TWI739729B - 黏晶膜、附切割片材之黏晶膜、半導體裝置、及半導體裝置之製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種黏晶膜，該黏晶膜於藉由對半導體晶圓中之分割預定線照射雷射光形成改質區域，而使半導體晶圓處於可沿分割預定線容易地分割之狀態後，藉由施加拉伸張力而分割半導體晶圓獲得半導體晶片時，可抑制於分割預定線以外之部位之半導體晶圓中產生裂紋或缺損。
本發明之黏晶膜於波長1065nm下之光線透過率為80%以上。

Description

黏晶膜、附切割片材之黏晶膜、半導體裝置、及半導體裝置之製造方法
本發明係關於一種黏晶膜、附切割片材之黏晶膜、半導體裝置、及半導體裝置之製造方法。
先前，於半導體裝置之製造中，有時使用附切割片材之黏晶膜。附切割片材之黏晶膜係於切割片材上可剝離地設置黏晶膜而獲得。於半導體裝置之製造中，於附切割片材之黏晶膜之黏晶膜上保持半導體晶圓，對半導體晶圓進行切割而製成各個晶片。然後，將晶片與黏晶膜一同自切割片材剝離，使其經由黏晶膜固著於引線框架等被黏著體。
當使用向切割片材上積層黏晶膜而成之附切割片材之黏晶膜，於黏晶膜之保持下切割半導體晶圓之情形時，必須將該黏晶膜與半導體晶圓同時切斷。然而，於使用金剛石刀片之通常之切割方法中，會擔心因切割時產生之熱之影響造成黏晶膜與切割片材之黏連、因切削屑之產生造成半導體晶片彼此之固著、以及於半導體晶片側面附著切削屑等情況，因此必須降低切斷速度，導致成本之上升。
因此，近年來提出有如下之方法：藉由對半導體晶圓中之分割預定線照射雷射光形成改質區域，而使半導體晶圓可沿分割預定線容易地分割，然後藉由施加拉伸張力而使該半導體晶圓斷裂，獲得各個半導體晶片(例如參照專利文獻1、及專利文獻2，以下亦稱為「隱形切 割(Stealth Dicing)(註冊商標)」)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2002-192370號公報
[專利文獻2]日本專利特開2003-338467號公報
另一方面，近年來，作為由半導體晶圓獲得各個半導體晶片之方法，考慮如下之方法：首先，自半導體晶圓之背面(非電路形成面)照射雷射光，於上述半導體晶圓之分割預定線上形成改質區域，繼而，為了製成薄型而進行半導體晶圓之背面研磨，然後，於半導體晶圓之背面貼合附切割片材之黏晶膜。然而，該方法中，存在有時會於半導體晶圓之背面研磨之階段中產生裂紋或缺損之問題。
本發明係鑒於上述問題而完成，其目的在於提供一種黏晶膜及附切割片材之黏晶膜，上述黏晶膜於藉由對半導體晶圓中之分割預定線照射雷射光形成改質區域，而使半導體晶圓處於可沿分割預定線容易地分割之狀態後，藉由施加拉伸張力而分割半導體晶圓獲得半導體晶片之情形時，可抑制於分割預定線以外之部位之半導體晶圓中產生裂紋或缺損。又，本發明提供一種使用該黏晶膜、或該附切割片材之黏晶膜所製造之半導體裝置。又，本發明提供一種使用該附切割片材之黏晶膜之半導體裝置之製造方法。
本案發明人等為了解決上述先前之問題而對黏晶膜進行了研究。其結果發現，藉由採用下述構成，即使於獲得薄型之半導體晶片之情形時，亦可抑制半導體晶圓產生裂紋或缺損，從而完成了本發明。
即，本發明之黏晶膜之特徵在於，波長1065nm下之光線透過率 為80%以上。
根據上述構成，由於黏晶膜於波長1065nm下之光線透過率為80%以上，因此貼附於半導體晶圓後，能夠自黏晶膜側照射雷射光(例如，於波長1065nm附近具有波峰之雷射光)而於半導體晶圓之分割預定線上形成改質區域。並且，其後能夠使半導體晶圓沿上述分割預定線斷裂。
由於能夠以被黏晶膜保持之狀態於半導體晶圓上形成改質區域，並保持該狀態使半導體晶圓斷裂，因此能夠抑制於分割預定線以外之部位產生裂紋或缺損。
又，本發明之附切割片材之黏晶膜較佳為：其係於切割片材上設置上述記載之黏晶膜而成者，且上述附切割片材之黏晶膜於波長1065nm下之光線透過率為50%以上。
根據上述構成，由於附切割片材之黏晶膜於波長1065nm下之光線透過率為50%以上，因此可於在半導體晶圓上貼附附切割片材之黏晶膜後，自附切割片材之黏晶膜側照射雷射光(例如，於波長1065nm附近具有波峰之雷射光)，而於半導體晶圓之分割預定線上形成改質區域。並且，其後能夠使半導體晶圓沿上述分割預定線斷裂。
由於能夠以被附切割片材之黏晶膜保持之狀態於半導體晶圓上形成改質區域，並保持該狀態使半導體晶圓斷裂，因此能夠抑制於分割預定線以外之部位產生裂紋或缺損。尤其，即使於獲得薄型之半導體晶片之情形時，亦可抑制產生裂紋或缺損。
又，由於切割片材與黏晶膜預先被積層，因此無需設置向黏晶膜上貼合切割片材之步驟。
於上述構成中，較佳為上述黏晶膜於-15℃下之拉伸斷裂應力為50N/mm2以下。
若上述黏晶膜於-15℃下之拉伸斷裂應力為50N/mm2以下，則於對附切割片材之黏晶膜施加拉伸張力時，能夠使其適宜地沿分割預定線斷裂。再者，-15℃係對附切割片材之黏晶膜施加拉伸張力而使其沿分割預定線斷裂時之溫度之代表值。
於上述構成中，較佳為上述黏晶膜於-15℃下之拉伸斷裂伸長率為30%以下。
若上述黏晶膜於-15℃下之拉伸斷裂伸長率為30%以下，則於對附切割片材之黏晶膜施加拉伸張力時，能夠使其更加適宜地沿分割預定線斷裂。
於上述構成中，較佳為上述黏晶膜含有軟化點為-15℃以上之酚系樹脂。
若上述黏晶膜含有軟化點為-15℃以上之酚系樹脂，則容易斷裂而不會大幅伸長。
於上述構成中，較佳為上述黏晶膜之損耗正切tanδ之峰值溫度為-15℃以上且未達50℃。
若上述黏晶膜之損耗正切tanδ之峰值溫度為-15℃以上，則會變得更加容易斷裂而不會大幅伸長。又，若上述黏晶膜之損耗正切tanδ之峰值溫度未達50℃，則能夠確保對晶圓之良好之密接性。
於上述構成中，較佳為上述黏晶膜含有使以50重量%以上之比率包含丙烯酸烷基酯或甲基丙烯酸烷基酯之單體原料聚合而獲得之丙烯酸系共聚物。
若上述黏晶膜含有使以50重量%以上之比率包含丙烯酸烷基酯或甲基丙烯酸烷基酯之單體原料聚合而獲得之丙烯酸系共聚物，則能夠提高黏晶膜於波長1065nm下之光線透過率。
於上述構成中，較佳為上述切割片材係由基材及黏著劑層構成，上述黏著劑層含有使以50重量%以上之比率包含丙烯酸烷基酯或甲基 丙烯酸烷基酯之單體原料聚合而獲得之丙烯酸系共聚物。
若上述黏著劑層含有使以50重量%以上之比率包含丙烯酸烷基酯或甲基丙烯酸烷基酯之單體原料聚合而獲得之丙烯酸系共聚物，則能夠提高上述黏著劑層於波長1065nm下之光線透過率。
又，本發明之半導體裝置之特徵在於，其係使用上述記載之黏晶膜、或上述記載之附切割片材之黏晶膜而製造。
根據上述構成，由在分割預定線以外之部位產生裂紋或缺損之情況得以抑制之半導體晶圓製造本發明之半導體裝置，因此可獲得良率得到提高之半導體裝置。
又，本發明之半導體裝置之製造方法之特徵在於，其係使用上述記載之附切割片材之黏晶膜者，且具有如下步驟：步驟A，於半導體晶圓之背面貼合上述附切割片材之黏晶膜；步驟B，自上述附切割片材之黏晶膜側對上述半導體晶圓照射雷射光，而於上述半導體晶圓之分割預定線上形成改質區域；步驟C，藉由對上述附切割片材之黏晶膜施加拉伸張力，而使上述半導體晶圓及構成上述附切割片材之黏晶膜之黏晶膜沿上述分割預定線斷裂，形成半導體晶片。
上述附切割片材之黏晶膜中，黏晶膜於波長1065nm下之光線透過率為80%以上，切割片材於波長1065nm下之光線透過率為80%以上。根據上述構成，由於能夠以被附切割片材之黏晶膜保持之狀態於半導體晶圓上形成改質區域(步驟B)，並保持該狀態使上述半導體晶圓與構成上述附切割片材之黏晶膜之黏晶膜沿分割預定線斷裂(步驟C)，因此能夠抑制於分割預定線以外之部位產生裂紋或缺損。
又，由於使用附切割片材之黏晶膜，且切割片材與黏晶膜預先被積層，因此無需設置向黏晶膜上貼合切割片材之步驟。
於上述構成中，較佳為具有如下步驟：步驟A-1，於半導體晶圓 之表面貼附背面研磨帶；步驟A-2，於上述背面研磨帶之保持下進行上述半導體晶圓之背面研磨；且於上述步驟A-1及上述步驟A-2之後進行上述步驟A~上述步驟C。
根據上述構成，於半導體晶圓被背面研磨帶及附切割片材之黏晶膜兩者夾持之狀態下對半導體晶圓照射雷射光，而於上述半導體晶圓之分割預定線上形成改質區域。因此，能夠更加抑制於分割預定線以外之部位產生裂紋或缺損。
於上述構成中，較佳為於上述步驟B之後具有將上述背面研磨帶自上述半導體晶圓剝離之步驟B-1，且於上述步驟B-1之後進行上述步驟C。
根據上述構成，於進行步驟C之前成為由背面研磨帶及附切割片材之黏晶膜兩者夾持半導體晶圓之狀態。因此，能夠進一步抑制於分割預定線以外之部位產生裂紋或缺損。
根據本發明，能夠提供一種黏晶膜、以及附切割片材之黏晶膜，上述黏晶膜即使於獲得薄型之半導體晶片之情形時，亦可抑制半導體晶圓中產生裂紋或缺損。又，能夠提供一種使用該黏晶膜、或該附切割片材之黏晶膜製造之半導體裝置。又，能夠提供一種使用該附切割片材之黏晶膜之半導體裝置之製造方法。
4:半導體晶圓
4F:半導體晶圓之表面
4L:改質區域
4R:半導體晶圓之背面
5:半導體晶片
6:被黏著體
7:接合線
8:密封樹脂
10:附切割片材之黏晶膜
11:切割片材
12:基材
14:黏著劑層
14a:黏著劑層之與黏晶膜之晶圓貼附部分相對應之部分
14b:黏著劑層之與黏晶膜之晶圓貼附部分相對應之部分以外之部分
16:黏晶膜
16a:黏晶膜之晶圓貼附部分
31:切割環
32:晶圓擴展裝置
33:頂起部
44:背面研磨帶
45:研磨磨石
48:雷射光
圖1係表示本發明之一實施形態之附切割片材之黏晶膜之剖視模式圖。
圖2係用以說明本實施形態之半導體裝置之一製造方法之剖視模式圖。
圖3係用以說明本實施形態之半導體裝置之一製造方法之剖視模式圖。
圖4係用以說明本實施形態之半導體裝置之一製造方法之剖視模式圖。
圖5係用以說明本實施形態之半導體裝置之一製造方法之剖視模式圖。
圖6係用以說明本實施形態之半導體裝置之一製造方法之剖視模式圖。
圖7之(a)、(b)係用以說明本實施形態之半導體裝置之一製造方法之剖視模式圖。
圖8係用以說明本實施形態之半導體裝置之一製造方法之剖視模式圖。
(附切割片材之黏晶膜)
關於本發明之一實施形態之黏晶膜、以及附切割片材之黏晶膜，於以下進行說明。本實施形態之黏晶膜可列舉於以下說明之附切割片材之黏晶膜中未貼合切割片材之狀態之黏晶膜。因此，以下對附切割片材之黏晶膜進行說明，關於黏晶膜，於其中進行說明。圖1係表示本發明之一實施形態之附切割片材之黏晶膜之剖視模式圖。
如圖1所示，附切割片材之黏晶膜10具有於切割片材11上積層有黏晶膜16之構成。切割片材11係於基材12上積層黏著劑層14而構成，黏晶膜16設置於黏著劑層14上。
再者，於本實施形態中，對切割片材11中存在未被黏晶膜16覆蓋之部分14b之情形進行說明，但本發明之附切割片材之黏晶膜並不限定於此例，亦可以覆蓋切割片材整體之方式於切割片材上積層黏晶膜。
黏晶膜16於波長1065nm下之光線透過率為80%以上、較佳為85%以上、更佳為90%以上。由於黏晶膜16於波長1065nm下之光線透過 率為80%以上，因此可在貼附於半導體晶圓後，自黏晶膜16側照射雷射光(例如，於波長1065nm附近具有波峰之雷射光)，而於半導體晶圓之分割預定線上形成改質區域。並且，其後能夠使半導體晶圓沿上述分割預定線斷裂。
由於能夠以被黏晶膜16保持之狀態於半導體晶圓上形成改質區域，並保持該狀態使半導體晶圓斷裂，因此能夠抑制於分割預定線以外之部位產生裂紋或缺損。
又，黏晶膜16於波長1065nm下之光線透過率越高越佳，例如可設為100%以下。
黏晶膜16於波長1065nm下之光線透過率可藉由構成黏晶膜16之材料進行控制。例如，可藉由適當選擇構成黏晶膜16之熱塑性樹脂之種類或含量、熱硬化性樹脂之種類或含量、填料之平均粒徑或含量進行控制。
黏晶膜於波長1065nm下之光線透過率(%)藉由以下條件求出。
<光線透過率測定條件>
測定裝置：紫外可見近紅外分光光度計V-670DS(日本分光股份有限公司製)
波長掃描速度：2000nm/min
測定範圍：300~1200nm
積分球單元：ISN-723
光點直徑：1cm見方
又，黏晶膜16較佳為-15℃下之拉伸斷裂應力為50N/mm2以下、更佳為45N/mm2以下、進而較佳為40N/mm2以下。若黏晶膜16於-15℃下之拉伸斷裂應力為50N/mm2以下，則對附切割片材之黏晶膜10施加拉伸張力時，能夠使其沿分割預定線適宜地斷裂。又，自處理性之觀點而言，上述拉伸斷裂應力例如較佳為5N/mm2以上。拉伸斷裂應 力之測定方法利用實施例記載之方法。
上述拉伸斷裂應力可藉由構成黏晶膜16之材料進行控制。例如，可藉由適當選擇構成黏晶膜16之熱塑性樹脂之種類或含量、熱硬化性樹脂之種類或含量、填料之平均粒徑或含量進行控制。
又，黏晶膜16較佳為-15℃下之拉伸斷裂伸長率為30%以下、更佳為25%以下、進而較佳為20%以下。若黏晶膜16於-15℃下之拉伸斷裂伸長率為30%以下，則對附切割片材之黏晶膜10施加拉伸張力時，能夠使其沿分割預定線更加適宜地斷裂。又，自防止斷裂時之黏晶膜之飛散之觀點而言，上述拉伸斷裂伸長率例如較佳為1%以上。拉伸斷裂伸長率之測定方法利用實施例記載之方法。
上述拉伸斷裂伸長率可藉由構成黏晶膜16之材料進行控制。例如，可藉由適當選擇構成黏晶膜16之熱塑性樹脂之種類或含量、熱硬化性樹脂之種類或含量、填料之平均粒徑或含量進行控制。
又，黏晶膜16較佳為損耗正切tanδ之峰值溫度為-15℃以上且未達50℃、更佳為-10℃以上且未達40℃、進而較佳為-5℃以上且未達40℃。若黏晶膜16之損耗正切tanδ之峰值溫度為-15℃以上，則會變得更加容易斷裂而不會大幅伸長。又，若黏晶膜16之損耗正切tanδ之峰值溫度未達50℃，則能夠確保對晶圓之良好密接性。損耗正切tanδ之峰值溫度之求得方法利用實施例記載之方法。
黏晶膜16之損耗正切tanδ之峰值溫度可藉由構成黏晶膜16之材料進行控制。例如，可藉由適當選擇構成黏晶膜16之熱塑性樹脂之種類或含量、熱硬化性樹脂之種類或含量進行控制。
作為構成黏晶膜16之材料，可列舉熱硬化性樹脂。又，亦可併用熱塑性樹脂與熱硬化性樹脂。
作為上述熱硬化性樹脂，可列舉酚系樹脂、胺基樹脂、不飽和聚酯樹脂、環氧樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂、聚矽氧樹脂或熱硬化性聚醯 亞胺樹脂等。該等樹脂可單獨使用或者併用兩種以上。尤其較佳為含有較少會腐蝕半導體晶片之離子性雜質等之環氧樹脂。又，作為環氧樹脂之硬化劑，較佳為酚系樹脂。
上述環氧樹脂只要為通常用作接著劑組合物之環氧樹脂則無特別限定，例如可使用：雙酚A型、雙酚F型、雙酚S型、溴化雙酚A型、氫化雙酚A型、雙酚AF型、聯苯型、萘型、fluonrene型、苯酚酚醛清漆型、鄰甲酚酚醛清漆型、三羥基苯基甲烷型、四酚基乙烷(Tetraphenylolethane)型等二官能環氧樹脂、多官能環氧樹脂；或乙內醯脲型、異氰脲酸三縮水甘油酯型或縮水甘油胺型等環氧樹脂。該等可單獨使用或併用兩種以上。於該等環氧樹脂之中，尤佳為酚醛清漆型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、三羥基苯基甲烷型樹脂或四酚基乙烷型環氧樹脂。其原因在於，該等環氧樹脂富有與作為硬化劑之酚系樹脂之反應性，且耐熱性等優異。
進而，上述酚系樹脂係作為上述環氧樹脂之硬化劑而發揮作用者，例如可列舉：苯酚酚醛清漆樹脂、苯酚芳烷基樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂、第三丁基苯酚酚醛清漆樹脂、壬基苯酚酚醛清漆樹脂等酚醛清漆型酚系樹脂；可溶酚醛型酚系樹脂、聚對羥基苯乙烯等聚羥基苯乙烯等。該等可單獨使用或者併用兩種以上。於該等酚系樹脂之中，尤佳為苯酚酚醛清漆樹脂、苯酚芳烷基樹脂。其原因在於，能夠提高半導體裝置之連接可靠性。
其中，黏晶膜16較佳為含有軟化點為-15℃以上之酚系樹脂。上述軟化點更佳為0℃以上、進而較佳為30℃以上。若黏晶膜16含有軟化點為-15℃以上之酚系樹脂，則會變得容易斷裂而不會大幅伸長。
又，上述軟化點越高越佳，例如可設為100℃以下。
再者，於本說明書中，軟化點係定義為根據JIS K 5902及JIS K 2207所規定之軟化點試驗方法(環球法)進行測定所得之值。具體而 言，將試樣於儘可能低之溫度下迅速熔解，使其充滿於放置於平坦之金屬板上之環中，注意不產生氣泡。於冷卻後，利用略微加熱過之小刀自包含環之上端之平面切去隆起部分。繼而，於直徑85mm以上、高度127mm以上之玻璃容器(加熱浴)中放入支持器(環台)，注入甘油直至深度成為90mm以上。繼而，將鋼球(直徑9.5mm、重量3.5g)與充滿試樣之環以相互不接觸之方式浸入甘油中，並將甘油之溫度保持為20℃±5℃ 15分鐘。繼而，於環中之試樣之表面中央載置鋼球，將其放置於支持器上之固定位置。繼而，將自環之上端至甘油面之距離保持為50mm，放置溫度計，使溫度計之水銀球之中心位置與環之中心為同樣高度，加熱容器。加熱中使用之本生燈(Bunsen burner)之火焰設置為接觸於容器之底部之中心與邊緣之中間，使加熱均等。再者，加熱開始後達到40℃之後之浴溫之上升比率必須為每分鐘5.0±0.5℃。讀取試樣逐漸軟化而自環中流下並最後接觸底板時之溫度，將其作為軟化點。軟化點之測定同時進行2個以上，採用其平均值。
關於上述環氧樹脂與酚系樹脂之調配比例，例如適宜以相對於上述環氧樹脂成分中之環氧基每1當量，酚系樹脂中之羥基成為0.5~2.0當量之方式進行調配。更適宜為0.8~1.2當量。即，其原因在於，若兩者之調配比例偏離上述範圍，則不會進行充分之硬化反應，環氧樹脂硬化物之特性容易劣化。
作為上述熱塑性樹脂，可列舉：天然橡膠、丁基橡膠、異戊二烯橡膠、氯丁二烯橡膠、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯樹脂、聚碳酸酯樹脂、熱塑性聚醯亞胺樹脂、6-尼龍或6,6-尼龍等聚醯胺樹脂、苯氧基樹脂、丙烯酸系樹脂、PET(Polyethylene Terephthalate，聚對苯二甲酸乙二酯)、PBT(Polybutylene Terephthalate，聚對苯二甲酸丁二酯)等飽和聚酯樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂或氟樹脂等。該等熱塑性樹脂可單獨使用或者 併用兩種以上。於該等熱塑性樹脂之中，尤佳為離子性雜質較少、耐熱性較高、能夠確保半導體晶片之可靠性之丙烯酸系樹脂。
作為上述丙烯酸系樹脂，並無特別限定，可列舉將具有碳數30以下、尤其是碳數4~18之直鏈或支鏈之烷基之丙烯酸之酯或甲基丙烯酸之酯(丙烯酸烷基酯或甲基丙烯酸烷基酯)中之一種或兩種以上作為成分之聚合物(丙烯酸系共聚物)等。作為上述烷基，例如可列舉：甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、第三丁基、異丁基、戊基、異戊基、己基、庚基、環己基、2-乙基己基、辛基、異辛基、壬基、異壬基、癸基、異癸基、十一烷基、月桂基、十三烷基、十四烷基、硬脂基、十八烷基、或十二烷基等。
其中，黏晶膜16較佳為含有使以50重量%以上之比率包含丙烯酸烷基酯或甲基丙烯酸烷基酯之單體原料聚合而獲得之丙烯酸系共聚物。上述比率更佳為60重量%以上、進而較佳為70重量%以上。若黏晶膜16含有使以50重量%以上之比率包含丙烯酸烷基酯或甲基丙烯酸烷基酯之單體原料聚合而獲得之丙烯酸系共聚物，則能夠提高黏晶膜16於波長1065nm下之光線透過率。
上述比率較多為宜，例如可設為100重量%以下。
又，作為形成上述聚合物之其它單體，並無特別限定，例如可列舉：丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧基乙酯、丙烯酸羧基戊酯、伊康酸、順丁烯二酸、反丁烯二酸或丁烯酸等之類之含羧基之單體；順丁烯二酸酐或伊康酸酐等之類之酸酐單體；(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羥基月桂酯或丙烯酸(4-羥基甲基環己基)-甲酯等之類之含羥基之單體；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯醯胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯醯胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯或(甲基)丙烯 醯氧基萘磺酸等之類之含磺酸基之單體；或者2-羥基乙基丙烯醯基磷酸酯等之類之含磷酸基之單體。
作為上述熱硬化性樹脂之調配比率，只要為於特定條件下加熱時黏晶膜16會發揮作為熱硬化型之功能之程度，則無特別限定，相對於黏晶膜16整體，較佳為5~70重量%之範圍內、更佳為10~60重量%之範圍內。
作為上述熱塑性樹脂之調配比率，並無特別限定，自薄膜形成性之觀點而言，相對於黏晶膜16整體，較佳為3重量%以上、更佳為5重量%以上。又，自耐熱性之觀點而言，相對於黏晶膜16整體，較佳為95重量%以下、更佳為90重量%以下。
於使黏晶膜16預先進行某種程度之交聯之情形時，只要於製作時預先添加能與聚合物之分子鏈末端之官能基等進行反應之多官能性化合物作為交聯劑即可。藉此，能夠提高於高溫下之接著特性，實現耐熱性之改善。
作為上述交聯劑，可採用先前公知之交聯劑。尤其是甲苯二異氰酸酯、二苯基甲烷二異氰酸酯、對苯二異氰酸酯、1,5-萘二異氰酸酯、多元醇與二異氰酸酯之加成物等多異氰酸酯化合物更佳。作為交聯劑之添加量，相對於上述聚合物100重量份，通常較佳為設為0.05~7重量份。若交聯劑之量多於7重量份，則接著力會降低，因而不佳。另一方面，若少於0.05重量份，則凝聚力不足，因而不佳。又，於含有此種多異氰酸酯化合物之同時亦可根據需要而一併含有環氧樹脂等其它多官能性化合物。
又，於黏晶膜16中可根據其用途而適當調配填料。上述填料之調配可實現導電性賦予、導熱性提高、及彈性模數調節等。作為上述填料，可列舉無機填料及有機填料，但基於處理性之提高、導熱導電性之提高、熔融黏度之調整、觸變性之賦予等特性之觀點而言，較佳為 無機填料。作為上述無機填料，並無特別限定，例如可列舉：氫氧化鋁、氫氧化鎂、碳酸鈣、碳酸鎂、矽酸鈣、矽酸鎂、氧化鈣、氧化鎂、氧化鋁、氮化鋁、硼酸鋁晶鬚、氮化硼、晶質二氧化矽、非晶質二氧化矽等。該等可單獨使用或併用兩種以上。自提高導熱導電性之觀點而言，較佳為氧化鋁、氮化鋁、氮化硼、晶質二氧化矽、非晶質二氧化矽。又，基於上述各特性之平衡良好之觀點而言，較佳為晶質二氧化矽或非晶質二氧化矽。又，亦可基於導電性之賦予、導熱導電性之提高等目的而使用導電性物質(導電填料)作為無機填料。作為導電填料，可列舉將銀、鋁、金、胴、鎳、導電性合金等製成球狀、針狀、薄片狀之金屬粉、氧化鋁等金屬氧化物、非晶形碳黑、石墨等。
上述填料之平均粒徑較佳為0.001~1μm、更佳為0.005~0.7μm。藉由使上述填料之平均粒徑為0.001μm以上，能夠控制膜之觸黏性。又，藉由使其為1μm以下，能夠防止透過率之降低。再者，填料之平均粒徑例如為藉由光度式之粒度分佈計(HORIBA製、裝置名：LA-910)求得之值。
再者，於黏晶膜16中，除了上述填料以外，亦可根據需要適當地調配其它添加劑。作為其它添加劑，例如可列舉阻燃劑、矽烷偶合劑或離子捕獲劑等。作為上述阻燃劑，例如可列舉三氧化銻、五氧化銻、溴化環氧樹脂等。該等可單獨使用或併用兩種以上。作為上述矽烷偶合劑，例如可列舉β-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、γ-縮水甘油氧基丙基甲基二乙氧基矽烷等。上述化合物可單獨使用或併用兩種以上。作為上述離子捕獲劑，例如可列舉水滑石類、氫氧化鉍等。該等可單獨使用或併用兩種以上。
黏晶膜16之厚度(積層體之情形時為總厚度)並無特別限定，自光線透過率之觀點而言，較佳為3~100μm、更佳為5~60μm、進而較 佳為5~30μm。
如上所述，切割片材11具有於基材12上積層有黏著劑層14之構成。
基材12成為附切割片材之黏晶膜10之強度母體。例如可列舉：低密度聚乙烯、直鏈狀聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、無規共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯等聚烯烴、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、離子聚合物樹脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯(無規、交替)共聚物、乙烯-丁烯共聚物、乙烯-己烯共聚物、聚胺基甲酸酯、聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯等聚酯、聚碳酸酯、聚醯亞胺、聚醚醚酮、聚醚醯亞胺、聚醯胺、全芳香族聚醯胺、聚苯硫醚、芳族聚醯胺(紙)、玻璃、玻璃布、氟樹脂、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、纖維素系樹脂、聚矽氧樹脂、金屬(箔)等。於後述之黏著劑層14係由放射線硬化型黏著劑形成之情形時，基材12較佳為由透過該放射線之材料形成。
為了提高與鄰接之層之密接性、保持性等，基材12之表面可實施慣用之表面處理，例如鉻酸處理、臭氧暴露、火焰暴露、高壓電擊暴露、離子化放射線處理等化學處理或物理處理；利用底塗劑(例如後述之黏著物質)之塗佈處理。基材12可適當選擇使用同種或不同種之基材，可根據需要使用摻合數種材料而獲得之基材。
基材12較佳為波長1065nm下之光線透過率為70%以上、更佳為80%以上。波長1065nm下之光線透過率為70%以上之基材12可藉由適當選擇構成基材12之材料而獲得。
又，基材12於波長1065nm下之光線透過率越高越佳，例如可設為100%以下。
基材於波長1065nm下之光線透過率係藉由與黏晶膜於波長1065 nm下之光線透過率同樣之方法獲得。
基材12之厚度並無特別限定，可適當決定，但通常為5~200μm左右。其中，自拾取性、光線透過率之觀點而言，較佳為30~130μm。
作為用於黏著劑層14之形成之黏著劑，並無特別限定，例如可使用丙烯酸系黏著劑、橡膠系黏著劑等通常之感壓性黏著劑。作為上述感壓性黏著劑，自半導體晶圓、玻璃等避忌污染之電子零件之利用超純水、醇等有機溶劑之清潔清洗性等方面而言，較佳為以丙烯酸系聚合物為基礎聚合物之丙烯酸系黏著劑。
作為上述丙烯酸系聚合物，例如可列舉將以下成分中之一種或兩種以上用作單體成分之丙烯酸系聚合物等：(甲基)丙烯酸烷基酯(例如甲酯、乙酯、丙酯、異丙酯、丁酯、異丁酯、第二丁酯、第三丁酯、戊酯、異戊酯、己酯、庚酯、辛酯、2-乙基己酯、異辛酯、壬酯、癸酯、異癸酯、十一烷基酯、十二烷基酯、十三烷基酯、十四烷基酯、十六烷基酯、十八烷基酯、二十烷基酯等烷基之碳數為1~30、尤其是碳數為4~18之直鏈狀或支鏈狀之烷基酯等)以及(甲基)丙烯酸環烷基酯(例如環戊酯、環己酯等)。再者，所謂(甲基)丙烯酸酯，係指丙烯酸酯及/或甲基丙烯酸酯，所謂本發明之(甲基)，全部為相同之含義。
其中，黏著劑層14較佳為含有使以50重量%以上之比率包含丙烯酸烷基酯或甲基丙烯酸烷基酯(丙烯酸之酯或甲基丙烯酸之酯)之單體原料聚合而獲得之丙烯酸系共聚物。上述比率更佳為60重量%以上、進而較佳為70重量%以上。若黏著劑層14含有使以50重量%以上之比率包含丙烯酸烷基酯或甲基丙烯酸烷基酯之單體原料聚合而獲得之丙烯酸系共聚物，則能夠提高黏著劑層14於波長1065nm下之光線透過率。
上述比率較多為宜，例如可設為100重量%以下。
出於凝聚力、耐熱性等之改質之目的，上述丙烯酸系聚合物可根據需要包含能夠與上述(甲基)丙烯酸烷基酯或環烷基酯共聚合之其它單體成分所對應之單元。作為此種單體成分，例如可列舉：丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧基乙酯、(甲基)丙烯酸羧基戊酯、伊康酸、順丁烯二酸、反丁烯二酸、丁烯酸等含羧基之單體；順丁烯二酸酐、伊康酸酐等酸酐單體；(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羥基月桂酯、(甲基)丙烯酸(4-羥基甲基環己基)甲酯等含羥基之單體；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯醯胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯醯胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯、(甲基)丙烯醯氧基萘磺酸等含磺酸基之單體；2-羥基乙基丙烯醯基磷酸酯等含磷酸基之單體；丙烯醯胺、丙烯腈等。該等能夠共聚合之單體成分可使用一種或兩種以上。該等能夠共聚合之單體之使用量較佳為全部單體成分之40重量%以下。
進而，上述丙烯酸系聚合物亦可根據需要包含多官能性單體等作為共聚合用單體成分以進行交聯。作為此種多官能性單體，例如可列舉：己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、環氧(甲基)丙烯酸酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯等。該等多官能性單體亦可使用一種或兩種以上。自黏著特性等方面而言，多官能性單體之使用量較佳為全部單體成分之30重量%以下。
上述丙烯酸系聚合物可藉由使單一單體或兩種以上之單體混合物 聚合而獲得。聚合可以溶液聚合、乳化聚合、塊狀聚合、懸浮聚合等任意方式進行。自防止對清潔之被黏著體之污染等方面而言，較佳為低分子量物質之含量較少。自該方面而言，丙烯酸系聚合物之數量平均分子量較佳為30萬以上、進而較佳為40萬~300萬左右。
又，於上述黏著劑中，為了提高作為基礎聚合物之丙烯酸系聚合物等之數量平均分子量，亦可適當採用外部交聯劑。作為外部交聯方法之具體手段，可列舉：添加多異氰酸酯化合物、環氧化合物、氮丙啶化合物、三聚氰胺系交聯劑等所謂之交聯劑進行反應之方法。於使用外部交聯劑之情形時，其使用量根據與應進行交聯之基礎聚合物之平衡、進而根據作為黏著劑之使用用途而適當決定。通常，較佳為相對於上述基礎聚合物100重量份，調配約5重量份以下、進而0.1~5重量份。進而，於黏著劑中，根據需要，除了上述成分之外，亦可使用先前公知之各種黏著賦予劑、防老化劑等添加劑。
黏著劑層14可利用放射線硬化型黏著劑形成。放射線硬化型黏著劑可藉由照射紫外線等放射線而使交聯度增大，從而容易地降低其黏著力。
例如，藉由與圖1所示之黏晶膜16之晶圓貼附部分16a相對應地使放射線硬化型之黏著劑層14硬化，能夠容易地形成黏著力顯著降低之上述部分14a。由於在發生硬化而黏著力降低之上述部分14a貼附黏晶膜16，因此黏著劑層14之上述部分14a與黏晶膜16之界面具有於拾取時可容易地剝離之性質。另一方面，未照射放射線之部分具有充分之黏著力，形成上述部分14b。上述部分14b能夠牢固地固定晶圓環。
再者，於以覆蓋切割片材整體之方式於切割片材上積層黏晶膜之情形時，可於黏晶膜之外周部分固定晶圓環。
放射線硬化型黏著劑只要為具有碳-碳雙鍵等放射線硬化性之官能基且顯示黏著性者，則可無特別限制地使用。作為放射線硬化型黏 著劑，例如可例示於上述丙烯酸系黏著劑、橡膠系黏著劑等通常之感壓性黏著劑中調配放射線硬化性之單體成分或低聚物成分而成之添加型放射線硬化型黏著劑。
作為所調配之放射線硬化性之單體成分，例如可列舉：胺基甲酸酯低聚物、(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯等。又，放射線硬化性之低聚物成分可列舉：胺基甲酸酯系、聚醚系、聚酯系、聚碳酸酯系、聚丁二烯系等各種低聚物，適合為其重量平均分子量在100~30000左右之範圍內者。關於放射線硬化性之單體成分或低聚物成分之調配量，可根據上述黏著劑層之種類適當決定能夠降低黏著劑層之黏著力之量。通常，相對於構成黏著劑之丙烯酸系聚合物等基礎聚合物100重量份，例如為5~500重量份、較佳為40~150重量份左右。
又，作為放射線硬化型黏著劑，除了上述說明之添加型放射線硬化型黏著劑之外，亦可列舉將於聚合物側鏈、或者主鏈中或主鏈末端具有碳-碳雙鍵之聚合物用作基礎聚合物之內在型放射線硬化型黏著劑。內在型放射線硬化型黏著劑無需含有或不會較多地含有作為低分子成分之低聚物成分等，因此低聚物成分等不會經時地於黏著劑層中移動，能夠形成層結構穩定之黏著劑層，故而較佳。
上述具有碳-碳雙鍵之基礎聚合物可無特別限制地使用具有碳-碳雙鍵且具有黏著性者。作為此種基礎聚合物，較佳為以丙烯酸系聚合物作為基本骨架者。作為丙烯酸系聚合物之基本骨架，可列舉上述例示之丙烯酸系聚合物。
向上述丙烯酸系聚合物中導入碳-碳雙鍵之方法並無特別限定， 可採用各種方法，將碳-碳雙鍵導入至聚合物側鏈之方法於分子設計方面較為容易。例如可列舉如下方法：預先使丙烯酸系聚合物與具有官能基之單體進行共聚合，然後與具有能夠與該官能基反應之官能基及碳-碳雙鍵之化合物於維持碳-碳雙鍵之放射線硬化性之狀態下進行縮合或加成反應。
作為該等官能基之組合之例，可列舉羧酸基與環氧基、羧酸基與氮丙啶基、羥基與異氰酸酯基等。該等官能基之組合之中，自追蹤反應之容易度而言，羥基與異氰酸酯基之組合較佳。又，只要為藉由該等官能基之組合而生成上述具有碳-碳雙鍵之丙烯酸系聚合物之組合，則官能基可位於丙烯酸系聚合物及上述化合物中之任一側，但於上述之較佳組合中，丙烯酸系聚合物具有羥基且上述化合物具有異氰酸酯基之情況較佳。於該情形時，作為具有碳-碳雙鍵之異氰酸酯化合物，例如可列舉：甲基丙烯醯基異氰酸酯、2-甲基丙烯醯氧基乙基異氰酸酯、間異丙烯基-α,α-二甲基苄基異氰酸酯等。又，作為丙烯酸系聚合物，可使用使上述例示之含羥基之單體、或2-羥基乙基乙烯醚、4-羥基丁基乙烯醚、二乙二醇單乙烯醚之醚系化合物等共聚合而成之聚合物。
上述內在型放射線硬化型黏著劑可單獨使用上述具有碳-碳雙鍵之基礎聚合物(尤其是丙烯酸系聚合物)，亦可於不會使特性惡化之程度下調配上述放射線硬化性之單體成分或低聚物成分。放射線硬化性之低聚物成分等通常相對於基礎聚合物100重量份為30重量份之範圍內，較佳為0~10重量份之範圍內。
上述放射線硬化型黏著劑於利用紫外線等進行硬化之情形時含有光聚合起始劑。作為光聚合起始劑，例如可列舉：4-(2-羥基乙氧基)苯基(2-羥基-2-丙基)酮、α-羥基-α,α'-二甲基苯乙酮、2-甲基-2-羥基苯丙酮、1-羥基環己基苯基酮等α-酮醇系化合物；甲氧基苯乙酮、2,2- 二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2,2-二乙氧基苯乙酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)-苯基]-2-
Figure 104110101-A0305-02-0023-14
啉基丙烷-1等苯乙酮系化合物；安息香乙醚、安息香異丙醚、大茴香偶姻甲醚等安息香醚系化合物；苯偶醯二甲基縮酮等縮酮系化合物；2-萘磺醯氯等芳香族磺醯氯系化合物；1-苯酮-1,1-丙二酮-2-(O-乙氧基羰基)肟等光活性肟系化合物；二苯甲酮、苯甲醯苯甲酸、3,3'-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮等二苯甲酮系化合物；9-氧硫
Figure 104110101-A0305-02-0023-15
Figure 104110101-A0305-02-0023-16
、2-氯-9-氧硫
Figure 104110101-A0305-02-0023-17
、2-甲基-9-氧硫
Figure 104110101-A0305-02-0023-18
、2,4-二甲基-9-氧硫
Figure 104110101-A0305-02-0023-19
、異丙基-9-氧硫
Figure 104110101-A0305-02-0023-20
、2,4-二氯-9-氧硫
Figure 104110101-A0305-02-0023-21
、2,4-二乙基-9-氧硫
Figure 104110101-A0305-02-0023-22
、2,4-二異丙基-9-氧硫
Figure 104110101-A0305-02-0023-23
等9-氧硫
Figure 104110101-A0305-02-0023-24
系化合物；樟腦醌；鹵代酮；醯基氧化膦；醯基膦酸酯等。光聚合起始劑之調配量相對於構成黏著劑之丙烯酸系聚合物等基礎聚合物100重量份，例如為0.05~20重量份左右。
又，作為放射線硬化型黏著劑，例如可列舉日本專利特開昭60-196956號公報中揭示之橡膠系黏著劑或丙烯酸系黏著劑等，其等含有：具有2個以上不飽和鍵之加成聚合性化合物、具有環氧基之烷氧基矽烷等光聚合性化合物；以及羰基化合物、有機硫化合物、過氧化物、胺、鎓鹽系化合物等光聚合起始劑。
放射線硬化型之黏著劑層14中，根據需要亦可含有利用放射線照射而著色之化合物。藉由於黏著劑層14中包含利用放射線照射而著色之化合物，能夠僅將進行了放射線照射之部分著色。即，能夠將圖1所示之與晶圓貼附部分16a相對應之部分14a著色。因此，能夠藉由目視即刻判斷是否對黏著劑層14照射了放射線，容易識別晶圓貼附部分16a，從而容易貼合工件。又，利用光感測器等檢測半導體晶片時，其檢測精度提高，於半導體晶片之拾取時不會產生誤動作。
利用放射線照射而著色之化合物係於放射線照射前呈無色或淺色，但藉由放射線照射而變為有色之化合物。作為該化合物之較佳具 體例，可列舉隱色染料。作為隱色染料，較佳為使用慣用之三苯基甲烷系、螢烷系、酚噻
Figure 104110101-A0305-02-0024-25
系、金黃胺系、螺吡喃系之物質。具體而言，可列舉：3-[N-(對甲苯基胺基)]-7-苯胺基螢烷、3-[N-(對甲苯基)-N-甲基胺基]-7-苯胺基螢烷、3-[N-(對甲苯基)-N-乙基胺基]-7-苯胺基螢烷、3-二乙基胺基-6-甲基-7-苯胺基螢烷、結晶紫內酯、4,4',4"-三(二甲基胺基)三苯基甲醇、4,4',4"-三(二甲基胺基)三苯基甲烷等。
作為與該等隱色染料一起較佳地使用之顯色劑，可列舉先前以來使用之酚醛樹脂(phenol formaldehyde resin)之初始聚合物、芳香族羧酸衍生物、活性白土等電子受體，進而，於使色調變化之情形時，亦可組合使用各種公知之顯色劑。
此種利用放射線照射而著色之化合物可暫時溶解於有機溶劑等後包含於放射線硬化型黏著劑中，或者亦可製成微粉末狀而包含於該黏著劑中。較理想為該化合物之使用比率於黏著劑層14中為10重量%以下、較佳為0.01~10重量%、進而較佳為0.5~5重量%。若該化合物之比率超過10重量%，則對黏著劑層14照射之放射線被該化合物過度吸收，因此有黏著劑層14之上述部分14a之硬化變得不充分，黏著力不會充分地降低之情況。另一方面，為了充分著色，較佳為使該化合物之比率為0.01重量%以上。
於利用放射線硬化型黏著劑形成黏著劑層14之情形時，可以黏著劑層14中之上述部分14a之黏著力<其它部分14b之黏著力之方式對黏著劑層14之一部分照射放射線。
作為於上述黏著劑層14上形成上述部分14a之方法，可列舉：於基材12上形成放射線硬化型之黏著劑層14後，對上述部分14a局部照射放射線而使其硬化之方法。局部之放射線照射可介隔形成有與黏晶膜16之晶圓貼附部分16a以外之部分相對應之圖案之光罩進行。又，可列舉點狀(spot)地照射放射線而使其硬化之方法等。放射線硬化型 之黏著劑層14之形成可藉由將設置於隔離膜上之黏著劑層轉印至基材12上而進行。局部之放射線硬化亦可對設置於隔離膜上之放射線硬化型之黏著劑層14進行。
又，於利用放射線硬化型黏著劑形成黏著劑層14之情形時，可使用對基材12之至少單面之除與晶圓貼附部分16a相對應之部分以外之部分之全部或一部分進行了遮光之基材，於其上形成放射線硬化型之黏著劑層14後照射放射線，使與晶圓貼附部分16a相對應之部分硬化，從而形成黏著力經降低之上述部分14a。作為遮光材料，可藉由於支持膜上將能夠成為光罩之材料進行印刷、蒸鍍等而製作。根據該製造方法，能夠高效地製造附切割片材之黏晶膜10。
再者，於照射放射線時發生由氧氣引起之硬化阻礙之情形時，較理想為利用某種方法自放射線硬化型之黏著劑層14之表面隔絕氧氣(空氣)。例如可列舉：利用隔離膜被覆黏著劑層14表面之方法、於氮氣環境中進行紫外線等放射線之照射之方法等。
黏著劑層14之厚度並無特別限定，自晶片切斷面之缺損防止及黏晶膜16之固定保持之兼顧性等方面而言，較佳為1~50μm左右。較佳為2~40μm、進而較佳為5~30μm。
黏著劑層14較佳為於波長1065nm下之光線透過率為70%以上、更佳為80%以上。波長1065nm下之光線透過率為70%以上之黏著劑層14可藉由適當選擇構成黏著劑層14之材料而獲得。
又，黏著劑層14於波長1065nm下之光線透過率越高越佳，例如可設為100%以下。
黏著劑層於波長1065nm下之光線透過率係藉由與黏晶膜於波長1065nm下之光線透過率同樣之方法獲得。
附切割片材之黏晶膜10於波長1065nm下之光線透過率較佳為50%以上、更佳為55%以上、進而較佳為60%以上。
若附切割片材之黏晶膜10於波長1065nm下之光線透過率為50%以上，則可於將附切割片材之黏晶膜10貼附於半導體晶圓後，自附切割片材之黏晶膜10側照射雷射光，而於半導體晶圓之分割預定線上適宜地形成改質區域。
作為使附切割片材之黏晶膜10於波長1065nm下之光線透過率為50%以上之方法，可列舉如下方法：選擇波長1065nm下之光線透過率為一定以上之基材作為基材12，選擇波長1065nm下之光線透過率為一定以上之黏著劑作為黏著劑14，且選擇波長1065nm下之光線透過率為一定以上之黏晶膜作為黏晶膜16。
又，附切割片材之黏晶膜10於波長1065nm下之光線透過率越高越佳，例如可設為100%以下。
附切割片材之黏晶膜於波長1065nm下之光線透過率係藉由與黏晶膜於波長1065nm下之光線透過率同樣之方法獲得。
附切割片材之黏晶膜10之黏晶膜16較佳為由隔離膜所保護(未圖示)。隔離膜具有作為於供於實際使用之前保護黏晶膜16之保護材料之功能。又，隔離膜進而可用作向黏著劑層14轉印黏晶膜16時之支持基材。隔離膜於向附切割片材之黏晶膜10之黏晶膜16上貼合工件(半導體晶圓)時被剝離。作為隔離膜，亦可使用聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚乙烯、聚丙烯、或利用氟系剝離劑、長鏈烷基丙烯酸酯系剝離劑等剝離劑進行了表面塗佈之塑膠膜、紙等。
本實施形態之附切割片材之黏晶膜10例如可以如下方式製作。
首先，基材12可利用先前公知之製膜方法而製膜。作為該製膜方法，例如可例示壓延製膜法、於有機溶劑中之流延法、於密閉系統中之吹脹擠出法、T模擠出法、共擠出法、乾式層壓法等。
繼而，於基材12上塗佈黏著劑組合物溶液而形成塗佈膜後，使該塗佈膜於特定條件下乾燥(根據需要使其進行加熱交聯)，形成黏著劑 層14。作為塗佈方法，並無特別限定，例如可列舉輥塗覆、絲網塗覆、凹版塗覆等。又，作為乾燥條件，例如於乾燥溫度80~150℃、乾燥時間0.5~5分鐘之範圍內進行。又，亦可於隔離膜上塗佈黏著劑組合物而形成塗佈膜後，以上述乾燥條件使塗佈膜乾燥，形成黏著劑層14。其後，將黏著劑層14與隔離膜一起貼合於基材12上。藉此，製作切割片材11。
黏晶膜16例如可以如下方式製作。
首先，製作作為黏晶膜16之形成材料之接著劑組合物溶液。於該接著劑組合物溶液中，如上所述調配有上述樹脂、及其它根據需要添加之各種添加劑等。
繼而，將接著劑組合物溶液以成為特定厚度之方式塗佈於基材隔離膜上，形成塗佈膜後，使該塗佈膜於特定條件下乾燥，形成黏晶膜16。作為塗佈方法，並無特別限定，例如可列舉輥塗覆、絲網塗覆、凹版塗覆等。又，作為乾燥條件，例如於乾燥溫度70~160℃、乾燥時間1~5分鐘之範圍內進行。又，亦可於隔離膜上塗佈接著劑組合物溶液而形成塗佈膜後，以上述乾燥條件使塗佈膜乾燥，形成黏晶膜16。其後，將接著劑層與隔離膜一起貼合於基材隔離膜上。
繼而，自切割片材11及黏晶膜16分別剝離隔離膜，以使接著劑層14及黏晶膜16成為貼合面之方式將兩者進行貼合。貼合例如可藉由壓接而進行。此時，層壓溫度並無特別限定，例如較佳為30~50℃、更佳為35~45℃。又，線壓並無特別限定，例如較佳為0.1~20kgf/cm、更佳為1~10kgf/cm。藉此，獲得附切割片材之黏晶膜10。
(半導體裝置之製造方法)
繼而，對半導體裝置之製造方法進行說明。
以下，對使用附切割片材之黏晶膜10之半導體裝置之製造方法進行說明。然而，本發明中，亦可不使用附切割片材之黏晶膜10，而是 使用黏晶膜16製造半導體裝置。於該情形時，只要進行於黏晶膜16上貼合切割片材11而製成附切割片材之黏晶膜10之步驟，則其後可與使用附切割片材之黏晶膜10之半導體裝置之製造方法相同。因此，以下一面參照圖2~圖8，一面對使用附切割片材之黏晶膜10之半導體裝置之製造方法進行說明。
再者，於黏晶膜16上貼合切割片材11之步驟位於照射雷射光而於半導體晶圓之分割預定線上形成改質區域之步驟(步驟B)之前或之後均可，但較佳為之前。
圖2~圖8係用以說明本實施形態之半導體裝置之一製造方法之剖視模式圖。
首先，如圖2所示，於半導體晶圓4之表面4F(電路形成面)貼合背面研磨帶44(步驟A-1)。作為背面研磨帶44，可採用先前公知之背面研磨帶。作為半導體晶圓4，例如可使用厚度1~800μm之半導體晶圓。
繼而，如圖3所示，於背面研磨帶44之保持下，利用研磨磨石45進行半導體晶圓4之背面研磨，將半導體晶圓4薄型化(步驟A-2)。作為背面研磨後之半導體晶圓4之厚度，例如可設為1~100μm、1~50μm等。
繼而，如圖4所示，將附切割片材之黏晶膜10以使黏晶膜16成為貼合面之方式貼合於背面研磨後之半導體晶圓4之背面4R(步驟A)。此時，以貼合有背面研磨帶44之狀態於半導體晶圓4之背面4R貼合附切割片材之黏晶膜10。本步驟可一面藉由壓接輥等按壓機構實施按壓一面進行。安裝(mount)時之貼附溫度並無特別限定，較佳為40~80℃之範圍內。
對半導體晶圓4貼附背面研磨帶44及附切割片材之黏晶膜10時可使用先前公知之帶貼附裝置，半導體晶圓之背面研磨亦可使用先前公 知之研磨裝置。
繼而，如圖5所示，自附切割片材之黏晶膜10側對半導體晶圓4照射雷射光48，於半導體晶圓4之分割預定線上形成改質區域4L(步驟B)。分割預定線係以能夠將半導體晶圓4分割為複數個半導體晶片之方式於半導體晶圓4中設定為格子狀。本方法係如下之方法：使聚光點對準半導體晶圓之內部並沿著格子狀之分割預定線照射雷射光，藉由多光子吸收造成之剝蝕，於半導體晶圓之內部形成改質區域。作為雷射光照射條件，只要於以下條件之範圍內適當調整即可。
<雷射光照射條件>
(A)雷射光
Figure 104110101-A0305-02-0029-3
(B)聚光用透鏡
Figure 104110101-A0305-02-0029-13
(C)載置半導體基板之載置台之移動速度280mm/s以下
再者，關於照射雷射光而於分割預定線上形成改質區域4L之方法，由於在日本專利第3408805號公報、日本專利特開2003-338567號 公報中進行了詳細說明，因此省略此處之詳細說明。
於本實施形態中，使用由波長1065nm下之光線透過率為80%以上之黏晶膜16與波長1065nm下之光線透過率為80%以上之切割片材11積層而成之附切割片材之黏晶膜10。因此，所照射之波長1065nm之雷射光會透過附切割片材之黏晶膜10而照射至半導體晶圓4之背面4R。因此，能夠於貼附有附切割片材之黏晶膜10之狀態下，利用雷射光於半導體晶圓4之背面4R形成改質區域4L。
繼而，如圖6所示，將背面研磨帶44自半導體晶圓4剝離(步驟B-1)。
繼而，藉由對附切割片材之黏晶膜10施加拉伸張力，使半導體晶圓4與黏晶膜16沿分割預定線斷裂，形成半導體晶片5(步驟C)。本步驟中，可使用例如市售之晶圓擴展裝置。具體而言，如圖7(a)所示，於貼合有半導體晶圓4之附切割片材之黏晶膜10之黏著劑層14周邊部貼合切割環31後，固定於晶圓擴展裝置32。繼而，如圖7(b)所示，使頂起部33上升，對附切割片材之黏晶膜10施加張力。
此時，擴張(expand)速度(頂起部上升之速度)較佳為1~400mm/s、更佳為50~400mm/s。藉由使擴張速度為1mm/s以上，能夠容易地使半導體晶圓4與黏晶膜16大致同時斷裂。又，藉由使擴張速度為400mm/s以下，能夠防止切割片材11斷裂。
又，擴張量(頂起部上升之量)較佳為5~50mm、更佳為5~40mm、尤佳為5~30mm。藉由使擴張量為5mm以上，能夠使半導體晶圓4及黏晶膜16容易斷裂。又，藉由使擴張量為50mm以下，能夠防止切割片材11斷裂。
又，擴張溫度根據需要於-50~100℃之間調整即可，於本發明中，較佳為-20~30℃、更佳為-10~25℃。再者，黏晶膜為低溫時，斷裂伸長較少，容易斷裂，因此於防止由黏晶膜之斷裂不良造成之良 率降低之方面，擴張溫度較佳為更低之溫度。
如此，藉由對附切割片材之黏晶膜10施加拉伸張力，能夠以半導體晶圓4之改質區域4L為起點於半導體晶圓4之厚度方向產生裂紋，並且使與半導體晶圓4密接之黏晶膜16斷裂，從而能夠獲得附黏晶膜16之半導體晶片5。
如上所述，本實施形態中，能夠於在半導體晶圓4上貼附有附切割片材之黏晶膜10之狀態下，利用雷射光於半導體晶圓4之背面形成改質區域。而且，於形成改質區域4L後，半導體晶圓4不會自附切割片材之黏晶膜10剝離，於該狀態下，半導體晶圓4與黏晶膜16沿分割預定線斷裂(步驟C)。即，形成改質區域4L後，不會使半導體晶圓4成為單獨體之狀態。因此，能夠抑制於分割預定線以外之部位產生裂紋或缺損。
繼而，為了將接著固定於附切割片材之黏晶膜10上之半導體晶片5剝離而進行半導體晶片5之拾取(拾取步驟)。作為拾取之方法，並無特別限定，可採用先前公知之各種方法。例如可列舉：利用針自附切割片材之黏晶膜10側將各個半導體晶片5頂起，並利用拾取裝置拾取被頂起之半導體晶片5之方法等。
作為拾取條件，並無特別限定，自防止碎片之觀點而言，針之頂起速度較佳為5~100mm/s、更佳為5~10mm/s。
此處，於黏著劑層14為放射線硬化型且未預先照射放射線之情形時，拾取亦可於對該黏著劑層14照射紫外線等放射線後進行。藉此，黏著劑層14對黏晶膜16之黏著力降低，半導體晶片5之剝離變得容易。其結果，能夠於不損傷半導體晶片5之情況下進行拾取。紫外線照射時之照射強度、照射時間等條件並無特別限定，只要適當根據需要進行設定即可。又，作為用於紫外線照射之光源，可使用上述之光源。
繼而，如圖8所示，將所拾取之半導體晶片5經由黏晶膜16暫時固定於被黏著體6(固定步驟)。作為被黏著體6，可列舉引線框架、TAB膜、基板或另行製作之半導體晶片等。被黏著體6例如可為容易變形之變形型被黏著體，亦可為難以變形之非變形型被黏著體(半導體晶圓等)。
作為上述基板，可使用先前公知之基板。又，作為上述引線框架，可使用Cu引線框架、42合金引線框架等金屬引線框架、或包含玻璃環氧化物(glass-epoxy)、BT(雙順丁烯二醯亞胺-三
Figure 104110101-A0305-02-0032-26
)、聚醯亞胺等之有機基板。然而，本發明並不限定於此，亦包含能夠安裝半導體晶片並與半導體晶片進行電性連接而使用之電路基板。
繼而，進行將被黏著體6之端子部(內部引線)之前端與半導體晶片5上之電極墊(未圖示)利用接合線7進行電性連接之打線接合(打線接合步驟)。作為上述接合線7，例如可使用金線、鋁線或銅線等。關於進行打線接合時之溫度，可於80~250℃、較佳為80~220℃之範圍內進行。又，關於其加熱時間，於數秒~數分鐘之範圍內進行。接線可於加熱為上述溫度範圍內之狀態下藉由將基於超音波之振動能量及基於施加加壓之壓接能量併用而進行。本步驟可不進行黏晶膜16之熱硬化而實施。又，於本步驟之過程中，不會由於黏晶膜16而使半導體晶片5與被黏著體6固著。
繼而，利用密封樹脂8密封半導體晶片5(密封步驟)。本步驟係為了保護搭載於被黏著體6之半導體晶片5及接合線7而進行。本步驟係藉由利用模具將密封用樹脂成型而進行。作為密封樹脂8，例如使用環氧系之樹脂。關於樹脂密封時之加熱溫度，通常於175℃下進行60~90秒，但本發明不限定於此，例如可於165~185℃下固化數分鐘。藉此，使密封樹脂硬化，並且經由黏晶膜16使半導體晶片5與被黏著體6固著。即，於本發明中，即使於不進行後述之後硬化步驟之情形 時，亦能夠於本步驟中利用黏晶膜16進行固著，能夠有助於減少製造步驟數量及縮短半導體裝置之製造時間。
於上述後硬化步驟中，使上述密封步驟中未充分硬化之密封樹脂8完全硬化。即使於在密封步驟中黏晶膜16未完全熱硬化之情形時，亦能夠於本步驟中實現使黏晶膜16與密封樹脂8一同完全熱硬化。本步驟中之加熱溫度因密封樹脂之種類而異，例如為165~185℃之範圍內，加熱時間為0.5~8小時左右。
上述實施形態中，對將附黏晶膜16之半導體晶片5暫時固定於被黏著體6後於不使黏晶膜16完全熱硬化之情況下進行打線接合步驟之情形進行了說明。然而，於本發明中，亦可進行通常之切晶黏晶步驟，即，於將附黏晶膜16之半導體晶片5暫時固定於被黏著體6後，使黏晶膜16熱硬化，然後進行打線接合步驟。
再者，本發明之附切割片材之黏晶膜於將複數個半導體晶片積層而進行三維安裝之情形時亦可適宜地使用。此時，可於半導體晶片之間積層黏晶膜及間隔物，亦可於半導體晶片之間僅積層黏晶膜而不積層間隔物，可根據製造條件或用途等進行適當變更。
上述實施形態中，對進行半導體晶圓之背面研磨之情形進行了說明。然而，於本發明中，並不限定於該例，亦可不進行半導體晶圓之背面研磨。於此情形時，可如下操作：使用與背面研磨帶44同樣之保護帶，將半導體晶圓之表面貼附於上述保護帶之後，不進行背面研磨，於半導體晶圓之背面貼合附切割片材之黏晶膜，然後，利用雷射光形成改質區域，剝離上述保護帶後使半導體晶圓及黏晶膜沿分割預定線斷裂。又，亦可如下操作：於半導體晶圓之表面不進行任何貼附，於半導體晶圓之背面貼附附切割片材之黏晶膜，然後自附切割片材之黏晶膜側照射雷射光而形成改質區域，最後使半導體晶圓及黏晶膜沿分割預定線斷裂。
[實施例]
以下，例示性地詳細說明本發明之較佳之實施例。但是，該實施例中記載之材料或調配量等只要無特別限定記載，則並不旨在將該發明之主旨限定於該等例示。再者，以下「份」係指「重量份」。
<黏晶膜之製作>
(實施例1)
使下述(a)~(d)溶解於甲基乙基酮，獲得濃度23重量%之接著劑組合物溶液。
Figure 104110101-A0305-02-0034-5
將該接著劑組合物溶液塗佈於包含經聚矽氧脫模處理之厚度為38μm之聚對苯二甲酸乙二酯膜之脫模處理膜(剝離襯墊)上，然後於130℃下乾燥2分鐘。藉此，製作厚度20μm之黏晶膜A。
(實施例2)
使下述(a)~(d)溶解於甲基乙基酮，獲得濃度23重量%之接著劑 組合物溶液。
Figure 104110101-A0305-02-0035-6
將該接著劑組合物溶液塗佈於包含經聚矽氧脫模處理之厚度為38μm之聚對苯二甲酸乙二酯膜之脫模處理膜(剝離襯墊)上，然後於130℃下乾燥2分鐘。藉此，製作厚度20μm之黏晶膜B。
(比較例1)
使下述(a)~(d)溶解於甲基乙基酮，獲得濃度23重量%之接著劑組合物溶液。
Figure 104110101-A0305-02-0035-7
Figure 104110101-A0305-02-0036-8
將該接著劑組合物溶液塗佈於包含經聚矽氧脫模處理之厚度為38μm之聚對苯二甲酸乙二酯膜之脫模處理膜(剝離襯墊)上，然後於130℃下乾燥2分鐘。藉此，製作厚度20μm之黏晶膜C。
(比較例2)
使下述(a)~(d)溶解於甲基乙基酮，獲得濃度23重量%之接著劑組合物溶液。
Figure 104110101-A0305-02-0036-9
將該接著劑組合物溶液塗佈於包含經聚矽氧脫模處理之厚度為38μm之聚對苯二甲酸乙二酯膜之脫模處理膜(剝離襯墊)上，然後於130℃下乾燥2分鐘。藉此，製作厚度20μm之黏晶膜D。
(黏晶膜於波長1065nm下之光線透過率之測定)
測定實施例及比較例之黏晶膜於波長1065nm下之光線透過率。具體而言，以下述條件測定實施例及比較例之黏晶膜(厚度：20μm)，求出1065nm下之光線透過率(%)。將結果示於表1。
<光線透過率測定條件>
測定裝置：紫外可見近紅外分光光度計V-670DS(日本分光股份有限公司製)
波長掃描速度：2000nm/min
測定範圍：300~1200nm
積分球單元：ISN-723
光點直徑：1cm見方
(黏晶膜於-15℃下之拉伸斷裂應力之測定)
測定實施例及比較例之黏晶膜於-15℃下之拉伸斷裂應力。具體而言，對於實施例、比較例之黏晶膜，以厚度成為200μm之方式進行積層，並分別切斷成初始長度40mm、寬度10mm之短條狀之測定片。繼而，使用AUTOGRAPH(島津製作所公司製)，於拉伸速度50mm/min、卡盤(chuck)間距10mm之條件下測定-15℃下之拉伸斷裂應力。將結果示於表1。
(黏晶膜於-15℃下之拉伸斷裂伸長率之測定)
測定實施例及比較例之黏晶膜於-15℃下之拉伸斷裂伸長率。具體而言，對於實施例、比較例之黏晶膜，分別切斷成初始長度40mm、寬度10mm之短條狀之測定片。繼而，使用AUTOGRAPH(島津製作所公司製)，於拉伸速度50mm/min、卡盤間距10mm之條件下測定-15℃下之拉伸斷裂伸長率。將結果示於表1。
(黏晶膜之損耗正切tanδ之峰值溫度之測定)
測定實施例及比較例之黏晶膜之損耗正切tanδ之峰值溫度。具體而言，對於實施例、比較例之黏晶膜，分別積層為厚度200μm，製成 寬度10mm、長度40mm之測定樣品。繼而，使用動態黏彈性測定裝置(RSA(III)、Rheometric Scientific公司製)，於卡盤間距22.5mm、頻率1Hz、升溫速度10℃/min之條件下測定-50~300℃下之儲存彈性模數(E')及損耗彈性模數(E")。又，根據儲存彈性模數(E')及損耗彈性模數(E")，藉由以下之計算式算出損耗正切tanδ。
損耗正切tanδ=E"/E'
藉由將算出之損耗正切(tanδ)相對於溫度進行繪圖而製成損耗正切曲線，獲得峰值溫度。將結果示於表1。
<切割片材>
(實施例1)
如下所述地準備實施例1之切割片材A。
於具備冷卻管、氮氣導入管、溫度計及攪拌裝置之反應容器中加入丙烯酸2-乙基己酯(2EHA)70份、丙烯酸2-羥基乙酯(HEA)25份、過氧化苯甲醯0.2份、以及甲苯60份，於氮氣氣流中以61℃聚合處理6小時，獲得丙烯酸系聚合物A。
於該丙烯酸系聚合物A中加入2-甲基丙烯醯氧基乙基異氰酸酯(MOI)10份，於空氣氣流中以50℃加成反應處理48小時，獲得丙烯酸系聚合物A'。
繼而，相對於丙烯酸系聚合物A' 100份，加入光聚合起始劑(商品名「IRGACURE 651」、Ciba Specialty Chemicals公司製)4份，製作黏著劑溶液。
將上述製備之黏著劑溶液塗佈於PET剝離襯墊之實施有聚矽氧處理之面上，於120℃下加熱交聯2分鐘，形成厚度20μm之黏著劑層前體。繼而，準備具有聚丙烯層(厚度40μm)及聚乙烯層(厚度40μm)之2層結構之厚度80μm之基材膜，以聚丙烯層為貼合面，將基材膜貼合於該黏著劑前體表面。僅對黏著劑層前體之相當於半導體晶圓貼附部 分(直徑200mm)之部分(直徑220mm)照射500mJ之紫外線，形成黏著劑層。藉此，獲得實施例1之切割片材A。
(實施例2)
如下所述地獲得實施例2之切割片材B。
於具備冷卻管、氮氣導入管、溫度計及攪拌裝置之反應容器中加入丙烯酸2-乙基己酯(2EHA)75份、丙烯酸2-羥基乙酯(HEA)20份、過氧化苯甲醯0.2份、以及甲苯60份，於氮氣氣流中以61℃聚合處理6小時，獲得丙烯酸系聚合物B。
於該丙烯酸系聚合物B中加入2-甲基丙烯醯氧基乙基異氰酸酯(MOI)8份，於空氣氣流中以50℃加成反應處理48小時，獲得丙烯酸系聚合物B'。
繼而，相對於丙烯酸系聚合物B' 100份，加入異氰酸酯系交聯劑(商品名「CORONATE L」、Nippon Polyurethane股份有限公司製)1份、以及光聚合起始劑(商品名「IRGACURE 651」、Ciba Specialty Chemicals公司製)4份，製作黏著劑溶液。
將上述製備之黏著劑溶液塗佈於PET剝離襯墊之實施有聚矽氧處理之面上，於120℃下加熱交聯2分鐘，形成厚度30μm之黏著劑層前體。繼而，準備具有聚丙烯層(厚度40μm)及聚乙烯層(厚度40μm)之2層結構之厚度80μm之基材膜，以聚丙烯層為貼合面，將基材膜貼合於該黏著劑前體表面。然後，於50℃下保存24小時。僅對黏著劑層前體之相當於半導體晶圓貼附部分(直徑200mm)之部分(直徑220mm)照射500mJ之紫外線，形成黏著劑層。藉此，獲得實施例2之切割片材B。
(比較例1)
作為比較例1之切割片材，準備與實施例1同樣之切割片材A。
(比較例2)
作為比較例2之切割片材，準備與實施例2同樣之切割片材B。
<附切割片材之黏晶膜之製作>
(實施例1)
將黏晶膜A與切割片材A貼合，製成實施例1之附切割片材之黏晶膜A。貼合條件設為40℃、10mm/s、線壓30kgf/cm。
(實施例2)
將黏晶膜B與切割片材B貼合，製成實施例2之附切割片材之黏晶膜B。貼合條件設為40℃、10mm/s、線壓30kgf/cm。
(比較例1)
將黏晶膜C與切割片材A貼合，製成比較例1之附切割片材之黏晶膜C。貼合條件設為40℃、10mm/s、線壓30kgf/cm。
(比較例2)
將黏晶膜D與切割片材B貼合，製成比較例2之附切割片材之黏晶膜D。貼合條件設為40℃、10mm/s、線壓30kgf/cm。
(附切割片材之黏晶膜於波長1065nm下之光線透過率之測定)
測定實施例及比較例之附切割片材之黏晶膜於波長1065nm下之光線透過率。具體而言，以下述條件對實施例及比較例之附切割片材之黏晶膜(厚度：實施例1及比較例1為120μm、實施例2及比較例2為130μm)進行測定，求出1065nm下之光線透過率(%)。將結果示於表1。
<光線透過率測定條件>
測定裝置：紫外可見近紅外分光光度計V-670DS(日本分光股份有限公司製)
波長掃描速度：2000nm/min
測定範圍：300~1200nm
積分球單元：ISN-723
光點直徑：1cm見方
(晶圓裂紋數評價)
將半導體晶圓(直徑：12英吋、厚度：750μm)貼附於背面研磨帶(日東電工公司製、製品名：UB-3102D)。貼附條件設為50℃、10mm/s、線壓30kgf/cm。
繼而，於半導體晶圓之與貼附有背面研磨帶之面相反側之面上貼附實施例及比較例之附切割片材之黏晶膜。貼附條件設為60℃、10mm/s、線壓30kgf/cm。
繼而，作為雷射加工裝置，使用東京精密股份有限公司製之ML300-Integration，自附切割片材之黏晶膜側使聚光點對準半導體晶圓之內部，沿著格子狀(10mm×10mm)之分割預定線照射雷射光，於半導體晶圓之內部形成改質區域。又，關於雷射光照射條件，如下所述地進行。然後，進行擴張。擴張條件設為-15℃、擴張速度200mm/s、擴張量15mm。將該試驗對各實施例、比較例進行10次。擴張後，以目視對在分割預定線以外之部位之晶圓中確認到裂紋之次數進行計數。將結果示於表1。
(A)雷射光
Figure 104110101-A0305-02-0041-10
(B)聚光用透鏡
Figure 104110101-A0305-02-0042-11
(C)載置半導體基板之載置台之移動速度100mm/s
Figure 104110101-A0305-02-0043-12
10:附切割片材之黏晶膜
11:切割片材
12:基材
14:黏著劑層
14a:黏著劑層之與黏晶膜之晶圓貼附部分相對應之部分
14b:黏著劑層之與黏晶膜之晶圓貼附部分相對應之部分以外之部分
16:黏晶膜
16a:黏晶膜之晶圓貼附部分

Claims (9)

  1. 一種黏晶膜，其特徵在於，其含有軟化點為-15℃以上之酚系樹脂、及使以50重量%以上之比率包含丙烯酸烷基酯或甲基丙烯酸烷基酯之單體原料聚合而獲得之丙烯酸系共聚物，且上述黏晶膜於波長1065nm下之光線透過率為80%以上，上述黏晶膜於-15℃下之拉伸斷裂伸長率為30%以下。
  2. 一種附切割片材之黏晶膜，其特徵在於，其係於切割片材上設置如請求項1之黏晶膜而成者，且上述附切割片材之黏晶膜於波長1065nm下之光線透過率為50%以上。
  3. 如請求項2之附切割片材之黏晶膜，其中上述黏晶膜於-15℃下之拉伸斷裂應力為50N/mm2以下。
  4. 如請求項2之附切割片材之黏晶膜，其中上述黏晶膜之損耗正切tanδ之峰值溫度為-15℃以上且未達50℃。
  5. 如請求項2之附切割片材之黏晶膜，其中上述切割片材係由基材及黏著劑層構成，上述黏著劑層含有使以50重量%以上之比率包含丙烯酸烷基酯或甲基丙烯酸烷基酯之單體原料聚合而獲得之丙烯酸系共聚物。
  6. 一種半導體裝置，其特徵在於，其係使用如請求項1之黏晶膜、或如請求項2至5中任一項之附切割片材之黏晶膜而製造。
  7. 一種半導體裝置之製造方法，其特徵在於，其係使用如請求項2至5中任一項之附切割片材之黏晶膜者，且具有如下步驟：步驟A，於半導體晶圓之背面貼合上述附切割片材之黏晶膜；步驟B，自上述附切割片材之黏晶膜側對上述半導體晶圓照射 雷射光，而於上述半導體晶圓之分割預定線上形成改質區域；步驟C，藉由對上述附切割片材之黏晶膜施加拉伸張力，使上述半導體晶圓及構成上述附切割片材之黏晶膜之黏晶膜沿上述分割預定線斷裂，形成半導體晶片。
  8. 如請求項7之半導體裝置之製造方法，其具有如下步驟：步驟A-1，於半導體晶圓之表面貼附背面研磨帶；步驟A-2，於上述背面研磨帶之保持下進行上述半導體晶圓之背面研磨；且於上述步驟A-1及上述步驟A-2之後進行上述步驟A~上述步驟C。
  9. 如請求項8之半導體裝置之製造方法，其於上述步驟B之後具有將上述背面研磨帶自上述半導體晶圓剝離之步驟B-1，且於上述步驟B-1之後進行上述步驟C。
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