JP2015195264A - ダイボンドフィルム、ダイシングシート付きダイボンドフィルム、半導体装置、及び、半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】半導体ウエハにおける分割予定ラインにレーザー光を照射して改質領域を形成することにより、半導体ウエハを分割予定ラインにて容易に分割可能な状態とした後、引張張力を加えることにより半導体ウエハを分割して半導体チップを得る場合に、分割予定ライン以外の箇所で、半導体ウエハに割れや欠けが発生することを抑制することが可能なダイボンドフィルムを提供すること。
【解決手段】 波長１０６５ｎｍにおける光線透過率が８０％以上であるダイボンドフィルム。
【選択図】図１

Description

本発明は、ダイボンドフィルム、ダイシングシート付きダイボンドフィルム、半導体装置、及び、半導体装置の製造方法に関する。

従来、半導体装置の製造において、ダイシングシート付きダイボンドフィルムが使用される場合がある。ダイシングシート付きダイボンドフィルムは、ダイシングシート上にダイボンドフィルムを剥離可能に設けたものである。半導体装置の製造においては、ダイシングシート付きダイボンドフィルムのダイボンドフィルム上に半導体ウエハを保持して、半導体ウエハをダイシングして個々のチップとする。その後、チップをダイボンドフィルムとともにダイシングシートから剥離し、ダイボンドフィルムを介してリードフレーム等の被着体に固着させる。

ダイシングシート上にダイボンドフィルムが積層されたダイシングシート付きダイボンドフィルムを使用し、半導体ウエハをダイボンドフィルムの保持下でダイシングする場合、このダイボンドフィルムを半導体ウエハと同時に切断する必要がある。ところが、ダイヤモンドブレードを用いた一般的なダイシング方法においては、ダイシング時に発生する熱の影響によるダイボンドフィルムとダイシングシートとの癒着、切削屑の発生による半導体チップ同士の固着、半導体チップ側面への切削屑の付着等が懸念されるため、切断速度を遅くする必要があり、コストの上昇を招いていた。

そこで、近年、半導体ウエハにおける分割予定ラインにレーザー光を照射して改質領域を形成することにより、半導体ウエハを分割予定ラインにて容易に分割可能とした後、引張張力を加えることによりこの半導体ウエハを破断して、個々の半導体チップを得る方法（例えば、特許文献１、及び、特許文献２参照、以下「ステルスダイシング（登録商標）」ともいう）が提案されている。

特開２００２−１９２３７０号公報 特開２００３−３３８４６７号公報

一方、近年、半導体ウエハから個々の半導体チップを得る方法として、まず、半導体ウエハの裏面（回路非形成面）からレーザー光を照射して、前記半導体ウエハの分割予定ライン上に改質領域を形成し、次に、薄型とするために半導体ウエハの裏面研削を行い、その後、半導体ウエハの裏面にダイシングシート付きダイボンドフィルムを貼り合わせるという手法が考案されている。しかしながら、この方法では、半導体ウエハの裏面研削の段階で割れや欠けが発生する場合があるといった問題がある。

本発明は、前記問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、半導体ウエハにおける分割予定ラインにレーザー光を照射して改質領域を形成することにより、半導体ウエハを分割予定ラインにて容易に分割可能な状態とした後、引張張力を加えることにより半導体ウエハを分割して半導体チップを得る場合に、分割予定ライン以外の箇所で、半導体ウエハに割れや欠けが発生することを抑制することが可能なダイボンドフィルム、及び、ダイシングシート付きダイボンドフィルムを提供することにある。また、当該ダイボンドフィルム、又は、当該ダイシングシート付きダイボンドフィルムを用いて製造された半導体装置を提供することにある。また、当該ダイシングシート付きダイボンドフィルムを用いた半導体装置の製造方法を提供することにある。

本願発明者等は、前記従来の問題点を解決すべく、ダイボンドフィルムについて検討した。その結果、下記の構成を採用することにより、薄型の半導体チップを得る場合であっても、半導体ウエハの割れや欠けが発生することを抑制することが可能となることを見出し、本発明を完成させるに至った。

すなわち、本発明に係るダイボンドフィルムは、波長１０６５ｎｍにおける光線透過率が８０％以上であることを特徴とする。

前記構成によれば、ダイボンドフィルムの波長１０６５ｎｍにおける光線透過率が８０％以上であるため、半導体ウエハに貼り付けた後に、ダイボンドフィルム側からレーザー光（例えば、波長１０６５ｎｍ近辺にピークを有するレーザー光）を照射して、半導体ウエハの分割予定ライン上に改質領域を形成することができる。そして、その後、前記分割予定ラインにて破断させることができる。
ダイボンドフィルムで保持された状態で半導体ウエハに改質領域を形成でき、そのまま、破断させることができるため、分割予定ライン以外の箇所で、割れや欠けが発生することを抑制することができる。

また、本発明に係るダイシングシート付きダイボンドフィルムは、ダイシングシート上に前記に記載のダイボンドフィルムが設けられたダイシングシート付きダイボンドフィルムであって、
前記ダイシングシート付きダイボンドフィルムの波長１０６５ｎｍにおける光線透過率が５０％以上であることが好ましい。

前記構成によれば、ダイシングシート付きダイボンドフィルムの波長１０６５ｎｍにおける光線透過率が５０％以上であるため、半導体ウエハにダイシングシート付きダイボンドフィルムを貼り付けた後に、ダイシングシート付きダイボンドフィルム側からレーザー光（例えば、波長１０６５ｎｍ近辺にピークを有するレーザー光）を照射して、半導体ウエハの分割予定ライン上に改質領域を形成することができる。そして、その後、前記分割予定ラインにて破断させることができる。
ダイシングシート付きダイボンドフィルムで保持された状態で半導体ウエハに改質領域を形成でき、そのまま、破断させることができるため、分割予定ライン以外の箇所で、割れや欠けが発生することを抑制することができる。特に、薄型の半導体チップを得る場合であっても、割れや欠けが発生することを抑制することができる。
また、ダイシングシートとダイボンドフィルムとが予め積層されているため、ダイボンドフィルムにダイシングシートを貼り合わせる工程を設ける必要がない。

前記構成において、前記ダイボンドフィルムの−１５℃での引張破断応力が５０Ｎ／ｍｍ^２以下であることが好ましい。

前記ダイボンドフィルムの−１５℃での引張破断応力が５０Ｎ／ｍｍ^２以下であると、ダイシングシート付きダイボンドフィルムに引張張力を加えた際に、分割予定ラインにて好適に破断させることができる。なお、−１５℃は、ダイシングシート付きダイボンドフィルムに引張張力を加えて、分割予定ラインにて破断させる際の温度の代表値である。

前記構成において、前記ダイボンドフィルムの−１５℃での引張破断伸度が３０％以下であることが好ましい。

前記ダイボンドフィルムの−１５℃での引張破断伸度が３０％以下であると、ダイシングシート付きダイボンドフィルムに引張張力を加えた際に、分割予定ラインにてより好適に破断させることができる。

前記構成において、前記ダイボンドフィルムは、軟化点が−１５℃以上であるフェノール樹脂を含有することが好ましい。

前記ダイボンドフィルムが、軟化点−１５℃以上であるフェノール樹脂を含有していると、大きく伸びることなく破断し易くなる。

前記構成において、前記ダイボンドフィルムの損失正接ｔａｎδのピーク温度が−１５℃以上５０℃未満であることが好ましい。

前記ダイボンドフィルムの損失正接ｔａｎδのピーク温度が−１５℃以上であると、より大きく伸びることなく破断し易くなる。また、前記ダイボンドフィルムの損失正接ｔａｎδのピーク温度が５０℃未満であると、ウエハへの良好な密着性を確保することができる。

前記構成において、前記ダイボンドフィルムは、アルキルアクリレート、又は、アルキルメタクリレートを５０重量％以上の割合で含むモノマー原料を重合して得られるアクリル系共重合体を含有することが好ましい。

前記ダイボンドフィルムが、アルキルアクリレート、又は、アルキルメタクリレートを５０重量％以上の割合で含むモノマー原料を重合して得られるアクリル系共重合体を含有すると、ダイボンドフィルムの波長１０６５ｎｍにおける光線透過率を高めることができる。

前記構成において、前記ダイシングシートは、基材と粘着剤層とから構成されており、前記粘着剤層は、アルキルアクリレート、又は、アルキルメタクリレートを５０重量％以上の割合で含むモノマー原料を重合して得られるアクリル系共重合体を含有することが好ましい。

前記粘着剤層が、アルキルアクリレート、又は、アルキルメタクリレートを５０重量％以上の割合で含むモノマー原料を重合して得られるアクリル系共重合体を含有すると、前記粘着剤層の波長１０６５ｎｍにおける光線透過率を高めることができる。

また、本発明に係る半導体装置は、前記に記載のダイボンドフィルム、又は、前記に記載のダイシングシート付きダイボンドフィルムを用いて製造されたことを特徴とする。

前記構成によれば、分割予定ライン以外の箇所で、割れや欠けが発生することを抑制された半導体ウエハから製造されているので、歩留りが向上した半導体装置が得られる。

また、本発明に係る半導体装置の製造方法は、
前記に記載のダイシングシート付きダイボンドフィルムを用いた半導体装置の製造方法であって、
半導体ウエハの裏面に、前記ダイシングシート付きダイボンドフィルムを貼り合わせる工程Ａと、
前記ダイシングシート付きダイボンドフィルム側から前記半導体ウエハにレーザー光を照射して、前記半導体ウエハの分割予定ライン上に改質領域を形成する工程Ｂと、
前記ダイシングシート付きダイボンドフィルムに引張張力を加えることにより、前記半導体ウエハと前記ダイシングシート付きダイボンドフィルムを構成するダイボンドフィルムとを前記分割予定ラインにて破断し、半導体チップを形成する工程Ｃと
を有することを特徴とする。

前記ダイシングシート付きダイボンドフィルムは、ダイボンドフィルムの波長１０６５ｎｍにおける光線透過率が８０％以上であり、ダイシングシートの波長１０６５ｎｍにおける光線透過率が８０％以上である。前記構成によれば、ダイシングシート付きダイボンドフィルムで保持された状態で半導体ウエハに改質領域を形成し（工程Ｂ）、そのまま、前記半導体ウエハと前記ダイシングシート付きダイボンドフィルムを構成するダイボンドフィルムとを分割予定ラインにて破断させる（工程Ｃ）ため、分割予定ライン以外の箇所で、割れや欠けが発生することを抑制することができる。
また、ダイシングシート付きダイボンドフィルムを用いており、ダイシングシートとダイボンドフィルムとが予め積層されているため、ダイボンドフィルムにダイシングシートを貼り合わせる工程を設ける必要がない。

前記構成においては、半導体ウエハの表面にバックグラインドテープを貼り付ける工程Ａ−１と、前記バックグラインドテープの保持下で前記半導体ウエハの裏面研削を行なう工程Ａ−２とを有し、前記工程Ａ−１、及び、前記工程Ａ−２の後に、前記工程Ａ〜前記工程Ｃを行なうことが好ましい。

前記構成によれば、半導体ウエハが、バックグラインドテープとダイシングシート付きダイボンドフィルムとの両方に挟まれた状態で、半導体ウエハにレーザー光を照射して、前記半導体ウエハの分割予定ライン上に改質領域を形成する。従って、分割予定ライン以外の箇所で、割れや欠けが発生することをより抑制することができる。

前記構成においては、前記工程Ｂの後に、前記バックグラインドテープを前記半導体ウエハから剥離する工程Ｂ−１を有し、前記工程Ｂ−１の後に、前記工程Ｃを行なうことが好ましい。

前記構成によれば、工程Ｃの直前まで、半導体ウエハをバックグラインドテープとダイシングシート付きダイボンドフィルムとの両方に挟まれた状態となる。従って、分割予定ライン以外の箇所で、割れや欠けが発生することをさらに抑制することができる。

本発明によれば、薄型の半導体チップを得る場合であっても、半導体ウエハに割れや欠けが発生することを抑制することが可能なダイボンドフィルム、及び、ダイシングシート付きダイボンドフィルムを提供することができる。また、当該ダイボンドフィルム、又は、当該ダイシングシート付きダイボンドフィルムを用いて製造された半導体装置を提供することができる。また、当該ダイシングシート付きダイボンドフィルムを用いた半導体装置の製造方法を提供することができる。

本発明の一実施形態に係るダイシングシート付きダイボンドフィルムを示す断面模式図である。 本実施形態に係る半導体装置の一製造方法を説明するための断面模式図である。 本実施形態に係る半導体装置の一製造方法を説明するための断面模式図である。 本実施形態に係る半導体装置の一製造方法を説明するための断面模式図である。 本実施形態に係る半導体装置の一製造方法を説明するための断面模式図である。 本実施形態に係る半導体装置の一製造方法を説明するための断面模式図である。 （ａ）、（ｂ）は、本実施形態に係る半導体装置の一製造方法を説明するための断面模式図である。本実施形態に係る半導体装置の一製造方法を説明するための断面模式図である。 本実施形態に係る半導体装置の一製造方法を説明するための断面模式図である。

（ダイシングシート付きダイボンドフィルム）
本発明の一実施形態に係るダイボンドフィルム、及び、ダイシングシート付きダイボンドフィルムについて、以下に説明する。本実施形態に係るダイボンドフィルムは、以下に説明するダイシングシート付きダイボンドフィルムにおいて、ダイシングシートが貼り合わせられていない状態のものを挙げることができる。従って、以下では、ダイシングシート付きダイボンドフィルムについて説明し、ダイボンドフィルムについては、その中で説明することとする。図１は、本発明の一実施形態に係るダイシングシート付きダイボンドフィルムを示す断面模式図である。

図１に示すように、ダイシングシート付きダイボンドフィルム１０は、ダイシングシート１１上にダイボンドフィルム１６が積層された構成を有する。ダイシングシート１１は基材１２上に粘着剤層１４を積層して構成されており、ダイボンドフィルム１６は、粘着剤層１４上に設けられている。

なお、本実施形態では、ダイシングシート１１には、ダイボンドフィルム１６に覆われていない部分１４ｂが存在する場合について説明するが、本発明に係るダイシングシート付きダイボンドフィルムは、この例に限定されず、ダイシングシート全体を覆うようにダイボンドフィルムがダイシングシートに積層されていてもよい。

ダイボンドフィルム１６は、波長１０６５ｎｍにおける光線透過率が８０％以上であり、８５％以上であることが好ましく、９０％以上であることがより好ましい。ダイボンドフィルム１６の波長１０６５ｎｍにおける光線透過率が８０％以上であるため、半導体ウエハに貼り付けた後に、ダイボンドフィルム１６側からレーザー光（例えば、波長１０６５ｎｍ近辺にピークを有するレーザー光）を照射して、半導体ウエハの分割予定ライン上に改質領域を形成することができる。そして、その後、前記分割予定ラインにて破断させることができる。
ダイボンドフィルム１６で保持された状態で半導体ウエハに改質領域を形成でき、そのまま、破断させることができるため、分割予定ライン以外の箇所で、割れや欠けが発生することを抑制することができる。
また、ダイボンドフィルム１６の波長１０６５ｎｍにおける光線透過率は、高いほど好ましいが、例えば、１００％以下とすることができる。
ダイボンドフィルム１６の波長１０６５ｎｍにおける光線透過率は、ダイボンドフィルム１６を構成する材料によりコントロールすることができる。例えば、ダイボンドフィルム１６を構成する熱可塑性樹脂の種類や含有量、熱硬化性樹脂の種類や含有量、フィラーの平均粒径や含有量を適宜選択することによりコントロールすることができる。

ダイボンドフィルムの波長１０６５ｎｍにおける光線透過率（％）は、以下の条件で求める。
＜光線透過率測定条件＞
測定装置： 紫外可視近赤外分光光度計Ｖ−６７０ＤＳ（日本分光株式会社製）
波長走査速度： ２０００ｎｍ／分
測定範囲： ３００〜１２００ｎｍ
積分球ユニット： ＩＳＮ−７２３
スポット径： １ｃｍ角

また、ダイボンドフィルム１６は、−１５℃での引張破断応力が５０Ｎ／ｍｍ^２以下であることが好ましく、４５Ｎ／ｍｍ^２以下であることがより好ましく、４０Ｎ／ｍｍ^２以下であることがさらに好ましい。ダイボンドフィルム１６の−１５℃での引張破断応力が５０Ｎ／ｍｍ^２以下であると、ダイシングシート付きダイボンドフィルム１０に引張張力を加えた際に、分割予定ラインにて好適に破断させることができる。また、前記引張破断応力は、ハンドリング性の観点から、例えば、５Ｎ／ｍｍ^２以上であることが好ましい。引張破断応力の測定方法は、実施例記載の方法による。
前記引張破断応力は、ダイボンドフィルム１６を構成する材料によりコントロールすることができる。例えば、ダイボンドフィルム１６を構成する熱可塑性樹脂の種類や含有量、熱硬化性樹脂の種類や含有量、フィラーの平均粒径や含有量を適宜選択することによりコントロールすることができる。

また、ダイボンドフィルム１６は、−１５℃での引張破断伸度が３０％以下であることが好ましく、２５％以下であることがより好ましく、２０％以下であることがさらに好ましい。ダイボンドフィルム１６の−１５℃での引張破断伸度が３０％以下であると、ダイシングシート付きダイボンドフィルム１０に引張張力を加えた際に、分割予定ラインにてより好適に破断させることができる。また、前記引張破断伸度は、破断時のダイボンドフィルムの飛散防止の観点から、例えば、１％以上であることが好ましい。引張破断伸度の測定方法は、実施例記載の方法による。
前記引張破断伸度は、ダイボンドフィルム１６を構成する材料によりコントロールすることができる。例えば、ダイボンドフィルム１６を構成する熱可塑性樹脂の種類や含有量、熱硬化性樹脂の種類や含有量、フィラーの平均粒径や含有量を適宜選択することによりコントロールすることができる。

また、ダイボンドフィルム１６は、損失正接ｔａｎδのピーク温度が−１５℃以上５０℃未満であることが好ましく、−１０℃以上４０℃未満であることがより好ましく、−５℃以上４０℃未満であることがさらに好ましい。ダイボンドフィルム１６の損失正接ｔａｎδのピーク温度が−１５℃以上であると、より大きく伸びることなく破断し易くなる。また、ダイボンドフィルム１６の損失正接ｔａｎδのピーク温度が５０℃未満であると、ウエハへの良好な密着性を確保することができる。損失正接ｔａｎδのピーク温度の求め方は、実施例記載の方法による。
ダイボンドフィルム１６の損失正接ｔａｎδのピーク温度は、ダイボンドフィルム１６を構成する材料によりコントロールすることができる。例えば、ダイボンドフィルム１６を構成する熱可塑性樹脂の種類や含有量、熱硬化性樹脂の種類や含有量を適宜選択することによりコントロールすることができる。

ダイボンドフィルム１６を構成する材料としては、熱硬化性樹脂が挙げられる。また、熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂とを併用してもよい。

前記熱硬化性樹脂としては、フェノール樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、又は熱硬化性ポリイミド樹脂等が挙げられる。これらの樹脂は、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。特に、半導体チップを腐食させるイオン性不純物等の含有が少ないエポキシ樹脂が好ましい。また、エポキシ樹脂の硬化剤としてはフェノール樹脂が好ましい。

前記エポキシ樹脂は、接着剤組成物として一般に用いられるものであれば特に限定は無く、例えばビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＳ型、臭素化ビスフェノールＡ型、水添ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＡＦ型、ビフェニル型、ナフタレン型、フルオンレン型、フェノールノボラック型、オルソクレゾールノボラック型、トリスヒドロキシフェニルメタン型、テトラフェニロールエタン型等の二官能エポキシ樹脂や多官能エポキシ樹脂、又はヒダントイン型、トリスグリシジルイソシアヌレート型若しくはグリシジルアミン型等のエポキシ樹脂が用いられる。これらは単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。これらのエポキシ樹脂のうちノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型樹脂又はテトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂が特に好ましい。これらのエポキシ樹脂は、硬化剤としてのフェノール樹脂との反応性に富み、耐熱性等に優れるからである。

更に、前記フェノール樹脂は、前記エポキシ樹脂の硬化剤として作用するものであり、例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔｅｒｔ−ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレン等が挙げられる。これらは単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。これらのフェノール樹脂のうちフェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂が特に好ましい。半導体装置の接続信頼性を向上させることができるからである。

なかでも、ダイボンドフィルム１６は、軟化点が−１５℃以上であるフェノール樹脂を含有することが好ましい。前記軟化点は、０℃以上であることがより好ましく、３０℃以上であることがさらに好ましい。ダイボンドフィルム１６が、軟化点−１５℃以上であるフェノール樹脂を含有していると、大きく伸びることなく破断し易くなる。
また、前記軟化点は、高いほど好ましいが、例えば、１００℃以下とすることができる。
なお、本明細書において、軟化点は、ＪＩＳ Ｋ ５９０２およびＪＩＳ Ｋ ２２０７に規定する軟化点試験方法（環球法）に基づいて測定された値として定義される。具体的には、試料をできるだけ低温ですみやかに融解し、これを平らな金属板の上に置いた環の中に、泡ができないように注意して満たす。冷えたのち、少し加熱した小刀で環の上端を含む平面から盛り上がった部分を切り去る。次に、径８５ｍｍ以上、高さ１２７ｍｍ以上のガラス容器（加熱浴）の中に支持器（環台）を入れ、グリセリンを深さ９０ｍｍ以上となるまで注ぐ。次に、鋼球（径９．５ｍｍ、重量３．５ｇ）と、試料を満たした環とを互いに接触しないようにしてグリセリン中に浸し、グリセリンの温度を２０℃±５℃に１５分間保つ。次に、環中の試料の表面の中央に鋼球をのせ、これを支持器の上の定位置に置く。次に、環の上端からグリセリン面までの距離を５０ｍｍに保ち、温度計を置き、温度計の水銀球の中心の位置を環の中心と同じ高さとし、容器を加熱する。加熱に用いるブンゼンバーナーの炎は、容器の底の中心と縁との中間にあたるようにし、加熱を均等にする。なお、加熱が始まってから４０℃に達したのちの浴温の上昇する割合は、毎分５．０±０．５℃でなければならない。試料がしだいに軟化して環から流れ落ち、ついに底板に接触したときの温度を読み、これを軟化点とする。軟化点の測定は、同時に２個以上行い、その平均値を採用する。

前記エポキシ樹脂とフェノール樹脂との配合割合は、例えば、前記エポキシ樹脂成分中のエポキシ基１当量当たりフェノール樹脂中の水酸基が０．５〜２．０当量になるように配合することが好適である。より好適なのは、０．８〜１．２当量である。即ち、両者の配合割合が前記範囲を外れると、十分な硬化反応が進まず、エポキシ樹脂硬化物の特性が劣化し易くなるからである。

前記熱可塑性樹脂としては、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、エチレン−アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、６−ナイロンや６，６−ナイロン等のポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ＰＥＴやＰＢＴ等の飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、又はフッ素樹脂等が挙げられる。これらの熱可塑性樹脂は単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。これらの熱可塑性樹脂のうち、イオン性不純物が少なく耐熱性が高く、半導体チップの信頼性を確保できるアクリル樹脂が特に好ましい。

前記アクリル樹脂としては、特に限定されるものではなく、炭素数３０以下、特に炭素数４〜１８の直鎖若しくは分岐のアルキル基を有するアクリル酸のエステル又はメタクリル酸のエステル（アルキルアクリレート、又は、アルキルメタクリレート）の１種又は２種以上を成分とする重合体（アクリル系共重合体）等が挙げられる。前記アルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基、イソブチル基、アミル基、イソアミル基、ヘキシル基、へプチル基、シクロヘキシル基、２−エチルヘキシル基、オクチル基、イソオクチル基、ノニル基、イソノニル基、デシル基、イソデシル基、ウンデシル基、ラウリル基、トリデシル基、テトラデシル基、ステアリル基、オクタデシル基、又はドデシル基等が挙げられる。

なかでも、ダイボンドフィルム１６は、アルキルアクリレート、又は、アルキルメタクリレートを５０重量％以上の割合で含むモノマー原料を重合して得られるアクリル系共重合体を含有することが好ましい。前記割合は、６０重量％以上であることがより好ましく、７０重量％以上であることがさらに好ましい。ダイボンドフィルム１６が、アルキルアクリレート、又は、アルキルメタクリレートを５０重量％以上の割合で含むモノマー原料を重合して得られるアクリル系共重合体を含有すると、ダイボンドフィルム１６の波長１０６５ｎｍにおける光線透過率を高めることができる。
前記割合は、多い方がこと好ましいが、例えば１００重量％以下とすることができる。

また、前記重合体を形成する他のモノマーとしては、特に限定されるものではなく、例えばアクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチルアクリレート、カルボキシペンチルアクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマール酸若しくはクロトン酸等の様なカルボキシル基含有モノマー、無水マレイン酸若しくは無水イタコン酸等の様な酸無水物モノマー、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル若しくは（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）−メチルアクリレート等の様なヒドロキシル基含有モノマー、スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート若しくは（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等の様なスルホン酸基含有モノマー、又は２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等の様な燐酸基含有モノマーが挙げられる。

前記熱硬化性樹脂の配合割合としては、所定条件下で加熱した際にダイボンドフィルム１６が熱硬化型としての機能を発揮する程度であれば特に限定されないが、ダイボンドフィルム１６全体に対して、５〜７０重量％の範囲内であることが好ましく、１０〜６０重量％の範囲内であることがより好ましい。

前記熱可塑性樹脂の配合割合としては、特に限定されないが、フィルム形成性の観点から、ダイボンドフィルム１６全体に対して、３重量％以上であることが好ましく、５重量％以上であることがより好ましい。また、耐熱性の観点から、ダイボンドフィルム１６全体に対して、９５重量％以下であることが好ましく、９０重量％以下であることがより好ましい。

ダイボンドフィルム１６を予めある程度架橋をさせておく場合には、作製に際し、重合体の分子鎖末端の官能基等と反応する多官能性化合物を架橋剤として添加させておくのがよい。これにより、高温下での接着特性を向上させ、耐熱性の改善を図ることができる。

前記架橋剤としては、従来公知のものを採用することができる。特に、トリレンジイソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネート、ｐ−フェニレンジイソシアネート、１，５−ナフタレンジイソシアネート、多価アルコールとジイソシアネートの付加物等のポリイソシアネート化合物がより好ましい。架橋剤の添加量としては、前記の重合体１００重量部に対し、通常０．０５〜７重量部とするのが好ましい。架橋剤の量が７重量部より多いと、接着力が低下するので好ましくない。その一方、０．０５重量部より少ないと、凝集力が不足するので好ましくない。また、この様なポリイソシアネート化合物と共に、必要に応じて、エポキシ樹脂等の他の多官能性化合物を一緒に含ませるようにしてもよい。

また、ダイボンドフィルム１６には、その用途に応じてフィラーを適宜配合することができる。前記フィラーの配合は、導電性の付与、熱伝導性の向上、弾性率の調節等を可能とする。前記フィラーとしては、無機フィラー、及び、有機フィラーが挙げられるが、取り扱い性の向上、熱電導性の向上、溶融粘度の調整、チキソトロピック性付与等の特性の観点から、無機フィラーが好ましい。前記無機フィラーとしては、特に制限はなく、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ほう酸アルミウィスカ、窒化ほう素、結晶質シリカ、非晶質シリカ等が挙げられる。これらは、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。熱電導性の向上の観点からは、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ほう素、結晶質シリカ、非晶質シリカが好ましい。また、上記各特性のバランスがよいという観点からは、結晶質シリカ、又は、非晶質シリカが好ましい。また、導電性の付与、熱電導性の向上等の目的で、無機フィラーとして、導電性物質（導電フィラー）を用いることとしてもよい。導電フィラーとしては、銀、アルミニウム、金、胴、ニッケル、導電性合金等を球状、針状、フレーク状とした金属粉、アルミナ等の金属酸化物、アモルファスカーボンブラック、グラファイト等が挙げられる。

前記フィラーの平均粒径は、０．００１〜１μｍであることが好ましく、０．００５〜０．７μｍであることがより好ましい。前記フィラーの平均粒径を０．００１μｍ以上とすることにより、フィルムのタック性を制御することができる。また、１μｍ以下とすることにより、透過率の低下を防止することができる。なお、フィラーの平均粒径は、例えば、光度式の粒度分布計（ＨＯＲＩＢＡ製、装置名；ＬＡ−９１０）により求めた値である。

なお、ダイボンドフィルム１６には、前記フィラー以外に、必要に応じて他の添加剤を適宜に配合することができる。他の添加剤としては、例えば難燃剤、シランカップリング剤又はイオントラップ剤等が挙げられる。前記難燃剤としては、例えば、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、臭素化エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは、単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。前記シランカップリング剤としては、例えば、β−（３、４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン等が挙げられる。これらの化合物は、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。前記イオントラップ剤としては、例えばハイドロタルサイト類、水酸化ビスマス等が挙げられる。これらは、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。

ダイボンドフィルム１６の厚さ（積層体の場合は、総厚）は特に限定されないが、光線透過率の観点から、３〜１００μｍが好ましく、より好ましくは５〜６０μｍ、さらに好ましくは５〜３０μｍである。

ダイシングシート１１は、上述の通り、基材１２上に粘着剤層１４が積層された構成を有している。

基材１２は、ダイシングシート付きダイボンドフィルム１０の強度母体となるものである。例えば、低密度ポリエチレン、直鎖状ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸エステル（ランダム、交互）共重合体、エチレン−ブテン共重合体、エチレン−ヘキセン共重合体、ポリウレタン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルイミド、ポリアミド、全芳香族ポリアミド、ポリフェニルスルフイド、アラミド（紙）、ガラス、ガラスクロス、フッ素樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、セルロース系樹脂、シリコーン樹脂、金属（箔）等が挙げられる。基材１２は、後述する粘着剤層１４が放射線硬化型粘着剤で形成されている場合、当該放射線を透過させる材料から形成されていることが好ましい。

基材１２の表面は、隣接する層との密着性、保持性等を高める為、慣用の表面処理、例えば、クロム酸処理、オゾン暴露、火炎暴露、高圧電撃暴露、イオン化放射線処理等の化学的又は物理的処理、下塗剤（例えば、後述する粘着物質）によるコーティング処理を施すことができる。基材１２は、同種又は異種のものを適宜に選択して使用することができ、必要に応じて数種の材料をブレンドしたものを用いることができる。

基材１２は、波長１０６５ｎｍにおける光線透過率が７０％以上であることが好ましく、８０％以上であることがより好ましい。波長１０６５ｎｍにおける光線透過率が７０％以上である基材１２は、基材１２を構成する材料を適宜選択することにより得られる。
また、基材１２の波長１０６５ｎｍにおける光線透過率は、高いほど好ましいが、例えば、１００％以下とすることができる。
基材の波長１０６５ｎｍにおける光線透過率は、ダイボンドフィルムの波長１０６５ｎｍにおける光線透過率と同様の方法による。

基材１２の厚さは、特に制限されず適宜に決定できるが、一般的には５〜２００μｍ程度である。なかでも、ピックアップ性、光線透過率の観点から、３０〜１３０μｍであることが好ましい。

粘着剤層１４の形成に用いる粘着剤としては特に制限されず、例えば、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等の一般的な感圧性粘着剤を用いることができる。前記感圧性粘着剤としては、半導体ウエハやガラス等の汚染をきらう電子部品の超純水やアルコール等の有機溶剤による清浄洗浄性等の点から、アクリル系ポリマーをベースポリマーとするアクリル系粘着剤が好ましい。

前記アクリル系ポリマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸アルキルエステル（例えば、メチルエステル、エチルエステル、プロピルエステル、イソプロピルエステル、ブチルエステル、イソブチルエステル、ｓ−ブチルエステル、ｔ−ブチルエステル、ペンチルエステル、イソペンチルエステル、ヘキシルエステル、ヘプチルエステル、オクチルエステル、２−エチルヘキシルエステル、イソオクチルエステル、ノニルエステル、デシルエステル、イソデシルエステル、ウンデシルエステル、ドデシルエステル、トリデシルエステル、テトラデシルエステル、ヘキサデシルエステル、オクタデシルエステル、エイコシルエステル等のアルキル基の炭素数１〜３０、特に炭素数４〜１８の直鎖状又は分岐鎖状のアルキルエステル等）及び（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル（例えば、シクロペンチルエステル、シクロヘキシルエステル等）の１種又は２種以上を単量体成分として用いたアクリル系ポリマー等が挙げられる。尚、（メタ）アクリル酸エステルとはアクリル酸エステル及び／又はメタクリル酸エステルをいい、本発明の（メタ）とは全て同様の意味である。

なかでも、粘着剤層１４は、アルキルアクリレート、又は、アルキルメタクリレート（アクリル酸のエステル又はメタクリル酸のエステル）を５０重量％以上の割合で含むモノマー原料を重合して得られるアクリル系共重合体を含有することが好ましい。前記割合は、６０重量％以上であることがより好ましく、７０重量％以上であることがさらに好ましい。粘着剤層１４が、アルキルアクリレート、又は、アルキルメタクリレートを５０重量％以上の割合で含むモノマー原料を重合して得られるアクリル系共重合体を含有すると、粘着剤層１４の波長１０６５ｎｍにおける光線透過率を高めることができる。
前記割合は、多い方が好ましいが、例えば、１００重量％以下とすることができる。

前記アクリル系ポリマーは、凝集力、耐熱性等の改質を目的として、必要に応じ、前記（メタ）アクリル酸アルキルエステル又はシクロアルキルエステルと共重合可能な他のモノマー成分に対応する単位を含んでいてもよい。この様なモノマー成分として、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチル（メタ）アクリレート、カルボキシペンチル（メタ）アクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸等のカルボキシル基含有モノマー；無水マレイン酸、無水イタコン酸等の酸無水物モノマー；（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル、（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）メチル（メタ）アクリレート等のヒドロキシル基含有モノマー；スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等のスルホン酸基含有モノマー；２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等のリン酸基含有モノマー；アクリルアミド、アクリロニトリル等が挙げられる。これら共重合可能なモノマー成分は、１種又は２種以上使用できる。これら共重合可能なモノマーの使用量は、全モノマー成分の４０重量％以下が好ましい。

更に、前記アクリル系ポリマーは、架橋させる為、多官能性モノマー等も、必要に応じて共重合用モノマー成分として含むことができる。この様な多官能性モノマーとして、例えば、ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート、ポリエステル（メタ）アクリレート、ウレタン（メタ）アクリレート等が挙げられる。これらの多官能性モノマーも１種又は２種以上用いることができる。多官能性モノマーの使用量は、粘着特性等の点から、全モノマー成分の３０重量％以下が好ましい。

前記アクリル系ポリマーは、単一モノマー又は２種以上のモノマー混合物を重合に付すことにより得られる。重合は、溶液重合、乳化重合、塊状重合、懸濁重合等の何れの方式で行うこともできる。清浄な被着体への汚染防止等の点から、低分子量物質の含有量が小さいのが好ましい。この点から、アクリル系ポリマーの数平均分子量は、好ましくは３０万以上、更に好ましくは４０万〜３００万程度である。

また、前記粘着剤には、ベースポリマーであるアクリル系ポリマー等の数平均分子量を高める為、外部架橋剤を適宜に採用することもできる。外部架橋方法の具体的手段としては、ポリイソシアネート化合物、エポキシ化合物、アジリジン化合物、メラミン系架橋剤等のいわゆる架橋剤を添加し反応させる方法が挙げられる。外部架橋剤を使用する場合、その使用量は、架橋すべきベースポリマーとのバランスにより、更には、粘着剤としての使用用途によって適宜決定される。一般的には、前記ベースポリマー１００重量部に対して、５重量部程度以下、更には０．１〜５重量部配合するのが好ましい。更に、粘着剤には、必要により、前記成分のほかに、従来公知の各種の粘着付与剤、老化防止剤等の添加剤を用いてもよい。

粘着剤層１４は、放射線硬化型粘着剤により形成してもよい。放射線硬化型粘着剤は、紫外線等の放射線の照射により架橋度を増大させてその粘着力を容易に低下させることができる。

例えば、図１に示すダイボンドフィルム１６のウエハ貼り付け部分１６ａに合わせて放射線硬化型の粘着剤層１４を硬化させることにより、粘着力が著しく低下した前記部分１４ａを容易に形成できる。硬化し、粘着力の低下した前記部分１４ａにダイボンドフィルム１６が貼付けられるため、粘着剤層１４の前記部分１４ａとダイボンドフィルム１６との界面は、ピックアップ時に容易に剥がれる性質を有する。一方、放射線を照射していない部分は十分な粘着力を有しており、前記部分１４ｂを形成する。前記部分１４ｂには、ウエハリングを強固に固定することができる。
なお、ダイシングシート全体を覆うようにダイボンドフィルムをダイシングシートに積層する場合には、ダイボンドフィルムの外周部分にウエハリングを固定することができる。

放射線硬化型粘着剤は、炭素−炭素二重結合等の放射線硬化性の官能基を有し、かつ粘着性を示すものを特に制限なく使用することができる。放射線硬化型粘着剤としては、例えば、前記アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等の一般的な感圧性粘着剤に、放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合した添加型の放射線硬化型粘着剤を例示できる。

配合する放射線硬化性のモノマー成分としては、例えば、ウレタンオリゴマー、ウレタン（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリストールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリストールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート等が挙げられる。また放射線硬化性のオリゴマー成分はウレタン系、ポリエーテル系、ポリエステル系、ポリカーボネート系、ポリブタジエン系等種々のオリゴマーがあげられ、その分子量が１００〜３００００程度の範囲のものが適当である。放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分の配合量は、前記粘着剤層の種類に応じて、粘着剤層の粘着力を低下できる量を、適宜に決定することができる。一般的には、粘着剤を構成するアクリル系ポリマー等のベースポリマー１００重量部に対して、例えば５〜５００重量部、好ましくは４０〜１５０重量部程度である。

また、放射線硬化型粘着剤としては、前記説明した添加型の放射線硬化型粘着剤のほかに、ベースポリマーとして、炭素−炭素二重結合をポリマー側鎖又は主鎖中もしくは主鎖末端に有するものを用いた内在型の放射線硬化型粘着剤が挙げられる。内在型の放射線硬化型粘着剤は、低分子成分であるオリゴマー成分等を含有する必要がなく、又は多くは含まない為、経時的にオリゴマー成分等が粘着剤在中を移動することなく、安定した層構造の粘着剤層を形成することができる為好ましい。

前記炭素−炭素二重結合を有するベースポリマーは、炭素−炭素二重結合を有し、かつ粘着性を有するものを特に制限なく使用できる。この様なベースポリマーとしては、アクリル系ポリマーを基本骨格とするものが好ましい。アクリル系ポリマーの基本骨格としては、前記例示したアクリル系ポリマーが挙げられる。

前記アクリル系ポリマーへの炭素−炭素二重結合の導入法は特に制限されず、様々な方法を採用できるが、炭素−炭素二重結合はポリマー側鎖に導入するのが分子設計の点で容易である。例えば、予め、アクリル系ポリマーに官能基を有するモノマーを共重合した後、この官能基と反応しうる官能基及び炭素−炭素二重結合を有する化合物を、炭素−炭素二重結合の放射線硬化性を維持したまま縮合又は付加反応させる方法が挙げられる。

これら官能基の組合せの例としては、カルボン酸基とエポキシ基、カルボン酸基とアジリジル基、ヒドロキシル基とイソシアネート基等が挙げられる。これら官能基の組合せのなかでも反応追跡の容易さから、ヒドロキシル基とイソシアネート基との組合せが好適である。また、これら官能基の組み合わせにより、前記炭素−炭素二重結合を有するアクリル系ポリマーを生成するような組合せであれば、官能基はアクリル系ポリマーと前記化合物のいずれの側にあってもよいが、前記の好ましい組み合わせでは、アクリル系ポリマーがヒドロキシル基を有し、前記化合物がイソシアネート基を有する場合が好適である。この場合、炭素−炭素二重結合を有するイソシアネート化合物としては、例えば、メタクリロイルイソシアネート、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、ｍ−イソプロペニル−α，α−ジメチルベンジルイソシアネート等が挙げられる。また、アクリル系ポリマーとしては、前記例示のヒドロキシ基含有モノマーや２−ヒドロキシエチルビニルエーテル、４−ヒドロキシブチルビニルエーテル、ジエチレングルコールモノビニルエーテルのエーテル系化合物等を共重合したものが用いられる。

前記内在型の放射線硬化型粘着剤は、前記炭素−炭素二重結合を有するベースポリマー（特にアクリル系ポリマー）を単独で使用することができるが、特性を悪化させない程度に前記放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合することもできる。放射線硬化性のオリゴマー成分等は、通常ベースポリマー１００重量部に対して３０重量部の範囲内であり、好ましくは０〜１０重量部の範囲である。

前記放射線硬化型粘着剤には、紫外線等により硬化させる場合には光重合開始剤を含有させる。光重合開始剤としては、例えば、４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、α−ヒドロキシ−α，α’−ジメチルアセトフェノン、２−メチル−２−ヒドロキシプロピオフェノン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン等のα−ケトール系化合物；メトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフエノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）−フェニル］−２−モルホリノプロパン−１等のアセトフェノン系化合物；ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、アニソインメチルエーテル等のベンゾインエーテル系化合物；ベンジルジメチルケタール等のケタール系化合物；２−ナフタレンスルホニルクロリド等の芳香族スルホニルクロリド系化合物；１−フェノン−１，１―プロパンジオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシム等の光活性オキシム系化合物；ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、３，３’−ジメチル−４−メトキシベンゾフェノン等のベンゾフェノン系化合物；チオキサンソン、２−クロロチオキサンソン、２−メチルチオキサンソン、２，４−ジメチルチオキサンソン、イソプロピルチオキサンソン、２，４−ジクロロチオキサンソン、２，４−ジエチルチオキサンソン、２，４−ジイソプロピルチオキサンソン等のチオキサンソン系化合物；カンファーキノン；ハロゲン化ケトン；アシルホスフィノキシド；アシルホスフォナート等が挙げられる。光重合開始剤の配合量は、粘着剤を構成するアクリル系ポリマー等のベースポリマー１００重量部に対して、例えば０．０５〜２０重量部程度である。

また放射線硬化型粘着剤としては、例えば、特開昭６０−１９６９５６号公報に開示されている、不飽和結合を２個以上有する付加重合性化合物、エポキシ基を有するアルコキシシラン等の光重合性化合物と、カルボニル化合物、有機硫黄化合物、過酸化物、アミン、オニウム塩系化合物等の光重合開始剤とを含有するゴム系粘着剤やアクリル系粘着剤等が挙げられる。

放射線硬化型の粘着剤層１４中には、必要に応じて、放射線照射により着色する化合物を含有させることもできる。放射線照射により、着色する化合物を粘着剤層１４に含ませることによって、放射線照射された部分のみを着色することができる。即ち、図１に示すウエハ貼り付け部分１６ａに対応する部分１４ａを着色することができる。従って、粘着剤層１４に放射線が照射されたか否かが目視により直ちに判明することができ、ウエハ貼り付け部分１６ａを認識し易く、ワークの貼り合せが容易である。また光センサー等によって半導体チップを検出する際に、その検出精度が高まり、半導体チップのピックアップ時に誤動作が生ずることがない。

放射線照射により着色する化合物は、放射線照射前には無色又は淡色であるが、放射線照射により有色となる化合物である。かかる化合物の好ましい具体例としてはロイコ染料が挙げられる。ロイコ染料としては、慣用のトリフェニルメタン系、フルオラン系、フェノチアジン系、オーラミン系、スピロピラン系のものが好ましく用いられる。具体的には３−［Ｎ−（ｐ−トリルアミノ）］−７−アニリノフルオラン、３−［Ｎ−（ｐ−トリル）−Ｎ−メチルアミノ］−７−アニリノフルオラン、３−［Ｎ−（ｐ−トリル）−Ｎ−エチルアミノ］−７−アニリノフルオラン、３−ジエチルアミノ−６−メチル−７−アニリノフルオラン、クリスタルバイオレットラクトン、４，４’，４”−トリスジメチルアミノトリフエニルメタノール、４，４’，４”−トリスジメチルアミノトリフェニルメタン等が挙げられる。

これらロイコ染料とともに好ましく用いられる顕色剤としては、従来から用いられているフェノールホルマリン樹脂の初期重合体、芳香族カルボン酸誘導体、活性白土等の電子受容体があげられ、更に、色調を変化させる場合は種々公知の発色剤を組合せて用いることもできる。

この様な放射線照射によって着色する化合物は、一旦有機溶媒等に溶解された後に放射線硬化型接着剤中に含ませてもよく、また微粉末状にして当該粘着剤中に含ませてもよい。この化合物の使用割合は、粘着剤層１４中に１０重量％以下、好ましくは０．０１〜１０重量％、更に好ましくは０．５〜５重量％であるのが望ましい。該化合物の割合が１０重量％を超えると、粘着剤層１４に照射される放射線がこの化合物に吸収されすぎてしまう為、粘着剤層１４の前記部分１４ａの硬化が不十分となり、十分に粘着力が低下しないことがある。一方、充分に着色させるには、該化合物の割合を０．０１重量％以上とするのが好ましい。

粘着剤層１４を放射線硬化型粘着剤により形成する場合には、粘着剤層１４に於ける前記部分１４ａの粘着力＜その他の部分１４ｂの粘着力、となるように粘着剤層１４の一部を放射線照射してもよい。

粘着剤層１４に前記部分１４ａを形成する方法としては、基材１２に放射線硬化型の粘着剤層１４を形成した後、前記部分１４ａに部分的に放射線を照射し硬化させる方法が挙げられる。部分的な放射線照射は、ダイボンドフィルム１６ウエハ貼り付け部分１６ａ以外の部分に対応するパターンを形成したフォトマスクを介して行うことができる。また、スポット的に放射線を照射し硬化させる方法等が挙げられる。放射線硬化型の粘着剤層１４の形成は、セパレータ上に設けたものを基材１２上に転写することにより行うことができる。部分的な放射線硬化はセパレータ上に設けた放射線硬化型の粘着剤層１４に行うこともできる。

また、粘着剤層１４を放射線硬化型粘着剤により形成する場合には、基材１２の少なくとも片面の、ウエハ貼り付け部分１６ａに対応する部分以外の部分の全部又は一部が遮光されたものを用い、これに放射線硬化型の粘着剤層１４を形成した後に放射線照射して、ウエハ貼り付け部分１６ａに対応する部分を硬化させ、粘着力を低下させた前記部分１４ａを形成することができる。遮光材料としては、支持フィルム上でフォトマスクになりえるものを印刷や蒸着等で作成することができる。かかる製造方法によれば、効率よくダイシングシート付きダイボンドフィルム１０を製造可能である。

なお、放射線照射の際に、酸素による硬化阻害が起こる場合は、放射線硬化型の粘着剤層１４の表面よりなんらかの方法で酸素（空気）を遮断するのが望ましい。例えば、粘着剤層１４の表面をセパレータで被覆する方法や、窒素ガス雰囲気中で紫外線等の放射線の照射を行う方法等が挙げられる。

粘着剤層１４の厚さは、特に限定されないが、チップ切断面の欠け防止やダイボンドフィルム１６の固定保持の両立性等の点よりは、１〜５０μｍ程度であるのが好ましい。好ましくは２〜４０μｍ、更には５〜３０μｍが好ましい。

粘着剤層１４は、波長１０６５ｎｍにおける光線透過率が７０％以上であることが好ましく、８０％以上であることがより好ましい。波長１０６５ｎｍにおける光線透過率が７０％以上である粘着剤層１４は、粘着剤層１４を構成する材料を適宜選択することにより得られる。
また、粘着剤層１４の波長１０６５ｎｍにおける光線透過率は、高いほど好ましいが、例えば、１００％以下とすることができる。
粘着剤層の波長１０６５ｎｍにおける光線透過率は、ダイボンドフィルムの波長１０６５ｎｍにおける光線透過率と同様の方法による。

ダイシングシート付きダイボンドフィルム１０の波長１０６５ｎｍにおける光線透過率は、５０％以上であることが好ましく、５５％以上であることがより好ましく、６０％以上であることがさらに好ましい。
ダイシングシート付きダイボンドフィルム１０の波長１０６５ｎｍにおける光線透過率が５０％以上であると、半導体ウエハにダイシングシート付きダイボンドフィルム１０を貼り付けた後に、ダイシングシート付きダイボンドフィルム１０側からレーザー光を照射して、半導体ウエハの分割予定ライン上に好適に改質領域を形成することができる。
ダイシングシート付きダイボンドフィルム１０の波長１０６５ｎｍにおける光線透過率を５０％以上とする方法としては、基材１２として波長１０６５ｎｍにおける光線透過率が一定以上あるものを選択し、粘着剤１４として波長１０６５ｎｍにおける光線透過率が一定以上あるものを選択し、且つ、ダイボンドフィルム１６として波長１０６５ｎｍにおける光線透過率が一定以上あるものを選択する方法が挙げられる。
また、ダイシングシート付きダイボンドフィルム１０の波長１０６５ｎｍにおける光線透過率は、高いほど好ましいが、例えば、１００％以下とすることができる。
ダイシングシート付きダイボンドフィルムの波長１０６５ｎｍにおける光線透過率は、ダイボンドフィルムの波長１０６５ｎｍにおける光線透過率と同様の方法による。

ダイシングシート付きダイボンドフィルム１０のダイボンドフィルム１６は、セパレータにより保護されていることが好ましい（図示せず）。セパレータは、実用に供するまでダイボンドフィルム１６を保護する保護材としての機能を有している。また、セパレータは、更に、粘着剤層１４にダイボンドフィルム１６を転写する際の支持基材として用いることができる。セパレータはダイシングシート付きダイボンドフィルム１０のダイボンドフィルム１６上にワーク（半導体ウエハ）を貼着する際に剥がされる。セパレータとしては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレン、ポリプロピレンや、フッ素系剥離剤、長鎖アルキルアクリレート系剥離剤等の剥離剤により表面コートされたプラスチックフィルムや紙等も使用可能である。

本実施の形態に係るダイシングシート付きダイボンドフィルム１０は、例えば、次の通りにして作製される。
先ず、基材１２は、従来公知の製膜方法により製膜することができる。当該製膜方法としては、例えばカレンダー製膜法、有機溶媒中でのキャスティング法、密閉系でのインフレーション押出法、Ｔダイ押出法、共押出し法、ドライラミネート法等が例示できる。

次に、基材１２上に粘着剤組成物溶液を塗布して塗布膜を形成した後、該塗布膜を所定条件下で乾燥させ（必要に応じて加熱架橋させて）、粘着剤層１４を形成する。塗布方法としては特に限定されず、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工等が挙げられる。また、乾燥条件としては、例えば乾燥温度８０〜１５０℃、乾燥時間０．５〜５分間の範囲内で行われる。また、セパレータ上に粘着剤組成物を塗布して塗布膜を形成した後、前記乾燥条件で塗布膜を乾燥させて粘着剤層１４を形成してもよい。その後、基材１２上に粘着剤層１４をセパレータと共に貼り合わせる。これにより、ダイシングシート１１が作製される。

ダイボンドフィルム１６は、例えば、次の通りにして作製される。
先ず、ダイボンドフィルム１６の形成材料である接着剤組成物溶液を作製する。当該接着剤組成物溶液には、前述の通り、前記樹脂や、その他必要に応じて各種の添加剤等が配合されている。

次に、接着剤組成物溶液を基材セパレータ上に所定厚みとなる様に塗布して塗布膜を形成した後、該塗布膜を所定条件下で乾燥させ、ダイボンドフィルム１６を形成する。塗布方法としては特に限定されず、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工等が挙げられる。また、乾燥条件としては、例えば乾燥温度７０〜１６０℃、乾燥時間１〜５分間の範囲内で行われる。また、セパレータ上に接着剤組成物溶液を塗布して塗布膜を形成した後、前記乾燥条件で塗布膜を乾燥させてダイボンドフィルム１６を形成してもよい。その後、基材セパレータ上に接着剤層をセパレータと共に貼り合わせる。

続いて、ダイシングシート１１及びダイボンドフィルム１６からそれぞれセパレータを剥離し、接着剤層１４とダイボンドフィルム１６とが貼り合わせ面となる様にして両者を貼り合わせる。貼り合わせは、例えば圧着により行うことができる。このとき、ラミネート温度は特に限定されず、例えば３０〜５０℃が好ましく、３５〜４５℃がより好ましい。また、線圧は特に限定されず、例えば０．１〜２０ｋｇｆ／ｃｍが好ましく、１〜１０ｋｇｆ／ｃｍがより好ましい。これにより、ダイシングシート付きダイボンドフィルム１０が得られる。

（半導体装置の製造方法）
次に、半導体装置の製造方法について説明する。
以下では、ダイシングシート付きダイボンドフィルム１０を用いた半導体装置の製造方法について説明する。しかしながら、本発明では、ダイシングシート付きダイボンドフィルム１０を用いずにダイボンドフィルム１６を用いて半導体装置を製造することもできる。この場合、ダイボンドフィルム１６に、ダイシングシート１１を貼り合わせて、ダイシングシート付きダイボンドフィルム１０とする工程を行なえば、その後は、ダイシングシート付きダイボンドフィルム１０を用いた半導体装置の製造方法と同様とすることができる。そこで、以下では、図２〜図８を参照しつつ、ダイシングシート付きダイボンドフィルム１０を用いた半導体装置の製造方法について説明することとする。
なお、ダイボンドフィルム１６に、ダイシングシート１１を貼り合わせる工程は、レーザー光を照射して、半導体ウエハの分割予定ライン上に改質領域を形成する工程（工程Ｂ）の前でも後であってもよいが、前の方が好ましい。

図２〜図８は、本実施形態に係る半導体装置の一製造方法を説明するための断面模式図である。

まず、図２に示すように、半導体ウエハ４の表面４Ｆ（回路形成面）にバックグラインドテープ４４を貼り合わせる（工程Ａ−１）。バックグラインドテープ４４としては従来公知のものを採用できる。半導体ウエハ４としては、例えば、厚さ１〜８００μｍのものを使用することができる。

次に、図３に示すように、バックグラインドテープ４４の保持下で研削砥石４５にて半導体ウエハ４の裏面研削を行い、半導体ウエハ４を薄型化する（工程Ａ−２）。裏面研削後の半導体ウエハ４の厚さとしては、例えば、１〜１００μｍ、１〜５０μｍ等とすることができる。

次に、図４に示すように、裏面研削後の半導体ウエハ４の裏面４Ｒに、ダイシングシート付きダイボンドフィルム１０を、ダイボンドフィルム１６を貼り合わせ面にして貼り合わせる（工程Ａ）。この際、バックグラインドテープ４４が貼り合わせられたままの状態で、半導体ウエハ４の裏面４Ｒに、ダイシングシート付きダイボンドフィルム１０を貼り合わせる。本工程は、圧着ロール等の押圧手段により押圧しながら行うことができる。マウントの際の貼り付け温度は特に限定されないが、４０〜８０℃の範囲内であることが好ましい。

半導体ウエハ４へのバックグラインドテープ４４や、ダイシングシート付きダイボンドフィルム１０の貼り付けは、従来公知のテープ貼付装置を用いることができ、半導体ウエハの裏面研削も、従来公知の研削装置を用いることができる。

次に、図５に示すように、ダイシングシート付きダイボンドフィルム１０側から半導体ウエハ４にレーザー光４８を照射して、半導体ウエハ４の分割予定ライン上に改質領域４Ｌを形成する（工程Ｂ）。分割予定ラインは、半導体ウエハ４を複数の半導体チップに分割できるように、半導体ウエハ４に格子状に設定されている。本方法は、半導体ウエハの内部に集光点を合わせ、格子状の分割予定ラインに沿ってレーザー光を照射し、多光子吸収によるアブレーションにより半導体ウエハの内部に改質領域を形成する方法である。レーザー光照射条件としては、以下の条件の範囲内で適宜調整すればよい。
＜レーザー光照射条件＞
（Ａ）レーザー光
レーザー光源 半導体レーザー励起Ｎｄ：ＹＡＧレーザー
波長 １０６４ｎｍ
レーザー光スポット断面積 ３．１４×１０^−８ｃｍ^２
発振形態 Ｑスイッチパルス
繰り返し周波数 １００ｋＨｚ以下
パルス幅 １μｓ以下
出力 １ｍＪ以下
レーザー光品質 ＴＥＭ００
偏光特性 直線偏光
（Ｂ）集光用レンズ
倍率 １００倍以下
ＮＡ ０．５５
レーザー光波長に対する透過率 １００％以下
（Ｃ）半導体基板が載置される裁置台の移動速度 ２８０ｍｍ／秒以下
なお、レーザー光を照射して分割予定ライン上に改質領域４Ｌを形成する方法については、特許第３４０８８０５号公報や、特開２００３−３３８５６７号公報に詳述されているので、ここでの詳細な説明は省略することとする。

本実施形態では、波長１０６５ｎｍにおける光線透過率が８０％以上であるダイボンドフィルム１６と、波長１０６５ｎｍにおける光線透過率が８０％以上であるダイシングシート１１とが積層されたダイシングシート付きダイボンドフィルム１０を用いている。そのため、照射された波長１０６５ｎｍのレーザー光は、ダイシングシート付きダイボンドフィルム１０を透過し、半導体ウエハ４の裏面４Ｒに照射されることになる。従って、ダイシングシート付きダイボンドフィルム１０を貼り付けた状態で、半導体ウエハ４の裏面４Ｒにレーザー光により改質領域４Ｌを形成することができる。

次に、図６に示すように、バックグラインドテープ４４を半導体ウエハ４から剥離する（工程Ｂ−１）。

次に、ダイシングシート付きダイボンドフィルム１０に引張張力を加えることによって、半導体ウエハ４とダイボンドフィルム１６とを分割予定ラインにて破断し、半導体チップ５を形成する（工程Ｃ）。本工程には、例えば、市販のウエハ拡張装置を用いることができる。具体的には、図７（ａ）に示すように、半導体ウエハ４が貼り合わせられたダイシングシート付きダイボンドフィルム１０の粘着剤層１４周辺部にダイシングリング３１を貼り付けた後、ウエハ拡張装置３２に固定する。次に、図７（ｂ）に示すように、突き上げ部３３を上昇させて、ダイシングシート付きダイボンドフィルム１０に張力をかける。

このとき、エキスパンド速度（突き上げ部が上昇する速度）は、１〜４００ｍｍ／秒であることが好ましく、５０〜４００ｍｍ／秒であることがより好ましい。エキスパンド速度を１ｍｍ／秒以上とすることにより、半導体ウエハ４とダイボンドフィルム１６とを略同時に容易に破断することができる。また、エキスパンド速度を４００ｍｍ／秒以下とすることより、ダイシングシート１１が破断することを防止することができる。

また、エキスパンド量（突き上げ部が上昇した量）は、５〜５０ｍｍであることが好ましく、５〜４０ｍｍであることがより好ましく、５〜３０ｍｍであることが特に好ましい。エキスパンド量を５ｍｍ以上とすることにより、半導体ウエハ４、及び、ダイボンドフィルム１６の破断を容易とすることができる。また、エキスパンド量を５０ｍｍ以下とすることより、ダイシングシート１１が破断することを防止することができる。

また、エキスパンド温度は、必要に応じて−５０〜１００℃の間で調整すればよいが、本発明においては、−２０〜３０℃であることが好ましく、−１０〜２５℃であることがより好ましい。なお、ダイボンドフィルムは低温である方が、破断伸びが少なく、破断し易いため、ダイボンドフィルムの破断不良による歩留低下を防ぐ点において、エキスパンド温度は、より低温であることが好ましい。

このように、ダイシングシート付きダイボンドフィルム１０に引張張力を加えることにより、半導体ウエハ４の改質領域４Ｌを起点として半導体ウエハ４の厚さ方向に割れを発生させるとともに、半導体ウエハ４と密着するダイボンドフィルム１６を破断させることができ、ダイボンドフィルム１６付きの半導体チップ５を得ることができる。

上述の通り、本実施形態では、半導体ウエハ４にダイシングシート付きダイボンドフィルム１０を貼り付けた状態で、半導体ウエハ４の裏面にレーザー光により改質領域を形成することができる。そして、改質領域４Ｌを形成した後は、半導体ウエハ４がダイシングシート付きダイボンドフィルム１０から剥がされることなく、その状態で、半導体ウエハ４とダイボンドフィルム１６とが分割予定ラインにて破断される（工程Ｃ）。すなわち、改質領域４Ｌを形成した後は、半導体ウエハ４が単体の状態とされることはない。従って、分割予定ライン以外の箇所で、割れや欠けが発生することを抑制することができる。

次に、ダイシングシート付きダイボンドフィルム１０に接着固定された半導体チップ５を剥離する為に、半導体チップ５のピックアップを行う（ピックアップ工程）。ピックアップの方法としては特に限定されず、従来公知の種々の方法を採用できる。例えば、個々の半導体チップ５をダイシングシート付きダイボンドフィルム１０側からニードルによって突き上げ、突き上げられた半導体チップ５をピックアップ装置によってピックアップする方法等が挙げられる。

ピックアップ条件としては、特に限定されないが、チッピング防止の点で、ニードル突き上げ速度を５〜１００ｍｍ／秒とすることが好ましく、５〜１０ｍｍ／秒とすることがより好ましい。

ここでピックアップは、粘着剤層１４が放射線硬化型であり、且つ、放射線が予め照射されていない場合、該粘着剤層１４に紫外線等の放射線を照射した後に行ってもよい。これにより、粘着剤層１４のダイボンドフィルム１６に対する粘着力が低下し、半導体チップ５の剥離が容易になる。その結果、半導体チップ５を損傷させることなくピックアップが可能となる。紫外線照射の際の照射強度、照射時間等の条件は特に限定されず、適宜必要に応じて設定すればよい。また、紫外線照射に使用する光源としては、前述のものを使用することができる。

次に、図８に示すように、ピックアップした半導体チップ５を、ダイボンドフィルム１６を介して被着体６に仮固着する（固定工程）。被着体６としては、リードフレーム、ＴＡＢフィルム、基板又は別途作製した半導体チップ等が挙げられる。被着体６は、例えば、容易に変形されるような変形型被着体であってもよく、変形することが困難である非変形型被着体（半導体ウエハ等）であってもよい。

前記基板としては、従来公知のものを使用することができる。また、前記リードフレームとしては、Ｃｕリードフレーム、４２Ａｌｌｏｙリードフレーム等の金属リードフレームやガラスエポキシ、ＢＴ（ビスマレイミド−トリアジン）、ポリイミド等からなる有機基板を使用することができる。しかし、本発明はこれに限定されるものではなく、半導体チップをマウントし、半導体チップと電気的に接続して使用可能な回路基板も含まれる。

次に、被着体６の端子部（インナーリード）の先端と半導体チップ５上の電極パッド（図示しない）とをボンディングワイヤー７で電気的に接続するワイヤーボンディングを行う（ワイヤーボンディング工程）。前記ボンディングワイヤー７としては、例えば金線、アルミニウム線又は銅線等が用いられる。ワイヤーボンディングを行う際の温度は、８０〜２５０℃、好ましくは８０〜２２０℃の範囲内で行われる。また、その加熱時間は数秒〜数分間行われる。結線は、前記温度範囲内となる様に加熱された状態で、超音波による振動エネルギーと印加加圧による圧着工ネルギーの併用により行われる。本工程は、ダイボンドフィルム１６の熱硬化を行うことなく実行することができる。また、本工程の過程でダイボンドフィルム１６により半導体チップ５と被着体６とが固着することはない。

次に、封止樹脂８により半導体チップ５を封止する（封止工程）。本工程は、被着体６に搭載された半導体チップ５やボンディングワイヤー７を保護する為に行われる。本工程は、封止用の樹脂を金型で成型することにより行う。封止樹脂８としては、例えばエポキシ系の樹脂を使用する。樹脂封止の際の加熱温度は、通常１７５℃で６０〜９０秒間行われるが、本発明はこれに限定されず、例えば１６５〜１８５℃で、数分間キュアすることができる。これにより、封止樹脂を硬化させると共に、ダイボンドフィルム１６を介して半導体チップ５と被着体６とを固着させる。即ち、本発明に於いては、後述する後硬化工程が行われない場合に於いても、本工程に於いてダイボンドフィルム１６による固着が可能であり、製造工程数の減少及び半導体装置の製造期間の短縮に寄与することができる。

前記後硬化工程に於いては、前記封止工程で硬化不足の封止樹脂８を完全に硬化させる。封止工程に於いてダイボンドフィルム１６が完全に熱硬化していない場合でも、本工程に於いて封止樹脂８と共にダイボンドフィルム１６の完全な熱硬化が可能となる。本工程に於ける加熱温度は、封止樹脂の種類により異なるが、例えば１６５〜１８５℃の範囲内であり、加熱時間は０．５〜８時間程度である。

上述した実施形態では、ダイボンドフィルム１６付き半導体チップ５を被着体６に仮固着した後、ダイボンドフィルム１６を完全に熱硬化させることなくワイヤーボンディング工程を行う場合について説明した。しかしながら、本発明においては、被着体６に、ダイボンドフィルム１６付き半導体チップ５を仮固着時した後、ダイボンドフィルム１６を熱硬化させ、その後、ワイヤーボンディング工程を行う通常のダイボンド工程を行うこととしてもよい。

なお、本発明のダイシングシート付きダイボンドフィルムは、複数の半導体チップを積層して３次元実装をする場合にも好適に用いることができる。このとき、半導体チップ間にダイボンドフィルムとスペーサとを積層させてもよく、スペーサを積層することなく、ダイボンドフィルムのみを半導体チップ間に積層させてもよく、製造条件や用途等に応じて適宜変更可能である。

上述した実施形態では、半導体ウエハの裏面研削を行なう場合について説明した。しかしながら、本発明においては、この例に限定されず半導体ウエハの裏面研削を行わないこととしてもよい。この場合、バックグラインドテープ４４と同様の保護テープを用いて、半導体ウエハの表面を前記保護テープに貼り付けた後、裏面研削を行なうことなく、半導体ウエハの裏面にダイシングシート付きダイボンドフィルムを貼り付け、その後、レーザー光により改質領域を形成し、前記保護テープを剥離してから、分割予定ラインにて半導体ウエハとダイボンドフィルムとを破断させてもよい。また、半導体ウエハの表面には何も貼り付けずに、半導体ウエハの裏面にダイシングシート付きダイボンドフィルムを貼り付け、その後、ダイシングシート付きダイボンドフィルム側からレーザー光を照射して改質領域を形成し、最後に、分割予定ラインにて半導体ウエハとダイボンドフィルムとを破断させてもよい。

以下に、この発明の好適な実施例を例示的に詳しく説明する。但し、この実施例に記載されている材料や配合量等は、特に限定的な記載がない限りは、この発明の要旨をそれらのみに限定する趣旨のものではない。なお、以下において、部とあるのは重量部を意味する。

＜ダイボンドフィルムの作製＞
（実施例１）
下記（ａ）〜（ｄ）をメチルエチルケトンに溶解させ、濃度２３重量％の接着剤組成物溶液を得た。
（ａ）エチルアクリレート、ブチルアクリレート、及び、アクリロニトリルを主モノマーとするアクリル酸エステル共重合体（ナガセケムテックス（株）社製、商品名：ＳＧ−７００ＡＳ、各主モノマーの含有量：エチルアクリレート３８重量％、ブチルアクリレート４０重量％、アクリロニトリル１７重量％）
７０部
（ｂ）エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製、製品名：ＨＰ−７２００Ｌ）
２６部
（ｃ）フェノール樹脂（明和化成（株）社製、製品名：ＭＥＨ−７８００Ｈ、軟化点：８４℃）
２４部
（ｄ）フィラー（アドマテックス社製、製品名：ＹＡ０１０Ｃ−ＳＭ１、平均粒径：０．０１μｍ）
２０部

この接着剤組成物溶液を、シリコーン離型処理した厚さが３８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム（剥離ライナー）上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させた。これにより、厚さ２０μｍのダイボンドフィルムＡを作製した。

（実施例２）
下記（ａ）〜（ｄ）をメチルエチルケトンに溶解させ、濃度２３重量％の接着剤組成物溶液を得た。
（ａ）エチルアクリレート、ブチルアクリレート、及び、アクリロニトリルを主モノマーとするアクリル酸エステル共重合体（ナガセケムテックス（株）社製、商品名：ＳＧ−Ｐ３、各主モノマーの含有量：エチルアクリレート３０重量％、ブチルアクリレート３９重量％、アクリロニトリル２８重量％）
５５部
（ｂ）エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製、製品名：ＨＰ−４７００）
２６部
（ｃ）フェノール樹脂（明和化成（株）社製、製品名：ＭＥＨ−７８００−４Ｌ、軟化点：６０℃）
２４部
（ｄ）フィラー（アドマテックス社製、製品名：ＳＯ−Ｅ５、平均粒径：０．５μｍ）
３０部

この接着剤組成物溶液を、シリコーン離型処理した厚さが３８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム（剥離ライナー）上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させた。これにより、厚さ２０μｍのダイボンドフィルムＢを作製した。

（比較例１）
下記（ａ）〜（ｄ）をメチルエチルケトンに溶解させ、濃度２３重量％の接着剤組成物溶液を得た。
（ａ）ブチルアクリレート、及び、アクリロニトリルを主モノマーとするアクリル酸エステル共重合体（ナガセケムテックス（株）社製、商品名：ＳＧ−７００ＡＳ、各主モノマーの含有量：エチルアクリレート３８重量％、ブチルアクリレート４０重量％、アクリロニトリル１７重量％）
１７０部
（ｂ）エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製、製品名：ＨＰ−７２００Ｌ）
２６部
（ｃ）フェノール樹脂（明和化成（株）社製、製品名：ＭＥＨ−７８００Ｈ、軟化点：８４℃）
２４部
（ｄ）フィラー（アドマテックス社製、製品名：ＳＯ−Ｅ５、平均粒径：１．５μｍ）
１７５部

この接着剤組成物溶液を、シリコーン離型処理した厚さが３８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム（剥離ライナー）上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させた。これにより、厚さ２０μｍのダイボンドフィルムＣを作製した。

（比較例２）
下記（ａ）〜（ｄ）をメチルエチルケトンに溶解させ、濃度２３重量％の接着剤組成物溶液を得た。
（ａ）エチルアクリレート、ブチルアクリレート、及び、アクリロニトリルを主モノマーとするアクリル酸エステル共重合体（ナガセケムテックス（株）社製、商品名：ＳＧ−７００ＡＳ、各主モノマーの含有量：エチルアクリレート３８重量％、ブチルアクリレート４０重量％、アクリロニトリル１７重量％）
５０部
（ｂ）エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製、製品名：ＨＰ−７２００Ｌ）
５４部
（ｃ）フェノール樹脂（明和化成（株）社製、製品名：ＭＥＨ−８０００Ｈ、軟化点：−１５℃未満）
５６部
（ｄ）フィラー（アドマテックス社製、製品名：ＳＯ−Ｅ３、平均粒径：０．５μｍ）
５部

この接着剤組成物溶液を、シリコーン離型処理した厚さが３８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム（剥離ライナー）上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させた。これにより、厚さ２０μｍのダイボンドフィルムＤを作製した。

（ダイボンドフィルムの波長１０６５ｎｍにおける光線透過率の測定）
実施例、及び、比較例に係るダイボンドフィルムの波長１０６５ｎｍにおける光線透過率を測定した。具体的には、実施例、及び、比較例に係るダイボンドフィルム（厚さ：２０μｍ）を下記の条件にて測定し、１０６５ｎｍでの光線透過率（％）を求めた。結果を表１に示す。
＜光線透過率測定条件＞
測定装置： 紫外可視近赤外分光光度計Ｖ−６７０ＤＳ（日本分光株式会社製）
波長走査速度： ２０００ｎｍ／分
測定範囲： ３００〜１２００ｎｍ
積分球ユニット： ＩＳＮ−７２３
スポット径： １ｃｍ角

（ダイボンドフィルムの−１５℃での引張破断応力の測定）
実施例、及び、比較例に係るダイボンドフィルムの−１５℃での引張破断応力を測定した。具体的には、実施例、比較例のダイボンドフィルムについて、厚みが２００μｍとなるように積層し、それぞれ初期長さ４０ｍｍ、幅１０ｍｍの短冊状の測定片となる様に切断した。次に、オートグラフ（島津製作所社製）を用いて引張速度５０ｍｍ／分、チャック間距離１０ｍｍの条件下で、−１５℃における引張破断応力を測定した。結果を表１に示す。

（ダイボンドフィルムの−１５℃での引張破断伸度の測定）
実施例、及び、比較例に係るダイボンドフィルムの−１５℃での引張破断伸度を測定した。具体的には、実施例、比較例のダイボンドフィルムについて、それぞれ初期長さ４０ｍｍ、幅１０ｍｍの短冊状の測定片となる様に切断した。次に、オートグラフ（島津製作所社製）を用いて引張速度５０ｍｍ／分、チャック間距離１０ｍｍの条件下で、−１５℃における引張破断伸度を測定した。結果を表１に示す。

（ダイボンドフィルムの損失正接ｔａｎδのピーク温度の測定）
実施例、及び、比較例に係るダイボンドフィルムの損失正接ｔａｎδのピーク温度を測定した。具体的には、実施例、比較例のダイボンドフィルムについて、それぞれ厚さ２００μｍに積層し、幅１０ｍｍ、長さ４０ｍｍを測定サンプルとした。次に、動的粘弾性測定装置（ＲＳＡ（ＩＩＩ）、レオメトリックサイエンティフィック社製）を用いて、−５０〜３００℃での貯蔵弾性率（Ｅ’）及び損失弾性率（Ｅ”）を、チャック間距離２２．５ｍｍ、周波数１Ｈｚ、昇温速度１０℃／分の条件下にて測定した。また、貯蔵弾性率（Ｅ’）及び損失弾性率（Ｅ”）より、以下の計算式により損失正接ｔａｎδを算出した。
損失正接ｔａｎδ＝Ｅ”／Ｅ’
算出した損失正接（ｔａｎδ）を温度に対してプロットすることによって損失正接曲線を作成し、ピーク温度を得た。結果を表１に示す。

＜ダイシングシート＞
（実施例１）
実施例１に係るダイシングシートＡを下記のようにして準備した。

冷却管、窒素導入管、温度計及び撹拌装置を備えた反応容器に、アクリル酸２−エチルヘキシル（２ＥＨＡ）７０部、アクリル酸２−ヒドロキシエチル（ＨＥＡ）２５部、過酸化ベンゾイル０．２部、及び、トルエン６０部を入れ、窒素気流中で６１℃にて６時間重合処理をし、アクリル系ポリマーＡを得た。
このアクリル系ポリマーＡに２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（ＭＯＩ）１０部を加え、空気気流中で５０℃にて４８時間、付加反応処理をし、アクリル系ポリマーＡ’を得た。
次に、アクリル系ポリマーＡ’１００部に対し、光重合開始剤（商品名「イルガキュア６５１」、チバ・スペシャルティー・ケミカルズ社製）４部を加えて、粘着剤溶液を作製した。
前記で調製した粘着剤溶液を、ＰＥＴ剥離ライナーのシリコーン処理を施した面上に塗布し、１２０℃で２分間加熱架橋して、厚さ２０μｍの粘着剤層前駆体を形成した。次いで、ポリプロピレン層（厚さ４０μｍ）とポリエチレン層（厚さ４０μｍ）の２層構造を有する厚さ８０μｍの基材フィルムを準備し、当該粘着剤前駆体表面にポリプロピレン層を貼り合わせ面として基材フィルムを貼り合わせた。粘着剤層前駆体の半導体ウェハ貼り付け部分（直径２００ｍｍ）に相当する部分（直径２２０ｍｍ）にのみ紫外線を５００ｍＪ照射して、粘着剤層を形成した。これにより、実施例１に係るダイシングシートＡを得た。

（実施例２）
実施例２に係るダイシングシートＢを下記のようにして準備した。

冷却管、窒素導入管、温度計及び撹拌装置を備えた反応容器に、アクリル酸２−エチルヘキシル（２ＥＨＡ）７５部、アクリル酸２−ヒドロキシエチル（ＨＥＡ）２０部、過酸化ベンゾイル０．２部、及び、トルエン６０部を入れ、窒素気流中で６１℃にて６時間重合処理をし、アクリル系ポリマーＢを得た。
このアクリル系ポリマーＢに２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（ＭＯＩ）８部を加え、空気気流中で５０℃にて４８時間、付加反応処理をし、アクリル系ポリマーＢ’を得た。
次に、アクリル系ポリマーＢ’１００部に対し、イソシアネート系架橋剤（商品名「コロネートＬ」、日本ポリウレタン（株）製）１部、及び、光重合開始剤（商品名「イルガキュア６５１」、チバ・スペシャルティー・ケミカルズ社製）４部を加えて、粘着剤溶液を作製した。
前記で調製した粘着剤溶液を、ＰＥＴ剥離ライナーのシリコーン処理を施した面上に塗布し、１２０℃で２分間加熱架橋して、厚さ３０μｍの粘着剤層前駆体を形成した。次いで、ポリプロピレン層（厚さ４０μｍ）とポリエチレン層（厚さ４０μｍ）の２層構造を有する厚さ８０μｍの基材フィルムを準備し、当該粘着剤前駆体表面にポリプロピレン層を貼り合わせ面として基材フィルムを貼り合わせた。その後、５０℃にて２４時間保存をした。粘着剤層前駆体の半導体ウェハ貼り付け部分（直径２００ｍｍ）に相当する部分（直径２２０ｍｍ）にのみ紫外線を５００ｍＪ照射して、粘着剤層を形成した。これにより、実施例２に係るダイシングシートＢを得た。

（比較例１）
比較例１に係るダイシングシートとして、実施例１と同様のダイシングシートＡを準備した。

（比較例２）
比較例２に係るダイシングシートとして、実施例２と同様のダイシングシートＢを準備した。

＜ダイシングシート付きダイボンドフィルムの作製＞
（実施例１）
ダイボンドフィルムＡと、ダイシングシートＡとを貼り合わせて、実施例１に係るダイシングシート付きダイボンドフィルムＡとした。貼り合わせ条件は、４０℃、１０ｍｍ／秒、線圧３０ｋｇｆ／ｃｍとした。

（実施例２）
ダイボンドフィルムＢと、ダイシングシートＢとを貼り合わせて、実施例２に係るダイシングシート付きダイボンドフィルムＢとした。貼り合わせ条件は、４０℃、１０ｍｍ／秒、線圧３０ｋｇｆ／ｃｍとした。

（比較例１）
ダイボンドフィルムＣと、ダイシングシートＡとを貼り合わせて、比較例１に係るダイシングシート付きダイボンドフィルムＣとした。貼り合わせ条件は、４０℃、１０ｍｍ／秒、線圧３０ｋｇｆ／ｃｍとした。

（比較例２）
ダイボンドフィルムＤと、ダイシングシートＢとを貼り合わせて、比較例２に係るダイシングシート付きダイボンドフィルムＤとした。貼り合わせ条件は、４０℃、１０ｍｍ／秒、線圧３０ｋｇｆ／ｃｍとした。

（ダイシングシート付きダイボンドフィルムの波長１０６５ｎｍにおける光線透過率の測定）
実施例、及び、比較例に係るダイシングシート付きダイボンドフィルムの波長１０６５ｎｍにおける光線透過率を測定した。具体的には、実施例、及び、比較例に係るダイシングシート付きダイボンドフィルム（厚さ：実施例１、及び、比較例１は、１２０μｍ、実施例２、及び、比較例２は、１３０μｍ）を下記の条件にて測定し、１０６５ｎｍでの光線透過率（％）を求めた。結果を表１に示す。
＜光線透過率測定条件＞
測定装置： 紫外可視近赤外分光光度計Ｖ−６７０ＤＳ（日本分光株式会社製）
波長走査速度： ２０００ｎｍ／分
測定範囲： ３００〜１２００ｎｍ
積分球ユニット： ＩＳＮ−７２３
スポット径： １ｃｍ角

（ウエハ割れ数評価）
半導体ウエハ（直径：１２インチ、厚さ：７５０μｍ）をバックグランドテープ（日東電工社製、製品名：ＵＢ−３１０２Ｄ）に貼り付けた。貼り付け条件は、５０℃、１０ｍｍ／秒、線圧３０ｋｇｆ／ｃｍとした。
次に、半導体ウエハのバックグランドテープが貼り付けられた面とは反対側の面に、実施例、及び、比較例に係るダイシングシート付きダイボンドフィルムを貼り付けた。貼り付け条件は、６０℃、１０ｍｍ／秒、線圧３０ｋｇｆ／ｃｍとした。
次に、レーザー加工装置として株式会社東京精密製、ＭＬ３００−Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎを用いて、ダイシングシート付きダイボンドフィルム側から半導体ウエハの内部に集光点を合わせ、格子状（１０ｍｍ×１０ｍｍ）の分割予定ラインに沿ってレーザー光を照射し、半導体ウエハの内部に改質領域を形成した。また、レーザー光照射条件は、下記のようにして行った。その後、エキスパンドを行なった。エキスパンド条件は、−１５℃、エキスパンド速度２００ｍｍ／秒、エキスパンド量１５ｍｍとした。この試験を各実施例、比較例に対して１０回行なった。エキスパンド後に、目視にて、分割予定ライン以外の箇所でウエハに割れが確認された回数をカウントした。結果を表１に示す。
（Ａ）レーザー光
レーザー光源 半導体レーザー励起Ｎｄ：ＹＡＧレーザー
波長 １０６４ｎｍ
レーザー光スポット断面積 ３．１４×１０^−８ｃｍ^２
発振形態 Ｑスイッチパルス
繰り返し周波数 １００ｋＨｚ
パルス幅 ３０ｎｓ
出力 ２０μＪ／パルス
レーザー光品質 ＴＥＭ００ ４０
偏光特性 直線偏光
（Ｂ）集光用レンズ
倍率 ５０倍
ＮＡ ０．５５
レーザー光波長に対する透過率 ６０％
（Ｃ）半導体基板が載置される裁置台の移動速度 １００ｍｍ／秒

１０ ダイシングシート付きダイボンドフィルム
１１ ダイシングシート
１２ 基材
１４ 粘着剤層
１６ ダイボンドフィルム
４ 半導体ウエハ
５ 半導体チップ
６ 被着体
７ ボンディングワイヤー
８ 封止樹脂

Claims (12)

1. 波長１０６５ｎｍにおける光線透過率が８０％以上であることを特徴とするダイボンドフィルム。
2. ダイシングシート上に請求項１に記載のダイボンドフィルムが設けられたダイシングシート付きダイボンドフィルムであって、
   前記ダイシングシート付きダイボンドフィルムの波長１０６５ｎｍにおける光線透過率が５０％以上であることを特徴とするダイシングシート付きダイボンドフィルム。
3. 前記ダイボンドフィルムの−１５℃での引張破断応力が５０Ｎ／ｍｍ^２以下であることを特徴とする請求項２のダイシングシート付きダイボンドフィルム。
4. 前記ダイボンドフィルムの−１５℃での引張破断伸度が３０％以下であることを特徴とする請求項２又は３に記載のダイシングシート付きダイボンドフィルム。
5. 前記ダイボンドフィルムは、軟化点が−１５℃以上であるフェノール樹脂を含有することを特徴とする請求項２〜４のいずれか１に記載のダイシングシート付きダイボンドフィルム。
6. 前記ダイボンドフィルムの損失正接ｔａｎδのピーク温度が−１５℃以上５０℃未満であることを特徴とする請求項２〜５のいずれか１に記載のダイシングシート付きダイボンドフィルム。
7. 前記ダイボンドフィルムは、アルキルアクリレート、又は、アルキルメタクリレートを５０重量％以上の割合で含むモノマー原料を重合して得られるアクリル系共重合体を含有することを特徴とする請求項２〜６のいずれか１に記載のダイシングシート付きダイボンドフィルム。
8. 前記ダイシングシートは、基材と粘着剤層とから構成されており、
   前記粘着剤層は、アルキルアクリレート、又は、アルキルメタクリレートを５０重量％以上の割合で含むモノマー原料を重合して得られるアクリル系共重合体を含有することを特徴とする請求項２〜７のいずれか１に記載のダイシングシート付きダイボンドフィルム。
9. 請求項１に記載のダイボンドフィルム、又は、請求項２〜８のいずれか１に記載のダイシングシート付きダイボンドフィルムを用いて製造されたことを特徴とする半導体装置。
10. 請求項２〜９のいずれか１に記載のダイシングシート付きダイボンドフィルムを用いた半導体装置の製造方法であって、
    半導体ウエハの裏面に、前記ダイシングシート付きダイボンドフィルムを貼り合わせる工程Ａと、
    前記ダイシングシート付きダイボンドフィルム側から前記半導体ウエハにレーザー光を照射して、前記半導体ウエハの分割予定ライン上に改質領域を形成する工程Ｂと、
    前記ダイシングシート付きダイボンドフィルムに引張張力を加えることにより、前記半導体ウエハと前記ダイシングシート付きダイボンドフィルムを構成するダイボンドフィルムとを前記分割予定ラインにて破断し、半導体チップを形成する工程Ｃとを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
11. 半導体ウエハの表面にバックグラインドテープを貼り付ける工程Ａ−１と、
    前記バックグラインドテープの保持下で前記半導体ウエハの裏面研削を行なう工程Ａ−２とを有し、
    前記工程Ａ−１、及び、前記工程Ａ−２の後に、前記工程Ａ〜前記工程Ｃを行なうことを特徴とする請求項１０に記載の半導体装置の製造方法。
12. 前記工程Ｂの後に、前記バックグラインドテープを前記半導体ウエハから剥離する工程Ｂ−１を有し、
    前記工程Ｂ−１の後に、前記工程Ｃを行なうことを特徴とする請求項１１に記載の半導体装置の製造方法。

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