TW201724579A - 密封光半導體元件及發光裝置之製造方法 - Google Patents

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Munehisa Mitani
Naoko Yoshida
Jun Ishii
Yuki Ebe
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Abstract

本發明之密封光半導體元件之製造方法包括：步驟(1)，其係將具有設置有電極之電極面之光半導體元件之電極面感壓接著於感壓接著層；步驟(2)，其係於步驟(1)之後，利用密封層將光半導體元件密封，藉此製作具備光半導體元件及密封層之密封光半導體元件；以及步驟(3)，其係於步驟(2)之後，將密封光半導體元件自感壓接著層剝離。感壓接著層之剝離接著力為220 mN/10mm2以上且300 mN/10mm2以下。

Description

密封光半導體元件及發光裝置之製造方法
本發明係關於一種密封光半導體元件及發光裝置之製造方法，詳細而言係關於一種密封光半導體元件之製造方法、及具備該製造方法之發光裝置之製造方法。
先前，已知：將LED(Light Emitting Diode，發光二極體)貼合於具備支持板、及積層於其上之黏著層之支持片之黏著層，其後，利用螢光體層被覆LED，而製造螢光體層被覆LED，其後，將螢光體層被覆LED自支持片剝離，繼而，根據發光波長或發光效率對螢光體層被覆LED進行篩選，之後將所篩選之螢光體層被覆LED安裝於基板(例如，參照專利文獻1)。 於專利文獻1中，於LED之下表面形成有電極(凸塊)，使該下表面直接與暫時固定片之黏著層接觸，將LED貼合於黏著層。 先前技術文獻 專利文獻 專利文獻1：日本專利特開2010-80568號公報
[發明所欲解決之問題] 然而，將螢光體層被覆於LED時，朝向黏著層及LED進行壓接，此時如圖4A所示，有螢光體層(101)進入(潛入)至LED(102)之下表面與黏著層(103)之上表面之間之情況。於該情形時，如圖4B所示，若將螢光體層被覆LED(104)自暫時固定片(105)剝離，則於LED(102)之下表面存在螢光體層(101)，故而如圖4C所示，存在即便將螢光體層被覆LED(104)安裝於基板(106)，電極(107)亦無法對基板(106)之端子(108)電性連接之不良狀況。 另一方面，如圖5A所示，將螢光體層被覆LED(104)自暫時固定片(105)剝離時，存在黏著層(103)之一部分附著(糊劑殘留)於電極(107)之下表面之情況。於該情形時，如圖5B所示，存在即便將螢光體層被覆LED(104)安裝於基板(106)，電極(107)亦無法對基板(106)之端子(108)電性連接之不良狀況。 本發明之目的在於提供一種密封光半導體元件及發光裝置之製造方法，其中於利用密封層將光半導體元件密封之步驟(2)中，能夠抑制密封層進入至光半導體元件與感壓接著層之間，並且於將密封光半導體元件自感壓接著層剝離之步驟(3)中，能夠抑制感壓接著層附著於密封光半導體元件中之光半導體元件之電極面。 [解決問題之技術手段] [1]本發明係一種密封光半導體元件之製造方法，其特徵在於包括：步驟(1)，其係將具有設置有電極之電極面之光半導體元件之上述電極面感壓接著於感壓接著層；步驟(2)，其係於上述步驟(1)之後，利用密封層將上述光半導體元件密封，藉此製作具備上述光半導體元件及上述密封層之密封光半導體元件；以及步驟(3)，其係於上述步驟(2)之後，將上述密封光半導體元件自上述感壓接著層剝離；且上述感壓接著層之剝離接著力為220 mN/10mm2 以上且300 mN/10mm2 以下。 根據該方法，由於感壓接著層之剝離接著力為上述下限以上，故而於步驟(2)中，能夠抑制密封層進入至光半導體元件之電極面與感壓接著層之間。 又，由於感壓接著層之剝離接著力為上述上限以下，故而於將密封光半導體元件自感壓接著層剝離之步驟(3)中，能夠抑制感壓接著層附著於密封光半導體元件中之光半導體元件之電極面。 因此，於利用本發明所獲得之密封光半導體元件中，由於抑制電極面中之密封層之存在，電極面露出，故而若將其與基板之端子電性連接，則能夠獲得可靠性優異之發光裝置。 [2]本發明係如上述[1]之密封光半導體元件之製造方法，其特徵在於：上述密封層包含熱熔樹脂組合物，且於上述步驟(2)中，對上述密封層進行加熱。 根據該方法，由於密封層包含熱熔樹脂組合物，故而於步驟(2)中，能夠利用加熱密封層之簡便之方法使密封層熔融(熱熔)，被覆光半導體元件。進而，關於已熔融之密封層，密封層容易進入至光半導體元件之電極面與感壓接著層之間，但由於感壓接著層之剝離接著力為上述下限以上，故而能夠抑制密封層進入至上述光半導體元件之電極面與感壓接著層之間。 [3]本發明係如上述[1]或[2]之密封光半導體元件之製造方法，其特徵在於：於上述步驟(2)中，將上述密封層朝向上述光半導體元件及上述感壓接著層以0.01 mm/秒以上且0.3 mm/秒以下之速度加壓。 根據該方法，由於步驟(2)中之加壓之速度為上述下限以上，故而能夠抑制密封光半導體元件之生產性之下降，並且由於加壓之速度為上述上限以下，故而能夠更進一步抑制密封層進入至光半導體元件之電極面與感壓接著層之間。 [4]本發明係如上述[1]至[3]中任一項之密封光半導體元件之製造方法，其特徵在於：於上述步驟(2)中，將上述密封層朝向上述光半導體元件及上述感壓接著層以0.5 MPa以上且2.0 MPa以下之壓力加壓。 根據該方法，由於步驟(2)中之加壓之壓力為上述下限以上，故而能夠更進一步抑制密封層進行至光半導體元件之電極面與感壓接著層之間，並且由於加壓之壓力為上述上限以下，故而能夠抑制光半導體元件埋沒於感壓接著層，而導致其後難以將密封光半導體元件自感壓接著層剝離。 [5]本發明係如上述[1]至[4]中任一項之密封光半導體元件之製造方法，其特徵在於：上述感壓接著層包含於暫時固定片，上述暫時固定片具備：支持基板，其具有貫通厚度方向之貫通孔；及上述感壓接著層，其配置於上述支持基板之厚度方向一側，被覆上述貫通孔；且於上述步驟(1)中，以將上述光半導體元件投影於厚度方向時與上述貫通孔重疊之方式將上述電極面感壓接著於上述感壓接著層，於上述步驟(3)中，將推壓構件插入至上述貫通孔，推壓與上述貫通孔對應之上述感壓接著層，藉此一面使上述密封光半導體元件相對於上述支持基板相對移動，一面將上述密封光半導體元件自上述感壓接著層剝離，上述密封層之60℃下之熔融黏度為50 Pa・s以上且1500 Pa・s以下。 根據該方法，由於密封層之熔融黏度為上述下限以上，故而能夠更進一步抑制密封層進入至光半導體元件之電極面與感壓接著層之間，並且由於密封層之熔融黏度為上述上限以下，故而能夠利用密封層確實地將光半導體元件密封。 [6]本發明係如上述[1]至[5]中任一項之密封光半導體元件之製造方法，其特徵在於：上述光半導體元件進而具有：發光面，其相對於上述電極面隔開間隔地對向配置，且設置有發光層；及連結面，其連結上述發光面及上述電極面之周端緣；且於上述步驟(2)中，利用上述密封層被覆上述發光面及上述連結面。 於該方法中，由於在步驟(2)中，利用密封層被覆發光面及連結面，故而能夠確實地提高密封光半導體元件中之光半導體元件之可靠性。 [7]本發明係一種發光裝置之製造方法，其特徵在於包括：步驟(4)，其係藉由如上述[1]至[6]中任一項之密封光半導體元件之製造方法製造密封光半導體元件；及步驟(5)，其係將上述密封光半導體元件安裝於基板。 根據該方法，由於將抑制了電極面中之密封層之存在之密封光半導體元件之電極面與基板的端子電性連接，故而發光裝置之可靠性優異。 [發明之效果] 於利用本發明所獲得之密封光半導體元件中，由於在電極面不存在密封層而露出，故而將其與基板之端子電性連接所得之本發明之發光裝置之可靠性優異。
於圖1A～圖1D中，紙面上下方向為上下方向(第1方向、厚度方向之一例)，紙面上側為上側(第1方向一側、厚度方向一側之一例)，紙面下側為下側(第1方向另一側、厚度方向另一側)。紙面左右方向為左右方向(與第1方向正交之第2方向)，紙面左側為左側(第2方向一側)，紙面右側為右側(第2方向另一側)。紙厚方向為前後方向(與第1方向及第2方向正交之第3方向)，紙面近前側為前側(第3方向一側)，紙面裏側為後側(第3方向另一側)。具體係依據各圖之方向箭頭。 ＜第1實施形態＞ 該方法包括：步驟(1)，其係將光半導體元件1感壓接著於感壓接著層9(參照圖1A)；步驟(2)，其係藉由利用密封層10將光半導體元件1密封而製作具備光半導體元件1及密封層10之密封光半導體元件11(參照圖1B)；以及步驟(3)，其係將密封光半導體元件11自感壓接著層9剝離(參照圖1C)。 以下，對各步驟進行詳細敍述。 1.步驟(1) 於步驟(1)中，如圖1A所示，將光半導體元件1感壓接著於感壓接著層9。 為了將光半導體元件1感壓接著於感壓接著層9，首先，準備光半導體元件1、及感壓接著層9。 1-1.光半導體元件 光半導體元件1例如為將電能轉換為光能之LED或LD(Laser Diode，雷射二極體)。較佳為光半導體元件1係發出藍色光之藍色LED(發光二極體元件)。另一方面，光半導體元件1不包含技術領域與光半導體元件不同之電晶體等整流器。 光半導體元件1具有沿著前後方向(縱向)及左右方向(橫向)之大致平板形狀。光半導體元件1具有電極面3、發光面4、及周側面5。 電極面3為光半導體元件1中之下表面，且為設置有電極6之面。 電極6於電極面3在左右方向上隔開間隔地相鄰配置2個。電極6具有自電極面3向下方突出之形狀。 發光面4為光半導體元件1中之上表面，且相對於電極面3於上側隔開間隔地對向配置。於發光面4設置有未圖示之發光層。 周側面5連結電極面3之周端緣與發光面4之周端緣。 光半導體元件1之尺寸適當設定，具體而言，厚度(高度)例如為0.1 μm以上，較佳為0.2 μm以上，又，例如為500 μm以下，較佳為200 μm以下。 1-2.感壓接著片 感壓接著層9包含於暫時固定片7。 暫時固定片7具備支持基板8、及支持於支持基板8之感壓接著片2。 1-2-1.支持基板 支持基板8配置於暫時固定片7之下部。支持基板8具有向前後方向及左右方向延伸之大致平板形狀。作為支持基板8，可列舉例如聚乙烯膜、聚酯膜(PET等)等聚合物膜；例如陶瓷片；例如金屬箔等。支持基板8之厚度例如為100 μm以上，較佳為300 μm以上，又，例如為2000 μm以下，較佳為1000 μm以下。 1-2-2.感壓接著片 感壓接著片2支持於支持基板8，具體而言，配置於暫時固定片7之整個上表面。 又，感壓接著片2包含感壓接著劑。具體而言，感壓接著片2具備以藉由處理而減小感壓接著力之方式構成之感壓接著層9。詳細而言，感壓接著片2具備2個感壓接著層9、及介置於2個感壓接著層9之上下方向中途(具體而言為中央部)之支持片23。2個感壓接著層9中之配置於支持片23之上之層為第1感壓接著層21，配置於支持片23之下之層為第2感壓接著層22。即，感壓接著層9具備第1感壓接著層21、及第2感壓接著層22。較佳為感壓接著層9僅由第1感壓接著層21與第2感壓接著層22構成。 1-2-3.第1感壓接著層 第1感壓接著層21位於感壓接著片2之上部。第1感壓接著層21配置(支持)於支持片23之整個上表面。 第1感壓接著層21係以藉由處理而減小感壓接著力之方式構成。具體而言，第1感壓接著層21係由藉由照射活性能量線而減小感壓接著力之感壓接著劑形成為片狀(層狀)。第1感壓接著層21之厚度係以下述感壓接著片2之剝離接著力PS成為所需範圍之方式適當進行設定，例如為5 μm以上，較佳為10 μm以上，又，例如為100 μm以下，較佳為50 μm以下。 1-2-4.第2感壓接著層 第2感壓接著層22位於感壓接著片2之下部。第2感壓接著層22配置於支持片23之整個下表面。 第2感壓接著層22係以藉由處理而減小感壓接著力之方式構成。具體而言，第2感壓接著層22係由與第1感壓接著層21相同之感壓接著劑形成為片狀(層狀)。第2感壓接著層22之厚度係以下述感壓接著片2之剝離接著力PS成為所需範圍之方式適當設定，例如為3 μm以上，較佳為5 μm以上，又，例如為30 μm以下，較佳為20 μm以下。又，感壓接著層9之厚度即第1感壓接著層21及第2感壓接著層22之總厚度例如為8 μm以上，較佳為15 μm以上，又，例如為130 μm以下，較佳為70 μm以下。 1-2-5.感壓接著劑 作為感壓接著劑，例如可列舉導入有碳-碳雙鍵之樹脂組合物等。樹脂組合物可列舉具有碳-碳雙鍵之聚合物。 1-2-6.感壓接著劑之製備 聚合物例如係藉由以下之方法製備。 即，例如將含有主乙烯基單體及具有第1官能基之副乙烯基單體之單體成分以第1官能基不消失之方式共聚而製備具有第1官能基之前體聚合物。另外，準備具有能夠與第1官能基反應之第2官能基及碳-雙鍵之化合物。其後，將該化合物調配於前體聚合物中，使第1官能基與第2官能基反應。 作為第1官能基與第2官能基之組合，例如可列舉：羥基與異氰酸酯基之組合等。作為第1官能基，較佳可列舉羥基。作為第2官能基，較佳可列舉異氰酸酯基。 作為主單體，例如可列舉：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸第二丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸異戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯(2EHA/2EHMA)、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸異壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸異癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯、(甲基)丙烯酸十五烷基酯、(甲基)丙烯酸十六烷基酯、(甲基)丙烯酸十七烷基酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯、(甲基)丙烯酸十九烷基酯、(甲基)丙烯酸二十烷基酯等烷基部分之碳數為1～20之(甲基)丙烯酸烷基酯。較佳可列舉丙烯酸2-乙基己酯(2EHA)。該等可單獨使用或併用。主單體之單體成分中之調配比率例如為70質量%以上，較佳為90質量%以上，又，例如為99質量%以下。 副乙烯基單體係能夠作為主乙烯基單體而發生共聚之乙烯基單體。作為副乙烯基單體，例如可列舉：含有羧基之單體、含有環氧基之單體、含有羥基之單體、含有異氰酸酯基之單體等，較佳可列舉含有羥基之單體。 作為含有羥基之單體，例如可列舉：(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯(2-HEA/HEMA)、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丁酯等(甲基)丙烯酸羥基烷基酯等。較佳可列舉丙烯酸2-羥基乙酯(2-HEA)。該等可單獨使用或併用。副乙烯基單體之單體成分中之調配比率例如為30質量%以下，又，例如為1質量%以上。 作為化合物，可列舉含有異氰酸酯基之化合物，具體而言，可列舉：異氰酸(甲基)丙烯醯基酯、異氰酸2-(甲基)丙烯醯氧基乙酯、異氰酸間異丙烯基-α,α-二甲基苄基酯等含有異氰酸酯基之乙烯基單體。較佳可列舉異氰酸2-甲基丙烯醯氧基乙酯。 化合物之調配比率係以如下方式進行調整，即聚合物中之雙鍵之導入量成為例如0.01 mmol/g以上，較佳為0.2 mmol/g以上，又，成為例如10.0 mmol/g以下，較佳為5.0 mmol/g以下。 為了製備前體聚合物，使上述單體成分以上述比率於聚合起始劑之存在下例如溶液聚合。 作為聚合起始劑，例如可列舉：過氧化物、過硫酸鹽、氧化還原系起始劑等。該等可單獨使用或併用。較佳可列舉過氧化物。作為過氧化物，例如可列舉：過氧化二醯基、過氧酯、過氧化二碳酸酯、單過氧化碳酸酯、過氧縮酮、過氧化二烷基、過氧化氫、過氧化酮等，較佳可列舉二過氧化二醯基。 作為二過氧化二醯基，例如可列舉：過氧化二苯甲醯(BPO)、過氧化二對硝基苯甲醯、過氧化二(對氯苯甲醯)、過氧化二(3,5,5-三甲基己醯基)、過氧化二正辛醯、過氧化二癸醯基、過氧化二月桂醯等。較佳可列舉過氧化二苯甲醯(BPO)。 聚合起始劑之調配比率相對於單體成分100質量份例如為0.005質量份以上，例如為1質量份以下。 又，於溶液聚合中，使用聚合溶劑。作為聚合溶劑，可列舉例如甲苯、二甲苯等芳香族烴；例如己烷等脂肪族烴等。較佳可列舉芳香族烴。 並且，使含有主乙烯基單體及副乙烯基單體之單體成分以副乙烯基單體之第1官能基不消失之方式共聚，而製備具有第1官能基之前體聚合物。 繼而，將上述化合物調配於前體聚合物中。較佳為將含有異氰酸酯基之化合物調配於含有羥基之前體聚合物中，使羥基與異氰酸酯基反應，而形成胺基甲酸酯鍵。並且，向所獲得之聚合物中導入化合物具有之碳-碳雙鍵。 其後，將光聚合起始劑調配於聚合物中。 光聚合起始劑係用於在下述步驟(2)(參照圖1C)中將活性能量線照射於感壓接著層9時，產生自由基，使導入至樹脂組合物之碳-碳雙鍵相互反應之光聚合觸媒。光聚合起始劑之10小時半衰期溫度例如為20℃以上，較佳為50℃以上，又，例如為107℃以下，較佳為100℃以下。 作為光聚合起始劑，例如可列舉：縮酮系光聚合起始劑、苯乙酮系光聚合起始劑、安息香醚系光聚合起始劑、醯基氧化膦系光聚合起始劑、α-酮醇系光聚合起始劑、芳香族磺醯氯系光聚合起始劑、光活性肟系光聚合起始劑、安息香系光聚合起始劑、苯偶醯系光聚合起始劑、二苯甲酮系光聚合起始劑、噻噸酮系光聚合起始劑等。該等可單獨使用或併用。較佳可列舉噻噸酮系光聚合起始劑。作為噻噸酮系光聚合起始劑，例如可列舉：1-[4-(2-羥基乙氧基)-苯基]-2-羥基-2-甲基-1-丙烷-1-酮、2-羥基-1-{4-[4-(2-羥基-2-甲基-丙醯基)-苄基]苯基}-2-甲基-丙烷-1-酮。較佳可列舉2-羥基-1-{4-[4-(2-羥基-2-甲基-丙醯基)-苄基]苯基}-2-甲基-丙烷-1-酮。 光聚合起始劑之調配比率相對於聚合物100質量份例如為0.1質量份以上，較佳為0.5質量份以上，又，例如為10質量份以下，較佳為5質量份以下。 又，可向聚合物中以適當之比率調配交聯劑等添加劑。作為交聯劑，例如可列舉異氰酸酯系交聯劑、環氧系交聯劑、唑啉系交聯劑、氮丙啶系交聯劑、三聚氰胺系交聯劑、過氧化物系交聯劑、脲系交聯劑、金屬烷氧化物系交聯劑、金屬螯合物系交聯劑、金屬鹽系交聯劑、碳二醯亞胺系交聯劑、胺系交聯劑等。較佳可列舉異氰酸酯系交聯劑。 交聯劑之調配比率係以下述感壓接著片2之剝離接著力PS成為所需範圍之方式適當進行設定，相對於聚合物(固形物成分)100質量份例如為1質量份以上，較佳為5質量份以上，又，例如為10質量份以下，較佳為7.5質量份以下。 1-2-7.支持片 支持片23於感壓接著片2中，具有沿著面方向(前後方向及左右方向)延伸之片狀。支持片23於感壓接著片2中，支持感壓接著層9(具體而言為第1感壓接著層21及第2感壓接著層22)。支持片23位於感壓接著片2之上下方向中央部。支持片23例如由聚乙烯膜、聚酯膜(PET膜等)等聚合物膜構成。支持片23之厚度例如為20 μm以上，較佳為30 μm以上，又，例如為120 μm以下，較佳為100 μm以下。 1-2-8.感壓接著片之形成 為了將感壓接著層9(具體而言為第1感壓接著層21及第2感壓接著層22)配置於支持片23之上下兩面，如圖1A所示，將感壓接著劑塗佈於支持片23之上下兩面，其後使之乾燥。乾燥溫度例如為40℃以上，較佳為60℃以上，又，例如為150℃以下，較佳為130℃以下。乾燥溫度例如為5分鐘以下。 其後，視需要對感壓接著劑進行蝕刻。蝕刻溫度例如為25℃以上，較佳為40℃以上，又，例如為70℃以下，較佳為60℃以下。蝕刻時間例如為10小時以上，又，例如為120小時以下。 藉此，製作包含支持片23、第1感壓接著層21及第2感壓接著層22之感壓接著片2。 其後，將製作之感壓接著片2之第2感壓接著層22貼合於支持基板8之上表面。 再者，感壓接著片2與支持基板8一併構成附支持基板之感壓接著片24。 1-2-9.感壓接著片之物性(剝離接著力) 感壓接著片2之剝離接著力PS為220 mN/10mm2 以上，較佳為230 mN/10mm2 以上，又，為300 mN/10mm2 以下，較佳為290 mN/10mm2 以下。 若感壓接著片2之剝離接著力PS未達上述下限，則於下文敍述，如參照圖4A之步驟(2)與比較例1及2般，形成密封層10之密封組合物潛入至光半導體元件1之電極面3與感壓接著片2之第1感壓接著層21之間(產生密封組合物之潛入)。 但是，若感壓接著片2之剝離接著力PS為上述下限以上，則能夠抑制密封組合物之上述潛入。 另一方面，若感壓接著片2之剝離接著力PS超過上述上限，則於下文敍述，如參照圖5A之步驟(3)及比較例3般，於光半導體元件1之電極面3殘留形成第1感壓接著層21之感壓接著劑(糊劑殘留之產生)。 但是，若感壓接著片2之剝離接著力PS為上述上限以下，則能夠抑制上述糊劑殘留。 感壓接著片2之剝離接著力PS係根據感壓接著層含有之交聯劑之調配比率、種類、第1感壓接著層21及第2感壓接著層22之各者之厚度等進行調整。 具體而言，感壓接著片2之剝離接著力PS根據感壓接著層含有之交聯劑之調配比率、第1感壓接著層21及第2感壓接著層22之各者之厚度而設定為上述所需之範圍時，交聯劑之調配比率相對於聚合物(固形物成分)100質量份例如為2質量份以上，較佳為8質量份以下，且第1感壓接著層21及第2感壓接著層22之各者之厚度例如為15 μm以上，較佳為25 μm以下。 1-2-10.光半導體元件向感壓接著片之感壓接著 並且，於該步驟(1)中，如圖1A所示，為了將複數個光半導體元件1感壓接著於感壓接著片2之上，而將複數個光半導體元件1之電極面3載置(接觸)於感壓接著片2之上表面15(第1感壓接著層21之上表面15)。藉此，將光半導體元件1暫時固定於感壓接著片2。 此時，電極6嵌入(埋沒)於第1感壓接著層21。即，電極6之下表面相對於周圍之第1感壓接著層21之上表面15而位於下側。藉此，電極面3中之電極6之周圍之部分與第1感壓接著層21直接接觸。再者，電極面3中之電極6之周圍之下表面13於第1感壓接著層21中與光半導體元件1之周圍之上表面15在投影於面方向時位於相同位置。 藉此，將複數個光半導體元件1感壓接著於感壓接著層9。即，將複數個光半導體元件1暫時固定於暫時固定片7。 光半導體元件1之前後方向及/或左右方向上之長度L1例如為0.2 mm以上，較佳為0.5 mm以上，又，例如為1.5 mm以下，較佳為1.2 mm以下。又，相鄰之光半導體元件1之間之間隔(前後方向及/或左右方向上之間隔)L0例如為0.05 mm以上，較佳為0.1 mm以上，又，例如為1.0 mm以下，較佳為0.8 mm以下。又，相鄰之光半導體元件1之節距L2，具體而言，上述長度L1及間隔L0之和(L1＋L0)例如為0.25 mm以上，較佳為0.6 mm以上，又，例如為2.5 mm以下，較佳為2.0 mm以下。 複數個光半導體元件1及感壓接著片2構成元件構件36。 1-3.步驟(2) 步驟(2)係於步驟(1)之後實施。於步驟(2)中，如圖1B所示，利用密封層10將光半導體元件1密封。 為了利用密封層10將光半導體元件1密封，首先，如圖1A所示，準備具備密封層10之密封構件14。 具體而言，首先，準備具備剝離層12、及配置於剝離層12之下表面之密封層10之密封構件14。密封構件14較佳為僅由剝離層12、及密封層10構成。密封構件14係以單個零件而流通，且產業上可利用之元件。 剝離層12例如係由聚乙烯膜、聚酯膜(PET等)等聚合物形成為片狀。剝離層12之厚度例如為1 μm以上，較佳為10 μm以上，又，例為2,000 μm以下，較佳為1,000 μm以下。 密封層10具有形成於剝離層12之整個下表面之層狀。密封層10係由熱熔樹脂組合物等密封組合物形成。 熱熔樹脂組合物例如含有熱硬化性樹脂、熱塑性樹脂等熱熔樹脂。 作為熱硬化性樹脂，例如可列舉2段反應硬化性樹脂、1段反應硬化性樹脂。 2段反應硬化性樹脂具有2個反應機制，能夠於第1段反應中，自A-階段狀態進行B-階段化(半硬化)，然後於第2段反應中，自B-階段狀態進行C-階段化(完全硬化)。即，2段反應硬化性樹脂係能夠利用適度之加熱條件成為B-階段狀態之熱硬化性樹脂。B-階段狀態係熱硬化性樹脂為液狀之A-階段狀態與完全硬化之C-階段狀態之間之狀態，且硬化及凝膠化稍微進展，壓縮彈性模數小於C-階段狀態之彈性模數之半固體狀態或固體狀態。 1段反應硬化性樹脂具有1個反應機制，能夠於第1段反應中，自A-階段狀態進行C-階段化(完全硬化)。此種1段反應硬化性樹脂係如下熱硬化性樹脂：於第1段反應之中途其反應停止，能夠自A-階段狀態成為B-階段狀態，藉由其後之進一步之加熱而再次開始第1段反應，能夠自B-階段狀態進行C-階段化(完全硬化)。即，該熱硬化性樹脂係能夠成為B-階段狀態之熱硬化性樹脂。因此，1段反應硬化性樹脂不含如下硬化性樹脂：無法以於1段反應之中途停止之方式進行控制，即無法成為B-階段狀態，而一次自A-階段狀態進行C-階段化(完全硬化)。 總之，熱硬化性樹脂係能夠成為B-階段狀態之熱硬化性樹脂。 作為熱硬化性樹脂，例如可列舉：矽酮樹脂、環氧樹脂、胺基甲酸酯樹脂、聚醯亞胺樹脂、酚系樹脂、脲樹脂、三聚氰胺樹脂、不飽和聚酯樹脂等。作為熱硬化性樹脂，較佳可列舉矽酮樹脂、環氧樹脂，更佳可列舉矽酮樹脂。 作為矽酮樹脂，例如可列舉分子內含有苯基之苯基系矽酮樹脂等。 上述熱硬化性樹脂為相同種類或複數種均可。 作為熱塑性樹脂，例如可列舉：丙烯酸系樹脂、苯乙烯樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚烯烴樹脂、熱塑性矽酮樹脂等。該等可單獨使用或併用。 作為熱熔樹脂，較佳可列舉熱硬化性樹脂。 又，密封樹脂組合物可進而含有填料及/或螢光體。 作為填料，例如可列舉光擴散性粒子。作為光擴散性粒子，例如可列舉無機粒子、有機粒子等。 作為無機粒子，可列舉例如二氧化矽(SiO2 )、滑石(Mg3 (Si4 O10 )(HO)2 )、氧化鋁(Al2 O3 )、氧化硼(B2 O3 )、氧化鈣(CaO)、氧化鋅(ZnO)、氧化鍶(SrO)、氧化鎂(MgO)、氧化鋯(ZrO2 )、氧化鋇(BaO)、氧化銻(Sb2 O3 )等氧化物；例如氮化鋁(AlN)、氮化矽(Si3 N4 )等氮化物等無機物粒子(無機物)。又，作為無機粒子，例如可列舉由上述例示之無機物製備之複合無機物粒子，具體可列舉由氧化物製備之複合無機氧化物粒子(具體為玻璃粒子等)。 作為無機粒子，較佳為二氧化矽粒子、玻璃粒子。 作為有機粒子之有機材料，例如可列舉：丙烯酸系樹脂、苯乙烯系樹脂、丙烯酸-苯乙烯系樹脂、矽酮系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、苯胍胺系樹脂、聚烯烴系樹脂、聚酯系樹脂、聚醯胺系樹脂、聚醯亞胺系樹脂等。 填料可單獨使用或併用。 填料之含有比率相對於密封組合物例如為1質量%以上，較佳為3質量%以上，又，例如為80質量%以下，較佳為75質量%以下。又，填料相對於熱熔樹脂100質量份之調配比率例如為10質量份以上，較佳為30質量份以上，又，例如為1,000質量份以下，較佳為200質量份以下。 作為螢光體，例如可列舉能夠將藍色光轉換為黃色光之黃色螢光體、將藍色光轉換為紅色光之紅色螢光體等。 作為黃色螢光體，可列舉例如(Ba，Sr，Ca)2 SiO4 ：Eu、(Sr，Ba)2 SiO4 ：Eu(正矽酸鋇(BOS))等矽酸鹽螢光體；例如Y3 Al5 O12 ：Ce(YAG(釔、鋁、石榴石)：Ce)、Tb3 Al3 O12 ：Ce(TAG(鋱、鋁、石榴石)：Ce)等具有石榴石型晶體結構之石榴石型螢光體；例如Ca-α-SiAlON等氮氧化物螢光體等。 作為紅色螢光體，例如可列舉CaAlSiN3 ：Eu、CaSiN2 ：Eu等氮化物螢光體等。 作為螢光體，較佳可列舉黃色螢光體，更佳為石榴石型螢光體。 作為螢光體之形狀，例如可列舉球狀、板狀、針狀等。 螢光體之最大長度之平均值(於球狀之情形時為平均粒徑)例如亦為0.1 μm以上，較佳為1 μm以上，又，例如為200 μm以下，較佳為100 μm以下。 螢光體可單獨使用或併用。 螢光體之調配比率相對於密封組合物例如為5質量%以上，較佳為10質量%以上，又，例如為80質量%以下，較佳為70質量%以下。又，螢光體之調配比率相對於熱熔樹脂100質量份例如為0.1質量份以上，較佳為0.5質量份以上，例如為90質量份以下，較佳為80質量份以下。 為了製備密封層10，例如將上述熱熔樹脂與視需要而調配之填料及/或螢光體進行調配，製備密封組合物之清漆，繼而，將其塗佈於剝離層12之表面。 其後，於密封組合物含有熱硬化性樹脂之情形時，使密封組合物B-階段化。具體而言，對密封組合物進行加熱。 加熱溫度例如為50℃以上，較佳為70℃以上，又，例如為120℃以下，較佳為100℃以下。加熱時間例如為5分鐘以上，較佳為10分鐘以上，又，例如為20分鐘以下，較佳為15分鐘以下。 藉此，如圖1A所示，製造具備剝離層12及密封層10之密封構件14。 1-3-1.密封層之物性(熔融黏度) 密封層10之60℃下之熔融黏度MV例如為10 Pa・s以上，較佳為50 Pa・s以上，又，例如為2000 Pa・s以下，較佳為1500 Pa・s以下，更佳為1000 Pa・s以下。 若密封層10之熔融黏度MV為上述上限以下，則能夠利用密封層10確實地將光半導體元件1密封。若密封層10之熔融黏度MV為上述下限以上，則能夠抑制密封組合物之上述潛入。 密封層10之熔融黏度MV係利用E型黏度計測定。 密封層10之熔融黏度MV例如係藉由適當變更密封樹脂組合物(熱熔樹脂)之配方而適當調整。 然後，如圖1A之箭頭及圖1B所示，將密封層10加壓於光半導體元件1及暫時固定片7。 具體而言，使用加壓機25，將密封構件14朝向光半導體元件1及暫時固定片7加壓。 加壓機25係具備熱源之熱加壓機。加壓機25具備下板27、及配置於下板27之上側且能夠相對於下板27向下側進行熱加壓而構成之上板26。 關於加壓條件，於密封層10熔融(塑化)，進而密封層10含有熱硬化性樹脂之情形時，適當設定為密封層10之硬化稍微進展之條件。 具體而言，加壓之溫度為40℃以上，較佳為45℃以上，又，為200℃以下，較佳為180℃以下，更較佳為150℃以下。 加壓之壓力(加壓壓力)V例如為0.5 MPa以上，較佳為0.7 MPa以上，又，例如為2.0 MPa以下，較佳為1.5 MPa以下。 若加壓壓力V為上述下限以上，則能抑制密封組合物之上述潛入(尤其是於光半導體元件1為小型之情形時(具體為長度1000 μm以下，寬度500 μm以下之尺寸)之潛入)。若加壓壓力V為上述上限以下，則能夠防止光半導體元件1、尤其是上述小型之光半導體元件1埋沒於第1感壓接著層21。 加壓之速度S係下板27及上板26於上下方向(加壓方向)靠近之相對速度S，例如為0.01 mm/秒以上，較佳為0.05 mm/秒以上，又，例如為0.3 mm/秒以下，較佳為0.2 mm/秒以下。 若加壓之速度S為上述下限以上，則能夠抑制密封光半導體元件11之生產性之下降。若加壓之速度S為上述上限以下，則能夠抑制尤其是光半導體元件1為小型之情形時之密封組合物之上述潛入。 熱加壓之時間例如為1秒以上，較佳為3秒以上，又，例如為20分鐘以下，較佳為10分鐘以下。 藉此，密封層10被覆光半導體元件1之發光面4及周側面5。又，密封層10亦被覆自光半導體元件1露出之第1感壓接著層21之上表面34。 另一方面，密封層10不進入至電極面3中之電極6之周圍之下表面13與對向於其之第1感壓接著層21的上表面15之間。因此，密封層10不存在於光半導體元件1之電極面3與第1感壓接著層21之上表面15之間。 其後，自加壓機25卸除密封構件14及暫時固定片7。 然後，如圖1B之箭頭所示，將剝離層12自密封層10剝離。 於是，密封層10之上表面16成為於上側露出之露出面。 藉此，以暫時固定於暫時固定片7之狀態獲得具備複數個光半導體元件1、及將複數個光半導體元件1密封之1個密封層10之密封光半導體元件11。該密封光半導體元件11能夠以暫時固定於暫時固定片7之狀態與暫時固定片7一併流通。 1-4.步驟(3) 步驟(3)係於步驟(2)之後實施。於步驟(3)中，如圖1C所示，將密封光半導體元件11自感壓接著層9剝離。 為了將密封光半導體元件11自感壓接著層9剝離，首先藉由處理使感壓接著片2之感壓接著力減小。 具體而言，對感壓接著片2(感壓接著層9)照射活性能量線。作為活性能量線，可列舉紫外線、電子束等。較佳可列舉紫外線。作為放射源，例如可列舉：化學燈、準分子雷射、黑光燈、汞弧燈、碳弧燈、低壓水銀燈、中壓水銀燈、高壓水銀燈、超高壓水銀燈、金屬鹵素燈等照射裝置。照射量例如設定為感壓接著層9中之碳-碳雙鍵能夠實質上發生反應之條件，具體而言，光聚合起始劑能夠實質上發生反應之條件。具體而言，照射量例如為100 mJ/cm2 以上，較佳為400 mJ/cm2 以上，又，例如為2000 mJ/cm2 以下，較佳為1000 mJ/cm2 以下。 然後，如圖1C之單點虛線所示，以複數個密封光半導體元件11之各者單片化之方式藉由晶圓切割機37將密封層10切割(切斷)。 藉此，以暫時固定於暫時固定片7之狀態製造複數個具備1個光半導體元件1、及1個密封層10之密封光半導體元件11。 密封光半導體元件11之尺寸適當進行設定，前後方向及/或左右方向上之長度例如為0.2 mm以上，較佳為0.3 mm以上，又，例如為3 mm以下，較佳為2 mm以下。 其後，使用未圖示之拾取裝置將1個密封光半導體元件11自暫時固定片7剝離。具體而言，將光半導體元件1之電極面3及密封層10之下表面自第1感壓接著層21之上表面15剝離。 再者，拾取裝置具備推壓構件33及抽吸構件38(參照下述圖2C)等，具體而言，具備日本專利特開2014-168032號公報、日本專利特開2014-168033號公報、日本專利特開2014-168034號公報、日本專利特開2014-168035號公報、日本專利特開2014-168036號公報等中所記載之構成。 藉此，獲得具備1個光半導體元件1、及1個密封層10之密封光半導體元件11。密封光半導體元件11較佳為僅由1個光半導體元件1、及1個密封層10構成。 密封光半導體元件11並非下述發光裝置30(參照圖1D)，即不包含發光裝置30所具備之基板29(參照圖1D)。即，密封光半導體元件11係以尚未與發光裝置30之基板29所具備之端子28(下述)電性連接之方式構成。又，密封光半導體元件11係發光裝置30(參照圖1D)之一零件，即，用於製作發光裝置30之零件，以單個零件而流通，且係產業上可利用之元件。 1-4.發光裝置之製造 其後，將密封光半導體元件11安裝(覆晶安裝)於基板29。 基板29具有向左右方向及前後方向延伸之大致平板形狀。基板29於其上表面具備與密封光半導體元件11之電極6對應之端子28。 具體而言，將電極6與端子28電性連接。 藉此，獲得具備基板29、及安裝於其之密封光半導體元件11之發光裝置30。發光裝置30較佳為僅由基板29、及密封光半導體元件11構成。 於發光裝置30中，自電極6露出之密封層10之下表面與基板29之上表面隔開間隔。 ＜第1實施形態之作用效果＞ 根據該方法，由於感壓接著片2之剝離接著力為上述下限以上，故而於步驟(2)中，如圖1B所示，能夠抑制密封層10進入至光半導體元件1之電極面3與第1感壓接著層21之間(參照圖4A)。 又，由於感壓接著片2之剝離接著力PS為上述上限以下，故而於將密封光半導體元件11自第1感壓接著層21剝離之步驟(3)中，如圖1C所示，能夠抑制第1感壓接著層21附著於密封光半導體元件11中之光半導體元件1之電極面3(參照圖5A)。 因此，於該密封光半導體元件11中，如圖1C所示，抑制電極面3中之密封層10之存在，電極面3露出，故而如圖1D所示，若將電極面3與基板29之端子28電性連接，則能夠獲得可靠性優異之發光裝置30。 又，根據該方法，由於密封層10包含熱熔樹脂組合物，故而於步驟(2)中，如圖1B所示，能夠利用加熱密封層10之簡便之方法使密封層10熔融(熱熔)，而被覆光半導體元件1。進而，關於已熔融之密封層10，密封層10容易進入至光半導體元件1之電極面3與第1感壓接著層21之間，但由於感壓接著片2之剝離接著力PS為上述下限以上，故而能夠抑制密封層10進入至上述光半導體元件1之電極面3與第1感壓接著層21之間。 又，根據該方法，若步驟(2)中之加壓之速度S為上述下限以上，則能夠抑制密封光半導體元件11之生產性之下降，並且由於加壓之速度S為上述上限以下，故而能夠更進一步抑制密封層10進入至小型之光半導體元件1之電極面3與第1感壓接著層21之間。 又，根據該方法，若步驟(2)中之加壓之壓力V為上述下限以上，則能夠更進一步抑制密封層10進入至小型之光半導體元件1之電極面3與第1感壓接著層21之間，並且若加壓之壓力V為上述上限以下，則能夠抑制光半導體元件1埋沒於第1感壓接著層21，而導致其後難以將密封光半導體元件11自第1感壓接著層21剝離。 又，根據該方法，若密封層10之熔融黏度MV為上述下限以上，則能夠更進一步抑制密封層10進入至光半導體元件1之電極面3與第1感壓接著層21之間，並且若密封層10之熔融黏度MV為上述上限以下，則能夠利用密封層10確實地將光半導體元件1密封。 又，於該方法中，由於在步驟(2)中，利用密封層10被覆發光面4與周側面5，故而能夠確實地提高密封光半導體元件11中之光半導體元件1之可靠性。 又，根據該方法，由於將抑制了電極面3中之密封層10之存在之密封光半導體元件11之電極面3與基板29的端子28電性連接，故而發光裝置30之可靠性優異。 ＜變化例＞ 於變化例中，對與上述第1實施形態相同之構件及步驟標註相同之參照符號，並省略其詳細說明。 於第1實施形態中，如圖1B所示，於將剝離層12自密封層10剝離之後，如圖1C之單點虛線所示，將密封層10切割(切斷)，但例如未圖示，亦可於將密封層10切割(切斷)之後，將剝離片12自密封層10剝離。 ＜第2實施形態＞ 於第2實施形態中，對與上述第1實施形態相同之構件及步驟標註相同之參照符號，並省略其詳細說明。 1.步驟(1) 於第2實施形態之步驟(1)中，如圖2A所示，準備形成有貫通孔31之支持基板8。 支持基板8具有與複數個光半導體元件1對應之複數個貫通孔31。 複數個貫通孔31於左右方向及前後方向上相互隔開相等之間隔而配置。複數個貫通孔31之各者具有俯視大致圓形狀。 貫通孔31之尺寸適當進行設定，其孔徑(內徑)例如為0.1 mm以上，較佳為0.2 mm以上，又，例如為1 mm以下，較佳為0.7 mm以下。 感壓接著片2係以將複數個貫通孔31之上端部封閉之方式具有與支持基板8之外周緣相同之外周緣。即，感壓接著片2之下表面(第2感壓接著層22之下表面)自貫通孔31向下方露出。 2.步驟(3) 於步驟(3)中，如圖2C所示，使用拾取裝置32將密封光半導體元件11自暫時固定片7剝離。 拾取裝置32具備推壓構件33及抽吸構件38。 推壓構件33係具有向上下方向延伸之形狀，且上方尖銳之針等。推壓構件33係以如下方式構成，即，其上端部能夠於上下方向上移動，且上端部能夠將自貫通孔31露出之感壓接著片2朝向上方推壓。 抽吸構件38具有向上下方向延伸之形狀，且於其下端部具有抽吸口35。抽吸構件38係以如下方式構成，即，抽吸口35能夠於上下方向上移動，且抽吸口35能夠抽吸密封光半導體元件11之上表面。 於步驟(3)中，首先，將暫時固定片7與支持於暫時固定片7並且被單片化之複數個密封光半導體元件11之積層體設置於拾取裝置32。 繼而，使推壓構件33與對應於欲剝離之密封光半導體元件11之貫通孔31之下側對向配置。 然後，將推壓構件33自支持基板8之下側插入至貫通孔31。 於是，與貫通孔31對應之感壓接著片2相對於支持基板8而相對地被向上側推壓，與密封光半導體元件11一同被推上去。 藉由抽吸構件38之抽吸口35抽吸被推上去之密封光半導體元件11。 藉此，將密封光半導體元件11自第1感壓接著層21剝離。 並且，於該第2實施形態中，由於支持基板8具有貫通孔31，故而如圖2B所示，於步驟(2)中，密封組合物容易潛入至光半導體元件1之電極面3與對向於貫通孔31之第1感壓接著層21之間。但是，若密封層10之60℃下之熔融黏度MV為上述之下限(50 Pa・s，參照第1實施形態之「1-3-1.密封層之物性(熔融黏度)」欄)以上，則能夠抑制密封樹脂組合物之上述潛入。 又，於步驟(2)中，利用密封層10所進行之光半導體元件1之密封易變得困難。但是，若密封層10之60℃下之熔融黏度MV為上述上限(例如為1500 Pa・s，較佳為1000 Pa・s，參照第1實施形態之「1-3-1.密封層之物性(熔融黏度)」欄)以下，則能夠利用密封層10確實地將光半導體元件1密封。 ＜第3實施形態＞ 於第3實施形態中，對與上述第1實施形態相同之構件及步驟標註相同之參照符號，並省略其詳細說明。 於步驟(1)中，如圖3A所示，電極6未埋沒於第1感壓接著層21，僅其下表面與第1感壓接著層21之上表面15接觸。電極面3中之電極6之周圍之下表面13與第1感壓接著層21之上表面15於厚度方向上隔開間隔。 具體而言，將光半導體元件1之電極面3載置於第1感壓接著層21之上表面15時，以電極面3對第1感壓接著層21之上表面15施加之壓力與第1實施形態之該壓力相比變小之方式進行調整。 於步驟(2)中，如圖3B所示，密封層10被覆電極面3中之電極6之周圍之下表面13、及電極6之周側面。 於步驟(3)中，如圖3C所示，於密封光半導體元件11中，密封層10之下表面與電極6之下表面於左右方向及前後方向為同一平面。 又，如圖3D所示，將密封光半導體元件11安裝於基板29時，自電極6露出之密封層10之下表面與基板29之上表面直接接觸。 第3實施形態能夠發揮與第1實施形態相同之作用效果。 實施例 以下之記載中所使用之調配比率(含有比率)、物性值、參數等具體數值可代替上述「實施形態」中所記載之與該等對應之調配比率(含有比率)、物性值、參數等對應記載之上限值(被定為「以下」、「未達」之數值)或下限值(被定義為「以上」、「超過」之數值)。 又，「份」或「%」只要不特別記載，則為質量基準。 實施例1 ＜步驟(1)＞ 如圖1A所示，首先，準備暫時固定片7。 即，為了準備暫時固定片7，首先製備感壓接著劑。 具體而言，於具備溫度計、攪拌機、氮氣導入管之反應容器中，將100質量份之丙烯酸2-乙基己酯(2EHA)、12.6質量份之丙烯酸2-羥基乙酯(2-HEA)、及0.25質量份之過氧化二苯甲醯(BPO，聚合起始劑)(商品名「Nyper BW」，日油公司製造)加入至甲苯(聚合溶劑)中，於氮氣氣流下以60℃使單體成分共聚。藉此，獲得丙烯酸系聚合物之45質量%甲苯溶液。向其中調配13.5質量份之異氰酸2-甲基丙烯醯氧基乙酯，使異氰酸甲基丙烯醯氧基乙酯(含有異氰酸酯基之化合物)與丙烯酸系聚合物發生加成反應，而製備具有碳-碳雙鍵之丙烯酸系聚合物。又，向上述丙烯酸系聚合物之甲苯溶液中，添加相對於丙烯酸系聚合物之固形物成分100質量份為7.5質量份之異氰酸酯系交聯劑(商品名「Coronate L」，日本聚胺基甲酸酯工業公司製造)、及2質量份之光聚合起始劑(商品名「IRGACURE127」，(2-羥基-1-{4-[4-(2-羥基-2-甲基-丙醯基)-苄基]苯基}-2-甲基-丙烷-1-酮，汽巴精化公司製造)。藉此，製備包含導入有碳-碳雙鍵之樹脂組合物之感壓接著劑。 繼而，準備厚度38 μm之包含PET(polyethylene terephthalate，聚對苯二甲酸乙二酯)膜(大三紙業公司製造)之支持片23。然後，將上述感壓接著劑塗佈於支持片23之上下兩面，其後，於120℃下乾燥3分鐘，進而於50℃下蝕刻24小時。藉此，製作具備支持片23、厚度30 μm之第1感壓接著層21、及厚度30 μm之第2感壓接著層22之感壓接著片2。 繼而，將感壓接著片2貼附於厚度700 μm之包含玻璃板之支持基板8。藉此，準備具備感壓接著片2、及支持基板8之暫時固定片7。 然後，於感壓接著片2之上配置2種光半導體元件1，具體為通常尺寸之光半導體元件1(長度1143 μm，寬度1143 μm，厚度150 μm，商品名「EDI-FA4545A」，Epistar公司製造)、及小型尺寸之光半導體元件1(長度762 μm，寬度356 μm，厚度130 μm，商品名「ETi-KB306A-BL」、ETI公司製造)」，Epistar公司製造)各100個，將光半導體元件1感壓接著於第1感壓接著層21之上表面。 藉此，準備具備暫時固定片7、及複數個光半導體元件1之元件構件36。 ＜步驟(2)＞ 然後，準備具備包含PET膜之厚度50 μm之剝離層12、及配置於剝離層12之下表面且包含密封組合物之密封層10之密封構件14。密封組合物係熱熔樹脂組合物，且係由50質量份之苯基系矽酮樹脂(1段反應硬化性樹脂)、40質量份之玻璃粒子、及10質量份之螢光體製備。密封層10之厚度為500 μm。 其後，將元件構件36及密封構件14設置於加壓機25。具體而言，將支持基板8載置於下板27之上表面，並且將剝離片12安裝於上板26之下表面。 繼而，如圖1B所示，利用加壓機25將密封構件14熱加壓於元件構件36及暫時固定片7。於熱加壓中，加壓速度S為0.1 mm/秒，加壓壓力V為1.1 MPa，溫度為90℃，加壓時間為10分鐘。 如此，利用密封構件14將複數個光半導體元件1密封。 藉此，以支持於暫時固定片7之狀態獲得具備半導體元件1及密封層10之複數個密封光半導體元件11。 繼而，自加壓機25卸除密封構件14及暫時固定片7。 其後，對剝離片12照射紫外線使感壓接著片2之感壓接著力減小。 繼而，如圖1B之箭頭所示，將剝離片12自密封層10剝離。 然後，如參照圖1C般，以使複數個密封光半導體元件11之各者單片化之方式藉由晶圓切割機37將密封層10切割。 藉此，以暫時固定於暫時固定片7之狀態獲得具備1個光半導體元件1及1個密封層10之密封光半導體元件11。 ＜步驟(3)＞ 然後，如圖1C之箭頭所示，使用未圖示之拾取裝置將密封光半導體元件11自暫時固定片7剝離。 藉此，獲得包含1個光半導體元件1及1個密封層10之密封光半導體元件11。 實施例2～實施例12及比較例1～比較例3 根據表1變更光半導體元件1之尺寸、異氰酸酯系交聯劑之調配比率、第1感壓接著層21之厚度、剝離接著力PS、加壓速度S、加壓壓力V、熔融黏度MV，除此以外，與實施例1同樣地進行處理，而製造密封光半導體元件11。 實施例13～實施例16 除了於步驟(1)中，根據表1變更密封層之熔融黏度MV之方面，及如圖2A所示，準備具有與複數個光半導體元件1對應之複數個貫通孔31之支持基板8之方面以外，與實施例1相同地進行處理，而製造密封光半導體元件11。 評價 評價以下之事項。將其結果示於表1。 [密封層之熔融黏度MV] 根據E型黏度計測定密封層之60℃下之熔融黏度MV。 [感壓接著層之剝離接著力PS] 使用精密荷重測定器(Aikoh Engineering公司製造MODEL-1605VCL)於端子壓縮感壓接著層，用端子面積除端子自感壓接著層剝離時之荷重，藉此測定感壓接著層之剝離接著力PS。 [潛入] 利用數位顯微鏡(基恩士公司製造VHX-2000)觀察剛利用加壓機25熱加壓後之密封光半導體元件11，基於以下之基準對密封樹脂組合物之潛入進行評價。 ○：無法確認出密封樹脂組合物潛入至電極面3與第1感壓接著層21之間(參照圖1B及圖2B)。 △：確認出密封樹脂組合物稍微潛入至電極面3與第1感壓接著層21之間。 ×：確認出密封樹脂組合物潛入至電極面3與第1感壓接著層21之間(參照圖4A)。 [糊劑殘留] 利用光學顯微鏡觀察自暫時固定片7剝離之密封光半導體元件11之電極6之下表面，基於以下之基準對密封樹脂組合物之糊劑殘留進行評價。 ○：無法確認出於電極6之下表面存在感壓接著劑(參照圖1C及圖2C)。 △：確認出於電極6之下表面稍微殘留有感壓接著劑。 ×：確認出電極6之下表面殘留有感壓接著劑(參照圖5A)。 [埋沒] 利用數位顯微鏡(基恩士公司製造VHX-2000)觀察剛利用加壓機25熱加壓後之密封光半導體元件11，基於以下之基準對光半導體元件1之埋沒進行評價。 ○：僅電極6埋沒於第1感壓接著層21內，光半導體元件1整體未埋沒於第1感壓接著層21內。 △：光半導體元件1整體稍微埋沒於第1感壓接著層21內。 [密封性] 利用數位顯微鏡(基恩士公司製造VHX-2000)觀察剛利用加壓機25熱加壓後之密封光半導體元件11，基於以下之基準對密封層10之密封性進行評價。 ○：密封層10被覆光半導體元件1之發光面4及周側面5。 △：密封層10被覆光半導體元件1之發光面4，但未被覆周側面5之下部。 [表1] 再者，上述發明係作為本發明之例示之實施形態而提供，但其不過為例示，並非限定性地解釋。藉由該技術領域之業者而明確之本發明之變化例包含於下述申請專利範圍中。 [產業上之可利用性] 密封光半導體元件之製造方法用於發光裝置之製造。
1‧‧‧光半導體元件
2‧‧‧感壓接著片
3‧‧‧電極面
4‧‧‧發光面
5‧‧‧周側面
6‧‧‧電極
7‧‧‧暫時固定片
8‧‧‧支持基板
9‧‧‧感壓接著層
10‧‧‧密封層
11‧‧‧密封光半導體元件
12‧‧‧剝離層
13‧‧‧下表面
14‧‧‧密封構件
15‧‧‧上表面
16‧‧‧上表面
21‧‧‧第1感壓接著層
22‧‧‧第2感壓接著層
23‧‧‧支持片
24‧‧‧附支持基板之感壓接著片
25‧‧‧加壓機
26‧‧‧上板
27‧‧‧下板
28‧‧‧端子
29‧‧‧基板
30‧‧‧發光裝置
31‧‧‧貫通孔
32‧‧‧拾取裝置
33‧‧‧推壓構件
34‧‧‧上表面
36‧‧‧元件構件
37‧‧‧晶圓切割機
38‧‧‧抽吸構件
101‧‧‧螢光體層
102‧‧‧LED
103‧‧‧黏著層
104‧‧‧螢光體層被覆LED
105‧‧‧暫時固定片
106‧‧‧基板
107‧‧‧電極
108‧‧‧端子
L0‧‧‧間隔
L1‧‧‧長度
L2‧‧‧節距
MV‧‧‧熔融黏度(密封層)
PS‧‧‧剝離接著力(感壓接著片)
S‧‧‧加壓速度
V‧‧‧加壓壓力
圖1A～圖1D係表示本發明之密封光半導體元件及發光裝置之製造方法之第1實施形態的步驟圖，圖1A表示將光半導體元件感壓接著於感壓接著層之步驟(1)，圖1B表示利用密封層將光半導體元件密封之步驟(2)，圖1C表示將密封光半導體元件自感壓接著層剝離之步驟(3)，圖1D表示將密封光半導體元件安裝於基板之步驟。 圖2A～圖2D係表示本發明之密封光半導體元件及發光裝置之製造方法之第2實施形態的步驟圖，圖2A表示將光半導體元件感壓接著於被具有貫通孔之支持基板支持之感壓接著層之步驟(1)，圖2B表示利用密封層將光半導體元件密封之步驟(2)，圖2C表示將密封光半導體元件自感壓接著層剝離之步驟(3)，圖2D表示將密封光半導體元件安裝於基板之步驟。 圖3A～圖3D係表示本發明之密封光半導體元件及發光裝置之製造方法之第3實施形態的步驟圖，圖3A表示以電極未埋沒於感壓接著層之方式將光半導體元件感壓接著於感壓接著層之步驟(1)，圖3B表示利用密封層將光半導體元件密封之步驟(2)，圖3C表示將密封光半導體元件自感壓接著層剝離之步驟(3)，圖3D表示將密封光半導體元件安裝於基板之步驟。 圖4A～圖4C係與先前技術對應之比較例1及2之步驟圖，圖4A表示利用密封層將光半導體元件密封之步驟(2)，且此時密封樹脂組合物潛入至光半導體元件與感壓接著片之間之狀態，圖4B表示將密封光半導體元件自感壓接著層剝離之步驟(3)，圖4C表示將密封光半導體元件安裝於基板之步驟。 圖5A及圖5B係與先前技術對應之比較例3之步驟圖，圖5A表示將密封光半導體元件自感壓接著層剝離之步驟(3)，且於光半導體元件1殘留感壓接著劑之狀態，圖5B表示將密封光半導體元件安裝於基板之步驟。
1‧‧‧光半導體元件
2‧‧‧感壓接著片
3‧‧‧電極面
4‧‧‧發光面
5‧‧‧周側面
6‧‧‧電極
7‧‧‧暫時固定片
8‧‧‧支持基板
9‧‧‧感壓接著層
10‧‧‧密封層
11‧‧‧密封光半導體元件
12‧‧‧剝離層
13‧‧‧下表面
14‧‧‧密封構件
15‧‧‧上表面
16‧‧‧上表面
21‧‧‧第1感壓接著層
22‧‧‧第2感壓接著層
23‧‧‧支持片
24‧‧‧附支持基板之感壓接著片
25‧‧‧加壓機
26‧‧‧上板
27‧‧‧下板
28‧‧‧端子
29‧‧‧基板
30‧‧‧發光裝置
34‧‧‧上表面
36‧‧‧元件構件
37‧‧‧晶圓切割機
L0‧‧‧間隔
L1‧‧‧長度
L2‧‧‧節距

Claims (7)

  1. 一種密封光半導體元件之製造方法，其特徵在於包括： 步驟(1)，其係將具有設置有電極之電極面之光半導體元件之上述電極面感壓接著於感壓接著層； 步驟(2)，其係於上述步驟(1)之後，利用密封層將上述光半導體元件密封，藉此製作具備上述光半導體元件及上述密封層之密封光半導體元件；及 步驟(3)，其係於上述步驟(2)之後，將上述密封光半導體元件自上述感壓接著層剝離；且 上述感壓接著層之剝離接著力為220 mN/10 mm2 以上且300 mN/10 mm2 以下。
  2. 如請求項1之密封光半導體元件之製造方法，其中上述密封層包含熱熔樹脂組合物，且 於上述步驟(2)中，對上述密封層進行加熱。
  3. 如請求項1之密封光半導體元件之製造方法，其中於上述步驟(2)中，將上述密封層朝向上述光半導體元件及上述感壓接著層以0.01 mm/秒以上且0.3 mm/秒以下之速度加壓。
  4. 如請求項1之密封光半導體元件之製造方法，其中於上述步驟(2)中，將上述密封層朝向上述光半導體元件及上述感壓接著層以0.5 MPa以上且2.0 MPa以下之壓力加壓。
  5. 如請求項1之密封光半導體元件之製造方法，其中上述感壓接著層包含於暫時固定片， 上述暫時固定片具備：支持基板，其具有貫通厚度方向之貫通孔；及 上述感壓接著層，其配置於上述支持基板之厚度方向一側，被覆上述貫通孔；且 於上述步驟(1)中，以將上述光半導體元件投影於厚度方向時與上述貫通孔重疊之方式將上述電極面感壓接著於上述感壓接著層， 於上述步驟(3)中，藉由將推壓構件插入至上述貫通孔，推壓與上述貫通孔對應之上述感壓接著層，而一面使上述密封光半導體元件相對於上述支持基板相對移動，一面將上述密封光半導體元件自上述感壓接著層剝離， 上述密封層之60℃下之熔融黏度為50 Pa・s以上且1500 Pa・s以下。
  6. 如請求項1之密封光半導體元件之製造方法，其中上述光半導體元件進而具有： 發光面，其相對於上述電極面隔開間隔地對向配置，且設置有發光層；及 連結面，其連結上述發光面及上述電極面之周端緣；且 於上述步驟(2)中，利用上述密封層被覆上述發光面及上述連結面。
  7. 一種發光裝置之製造方法，其特徵在於包括： 步驟(4)，其係藉由如請求項1之密封光半導體元件之製造方法製造密封光半導體元件；及 步驟(5)，其係將上述密封光半導體元件安裝於基板。
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