第２実施形態を示す工程図であり、（ａ）は、支持シートを用意する用意工程、（ｂ）は、ＬＥＤを支持シートの上に配置するＬＥＤ配置工程、（ｃ）は、埋設−リフレクタシートの埋設部によってＬＥＤを埋設するシート配置工程、（ｄ）は、埋設部によってＬＥＤを封止する封止工程、および、リフレクタ部を切断する切断工程、（ｅ）は、リフレクタ部が設けられた蛍光体シート被覆ＬＥＤを支持シートから剥離するＬＥＤ剥離工程、（ｅ’）は、（ｅ）のＬＥＤ剥離工程において、ピックアップ装置を用いて蛍光体シート被覆ＬＥＤを粘着層から剥離する状態を詳説する工程図、（ｆ）は、リフレクタ部が設けられた蛍光体シート被覆ＬＥＤを基板に実装する実装工程を示す。 図５は、図４（ｄ）に示す蛍光体シート埋設ＬＥＤの平面図を示す。 図６は、図４（ｂ）に示す埋設−リフレクタシートの製造方法の工程図であり、（ａ）は、プレス装置にリフレクタシートを配置する工程、（ｂ）は、リフレクタシートをプレスして、リフレクタ部を形成する工程、（ｃ）は、蛍光体シートを、リフレクタ部の上に配置する工程、（ｄ）は、蛍光体シートをプレスして、埋設部を形成する工程、（ｅ）は、埋設−リフレクタシートを剥離シートから剥離する工程を示す。 図７は、本発明の封止層被覆半導体素子の製造方法の第３実施形態に用いられる埋設−リフレクタシートの製造方法の工程図であり、（ａ）は、プレス装置にリフレクタシートを配置する工程、（ｂ）は、リフレクタシートをプレスして、リフレクタ部を形成する工程、（ｃ）は、蛍光樹脂組成物のワニスを貫通孔にポッティングする工程、（ｄ）は、埋設−リフレクタシートを剥離シートから剥離する工程を示す。 図８は、本発明の封止層被覆半導体素子の製造方法の第４実施形態を示す工程図であり、（ａ）は、支持シートを用意する用意工程、（ｂ）は、ＬＥＤを支持シートの上に配置するＬＥＤ配置工程、（ｃ）は、埋設−リフレクタシートの埋設部によってＬＥＤを埋設するシート配置工程、（ｄ）は、埋設部によってＬＥＤを封止する封止工程、および、リフレクタ部を切断する切断工程、（ｅ）は、リフレクタ部が設けられた蛍光体シート被覆ＬＥＤを支持シートから剥離するＬＥＤ剥離工程、（ｅ’）は、（ｅ）のＬＥＤ剥離工程において、ピックアップ装置を用いて蛍光体シート被覆ＬＥＤを粘着層から剥離する状態を詳説する工程図、（ｆ）は、リフレクタ部が設けられた蛍光体シート被覆ＬＥＤを基板に実装する実装工程を示す。 図９は、本発明の封止層被覆半導体素子の製造方法の第５実施形態を示す工程図であり、（ａ）は、支持シートを用意する用意工程、（ｂ）は、ＬＥＤを支持シートの上に配置するＬＥＤ配置工程、（ｃ）は、埋設−リフレクタシートの埋設部によってＬＥＤを埋設するシート配置工程、（ｄ）は、埋設部によってＬＥＤを封止する封止工程、および、リフレクタ部を切断する切断工程、（ｅ）は、リフレクタ部が設けられた蛍光体シート被覆ＬＥＤを支持シートから剥離するＬＥＤ剥離工程、（ｅ’）は、（ｅ）のＬＥＤ剥離工程において、ピックアップ装置を用いて蛍光体シート被覆ＬＥＤを粘着層から剥離する状態を詳説する工程図、（ｆ）は、リフレクタ部が設けられた蛍光体シート被覆ＬＥＤを基板に実装する実装工程を示す。 図１０は、図９（ｂ）に示す埋設−リフレクタシートの製造方法の工程図であり、（ａ）は、打抜装置にリフレクタシートを配置する工程、（ｂ）は、リフレクタシートを打ち抜いて、リフレクタ部を形成する工程、（ｃ）は、蛍光体シートを、リフレクタ部の上に配置する工程、（ｄ）は、蛍光体シートをプレスして、埋設部を形成する工程、（ｅ）は、埋設−リフレクタシートを剥離シートから剥離する工程を示す。 図１１は、本発明の封止層被覆半導体素子の製造方法の第６実施形態に用いられる埋設−リフレクタシートの製造方法の工程図であり、（ａ）は、打抜装置にリフレクタシートを配置する工程、（ｂ）は、リフレクタシートを打ち抜いて、リフレクタ部を形成する工程、（ｃ）は、蛍光樹脂組成物のワニスを貫通孔にポッティングする工程、（ｄ）は、埋設−リフレクタシートを剥離シートから剥離する工程を示す。 図１２は、本発明の封止層被覆半導体素子の製造方法の第７実施形態を示す工程図であり、（ａ）は、支持シートを用意する用意工程、（ｂ）は、ＬＥＤを支持シートの上に配置するＬＥＤ配置工程、（ｃ）は、ＬＥＤを被覆部によって被覆する被覆工程、（ｄ）は、被覆部を硬化させる硬化工程、および、リフレクタ部を切断する切断工程、（ｅ）は、リフレクタ部が設けられた蛍光体シート被覆ＬＥＤを支持シートから剥離するＬＥＤ剥離工程、（ｅ’）は、（ｅ）のＬＥＤ剥離工程において、ピックアップ装置を用いて蛍光体シート被覆ＬＥＤを粘着層から剥離する状態を詳説する工程図、（ｆ）は、リフレクタ部が設けられた蛍光体シート被覆ＬＥＤを基板に実装する実装工程を示す。 図１３は、本発明の封止層被覆半導体素子の製造方法の第８実施形態を示す工程図であり、（ａ）は、支持シートを用意する用意工程、（ｂ）は、ＬＥＤを支持シートの上に配置するＬＥＤ配置工程、（ｃ）は、蛍光体シートによってＬＥＤの側面を被覆するシート配置工程、（ｄ）は、蛍光体シートを硬化させる硬化工程、および、蛍光体シートを切断する切断工程、（ｅ）は、蛍光体シート被覆ＬＥＤを支持シートから剥離するＬＥＤ剥離工程、（ｅ’）は、（ｅ）のＬＥＤ剥離工程において、ピックアップ装置を用いて蛍光体シート被覆ＬＥＤを粘着層から剥離する状態を詳説する工程図、（ｆ）は、蛍光体シート被覆ＬＥＤを基板に実装する実装工程を示す。 図１４は、本発明の封止層被覆半導体素子の製造方法の第９実施形態に用いられるディスペンサの斜視図を示す。
＜第１実施形態＞
図１において、紙面上下方向を上下方向（第１方向、厚み方向）、紙面左右方向を左右方向（第２方向、第１方向に直交する方向）、紙面紙厚方向を前後方向（第３方向、第１方向および第２方向に直交する方向）とする。図２以降の各図は、上記した方向および図１の方向矢印に準拠する。
図１は、本発明の封止層被覆半導体素子の製造方法の第１実施形態を示す工程図である。図２は、図１（ａ）に示す支持シートの平面図を示す。
なお、図２において、後述する粘着層３は、後述する支持板２および基準マーク１８の相対配置を明確に示すために、省略している。
封止層被覆半導体素子としての蛍光体層被覆ＬＥＤの一例である蛍光体シート被覆ＬＥＤ１０の製造方法は、図１（ａ）〜図１（ｅ）に示すように、支持シート１の用意工程（図１（ａ）参照）、半導体素子としてのＬＥＤ４を配置するＬＥＤ配置工程（半導体素子配置工程の一例、図１（ｂ）参照。）、ＬＥＤ被覆工程（半導体素子被覆工程の一例、図１（ｃ）および図１（ｄ）参照。）、および、ＬＥＤ剥離工程（半導体素子剥離工程の一例、図１（ｅ）および図１（ｅ’）参照。）を備える。
ＬＥＤ被覆工程は、ＬＥＤ配置工程の後に、封止層の一例である封止シートとしての蛍光体シート５を支持シート１の上側の表面（上面）に配置するシート配置工程（層配置工程の一例、図１（ｃ）参照）、蛍光体シート５を硬化させて、蛍光体シート５によってＬＥＤ４を封止する封止工程（図１（ｄ）参照）、および、封止工程の後に、蛍光体シート５を、ＬＥＤ４に対応して切断することにより、蛍光体シート被覆ＬＥＤ１０を得る切断工程（図１（ｄ）の破線参照）を備える。
［用意工程］
用意工程は、支持シート１を用意する工程であって、支持シート１は、図１（ａ）および図２に示すように、面方向（厚み方向に対する直交方向、すなわち、左右方向および前後方向）に延びるシート形状をなし、平面視形状（厚み方向に投影したときの形状）は、例えば、矩形状に形成されている。
また、支持シート１は、後で説明する切断工程において切断の基準となる基準マーク１８が予め設けられるように、用意される。
基準マーク１８は、図２に示すように、支持シート１における面方向における周端部において、間隔を隔てて複数設けられている。例えば、基準マーク１８は、支持シート１において互いに対向する２辺にそれぞれ設けられており、基準マーク１８は、支持シート１の２辺が対向する方向において対向する１対をなすように形成されている。１対の基準マーク１８は、その後に配置されるＬＥＤ４に対応して設けられ、基準マーク１８を基準として蛍光体シート５を切断したときに、ＬＥＤ４を個片化できるように配置されている。
各基準マーク１８は、平面視において容易に認識される形状に形成されており、例えば、平面視略三角形状に形成されている。
支持シート１の最大長さは、例えば、１０ｍｍ以上、３００ｍｍ以下である。
支持シート１は、次に説明するＬＥＤ４（図１（ｂ）参照）を支持できるように構成されており、図１（ａ）および図２に示すように、例えば、支持板２と、支持板２の上側の表面に積層される粘着層３とを備える。
支持板２は、面方向に延びる板形状をなし、支持シート１における下部に設けられており、支持シート１と平面視略同一形状に形成されている。
また、支持板２の上側の表面には、基準マーク１８が形成されている。基準マーク１８は、断面視において、図示しないが、例えば、上側の表面から上下方向途中まで凹む凹部、あるいは、上下方向を貫通する孔として形成されている。
支持板２は、硬質の材料からなり、具体的には、そのような材料として、例えば、酸化ケイ素（石英など）、アルミナなどの酸化物、例えば、ステンレスなどの金属、例えば、シリコンなどが挙げられる。
支持板２の２３℃におけるヤング率は、例えば、１×１０６Ｐａ以上、好ましくは、１×１０７Ｐａ以上、より好ましくは、１×１０８Ｐａ以上であり、また、例えば、１×１０１２Ｐａ以下でもある。支持板２のヤング率が上記した下限以上であれば、支持板２の硬質を担保して、後述するＬＥＤ４（図１（ｂ）参照）をより一層確実に支持することができる。なお、支持板２のヤング率は、例えば、ＪＩＳ Ｈ ７９０２：２００８の圧縮弾性率などから求められる。
支持板２の厚みは、例えば、０．１ｍｍ以上、好ましくは、０．３ｍｍ以上であり、また、例えば、５ｍｍ以下、好ましくは、２ｍｍ以下でもある。
また、支持板２には、後で説明するＬＥＤ剥離工程において押圧部材１４を挿通させるための貫通孔２１が形成されている。
貫通孔２１は、図２に示すように、支持板２において、その後に配置されるＬＥＤ４に対応して設けられ、間隔を隔てて複数設けられている。例えば、貫通孔２１は、基準マーク１８を基準として蛍光体シート被覆ＬＥＤ１０を個片化したときにそれぞれの蛍光体シート被覆ＬＥＤ１０を押圧できるように配置されている。
より具体的には、複数の貫通孔２１が平面視において前後左右に互いに等間隔を隔てるように、支持シート１に整列配置されている。
貫通孔２１の形状は、例えば、平面視円形状をなし、その大きさは、孔径が、例えば、０．１ｍｍ以上、好ましくは、０．２ｍｍ以上であり、また、例えば、１ｍｍ以下、好ましくは、０．７ｍｍ以下でもある。
また、貫通孔２１の大きさは、ＬＥＤ４の大きさに対して、例えば、１０％以上、好ましくは、２０％以上であり、また、例えば、９０％以下であり、好ましくは、８０％以下でもある。
粘着層３は、支持板２の上側の表面の全面に形成されている。
つまり、粘着層３は、支持板２の上側の表面（厚み方向一方側の表面）に貫通孔２１を被覆するように積層されている。
粘着層３を形成する粘着材料としては、例えば、アクリル系感圧接着剤、シリコーン系感圧接着剤などの感圧接着剤が挙げられる。
また、粘着材料としては、紫外線照射、薬液または加熱によって粘着力が低下するものの他、通常、粘着剤として用いることができるものから広範に選択することができる。
粘着層３の厚みは、例えば、０．１ｍｍ以上、好ましくは、０．２ｍｍ以上であり、また、１ｍｍ以下、好ましくは、０．５ｍｍ以下でもある。
支持シート１を用意するには、例えば、支持板２と粘着層３とを貼り合わせる。
支持シート１の厚みは、例えば、０．２ｍｍ以上、好ましくは、０．５ｍｍ以上であり、また、６ｍｍ以下、好ましくは、２．５ｍｍ以下でもある。
［ＬＥＤ配置工程］
ＬＥＤ配置工程は、ＬＥＤ４を粘着層３に配置する工程であって、ＬＥＤ配置工程では、図１（ｂ）および図２の仮想線で示すように、ＬＥＤ４を複数用意して、それらを支持シート１の上側の表面（厚み方向一方側の表面）に配置する。
ＬＥＤ４は、電気エネルギーを光エネルギーに変換する半導体素子であり、例えば、厚みが面方向長さ（最大長さ）より短い断面視略矩形状および平面視略矩形状に形成されている。また、ＬＥＤ４の下側の表面（下面）は、図示しないバンプから形成されている。ＬＥＤ４としては、例えば、青色光を発光する発光ダイオード素子が挙げられる。
ＬＥＤ４の面方向の最大長さは、例えば、０．１ｍｍ以上、３ｍｍ以下である。また、ＬＥＤ４の厚みは、例えば、０．０５ｍｍ以上、１ｍｍ以下である。
ＬＥＤ配置工程では、例えば、複数のＬＥＤ４を、支持シート１の上側の表面に整列配置する。具体的には、複数のＬＥＤ４が平面視において前後左右に互いに等間隔を隔てるように、ＬＥＤ４を配置する。
また、ＬＥＤ４を、貫通孔２１と厚み方向において対向するように、粘着層３の上側の表面（厚み方向一方側の表面）に配置し、ＬＥＤ４を、図示しないバンプが支持シート１に対向するように、粘着層３に貼着する。これによって、ＬＥＤ４は、その整列状態が維持されるように、粘着層３を介して支持板２の上側の表面に支持される。
各ＬＥＤ４は、対応する貫通孔２１が、その中央に位置するように配置される。
各ＬＥＤ４間の間隔は、例えば、０．０５ｍｍ以上、２ｍｍ以下である。
［ＬＥＤ被覆工程］
ＬＥＤ被覆工程は、蛍光体シート５によってＬＥＤ４の表面を被覆して、ＬＥＤ４と、ＬＥＤ４の表面を被覆する蛍光体シート５とを備える蛍光体シート被覆ＬＥＤ１０を得る工程であって、シート配置工程、封止工程および切断工程を備えている。
（シート配置工程）
シート配置工程は、ＬＥＤ配置工程の後に、ＬＥＤ４を埋設するように支持シート１に蛍光体シート５を配置する工程であって、図１（ｃ）において、蛍光体シート５は、硬化性樹脂および蛍光体を含有する蛍光樹脂組成物から、シート形状に形成されている。
硬化性樹脂としては、例えば、加熱により硬化する熱硬化性樹脂、例えば、活性エネルギー線（例えば、紫外線、電子線など）の照射により硬化する活性エネルギー線硬化性樹脂などが挙げられる。好ましくは、熱硬化性樹脂が挙げられる。
具体的には、硬化性樹脂として、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂などの熱硬化性樹脂が挙げられる。好ましくは、シリコーン樹脂が挙げられる。
シリコーン樹脂としては、例えば、２段階硬化型シリコーン樹脂、１段階硬化型シリコーン樹脂などのシリコーン樹脂が挙げられ、好ましくは、２段階硬化型シリコーン樹脂が挙げられる。
２段階硬化型シリコーン樹脂は、２段階の反応機構を有しており、１段階目の反応でＢステージ化（半硬化）し、２段階目の反応でＣステージ化（完全硬化）する熱硬化性シリコーン樹脂である。一方、１段階硬化型シリコーン樹脂は、１段階の反応機構を有しており、１段階目の反応で完全硬化する熱硬化性シリコーン樹脂である。
また、Ｂステージは、熱硬化性シリコーン樹脂が、液状であるＡステージと、完全硬化したＣステージとの間の状態であって、硬化およびゲル化がわずかに進行し、圧縮弾性率がＣステージの弾性率よりも小さい状態である。
２段階硬化型シリコーン樹脂としては、例えば、縮合反応と付加反応との２つの反応系を有する縮合反応・付加反応硬化型シリコーン樹脂などが挙げられる。
硬化性樹脂の配合割合は、蛍光樹脂組成物に対して、例えば、３０質量％以上、好ましくは、５０質量％以上であり、また、例えば、９９質量％以下、好ましくは、９５質量％以下でもある。
蛍光体は、波長変換機能を有しており、例えば、青色光を黄色光に変換することのできる黄色蛍光体、青色光を赤色光に変換することのできる赤色蛍光体などが挙げられる。
黄色蛍光体としては、例えば、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ（ＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）：Ｃｅ）、Ｔｂ３Ａｌ３Ｏ１２：Ｃｅ（ＴＡＧ（テルビウム・アルミニウム・ガーネット）：Ｃｅ）などのガーネット型結晶構造を有するガーネット型蛍光体、例えば、Ｃａ−α−ＳｉＡｌＯＮなどの酸窒化物蛍光体などが挙げられる。
赤色蛍光体としては、例えば、ＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ、ＣａＳｉＮ２：Ｅｕなどの窒化物蛍光体などが挙げられる。
好ましくは、黄色蛍光体が挙げられる。
蛍光体の形状としては、例えば、球状、板状、針状などが挙げられる。好ましくは、流動性の観点から、球状が挙げられる。
蛍光体の最大長さの平均値（球状である場合には、平均粒子径）は、例えば、０．１μｍ以上、好ましくは、１μｍ以上であり、また、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下でもある。
蛍光体の配合割合は、硬化性樹脂１００質量部に対して、例えば、０．１質量部以上、好ましくは、０．５質量部以上であり、例えば、８０質量部以下、好ましくは、５０質量部以下でもある。
さらに、蛍光樹脂組成物は、充填剤を含有することもできる。
充填剤としては、例えば、シリコーン粒子などの有機微粒子、例えば、シリカ、タルク、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ケイ素などの無機微粒子が挙げられる。また、充填剤の配合割合は、硬化性樹脂１００質量部に対して、例えば、０．１質量部以上、好ましくは、０．５質量部以上であり、また、例えば、７０質量部以下、好ましくは、５０質量部以下でもある。
そして、図１（ｃ）に示すように、蛍光体シート５を、支持シート１の上に配置するには、まず、図１（ｂ）に示すように、蛍光体シート５を用意する。蛍光体シート５を用意するには、硬化性樹脂および蛍光体ならびに必要により配合される充填剤を配合して、蛍光樹脂組成物を調製する。次いで、蛍光樹脂組成物を、離型シート６の表面に塗布し、その後、加熱させる。離型シート６としては、例えば、ポリエチレンフィルム、ポリエステルフィルム（ＰＥＴなど）などのポリマーフィルム、例えば、セラミクスシート、例えば、金属箔などが挙げられる。好ましくは、ポリマーフィルムが挙げられる。また、離型シート６の表面には、フッ素処理などの剥離処理を施すこともできる。
硬化性樹脂が２段階硬化型シリコーン樹脂を含有する場合には、上記した加熱によって、硬化性樹脂がＢステージ化（半硬化）する。つまり、Ｂステージの蛍光体シート５が形成される。
この蛍光体シート５の２３℃における圧縮弾性率は、例えば、０．０１ＭＰａ以上、好ましくは、０．０４ＭＰａ以上であり、また、例えば、１．０ＭＰａ以下、好ましくは、０．５ＭＰａ以下でもある。
蛍光体シート５の圧縮弾性率が上記上限以下であれば、十分な柔軟性を担保することができる。一方、蛍光体シート５の圧縮弾性率が下限以上であれば、ＬＥＤ４を埋設することができる。
次いで、図１（ｃ）に示すように、蛍光体シート５を、ＬＥＤ４を埋設するように、支持シート１の上側の表面に配置する（埋設工程）。すなわち、蛍光体シート５を、ＬＥＤ４の上面および側面を被覆するように、支持シート１の上に配置する。
具体的には、図１（ｂ）の矢印で示すように、離型シート６に積層された蛍光体シート５を、粘着層３に向けて圧着する。
これによって、シート配置工程では、蛍光体シート５によってＬＥＤ４を埋設する埋設工程が実施される。
その後、図１（ｃ）の仮想線で示すように、離型シート６を蛍光体シート５の上側の表面から剥離する。
（封止工程）
封止工程は、蛍光体シート５を硬化させて、可撓性の蛍光体シート５によってＬＥＤ４を封止する工程であって、シート配置工程（図１（ｃ）参照）の後に、実施する。
封止工程では、図１（ｄ）に示すように、蛍光体シート５を硬化させる。具体的には、蛍光体シート５を、例えば、８０℃以上、好ましくは、１００℃以上、また、例えば、２００℃以下、好ましくは、１８０℃以下に、加熱する。
硬化性樹脂が２段階硬化型シリコーン樹脂を含有し、ＬＥＤ４を埋設する蛍光体シート５がＢステージである場合には、蛍光体シート５は、上記した加熱によって、完全硬化（完全硬化）してＣステージとなる。
また、硬化性樹脂が１段階硬化型シリコーン樹脂を含有する場合には、かかる硬化性樹脂からなる蛍光体シート５は、上記した加熱によって、完全硬化（最終硬化）してＣステージとなる。
あるいは、硬化性樹脂が活性エネルギー線硬化性樹脂である場合には、蛍光体シート５に活性エネルギー線を上方から照射する。
硬化（完全硬化）した蛍光体シート５は、可撓性を有しており、具体的には、２３℃における圧縮弾性率が、例えば、０．５ＭＰａ以上、好ましくは、１ＭＰａ以上であり、また、例えば、１００ＭＰａ以下、好ましくは、１０ＭＰａ以下でもある。
蛍光体シート５の圧縮弾性率が上記上限以下であれば、可撓性を確実に担保することができ、例えば、次の切断工程（図１（ｄ）参照）において、カッティング装置（後述）を用いて、蛍光体シート５を切断することもできる。蛍光体シート５の圧縮弾性率が上記下限以上であれば、切断後の形状を保持することができる。
これにより、ＬＥＤ４の側面および上面と、ＬＥＤ４から露出する粘着層３の上側の表面とが、蛍光体シート５によって密着状に被覆される。つまり、Ｃステージの蛍光体シート５によってＬＥＤ４が封止される。
（切断工程）
切断工程は、封止工程の後に、蛍光体シート５を、ＬＥＤ４に対応して切断することにより、ＬＥＤ４と蛍光体シート５とを備える蛍光体シート被覆ＬＥＤ１０を得る工程であって、図１（ｄ）の破線で示すように、切断工程では、ＬＥＤ４の周囲の可撓性の蛍光体シート５を、厚み方向に沿って切断する。例えば、図２の一点鎖線で示すように、蛍光体シート５を、例えば、各ＬＥＤ４を囲む平面視略矩形状に切断する。
蛍光体シート５を切断するには、例えば、円盤状のダイシングソー（ダイシングブレード）３１（図１（ｄ）参照）を用いるダイシング装置、カッターを用いるカッティング装置、レーザー照射装置などが用いられる。
また、蛍光体シート５の切断は、基準マーク１８を基準として実施する。具体的には、１対をなす基準マーク１８を結ぶ直線（図２において一点鎖線で示される）に沿って、蛍光体シート５を切り目８が形成されるように切断する。
なお、蛍光体シート５の切断では、例えば、切り目８が支持シート１を貫通しないように、具体的には、粘着層３を貫通しないように、蛍光体シート５の上側から下側に向かって切断する。
切断工程によって、ＬＥＤ４と、ＬＥＤ４の表面を被覆するように、蛍光体シート５から形成される封止層としての蛍光体シート５とを備える蛍光体シート被覆ＬＥＤ１０を、支持シート１に密着する状態で得る。
［ＬＥＤ剥離工程］
ＬＥＤ剥離工程は、図１（ｅ）に示すように、蛍光体シート被覆ＬＥＤ１０を粘着層３から剥離する工程であって、図１（ｅ’）に示すように、針などの押圧部材１４と、コレットなどの吸引部材１６とを備えるピックアップ装置１７を用いて、貫通孔２１を介して押圧部材１４により粘着層３を押圧し、蛍光体シート被覆ＬＥＤ１０を支持板２および粘着層３から剥離する。
詳しくは、まず、支持シート１をピックアップ装置１７に設置して、押圧部材１４を剥離したい蛍光体シート被覆ＬＥＤ１０に対応する貫通孔２１に対して下側（厚み方向他方側）から対向配置させる。
そして、貫通孔２１に、押圧部材１４を下側から挿通する。
すると、貫通孔２１に対応する粘着層３が、支持板２に対して相対的に上側（厚み方向一方側）に押圧され、蛍光体シート被覆ＬＥＤ１０とともに押し上げられる。
押し上げられた蛍光体シート被覆ＬＥＤ１０は、吸引部材１６によって吸引される。
そして、蛍光体シート被覆ＬＥＤ１０は、吸引部材１６によって吸引されながら、支持板２に対して相対的に上側（厚み方向一方側）へさらに移動し、その後、粘着層３から剥離する。
なお、必要により、ＬＥＤ剥離工程の前に、紫外線照射、薬液または加熱によって粘着層３の粘着力を低下させてから、蛍光体シート被覆ＬＥＤ１０を剥離することもできる。
これによって、図１（ｅ）に示すように、支持シート１から剥離された蛍光体シート被覆ＬＥＤ１０を得る。
［実装工程］
実装工程は、ＬＥＤ剥離工程の後、蛍光体シート被覆ＬＥＤ１０を基板９に実装する工程であって、蛍光体シート被覆ＬＥＤ１０を発光波長や発光効率に応じて選別した後、図１（ｆ）に示すように、選別された蛍光体シート被覆ＬＥＤ１０を基板９に実装する。これによって、半導体装置としてのＬＥＤ装置１５を得る。
具体的には、蛍光体シート被覆ＬＥＤ１０を、ＬＥＤ４のバンプ（図示せず）が基板９の上側の表面に設けられる端子（図示せず）と対向するように、基板９と対向配置させる。つまり、蛍光体シート被覆ＬＥＤ１０のＬＥＤ４を基板９にフリップチップ実装する。
これにより、基板９と、基板９に実装される蛍光体シート被覆ＬＥＤ１０とを備えるＬＥＤ装置１５を得る。
その後、必要により、図１（ｆ）の仮想線で示すように、ＬＥＤ装置１５に、蛍光体シート被覆ＬＥＤ１０を封止する封止保護層２０（蛍光体シート５とは異なる封止層）を設ける。これによって、ＬＥＤ装置１５の信頼性を向上させることができる。
この蛍光体シート被覆ＬＥＤ１０の製造方法によれば、用意工程では、貫通孔２１が予め形成されている硬質の支持板２を用意し、ＬＥＤ剥離工程では、上記したピックアップ装置１７を利用して、支持板２の貫通孔２１に押圧部材１４を挿通させて粘着層３を押圧することにより、蛍光体シート被覆ＬＥＤ１０を粘着層３から剥離する。
そのため、ＬＥＤ剥離工程の前に、粘着層３の粘着力を低下させる工程を必要とせずとも、ＬＥＤ４を粘着層３から剥離することができる。
その結果、蛍光体シート被覆ＬＥＤ１０の製造に要する工数を削減することができる。
また、粘着層３の材料を、紫外線照射、薬液または加熱によって粘着力が低下するような材料だけでなく、広範に選択することができる。
その結果、工程設計の自由度を向上させることができる。
一方、この蛍光体シート被覆ＬＥＤ１０の製造方法は、切断工程を備え、切断工程の後に、蛍光体シート被覆ＬＥＤ１０を支持シート１から剥離する。つまり、切断工程では、硬質の支持板２を備える支持シート１により、ＬＥＤ４および蛍光体シート５を支持しながら、蛍光体シート５を切断することができる。そのため、寸法安定性に優れる蛍光体シート被覆ＬＥＤ１０を得ることができる。
また、蛍光体シート５を硬化させる封止工程の後に、蛍光体シート５を切断する切断工程を実施するので、硬化で生じ得る蛍光体シート５の収縮に起因する寸法誤差を、切断工程においてキャンセルすることができる。そのため、寸法安定性により一層優れる蛍光体シート被覆ＬＥＤ１０を得ることができる。
さらに、ＬＥＤ４を封止する蛍光体シート５は、可撓性であるので、切断工程において、高価なダイシング装置だけでなく、比較的安価なカッティング装置を含む種々の切断装置を使用して、蛍光体シート５を円滑に切断することができる。
さらに、この方法のシート配置工程では、Ｂステージの蛍光体シート５によって、ＬＥＤ４を埋設し、封止工程では、蛍光体シート５を硬化させてＣステージにし、Ｃステージの蛍光体シート５によってＬＥＤ４を封止する。そのため、ＢステージのＬＥＤ４を蛍光体シート５によって容易かつ確実に被覆しながら、Ｃステージの蛍光体シート５によってＬＥＤ４を確実に封止することができる。
従って、蛍光体シート被覆ＬＥＤ１０は、寸法安定性に優れる。
また、蛍光体シート被覆ＬＥＤ１０は、その製造に要する工数が低減されているので、コストを低減することができる。
また、ＬＥＤ装置１５は、上記した蛍光体シート被覆ＬＥＤ１０を備えているので、コストを低減することができる。
また、この方法における用意工程では、支持シート１を、切断工程において切断の基準となる基準マーク１８が予め設けられるように、用意する。
一方、疑似ウエーハを石英基板および粘着シートから剥離した後、ダイシングする特許文献１に記載の方法では、疑似ウエーハをダイシングするときには、疑似ウエーハは、石英基板の上にはなく、上記したような基準マーク１８を基準としてダイシングすることができない。
これに対して、上記の方法では、切断工程において、ＬＥＤ４は、支持シート１に支持されているため、このように基準マーク１８を基準としてＬＥＤ４を優れた精度で個片化することができる。
＜変形例＞
第１実施形態において、図２に示すように、貫通孔２１を平面視円形状に形成しているが、その形状は、特に限定されず、例えば、平面視略矩形状、平面視略三角形状など、適宜の形状に形成することができる。
また、 第１実施形態において、図２に示すように、基準マーク１８を平面視略三角形状に形成しているが、その形状は、特に限定されず、例えば、平面視略円形状、平面視略矩形状、平面視略Ｘ字形状、平面視略Ｔ字形状など、適宜の形状に形成することができる。
また、第１実施形態では、まず、切断工程において、複数のＬＥＤ４、および、複数のＬＥＤ４の表面を被覆する蛍光体シート５（以下、蛍光体シート被覆ＬＥＤ１０’とする。）を、蛍光体シート被覆ＬＥＤ１０に個片化し、次いで、ＬＥＤ剥離工程において、蛍光体シート被覆ＬＥＤ１０を粘着層３から剥離したが、切断工程において、蛍光体シート被覆ＬＥＤ１０’を個片化せずに、ＬＥＤ剥離工程において、蛍光体シート被覆ＬＥＤ１０’を粘着層３から剥離することもできる。
図３は、図１（ｅ）および（ｅ’）に示すＬＥＤ剥離工程の変形例であって、蛍光体シート被覆ＬＥＤ１０’（個片化しない複数の蛍光体シート被覆ＬＥＤ１０）を剥離する変形例を示す。
変形例において、ピックアップ装置１７は、図３に示すように、複数のＬＥＤ４に対応して、複数の押圧部材１４と複数の吸引部材１６とを備え、複数の押圧部材１４は連動して同時に上下移動する。
蛍光体シート被覆ＬＥＤ１０’を剥離するには、まず、蛍光体シート被覆ＬＥＤ１０’をピックアップ装置１７に設置して、複数の押圧部材１４をそれぞれ複数の貫通孔２１に対して下側（厚み方向他方側）から対向配置させる。
そして、複数の貫通孔２１に、複数の押圧部材１４を下側から同時に挿通する。
すると、粘着層３全体が、支持板２に対して相対的に上側（厚み方向一方側）に押圧され、蛍光体シート被覆ＬＥＤ１０’とともに押し上げられる。
押し上げられた蛍光体シート被覆ＬＥＤ１０’は、複数の吸引部材１６によって吸引される。
そして、蛍光体シート被覆ＬＥＤ１０’は、複数の吸引部材１６によって吸引されながら、支持板２に対して相対的に上側（厚み方向一方側）へさらに移動し、その後、粘着層３から剥離される。
さらに、第１実施形態では、複数のＬＥＤ４を蛍光体シート５によって被覆および封止しているが、例えば、単数のＬＥＤ４を蛍光体シート５によって被覆および封止することもできる。
その場合には、具体的には、第１実施形態で例示される図１（ｄ）に示す切断工程では、ＬＥＤ４の周囲の蛍光体シート５を、所望の寸法となるように、外形加工（トリミング）する。
＜第２実施形態＞
図４は、本発明の封止層被覆半導体素子の製造方法の第２実施形態を示す工程図を示す。図５は、図４（ｄ）に示す蛍光体シート埋設ＬＥＤの平面図を示す。図６は、図４（ｂ）に示す埋設−リフレクタシートの製造方法の工程図を示す。
なお、第２実施形態において、第１実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
第１実施形態では、本発明の封止層の一例である封止シートとして、図１（ｂ）に示すように、蛍光体が均一に（少なくとも面方向に均一に）分散される蛍光体シート５を例示しているが、例えば、図４（ｂ）および図５に示すように、封止シートとして、蛍光体を含有する被覆部としての埋設部３３と、埋設部３３を囲むリフレクタ部３４とを備える埋設−リフレクタシート２４を例示することもできる。
図５に示すように、埋設部３３は、埋設−リフレクタシート２４において、複数のＬＥＤ４を埋設する部分として間隔を隔てて複数設けられており、各埋設部３３は、平面視略円形状に形成されている。具体的には、図４（ｂ）に示すように、各埋設部３３は、下方に向かって次第に幅狭となる略円錐台形状に形成されている。
埋設部３３の下端部の直径（最大長さ）は、ＬＥＤ４の面方向の最大長さより大きく、具体的には、ＬＥＤ４の面方向の最大長さに対して、例えば、２００％以上、好ましくは、３００％以上、より好ましくは、５００％以上であり、例えば、３０００％以下である。具体的には、埋設部３３の下端部の直径（最大長さ）は、例えば、５ｍｍ以上、好ましくは、７ｍｍ以上であり、また、例えば、３００ｍｍ以下、好ましくは、２００ｍｍ以下である。
また、埋設部３３の上端部の直径（最大長さ）は、下端部の直径（最大長さ）より大きく、具体的には、例えば、７ｍｍ以上、好ましくは、１０ｍｍ以上であり、また、例えば、４００ｍｍ以下、好ましくは、２５０ｍｍ以下である。
さらに、各埋設部３３間の間隔（最小間隔、具体的には、埋設部３３の上端部間の間隔）は、例えば、２０ｍｍ以上、好ましくは、５０ｍｍ以上であり、また、例えば、１０００ｍｍ以下、好ましくは、２００ｍｍ以下である。
埋設部３３は、上記した蛍光樹脂組成物から形成されている。埋設部３３は、蛍光樹脂組成物が硬化性樹脂を含有する場合には、Ｂステージで形成されている。
図５に示すように、リフレクタ部３４は、埋設−リフレクタシート２４の周端部において連続するとともに、各埋設部３３の間に配置され、各埋設部３３を囲む平面視略格子状に形成されている。
また、リフレクタ部３４は、後述する光反射成分を含有する反射樹脂組成物から形成されている。
次に、この埋設−リフレクタシート２４の製造方法について、図５および図６を参照して説明する。
この方法では、まず、図６（ａ）に示すように、プレス装置３５を用意する。
プレス装置３５は、支持板３６と、支持板３６の上側に対向配置される型３７とを備えている。
支持板３６は、例えば、ステンレスなどの金属から、略矩形平板形状に形成されている。
型３７は、例えば、ステンレスなどの金属から形成されており、平板部３８と、平板部３８から下側に突出するように形成される突出部３９とを一体的に備えている。
平板部３８は、平面視において、支持板３６と同一形状に形成されている。
突出部３９は、型３７において、埋設部３３に対応するように、面方向に互いに間隔を隔てて複数設けられている。すなわち、突出部３９は、平板部３８の下面から下方に向かって次第に幅狭となる略円錐台形状に形成されており、具体的には、正断面視および側断面視において、下方に向かって次第に幅狭となるテーパ形状に形成されている。つまり、突出部３９は、埋設部３３と同一形状に形成されている。
また、図６（ａ）に示すように、支持板３６の周端部の上面には、スペーサ４０が設けられている。スペーサ４０は、例えば、ステンレスなどの金属からなり、厚み方向に投影したときに、複数の埋設部３３を囲むように、配置されている。また、スペーサ４０は、厚み方向に投影したときに、型３７に含まれ、具体的には、平板部３８の周端部と重なるように、支持板３６に配置されている。
スペーサ４０の厚みは、後述する剥離シート４９の厚みと、突出部３９の厚みとの合計厚みとなるように、設定されている。具体的には、スペーサ４０の厚みは、例えば、０．３ｍｍ以上、好ましくは、０．５ｍｍ以上であり、また、例えば、５ｍｍ以下、好ましくは、３ｍｍ以下である。
なお、プレス装置３５は、形状の異なる型３７が交換可能に構成されており、具体的には、図６（ａ）に示す突出部３９を有する型３７と、図６（ｃ）に示す後述する、突出部３９を有しない平板状の型３７とが交換可能に構成されている。
また、図６（ａ）に示すように、支持板３６の上面において、スペーサ４０の内側には、剥離シート４９が載置されている。剥離シート４９の周端面は、支持板３６の上面において、スペーサ４０の内側面に接触するように、形成されている。剥離シート４９の厚みは、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、３０μｍ以上であり、また、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１５０μｍ以下である。
次いで、図６（ａ）に示すプレス装置３５において、リフレクタシート４２を、剥離シート４９の上面に配置する。
リフレクタシート４２を剥離シート４９の上面に配置するには、例えば、反射樹脂組成物から形成されるリフレクタシート４２を剥離シート４９の上面に積層する積層方法、例えば、液状の反射樹脂組成物を剥離シート４９の上面に塗布する塗布方法などが用いられる。
反射樹脂組成物は、例えば、樹脂と光反射成分とを含有する。
樹脂としては、例えば、熱硬化性シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、熱硬化性ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、熱硬化性ウレタン樹脂などの熱硬化性樹脂が挙げられ、好ましくは、熱硬化性シリコーン樹脂、エポキシ樹脂が挙げられる。
光反射成分は、例えば、白色の化合物であって、そのような白色の化合物としては、具体的には、白色顔料が挙げられる。
白色顔料としては、例えば、白色無機顔料が挙げられ、そのような白色無機顔料としては、例えば、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化ジルコニウムなどの酸化物、例えば、鉛白（炭酸鉛）、炭酸カルシウムなどの炭酸塩、例えば、カオリン（カオリナイト）などの粘土鉱物などが挙げられる。
白色無機顔料として、好ましくは、酸化物、さらに好ましくは、酸化チタンが挙げられる。
そのような酸化チタンは、具体的には、ＴｉＯ２、（酸化チタン（ＩＶ）、二酸化チタン）である。
酸化チタンの結晶構造は、特に限定されず、例えば、ルチル、ブルッカイト（板チタン石）、アナターゼ（鋭錐石）などであり、好ましくは、ルチルである。
また、酸化チタンの結晶系は、特に限定されず、例えば、正方晶系、斜方晶系などであり、好ましくは、正方晶系である。
酸化チタンの結晶構造および結晶系が、ルチルおよび正方晶系であれば、リフレクタ部３４が長期間高温に曝される場合でも、光（具体的には、可視光、とりわけ、波長４５０ｎｍ付近の光）に対する反射率が低下することを有効に防止することができる。
光反射成分は、粒子状であり、その形状は限定されず、例えば、球状、板状、針状などが挙げられる。光反射成分の最大長さの平均値（球状である場合には、その平均粒子径）は、例えば、１ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である。最大長さの平均値は、レーザー回折散乱式粒度分布計を用いて測定される。
光反射成分の配合割合は、樹脂１００質量部に対して、例えば、３０質量部以上、好ましくは、５０質量部以上であり、また、例えば、２００質量部以下、好ましくは、１００質量部以下である。
上記した光反射成分は、樹脂中に均一に分散混合される。
また、反射樹脂組成物には、さらに、上記した充填剤を添加することもできる。つまり、充填剤を、光反射成分（具体的には、白色顔料）と併用することができる。
充填剤は、上記した白色顔料を除く、公知の充填剤が挙げられ、具体的には、シリコーン粒子などの有機微粒子、例えば、シリカ、タルク、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ケイ素などの無機微粒子が挙げられる。
充填剤の添加割合は、充填剤および光反射成分の総量が、樹脂１００質量部に対して、例えば、４００質量部以上、好ましくは、５００質量部以上、より好ましくは、６００質量部以上となるように、また、例えば、２５００質量部以下、好ましくは、２０００質量部以下、より好ましくは、１６００質量部以下となるように、調整される。
積層方法では、反射樹脂組成物は、上記した樹脂と、光反射成分と、必要により添加される充填剤とを配合して、均一混合することにより、Ａステージとして調製される。
続いて、積層方法では、Ａステージの反射樹脂組成物を、図示しない離型シートの表面に、例えば、キャスティング、スピンコーティング、ロールコーティングなどの塗布方法によって塗布し、その後、加熱してＢステージあるいはＣステージとする。離型シートとしては、上記した離型シート６と同様のものが挙げられる。
あるいは、Ａステージの反射樹脂組成物を、例えば、図示しない離型シートの表面に、スクリーン印刷などによって上記した塗布方法によって塗布し、その後、加熱することにより、ＢステージあるいはＣステージのリフレクタシート４２を形成する。
その後、リフレクタシート４２を剥離シート４９に転写する。続いて、図示しない離型シートを剥離する。
一方、塗布方法では、上記したＡステージの反射樹脂組成物を、剥離シート４９の上面に、スクリーン印刷などによって塗布し、その後、加熱することにより、Ｂステージのリフレクタシート４２を形成する。
リフレクタシート４２の厚みは、例えば、０．３ｍｍ以上、好ましくは、０．５ｍｍ以上であり、また、例えば、５ｍｍ以下、好ましくは、３ｍｍ以下である。
続いて、図６（ａ）の矢印および図６（ｂ）に示すように、プレス装置３５によってリフレクタシート４２をプレスする。
具体的には、型３７を支持板３６に対して押し下げる。詳しくは、突出部３９が、リフレクタシート４２を厚み方向に貫通するように、型３７を下側に押し下げる。併せて、型３７の平板部３８の周端部を、スペーサ４０の上面に当接させる。
これにより、リフレクタシート４２には、図６（ｂ）に示すように、厚み方向を貫通し、突出部３９に対応する形状の貫通孔４１が形成される。
型３７の押し下げにおいて、反射樹脂組成物がＢステージの熱硬化性樹脂を含有する場合には、型３７に予めヒータ（図示せず）を内蔵させて、かかるヒータによって、リフレクタシート４２を加熱することもできる。これによって、反射樹脂組成物を完全硬化（Ｃステージ化）させる。
加熱温度は、例えば、８０℃以上、好ましくは、１００℃以上であり、また、例えば、２００℃以下、好ましくは、１８０℃以下である。
これによって、剥離シート４９の上に、リフレクタ部３４が形成される。
その後、図６（ｃ）に示すように、プレス装置３５のプレス状態を解放する。具体的には、型３７を引き上げる。
続いて、平板部３８および突出部３９を備える型３７を、平板部３８のみを備える型３７と交換する。
これとともに、蛍光体シート５を、リフレクタ部３４の上に配置する。
具体的には、蛍光体シート５を、リフレクタ部３４の上面に、貫通孔４１を被覆するように、載置する。
蛍光樹脂組成物が硬化性樹脂を含有する場合には、Ｂステージの蛍光体シート５をリフレクタ部３４の上に配置する。蛍光体シート５は、Ｂステージである場合には、その平板形状がある程度維持されるので、貫通孔４１内に落ち込むことなく、貫通孔４１を被覆するように、リフレクタ部３４の上面に載置される。
また、蛍光体シート５は、リフレクタ部３４（具体的には、リフレクタシート４２の反射樹脂組成物が硬化性樹脂を含有する場合には、Ｃステージのリフレクタ部３４）に比べて柔軟に形成されている。具体的には、蛍光体シート５は、次のプレス（図６（ｄ））によって、変形可能な柔らかさである一方、リフレクタ部３４は、次のプレスによって、変形不可能な硬さに形成されている。
次いで、図６（ｄ）に示すように、プレス装置３５によって、蛍光体シート５をプレスする。具体的には、平板部３８からなる型３７を、支持板３６に向けて押し下げる。併せて、平板部３８の周端部を、スペーサ４０の上面に当接させる。また、平板部３８の下面が、リフレクタ部３４の上面に接触する。
これによって、比較的柔軟な蛍光体シート５は、平板部３８によって上側から押圧されて、貫通孔４１内に充填される。一方、比較的硬いリフレクタ部３４は、変形することなく、その貫通孔４１に埋設部３３を収容する。
また、硬化性樹脂が熱硬化性樹脂である場合には、平板部３８に内蔵されるヒータによって、蛍光体シート５を加熱することもできる。
これによって、埋設部３３が、リフレクタ部３４の貫通孔４１内に形成される。
これによって、支持板３６および型３７の間において、埋設部３３およびリフレクタ部３４を備える埋設−リフレクタシート２４が得られる。
図６（ｅ）に示すように、その後、型３７を引き上げ、続いて、埋設−リフレクタシート２４を剥離シート４９から剥離する。
次に、図６（ｅ）に示す埋設−リフレクタシート２４を用いて、蛍光体シート被覆ＬＥＤ１０およびＬＥＤ装置１５を製造する方法について、図４を参照して、上記実施形態と異なる工程を詳述する。
［シート配置工程］
図４（ｂ）の上側図に示すように、埋設−リフレクタシート２４を、埋設部３３が下方に向かって次第に幅狭となるテーパ形状となるように、支持シート１の上に配置する。
すなわち、複数の埋設部３３のそれぞれを、複数のＬＥＤ４のそれぞれに対して対向配置させる。具体的には、各埋設部３３を、平面視において、ＬＥＤ４の中心と対向するとともに、リフレクタ部３４の内側に間隔が隔てられるように、配置する。
続いて、図４（ｃ）に示すように、埋設−リフレクタシート２４をプレスする。これにより、ＬＥＤ４が、その上面および側面が埋設部３３に被覆されるように、埋設部３３に埋設される。
［封止工程］
図４（ｄ）に示すように、封止工程では、蛍光樹脂組成物が硬化性樹脂を含有する場合には、蛍光体シート５を硬化させる。これによって、埋設部３３が完全硬化する。これによって、ＬＥＤ４が埋設部３３によって封止される。
［切断工程］
図４（ｄ）の破線で示すように、切断工程では、リフレクタ部３４を、厚み方向に沿って切断する。例えば、図５の１点破線が参照されるように、リフレクタ部３４を、例えば、各埋設部３３を囲む平面視略矩形状に、蛍光体シート５を切断する。
切断工程によって、１つのＬＥＤ４と、ＬＥＤ４を埋設する埋設部３３と、埋設部３３の周りに設けられるリフレクタ部３４とを備える蛍光体シート被覆ＬＥＤ１０を、支持シート１に密着する状態で得る。つまり、蛍光体シート被覆ＬＥＤ１０には、リフレクタ部３４が設けられている。つまり、蛍光体シート被覆ＬＥＤ１０は、リフレクタ部付蛍光体シート被覆ＬＥＤである。
［ＬＥＤ剥離工程］
ＬＥＤ剥離工程において、図４（ｅ）に示すように、リフレクタ部３４が設けられた蛍光体シート被覆ＬＥＤ１０を、支持シート１から剥離する。
［実装工程］
実装工程において、リフレクタ部３４が設けられた蛍光体シート被覆ＬＥＤ１０を発光波長や発光効率に応じて選別した後、図４（ｆ）に示すように、選別された蛍光体シート被覆ＬＥＤ１０を基板９に実装する。これによって、ＬＥＤ装置１５を得る。
これにより、基板９と、基板９に実装され、リフレクタ部３４が設けられる蛍光体シート被覆ＬＥＤ１０とを備えるＬＥＤ装置１５を得る。
そして、この第２実施形態によれば、埋設−リフレクタシート２４は、ＬＥＤ４を埋設する埋設部３３と、光反射成分を含有し、埋設部３３を囲むようにして形成されるリフレクタ部３４とを備えるので、ＬＥＤ４から発光される光をリフレクタ部３４によって反射させることができる。そのため、ＬＥＤ装置１５の発光効率を向上させることができる。
＜変形例＞
第２実施形態では、埋設部３３を、蛍光体を含有する蛍光樹脂組成物から形成しているが、例えば、蛍光体を含有しない封止樹脂組成物から形成することもできる。
また、図６（ｃ）に示す平板部３８と蛍光体シート５との間に離型シート６（図４（ｂ）の仮想線参照）を設け、上面に離型シート６が積層された埋設−リフレクタシート２４を形成し、その後、図４（ｃ）の仮想線で示すように、かかる埋設−リフレクタシート２４を、例えば、複数のＬＥＤ４および支持シート１に対して、例えば、平板プレスすることもできる。
＜第３実施形態＞
図７は、本発明の封止層被覆半導体素子の製造方法の第３実施形態に用いられる埋設−リフレクタシートの製造方法の工程図を示す。
なお、第３実施形態において、第２実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
第２実施形態の埋設−リフレクタシート２４の製造方法において、図６（ｃ）および図６（ｄ）に示すように、蛍光体シート５から埋設部３３を形成しているが、例えば、図７（ｃ）に示すように、蛍光体シート５を用いることなく、蛍光樹脂組成物のワニスを、貫通孔４１にポッティングすることによって、埋設部３３を形成することもできる。
具体的には、まず、蛍光樹脂組成物をワニスとして調製する。具体的には、蛍光樹脂組成物が硬化性樹脂を含有する場合には、Ａステージのワニスを調製する。これによって、Ａステージの蛍光樹脂組成物が貫通孔４１内に充填される。
その後、蛍光樹脂組成物が硬化性樹脂を含有する場合には、Ａステージの蛍光樹脂組成物をＢステージ化する。
第３実施形態によっても、第２実施形態と同様の作用効果を奏することができる。
＜第４実施形態＞
図８は、本発明の封止層被覆半導体素子の製造方法の第４実施形態を示す工程図を示す。
なお、第４実施形態において、第２実施形態および第３実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
第２実施形態において、図４（ｂ）および図５に示すように、平面視において、埋設部３３の下端部を、ＬＥＤ４より大きく形成しているが、例えば、図８（ｂ）に示すように、埋設部３３の下端部と、ＬＥＤ４とを、同一寸法に形成することもできる。
［ＬＥＤ配置工程］
例えば、埋設部３３は、下方に向かって次第に幅狭となる略四角錐台形状に形成されている。
図８（ｂ）に示す埋設部３３を形成するには、図６および図７が参照される突出部３９を、平板部３８の下面から下方に向かって次第に幅狭となる略四角錐台形状に形成する。
また、図８（ｂ）の１点破線で示すように、厚み方向に投影したときに、埋設部３３の下端部と、ＬＥＤ４とは、互いに重複し、具体的には、平面視において、埋設部３３の下端部の周端縁と、ＬＥＤ４の周端縁とが、同一位置に形成されるように、埋設−リフレクタシート２４を、ＬＥＤ４を含む粘着層３の上に配置する。
第４実施形態によっても、第２実施形態および３実施形態と同様の作用効果を奏することができる。
＜第５実施形態＞
図９は、本発明の封止層被覆半導体素子の製造方法の第５実施形態を示す工程図を示す。図１０は、図９（ｂ）に示す埋設−リフレクタシートの製造方法の工程図を示す。
なお、第５実施形態において、第２実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
第２実施形態において、図４（ｂ）に示すように、埋設−リフレクタシート２４における埋設部３３を、下方に向かって次第に幅狭となる略円錐台形状に形成しているが、例えば、図９（ｂ）に示すように、上下方向（厚み方向）に延びる略円柱形状に形成することができる。
このような埋設部３３を形成するには、図１０（ａ）および図１０（ｂ）に示す打抜装置５５を用いる。
打抜装置５５は、支持板５６と、支持板５６の上側に対向配置される型５７とを備えている。
支持板５６は、例えば、ステンレスなどの金属から、略矩形平板形状に形成されており、また、支持板５６には、厚み方向を貫通する貫通孔５３が形成されている。
貫通孔５３は、平面視略円形状に形成されている。
型５７は、平板部５８と、平板部５８から下側に突出するように形成される突出部５９とを一体的に備えている。
平板部５８は、図６（ａ）に示す平板部３８と同一形状に形成される。
突出部５９は、型５７において、埋設部３３（図１０（ｄ）参照）に対応するように、面方向に互いに間隔を隔てて複数設けられている。突出部５９は、平面視において、貫通孔５３と同一形状および同一寸法に形成されており、具体的には、略円柱形状に形成されている。突出部５９は、埋設部３３（図１０（ｄ）参照）と同一形状に形成されている。つまり、突出部５９は、正断面視および側断面視において、略矩形状に形成されている。
これによって、打抜装置５５は、型５７の押し下げによって、突出部５９が貫通孔５３に挿入可能に構成されている。
貫通孔５３の孔径および突出部５９の直径は、例えば、５ｍｍ以上、好ましくは、７ｍｍ以上であり、また、例えば、３００ｍｍ以下、好ましくは、２００ｍｍ以下である。
また、支持板５６の周端部の上面には、スペーサ４０が設けられている。スペーサ４０は、平面視において、貫通孔５３を囲むように、支持板５６の周端部に、平面視略枠形状に配置されている。
そして、図１０（ａ）および図１０（ｂ）に示す打抜装置５５によって埋設−リフレクタシート２４を形成するには、まず、図１０（ａ）に示すように、リフレクタシート４２を、支持板５６の上に配置する。具体的には、リフレクタシート４２を、複数の貫通孔５３を被覆するように、支持板５６の上面に載置する。
次いで、図１０（ｂ）に示すように、打抜装置５５を用いて、リフレクタシート４２を打ち抜く。
具体的には、型３７を押し下げることによって、突出部５９がリフレクタシート４２を打ち抜く。
これによって、リフレクタシート４２には、突出部５９に対応する形状の貫通孔４１が形成される。
これによって、支持板５６の上に、リフレクタ部３４が形成される。
次いで、図１０（ｃ）に示すように、型５７を引き上げる。
その後、形成されたリフレクタ部３４を、支持板３６と、平板部３８からなる型３７とを備え、剥離シート４９が設けられるプレス装置３５に設置する。
次いで、蛍光体シート５を、リフレクタ部３４の上に配置する。
次いで、図１０（ｃ）の矢印および図１０（ｄ）に示すように、プレス装置３５によって、蛍光体シート５をプレスする。これによって、埋設部３３を、リフレクタ部３４の貫通孔４１内に形成する。
これによって、支持板３６および型３７の間において、埋設部３３およびリフレクタ部３４を備える埋設−リフレクタシート２４が得られる。
その後、型３７を引き上げ、続いて、図１０（ｅ）に示すように、埋設−リフレクタシート２４を剥離シート４９から剥離する。
第５実施形態によっても、第２実施形態と同様の作用効果を奏することができる。
＜第６実施形態＞
図１１は、本発明の封止層被覆半導体素子の製造方法の第６実施形態に用いられる埋設−リフレクタシートの製造方法の工程図を示す。
なお、第６実施形態において、第５実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
第５実施形態の埋設−リフレクタシート２４の製造方法において、図１０（ｃ）および図１０（ｄ）に示すように、蛍光体シート５から埋設部３３を形成しているが、図１１（ｃ）に示すように、蛍光体シート５を用いることなく、蛍光樹脂組成物のワニスを、貫通孔４１にポッティングすることによって、埋設部３３を形成することもできる。
具体的には、図１１（ｂ）に示すリフレクタ部３４を打抜装置５５から取り出し、続いて、図１１（ｃ）に示すように、剥離シート４９の上面に配置する。続いて、蛍光樹脂組成物のワニスを、貫通孔４１内にポッティングする。
第６実施形態によっても、第５実施形態と同様の作用効果を奏することができる。
＜第７実施形態＞
図１２は、本発明の封止層被覆半導体素子の製造方法の第７実施形態を示す工程図を示す。
なお、第７実施形態において、第５実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
第５実施形態において、図９（ｃ）に示すように、被覆部として、ＬＥＤ４を埋設する埋設部３３を例示しているが、例えば、図１２（ｃ）に示すように、ＬＥＤ４の上面を被覆する被覆部４３を例示することもできる。
被覆部４３は、図１２（ｂ）に示すように、被覆−リフレクタシート４４において、リフレクタ部３４に囲まれるように設けられている。被覆−リフレクタシート４４において、被覆部４３は、図９（ｂ）に示す埋設部３３と同一形状をなし、さらに、図１２（ｂ）の１点破線で示すように、ＬＥＤ４と同一寸法に形成されている。
例えば、図１２（ｂ）に示すように、被覆部４３は、厚み方向に投影したときに、ＬＥＤ４と、互いに重複し、具体的には、平面視において、被覆部４３の周端縁と、ＬＥＤ４の周端縁とが、同一位置に形成されるように、ＬＥＤ４を被覆部４３の上面に載置する。
［上面被覆工程］
第７実施形態では、図９（ｃ）に示すシート配置工程における埋設工程に代えて、図１２（ｃ）に示す上面被覆工程を実施する。上面被覆工程の条件については、埋設工程のそれと同様である。
なお、図１２（ｃ）に示す上面被覆工程において、被覆部４３は、ＬＥＤ４の上面を被覆する。被覆部４３は、ＬＥＤ４のプレスによって、ＬＥＤ４が圧入されて、面方向外側にわずかに膨出するが、その膨出の程度は、微小であることから、図１２（ｃ）において、プレス後の被覆部４３とＬＥＤ４との左右方向長さを同一長さで示している。
［硬化工程］
第７実施形態では、図９（ｄ）に示す封止工程に代えて、図１２（ｄ）に示す硬化工程を実施する。
硬化工程では、被覆部４３を硬化させる。硬化工程の条件は、上記した封止工程のそれと同様である。
第７実施形態によっても、第５実施形態と同様の作用効果を奏することができる。
＜第８実施形態＞
図１３は、本発明の封止層被覆半導体素子の製造方法の第８実施形態を示す工程図を示す。
なお、第８実施形態において、第１実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
第１実施形態において、図１（ｃ）に示すように、シート配置工程において、ＬＥＤ４を側面および上面を蛍光体シート５によって被覆する埋設工程を実施しているが、例えば、埋設工程に代えて、図１３（ｃ）に示すように、ＬＥＤ４の側面のみを蛍光体シート５によって被覆する側面被覆工程を実施することもできる。また、封止工程に代えて、硬化工程を実施することもできる。
［シート配置工程］
図１３（ｂ）に示すように、用意した蛍光体シート５の厚みを、ＬＥＤ４の厚みより薄く設定し、ＬＥＤ４の厚みに対して、例えば、９５％以下、好ましくは、９０％以下に、また、例えば、１０％以上に設定する。蛍光体シート５の厚みを、具体的には、例えば、１０００μｍ以下、好ましくは、８００μｍ以下に、また、例えば、３０μｍ以上、好ましくは、５０μｍ以上に設定する。
［側面被覆工程］
図１３（ｃ）に示すように、プレスによって、離型シート６と、離型シート６の下面に積層される蛍光体シート５とからなる積層体（図１３（ｂ）の上側図参照）を、離型シート６の下面が各ＬＥＤ４の上面に接触するように、ＬＥＤ４を含む支持シート１に圧入する。
また、複数のＬＥＤ４に対して圧入された蛍光体シート５は、その上面が、各ＬＥＤ４の上面と面一に形成される。また、蛍光体シート５の下面も、各ＬＥＤ４の下面と面一に形成される。つまり、複数のＬＥＤ４が圧入された蛍光体シート５の厚みと、各ＬＥＤ４の厚みとが、同一になる。
また、ＬＥＤ４の下面の一部を形成するバンプと、ＬＥＤ４の上面とが、ともに露出する一方、ＬＥＤ４の側面が、蛍光体シート５によって被覆されている。
［硬化工程］
硬化工程では、蛍光体シート５を硬化させる。硬化工程の条件は、上記した封止工程のそれと同様である。
［切断工程］
図１３（ｄ）の破線で示すように、上側から、ＬＥＤ４の位置を確認しながら、蛍光体シート５を切断する。具体的には、蛍光体シート５を、例えば、カメラなどによって、ＬＥＤ４を上側から視認しながら、ＬＥＤ４の位置を確認する。また、図５の破線が参照されるように、平面視において、ＬＥＤ４を囲む領域を区画する切り目８が形成されるように、蛍光体シート５を切断する。
なお、ＬＥＤ４を視認しながら、さらに、基準マーク１８（図２参照）を基準として、蛍光体シート５を切断することもできる。
［ＬＥＤ剥離工程］
図１３（ｅ）において、ＬＥＤ剥離工程では、蛍光体シート被覆ＬＥＤ１０を粘着層３の上面から剥離する。
第８実施形態によっても、第１実施形態と同様の作用効果を奏することができる。
さらに、側面被覆工程において、ＬＥＤ４を、少なくとも上面が蛍光体シート５から露出されるように、蛍光体シート５によって側面を被覆しているので、シート配置工程後の切断工程において、上面が露出されるＬＥＤ４を視認しながら、そのＬＥＤ４に対応して蛍光体シート５を精度よく切断することができる。そのため、得られる蛍光体シート被覆ＬＥＤ１０は、寸法安定性に優れる。その結果、かかる蛍光体シート被覆ＬＥＤ１０を備えるＬＥＤ装置１５は、発光安定性に優れる。
＜第９実施形態＞
図１４は、本発明の封止層被覆半導体素子の製造方法の第９実施形態に用いられるディスペンサの斜視図を示す。
なお、第９実施形態において、第１実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
第１実施形態では、図１（ｂ）に示すように、本発明の層配置工程の一例であるシート配置工程において、本発明の封止層の一例である蛍光体層として、予め成形された蛍光体シート５を例示している。しかし、図１４が参照されるように、例えば、蛍光樹脂組成物をワニスとして調製し、ワニスを支持シート１の上に、複数のＬＥＤ４を被覆するように、直接塗布して、封止層としての蛍光体層２５を形成することもできる。つまり、蛍光体層２５を、蛍光樹脂組成物のワニスから形成することができる。
蛍光体層２５を形成するには、まず、ワニスをＬＥＤ４を被覆するように、支持シート１の上に塗布する。
ワニスを塗布するには、例えば、ディスペンサ、アプリケータ、スリットダイコータなどの塗布機が用いられる。好ましくは、図１４に示すディスペンサ２６が用いられる。
図１４に示すように、ディスペンサ２６は、導入部２７と、塗布部２８とを一体的に備える。
導入部２７は、上下方向に延びる略円筒形状に形成されており、その下端部は、塗布部２８に接続されている。
塗布部２８は、左右方向および上下方向に延びる平板形状に形成され、また、上下方向に長い側面視略矩形状に形成されている。塗布部２８の上端部には、導入部２７が接続されている。塗布部２８の下端部は、その前端部および後端部が切り欠かれた、側断面視先細り形状（テーパ）に形成されている。また、塗布部２８の下端面は、粘着層３の上面およびＬＥＤ４の上面に対して、押付可能に構成されている。さらに、塗布部２８の内部には、導入部２７から導入されるワニスが下流側（下側）に向かうに従って左右方向に広がる幅広の流路（図示せず）が設けられている。
また、ディスペンサ２６は、面方向に延びる支持シート１に対して、相対的に前後方向に移動可能に構成されている。
このディスペンサ２６を用いて、ワニスを支持シート１に塗布するには、塗布部２８を複数のＬＥＤ４の上面に対向配置し（押付け）ながら、ワニスを導入部２７に供給する。これとともに、ディスペンサ２６を複数のＬＥＤ４に対して相対的に後側に移動させる。これによって、ワニスは、導入部２７から塗布部２８に導入され、続いて、塗布部２８の下端部から支持シート１およびＬＥＤ４に対して幅広状に供給される。また、ディスペンサ２６の複数のＬＥＤ４に対する相対的に後側への移動によって、ワニスは、支持シート１の上面において、複数のＬＥＤ４を被覆するように、前後方向に延びる帯形状に塗布される。
なお、ワニスは、蛍光樹脂組成物が硬化性樹脂を含有する場合には、Ａステージ状態として調製されており、また、例えば、塗布部２８から支持シート１に供給されたときに、その箇所から、面方向外側に流れ出さない、つまり、その箇所に留まるような粘性を有する。具体的には、ワニスの２５℃、１気圧の条件下における粘度は、例えば、１，０００ｍＰａ・ｓ以上、好ましくは、４，０００ｍＰａ・ｓ以上であり、また、例えば、１，０００，０００ｍＰａ・ｓ以下、好ましくは、１００，０００ｍＰａ・ｓ以下である。なお、粘度は、ワニスを２５℃に温度調節し、Ｅ型コーンを用いて、回転数９９ｓ−１で測定される。
ワニスの粘度が上記下限以上であれば、ワニスが面方向外側に流れ出すことを有効に防止できる。そのため、ダム部材などを支持シート１（具体的には、複数のＬＥＤ４の周囲）に別途設ける必要がなくなるので、プロセスの簡便化を図ることができ、ワニスを、ディスペンサ２６によって支持シート１に簡易かつ確実に所望の厚みおよび所望の形状で塗布することができる。
一方、ワニスの粘度が上記上限以下であれば、塗布性（ハンドリング性）を向上させることができる。
その後、蛍光樹脂組成物が硬化性樹脂を含有する場合には、塗布されたワニスをＢステージ化（半硬化）する。
これによって、Ｂステージの蛍光体層２５を、支持シート１の上（粘着層３の上面）に、複数のＬＥＤ４を被覆するように、形成する。
第９実施形態によっても、第１実施形態と同様の作用効果を奏することができる。
＜変形例＞
第１実施形態〜第９実施形態では、複数のＬＥＤ４を蛍光体シート５によって被覆しているが、例えば、単数のＬＥＤ４を蛍光体シート５によって被覆することもできる。
その場合には、具体的には、第１実施形態で例示される図１（ｄ）に示す切断工程では、ＬＥＤ４の周囲の蛍光体シート５を、所望の寸法となるように、外形加工（トリミング）する。
第１実施形態〜第８実施形態では、本発明における半導体素子、封止層、封止層被覆半導体素子および半導体装置として、それぞれ、ＬＥＤ４、蛍光体シート５、蛍光体シート被覆ＬＥＤ１０およびＬＥＤ装置１５を一例として説明しているが、例えば、図示しないが、それらを、電子素子、封止シート、封止層被覆電子素子および電子装置とすることもできる。
電子素子は、電気エネルギーを、光以外のエネルギー、具体的には、信号エネルギーなどに変換する半導体素子であって、具体的には、トランジスタ、ダイオードなどが挙げられる。電子素子のサイズは、用途および目的によって適宜選択される。
封止シートは、硬化性樹脂を必須成分として含有し、充填剤を任意成分として含有する封止樹脂組成物から形成されている。充填剤としては、さらに、カーボンブラックなどの黒色顔料などもが挙げられる。充填剤の配合割合は、硬化性樹脂１００質量部に対して、例えば、５質量部以上、好ましくは、１０質量部以上であり、また、例えば、９９質量部以下、好ましくは、９５質量部以下でもある。
封止シートは、第１実施形態の図１（ｄ）などで例示されるように、各電子素子に対応するように切断されて、各電子素子（具体的には、各電子素子の少なくとも側面）を被覆する保護層として形成される。
封止シートの光透過性以外の物性（具体的には、圧縮弾性率など）は、第１実施形態〜第８実施形態の蛍光体シート５のそれと同一である。
１ 支持シート
２ 支持板
３ 粘着層
４ ＬＥＤ
５ 蛍光体シート
９ 基板
１０ 蛍光体シート被覆ＬＥＤ
１０’蛍光体シート被覆ＬＥＤ
１４ 押圧部材
１５ ＬＥＤ装置
１８ 基準マーク
２１ 貫通孔
２４埋設−リフレクタシート
２５蛍光体層
３３埋設部
３４リフレクタ部
４３被覆部
４４被覆−リフレクタシート

Claims (9)

  1. 厚み方向を貫通する貫通孔が形成される硬質の支持板と、前記支持板の厚み方向一方側の表面に前記貫通孔を被覆するように積層される粘着層とを備える支持シートを用意する用意工程、
    半導体素子を、前記貫通孔と前記厚み方向に対向する前記粘着層の前記厚み方向一方側の表面に配置する半導体素子配置工程、
    封止層によって前記半導体素子を被覆して、前記半導体素子と、前記半導体素子を被覆する前記封止層とを備える封止層被覆半導体素子を得る半導体素子被覆工程、および、
    押圧部材を前記貫通孔に前記厚み方向他方側から挿通させて、前記貫通孔に対応する前記粘着層を前記支持板に対して相対的に前記厚み方向一方側に押圧することによって、前記封止層被覆半導体素子を前記厚み方向一方側に相対移動させながら、前記封止層被覆半導体素子を前記粘着層から剥離する半導体素子剥離工程
    を備えることを特徴とする、封止層被覆半導体素子の製造方法。
  2. 前記封止層は、封止シートから形成されていることを特徴とする、請求項１に記載の封止層被覆半導体素子の製造方法。
  3. 前記半導体素子被覆工程は、
    前記半導体素子配置工程の後に、硬化性樹脂を含有する封止樹脂組成物から形成される前記封止層を、前記半導体素子を埋設するように、前記支持シートの前記厚み方向一方側に配置する層配置工程、
    前記封止層を硬化させて、可撓性の前記封止層によって前記半導体素子を封止する封止工程、および、
    前記封止工程の後に、可撓性の前記封止層を、前記半導体素子に対応して切断することにより、前記半導体素子と、前記半導体素子を被覆する前記封止層とを備える前記封止層被覆半導体素子を得る切断工程
    を備えることを特徴とする、請求項１または２に記載の封止層被覆半導体素子の製造方法。
  4. 前記層配置工程では、Ｂステージの前記封止層によって、前記半導体素子を埋設し、
    前記封止工程では、前記封止層を硬化させてＣステージにし、Ｃステージの前記封止層によって前記半導体素子を封止する
    ことを特徴とする、請求項３に記載の封止層被覆半導体素子の製造方法。
  5. 前記用意工程では、前記支持シートを、切断工程において切断の基準となる基準マークが予め設けられるように、用意する
    ことを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載の封止層被覆半導体素子の製造方法。
  6. 前記半導体素子が、ＬＥＤであり、
    前記封止層が、蛍光体層である
    ことを特徴とする、請求項１〜５のいずれか一項に記載の封止層被覆半導体素子の製造方法。
  7. 前記封止層は、
    前記半導体素子を被覆する被覆部と、
    光反射成分を含有し、前記被覆部を囲むようにして形成されるリフレクタ部と
    を備えることを特徴とする、請求項１〜６のいずれか一項に記載の封止層被覆半導体素子の製造方法。
  8. 請求項１〜７のいずれか一項に記載の封止層被覆半導体素子の製造方法により得られることを特徴とする、封止層被覆半導体素子。
  9. 基板と、
    前記基板に実装される請求項８に記載の封止層被覆半導体素子と
    を備えることを特徴とする、半導体装置。
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