KR20130111994A

KR20130111994A - 접착 필름을 갖는 칩의 형성 방법

Info

Publication number: KR20130111994A
Application number: KR20130034420A
Authority: KR
Inventors: 칼 프리바서
Original assignee: 가부시기가이샤 디스코
Priority date: 2012-04-02
Filing date: 2013-03-29
Publication date: 2013-10-11
Also published as: KR101938426B1; TWI606506B; DE102013205644A1; JP6004705B2; TW201349319A; CN103367219B; JP2013214600A; CN103367219A

Abstract

이면에 접착 필름이 점착된 칩을 형성하는, 접착 필름을 갖는 칩의 형성 방법에 대해서, 접착 필름의 파단에 대해서 상기 문제를 해결하기 위한 기술을 제공한다.
접착 필름 분할홈 형성 단계를 실시한 후, 웨이퍼에 점착된 접착 필름 상에 익스팬드 시트를 점착하는 익스팬드 시트 점착 단계와, 익스팬드 시트 점착 단계를 실시한 후, 익스팬드 시트를 익스팬드함으로써 웨이퍼에 외력을 부여하고 웨이퍼와 접착 필름을 개개의 칩으로 분할하여, 이면에 접착 필름이 점착된, 접착 필름을 갖는 칩을 복수 형성하는 분할 단계를 포함하는, 접착 필름을 갖는 칩의 형성 방법으로 한다.

Description

접착 필름을 갖는 칩의 형성 방법{FORMING METHOD OF CHIP WITH DIE ATTACH FILM}

본 발명은, 이면에 접착 필름이 점착된 칩을 형성하는, 접착 필름을 갖는 칩의 형성 방법에 관한 것이다.

종래, 특허문헌 1에 기재된 바와 같이, 이면에 접착 필름(점착층)이 점착된 반도체 칩의 제조 방법이 알려져 있다. 접착 필름은, DAF(Die Attach Film)라고 칭해지며, 다이 본딩을 위해 이용되는 것이다.

또한, 특허문헌 2에 기재된 바와 같이, 반도체 소자가 형성된 웨이퍼 상에 격자형으로 배치된 다이싱 라인을 따라, 반도체 소자의 형성면측으로부터 완성 시의 칩의 두께보다 깊은 홈을 형성한 후, 웨이퍼의 이면을 완성 시의 칩의 두께까지 연삭 및 연마하고, 웨이퍼를 개개의 칩으로 분리하는, 소위 선(先) 다이싱법이 알려져 있다.

또한, 특허문헌 3에 기재된 바와 같이, 선 다이싱법에 의해 이미 칩으로 분할된 웨이퍼에 대해서 접착 필름을 점착한 후, 인접하는 칩 사이를 통하여 접착 필름에 레이저 빔을 조사하여 접착 필름을 파단하는 방법이 알려져 있다.

한편, 특허문헌 4에 기재된 바와 같이, 접착 필름을 레이저 빔에 의해 파단하는 것이 아니라, 분할 장치로 뜯어내는 방법도 알려져 있다.

특허문헌 1: 일본 특허 공개 제2000-182995호 공보 특허문헌 2: 일본 특허 공개 평성11-040520호 공보 특허문헌 3: 일본 특허 공개 제2002-118081호 공보 특허문헌 4: 일본 특허 공개 제2005-223283호 공보

그러나, 특허문헌 3에 개시된 바와 같이, 선 다이싱법으로 한번 칩으로 분할된 웨이퍼에 접착 필름을 점착하는 형태에서는, 접착 필름을 점착할 때에 분할된 칩이 움직여 버리는, 소위 다이 시프트가 발생하는 것이 걱정된다. 그리고, 이러한 다이 시프트가 발생하면, 인접하는 칩 사이의 간극에서 형성되는, 레이저 빔을 조사하여야 하는 라인이 일직선이 아니라(직선형이 아니라) 구부러져 버리거나, 경우에 따라서는 칩 사이의 간극이 없어져 버린다.

그리고, 레이저 빔을 조사하여야 하는 라인이 구부러져 버리면, 그 굴곡에 추종시켜 레이저 빔을 조사할 필요가 있어, 레이저 빔 조사의 제어가 매우 어려워진다. 또한, 칩 사이의 간극이 없어져 버리면, 레이저 빔의 조사를 할 수 없게 되어 버린다.

한편, 특허문헌 4에 개시된 바와 같은 분할 장치로 접착 필름을 뜯어내는 방법에서는, 예컨대, 칩 사이즈가 한 변이 1 ㎜ 이하인 정사각형으로 작은 것에 대해서 접착 필름을 뜯어내는 경우에, 접착 필름이 파단되지 않는 영역이 발생할 우려가 있다. 또한, 뜯어낸 접착 필름은 칩보다 크게 형성되기 때문에, 뜯어낸 접착 필름의 단이 칩의 측면이나 표면에 부착하여, 후에 픽업 불량이나 디바이스 불량을 야기할 우려가 있다.

본 발명은, 이상의 문제점을 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적으로 하는 바는, 이면에 접착 필름이 점착된 칩을 형성하는, 접착 필름을 갖는 칩의 형성 방법에 대해서, 접착 필름의 파단에 대해서 상기 문제를 해결하기 위한 기술을 제공하는 것이다.

청구항 1에 기재된 발명에 따르면, 이면에 접착 필름이 점착된, 접착 필름을 갖는 칩을 형성하는, 접착 필름을 갖는 칩의 형성 방법으로서, 교차하는 복수의 분할 예정 라인이 설정된 웨이퍼에 분할 예정 라인을 따른 분할 기점을 형성하는 분할 기점 형성 단계와, 분할 기점 형성 단계를 실시한 후, 웨이퍼의 이면에 접착 필름을 점착하는 접착 필름 점착 단계와, 접착 필름 점착 단계를 실시한 후, 접착 필름에 분할 예정 라인을 따른 분할홈을 레이저 빔의 조사 또는 절삭 블레이드로 형성하는 접착 필름 분할홈 형성 단계와, 접착 필름 분할홈 형성 단계를 실시한 후, 웨이퍼에 점착된 접착 필름 상에 익스팬드 시트를 점착하는 익스팬드 시트 점착 단계와, 익스팬드 시트 점착 단계를 실시한 후, 익스팬드 시트를 익스팬드함으로써 웨이퍼에 외력을 부여하고 웨이퍼와 접착 필름을 개개의 칩으로 분할하여, 이면에 접착 필름이 점착된, 접착 필름을 갖는 칩을 복수 형성하는 분할 단계를 포함하는 접착 필름을 갖는 칩의 형성 방법이 제공된다.

청구항 2에 기재된 발명에 따르면, 분할 기점 형성 단계를 실시하기 전에, 웨이퍼의 이면을 연삭하여 원형 오목부를 형성하고 원형 오목부를 위요하는 환형 볼록부를 형성하는 연삭 단계를 더 포함하는, 접착 필름을 갖는 칩의 형성 방법이 제공된다.

본 발명에 따르면, 웨이퍼에 분할 기점을 형성한 후, 웨이퍼를 개개의 칩으로 분할하기 전에, 웨이퍼의 이면에 접착 필름이 점착된다. 그 후, 접착 필름에 대해서 칩 사이의 간극을 따른 분할홈을 형성하여 웨이퍼가 개개의 칩으로 분할된다.

이 방법에 따르면, 접착 필름의 점착 시에 웨이퍼가 분할되어 있지 않기 때문에, 다이 시프트가 발생하는 일없이, 칩 사이의 간극에서 형성되는 분할 예정 라인이 구부러지거나, 간극이 없어져 버리는 일이 없다. 그리고, 칩 사이의 간극을 따른 분할홈을 형성하여 웨이퍼가 개개의 칩으로 분할되기 때문에, 접착 필름을 뜯어내는 방법에서의 문제점이 발생하는 일도 없다.

도 1은 가공 대상인 반도체 웨이퍼에 대해서 나타내는 사시도이다.
도 2는 연삭 단계를 실시하기 위한 연삭 유닛의 사시도이다.
도 3은 분할 기점 형성 단계를 실시하기 위한 레이저 가공 장치의 사시도이다.
도 4는 레이저 빔 조사 유닛의 블록도이다.
도 5의 (A)는 보호 테이프를 점착한 웨이퍼에 대해서 나타내는 단면도이다. (B)는 원형 오목부를 구성한 웨이퍼에 대해서 나타내는 단면도이다. (C)는 개질층이 형성된 웨이퍼에 대해서 나타내는 단면도이다. (D)는 접착 필름을 점착한 웨이퍼에 대해서 나타내는 단면도이다.
도 6은 접착 필름에 분할홈이 형성된 웨이퍼에 대해서 나타내는 단면도이다.
도 7의 (A)는 익스팬드 시트를 점착한 웨이퍼에 대해서 나타내는 단면도이다. (B)는 보호 테이프가 제거되는 웨이퍼에 대해서 나타내는 단면도이다. (C)는 볼록형 상면을 갖는 척 테이블에 셋트된 웨이퍼에 대해서 나타내는 단면도이다.
도 8의 (A)는 익스팬드 시트를 점착한 웨이퍼에 대해서 나타내는 단면도이다. (B)는 익스팬드 시트를 익스팬드하는 상황에 대해서 나타내는 단면도이다. (C)는 칩으로 분할되는 상황에 대해서 나타내는 단면도이다.
도 9의 (A)는 익스팬드 시트를 점착한 웨이퍼에 대해서 나타내는 단면도이다. (B)는 링형의 외주 잉여 영역을 제거하는 상황에 대해서 나타내는 단면도이다. (C)는 칩으로 분할되는 상황에 대해서 나타내는 단면도이다.

이하, 본 발명의 실시형태를 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 도 1을 참조하면, 가공 대상인 반도체 웨이퍼(W)(이하, 단순히 「웨이퍼(W)」라고도 표기됨)의 표면측 사시도를 나타내고 있다. 웨이퍼(W)의 표면에 있어서는, 제1 분할 예정 라인(스트리트)(S1)과 제2 분할 예정 라인(S2)이 직교하여 형성되어 있고, 제1 분할 예정 라인(S1)과 제2 분할 예정 라인(S2)에 의해 구획된 복수개 영역에 각각 LSI 등의 디바이스(D)가 형성되어 있다.

이러한 웨이퍼(W)에 대해서 가공을 행하는 본 발명의 실시형태에 대해서, 이하 순서대로 설명한다. 우선, 본 실시형태에서는, 자세하게는 후술하는 분할 기점 형성 단계를 실시하기 전에, 도 2에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(W)의 이면(Wb)을 연삭하여 원형 오목부(Wc)를 형성하며 원형 오목부(Wc)를 위요하는 환형 볼록부(Wd)를 형성하는 연삭 단계가 실시된다.

도 2는 연삭 단계를 실시하기 위한 연삭 유닛(11)을 나타내고 있으며, 하우징(12) 내에 회전 가능하게 수용된 스핀들(18)과, 스핀들(18)의 선단에 고정된 마운터(13)와, 마운터(13)에 나사 체결되어 환형으로 배치된 복수의 연삭 지석(52)을 갖는 연삭 휠(21)과, 스핀들(18)을 회전 구동시키는, 도시하지 않는 서보 모터를 가지고 구성된다.

연삭 유닛(11)의 하방에는 척 테이블(35)이 배치되어 있고, 척 테이블(35)에 웨이퍼(W)가 흡인 유지된 상태로 되어 있다. 이 흡인 유지의 전단층에 있어서, 디바이스(D)를 보호하기 위해, 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에 보호 테이프(10)(도 1, 도 5의 (A))를 점착하는 보호 테이프 점착 단계가 실시되는 것으로 하고 있다. 그리고, 보호 테이프(10)가 하측이 되도록 하여, 웨이퍼(W)가 척 테이블(35)에 유지된다.

그리고, 척 테이블(35)을 화살표(37)로 나타내는 방향으로, 예컨대 300 rpm으로 회전시키면서, 연삭 휠(21)을 화살표(53)로 나타내는 방향으로, 예컨대 6000 rpm으로서 회전시키며, 연삭 휠(21)의 연삭 지석(52)을 웨이퍼(W)의 이면에 접촉시킨다. 그리고, 연삭 휠(21)을 정해진 연삭 이송 속도로 하방으로 정해진 양 연삭 이송한다.

이 결과, 웨이퍼(W)의 이면에는, 도 2에 나타내는 바와 같이, 디바이스(D)가 형성되는 영역에 대응하는 디바이스 영역(17)(도 1 참조)의 이면이 연삭 제거되어, 정해진 두께(예컨대 30 ㎛)의 원형 오목부(Wc)가 형성되며, 디바이스(D)가 형성되지 않는 외주 잉여 영역(19)(도 1 참조)에 대응하는 영역이 잔존되어, 환형 볼록부(링형 보강부)(Wd)가 형성된다.

이어서, 도 3에 나타내는 바와 같이, 교차하는 복수의 분할 예정 라인이 설정된 웨이퍼(W)에, 분할 예정 라인을 따른 분할 기점을 형성하는 분할 기점 형성 단계가 실시된다. 본 실시형태에서는, 레이저 가공 장치(20)의 레이저 빔 조사 유닛(24)을 이용하여, 집광기(28)로부터 레이저 빔을 웨이퍼(W)의 이면(Wb)에 대하여 조사함으로써, 분할 기점을 형성하는 것으로 하고 있다.

레이저 빔 조사 유닛(24)의 케이싱(26) 내에는, 도 4의 블록도에 나타내는 바와 같이, 레이저 발진 수단(34)과, 레이저 빔 변조 수단(36)이 배치되어 있다. 레이저 발진 수단(34)으로서는, YAG 레이저 발진기 혹은 YVO4 레이저 발진기를 이용할 수 있다. 레이저 빔 변조 수단(36)은, 반복 주파수 설정 수단(38)과, 레이저 빔 펄스 폭 설정 수단(40)과, 레이저 빔 파장 설정 수단(42)을 포함하여 구성된다.

레이저 빔 변조 수단(36)을 구성하는 반복 주파수 설정 수단(38), 레이저 빔 펄스 폭 설정 수단(40) 및 레이저 빔 파장 설정 수단(42)은 주지의 형태의 것이며, 본 명세서에 있어서는 그 상세한 설명을 생략한다.

이상의 구성에 있어서, 도 3에 나타내는 바와 같이, 레이저 가공 장치(20)의 척 테이블(22)의 유지면에, 보호 테이프(10)를 개재하여 웨이퍼(W)가 유지된 상태로 하며, 척 테이블(22)을 X축 방향으로 가공 이송함으로써, 분할 예정 라인(S1)(도 1)을 따른 개질층이 형성된다. 척 테이블(22)을 Y축 방향으로 인덱스 이송을 하고, 모든 분할 예정 라인(S1)에 대해서 개질층을 형성한다. 그 후, 척 테이블(22)을 90도 회전시켜, 마찬가지로 분할 예정 라인(S2)(도 2)을 따라 개질층을 형성한다.

또한, 본 실시형태에서는 사전에 원형 오목부(Wc)가 형성되어 있기 때문에, 이 원형 오목부(Wc)의 범위 내에 있어서의 분할 예정 라인(S1, S2)(도 1)에 대해서 개질층을 형성함으로써 환형 볼록부의 강도 저하를 방지할 수 있다. 그러나, 웨이퍼의 외주연의 일단으로부터 타단까지 분할 예정 라인을 따라 개질층을 형성하여도 좋다. 또한, 이면측이 되는 위치에 배치된 분할 예정 라인을 검출하여 얼라인먼트하기 위해, 레이저 빔 조사 유닛(24)에 적외선 카메라를 갖는 촬상 유닛(29)을 구비하는 구성으로 하는 것이나, 투명재로 구성된 척 테이블의 유지면의 하방에 배치된 카메라로 유지면을 통해 웨이퍼의 이면을 촬상하는 구성으로 하는 것이 생각된다.

레이저 빔을 이용한 분할 기점 형성 단계에 있어서의 가공 조건은, 예컨대 다음과 같이 설정된다.

광원: LD 여기 Q 스위치 Nd: YVO4 펄스 레이저

파장: 1064 ㎚

반복 주파수: 100 ㎑

평균 출력: 1 W

집광 스폿 직경: φ 1 ㎛

가공 이송 속도: 100 ㎜/초

또한, 분할 기점 형성 단계에 있어서는, 개질층에서 분할 기점을 형성하는 것 외에, 레이저 가공홈이나 절삭 블레이드에 의한 절삭홈에 의해 분할 기점이 형성되는 것으로 하여도 좋다. 또한, 전술한 바와 같이 분할 기점으로서 개질층을 형성하는 경우에는, 분할 예정 라인의 폭을 좁게 할 수 있어, 칩의 취득 개수를 향상시킬 수 있기 때문에, 이러한 관점에서는, 분할 기점으로서 개질층을 형성하는 것이 바람직하다.

이상에서 설명한 단계에 있어서, 도 5의 (A)에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에 보호 테이프(10)를 점착하는 보호 테이프 점착 단계와, 도 5의 (B)에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(W)의 이면(Wb)을 연삭하여 원형 오목부(Wc)를 형성하며 원형 오목부(Wc)를 위요하는 환형 볼록부(Wd)를 형성하는 연삭 단계와, 도 5의 (C)에 나타내는 바와 같이, 교차하는 복수의 분할 예정 라인이 설정된 웨이퍼(W)에, 분할 예정 라인을 따른 분할 기점(개질층(73))을 형성하는 분할 기점 형성 단계가 실시된다.

그리고, 도 5의 (C)에 나타내는 분할 기점 형성 단계를 실시한 후, 도 5의 (D)에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(W)의 이면(Wb)에 접착 필름(30)을 점착하는 접착 필름 점착 단계가 실시된다. 이 접착 필름(30)은, DAF(Die Attatch Film)라고 칭해지며, 다이 본딩을 위해 이용되는 것이다.

본 실시형태에서는, 접착 필름(30)은, 웨이퍼(W)의 이면(Wb)에 형성된 원형 오목부(Wc) 내(환형 볼록부(Wd)로 둘러싸인 범위)에 수속되는 것 같은 원반 형상으로 구성되어 있다. 또한, 접착 필름(30)의 외주연을 환형 볼록부(Wd)의 직립 부분(내주벽)에 접촉시킴으로써, 접착 필름(30)의 웨이퍼(W)에 대한 위치 결정을 가능하게 하는 구성으로 하여도 좋다.

또한, 이 접착 필름(30)은, 예컨대, 진공 라미네이터 등의 주지의 장치로 웨이퍼(W)의 이면(Wb)(원형 오목부(Wc)의 저면)에 대하여 점착시킬 수 있다.

여기서, 도 5의 (C)에 있어서의 분할 기점 형성 단계가 실시된 상태에 있어서는, 분할 예정 라인이 완전히 절단되어 있지 않은 상태로 되어 있다. 즉, 개개의 칩으로 분할되어 있지 않은 상태로 되어 있다. 이 때문에, 도 5의 (D)에 나타내는 바와 같이 접착 필름(30)을 웨이퍼(W)의 이면(Wb)에 점착하였다고 해도, 칩이 움직인다고 하는, 소위 다이 시프트가 발생하는 일도 없다.

이어서, 도 5의 (D)에 나타내는 접착 필름 점착 단계를 실시한 후, 도 6에 나타내는 바와 같이, 접착 필름(30)에 분할 예정 라인(S1)을 따른 분할홈(31)을 레이저 빔(LB)의 조사로 형성하는 접착 필름 분할홈 형성 단계가 실시된다.

도 6에 나타내는 본 실시형태에서는, 레이저 빔(LB)에 의한 어블레이션 가공에 의해, 척 테이블(44)에 웨이퍼(W)를 유지한 상태로 가공이 행해지는 것으로 하고 있다. 척 테이블(44)의 유지면(44a)에는, 보호 테이프(10)를 개재하여 웨이퍼(W)가 흡인 유지되고 있고, 이 웨이퍼(W)의 원형 오목부(Wc)에는 접착 필름(30)이 점착된 상태로 되어 있다.

그리고, 이 접착 필름(30)에 대하여, 레이저 빔(LB)을 조사하여 분할 예정 라인(S1)을 따른 분할홈(31)을 형성시킨다. 분할홈(31)은 접착 필름(30)을 완전히 절단하는 홈으로 하는 것 외에, 접착 필름(30)을 완전히 절단하지 않는 하프 컷트 홈으로 하는 것으로 하여도 좋다.

또한, 접착 필름(30)에 분할홈(31)을 형성할 때의 어블레이션 가공의 조건은, 예컨대 다음과 같이 설정된다.

광원: LD 여기 Q 스위치 Nd: YAG 펄스 레이저

파장: 355 ㎚(YAG 레이저의 제3 고조파)

출력: 3∼3.75 W

반복 주파수: 10 ㎑

가공 이송 속도: 100∼200 ㎜/초

또한, 본 실시형태와 같이 레이저 가공 장치를 이용한 어블레이션 가공에 의해 접착 필름 분할홈 형성 단계를 실시하는 것 외에, 회전하는 절삭 블레이드로 절삭홈을 형성하는 절삭 장치로 분할홈(31)을 형성하는 것으로 하여도 좋다. 이 경우, 절삭 블레이드의 날 두께나 종류, 또한 접착 필름(30)의 종류에 따라서는, 접착 필름(30)을 절단함으로써 절삭 블레이드의 눈 막힘이 생기는 것이 염려된다. 이러한 경우에는, 레이저 가공 장치를 이용하는 것이 바람직한 것으로 된다.

도 6에 나타내는 접착 필름 분할홈 형성 단계를 실시한 후, 도 7의 (A)에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(W)에 점착된 접착 필름(30) 상에 익스팬드 시트(60)를 점착하는 익스팬드 시트 점착 단계가 실시된다.

본 실시형태에서는, 분할홈(31)이 형성된 접착 필름(30)이 상측이 되도록 하고, 접착 필름(30)의 상측으로부터 익스팬드 시트(60)를 덮어 씌우도록 하여, 접착 필름(30)에 대하여 익스팬드 시트(60)를 점착시킨다. 또한, 익스팬드 시트(60)는, 예컨대, 진공 라미네이터 등의 주지의 장치로 접착 필름(30)에 대하여 점착시킬 수 있다.

또한, 익스팬드 시트(60)는, 원환형의 환형 프레임(F)의 개구부를 막도록 마련되어 있고, 익스팬드 시트(60)를 통해 접착 필름(30)이나 웨이퍼(W)가 환형 프레임(F)에 고정된 상태가 된다.

이어서, 도 7의 (B)에 나타내는 바와 같이, 보호 테이프(10)를 웨이퍼(W)의 표면(Wa)으로부터 제거하는 보호 테이프 제거 단계가 실시된다. 이에 의해 디바이스가 형성되는 웨이퍼(W)의 표면(Wa)이 노출된다.

이어서, 도 7의 (C)에 나타내는 바와 같이, 환형 프레임(F)에 고정된 웨이퍼(W)를 도 7의 (B)에 나타내는 상태로부터 뒤집고, 그 후, 웨이퍼(W)의 원형 오목부(Wc)의 오목형에 대응한 볼록형 상면(72)을 갖는 척 테이블(70)에 대하여, 환형 프레임(F)에 고정된 웨이퍼(W)를 셋트하는 유지 단계가 실시된다.

본 실시형태에서는, 웨이퍼(W)의 원형 오목부(Wc)에 하측으로부터 삽입되는 볼록형 상면(72)을 갖는 척 테이블(70)이 이용되고, 웨이퍼(W)의 이면(Wb)이 볼록형 상면(72)으로 덮어 씌워지도록 하여, 웨이퍼(W)가 척 테이블(70) 상에 유지되도록 되어 있다.

이상과 같이 익스팬드 시트 점착 단계를 실시한 후, 도 8의 (A)∼(C)에 나타내는 바와 같이, 익스팬드 시트(60)를 익스팬드하고 웨이퍼(W)에 외력을 부여하여 웨이퍼(W)와 접착 필름(30)을 개개의 칩으로 분할하여, 이면에 접착 필름(30)이 점착된, 접착 필름을 갖는 칩(30A)을 복수 형성하는 분할 단계가 실시된다.

우선, 도 8의 (A)에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(W)의 외주 잉여 영역(19)에 대해서 레이저 빔을 조사하고, 척 테이블(70)을 회전시킴으로써, 외주 잉여 영역(19)에 원형의 개질층(74)을 형성한다. 또한, 개질층(74)은, 환형 볼록부(Wd)의 내주벽의 연장선 상에 마련하는 것이 바람직하다.

이어서, 도 8의 (B)에 나타내는 바와 같이, 도시하지 않는 익스팬드 장치에 의해, 익스팬드 시트(60)를 익스팬드한다. 이때, 웨이퍼(W)에 대해서는, 외주 잉여 영역(19)의 개질층(74)에 더하여, 도 5의 (C)에 나타내는 분할 기점 형성 단계에 의해 이미 개질층(73)이 형성되어 있고, 또한, 접착 필름(30)에 대해서는, 도 6에 나타내는 접착 필름 분할홈 형성 단계에 의해 분할홈(31)이 형성되어 있기 때문에, 개질층(73, 74)에 있어서 파단이 생겨, 도 8의 (C)에 나타내는 바와 같이 개개의 칩(80, 80)으로 분할된다.

또한, 도 8의 (A)∼(C)에 나타내는 형태로 분할 단계를 실시하는 것 외에, 도 9의 (A)∼(C)에 나타내는 형태로 분할 단계를 실시하는 것으로 하여도 좋다.

우선, 도 9의 (A)에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(W)의 외주 잉여 영역(19)에 대해서 레이저 빔에 의한 어블레이션 가공(혹은, 절삭 블레이드에 의한 절삭 가공)에 의해, 외주 잉여 영역(19)에 원형의 분할홈(75)을 형성한다. 또한, 분할홈(75)은, 환형 볼록부(Wd)의 내주벽의 연장선 상에 마련하는 것이 바람직하다.

이어서, 도 9의 (B)에 나타내는 바와 같이, 분할홈(75)에 의해 링형으로 분할된 웨이퍼(W)의 외주 잉여 영역(19)이 제거된다.

이어서, 도 9의 (C)에 나타내는 바와 같이, 도시하지 않는 익스팬드 장치에 의해, 익스팬드 시트(60)를 익스팬드한다. 이때, 웨이퍼(W)에 대해서는, 도 5의 (C)에 나타내는 분할 기점 형성 단계에 의해 이미 개질층(73)이 형성되어 있고, 또한, 접착 필름(30)에 대해서는, 도 6에 나타내는 접착 필름 분할홈 형성 단계에 의해 분할홈(31)이 형성되어 있기 때문에, 개질층(73)의 부위에 있어서 파단이 생겨, 도 9의 (C)에 나타내는 바와 같이 개개의 칩(80, 80)으로 분할된다.

이상에 설명한 실시형태에 따르면, 웨이퍼(W)에 분할 기점을 형성한 후, 웨이퍼(W)를 개개의 칩으로 분할하기 전에, 웨이퍼(W)의 이면에 접착 필름(30)이 점착된다. 그 후, 접착 필름(30)에 대해서 칩 사이의 간극을 따른 분할홈(31)을 형성하여 웨이퍼(W)가 개개의 칩으로 분할된다.

이러한 방법에 따르면, 접착 필름(30)의 점착 시에 웨이퍼(W)가 분할되어 있지 않기 때문에, 다이 시프트가 발생하는 일없이, 칩 사이의 간극에서 형성되는 분할 예정 라인이 구부러지거나, 간극이 없어져 버리는 일이 없다. 그리고, 칩 사이의 간극을 따른 분할홈(31)을 형성하여 웨이퍼(W)가 개개의 칩으로 분할되기 때문에, 접착 필름(30)을 뜯어내는 방법에 있어서의 문제점이 생기는 일도 없다.

그리고, 본 실시예에 따르면, 분할 예정 라인이 좁은 피가공물에 대해서 적합한 오퍼레이션인, 레이저 빔을 이용한 개질층의 형성을 실시하는 것이 가능해진다.

또한, 원형 오목부(Wc)를 형성할 때에 동시에 형성되는 환형 볼록부(Wd)를 외주 보강부로서 기능시킬 수 있어, 분할 기점이 실시된 상태의 얇은 웨이퍼(W)의 핸들링을 안전하게 행하는 것이 가능해진다. 또한, 웨이퍼(W)에 환형 볼록부(Wd)(외주 보강부)가 형성됨으로써, 만일, 핸들링 중에 분할 기점을 기점으로 하여 일부의 칩이 분할되어 버리는 일이 생긴 경우라도, 웨이퍼(W)의 표면에 점착된 보호 테이프(10)가 휘어져 다른 칩의 배치에 영향이 생기지 않기 때문에, 다이 시프트가 발생할 우려가 없다.

또한, 분할홈(31)이 형성되어 있기 때문에, 접착 필름(30)의 분할이 용이해지는데다가, 확실하게 모든 영역에서 접착 필름(30)을 분할할 수 있게 된다. 특히 얇고 작은 접착 필름을 갖는 칩의 형성이나 12인치 등 대구경의 웨이퍼에 대해서, 본 발명은 적합하게 실시할 수 있다.

한편, 얇은 웨이퍼의 핸들링 리스크(핸들링 시에 생기는 파손 등의 문제점)를 저감하기 위한 장치 구성으로서, 분할 기점 형성용의 레이저 가공 장치나 절삭 장치와, 연삭 장치나 테이프 점착기를 인라인으로 접속하는 구성(복수의 장치를 하나의 장치로서 통합하는 구성)으로 하는 것이 생각된다.

이 경우, 분할 기점을 형성하기 위한 프로세스(분할 기점 형성 단계)에 대해서는, 다른 프로세스와 비교하여 장시간을 요하게 된다. 특히, 작은 칩(극소 칩)이 형성되는 웨이퍼에 대해서는, 분할 기점의 수나 거리가 증가하기 때문에, 이 분할 기점을 형성하기 위한 프로세스에 대해서 장시간을 요하게 되어, 단위 시간당의 UPH(Unit Per Hour: 가공 처리 매수))가 나쁜 것으로 되어 버린다. 웨이퍼가 대구경인 경우에는, 분할 기점의 수나 거리가 더욱 증가하기 때문에, UPH는 더욱 악화하게 된다.

이 때문에, 인라인으로 접속하는 구성을 채용한 경우에는, 분할 기점을 형성하기 위한 레이저 가공 장치나 절삭 장치의 UPH와, 연삭 장치나 테이프 점착기의 UPH 사이에서 균형이 잡히지 않아, 연삭 장치나 테이프 점착기가 가동하지 않는 시간이 증가해 버려, CoO(Cost Of Operation)이 나빠진다.

이 점, 본 실시예에 있어서는, 웨이퍼(W)를 단순히 박화하는 것이 아니라, 외주에 환형 볼록부(Wd)를 잔존시켜 둠으로써 웨이퍼(W)의 강도가 올라, 핸들링 리스크가 저감되기 때문에, 그에 따라 CoO의 악화의 리스크가 저감되어, 프로세스 전체로서는, 양호한 CoO를 실현하는 것이 가능해진다.

또한, 전술한 바와 같이 인라인으로 하지 않는 경우에 있어서, 분할 기점 형성용의 레이저 가공 장치나 절삭 장치와, 연삭 장치나 테이프 점착기를, 각각 단독으로 가동시키는 것에 의하면, 분할 기점 형성용의 레이저 가공 장치나 절삭 장치의 UPH가, 연삭 장치나 테이프 점착기의 UPH에 영향을 끼치지 않도록 할 수 있어, 보다 많은 웨이퍼를 가공할 수 있다.

또한, 이상에서 설명한 실시예에서는, 원형 오목부와 환형 볼록부를 형성하는 연삭 단계를 실시하는 것으로 하였지만, 원형 오목부와 환형 볼록부를 형성하지 않고 웨이퍼를 전체적으로 박화하는 박화 단계를 실시하고, 그 후, 분할 기점 형성 단계, 접착 필름 점착 단계, 접착 필름 분할홈 형성 단계, 익스팬드 시트 점착 단계, 분할 단계를 실시하는 것으로 하여도 좋다. 또한, 분할 기점 형성 단계를 실시한 후, 웨이퍼를 박화하는 박화 단계를 실시하고, 이어서 접착 필름 점착 단계, 접착 필름 분할홈 형성 단계, 익스팬드 시트 점착 단계, 분할 단계를 실시하도록 하여도 좋다.

10 보호 테이프 30 접착 필름
31 분할홈 60 익스팬드 시트
73 개질층 74 개질층
75 분할홈 W 웨이퍼
Wa 표면 Wb 이면
Wc 원형 오목부 Wd 환형 볼록부

Claims

이면에 접착 필름이 점착된, 접착 필름을 갖는 칩을 형성하는, 접착 필름을 갖는 칩의 형성 방법으로서,
교차하는 복수의 분할 예정 라인이 설정된 웨이퍼에, 상기 분할 예정 라인을 따른 분할 기점을 형성하는 분할 기점 형성 단계와,
상기 분할 기점 형성 단계를 실시한 후, 웨이퍼의 이면에 접착 필름을 점착하는 접착 필름 점착 단계와,
상기 접착 필름 점착 단계를 실시한 후, 상기 접착 필름에 상기 분할 예정 라인을 따른 분할홈을, 레이저 빔의 조사 또는 절삭 블레이드로 형성하는 접착 필름 분할홈 형성 단계와,
상기 접착 필름 분할홈 형성 단계를 실시한 후, 웨이퍼에 점착된 상기 접착 필름 상에 익스팬드 시트를 점착하는 익스팬드 시트 점착 단계와,
상기 익스팬드 시트 점착 단계를 실시한 후, 상기 익스팬드 시트를 익스팬드함으로써 웨이퍼에 외력을 부여하고 웨이퍼와 상기 접착 필름을 개개의 칩으로 분할하여, 이면에 접착 필름이 점착된, 접착 필름을 갖는 칩을 복수 형성하는 분할 단계
를 포함하는 접착 필름을 갖는 칩의 형성 방법.
제1항에 있어서, 상기 분할 기점 형성 단계를 실시하기 전에, 웨이퍼의 이면을 연삭하여 원형 오목부를 형성하며 상기 원형 오목부를 위요하는 환형 볼록부를 형성하는 연삭 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 접착 필름을 갖는 칩의 형성 방법.