WO2017047246A1 - 封止光半導体素子および発光装置の製造方法 - Google Patents

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WO2017047246A1
WO2017047246A1 PCT/JP2016/072199 JP2016072199W WO2017047246A1 WO 2017047246 A1 WO2017047246 A1 WO 2017047246A1 JP 2016072199 W JP2016072199 W JP 2016072199W WO 2017047246 A1 WO2017047246 A1 WO 2017047246A1
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optical semiconductor
semiconductor element
pressure
sensitive adhesive
adhesive layer
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PCT/JP2016/072199
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宗久 三谷
吉田　直子
石井　淳
悠紀 江部
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日東電工株式会社
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    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
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    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/96—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being encapsulated in a common layer, e.g. neo-wafer or pseudo-wafer, said common layer being separable into individual assemblies after connecting

Definitions

  • the present invention relates to a method for manufacturing a sealed optical semiconductor element and a light emitting device, and more particularly to a method for manufacturing a sealed optical semiconductor element and a method for manufacturing a light emitting device including the manufacturing method.
  • an LED is attached to an adhesive layer of a support sheet including a support plate and an adhesive layer laminated thereon, and then the LED is covered with the phosphor layer to produce a phosphor layer-covered LED. Then, the phosphor layer-covered LED is peeled from the support sheet, and then the phosphor layer-covered LED is sorted according to the emission wavelength and the luminous efficiency, and then the sorted phosphor layer-covered LED is mounted on the substrate.
  • Patent Document 1 Is known (for example, see Patent Document 1).
  • electrodes are formed on the lower surface of the LED, and the lower surface of the LED is directly brought into contact with the adhesive layer of the temporary fixing sheet, and the LED is attached to the adhesive layer.
  • the phosphor layer (101) has a lower surface of the LED (102) and an adhesive layer as shown in FIG. There is a case of entering (submitting) between the upper surface of (103).
  • the phosphor layer-covered LED (104) is peeled from the temporary fixing sheet (105)
  • the phosphor layer (101) exists on the lower surface of the LED (102).
  • the electrode (107) cannot be electrically connected to the terminal (108) of the substrate (106). There is a problem that.
  • the object of the present invention is to prevent the sealing layer from entering between the optical semiconductor element and the pressure-sensitive adhesive layer in the step (2) of sealing the optical semiconductor element with the sealing layer.
  • the step (3) of peeling the sealed optical semiconductor element from the pressure sensitive adhesive layer the pressure sensitive adhesive layer can be prevented from adhering to the electrode surface of the optical semiconductor element in the sealed optical semiconductor element.
  • the object is to provide a light-stopping semiconductor element and a method for manufacturing a light-emitting device.
  • the present invention provides a step (1) of pressure-sensitively bonding the electrode surface of an optical semiconductor element having an electrode surface provided with an electrode to a pressure-sensitive adhesive layer, and the optical semiconductor element after the step (1).
  • a step (2) of producing a sealed optical semiconductor device comprising the optical semiconductor device and the sealing layer, and the sealing light after the step (2) A step (3) of peeling the semiconductor element from the pressure-sensitive adhesive layer, wherein the pressure-sensitive adhesive layer has a peel adhesive strength of 220 mN / 10 mm 2 or more and 300 mN / 10 mm 2 or less. It is a manufacturing method of an optical semiconductor element.
  • the sealing layer since the peel adhesive strength of the pressure-sensitive adhesive layer is not less than the lower limit described above, the sealing layer enters between the electrode surface of the optical semiconductor element and the pressure-sensitive adhesive layer in the step (2). Can be suppressed.
  • the peel adhesive strength of the pressure-sensitive adhesive layer is not more than the upper limit described above, in the step (3) of peeling the sealed optical semiconductor element from the pressure-sensitive adhesive layer, the pressure-sensitive adhesive layer is used in the sealed optical semiconductor element. It can suppress adhering to the electrode surface of an optical semiconductor element.
  • the presence of the sealing layer on the electrode surface is suppressed and the electrode surface is exposed. Therefore, if this is electrically connected to the terminal of the substrate, the reliability can be improved. An excellent light emitting device can be obtained.
  • the sealing layer is made of a hot melt resin composition
  • the sealing layer is melted (hot melt) by a simple method of heating the sealing layer
  • An optical semiconductor element can be coated.
  • the melted sealing layer is easy for the sealing layer to enter between the electrode surface of the optical semiconductor element and the pressure-sensitive adhesive layer, the peel adhesive strength of the pressure-sensitive adhesive layer is not less than the above-mentioned lower limit. The entry of the sealing layer between the electrode surface of the optical semiconductor element and the pressure-sensitive adhesive layer can be suppressed.
  • the sealing layer is directed to the optical semiconductor element and the pressure-sensitive adhesive layer at a speed of 0.01 mm / second or more and 0.3 mm / second or less.
  • the speed of the press in the step (2) is equal to or higher than the above lower limit, it is possible to suppress a decrease in productivity of the sealed optical semiconductor element, and the press speed is equal to or lower than the upper limit described above. Therefore, the sealing layer can be further prevented from entering between the electrode surface of the optical semiconductor element and the pressure-sensitive adhesive layer.
  • the sealing layer is pressed toward the optical semiconductor element and the pressure-sensitive adhesive layer at a pressure of 0.5 MPa or more and 2.0 MPa or less.
  • the pressure of the press in the step (2) is equal to or higher than the lower limit described above, it is further suppressed that the sealing layer enters between the electrode surface of the optical semiconductor element and the pressure-sensitive adhesive layer. Since the pressure of the press is not more than the upper limit described above, the optical semiconductor element is buried in the pressure-sensitive adhesive layer, and then the sealed optical semiconductor element is difficult to peel from the pressure-sensitive adhesive layer. Can be suppressed.
  • the pressure-sensitive adhesive layer is provided in a temporary fixing sheet, and the temporary fixing sheet includes a support substrate having a through hole penetrating in a thickness direction, and one side in the thickness direction of the support substrate. And the pressure-sensitive adhesive layer covering the through-hole, and in the step (1), the optical semiconductor element overlaps the through-hole when projected in the thickness direction.
  • the electrode surface is pressure-sensitively bonded to the pressure-sensitive adhesive layer, and in the step (3), the pressing member is inserted into the through-hole, and the pressure-sensitive adhesive layer corresponding to the through-hole is pressed, thereby While the sealing optical semiconductor element is moved relative to the support substrate, the sealing optical semiconductor element is peeled from the pressure-sensitive adhesive layer, and the melt viscosity at 60 ° C. of the sealing layer is 50 Pa ⁇ s or more, 1500 Pa ⁇ s or less [1] a method for producing an encapsulating optical semiconductor element according to any one of to [4].
  • the melt viscosity of the sealing layer is equal to or higher than the lower limit described above, it is possible to further suppress the sealing layer from entering between the electrode surface of the optical semiconductor element and the pressure-sensitive adhesive layer.
  • the melt viscosity of the sealing layer is not more than the above upper limit, the optical semiconductor element can be reliably sealed by the sealing layer.
  • the optical semiconductor element is disposed to be opposed to the electrode surface with a space therebetween, and connects a light emitting surface provided with a light emitting layer, and the peripheral edge of the light emitting surface and the electrode surface. Any one of the above [1] to [5], wherein the light emitting surface and the connection surface are covered with the sealing layer in the step (2). It is a manufacturing method of the sealing optical semiconductor element of description.
  • the present invention includes a step (4) of manufacturing a sealed optical semiconductor device by the method for manufacturing a sealed optical semiconductor device according to any one of [1] to [6], and the sealing It is a manufacturing method of a light-emitting device characterized by including the process (5) of mounting a light-stopping semiconductor element on a substrate.
  • the electrode surface of the sealed optical semiconductor element in which the presence of the sealing layer on the electrode surface is suppressed is electrically connected to the terminal of the substrate, the light emitting device is excellent in reliability.
  • the sealing layer is not present on the electrode surface and is exposed, the light emitting device of the present invention in which this is electrically connected to the terminal of the substrate is excellent in reliability.
  • FIG. 1A to 1D are process diagrams showing a first embodiment of a method for manufacturing a sealed optical semiconductor element and a light-emitting device according to the present invention.
  • FIG. 1A shows pressure-sensitive adhesion of an optical semiconductor element to a pressure-sensitive adhesive layer.
  • Step (1) FIG. 1B is a step (2) of sealing the optical semiconductor element with a sealing layer
  • FIG. 1C is a step (3) of peeling the sealing optical semiconductor element from the pressure-sensitive adhesive layer
  • substrate is shown.
  • 2A to 2D are process diagrams showing a second embodiment of a method for manufacturing a sealed optical semiconductor element and a light-emitting device according to the present invention, and FIG.
  • FIG. 2A supports the optical semiconductor element on a support substrate having a through hole.
  • FIG. 2B is a step (2) of sealing an optical semiconductor element with a sealing layer
  • FIG. 2C is a pressure-sensitive adhesive layer for sealing the optical semiconductor element.
  • FIG. 2D shows a process of mounting the sealed optical semiconductor element on the substrate.
  • 3A to 3D are process diagrams showing a third embodiment of a method for manufacturing a sealed optical semiconductor element and a light-emitting device according to the present invention.
  • FIG. 3B is a step (2) for sealing the optical semiconductor element with a sealing layer
  • FIG. Step (3) of peeling from the adhesive layer FIG.
  • FIGS. 4A to 4C are process diagrams of Comparative Examples 1 and 2 corresponding to the prior art.
  • FIG. 4A is a process (2) of sealing the optical semiconductor element with a sealing layer.
  • FIG. 4B shows the state (3) in which the sealing optical semiconductor element is peeled from the pressure-sensitive adhesive layer, and
  • FIG. 4C shows the sealing optical semiconductor.
  • the process of mounting an element on a substrate is shown.
  • 5A to 5C are process diagrams of Comparative Example 3 corresponding to the prior art
  • FIG. 5A is a process (3) of peeling the sealed optical semiconductor element from the pressure-sensitive adhesive layer.
  • FIG. 5B shows a process of mounting the sealed optical semiconductor element on the substrate.
  • the vertical direction of the paper surface is the vertical direction (an example of the first direction and the thickness direction)
  • the upper side of the paper surface is the upper side (an example of one side of the first direction and the thickness direction)
  • the lower side of the paper surface is the lower side. This is the side (the other side in the first direction, the other side in the thickness direction).
  • the left and right direction on the paper surface is the left and right direction (second direction orthogonal to the first direction)
  • the left side on the paper surface is the left side (second side in the second direction)
  • the right side on the paper surface is the right side (the other side in the second direction).
  • the paper thickness direction is the front-rear direction (the third direction orthogonal to the first direction and the second direction), the front side of the paper is the front side (one side in the third direction), and the back side of the paper is the rear side (the other side in the third direction). is there. Specifically, it conforms to the direction arrow in each figure.
  • This method includes a step (1) of pressure-sensitive adhesion of the optical semiconductor element 1 to the pressure-sensitive adhesive layer 9 (see FIG. 1A), and the optical semiconductor element 1 is sealed with the sealing layer 10.
  • Step (2) for producing a sealed optical semiconductor element 11 including the sealing layer 10 see FIG. 1B
  • step (3) for peeling the sealed optical semiconductor element 11 from the pressure-sensitive adhesive layer 9 See).
  • step (1) the optical semiconductor element 1 is pressure-sensitively bonded to the pressure-sensitive adhesive layer 9 as shown in FIG. 1A.
  • the optical semiconductor element 1 and the pressure-sensitive adhesive layer 9 are prepared.
  • the optical semiconductor element 1 is, for example, an LED or an LD that converts electrical energy into optical energy.
  • the optical semiconductor element 1 is a blue LED (light emitting diode element) that emits blue light.
  • the optical semiconductor element 1 does not include a rectifier such as a transistor having a technical field different from that of the optical semiconductor element.
  • the optical semiconductor element 1 has a substantially flat plate shape along the front-rear direction (vertical direction) and the left-right direction (lateral direction).
  • the optical semiconductor element 1 has an electrode surface 3, a light emitting surface 4, and a peripheral side surface 5.
  • the electrode surface 3 is the lower surface of the optical semiconductor element 1 and is the surface on which the electrode 6 is provided.
  • Two electrodes 6 are adjacently arranged on the electrode surface 3 with an interval in the left-right direction.
  • the electrode 6 has a shape protruding downward from the electrode surface 3.
  • the light emitting surface 4 is the upper surface of the optical semiconductor element 1 and is disposed so as to face the electrode surface 3 with an interval on the upper side.
  • the light emitting surface 4 is provided with a light emitting layer (not shown).
  • the peripheral side surface 5 connects the peripheral edge of the electrode surface 3 and the peripheral edge of the light emitting surface 4.
  • the thickness (height) is, for example, 0.1 ⁇ m or more, preferably 0.2 ⁇ m or more, and, for example, 500 ⁇ m or less, Preferably, it is 200 micrometers or less.
  • Pressure-sensitive adhesive sheet The pressure-sensitive adhesive layer 9 is provided on the temporary fixing sheet 7.
  • the temporary fixing sheet 7 includes a support substrate 8 and a pressure-sensitive adhesive sheet 2 supported by the support substrate 8.
  • the support substrate 8 is disposed below the temporarily fixing sheet 7.
  • the support substrate 8 has a substantially flat plate shape extending in the front-rear direction and the left-right direction.
  • Examples of the support substrate 8 include polymer films such as polyethylene films and polyester films (such as PET), ceramic sheets such as metal foil, and the like.
  • the thickness of the support substrate 8 is, for example, 100 ⁇ m or more, preferably 300 ⁇ m or more, and for example, 2000 ⁇ m or less, preferably 1000 ⁇ m or less.
  • the pressure-sensitive adhesive sheet 2 is supported by the support substrate 8, and specifically, is disposed on the entire upper surface of the temporary fixing sheet 7.
  • the pressure-sensitive adhesive sheet 2 contains a pressure-sensitive adhesive.
  • the pressure-sensitive adhesive sheet 2 includes a pressure-sensitive adhesive layer 9 configured to reduce the pressure-sensitive adhesive force by processing.
  • the pressure-sensitive adhesive sheet 2 includes two pressure-sensitive adhesive layers 9 and a support sheet 23 interposed in the middle of the two pressure-sensitive adhesive layers 9 (specifically, in the center). Yes.
  • the layer disposed on the support sheet 23 is the first pressure sensitive adhesive layer 21, and the layer disposed below the support sheet 23 is the second pressure sensitive adhesive layer. 22.
  • the pressure-sensitive adhesive layer 9 includes a first pressure-sensitive adhesive layer 21 and a second pressure-sensitive adhesive layer 22.
  • the pressure-sensitive adhesive layer 9 is composed of only the first pressure-sensitive adhesive layer 21 and the second pressure-sensitive adhesive layer 22.
  • First pressure-sensitive adhesive layer The first pressure-sensitive adhesive layer 21 is located on the pressure-sensitive adhesive sheet 2. The first pressure-sensitive adhesive layer 21 is disposed (supported) on the entire upper surface of the support sheet 23.
  • the first pressure-sensitive adhesive layer 21 is configured so that the pressure-sensitive adhesive force is reduced by the treatment. Specifically, the first pressure-sensitive adhesive layer 21 is formed in a sheet shape (layer shape) from a pressure-sensitive adhesive that reduces the pressure-sensitive adhesive force when irradiated with active energy rays.
  • the thickness of the first pressure-sensitive adhesive layer 21 is appropriately set so that the peel adhesive force PS of the pressure-sensitive adhesive sheet 2 described later falls within a desired range, and is, for example, 5 ⁇ m or more, preferably 10 ⁇ m or more. , 100 ⁇ m or less, preferably 50 ⁇ m or less.
  • the second pressure-sensitive adhesive layer 22 is located below the pressure-sensitive adhesive sheet 2.
  • the second pressure-sensitive adhesive layer 22 is disposed on the entire lower surface of the support sheet 23.
  • the second pressure-sensitive adhesive layer 22 is configured so that the pressure-sensitive adhesive force is reduced by the treatment.
  • the second pressure-sensitive adhesive layer 22 is formed in the form of a sheet (layer) from the same pressure-sensitive adhesive as the first pressure-sensitive adhesive layer 21.
  • the thickness of the second pressure-sensitive adhesive layer 22 is appropriately set so that the peel adhesive force PS of the pressure-sensitive adhesive sheet 2 described later falls within a desired range, and is, for example, 3 ⁇ m or more, preferably 5 ⁇ m or more. , 30 ⁇ m or less, preferably 20 ⁇ m or less.
  • the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer 9, that is, the total thickness of the first pressure-sensitive adhesive layer 21 and the second pressure-sensitive adhesive layer 22 is, for example, 8 ⁇ m or more, preferably 15 ⁇ m or more, and for example, 130 ⁇ m. Hereinafter, it is preferably 70 ⁇ m or less.
  • pressure sensitive adhesive examples include a resin composition into which a carbon-carbon double bond is introduced.
  • resin composition examples include a polymer having a carbon-carbon double bond.
  • a precursor polymer having a first functional group is obtained by copolymerizing a monomer component containing a main vinyl monomer and a secondary vinyl monomer having a first functional group so that the first functional group does not disappear.
  • a compound having a second functional group capable of reacting with the first functional group and a carbon-double bond is prepared. Then, this compound is mix
  • Examples of the combination of the first functional group and the second functional group include a combination of a hydroxyl group and an isocyanate group.
  • the first functional group is preferably a hydroxyl group.
  • As the second functional group an isocyanate group is preferable.
  • Examples of the main monomer include methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, propyl (meth) acrylate, isopropyl (meth) acrylate, n-butyl (meth) acrylate, isobutyl (meth) acrylate, and s-butyl (meth) ) Acrylate, pentyl (meth) acrylate, isopentyl (meth) acrylate, hexyl (meth) acrylate, heptyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate (2EHA / 2EHMA), octyl (meth) acrylate, isooctyl (meth) Acrylate, nonyl (meth) acrylate, isononyl (meth) acrylate, decyl (meth) acrylate, isodecyl (meth) acrylate,
  • alkyl (meth) acrylates in which the alkyl moiety has 1 to 20 carbon atoms.
  • 2-ethylhexyl acrylate (2EHA) is used.
  • EHA 2-ethylhexyl acrylate
  • the mixing ratio of the main monomer in the monomer component is, for example, 70% by mass or more, preferably 90% by mass or more, and for example, 99% by mass or less.
  • the secondary vinyl monomer is a vinyl monomer that can be copolymerized as the main vinyl monomer.
  • examples of the secondary vinyl monomer include a carboxy group-containing monomer, an epoxy group-containing monomer, a hydroxyl group-containing monomer, an isocyanate group-containing monomer, and preferably a hydroxyl group-containing monomer.
  • hydroxyl group-containing monomer examples include 2-hydroxyethyl (meth) acrylate (2-HEA / HEMA), 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 3-hydroxypropyl (meth) acrylate, and 2-hydroxybutyl (meth).
  • hydroxyalkyl (meth) acrylates such as acrylate.
  • 2-hydroxyethyl acrylate (2-HEA) is used.
  • the mixing ratio of the secondary vinyl monomer in the monomer component is, for example, 30% by mass or less, and, for example, 1% by mass or more.
  • Examples of the compound include isocyanate group-containing compounds, and specific examples include isocyanate groups such as (meth) acryloyl isocyanate, 2- (meth) acryloyloxyethyl isocyanate, m-isopropenyl- ⁇ , ⁇ -dimethylbenzyl isocyanate. And vinyl-containing monomers. Preferably, 2-methacryloyloxyethyl isocyanate is used.
  • the compounding ratio of the compound is such that the introduction amount of the double bond in the polymer is, for example, 0.01 mmol / g or more, preferably 0.2 mmol / g or more, and, for example, 10.0 mmol / g or less, Preferably, it is adjusted to be 5.0 mmol / g or less.
  • the above-described monomer component is solution-polymerized in the above-described ratio in the presence of a polymerization initiator.
  • polymerization initiator examples include peroxides, persulfates, and redox initiators. These can be used alone or in combination.
  • a peroxide is mentioned.
  • the peroxide include diacyl peroxide, peroxyester, peroxydicarbonate, monoperoxycarbonate, peroxyketal, dialkyl peroxide, hydroperoxide, ketone peroxide, and preferably diacyl peroxide. Diperoxide is mentioned.
  • diacyl diperoxide examples include dibenzoyl peroxide (BPO), di-p-nitrobenzoyl peroxide, di-p-chlorobenzoyl peroxide, di (3,5,5-trimethylhexanoyl) peroxide, Examples thereof include di-n-octanoyl peroxide, didecanoyl peroxide, and dilauroyl peroxide.
  • BPO dibenzoyl peroxide
  • BPO dibenzoyl peroxide
  • the mixing ratio of the polymerization initiator is, for example, 0.005 parts by mass or more, for example, 1 part by mass or less with respect to 100 parts by mass of the monomer component.
  • a polymerization solvent is used.
  • the polymerization solvent include aromatic hydrocarbons such as toluene and xylene, and aliphatic hydrocarbons such as hexane.
  • aromatic hydrocarbon is used.
  • a monomer component containing a main vinyl monomer and a sub vinyl monomer is copolymerized so that the first functional group of the sub vinyl monomer does not disappear, thereby preparing a precursor polymer having the first functional group.
  • the above-described compound is added to the precursor polymer.
  • an isocyanate group-containing compound is blended with a precursor polymer containing a hydroxyl group, and the hydroxyl group and the isocyanate group are reacted to form a urethane bond. And the carbon-carbon double bond which a compound has is introduce
  • the photopolymerization initiator is a carbon-carbon introduced into the resin composition by generating radicals when the pressure sensitive adhesive layer 9 is irradiated with active energy rays in the step (2) (see FIG. 1C) described later. It is a photopolymerization catalyst for reacting double bonds with each other.
  • the 10-hour half-life temperature of the photopolymerization initiator is, for example, 20 ° C. or more, preferably 50 ° C. or more, and for example, 107 ° C. or less, preferably 100 ° C. or less.
  • the photopolymerization initiator examples include a ketal photopolymerization initiator, an acetophenone photopolymerization initiator, a benzoin ether photopolymerization initiator, an acylphosphine oxide photopolymerization initiator, an ⁇ -ketol photopolymerization initiator, an aromatic Group sulfonyl chloride photopolymerization initiator, photoactive oxime photopolymerization initiator, benzoin photopolymerization initiator, benzyl photopolymerization initiator, benzophenone photopolymerization initiator, thioxanthone photopolymerization initiator, and the like. These can be used alone or in combination.
  • a thioxanthone photopolymerization initiator is used.
  • the thioxanthone photopolymerization initiator include 1- [4- (2-hydroxyethoxy) -phenyl] -2-hydroxy-2-methyl-1-propan-1-one, 2-hydroxy-1- ⁇ 4 -[4- (2-Hydroxy-2-methyl-propionyl) -benzyl] phenyl ⁇ -2-methyl-propan-1-one.
  • Preferred examples include 2-hydroxy-1- ⁇ 4- [4- (2-hydroxy-2-methyl-propionyl) -benzyl] phenyl ⁇ -2-methyl-propan-1-one.
  • the blending ratio of the photopolymerization initiator is, for example, 0.1 parts by mass or more, preferably 0.5 parts by mass or more, and for example, 10 parts by mass or less, preferably 100 parts by mass of the polymer. 5 parts by mass or less.
  • additives such as a crosslinking agent can be blended in the polymer at an appropriate ratio.
  • the crosslinking agent include isocyanate crosslinking agents, epoxy crosslinking agents, oxazoline crosslinking agents, aziridine crosslinking agents, melamine crosslinking agents, peroxide crosslinking agents, urea crosslinking agents, metal alkoxide crosslinking agents, Examples of the metal chelate-based crosslinking agent, metal salt-based crosslinking agent, carbodiimide-based crosslinking agent, and amine-based crosslinking agent.
  • an isocyanate type crosslinking agent is mentioned.
  • the blending ratio of the cross-linking agent is appropriately set so that the peel adhesive strength PS of the pressure-sensitive adhesive sheet 2 to be described later falls within a desired range, and for example, 1 part by mass or more, Is 5 parts by mass or more, and for example, 10 parts by mass or less, preferably 7.5 parts by mass or less.
  • the support sheet 23 in the pressure-sensitive adhesive sheet 2 has a sheet shape extending along the surface direction (front-rear direction and left-right direction).
  • the support sheet 23 supports the pressure-sensitive adhesive layer 9 (specifically, the first pressure-sensitive adhesive layer 21 and the second pressure-sensitive adhesive layer 22).
  • the support sheet 23 is located at the center in the vertical direction of the pressure-sensitive adhesive sheet 2.
  • the support sheet 23 is made of a polymer film such as a polyethylene film or a polyester film (such as a PET film).
  • the thickness of the support sheet 23 is 20 micrometers or more, for example, Preferably, it is 30 micrometers or more, for example, is 120 micrometers or less, Preferably, it is 100 micrometers or less.
  • 1-2-8 Formation of Pressure-Sensitive Adhesive Sheet
  • a pressure sensitive adhesive is apply
  • a drying temperature is 40 degreeC or more, for example, Preferably, it is 60 degreeC or more, for example, is 150 degrees C or less, Preferably, it is 130 degrees C or less. The drying temperature is, for example, 5 minutes or less.
  • the aging temperature is, for example, 25 ° C. or more, preferably 40 ° C. or more, and for example, 70 ° C. or less, preferably 60 ° C. or less.
  • the aging time is, for example, 10 hours or more, and for example, 120 hours or less.
  • the pressure-sensitive adhesive sheet 2 including the support sheet 23, the first pressure-sensitive adhesive layer 21, and the second pressure-sensitive adhesive layer 22 is produced.
  • the second pressure-sensitive adhesive layer 22 of the produced pressure-sensitive adhesive sheet 2 is bonded to the upper surface of the support substrate 8.
  • the pressure-sensitive adhesive sheet 2 and the support substrate 8 constitute a pressure-sensitive adhesive sheet 24 with a support substrate.
  • the peel adhesive strength PS of the pressure-sensitive adhesive sheet 2 is 220 mN / 10 mm 2 or more, preferably 230 mN / 10 mm 2 or more, and 300 mN / 10 mm 2 or less, preferably 290 mN / 10 mm 2 or less.
  • the sealing layer 10 is formed so that the step (2) of FIG. 4A and Comparative Examples 1 and 2 will be referred to later.
  • the sealing composition to be buried enters between the electrode surface 3 of the optical semiconductor element 1 and the first pressure-sensitive adhesive layer 21 of the pressure-sensitive adhesive sheet 2 (occurrence of the penetration of the sealing composition).
  • the peel adhesive strength PS of the pressure-sensitive adhesive sheet 2 is equal to or greater than the lower limit, the above-described penetration of the sealing composition can be suppressed.
  • the electrode surface 3 of the optical semiconductor element 1 is referred to as referring to the step (3) of FIG. 5A and the comparative example 3.
  • the pressure-sensitive adhesive forming the first pressure-sensitive adhesive layer 21 remains (generation of adhesive residue).
  • the peel adhesion PS of the pressure-sensitive adhesive sheet 2 is equal to or less than the above upper limit, the above adhesive residue can be suppressed.
  • the peel adhesive strength PS of the pressure-sensitive adhesive sheet 2 is adjusted depending on the blending ratio and type of the crosslinking agent contained in the pressure-sensitive adhesive layer, the thicknesses of the first pressure-sensitive adhesive layer 21 and the second pressure-sensitive adhesive layer 22, and the like. Is done.
  • the adhesive strength PS of the pressure-sensitive adhesive sheet 2 depends on the blending ratio of the crosslinking agent contained in the pressure-sensitive adhesive layer, and the thicknesses of the first pressure-sensitive adhesive layer 21 and the second pressure-sensitive adhesive layer 22, respectively.
  • the blending ratio of the crosslinking agent is, for example, 2 parts by mass or more, preferably 8 parts by mass or less, with respect to 100 parts by mass of the polymer (solid content), and
  • Each thickness of the 1st pressure sensitive adhesive layer 21 and the 2nd pressure sensitive adhesive layer 22 is 15 micrometers or more, for example, Preferably, it is 25 micrometers or less.
  • a plurality of optical semiconductor elements 1 are pressure sensitively adhered onto pressure sensitive adhesive sheet 2.
  • the electrode surfaces 3 of the plurality of optical semiconductor elements 1 are placed (contacted) on the upper surface 15 of the pressure-sensitive adhesive sheet 2 (the upper surface 15 of the first pressure-sensitive adhesive layer 21). Thereby, the optical semiconductor element 1 is temporarily fixed to the pressure-sensitive adhesive sheet 2.
  • the electrode 6 is embedded (embedded) into the first pressure-sensitive adhesive layer 21. That is, the lower surface of the electrode 6 is positioned below the upper surface 15 of the surrounding first pressure-sensitive adhesive layer 21. Thus, the portion around the electrode 6 on the electrode surface 3 is in direct contact with the first pressure-sensitive adhesive layer 21.
  • the lower surface 13 around the electrode 6 on the electrode surface 3 is located at the same position as the upper surface 15 around the optical semiconductor element 1 in the first pressure-sensitive adhesive layer 21 when projected in the surface direction.
  • the plurality of optical semiconductor elements 1 are pressure-sensitively bonded to the pressure-sensitive adhesive layer 9. That is, the plurality of optical semiconductor elements 1 are temporarily fixed to the temporary fixing sheet 7.
  • the length L1 in the front-rear direction and / or the left-right direction of the optical semiconductor element 1 is, for example, 0.2 mm or more, preferably 0.5 mm or more, and, for example, 1.5 mm or less, preferably 1.2 mm. It is as follows. Further, the interval (interval in the front-rear direction and / or the left-right direction) L0 between the adjacent optical semiconductor elements 1 is, for example, 0.05 mm or more, preferably 0.1 mm or more, and, for example, 1.0 mm. Hereinafter, it is preferably 0.8 mm or less.
  • the pitch L2 of the adjacent optical semiconductor elements 1, specifically, the sum (L1 + L0) of the length L1 and the interval L0 described above is, for example, 0.25 mm or more, preferably 0.6 mm or more. For example, it is 2.5 mm or less, preferably 2.0 mm or less.
  • the plurality of optical semiconductor elements 1 and the pressure-sensitive adhesive sheet 2 constitute an element member 36.
  • Step (2) is performed after step (1).
  • the optical semiconductor element 1 is sealed with a sealing layer 10 as shown in FIG. 1B.
  • a sealing member 14 provided with the sealing layer 10 is prepared.
  • a sealing member 14 including a release layer 12 and a sealing layer 10 disposed on the lower surface of the release layer 12 is prepared.
  • the sealing member 14 preferably includes only the release layer 12 and the sealing layer 10.
  • the sealing member 14 is a device that circulates by itself and can be used industrially.
  • the release layer 12 is formed in a sheet shape from a polymer such as a polyethylene film or a polyester film (PET or the like), for example.
  • the thickness of the release layer 12 is, for example, 1 ⁇ m or more, preferably 10 ⁇ m or more, and for example, 2,000 ⁇ m or less, preferably 1,000 ⁇ m or less.
  • the sealing layer 10 has a layer shape formed on the entire lower surface of the release layer 12.
  • the sealing layer 10 is formed from a sealing composition such as a hot melt resin composition.
  • the hot melt resin composition contains, for example, a hot melt resin such as a thermosetting resin or a thermoplastic resin.
  • thermosetting resin examples include a two-stage reaction curable resin and a one-stage reaction curable resin.
  • the two-stage reaction curable resin has two reaction mechanisms.
  • the A stage state is changed to the B stage (semi-cured), and then in the second stage reaction, the B stage state is obtained.
  • C-stage complete curing
  • the two-stage reaction curable resin is a thermosetting resin that can be in a B-stage state under appropriate heating conditions.
  • the B stage state is a state between the A stage state where the thermosetting resin is in a liquid state and the fully cured C stage state, and curing and gelation proceed slightly, and the compression elastic modulus is C stage.
  • the first-stage reaction curable resin has one reaction mechanism, and can be C-staged (completely cured) from the A-stage state by the first-stage reaction.
  • a one-stage reaction curable resin can stop the reaction in the middle of the first-stage reaction and change from the A-stage state to the B-stage state.
  • thermosetting resin is a thermosetting resin that can be in a B-stage state.
  • thermosetting resin examples include silicone resin, epoxy resin, urethane resin, polyimide resin, phenol resin, urea resin, melamine resin, and unsaturated polyester resin.
  • a thermosetting resin Preferably, a silicone resin and an epoxy resin are mentioned, More preferably, a silicone resin is mentioned.
  • silicone resin examples include a phenyl silicone resin containing a phenyl group in the molecule.
  • thermosetting resin may be the same type or a plurality of types.
  • thermoplastic resin examples include acrylic resin, styrene resin, polycarbonate resin, polyolefin resin, and thermoplastic silicone resin. These can be used alone or in combination.
  • the hot melt resin is preferably a thermosetting resin.
  • the sealing resin composition can further contain a filler and / or a phosphor.
  • Examples of the filler include light diffusing particles.
  • Examples of the light diffusing particles include inorganic particles and organic particles.
  • the inorganic particles include silica (SiO 2 ), talc (Mg 3 (Si 4 O 10 ) (HO) 2 ), alumina (Al 2 O 3 ), boron oxide (B 2 O 3 ), calcium oxide (CaO). ), Zinc oxide (ZnO), strontium oxide (SrO), magnesium oxide (MgO), zirconium oxide (ZrO 2 ), barium oxide (BaO), antimony oxide (Sb 2 O 3 ), and other oxides such as aluminum nitride Examples thereof include inorganic particles (inorganic materials) such as nitrides such as (AlN) and silicon nitride (Si 3 N 4 ). Examples of the inorganic particles include composite inorganic particles prepared from the inorganic materials exemplified above, and specifically, composite inorganic oxide particles (specifically, glass particles) prepared from an oxide. Can be mentioned.
  • the inorganic particles are preferably silica particles and glass particles.
  • organic materials for organic particles include acrylic resins, styrene resins, acrylic-styrene resins, silicone resins, polycarbonate resins, benzoguanamine resins, polyolefin resins, polyester resins, polyamide resins, and polyimide resins. Resin etc. are mentioned.
  • ⁇ Fillers can be used alone or in combination.
  • the content ratio of the filler is, for example, 1% by mass or more, preferably 3% by mass or more, and, for example, 80% by mass or less, preferably 75% by mass or less with respect to the sealing composition.
  • the blending ratio of the filler to 100 parts by mass of the hot melt resin is, for example, 10 parts by mass or more, preferably 30 parts by mass or more, and, for example, 1,000 parts by mass or less, preferably 200 parts by mass or less. It is.
  • Examples of the phosphor include a yellow phosphor capable of converting blue light into yellow light, and a red phosphor capable of converting blue light into red light.
  • yellow phosphor examples include silicate phosphors such as (Ba, Sr, Ca) 2 SiO 4 : Eu, (Sr, Ba) 2 SiO 4 : Eu (barium orthosilicate (BOS)), for example, Y 3 Al Garnet-type phosphors having a garnet-type crystal structure such as 5 O 12 : Ce (YAG (yttrium, aluminum, garnet): Ce), Tb 3 Al 3 O 12 : Ce (TAG (terbium, aluminum, garnet): Ce) Examples thereof include oxynitride phosphors such as Ca- ⁇ -SiAlON.
  • silicate phosphors such as (Ba, Sr, Ca) 2 SiO 4 : Eu, (Sr, Ba) 2 SiO 4 : Eu (barium orthosilicate (BOS)
  • Y 3 Al Garnet-type phosphors having a garnet-type crystal structure such as 5 O 12 : Ce (YAG (yttrium, aluminum, garnet): Ce
  • red phosphor examples include nitride phosphors such as CaAlSiN 3 : Eu and CaSiN 2 : Eu.
  • the phosphor is preferably a yellow phosphor, more preferably a garnet phosphor.
  • Examples of the shape of the phosphor include a spherical shape, a plate shape, and a needle shape.
  • the average value of the maximum length of the phosphor (in the case of a sphere, the average particle diameter) is, for example, 0.1 ⁇ m or more, preferably 1 ⁇ m or more, and for example, 200 ⁇ m or less, preferably 100 ⁇ m or less. But there is.
  • Fluorescent substances can be used alone or in combination.
  • the blending ratio of the phosphor is, for example, 5% by mass or more, preferably 10% by mass or more, and, for example, 80% by mass or less, preferably 70% by mass or less with respect to the sealing composition. . Further, the blending ratio of the phosphor is, for example, 0.1 parts by mass or more, preferably 0.5 parts by mass or more, for example, 90 parts by mass or less, preferably 100 parts by mass of the hot melt resin. 80 parts by mass or less.
  • the hot melt resin described above and a filler and / or a phosphor that are blended as necessary are blended to prepare a varnish of the sealing composition, and then Is applied to the surface of the release layer 12.
  • the sealing composition contains a thermosetting resin
  • the sealing composition is B-staged. Specifically, the sealing composition is heated.
  • the heating temperature is, for example, 50 ° C. or more, preferably 70 ° C. or more, and for example, 120 ° C. or less, preferably 100 ° C. or less.
  • the heating time is, for example, 5 minutes or more, preferably 10 minutes or more, and for example, 20 minutes or less, preferably 15 minutes or less.
  • the sealing member 14 including the release layer 12 and the sealing layer 10 is manufactured.
  • the melt viscosity MV at 60 ° C. of the sealing layer 10 is, for example, 10 Pa ⁇ s or more, preferably 50 Pa ⁇ s or more, for example, 2000 Pa ⁇ s or less, preferably 1500 Pa ⁇ s or less, more preferably , 1000 Pa ⁇ s or less.
  • melt viscosity MV of the sealing layer 10 is less than or equal to the above upper limit, the optical semiconductor element 1 can be reliably sealed by the sealing layer 10. If the melt viscosity MV of the sealing layer 10 is equal to or higher than the above lower limit, the above-described penetration of the sealing composition can be suppressed.
  • the melt viscosity MV of the sealing layer 10 is measured with an E-type viscometer.
  • the melt viscosity MV of the sealing layer 10 is appropriately adjusted, for example, by appropriately changing the formulation of the sealing resin composition (hot melt resin).
  • the sealing layer 10 is pressed against the optical semiconductor element 1 and the temporary fixing sheet 7.
  • the sealing member 14 is pressed toward the optical semiconductor element 1 and the temporary fixing sheet 7.
  • the press machine 25 is a heat press machine provided with a heat source.
  • the press machine 25 includes a lower plate 27, and an upper plate 26 that is disposed on the upper side of the lower plate 27 and configured to be hot pressable on the lower side of the lower plate 27.
  • the pressing conditions are appropriately set to conditions under which the sealing layer 10 melts (plasticizes) and further, when the sealing layer 10 contains a thermosetting resin, the sealing layer 10 is slightly cured. Is done.
  • the press temperature is 40 ° C. or higher, preferably 45 ° C. or higher, and 200 ° C. or lower, preferably 180 ° C. or lower, more preferably 150 ° C. or lower.
  • the pressing pressure (pressing pressure) V is, for example, 0.5 MPa or more, preferably 0.7 MPa or more, and, for example, 2.0 MPa or less, preferably 1.5 MPa or less.
  • the pressing pressure V is equal to or higher than the lower limit, the above described penetration of the sealing composition (particularly, when the optical semiconductor element 1 is small (specifically, a size of 1000 ⁇ m or less in length and 500 ⁇ m or less in width)). ) Can be suppressed. If the pressing pressure V is equal to or less than the above upper limit, it is possible to prevent the optical semiconductor element 1, in particular, the above-described small optical semiconductor element 1 from being buried in the first pressure-sensitive adhesive layer 21.
  • the pressing speed S is a relative speed S in which the lower plate 27 and the upper plate 26 are close to each other in the vertical direction (pressing direction), and is, for example, 0.01 mm / second or more, preferably 0.05 mm / second or more. For example, it is 0.3 mm / second or less, preferably 0.2 mm / second or less.
  • the pressing speed S is equal to or higher than the lower limit described above, a decrease in productivity of the sealed optical semiconductor element 11 can be suppressed. If the pressing speed S is equal to or lower than the above upper limit, the above-described penetration of the sealing composition can be suppressed particularly when the optical semiconductor element 1 is small.
  • the time of the hot press is, for example, 1 second or more, preferably 3 seconds or more, and for example, 20 minutes or less, preferably 10 minutes or less.
  • the sealing layer 10 covers the light emitting surface 4 and the peripheral side surface 5 of the optical semiconductor element 1.
  • the sealing layer 10 also covers the upper surface 34 of the first pressure-sensitive adhesive layer 21 exposed from the optical semiconductor element 1.
  • the sealing layer 10 does not enter between the lower surface 13 around the electrode 6 on the electrode surface 3 and the upper surface 15 of the first pressure-sensitive adhesive layer 21 facing it. Therefore, the sealing layer 10 does not exist between the electrode surface 3 of the optical semiconductor element 1 and the upper surface 15 of the first pressure-sensitive adhesive layer 21.
  • the release layer 12 is peeled from the sealing layer 10 as indicated by the arrow in FIG. 1B.
  • the upper surface 16 of the sealing layer 10 becomes an exposed surface exposed to the upper side.
  • the sealing optical semiconductor element 11 including the plurality of optical semiconductor elements 1 and one sealing layer 10 that seals the plurality of optical semiconductor elements 1 is temporarily fixed to the temporary fixing sheet 7, obtain.
  • the sealed optical semiconductor element 11 can be distributed together with the temporary fixing sheet 7 in a state of being temporarily fixed to the temporary fixing sheet 7.
  • Step (3) is performed after step (2).
  • step (3) as shown in FIG. 1C, the sealed optical semiconductor element 11 is peeled from the pressure-sensitive adhesive layer 9.
  • the pressure-sensitive adhesive force of the pressure-sensitive adhesive sheet 2 is reduced by treatment.
  • the active energy ray is applied to the pressure-sensitive adhesive sheet 2 (pressure-sensitive adhesive layer 9).
  • active energy rays include ultraviolet rays and electron beams.
  • ultraviolet rays are used.
  • the radiation source include irradiation devices such as a chemical lamp, an excimer laser, a black light, a mercury arc, a carbon arc, a low pressure mercury lamp, a medium pressure mercury lamp, a high pressure mercury lamp, an ultrahigh pressure mercury lamp, and a metal halide lamp.
  • the amount of irradiation is set, for example, under conditions that allow the carbon-carbon double bond in the pressure-sensitive adhesive layer 9 to substantially react, specifically, conditions under which the photopolymerization initiator can substantially react.
  • the irradiation amount is, for example, 100 mJ / cm 2 or more, preferably 400 mJ / cm 2 or more, and, for example, 2000 mJ / cm 2 or less, preferably 1000 mJ / cm 2 or less.
  • the sealing layer 10 is diced (cut) by a dicing saw 37 so that each of the plurality of sealed optical semiconductor elements 11 is separated.
  • the dimensions of the sealed optical semiconductor element 11 are appropriately set, and the length in the front-rear direction and / or the left-right direction is, for example, 0.2 mm or more, preferably 0.3 mm or more, and, for example, 3 mm. Hereinafter, it is preferably 2 mm or less.
  • one sealing optical semiconductor element 11 is peeled from the temporary fixing sheet 7 by using a pickup device (not shown). Specifically, the electrode surface 3 of the optical semiconductor element 1 and the lower surface of the sealing layer 10 are peeled off from the upper surface 15 of the first pressure-sensitive adhesive layer 21.
  • the pickup device includes a pressing member 33, a suction member 38 (see FIG. 2C described later), and the like, and specifically, Japanese Unexamined Patent Application Publication Nos. 2014-168032, 2014-168033, and 2014. -168034, JP 2014-168035 A, JP 2014-168036 A, etc.
  • the sealed optical semiconductor element 11 including one optical semiconductor element 1 and one sealing layer 10 is obtained.
  • the sealed optical semiconductor element 11 is preferably composed of only one optical semiconductor element 1 and one sealing layer 10.
  • the sealed optical semiconductor element 11 is not a light emitting device 30 (see FIG. 1D) described later, that is, does not include a substrate 29 (see FIG. 1D) provided in the light emitting device 30. That is, the sealed optical semiconductor element 11 is configured so as not to be electrically connected to a terminal 28 (described later) provided on the substrate 29 of the light emitting device 30. Further, the sealed optical semiconductor element 11 is a component of the light emitting device 30 (see FIG. 1D), that is, a component for manufacturing the light emitting device 30, and is a device that can be distributed and used industrially. .
  • the sealed optical semiconductor element 11 is mounted on the substrate 29 (flip chip mounting).
  • the substrate 29 has a substantially flat plate shape extending in the left-right direction and the front-rear direction.
  • the substrate 29 includes terminals 28 corresponding to the electrodes 6 of the sealed optical semiconductor element 11 on the upper surface thereof.
  • the electrode 6 and the terminal 28 are electrically connected.
  • the light emitting device 30 including the substrate 29 and the sealed optical semiconductor element 11 mounted thereon is obtained.
  • the light emitting device 30 preferably includes only the substrate 29 and the sealed optical semiconductor element 11.
  • the lower surface of the sealing layer 10 exposed from the electrode 6 is spaced from the upper surface of the substrate 29.
  • the peel adhesive strength PS of the pressure-sensitive adhesive sheet 2 is equal to or less than the above upper limit, in the step (3) of peeling the sealing optical semiconductor element 11 from the first pressure-sensitive adhesive layer 21, as shown in FIG. 1C.
  • the first pressure-sensitive adhesive layer 21 can be prevented from adhering to the electrode surface 3 of the optical semiconductor element 1 in the sealed optical semiconductor element 11 (see FIG. 5A).
  • this sealed optical semiconductor element 11 as shown in FIG. 1C, the presence of the sealing layer 10 on the electrode surface 3 is suppressed and the electrode surface 3 is exposed. 3 is electrically connected to the terminal 28 of the substrate 29, the light emitting device 30 having excellent reliability can be obtained.
  • the sealing layer 10 is made of a hot melt resin composition
  • the sealing layer 10 is sealed by a simple method of heating the sealing layer 10 as shown in FIG. 1B in the step (2).
  • the optical semiconductor element 1 can be covered by melting (hot melt) the stop layer 10.
  • the melted sealing layer 10 is easy to enter the sealing layer 10 between the electrode surface 3 of the optical semiconductor element 1 and the first pressure-sensitive adhesive layer 21. Since PS is equal to or more than the lower limit described above, it is possible to suppress the sealing layer 10 from entering between the electrode surface 3 of the optical semiconductor element 1 and the first pressure-sensitive adhesive layer 21.
  • the press speed S in the step (2) is equal to or higher than the lower limit described above, it is possible to suppress a decrease in the productivity of the sealed optical semiconductor element 11, and the press speed S is Since it is below the upper limit described above, it is possible to further suppress the sealing layer 10 from entering between the electrode surface 3 of the small optical semiconductor element 1 and the first pressure-sensitive adhesive layer 21.
  • the sealing is performed between the electrode surface 3 of the small optical semiconductor element 1 and the first pressure-sensitive adhesive layer 21.
  • the stop layer 10 can be further suppressed from entering and the pressure V of the press is below the upper limit described above, the optical semiconductor element 1 is buried in the first pressure-sensitive adhesive layer 21, and then It can be suppressed that the sealed optical semiconductor element 11 is hardly peeled from the first pressure-sensitive adhesive layer 21.
  • the sealing layer 10 is interposed between the electrode surface 3 of the optical semiconductor element 1 and the first pressure-sensitive adhesive layer 21. If the melt viscosity MV of the sealing layer 10 is below the upper limit described above, the optical semiconductor element 1 can be reliably sealed by the sealing layer 10.
  • the reliability of the optical semiconductor element 1 in the sealed optical semiconductor element 11 is reliably improved. be able to.
  • the electrode surface 3 of the sealed optical semiconductor element 11 in which the presence of the sealing layer 10 on the electrode surface 3 is suppressed is electrically connected to the terminal 28 of the substrate 29, the light emitting device 30 Excellent reliability.
  • the sealing layer 10 is diced (cut) as shown by a one-dot broken line in FIG. 1C.
  • the release sheet 12 can be peeled from the sealing layer 10 after the sealing layer 10 is diced (cut).
  • step (1) of the second embodiment as shown in FIG. 2A, a support substrate 8 in which a through hole 31 is formed is prepared.
  • the support substrate 8 has a plurality of through holes 31 corresponding to the plurality of optical semiconductor elements 1.
  • the plurality of through holes 31 are arranged at equal intervals in the left-right direction and the front-rear direction.
  • Each of the plurality of through holes 31 has a substantially circular shape in plan view.
  • the dimension of the through hole 31 is appropriately set, and the hole diameter (inner diameter) is, for example, 0.1 mm or more, preferably 0.2 mm or more, and, for example, 1 mm or less, preferably 0.7 mm. It is as follows.
  • the pressure-sensitive adhesive sheet 2 has the same outer peripheral edge as the outer peripheral edge of the support substrate 8 so as to close the upper ends of the plurality of through holes 31. That is, the lower surface of the pressure-sensitive adhesive sheet 2 (the lower surface of the second pressure-sensitive adhesive layer 22) is exposed downward from the through hole 31.
  • step (3) as shown in FIG. 2C, the sealed optical semiconductor element 11 is peeled from the temporary fixing sheet 7 using the pickup device 32.
  • the pickup device 32 includes a pressing member 33 and a suction member 38.
  • the pressing member 33 is a needle or the like that has a shape extending in the vertical direction and is pointed upward.
  • the pressing member 33 is configured such that the upper end portion thereof can move in the vertical direction and the upper end portion can press the pressure-sensitive adhesive sheet 2 exposed from the through hole 31 upward.
  • the suction member 38 has a shape extending in the vertical direction, and has a suction port 35 at its lower end.
  • the suction member 38 is configured such that the suction port 35 can move in the vertical direction, and the suction port 35 can suck the upper surface of the sealed optical semiconductor element 11.
  • step (3) first, a laminated body of the temporarily fixed sheet 7 and the plurality of sealed optical semiconductor elements 11 that are separated into pieces while being supported by the temporarily fixed sheet 7 is installed in the pickup device 32.
  • the pressing member 33 is disposed opposite to the lower side of the through hole 31 corresponding to the sealed optical semiconductor element 11 to be peeled off.
  • the pressing member 33 is inserted into the through hole 31 from the lower side of the support substrate 8.
  • the pressure-sensitive adhesive sheet 2 corresponding to the through hole 31 is pressed upward relative to the support substrate 8 and pushed up together with the sealing optical semiconductor element 11.
  • the pushed-up sealed optical semiconductor element 11 is sucked by the suction port 35 of the suction member 38.
  • the sealed optical semiconductor element 11 is peeled from the first pressure-sensitive adhesive layer 21.
  • sealing composition is the electrode surface 3 of the optical semiconductor element 1, and a through-hole. It is easy to sink into the first pressure-sensitive adhesive layer 21 that faces 31.
  • the melt viscosity MV at 60 ° C. of the sealing layer 10 is not less than the above-mentioned lower limit (50 Pa ⁇ s, see the section “1-3-1. Physical properties of the sealing layer (melt viscosity)” in the first embodiment). If it is, the above-mentioned penetration of the sealing resin composition can be suppressed.
  • the step (2) it is easy to seal the optical semiconductor element 1 with the sealing layer 10.
  • the upper limit of the melt viscosity MV at 60 ° C. of the sealing layer 10 described above for example, 1500 Pa ⁇ s, preferably 1000 Pa ⁇ s, “1-3-1. Physical properties of the sealing layer (melt If it is below, the optical semiconductor element 1 can be reliably sealed by the sealing layer 10.
  • step (1) as shown in FIG. 3A, the electrode 6 is not buried in the first pressure-sensitive adhesive layer 21, and only the lower surface thereof is in contact with the upper surface 15 of the first pressure-sensitive adhesive layer 21.
  • the lower surface 13 around the electrode 6 on the electrode surface 3 is spaced from the upper surface 15 of the first pressure-sensitive adhesive layer 21 in the thickness direction.
  • the pressure applied to the upper surface 15 of the first pressure-sensitive adhesive layer 21 by the electrode surface 3 is Adjustment is made so as to be smaller than that of the first embodiment.
  • step (2) as shown in FIG. 3B, the sealing layer 10 covers the lower surface 13 around the electrode 6 on the electrode surface 3 and the peripheral side surface of the electrode 6.
  • step (3) as shown in FIG. 3C, in the sealed optical semiconductor element 11, the lower surface of the sealing layer 10 and the lower surface of the electrode 6 are flush with each other in the left-right direction and the front-rear direction.
  • 3rd Embodiment can have the same effect as 1st Embodiment.
  • blending ratio content ratio
  • physical property values and parameters used in the following description are described in the above-mentioned “Mode for Carrying Out the Invention”, and the corresponding blending ratio (content ratio) ), Physical property values, parameters, etc. may be replaced with the upper limit values (numerical values defined as “less than” or “less than”) or lower limit values (numbers defined as “greater than” or “exceeded”). it can.
  • Example 1 As shown in FIG. 1A, first, a temporarily fixing sheet 7 was prepared.
  • An acrylic polymer having a carbon-carbon double bond is obtained by adding 13.5 parts by mass of 2-methacryloyloxyethyl isocyanate to this and allowing methacryloyloxyethyl isocyanate (isocyanate group-containing compound) to undergo an addition reaction with the acrylic polymer.
  • methacryloyloxyethyl isocyanate isocyanate group-containing compound
  • an isocyanate crosslinking agent (trade name “Coronate L”, manufactured by Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd.) with respect to 100 parts by mass of the solid content of the acrylic polymer in a toluene solution of the above acrylic polymer, and light Polymerization initiator (trade name “Irgacure 127”, (2-hydroxy-1- ⁇ 4- [4- (2-hydroxy-2-methyl-propionyl) -benzyl] phenyl ⁇ -2-methyl-propan-1-one 2 parts by mass of Ciba Specialty Chemicals Co., Ltd.) was added to prepare a pressure-sensitive adhesive composed of a resin composition into which a carbon-carbon double bond was introduced.
  • a support sheet 23 made of a PET film (made by Daisan Paper Industry Co., Ltd.) having a thickness of 38 ⁇ m was prepared.
  • the pressure-sensitive adhesive was applied to the upper and lower surfaces of the support sheet 23, then dried at 120 ° C. for 3 minutes, and further aged at 50 ° C. for 24 hours.
  • a pressure-sensitive adhesive sheet 2 including the support sheet 23, the first pressure-sensitive adhesive layer 21 having a thickness of 30 ⁇ m, and the second pressure-sensitive adhesive layer 22 having a thickness of 30 ⁇ m was produced.
  • the pressure-sensitive adhesive sheet 2 was attached to a support substrate 8 made of a glass plate having a thickness of 700 ⁇ m. Thereby, the temporary fixing sheet 7 provided with the pressure-sensitive adhesive sheet 2 and the support substrate 8 was prepared.
  • optical semiconductor elements 1 specifically, normal-sized optical semiconductor elements 1 (length 1143 ⁇ m, width 1143 ⁇ m, thickness 150 ⁇ m, trade name “EDI-FA4545A”, Epistar And 100 small-sized optical semiconductor elements 1 (vertical 762 ⁇ m, horizontal 356 ⁇ m, thickness 130 ⁇ m, product name “ETi-KB306A-BL”, manufactured by ETI), and Epistar) Then, the optical semiconductor element 1 was pressure-sensitively bonded to the upper surface of the first pressure-sensitive adhesive layer 21.
  • normal-sized optical semiconductor elements 1 length 1143 ⁇ m, width 1143 ⁇ m, thickness 150 ⁇ m, trade name “EDI-FA4545A”, Epistar
  • small-sized optical semiconductor elements 1 vertical 762 ⁇ m, horizontal 356 ⁇ m, thickness 130 ⁇ m, product name “ETi-KB306A-BL”, manufactured by ETI
  • an element member 36 including the temporarily fixing sheet 7 and the plurality of optical semiconductor elements 1 was prepared.
  • the sealing member 14 provided with the 50-micrometer-thick peeling layer 12 which consists of PET films, and the sealing layer 10 which is arrange
  • the sealing composition was a hot-melt resin composition, and was prepared from 50 parts by mass of a phenyl-based silicone resin (one-step reaction curable resin), 40 parts by mass of glass particles, and 10 parts by mass of a phosphor.
  • the thickness of the sealing layer 10 was 500 ⁇ m.
  • the element member 36 and the sealing member 14 were installed in the press machine 25. Specifically, the support substrate 8 was placed on the upper surface of the lower plate 27, and the release sheet 12 was attached to the lower surface of the upper plate 26.
  • the sealing member 14 was hot-pressed against the element member 36 and the temporary fixing sheet 7 by the press machine 25.
  • the press speed S was 0.1 mm / second
  • the press pressure V was 1.1 MPa
  • the temperature was 90 ° C.
  • the press time was 10 minutes.
  • the pressure sensitive adhesive force of the pressure sensitive adhesive sheet 2 was reduced by irradiating the release sheet 12 with ultraviolet rays.
  • the release sheet 12 was peeled from the sealing layer 10 as indicated by the arrow in FIG. 1B.
  • the sealing layer 10 was diced by a dicing saw 37 so that each of the plurality of sealed optical semiconductor elements 11 was separated into pieces.
  • a sealed optical semiconductor element 11 including one optical semiconductor element 1 and one sealing layer 10 was obtained in a state of being temporarily fixed to the temporary fixing sheet 7.
  • Step (3)> As shown by the arrow in FIG. 1C, the sealed optical semiconductor element 11 was peeled off from the temporarily fixed sheet 7 using a pickup device (not shown).
  • Examples 2 to 12 and Comparative Examples 1 to 3 Based on Table 1, the size of the optical semiconductor element 1, the blending ratio of the isocyanate-based crosslinking agent, the thickness of the first pressure-sensitive adhesive layer 21, the peel adhesive strength PS, the press speed S, the press pressure V, and the melt viscosity MV are changed.
  • a sealed optical semiconductor element 11 was manufactured in the same manner as in Example 1 except that.
  • Examples 13 to 16 A support substrate having a plurality of through-holes 31 corresponding to the plurality of optical semiconductor elements 1 as shown in FIG. 2A, in which the melt viscosity MV of the sealing layer is changed based on Table 1 in the step (1)
  • a sealed optical semiconductor element 11 was manufactured in the same manner as in Example 1 except that 8 was prepared.
  • melt viscosity MV of sealing layer The melt viscosity MV at 60 ° C. of the sealing layer was measured based on an E-type viscometer.
  • the pressure-sensitive adhesive layer's peel adhesive strength PS is compressed with a terminal using a precision load measuring instrument (MODEL-1605VCL, manufactured by Aiko Engineering Co., Ltd.), and the load when the terminal peels from the pressure-sensitive adhesive layer is measured. Measured by dividing by terminal area.
  • the sealed optical semiconductor element 11 immediately after hot pressing by the press machine 25 was observed with a digital microscope (VHX-2000 manufactured by Keyence Corporation), and the sealing performance of the sealing layer 10 was evaluated based on the following criteria.
  • the manufacturing method of the sealed optical semiconductor element is used for manufacturing a light emitting device.

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Abstract

封止光半導体素子の製造方法は、電極が設けられる電極面を有する光半導体素子の電極面を、感圧接着層に感圧接着する工程（１）、工程（１）の後に、光半導体素子を封止層によって封止することにより、光半導体素子と封止層とを備える封止光半導体素子を作製する工程（２）、および、工程（２）の後に、封止光半導体素子を感圧接着層から剥離する工程（３）を備える。感圧接着層の剥離接着力が、２２０ｍＮ／１０ｍｍ２以上、３００ｍＮ／１０ｍｍ２以下である。

Description

封止光半導体素子および発光装置の製造方法
　本発明は、封止光半導体素子および発光装置の製造方法、詳しくは、封止光半導体素子の製造方法、および、その製造方法を備える発光装置の製造方法に関する。
　従来、支持板と、その上に積層される粘着層とを備える支持シートの粘着層に、ＬＥＤを貼着し、その後、蛍光体層によってＬＥＤを被覆して、蛍光体層被覆ＬＥＤを製造し、その後、蛍光体層被覆ＬＥＤを支持シートから剥離し、続いて、蛍光体層被覆ＬＥＤを発光波長や発光効率に応じて選別した後、選別された蛍光体層被覆ＬＥＤを基板に実装することが知られている（例えば、特許文献１参照。）。
　特許文献１では、ＬＥＤの下面には、電極（バンプ）が形成されており、かかる下面を、仮固定シートの粘着層に対して直接接触させて、ＬＥＤを粘着層に貼着している。
特開２０１０－８０５６８号公報
　しかるに、蛍光体層をＬＥＤに被覆するときに、粘着層およびＬＥＤに向けて圧着するときに、図４Ａに示すように、蛍光体層（１０１）が、ＬＥＤ（１０２）の下面と、粘着層（１０３）の上面との間に進入する（潜る）場合がある。その場合には、図４Ｂに示すように、蛍光体層被覆ＬＥＤ（１０４）を仮固定シート（１０５）から剥離すると、ＬＥＤ（１０２）の下面に蛍光体層（１０１）が存在するので、図４Ｃに示すように、蛍光体層被覆ＬＥＤ（１０４）を基板（１０６）に実装しても、電極（１０７）が基板（１０６）の端子（１０８）に対して電気的に接続することができないという不具合がある。
　一方、図５Ａに示すように、蛍光体層被覆ＬＥＤ（１０４）を仮固定シート（１０５）から剥離するときに、粘着層（１０３）の一部が、電極（１０７）の下面に付着してしまう（糊残りしてしまう）場合がある。その場合には、図５Ｂに示すように、蛍光体層被覆ＬＥＤ（１０４）を基板（１０６）に実装しても、電極（１０７）が基板（１０６）の端子（１０８）に対して電気的に接続することができないという不具合がある。
　本発明の目的は、光半導体素子を封止層によって封止する工程（２）において、光半導体素子と感圧接着層との間に、封止層が進入することを抑制することができるとともに、封止光半導体素子を感圧接着層から剥離する工程（３）において、感圧接着層が、封止光半導体素子における光半導体素子の電極面に付着することを抑制することのできる、封止光半導体素子および発光装置の製造方法を提供することにある。
　［１］本発明は、電極が設けられる電極面を有する光半導体素子の前記電極面を、感圧接着層に感圧接着する工程（１）、前記工程（１）の後に、前記光半導体素子を封止層によって封止することにより、前記光半導体素子と前記封止層とを備える封止光半導体素子を作製する工程（２）、および、前記工程（２）の後に、前記封止光半導体素子を前記感圧接着層から剥離する工程（３）を備え、前記感圧接着層の剥離接着力が、２２０ｍＮ／１０ｍｍ２以上、３００ｍＮ／１０ｍｍ２以下であることを特徴とする、封止光半導体素子の製造方法である。
　この方法によれば、感圧接着層の剥離接着力が上記した下限以上であるので、工程（２）において、光半導体素子の電極面と感圧接着層との間に、封止層が進入することを抑制することができる。
　また、感圧接着層の剥離接着力が上記した上限以下であるので、封止光半導体素子を感圧接着層から剥離する工程（３）において、感圧接着層が、封止光半導体素子における光半導体素子の電極面に付着することを抑制することができる。
　そのため、本発明により得られる封止光半導体素子では、電極面における封止層の存在が抑制されて、電極面が露出するので、これを基板の端子と電気的に接続すれば、信頼性に優れる発光装置を得ることができる。
　［２］本発明は、前記封止層は、ホットメルト樹脂組成物からなり、前記工程（２）において、前記封止層を加熱することを特徴とする、上記［１］に記載の封止光半導体素子の製造方法である。
　この方法によれば、封止層がホットメルト樹脂組成物からなっているので、工程（２）において、封止層を加熱する簡便な方法で、封止層を溶融（ホットメルト）させて、光半導体素子を被覆することができる。さらに、溶融した封止層は、光半導体素子の電極面と感圧接着層との間に、封止層が進入し易いところ、感圧接着層の剥離接着力が上記した下限以上であるので、封止層の、上記した光半導体素子の電極面と感圧接着層との間への進入を抑制することができる。
　［３］本発明は、前記工程（２）では、前記封止層を前記光半導体素子および前記感圧接着層に向けて、０．０１ｍｍ／秒以上、０．３ｍｍ／秒以下の速度で、プレスすることを特徴とする、上記［１］または［２］に記載の封止光半導体素子の製造方法である。
　この方法によれば、工程（２）におけるプレスの速度が上記した下限以上であるので、封止光半導体素子の生産性の低下を抑制することができるとともに、プレスの速度が上記した上限以下であるので、光半導体素子の電極面と感圧接着層との間に、封止層が進入することをより一層抑制することができる。
　［４］本発明は、前記工程（２）では、前記封止層を前記光半導体素子および前記感圧接着層に向けて、０．５ＭＰａ以上、２．０ＭＰａ以下の圧力で、プレスすることを特徴とする、上記［１］～［３］のいずれか一項に記載の封止光半導体素子の製造方法である。
　この方法によれば、工程（２）におけるプレスの圧力が上記した下限以上であるので、光半導体素子の電極面と感圧接着層との間に、封止層が進入することをより一層抑制することができるとともに、プレスの圧力が上記した上限以下であるので、光半導体素子が感圧接着層に対して埋没し、その後、封止光半導体素子を感圧接着層から剥離しにくくなることを抑制することができる。
　［５］本発明は、前記感圧接着層は、仮固定シートに備えられており、前記仮固定シートは、厚み方向を貫通する貫通孔を有する支持基板と、前記支持基板の厚み方向一方側に配置され、前記貫通孔を被覆する前記感圧接着層とを備え、前記工程（１）では、前記光半導体素子を、厚み方向に投影したときに、前記貫通孔に重複するように、前記電極面を前記感圧接着層に感圧接着し、前記工程（３）では、押圧部材を前記貫通孔に挿入して、前記貫通孔に対応する前記感圧接着層を押圧することによって、前記封止光半導体素子を前記支持基板に対して相対移動させながら、前記封止光半導体素子を前記感圧接着層から剥離し、前記封止層の６０℃における溶融粘度が、５０Ｐａ・ｓ以上、１５００Ｐａ・ｓ以下であることを特徴とする、上記［１］～［４］のいずれか一項に記載の封止光半導体素子の製造方法である。
　この方法によれば、封止層の溶融粘度が上記した下限以上であるので、光半導体素子の電極面と感圧接着層との間に、封止層が進入することをより一層抑制することができるとともに、封止層の溶融粘度が上記した上限以下であるので、封止層によって光半導体素子を確実に封止することができる。
　［６］本発明は、前記光半導体素子は、前記電極面に対して間隔を隔てて対向配置され、発光層が設けられる発光面と、前記発光面および前記電極面の周端縁を連結する連結面とをさらに有し、前記工程（２）では、前記封止層によって、前記発光面と前記連結面とを被覆することを特徴とする、上記［１］～［５］のいずれか一項に記載の封止光半導体素子の製造方法である。
　この方法では、工程（２）において、封止層によって、発光面と連結面とを被覆するので、封止光半導体素子における光半導体素子の信頼性を確実に向上させることができる。
　［７］本発明は、上記［１］～［６］のいずれか一項に記載の封止光半導体素子の製造方法により、封止光半導体素子を製造する工程（４）、および、前記封止光半導体素子を基板に実装する工程（５）を備えることを特徴とする、発光装置の製造方法である。
　この方法によれば、電極面における封止層の存在が抑制された封止光半導体素子の電極面を基板の端子と電気的に接続するので、発光装置は、信頼性に優れる。
　本発明により得られる封止光半導体素子では、電極面に封止層が存在せず、露出するので、これを基板の端子と電気的に接続した本発明の発光装置は、信頼性に優れる。
図１Ａ～図１Ｄは、本発明の封止光半導体素子および発光装置の製造方法の第１実施形態を示す工程図であり、図１Ａは、光半導体素子を感圧接着層に感圧接着する工程（１）、図１Ｂは、光半導体素子を封止層によって封止する工程（２）、図１Ｃは、封止光半導体素子を感圧接着層から剥離する工程（３）、図１Ｄは、封止光半導体素子を基板に実装する工程を示す。 図２Ａ～図２Ｄは、本発明の封止光半導体素子および発光装置の製造方法の第２実施形態を示す工程図であり、図２Ａは、光半導体素子を、貫通孔を有する支持基板に支持される感圧接着層に感圧接着する工程（１）、図２Ｂは、光半導体素子を封止層によって封止する工程（２）、図２Ｃは、封止光半導体素子を感圧接着層から剥離する工程（３）、図２Ｄは、封止光半導体素子を基板に実装する工程を示す。 図３Ａ～図３Ｄは、本発明の封止光半導体素子および発光装置の製造方法の第３実施形態を示す工程図であり、図３Ａは、光半導体素子を感圧接着層に、電極が感圧接着層に埋没しないように、感圧接着する工程（１）、図３Ｂは、光半導体素子を封止層によって封止する工程（２）、図３Ｃは、封止光半導体素子を感圧接着層から剥離する工程（３）、図３Ｄは、封止光半導体素子を基板に実装する工程を示す。 図４Ａ～図４Ｃは、従来技術に対応する比較例１および２の工程図であり、図４Ａは、光半導体素子を封止層によって封止する工程（２）であって、その際、封止樹脂組成物が光半導体素子と感圧接着シートとの間に潜り込む状態、図４Ｂは、封止光半導体素子を感圧接着層から剥離する工程（３）、図４Ｃは、封止光半導体素子を基板に実装する工程を示す。 図５Ａ～図５Ｃは、従来技術に対応する比較例３の工程図であり、図５Ａは、封止光半導体素子を感圧接着層から剥離する工程（３）であって、光半導体素子１に感圧接着剤が残る状態、図５Ｂは、封止光半導体素子を基板に実装する工程を示す。
　図１Ａ～図１Ｄにおいて、紙面上下方向は、上下方向（第１方向、厚み方向の一例）であり、紙面上側が上側（第１方向一方側、厚み方向一方側の一例）、紙面下側が下側（第１方向他方側、厚み方向他方側）である。紙面左右方向は、左右方向（第１方向に直交する第２方向）であり、紙面左側が左側（第２方向一方側）、紙面右側が右側（第２方向他方側）である。紙厚方向は、前後方向（第１方向および第２方向に直交する第３方向）であり、紙面手前側が前側（第３方向一方側）、紙面奥側が後側（第３方向他方側）である。具体的には、各図の方向矢印に準拠する。
　＜第１実施形態＞
　この方法は、光半導体素子１を感圧接着層９に感圧接着する工程（１）（図１Ａ参照）、光半導体素子１を封止層１０によって封止することにより、光半導体素子１と封止層１０とを備える封止光半導体素子１１を作製する工程（２）（図１Ｂ参照）、および、封止光半導体素子１１を感圧接着層９から剥離する工程（３）（図１Ｃ参照）を備える。
　以下、各工程について詳述する。
　１．工程（１）
　工程（１）では、図１Ａに示すように、光半導体素子１を感圧接着層９に感圧接着する。
　光半導体素子１を感圧接着層９に感圧接着するには、まず、光半導体素子１、および、感圧接着層９を用意する。
　１－１．　光半導体素子
　光半導体素子１は、例えば、電気エネルギーを光エネルギーに変換するＬＥＤやＬＤである。好ましくは、光半導体素子１は、青色光を発光する青色ＬＥＤ（発光ダイオード素子）である。一方、光半導体素子１は、光半導体素子とは技術分野が異なるトランジスタなどの整流器を含まない。
　光半導体素子１は、前後方向（縦方向）および左右方向（横方向）に沿う略平板形状を有している。光半導体素子１は、電極面３と、発光面４と、周側面５とを有している。
　電極面３は、光半導体素子１における下面であって、電極６が設けられた面である。
　電極６は、電極面３に２つ、左右方向に間隔を隔てて隣接配置されている。電極６は、電極面３から下方に突出する形状を有している。
　発光面４は、光半導体素子１における上面であって、電極面３に対して上側に間隔を隔てて対向配置されている。発光面４には、図示しない発光層が設けられている。
　周側面５は、電極面３の周端縁と、発光面４の周端縁とを連結している。
　光半導体素子１の寸法は、適宜設定されており、具体的には、厚み（高さ）が、例えば、０．１μｍ以上、好ましくは、０．２μｍ以上であり、また、例えば、５００μｍ以下、好ましくは、２００μｍ以下である。
　１－２．　感圧接着シート
　感圧接着層９は、仮固定シート７に備えられている。
　仮固定シート７は、支持基板８と、支持基板８に支持される感圧接着シート２とを備えている。
　１－２－１．　支持基板
　支持基板８は、仮固定シート７の下部に配置されている。支持基板８は、前後方向および左右方向に延びる略平板形状を有している。支持基板８としては、例えば、ポリエチレンフィルム、ポリエステルフィルム（ＰＥＴなど）などのポリマーフィルム、例えば、セラミックスシート、例えば、金属箔などが挙げられる。支持基板８の厚みは、例えば、１００μｍ以上、好ましくは、３００μｍ以上であり、また、例えば、２０００μｍ以下、好ましくは、１０００μｍ以下である。
　１－２－２．　感圧接着シート
　感圧接着シート２は、支持基板８に支持されており、具体的には、仮固定シート７の上面全面に配置されている。
　また、感圧接着シート２は、感圧接着剤を含んでいる。具体的には、感圧接着シート２は、処理によって感圧接着力が低減するように構成される感圧接着層９を備えている。詳しくは、感圧接着シート２は、２つの感圧接着層９と、２つの感圧接着層９の上下方向途中（具体的には、中央部）に介在される支持シート２３とを備えている。２つの感圧接着層９のうち、支持シート２３の上に配置される層が、第１感圧接着層２１であり、支持シート２３の下に配置される層が、第２感圧接着層２２である。つまり、感圧接着層９は、第１感圧接着層２１と、第２感圧接着層２２とを備えている。好ましくは、感圧接着層９は、第１感圧接着層２１と、第２感圧接着層２２とのみからなる。
　１－２－３．　第１感圧接着層
　第１感圧接着層２１は、感圧接着シート２の上部に位置している。第１感圧接着層２１は、支持シート２３の上面全面に配置（支持）されている。
　第１感圧接着層２１は、処理によって感圧接着力が低減するように構成されている。具体的には、第１感圧接着層２１は、活性エネルギー線が照射されることによって、感圧接着力が低減する感圧接着剤から、シート状（層状）に形成されている。第１感圧接着層２１の厚みは、後述する感圧接着シート２の剥離接着力ＰＳが所望範囲となるように適宜設定され、例えば、５μｍ以上、好ましくは、１０μｍ以上であり、また、例えば、１００μｍ以下、好ましくは、５０μｍ以下である。
　１－２－４．　第２感圧接着層
　第２感圧接着層２２は、感圧接着シート２の下部に位置している。第２感圧接着層２２は、支持シート２３の下面全面に配置されている。
　第２感圧接着層２２は、処理によって感圧接着力が低減するように構成されている。具体的には、第２感圧接着層２２は、第１感圧接着層２１と同一の感圧接着剤から、シート状（層状）に形成されている。第２感圧接着層２２の厚みは、後述する感圧接着シート２の剥離接着力ＰＳが所望範囲となるように適宜設定され、例えば、３μｍ以上、好ましくは、５μｍ以上であり、また、例えば、３０μｍ以下、好ましくは、２０μｍ以下である。また、感圧接着層９の厚み、つまり、第１感圧接着層２１および第２感圧接着層２２の総厚みは、例えば、８μｍ以上、好ましくは、１５μｍ以上であり、また、例えば、１３０μｍ以下、好ましくは、７０μｍ以下である。
　１－２－５．　感圧接着剤
　感圧接着剤としては、例えば、炭素－炭素二重結合が導入された樹脂組成物などが挙げられる。樹脂組成物は、炭素－炭素二重結合を有するポリマーが挙げられる。
　１－２－６．　感圧接着剤の調製
　ポリマーは、例えば、以下の方法によって、調製される。
　すなわち、例えば、主ビニルモノマーと、第１官能基を有する副ビニルモノマーとを含有するモノマー成分を、第１官能基が消失しないように、共重合して、第１官能基を有する前駆体ポリマーを調製する。別途、第１官能基と反応することができる第２官能基と、炭素－二重結合とを有する化合物を準備する。その後、この化合物を前駆体ポリマーに配合して、第１官能基と第２官能基とを反応させる。
　第１官能基と第２官能基との組合せとして、例えば、ヒドロキシル基とイソシアネート基との組合せなどが挙げられる。第１官能基として、好ましくは、ヒドロキシル基が挙げられる。第２官能基として、好ましくは、イソシアネート基が挙げられる。
　主モノマーとしては、例えば、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、イソプロピル（メタ）アクリレート、ｎ－ブチル（メタ）アクリレート、イソブチル（メタ）アクリレート、ｓ－ブチル（メタ）アクリレート、ペンチル（メタ）アクリレート、イソペンチル（メタ）アクリレート、ヘキシル（メタ）アクリレート、ヘプチル（メタ）アクリレート、２－エチルヘキシル（メタ）アクリレート（２ＥＨＡ／２ＥＨＭＡ）、オクチル（メタ）アクリレート、イソオクチル（メタ）アクリレート、ノニル（メタ）アクリレート、イソノニル（メタ）アクリレート、デシル（メタ）アクリレート、イソデシル（メタ）アクリレート、ウンデシル（メタ）アクリレート、ドデシル（メタ）アクリレート、トリデシル（メタ）アクリレート、テトラデシル（メタ）アクリレート、ペンタデシル（メタ）アクリレート、ヘキサデシル（メタ）アクリレート、ヘプタデシル（メタ）アクリレート、オクタデシル（メタ）アクリレート、ノナデシル（メタ）アクリレート、エイコシル（メタ）アクリレートなどの、アルキル部分の炭素数が１～２０であるアルキル（メタ）アクリレートが挙げられる。好ましくは、２－エチルヘキシルアクリレート（２ＥＨＡ）が挙げられる。これらは、単独使用または併用することができる。主モノマーの、モノマー成分における配合割合は、例えば、７０質量％以上、好ましくは、９０質量％以上であり、また、例えば、９９質量％以下である。
　副ビニルモノマーは、主ビニルモノマーとして共重合することができるビニルモノマーである。副ビニルモノマーとしては、例えば、カルボキシ基含有モノマー、エポキシ基含有モノマー、ヒドロキシル基含有モノマー、イソシアネート基含有モノマーなどが挙げられ、好ましくは、ヒドロキシル基含有モノマーが挙げられる。
　ヒドロキシル基含有モノマーとしては、例えば、２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート（２－ＨＥＡ／ＨＥＭＡ）、２－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、３－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレートなどのヒドロキシアルキル（メタ）アクリレートなどが挙げられる。好ましくは、２－ヒドロキシエチルアクリレート（２－ＨＥＡ）が挙げられる。これらは、単独使用または併用することができる。副ビニルモノマーの、モノマー成分における配合割合は、例えば、３０質量％以下であり、また、例えば、１質量％以上である。
　化合物としては、イソシアネート基含有化合物が挙げられ、具体的には、（メタ）アクリロイルイソシアネート、２－（メタ）アクリロイルオキシエチルイソシアネート、ｍ－イソプロペニル－α，α－ジメチルベンジルイソシアネートなどの、イソシアネート基含有ビニルモノマーが挙げられる。好ましくは、２－メタクリロイルオキシエチルイソシアネートが挙げられる。
　化合物の配合割合は、ポリマーにおける二重結合の導入量が、例えば、０．０１ミリモル／ｇ以上、好ましくは、０．２ミリモル／ｇ以上となり、また、例えば、１０．０ミリモル／ｇ以下、好ましくは、５．０ミリモル／ｇ以下となるように、調整される。
　前駆体ポリマーを調製するには、上記したモノマー成分を、上記した割合で、重合開始剤の存在下で、例えば、溶液重合させる。
　重合開始剤としては、例えば、過酸化物、過硫酸塩、レドックス系開始剤などが挙げられる。これらは、単独使用または併用することができる。好ましくは、過酸化物が挙げられる。過酸化物としては、例えば、ジアシルパーオキサイド、パーオキシエステル、パーオキシジカーボネート、モノパーオキシカーボネート、パーオキシケタール、ジアルキルパーオキサイド、ハイドロパーオキサイド、ケトンパーオキサイドなどが挙げられ、好ましくは、ジアシルジパーオキサイドが挙げられる。
　ジアシルジパーオキサイドとしては、例えば、ジベンゾイルパーオキサイド（ＢＰＯ）、ジ－ｐ－ニトロベンゾイルパーオキサイド、ジ－ｐ－クロロベンゾイルパーオキサイド、ジ（３，５，５－トリメチルヘキサノイル）パーオキサイド、ジ－ｎ－オクタノイルパーオキサイド、ジデカノイルパーオキサイド、ジラウロイルパーオキサイドなどが挙げられる。好ましくは、ジベンゾイルパーオキサイド（ＢＰＯ）が挙げられる。
　重合開始剤の配合割合は、モノマー成分１００質量部に対して、例えば、０．００５質量部以上、例えば、１質量部以下である。
　また、溶液重合では、重合溶媒が用いられる。重合溶媒としては、例えば、トルエン、キシレンなど芳香族炭化水素、例えば、ヘキサンなどの脂肪族炭化水素などが挙げられる。好ましくは、芳香族炭化水素が挙げられる。
　そして、主ビニルモノマーと、副ビニルモノマーとを含有するモノマー成分を、副ビニルモノマーの第１官能基が消失しないように、共重合させて、第１官能基を有する前駆体ポリマーを調製する。
　続いて、前駆体ポリマーに、上記した化合物を配合する。好ましくは、ヒドロキシル基を含有する前駆体ポリマーに、イソシアネート基含有化合物を配合して、ヒドロキシル基とイソシアネート基とを反応させて、ウレタン結合を形成する。そして、得られたポリマーには、化合物が有する炭素－炭素二重結合が導入される。
　その後、ポリマーに、光重合開始剤を配合する。
　光重合開始剤は、後述する工程（２）（図１Ｃ参照）において活性エネルギー線が感圧接着層９に照射されたときに、ラジカルを発生させて、樹脂組成物に導入された炭素－炭素二重結合を互いに反応させるための光重合触媒である。光重合開始剤の１０時間半減期温度は、例えば、２０℃以上、好ましくは、５０℃以上であり、また、例えば、１０７℃以下、好ましくは、１００℃以下である。
　光重合開始剤としては、例えば、ケタール系光重合開始剤、アセトフェノン系光重合開始剤、ベンゾインエーテル系光重合開始剤、アシルホスフィンオキサイド系光重合開始剤、α－ケトール系光重合開始剤、芳香族スルホニルクロリド系光重合開始剤、光活性オキシム系光重合開始剤、ベンゾイン系光重合開始剤、ベンジル系光重合開始剤、ベンゾフェノン系光重合開始剤、チオキサントン系光重合開始剤などが挙げられる。これらは、単独使用または併用することができる。好ましくは、チオキサントン系光重合開始剤が挙げられる。チオキサントン系光重合開始剤としては、例えば、１－［４－（２－ヒドロキシエトキシ）－フェニル］－２－ヒドロキシ－２－メチル－１－プロパン－１－オン、２－ヒドロキシ－１－｛４－［４－（２－ヒドロキシ－２－メチル－プロピオニル）－ベンジル］フェニル｝－２－メチル－プロパン－１－オンが挙げられる。好ましくは、２－ヒドロキシ－１－｛４－［４－（２－ヒドロキシ－２－メチル－プロピオニル）－ベンジル］フェニル｝－２－メチル－プロパン－１－オンが挙げられる。
　光重合開始剤の配合割合は、ポリマー１００質量部に対して、例えば、０．１質量部以上、好ましくは、０．５質量部以上であり、また、例えば、１０質量部以下、好ましくは、５質量部以下である。
　また、ポリマーには、架橋剤などの添加剤を適宜の割合で配合することができる。架橋剤としては、例えば、イソシアネート系架橋剤、エポキシ系架橋剤、オキサゾリン系架橋剤、アジリジン系架橋剤、メラミン系架橋剤、過酸化物系架橋剤、尿素系架橋剤、金属アルコキシド系架橋剤、金属キレート系架橋剤、金属塩系架橋剤、カルボジイミド系架橋剤、アミン系架橋剤などが挙げられる。好ましくは、イソシアネート系架橋剤が挙げられる。
　架橋剤の配合割合は、後述する感圧接着シート２の剥離接着力ＰＳが所望範囲となるように適宜設定され、ポリマー（固形分）１００質量部に対して、例えば、１質量部以上、好ましくは、５質量部以上であり、また、例えば、１０質量部以下、好ましくは、７．５質量部以下である。
　１－２－７．　支持シート
　支持シート２３は、感圧接着シート２において、面方向（前後方向および左右方向）に沿って延びるシート状を有している。支持シート２３は、感圧接着シート２において、感圧接着層９（具体的には、第１感圧接着層２１および第２感圧接着層２２）を支持する。支持シート２３は、感圧接着シート２の上下方向中央部に位置する。支持シート２３は、例えば、ポリエチレンフィルム、ポリエステルフィルム（ＰＥＴフィルムなど）などのポリマーフィルムからなる。支持シート２３の厚みは、例えば、２０μｍ以上、好ましくは、３０μｍ以上であり、また、例えば、１２０μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下である。
　１－２－８．　感圧接着シートの形成
　感圧接着層９（具体的には、第１感圧接着層２１および第２感圧接着層２２）を支持シート２３の上下両面に配置するには、図１Ａに示すように、感圧接着剤を、支持シート２３の上下両面に塗布し、その後、乾燥させる。乾燥温度は、例えば、４０℃以上、好ましくは、６０℃以上であり、また、例えば、１５０℃以下、好ましくは、１３０℃以下である。乾燥温度は、例えば、５分以下である。
　その後、必要により、感圧接着剤をエージングする。エージング温度は、例えば、２５℃以上、好ましくは、４０℃以上であり、また、例えば、７０℃以下、好ましくは、６０℃以下である。エージング時間は、例えば、１０時間以上、また、例えば、１２０時間以下である。
　これにより、支持シート２３、第１感圧接着層２１および第２感圧接着層２２からなる感圧接着シート２を作製する。
　その後、作製した感圧接着シート２の第２感圧接着層２２を、支持基板８の上面に貼り合わせる。
　なお、感圧接着シート２は、支持基板８とともに、支持基板付感圧接着シート２４を構成する。
　１－２－９．　感圧接着シートの物性（剥離接着力）
　感圧接着シート２の剥離接着力ＰＳは、２２０ｍＮ／１０ｍｍ２以上、好ましくは、２３０ｍＮ／１０ｍｍ２以上であり、また、３００ｍＮ／１０ｍｍ２以下、好ましくは、２９０ｍＮ／１０ｍｍ２以下である。
　感圧接着シート２の剥離接着力ＰＳが上記した下限未満であれば、後述するが、図４Ａの工程（２）と比較例１および２とが参照されるように、封止層１０を形成する封止組成物が光半導体素子１の電極面３と感圧接着シート２の第１感圧接着層２１との間に潜り込む（封止組成物の潜り込みの発生）。
　しかし、感圧接着シート２の剥離接着力ＰＳが上記した下限以上であれば、封止組成物の上記した潜り込みを抑制することができる。
　一方、感圧接着シート２の剥離接着力ＰＳが上記した上限を超えれば、後述するが、図５Ａの工程（３）および比較例３が参照されるように、光半導体素子１の電極面３に第１感圧接着層２１を形成する感圧接着剤が残る（糊残りの発生）。
　しかし、感圧接着シート２の剥離接着力ＰＳが上記した上限以下であれば、上記した糊残りを抑制することができる。
　感圧接着シート２の剥離接着力ＰＳは、感圧接着層が含有する架橋剤の配合割合、種類、第１感圧接着層２１および第２感圧接着層２２のそれぞれの厚みなどによって、調整される。
　具体的には、感圧接着シート２の剥離接着力ＰＳが感圧接着層が含有する架橋剤の配合割合、第１感圧接着層２１および第２感圧接着層２２のそれぞれの厚みによって、上記した所望の範囲に設定されるときに、架橋剤の配合割合は、ポリマー（固形分）１００質量部に対して、例えば、２質量部以上、好ましくは、８質量部以下であり、かつ、第１感圧接着層２１および第２感圧接着層２２のそれぞれの厚みが、例えば、１５μｍ以上、好ましくは、２５μｍ以下である。
　１－２－１０．　光半導体素子の感圧接着シートへの感圧接着
　そして、この工程（１）において、図１Ａに示すように、複数の光半導体素子１を感圧接着シート２の上に感圧接着するには、複数の光半導体素子１の電極面３を感圧接着シート２の上面１５（第１感圧接着層２１の上面１５）に載置する（接触させる）。これにより、光半導体素子１を感圧接着シート２に仮固定する。
　この際、電極６は、第１感圧接着層２１に対してめり込む（埋没する）。つまり、電極６の下面は、周囲の第１感圧接着層２１の上面１５に対して、下側に位置する。これによって、電極面３における電極６の周囲の部分は、第１感圧接着層２１に対して直接接触している。なお、電極面３における電極６の周囲の下面１３は、第１感圧接着層２１において光半導体素子１の周囲の上面１５と、面方向に投影したときに、同一位置に位置している。
　これにより、複数の光半導体素子１を感圧接着層９に感圧接着する。つまり、複数の光半導体素子１を仮固定シート７に仮固定する。
　光半導体素子１の前後方向および／または左右方向における長さＬ１は、例えば、０．２ｍｍ以上、好ましくは、０．５ｍｍ以上であり、また、例えば、１．５ｍｍ以下、好ましくは、１．２ｍｍ以下である。また、隣接する光半導体素子１の間の間隔（前後方向および／または左右方向における間隔）Ｌ０は、例えば、０．０５ｍｍ以上、好ましくは、０．１ｍｍ以上であり、また、例えば、１．０ｍｍ以下、好ましくは、０．８ｍｍ以下である。また、隣接する光半導体素子１のピッチＬ２、具体的には、上記した長さＬ１および間隔Ｌ０の和（Ｌ１＋Ｌ０）は、例えば、０．２５ｍｍ以上、好ましくは、０．６ｍｍ以上であり、また、例えば、２．５ｍｍ以下、好ましくは、２．０ｍｍ以下である。
　複数の光半導体素子１と、感圧接着シート２とは、素子部材３６を構成する。
　１－３．工程（２）
　工程（２）は、工程（１）の後に実施される。工程（２）では、図１Ｂに示すように、光半導体素子１を封止層１０によって封止する。
　光半導体素子１を封止層１０によって封止するには、まず、図１Ａに示すように、封止層１０が備えられた封止部材１４を用意する。
　具体的には、まず、剥離層１２と、剥離層１２の下面に配置される封止層１０とを備える封止部材１４とを用意する。封止部材１４は、好ましくは、剥離層１２と、封止層１０とのみからなる。封止部材１４は、部品単独で流通し、産業上利用可能なデバイスである。
　剥離層１２は、例えば、ポリエチレンフィルム、ポリエステルフィルム（ＰＥＴなど）などのポリマーから、シート状に形成されている。剥離層１２の厚みは、例えば、１μｍ以上、好ましくは、１０μｍ以上であり、また、例えば、２，０００μｍ以下、好ましくは、１，０００μｍ以下である。
　封止層１０は、剥離層１２の下面全面に形成される層状を有している。封止層１０は、ホットメルト樹脂組成物などの封止組成物から形成されている。
　ホットメルト樹脂組成物は、例えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などのホットメルト樹脂を含有する。
　熱硬化性樹脂としては、例えば、２段反応硬化性樹脂、１段反応硬化性樹脂が挙げられる。
　２段反応硬化性樹脂は、２つの反応機構を有しており、第１段の反応で、Ａステージ状態からＢステージ化（半硬化）し、次いで、第２段の反応で、Ｂステージ状態からＣステージ化（完全硬化）することができる。つまり、２段反応硬化性樹脂は、適度の加熱条件によりＢステージ状態となることができる熱硬化性樹脂である。Ｂステージ状態は、熱硬化性樹脂が、液状であるＡステージ状態と、完全硬化したＣステージ状態との間の状態であって、硬化およびゲル化がわずかに進行し、圧縮弾性率がＣステージ状態の弾性率よりも小さい半固体状態または固体状態である。
　１段反応硬化性樹脂は、１つの反応機構を有しており、第１段の反応で、Ａステージ状態からＣステージ化（完全硬化）することができる。このような１段反応硬化性樹脂は、第１段の反応の途中で、その反応が停止して、Ａステージ状態からＢステージ状態となることができ、その後のさらなる加熱によって、第１段の反応が再開されて、Ｂステージ状態からＣステージ化（完全硬化）することができる熱硬化性樹脂である。つまり、かかる熱硬化性樹脂は、Ｂステージ状態となることができる熱硬化性樹脂である。そのため、１段反応硬化性樹脂は、１段の反応の途中で停止するように制御できず、つまり、Ｂステージ状態となることができず、一度に、Ａステージ状態からＣステージ化（完全硬化）する熱硬化性樹脂を含まない。
　要するに、熱硬化性樹脂は、Ｂステージ状態となることができる熱硬化性樹脂である。
　熱硬化性樹脂としては、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂などが挙げられる。熱硬化性樹脂としては、好ましくは、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂が挙げられ、より好ましくは、シリコーン樹脂が挙げられる。
　シリコーン樹脂としては、例えば、フェニル基を分子内に含むフェニル系シリコーン樹脂などが挙げられる。
　上記した熱硬化性樹脂は、同一種類または複数種類のいずれでもよい。
　熱可塑性樹脂としては、例えば、アクリル樹脂、スチレン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリオレフィン樹脂、熱可塑性シリコーン樹脂などが挙げられる。これらは、単独使用または併用することができる。
　ホットメルト樹脂としては、好ましくは、熱硬化性樹脂が挙げられる。
　また、封止樹脂組成物は、さらに、フィラーおよび／または蛍光体を含有することができる。
　フィラーとしては、例えば、光拡散性粒子が挙げられる。光拡散性粒子としては、例えば、無機粒子、有機粒子などが挙げられる。
　無機粒子としては、例えば、シリカ（ＳｉＯ２）、タルク（Ｍｇ３（Ｓｉ４Ｏ１０）（ＨＯ）２）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、酸化ホウ素（Ｂ２Ｏ３）、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、酸化バリウム（ＢａＯ）、酸化アンチモン（Ｓｂ２Ｏ３）などの酸化物、例えば、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）などの窒化物などの無機物粒子（無機物）が挙げられる。また、無機粒子として、例えば、上記例示の無機物から調製される複合無機物粒子が挙げられ、具体的には、酸化物から調製される複合無機酸化物粒子（具体的には、ガラス粒子など）が挙げられる。
　無機粒子として、好ましくは、シリカ粒子、ガラス粒子が挙げられる。
　有機粒子の有機材料としては、例えば、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、アクリル－スチレン系樹脂、シリコーン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ベンゾグアナミン系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂などが挙げられる。
　フィラーは、単独使用または併用することができる。
　フィラーの含有割合は、封止組成物に対して、例えば、１質量％以上、好ましくは、３質量％以上であり、また、例えば、８０質量％以下、好ましくは、７５質量％以下である。また、フィラーのホットメルト樹脂１００質量部に対する配合割合は、例えば、１０質量部以上、好ましくは、３０質量部以上であり、また、例えば、１，０００質量部以下、好ましくは、２００質量部以下である。
　蛍光体としては、例えば、青色光を黄色光に変換することのできる黄色蛍光体、青色光を赤色光に変換することのできる赤色蛍光体などが挙げられる。
　黄色蛍光体としては、例えば、（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）２ＳｉＯ４：Ｅｕ、（Ｓｒ，Ｂａ）２ＳｉＯ４：Ｅｕ（バリウムオルソシリケート（ＢＯＳ））などのシリケート蛍光体、例えば、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ（ＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）：Ｃｅ）、Ｔｂ３Ａｌ３Ｏ１２：Ｃｅ（ＴＡＧ（テルビウム・アルミニウム・ガーネット）：Ｃｅ）などのガーネット型結晶構造を有するガーネット型蛍光体、例えば、Ｃａ－α－ＳｉＡｌＯＮなどの酸窒化物蛍光体などが挙げられる。
　赤色蛍光体としては、例えば、ＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ、ＣａＳｉＮ２：Ｅｕなどの窒化物蛍光体などが挙げられる。
　蛍光体として、好ましくは、黄色蛍光体、より好ましくは、ガーネット型蛍光体が挙げられる。
　蛍光体の形状としては、例えば、球状、板状、針状などが挙げられる。
　蛍光体の最大長さの平均値（球状である場合には、平均粒子径）は、例えば、０．１μｍ以上、好ましくは、１μｍ以上であり、また、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下でもある。
　蛍光体は、単独使用または併用することができる。
　蛍光体の配合割合は、封止組成物に対して、例えば、５質量％以上、好ましくは、１０質量％以上であり、また、例えば、８０質量％以下、好ましくは、７０質量％以下である。また、蛍光体の配合割合は、ホットメルト樹脂１００質量部に対して、例えば、０．１質量部以上、好ましくは、０．５質量部以上であり、例えば、９０質量部以下、好ましくは、８０質量部以下である。
　封止層１０を調製するには、例えば、上記したホットメルト樹脂と、必要により配合されるフィラーおよび／または蛍光体とを配合して、封止組成物のワニスを調製し、続いて、それを、剥離層１２の表面に塗布する。
　その後、封止組成物が熱硬化性樹脂を含有する場合には、封止組成物を、Ｂステージ化する。具体的には、封止組成物を、加熱する。
　加熱温度は、例えば、５０℃以上、好ましくは、７０℃以上であり、また、例えば、１２０℃以下、好ましくは、１００℃以下である。加熱時間は、例えば、５分以上、好ましくは、１０分以上であり、また、例えば、２０分以下、好ましくは、１５分以下である。
　これによって、図１Ａに示すように、剥離層１２と、封止層１０とを備える封止部材１４を製造する。
　１－３－１．封止層の物性（溶融粘度）
　封止層１０の６０℃における溶融粘度ＭＶは、例えば、１０Ｐａ・ｓ以上、好ましくは、５０Ｐａ・ｓ以上であり、また、例えば、２０００Ｐａ・ｓ以下、好ましくは、１５００Ｐａ・ｓ以下、より好ましくは、１０００Ｐａ・ｓ以下である。
　封止層１０の溶融粘度ＭＶが上記した上限以下であれば、封止層１０によって光半導体素子１を確実に封止することができる。封止層１０の溶融粘度ＭＶが上記した下限以上であれば、封止組成物の上記した潜り込みを抑制することができる。
　封止層１０の溶融粘度ＭＶは、Ｅ型粘度計で測定される。
　封止層１０の溶融粘度ＭＶは、例えば、封止樹脂組成物（ホットメルト樹脂）の処方を適宜変更することによって、適宜調整される。
　次いで、図１Ａの矢印および図１Ｂに示すように、封止層１０を、光半導体素子１および仮固定シート７に対して、プレスする。
　具体的には、プレス機２５を用いて、封止部材１４を光半導体素子１および仮固定シート７に向けて、プレスする。
　プレス機２５は、熱源を備える熱プレス機である。プレス機２５は、下板２７と、下板２７の上側に配置され、下板２７に対して下側に熱プレス可能に構成される上板２６とを備える。
　プレス条件は、封止層１０が溶融（可塑化）し、さらには、封止層１０が熱硬化性樹脂を含有する場合には、封止層１０の硬化がわずかに進行する条件に適宜設定される。
　具体的には、プレスの温度は、４０℃以上、好ましくは、４５℃以上であり、また、２００℃以下、好ましくは、１８０℃以下、より好ましくは、１５０℃以下である。
　プレスの圧力（プレス圧）Ｖは、例えば、０．５ＭＰａ以上、好ましくは、０．７ＭＰａ以上であり、また、例えば、２．０ＭＰａ以下、好ましくは、１．５ＭＰａ以下である。
　プレス圧Ｖが上記した下限以上であれば、封止組成物の上記した潜り込み（とりわけ、光半導体素子１が小型である場合（具体的には、縦１０００μｍ以下、横５００μｍ以下のサイズ）における潜り込み）を抑制することができる。プレス圧Ｖが上記した上限以下であれば、光半導体素子１、とりわけ、上記した小型の光半導体素子１が第１感圧接着層２１に対して埋没することを防止することができる。
　プレスの速度Ｓは、下板２７および上板２６が上下方向（プレス方向）に近接する相対速度Ｓであって、例えば、０．０１ｍｍ／秒以上、好ましくは、０．０５ｍｍ／秒以上であり、また、例えば、０．３ｍｍ／秒以下、好ましくは、０．２ｍｍ／秒以下である。
　プレスの速度Ｓが上記した下限以上であれば、封止光半導体素子１１の生産性の低下を抑制することができる。プレスの速度Ｓが上記した上限以下であれば、とりわけ、光半導体素子１が小型である場合における、封止組成物の上記した潜り込みを抑制することができる。
　熱プレスの時間は、例えば、１秒以上、好ましくは、３秒以上であり、また、例えば、２０分以下、好ましくは、１０分以下である。
　これによって、封止層１０が、光半導体素子１の発光面４と周側面５とを被覆する。また、封止層１０は、光半導体素子１から露出する第１感圧接着層２１の上面３４も被覆する。
　一方、封止層１０は、電極面３における電極６の周囲の下面１３と、それに対向する第１感圧接着層２１の上面１５との間に進入しない。そのため、封止層１０は、光半導体素子１の電極面３と、第１感圧接着層２１の上面１５との間には、存在しない。
　その後、封止部材１４および仮固定シート７をプレス機２５から取り外す。
　次いで、図１Ｂの矢印で示すように、剥離層１２を封止層１０から剥離する。
　すると、封止層１０の上面１６は、上側に露出する露出面となる。
　これによって、複数の光半導体素子１と、複数の光半導体素子１を封止する１つの封止層１０とを備える封止光半導体素子１１を、仮固定シート７に仮固定された状態で、得る。この封止光半導体素子１１は、仮固定シート７に仮固定された状態で、仮固定シート７とともに流通することができる。
　１－４．工程（３）
　工程（３）は、工程（２）の後に実施される。工程（３）では、図１Ｃに示すように、封止光半導体素子１１を感圧接着層９から剥離する。
　封止光半導体素子１１を感圧接着層９から剥離するには、まず、処理によって感圧接着シート２の感圧接着力を低減させる。
　具体的には、活性エネルギー線を感圧接着シート２（感圧接着層９）に対して照射する。活性エネルギー線としては、紫外線、電子線などが挙げられる。好ましくは、紫外線が挙げられる。線源としては、例えば、ケミカルランプ、エキシマレーザ、ブラックライト、水銀アーク、炭素アーク、低圧水銀ランプ、中圧水銀ランプ、高圧水銀ランプ、超高圧水銀ランプ、メタルハライドランプなどの照射装置が挙げられる。照射量は、例えば、感圧接着層９における炭素－炭素二重結合が実質的に反応できる条件、具体的には、光重合開始剤が実質的に反応できる条件に設定される。具体的には、照射量は、例えば、１００ｍＪ／ｃｍ２以上、好ましくは、４００ｍＪ／ｃｍ２以上であり、また、例えば、２０００ｍＪ／ｃｍ２以下、好ましくは、１０００ｍＪ／ｃｍ２以下である。
　次いで、図１Ｃの１点破線で示すように、封止層１０を、複数の封止光半導体素子１１のそれぞれが個片化されるように、ダイシングソー３７によって、ダイシング（切断）する。
　これにより、１つの光半導体素子１、および、１つの封止層１０を備える封止光半導体素子１１が、仮固定シート７に仮固定された状態で、複数製造される。
　封止光半導体素子１１の寸法は、適宜設定されており、前後方向および／または左右方向における長さは、例えば、０．２ｍｍ以上、好ましくは、０．３ｍｍ以上であり、また、例えば、３ｍｍ以下、好ましくは、２ｍｍ以下である。
　その後、図示しないピックアップ装置を用いて、１つの封止光半導体素子１１を仮固定シート７から剥離する。具体的には、光半導体素子１の電極面３および封止層１０の下面を、第１感圧接着層２１の上面１５から引き剥がす。
　なお、ピックアップ装置は、押圧部材３３および吸引部材３８（後述する図２Ｃ参照）などを備えており、具体的には、特開２０１４－１６８０３２号公報、特開２０１４－１６８０３３号公報、特開２０１４－１６８０３４号公報、特開２０１４－１６８０３５号公報、特開２０１４－１６８０３６号公報などに記載される構成を備える。
　これによって、１つの光半導体素子１、および、１つの封止層１０を備える封止光半導体素子１１が得られる。封止光半導体素子１１は、好ましくは、１つの光半導体素子１、および、１つの封止層１０のみからなる。
　封止光半導体素子１１は、後述する発光装置３０（図１Ｄ参照）ではなく、つまり、発光装置３０に備えられる基板２９（図１Ｄ参照）を含んでいない。つまり、封止光半導体素子１１は、発光装置３０の基板２９に備えられる端子２８（後述）とまだ電気的に接続されないように、構成されている。また、封止光半導体素子１１は、発光装置３０（図１Ｄ参照）の一部品、すなわち、発光装置３０を作製するための部品であり、部品単独で流通し、産業上利用可能なデバイスである。
　１－４．　発光装置の製造
　その後、封止光半導体素子１１を基板２９に実装（フリップチップ実装）する。
　基板２９は、左右方向および前後方向に延びる略平板形状を有している。基板２９は、その上面に、封止光半導体素子１１の電極６に対応する端子２８を備える。
　具体的には、電極６と端子２８とを電気的に接続する。
　これによって、基板２９と、それに実装される封止光半導体素子１１とを備える発光装置３０を得る。発光装置３０は、好ましくは、基板２９と、封止光半導体素子１１とのみからなる。
　発光装置３０では、電極６から露出する封止層１０の下面は、基板２９の上面と間隔が隔てられている。
　＜第１実施形態の作用効果＞
　この方法によれば、感圧接着シート２の剥離接着力が上記した下限以上であるので、工程（２）において、図１Ｂに示すように、光半導体素子１の電極面３と第１感圧接着層２１との間に、封止層１０が進入すること（図４Ａ参照）を抑制することができる。
　また、感圧接着シート２の剥離接着力ＰＳが上記した上限以下であるので、封止光半導体素子１１を第１感圧接着層２１から剥離する工程（３）において、図１Ｃに示すように、第１感圧接着層２１が、封止光半導体素子１１における光半導体素子１の電極面３に付着することを抑制すること（図５Ａ参照）ができる。
　そのため、この封止光半導体素子１１では、図１Ｃに示すように、電極面３における封止層１０の存在が抑制されて、電極面３が露出するので、図１Ｄに示すように、電極面３を基板２９の端子２８と電気的に接続すれば、信頼性に優れる発光装置３０を得ることができる。
　また、この方法によれば、封止層１０がホットメルト樹脂組成物からなっているので、工程（２）において、図１Ｂに示すように、封止層１０を加熱する簡便な方法で、封止層１０を溶融（ホットメルト）させて、光半導体素子１を被覆することができる。さらに、溶融した封止層１０は、光半導体素子１の電極面３と第１感圧接着層２１との間に、封止層１０が進入し易いところ、感圧接着シート２の剥離接着力ＰＳが上記した下限以上であるので、封止層１０の、上記した光半導体素子１の電極面３と第１感圧接着層２１との間への進入を抑制することができる。
　また、この方法によれば、工程（２）におけるプレスの速度Ｓが上記した下限以上であれば、封止光半導体素子１１の生産性の低下を抑制することができるとともに、プレスの速度Ｓが上記した上限以下であるので、小型の光半導体素子１の電極面３と第１感圧接着層２１との間に、封止層１０が進入することをより一層抑制することができる。
　また、この方法によれば、工程（２）におけるプレスの圧力Ｖが上記した下限以上にあれば、小型の光半導体素子１の電極面３と第１感圧接着層２１との間に、封止層１０が進入することをより一層抑制することができるとともに、プレスの圧力Ｖが上記した上限以下にあれば、光半導体素子１が第１感圧接着層２１に対して埋没し、その後、封止光半導体素子１１を第１感圧接着層２１から剥離しにくくなることを抑制することができる。
　また、この方法によれば、封止層１０の溶融粘度ＭＶが上記した下限以上にあれば、光半導体素子１の電極面３と第１感圧接着層２１との間に、封止層１０が進入することをより一層抑制することができるとともに、封止層１０の溶融粘度ＭＶが上記した上限以下にあれば、封止層１０によって光半導体素子１を確実に封止することができる。
　また、この方法では、工程（２）において、封止層１０によって、発光面４と周側面５とを被覆するので、封止光半導体素子１１における光半導体素子１の信頼性を確実に向上させることができる。
　また、この方法によれば、電極面３における封止層１０の存在が抑制された封止光半導体素子１１の電極面３を基板２９の端子２８と電気的に接続するので、発光装置３０は、信頼性に優れる。
　＜変形例＞
　変形例において、上記した第１実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
　第１実施形態において、図１Ｂに示すように、剥離層１２を封止層１０から剥離した後、図１Ｃの１点破線で示すように、封止層１０をダイシング（切断）しているが、例えば、図示しないが、封止層１０をダイシング（切断）した後、剥離シート１２を封止層１０から剥離することもできる。
　＜第２実施形態＞
　第２実施形態において、上記した第１実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
　１．　工程（１）
　第２実施形態の工程（１）では、図２Ａに示すように、貫通孔３１が形成された支持基板８を用意する。
　支持基板８は、複数の光半導体素子１に対応する複数の貫通孔３１を有する。
　複数の貫通孔３１は、左右方向および前後方向において、互いに等しい間隔を隔てて配置されている。複数の貫通孔３１のそれぞれは、平面視略円形状を有している。
　貫通孔３１の寸法は、適宜設定されており、その孔径（内径）が、例えば、０．１ｍｍ以上、好ましくは、０．２ｍｍ以上であり、また、例えば、１ｍｍ以下、好ましくは、０．７ｍｍ以下である。
　感圧接着シート２は、複数の貫通孔３１の上端部を閉塞するように、支持基板８の外周縁と同一の外周縁を有している。つまり、感圧接着シート２の下面（第２感圧接着層２２の下面）は、貫通孔３１から下方に露出している。
　２．　工程（３）
　工程（３）では、図２Ｃに示すように、ピックアップ装置３２を用いて、封止光半導体素子１１を仮固定シート７から剥離する。
　ピックアップ装置３２は、押圧部材３３と、吸引部材３８とを備える。
　押圧部材３３は、上下方向に延びる形状を有し、上方に尖る針などである。押圧部材３３は、その上端部が上下方向に移動可能であり、かつ、上端部が貫通孔３１から露出する感圧接着シート２を上方に向けて押圧可能に構成されている。
　吸引部材３８は、上下方向に延びる形状を有し、その下端部に吸引口３５を有している。吸引部材３８は、吸引口３５が上下方向に移動可能であり、かつ、吸引口３５が封止光半導体素子１１の上面を吸引可能に構成されている。
　工程（３）では、まず、仮固定シート７と、仮固定シート７に支持されながら個片化された複数の封止光半導体素子１１との積層体を、ピックアップ装置３２に設置する。
　続いて、押圧部材３３を、剥離したい封止光半導体素子１１に対応する貫通孔３１の下側に対向配置させる。
　次いで、押圧部材３３を支持基板８の下側から貫通孔３１に挿入する。
　すると、貫通孔３１に対応する感圧接着シート２が、支持基板８に対して相対的に上側に押圧され、封止光半導体素子１１とともに押し上げられる。
　押し上げられた封止光半導体素子１１を、吸引部材３８の吸引口３５によって吸引する。
　これによって、封止光半導体素子１１を第１感圧接着層２１から剥離する。
　そして、この第２実施形態では、支持基板８が貫通孔３１を有するので、図２Ｂに示すように、工程（２）において、封止組成物が光半導体素子１の電極面３と、貫通孔３１に対向する第１感圧接着層２１との間に潜り込み易い。しかし、封止層１０の６０℃における溶融粘度ＭＶが上記した下限（５０Ｐａ・ｓ、第１実施形態の「１－３－１．封止層の物性（溶融粘度）」欄参照）以上であれば、封止樹脂組成物の上記した潜り込みを抑制することができる。
　また、工程（２）において、封止層１０による光半導体素子１の封止が困難になり易い。しかし、封止層１０の６０℃における溶融粘度ＭＶが上記した上限（例えば、１５００Ｐａ・ｓ、好ましくは、１０００Ｐａ・ｓ、第１実施形態の「１－３－１．封止層の物性（溶融粘度）」欄参照）以下であれば、封止層１０によって、光半導体素子１を確実に封止することができる。
　＜第３実施形態＞
　第３実施形態において、上記した第１実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
　工程（１）では、図３Ａに示すように、電極６は、第１感圧接着層２１に埋没せず、その下面のみが第１感圧接着層２１の上面１５に接触する。電極面３における電極６の周囲の下面１３は、第１感圧接着層２１の上面１５と厚み方向に間隔を隔てている。
　具体的には、光半導体素子１の電極面３を第１感圧接着層２１の上面１５に載置する際に、電極面３が第１感圧接着層２１の上面１５にかかる圧力が、第１実施形態のそれに比べて、小さくなるように、調整する。
　工程（２）では、図３Ｂに示すように、封止層１０は、電極面３における電極６の周囲の下面１３、および、電極６の周側面を被覆する。
　工程（３）では、図３Ｃに示すように、封止光半導体素子１１において、封止層１０の下面と、電極６の下面とは、左右方向および前後方向に面一である。
　また、図３Ｄに示すように、封止光半導体素子１１を基板２９に実装するときに、電極６から露出する封止層１０の下面は、基板２９の上面と直接接触する。
　第３実施形態は、第１実施形態と同様の作用効果を奏することができる。
　以下の記載において用いられる配合割合（含有割合）、物性値、パラメータなどの具体的数値は、上記の「発明を実施するための形態」において記載されている、それらに対応する配合割合（含有割合）、物性値、パラメータなど該当記載の上限値（「以下」、「未満」として定義されている数値）または下限値（「以上」、「超過」として定義されている数値）に代替することができる。
　また、「部」または「％」は、特に記載がない限り、質量基準である。
　　実施例１
　＜工程（１）＞
　図１Ａに示すように、まず、仮固定シート７を用意した。
　すなわち、仮固定シート７を用意するには、まず、感圧接着剤を調製した。
　具体的には、温度計、攪拌機、窒素導入管を備えた反応容器に、２－エチルヘキシルアクリレート（２ＥＨＡ）１００質量部と、２－ヒドロキシエチルアクリレート（２－ＨＥＡ）１２．６質量部と、ジベンゾイルパーオキサイド（ＢＰＯ、重合開始剤）（商品名「ナイパーＢＷ」、日油社製）０．２５質量部とを、トルエン（重合溶媒）に投入して、窒素ガス気流下６０℃で、モノマー成分を共重合させた。これにより、アクリル系ポリマーの４５質量％トルエン溶液を得た。これに２－メタクリロイルオキシエチルイソシアネート１３．５質量部を配合して、メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（イソシアネート基含有化合物）をアクリル系ポリマーに対して付加反応させ、炭素－炭素二重結合を有するアクリル系ポリマーを調製した。また、上記アクリル系ポリマーのトルエン溶液に、アクリル系ポリマーの固形分１００質量部に対して、イソシアネート系架橋剤（商品名「コロネートＬ」、日本ポリウレタン工業社製）７．５質量部と、光重合開始剤（商品名「イルガキュア１２７」、（２－ヒドロキシ－１－｛４－［４－（２－ヒドロキシ－２－メチル－プロピオニル）－ベンジル］フェニル｝－２－メチル－プロパン－１－オン、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製）２質量部とを添加した。これによって、炭素－炭素二重結合が導入された樹脂組成物からなる感圧接着剤を調製した。
　続いて、厚み３８μｍのＰＥＴフィルム（大三紙業社製）からなる支持シート２３を用意した。次いで、支持シート２３の上下両面に、上記の感圧接着剤を塗布して、その後、１２０℃で３分間乾燥し、さらに５０℃で２４時間、エージングした。これにより、支持シート２３と、厚み３０μｍの第１感圧接着層２１と、厚み３０μｍの第２感圧接着層２２とを備える感圧接着シート２を作製した。
　続いて、感圧接着シート２を、厚み７００μｍのガラス板からなる支持基板８に貼り付けた。これにより、感圧接着シート２と、支持基板８とを備える仮固定シート７を用意した。
　次いで、感圧接着シート２の上に、２種類の光半導体素子１、具体的には、通常サイズの光半導体素子１（縦１１４３μｍ、横１１４３μｍ、厚み１５０μｍ、商品名「ＥＤＩ－ＦＡ４５４５Ａ」、Ｅｐｉｓｔａｒ社製）、および、小型サイズの光半導体素子１（縦７６２μｍ、横３５６μｍ、厚み１３０μｍ、商品名「ＥＴｉ－ＫＢ３０６Ａ－ＢＬ」、ＥＴＩ社製）」、Ｅｐｉｓｔａｒ社製）を、それぞれ、１００個配置して、光半導体素子１を第１感圧接着層２１の上面に感圧接着した。
　これにより、仮固定シート７と、複数の光半導体素子１とを備える素子部材３６を用意した。
　＜工程（２）＞
　次いで、ＰＥＴフィルムからなる厚み５０μｍの剥離層１２と、剥離層１２の下面に配置され、封止組成物からなる封止層１０とを備える封止部材１４を用意した。封止組成物は、ホットメルト樹脂組成物であって、フェニル系シリコーン樹脂（１段反応硬化性樹脂）５０質量部、ガラス粒子４０質量部、および、蛍光体１０質量部から調製した。封止層１０の厚みは、５００μｍであった。
　その後、素子部材３６および封止部材１４をプレス機２５に設置した。具体的には、支持基板８を下板２７の上面に載置するとともに、剥離シート１２を上板２６の下面に取り付けた。
　そして、図１Ｂに示すように、プレス機２５によって、封止部材１４を素子部材３６および仮固定シート７に対して熱プレスした。熱プレスでは、プレス速度Ｓが０．１ｍｍ／秒、プレス圧Ｖが１．１ＭＰａ、温度が９０℃、プレス時間が１０分であった。
　このようにして、封止部材１４によって、複数の光半導体素子１を封止した。
　これによって、半導体素子１および封止層１０を備える複数の封止光半導体素子１１を、仮固定シート７に支持された状態で、得た。
　続いて、封止部材１４および仮固定シート７をプレス機２５から取り外した。
　その後、剥離シート１２に対して紫外線を照射して感圧接着シート２の感圧接着力を低減させた。
　続いて、図１Ｂの矢印で示すように、剥離シート１２を封止層１０から剥離した。
　次いで、図１Ｃが参照されるように、封止層１０を、複数の封止光半導体素子１１のそれぞれが個片化されるように、ダイシングソー３７によって、ダイシングした。
　これにより、１つの光半導体素子１と、１つの封止層１０とを備える封止光半導体素子１１を、仮固定シート７に仮固定された状態で、得た。
　＜工程（３）＞
　次いで、図１Ｃの矢印で示すように、封止光半導体素子１１を、図示しないピックアップ装置を用いて、仮固定シート７から剥離した。
　これにより、１つの光半導体素子１と、１つの封止層１０とからなる封止光半導体素子１１を得た。
　　実施例２～実施例１２および比較例１～比較例３
　光半導体素子１のサイズ、イソシアネート系架橋剤の配合割合、第１感圧接着層２１の厚み、剥離接着力ＰＳ、プレス速度Ｓ、プレス圧Ｖ、溶融粘度ＭＶを、表１に基づいて、変更した以外は、実施例１と同様に処理して、封止光半導体素子１１を製造した。
　　実施例１３～実施例１６
　工程（１）において、封止層の溶融粘度ＭＶを表１に基づいて変更した点、および、図２Ａに示すように、複数の光半導体素子１に対応する複数の貫通孔３１を有する支持基板８を用意した点以外は、実施例１と同様に処理して、封止光半導体素子１１を製造した。
　　評価
　以下の事項を評価した。その結果を表１に示す。
　　［封止層の溶融粘度ＭＶ］
　封止層の６０℃における溶融粘度ＭＶを、Ｅ型粘度計に基づいて、測定した。
　　［感圧接着層の剥離接着力ＰＳ］
　感圧接着層の剥離接着力ＰＳを、精密荷重測定器（アイコーエンジニアリング社製ＭＯＤＥＬ－１６０５ＶＣＬ）を用いて感圧接着層を端子で圧縮し、端子が感圧接着層から剥離する際の荷重を端子面積で割ることにより、測定した。
　　［潜り込み］
　プレス機２５による熱プレス直後の封止光半導体素子１１をデジタルマイクロスコープ（キーエンス社製ＶＨＸ－２０００）にて観察して、以下の基準に基づいて、封止樹脂組成物の潜り込みを評価した。
○：封止樹脂組成物が電極面３と第１感圧接着層２１との間に潜り込んだことを確認できなかった（図１Ｂおよび図２Ｂ参照）。
△：封止樹脂組成物が電極面３と第１感圧接着層２１との間にわずかに潜り込んだことを確認した。
×：封止樹脂組成物が電極面３と第１感圧接着層２１との間に潜り込んでいたことを確認した（図４Ａ参照）。
　　［糊残り］
　仮固定シート７から剥離した封止光半導体素子１１の電極６の下面を光学顕微鏡で観察して、以下の基準に基づいて、封止樹脂組成物の糊残りを評価した。
○：電極６の下面に感圧接着剤の存在を確認できなかった（図１Ｃおよび図２Ｃ参照）。
△：電極６の下面に感圧接着剤がわずかに残っていることを確認した。
×：電極６の下面に感圧接着剤が残っていることを確認した（図５Ａ参照）。
　　［埋没］
　プレス機２５による熱プレス直後の封止光半導体素子１１をデジタルマイクロスコープ（キーエンス社製ＶＨＸ－２０００）で観察して、以下の基準に基づいて、光半導体素子１の埋没を評価した。
○：電極６のみが第１感圧接着層２１内に埋没していたが、光半導体素子１全体は第１感圧接着層２１内に埋没していなかった。
△：光半導体素子１全体が第１感圧接着層２１内にわずかに埋没していた。
　　［封止性］
　プレス機２５による熱プレス直後の封止光半導体素子１１をデジタルマイクロスコープ（キーエンス社製ＶＨＸ－２０００）で観察して、以下の基準に基づいて、封止層１０の封止性を評価した。
○：封止層１０が光半導体素子１の発光面４および周側面５を被覆していた。
△：封止層１０が光半導体素子１の発光面４を被覆していたが、周側面５の下部を被覆していなかった。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　なお、上記発明は、本発明の例示の実施形態として提供したが、これは単なる例示に過ぎず、限定的に解釈してはならない。当該技術分野の当業者によって明らかな本発明の変形例は、後記請求の範囲に含まれる。
　封止光半導体素子の製造方法は、発光装置の製造に用いられる。
１     光半導体素子
２     感圧接着シート
３     電極面
４     発光面
５     周側面
６     電極
７     仮固定シート
８     支持基板
９     感圧接着層
１０   封止層
１１   封止光半導体素子
２１   第１感圧接着層
２９   基板
３０   発光装置
３１   貫通孔
３３   押圧部材
ＰＳ   剥離接着力（感圧接着シート）
ＭＶ   溶融粘度（封止層）
Ｓ     プレス速度
Ｖ     プレス圧

Claims (7)

  1. 　電極が設けられる電極面を有する光半導体素子の前記電極面を、感圧接着層に感圧接着する工程（１）、
    　前記工程（１）の後に、前記光半導体素子を封止層によって封止することにより、前記光半導体素子と前記封止層とを備える封止光半導体素子を作製する工程（２）、および、
    　前記工程（２）の後に、前記封止光半導体素子を前記感圧接着層から剥離する工程（３）を備え、
    　前記感圧接着層の剥離接着力が、２２０ｍＮ／１０ｍｍ２以上、３００ｍＮ／１０ｍｍ２以下であることを特徴とする、封止光半導体素子の製造方法。
  2. 　前記封止層は、ホットメルト樹脂組成物からなり、
    　前記工程（２）において、前記封止層を加熱することを特徴とする、請求項１に記載の封止光半導体素子の製造方法。
  3. 　前記工程（２）では、前記封止層を前記光半導体素子および前記感圧接着層に向けて、０．０１ｍｍ／秒以上、０．３ｍｍ／秒以下の速度で、プレスすることを特徴とする、請求項１に記載の封止光半導体素子の製造方法。
  4. 　前記工程（２）では、前記封止層を前記光半導体素子および前記感圧接着層に向けて、０．５ＭＰａ以上、２．０ＭＰａ以下の圧力で、プレスすることを特徴とする、請求項１に記載の封止光半導体素子の製造方法。
  5. 　前記感圧接着層は、仮固定シートに備えられており、
    　前記仮固定シートは、厚み方向を貫通する貫通孔を有する支持基板と、
    前記支持基板の厚み方向一方側に配置され、前記貫通孔を被覆する前記感圧接着層とを備え、
    　前記工程（１）では、前記光半導体素子を、厚み方向に投影したときに、前記貫通孔に重複するように、前記電極面を前記感圧接着層に感圧接着し、
    　前記工程（３）では、押圧部材を前記貫通孔に挿入して、前記貫通孔に対応する前記感圧接着層を押圧することによって、前記封止光半導体素子を前記支持基板に対して相対移動させながら、前記封止光半導体素子を前記感圧接着層から剥離し、
    　前記封止層の６０℃における溶融粘度が、５０Ｐａ・ｓ以上、１５００Ｐａ・ｓ以下であることを特徴とする、請求項１に記載の封止光半導体素子の製造方法。
  6. 　前記光半導体素子は、
    　前記電極面に対して間隔を隔てて対向配置され、発光層が設けられる発光面と、
    　前記発光面および前記電極面の周端縁を連結する連結面と
    をさらに有し、
    　前記工程（２）では、前記封止層によって、前記発光面と前記連結面とを被覆することを特徴とする、請求項１に記載の封止光半導体素子の製造方法。
  7. 　請求項１に記載の封止光半導体素子の製造方法により、封止光半導体素子を製造する工程（４）、および、
    　前記封止光半導体素子を基板に実装する工程（５）
    を備えることを特徴とする、発光装置の製造方法。
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