JP2019197869A - Daf貼着装置 - Google Patents
Daf貼着装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2019197869A JP2019197869A JP2018092458A JP2018092458A JP2019197869A JP 2019197869 A JP2019197869 A JP 2019197869A JP 2018092458 A JP2018092458 A JP 2018092458A JP 2018092458 A JP2018092458 A JP 2018092458A JP 2019197869 A JP2019197869 A JP 2019197869A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- daf
- wafer
- laser beam
- roller
- adhesive sheet
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 88
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 88
- 238000004804 winding Methods 0.000 claims description 10
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 abstract description 7
- 230000035699 permeability Effects 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 54
- 230000008569 process Effects 0.000 description 53
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 28
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 19
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 17
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 16
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 11
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 10
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 9
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 9
- 230000006870 function Effects 0.000 description 7
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 7
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 2
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000003522 acrylic cement Substances 0.000 description 1
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 1
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000009300 dissolved air flotation Methods 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Laser Beam Processing (AREA)
- Dicing (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
【課題】デイバスチップごとにDAFが分割される被加工物を加工する際の所要時間の長期化を抑制すること。【解決手段】被加工物を保持する保持テーブルと、ロール状に巻回されたDAFが装着される送り出し手段と、DAFを巻き取る巻き取り手段と、前記保持テーブルに保持された被加工物上を揺動し、DAFを被加工物に貼着する貼着ローラとを少なくとも備えるDAF貼着装置において、DAFの被加工物に貼着される被貼着部分と対向し、かつDAFが透過性を有する波長のレーザー光線を該DAFの内部に焦点を合わせた状態で照射するレーザー光線照射ユニットを備える。【選択図】図1
Description
本発明は、被加工物にDAFを貼着するDAF貼着装置に関する。
半導体ウエーハや光デバイスウエーハなどの被加工物を個々のデバイスチップに分割した後、デバイスチップを基盤などに固定するためのDAF(Die Attached Film)が用いられている(例えば特許文献1参照)。また、半導体ウエーハや光デバイスウエーハなどの被加工物に粘着テープを貼着する装置が知られている(例えば特許文献2参照)。
被加工物の加工方法の1つとして知られるSDBG(Stealth Dicing Before Grinding)工程は、分割予定ラインに沿って内部に改質層が形成された被加工物の裏面にDAF及び支持テープを貼着した後に、支持テープを拡張して、被加工物及びDAFを個々のデバイスチップ毎に分割する。
また、特許文献1などに記載された被加工物の加工方法であるDBG(Dicing Before Grinding)と、DAFをレーザー光線などにより切断する工程とを組み合わせた工程は、個々のデバイスチップに分割された被加工物の裏面にDAFを貼着した後に、分割溝から露出するDAFに対してアブレーション加工などを実施することにより、DAFをデバイスチップ毎に分割する。
SDBG工程は、加工条件によっては、DAFをデバイスチップ毎に完全に分割できないおそれがある。また、特許文献1などに記載されたDBGとDAFの切断とを組み合わせた工程は、被加工物の裏面を研削する時にデバイスチップのずれが生じた場合、デバイスチップに生じたずれに応じてDAFを分割するためのアライメントを改めて実施する必要がある。また、特許文献1などに記載されたDBGとDAFの切断とを組み合わせた工程は、DAFを分割するためにDAFに対してアブレーション加工を施す。このように、特許文献1などに記載されたDBGとDAFの切断とを組み合わせた工程は、DAFを分割するためのアライメントや、DAFを分割するためのアブレーション加工などにより、被加工物を加工する際の所要時間が長時間化する。
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、効率的に分割可能なDAFを被加工物に貼着できるDAF貼着装置を提供することを目的とする。
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、DAFの被加工物に貼着される被貼着部分と対向し、かつDAFが透過性を有する波長のレーザー光線を該DAFの内部に焦点を合わせた状態で照射するレーザー光線照射ユニットを備えることを特徴とするDAF貼着装置を提供できる。
本発明の構成によれば、DAFが透過性を有する波長のレーザー光線を該DAFの内部に焦点を合わせた状態で照射するレーザー光線照射ユニットを備えるので、DAFを装着する際にDAFの内部に改質層を形成できる。これにより、DAFの内部に形成した改質層を破断起点としてDAFを効率的に分割できるので、DAFを分割するためのアライメントやアブレーション加工が不要となる結果、被加工物を加工する際の所要時間の長期化を抑制できる。また、DAFが透過性を有する波長のレーザー光線を該DAFの内部に焦点を合わせた状態で照射するので、レーザー光線がデバイスチップに干渉することを防止できる。
本発明において、DAFは、エキスパンドテープに積層された粘着性部材であってもよい。本発明の構成によれば、被加工物にエキスパンドテープを貼着する際にDAFを貼着できる。
また、上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、被加工物を保持する保持テーブルと、ロール状に巻回されたDAFが装着される送り出し手段と、DAFを巻き取る巻き取り手段と、保持テーブルに保持された被加工物上を揺動し、DAFを被加工物に貼着する貼着ローラとを少なくとも備えるDAF貼着装置において、DAFの被加工物に貼着される被貼着部分と対向し、かつDAFが透過性を有する波長のレーザー光線を該DAFの内部に焦点を合わせた状態で照射するレーザー光線照射ユニットを備えることを特徴とするDAF貼着装置を提供できる。
本発明の構成によれば、DAFが透過性を有する波長のレーザー光線を該DAFの内部に焦点を合わせた状態で照射するレーザー光線照射ユニットを備えるので、DAFを装着する際にDAFの内部に改質層を形成できる。これにより、デイバスチップごとにDAFを分割するためのアブレーション加工を被加工物に施す必要がなく、被加工物を加工する際の所要時間の長期化を抑制できる。また、DAFが透過性を有する波長のレーザー光線を該DAFの内部に焦点を合わせた状態で照射するので、レーザー光線がデバイスチップに干渉することを防止できる。
本発明において、DAFは、エキスパンドテープに積層された粘着性部材であってもよい。本発明の構成によれば、被加工物にエキスパンドテープを貼着する際にDAFを貼着できる。
本発明によれば、DAFが貼着された被加工物を加工する際の所要時間の長期化を抑制できる。
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施形態を詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。
図1は、本実施形態に係るDAF貼着装置1の概略構成を模式的に示す一部断面図である。図2は、本実施形態に係るDAF貼着装置1の概略構成を模式的に示す平面図である。図3は、本実施形態に係る粘着シート111の一例を示す斜視図である。図4は、図3に示す粘着シート111のI‐I線断面を示す図である。図1は、DAF貼着装置1の一部を図1及び図2に示すY軸方向に平行な方向から見たときの概略構成を示し、図2は、DAF貼着装置1の一部を図1及び図2に示すZ軸方向に平行な方向から見たときの概略構成を示している。図1及び図2においては、本実施形態に係るDAF貼着装置1の構成の一部を適宜省略して示す。
DAF貼着装置1は基台104を有する。基台104はDAF貼着装置1の各部を支持する。DAF貼着装置1は、基台104の上方に、ロール状に巻回された粘着シート111がセットされる第1ローラ106が配置される。第1ローラ106には、粘着シート111の粘着面が下に向けられた状態、すなわち、粘着シート111の粘着面がウエーハ121及びフレーム133と平行に向い合わされた状態で、粘着シート111が送り出されるように、粘着シート111がセットされる。第1ローラ106は、粘着シート111を送り出す送り出し手段として機能する。
図3に例示するように、粘着シート111は、長尺なシート状の部材として成形されている。粘着シート111は、DAF115及びエキスパンドテープ117を含み、DAF115とエキスパンドテープ117とが一体に成形された複合タイプのシートである。粘着シート111は、粘着シート111の粘着面に貼着された剥離シート113を巻き込んでロール状に巻回されている。
図4に例示するように、エキスパンドテープ117は、合成樹脂で構成された樹脂層117a及び粘着層117bを有する。粘着層117bは樹脂層117aに積層される。粘着層117bは、所定の加工工程によって加工される被加工物であるウエーハ121の周囲に載置される環状のフレーム133に貼着される。エキスパンドテープ117は、ウエーハ121とフレーム133とを覆い隠すように、フレーム133の幅よりも幅広に成形される。樹脂層117aには厚さ100μm程度のポリオレフィン等を用いることができ、粘着層117bには厚さ10μm程度のアクリル樹脂系の糊等を用いることができる。エキスパンドテープ117の粘着層117bは粘着シート111の粘着面となる。
DAF115は、ダイボンティング用のフィルム状の粘着性部材であり、図4に例示するように、エキスパンドテープ117の粘着層117bに予め積層される。DAF115は被加工物であるウエーハ121の裏面に貼着される。DAF115は円盤状の外形を有し、ウエーハ121の裏面全体を覆った状態でウエーハ121に貼着できるように、ウエーハ121が有する直径よりも長い直径を有する。DAF115は、例えばアクリル系接着フィルムや、ポリイミド系接着フィルム等を用いることができる。DAF115は所定の間隔を空けて粘着シート111の中に複数設けられる。DAF115は粘着シート111の粘着面となる。
剥離シート113は、図4に例示するように、DAF115及びエキスパンドテープ117を覆うように、DAF115及びエキスパンドテープ117に貼着される。剥離シート113は、DAF115及び粘着層117bの表面を保護するとともに、粘着シート111がロール状に巻回されたときに、DAF115及び粘着層117bにより粘着シート111自体が張り付いてしまうことを防止する。剥離シート113は、ウエーハ121及びフレーム133に貼着される前に粘着シート111から取り除かれる。
図5は、本実施形態に係るウエーハ121の一例を示す斜視図である。ウエーハ121は、円盤状の外形を有する半導体ウエーハや光デバイスウエーハである。ウエーハ121は、シリコン、サファイア、SiC(炭化ケイ素)などを母材とする。図5に例示するように、形成される側の表面121Aと、ウエーハ121の表面121Aには、格子状に配列された分割予定ライン102が形成される。これらの分割予定ライン102により区画された複数のデバイス領域103に、IC(Integrated Circuit)などのデバイスが形成される。ウエーハ121の裏面121Bは、リードフレームなどの支持体にボンディングされる。
図6は、本実施形態に係る板状物200の一例を示す斜視図である。図6に例示するように、ウエーハ121及びフレーム133に粘着シート111を貼着することにより板状物200が生成される。粘着シート111は、DAF115を介してウエーハ121に間接的に貼着し、また、フレーム133に直接貼着する。板状物200において、ウエーハ121がフレーム133の内側に支持された状態となる。すなわち、ウエーハ121とフレーム133とが粘着シート111を介して一体化された部材となる。板状物200において、DAF115はウエーハ121の裏面121Bの全体を覆うように貼着される。ウエーハ121に対して、ウエーハ121の表面121Aに、分割予定ライン102に沿って切削された溝(図示せず)が形成されるDGB加工が実施される場合、複数のデバイスチップに分割された状態のウエーハ121の裏面121Bに粘着シート111が貼着された板状物200となる。また、ウエーハ121に対して、ウエーハ121の内部に分割予定ライン102に沿った改質層が形成されるSDBG加工が実施される場合、複数のデバイスチップに分割される前の状態のウエーハ121の裏面121Bに粘着シート111が貼着された板状物200となる。
第1ローラ106の下方には、粘着シート111から剥離シート113を剥離する剥離機構108と、剥離機構108により剥離された剥離シート113を巻き取る第2ローラ110とが配置される。第2ローラ110は、剥離シート113を巻き取ることができるように剥離シート113の一方の端部がセットされる。
剥離機構108の下方には、第3ローラ112と第4ローラ114とが配置される。第3ローラ112及び第4ローラ114の円筒状の外周面は、挿通される粘着シート111を介して間接的に接する。第3ローラ112は、図示しない駆動機構によって粘着シート111の送り方向d1に垂直な回転軸周りに回転できる。第3ローラ112は、粘着シート111を送り出すとき、方向r1に向かって回転する。第4ローラ114は、X軸方向に平行な方向に沿って第3ローラ112と隣接して配置される。第4ローラ114は第3ローラ112の回転運動に従って動作できる。
第3ローラ112及び第4ローラ114から、X軸方向に平行な方向にやや間隔を空けて、第5ローラ116及び第6ローラ118が配置される。第5ローラ116及び第6ローラ118の円筒状の外周面は、挿通される粘着シート111を介して間接的に接する。第5ローラ116は、図示しない駆動機構によって粘着シート111の送り方向d1に垂直な回転軸周りに回転できる。第5ローラ116は、粘着シート111を送り出すとき、方向r1に向かって回転する。第6ローラ118は、X軸方向に平行な方向に沿って第6ローラ118と隣接して配置される。第6ローラ118は第5ローラ116の回転運動に従って動作できる。
第5ローラ116及び第6ローラ118の上方には、第1ローラ106、第3ローラ112及び第5ローラ116によって送り出された粘着シート111を巻き取る巻き取り手段として機能する第7ローラ120が配置される。第7ローラ120は、粘着シート111の送り出しのタイミングに同期しながら、粘着シート111の巻き取りを実行する。第7ローラ120には、粘着シート111を巻き取ることができるように粘着シート111の一方の端部がセットされる。
DAF貼着装置1は、第1ローラ106、第3ローラ112及び第5ローラ116のそれぞれを制御する駆動回路(図示せず)を制御することにより、粘着シート111の送り出し量を調整する。DAF貼着装置1は、第7ローラ120を制御する駆動回路(図示せず)を制御することにより、粘着シート111の送り出しのタイミングと粘着シート111の巻き取りのタイミングとを同期させながら、粘着シート111の巻き取り量を調整する。また、DAF貼着装置1は、第3ローラ112又は第5ローラ116の回転方向を切り換えることにより粘着シート111に張力を付加できる。
第3ローラ112及び第5ローラ116の下方には、ウエーハ121及びフレーム133を吸引保持する保持テーブル122が設置される。
保持テーブル122は、例えば、ポーラス状の保持面を有し、この保持面に載置されたウエーハ121及びフレーム133を、吸引機構(図示せず)の負圧により吸引保持できる。保持テーブル122は、基台104と保持テーブル122との間に設けられた移動機構(図示せず)により、保持テーブル122をZ軸方向に平行な方向に移動可能である。この移動機構により、保持テーブル122は、ウエーハ121及びフレーム133に対して粘着シート111を貼着する処理が実施される際、所定の位置まで移動される。
第3ローラ112及び第5ローラ116により送り出される粘着シート111の粘着面、すなわち、DAF115及び粘着層117bは、ウエーハ121の裏面121B及びフレーム133に向い合せるようにして、ウエーハ121の裏面121B及びフレーム133に対して平行に位置付けられる。
保持テーブル122の上方には、レーザー光線照射ユニット150、貼着ローラ152、及び撮像装置154が配置される。レーザー光線照射ユニット150、貼着ローラ152、及び撮像装置154は、例えば同一の支持体に固定される。
レーザー光線照射ユニット150は、後述するフレームマウンティング工程において、ウエーハ121の裏面121Bに貼着されたDAF115に対してレーザー光線を照射する。レーザー光線照射ユニット150は、レーザー光線発振器、照射角度調整機構、及び集光機構を有してよい。レーザー光線発振器は、予め設定される周波数に基づいて、DAF115が透過性を有する波長のレーザー光線L1を発振する。レーザー光線発振器は、例えば、YAGレーザー発振器、或いはYXO4レーザー発振器を含んでよい。照射角度調整機構は、レーザー光線発振器から発振されたレーザー光線L1の光軸を偏向する。集光機構は、照射角度調整機構により偏向されたレーザー光線L1を集光するとともに、集光したレーザー光線L1の焦点(集光点)をDAF115の内部に合わせる。照射角度調整機構は、例えば、ガルバノミラーを含んでよい。焦点機構は、例えば、テレセントリックエフシータレンズを含んでよい。レーザー光線照射ユニット150は、移動機構などによりDAF115に対して相対的に移動可能に構成されてもよい。
貼着ローラ152は、後述するフレームマウンティング工程において、DAF115がウエーハ121の裏面121Bの全体を覆うように、ウエーハ121及びフレーム133に対して粘着シート111を貼着する。貼着ローラ152は、移動機構(図示せず)を備えており、例えば、Z軸方向に平行な方向(鉛直方向)及びX軸方向に平行な方向(水平方向)に移動できる。貼着ローラ152は、DAF115に対して相対的に移動できる。
撮像装置154は、保持テーブル122に載置されたウエーハ121及びDAF115などの画像を撮影する。撮像装置154は、例えば、CCD(Charge-Coupled Device)撮像素子又はCMOS(Complementary MOS)などの撮像素子を有する。
以下では、ウエーハ121に対してDBGプロセスを含む加工工程が実施されるときのDAF115の貼着処理について例示する。DBGプロセスを含む加工工程は、分割溝形成工程、表面保護部材貼着工程、裏面研磨工程、フレームマウンティング工程、表面保護部材剥離工程及びDAF分割工程で構成される。DAF貼着装置1は、これらの加工工程のうち、少なくとも、ウエーハ121に対してDAF115を貼着する処理を含むフレームマウンティング工程に対応する各処理を実行する。
分割溝形成工程は、切削装置(図示せず)が、ウエーハ121の表面121Aに形成された分割予定ライン102に沿って、ウエーハ121の厚み方向に溝入れを行う工程である。溝入れは、例えば、ウエーハ121の厚み方向の中間に到達するまで実行される。
分割溝形成工程に続いて、表面保護部材貼着工程が実施される。表面保護部材貼着工程は、溝入れが行われたウエーハ121の表面121Aに対して、ウエーハ121を保護する表面保護部材を貼着する工程である。表面保護部材は、例えばウエーハ121の同形状に予め成形されている。
表面保護部材貼着工程に続いて、裏面研磨工程が実施される。裏面研磨工程は、研削装置(図示せず)が、ウエーハ121に形成された溝に到達するまで、ウエーハ121の裏面121Bを研削することにより、ウエーハ121を個々のデバイスチップに分割する工程である。
裏面研磨工程に続いて、フレームマウンティング工程が実施される。フレームマウンティング工程は、個々のデイバスチップに分割されたウエーハ121を、粘着シート111を介してフレーム133の内側に支持することにより、ウエーハ121とフレーム133とを一体化させる工程である。本実施形態において、フレームマウンティング工程は、図6に示す板状物200を生成するために、貼着ローラ152を用いた粘着シート111の貼着処理、及びレーザー光線照射ユニット150を用いたレーザー光線の照射処理を実施する。
[粘着シートの貼着処理]
DAF貼着装置1は、裏面研磨工程により加工されたウエーハ121、及びウエーハ121の周囲に取り囲むように載置された環状のフレーム133を保持テーブル122に保持する。DAF貼着装置1は、第1ローラ106、第3ローラ112及び第5ローラ116により粘着シート111の送り出し量を制御しつつ、粘着シート111の送り出しを開始する。粘着シート111は、粘着面SF2をウエーハ121及びフレーム133に平行に向い合せた状態で送り出される。DAF貼着装置1は、DAF115が貼着位置に到達すると、粘着シート111の送り出しを停止する。貼着位置は、少なくとも、DAF115がウエーハ121の裏面121Bの全体を隙間なく覆うことができる位置であればよい。DAF貼着装置1は、撮像装置154により撮影される画像に基づいて貼着位置を調整できる。また、DAF貼着装置1は、第3ローラ112又は第5ローラ116を、粘着シート111を送り出すときの方向r1とは逆方向に回転させることにより、粘着シート111の貼付を行う前に、粘着シート111に張力を付加することができる。なお、DAF貼着装置1は、保持テーブル122をZ軸方向に平行な方向に移動させて、保持テーブル122上に保持されたウエーハ121及びフレーム133を粘着シート111に所定の距離まで接近させてもよい。
DAF貼着装置1は、裏面研磨工程により加工されたウエーハ121、及びウエーハ121の周囲に取り囲むように載置された環状のフレーム133を保持テーブル122に保持する。DAF貼着装置1は、第1ローラ106、第3ローラ112及び第5ローラ116により粘着シート111の送り出し量を制御しつつ、粘着シート111の送り出しを開始する。粘着シート111は、粘着面SF2をウエーハ121及びフレーム133に平行に向い合せた状態で送り出される。DAF貼着装置1は、DAF115が貼着位置に到達すると、粘着シート111の送り出しを停止する。貼着位置は、少なくとも、DAF115がウエーハ121の裏面121Bの全体を隙間なく覆うことができる位置であればよい。DAF貼着装置1は、撮像装置154により撮影される画像に基づいて貼着位置を調整できる。また、DAF貼着装置1は、第3ローラ112又は第5ローラ116を、粘着シート111を送り出すときの方向r1とは逆方向に回転させることにより、粘着シート111の貼付を行う前に、粘着シート111に張力を付加することができる。なお、DAF貼着装置1は、保持テーブル122をZ軸方向に平行な方向に移動させて、保持テーブル122上に保持されたウエーハ121及びフレーム133を粘着シート111に所定の距離まで接近させてもよい。
DAF115を貼着位置に位置付けた後、DAF貼着装置1は、貼着ローラ152を用いて、ウエーハ121及びフレーム133に粘着シート111を貼着させる。図7は、本実施形態に係るDGBが実施されたウエーハ121に粘着シート111を貼着する様子を模式的に示す一部断面図である。図7は、DBG加工が実施されたウエーハ121及びフレーム133の一部断面を含む。
図7に例示するように、DAF貼着装置1は、貼着ローラ152が粘着シート111を介してウエーハ121と間接的に接触するまでZ軸方向に平行な方向に貼着ローラ152移動させる。続いて、DAF貼着装置1は、貼着ローラ152で粘着シート111の非粘着面SF1をウエーハ121及びフレーム133に押し付けながら、貼着ローラ152を方向d2に往復移動させる揺動させることにより、ウエーハ121及びフレーム133に粘着シート111の粘着面SF2を貼着させる。すなわち、貼着ローラ152は、保持テーブル122に保持されたウエーハ121の上を揺動し、DAF115をウエーハ121に貼着できる。粘着シート111の非粘着面SF1は、DAF115及び粘着層117bが設けられる面とは逆側の面である。
[レーザー照射処理]
図8は、本実施形態に係るDGBが実施されたウエーハ121に貼着されたDAF115に対してレーザー光線L1を照射する様子を模式的に示す一部断面図である。図8は、DBG加工が実施されたウエーハ121及びフレーム133の一部断面を含む。
図8は、本実施形態に係るDGBが実施されたウエーハ121に貼着されたDAF115に対してレーザー光線L1を照射する様子を模式的に示す一部断面図である。図8は、DBG加工が実施されたウエーハ121及びフレーム133の一部断面を含む。
DAF貼着装置1は、DAF115の貼着完了後、DAF115とウエーハ121とが貼着する面を、レーザー光線L1の照射開始位置に位置付ける。例えば、DAF貼着装置1は、撮像装置154により撮影される画像に基づいて、DAF115の位置を特定し、DAF115の位置とレーザー光線照射ユニット150との位置に基づいて、レーザー光線L1の照射開始位置を決定できる。DAF貼着装置1は、レーザー光線照射ユニット150から照射するレーザー光線L1の焦点(集光点)P1を、DAF115の内部に合わせる。続いて、DAF貼着装置1は、レーザー光線照射ユニット150に対して、保持テーブル122を水平方向、すなわちX軸方向に平行な方向に相対移動させながら、ウエーハ121の裏面121Bの全体を覆うように貼着されたDAF115の全面に対してレーザー光線L1を照射する。DAF貼着装置1は、レーザー光線照射ユニット150によるレーザー光線L1の発振及び偏向を制御しつつ、DAF115の全面に対するレーザー光線L1の照射を実行できる。DAF貼着装置1は、例えば、レーザー光線L1の焦点(集光点)P1を、DAF115の送り方向d1(X軸方向)に対して垂直な方向(Y軸方向)に移動させながらレーザー光線L1を照射することができる。また、DAF貼着装置1は、レーザー光線L1を照射させつつ、保持テーブル122を方向d3に往復移動させることもできる。レーザー光線照射ユニット150からレーザー光線L1は、粘着シート111の非粘着面SF1から入射される。レーザー光線L1は、DAF115が透過性を有する波長の光線である。すなわち、レーザー光線照射ユニット150は、DAF115のウエーハ121に貼着される被貼着部分、すなわち、DAF115とウエーハ121とが貼着する面と対向し、かつDAF115が透過性を有する波長のレーザー光線L1をDAF115の内部に焦点を合わせた状態で照射する。
レーザー光線L1の照射によって、DAF115の内部に改質層が形成される。改質層は、密度、屈折率、機械的強度、その他の物理的特性が周囲とは異なる層のことをいう。DAF貼着装置1は、粘着シート111をウエーハ121及びフレーム133に貼着して、個々のデイバスチップに分割されたウエーハ121を、粘着シート111を介してフレーム133の内側に支持するフレームマウンティング工程においてDAF115の内部に、DAF115をデバイスチップ毎に分割する際の破断起点として機能する改質層を予め形成しておくことができる。
なお、DAFをデバイスチップごとに分割するためにレーザー光線によりDAFを切断する技術、すなわち、アブレーション加工では、DAFが吸収性を有するレーザー光線をウエーハ121などの被加工物の表面、すなわち、デバイスチップ側から照射するので、被加工物の厚みによっては、DAFを分割するためのレーザー光線がデバイス面に干渉してしまう場合がある。これに対して、本実施形態に係るDAF貼着装置1は、DAF115が透過性を有する波長のレーザー光線L1を、デバイスが配置されるウエーハ121の反対側の面、すなわち、ウエーハ121の裏面121B側から、DAF115の内部に焦点(集光点)P1を合わせた状態で照射するので、レーザー光線がデバイス面に干渉してしまう可能性を低減できる。
図8では、DAF貼着装置1が、DAF115に対して、粘着シート111の非粘着面SF1の側からレーザー光線L1を照射する例を示すが、この例に限定されるものではない。DAF貼着装置1は、板状物200を上下反転させて保持テーブル122に載置し、DAF115に対して、粘着シート111の粘着面SF2の側からレーザー光線L1を照射してもよい。
図8に例示するレーザー光線L1の照射が終了すると、DAF貼着装置1は、例えば、粘着シート111からウエーハ121及びフレーム133を切り離すために粘着シート111をフレーム133の外形に沿って環状に切り出す処理を実行して板状物200を生成し、フレームマウンティング工程を終了する。板状物200の切り出された残りの粘着シート111は、第7ローラ120により巻き取られる。
フレームマウンティング工程に続いて、表面保護部材剥離工程が実施される。表面保護部材剥離工程は、剥離装置(図示せず)により、板状物200のウエーハ121の表面121Aに貼着された表面保護部材を剥離する工程である。なお、フレームマウンティング工程が表面保護部材を剥離する処理を含んでもよい。
表面保護部材剥離工程に続いて、DAF分割工程が実施される。DAF分割工程は、拡張装置(図示せず)が、板状物200を面方向に拡張させる外力を付与することにより、DAF115をデバイスチップごとに分割する工程である。
上述してきたように、DAF貼着装置1は、個々のデイバスチップに分割されたウエーハ121を、粘着シート111を介してフレーム133の内側に支持するフレームマウンティング工程において、DAF115の内部にDAF115をデバイスチップ毎に分割する際の破断起点として機能する改質層を予め形成しておくことができる。このため、DAF貼着装置1は、拡張装置(図示せず)が、板状物200を面方向に拡張させる外力を付与することにより、DAF115をデバイスチップ毎に効率的に分割でき、DAF115をデバイスチップ毎に分割するためのアライメントが不要となる。このようなことから、DAF貼着装置1は、DAF115が貼着された被加工物を加工する際の所要時間の長期化を抑制できる。なお、DAF115に対してレーザー光線L1を照射する際、デバイスチップのカーフ(デバイスチップ間の溝)の位置を撮像装置154により認識し、カーフに合わせて照射しても良いし、カーフに合わせることなく、DAF115の全面に照射しても良い。
以下では、ウエーハ121に対してSDBGプロセスを含む加工工程が実施されるときのDAF115の貼着処理について例示する。SDBGプロセスを含む加工工程は、表面保護部材貼着工程、改質層形成工程、裏面研磨工程、フレームマウンティング工程、表面保護部材剥離工程、及びDAF分割工程で構成される。
表面保護部材貼着工程は、ウエーハ121の表面121Aに対して、ウエーハ121を保護する表面保護部材を貼着する工程である。
表面保護部材貼着工程に続いて実施される改質層形成工程は、ウエーハ121の分割予定ライン102に沿って、ウエーハ121が透過性を有する波長のレーザー光線を、ウエーハ121の内部に集点(集光点)を合わせて照射し、分割予定ライン102に沿った改質層をウエーハ121の内部に形成する工程である。ウエーハ121の内部に改質層を形成することにより、改質層を起点として、ウエーハ121の厚み方向に延びたクラックが発生する。クラックによるカーフ幅は切削装置(図示せず)により形成される分割溝よりも大幅に狭く、デバイスチップの取れ個数及び抗折強度の向上に大きく寄与する。
改質層形成工程に続いて実施される裏面研磨工程は、研削装置(図示せず)が、ウエーハ121の厚み方向に向かって所定の深さまでにウエーハ121の裏面121Bを研削する工程である。裏面研磨工程は、例えば、ウエーハ121の仕上げ厚さに応じた深さまでウエーハ121の裏面121Bを研削する。
裏面研磨工程に続いて実施されるフレームマウンティング工程は、DGBプロセスを含む加工工程がウエーハ121に対して実施される場合と同様に、粘着シート111の貼着処理及びレーザー光線の照射処理が実施される。図9は、本実施形態に係るSDGBが実施されたウエーハ121に粘着シート111を貼着する様子を模式的に示す一部断面図である。図10は、本実施形態に係るSDGBが実施されたウエーハ121に貼着されたDAF115に対してレーザー光線を照射する様子を模式的に示す一部断面図である。図9及び図10は、SDBG加工が実施されたウエーハ121及びフレーム133の一部断面を含む。
図9に例示するように、DAF貼着装置1は、DAF115を貼着位置に位置付けた後、貼着ローラ152で粘着シート111の非粘着面SF1を、改質層(図示せず)から厚み方向(Z軸方向)にのびたクラック121cを有するウエーハ121及びフレーム133に押し付けながら、貼着ローラ152を方向d2に揺動させることにより、ウエーハ121及びフレーム133に粘着シート111の粘着面SF2を貼着させる。続いて、図10に例示するように、DAF貼着装置1は、レーザー光線照射ユニット150から照射するレーザー光線L1の焦点(集光点)P1を、DAF115の内部に合わせる。続いて、DAF貼着装置1は、レーザー光線照射ユニット150に対して、保持テーブル122を水平方向、すなわちX軸方向に平行な方向に相対移動させながら、ウエーハ121の裏面121Bの全体を覆うように貼着されたDAF115の全面に対してレーザー光線L1を照射する。DAF貼着装置1は、レーザー光線照射ユニット150によるレーザー光線L1の発振及び偏向を制御しつつ、DAF115の全面に対するレーザー光線L1の照射を実行できる。DAF貼着装置1は、例えば、レーザー光線L1の焦点(集光点)P1を、DAF115の送り方向d1(X軸方向)に対して垂直な方向(Y軸方向)に移動させながらレーザー光線L1を照射することができる。また、DAF貼着装置1は、レーザー光線L1を照射させつつ、保持テーブル122を方向d3に往復移動させることもできる。レーザー光線照射ユニット150からレーザー光線L1は、粘着シート111の非粘着面SF1から入射される。レーザー光線L1は、DAF115が透過性を有する波長の光線である。レーザー光線L1によって、DAF115の内部に改質層が形成される。すなわち、レーザー光線照射ユニット150は、DAF115のウエーハ121に貼着される被貼着部分、すなわち、DAF115とウエーハ121とが貼着する面と対向し、かつDAF115が透過性を有する波長のレーザー光線L1をDAF115の内部に焦点を合わせた状態で照射する。DAF貼着装置1は、改質層(図示せず)から厚み方向(Z軸方向)にのびたクラック121cを有するウエーハ121を、粘着シート111を介してフレーム133の内側に支持するフレームマウンティング工程において、DAF115の内部に、DAF115をデバイスチップ毎に分割する際の破断起点として機能する改質層を予め形成しておくことができる。
図10に例示するレーザー光線L1の照射が終了すると、DAF貼着装置1は、例えば、粘着シート111からウエーハ121及びフレーム133を切り離すために粘着シート111をフレーム133の外形に沿って環状に切り出す処理を実行して板状物200を生成し、フレームマウンティング工程を終了する。板状物200の切り出された残りの粘着シート111は、第7ローラ120により巻き取られる。
フレームマウンティング工程に続いて、表面保護部材剥離工程が実施される。表面保護部材剥離工程は、剥離装置(図示せず)により、板状物200のウエーハ121の表面121Aに貼着された表面保護部材を剥離する工程である。なお、フレームマウンティング工程が表面保護部材を剥離する処理を含んでもよい。
表面保護部材剥離工程に続いて、DAF分割工程が実施される。DAF分割工程は、拡張装置(図示せず)が、板状物200を面方向に拡張させる外力を付与することにより、ウエーハ121及びDAF115をデバイスチップごとに分割する工程である。
上述したように、DAF貼着装置1は、改質層(図示せず)から厚み方向(Z軸方向)にのびたクラック121cを有するウエーハ121を、粘着シート111を介してフレーム133の内側に支持するフレームマウンティング工程において、DAF115の内部にDAF115をデバイスチップ毎に分割する際の破断起点として機能する改質層を予め形成しておくことができる。SDBGプロセスを含む工程では、DBGプロセスのようにウエーハ121がデバイスチップ毎に分割されていないのでDAF115を分割するためのアライメントが行われることはないが、加工条件によってDAF115が完全に分割されないおそれがある。これに対し、実施形態に係るDAF貼着装置1は、DAF115の内部にDAF115をデバイスチップ毎に分割する際の破断起点として機能する改質層を予め形成しておくことができるので、DAF115の内部に改質層が形成されていないものよりも分割が容易となる。このため、実施形態に係るDAF貼着装置1は、拡張装置(図示せず)によって、板状物200を面方向に拡張させる外力を付与することにより、DAF115をデバイスチップ毎に分割する際、DAF115を完全に分割できない事態をできるだけ回避できる。このようなことから、DAF貼着装置1は、DAF115が貼着された被加工物を加工する際の所要時間の長期化を抑制できる。なお、DAF115に対してレーザー光線L1を照射する際、デバイスチップのカーフの位置を撮像装置154により認識し、カーフに合わせて照射しても良いし、カーフに合わせることなく、DAF115の全面に照射しても良い。
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。すなわち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。例えば、DBGプロセスによりウエーハ121の加工が実行される場合、DAF貼着装置1は、DAF115の全領域のうち、ウエーハ121の表面121Aに形成される分割予定ライン102に対応する位置に、レーザー光線L1を照射してもよい。DAF115の全領域のうち、分割予定ライン102に対応する位置にレーザー光線L1を照射する場合、DAF貼着装置1は、撮像装置154により撮影されるDAF115の画像に基づいてDAF115の端部を特定し、DAF115の端でアライメントをして、DAF115の端から所定の距離に設定する加工開始位置から所定のピッチでレーザー光線L1の照射を実行するというように、DAF115の加工を実行してもよい。
図11は、本実施形態に係るDAF貼着装置1の概念的な構成の一例を示す模式図である。図11に示すように、上述したDAF貼着装置1の処理は、DAF貼着装置1の処理を実現するためのコンピュータプログラムを実行する制御装置100によって実行できる。制御装置100は演算処理装置及び記憶装置を含む。演算処理装置は、CPU(Central Processing Unit)マイクロプロセッサ、マイクロコンピュータ、DSP、システムLSI(Large Scale Integration)などのプロセッサである。記憶装置は、RAM(Random Access Memory)、ROM(Read Only Memory)、フラッシュメモリ、EPROM(Erasable Programmable Read Only Memory)、EEPROM(登録商標)(Electrically Erasable Programmable Read Only Memory)などの不揮発性または揮発性の半導体メモリ、磁気ディスク、フレキシブルディスク、光ディスク、コンパクトディスク、ミニディスク、またはDVD(Digital Versatile Disc)である。
記憶装置は、本実施形態に係るDAF貼着装置1の処理を実現するコンピュータプログラム及びコンピュータプログラムによる処理に用いられるデータを記憶する。コンピュータプログラムは、第1ローラ106、剥離機構108、第2ローラ110、第3ローラ112、第5ローラ116、第7ローラ120、レーザー光線照射ユニット150、貼着ローラ152、及び撮像装置154などの制御を実現するための機能を提供する制御用プログラムを含む。演算処理装置が実行するコンピュータプログラムは、コンピュータで実行可能な、データ処理を行うための複数の命令を含むコンピュータ読取り可能かつ非遷移的な(non-transitory)記録媒体を有するコンピュータプログラムプロダクトであるともいえる。記憶装置は、演算処理装置がコンピュータプログラムに記述された命令を実行する際の一時的な作業領域として利用されてもよい。
演算処理装置が記憶装置に記憶されているコンピュータプログラムを読み出して、コンピュータプログラムに記述された命令を実行することにより、本実施形態に係るDAF貼着装置1の処理、すなわちレーザー光線照射ユニット150によるレーザー光線の照射、貼着ローラ152による粘着シート111の貼着、撮像装置154による画像の撮影などの処理が実現される。
演算処理装置は、専用のハードウェアで実現されてもよい。この場合、演算処理装置は、単一回路、複合回路、プログラム化したプロセッサ、並列プログラム化したプロセッサ、ASIC(Application Specific Integrated Circuit)、FPGA(Field Programmable Gate Array)又はこれらを組み合わせたものである。
DAF貼着装置1は、制御装置100の他、DAF貼着装置1がレーザー光線照射ユニット150及び貼着ローラ152及び撮像装置154を制御するための制御信号を出力する出力用のインタフェース装置(図示せず)、撮像装置154の画像データを入力する入力用のインタフェース装置(図示せず)、各種の情報や画像などを表示する液晶表示装置などにより構成される表示装置(図示せず)と、オペレータが加工内容情報などを登録する際に用いる入力装置(図示せず)などを有してよい。制御装置100は、入力用及び出力用のインタフェース装置、表示装置、入力装置に接続されてよい。入力装置は、表示装置に設けられるタッチパネルやキーボードなどのユーザインタフェースにより構成されてよい。
DAF貼着装置1は、フレームマウンティング工程を実行する装置として単独で用いられてもよいし、ウエーハ121に対して全ての加工工程を実行する加工システムに組み込まれてもよい。
1 DAF貼着装置
100 制御装置
104 基台
106 第1ローラ
108 剥離機構
110 第2ローラ
111 粘着シート
112 第3ローラ
113 剥離シート
114 第4ローラ
115 DAF
116 第5ローラ
117 エキスパンドテープ
117a 樹脂層
117b 粘着層
118 第6ローラ
120 第7ローラ
121 ウエーハ
122 保持テーブル
133 フレーム
150 レーザー光線照射ユニット
152 貼着ローラ
154 撮像装置
100 制御装置
104 基台
106 第1ローラ
108 剥離機構
110 第2ローラ
111 粘着シート
112 第3ローラ
113 剥離シート
114 第4ローラ
115 DAF
116 第5ローラ
117 エキスパンドテープ
117a 樹脂層
117b 粘着層
118 第6ローラ
120 第7ローラ
121 ウエーハ
122 保持テーブル
133 フレーム
150 レーザー光線照射ユニット
152 貼着ローラ
154 撮像装置
Claims (3)
- DAFを被加工物に貼着するDAF貼着装置であって、
DAFの被加工物に貼着される被貼着部分と対向し、かつDAFが透過性を有する波長のレーザー光線を該DAFの内部に焦点を合わせた状態で照射するレーザー光線照射ユニットを備えることを特徴とするDAF貼着装置。 - DAFを被加工物に貼着するDAF貼着装置であって、
被加工物を保持する保持テーブルと、
ロール状に巻回されたDAFが装着される送り出し手段と、
DAFを巻き取る巻き取り手段と、
前記保持テーブルに保持された被加工物上を揺動し、DAFを被加工物に貼着する貼着ローラと
を少なくとも備えるDAF貼着装置において、
DAFの被加工物に貼着される被貼着部分と対向し、かつDAFが透過性を有する波長のレーザー光線を該DAFの内部に焦点を合わせた状態で照射するレーザー光線照射ユニットを備えることを特徴とするDAF貼着装置。 - 前記DAFは、エキスパンドテープに積層された粘着性部材であることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のDAF貼着装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018092458A JP2019197869A (ja) | 2018-05-11 | 2018-05-11 | Daf貼着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018092458A JP2019197869A (ja) | 2018-05-11 | 2018-05-11 | Daf貼着装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019197869A true JP2019197869A (ja) | 2019-11-14 |
Family
ID=68537725
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018092458A Pending JP2019197869A (ja) | 2018-05-11 | 2018-05-11 | Daf貼着装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2019197869A (ja) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005276987A (ja) * | 2004-03-24 | 2005-10-06 | Lintec Corp | 極薄チップの製造プロセス及び製造装置 |
JP2006245209A (ja) * | 2005-03-02 | 2006-09-14 | Disco Abrasive Syst Ltd | 半導体チップの製造方法 |
JP2009272421A (ja) * | 2008-05-07 | 2009-11-19 | Disco Abrasive Syst Ltd | デバイスの製造方法 |
JP2013055138A (ja) * | 2011-09-01 | 2013-03-21 | Disco Abrasive Syst Ltd | チップ間隔維持方法 |
JP2015195264A (ja) * | 2014-03-31 | 2015-11-05 | 日東電工株式会社 | ダイボンドフィルム、ダイシングシート付きダイボンドフィルム、半導体装置、及び、半導体装置の製造方法 |
-
2018
- 2018-05-11 JP JP2018092458A patent/JP2019197869A/ja active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005276987A (ja) * | 2004-03-24 | 2005-10-06 | Lintec Corp | 極薄チップの製造プロセス及び製造装置 |
JP2006245209A (ja) * | 2005-03-02 | 2006-09-14 | Disco Abrasive Syst Ltd | 半導体チップの製造方法 |
JP2009272421A (ja) * | 2008-05-07 | 2009-11-19 | Disco Abrasive Syst Ltd | デバイスの製造方法 |
JP2013055138A (ja) * | 2011-09-01 | 2013-03-21 | Disco Abrasive Syst Ltd | チップ間隔維持方法 |
JP2015195264A (ja) * | 2014-03-31 | 2015-11-05 | 日東電工株式会社 | ダイボンドフィルム、ダイシングシート付きダイボンドフィルム、半導体装置、及び、半導体装置の製造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5904720B2 (ja) | ウエーハの分割方法 | |
US7915140B2 (en) | Fabrication method for device having die attach film on the back side thereof | |
JP5221279B2 (ja) | 積層デバイスの製造方法 | |
KR102313271B1 (ko) | 웨이퍼의 가공 방법 | |
JP5800646B2 (ja) | チップ間隔維持方法 | |
JP6034219B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
KR20130111994A (ko) | 접착 필름을 갖는 칩의 형성 방법 | |
JP2011003757A (ja) | ウエーハの分割方法 | |
KR20170066251A (ko) | 웨이퍼의 가공 방법 | |
KR102399375B1 (ko) | 웨이퍼의 가공 방법 | |
KR20120094845A (ko) | 반도체 디바이스의 제조 방법 및 레이저 가공 장치 | |
KR102256562B1 (ko) | 적층 기판의 가공 방법 | |
JP2014099522A (ja) | 板状物の加工方法 | |
JP5939769B2 (ja) | 板状物の加工方法 | |
JP5846764B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2016167552A (ja) | 単結晶基板の加工方法 | |
JP7088768B2 (ja) | ウェーハの分割方法 | |
JP2012253140A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2019016731A (ja) | ウェーハの加工方法 | |
JP5441111B2 (ja) | 板状物の加工方法 | |
JP2019197869A (ja) | Daf貼着装置 | |
US9812362B2 (en) | Wafer processing method | |
JP5912283B2 (ja) | 粘着テープ及びウエーハの加工方法 | |
JP2011171382A (ja) | 分割方法 | |
JP2019197784A (ja) | レーザー加工装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210302 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20220217 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220222 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20220816 |