JP2009283925A - ダイシングテープ一体型接着シート、ダイシングテープ一体型接着シートの製造方法、及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

ダイシングテープ一体型接着シート、ダイシングテープ一体型接着シートの製造方法、及び半導体装置の製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】柔らかく伸びやすい接着シートを半導体ウエハと共に破断性よく切断することができるダイシングテープ一体型接着シート、ダイシングテープ一体型接着シートの製造方法、及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ダイシングテープ一体型接着シート３は、高分子量成分を少なくとも含有する接着シート１と、接着シート１に積層されたダイシングテープ２とを備える。Ｂステージ状態の接着シート１の２５℃における破断伸びは４０％超である。Ｂステージ状態の接着シート１の、２５℃で９００Ｈｚにおける動的粘弾性測定による弾性率は４０００ＭＰａ未満である。ダイシングテープ２は引っ張り変形時に降伏点を示さない。ダイシングテープ２の厚さＡと接着シート１の厚さＢとの比Ａ／Ｂは２〜３０である。
【選択図】図１

Description

本発明は、ダイシングテープ一体型接着シート、ダイシングテープ一体型接着シートの製造方法、及び半導体装置の製造方法に関する。
現在、半導体装置の製造方法として、半導体ウエハの裏面に接着シートとダイシングテープを貼付け、その後、半導体ウエハと接着シートとダイシングテープの一部をダイシング工程で切断する半導体ウエハ裏面貼付け方式が、一般的に用いられている。この例として、接着シートをダイシングテープ上に付設し、これを半導体ウエハに貼り付ける方法が提案されている（例えば特許文献１〜４参照）。
この半導体ウエハ裏面貼付け方式の製造方法では、半導体ウエハのダイシング時に接着シートも同時に切断することが必要である。しかし、ダイヤモンドブレードを用いた一般的なダイシング方法においては、半導体ウエハと接着シートを同時に切断するために切断速度を遅くする必要があり、コストの上昇を招いていた。
１パッケージあたりの記憶容量を増大させる目的で、近年、パッケージ中のチップの積層枚数は増加している。それに従い、チップあるいは半導体ウエハの厚さをバックグラインド工程等で薄くすることが行われている。厚さ１００μｍ以下特には厚さ７０μｍ以下、さらに薄い場合は厚さ５５μｍ以下、より薄くは３５μｍ以下の半導体ウエハがつくられている。半導体ウエハが薄くなるとダイシング時に半導体ウエハが割れやすくなるため、製造効率が大幅に悪化し、上記の問題はさらに深刻になってきている。このような薄いウエハはそりやすく、割れやすいため、これに使用する接着シートは従来よりも柔らかいことが必要になっている。
一方、半導体ウエハの区分及び切断方法として、半導体ウエハを完全に切断せずに、折り目となる溝を形成する方法や、切断予定ライン上の半導体ウエハ内部にレーザー光を照射して改質領域を形成する方法等、半導体ウエハを容易に区分する工程を施し、その後に外力を加える等して切断する方法が近年提案されている。前者の方法はハーフカットダイシング、後者の方法は「ステルスダイシング」（登録商標）（例えば特許文献５、６参照）と呼ばれる。これらの方法は、特に半導体ウエハの厚さが薄い場合にチッピング等の不良を低減する効果があり、カーフ幅を必要としないことから収率向上効果等を期待することができる。
特開２００２−２２６７９６号公報 特開２００２−１５８２７６号公報 特開平２−３２１８１号公報 国際公開第０４／１０９７８６号パンフレット 特開２００２−１９２３７０号公報 特開２００３−３３８４６７号公報
ここで、特に上述のハーフカットダイシングやステルスダイシングを用いて、上記半導体ウエハ裏面貼付け方式により半導体装置を製造する場合、接着シートを半導体ウエハと共に切断する必要が生じる。
また、チップの厚さが極めて薄い半導体ウエハのそりや割れを防止するためには、これに使用する接着シートとして、未硬化状態においてより柔らかい接着シートが求められている。また、硬化後も柔らかい接着シートは、多段に積層した半導体パッケージ（スタックドパッケージ）などの用途において、そりが小さく、かつ、応力緩和性が高いため、信頼性に優れるなど極めて重要である。
しかし、一般的なダイシングテープと柔らかく伸びやすい接着シートを組み合わせた場合には、接着シートを半導体ウエハと共に破断性よく切断することは困難である。すなわち、通常、接着シートが低弾性であることと、外部応力による接着シートの破断性を両立させることは困難である。
そこで、本発明は、柔らかく伸びやすい接着シートを半導体ウエハと共に破断性よく切断することができるダイシングテープ一体型接着シート、ダイシングテープ一体型接着シートの製造方法、及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
上述の課題を解決するため、本発明のダイシングテープ一体型接着シートは、高分子量成分を少なくとも含有する接着シートと、前記接着シートに積層されたダイシングテープと、を備え、Ｂステージ状態の前記接着シートの２５℃における破断伸びが４０％超であり、Ｂステージ状態の前記接着シートの、２５℃で９００Ｈｚにおける動的粘弾性測定による弾性率が４０００ＭＰａ未満であり、前記ダイシングテープが引っ張り変形時に降伏点を示さず、前記ダイシングテープの厚さＡと前記接着シートの厚さＢとの比Ａ／Ｂが２〜３０である。
本発明のダイシングテープ一体型接着シートを半導体ウエハに貼り付けてダイシングを行うと、柔らかく伸びやすい接着シートを半導体ウエハと共に破断性よく切断することができる。
また、前記ダイシングテープが粘着剤層及び基材層を有し、前記基材層が、ポリ塩化ビニルを含有することが好ましい。
この場合、低温での伸びに優れ、伸びの異方性が小さいダイシングテープが得られる。
また、前記ダイシングテープが粘着剤層及び基材層を有し、前記基材層が、塩素を含まないモノマーを共重合してなるポリマー、ポリエチレン、及びポリプロピレンのうち少なくともいずれかを含有することが好ましい。
この場合、ダイシングテープが塩素を含まないので、ダイシングテープを焼却して廃棄する時に塩素系ガスが発生しない。また、廃棄時の分別が不要になる。
本発明のダイシングテープ一体型接着シートの製造方法は、高分子量成分を少なくとも含有する接着シートにダイシングテープを貼り付ける工程を含み、Ｂステージ状態の前記接着シートの２５℃における破断伸びが４０％超であり、Ｂステージ状態の前記接着シートの、２５℃で９００Ｈｚにおける動的粘弾性測定による弾性率が４０００ＭＰａ未満であり、前記ダイシングテープが引っ張り変形時に降伏点を示さず、前記ダイシングテープの厚さＡと前記接着シートの厚さＢとの比Ａ／Ｂが２〜３０である。
本発明のダイシングテープ一体型接着シートの製造方法によれば、柔らかく伸びやすい接着シートを半導体ウエハと共に破断性よく切断することができるダイシングテープ一体型接着シートが得られる。
本発明の第１側面に係る半導体装置の製造方法は、Ｉ）半導体ウエハに接着シートを貼り付ける工程と、ＩＩ）半導体ウエハを区分する工程と、ＩＩＩ）前記接着シートにダイシングテープを貼り付ける工程と、を工程Ｉ）−工程ＩＩ）−工程ＩＩＩ）、工程ＩＩ）−工程Ｉ）−工程ＩＩＩ）、又は工程Ｉ）−工程ＩＩＩ）−工程ＩＩ）の順で含み、さらに、ＩＶ）前記接着シートを切断することにより、複数の個片化された接着シート付き半導体チップを得る工程と、Ｖ）前記接着シート付き半導体チップを半導体チップ搭載用支持部材に接着する工程と、を含み、前記接着シートが高分子量成分を少なくとも含有し、Ｂステージ状態の前記接着シートの２５℃における破断伸びが４０％超であり、Ｂステージ状態の前記接着シートの、２５℃で９００Ｈｚにおける動的粘弾性測定による弾性率が４０００ＭＰａ未満であり、前記ダイシングテープが引っ張り変形時に降伏点を示さず、前記ダイシングテープの厚さＡと前記接着シートの厚さＢとの比Ａ／Ｂが２〜３０である。
本発明の第２側面に係る半導体装置の製造方法は、Ｉ’）半導体ウエハに、接着シートとダイシングテープとが積層されたダイシングテープ一体型接着シートを貼り付ける工程と、ＩＩ）半導体ウエハを区分する工程と、を工程Ｉ’）−工程ＩＩ）、又は工程ＩＩ）−工程Ｉ’）の順で含み、さらに、ＩＶ）前記接着シートを切断することにより、複数の個片化された接着シート付き半導体チップを得る工程と、Ｖ）前記接着シート付き半導体チップを半導体チップ搭載用支持部材に接着する工程と、を含み、前記接着シートが高分子量成分を少なくとも含有し、Ｂステージ状態の前記接着シートの２５℃における破断伸びが４０％超であり、Ｂステージ状態の前記接着シートの、２５℃で９００Ｈｚにおける動的粘弾性測定による弾性率が４０００ＭＰａ未満であり、前記ダイシングテープが引っ張り変形時に降伏点を示さず、前記ダイシングテープの厚さＡと前記接着シートの厚さＢとの比Ａ／Ｂが２〜３０である。
本発明の半導体装置の製造方法によれば、柔らかく伸びやすい接着シートを半導体ウエハと共に破断性よく切断することができる。
前記半導体ウエハを区分する工程では、前記半導体ウエハに溝を形成してもよい。前記半導体ウエハを区分する工程では、前記半導体ウエハの切断予定ライン上にレーザ光を照射することによって、前記半導体ウエハの内部に改質領域を形成してもよい。
また、前記半導体ウエハの厚さが１００μｍ以下であることが好ましい。
半導体ウエハの厚さが１００μｍ以下と薄い場合でも、半導体ウエハのそりや割れを抑制することができる。
本発明によれば、柔らかく伸びやすい接着シートを半導体ウエハと共に破断性よく切断することができるダイシングテープ一体型接着シート、ダイシングテープ一体型接着シートの製造方法、及び半導体装置の製造方法が提供される。
実施形態に係るダイシングテープ一体型接着シート及びその製造方法を模式的に示す断面図である。 第１実施形態に係る半導体装置の製造方法の工程Ｉ）を模式的に示す断面図である。 第１実施形態に係る半導体装置の製造方法の工程ＩＩ）を模式的に示す断面図である。 第１実施形態に係る半導体装置の製造方法の工程ＩＩＩ）を模式的に示す断面図である。 第１実施形態に係る半導体装置の製造方法の工程ＩＶ）を模式的に示す断面図である。 第１実施形態に係る半導体装置の製造方法の工程Ｖ）を模式的に示す断面図である。 第２実施形態に係る半導体装置の製造方法の工程Ｉ’）を模式的に示す断面図である。 第２実施形態に係る半導体装置の製造方法の工程ＩＩ）を模式的に示す断面図である。 第２実施形態に係る半導体装置の製造方法の工程ＩＶ）を模式的に示す断面図である。 第２実施形態に係る半導体装置の製造方法の工程Ｖ）を模式的に示す断面図である。 第２実施形態に係る半導体装置の製造方法の変形例を模式的に示す工程断面図である。
以下、添付図面を参照しながら本発明の実施形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において、同一又は同等の要素には同一符号を用い、重複する説明を省略する。
（ダイシングテープ一体型接着シート）
図１(ａ)は、実施形態に係るダイシングテープ一体型接着シートを模式的に示す断面図である。図１(ａ)に示されるダイシングテープ一体型接着シート３は、高分子量成分を少なくとも含有する接着シート１と、接着シート１に積層されたダイシングテープ２とを備える。ダイシングテープ２は、粘着剤層２ａと基材層２ｂとを備えることが好ましい。粘着剤層２ａは、基材層２ｂと接着シート１との間に配置される。
＜ダイシングテープ＞
ダイシングテープ２は、引っ張り変形時に（初期長さの２倍の長さになる伸び量の範囲までの間で）降伏点を示さない。また、ダイシングテープ２は、接着シート１を切断することにより、複数の個片化された接着シート付き半導体チップを得る工程ＩＶ）において、ダイシングテープ２と接着シート１との接着力が２０Ｎ／ｍ以上１００Ｎ／ｍ以下であることが好ましい。なお、荷重−伸び線図、応力−ひずみ線図等で見られるように物体に働く応力が弾性限度を超えると、荷重又は応力の増大がないのに変形が徐々に進行する現象がある。この現象を一般的に「降伏」と呼ぶ。弾性挙動の最大荷重、最大応力値における点を「降伏点」と呼ぶ。
降伏点を有するダイシングテープとは、短冊形状のダイシングテープについて２５℃で引っ張り試験を行い、ひずみをＸ軸、応力をＹ軸にそれぞれプロットした場合に、傾きｄＹ／ｄＸが正の値から０又は負の値に変化する応力値をとるものである。引っ張り試験では、引っ張り試験装置（ＴＯＹＯ ＢＡＬＤＷＩＮ製 ＵＴＭ−４−１００型テンシロン）を用いる。このような降伏点を有するダイシングテープでは、ダイシングテープに外力を加えて半導体ウエハ及び接着シートを切断する工程において、半導体ウエハに応力がかからず、周辺のダイシングテープばかりが伸び変形を起こす。このため、半導体ウエハが割れないあるいは割れ残りが生じる等の問題がある。一方、降伏点を示さないダイシングテープ２では、外力が半導体ウエハ及び接着シートにかかりやすく、破断性が良い。降伏点を示さないダイシングテープ２では、短冊形状のダイシングテープ２について２５℃で引っ張り試験を行い、ひずみをＸ軸、応力をＹ軸にそれぞれプロットした場合に、傾きｄＹ／ｄＸが正の値を維持する。
このようなダイシングテープ２としては、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリ酢酸ビニルポリエチレン共重合体からなるフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリ塩化ビニル等のプラスチックフィルム及びそれらを積層したフィルム等からなる基材層２ｂと、アクリルゴム、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂等を主成分とする粘着剤からなる粘着剤層２ａとが積層されたテープが挙げられる。また、基材層２ｂが塩素を含まないモノマーを共重合してなるポリマー、ポリエチレン、及びポリプロピレンのうち少なくともいずれかからなる場合、ダイシングテープ２が塩素を含まないので、ダイシングテープ２を焼却して廃棄する時に塩素系ガスが発生しない。また、廃棄時の分別が不要になる。
基材層２ｂの材料としては、降伏点を示さない場合が多く、低温での伸びが優れ、フィルムの伸びの異方性が小さい点でポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニルポリエチレン共重合体が好ましい。フィルムは押し出し成型時に縦方向に配向しやすく、上記のフィルムについてもフィルムの伸びが完全に均一でない場合がある。このため、ウエハラミネート時に張力を調整等することが好ましい。また、必要に応じてプライマー塗布、ＵＶ処理、コロナ放電処理、研磨処理、エッチング処理等の表面処理を基材層２ｂに対して行っても良い。粘着剤層２ａは、特に液状成分の比率、高分子量成分のガラス転移温度（以下、「Ｔｇ」ともいう）を調整することによって得られる適度なタック強度を有する樹脂組成物を、基材層２ｂ上に塗布した後、乾燥することで形成可能である。
また、ダイシングテープ２の厚さＡは、接着シート１の厚さＢやダイシングテープ一体型接着シート３の用途によって適宜、当業者の知識に基づいて定められることが好ましい。経済性がよく、フィルムの取扱い性が良い点で、ダイシングテープ２の厚さＡは６０〜１５０μｍであることが好ましく、７０〜１３０μｍであることがより好ましい。
ダイシングテープ２の厚さＡと接着シート１の厚さＢとの比Ａ／Ｂは、２〜３０である。比Ａ／Ｂは１０〜２５であることが好ましく、１５〜２５であることがより好ましい。例えば、ダイシングテープ２の厚さＡが１１０μｍ、接着シート１の厚さＢが１０μｍの場合、比Ａ／Ｂは１１である。例えば、ダイシングテープ２の厚さＡが１１０μｍ、接着シート１の厚さＢが５μｍの場合、比Ａ／Ｂは２２である。
比Ａ／Ｂが２未満であるとダイシングテープ２に比べて接着シート１が厚いため、ダイシングテープ２に比べて接着シート１が伸びにくく、結果として接着シート１を切断しにくくなる傾向にある。特に、半導体ウエハの端部にはみ出した接着シート１が破断しにくくなる傾向にある。一方、比Ａ／Ｂが３０を超えると、ダイシングテープ２に比べて接着シート１が薄いため、ダイシングテープ２に張力が掛かった場合に、早期に半導体ウエハの端部にはみ出した接着シート１が切断されてしまう。このため、半導体ウエハに十分に張力が掛かる前に、接着シート１が切断された部分にのみ張力が不均一に掛かるため、結果として接着シート１が部分的に切断されにくくなる傾向にある。
ダイシングテープ２では、粘着剤層２ａが接着シート１と貼り合わされる。ダイシングテープ２と接着シート１との９０°はく離試験による接着力は、通常、２０Ｎ／ｍ以上１００Ｎ／ｍ以下である。接着力が２０Ｎ／ｍ以上１００Ｎ／ｍであることにより、エキスパンド時にダイシングテープ２と接着シート１とがはく離せず、結果として接着シート１が破断しやすく、さらには後のチップのピックアップが容易になる。
接着力が２０Ｎ／ｍ未満の場合、ダイシングテープ２を延伸した時に、半導体ウエハが破断し、チップになる際に内部応力が開放されて、チップとダイシングテープ２との界面がはく離し、反りが生じるため、ピックアップが困難になる。接着力が１００Ｎ／ｍ超であると、ピックアップが困難で、チップの割れ等が生じ易くなる傾向にある。
ダイシングテープ２が引っ張り変形時に降伏点を示すか否かは、基材層２ｂの構成材料の種類、基材層２ｂを製造する際の延伸条件、基材層２ｂの厚さ等に依存する。一般的には、基材層２ｂの構成材料としてポリ塩化ビニル、ポリオレフィン系アイオノマー、架橋ゴム等を用いると、降伏点を示さない場合が多い。また、基材層２ｂの構成材料としてポリエチレン及びポリプロピレン等を用いると、降伏点を示す場合が多い。
＜接着シート＞
接着シート１としては、例えば日立化成工業株式会社製ＨＳ−２３０、ＨＳ−２７０、ＨＳ−２６０等を用いることができる。
Ｂステージ状態の接着シート１の２５℃における破断伸びは４０％超であり、４００％以下であることが好ましい。この場合、接着シート１は伸びやすくなる。ここで、Ｂステージ状態とは、ＤＳＣによる反応熱測定を行い、原材料の発熱量に対し、発熱量が５０〜９９％である状態を言うものとする。
Ｂステージ状態の接着シート１の２５℃における破断伸び及び破断強度は、幅１０ｍｍ、チャック間距離２０ｍｍ、厚さ５〜２５０μｍの試料について、引っ張り試験機（ＴＯＹＯ ＢＡＬＤＷＩＮ製 ＵＴＭ−４−１００型テンシロン）を用いて引っ張り速度０．５ｍ／ｍｉｎで応力、ひずみ曲線を測定し、それから下式により得たものである。
破断強度（Ｐａ）＝最大強度（Ｎ）／試料の断面積（ｍ２）
破断伸び（％）＝（破断時の試料長さ（ｍｍ）−２０）／２０×１００
Ｂステージ状態の接着シート１の、２５℃で９００Ｈｚにおける動的粘弾性測定による弾性率（貯蔵弾性率）は４０００ＭＰａ未満であり、１０００ＭＰａ以上であることが好ましい。この場合、接着シート１は柔らかくなる。Ｂステージ状態の接着シート１の６０℃で１０Ｈｚにおける動的粘弾性測定による弾性率は、０．１〜２０ＭＰａであることが好ましく、０．１〜１０ＭＰａであることがより好ましく、０．１〜５ＭＰａであることが特に好ましい。この弾性率が０．１ＭＰａ未満であると、貼付後に接着シート１が半導体ウエハから剥離したり、ずれたりする傾向がある。
Ｂステージ状態の接着シート１の、２５℃で９００Ｈｚにおける動的粘弾性測定による弾性率の測定は、動的粘弾性測定装置（レオロジ社製 ＤＶＥ−Ｖ４）を使用し、Ｂステージ状態の接着シート１に引張り荷重をかけて、周波数９００Ｈｚで行われるものである。
半導体ウエハに貼り付ける前の状態において破断強度及び破断伸びの大きい接着シート１を用いた場合、接着シート１を低温で半導体ウエハに貼り付けすることが可能であり、貼り付け後に破断強度及び破断伸びを上記数値範囲内にすることで破断性を向上させることができる。接着シート１は、半導体ウエハの反りを小さくし、室温（２５℃）での取扱い性を良くするため、４０〜１００℃の間でウエハラミネートすることが好ましい。
なお、接着シート１は、上記各特性に加えて、半導体素子搭載用支持部材に半導体素子を実装する場合に要求される耐熱性及び耐湿性を有するものであることが好ましい。また、接着シート１は、適当なタック強度を有しシート状での取り扱い性が良好であることから、高分子量成分の他に熱硬化性成分及びフィラーを含むことが好ましく、さらにこれらの他に、硬化促進剤、触媒、添加剤、カップリング剤等を含んでもよい。また、破断強度や破断伸びは、接着シート１に含まれる高分子量成分が多く、フィラーが少ないほど高くなる傾向がある。
次に、接着シート１を構成する成分についてより詳細に説明する。
接着シート１は、粘着性や強度を改善するために重量平均分子量が５万以上の高分子量成分を含むことが好ましい。高分子量成分のガラス転移温度（Ｔｇ）が−３０℃〜５０℃、高分子量成分の重量平均分子量が５万〜１００万であることが好ましい。Ｔｇが５０℃を超えると、接着シート１の柔軟性が低くなる傾向にある。Ｔｇが−３０℃未満であると、接着シート１の柔軟性が高すぎるため、半導体ウエハ破断時に接着シート１が破断し難くなる傾向にある。また、高分子量成分の重量平均分子量が５万未満であると、接着シート１の耐熱性が低下する傾向にある。高分子量成分の重量平均分子量が１００万を超えると、接着シート１の流動性が低下する傾向にある。
接着シート１に含有される高分子量成分としては、半導体ウエハ切断時における接着シート１の破断性や耐熱性の観点から、Ｔｇが−２０℃〜４０℃で重量平均分子量が１０万〜９０万の高分子量成分がより好ましく、Ｔｇが−１０℃〜５０℃で重量平均分子量が５万〜１００万の高分子量成分が好ましく、Ｔｇが−１０℃〜３０℃で重量平均分子量が５０万〜９０万の高分子量成分が特に好ましい。なお、重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法（ＧＰＣ）で標準ポリスチレンによる検量線を用いたポリスチレン換算値である。ポンプとして日立製作所製Ｌ−６０００を使用し、カラムとして日立化成工業株式会社製ゲルパック（Ｇｅｌｐａｃｋ）ＧＬ−Ｒ４４０、ゲルパックＧＬ−Ｒ４５０、及びゲルパックＧＬ−Ｒ４００Ｍ（各１０．７ｍｍφ×３００ｍｍ）をこの順に連結したカラムを使用し、溶離液としてテトラヒドロフランを使用し、試料１２０ｍｇをＴＨＦ５ｍｌに溶解させたサンプルについて、流速１．７５ｍＬ／分で測定することができる。
高分子量成分として、具体的には、ポリイミド、ポリスチレン、ポリエチレン、ポリエステル、ポリアミド、ブタジエンゴム、アクリルゴム、（メタ）アクリル樹脂、ウレタン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、フェノキシ樹脂、変性ポリフェニレンエーテル樹脂、フェノキシ樹脂、ポリカーボネート及びそれらの混合物等が挙げられる。特に、官能性モノマを含む重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分、例えば、グリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレート等の官能性モノマを含有し、かつ重量平均分子量が１０万以上であるエポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体等が好ましい。エポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体としては、例えば、（メタ）アクリルエステル共重合体、アクリルゴム等を使用することができ、アクリルゴムがより好ましい。アクリルゴムは、アクリル酸エステルを主成分とし、主として、ブチルアクリレートとアクリロニトリル等の共重合体や、エチルアクリレートとアクリロニトリル等の共重合体等からなるゴムである。
また、接着シート１は熱硬化性成分を含むことが好ましい。熱硬化性成分としては、エポキシ樹脂、シアネート樹脂、フェノール樹脂及びその硬化剤等があるが、耐熱性が高い点で、エポキシ樹脂が好ましい。エポキシ樹脂は、硬化して接着作用を有するものであれば特に限定されない。ビスフェノールＡ型エポキシ等の二官能エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂やクレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂等を使用することができる。また、多官能エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、複素環含有エポキシ樹脂又は脂環式エポキシ樹脂等、一般に知られているものを適用することができる。
さらに、接着シート１には、Ｂステージ状態の接着シート１の破断強度及び破断伸びの低減、取扱性の向上、熱伝導性の向上、溶融粘度の調整、チクソトロピック性の付与等を目的としてフィラー、好ましくは無機フィラーを配合することが好ましい。
無機フィラーの材料としては、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、アルミナ、窒化アルミニウム、ホウ酸アルミウイスカ、窒化ホウ素、結晶性シリカ、非晶性シリカ、アンチモン酸化物等が挙げられる。熱伝導性向上のためには、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、結晶性シリカ、非晶性シリカ等が好ましい。溶融粘度の調整やチクソトロピック性の付与の目的には、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、アルミナ、結晶性シリカ、非晶性シリカ等が好ましい。また、耐湿性を向上させるためには、アルミナ、シリカ、水酸化アルミニウム、アンチモン酸化物が好ましい。
上記フィラー量の配合量は、接着シート１の全質量に対して５質量％以上７０質量％以下であることが好ましく、３５質量％以上６０質量％以下であることがより好ましい。フィラー量の配合量が多くなると、接着シート１の貯蔵弾性率の上昇、接着性の低下、ボイド残存による電気特性の低下等の問題が起きやすくなるので、フィラー量の配合量を５０質量％以下とするのが特に好ましい。また、フィラーの比重は１〜１０ｇ／ｃｍ３であることが好ましい。
接着シート１は、高分子量成分、さらに必要に応じて熱硬化性成分、フィラー、及び他の成分を有機溶媒中で混合、混練してワニスを調製した後、基材フィルム上に上記ワニスの層を形成させ、加熱乾燥した後、基材フィルムを除去して得ることができる。
上記の混合、混練は、通常の攪拌機、らいかい機、三本ロール、ボールミル等の分散機を適宜、組み合わせて行うことができる。上記の加熱乾燥の条件は、使用した溶媒が充分に揮散する条件であることが好ましく、通常６０℃〜２００℃で、０．１〜９０分間加熱して行う。
接着シート１の製造における上記ワニスの調製に用いる有機溶媒は、材料を均一に溶解、混練又は分散できることが好ましく、従来公知のものを使用することができる。このような溶剤としては、例えば、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、トルエン、キシレン等が挙げられる。乾燥速度が速く、価格が安い点でメチルエチルケトン、シクロヘキサノン等を使用することが好ましい。
有機溶媒の使用量は、接着シート１の製造後の残存揮発分が全質量基準で０．０１〜３質量％であることが好ましく、耐熱信頼性の観点からは全質量基準で０．０１〜２．０質量％が好ましく、全質量基準で０．０１〜１．５質量％がさらに好ましい。
また、接着シート１を複数重ね合わせ、複層の接着シートにしてもよい。また、接着シート１と、例えば熱可塑性フィルム、粘着剤、熱硬化樹脂等からなるフィルムとを組合せる、又は当該フィルムの両面に接着シート１を重ね合わせる等し、複層の接着シートにしても良い。例えば、複層にした接着シートの破断強度及び破断伸びや弾性率が上記数値範囲内にあれば、切断が容易になる。また、接着シート１と重ね合わせるフィルムとして、例えば、ポリイミド、ポリエステル等の熱可塑性樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、及びこれらの混合物等からなるフィルムを挙げることができる。これらのフィルムは、各種フィラーを含んでいてもよい。
接着シート１の厚さＢは、５０μｍ未満であることが好ましく、１μｍ以上５０μｍ未満であることが好ましい。接着シート１の厚さＢが１μｍより薄いと応力緩和効果や接着性が乏しくなる傾向がある。接着シート１の厚さＢが５０μｍ以上であると、経済的でなくなる上に、半導体装置の小型化の要求に応えられず、破断が困難になる傾向がある。なお、接着性が高く、また、半導体装置を薄型化できる点で、接着シート１の厚さＢは、３〜４０μｍであることが好ましく、５〜２０μｍであることが更に好ましい。パッケージが薄くなり、ダイシングテープ２の厚さが１００μｍ程度の場合に破断性が向上することから、接着シート１の厚さＢは、５〜２０μｍであることが特に好ましい。また、半導体ウエハの厚さＣと接着シート１の厚さＢとの比Ｃ／Ｂは、２〜２０であることが好ましい。半導体ウエハに対して接着シート１が薄いと、半導体ウエハの破断の衝撃によって半導体ウエハ自身が意図せず割れやすくなる傾向にある。半導体ウエハに対して接着シート１が厚いと、接着シート１が破断されずにチップ間に残り、チップのピックアップ性が悪化する傾向にある。
以上説明したように、ダイシングテープ一体型接着シート３を半導体ウエハに貼り付けてダイシングを行うと、柔らかく伸びやすい接着シート１を半導体ウエハと共に破断性よく切断することができる。
（ダイシングテープ一体型接着シートの製造方法）
図１(ｂ)は、実施形態に係るダイシングテープ一体型接着シートの製造方法の一工程を模式的に示す断面図である。図１(ａ)に示されるダイシングテープ一体型接着シート３は、図１(ｂ)に示されるように、接着シート１にダイシングテープ２の粘着剤層２ａを貼り付けることで得ることができる。ダイシングテープ一体型接着シート３を用いることで、半導体ウエハへのラミネート工程が一回で済み、作業の効率化が可能である。ダイシングテープ２上に接着シート１を積層する方法としては、印刷のほか、予め作成した接着シート１をダイシングテープ２上にプレス、ホットロールラミネート方法が挙げられるが、連続的に製造でき、効率が良い点でホットロールラミネート方法が好ましい。なお、接着シート１にダイシングテープ２を貼り付ける前に、接着シート１を半導体ウエハに貼り付けてもよい。
（半導体装置の製造方法）
＜第１実施形態＞
図２〜図６は、第１実施形態に係る半導体装置の製造方法の各工程を模式的に示す断面図である。本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、Ｉ）半導体ウエハＷに上述の接着シート１を貼り付ける工程（図２参照）と、ＩＩ）半導体ウエハＷを区分する工程（図３参照）と、ＩＩＩ）接着シート１に上述のダイシングテープ２を貼り付ける工程（図４参照）と、を工程Ｉ）−工程ＩＩ）−工程ＩＩＩ）、工程ＩＩ）−工程Ｉ）−工程ＩＩＩ）、又は工程Ｉ）−工程ＩＩＩ）−工程ＩＩ）の順で含む。さらに、本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、ＩＶ）接着シート１を切断することにより、複数の個片化された接着シート付き半導体チップ６を得る工程（図５参照）と、Ｖ）接着シート付き半導体チップ６を半導体チップ搭載用支持部材７に接着する工程（図６参照）と、を含む。工程Ｖ）は、工程ＩＶ）の後に実施される。
図２(ａ)及び図２(ｂ)には、半導体ウエハＷに接着シート１を貼り付ける工程Ｉ）が示されている。半導体ウエハＷの構成材料としては、単結晶シリコンの他、多結晶シリコン、各種セラミック、ガリウム砒素等の化合物半導体等が使用される。半導体ウエハＷの厚さは１００μｍ以下であってもよいし、７０μｍ以下であってもよいし、５５μｍ以下であってもよいし、３５μｍ以下であってもよい。
工程Ｉ）において、接着シート１を半導体ウエハＷに貼り付ける温度、即ちラミネート温度は、０℃〜１７０℃の範囲であることが好ましく、半導体ウエハＷの反りを少なくするためには２０℃〜１３０℃の範囲であることがより好ましく、２０℃〜８０℃の範囲であることが特に好ましい。また、工程ＩＩ）の後に工程Ｉ）を行う場合、ラミネート時の応力や変形により半導体ウエハＷが破断することを防止するため、半導体ウエハＷが変形しないように半導体ウエハＷを支持してラミネートを行うことが好ましい。
図３(ａ)及び図３(ｂ)には、半導体ウエハＷを区分する工程ＩＩ）が示されている。工程ＩＩ）では、例えば、半導体ウエハＷの切断予定ライン４上にレーザー光Ｌを照射することによって、半導体ウエハＷの内部に改質領域（切断予定部）５を形成する（ステルスダイシング）。半導体ウエハＷのレーザ加工の方法については、特開２００２−１９２３７０号公報、特開２００３−３３８４６７号公報に記載の方法を使用することができる。レーザ加工装置については、例えば、株式会社東京精密製のＭＡＨＯＨＤＩＣＩＮＧ ＭＡＣＨＩＮＥを使用することができる。
工程ＩＩ）における半導体ウエハＷを区分する加工方法としては、ダイシングカッター等により半導体ウエハＷを完全に切断せずに、折り目となる溝を形成する方法（ハーフカットダイシング）等、その後に外力等を加えることで容易に半導体ウエハＷを切断することができる方法を用いてもよい。
なお、これらの方法を用いて半導体ウエハＷを区分するとは、外力により切断できるように予め破断のきっかけを作った状態あるいはこの状態の後さらに外力を加え半導体ウエハＷがほぼ切断され、一部のみつながっている状態、さらに外力を加え半導体ウエハＷは切断されているが互いに接触するか、数μｍ以下の僅かな間隙を挟んで隣り合う状態、または、さらに外力を加え半導体ウエハＷが切断されて、数μｍ以上１ｍｍ以下の間隙を挟んで隣り合う状態までを含む。すなわち、工程ＩＩ）では、半導体ウエハＷが完全に切断されなくてもよいし、完全に切断されてもよい。
半導体ウエハＷへ照射されるレーザー光Ｌは、半導体ウエハＷの回路面（回路が形成されている面）から照射してもよく、また半導体ウエハＷの裏面、つまり、回路が形成されておらず、接着シート１を貼り付ける側の面から照射してもよい。なお、工程ＩＩ）を工程Ｉ）や後述する工程Ｉ’）又は工程ＩＩＩ）の後に行う場合には、接着シート１やダイシングテープ２として、レーザー光Ｌを透過するものを用いることが好ましい。この場合、接着シート１やダイシングテープ２側から半導体ウエハＷにレーザー光Ｌを照射することが可能になる。また、破断（つまり切断）できなかった部分を認識しやすい点で、接着シート１はダイシングテープ２と透明性や色調が異なるものであることが好ましい。
工程ＩＩ）においては、例えば、下記のレーザー加工条件で、上記のレーザー加工装置を用いて半導体ウエハＷの内部に集光点を合わせて、切断予定ライン４に沿って半導体ウエハＷの回路面側からレーザー光Ｌを照射し、半導体ウエハＷの内部に改質領域５を形成する。改質領域５を形成すると、切断予定ライン４に沿って半導体ウエハＷを切断することができる。改質領域５は、多光子吸収により半導体ウエハＷの内部が局所的に加熱溶融することにより形成された溶融処理領域であることが好ましい。
（レーザー加工条件）
（Ａ）半導体基板（半導体ウエハＷ）：シリコンウエハ（厚さ３５０μｍ、外径６インチ）
（Ｂ）レーザー光源：半導体レーザー励起Ｎｄ：ＹＡＧレーザー
波長：１０６４ｎｍ
レーザー光スポット断面積：３．１４×１０−８ｃｍ２
発振形態：Ｑスイッチパルス
繰り返し周波数：１００ｋＨｚ
パルス幅：３０ｎｓ
出力：２０μＪ／パルス
レーザー光品質：ＴＥＭ００
偏光特性：直線偏光
（Ｃ）集光用レンズ
倍率：５０倍
ＮＡ：０．５５
レーザー光波長に対する透過率：６０パーセント
（Ｄ）半導体基板が載置される載置台の移動速度：１００ｍｍ／秒
図４(ａ)及び図４(ｂ)には、接着シート１にダイシングテープ２を貼り付ける工程ＩＩＩ）が示されている。
工程ＩＩＩ）においては、例えば、接着シート１の一方の面（半導体ウエハＷが貼り付けられている面とは反対の面）にダイシングテープ２を貼り付ける。貼り付ける温度、即ちラミネート温度は、０℃〜６０℃の範囲で行われることが好ましく、１０℃〜４０℃の範囲で行われることがより好ましく、１５℃〜３０℃の範囲で行われることがさらに好ましい。工程ＩＩ）の後に工程ＩＩＩ）を行う場合、ラミネート時の応力や変形により半導体ウエハＷが破断することを防止するため、半導体ウエハＷが変形しないように半導体ウエハＷを支持してラミネートを行うことが好ましい。
図５(ａ)及び図５(ｂ)には、半導体ウエハＷ及び接着シート１を切断することにより、複数の個片化された接着シート付き半導体チップ６を得る工程ＩＶ）が示されている。工程ＩＶ）では、例えば、ダイシングテープ２をエキスパンドすることで半導体ウエハＷ及び接着シート１を切断する。工程ＩＶ）の前に既に半導体ウエハＷが切断されている場合には、接着シート１のみを切断する。
工程ＩＶ）において半導体ウエハＷ及び接着シート１の切断は、ダイシングテープ２に外力を加えることで行うことができる。この外力は、例えば、ハーフカットダイシングの場合には、曲げ方向やねじれ方向（ダイシングテープ２の厚み方向）に加えることが好ましく、ステルスダイシングの場合には、引っ張り（エキスパンド）方向に加えることが好ましい。
例えば、ステルスダイシングにおいて、ダイシングテープ２の両端を引っ張り、外力を加えることで半導体ウエハＷ及び接着シート１の切断を行う場合には、市販のウエハ拡張装置によって行うことができる。より具体的には、図５に示されるように、ステージ１３上に配置されたダイシングテープ２の周辺部にリング１１を貼り付け、固定する。その後、突き上げ部１２を上昇させることで、ダイシングテープ２に両端から張力をかける。
この時の突き上げ部１２が上昇する速度をエキスパンド速度とし、突き上げ部１２が上昇した高さ１４をエキスパンド量とすると、エキスパンド速度は１０〜１０００ｍｍ／秒であることが好ましく、１０〜２００ｍｍ／秒であることがより好ましく、５０〜１５０ｍｍ／秒であることが特に好ましい。エキスパンド速度が１０ｍｍ／秒未満であると、半導体ウエハＷ及び接着シート１の切断が困難となる傾向がある。エキスパンド速度が１０００ｍｍ／秒を超えると、ダイシングテープ２が破断しやすくなる傾向がある。また、エキスパンド量は５〜３０ｍｍであることが好ましく、１０〜３０ｍｍであることがより好ましく、１５〜２０ｍｍであることが特に好ましい。エキスパンド量が５ｍｍ未満であると、半導体ウエハＷ及び接着シート１の切断が困難となる傾向がある。エキスパンド量が３０ｍｍを超えるとダイシングテープ２が破断しやすくなる傾向がある。
このようにダイシングテープ２を引っ張り、外力を加えることで、半導体ウエハＷ内部の改質領域５を起点として半導体ウエハＷの厚さ方向に割れが発生し、この割れが半導体ウエハＷの回路面及び裏面、さらには、半導体ウエハＷと密着する接着シート１まで到達し、半導体ウエハＷ及び接着シート１が破断、つまり、切断される。これにより接着シート付き半導体チップ６を得ることができる。
なお、エキスパンド量が２５ｍｍを超す場合には、ダイシングテープ２の基材層２ｂとして、塩化ビニル基材を使用することが好ましいが、エキスパンド量が少ない場合は、各種ポリオレフィン基材を使用することが好ましい。また、エキスパンドは室温で行うことが好ましいが、必要に応じて−５０℃〜１００℃の間で調整された温度で行ってもよい。ダイボンドフィルムとしての接着シート１が脆くなり破断性が向上するため、１０℃以下に冷却してエキスパンドを行うことが好ましく、０℃以下に冷却してエキスパンドを行うことがより好ましく、−１０℃以下に冷却してエキスパンドを行うことが特に好ましい。冷却してエキスパンドを行うと、接着シート１の破断伸びが少なく、切断しやすいため、接着シート１の切断不良による歩留低下を防ぐことができる。一方、エキスパンド時の温度が−５０℃以下になると結露が著しく、ダイシングテープ２の伸びが低下する傾向にあり、さらに、ダイシングテープ２の粘着剤層２ａが硬くなり、エキスパンド時に割れが生じ、伸びが不均一になる傾向にある。
ダイシングテープ２の粘着剤層２ａにＵＶ硬化粘着剤を使用している場合は、エキスパンドの前あるいは後にダイシングテープ２に、半導体ウエハＷが貼り付けられている面の反対面側から紫外線を照射し、ＵＶ硬化粘着剤を硬化させる。これにより、ＵＶ硬化粘着剤と接着シート１との密着力が低下することになり、後の工程Ｖ）におけるピックアップが容易になる。
図６(ａ)及び図６(ｂ)には、接着シート付き半導体チップ６を半導体チップ搭載用支持部材７に接着する工程Ｖ）が示されている。
工程Ｖ）では、ピックアップ手段として吸着コレット２１、針扞２２等を用いて複数の個片化された接着シート付き半導体チップ６をピックアップする。その後、接着シート付き半導体チップ６を半導体チップ搭載用支持部材７の半導体チップ搭載部に載せ、接着シート１を加熱硬化する。加熱硬化は、通常１００〜２２０℃の間の温度で行われる。
上述のように、本実施形態の半導体装置の製造方法では、柔らかく伸びやすい接着シート１を用いている。このような場合でも、接着シート１を半導体ウエハＷに貼り付けて、ダイシングテープ２を用いて接着シート１を切断すると、柔らかく伸びやすい接着シート１を半導体ウエハＷと共に破断性よく切断することができる。
＜第２実施形態＞
図７〜図１０は、第２実施形態に係る半導体装置の製造方法の各工程を模式的に示す断面図である。本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、Ｉ’）半導体ウエハＷに、接着シート１とダイシングテープ２とが積層されたダイシングテープ一体型接着シート３を貼り付ける工程（図７参照）と、ＩＩ）半導体ウエハＷを区分する工程（図８参照）と、を工程Ｉ’）−工程ＩＩ）、又は工程ＩＩ）−工程Ｉ’）の順で含む。さらに、本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、ＩＶ）接着シート１を切断することにより、複数の個片化された接着シート付き半導体チップ６を得る工程（図９参照）と、Ｖ）接着シート付き半導体チップ６を半導体チップ搭載用支持部材７に接着する工程（図１０参照）と、を含む。工程Ｖ）は、工程ＩＶ）の後に実施される。
図７(ａ)及び図７(ｂ)には、半導体ウエハＷに、接着シート１とダイシングテープ２とが積層されたダイシングテープ一体型接着シート３を貼り付ける工程Ｉ’）が示されている。
工程Ｉ’）において、半導体ウエハＷにダイシングテープ一体型接着シート３を貼り付ける際には、接着シート１が半導体ウエハＷに接するように貼り付ける。貼り付ける温度、即ちラミネート温度は、０℃〜１７０℃の範囲であることが好ましく、半導体ウエハＷの反りを少なくするためには２０℃〜１３０℃の範囲であることがより好ましく、２０℃〜６０℃の範囲であることが特に好ましい。
図８(ａ)及び図８(ｂ)には、半導体ウエハＷを区分する工程ＩＩ）が示されている。工程ＩＩ）では、例えば、ダイシングソー２３により半導体ウエハＷに溝５ａを形成することによって、半導体ウエハＷを区分する（ハーフカットダイシング）。なお、ハーフカットダイシングに代えてステルスダイシングによって、半導体ウエハＷを区分してもよい（図１１参照）。
図９には、接着シート１を切断することにより、複数の個片化された接着シート付き半導体チップ６を得る工程ＩＶ）が示されている。工程ＩＶ）では、例えば、ダイシングテープ一体型接着シート３に外力を加えて、半導体ウエハＷ及び接着シート１を切断する。
図１０(ａ)及び図１０(ｂ)には、接着シート付き半導体チップ６を半導体チップ搭載用支持部材７に接着する工程Ｖ）が示されている。
本実施形態の半導体装置の製造方法では、柔らかく伸びやすい接着シート１を含むダイシングテープ一体型接着シート３用いている。このような場合でも、ダイシングテープ一体型接着シート３を半導体ウエハＷに貼り付けて、ダイシングテープ２を用いて接着シート１を切断すると、柔らかく伸びやすい接着シート１を半導体ウエハＷと共に破断性よく切断することができる。
図１１(ａ)〜図１１(ｄ)は、第２実施形態に係る半導体装置の製造方法の変形例を模式的に示す工程断面図である。まず、図１１(ａ)及び図１１(ｂ)に示されるように、半導体ウエハＷにダイシングテープ一体型接着シート３を貼り付ける。次に、図１１(ｃ)に示されるように、半導体ウエハＷの切断予定ライン上にレーザー光を照射して、半導体ウエハＷの内部に改質領域（切断予定部）５を形成して、半導体ウエハＷを区分する。次に、図１１(ｄ)に示されるように、ダイシングテープ２又はダイシングテープ一体型接着シート３に外力を加えて半導体ウエハＷ及び接着シート１を切断する。
以上、本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されない。
例えば、半導体ウエハＷに接着シート１及びダイシングテープ２を貼り付ける方法と半導体ウエハＷを区分する方法（ハーフカットダイシング又はステルスダイシング）との組み合わせは、特に限定されるものではない。作業性や効率性の観点からは、半導体ウエハＷにダイシングテープ一体型接着シート３を貼り付け、ステルスダイシングを行う組み合わせが最も好ましい。
また、上記実施形態の半導体装置の製造方法は、上記工程Ｉ）、工程Ｉ’）、工程ＩＩ）、工程ＩＩＩ）、工程ＩＶ）、工程Ｖ）に加えて、任意の工程を含み得る。例えば、工程Ｉ）又は工程Ｉ’）を行った後、工程ＩＶ）を行う前のいずれかの段階において、接着シート１に紫外線、赤外線若しくはマイクロ波を照射する工程、又は、接着シート１を加熱若しくは冷却する工程を含んでいてもよい。工程Ｖ）を行った後には、必要に応じ、ワイヤボンディング工程、封止工程等が含まれてもよい。
以下、実施例及び比較例に基づいて本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
［ダイシングテープ一体型接着シート］
（実施例１）
接着シートに日立化成工業株式会社製、ＨＳ−２７０（厚さ１０μｍ）を用いた。この接着シートを、ポリ塩化ビニル基材にアクリル系粘着剤を塗布したダイシングテープ（基材層厚さ１００μｍ、粘着剤層厚さ１０μｍ）の粘着剤層面に積層し、実施例１のダイシングテープ一体型接着シートを得た。このダイシングテープは引っ張り変形時に降伏点を示さず、且つ、ダイシングテープの厚さＡと接着シートの厚さＢの比Ａ／Ｂは１１である。
（実施例２）
接着シートに日立化成工業株式会社製、ＨＳ−２７０（厚さ５μｍ）を用いた。この接着シートを、エチレン酢酸ビニル共重合体フィルム基材にアクリル系粘着剤を塗布したダイシングテープ（基材層厚さ１２０μｍ、粘着剤層厚さ１０μｍ）の粘着剤層面に積層し、実施例２のダイシングテープ一体型接着シートを得た。このダイシングテープは引っ張り変形時に降伏点を示さず、且つ、ダイシングテープの厚さＡと接着シートの厚さＢの比Ａ／Ｂは２６である。
（比較例１）
接着シートに日立化成工業株式会社製、ＨＳ−２７０（厚さ５０μｍ）を用いた。この接着シートを、高圧重合法により作成したポリエチレンフィルム基材にアクリル系粘着剤を塗布したダイシングテープ（基材層厚さ８０μｍ、粘着剤層厚さ１０μｍ）の粘着剤層面に積層し、比較例１のダイシングテープ一体型接着シートを得た。このダイシングテープは引っ張り変形時に降伏点を示さず、且つ、ダイシングテープの厚さＡと接着シートの厚さＢの比Ａ／Ｂは１．８である。
［ダイシングテープの評価］
実施例１、２、及び比較例１のダイシングテープをそれぞれ短冊状に成形し、得られた短冊状のダイシングテープについて２５℃で引っ張り試験を行った。ひずみをＸ軸、応力をＹ軸にプロットした場合に、傾きｄＹ／ｄＸが正の値から０又は負の値に変化する応力値をとるものを、降伏点有りとして、このような応力値をとらないものを降伏点なしとして、それぞれ評価した。評価結果を表１に示す。
［接着力の評価］
実施例１、２、及び比較例１で得られたダイシングテープ一体型接着シートについて、９０°はく離試験を行い、接着力を測定した。測定結果を表１に示す。
［ステルスダイシングによる接着シート付き半導体チップの作製］
実施例１、２、及び比較例１で得られたダイシングテープ一体型接着シートを用い、下記工程に示す方法で、接着シート付き半導体チップを製造し、その破断性を評価した。評価結果を表１に示す。
（工程）
半導体ウエハ（厚さ５０μｍ）に、図３に示されるようにレーザー光を照射し、半導体ウエハ内部に改質領域を形成した。次に、半導体ウエハと接着シートとが接するように、ホットロールラミネータ（Ｄｕ Ｐｏｎｔ製Ｒｉｓｔｏｎ）を用いて、実施例１、２、比較例１のダイシングテープ一体型接着シートを半導体ウエハ（厚さ８０μｍ）に６０℃でラミネートした。ダイシングテープの外周部にはステンレス製のリングを貼り付けた。
続いて、エキスパンド装置により、リングを固定しダイシングテープをエキスパンドし、５ｍｍ角の接着シート付き半導体チップを作製した。このエキスパンド条件はエキスパンド速度が３０ｍｍ／秒、エキスパンド量が１５ｍｍであった。その際、半導体ウエハと接着シートとが９０％以上同時に切断されたものを○（破断性良好）として評価し、９０％未満のものを×（不良）として評価した。なお、接着シート付き半導体チップの全個数に対して、エキスパンド後に得られた接着シート付き半導体チップの個数の割合を用いた。
Figure 2009283925
１…接着シート、２…ダイシングテープ、２ａ…粘着剤層、２ｂ…基材層、３…ダイシングテープ一体型接着シート、４…切断予定ライン、５…改質領域、５ａ…溝、６…接着シート付き半導体チップ、７…半導体チップ搭載用支持部材、Ｌ…レーザ光、Ｗ…半導体ウエハ。

Claims (9)

  1. 高分子量成分を少なくとも含有する接着シートと、
    前記接着シートに積層されたダイシングテープと、
    を備え、
    Ｂステージ状態の前記接着シートの２５℃における破断伸びが４０％超であり、
    Ｂステージ状態の前記接着シートの、２５℃で９００Ｈｚにおける動的粘弾性測定による弾性率が４０００ＭＰａ未満であり、
    前記ダイシングテープが引っ張り変形時に降伏点を示さず、
    前記ダイシングテープの厚さＡと前記接着シートの厚さＢとの比Ａ／Ｂが２〜３０である、ダイシングテープ一体型接着シート。
  2. 前記ダイシングテープが粘着剤層及び基材層を有し、
    前記基材層が、ポリ塩化ビニルを含有する、請求項１に記載のダイシングテープ一体型接着シート。
  3. 前記ダイシングテープが粘着剤層及び基材層を有し、
    前記基材層が、塩素を含まないモノマーを共重合してなるポリマー、ポリエチレン、及びポリプロピレンのうち少なくともいずれかを含有する、請求項１に記載のダイシングテープ一体型接着シート。
  4. 高分子量成分を少なくとも含有する接着シートにダイシングテープを貼り付ける工程を含み、
    Ｂステージ状態の前記接着シートの２５℃における破断伸びが４０％超であり、
    Ｂステージ状態の前記接着シートの、２５℃で９００Ｈｚにおける動的粘弾性測定による弾性率が４０００ＭＰａ未満であり、
    前記ダイシングテープが引っ張り変形時に降伏点を示さず、
    前記ダイシングテープの厚さＡと前記接着シートの厚さＢとの比Ａ／Ｂが２〜３０である、ダイシングテープ一体型接着シートの製造方法。
  5. Ｉ）半導体ウエハに接着シートを貼り付ける工程と、
    ＩＩ）半導体ウエハを区分する工程と、
    ＩＩＩ）前記接着シートにダイシングテープを貼り付ける工程と、
    を工程Ｉ）−工程ＩＩ）−工程ＩＩＩ）、工程ＩＩ）−工程Ｉ）−工程ＩＩＩ）、又は工程Ｉ）−工程ＩＩＩ）−工程ＩＩ）の順で含み、さらに、
    ＩＶ）前記接着シートを切断することにより、複数の個片化された接着シート付き半導体チップを得る工程と、
    Ｖ）前記接着シート付き半導体チップを半導体チップ搭載用支持部材に接着する工程と、
    を含み、
    前記接着シートが高分子量成分を少なくとも含有し、
    Ｂステージ状態の前記接着シートの２５℃における破断伸びが４０％超であり、
    Ｂステージ状態の前記接着シートの、２５℃で９００Ｈｚにおける動的粘弾性測定による弾性率が４０００ＭＰａ未満であり、
    前記ダイシングテープが引っ張り変形時に降伏点を示さず、
    前記ダイシングテープの厚さＡと前記接着シートの厚さＢとの比Ａ／Ｂが２〜３０である、半導体装置の製造方法。
  6. Ｉ’）半導体ウエハに、接着シートとダイシングテープとが積層されたダイシングテープ一体型接着シートを貼り付ける工程と、
    ＩＩ）半導体ウエハを区分する工程と、
    を工程Ｉ’）−工程ＩＩ）、又は工程ＩＩ）−工程Ｉ’）の順で含み、さらに、
    ＩＶ）前記接着シートを切断することにより、複数の個片化された接着シート付き半導体チップを得る工程と、
    Ｖ）前記接着シート付き半導体チップを半導体チップ搭載用支持部材に接着する工程と、
    を含み、
    前記接着シートが高分子量成分を少なくとも含有し、
    Ｂステージ状態の前記接着シートの２５℃における破断伸びが４０％超であり、
    Ｂステージ状態の前記接着シートの、２５℃で９００Ｈｚにおける動的粘弾性測定による弾性率が４０００ＭＰａ未満であり、
    前記ダイシングテープが引っ張り変形時に降伏点を示さず、
    前記ダイシングテープの厚さＡと前記接着シートの厚さＢとの比Ａ／Ｂが２〜３０である、半導体装置の製造方法。
  7. 前記半導体ウエハを区分する工程では、前記半導体ウエハに溝を形成する、請求項５又は６に記載の半導体装置の製造方法。
  8. 前記半導体ウエハを区分する工程では、前記半導体ウエハの切断予定ライン上にレーザ光を照射することによって、前記半導体ウエハの内部に改質領域を形成する、請求項５又は６に記載の半導体装置の製造方法。
  9. 前記半導体ウエハの厚さが１００μｍ以下である、請求項５〜８のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
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