TW201724576A - 被覆元件構件之製造方法 - Google Patents

Abstract

本發明之被覆元件構件之製造方法具備：準備具有光半導體元件之元件構件、及支持元件構件且於沿厚度方向投影時具有包含元件構件之形狀之第1基材的步驟(1)；將於沿厚度方向投影時具有包含元件構件之形狀之第2基材與第1基材至少空出供配置元件構件之間隔而進行對向配置的步驟(2)；於步驟(2)之後，將元件構件、第1基材及上述第2基材配置於減壓下或真空下的步驟(3)；於步驟(3)之後，使具有流動性之被覆材料以包圍元件構件之周圍之方式接觸第1基材及第2基材，藉此形成由被覆材料、第1基材及第2基材所劃分出之密閉空間的步驟(4)；及於步驟(4)之後，藉由使密閉空間之外側恢復至大氣壓而使被覆材料流入至密閉空間中，而由被覆材料形成被覆構件的步驟(5)。

Description

被覆元件構件之製造方法

本發明係關於一種被覆元件構件之製造方法。

先前，已知利用被覆材料被覆光半導體元件。 例如提出有：於基板上所接合之模具之上表面接合尺寸大於模具之螢光體要素，其後以使基板之上表面潤濕之方式自噴嘴分注液狀前驅物，其後藉由毛細管現象將液狀前驅物引入至螢光體要素與基板之間之空間中，藉此於模具之側面由液狀前驅物形成散射層(例如參照專利文獻1)。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本專利特表2012-516026號公報

[發明所欲解決之問題] 然而，根據專利文獻1之方法，存在較大地依賴於基板及螢光體要素之潤濕性，而毛細管現象不會順利地發揮作用之情形，於該情形時，存在無法被覆模具之側面之不良情況。 又，於利用毛細管現象之情形時，存在液狀前驅物到達模具之側面耗費時間之不良情況。 另一方面，亦研究利用壓機之壓製壓將液狀前驅物配置於螢光體要素與基板之間而形成散射層，但於該情形時，存在模具產生損傷之情形。 本發明之目的在於提供一種被覆元件構件之製造方法，其可使被覆材料迅速流入至密閉空間，一面抑制元件構件之損傷，一面製造被覆元件構件。 [解決問題之技術手段] [1]本發明係一種被覆元件構件之製造方法，其特徵在於具備如下步驟：準備具有光半導體元件之元件構件、及支持上述元件構件且於沿厚度方向投影時具有包含上述元件構件之形狀之第1基材的步驟(1)；將於沿厚度方向投影時具有包含上述元件構件之形狀之第2基材與上述第1基材至少空出供配置上述元件構件之間隔而進行對向配置的步驟(2)；於上述步驟(2)之後將上述元件構件、上述第1基材及上述第2基材配置於減壓下或真空下的步驟(3)；於上述步驟(3)之後，藉由使具有流動性之被覆材料以包圍上述元件構件之周圍之方式接觸上述第1基材及上述第2基材，而形成由上述被覆材料、上述第1基材、及上述第2基材所劃分出之密閉空間的步驟(4)；及於上述步驟(4)之後，藉由使上述密閉空間之外側恢復至大氣壓使上述被覆材料流入上述密閉空間，而由上述被覆材料形成被覆構件的步驟(5)。 根據該方法，於步驟(4)中，使密閉空間及其外側之氣壓均為減壓下或真空下，於步驟(5)中，若使密閉空間之外側氣壓恢復至大氣壓，則密閉空間具有低於大氣壓之氣壓。即，密閉空間與其外側產生差壓。因此，具有流動性之被覆材料迅速流入至密閉空間。即，密閉空間由被覆材料迅速地填充。因此，可由被覆材料迅速地形成具有與密閉空間對應之形狀之被覆構件。而且，若利用差壓使被覆材料流入至密閉空間，則與利用壓機之壓製壓相比，可使施加至元件構件之力變得均勻，因此可一面抑制元件構件之損傷，一面以短時間製造具備被覆構件及由其被覆之元件構件、且可靠性優異之被覆元件構件。 [2]本發明為如上述[1]所記載之被覆元件構件之製造方法，其特徵在於：於上述步驟(2)中，使上述第2基材接觸上述元件構件。 根據該方法，由於使第2基材接觸元件構件，故而可使元件構件自被覆構件露出。 因此，可防止具有光半導體元件之元件構件之發光特性受被覆材料所妨礙。 [3]本發明為如上述[2]所記載之被覆元件構件之製造方法，其特徵在於：上述被覆材料含有光反射性成分及/或光吸收性成分。 根據該方法，由於被覆材料含有光反射性成分及/或光吸收性成分，故而於被覆元件構件中，被覆構件可將自光半導體元件發出之光反射及/或吸收，而使之成為具有所需光學特性之光。 又，由於元件構件自被覆構件露出，故而可防止具有光半導體元件之元件構件之發光特性受被覆材料之光反射性及/或光吸收性所妨礙。 [4]本發明為如上述[2]或[3]所記載之被覆元件構件之製造方法，其特徵在於：上述第2基材為對於上述元件構件能夠剝離之感壓接著片。 根據該方法，由於第2基材為對於元件構件能夠剝離之感壓接著片，故而可將第2基材自元件構件剝離而使元件構件確實地露出。 [5]本發明為如上述[2]至[4]中任一項所記載之被覆元件構件之製造方法，其特徵在於：上述元件構件進而具備波長轉換層，於上述步驟(2)中，使上述第2基材接觸上述波長轉換層。 根據該方法，可使波長轉換層自被覆構件露出。因此，可利用波長轉換層將自光半導體元件發出之光之波長進行轉換，而製造發光強度優異之被覆元件構件。 [6]本發明為如上述[1]至[5]中任一項所記載之被覆元件構件之製造方法，其特徵在於：於上述步驟(4)中，上述被覆材料含有完全硬化前之硬化性樹脂，於上述步驟(5)之後，進而具備使上述硬化性樹脂完全硬化之步驟(6)。 根據該方法，由於具備使硬化性樹脂完全硬化之步驟(6)，故而可製造可靠性優異之被覆元件構件。 [7]本發明為如上述[1]至[6]中任一項所記載之被覆元件構件之製造方法，其特徵在於：於上述步驟(4)中，塗佈上述被覆材料。 根據該方法，由於在步驟(4)中塗佈被覆材料，故而可簡單地實施步驟(4)。因此，可降低製造成本。 [8]本發明為如上述[1]至[6]中任一項所記載之被覆元件構件之製造方法，其特徵在於：於上述步驟(4)中，貼合設置有上述被覆材料之剝離片。 根據該方法，由於在步驟(4)中貼合設置有被覆材料之剝離片，故而可簡單地實施步驟(4)。因此，可降低製造成本。 [發明之效果] 根據本發明，可一面抑制元件構件之損傷，一面製造具備被覆構件及由其被覆之元件構件且可靠性優異之被覆元件構件。

於圖1中，紙面左右方向為左右方向(第1方向)，紙面左側為左側(第1方向一側)，紙面右側為右側(第1方向另一側)。於圖1中，紙面上下方向為上下方向(與第1方向正交之第2方向、厚度方向之一例)，紙面上側為上側(第2方向一側、厚度方向一側)，紙面下側為下側(第2方向另一側、厚度方向另一側)。於圖1中，紙面深度方向為前後方向(與第1方向及第2方向正交之第3方向)，紙面近前側為前側(第3方向一側)，紙面裡側為後側(第3方向另一側、長邊方向另一側)。具體而言，依據各圖之方向箭頭。 1.第1實施形態 具備該被覆元件構件1之發光裝置40(參照圖2G)之製造方法具備：準備具有光半導體元件2之元件構件3、及作為支持元件構件3之第1基材之一例之基板4的步驟(1)(參照圖1A)，配置作為第2基材之一例之保護片5之步驟(2)(參照圖1B)，將元件構件3、基板4及保護片5配置於真空下之步驟(3)(參照圖1C)，使被覆材料6以包圍元件構件3之周圍之方式接觸基板4及保護片5而形成密閉空間7之步驟(4)(參照圖1C)，及使被覆材料6流入至密閉空間7而形成被覆構件8之步驟(5)(參照圖1D)。又，該發光裝置40之製造方法進而具備：將保護片5自元件構件3剝離之步驟(7)(參照圖2F)，對被覆構件8及基板4進行切割之步驟(8)(參照圖2G)，及將發光裝置40再配置於基材片10之步驟(9)(參照圖2H)。進而，發光裝置40之製造方法於被覆材料6含有硬化性樹脂之情形時，具備使被覆材料6硬化之步驟(6)(參照圖2E)。以下，對各步驟進行說明。 1-1.步驟(1) 於步驟(1)中，如圖1A所示般，分別準備基板4、及元件構件3。 基板4具備絕緣板12、及端子13。 絕緣板12具有例如沿左右方向及前後方向延伸之大致平板形狀。具體而言，絕緣板12可列舉例如玻璃或氧化鋁、氮化鋁之陶瓷片，例如對銅板鍍敷Ag或者蒸鍍Al而獲得之金屬製引線框架等。 絕緣板12具有貫通厚度方向之貫通孔11。貫通孔11係沿左右方向及前後方向相互空出間隔而配置複數個。貫通孔11中插入有以下說明之端子13。 端子13包含導電材料，對應於貫通孔11而設置有複數個。複數個端子13各者一體地具有：填充至複數個貫通孔11各者中之導通部14、及連接於導通部14上端部之正側端子15、及連接於導通部14下端部之背側端子16。 導通部14具有於貫通孔11內沿厚度方向延伸之形狀。 正側端子15相對於絕緣板12之上表面(表面)而位於上側(正側)。正側端子15具有與下述之光半導體元件2之電極18對應之俯視形狀。 背側端子16相對於絕緣板12之下表面(背面)而位於下側(背側)。背側端子16具有大於導通部14之仰視形狀。 元件構件3具備光半導體元件2、及作為波長轉換層之一例之螢光體層17。元件構件3較佳為由光半導體元件2、及螢光體層17所構成。 光半導體元件2係例如將電能轉換為光能之LED或LD。較佳為光半導體元件2為發出藍色光之藍色LED(發光二極體元件)。另一方面，光半導體元件2不包括與光半導體元件為不同技術領域之電晶體等整流器。具體而言，光半導體元件2於上部具有包含例如GaN系化合物半導體、ZnSe系化合物半導體、InGaAs系化合物半導體、或AlInGaP系化合物半導體之發光層。發光層之峰值波長處於例如240 nm以上、560 nm以下之範圍，較佳為處於380 nm以上、470 nm以下之範圍。 光半導體元件2係如圖1A及圖3A所示般於基板4之上沿左右方向及前後方向相互空出間隔而排列配置有複數個。複數個光半導體元件2各者具有沿左右方向及前後方向之大致平板形狀。又，光半導體元件2係如圖1A所示般具有電極面19、發光面20、及周側面21。 電極面19為光半導體元件2之下表面，為設置有電極18之面。電極18係於複數個光半導體元件2各者之電極面19設置有2個。因此，光半導體元件2具有面朝下(倒裝)構造。 發光面20為光半導體元件2之上表面，相對於電極面19空出間隔而對向配置於上側。發光面20為設置並未圖示之上述發光層之面。 周側面21係將電極面19之周端緣與發光面20之周端緣連結。 光半導體元件2之厚度(高度)例如為0.1 μm以上，較佳為0.2 μm以上，又，例如為500 μm以下，較佳為200 μm以下。光半導體元件2之左右方向長度及/或前後方向長度例如為0.05 mm以上，較佳為0.1 mm以上，又，例如為3.0 mm以下，較佳為1.5 mm以下。 電極18之厚度例如為0.1 μm以上，較佳為0.5 μm以上，又，例如為100 μm以下，較佳為80 μm以下。1個光半導體元件2中鄰接之電極18間之間隔例如為5 μm以上，較佳為10 μm以上，又，例如為500 μm以下，較佳為300 μm以下。 螢光體層17具有朝向下側開放之有底角形柱狀，形成元件構件3之露出面(上表面)22、及元件構件3之周側面23。具體而言，螢光體層17具有被覆光半導體元件2之發光面20及周側面21之形狀。於螢光體層17中，被覆周側面21之部分之下表面係與電極面19之電極18以外之面形成同一平面。 螢光體層17包含螢光組合物。螢光組合物含有螢光體與樹脂。 作為螢光體，例如可列舉：黃色螢光體、紅色螢光體等。作為黃色螢光體，可列舉：例如YAG：Ce等具有石榴石型結晶構造之石榴石型螢光體、例如Ca-α-SiAlON等氮氧化物螢光體等。作為紅色螢光體，例如可列舉CaAlSiN₃ ：Eu、CaSiN₂ ：Eu等氮化物螢光體等。作為螢光體，較佳可列舉黃色螢光體，更佳可列舉石榴石型螢光體。 作為螢光體之形狀，例如可列舉：球狀、板狀、針狀等。螢光體之最大長度之平均值(於為球狀之情形時為平均粒徑)例如為0.1 μm以上，較佳為1 μm以上，又，例如為200 μm以下，較佳為100 μm以下。 螢光體可單獨使用或併用。 螢光體之調配比率相對於螢光體組合物例如為0.1質量%以上，較佳為0.5質量%以上，例如為90質量%以下，較佳為80質量%以下。 作為樹脂，例如可列舉：聚矽氧樹脂、環氧樹脂、丙烯酸系樹脂等透光性樹脂。就耐熱性、耐光性之觀點而言，較佳可列舉聚矽氧樹脂。 又，螢光組合物視需要可以無損螢光組合物之透光性之比率含有例如氧化矽、氧化鋅、氧化鈦、氧化鋯、玻璃等填料。 螢光體層17之厚度(具體而言，於被覆發光面20之部分為上下方向長度，於被覆周側面21之部分為左右方向長度或前後方向長度)例如為5 μm以上，較佳為10 μm以上，又，例如為2000 μm以下，較佳為1500 μm以下。 元件構件3之厚度(電極18之下表面與螢光體層17之露出面22之間之距離)T1例如為50 μm以上，較佳為75 μm以上，又，例如為2000 μm以下，較佳為1500 μm以下。又，於元件構件3中，除去電極18之厚度而獲得之厚度(周側面23之上下方向長度)T2例如為50 μm以上，較佳為75 μm以上，又，例如為2000 μm以下，較佳為1500 μm以下。又，元件構件3之左右方向長度及/或前後方向長度例如為0.1 mm以上，較佳為0.5 mm以上，又，例如為5.0 mm以下，較佳為2.0 mm以下。 鄰接之元件構件3之間之間隔L(前後方向及/或左右方向上之間隔L)例如為0.05 mm以上，較佳為0.1 mm以上，又，例如為1.0 mm以下，較佳為0.8 mm以下。 準備元件構件3時，例如，首先準備複數個元件構件3。繼而，依據日本專利特開2014-096491號公報、日本專利特開2014-130918號公報等所記載之方法，利用螢光體層17而被覆元件構件3之發光面20及周側面21。 其後，將複數個元件構件3安裝(倒裝安裝)於基板4。具體而言，使光半導體元件2之電極18視需要經由焊膏等接合構件(並未圖示)而電性連接於端子13之正側端子15。 1-2.步驟(2) 於步驟(1)之後實施步驟(2)。 於步驟(2)中，如圖1B所示般，將保護片5配置於元件構件3之露出面22。 保護片5係如圖3A所示般，具有沿左右方向及前後方向延伸之大致平板形狀。具體而言，保護片5於沿厚度方向投影時具有包含複數個元件構件3之大致矩形平板形狀。又，保護片5於沿厚度方向投影時具有包含於基板4之大致矩形平板形狀。即，保護片5於沿厚度方向投影時，具有可劃分出不與基板4重疊之區域的形狀。具體而言，保護片5具有與複數個元件構件3配置之區域相比同樣或較大之尺寸，且具有小於基板4之尺寸。 保護片5係用以於下述之步驟(5)(參照圖1D)中使被覆材料6不被覆元件構件3之露出面22而使露出面22自被覆材料6露出的片。保護片5係對於元件構件3能夠剝離之感壓接著片。 保護片5具備感壓接著層51、與支持感壓接著層51之支持片52。 感壓接著層51例如由感壓接著劑而形成為大致平板形狀。 作為感壓接著劑，例如可列舉藉由處理(具體而言，活性能量射線之照射等)而感壓接著力降低之感壓接著劑。 作為此種感壓接著劑，例如可列舉導入有碳-碳雙鍵之樹脂組合物等。樹脂組合物可列舉具有碳-碳雙鍵之聚合物。 此種聚合物例如藉由以下方法而製備。 即，例如使含有主乙烯基單體與具有第1官能基之副乙烯基單體之單體成分以第1官能基不消失之方式進行共聚合，而製備具有第1官能基之前驅物聚合物。另行準備具有可與第1官能基發生反應之第2官能基、及碳-雙鍵之化合物。其後，對前驅物聚合物調配該化合物，而使第1官能基與第2官能基發生反應。 作為第1官能基與第2官能基之組合，例如可列舉羥基與異氰酸酯基之組合等。作為第1官能基，較佳可列舉羥基。作為第2官能基，較佳可列舉異氰酸酯基。 作為主單體，例如可列舉：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸第二丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸異戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯(2EHA/2EHMA)、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸異壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸異癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯、(甲基)丙烯酸十五烷基酯、(甲基)丙烯酸十六烷基酯、(甲基)丙烯酸十七烷基酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯、(甲基)丙烯酸十九烷基酯、(甲基)丙烯酸二十烷基酯等烷基部分之碳數為1～20之(甲基)丙烯酸烷基酯。較佳可列舉丙烯酸2-乙基己酯(2EHA)。該等可單獨使用或併用。主單體於單體成分中之調配比率例如為70質量%以上，較佳為90質量%以上，又，例如為99質量%以下。 副乙烯基單體為可與主乙烯基單體進行共聚合之乙烯基單體。作為副乙烯基單體，例如可列舉含羧基單體、含環氧基單體、含羥基單體、含異氰酸酯基單體等，較佳可列舉含羥基單體。 作為含羥基單體，例如可列舉：(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯(2-HEA/HEMA)、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丁酯等(甲基)丙烯酸羥基烷基酯等。較佳可列舉丙烯酸2-羥基乙酯(2-HEA)。該等可單獨使用或併用。副乙烯基單體於單體成分中之調配比率例如為30質量%以下，又，例如為1質量%以上。 作為化合物，可列舉含異氰酸酯基之化合物，具體而言，可列舉：(甲基)丙烯醯基異氰酸酯、2-(甲基)丙烯醯氧基乙基異氰酸酯、間異丙烯基-α,α-二甲基苄基異氰酸酯等含異氰酸酯基之乙烯基單體。較佳可列舉甲基丙烯醯氧基乙基異氰酸酯。 化合物之調配比率係以聚合物中之雙鍵之導入量成為例如0.01毫莫耳/g以上、較佳為0.2毫莫耳/g以上，又，成為例如10.0毫莫耳/g以下、較佳為5.0毫莫耳/g以下之方式進行調整。 為了製備前驅物聚合物，使上述之單體成分以上述比率於聚合起始劑之存在下例如進行溶液聚合。 作為聚合起始劑，例如可列舉：過氧化物、過硫酸鹽、氧化還原系起始劑等。該等可單獨使用或併用。較佳可列舉過氧化物。作為過氧化物，例如可列舉：過氧化二醯基、過氧酯、過氧化二碳酸酯、單過氧化碳酸酯、過氧縮酮、過氧化二烷基、過氧化氫、過氧化酮等，較佳可列舉過氧化二醯基。 作為過氧化二醯基，例如可列舉：過氧化二苯甲醯(BPO)、過氧化二(對硝基苯甲醯)、過氧化二(對氯苯甲醯)、過氧化二(3,5,5-三甲基己醯)、過氧化二正辛醯、過氧化二癸醯、過氧化二月桂醯等。較佳可列舉過氧化二苯甲醯(BPO)。 聚合起始劑之調配比率相對於單體成分100質量份例如為0.005質量份以上，例如為1質量份以下。 又，於溶液聚合中，使用聚合溶劑。作為聚合溶劑，可列舉：例如甲苯、二甲苯等芳香族烴、例如己烷等脂肪族烴等。較佳可列舉芳香族烴。 然後，使含有主乙烯基單體與副乙烯基單體之單體成分以副乙烯基單體之第1官能基不消失之方式進行共聚合，而製備具有第1官能基之前驅物聚合物。 繼而，對前驅物聚合物調配上述之化合物。較佳為對含有羥基之前驅物聚合物調配含異氰酸酯基之化合物，使羥基與異氰酸酯基發生反應，而形成胺基甲酸酯鍵。然後，對所獲得之聚合物導入化合物所具有之碳-碳雙鍵。 其後，對聚合物調配光聚合起始劑。 光聚合起始劑係用以於下述之步驟(7)(參照圖2F)中於對感壓接著層51照射活性能量射線時產生自由基而使導入至樹脂組合物中之碳-碳雙鍵相互反應之光聚合觸媒。光聚合起始劑之10小時半衰期溫度例如為20℃以上、較佳為50℃以上，又，例如為107℃以下、較佳為100℃以下。 作為光聚合起始劑，例如可列舉：縮酮系光聚合起始劑、苯乙酮系光聚合起始劑、安息香醚系光聚合起始劑、醯基氧化膦系光聚合起始劑、α-酮醇系光聚合起始劑、芳香族磺醯氯系光聚合起始劑、光活性肟系光聚合起始劑、安息香系光聚合起始劑、苯偶醯系光聚合起始劑、二苯甲酮系光聚合起始劑、9-氧硫 系光聚合起始劑等。該等可單獨使用或併用。較佳可列舉9-氧硫 系光聚合起始劑。作為9-氧硫 系光聚合起始劑，例如可列舉：1-[4-(2-羥基乙氧基)-苯基]-2-羥基-2-甲基-1-丙烷-1-酮、2-羥基-1-{4-[4-(2-羥基-2-甲基-丙醯基)-苄基]苯基}-2-甲基-丙烷-1-酮。較佳可列舉2-羥基-1-{4-[4-(2-羥基-2-甲基-丙醯基)-苄基]苯基}-2-甲基-丙烷-1-酮。 光聚合起始劑之調配比率相對於聚合物100質量份例如為0.1質量份以上、較佳為0.5質量份以上，又，例如為10質量份以下、較佳為5質量份以下。 又，於聚合物中，可以適當比率調配交聯劑等添加劑。作為交聯劑，例如可列舉：異氰酸酯系交聯劑、環氧系交聯劑、唑啉系交聯劑、氮丙啶系交聯劑、三聚氰胺系交聯劑、過氧化物系交聯劑、脲系交聯劑、金屬烷氧化物系交聯劑、金屬螯合物系交聯劑、金屬鹽系交聯劑、碳二醯亞胺系交聯劑、胺系交聯劑等。較佳可列舉異氰酸酯系交聯劑。 為了形成感壓接著層51，而對支持片52之表面塗佈感壓接著劑，其後使之乾燥。 作為支持片52，可列舉例如聚乙烯膜、聚酯膜(PET等)等聚合物膜、例如陶瓷片、例如金屬箔等。支持片52之厚度例如為80 μm以上、較佳為110 μm以上、更佳為125 μm以上，又，例如為300 μm以下、較佳為250 μm以下。 乾燥溫度例如為40℃以上、較佳為60℃以上，又，例如為150℃以下、較佳為130℃以下。乾燥溫度例如為5分鐘以下。 其後，視需要使感壓接著劑老化。老化溫度例如為25℃以上、較佳為40℃以上，又，例如為70℃以下、較佳為60℃以下。老化時間例如為10小時以上，又，例如為120小時以下。 藉此，獲得具備感壓接著層51、及配置於感壓接著層51之上表面之支持片52的保護片5。 保護片5於圖1D所示之步驟(5)中實質上不變形、或具有不被覆周側面23之程度之剛性及韌性。具體而言，保護片5於25℃下之拉伸彈性模數例如為250 MPa以上、較佳為500 MPa以上、更佳為1000 MPa以上，又，例如為20,000 MPa以下。 其後，使保護片5貼合於元件構件3。具體而言，使感壓接著層51貼合於露出面22。藉此，元件構件3之露出面22被保護片5感壓接著，而被保護。 另一方面，保護片5之下表面與基板4之上表面沿厚度方向空出間隔。保護片5之下表面與基板4之上表面之間隔T3例如為50 μm以上、較佳為75 μm以上、更佳為100 μm以上，又，例如為2000 μm以下。 1-3.步驟(3) 於步驟(2)之後實施步驟(3)。 於步驟(3)中，如圖1C所示般，將元件構件3、基板4及保護片5配置於真空下。例如，將元件構件3、基板4及保護片5配置於真空裝置27中。 真空裝置27具備真空腔室28、真空管線29、真空泵30、真空閥31、大氣管線32、大氣閥33、及載置台(並未圖示)。 真空腔室28為能夠收容元件構件3、基板4及保護片5之密閉容器。 真空管線29之一端(吸引方向上游側端)連接於真空腔室28，真空管線29之另一端(吸引方向下流側端)連接於真空泵30。 真空泵30係以經由真空管線29連通於真空腔室28內之空間之方式構成。 真空閥31介置於真空管線29之中途。 大氣管線32處於真空管線29之中途，具體而言，為於真空管線29中自真空腔室28及真空閥31之間之部分分支出之管線，以一端對大氣開放之方式構成。 大氣閥33介置於大氣管線32之中途。 並未圖示之載置台收容於真空腔室28內，具有大致板形。又，載置台具有吸附機構等固定構件，藉此以吸附(固定)於基板4之下表面之方式構成。 然後，將元件構件3、基板4及保護片5配置於真空腔室28內，並使真空腔室28之氣壓成為真空壓。 具體而言，首先將真空閥31及大氣閥33開放。藉此，真空泵30與大氣管線32連通。於該狀態下，使真空泵30作動。其後，將元件構件3、基板4及保護片5以基板4固定於載置台(並未圖示)之方式設置於真空腔室28內，繼而將真空腔室28內之空間(腔室空間)34內密閉。 其後，關閉大氣閥33。藉此，真空泵30經由真空閥31與腔室空間34連通。如此，腔室空間34之氣壓成為真空。具體而言，關於腔室空間34之氣壓(真空壓)，就使被覆材料6順利地流入至密閉空間7中之觀點而言，例如為1.0×10^-2 MPa以下，就更有效地抑制產生孔隙之觀點而言，較佳為5.0×10^-3 MPa以下，更佳為1.0×10^-3 MPa以下，又，例如為1.0×10^-5 MPa以上，較佳為1.0×10^-4 MPa以上。 1-4.步驟(4) 於步驟(3)之後實施步驟(4)。 於步驟(4)中，如圖1C及圖3B所示般，使被覆材料6以包圍複數個元件構件3之周圍之方式接觸基板4及保護片5，而形成密閉空間7。 被覆材料6包含於常溫(25℃)下具有流動性之被覆組合物。 被覆組合物例如含有光反射性成分及/或光吸收性成分、與樹脂。 作為光反射性成分，可列舉例如選自由Ti、Zr、Nb、Al所組成之群中之1種之氧化物、例如AlN及/或MgF等之粒子(光反射性粒子)。具體而言，作為光反射性成分，為選自由TiO₂ 、ZrO₂ 、Nb₂ O₅ 、Al₂ O₃ 、MgF、AlN、SiO₂ 所組成之群中之至少1種。就確保較高光反射性之觀點而言，較佳可列舉TiO₂ 、ZrO₂ 、Nb₂ O₅ 、Al₂ O₃ 。 光反射性粒子之平均粒徑例如為0.1 μm以上、較佳為0.15 μm以上，又，例如為80 μm以下、較佳為50 μm以下。 光反射性成分之調配比率相對於被覆組合物例如為5質量%以上、較佳為70質量%以下。若光反射性成分之調配比率為上述下限以上，則可確保充分之光反射性。若光反射性成分之調配比率為上述上限以下，則可確保充分之流動性。 作為光吸收性成分，例如可列舉顏料、染料等，就光吸收性之觀點而言，較佳可列舉碳等之光吸收性粒子。光吸收性粒子之平均粒徑例如為0.01 μm以上、較佳為0.015 μm以上，又，例如為0.1 μm以下、較佳為0.05 μm以下。 光吸收性成分之調配比率相對於被覆組合物例如為0.1質量%以上，例如為10質量%以下。 作為樹脂，可列舉：例如熱塑性樹脂、例如熱硬化性樹脂、活性能量射線硬化性樹脂等硬化性樹脂，較佳可列舉硬化性樹脂，更佳為就耐熱性之觀點而言，較佳可列舉熱硬化性樹脂。 作為熱硬化性樹脂，例如可列舉聚矽氧樹脂、環氧樹脂、丙烯酸系樹脂等。就耐光性之觀點而言，較佳可列舉聚矽氧樹脂。作為聚矽氧樹脂，例如可列舉日本專利特開2015-073084號公報所揭示者。 樹脂之調配比率相對於被覆組合物例如為20質量%以上、較佳為30質量%以上，又，例如為95質量%以下、較佳為90質量%以下。又，光反射性成分相對於樹脂100質量份之調配比率例如為3質量份以上、較佳為5質量份以上，又，例如為50質量份以下、較佳為40質量份以下，又，光吸收性成分相對於樹脂100質量份之調配比率例如為0.1質量份以上、較佳為0.5質量份以上，又，例如為30質量份以下、較佳為25質量份以下。 又，被覆組合物可以適當之比率調配例如氧化矽、玻璃等無機填料。進而，被覆組合物亦可以適當之比率調配例如Ag、Cu等金屬材料、或金剛石、AlN等。 為了製備被覆組合物，而將上述各成分以上述比率進行調配並混合。 被覆組合物於常溫(25℃)下之黏度例如為1 Pa・s以上、較佳為2 Pa・s以上，又，例如為50 Pa・s以下、較佳為40 Pa・s以下。被覆組合物之黏度係利用E型黏度計進行測定。 若被覆組合物之黏度為上述下限以上，則可抑制光反射性成分及/或光吸收性成分發生沈澱。若被覆組合物之黏度為上述上限以下，則可抑制孔隙(下述)之產生。 為了使被覆材料6以包圍複數個元件構件3之周圍之方式接觸基板4及保護片5，例如利用真空注入裝置(真空分注器)39、真空印刷機、繪圖裝置等塗佈裝置將被覆材料6塗佈於保護片5之周端緣之下表面、與和其對向之基板4之上表面之間。較佳為使用真空分注器39塗佈被覆材料6。真空分注器39具備沿上下方向延伸且隨著向下而截面面積變小之噴嘴41、及連接於噴嘴41之儲罐(並未圖示)。 再者，上述塗佈裝置係預先組入至上述真空裝置27中，具體而言，設置於真空腔室28內。又，以使被覆材料6如圖1C及圖3B(影線部分)所示般於配置元件構件3之區域之周圍形成俯視大致矩形框(邊框)形狀之方式塗佈被覆材料6。被覆材料6所具有之框(邊框)形狀為沿保護片5之周方向於中途不中斷之連續形狀。 又，被覆材料6具有自絕緣板12之上表面向上隆起之截面形狀。 被覆材料6之塗佈量係設定為與以下說明之密閉空間7之體積相比相同或較大之體積，具體而言，以體積基準計相對於密閉空間7之體積例如為100%以上、較佳為110%以上、更佳為120%以上，又，例如為200%以下。 由被覆材料6所密閉之空間形成密閉空間7。 密閉空間7係由被覆材料6、保護片5、基板4、及元件構件3所劃分出之空間。密閉空間7之厚度(上下方向長度)T3係與上述保護片5之下表面和基板4之上表面之間隔T3相同。密閉空間7之體積係根據密閉空間7之厚度T3及元件構件3之數量而適當設定。 密閉空間7之氣壓係與腔室空間34之上述氣壓相同。 1-5.步驟(5) 於步驟(4)之後實施步驟(5)。 於步驟(5)中，如圖1D所示般，使腔室空間34(密閉空間7之外側之腔室空間34)之氣壓恢復至大氣壓。 具體而言，首先關閉真空閥31，其後開放大氣閥33。 藉此，腔室空間34經由大氣管線32而對大氣開放。如此，大氣經由大氣管線32瞬間流入至腔室空間34，因此腔室空間34之氣壓恢復至大氣壓。 另一方面，密閉空間7之氣壓保持真空壓。因此，密閉空間7之氣壓低於腔室空間34之氣壓。即，於密閉空間7及腔室空間34中產生差壓。差壓為腔室空間34之氣壓減去密閉空間7之氣壓而獲得之壓力差([腔室空間34之氣壓]－[密閉空間7之氣壓])，具體而言，例如為0.095 MPa以上、較佳為0.096 MPa以上、更佳為0.097 MPa以上，又，例如為0.1 MPa以下。 若產生上述差壓，則如圖1D及圖3C所示般，被覆材料6流入至密閉空間7中，使密閉空間7由被覆材料6所填充。 另一方面，即便產生上述差壓，基板4係固定於載置台，又，保護片5具有上述物性(硬度、材料、拉伸彈性模數等)，因此基板4及保護片5均不實質上發生變形。具體而言，絕緣板12及保護片5並不進入鄰接之元件構件3之間，不會妨礙被覆材料6被覆周側面23。 藉此，形成與密閉空間7具有相同形狀且包含被覆材料6之被覆構件8。 其後，將元件構件3、基板4、保護片5及被覆材料6自真空腔室28中取出。 1-6.步驟(6) 於步驟(5)之後實施步驟(6)。 於步驟(6)中，如圖2E所示般，於被覆材料6含有硬化性樹脂之情形時，使硬化性樹脂硬化。若硬化性樹脂為熱硬化性樹脂，則對被覆材料6進行加熱。若硬化性樹脂為活性能量射線硬化性樹脂，則例如對被覆材料6照射紫外線等活性能量射線。 藉此，被覆材料6失去流動性而成為固形狀，形成具有與密閉空間7相同形狀之被覆構件8。 1-7.步驟(7) 於步驟(6)之後實施步驟(7)。 於步驟(7)中，如圖2F所示般，將保護片5自元件構件3剝離。 具體而言，首先對保護片5照射上述活性能量射線，而使保護片5之感壓接著力降低。繼而，將保護片5自元件構件3之露出面22、及被覆構件8之上表面剝離。 藉此，元件構件3之露出面22、與被覆構件8之上表面成為向上側露出之露出面。被覆構件8之上表面係與元件構件3之露出面22形成為同一平面。 藉此，獲得具備1個基板4、複數個元件構件3、及1個被覆構件8之發光裝置集合體36。 發光裝置集合體36為產業上可利用之器件，較佳為由1個基板4、複數個元件構件3、及1個被覆構件8所構成。 又，被覆元件構件集合體38具備複數個元件構件3、及1個被覆構件8。即，被覆元件構件集合體38係於基板4之上具備複數個元件構件3、及1個被覆構件8。被覆元件構件集合體38較佳為由複數個元件構件3、及1個被覆構件8所構成。 1-8.步驟(8) 於步驟(8)中，如圖2G所示般，切割被覆構件8及基板4。即，將被覆構件8及基板4以與複數個元件構件3之各者對應之方式進行單片化。具體而言，利用切割機37等切割裝置將被覆構件8及絕緣板12沿厚度方向進行切割。 藉此，獲得具備1個基板4、1個元件構件3、及1個被覆構件8之發光裝置40。又，發光裝置40具備1個基板4、及1個被覆元件構件1。被覆元件構件1係以光半導體元件2與端子13進行電性連接之狀態配置(安裝)於基板4之上。 1-9.步驟(9) 於步驟(8)之後實施步驟(9)。 於步驟(9)中，如圖2H所示般，將發光裝置40再配置於基材片10。 具體而言，將背側端子16以複數個發光裝置40沿左右方向及前後方向空出間隔之方式載置於基材片10之上表面。 基材片10例如由感壓接著劑等形成為沿左右方向及前後方向延伸之大致平板形狀。 藉此，獲得背側端子16受基材片10保護之複數個發光裝置40。發光裝置40較佳為由1個基板4、及1個被覆元件構件1所構成。 1-10.第1實施形態之作用效果 然後，根據該方法，於步驟(4)中，如圖1C及圖3B所示般，使密閉空間7及腔室空間34之氣壓均為真空下，於步驟(5)中，若如圖1D及圖3C所示般使腔室空間34之氣壓恢復至大氣壓，則密閉空間7具有低於大氣壓之氣壓。即，密閉空間7與腔室空間34之間產生差壓。因此，具有流動性之被覆材料6迅速地流入至密閉空間7。即，密閉空間7迅速地由被覆材料6所填充。因此，可由被覆材料6迅速地形成具有與密閉空間7對應之形狀之被覆構件8。而且，若利用差壓使被覆材料6流入至密閉空間7，則與利用壓機之壓製壓相比，可使對元件構件3施加之力變得均勻。即，若利用壓機之壓製壓，則對元件構件3所施加之力容易變得不均勻，而容易於被覆構件8上產生孔隙。 但是，根據該方法，可一面抑制元件構件3之損傷，一面以短時間製造具備被覆構件8及由其被覆之元件構件3、可靠性優異之被覆元件構件1、以及被覆元件構件1的可靠性優異之發光裝置40。 又，根據該方法，如圖1B所示般，使保護片5接觸元件構件3，因此可使元件構件3自被覆構件8露出。 因此，可防止具有光半導體元件2之元件構件3之發光特性受被覆材料6所妨礙。 又，根據該方法，若被覆材料6含有光反射性成分及/或光吸收性成分，則被覆構件8將由光半導體元件2發出之光反射及/或吸收，而可形成具有所需光學特性之光。 又，元件構件3自被覆構件8露出，因此被覆構件8可防止具有光半導體元件2之元件構件3之發光特性(正面發光特性)受被覆材料6之光反射性及/或光吸收性所妨礙。 又，根據該方法，保護片5為對於元件構件3能夠剝離之感壓接著片，因此如圖2F所示般，於步驟(7)中，將保護片5自元件構件3剝離，可使元件構件3之露出面22確實地露出。 又，根據該方法，可使螢光體層17之露出面22自被覆構件8露出。因此，可利用螢光體層17將自光半導體元件2發出之光之波長進行轉換，而製造發光強度優異之被覆元件構件1、以及發光強度優異之發光裝置40。 又，根據該方法，於步驟(6)中，若如圖2E所示般使硬化性樹脂完全硬化，則可製造可靠性優異之被覆元件構件1、以及可靠性優異之發光裝置40。 又，根據該方法，如圖1C及圖3B所示般，塗佈被覆材料6，因此可簡單地實施步驟(4)。因此，可降低製造成本。 1-11.第1實施形態之變化例 於步驟(3)中，如圖1C所示般，將元件構件3、基板4及保護片5配置於真空下，關於真空之程度，於步驟(5)中，如圖1D所示般，使密閉空間7與腔室空間34之間產生差壓即可，亦可將元件構件3、基板4及保護片5單純地配置於減壓下。即，於步驟(5)中，若作為腔室空間34與密閉空間7之氣壓之壓力差的差壓例如為0.095 MPa以上、較佳為0.096 MPa以上，則可發揮出本發明之作用效果。 2.第2實施形態 於第2實施形態中，對於與第1實施形態相同之構件及步驟隨附相同之參照符號，並省略其詳細說明。 第2實施形態之被覆元件構件1之製造方法具備：準備具有光半導體元件2之元件構件3、及作為支持元件構件3之第1基材之一例之暫時固定片42及載體43的步驟(1)(參照圖4A)，配置保護片5之步驟(2)(參照圖4B)，將元件構件3、暫時固定片42、載體43及保護片5配置於真空下之步驟(3)(參照圖4C)，使被覆材料6以包圍元件構件3之周圍之方式接觸基板4及保護片5而形成密閉空間7的步驟(4)(參照圖4D)，及使被覆材料6流入至密閉空間7而形成被覆構件8的步驟(5)(參照圖5E)。又，該被覆元件構件1之製造方法進而具備：將載體43自暫時固定片42剝離之步驟，及將暫時固定片42自被覆元件構件集合體38剝離之步驟(10)(參照圖5F)，將切割片44貼附於被覆元件構件集合體38之步驟(11)(參照圖5G)，將保護片5自元件構件3剝離之步驟(7)(參照圖5G)，對被覆構件8進行切割之步驟(8)(參照圖5H)，及將被覆元件構件1自切割片44剝離之步驟(12)(參照圖5H)。進而，被覆元件構件1之製造方法於被覆材料6含有硬化性樹脂之情形時，具備使被覆材料6硬化之步驟(6)(參照圖5F)。 2-1.步驟(1) 暫時固定片42係用以將複數個元件構件3暫時固定之感壓接著劑層，例如由感壓接著劑形成為沿左右方向及前後方向延伸之大致平板形狀。作為感壓接著劑，可列舉例如藉由第1實施形態中例示之處理而感壓接著力降低之感壓接著劑。暫時固定片42之厚度例如為5 μm以上、較佳為10 μm以上，又，例如為200 μm以下、較佳為150 μm以下。又，暫時固定片42具有於圖5E所示之步驟(5)中不會自載體43剝離之程度之感壓接著力。暫時固定片42對載體43之感壓接著力例如為0.05 N/20 mm以上、較佳為0.08 N/20 mm以上、更佳為0.10 N/20 mm以上，又，例如為3 N/20 mm以下。 載體43係用以支持暫時固定片42之板，具有沿左右方向及前後方向延伸之大致平板形狀。載體43配置於暫時固定片42之下表面。載體43包含例如不鏽鋼等金屬。載體43之厚度例如為0.05 mm以上、較佳為0.1 mm以上，又，例如為5 mm以下、較佳為3 mm以下。 電極18係埋設於暫時固定片42。 於暫時固定片42之上，鄰接之元件構件3間之間隔例如為0.01 mm以上、較佳為0.02 mm以上，又，例如為5 mm以下、較佳為3 mm以下。 2-2.步驟(3) 於步驟(3)中，如圖4C所示般，使上述元件構件3、暫時固定片42、載體43及保護片5上下反轉後，將該等以載體43被固定於載置台之方式設置於真空腔室28內。 2-3.步驟(4) 於步驟(4)中，如圖4D所示般，於真空腔室28內，使被覆材料6以包圍複數個元件構件3之周圍之方式接觸暫時固定片42及保護片5，而形成密閉空間7。 於步驟(4)中，首先如圖4D及圖6所示般，將被覆材料6於剝離片26之表面以俯視大致矩形框(邊框)形狀之圖案進行配置。 作為剝離片26，可列舉：例如聚乙烯膜、聚酯膜(PET(polyethylene terephthalate，聚對苯二甲酸乙二酯)等)等聚合物膜、例如金屬箔等。剝離片26之厚度例如為1 μm以上、較佳為10 μm以上，又，例如為2,000 μm以下、較佳為1,000 μm以下。 再者，剝離片26例如被固定於設置在真空腔室28內之另外之載置台等。 被覆材料6係以在對保護片5及暫時固定片42沿厚度方向投影時被覆材料6之寬度方向中央部分位於保護片5之周端緣與暫時固定片42之周端緣之間、或者位於保護片5之周端緣之附近的圖案進行配置。 再者，被覆材料6於圖4C所示之步驟(3)中係與元件構件3、暫時固定片42、載體43及保護片5一併設置於真空腔室28內。 為了將被覆材料6配置於剝離片26之表面，例如使用上述塗佈裝置，較佳為使用繪圖裝置。於使用繪圖裝置之情形時，例如利用繪圖裝置所具備之噴嘴(並未圖示)例如單筆繪製上述圖案。 被覆材料6之寬度(線寬)W例如為0.5 mm以上、較佳為1 mm以上，又，例如為15 mm以下、較佳為10 mm以下。 其後，如圖4D所示般，將設置有被覆材料6之剝離片26對保護片5進行貼合。具體而言，使剝離片26之表面接觸保護片5之下表面。詳細而言，提拉剝離片26、或者提拉保護片5。 藉此，被覆材料6越過保護片5之周端緣之側面而於保護片5之周端緣之上表面與和其對向之暫時固定片42之下表面之間進行移動。 藉此，形成由被覆材料6、保護片5、暫時固定片42、及元件構件3所劃分出之密閉空間7。 2-4.步驟(5) 於步驟(5)中，如圖5E所示般，被覆材料6填充密閉空間7，而形成與密閉空間7對應之被覆構件8。 被覆構件8係與自元件構件3露出之暫時固定片42之下表面、自元件構件3露出之保護片5之上表面、及元件構件3之周側面23接觸。 其後，將元件構件3、暫時固定片42、載體43、被覆構件8、保護片5及剝離片26自真空腔室28中取出。 2-5.步驟(10) 於步驟(10)中，如圖5F所示般，首先將載體43自暫時固定片42剝離，繼而對於剝離片26，將暫時固定片42自被覆元件構件集合體38剝離。 2-6.步驟(11) 於步驟(11)中，首先準備切割片44。 其後，如圖5G所示般，將切割片44自下方朝向被覆元件構件集合體38之下表面進行貼合。具體而言，由切割片44被覆被覆元件構件集合體38之電極面19、螢光體層17之下表面、及被覆構件8之下表面。切割片44係埋設電極18。 2-7.步驟(7) 於步驟(7)中，將剝離片26自保護片5剝離，繼而如以圖5G之箭頭所示般，將保護片5自元件構件3剝離。 2-8.步驟(8) 於步驟(8)中，如圖5H所示般，不對切割片44進行切割而僅對被覆構件8進行切割。 藉此，於由切割片44所支持之狀態下獲得具備1個元件構件3、及1個被覆構件8之被覆元件構件1。 2-9.步驟(12) 於步驟(12)中，如圖5H之箭頭所示般，將被覆元件構件1自切割片44剝離。即，將被覆元件構件1自切割片44提拉。 藉此，獲得具備1個元件構件3及1個被覆構件8之被覆元件構件1。被覆元件構件1為產業上可利用之器件，較佳為由1個元件構件3及1個被覆構件8所構成。 2-10.安裝步驟(13) 其後，於安裝步驟(13)中，如圖5I所示般，將被覆元件構件1安裝於基板4。藉此，獲得具備1個基板4及1個被覆元件構件1之發光裝置40。 發光裝置40較佳為由1個基板4及1個被覆元件構件1所構成。 再者，基板4具備絕緣板12、及設置於絕緣板12之端子(圖5I中未圖示，參照圖1A)。 2-11.第2實施形態之作用效果 藉由第2實施形態亦可實現與第1實施形態相同之作用效果。 又，根據第2實施形態，如圖4C及圖4D所示般，將設置有被覆材料6之剝離片26對保護片5進行貼合，因此可簡單地實施步驟(4)。因此，可降低製造成本。 3.第3實施形態 於第3實施形態中，針對與第1實施形態及第2實施形態相同之構件及步驟隨附相同之參照符號，並省略其詳細說明。 於第1實施形態中，如圖1A所示般，螢光體層17被覆元件構件3之周側面21及發光面20，但於第3實施形態中，如圖7A所示般，螢光體層17僅被覆元件構件3之發光面20。 第3實施形態之發光裝置40之製造方法具備：準備具有光半導體元件2及螢光體層17之元件構件3、及支持元件構件3之基板4的步驟(1)(參照圖7A)，配置保護片5之步驟(2)(參照圖7B)，將元件構件3、基板4及保護片5配置於真空下之步驟(3)(參照圖7C)，使被覆材料6以包圍元件構件3之周圍之方式接觸基板4及保護片5而形成密閉空間7的步驟(4)(參照圖7D)，及使被覆材料6流入至密閉空間7而形成被覆構件8之步驟(5)(參照圖8E)。又，該發光裝置40之製造方法進而具備：將保護片5自元件構件3剝離之步驟(7)(參照圖8F)，對被覆構件8及基板4進行切割之步驟(8)(參照圖8G)，及將發光裝置40再配置於基材片10之步驟(9)(參照圖8H)。進而，發光裝置40之製造方法於被覆材料6含有硬化性樹脂之情形時，具備使被覆材料6硬化之步驟(6)(參照圖8F)。 3-1.步驟(1) 於步驟(1)中，如圖7A所示般，於元件構件3中，螢光體層17係露出光半導體元件2之周側面21，且被覆發光面20。螢光體層17之周側面23、及光半導體元件2之周側面21一併形成元件構件3之周側面。 3-2.第3實施形態之作用效果 藉由第3實施形態亦可實現與第1實施形態相同之作用效果。 3-3.第3實施形態之變化例 於該變化例中，將保護片5剝離(參照圖8F)後，進而設置第2螢光體層57(參照圖9A)。 於該變化例中，如圖9A所示般，於圖8F所示之步驟(7)之後，將第2螢光體層57設置於光半導體元件2之上表面。 具體而言，將第2螢光體層57形成於螢光體層17之露出面22、及被覆構件8之上表面。 藉此，於安裝於基板4之狀態下獲得具備複數個元件構件3(光半導體元件2及螢光體層17)、1個被覆構件8、及1個第2螢光體層57之被覆元件構件集合體38。 於步驟(8)中，如圖9B所示般，對第2螢光體層57、被覆構件8及基板4進行切割。 藉此，獲得具備1個基板4、1個元件構件3(1個光半導體元件2及1個螢光體層17)、1個被覆構件8、及1個第2螢光體層57之發光裝置40。 4.第4實施形態 於第4實施形態中，針對與第1實施形態～第3實施形態相同之構件及步驟隨附相同之參照符號，並省略其詳細說明。 於第2實施形態中，如圖4A所示般，於元件構件3具備螢光體層17，但於第4實施形態中，如圖10A所示般，不具備螢光體層17而構成元件構件3。 第4實施形態之被覆元件構件1之製造方法具備：準備僅具有光半導體元件2之元件構件3、支持元件構件3之暫時固定片42及載體43的步驟(1)(參照圖10A)，配置保護片5之步驟(2)(參照圖10B)，將元件構件3、暫時固定片42、載體43及保護片5配置於真空下之步驟(3)(參照圖10C)，使被覆材料6以包圍元件構件3之周圍之方式接觸暫時固定片42及保護片5而形成密閉空間7的步驟(4)(參照圖10D)，及使被覆材料6流入至密閉空間7而形成被覆構件8之步驟(5)(參照圖11E)。又，該被覆元件構件1之製造方法進而具備：將保護片5自元件構件3剝離之步驟(7)(參照圖11F)，對被覆構件8進行切割之步驟(8)(參照圖11G)，及將被覆元件構件1再配置於基材片10之步驟(9)(參照圖11H)。進而，發光裝置40之製造方法於被覆材料6含有硬化性樹脂之情形時，具備使被覆材料6硬化之步驟(6)(參照圖11F)。 4-1.步驟(1) 於步驟(1)中，準備由光半導體元件2所構成之元件構件3。 4-2.第4實施形態之作用效果 藉由第4實施形態亦可實現與第1～3實施形態相同之作用效果。 4-3.第4實施形態之變化例 於第4實施形態中，於元件構件3僅具備光半導體元件2，但如圖12A～圖12C所示般，形成被覆構件8，繼而將保護片5剝離(參照圖11F)後，設置螢光體層17(參照圖12A)，藉此亦可於元件構件3上具備光半導體元件2及螢光體層17。 於該變化例中，如圖12A所示般，於圖11F所示之步驟(7)之後，將螢光體層17設置於光半導體元件2之上表面。 具體而言，將螢光體層17形成於光半導體元件2之發光面20、及被覆構件8之上表面。 進而，於第4實施形態中，使作為第2基材之一例之保護片5接觸元件構件3，但如圖13A～圖14D所示般，亦可使作為第2基材之一例之間隔板45與元件構件3空出間隔而配置。 如圖13A所示般，於被覆部形成構件46具備間隔板45。被覆部形成構件46具備間隔板45、及隔離件47。 間隔板45例如包含金屬等硬質材料，具有沿左右方向及前後方向延伸之大致平板形狀。間隔板45於俯視下具有與載體43大致相同之尺寸。 間隔板45具有貫通厚度方向之狹縫48。狹縫48係於步驟(4)(參照圖13C)中以容許被覆材料6於厚度方向通過之方式構成之開口部。狹縫48形成於沿厚度方向投影時包含於欲塗佈被覆材料6之區域的位置。 隔離件47為沿上下方向延伸之構件，設置於載體43之周端部之上表面與間隔板45之周端部之下表面之間。隔離件47具有於步驟(4)(參照圖13C)中使間隔板45與光半導體元件2空出間隔之上下方向長度。 於步驟(2)中，如圖13C所示般，將設置有被覆材料6之剝離片26貼合於間隔板45。藉此，被覆材料6沿厚度方向通過狹縫48而到達暫時固定片42。藉此，形成密閉空間7。 於步驟(3)中，密閉空間7為由被覆材料6、間隔板45、基板4、及元件構件3所劃分出之空間。 於步驟(4)中，如圖14D所示般，被覆構件8係被覆光半導體元件2之發光面20。 於步驟(7)中，如圖14E所示般，將間隔板45自被覆構件8剝離。 如圖14F所示般，被覆元件構件1具備光半導體元件2(元件構件3)、與被覆光半導體元件2之發光面20及周側面21之被覆構件8。 藉由該變化例亦可實現與上述同樣之作用效果。 另一方面，如第4實施形態般，若如圖10B所示般使保護片5接觸元件構件3，則如圖11F及圖11G所示般，可使元件構件3之發光面20自被覆構件8露出，因此即便被覆材料6具有光反射性及/或光吸收性，亦可防止妨礙具有光半導體元件2之元件構件3之發光特性(正面發光特性)之情況。 5.第5實施形態 於第5實施形態中，針對與第1實施形態～第4實施形態相同之構件及步驟隨附相同之參照符號，並省略其詳細說明。 於第5實施形態中，如圖15A所示般，於複數個元件構件3中設置共用之螢光體層17，其後如圖15B所示般，對螢光體層17進行切割。 第5實施形態之被覆元件構件1之製造方法具備：準備元件構件3、支持元件構件3之暫時固定片42及載體43的步驟(1)(參照圖15A及15B)，配置保護片5之步驟(2)(參照圖15C)，將元件構件3、暫時固定片42、載體43及保護片5配置於真空下之步驟(3)(參照圖15D)，使被覆材料6以包圍元件構件3之周圍之方式接觸暫時固定片42及保護片5而形成密閉空間7之步驟(4)(參照圖16E)，及使被覆材料6流入至密閉空間7而形成被覆構件8之步驟(5)(參照圖16F)。又，該被覆元件構件1之製造方法進而具備：將剝離片26剝離之步驟、將載體43剝離之步驟、將暫時固定片42剝離之步驟、及將保護片5剝離之步驟(參照圖16G及17H)，以及將切割片44貼合於被覆元件構件集合體38之步驟(11)(參照圖17H)，對被覆構件8進行切割之步驟(8)(參照圖17I)，將被覆元件構件1自切割片44剝離之步驟(12)(參照圖17I)，及將被覆元件構件1再配置於基材片10之步驟(9)(參照圖17J)。進而，被覆元件構件1之製造方法於被覆材料6含有硬化性樹脂之情形時，具備使被覆材料6硬化之步驟(6)(參照圖16G)。 於步驟(1)中，首先如圖15A所示般，將螢光體層17於暫時固定片42之上表面形成為1個大致平板形狀。 繼而，將複數個光半導體元件2固定於螢光體層17。具體而言，使複數個光半導體元件2各者之發光面20接觸螢光體層17之上表面。 其後，如圖15B所示般，將鄰接之光半導體元件2之間之螢光體層17使用切割機37等切割裝置進行切割。切割機37之寬度例如為0.01 mm以上、較佳為0.02 mm以上，又，例如為0.5 mm以下、較佳為0.4 mm以下。 藉此，獲得具有1個光半導體元件2及1個螢光體層17之元件構件3。於元件構件3中，螢光體層17具有於沿厚度方向投影時包含光半導體元件2之大小。即，螢光體層17之周端部自光半導體元件2伸出至面方向(左右方向及前後方向)外側。 於步驟(2)中，如圖15C所示般，使保護片5接觸元件構件3之電極面19。 藉由步驟(4)所獲得之被覆元件構件1如圖17I所示般具備：光半導體元件2、被覆光半導體元件2之發光面20之螢光體層17、及被覆光半導體元件2之周側面21之被覆構件8。被覆構件8係被覆螢光體層17之周端部(於沿厚度方向投影時，不包含於光半導體元件2而伸出至光半導體元件2外側之部分)之側面及上表面。 藉由第5實施形態亦可實現與第1～4實施形態相同之作用效果。 6.第6實施形態 於第6實施形態中，針對與第1實施形態～第5實施形態相同之構件及步驟隨附相同之參照符號，並省略其詳細說明。 於第2實施形態中，如圖4C及圖6所示般，將被覆材料6以俯視大致矩形框(邊框)形狀之圖案配置於剝離片26之表面，但於第6實施形態中，如圖18A所示般，配置於被覆材料6之中央部。 具體而言，藉由灌注而配置液狀之被覆材料6。 於步驟(4)中，如圖18B所示般，將被覆材料6所配置之剝離片26貼合於保護片5。 藉此，被覆材料6於剝離片26與被覆材料6之間自中央部朝向周端緣，越過被覆材料6之周端緣之側面而於保護片5之周端緣之上表面與和其對向之暫時固定片42之下表面之間移動。 藉此，形成由被覆材料6、保護片5、及暫時固定片42所劃分出之密閉空間7。 藉由第6實施形態亦可實現與第1～5實施形態相同之作用效果。 進而，於第6實施形態中，將液狀之被覆材料6灌注至剝離片26即可，因此可簡單地配置被覆材料6。 7.第7實施形態 於第7實施形態中，針對與第1實施形態～第6實施形態相同之構件及步驟隨附相同之參照符號，並省略其詳細說明。 於第2實施形態中，如圖4C所示般，將液狀之被覆材料6配置於剝離片26之表面，但於第7實施形態中，如圖19A所示般，將具有半固形或固形之片狀之被覆材料6配置於剝離片26之表面。 被覆材料6通常維持片狀，另一方面，如圖19B所示般，於將剝離片26與保護片5貼合時，若施加壓製壓，進而藉由加熱進行軟化、熔融，則會發生變形而流動。 步驟(4)及步驟(5)中之加熱溫度例如為25℃以上、較佳為30℃以上，又，例如為180℃以下、較佳為150℃以下。 被覆材料6於流動時之黏度，具體而言，上述加熱溫度下之被覆材料6之黏度，更具體而言，加熱至60℃時之被覆材料6之黏度例如為1 Pa・s以上、較佳為2 Pa・s以上，又，例如為50 Pa・s以下、較佳為40 Pa・s以下。上述黏度係利用E型黏度計進行測定。 具體而言，於步驟(5)中，如圖19B所示般，被覆材料6係於剝離片26與被覆材料6之間自中央部朝向周端緣，越過被覆材料6之周端緣之側面而於保護片5之周端緣之上表面與和其對向之暫時固定片42之下表面之間移動。 藉由第7實施形態亦可實現與第1～6實施形態相同之作用效果。進而，於第7實施形態中，被覆材料6可維持片狀，因此例如雖然並未圖示，但可使被覆材料6及保護片5上下反轉，以被覆材料6朝向下方之方式進行設置，而可提高製造之自由度。 8.第8實施形態 於第8實施形態中，針對與第1實施形態～第7實施形態相同之構件及步驟隨附相同之參照符號，並省略其詳細說明。 於第8實施形態中，如圖20A所示般，將剝離片26收容於具有堰部49之容器55。 容器55具有有底大致箱形狀，具體而言，一體地具備沿左右方向及前後方向延伸之平板部50、及自平板部50之周端緣朝向上方延伸且具有大致板形狀之堰部49。 於步驟(4)中，如圖20A所示般，將設置有被覆材料6之剝離片26配置於容器55之平板部50之上表面。或者，首先將剝離片26配置於平板部50之上表面，其後將被覆材料6於剝離片26之周端部以俯視大致矩形框(邊框)形狀之圖案進行配置。 於步驟(5)中，如圖20B所示般，將剝離片26貼合於保護片5。如此，自中央部朝向周端緣之被覆材料6一面被堰部49抑制而不漏出至外側，一面被堰部49順利地引導至保護片5之周端緣之上表面與和其對向之暫時固定片42之下表面之間。 藉由第8實施形態亦可實現與第1～7實施形態相同之作用效果。進而，於第8實施形態中，可一面利用堰部49抑制被覆材料6向外側之漏出，一面確實地形成密閉空間7。 又，可使用低黏度之被覆材料6，具體而言於25℃下之黏度例如為10 Pa・s以下、較佳為5 Pa・s以下之被覆材料6，而形成被覆構件8。 再者，亦可將上述第1～第8實施形態適當組合。 [實施例] 以下之記載中所使用之調配比率(含有比率)、物性值、參數等具體數值可代替為上述之「實施方式」中所記載之與該等對應之調配比率(含有比率)、物性值、參數等相應記載之上限值(定義為「以下」、「未達」之數值)或下限值(定義為「以上」、「超過」之數值)。 製備例1 (被覆材料6A～6E之製備) 依據表1調配各成分，使用自轉/公轉式之攪拌脫泡機攪拌混合5分鐘，並進行3分鐘脫泡，藉此製備液狀之被覆材料6A～6E。 使用E型黏度計(英弘精機公司製造之RE85U)而測定被覆材料A～E於25℃下之黏度。將其結果記載於表2。 製備例2 (被覆構件6F之製備) 準備一液型白色聚矽氧樹脂「J1001J」(於25℃下之黏度1.6 Pa・s、Momentive公司製造)作為被覆材料6F。 使用E型黏度計(英弘精機公司製造之RE85U)測定被覆材料6F於60℃下之黏度。將其結果記載於表2。 製備例3 (被覆材料6G之製備) 準備信越化學公司製造之KER-2500之A液18 g、B液18 g及碳黑(三菱化學公司製造商品名MA600)4 g，使用三輥研磨機進行30分鐘混練而獲得預分散液。對預分散液7 g添加KER-2500之A液36.5 g、B液36.5 g及氧化矽填料(Denka公司製造之FB9454)20 g，使用自轉/公轉式之攪拌脫泡機攪拌混合5分鐘，並進行3分鐘脫泡，藉此獲得液狀之具有光吸收性之被覆材料6G。 使用E型黏度計(英弘精機公司製造之RE85U)而測定被覆材料6G於25℃下之黏度。將其結果記載於表2。 實施例1(與第1實施形態對應之實施例) 步驟(1) 如圖1A所示般，準備具備厚度1 mm之陶瓷製之絕緣板12及端子13之基板4。基板4之尺寸為51 mm×102 mm。 另外，準備具備光半導體元件2及螢光體層17之元件構件3，將元件構件3之電極18與基板4之正側端子15經由焊膏使其等對向，其後於260℃下加熱10秒鐘，進行回焊，藉此使電極18與正側端子15電性連接。藉此，將元件構件3倒裝安裝於基板4。 再者，光半導體元件2之厚度T2(除去電極18之厚度)(周側面21之長度)為0.15 mm，又，螢光體層17之厚度為0.3 mm。電極18之厚度為20 μm。光半導體元件2之大小為1.125 mm×1.125 mm，元件構件3之大小為1.6 mm×1.6 mm。又，光半導體元件2係以前後方向上為10行、左右方向上為22行之方式排列，元件構件3之數量為220個。鄰接之元件構件3之間之間隔L為1.94 mm。 步驟(2) 首先，製備感壓接著劑。 即，於具備溫度計、攪拌機、氮氣導入管之反應容器中，將丙烯酸2-乙基己酯(2EHA)100質量份、丙烯酸2-羥基乙酯(2-HEA)12.6質量份、及過氧化二苯甲醯(BPO、聚合起始劑)(商品名「Nyper BW」、日油公司製造)0.25質量份投入至甲苯(聚合溶劑)中，於氮氣流下於60℃下使單體成分進行共聚合。藉此，獲得丙烯酸系聚合物之45質量%甲苯溶液。向其中調配甲基丙烯醯氧基乙基異氰酸酯13.5質量份，使甲基丙烯醯氧基乙基異氰酸酯(含異氰酸酯基之化合物)對丙烯酸系聚合物發生加成反應，而製備具有碳-碳雙鍵之丙烯酸系聚合物。又，向上述丙烯酸系聚合物之甲苯溶液中，相對於丙烯酸系聚合物之固形物成分100質量份添加異氰酸酯系交聯劑(商品名「Coronate L」、日本聚氨酯工業公司製造)0.1質量份、及光聚合起始劑(商品名「Irgacure 127」、(2-羥基-1-{4-[4-(2-羥基-2-甲基-丙醯基)-苄基]苯基}-2-甲基-丙烷-1-酮、Ciba Specialty Chemicals公司製造)2質量份。藉此，製備包含導入有碳-碳雙鍵之樹脂組合物之感壓接著劑。 繼而，將感壓接著劑塗佈於包含厚度125 μm之PET膜(大三紙業公司製造)之支持片52之表面，其後於120℃下乾燥3分鐘，進而於50℃下老化24小時。藉此，於支持片52之表面形成厚度30 μm之感壓接著層51。 藉此，準備具備感壓接著層51及支持片52、厚度145 μm之保護片5。再者，保護片5於25℃下之拉伸彈性模數為3,650 MPa。 繼而，將保護片5進行外形加工至86 mm×42 mm之大小。 其後，如圖1B所示般，使用手壓輥將保護片5之感壓接著層51貼合於複數個元件構件3之露出面22。 步驟(3) 如圖1C所示般，準備安裝有真空腔室28、真空管線29、真空泵30、真空閥31、大氣管線32、大氣閥33、及填充有被覆材料6A之真空分注器39之真空裝置27。 繼而，於開放真空閥31及大氣閥33之狀態下使真空泵30作動，其後將元件構件3、基板4及保護片5設置於真空腔室28內。 繼而，將腔室空間34內密閉，然後關閉大氣閥33。如此，腔室空間34之氣壓成為6.6×10^-4 MPa。 步驟(4) 繼而，如圖1C所示般，自真空分注器39之噴嘴41將被覆材料6A 1.3 mL(密閉空間7之體積之142%)塗佈於保護片5之周端緣之下表面、與和其對向之基板4之上表面之間。藉此，形成密閉空間7。 步驟(5) 如圖1D所示般，關閉真空閥31，其後開放大氣閥33。藉此，使腔室空間34之氣壓恢復至大氣壓。 如此，被覆材料6A流入至密閉空間7，而密閉空間7由被覆材料6A所填充。即，形成具有與密閉空間7相同之形狀且包含被覆材料6A之被覆構件8。 其後，將元件構件3、基板4、保護片5及被覆構件8自真空腔室28中取出。 步驟(6) 繼而，如圖2E所示般，將元件構件3、基板4、保護片5及被覆構件8投入至熱風循環式乾燥機中，於150℃下加熱2小時，藉此使被覆構件8完全硬化。 步驟(7) 對保護片5照射活性能量射線，而使保護片5之感壓接著力降低。繼而，將保護片5如圖2F所示般自元件構件3之露出面22、及被覆構件8之上表面剝離。 步驟(8) 其後，利用切割機37將被覆構件8及基板4以與複數個元件構件3各者對應之方式進行切割，而將發光裝置集合體36單片化為複數個發光裝置40。 藉此，獲得具備1個基板4及1個被覆元件構件1之發光裝置40。 發光裝置40之大小為3.5 mm×3.5 mm。 實施例2(與第2實施形態對應之實施例) 步驟(1) 如圖4A所示般，將含有實施例1中所使用之感壓接著劑的暫時固定片42積層於不鏽鋼製之載體43之上表面。載體43之大小為100 mm×100 mm、厚度為0.3 mm。暫時固定片42之大小為95 mm×95 mm、厚度為80 μm。又，暫時固定片42對載體43之感壓接著力為0.12 N/20 mm。 準備實施例1中所使用之元件構件3，繼而以元件構件3之電極18埋設於暫時固定片42中之方式將複數個元件構件3之電極面19感壓接著於暫時固定片42之上表面。藉此，將複數個元件構件3暫時固定於暫時固定片42。 光半導體元件2係以前後方向上為36行、左右方向上為36行之方式進行排列，元件構件3之數量為1296個。又，鄰接之元件構件3間之間隔L為0.44 mm。 步驟(2) 準備實施例1中所使用之保護片5，將其進行外形加工為86 mm×86 mm之大小。 其後，如圖4B所示般，使用手壓輥將保護片5之感壓接著層51貼合於複數個元件構件3之露出面22。 步驟(3) 使元件構件3、暫時固定片42、載體43及保護片5上下反轉，其後如圖4C所示般，將其等設置於真空腔室28內。 繼而，將腔室空間34內密閉，然後關閉大氣閥33。如此，腔室空間34之氣壓成為6.6×10^-4 MPa。 步驟(4) 如圖4C及圖6所示般，將被覆材料6A於包含經剝離處理之PET膜(Nippa公司製造SS4C、50 μm)之剝離片26之表面利用繪圖裝置以成為線寬W 3 mm、線寬之中心管線之尺寸具有87 mm×87 mm之邊框形狀之圖案的方式進行繪圖。再者，被覆材料6A之內尺寸為84 mm×84 mm，被覆材料6A之外尺寸為90×90 mm。即，被覆材料6A之線寬為3 mm。又，被覆材料6A之體積為1.8 mL(密閉空間7之體積之147%)。 其後，如圖4D所示般，使設置有被覆材料6A之剝離片26接觸保護片5。該條件係壓力1.1 MPa、25℃下30秒鐘之壓力。保護片5對剝離片26之感壓接著力為0.12 N/20 mm。 藉此，被覆材料6A越過保護片5之周端緣之側面，而於保護片5之周端緣之上表面與和其對向之暫時固定片42之下表面之間移動。 藉此，形成密閉空間7。 步驟(5) 關閉真空閥31，其後開放大氣閥33。藉此，使腔室空間34之氣壓恢復至大氣壓。 如此，如圖5E所示般，被覆材料6流入至密閉空間7中，而密閉空間7由被覆材料6所填充。即，形成具有與密閉空間7相同之形狀、包含被覆材料6之被覆構件8。 其後，將元件構件3、暫時固定片42、載體43、保護片5及被覆構件8自真空腔室28中取出。 步驟(6) 其後，如圖5F所示般，將元件構件3、保護片5及被覆構件8使用熱風循環式乾燥機於100℃下加熱2小時，藉此使被覆構件8完全硬化。 步驟(10) 如圖5F所示般，首先依次剝離載體43及暫時固定片42，其後將剝離片26自被覆元件構件集合體38剝離。 步驟(12) 如圖5G所示般，將切割片44(切割帶、日東電工公司製造SPV-224S)貼合於被覆元件構件集合體38。 步驟(8) 繼而，如圖5G所示般，將保護片5自元件構件3及被覆構件8剝離。 其後，使用切割機37(DISCO公司製造之DAD322)對被覆構件8進行切割，而將被覆元件構件集合體38單片化為被覆元件構件1。 步驟(12) 如以圖5H之箭頭所示般，將被覆元件構件1自切割片44剝離。 藉此，獲得具備元件構件3及被覆構件8之被覆元件構件1。 被覆元件構件1之大小為2.0 mm×2.0 mm，厚度為0.3 mm。 實施例3～7(與第2實施形態對應之實施例) 依據表2所示之條件，與實施例2同樣地進行處理，而獲得被覆元件構件1。 實施例8(與第3實施形態對應之實施例) 步驟(1)及步驟(2) 如圖7A及圖7B所示般，於元件構件3中螢光體層17僅被覆光半導體元件2之發光面20，除此以外，與實施例1同樣地進行，而實施步驟(1)及步驟(2)。 光半導體元件2係以於前後方向上為45行、於左右方向上為45行之方式排列，元件構件3之數量為2025個。又，鄰接之元件構件3間之間隔L為2.415 mm。 步驟(3)～步驟(5) 如圖7C、圖7D及圖8E所示般，與實施例2同樣地進行，而實施步驟(3)～步驟(5)。 步驟(6)～步驟(9) 如圖8F～圖8H所示般，與實施例1同樣地進行，而實施步驟(6)～步驟(9)。 實施例9(與第4實施形態對應之實施例) 如圖10A～圖10D及圖11E～圖11G所示般，使元件構件3僅具備光半導體元件2，除此以外，與實施例2同樣地進行，而實施步驟(1)及步驟(2)。 再者，如參照圖1A及圖3般，步驟(1)中之光半導體元件2係以於前後方向上為45行、於左右方向上為45行之方式排列，元件構件3之數量為2025個。又，鄰接之元件構件3間之間隔L為0.915 mm。 實施例10(與第5實施形態對應之實施例) 步驟(1) 如圖15A所示般，將含有實施例1中所使用之感壓接著劑之暫時固定片42積層於不鏽鋼製之載體43之上表面。載體43之大小為100 mm×100 mm，厚度為0.3 mm。暫時固定片42之大小為95 mm×95 mm，厚度為0.08 mm。 另外，依據日本專利特開2015-073084號公報中所記載之製備例1，而製備聚矽氧樹脂組合物。繼而，對矽樹脂組合物40 g添加螢光體(Intematix公司製造之GAL-525)13 g、熏製氧化矽(Nagase產業公司製造之R976s)0.8 g，使用自轉/公轉式之攪拌脫泡機進行5分鐘攪拌混合，並進行3分鐘脫泡，藉此獲得液狀之螢光組合物。 將螢光組合物以厚度成為150 μm之方式塗佈於包含經剝離處理之PET膜(Nippa公司製造之SS4C、50 μm)之剝離層，於90℃下加熱15分鐘，使聚矽氧樹脂組合物B階化(半硬化)，藉此於剝離層之上製作螢光體層17。繼而，將螢光體層17轉印至暫時固定片42。 其後，將光半導體元件2以發光面20朝向螢光體層17(接觸)之方式載置於螢光體層17之上表面。 光半導體元件2係以於前後方向上為52行、於左右方向上為52行之方式排列，元件構件3之數量為2704個。又，鄰接之元件構件3間之間隔L為0.915 mm。 步驟(2) 使用熱風循環乾燥機，於150℃下加熱2小時，使螢光體層17之聚矽氧樹脂組合物C階化(完全硬化)後，如圖15B所示般，使用切割機37(DISCO公司製造之DAD322)對螢光體層17進行切割。 其後，如圖15C所示般，使用手壓輥將保護片5之感壓接著層51貼合於複數個元件構件3之電極面19。 步驟(3)以後之各步驟 與實施例2同樣地進行，而實施步驟(3)以後之各步驟。 再者，如參照圖17I般，所獲得之被覆元件構件1之外形尺寸為1.6×1.6 mm，厚度為0.3 mm。 實施例11(與第6實施形態對應之實施例) 如圖18A及圖18B所示般，藉由灌注而配置液狀之被覆材料6，除此以外，與實施例2同樣地進行，而獲得被覆元件構件1。 實施例12(與第7實施形態對應之實施例) 如圖19A及圖19B所示般，將具有半固形之片狀之被覆材料6配置於剝離片26之表面，並將設置有被覆材料6之剝離片26與保護片5之貼合條件變更為壓力1.1 MPa、60℃、1分鐘，除此以外，與實施例2同樣地進行，而獲得被覆元件構件1。 實施例13(與第8實施形態對應之實施例) 如圖20A及圖20B所示般，將設置有被覆材料6之剝離片26收容於具備高度3 mm之堰部49之容器55中，除此以外，與實施例2同樣地進行，而獲得被覆元件構件1。 比較例1(與日本專利特表2012-516026號公報(專利文獻1)對應之比較例) 如圖21A～圖21C所示般，將液狀之被覆材料A利用毛細管現象被覆於光半導體元件2之周側面21。 具體而言，如圖21A所示般，將具有插入孔60之螢光體層17配置於光半導體元件2之發光面20。插入孔60面對鄰接之光半導體元件2之間之空間61，具有可容許以下說明之針狀噴嘴41插入之尺寸。 繼而，將噴嘴41之下端部(前端部)插入至插入孔60中，對插入孔60注入被覆材料6。 其後，如圖21B所示般，被覆材料6耗費10分鐘到達光半導體元件2之周側面21。 其後，使被覆材料6硬化而形成被覆構件8後，如圖21C所示般，對被覆構件8及螢光體層17進行切割，而獲得經單片化之被覆元件構件1。 ＜評價＞ [製造時間] 測定自形成密閉空間7起至形成被覆構件8為止之時間，並依據以下之基準對製造時間進行評價。 A：1分鐘以內 B：超過1分鐘 [孔隙] 於被覆元件構件1中，依據以下之基準對孔隙進行評價。 A：孔隙產生率未達1% B：孔隙產生率超過1%、未達5% C：孔隙產生率超過5%、未達10% D：孔隙產生率超過10%、未達20% E：孔隙產生率為20%以上 [表1] [表2] 再者，上述發明係作為本發明之例示之實施形態而提供，但其僅為例示，並非對本發明作限定性地解釋。本技術領域之從業者所明確之本發明之變化例包含於下述之申請專利範圍中。 [產業上之可利用性] 本發明之被覆元件構件之製造方法係用於發光裝置之製造。

1‧‧‧被覆元件構件
2‧‧‧光半導體元件
3‧‧‧元件構件
4‧‧‧基板
5‧‧‧保護片
6‧‧‧被覆材料
7‧‧‧密閉空間
8‧‧‧被覆構件
10‧‧‧基材片
11‧‧‧貫通孔
12‧‧‧絕緣板
13‧‧‧端子
14‧‧‧導通部
15‧‧‧正側端子
16‧‧‧背側端子
17‧‧‧螢光體層
18‧‧‧電極
19‧‧‧電極面
20‧‧‧發光面
21‧‧‧周側面
22‧‧‧元件構件之露出面(上表面)
23‧‧‧元件構件之周側面
26‧‧‧剝離片
27‧‧‧真空裝置
28‧‧‧真空腔室
29‧‧‧真空管線
30‧‧‧真空泵
31‧‧‧真空閥
32‧‧‧大氣管線
33‧‧‧大氣閥
34‧‧‧腔室空間
36‧‧‧發光裝置集合體
37‧‧‧切割機
38‧‧‧被覆元件構件集合體
39‧‧‧真空分注器
40‧‧‧發光裝置
41‧‧‧噴嘴
42‧‧‧暫時固定片
43‧‧‧載體
44‧‧‧切割片
45‧‧‧間隔板
46‧‧‧被覆部形成構件
47‧‧‧隔離件
48‧‧‧狹縫
49‧‧‧堰部
50‧‧‧平板部
51‧‧‧感壓接著層
52‧‧‧支持片
55‧‧‧容器
57‧‧‧第2螢光體層
60‧‧‧插入孔
61‧‧‧鄰接之光半導體元件間之空間
L‧‧‧鄰接之元件構件之間之間隔(前後方向及/或左右方向上之間隔)
T1‧‧‧元件構件之厚度(電極之下表面與螢光體層之露出面之間之距離)
T2‧‧‧厚度(周側面之上下方向長度)
T3‧‧‧保護片5之下表面與基板4之上表面之間隔
W‧‧‧被覆材料之寬度(線寬)

圖1A～圖1D係第1實施形態之發光裝置之製造方法之步驟圖，圖1A表示準備元件構件及基板之步驟，圖1B表示配置保護片之步驟，圖1C表示將元件構件、基板及保護片配置於真空下之步驟、及形成密閉空間之步驟，圖1D表示使被覆材料流入至密閉空間而形成被覆構件之步驟。 圖2E～圖2H係繼圖1D之後第1實施形態之發光裝置之製造方法之步驟圖，圖2E表示使被覆材料硬化之步驟，圖2F表示將保護片剝離之步驟，圖2G表示對被覆構件及基板進行切割之步驟，圖2H表示將發光裝置再配置於基材片之步驟。 圖3A～圖3C係第1實施形態之發光裝置之製造方法之各步驟的俯視圖，圖3A為圖1B對應之俯視圖，圖3B為與圖1C對應之俯視圖，圖3C為與圖1D對應之俯視圖。 圖4A～圖4D係第2實施形態之被覆元件構件之製造方法之步驟圖，圖4A表示準備元件構件、暫時固定片及載體之步驟，圖4B表示配置保護片之步驟，圖4C表示將元件構件、暫時固定片、載體及保護片配置於真空下之步驟，圖4D表示形成密閉空間之步驟。 圖5E～圖5I係繼圖4D之後第2實施形態之被覆元件構件之製造方法之步驟圖，圖5E表示形成被覆構件之步驟，圖5F表示將剝離片、載體及暫時固定片剝離之步驟，圖5G表示配置切割片之步驟，圖5H表示對被覆構件進行切割之步驟，圖5I表示將被覆元件構件安裝於基板之步驟。 圖6係第2實施形態之被覆元件構件之製造方法之與圖4C所示之步驟對應之正面分解圖。 圖7A～圖7D係第3實施形態之發光裝置之製造方法之步驟圖，圖7A表示準備元件構件及基板之步驟，圖7B表示準備保護片之步驟，圖7B表示將元件構件、基板及保護片配置於真空下之步驟，圖7D表示形成密閉空間之步驟。 圖8E～圖8H係繼圖7D之後第3實施形態之發光裝置之製造方法之步驟圖，圖8E表示形成被覆構件之步驟，圖8F表示將保護片剝離之步驟，圖8G表示對被覆構件及基板進行切割之步驟，圖8H表示將發光裝置再配置於基材片之步驟。 圖9A～圖9C係第3實施形態之變化例之步驟圖，圖9A表示將螢光體層形成於被覆元件構件集合體之步驟，圖9B表示對螢光體層、被覆構件及基板進行切割之步驟，圖9C表示將發光裝置再配置於基材片之步驟。 圖10A～圖10D係第4實施形態之被覆元件構件之製造方法之步驟圖，圖10A表示配置元件構件之步驟，圖10B表示配置保護片之步驟，圖10C表示將元件構件、保護片、暫時固定片及載體配置於真空下之步驟，圖10D表示形成密閉空間之步驟。 圖11E～圖11H係繼圖10D之後第4實施形態之被覆元件構件之製造方法之步驟圖，圖11E表示形成被覆構件之步驟，圖11F表示將保護片剝離之步驟，圖11G表示對被覆構件進行切割之步驟，圖11H表示將被覆元件構件再配置於基材片之步驟。 圖12A～圖12C係第4實施形態之變化例，圖12A表示將螢光體層形成於被覆元件構件集合體之步驟，圖12B表示對螢光體層及被覆構件進行切割之步驟，圖12C表示將被覆元件構件再配置於基材片之步驟。 圖13A～圖13C係第4實施形態之變化例，圖13A表示配置間隔板之步驟，圖13B表示將間隔板、元件構件、暫時固定片及載體配置於真空下之步驟，圖13C表示形成密閉空間之步驟。 圖14D～圖14G係繼圖13C之後第4實施形態之變化例，圖14D表示形成被覆構件之步驟，圖14E表示將間隔板去除之步驟，圖14F表示對被覆構件進行切割之步驟，圖14G表示將被覆元件構件再配置於基材片之步驟。 圖15A～圖15D係第5實施形態之被覆元件構件之製造方法之步驟圖，圖15A表示將光半導體元件配置於螢光體層之步驟，圖15B表示對螢光體層進行切割之步驟，圖15C表示配置保護片之步驟，圖15D表示將元件構件、保護片、暫時固定片及載體配置於真空下之步驟。 圖16E～圖16G係繼圖15D之後第5實施形態之被覆元件構件之製造方法之步驟圖，圖16E表示形成密閉空間之步驟，圖16F表示形成被覆構件之步驟，圖16G表示將剝離片剝離之步驟。 圖17H～圖17J係繼圖16G之後第5實施形態之被覆元件構件之製造方法之步驟圖，圖17H表示將保護片剝離之步驟，圖17I表示對被覆構件進行切割之步驟，圖17J表示將被覆元件構件再配置於基材片之步驟。 圖18A及圖18B係第6實施形態之被覆元件構件之製造方法之步驟圖之一部分，圖18A表示配置液狀之被覆材料之步驟，圖18B表示形成密閉空間之步驟。 圖19A及圖19B係第7實施形態之被覆元件構件之製造方法之步驟圖之一部分，圖19A表示配置片狀之被覆材料之步驟，圖19B表示形成密閉空間之步驟。 圖20A及圖20B係第8實施形態之被覆元件構件之製造方法之步驟圖之一部分，圖20A表示將剝離片配置於容器內之步驟，圖20B表示形成密閉空間之步驟。 圖21A～圖21C係比較例之製造方法之步驟圖之一部分，圖21A表示自螢光體層之插入孔注入被覆材料之步驟，圖21B表示藉由毛細管現象使被覆材料移動之步驟，圖21C表示對螢光體層及被覆構件進行切割之步驟。

2‧‧‧光半導體元件

3‧‧‧元件構件

4‧‧‧基板

5‧‧‧保護片

6‧‧‧被覆材料

7‧‧‧密閉空間

8‧‧‧被覆構件

11‧‧‧貫通孔

12‧‧‧絕緣板

13‧‧‧端子

14‧‧‧導通部

15‧‧‧正側端子

16‧‧‧背側端子

17‧‧‧螢光體層

18‧‧‧電極

19‧‧‧電極面

20‧‧‧發光面

21‧‧‧周側面

22‧‧‧元件構件之露出面(上表面)

23‧‧‧元件構件之周側面

27‧‧‧真空裝置

28‧‧‧真空腔室

29‧‧‧真空管線

30‧‧‧真空泵

31‧‧‧真空閥

32‧‧‧大氣管線

33‧‧‧大氣閥

34‧‧‧腔室空間

39‧‧‧真空分注器

41‧‧‧噴嘴

51‧‧‧感壓接著層

52‧‧‧支持片

L‧‧‧鄰接之元件構件之間之間隔(前後方向及/或左右方向上之間隔)

T1‧‧‧元件構件之厚度(電極之下表面與螢光體層之露出面之間之距離)

T2‧‧‧厚度(周側面之上下方向長度)

T3‧‧‧保護片之下表面與基板之上表面之間隔

Claims (8)

1. 一種被覆元件構件之製造方法，其特徵在於具備： 準備具有光半導體元件之元件構件、及支持上述元件構件且於沿厚度方向投影時具有包含上述元件構件之形狀之第1基材的步驟(1)， 將於沿厚度方向投影時具有包含上述元件構件之形狀之第2基材與上述第1基材至少空出供配置上述元件構件之間隔而進行對向配置的步驟(2)， 於上述步驟(2)之後，將上述元件構件、上述第1基材及上述第2基材配置於減壓下或真空下的步驟(3)， 於上述步驟(3)之後，使具有流動性之被覆材料以包圍上述元件構件之周圍之方式接觸上述第1基材及上述第2基材，藉此形成由上述被覆材料、上述第1基材、及上述第2基材所劃分出之密閉空間的步驟(4)，及 於上述步驟(4)之後，藉由使上述密閉空間之外側恢復至大氣壓使上述被覆材料流入至上述密閉空間，而由上述被覆材料形成被覆構件的步驟(5)。
2. 如請求項1之被覆元件構件之製造方法，其中於上述步驟(2)中使上述第2基材接觸上述元件構件。
3. 如請求項2之被覆元件構件之製造方法，其中上述被覆材料含有光反射性成分及/或光吸收性成分。
4. 如請求項2之被覆元件構件之製造方法，其中上述第2基材為對於上述元件構件能夠剝離之感壓接著片。
5. 如請求項2之被覆元件構件之製造方法，其中上述元件構件進而具備波長轉換層， 於上述步驟(2)中，使上述第2基材接觸上述波長轉換層。
6. 如請求項1之被覆元件構件之製造方法，其中 於上述步驟(4)中，上述被覆材料含有完全硬化前之硬化性樹脂， 於上述步驟(5)之後，進而具備使上述硬化性樹脂完全硬化之步驟(6)。
7. 如請求項1之被覆元件構件之製造方法，其中於上述步驟(4)中塗佈上述被覆材料。
8. 如請求項1之被覆元件構件之製造方法，其中於上述步驟(4)中貼合設置有上述被覆材料之剝離片。