JP2016208033A - 封止半導体素子および半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】封止層と、封止層により封止された半導体素子とを備える封止半導体素子を、感圧接着層から剥離するときに、感圧接着層を形成する感圧接着剤が、封止半導体素子の半導体素子に付着することを抑制することのできる、封止半導体素子の製造方法および半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】封止光半導体素子１１の製造方法では、光半導体素子１を、熱硬化性樹脂を含有する封止層１０によって、封止して、光半導体素子１と、そを封止する封止層１０とを備える封止光半導体素子１１を得た後、封止層１０が完全硬化する熱履歴Ｈ０より少ない熱履歴Ｈ１が封止層１０に付与されるように、封止層１０を加熱した後に、感圧接着シート７７の感圧接着力を低減させ、その後、封止層１０が完全硬化する熱履歴Ｈ０と同じまたはそれより多い熱履歴Ｈ２が封止層１０に付与されるように、封止層１０を加熱し、その後、封止光半導体素子１１を、感圧接着シート７７から剥離する。
【選択図】図１

Description

本発明は、封止半導体素子および半導体装置の製造方法、詳しくは、封止半導体素子の製造方法、および、それにより得られた封止半導体素子を用いる半導体装置の製造方法に関する。

従来、ＬＥＤを、封止層によって封止して、封止ＬＥＤを製造する方法が知られている。

例えば、以下の方法によって、蛍光体シート被覆ＬＥＤを得ることが提案されている。すなわち、まず、支持板と、支持板の上面に積層され、活性エネルギー線の照射によって粘着力が低下する粘着層とを備える支持シートを用意し、次いで、粘着層に、ＬＥＤを感圧接着する。その後、熱硬化性樹脂および蛍光体を含有する蛍光体シートによって、ＬＥＤを封止し、蛍光体シート被覆ＬＥＤを得る。その後、蛍光体シート被覆ＬＥＤにおける蛍光体シートを加熱することにより、蛍光体シートを熱硬化させ、次いで、活性エネルギー線を粘着層に照射して、蛍光体シート被覆ＬＥＤを粘着層から剥離する（例えば、特許文献１参照。）。

特許文献１では、粘着層から剥離した蛍光体シート被覆ＬＥＤを基板にフリップチップ実装して、ＬＥＤの電極を、基板の端子に対して電気的に接続している。

特開２０１４−１６８０３２号公報

しかし、特許文献１に記載の方法では、蛍光体シートが熱硬化するように、蛍光体シートを加熱すると、粘着層も十分に加熱されてしまい、そうすると、粘着層を形成する感圧接着剤の感圧接着力が顕著に失活する場合がある。そのため、蛍光体シートの加熱後に、活性エネルギー線を粘着層に照射しても、粘着層の蛍光体シート被覆ＬＥＤに対する粘着力が十分に低下せず、その結果、蛍光体シート被覆ＬＥＤを粘着層から剥離する際に、感圧接着剤が、蛍光体シート被覆ＬＥＤの裏面（粘着層に感圧接着していた面）に付着する場合（いわゆる糊残り）がある。その場合には、ＬＥＤの裏面に付着する感圧接着剤に起因して、ＬＥＤの電極と基板の端子との電気的な接続が不良となる不具合がある。

本発明の目的は、封止層と、封止層により封止された半導体素子とを備える封止半導体素子を、感圧接着シートから剥離するときに、感圧接着シートを形成する感圧接着剤が、封止半導体素子の半導体素子に付着することを抑制することのできる、封止半導体素子の製造方法、および、それにより得られた封止半導体素子を用いる半導体装置の製造方法を提供することにある。

本発明（１）は、処理によって感圧接着力が低減するように構成される感圧接着シートに感圧接着された半導体素子を、熱硬化性樹脂を含有する封止層によって、封止して、前記半導体素子と、前記半導体素子を封止する前記封止層とを備える封止半導体素子を得る封止工程、前記封止工程の後に、前記封止層が完全硬化する熱履歴Ｈ０より少ない熱履歴Ｈ１が前記封止層に付与されるように、前記封止層を加熱する第１加熱工程、前記第１加熱工程の後に、前記処理によって前記感圧接着シートの感圧接着力を低減させる低減工程、前記低減工程の後に、前記封止層が完全硬化する熱履歴Ｈ０と同じまたはそれより多い熱履歴Ｈ２が前記封止層に付与されるように、前記封止層を加熱する第２加熱工程、および、前記封止半導体素子を、前記感圧接着シートから剥離する剥離工程を備える、封止半導体素子の製造方法を含む。

この封止半導体素子の製造方法によれば、第１加熱工程では、低減工程の前に、熱硬化性樹脂が完全硬化する熱履歴Ｈ０より少ない熱履歴Ｈ１が熱硬化性樹脂に付与されるように、封止層を加熱するので、第１加熱工程における感圧接着シートの感圧接着力の低下を抑制することができる。そのため、第１加熱工程および第２加熱工程の後に、低減工程を実施する場合であって、第２加熱工程における感圧接着シートの感圧接着力が大きく低下する場合に比べて、低減工程において、感圧接着シートの感圧接着力を十分に低減させることができる。そのため、剥離工程において、封止半導体素子を感圧接着シートから容易かつ確実に剥離して、半導体素子に感圧接着剤が付着することを抑制することができる。

一方、この封止半導体素子の製造方法は、低減工程の後に、第１加熱工程および第２加熱工程を実施する場合に比べても、剥離工程において、封止半導体素子を感圧接着シートから容易かつ確実に剥離して、半導体素子に感圧接着剤が付着することを抑制することができる。

そのため、電気的な接続信頼性に優れる封止半導体素子を製造することができる。

他方、予め、第２加熱工程によって、封止層の熱硬化性樹脂を熱硬化させることができるので、封止層による半導体素子に対する封止性を簡易かつ確実に向上させることができる。

その結果、封止性および電気的な接続信頼性に優れる封止半導体素子を製造することができる。

本発明（２）は、前記感圧接着シートは、前記半導体素子と感圧接着する感圧接着層を備え、前記第１加熱工程の加熱と前記低減工程の前記処理とを順次実施した前記感圧接着層の２５℃における引張弾性率Ｘの、前記低減工程の前記処理のみを実施した前記感圧接着層の２５℃における引張弾性率Ｙに対する比（Ｘ／Ｙ）が、０．７０以上である、（１）に記載の封止半導体素子の製造方法を含む。

この封止半導体素子の製造方法によれば、上記した比（Ｘ／Ｙ）が特定値以上であるので、第１加熱工程における感圧接着層の感圧接着力の低下を有効に抑制することができる。そのため、低減工程において、感圧接着層の感圧接着力をより一層十分に低減させることができる。そのため、剥離工程において、封止半導体素子を感圧接着層から容易かつ確実に剥離して、半導体素子に感圧接着剤が付着することを有効に抑制することができる。

本発明（３）は、前記封止工程では、複数の前記半導体素子を、前記封止層によって、封止して、複数の前記半導体素子を備える前記封止半導体素子を得、前記第１加熱工程の後であって、前記低減工程の前に、前記封止層を、複数の前記半導体素子のそれぞれに対応するように、切断する切断工程をさらに備える、（１）または（２）に記載の封止半導体素子の製造方法を含む。

この封止半導体素子の製造方法によれば、第１加熱工程によって、封止層の熱硬化を徐々に進行させることができ、それよって、第１加熱工程に後に実施される切断工程における封止層の機械強度を向上させることができる。そのため、封止層を確実に切断することができる。その結果、封止半導体素子における封止層を確実に切断できながら、複数の封止半導体素子を効率的に製造することができる。

本発明（４）は、前記剥離工程を、前記低減工程の後であって、前記第２加熱工程の前に実施する、（１）〜（３）のいずれか一項に記載の封止半導体素子の製造方法を含む。

この封止半導体素子の製造方法によれば、第２加熱工程を実施する際には、感圧接着シートが封止半導体素子からすでに剥離されているので、第２加熱工程における感圧接着シートの封止半導体素子への付着を防止することができる。

本発明（５）は、前記低減工程の前に、前記封止半導体素子に耐熱性シートを貼り合わせる耐熱性シート貼合工程をさらに備える、（１）〜（４）のいずれか一項に記載の封止半導体素子の製造方法を含む。

この封止半導体素子の製造方法によれば、低減工程の前に、封止半導体素子に耐熱性シートを貼り合わせるので、封止半導体素子を耐熱性シートで支持しながら、低減工程を実施することができる。

本発明（６）は、前記剥離工程では、前記封止半導体素子を前記感圧接着シートから耐熱性シートに転写する、（４）に記載の封止半導体素子の製造方法を含む。

この封止半導体素子の製造方法によれば、剥離工程において、封止半導体素子を感圧接着シートから耐熱性シートに転写し、その後、第２加熱工程を実施するので、第２加熱工程において、耐熱性シートで封止半導体素子を支持しながら、封止半導体素子における封止層を完全硬化させることができる。

本発明（７）は、前記封止半導体素子を前記耐熱性シートから転写シートに転写する転写工程を備える、（５）または（６）に記載の封止半導体素子の製造方法を含む。

この封止半導体素子の製造方法によれば、転写シートに支持された封止半導体素子を種々の用途に用いることができる。

本発明（８）は、前記剥離工程を、前記第２加熱工程の後に実施し、前記剥離工程では、前記封止半導体素子を前記感圧接着シートから転写シートに転写する、（１）〜（３）のいずれか一項に記載の封止半導体素子の製造方法を含む。

この封止半導体素子の製造方法によれば、転写シートに支持された封止半導体素子を種々の用途に用いることができる。

本発明（９）は、前記転写シートは、厚み方向に対する直交方向に延伸するように構成される延伸シートであって、前記封止半導体素子が転写された前記転写シートを前記直交方向に延伸して、前記封止半導体素子を前記転写シートから剥離する延伸剥離工程を備える、（７）または（８）に記載の封止半導体素子の製造方法を含む。

この封止半導体素子の製造方法によれば、延伸剥離工程において、封止半導体素子が転写された転写シートを直交方向に延伸して、封止半導体素子を転写シートから剥離するので、隣接する封止半導体素子間の直交方向における間隔を確実に形成して、複数の封止半導体素子のそれぞれを転写シートから確実に剥離することができる。

本発明（１０）は、前記封止工程では、複数の前記半導体素子を、前記封止層によって、封止して、複数の前記半導体素子を備える前記封止半導体素子を得、前記第２加熱工程の後に、前記封止層を、複数の前記半導体素子のそれぞれに対応するように、切断する切断工程をさらに備える、（１）または（２）に記載の封止半導体素子の製造方法を含む。

この封止半導体素子の製造方法によれば、第２加熱工程によって、封止層を完全硬化させ、第２加熱工程に後に実施される切断工程における封止層の機械強度を向上させることができる。そのため、切断工程において、封止層を確実に切断することができる。その結果、封止層を確実に切断できながら、複数の封止半導体素子を効率的に製造することができる。

本発明（１１）は、前記低減工程では、活性エネルギー線を前記感圧接着シートに対して照射する、（１）〜（１０）のいずれか一項に記載の封止半導体素子の製造方法を含む。

この封止半導体素子の製造方法によれば、感圧接着シートの感圧接着力を簡便に低減することができる。

本発明（１２）は、前記低減工程では、前記封止層が完全硬化する熱履歴Ｈ０より少ない熱履歴Ｈ３が前記封止層に付与されるように、前記感圧接着シートを加熱する、（１）〜（１０）のいずれか一項に記載の封止半導体素子の製造方法を含む。

この封止半導体素子の製造方法によれば、感圧接着シートの感圧接着力を簡便に低減することができる。

本発明（１３）は、（１）〜（１２）のいずれか一項に記載の製造方法により、封止半導体素子を製造する工程、および、前記封止半導体素子を基板に実装する工程を備える、半導体装置の製造方法を含む。

この半導体装置の製造方法によれば、半導体素子に感圧接着剤が付着することが抑制された封止半導体素子を基板に実装するので、信頼性に優れる半導体装置を製造することができる。

本発明の封止半導体素子の製造方法によれば、封止性および電気的な接続信頼性に優れる封止半導体素子を製造することができる。

本発明の半導体装置の製造方法によれば、信頼性に優れる半導体装置を製造することができる。

図１は、本発明の封止半導体素子の製造方法の第１実施形態のステップ図を示す。 図２Ａ〜図２Ｄは、本発明の封止半導体素子の製造方法の第１実施形態の製造工程図であって、図２Ａは、素子用意工程、図２Ｂは、封止工程、図２Ｃは、第１加熱工程、図２Ｄは、切断工程を示す。 図３Ｅ〜図３Ｈは、図２Ｄに引き続き、本発明の封止半導体素子の製造方法の第１実施形態の製造工程図であって、図３Ｅは、支持基板除去工程、図３Ｆは、耐熱性シート貼合工程、図３Ｇは、低減工程、図３Ｈは、感圧接着シート剥離工程を示す。 図４Ｉ〜図４Ｌは、図３Ｈに引き続き、本発明の封止半導体素子および半導体装置の製造方法の第１実施形態の製造工程図であって、図４Ｉは、第２加熱工程、図４Ｊは、第２転写工程、図４Ｋは、延伸工程、図４Ｌは、検査・選別工程および第３転写工程を示す。 図５Ｍ〜図５Ｐは、図４Ｌに引き続き、本発明の封止半導体素子および半導体装置の製造方法の第１実施形態の製造工程図であって、図５Ｍは、第４転写工程、図５Ｎは、第５転写工程、図５Ｏは、第６転写工程および剥離工程図５Ｐは、実装工程を示す。 図６は、本発明の封止半導体素子の製造方法の第２実施形態のステップ図を示す。 図７Ａ〜図７Ｄは、本発明の封止半導体素子の製造方法の第２実施形態の製造工程図であって、図７Ａは、素子用意工程、図７Ｂは、封止工程、図７Ｃは、第１加熱工程、図７Ｄは、切断工程を示す。 図８Ｅ〜図８Ｉは、図７Ｄに引き続き、本発明の封止半導体素子の製造方法の第２実施形態の製造工程図であって、図８Ｅは、低減工程、図８Ｆは、第２加熱工程、図８Ｇは、第１転写工程、図８Ｈは、延伸工程、図８Ｉは、第２転写工程を示す。 図９Ｊ〜図９Ｎは、図８Ｉに引き続き、本発明の封止半導体素子および半導体装置の製造方法の第２実施形態の製造工程図であって、図９Ｊは、検査・選別工程および第３転写工程、図９Ｋは、第４転写工程、図９Ｌは、第５転写工程、図９Ｍは、第６転写工程および剥離工程、図９Ｎは、実装工程を示す。 図１０は、本発明の封止半導体素子の製造方法の第４実施形態のステップ図を示す。 図１１Ａ〜図１１Ｄは、本発明の封止半導体素子の製造方法の第４実施形態の製造工程図の一部であって、図１１Ａは、第１転写工程、図１１Ｂは、第２加熱工程、図１１Ｃは、第７転写工程、図１１Ｄは、延伸工程を示す。 図１２は、本発明の封止半導体素子の製造方法の第５実施形態のステップ図を示す。 図１３Ａ〜図１３Ｅは、本発明の封止半導体素子の製造方法の第５実施形態の製造工程図の一部であって、図１３Ａは、低減工程、図１３Ｂは、第８転写工程、図１３Ｃは、第２加熱工程、図１３Ｄは、第１転写工程、図１３Ｅは、切断工程を示す。 図１４は、実施例における感圧接着層の引張弾性率の測定方法の概略説明図を示す。

図２Ａ〜図５Ｐにおいて、紙面上下方向は、上下方向（第１方向、厚み方向）であり、紙面上側が上側（第１方向一方側、厚み方向一方側）、紙面下側が下側（第１方向他方側、厚み方向他方側）である。図２Ａ〜図５Ｐにおいて、紙面左右方向は、左右方向（第１方向に直交する第２方向）であり、紙面左側が左側（第２方向一方側）、紙面右側が右側（第２方向他方側）である。図２Ａ〜図５Ｐにおいて、紙厚方向は、前後方向（第１方向および第２方向に直交する第３方向）であり、紙面手前側が前側（第３方向一方側）、紙面奥側が後側（第３方向他方側）である。具体的には、各図の方向矢印に準拠する。

＜第１実施形態＞
本発明の封止半導体素子の製造方法の第１実施形態は、図１に示すように、素子用意工程６１、封止工程６２、第１加熱工程６３、切断工程６４、支持基板除去工程５１、耐熱性シート貼合工程５２、低減工程６５、剥離工程の一例としての感圧接着シート剥離工程５３、および、第２加熱工程６６を備える。また、第１実施形態は、複数の転写工程（第２転写工程６９、第３転写工程７１、第４転写工程７２、第５転写工程７３、第６転写工程７４）、延伸工程６８、検査・選別工程７０、および、剥離工程７５を備える。以下、各工程を説明する。

１． 素子用意工程
素子用意工程６１では、図２Ａに示すように、複数の半導体素子の一例としての光半導体素子１を、感圧接着シート７の上に配置する。

１−１． 光半導体素子
光半導体素子１は、例えば、電気エネルギーを光エネルギーに変換するＬＥＤやＬＤである。好ましくは、光半導体素子１は、青色光を発光する青色ＬＥＤ（発光ダイオード素子）である。一方、光半導体素子１は、光半導体素子とは技術分野が異なるトランジスタなどの整流器を含まない。

光半導体素子１は、感圧接着シート７の上において、前後方向および左右方向に互いに間隔を隔てて複数整列配置されている。

光半導体素子１は、前後方向および左右方向に沿う略平板形状を有している。光半導体素子１は、電極側面３と、対向面４と、周側面５とを有している。

電極側面３は、光半導体素子１における下面であって、図示しない電極が形成される面である。

対向面４は、光半導体素子１における上面であって、電極側面３に対して上側に間隔を隔てて対向配置されている。

周側面５は、電極側面３の周端縁と、対向面４の周端縁とを連結している。

光半導体素子１の寸法は、適宜設定されており、具体的には、厚み（高さ）が、例えば、０．１μｍ以上、好ましくは、０．２μｍ以上であり、また、例えば、５００μｍ以下、好ましくは、２００μｍ以下である。また、光半導体素子１の前後方向および／または左右方向における長さＬ１は、例えば、０．２ｍｍ以上、好ましくは、０．５ｍｍ以上であり、また、例えば、１．５ｍｍ以下、好ましくは、１．２ｍｍ以下である。また、隣接する光半導体素子１の間の間隔（前後方向および／または左右方向における間隔）Ｌ０は、例えば、０．０５ｍｍ以上、好ましくは、０．１ｍｍ以上であり、また、例えば、１．０ｍｍ以下、好ましくは、０．８ｍｍ以下である。また、隣接する光半導体素子１のピッチＬ２、具体的には、上記した長さＬ１および間隔Ｌ０の和（Ｌ１＋Ｌ０）は、例えば、０．２５ｍｍ以上、好ましくは、０．６ｍｍ以上であり、また、例えば、２．５ｍｍ以下、好ましくは、２．０ｍｍ以下である。

１−２． 感圧接着シート
感圧接着シート７は、感圧接着剤を含んでいる。具体的には、感圧接着シート７は、処理によって感圧接着力が低減するように構成される感圧接着層３４を備える。詳しくは、感圧接着シート７は、感圧接着層３４と、感圧接着層３４の上下方向途中（具体的には、中央部）に介在される支持シート３３とを備える。感圧接着層３４の内、支持シート３３の上に配置される層が、第１感圧接着層３１であり、支持シート３３の下に配置される層が、第２感圧接着層３２である。つまり、感圧接着層３４は、第１感圧接着層３１と、第２感圧接着層３２とを備える。好ましくは、感圧接着層３４は、第１感圧接着層３１と、第２感圧接着層３２とのみからなる。

また、感圧接着シート７は、支持基板６に支持されている。

１−２−１．第１感圧接着層
第１感圧接着層３１は、支持シート３３の上面全面に配置（支持）されている。

第１感圧接着層３１は、処理によって感圧接着力が低減するように構成されている。具体的には、第１感圧接着層３１は、活性エネルギー線が照射されることによって、感圧接着力が低減する感圧接着剤から、シート状（層状）に形成されている。第１感圧接着層３１の厚みは、例えば、５μｍ以上、好ましくは、１０μｍ以上であり、また、例えば、１００μｍ以下、好ましくは、５０μｍ以下である。

１−２−２．第２感圧接着層
第２感圧接着層３２は、支持シート３３の下面全面に配置されている。

第２感圧接着層３２は、公知の感圧接着剤から、シート状（層状）に形成されている。第２感圧接着層３２は、好ましくは、処理によって感圧接着力が低減しないように構成されている。具体的には、第２感圧接着層３２は、例えば、特開２０１５−１２０８８４号公報などに記載の感圧接着剤からなる。第２感圧接着層３２の厚みは、例えば、３μｍ以上、好ましくは、５μｍ以上であり、また、例えば、３０μｍ以下、好ましくは、２０μｍ以下である。

好ましくは、感圧接着層３４のうち、第１感圧接着層３１のみが、処理によって感圧接着力が低減するように構成される一方、第２感圧接着層３２が、処理によって感圧接着力が低減しないように構成される。

また、感圧接着層３４の厚み、つまり、第１感圧接着層３１および第２感圧接着層３２の総厚みは、例えば、８μｍ以上、好ましくは、１５μｍ以上であり、また、例えば、１３０μｍ以下、好ましくは、７０μｍ以下である。

Ａ． 感圧接着剤
処理によって感圧接着力が低減する感圧接着剤としては、例えば、炭素−炭素二重結合が導入された樹脂組成物などが挙げられる。樹脂組成物は、炭素−炭素二重結合を有するポリマーが挙げられる。

Ｂ． 感圧接着剤の調製
そのようなポリマーは、例えば、以下の方法によって、調製される。

すなわち、例えば、主ビニルモノマーと、第１官能基を有する副ビニルモノマーとを含有するモノマー成分を、第１官能基が消失しないように、共重合して、第１官能基を有する前駆体ポリマーを調製する。別途、第１官能基と反応することができる第２官能基と、炭素−二重結合とを有する化合物を準備する。その後、この化合物を前駆体ポリマーに配合して、第１官能基と第２官能基とを反応させる。

第１官能基と第２官能基との組合せとして、例えば、ヒドロキシル基とイソシアネート基との組合せなどが挙げられる。第１官能基として、好ましくは、ヒドロキシル基が挙げられる。第２官能基として、好ましくは、イソシアネート基が挙げられる。

主モノマーとしては、例えば、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、イソプロピル（メタ）アクリレート、ｎ−ブチル（メタ）アクリレート、イソブチル（メタ）アクリレート、ｓ−ブチル（メタ）アクリレート、ペンチル（メタ）アクリレート、イソペンチル（メタ）アクリレート、ヘキシル（メタ）アクリレート、ヘプチル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート（２ＥＨＡ／２ＥＨＭＡ）、オクチル（メタ）アクリレート、イソオクチル（メタ）アクリレート、ノニル（メタ）アクリレート、イソノニル（メタ）アクリレート、デシル（メタ）アクリレート、イソデシル（メタ）アクリレート、ウンデシル（メタ）アクリレート、ドデシル（メタ）アクリレート、トリデシル（メタ）アクリレート、テトラデシル（メタ）アクリレート、ペンタデシル（メタ）アクリレート、ヘキサデシル（メタ）アクリレート、ヘプタデシル（メタ）アクリレート、オクタデシル（メタ）アクリレート、ノナデシル（メタ）アクリレート、エイコシル（メタ）アクリレートなどの、アルキル部分の炭素数が１〜２０であるアルキル（メタ）アクリレートが挙げられる。好ましくは、２−エチルヘキシルアクリレート（２ＥＨＡ）が挙げられる。これらは、単独使用または併用することができる。主モノマーの、モノマー成分における配合割合は、例えば、７０質量％以上、好ましくは、９０質量％以上であり、また、例えば、９９質量％以下である。

副ビニルモノマーは、主ビニルモノマーとして共重合することができるビニルモノマーである。副ビニルモノマーとしては、例えば、カルボキシ基含有モノマー、エポキシ基含有モノマー、ヒドロキシル基含有モノマー、イソシアネート基含有モノマーなどが挙げられ、好ましくは、ヒドロキシル基含有モノマーが挙げられる。

ヒドロキシル基含有モノマーとしては、例えば、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート（２−ＨＥＡ／ＨＥＭＡ）、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、３−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレートなどのヒドロキシアルキル（メタ）アクリレートなどが挙げられる。好ましくは、２−ヒドロキシエチルアクリレート（２−ＨＥＡ）が挙げられる。これらは、単独使用または併用することができる。副ビニルモノマーの、モノマー成分における配合割合は、例えば、３０質量％以下であり、また、例えば、１質量％以上である。

化合物としては、イソシアネート基含有化合物が挙げられ、具体的には、（メタ）アクリロイルイソシアネート、２−（メタ）アクリロイルオキシエチルイソシアネート、ｍ−イソプロペニル−α，α−ジメチルベンジルイソシアネートなどの、イソシアネート基含有ビニルモノマーが挙げられる。好ましくは、メタクリロイルオキシエチルイソシアネートが挙げられる。

化合物の配合割合は、ポリマーにおける二重結合の導入量が、例えば、０．０１ミリモル／ｇ以上、好ましくは、０．２ミリモル／ｇ以上となり、また、例えば、１０．０ミリモル／ｇ以下、好ましくは、５．０ミリモル／ｇ以下となるように、調整される。

前駆体ポリマーを調製するには、上記したモノマー成分を、上記した割合で、重合開始剤の存在下で、例えば、溶液重合させる。

重合開始剤としては、例えば、過酸化物、過硫酸塩、レドックス系開始剤などが挙げられる。これらは、単独使用または併用することができる。好ましくは、過酸化物が挙げられる。過酸化物としては、例えば、ジアシルパーオキサイド、パーオキシエステル、パーオキシジカーボネート、モノパーオキシカーボネート、パーオキシケタール、ジアルキルパーオキサイド、ハイドロパーオキサイド、ケトンパーオキサイドなどが挙げられ、好ましくは、ジアシルジパーオキサイドが挙げられる。

ジアシルジパーオキサイドとしては、例えば、ジベンゾイルパーオキサイド（ＢＰＯ）、ジ−ｐ−ニトロベンゾイルパーオキサイド、ジ−ｐ−クロロベンゾイルパーオキサイド、ジ（３，５，５−トリメチルヘキサノイル）パーオキサイド、ジ−ｎ−オクタノイルパーオキサイド、ジデカノイルパーオキサイド、ジラウロイルパーオキサイドなどが挙げられる。好ましくは、ジベンゾイルパーオキサイド（ＢＰＯ）が挙げられる。

重合開始剤の配合割合は、モノマー成分１００質量部に対して、例えば、０．００５質量部以上、例えば、１質量部以下である。

また、溶液重合では、重合溶媒が用いられる。重合溶媒としては、例えば、トルエン、キシレンなど芳香族炭化水素、例えば、ヘキサンなどの脂肪族炭化水素などが挙げられる。好ましくは、芳香族炭化水素が挙げられる。

そして、主ビニルモノマーと、副ビニルモノマーとを含有するモノマー成分を、副ビニルモノマーの第１官能基が消失しないように、共重合させて、第１官能基を有する前駆体ポリマーを調製する。

続いて、前駆体ポリマーに、上記した化合物を配合する。好ましくは、ヒドロキシル基を含有する前駆体ポリマーに、イソシアネート基含有化合物を配合して、ヒドロキシル基とイソシアネート基とを反応させて、ウレタン結合を形成する。そして、得られたポリマーには、化合物が有する炭素−炭素二重結合が導入される。

その後、ポリマーに、光重合開始剤を配合する。

光重合開始剤は、後述する低減工程６５（図３Ｇ参照）において活性エネルギー線が感圧接着層３４に照射されたときに、ラジカルを発生させて、樹脂組成物に導入された炭素−炭素二重結合を互いに反応させるための光重合触媒である。光重合開始剤の１０時間半減期温度は、例えば、２０℃以上、好ましくは、５０℃以上であり、また、例えば、１０７℃以下、好ましくは、１００℃以下である。

光重合開始剤としては、例えば、ケタール系光重合開始剤、アセトフェノン系光重合開始剤、ベンゾインエーテル系光重合開始剤、アシルホスフィンオキサイド系光重合開始剤、α−ケトール系光重合開始剤、芳香族スルホニルクロリド系光重合開始剤、光活性オキシム系光重合開始剤、ベンゾイン系光重合開始剤、ベンジル系光重合開始剤、ベンゾフェノン系光重合開始剤、チオキサントン系光重合開始剤などが挙げられる。これらは、単独使用または併用することができる。好ましくは、チオキサントン系光重合開始剤が挙げられる。チオキサントン系光重合開始剤としては、例えば、１−［４−（２−ヒドロキシエトキシ）−フェニル］−２−ヒドロキシ−２−メチル−１−プロパン−１−オン、２−ヒドロキシ−１−｛４−［４−（２−ヒドロキシ−２−メチル−プロピオニル）−ベンジル］フェニル｝−２−メチル−プロパン−１−オンが挙げられる。好ましくは、２−ヒドロキシ−１−｛４−［４−（２−ヒドロキシ−２−メチル−プロピオニル）−ベンジル］フェニル｝−２−メチル−プロパン−１−オンが挙げられる。

光重合開始剤の配合割合は、ポリマー１００質量部に対して、例えば、０．１質量部以上、好ましくは、０．５質量部以上であり、また、例えば、１０質量部以下、好ましくは、５質量部以下である。

また、ポリマーには、架橋剤などの添加剤を適宜の割合で配合することができる。架橋剤としては、例えば、イソシアネート系架橋剤、エポキシ系架橋剤、オキサゾリン系架橋剤、アジリジン系架橋剤、メラミン系架橋剤、過酸化物系架橋剤、尿素系架橋剤、金属アルコキシド系架橋剤、金属キレート系架橋剤、金属塩系架橋剤、カルボジイミド系架橋剤、アミン系架橋剤などが挙げられる。好ましくは、イソシアネート系架橋剤が挙げられる。

Ｃ．感圧接着層の形成
感圧接着層３４を支持シート３３の上下両面に配置するには、例えば、処理によって感圧接着力が低減する上記した感圧接着剤を、支持シート３３の上面に塗布する一方、処理によって感圧接着力が低減しない感圧接着剤を、支持シート３３の下面に塗布する。その後、乾燥させる。乾燥温度は、例えば、４０℃以上、好ましくは、６０℃以上であり、また、例えば、１５０℃以下、好ましくは、１３０℃以下である。乾燥温度は、例えば、５分以下である。

その後、必要により、感圧接着剤をエージングする。エージング温度は、例えば、２５℃以上、好ましくは、４０℃以上であり、また、例えば、７０℃以下、好ましくは、６０℃以下である。エージング時間は、例えば、１０時間以上、また、例えば、１２０時間以下である。

これにより、支持シート３３、第１感圧接着層３１および第２感圧接着層３２からなる感圧接着シート７を作製する。

その後、作製した感圧接着シート７の第２感圧接着層３２を、支持基板６の上面に貼り合わせる。

なお、感圧接着シート７は、支持基板６とともに、支持基板付感圧接着シート（仮固定部材）２を形成する。

Ｄ． 感圧接着層の物性
感圧接着層３４の２５℃における引張弾性率は、例えば、０．０１ＭＰａ以上、好ましくは、０．０２ＭＰａ以上であり、また、例えば、１．０ＭＰａ以下、好ましくは、０．８ＭＰａ以下である。

１−２−３． 支持シート
支持シート３３は、感圧接着シート７において、面方向に沿って延びるシート状を有している。支持シート３３は、感圧接着シート７において、感圧接着層３４（具体的には、第１感圧接着層３１および第２感圧接着層３２）を支持する。支持シート３３は、感圧接着シート７の上下方向中央部に位置する。支持シート３３は、例えば、ポリエチレンフィルム、ポリエステルフィルム（ＰＥＴフィルムなど）などのポリマーフィルムからなる。支持シート３３の厚みは、例えば、２０μｍ以上、好ましくは、３０μｍ以上であり、また、例えば、１２０μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下である。

Ｅ． 支持基板
支持基板６は、可撓性を有する平板形状（フィルム形状）を有する。支持基板６は、第２感圧接着層３２（感圧接着層３４）の下面全面に配置されている。支持基板６としては、例えば、ポリエチレンフィルム、ポリエステルフィルム（ＰＥＴなど）などのポリマーフィルム、例えば、セラミックスシート、例えば、金属箔などが挙げられる。支持基板６の厚みは、例えば、１００μｍ以上、好ましくは、３００μｍ以上であり、また、例えば、２０００μｍ以下、好ましくは、１０００μｍ以下である。

図２Ａに示すように、複数の光半導体素子１を感圧接着シート７の上に感圧接着するには、複数の光半導体素子１の電極側面３を感圧接着シート７の上面（第１感圧接着層３１の上面）に載置して（接触させて）、光半導体素子１を感圧接着シート７に仮固定する。これにより、複数の光半導体素子１を、感圧接着シート７を介して支持基板６に支持させる。

２． 封止工程
図１に示すように、封止工程６２を、素子用意工程６１の後に、実施する。

封止工程６２では、図２Ｂに示すように、感圧接着シート７に感圧接着された光半導体素子１を、封止層１０によって、封止する。

封止工程６２では、まず、封止層１０を用意する。

具体的には、図２Ａに示すように、まず、剥離シート９と、剥離シート９の下面に配置される封止層１０とを備える封止シート８とを用意する。封止シート８は、好ましくは、剥離シート９と、封止層１０とのみからなる。

剥離シート９は、例えば、ポリエチレンフィルム、ポリエステルフィルム（ＰＥＴなど）などのポリマーから、シート状に形成されている。剥離シート９の厚みは、例えば、１μｍ以上、好ましくは、１０μｍ以上であり、また、例えば、２，０００μｍ以下、好ましくは、１，０００μｍ以下である。

封止層１０は、剥離シート９の下面全面に形成される層状を有している。封止層１０は、熱硬化性樹脂を含有する封止組成物から調製されている。

熱硬化性樹脂としては、例えば、２段反応硬化性樹脂、１段反応硬化性樹脂が挙げられる。

２段反応硬化性樹脂は、２つの反応機構を有しており、第１段の反応で、Ａステージ状態からＢステージ化（半硬化）し、次いで、第２段の反応で、Ｂステージ状態からＣステージ化（完全硬化）することができる。つまり、２段反応硬化性樹脂は、適度の加熱条件によりＢステージ状態となることができる熱硬化性樹脂である。Ｂステージ状態は、熱硬化性樹脂が、液状であるＡステージ状態と、完全硬化したＣステージ状態との間の状態であって、硬化およびゲル化がわずかに進行し、引張弾性率がＣステージ状態の弾性率よりも小さい半固体状態または固体状態である。

１段反応硬化性樹脂は、１つの反応機構を有しており、第１段の反応で、Ａステージ状態からＣステージ化（完全硬化）することができる。このような１段反応硬化性樹脂は、第１段の反応の途中で、その反応が停止して、Ａステージ状態からＢステージ状態となることができ、その後のさらなる加熱によって、第１段の反応が再開されて、Ｂステージ状態からＣステージ化（完全硬化）することができる熱硬化性樹脂である。つまり、かかる熱硬化性樹脂は、Ｂステージ状態となることができる熱硬化性樹脂である。そのため、１段反応硬化性樹脂は、１段の反応の途中で停止するように制御できず、つまり、Ｂステージ状態となることができず、一度に、Ａステージ状態からＣステージ化（完全硬化）する熱硬化性樹脂を含まない。

要するに、熱硬化性樹脂は、Ｂステージ状態となることができる熱硬化性樹脂である。

熱硬化性樹脂としては、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂などが挙げられる。熱硬化性樹脂としては、好ましくは、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂が挙げられ、より好ましくは、シリコーン樹脂が挙げられる。

シリコーン樹脂としては、例えば、フェニル基を分子内に含むフェニル系シリコーン樹脂などが挙げられる。

上記した熱硬化性樹脂は、同一種類または複数種類のいずれでもよい。

また、封止組成物は、フィラーおよび／または蛍光体を含有することができる。

フィラーとしては、例えば、光拡散性粒子が挙げられる。光拡散性粒子としては、例えば、無機粒子、有機粒子などが挙げられる。

無機粒子としては、例えば、シリカ（ＳｉＯ_２）、タルク（Ｍｇ_３（Ｓｉ_４Ｏ_１０）（ＨＯ）_２）、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）、酸化ホウ素（Ｂ_２Ｏ_３）、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ_２）、酸化バリウム（ＢａＯ）、酸化アンチモン（Ｓｂ_２Ｏ_３）などの酸化物、例えば、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化ケイ素（Ｓｉ_３Ｎ_４）などの窒化物などの無機物粒子（無機物）が挙げられる。また、無機粒子として、例えば、上記例示の無機物から調製される複合無機物粒子が挙げられ、具体的には、酸化物から調製される複合無機酸化物粒子（具体的には、ガラス粒子など）が挙げられる。

無機粒子として、好ましくは、シリカ粒子、ガラス粒子が挙げられる。

有機粒子の有機材料としては、例えば、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、アクリル−スチレン系樹脂、シリコーン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ベンゾグアナミン系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂などが挙げられる。

フィラーは、単独使用または併用することができる。

フィラーの含有割合は、封止組成物に対して、例えば、１質量％以上、好ましくは、３質量％以上であり、また、例えば、８０質量％以下、好ましくは、７５質量％以下である。また、フィラーの熱硬化性樹脂１００質量部に対する配合割合は、例えば、１０質量部以上、好ましくは、３０質量部以上であり、また、例えば、１，０００質量部以下、好ましくは、２００質量部以下である。

蛍光体としては、例えば、青色光を黄色光に変換することのできる黄色蛍光体、青色光を赤色光に変換することのできる赤色蛍光体などが挙げられる。

黄色蛍光体としては、例えば、（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）_２ＳｉＯ_４；Ｅｕ、（Ｓｒ，Ｂａ）_２ＳｉＯ_４：Ｅｕ（バリウムオルソシリケート（ＢＯＳ））などのシリケート蛍光体、例えば、Ｙ_３Ａｌ_５Ｏ_１２：Ｃｅ（ＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）：Ｃｅ）、Ｔｂ_３Ａｌ_３Ｏ_１２：Ｃｅ（ＴＡＧ（テルビウム・アルミニウム・ガーネット）：Ｃｅ）などのガーネット型結晶構造を有するガーネット型蛍光体、例えば、Ｃａ−α−ＳｉＡｌＯＮなどの酸窒化物蛍光体などが挙げられる。

赤色蛍光体としては、例えば、ＣａＡｌＳｉＮ_３：Ｅｕ、ＣａＳｉＮ_２：Ｅｕなどの窒化物蛍光体などが挙げられる。

蛍光体として、好ましくは、黄色蛍光体、より好ましくは、ガーネット型蛍光体が挙げられる。

蛍光体の形状としては、例えば、球状、板状、針状などが挙げられる。

蛍光体の最大長さの平均値（球状である場合には、平均粒子径）は、例えば、０．１μｍ以上、好ましくは、１μｍ以上であり、また、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下でもある。

蛍光体は、単独使用または併用することができる。

蛍光体の配合割合は、封止組成物に対して、例えば、５質量％以上、好ましくは、１０質量％以上であり、また、例えば、８０質量％以下、好ましくは、７０質量％以下である。また、蛍光体の配合割合は、熱硬化性樹脂１００質量部に対して、例えば、０．１質量部以上、好ましくは、０．５質量部以上であり、例えば、９０質量部以下、好ましくは、８０質量部以下である。

封止層１０を調製するには、例えば、上記した熱硬化性樹脂と、必要により配合されるフィラーおよび／または蛍光体とを配合して、封止組成物のワニスを調製し、続いて、それを、剥離シート９の表面に塗布する。その後、封止組成物を、Ｂステージ化する。具体的には、封止組成物を、加熱する。

加熱温度は、例えば、５０℃以上、好ましくは、７０℃以上であり、また、例えば、１２０℃以下、好ましくは、１００℃以下である。加熱時間は、例えば、５分以上、好ましくは、１０分以上であり、また、例えば、２０分以下、好ましくは、１５分以下である。

これによって、図２Ａに示すように、剥離シート９と、封止層１０とを備える封止シート８を得る。

次いで、図２Ａの矢印および図２Ｂに示すように、封止層１０を、光半導体素子１に対して、圧着する。

これによって、光半導体素子１の対向面４と周側面５とが、封止層１０によって被覆される。また、光半導体素子１から露出する感圧接着シート７（第１感圧接着層３１）の上面８６も、封止層１０によって被覆される。従って、封止層１０は、感圧接着シート７（第１感圧接着層３１）の上面８６に接触し、電極側面３と前後方向および左右方向において面一に形成される下面１５と、下面１５の上側、および、光半導体素子１の対向面４の上側に対向配置され、剥離シート９によって保護される上面１６とを有している。

その後、図２Ｂの矢印で示すように、剥離シート９を封止層１０から剥離する。

これによって、封止層１０の上面１６は、上側に露出する露出面となる。

これによって、複数の光半導体素子１と、複数の光半導体素子１を封止する封止層１０とを備える封止光半導体素子１１を、感圧接着シート７に仮固定された状態で、得る。

３． 第１加熱工程
図１に示すように、第１加熱工程６３を、封止工程６２の後に、実施する。

図２Ｃに示すように、第１加熱工程６３では、封止層１０を加熱する。具体的には、封止層１０を備える封止光半導体素子１１を、感圧接着シート７（支持基板付感圧接着シート２）とともに加熱する。

加熱条件は、封止層１０が完全硬化（Ｃステージ化）する熱履歴Ｈ０より少ない熱履歴Ｈ１が封止層１０に付与される条件である。

一方、加熱条件は、封止層１０（に含有される熱硬化性樹脂）の硬化が、Ｃステージ化するより前の状態にまで、進行する一方、次に説明する切断工程６４（図２Ｄ参照）において切断装置（具体的には、ダイシングソー１２）による切断に耐えることのできる機械強度を封止層１０が有する条件である。

他方、加熱条件は、封止層１０とともに加熱される感圧接着層３４（具体的には、第１感圧接着層３１）に含有される光重合開始剤（好ましくは、チオキサントン系光重合開始剤）が、実質的に反応しない条件（つまり、全く反応しないか、または、一部が反応しても、後の低減工程６５（図３Ｇ参照）において、残部によって、樹脂組成部に導入された炭素−炭素二重結合を反応させることができる条件。すなわち、光重合開始剤の実質的な失活が抑制できる条件。）である。

具体的には、熱履歴Ｈ１は、加熱温度および加熱時間の程度で表される。

例えば、熱履歴Ｈ１は、熱履歴Ｈ０の加熱温度より低い温度で、封止光半導体素子１１および感圧接着シート７を加熱し、かつ、熱履歴Ｈ０の加熱時間より短い時間で、加熱する熱履歴である。

また、熱履歴Ｈ１において、熱履歴Ｈ０の加熱温度と同じ温度で、封止光半導体素子１１および感圧接着シート７を加熱する場合には、熱履歴Ｈ０の加熱時間より短い時間で、加熱する。

さらに、熱履歴Ｈ１において、熱履歴Ｈ０の加熱時間と同じ時間で、封止光半導体素子１１および感圧接着シート７を加熱する場合には、熱履歴Ｈ０の加熱温度より低い温度で、加熱する。

詳しくは、加熱温度は、例えば、６０℃以上、好ましくは、８０℃以上、より好ましくは、１００℃以上であり、また、例えば、１７０℃以下、好ましくは、１５０℃以下である。

加熱時間は、例えば、５分以上、好ましくは、１０分以上、より好ましくは、３０分以上であり、また、例えば、１０時間以下、好ましくは、４時間以下、より好ましくは、２時間以下である。

加熱温度および加熱時間が、上記した上限以下であれば、感圧接着剤に含まれる光重合開始剤の失活を抑制することができ、そのため、後述する低減工程６５（図３Ｇ参照）において、光重合開始剤が炭素−炭素二重結合が十分に反応し、それによって、感圧接着シート剥離工程５３（図３Ｈ参照）において、感圧接着剤が光半導体素子１の電極側面３に付着すること（糊残り）を有効に抑制することができる。また、加熱温度および加熱時間が、上記した上限以下であれば、封止層１０の硬化が、Ｃステージ化するより前の状態にまで、進行することができる。

一方、加熱温度および加熱時間が、上記した下限以上であれば、封止層１０が、次に説明する切断工程６４（図２Ｄ参照）において切断装置による切断に耐えることができる。

具体的には、封止層１０を加熱するには、封止層１０を備える封止光半導体素子１１を、感圧接着シート７とともに、上記の条件で、オーブン９０などの加熱装置（加熱炉）に投入する。

加熱後の封止層１０の２５℃における引張弾性率は、例えば、１０ＭＰａ以上、好ましくは、２０ＭＰａ以上、より好ましくは、３０ＭＰａ以上、さらに好ましくは、４０ＭＰａ以上であり、また、例えば、１００ＭＰａ以下である。

封止層１０の引張弾性率Ｍ１が、上記下限以上であれば、封止層１０が、次に説明する切断工程６４（図２Ｄ参照）における切断に耐えることができる。

４． 切断工程
図１に示すように、切断工程６４を、第１加熱工程６３の後に、実施する。

図２Ｄに示すように、切断工程６４では、封止層１０を、複数の光半導体素子１のそれぞれに対応するように、切断する。

封止層１０の切断では、例えば、円盤状のダイシングソー（ダイシングブレード）１２（図２Ｄ参照）を用いるダイシング装置、カッターを用いるカッティング装置、レーザー照射装置などの切断装置が用いられる。好ましくは、ダイシング装置が用いられる。

封止層１０の切断によって、封止層１０には、切断面１４が、封止層１０の前後方向および左右方向に沿って形成される。

前後方向に対向する切断面１４間（図２Ｄにおいて図示されず）の間隔Ｌ４、および、左右方向に対向する切断面１４間の間隔Ｌ４は、上記した光半導体素子１のピッチＬ２と同一あるいは近似しており、具体的には、前後方向長さおよび左右方向長さが、例えば、０．０１ｍｍ以上、好ましくは、０．０２ｍｍ以上であり、また、例えば、２．５ｍｍ以下、好ましくは、２ｍｍ以下である。

５． 支持基板除去工程
図１に示すように、支持基板除去工程５１を、切断工程６４の後に、実施する。

図３Ｅに示すように、支持基板除去工程５１では、支持基板６を除去する。例えば、支持基板６を感圧接着シート７から剥離する。詳しくは、支持基板６を、第２感圧接着層３２の下面から剥離する。

６． 耐熱性シート貼合工程
図１に示すように、耐熱性シート貼合工程５２を、支持基板除去工程５１の後に、実施する。

図３Ｆに示すように、耐熱性シート貼合工程５２では、耐熱性シート２８を、封止光半導体素子１１に貼り合わせる。具体的には、まず、図３Ｅに示すように、耐熱性シート２８を封止光半導体素子１１の上側に配置し、次いで、図３Ｆに示すように、耐熱性シート２８を、封止層１０の上面１６に直接接触させる。

耐熱性シート２８は、微感圧接着（タック）性を有する感圧接着剤からシート状（層状）に形成されている。感圧接着剤としては、例えば、シリコーン系感圧接着剤、エポキシ系感圧接着剤などの耐熱性感圧接着剤が挙げられる。感圧接着剤としては、好ましくは、シリコーン系感圧接着剤が挙げられる。また、耐熱性シート２８として、市販品を用いることができ、例えば、耐熱微粘着シートＴＲＭシリーズ（日東電工社製）などが挙げられる。耐熱性シート２８の厚みは、例えば、２０μｍ以上、好ましくは、３０μｍ以上であり、また、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下である。

耐熱性シート貼合工程５２によって、複数の封止光半導体素子１１が、感圧接着シート７および耐熱性シート２８の両方によって上下両側から支持される。封止光半導体素子１１の上面１６は、耐熱性シート２８に直接接触されながら、封止光半導体素子１１の下面１５、および、光半導体素子１の電極側面３は、第１感圧接着層３１に直接接触されている。

７． 低減工程
図１に示すように、低減工程６５を、耐熱性シート貼合工程５２の後に、実施する。

低減工程６５では、処理によって感圧接着シート７（感圧接着層３４、好ましくは、第１感圧接着層３１）の感圧接着力を低減させる。図３Ｇに示すように、具体的には、活性エネルギー線を感圧接着シート７（感圧接着層３４）に対して照射する。より具体的には、感圧接着シート７（支持基板付感圧接着シート２）の上側に設けられた線源（図示せず）および／または下側に設けられた線源１３から、感圧接着シート７（感圧接着層３４）に対して、照射する。好ましくは、図３Ｇに示すように、感圧接着シート７（支持基板付感圧接着シート２）の下側に設けられた線源１３から、支持基板６を透過するように、感圧接着シート７（感圧接着層３４）に照射する。

活性エネルギー線としては、紫外線、電子線などが挙げられる。好ましくは、紫外線が挙げられる。

線源としては、例えば、ケミカルランプ、エキシマレーザ、ブラックライト、水銀アーク、炭素アーク、低圧水銀ランプ、中圧水銀ランプ、高圧水銀ランプ、超高圧水銀ランプ、メタルハライドランプなどの照射装置が挙げられる。

照射量は、例えば、感圧接着層３４（好ましくは、第１感圧接着層３１）における炭素−炭素二重結合が実質的に反応できる条件、具体的には、光重合開始剤が実質的に反応できる条件に設定される。具体的には、照射量は、例えば、１００ｍＪ／ｃｍ^２、好ましくは、４００ｍＪ／ｃｍ^２以上であり、また、例えば、２０００ｍＪ／ｃｍ^２、好ましくは、１０００ｍＪ／ｃｍ^２以下である。

この低減工程６５によって、感圧接着層３４（具体的には、第１感圧接着層３１）の上面８６の、光半導体素子１の電極側面３と、封止層１０の下面１５（電極側面３と面一に形成される露出面）とに対する感圧接着力が十分に低下する。

一方、封止光半導体素子１１の感圧接着層３４（第１感圧接着層３１および第２感圧接着層３２）に対する仮固定は、確保されており、つまり、封止光半導体素子１１は、感圧接着層３４（第１感圧接着層３１および第２感圧接着層３２）に対して比較的小さい感圧接着力（微タック力）で感圧接着（タック）されながら、支持基板６に支持されている。

このような感圧接着層３４の２５℃における引張弾性率は、例えば、２０ＭＰａ以上、好ましくは、４０ＭＰａ以上であり、また、例えば、１００ＭＰａ以下、好ましくは、８０ＭＰａ以下である。

そして、上記した感圧接着層３４の引張弾性率Ｘ、つまり、第１加熱工程６３の加熱と低減工程６５の処理とを順次実施した感圧接着層３４の２５℃における引張弾性率Ｘの、低減工程６５の処理（具体的には、活性エネルギー線の照射）のみを実施した感圧接着層３４の２５℃における引張弾性率Ｙに対する比（Ｘ／Ｙ）は、例えば、０．６０超過、好ましくは、０．７０以上、より好ましくは、０．８０以上、さらに好ましくは、０．９０以上であり、また、例えば、１．００以下である。

上記した比（Ｘ／Ｙ）が上記下限以上であれば、第１加熱工程（図７Ｃ参照）において、感圧接着剤に含まれる光重合開始剤の失活を抑制することができ、そのため、低減工程６５（図３Ｇ参照）において、光重合開始剤が炭素−炭素二重結合が十分に反応し、それによって、次の感圧接着シート剥離工程５３（図３Ｈ参照）において、感圧接着剤が光半導体素子１の電極側面３に付着すること（糊残り）を有効に抑制することができる。

８．感圧接着シート剥離工程
図１に示すように、感圧接着シート剥離工程５３を、低減工程６５の後に、実施する。

図３Ｈに示すように、感圧接着シート剥離工程５３では、感圧接着シート７を複数の封止光半導体素子１１から剥離する。具体的には、第１感圧接着層３１を、光半導体素子１の電極側面３および封止層１０の下面１５から、剥離する。

そして、図３Ｆに示す耐熱性シート貼合工程５２、および、図３Ｈに示す感圧接着シート剥離工程５３によって、複数の光半導体素子１は、感圧接着シート７から耐熱性シート２８に転写される（第１転写工程の実施）。この転写工程の途中において、封止光半導体素子１１が耐熱性シート２８および感圧接着シート７に支持された状態で、図２Ｇに示すように、低減工程６５が実施される。

９．第２加熱工程
図１に示すように、第２加熱工程６６を、感圧接着シート剥離工程５３の後に、実施する。

第２加熱工程６６では、図４Ｉに示すように、封止光半導体素子１１における封止層１０を加熱する。具体的には、封止光半導体素子１１を、耐熱性シート２８とともに、加熱する。

加熱条件は、封止層１０（に含有される熱硬化性樹脂）が完全硬化する熱履歴Ｈ０と同じまたはそれより多い熱履歴Ｈ２が封止層１０に付与される条件である。

熱履歴Ｈ２は、加熱温度および加熱時間の程度で表される。

具体的には、加熱温度は、例えば、１００℃以上、好ましくは、１５０℃以上であり、また、例えば、２００℃以下、好ましくは、１７０℃以下である。また、加熱時間が、例えば、１時間以上、好ましくは、３時間以上、より好ましくは、５時間以上であり、また、例えば、２４時間以下、好ましくは、２２時間以下である。

より具体的には、第１加熱工程６３において、加熱温度が、８０℃以上、１２０℃以下であり、加熱時間が、３０分以上、２時間以下である熱履歴Ｈ１が封止層１０に付与される場合には、第２加熱工程６６において、加熱温度が、１５０℃以上、１７０℃以下であり、加熱時間が、５時間以上、２２時間以下である熱履歴Ｈ２が封止層１０に付与される。

封止層１０を加熱するには、封止層１０を備える封止光半導体素子１１を、耐熱性シート２８とともに、上記の条件で、オーブン９０などの加熱装置（加熱炉）に投入する。

これにより、封止層１０（に含有される熱硬化性樹脂）が完全硬化（Ｃステージ化）する。

加熱後の封止層１０の２５℃における引張弾性率は、例えば、５０ＭＰａ以上、好ましくは、６５ＭＰａ以上であり、また、例えば、２００ＭＰａ以下、好ましくは、１００ＭＰａ以下である。

１０． 複数の転写工程、延伸工程、検査・選別工程、剥離工程
図１に示すように、複数の転写工程を、第２加熱工程６６の後に、実施する。

複数の転写工程は、第２転写工程６９、第３転写工程７１、第４転写工程７２、第５転写工程７３、および、第６転写工程７４を備える。第２転写工程６９、第３転写工程７１、第４転写工程７２、第５転写工程７３、および、第６転写工程７４を、それらの順に、順次実施し、それらの間、前および後のいずれかに、延伸工程６８、検査・選別工程７０および剥離工程７５を実施する。具体的には、第２転写工程６９、延伸工程６８、検査・選別工程７０、第３転写工程７１、第４転写工程７２、第５転写工程７３、第６転写工程７４、および、剥離工程７５を順次実施する。

１０−１． 第２転写工程
第２転写工程６９を、図１に示すように、第２加熱工程６６の後に、実施する。

図４Ｊに示すように、第２転写工程６９では、複数の封止光半導体素子１１を、耐熱性シート２８から転写シートの一例としての第２転写シート２２に転写する。

第２転写シート２２は、面方向（前後方向および左右方向）に延伸するように構成され、微感圧接着（タック）性を有する延伸シートである。第２転写シート２２としては、公知の転写シートが挙げられる。第２転写シート２２としては、例えば、市販品が用いられ、例えば、ＳＰＶシリーズ（日東電工社製）などが用いられる。

複数の封止光半導体素子１１を耐熱性シート２８から第２転写シート２２に転写するには、第２転写シート２２を複数の封止光半導体素子１１の下側に配置し、続いて、図４Ｊに示すように、第２転写シート２２の上面と、封止層１０の下面１５、および、光半導体素子１の電極側面３とを接触させる。次いで、図４Ｊの仮想線で示すように、耐熱性シート２８を、封止層１０の上面１６から剥離する。

この第２転写工程６９によって、光半導体素子１の電極側面３と、封止層１０の下面１５とが、第２転写シート２２によって被覆（感圧接着）される。一方、封止層１０の上面１６が、上側に露出する。

なお、第２転写工程６９において、封止光半導体素子１１は、封止層１０における切断面１４が維持されるように、耐熱性シート２８から第２転写シート２２に転写される。

１０−２． 延伸工程
延伸工程６８を、図１に示すように、第２転写工程６９の後に、実施する。

延伸工程６８では、図４Ｋに示すように、第２転写シート２２の周端縁（具体的には、前端縁および後端縁と、右端縁および左端縁）を、外側（つまり、前後方向外側および左右方向外側）に延伸する。

これによって、切断面１４間に間隔１８が形成される。つまり、複数の封止光半導体素子１１のそれぞれは、互いに間隔１８を隔てて、第２転写シート２２に支持されている。隣接する封止光半導体素子１１を隔てる間隔１８の幅Ｗ１は、例えば、２００μｍ以上、好ましくは、５００μｍ以上である。

上記した第２転写工程６９（図４Ｊ参照）および延伸工程６８（図４Ｋ参照）は、本発明の延伸剥離工程の一例である。

１０−３． 検査・選別工程
検査・選別工程７０を、図１に示すように、延伸工程６８の後に、実施する。

第３転写工程７０では、複数の封止光半導体素子１１のそれぞれが、所望の発光波長および／または発光効率を有している良品であるか、または、所望の発光波長および／または発光効率を有していない不良品であるかを、例えば、テスターなどを用いて検査する。

その後、図示しないが、不良品と判別された封止光半導体素子１１を、除去する。一方、図４Ｌが参照されるように、良品とされた封止光半導体素子１１のみが、残る。

１０−４． 第３転写工程
第３転写工程７１を、図１に示すように、検査・選別工程７０の後に、実施する。

図４Ｌに示すように、第３転写工程７１では、封止光半導体素子１１を、第２転写シート２２から第３転写シート２３に転写する。第３転写シート２３としては、公知の転写シートが挙げられ、具体的には、第２転写シート２２と同様の転写シートが挙げられる。

封止光半導体素子１１を第２転写シート２２から第３転写シート２３に転写する際には、封止光半導体素子１１を第２転写シート２２から第３転写シート２３に載せ替える。つまり、第３転写工程７１においても、光半導体素子１の電極側面３と、封止層１０の下面１５とは、第３転写シート２３の上面によって被覆される。また、第３転写工程７１においても、封止層１０の上面１６は、上側に露出している。

具体的には、特開２０１４−１６８０３２号公報、特開２０１４−１６８０３３号公報、特開２０１４−１６８０３４号公報、特開２０１４−１６８０３５号公報、特開２０１４−１６８０３６号公報などに記載される、押圧部材および吸引部材を備えるピックアップ装置などを用いて、封止光半導体素子１１を第２転写シート２２から第３転写シート２３に載せ替える。つまり、ピックアップ装置の吸引部材（図示せず）を、上面１６に接触させて、電極側面３と下面１５とを第２転写シート２２から剥離し、その後、電極側面３と下面１５とを第３転写シート２３の上面に接触（感圧接着）させる。その後、吸引部材を上面１６から引き上げる。この際、複数の封止光半導体素子１１は、第３転写シート２３の上において、再度、前後方向および左右方向に間隔Ｌ５を隔てて、整列配置される。間隔Ｌ５は、例えば、０．１ｍｍ以上、好ましくは、０．２ｍｍ以上であり、また、例えば、２ｍｍ以下、好ましくは、１ｍｍ以下である。

１０−５． 第４転写工程
第４転写工程７２を、図１に示すように、第３転写工程７１の後に、実施する。

第４転写工程７２では、図５Ｍに示すように、複数の封止光半導体素子１１を第３転写シート２３から第４転写シート２４に転写する。第４転写シート２４としては、公知の転写シートが挙げられ、具体的には、第２転写シート２２と同様の転写シートが挙げられる。第４転写工程７２を、上記した第３転写工程７１と同様の方法により、実施する。

１０−６． 第５転写工程
第５転写工程７３を、図１に示すように、第４転写工程７２の後に、実施する。

第５転写工程７３を、図５Ｎに示すように、複数の封止光半導体素子１１を第４転写シート２４から第５転写シート２５に転写する。第５転写シート２５としては、公知の転写シートが挙げられ、第２転写シート２２と同様の転写シートが挙げられる。

第５転写工程７３を、第３転写工程７１（図４Ｊ参照）と同様の方法によって、実施する。

１０−７． 第６転写工程
第６転写工程７４を、図１に示すように、第５転写工程７３の後に、実施する。

第６転写工程７４では、図５Ｏに示すように、複数の封止光半導体素子１１を、第５転写シート２５から第６転写シート２６に転写する。第６転写シート２６としては、公知の転写シートが挙げられ、具体的には、第２転写シート２２と同様の転写シートから挙げられる。第６転写工程７４を、上記した第２転写工程６９（図４Ｊ参照）と同様の方法によって、実施する。

なお、第６転写シート２６の周端縁には、その周端縁を把持し、周端縁（具体的には、前端縁および後端縁と、左端縁および右端縁）が内側（具体的には、前後方向外側および左右方向外側）に移動しないように、構成される支持部１９が設けられている。支持部１９は、金属などからなり、平面視略枠形状（具体的には、リング形状）を有している。

１０−６． 剥離工程
剥離工程７５を、図１に示すように、第６転写工程７４の後に、実施する。

剥離工程７５では、図５Ｏの矢印に示すように、上記したピックアップ装置（図示せず）などによって、複数の封止光半導体素子１１のそれぞれを、第６転写シート２６から剥離する。

具体的には、ピックアップ装置の押圧部材（図示せず）によって、第６転写シート２６の下側から、封止光半導体素子１１に対応する第６転写シート２６を押し上げて（押圧して）、封止光半導体素子１１を上側に押し上げる。この際、第６転写シート２６の周端縁は、支持部１９によって支持されて、内側に移動しない。続いて、ピックアップ装置の吸引部材（図示せず）を、封止光半導体素子１１の上面１６に接触させて、封止光半導体素子１１を吸引しながら、第６転写シート２６から剥離する。

つまり、光半導体素子１の電極側面３と、封止層１０の下面１５とを、第６転写シート２６の上面から、剥離する。

これによって、図５Ｏの仮想線で示すように、光半導体素子１と、光半導体素子１を封止する封止層１０とを備える封止光半導体素子１１を、第６転写シート２６から剥離した状態で、得る。

封止光半導体素子１１は、発光装置３０（図５Ｐ参照）ではなく、つまり、発光装置３０に備えられる基板２９を含まない。つまり、封止光半導体素子１１は、その電極（図示せず）が、発光装置３０の基板２９に設けられる端子（図示せず）とまだ電気的に接続されないように、構成されている。また、封止光半導体素子１１は、発光装置３０の一部品、すなわち、発光装置３０を作製するための部品であり、部品単独で流通し、産業上利用可能なデバイスである。封止光半導体素子１１は、好ましくは、光半導体素子１と、封止層１０とのみからなる。

また、本発明の半導体装置の製造方法の第１実施形態は、上記した封止光半導体素子１１の製造方法（図２Ａ〜図５Ｏ参照）により、封止光半導体素子１１を製造する工程、および、封止光半導体素子１１を基板２９に実装する実装工程７６を備える。

１１． 実装工程
図１に示すように、実装工程７６を、剥離工程７５の後に、実施する。

実装工程７６では、図５Ｐに示すように、封止光半導体素子１１を、基板２９に実装する。

基板２９は、略平板形状を有し、例えば、絶縁基板である。また、基板２９は、上面に配置される端子（図示せず）を備える。

封止光半導体素子１１を基板２９に実装するには、封止光半導体素子１１の電極側面３に形成される電極（図示せず）を、基板２９の端子に電気的に接続する。すなわち、封止光半導体素子１１を基板２９にフリップチップ実装する。なお、封止層１０の下面１５を、基板２９の上面に接触させる。

これによって、基板２９と、封止光半導体素子１１とを備える半導体装置の一例としての発光装置３０を得る。

好ましくは、発光装置３０は、基板２９と、光半導体素子１と、封止層１０とのみからなる。

＜第１実施形態の作用効果＞
そして、上記した封止光半導体素子１１の製造方法によれば、第１加熱工程６３では、図２Ｃに示すように、低減工程６５の前に、熱硬化性樹脂が完全硬化する熱履歴Ｈ０より少ない熱履歴Ｈ１が熱硬化性樹脂に付与されるように、封止層１０を加熱するので、第１加熱工程６３における感圧接着シート７の感圧接着力の低下を抑制することができる。そのため、第１加熱工程６３および第２加熱工程６６の後に、低減工程６５を実施する場合であって、第２加熱工程６６における感圧接着シート７の感圧接着力が大きく低下する場合に比べて、低減工程６５において、図３Ｈに示すように、感圧接着シート７の感圧接着力を十分に低減させることができる。そのため、感圧接着シート剥離工程５３において、封止光半導体素子１１を感圧接着シート７から容易かつ確実に剥離して、光半導体素子１の電極側面３に感圧接着剤が付着することを抑制することができる。

一方、この光半導体素子１の製造方法は、低減工程６５の後に、第１加熱工程６３および第２加熱工程６６を実施する場合に比べても、感圧接着シート剥離工程５３において、図４Ｊに示すように、封止光半導体素子１１を感圧接着シート７から容易かつ確実に剥離して、光半導体素子１の電極側面３に感圧接着剤が付着することを抑制することができる。

そのため、電気的な接続信頼性に優れる封止光半導体素子１１を製造することができる。

他方、予め、第２加熱工程６６によって、図４Ｉに示すように、封止層１０の熱硬化性樹脂を熱硬化させることができるので、封止層１０による光半導体素子１に対する封止性を簡易かつ確実に向上させることができる。

その結果、封止性および電気的な接続信頼性に優れる封止光半導体素子１１を製造することができる。

また、この封止光半導体素子１１の製造方法によれば、上記した比（Ｘ／Ｙ）が特定値以上であるので、第１加熱工程６３における感圧接着シート７の感圧接着力の低下を有効に抑制することができる。そのため、低減工程６５において、図３Ｈに示すように、感圧接着シート７の感圧接着力をより一層十分に低減させることができる。そのため、感圧接着シート剥離工程５３において、図３Ｈに示すように、封止光半導体素子１１を感圧接着シート７から容易かつ確実に剥離して、光半導体素子１の電極側面３に感圧接着剤が付着することを有効に抑制することができる。

また、この封止光半導体素子１１の製造方法によれば、図２Ｃに示すように、第１加熱工程６３によって、封止層１０の熱硬化を徐々に進行させることができ、それよって、図２Ｄに示すように、第１加熱工程６３に後に実施される切断工程６４における封止層１０の機械強度を向上させることができる。そのため、封止層１０を確実に切断することができる。その結果、封止光半導体素子１１における封止層１０を確実に切断できながら、複数の封止光半導体素子１１を効率的に製造することができる。

また、この封止光半導体素子１１の製造方法によれば、図４Ｉに示す第２加熱工程６６を実施する際には、図３Ｈに示すように、感圧接着シート剥離工程５３において、感圧接着シート７が封止光半導体素子１１からすでに剥離されている。そのため、第２加熱工程６６における感圧接着シート７の封止光半導体素子１１への付着を防止することができる。

また、この封止光半導体素子１１の製造方法によれば、図３Ｇに示す低減工程６５の前に、図３Ｆに示すように、封止光半導体素子１１に耐熱性シート２８を貼り合わせる。そのため、低減工程６５を加熱により実施しても、封止光半導体素子１１を耐熱性シートで支持しながら、低減工程６５を実施することができる。

また、この封止光半導体素子１１の製造方法によれば、図４Ｊに示すように、第２転写シート２２に支持された封止光半導体素子１１を種々の用途に用いることができる。

また、この封止光半導体素子１１の製造方法によれば、第２転写工程６９（図４Ｊ参照）および延伸工程６８（図４Ｋ参照）において、封止光半導体素子１１が転写された第２転写シート２２を面方向に延伸して、封止光半導体素子１１を第２転写シート２２から剥離する。そのため、隣接する封止光半導体素子１１間の間隔１８を確実に形成して、図４Ｌに示すように、例えば、第３転写工程７１において、複数の封止光半導体素子１１のそれぞれを第２転写シート２２から確実に剥離することができる。

また、この封止光半導体素子１１の製造方法では、低減工程６５では、図３Ｇに示すように、活性エネルギー線を感圧接着シート７に対して照射するので、感圧接着シート７の感圧接着力を簡便に低減することができる。

また、上記した発光装置３０の製造方法によれば、図５Ｐに示すように、光半導体素子１の電極側面３に感圧接着剤が付着することが抑制された封止光半導体素子１１を基板２９に実装するので、信頼性に優れる発光装置３０を製造することができる。

＜第１実施形態の変形例＞
変形例において、第１実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。

第１実施形態では、半導体素子の一例として、ＬＥＤやＬＤなどの光半導体素子１を挙げているが、例えば、電気エネルギーを、光以外のエネルギー、具体的には、信号エネルギーなどに変換する半導体素子であってもよく、具体的には、トランジスタなどの整流器なども挙げられる。

第１実施形態では、図１に示すように、複数の転写工程は、第２転写工程６９、第３転写工程７１、第４転写工程７２、第５転写工程７３および第６転写工程７４を実施しているが、それら全部を実施しなくてもよい。例えば、図示しないが、第２転写工程６９、第３転写工程７１および第４転写工程７２を実施し、第５転写工程７３および第６転写工程７４を省略し（実施せず）、その後、剥離工程７５および実装工程７６を順次実施することもできる。

また、感圧接着層３４を、２つの層、つまり、第１感圧接着層３１および第２感圧接着層３２から形成しているが、１つの層、具体的には、第１感圧接着層３１のみから形成することもできる。その場合には、感圧接着シート７は、第１感圧接着層３１のみからなる。感圧接着シート７は、支持シート３３を備えなくてもよい。つまり、感圧接着シート７は、少なくとも感圧接着層３４を備えればよい。

＜第２実施形態＞
第２実施形態において、第１実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。

本発明の封止半導体素子の製造方法の第２実施形態は、図６に示すように、素子用意工程６１、封止工程６２、第１加熱工程６３、切断工程６４、低減工程６５、および、第２加熱工程６６を備える。また、第２実施形態は、複数の転写工程（第１転写工程６７、第２転写工程６９、第３転写工程７１、第４転写工程７２、第５転写工程７３、第６転写工程７４）、延伸工程６８、検査・選別工程７０、および、剥離工程７５を備える。以下、各工程を説明する。

１． 素子用意工程
素子用意工程６１では、図７Ａに示すように、複数の光半導体素子１を、感圧接着シート７の上に配置する。

２． 封止工程
図６に示すように、封止工程６２を、素子用意工程６１の後に、実施する。

封止工程６２では、図７Ｂに示すように、感圧接着シート７に感圧接着された光半導体素子１を、封止層１０によって、封止する。

３． 第１加熱工程
図６に示すように、第１加熱工程６３を、封止工程６２の後に、実施する。

図７Ｃに示すように、第１加熱工程６３では、封止層１０を加熱する。具体的には、封止層１０を備える封止光半導体素子１１を、支持基板付感圧接着シート２とともに加熱する。

４． 切断工程
図６に示すように、切断工程６４を、第１加熱工程６３の後に、実施する。

図７Ｄに示すように、切断工程６４では、封止層１０を、複数の光半導体素子１のそれぞれに対応するように、切断する。
５． 低減工程
図６に示すように、低減工程６５を、切断工程６４の後に、実施する。

低減工程６５では、図８Ｅに示すように、処理によって感圧接着シート７（感圧接着層３４）の感圧接着力を低減させる。

なお、封止光半導体素子１１の感圧接着層３４（第１感圧接着層３１および第２感圧接着層３２）に対する仮固定は、確保されており、つまり、封止光半導体素子１１は、感圧接着層３４（第１感圧接着層３１および第２感圧接着層３２）に対して比較的小さい感圧接着力（微タック力）で感圧接着（タック）されながら、支持基板６に支持されている。

このような感圧接着層３４の２５℃における引張弾性率Ｘは、例えば、２０ＭＰａ以上、好ましくは、４０ＭＰａ以上であり、また、例えば、１００ＭＰａ以下、好ましくは、８０ＭＰａ以下である。

そして、上記した感圧接着層３４の引張弾性率Ｘ、つまり、第１加熱工程６３の加熱と低減工程６５の処理とを順次実施した感圧接着層３４の２５℃における引張弾性率Ｘの、低減工程６５の処理（具体的には、活性エネルギー線の照射）のみを実施した感圧接着層３４の２５℃における引張弾性率Ｙに対する比（Ｘ／Ｙ）は、例えば、０．６０超過、好ましくは、０．７０以上、より好ましくは、０．８０以上、さらに好ましくは、０．９０以上であり、また、例えば、１．００以下である。

上記した比（Ｘ／Ｙ）が上記下限以上であれば、第１加熱工程（図７Ｃ参照）において、感圧接着剤に含まれる光重合開始剤の失活を抑制することができ、そのため、低減工程６５（図８Ｅ参照）において、光重合開始剤が炭素−炭素二重結合が十分に反応し、それによって、転写工程（図８Ｇ参照）において、感圧接着剤が光半導体素子１の電極側面３に付着すること（糊残り）を有効に抑制することができる。

６． 第２加熱工程
図６に示すように、第２加熱工程６６を、低減工程６５の後に、実施する。

第２加熱工程６６では、図８Ｆに示すように、封止光半導体素子１１における封止層１０を加熱する。具体的には、封止光半導体素子１１を、支持基板付感圧接着シート２とともに、加熱する。

加熱条件は、封止層１０（に含有される熱硬化性樹脂）が完全硬化する熱履歴Ｈ０と同じまたはそれより多い熱履歴Ｈ２が封止層１０に付与される条件である。

熱履歴Ｈ２は、加熱温度および加熱時間の程度で表される。

７． 複数の転写工程、延伸工程、検査・選別工程、剥離工程
図６に示すように、複数の転写工程を、第２加熱工程６６の後に、実施する。

複数の転写工程は、剥離工程の一例としての第１転写工程６７、第２転写工程６９、第３転写工程７１、第４転写工程７２、第５転写工程７３、および、第６転写工程７４を備える。第１転写工程６７、第２転写工程６９、第３転写工程７１、第４転写工程７２、第５転写工程７３、および、第６転写工程７４を、それらの順に、順次実施し、それらの間、前および後のいずれかに、延伸工程６８、検査・選別工程７０および剥離工程７５を実施する。具体的には、第１転写工程６７、延伸工程６８、第２転写工程６９、検査・選別工程７０、第３転写工程７１、第４転写工程７２、第５転写工程７３、第６転写工程７４、および、剥離工程７５を順次実施する。

７−１． 第１転写工程
第１転写工程６７を、図６に示すように、第２加熱工程６６の後に、実施する。

第１転写工程６７では、図８Ｇに示すように、封止光半導体素子１１を、感圧接着シート７から転写シートの一例としての第１転写シート２１に転写する。

第１転写シート２１は、面方向（前後方向および左右方向）に延伸するように構成され、微感圧接着（タック）性を有する延伸シートである。第１転写シート２１としては、公知の転写シートが挙げられる。第１転写シート２１としては、例えば、市販品が用いられ、例えば、ＳＰＶシリーズ（日東電工社製）などが用いられる。

封止光半導体素子１１を感圧接着シート７から第１転写シート２１に転写するには、第１転写シート２１を、封止光半導体素子１１の上側に配置し、続いて、図８Ｇに示すように、第１転写シート２１の下面と、封止層１０の上面１６とを接触させる。次いで、図８Ｇの仮想線で示すように、封止層１０の下面１５と、光半導体素子１の電極側面３とを、感圧接着シート７（第１感圧接着層３１）の上面８６から剥離する。つまり、封止光半導体素子１１を感圧接着シート７（第１感圧接着層３１）から剥離する（剥離工程）。

第１転写工程６７によって、光半導体素子１の電極側面３と、封止層１０の下面１５とが下側に露出する。一方、封止層１０の上面１６が、第１転写シート２１により被覆（感圧接着）される。

なお、第１転写工程６７において、封止光半導体素子１１は、封止層１０における切断面１４が維持されるように、感圧接着シート７から第１転写シート２１に転写される。

７−２． 延伸工程
延伸工程６８を、図６に示すように、第１転写工程６７の後に、実施する。

延伸工程６８では、図８Ｈに示すように、第１転写シート２１の周端縁（具体的には、前端縁および後端縁と、右端縁および左端縁）を、外側（つまり、前後方向外側および左右方向外側）に延伸する。

上記した第１転写工程６７（図８Ｇ参照）および延伸工程６８（図８Ｈ参照）は、本発明の延伸剥離工程の一例である。

７−３． 第２転写工程
第２転写工程６９を、図６に示すように、延伸工程６８の後に、実施する。

図８Ｉに示すように、第２転写工程６９では、複数の封止光半導体素子１１を、第１転写シート２１から第２転写シート２２に転写する。第２転写シート２２としては、公知の転写シートが挙げられ、具体的には、第１転写シート２１と同様の転写シートが挙げられる。

複数の封止光半導体素子１１を第１転写シート２１から第２転写シート２２に転写するには、図８Ｈに示すように、第２転写シート２２を複数の封止光半導体素子１１の下側に配置し、続いて、図８Ｉに示すように、第２転写シート２２の上面と、封止層１０の下面１５、および、光半導体素子１の電極側面３とを接触させる。次いで、封止層１０の上面１６を、第１転写シート２１の上面から剥離する。

この第２転写工程６９によって、光半導体素子１の電極側面３と、封止層１０の下面１５とが、第２転写シート２２によって被覆（感圧接着）される。一方、封止層１０の上面１６が、上側に露出する。

なお、複数の封止光半導体素子１１は、間隔１８が維持されるように、第１転写シート２１から第２転写シート２２に転写される。

７−４． 検査・選別工程
検査・選別工程７０を、図６に示すように、第２転写工程６９の後に、実施する。

そして、この第２実施形態では、素子用意工程６１、封止工程６２、第１加熱工程６３、切断工程６４、低減工程６５、第２加熱工程６６、第１転写工程６７、延伸工程６８、第２転写工程６９、検査・選別工程７０、第３転写工程７１、第４転写工程７２、第５転写工程７３、第６転写工程７４、および、剥離工程７５を実施する。その後、実装工程７６を実施する。

＜第２実施形態の作用効果＞
そして、上記した封止光半導体素子１１の製造方法によれば、第１加熱工程６３では、図７Ｃに示すように、低減工程６５の前に、熱硬化性樹脂が完全硬化する熱履歴Ｈ０より少ない熱履歴Ｈ１が熱硬化性樹脂に付与されるように、封止層１０を加熱するので、第１加熱工程６３における感圧接着シート７の感圧接着力の低下を抑制することができる。そのため、第１加熱工程６３および第２加熱工程６６の後に、低減工程６５を実施する場合であって、第２加熱工程６６における感圧接着シート７の感圧接着力が大きく低下する場合に比べて、低減工程６５において、図８Ｅに示すように、感圧接着シート７の感圧接着力を十分に低減させることができる。そのため、第１転写工程６７において、図８Ｇに示すように、封止光半導体素子１１を感圧接着シート７から容易かつ確実に剥離して、光半導体素子１の電極側面３に感圧接着剤が付着することを抑制することができる。

一方、この光半導体素子１の製造方法は、低減工程６５の後に、第１加熱工程６３および第２加熱工程６６を実施する場合に比べても、第１転写工程６７において、図８Ｇに示すように、封止光半導体素子１１を感圧接着シート７から容易かつ確実に剥離して、光半導体素子１の電極側面３に感圧接着剤が付着することを抑制することができる。

そのため、電気的な接続信頼性に優れる封止光半導体素子１１を製造することができる。

他方、予め、第２加熱工程６６によって、図８Ｆに示すように、封止層１０の熱硬化性樹脂を熱硬化させることができるので、封止層１０による光半導体素子１に対する封止性を簡易かつ確実に向上させることができる。

その結果、封止性および電気的な接続信頼性に優れる封止光半導体素子１１を製造することができる。

また、この封止光半導体素子１１の製造方法によれば、上記した比（Ｘ／Ｙ）が特定値以上であるので、第１加熱工程６３における感圧接着シート７の感圧接着力の低下を有効に抑制することができる。そのため、低減工程６５において、図８Ｅに示すように、感圧接着シート７の感圧接着力をより一層十分に低減させることができる。そのため、第１転写工程６７において、図８Ｇに示すように、封止光半導体素子１１を感圧接着シート７から容易かつ確実に剥離して、光半導体素子１の電極側面３に感圧接着剤が付着することを有効に抑制することができる。

また、この封止光半導体素子１１の製造方法によれば、図７Ｃに示すように、第１加熱工程６３によって、封止層１０の熱硬化を徐々に進行させることができ、それよって、図７Ｄに示すように、第１加熱工程６３に後に実施される切断工程６４における封止層１０の機械強度を向上させることができる。そのため、封止層１０を確実に切断することができる。その結果、封止光半導体素子１１における封止層１０を確実に切断できながら、複数の封止光半導体素子１１を効率的に製造することができる。

また、この封止光半導体素子１１の製造方法によれば、図８Ｇに示すように、第１転写シート２１に支持された封止光半導体素子１１を種々の用途に用いることができる。

さらに、この封止光半導体素子１１の製造方法によれば、第１転写工程６７（図８Ｇ参照）および延伸工程６８（図８Ｈ参照）において、封止光半導体素子１１が転写された第１転写シート２１を面方向に延伸して、封止光半導体素子１１を第１転写シート２１から剥離する。そのため、隣接する封止光半導体素子１１間の面方向における間隔１８を確実に形成して、例えば、図８Ｉに示すように、第２転写工程６９において、複数の封止光半導体素子１１のそれぞれを第１転写シート２１から確実に剥離することができる。

また、この封止光半導体素子１１の製造方法によれば、図８Ｆに示すように、第２加熱工程６６において、封止層１０を完全硬化させ、その後、図８Ｇに示すように、第１転写工程６７において、封止光半導体素子１１を第１転写シート２１に転写する際に、封止層１０がすでに完全硬化しているので、封止光半導体素子１１における封止層１０を感圧接着シート７から確実に剥離することができる。

また、この封止光半導体素子１１の製造方法では、低減工程６５では、図８Ｅに示すように、活性エネルギー線を感圧接着シート７に対して照射するので、感圧接着シート７の感圧接着力を簡便に低減することができる。

＜第３実施形態＞
第３実施形態において、第１〜第２実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。

第２実施形態では、図８Ｅに示すように、低減工程６５において、活性エネルギー線を感圧接着シート７に対して照射している。しかし、低減工程６５は、感圧接着シート７の感圧接着力を低減できる処理であれば、特に限定されない。第３実施形態では、例えば、図示しないが、低減工程６５において、感圧接着シート７を加熱する。

１． 素子用意工程
素子用意工程６１において、図７Ａが参照されるように、感圧接着シート７は、加熱されることによって、感圧接着力が低減するように構成される感圧接着剤から、シート状（層状）に形成されている。

感圧接着剤としては、例えば、発泡性樹脂組成物が挙げられる。発泡性樹脂組成物は、例えば、ベース感圧接着剤と、発泡剤とを含有している。

ベース感圧接着剤としては、例えば、アクリル系接着剤、ゴム系接着剤、ビニルアルキルエーテル系接着剤、シリコーン系接着剤、ポリエステル系接着剤、ポリアミド系接着剤、ウレタン系接着剤、フッ素系接着剤、スチレン−ジエンブロック共重合体系接着剤などが挙げられる。このようなベース感圧接着剤は、単独使用または併用することもできる。好ましくは、アクリル系ベース感圧接着剤が挙げられる。

発泡剤としては、例えば、熱膨張性微小球、無機系発泡剤、有機系発泡剤などが挙げられ、好ましくは、熱膨張性微小球が挙げられる。熱膨張性微小球は、マイクロカプセル化されている発泡剤であって、例えば、弾性を有する外殻を構成するシェルと、そのシェルに内包される内包物とを含んでいる。シェルを形成する材料としては、例えば、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール、ポリメチルメタクリレート、ポリアクリロニトリル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスルホンなどが挙げられる。内包物は、加熱によりガス化し膨張する物質であって、例えば、イソブタン、プロパン、ペンタンなどが挙げられる。なお、熱膨張性微小球として、市販品を用いることができ、例えば、マツモトマイクロスフェアー（松本油脂製薬社製）などが挙げられる。発泡剤の含有割合は、ベース感圧接着剤１００質量部に対して、例えば、５質量部以上、好ましくは、１０質量部以上であり、例えば、５０質量部以下、好ましくは、３０質量部以下である。

発泡性樹脂組成物を調製するには、ベース感圧接着剤を調製し、次いで、それに発泡剤を配合させ、または、ベース感圧接着剤の調製前の原料に、発泡剤を配合する。さらには、ベース感圧接着剤の調製途中に、発泡剤を配合することもできる。

感圧接着シート７の厚みは、例えば、５μｍ以上、好ましくは、１０μｍ以上、例えば、１００μｍ以下、好ましくは、５０μｍ以下である。

また、素子用意工程６１において、感圧接着シート７として、市販品を用いることができ、例えば、リバアルファ（日東電工社）などが挙げられる。

２． 低減工程
低減工程６５において、図８Ｅにおいて図示しないが、感圧接着シート７を加熱する。具体的には、感圧接着シート７を、封止光半導体素子１１および支持基板６とともに、加熱する。

加熱条件は、封止光半導体素子１１における封止層１０が完全硬化する熱履歴Ｈ０より少ない熱履歴Ｈ３が封止層１０に付与される条件である。

熱履歴Ｈ３は、加熱温度および加熱時間の程度で表される。

具体的には、加熱温度は、次に説明する加熱時間にもよるが、例えば、熱履歴Ｈ１を感圧接着シート７に付与する温度と同一またはそれより高い。具体的には、感圧接着シート７において発泡剤からガスが発生し始める温度と同一またはそれより高い温度であって、より具体的には、シェルが軟化または溶融するとともに、内包物がガス化し膨張する温度またはそれより高い温度である。詳しくは、加熱温度は、例えば、１００℃以上、好ましくは、２００℃以上であり、また、例えば、２５０℃以下、好ましくは、２２０℃以下である。

加熱時間は、例えば、熱履歴Ｈ０（封止光半導体素子１１における封止層１０が完全硬化する熱履歴Ｈ０）を感圧接着シート７に付与する時間と同一またはそれより短く、好ましくは、熱履歴Ｈ１（第１加熱工程６３において封止層１０に付与される熱履歴Ｈ１）を感圧接着シート７に付与する時間と同一またはそれより短い。具体的には、例えば、１秒以上、好ましくは、１０秒以上、より好ましくは、２０秒以上であり、また、例えば、１００秒以下、好ましくは、６０秒以下である。

加熱温度および加熱時間が上記上限以下である場合には、熱履歴Ｈ３を、封止光半導体素子１１における封止層１０が完全硬化する熱履歴Ｈ０より確実に少なく設定することができる。一方、加熱温度および加熱時間が上記下限以上である場合には、低減工程６５において、感圧接着シート７において発泡剤からガスが十分に発生させ、そのため、感圧接着シート７の感圧接着力を十分に低減させることができる。

＜第３実施形態の作用効果＞
この第３実施形態によっても、第１実施形態および第２実施形態と同様の作用効果を奏することができる。つまり、低減工程６５において、図８Ｅが参照されるように、感圧接着シート７の感圧接着力を簡便に低減することができる。

また、この第３実施形態によれば、第１実施形態および第２実施形態と異なり、活性エネルギー線を感圧接着シート７に照射するための線源１３（図３Ｇおよび図８Ｅ参照）を用意する必要がなく、例えば、第１加熱工程６３および第２加熱工程６６を実施するための加熱装置（具体的には、オーブンなど）を、低減工程６５にそのまま転用することができる。そのため、製造設備を簡易にして、封止光半導体素子１１の製造コストを低減し、さらには、発光装置３０の製造コストを低減することができる。

他方、第１実施形態および第２実施形態によれば、低減工程６５において、第３実施形態のように、封止層１０が完全硬化する熱履歴Ｈ３を計算して設定することがなく、確実かつ簡易に低減工程６５を実施することができる。

＜第４実施形態＞
第４実施形態において、第１〜第３実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。

第２実施形態では、図６に示すように、第２加熱工程６６を実施し、その後、第１転写工程６７を実施している。しかし、第４実施形態では、例えば、図１０に示すように、第１転写工程６７を実施し、その後、第２加熱工程６６を実施する。

また、第１実施形態では、図１に示すように、低減工程６５の前後で（低減工程６５を挟んで）、支持基板剥離工程５１および感圧接着シート剥離工程５３を実施して、封止光半導体素子１１を耐熱性シート２８から第２転写シート２２に転写している（第１転写工程）。しかし、第４実施形態では、図１０に示すように、低減工程６５の後で、封止光半導体素子１１を感圧接着シート７から耐熱性シート２８に一度に転写する第１転写工程６７を実施する。

１． 素子用意工程
素子用意工程６１において、図２Ａが参照されるように、感圧接着シート７における感圧接着層３４のうち、第１感圧接着層３１および第２感圧接着層３２は、ともに、例えば、活性エネルギー線が照射されることによって、感圧接着力が低減する感圧接着剤からなっていてもよい。

２． 第１転写工程
図１０に示すように、第１転写工程６７を、低減工程６５の後に、実施する。

第１転写工程６７では、図１１Ａに示すように、封止光半導体素子１１（図８Ｅ参照）を、感圧接着シート７から耐熱性シート２８に転写する。

耐熱性シート２８は、微感圧接着（タック）性を有する感圧接着剤からシート状（層状）に形成されている。感圧接着剤としては、例えば、シリコーン系感圧接着剤、エポキシ系感圧接着剤などの耐熱性感圧接着剤が挙げられる。感圧接着剤としては、好ましくは、シリコーン系感圧接着剤が挙げられる。また、耐熱性シート２８として、市販品を用いることができ、例えば、耐熱微粘着シートＴＲＭシリーズ（日東電工社製）などが挙げられる。耐熱性シート２８の厚みは、例えば、２０μｍ以上、好ましくは、３０μｍ以上であり、また、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下である。

この第１転写工程６７では、まず、封止光半導体素子１１の上側に、耐熱性シート２８を配置し、次いで、図１１Ａに示すように、耐熱性シート２８の下面を封止光半導体素子１１の上面１６に接触させる。続いて、図１１Ａの仮想線で示すように、感圧接着シート７（第１感圧接着層３１）の上面を、封止光半導体素子１１における下面１５と電極側面３とから剥離する。

これによって、封止層１０の上面１６が耐熱性シート２８の下面によって被覆（感圧接着）される。また、光半導体素子１の電極側面３と、封止層１０の下面１５とが、下側に露出する。

３． 第２加熱工程
第２加熱工程６６を、図１０に示すように、第１転写工程６７の後に、実施する。

第２加熱工程６６では、図１１Ｂに示すように、封止光半導体素子１１の封止層１０が、耐熱性シート２８によって支持された状態で、加熱されて、完全硬化する。具体的には、封止光半導体素子１１と耐熱性シート２８とを、オーブン９０などの加熱装置に投入して、それらを加熱する。

４． 第７転写工程
第７転写工程７７を、図１０に示すように、第２加熱工程６６の後に、実施する。

第７転写工程７７は、転写工程の一例である。第７転写工程７７では、図１１Ｃに示すように、封止光半導体素子１１を、耐熱性シート２８から転写シートの一例としての第２転写シート２２に転写する。第２転写シート２２は、第１転写シート２１と同様の延伸シートである。

５． 延伸工程
延伸工程６８を、図１０に示すように、第７転写工程７７の後に実施する。

そして、この第４実施形態では、素子用意工程６１、封止工程６２、第１加熱工程６３、切断工程６４、低減工程６５、第１転写工程６７、第２加熱工程６６、第７転写工程７７、延伸工程６８、第２転写工程６９、検査・選別工程７０、第３転写工程７１、第４転写工程７２、第５転写工程７３、第６転写工程７４、および、剥離工程７５を順次実施する。その後、実装工程７６を実施する。

＜第４実施形態の作用効果＞
この第４実施形態によれば、第１転写工程６７において、図１１Ａに示すように、封止光半導体素子１１（図８Ｅ参照）を感圧接着シート７から耐熱性シート２８に転写し、その後、図１１Ｂに示すように、第２加熱工程６６を実施するので、第２加熱工程６６において、耐熱性シート２８で封止光半導体素子１１を支持しながら、封止光半導体素子１１における封止層１０を完全硬化させることができる。

また、この第４実施形態によれば、図１１Ｂに示すように、第２加熱工程６６において、封止層１０を完全硬化させ、その後、第７転写工程７７において、封止光半導体素子１１を第２転写シート２２に転写する際に、封止層１０がすでに完全硬化しているので、封止光半導体素子１１における封止層１０を感圧接着シート７から確実に剥離することができる。

また、この光半導体素子１の製造方法によれば、図１１Ｃに示すように、第２加熱工程６６の後に、封止光半導体素子１１を耐熱性シート２８から第２転写シート２２に転写するので、第２転写シート２２に支持された封止光半導体素子１１を種々の用途に用いることができる。

＜第５実施形態＞
第５実施形態において、第１〜第４実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。

第１〜第４実施形態では、図１、図６および図１０に示すように、切断工程６４を低減工程６５の前に実施している。しかし、第５実施形態では、図１２に示すように、切断工程６４を低減工程６５の後に実施する。

この第５実施形態では、具体的には、切断工程６４を、第１転写工程６７の後に実施する。

詳しくは、第５実施形態では、素子用意工程６１（図７Ａ参照）、封止工程６２（図７Ｂ参照）、第１加熱工程６３（図７Ｃ参照）、低減工程６５（図１３Ａ参照）、剥離工程の一例としての第８転写工程７８（図１３Ｂ参照）、第２加熱工程６６（図１３Ｃ参照）、転写工程の一例としての第１転写工程６７（図１３Ｄ参照）、切断工程６４（図１３Ｅ参照）、延伸工程６８（図８Ｈ参照）、転写工程の一例としての第２転写工程６９（図８Ｉ参照）、検査・選別工程７０（図９Ｊ参照）、第３転写工程７１（図９Ｊ参照）、第４転写工程７２（図９Ｋ参照）、第５転写工程７３（図９Ｌ参照）、第６転写工程７４（図９Ｍ参照）および剥離工程７５（図９Ｍの矢印および仮想線参照）を順次実施する。

１． 素子用意工程
素子用意工程６１において、図７Ａが参照されるように、感圧接着シート７を感圧接着層３４から形成する。具体的には、感圧接着層３４を、加熱されることによって感圧接着力が低減するように構成される感圧接着剤から、シート状（層状）に形成する。感圧接着剤としては、第３実施形態で例示した発泡性樹脂組成物などが挙げられる。

２． 低減工程
図１３Ａに示すように、低減工程６５では、好ましくは、加熱によって、感圧接着シート７の感圧接着力を低減させるとともに、支持基板６を感圧接着シート７から剥離する（支持基板除去工程）。つまり、支持基板６の上面（図７Ａ参照）を、第２感圧接着層３２の下面８５から剥離して、支持基板６を感圧接着シート７から除去する。

これによって、第２感圧接着層３２の下面８５が下側に露出する。

加熱条件は、上記した熱履歴Ｈ３（封止層１０が完全硬化する熱履歴Ｈ０より少ない熱履歴Ｈ３）が封止層１０に付与される条件であって、具体的には、加熱温度が、例えば、
８０℃以上、好ましくは、１００℃以上であり、また、例えば、１７０℃以下、好ましくは、１５０℃以下である。また、加熱時間が、例えば、０．１時間以上、好ましくは、
０．５時間以上であり、また、例えば、５時間以下、好ましくは、２時間以下である。

３． 第８転写工程
第８転写工程７８を、図１２に示すように、低減工程６５の後に、実施する。

第８転写工程７８では、図１３Ｂに示すように、封止光半導体素子１１を、感圧接着シート７から耐熱性シート２８に転写する。

具体的には、耐熱性シート２８を、封止光半導体素子１１の上側に配置し、次いで、図１３Ｂに示すように、耐熱性シート２８の下面を、封止層１０の上面１６に接触させ、次いで、図１３Ｂの仮想線で示すように、封止光半導体素子１１における光半導体素子１の電極側面３、および、封止層１０の下面１５を、感圧接着シート７（第１感圧接着層３１）から剥離する。

第８転写工程７８により、光半導体素子１の電極側面３と、封止層１０の下面１５とが、下側に露出する。また、第８転写工程７８により、封止層１０の上面１６が耐熱性シート２８の下面に被覆（感圧接着）される。

４． 第２加熱工程
図１２に示すように、第２加熱工程６６を、第８転写工程７８の後に、実施する。

図１３Ｃに示すように、第２加熱工程６６では、封止光半導体素子１１と耐熱性シート２８とを、オーブン９０などの加熱装置に投入する。

５． 第１転写工程
図１２に示すように、第１転写工程６７を、第２加熱工程６６の後に実施する。

図１３Ｄに示すように、封止光半導体素子１１を、耐熱性シート２８から転写シートの一例としての第１転写シート２１に転写する。

封止光半導体素子１１を耐熱性シート２８から第１転写シート２１に転写する際には、封止光半導体素子１１を耐熱性シート２８から第１転写シート２１に載せ替える。電極側面３と下面１５とが露出し、上面１６が耐熱性シート２８に被覆される。

６． 切断工程
図１２に示すように、切断工程６４を、第１転写工程６７の後に実施する。

＜第５実施形態の作用効果＞
この封止光半導体素子１１の製造方法によれば、第２加熱工程６６によって、図１３Ｃに示すように、封止層１０を完全硬化させ、図１３Ｅに示すように、第２加熱工程６６に後に実施される切断工程６４における封止層１０の機械強度を向上させることができる。そのため、切断工程６４において、封止層１０を確実に切断することができる。その結果、封止層１０を確実に切断できながら、複数の封止光半導体素子１１を効率的に製造することができる。

また、この封止光半導体素子１１の製造方法によれば、図１３Ｂに示すように、第８転写工程７８において、封止光半導体素子１１を耐熱性シート２８に転写し、その後、図１３Ｃに示すように、第２加熱工程６６を実施するので、第２加熱工程６６において、耐熱性シート２８で封止光半導体素子１１を支持しながら、封止光半導体素子１１における封止層１０を完全硬化させることができる。

また、この光半導体素子１の製造方法によれば、図１３Ｄに示すように、第２加熱工程６６の後に、封止光半導体素子１１を耐熱性シート２８から第１転写シート２１に転写するので、第１転写シート２１に支持された封止光半導体素子１１を種々の用途に用いることができる。

さらに、この封止光半導体素子１１の製造方法によれば、第１転写工程６７および延伸工程６８では、図８Ｈおよび図８Ｉに示すように、封止光半導体素子１１が転写された転写シート２１を前後方向および左右方向に延伸して、封止光半導体素子１１を第１転写シート２１から剥離するので、隣接する封止光半導体素子１１間の直交方向における間隔１８を確実に形成して、複数の封止光半導体素子１１のそれぞれを第１転写シート２１から確実に剥離することができる。

＜変形例＞
第１実施形態〜第５実施形態を適宜組み合わせることができる。

例えば、第２実施形態および第３実施形態を組み合わせて、低減工程６５において、感圧接着シート７に対する活性エネルギー線の照射と、感圧接着シート７に対する加熱とを同時、または、順次実施することができる。

さらに、本発明は、封止工程、第１加熱工程、低減工程および第２加熱工程を順に実施するものであり、また、剥離工程を、低減工程の後に実施するものである。つまり、剥離工程は、低減工程の後であれば特に限定されず、例えば、第２加熱工程の前後いずれに実施されててもよい。

以下の記載において用いられる配合割合（含有割合）、物性値、パラメータなどの具体的数値は、上記の「発明を実施するための形態」において記載されている、それらに対応する配合割合（含有割合）、物性値、パラメータなど該当記載の上限値（「以下」、「未満」として定義されている数値）または下限値（「以上」、「超過」として定義されている数値）に代替することができる。

調製例１
感圧接着剤シートＡの調製
温度計、攪拌機、窒素導入管を備えた反応容器に、２−エチルヘキシルアクリレート（２ＥＨＡ）１００質量部と、２−ヒドロキシエチルアクリレート（２−ＨＥＡ）１２．６質量部と、ジベンゾイルパーオキサイド（ＢＰＯ、重合開始剤）（商品名「ナイパーＢＷ」、日油社製）０．２５質量部とを、トルエン（重合溶媒）に投入して、窒素ガス気流下６０℃で、モノマー成分を共重合させた。これにより、アクリル系ポリマーの４５質量％トルエン溶液を得た。これにメタクリロイルオキシエチルイソシアネート１３．５質量部を配合して、メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（イソシアネート基含有化合物）をアクリル系ポリマーに対して付加反応させ、炭素−炭素二重結合を有するアクリル系ポリマーを調製した。また、上記アクリル系ポリマーのトルエン溶液に、アクリル系ポリマーの固形分１００質量部に対して、イソシアネート系架橋剤（商品名「コロネートＬ」、日本ポリウレタン工業社製）０．１質量部と、光重合開始剤（商品名「イルガキュア１２７」、（２−ヒドロキシ−１−｛４−［４−（２−ヒドロキシ−２−メチル−プロピオニル）−ベンジル］フェニル｝−２−メチル−プロパン−１−オン、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製）２質量部とを添加した。これによって、炭素−炭素二重結合が導入された樹脂組成物からなる感圧接着剤Ａを調製した。

作製例Ａ
まず、図７Ａが参照されるように、厚み３８μｍのＰＥＴフィルム（大三紙業社製）からなる支持シート３３を用意した。支持シート３３の上下両面に、上記の感圧接着剤Ａを塗布して、その後、１２０℃で３分間乾燥し、さらに５０℃で２４時間、エージングすることにより、厚み３０μｍの第１感圧接着層３１と、厚み１０μｍの第２感圧接着層３２とを備える感圧接着シート７（Ａ）を作製した。なお、第１感圧接着層３１および第２感圧接着層３２の２５℃における引張弾性率Ｘは、０．０２ＭＰａであった。

続いて、感圧接着シート７（Ａ）を、厚み７００μｍのガラス板からなる支持基板６に貼り付けた。

次いで、感圧接着シート７の上に、複数の光半導体素子１（ＥＤＩ−ＦＡ４５４５Ａ、Ｅｐｉｓｔａｒ社製）を配置して、光半導体素子１を感圧接着シート７（Ａ）に仮固定した（素子用意工程）。

作製例Ｂ
光半導体素子１（ＥＤＩ−ＦＡ４５４５Ａ、Ｅｐｉｓｔａｒ社製）を、光半導体素子１（ＥＳ−ＣＥＤＢ／ＢＬＶ１０Ｃ、Ｅｐｉｓｔａｒ社製）に変更した以外は、作製例Ａと同様に処理した。

＜感圧接着剤の光半導体素子に対する付着＞
試験例１Ａ〜６Ａ
作製例Ａによって得られた、感圧接着シート７（Ａ）および支持基板６を備える支持基板付感圧接着シート２と、感圧接着シート７（Ａ）によって支持基板６に仮固定された光半導体素子１とを、図７Ｃが参照されるように、表１に記載の加熱条件（試験例１については、加熱せず。）（具体的には、熱履歴Ｈ１。）で加熱した（第１加熱工程）。

その後、図８Ｅが参照されるように、感圧接着シート７に照射される照射エネルギーが４６０ｍＪ／ｃｍ^２となるように、高圧水銀ランプで、紫外線を感圧接着シート７に下側から照射した。

その後、図８Ｆが参照されるように、表１に記載の条件で、感圧接着シート７を加熱した（第２加熱工程）。

その後、図９Ｍが参照されるように、光半導体素子１を感圧接着シート７から剥離した。

そして、剥離した光半導体素子１の電極側面３に感圧接着剤が付着しているか否かを観察した。

その結果を表１に示す。

また、紫外線の照射後の感圧接着シート７の感圧接着層３４の引張弾性率Ｘを測定した。

他方、加熱せず、紫外線の照射のみを実施した感圧接着シート７の感圧接着層３４の引張弾性率Ｙを測定した。

なお、引張弾性率は、図１４に示すように、感圧接着層３４を折り畳み、厚み１．５ｍｍ、長さ３０ｍｍの寸法に成形してサンプルを作製した。その後、サンプルの長手方向両端部を、チャック４０で把持し、２５℃において、チャック間距離１０ｍｍ、引張速度
３００ｍｍ／分の条件で測定して、破断強度を求め、それをサンプルの断面積で除して、引張弾性率を算出した。以下、引張弾性率は、上記の条件に従って測定した。

そして、Ｘ／Ｙを算出した。その結果を表１に示す。

試験例１Ｂ〜３Ｂ
作製例Ａの光半導体素子１（ＥＤＩ−ＦＡ４５４５Ａ、Ｅｐｉｓｔａｒ社製）を、光半導体素子１（ＥＳ−ＣＥＤＢ／ＢＬＶ１０Ｃ、Ｅｐｉｓｔａｒ社製）に変更した以外は、試験例１Ａ〜３Ａと同様に、処理して、光半導体素子１の電極側面３に感圧接着剤が付着しているか否かを観察した。

その結果を表１に示す。

＜封止層のダイシング＞
試験例７〜１１
図７Ｂが参照されるように、作製例Ａにおいて、感圧接着シート７の上に仮固定された光半導体素子１を、封止層１０によって、封止した（封止工程）。

すなわち、ＰＥＴからなる厚み５０μｍの剥離シート９と、剥離シート９の下面に配置され、厚み５００μｍのＢステージの封止層１０とを備える封止シート８を用意した。封止層１０は、フェニル系シリコーン樹脂５０質量部、ガラス粒子４０質量部、および、蛍光体１０質量部を含有する封止組成物から調製した。次いで、封止層１０によって、複数の光半導体素子１を埋設して、複数の光半導体素子１を、感圧接着シート７を介して支持基板６により支持された状態で、封止した。

その後、図７Ｃが参照されるように、封止光半導体素子１１と、支持基板付感圧接着シート２（Ａ）とを、表１に記載の加熱条件（試験例１については、加熱せず。具体的には、熱履歴Ｈ１。）で加熱した（第１加熱工程）。

その後、図７Ｄが参照されるように、封止層１０を、複数の封止光半導体素子１１のそれぞれが個片化されるように、ダイシングソー１２によって、ダイシングした（切断工程）。切断面１４間の間隔ｌ４は、０．０４ｍｍであった。

このとき、下記の基準に基づいて、切断工程を評価した。その結果を表２に示す。

○：封止層１０を、円滑に切断できた。

×：封止層１０が、円滑に切断することができなかった。

別途、第１加熱工程後の封止層１０について、２５℃における引張弾性率を測定した。その結果を表２に示す。なお、試験例７については、封止層１０が過度に柔らかかったため、引張弾性率を測定することができなかった。

実施例１
第１実施形態に基づいて、図４Ｉに示すように、封止光半導体素子１１を耐熱性シート２８に支持される状態で得た。

すなわち、図１に示すように、素子用意工程６１、封止工程６２、第１加熱工程６３、切断工程６４、支持基板除去工程５１、耐熱性シート貼合工程５２、低減工程６５、感圧接着シート剥離工程５３、および、第２加熱工程６６を、順次実施した。

具体的には、まず、素子用意工程６１では、図２Ａに示すように、複数の光半導体素子１（ＥＤＩ−ＦＡ４５４５Ａ、Ｅｐｉｓｔａｒ社製）を、感圧接着シート７の上に配置した。感圧接着シート７は、厚み７００μｍのガラス板からなる支持基板６の上に用意した。

厚み３８μｍのＰＥＴフィルムからなる支持シート３３の上下両面に、厚み３０μｍの第１感圧接着層３１、および、厚み１０μｍの第２感圧接着層３２をそれぞれ積層することにより、支持シート３３、第１感圧接着層３１および第２感圧接着層３２からなる感圧接着シート７を用意した。

次いで、封止工程６２では、まず、図２Ｂに示すように、ＰＥＴフィルムからなる厚み５０μｍの剥離シート９と、剥離シート９の下面に配置され、封止組成物からなる封止層１０とを備える封止シート８とを用意した。封止組成物は、フェニル系シリコーン樹脂５０質量部、ガラス粒子４０質量部、および、蛍光体１０質量部から調製した。封止層１０の厚みは、５００μｍであった。

次いで、封止シート８によって、複数の光半導体素子１を封止した。

その後、図２Ｂの矢印で示すように、剥離シート９を封止シート８から剥離した。

これにより、封止光半導体素子１１を、支持基板付感圧接着シート２に支持された状態で得た。

次いで、第１加熱工程６３では、図２Ｃに示すように、封止光半導体素子１１と支持基板付感圧接着シート２とを、１００℃のオーブンに２時間投入した。これにより、封止層１０がＢステージ化した。封止層１０の２５℃における引張弾性率は、４１ＭＰａであった。

次いで、図２Ｄに示すように、切断工程６４において、封止層１０を、複数の光半導体素子１のそれぞれに対応するように、ダイシングソー１２によって、ダイシングした。

次いで、支持基板除去工程５１において、図３Ｅに示すように、支持基板６を感圧接着シート７から剥離した。

次いで、耐熱性シート貼合工程５２において、図３Ｆに示すように、耐熱性シート２８を、封止光半導体素子１１における封止層１０の上面１６に貼り合わせた。耐熱性シート２８は、耐熱微粘着シートＴＲＭ６２５０Ｌ（日東電工社製）からなり、厚みが３０μｍであった。

次いで、低減工程６５において、図３Ｇに示すように、感圧接着シート７に照射される照射エネルギーが４６０ｍＪ／ｃｍ^２となるように、高圧水銀ランプで、紫外線を感圧接着シート７に下側から照射した。これにより、感圧接着シート７の感圧接着力を低減させた。

次いで、感圧接着シート剥離工程５３において、図３Ｈに示すように、感圧接着シート７を封止光半導体素子１１から剥離した。

次いで、第２加熱工程６６において、図４Ｉに示すように、封止光半導体素子１１と耐熱性シート２８とを、１５０℃のオーブンに５時間投入した。これにより、封止層１０がＣステージ化した。封止層１０の２５℃における引張弾性率は、７０ＭＰａであった。

これにより、封止光半導体素子１１を耐熱性シート２８に支持される状態で得た。

実施例２
第２実施形態に基づいて、図８Ｇに示すように、封止光半導体素子１１を第１転写シート２１に支持される状態で得た。

すなわち、図６に示すように、素子用意工程６１、封止工程６２、第１加熱工程６３、切断工程６４、低減工程６５、第２加熱工程６６、および、第１転写工程６７を、順次実施した。

具体的には、まず、素子用意工程６１では、図７Ａに示すように、複数の光半導体素子１（ＥＤＩ−ＦＡ４５４５Ａ、Ｅｐｉｓｔａｒ社製）を、感圧接着シート７の上に配置した。感圧接着シート７は、厚み７００μｍのガラス板からなる支持基板６の上に用意した。

厚み３８μｍのＰＥＴフィルムからなる支持シート３３の上下両面に、厚み３０μｍの第１感圧接着層３１、および、厚み１０μｍの第２感圧接着層３２をそれぞれ積層することにより、支持シート３３、第１感圧接着層３１および第２感圧接着層３２からなる感圧接着シート７を用意した。

次いで、封止工程６２では、まず、図７Ｂに示すように、ＰＥＴフィルムからなる厚み５０μｍの剥離シート９と、剥離シート９の下面に配置され、封止組成物からなる封止層１０とを備える封止シート８とを用意した。封止組成物は、フェニル系シリコーン樹脂５０質量部、ガラス粒子４０質量部、および、蛍光体１０質量部から調製した。封止層１０の厚みは、５００μｍであった。

次いで、封止シート８によって、複数の光半導体素子１を封止した。

その後、剥離シート９を封止シート８から剥離した。

これにより、封止光半導体素子１１を、支持基板付感圧接着シート２に支持された状態で得た。

次いで、第１加熱工程６３では、図７Ｃに示すように、封止光半導体素子１１と支持基板付感圧接着シート２とを、１００℃のオーブンに２時間投入した。これにより、封止層１０がＢステージ化した。封止層１０の２５℃における引張弾性率は、４１ＭＰａであった。

次いで、図７Ｄに示すように、切断工程６４において、封止層１０を、複数の光半導体素子１のそれぞれに対応するように、ダイシングソー１２によって、ダイシングした。

次いで、低減工程６５において、図８Ｅに示すように、感圧接着シート７に照射される照射エネルギーが４６０ｍＪ／ｃｍ^２となるように、高圧水銀ランプで、紫外線を感圧接着シート７に下側から照射した。これにより、感圧接着シート７の感圧接着力を低減させた。

次いで、第２加熱工程６６において、図８Ｆに示すように、封止光半導体素子１１と支持基板付感圧接着シート２とを、１５０℃のオーブンに５時間投入した。これにより、封止層１０がＣステージ化した。封止層１０の２５℃における引張弾性率は、７０ＭＰａであった。

その後、第１転写工程６７において、図８Ｇに示すように、封止光半導体素子１１を、微感圧接着（タック）性および延伸性を有する第１転写シート２１に転写した。第１転写シート２１は、ＳＰＶ２２４Ｓ（日東電工社製）からなり、厚みが８０μｍであった。

実施例３
第４実施形態に基づいて、図１１Ｂに示すように、封止光半導体素子１１を耐熱性シート２８に支持される状態で得た。

すなわち、図１０に示すように、素子用意工程６１、封止工程６２、第１加熱工程６３、切断工程６４、低減工程６５、第１転写工程６７、および、第２加熱工程６６を、順次実施した。

まず、実施例２と同様にして、素子用意工程６１（図７Ａ参照）、封止工程６２（図７Ｂ参照）、第１加熱工程６３（図７Ｃ参照）、切断工程６４（図７Ｄ参照）および低減工程６５（図８Ｅ参照）を、実施した。

その後、第１転写工程６７において、図１１Ａに示すように、封止光半導体素子１１を、感圧接着シート７から耐熱性シート２８に転写した。耐熱性シート２８は、耐熱微粘着シートＴＲＭ６２５０Ｌ（日東電工社製）からなり、厚みが３０μｍであった。

続いて、実施例２と同様の条件で、図１１Ｂに示すように、第２加熱工程６６を、実施した。

実施例４
第３実施形態に基づいて、封止光半導体素子１１を耐熱性シート２８に支持される状態で得た。

すなわち、下記の工程を変更した以外は、実施例３と同様に処理した。

具体的には、素子用意工程６１において、図７Ａが参照されるように、感圧接着シート７を、リバアルファ（発泡性樹脂組成物、日東電工社製）から形成した。感圧接着シート７の厚みは、１０μｍであった。

低減工程６５において、図８Ｅが参照されるように、封止光半導体素子１１および支持基板付感圧接着シート２を、２００℃のオーブンに２０秒間、投入した。これによって、感圧接着シート７の感圧接着力を低減させた。

比較例１
第１加熱工程６３（図７Ｃ参照）を実施しなかった以外は、実施例２と同様に処理した。

比較例２
第１加熱工程６３（図７Ｃ参照）を実施しなかった以外は、実施例４と同様に処理した。

比較例３
第２加熱工程６６を実施せず、第１加熱工程６３における条件を、１５０℃、５時間に変更した以外は、実施例２と同様に処理した。

各実施例および各比較例の評価
各実施例および各比較例について、第１加熱工程６３後の感圧接着層３４の２５℃における引張弾性率、第２加熱工程６６後の感圧接着層３４の２５℃における引張弾性率を測定し、その後、Ｘ／Ｙを算出した。

それらの結果を表３に示す。

１ 光半導体素子
７ 感圧接着シート
１０ 封止層
１１ 封止光半導体素子
１８ 間隔
２１ 第１転写シート
２２ 第２転写シート
２８ 耐熱性シート
２９ 基板
３０ 発光装置
３１ 第１感圧接着層
３２ 第２感圧接着層
３４ 感圧接着層
５１ 支持基板剥離工程
５２ 耐熱性シート貼合工程
５３ 感圧接着シート剥離工程
６２ 封止工程
６３ 第１加熱工程
６４ 切断工程
６６ 第２加熱工程
６５ 低減工程
６７ 第１転写工程
７８ 第８転写工程
Ｈ０ 封止層が完全硬化する熱履歴
Ｈ１ 第１加熱工程において封止層に付与される熱履歴
Ｈ２ 第２加熱工程において封止層に付与される熱履歴
Ｈ３ 低減工程において封止層に付与される熱履歴

Claims (13)

1. 処理によって感圧接着力が低減するように構成される感圧接着シートに感圧接着された半導体素子を、熱硬化性樹脂を含有する封止層によって、封止して、前記半導体素子と、前記半導体素子を封止する前記封止層とを備える封止半導体素子を得る封止工程、
   前記封止工程の後に、前記封止層が完全硬化する熱履歴Ｈ０より少ない熱履歴Ｈ１が前記封止層に付与されるように、前記封止層を加熱する第１加熱工程、
   前記第１加熱工程の後に、前記処理によって前記感圧接着シートの感圧接着力を低減させる低減工程、
   前記低減工程の後に、前記封止層が完全硬化する熱履歴Ｈ０と同じまたはそれより多い熱履歴Ｈ２が前記封止層に付与されるように、前記封止層を加熱する第２加熱工程、および、
   前記封止半導体素子を、前記感圧接着シートから剥離する剥離工程
   を備えることを特徴とする、封止半導体素子の製造方法。
2. 前記感圧接着シートは、前記半導体素子と感圧接着する感圧接着層を備え、
   前記第１加熱工程の加熱と前記低減工程の前記処理とを順次実施した前記感圧接着層の２５℃における引張弾性率Ｘの、前記低減工程の前記処理のみを実施した前記感圧接着層の２５℃における引張弾性率Ｙに対する比（Ｘ／Ｙ）が、０．７０以上であることを特徴とする、請求項１に記載の封止半導体素子の製造方法。
3. 前記封止工程では、複数の前記半導体素子を、前記封止層によって、封止して、複数の前記半導体素子を備える前記封止半導体素子を得、
   前記第１加熱工程の後であって、前記低減工程の前に、前記封止層を、複数の前記半導体素子のそれぞれに対応するように、切断する切断工程
   をさらに備えることを特徴とする、請求項１または２に記載の封止半導体素子の製造方法。
4. 前記剥離工程を、前記低減工程の後であって、前記第２加熱工程の前に実施することを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の封止半導体素子の製造方法。
5. 前記低減工程の前に、前記封止半導体素子に耐熱性シートを貼り合わせる耐熱性シート貼合工程
   をさらに備えることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載の封止半導体素子の製造方法。
6. 前記剥離工程では、前記封止半導体素子を前記感圧接着シートから耐熱性シートに転写することを特徴とする、請求項４に記載の封止半導体素子の製造方法。
7. 前記封止半導体素子を前記耐熱性シートから転写シートに転写する転写工程
   を備えることを特徴とする、請求項５または６に記載の封止半導体素子の製造方法。
8. 前記剥離工程を、前記第２加熱工程の後に実施し、
   前記剥離工程では、前記封止半導体素子を前記感圧接着シートから転写シートに転写することを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の封止半導体素子の製造方法。
9. 前記転写シートは、厚み方向に対する直交方向に延伸するように構成される延伸シートであって、
   前記封止半導体素子が転写された前記転写シートを前記直交方向に延伸して、前記封止半導体素子を前記転写シートから剥離する延伸剥離工程を備えることを特徴とする、請求項７または８に記載の封止半導体素子の製造方法。
10. 前記封止工程では、複数の前記半導体素子を、前記封止層によって、封止して、複数の前記半導体素子を備える前記封止半導体素子を得、
    前記第２加熱工程の後に、前記封止層を、複数の前記半導体素子のそれぞれに対応するように、切断する切断工程をさらに備えることを特徴とする、請求項１または２に記載の封止半導体素子の製造方法。
11. 前記低減工程では、活性エネルギー線を前記感圧接着シートに対して照射することを特徴とする、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の封止半導体素子の製造方法。
12. 前記低減工程では、前記封止層が完全硬化する熱履歴Ｈ０より少ない熱履歴Ｈ３が前記封止層に付与されるように、前記感圧接着シートを加熱することを特徴とする、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の封止半導体素子の製造方法。
13. 請求項１〜１２のいずれか一項に記載の製造方法により、封止半導体素子を製造する工程、および、
    前記封止半導体素子を基板に実装する工程
    を備えることを特徴とする、半導体装置の製造方法。

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