JP4754278B2 - チップ体の製造方法 - Google Patents

チップ体の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP4754278B2
JP4754278B2 JP2005183189A JP2005183189A JP4754278B2 JP 4754278 B2 JP4754278 B2 JP 4754278B2 JP 2005183189 A JP2005183189 A JP 2005183189A JP 2005183189 A JP2005183189 A JP 2005183189A JP 4754278 B2 JP4754278 B2 JP 4754278B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chip
workpiece
work holding
die bond
work
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2005183189A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2007005530A (ja
Inventor
明徳 佐藤
修 山崎
洋 小池
勝 中村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Lintec Corp
Original Assignee
Disco Corp
Lintec Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Corp, Lintec Corp filed Critical Disco Corp
Priority to JP2005183189A priority Critical patent/JP4754278B2/ja
Publication of JP2007005530A publication Critical patent/JP2007005530A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4754278B2 publication Critical patent/JP4754278B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Description

本発明は、チップ体の製造方法に関し、さらに詳しくは個片化されたチップ群が仮着された粘着シート等のワーク保持材を、カセットに収納し保管、搬送する際に、カセットへの収納を簡便かつ確実に行えるようにした製法に関する。
シリコン、ガリウムヒ素などの半導体ウエハは大径の状態で製造され、このウエハは素子小片(ICチップ)に切断分離(ダイシング)された後に次の工程であるマウント工程に供される。この際、半導体ウエハは予じめ粘着テープに貼着された状態でダイシング、洗浄、乾燥、エキスパンディング、ピックアップの各工程が加えられた後、次工程のマウント工程が行われる。
このような一連の工程に供される前の半導体ウエハは、リングフレームに張設された粘着テープ(ダイシングテープ)上に仮着された状態で保管、搬送されている。このような保管形態であれば、ウエハに対する不注意な取り扱いがあっても、リングフレームや粘着テープによる保持機能によって、ウエハが保護されるため、ウエハ単独で保管するよりもウエハの管理が容易になる。
しかし、もしウエハが破損した場合には、一枚のウエハがすべて破棄されることになる。
このため、可能であるならば、ウエハをチップ化した状態で保管、搬送することが好ましい。チップ化した後であれば、一部のチップが破損した場合であっても、破損チップを破棄すれば足りるため、歩留まりの低下は少ない。
ウエハのチップ化は、前述したダイシング工程によって行われる。しかし、ダイシング直後の状態では、チップ間隔が狭小過ぎるため、チップ同士が接触し、チップの破損を招く。すなわち、チップ同士は、ダイシングブレードの幅程度の距離で、互いに近接しているため、ダイシングテープ上に貼着しておいても、保管、搬送時の僅かな不注意でもチップ同士が接触し、破損する。
したがって、ダイシング後にエキスパンドを行い、チップ間隔を離間しておくことが求められる。このようなエキスパンドは、通常はエキスパンド装置を用いて行われる。
しかし、単にエキスパンド装置でダイシングテープをエキスパンドしては、テープにたるみが生じ、カセットへの収納の際にテープの粘着剤が不用意に隣のテープに付着したり、カセットの壁面に付着するので安定した収納ができなくなる。
そのため、たとえば特許文献1には、特殊な基材フィルムを使用することにより、エキスパンド開放後に熱風をあてることによりエキスパンドで生じたたるみを復元し、収納カセットへの収納ミスの発生を防止するダイシングテープが開示されている。
また、特許文献2には、エキスパンド機構部にウエハリングに支持されたウエハテープのウエハリング内周辺域に向けて熱風吹き出し口を設け、ウエハテープ周辺側に熱風を吹き付けることにより、ウエハテープを均一に伸縮させることができる半導体製造装置が開示されている。
特開平9−7976号公報 特開2004−200381号公報
しかし、特許文献1のように熱風でたるみを復元しようとすると、せっかく拡張したチップどうしの間隔を同時に狭小化し、収納されたカセットを運搬する際に隣接するチップが振動で接触し、チップの側壁にダメージを与えるおそれが残る。また、特許文献2のように特定の位置のみに熱風をあて、その位置のみ収縮できれば、拡張したチップどうしの間隔は狭小化しないと考えられるが、熱風は拡散するためその効果は乏しい。また、ダイシングテープの伸縮が速やかに起きなければ、熱風により特定の場所のみ柔らかくなったダイシングテープはチップの重さが支えられず、逆にたるみを大きくしてしまう。
特に、近年、フルカットダイシングを行わずに、半導体ウエハに切断起点を形成しておき、エキスパンド工程において切断起点から割断を起こし、ウエハをチップ化する方法が提案されている。この方法では、従来のエキスパンド工程以上のエキスパンド量が要求されることが多く、上記特許文献1の粘着テープでは対応できない場合がある。
したがって、本発明は、エキスパンド時に発生したテープのたるみを簡便に解消でき、カセットへの収納を確実に行えるようにするとともに、たるみの解消をした後でも十分なチップ間隔を維持できるチップ体の製造方法を提供することを目的としている。
上記の課題を解決する本発明は、以下の事項を要旨としている。
(1) 伸長可能な基材と、その片面中央部においてワークを一時的に保持する機能を有するワーク保持部と、ワーク保持部よりも外部に配置された収縮部とを有するワーク保持材のワーク保持部に個片化されたチップ群が仮着された状態にする工程、
ワーク保持材をエキスパンドしチップ間の間隔を離間する工程、
収縮部を収縮させ、収縮部とワーク保持部との間に発生したワーク保持材のたるみを解消する工程、および
チップが仮着された状態でワーク保持材をカセットに収納する工程を含むチップ体の製造方法。
(2) ワーク保持部にワークを仮着し、該ワークを個片化することで、ワーク保持部に個片化されたチップ群が仮着された状態にすることを特徴とする(1)に記載の製造方法。
(3) ワーク保持部が、基材上に剥離可能に積層されたダイボンド材からなり、ワークを個片化する工程において、該ダイボンド材もチップと同形状に個片化され、かつワーク保持材をカセットに収納する工程後、ダイボンド材がチップに同伴された状態でチップをピックアップする工程およびピックアップされたチップをダイボンド材を介してダイボンドする工程を含む(2)に記載の製造方法。
(4) 個片化したチップ群を、ワーク保持部に転写することで、ワーク保持部に個片化されたチップ群が仮着された状態にすることを特徴とする(1)に記載の製造方法。
(5) ワーク保持部が、基材上に剥離可能に積層されたダイボンド材からなり、ワーク保持材をエキスパンドする工程において、該ダイボンド材もチップと同形状に個片化され、かつワーク保持材をカセットに収納する工程後、ダイボンド材がチップに同伴された状態でチップをピックアップする工程およびピックアップされたチップをダイボンド材を介してダイボンドする工程を含む(4)に記載の製造方法。
(6) ダイボンド材が、エネルギー線照射により粘着力が低減し、熱硬化により接着力を発現する粘接着剤からなり、ピックアップ工程に先立ちダイボンド材にエネルギー線照射を行い、ダイボンド工程においてダイボンド材の熱硬化を行う(3)または(5)に記載の製造方法。
(7) ワーク保持部が、ワークに対して再剥離性を示す粘着剤からなり、かつワーク保持材をカセットに収納する工程後、チップをピックアップする工程を含む(1)、(2)および(4)の何れかに記載の製造方法。
(8) 粘着剤が、エネルギー線照射により粘着力が低減する粘着剤からなり、ピックアップ工程に先立ち粘着剤にエネルギー線照射を行う(7)に記載の製造方法。
このような本発明に係るチップ体の製造方法によれば、充分なエキスパンド量が達成されるため、チップ間隔が拡張し、チップ同士の接触によるチップの損傷を軽減できる。また、エキスパンド時に発生したテープのたるみを簡便に解消でき、カセットへの収納を確実に行えるようなるため、チップをテープに仮着された状態で保管、搬送できる。このため、ウエハ状態で保管、搬送する場合と比べ、保管、搬送中の損傷率が低下し、コストの削減に寄与できる。
以下、本発明について図面を参照しながらさらに具体的に説明する。
本発明のチップ体の製造方法においては、図1、2に示すように、
伸長可能な基材11と、その片面中央部においてワークを一時的に保持する機能を有するワーク保持部12と、ワーク保持部12よりも外部に配置された収縮部13とを有するワーク保持材10のワーク保持部12に個片化されたチップ群1が仮着された状態にする。なお、ワーク保持材10は、通常は、その外周部をリングフレーム2等の拘束手段により固定される。また図2は、図1のa−a線断面図である。
チップ群1を構成する各チップ3は、たとえば、表面に回路が形成された半導体チップ、具体的にはSiチップ、Geチップ、GaAsチップ;アルミナ、ジルコニア、窒化ケイ素、炭化ケイ素等のセラミック片、各種電子素子;光学用素子として用いられるガラス片などがあげられるが、これらに限定されない。これらチップは、所望の大きさに完全に切断された状態または切断起点を介して連接した状態でワーク保持部12に一時的に固定されている。チップは、後の工程に搬送され、半導体装置、光学装置などの各種デバイスの製造に供される。なお、チップが切断起点を介して連接した状態とは、後に詳述するが、極めて脆質な状態であり、わずかな衝撃によっても割断し、チップ化する。本明細書では、このような状態も個片化されたチップ群として取り扱う。以下、半導体チップを例にとって説明するが、チップはこれに限定されない。
チップの厚みは特に限定はされないが、半導体チップである場合には、その厚みは、通常は200μm以下、好ましくは30〜150μmである。なお、本明細書において、チップのボンディング面とは通常チップの裏面を指すが、フリップチップボンディングのように回路面側が基板に対面してボンディングする場合は、回路形成面を指す。
ワーク保持材10は、伸長可能な基材11と、その片面中央部においてワークを一時的に保持する機能を有するワーク保持部12と、ワーク保持部12よりも外部に配置された収縮部13とを有する。
このような伸長可能な基材11としては、具体的には、低密度ポリエチレン(LDPE)、直鎖低密度ポリエチレン(LLDPE)、エチレン・プロピレン共重合体、ポリプロピレン、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリメチルペンテン、エチレン・酢酸ビニル共重合体、エチレン・(メタ)アクリル酸共重合体、エチレン・(メタ)アクリル酸メチル共重合体、エチレン・(メタ)アクリル酸エチル共重合体、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル・酢酸ビニル共重合体、エチレン・塩化ビニル・酢酸ビニル共重合体、ポリウレタン、ポリアミドフィルム、アイオノマー等からなるフィルムなどが用いられる。また、これら伸長可能なフィルムは、2種以上を組み合わせてもよいし、それぞれのフィルムとの積層体を用いることもできる。
上記のような伸長可能な基材11の厚さは、通常5〜500μmであり、好ましくは10〜300μmである。本発明で用いられる伸長可能なフィルムの23℃におけるヤング率は通常500MPa以下であり、好ましくは100〜300MPaの範囲にあることが望ましい。
ワーク保持部12は、ワーク保持材の中央部において、チップ群1を一時的に固定する機能を有する。ワーク保持部12は、この機能を有する限り特に限定はされないが、通常は、粘着剤や、ダイボンド材としての機能も有する粘接着剤、熱可塑性接着剤からなる。
ワーク保持部12を形成する粘着剤としては、たとえばゴム系、アクリル系、シリコーン系、ポリビニルエーテル系等の再剥離性粘着剤が用いられる。また、エネルギー線硬化型や加熱発泡型の粘着剤も用いることができる。エネルギー線硬化型粘着剤は、エネルギー線の照射を受けると重合硬化し、粘着力が低下ないし消失する性質を有し、好ましく用いられる。エネルギー線硬化型粘着剤としては、たとえば、特公平1−56112号公報、特開平7−135189号公報、特公平7−15087号公報等に記載のものが好ましく使用されるがこれらに限定されることはない。しかしながら、本発明のチップ体の製法においては、特に紫外線硬化型粘着剤を用いることが好ましい。
ワーク保持部12を形成するダイボンド材は、本発明のチップ体の製造方法において、最終的にピックアップされたチップのボンディング面に配置され、ダイボンド時にはチップ搭載用基板との固着用接着剤としての機能を有する。ダイボンド材は、たとえば粘接着剤あるいは熱可塑性接着剤からなる。
粘接着剤とは、初期状態において常温で粘着性を示し、加熱のようなトリガーにより硬化し強固な接着性を示す接着剤をいう。
このような粘接着剤としては、従来公知の粘接着剤が特に制限されることなく用いられる。しかしながら、伸長可能な基材11表面からの剥離を容易にするために、粘接着剤層は、エネルギー線硬化性成分を有することが好ましい。エネルギー線硬化性成分を硬化させることで、粘着力が減少するため、基材11表面からの剥離を容易に行えるようになる。また、ボンディング時にチップ搭載用基板との固着を強固にするために、熱硬化性成分を有することが好ましい。チップ搭載用基板への載置後、加熱することで熱硬化性成分が活性化し、チップ搭載用基板に対し強固に接着できるようになる。
粘接着剤としては、たとえば常温で感圧接着性を有するバインダー樹脂と熱硬化性樹脂との混合物が挙げられる。常温で感圧接着性を有するバインダー樹脂としては、たとえばアクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリビニルエーテル、ウレタン樹脂、ポリアミド等が挙げられる。熱硬化性樹脂は、一般的にはエポキシ、フェノキシ、フェノール、レゾルシノール、ユリア、メラミン、フラン、不飽和ポリエステル、シリコーン等であり、適当な硬化促進剤と組み合わせて用いられる。このような熱硬化性樹脂は種々知られており、本発明においては特に制限されることなく公知の様々な熱硬化性樹脂を用いることができる。また粘接着剤には基材11との剥離性を制御するため、ウレタン系アクリレートオリゴマーなどの紫外線硬化性樹脂を配合することが好ましい。紫外線硬化性樹脂を配合すると、紫外線照射前は基材11とよく密着し、紫外線照射後は基材11から剥離しやすくなる。
上記のような各成分からなる粘接着剤は、エネルギー線硬化性と加熱硬化性とを有し、基材11に密着してチップ群1の固定に寄与し、マウントの際にはチップとチップ搭載用基板とを接着する接着剤として使用することができる。そして熱硬化を経て最終的には耐衝撃性の高い硬化物を与えることができ、しかも剪断強度と剥離強度とのバランスにも優れ、厳しい熱湿条件下においても充分な接着物性を保持しうる。
また、ダイボンディング材として使用されうる熱可塑性接着剤は、常温では接着力を示さないが、ガラス転移点以上で流動性を示し被着体に密着し、その後常温に戻しても密着性を持続することで、接着剤としての機能を示す。このような熱可塑性接着剤としては、たとえばスチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体に代表されるような熱可塑性ゴム、熱可塑性ポリイミド、ポリエステル樹脂、アクリル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリ酢酸ビニル、ポリビニルブチラール、ポリ塩化ビニル、ポリスチレンポリビニルエーテル等があげられる。
以下、本明細書では、上記のワーク保持部12を形成する粘着剤層あるいはダイボンド材層を単に「粘着剤層12A」と記載し、特に断らない限り、粘着剤層12Aは、粘着剤の場合だけでなく、ダイボンド材の場合も包含する。粘着剤層12Aの厚さは、その材質にもよるが、通常は3〜100μm程度であり、好ましくは10〜50μm程度である。粘着剤層12Aは、図示したように、基材11の片面全面に形成されていてもよく、またチップ群1が固定される部分にのみ形成されていてもよい。また、粘着剤層12Aをダイボンド材で形成した場合には、後述するように、チップのダイボンド面にダイボンド材を固着残存させて基材11からピックアップする。このため、基材11のダイボンド材に接する面の表面張力は、好ましくは40mN/m 以下、さらに好ましくは37mN/m 以下、特に好ましくは35mN/m 以下であることが望ましい。このような表面張力が低いフィルムは
、材質を適宜に選択して得ることが可能であるし、またフィルムの表面に、シリコーン樹脂やアルキッド樹脂などの剥離剤を塗布して剥離処理を施すことで得ることもできる。
収縮部13は、加熱等の処理により収縮する部材からなり、何ら限定されるものではないが、主として熱収縮性フィルムが用いられる。本発明で用いられる収縮性フィルムの収縮率は10〜90%が好ましく、さらに好ましくは20〜80%である。なお、ここで収縮率は、収縮前の寸法と収縮後の寸法とから、下記の数式に基づき算出する。
Figure 0004754278
熱収縮性フィルムの場合、上記収縮率は、フィルムを120℃に加熱した前後の寸法に基づいて算出される。上記のような収縮性フィルムとしては、従来、種々のものが知られているが、具体的には、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリプロピレン、ポリアミド、ポリウレタン、ポリ塩化ビニリデン、ポリ塩化ビニルなどの一軸延伸フィルム、二軸延伸フィルム等を例示することができる。また、これら収縮性フィルムは、2種以上を組み合わせて用いることもできる。
上記のような収縮性フィルムの厚さは、通常5〜300μmであり、好ましくは10〜200μmである。収縮性フィルムとしては、特に熱収縮性のポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート等のフィルムを用いることが好ましい。
基材11および収縮部13の他層と接する面には密着性を向上するために、コロナ処理を施したりプライマー等の他の層を設けてもよい。
本発明では、後述するように、収縮部13の収縮の前または後に、粘着剤層12Aに紫外線を照射することがあるが、この場合には、基材11は照射する紫外線の波長に対し透過性である必要がある。
基材11と収縮部13とは、後述するように種々の形状で接合される。フィルムどうしの接合には、図2〜図4のようにチップ群1を固定するための粘着剤層12Aを用いてもよく、また、図5、6のように、別の接着剤層14により収縮部13と基材11とを接合してもよい。このような接着剤としては、特に制限されることなく、従来より汎用の接着剤が用いられ、アクリル系、ゴム系、シリコーン系などの接着剤;ポリエステル系、ポリアミド系、エチレン共重合体系、エポキシ系、ウレタン系等の熱可塑性または熱硬化性の接着剤;アクリル系、ウレタン系等の紫外線硬化型接着剤や電子線硬化型接着剤が挙げられる。また、接着剤層を用いない場合は、たとえばヒートシール等によって収縮部13と基材11とをラミネートすることができる。
図2、4のように、収縮部13がリングフレーム2を固定する位置に配置される場合は、収縮部13上にリングフレーム固定用の粘着剤層15を設けることができる。リングフレーム固定用の粘着剤層15は、粘着剤層12Aと同様に、従来より公知の種々の感圧接着剤が使用できるが、特に再剥離性感圧接着剤が好ましく使用できる。
さらに、図7に示すように、収縮部13と基材11との接合および収縮部13上へのリングフレーム2の固定を同一の粘着剤層15で行ってもよい。
本発明のチップ体の製法においては、ワーク保持材10のワーク保持部12にチップ群1を仮着された状態とし、通常はワーク保持材10の端部をリングフレーム2で固定する。
図2〜図7に、本発明のチップ体の製法において用いられるワーク保持材10の好ましい構成について、リングフレーム2、チップ群1との配置関係とともに示す。粘着剤層12A、収縮部13、接着剤層14および基材11の具体例および好適な態様は上記で説明したとおりである。なお、接着剤層14は、上述したように必須ではない。
図2に示す構成では、基材11上に粘着剤層12Aが設けられ、該粘着剤層12Aの外周部上に収縮部13が積層されてなる。ワーク保持材10は、収縮部13上においてリングフレーム2によって固定され、粘着剤層12Aの中央部(ワーク保持部12)にはチップ群1が仮着されている。なお、この構成をとる場合には、収縮部13上に、リングフレーム固定用の粘着剤層15を設けることが好ましい。
図3に示す構成では、基材11上に粘着剤層12Aが設けられ、ワーク保持部12より外部であって、かつリングフレーム2よりも内部に、収縮部13が積層されてなる。なお、ワーク保持材10の端部は、粘着剤層12A上周縁部においてリングフレーム2によって固定され、粘着剤層12A上内周部にはチップ群1が仮着されている。
図4に示す構成では、基材11上に粘着剤層12Aが設けられ、該粘着剤層12A上面の外周部に、収縮部13が外縁部が延出した形で積層されてなる。ワーク保持材10は、収縮部13の延出した外縁部においてリングフレーム2によって固定され、ワーク保持部12にはチップ群1が仮着されている。なお、この構成をとる場合には、収縮部13上に、リングフレーム固定用の粘着剤層15を設けることが好ましい。
図5に示す構成では、基材11下面の外周部に、接着剤層14を介して収縮部13が積層され、基材11上面に粘着剤層12Aが設けられてなる。ワーク保持材10の端部は、粘着剤層12A上周縁部においてリングフレーム2によって固定され、ワーク保持部12にはチップ群1が仮着されている。
図6に示す構成では、基材11下面のワーク貼着部より外部であって、かつリングフレーム2よりも内部に、接着剤層14を介して収縮部13が積層され、基材11上面に粘着
剤層12Aが設けられてなる。ワーク保持材10の端部は、粘着剤層12A上周縁部においてリングフレーム2によって固定され、ワーク保持部12にはチップ群1が仮着されている。
図7に示す構成では、基材11上に粘着剤層12Aが設けられ、該基材11の下面の外周部に、粘着剤層15を介して、収縮部13が外縁部が延出した形で積層されてなる。ワーク保持材10は、収縮部13の延出した外縁部において粘着剤層15を介してリングフレーム2によって固定され、ワーク保持部12にはチップ群1が仮着されている。
本発明のチップ体の製法においては、特に図2に示す構成を採用することが好ましい。
ワーク保持部12にチップ群1が仮着されている状態を実現する手段は特に限定はされない。結果として図1〜図7に示す状態が実現されれば、如何なる経路を経てもよい。
たとえば、ワーク保持部に半導体ウエハ等のワークを仮着し、該ワークを個片化することで、ワーク保持部に個片化されたチップ群が仮着された状態にすることができる。
また、個片化したチップ群を、ワーク保持部に転写することで、ワーク保持部に個片化されたチップ群が仮着された状態とすることもできる。
半導体ウエハ等の個片化は、従来公知の種々の方法により行われ、たとえばダイシングブレードを備えたダイシング装置による通常のダイシングであってもよく、ダイシングブレードを使用するダイシング装置の代わりに、レーザー光線によるダイシング装置(レーザーダイサー)によってもよい。また、ウエハの表面側から所定深さの溝を形成した後、この裏面側から研削し、溝の底部を除去することで、ウエハを個片化することもできる。この方法は、「先ダイシング法」とも呼ばれ、極薄チップを得る上で有効な手段となっている。
さらに半導体ウエハ等のワークに切断起点を形成しておき、ワークに熱的あるいは機械的衝撃を与えることで、切断起点から割断を起こさせて、ワークを個片化してもよい。以下、この方法に関し、ワークが半導体ウエハの場合を例にとって説明する。
切断起点を形成する場合、切断起点は切断予定ラインに沿って形成される。切断予定ラインは、ウエハを回路毎に区画する仮想ラインである。切断起点が形成された状態では、ウエハは一体的形状を保ち、いまだ個片化されていない。しかし、切断起点は、潜在的に脆質であり、熱的あるいは機械的衝撃を加えることで、切断起点から割断が起こりウエハはチップ化される。
切断起点の形成は、いわゆるステルスダイシング法やハーフカット法により行われる。
ステルスダイシング法は、ウエハの内部にのみ焦点を合わせてレーザーを照射し、焦点部分を改質させた後この軌跡をストレスにより割断させることによりチップ化する方法である。ステルスダイシング法では、半導体ウエハ内部に、半導体ウエハの各回路を区画する切断予定ラインに沿って脆弱部(切断起点)を形成する。この状態では、各チップ群が脆弱部を介して連接しており、全体としてウエハ形状を維持している。脆弱部の形成は、切断予定ラインに沿って半導体ウエハ内部に焦点を合わせてレーザー光を照射することで行われる。レーザー光の照射により、ウエハ内部が局所的に加熱され結晶構造の変化などにより改質される。改質された部分は、周辺の部位と比べ脆弱である。したがって、半導体ウエハにストレスを加えると、この脆弱部を起点としてウエハの上下方向に亀裂が成長し、ウエハをチップ毎に分割できる。
このようなステルスダイシング法の詳細は、たとえば「電子材料、2002年9月、17〜21頁」、特開2003−88982号公報に記載されている。
また、ハーフカット法では、半導体回路が形成されたウエハ表面またはその裏面からそのウエハ厚さよりも浅い切込み深さの溝を形成する。これにより切断起点として橋部5を有するワーク4が得られる。図8には、ワーク保持材10上でハーフカット法によりウエハ表面に溝を形成した状態を示す。この状態では、各チップ群が橋部5を介して連接しており、全体としてウエハ形状を維持している。橋部5は、周辺の部位と比べ厚みが薄く、潜在的に脆弱である。したがって、半導体ウエハにストレスを加えると、この橋部5で割断し、ウエハをチップ毎に分割できる。
上記した個片化処理は、半導体ウエハ等のワークを、ワーク保持部12上に保持した状態で行ってもよく、また、ダイシングテープ等の他の保持部材上にワークを固定しつつ個片化処理を行い、得られたチップ群をワーク保持材10のワーク保持部12に転写してもよい。
また、個片化を上記したステルスダイシング法あるいはハーフカット法により行う場合は、エキスパンドと同時に、ウエハを個片化してもよい。エキスパンド時にワーク保持材10を延伸する際の張力は、ワーク保持部12上に固定されているウエハに伝播する。この際、ウエハ内部に脆弱部が形成されていると、この脆弱部が張力に抗することができず、脆弱部で破断が起こる。この結果、脆弱部を起点としてウエハの上下方向に亀裂が成長し、ウエハをチップ毎に分割することができる。
なお、粘着剤層12Aをダイボンド材で構成した場合には、ダイボンド材もチップと同形状に個片化される。ワーク保持材10にワークを保持した状態で個片化処理を行った場合には、ダイシングブレードを用いたダイシング装置によって、ワークのダイシングと同時に粘着剤層12A(ダイボンド材)も切断する。
ワークの個片化を、前述した先ダイシング法、ステルスダイシング法あるいはハーフカット法で行った場合、およびダイシングテープ等の他の保持部材上にワークを固定しつつ個片化処理を行い、得られたチップ群1をワーク保持材10のワーク保持部12に転写した場合には、ダイボンド材を別途の手段により切断する必要がある。
たとえば、先ダイシング法や転写法の場合には、チップ間の露出したダイボンド材を、ダイシングブレードやカッター等でチップと同形状に切断する。
ダイボンド材(粘着剤層12A)がチップ3と同形状に個片化された状態を図9に示す。
また、次に述べるエキスパンド工程において、エキスパンド時の張力によってダイボンド材の割断を行うこともできる。
エキスパンド工程では、チップ群1(または切断起点が形成されたワーク4)がワーク保持部に仮着された状態で、ワーク保持材10のエキスパンドを行い、チップ間隔を拡張する。エキスパンドは、図10に示したように、リングフレーム2の内径よりも小径の筒状治具6を基材下面に当て、リングフレームを下方に移動させることで行われる。この結果、伸長可能な基材11が伸び、この上に保持されているチップ間隔が拡張する。また、切断起点が形成されたワークの場合には、ワーク保持材10が伸び始めると同時に、ワークの個片化が行われる。
このエキスパンド工程において、エキスパンド時の張力を利用して、ダイボンド材もチップと略同形状に個片化することもできる。
チップ3のボンディング面に固着されているダイボンド材は、その変形(伸び)が拘束されるので、この部分ではエキスパンドによる割断は起こらない。一方、チップ間(すなわち切断ライン)にあるダイボンド材は、変形が拘束されることがない。このため、チッ
プ間の位置ではチップに面する位置よりも応力が集中しダイボンド材が破断する。この結果、チップ3と略同形状にダイボンド材が割断し、チップ3とダイボンド材との積層体が互いに所定の間隔で整列した状態が達成される。
エキスパンド後に、筒状治具6を取り除くと、図11に示すように、基材11は完全には復元しない。したがって、エキスパンド直後と比べてチップ間隔は狭くなるものの、ピックアップに支障をきたさない程度のチップ間隔が維持されるとともに、基材11にたるみが生じる。チップが固着されている部分や収縮部が積層されている部分においては、基材11の変形が拘束されるため、この部分での基材11の伸びは比較的小さいが、収縮部とワーク保持部との間では、基材11の伸びを拘束する要因がないため、この部分では基材が伸び、したがってたるみも大きい。
このため、ワーク保持材10がリングフレーム2から垂れ下がるため、カセットへの収納が困難になる。
ここで、収縮部13を収縮させることで、ワーク保持部よりも外部に配置されている収縮部の収縮によって、ワーク保持材の中心部から周縁方向に向けて引伸応力が発生する。この結果、図12に示すように、収縮部の収縮力が伸長可能な基材11に伝播し、基材11が周縁方向に引かれるため、たるみが解消される。
収縮部13の収縮条件は、収縮部を構成する収縮フィルムの収縮物性により適宜に設定される。たとえば熱収縮性フィルムの場合には、フィルムの収縮温度以上に収縮フィルムを加熱すればよい。この際、基材の不必要な伸びや収縮を防止するため、収縮フィルムのみを加熱することが好ましい。基材11は加熱により収縮することがあり、この場合、チップ間隔が狭くなることはあるが、ピックアップに支障をきたさない程度のチップ間隔が維持される。
この結果、カセットへの収納を簡便かつ確実に行えるようになる。カセット収納後は、通常の工程にしたがって保管、搬送等が行われる。
粘着剤層12Aを再剥離性粘着剤で形成した場合には、ワーク保持材10上にチップ群1が仮着された状態で、ワーク保持材をカセットから取り出し、粘着剤層からチップをピックアップし、常法にしたがってダイボンド等を行う。特に粘着剤層をエネルギー線硬化型粘着剤により形成した場合には、ピックアップに先立ち、粘着剤層にエネルギー線照射し粘着力を低下ないし消失させることで、チップのピックアップを容易に行えるようになる。
また、粘着剤層12Aをダイボンド材で形成した場合には、前述したように、ダイボンド材もチップと略同形状に個片化されるため、チップにダイボンド材を固着残存させて基材11からピックアップする。その後、ダイボンド材を介してチップをダイボンドする。
このような本発明に係るチップ体の製造方法によれば、充分なエキスパンド量が達成されるため、チップ間隔が拡張し、チップ同士の接触によるチップの損傷を軽減できる。また、エキスパンド時に発生したテープのたるみを簡便に解消でき、カセットへの収納を確実に行えるようなるため、チップをワーク保持材に仮着された状態で保管、搬送できる。このため、ウエハ状態で保管、搬送する場合と比べ、保管、搬送中の損傷率が低下し、コストの削減に寄与できる。
(実施例)
以下、本発明を実施例により説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
なお、以下の実施例および比較例においては、次の2種の方法により、ワーク保持材のワーク保持部に個片化されたチップ群が仮着された状態とした。
(実施例1)
サイズ6インチの未研磨ウエハの片面側から、10mmピッチ×10mmピッチで深さ90μmの溝を削成し、溝の削成面を表面保護テープで保護した。次いで、ウエハの他面(溝を削成していない面)を厚み70μmまで研削し、溝の底部を除去し、ウエハを個片化した(先ダイシング)。
また、後述の(1)〜(5)の手順でダイボンド材として機能する粘接着剤をワーク保持部として有するワーク保持材を用意した。このワーク保持部にウエハの研削面を貼着し、ワーク保持材の外周部をリングフレームで固定した後、表面保護テープを除去した。かくして、ワーク保持材のワーク保持部に、10mm×10mmのチップがウエハ形状で整列仮着した状態とした。
リングフレームに固定したままチップを仮着したワーク保持材をエキスパンド装置にかけ、ワーク保持材をエキスパンドし(10mm落し)した。エキスパンドを行うことにより、ワーク保持材のダイボンド材(粘接着剤層)もチップ毎に割断することができた。続いて、ワーク保持材の収縮部のみ加熱できるリング状の金属板を90℃に加熱し、エキスパンド装置から取り出したチップを仮着したワーク保持材を当接し、30秒間熱処理した。
空冷した後のワーク保持材にはたるみがまったく見られず、カセットの収納するのに何ら問題はなかった。また、隣接するチップの間隔は十分であり、少々の振動で接触するおそれは見られなかった。
(1)粘着剤層12A(粘接着剤=ダイボンド材)
アクリルポリマー〔アクリル酸ブチル55重量部とアクリル酸メチル10重量部とメタクリル酸グリシジル20重量部とアクリル酸2−ヒドロキシエチル15重量部とを共重合してなる重量平均分子量800,000の共重合体〕10重量部を有機溶媒(トルエン、酢酸エチル)に溶解した溶液(固形濃度が35%)と、エポキシ樹脂〔液状ビスフェノールA型エポキシ樹脂(ジャパンエポキシレジン(株)社製、エピコート828、エポキシ当量:180〜200)22重量部と、固形ビスフェノールA型エポキシ樹脂(ジャパンエポキシレジン(株)社製、エピコート1055、エポキシ当量:800〜900)を有機溶媒(メチルエチルケトン(MEK))に溶解した溶液(固形濃度が60%)の固形分比44重量部相当と、o-クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(日本化薬(株)社製、EOCN−104S、エポキシ当量:210〜230)をMEKに溶解した溶液(固形濃度が70%)
とをMEKで固形濃度を70%に調整した溶液の固形分比80重量部相当〕と、熱活性型潜在性硬化剤(ジシアンジアミド)をMEKに溶解した溶液(固形分濃度が30%)の固形分比1重量部相当と、2-フェニル-4,5- ヒドロキシメチルイミダゾールをMEKに溶解した溶液(固形分濃度が30%)の固形分比1重量部相当と、エネルギー線重合性化合物〔ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート〕10重量部と、ベンゾフェノン系光重合開始剤(チバスペシャリティケミカルズ社製、イルガキュア184)をトルエンに溶解した溶液(固形分濃度が30%)の固形分比0.3重量部相当と、イソシアネート系架橋剤〔日本ポリウレタン工業(株)製、コロネートL〕をトルエンで固形濃度30%に調整し、固形分比0.3重量部相当とを混合し、MEKにより固形分濃度を50%に調整して、粘接着剤組成物を作製した。
(2)粘接着剤層と基材11との積層
上述のように作製した粘接着剤組成物を、厚さ38μmの剥離フィルム(リンテック社
製、SP-PET3811)上に乾燥後の厚さが10μmとなるように塗布し、100℃で1分間乾
燥した。次いで、伸長可能なエチレン−メタクリル酸共重合フィルム(エチレンとメタクリル酸の重量比は91:9、厚さ100μm、23℃におけるヤング率が215MPa)
を上記剥離フィルム上の粘接着剤層に貼合し、積層した。
(3)リングフレーム固定用の粘着剤層15用の組成物
アクリル系粘着剤〔n−ブチルアクリレート90重量部とアクリル酸10重量部との共
重合体のトルエン、酢酸エチル混合溶液(固形濃度が35%)〕の固形分比35重量部相当と、イソシアナート系架橋剤〔日本ポリウレタン工業(株)製、コロネートL〕をトルエンで固形濃度30%に調整し、固形分比2重量部相当とを混合して、リングフレーム固定用の粘着剤組成物とした。
(4)粘着剤層15付き収縮性フィルム13の製造
上記で作成した粘着剤組成物を、剥離フィルム(SP-PET3811)上に乾燥後の厚さが10μmとなるように塗布し、100℃で1分間乾燥した。次いで、収縮性ポリエチレンテレフタレートフィルム(厚さ40μm、120℃における収縮率が50%)を、該剥離フィルムの粘着剤層に貼合し、粘着剤層を有する収縮性フィルムを得た。この積層された粘着剤を有する収縮フィルムを円形に型抜き加工し、160mmの内径の空孔を有しリングフレーム固定用粘着剤層を有する収縮性フィルムを得た。
(5)ワーク保持材10の作製
上記で得られた粘接着剤層を有する伸長可能なフィルム側の剥離フィルムを剥がしながら、伸長可能なフィルムの粘接着剤層側を、上記で製造した粘着剤層を有する収縮性フィルムの粘着剤層のない側に貼り合せて、空孔と同心円になるように210mm径の円形に型抜きして、図2に示す構成のワーク保持材を得た。
次いで、以下のようにして「チップ間隔」、「チップ整列性」、「たるみの大きさ」を評価した。
「チップ間隔」
熱処理した後のリングフレームに固定されたワーク保持材を、室温下で30分間空冷した後、リングフレームごとコピー機により複写する。この複写画像より熱処理後における各チップの間隔(ウエハのオリエンテーションフラットに対して:平行=X、垂直=Y)を光学顕微鏡を用い測定し、X方向およびY方向それぞれ10個の平均値をチップ間隔とした。
「チップ整列性」
「チップ間隔」の測定で得られたデータを用い、以下の式によりチップ整列性を評価した。
チップ整列性=(チップ間隔の標準偏差)/(チップ間隔の平均値)
数値が小さいほど、良好な整列性を示す。
「たるみの大きさ」
熱処理した後のリングフレームに固定されたワーク保持材を、室温下で30分間空冷した後、ワーク保持材が貼付された側を下にしてリングフレームの外周部のみを支持してリングフレームを水平に保ち、ワーク保持材をたるませた状態とした。リングフレームの中心に沿ってワーク保持材の上方から、ワーク保持材に向けて細棒を垂直に下降させ、ワーク保持材のたるみが解消する程度に接触展張させた。ここで、リングフレームの下面により定義される水平面を基準面とし、細棒の先端と基準面との距離を測定し、これをたるみの大きさとした。
結果を表1に示す。
(実施例2)
次の(1)〜(5)のようにして、再剥離型粘着剤層をワーク保持部とするダイシング機能を有するワーク保持材を製造した。ワーク保持材のワーク保持部にウエハ(厚さ350μm、サイズ6インチ)を貼着し、ワーク保持材の外周部をリングフレームで固定した。
(1)粘着剤層12A(粘着剤)
アクリル系粘着剤〔n−ブチルアクリレート85重量部と2−ヒドロキシエチルアクレ
ート15重量部との共重合体のトルエン、酢酸エチル混合溶液(固形濃度が35%)〕の固形分比35重量部相当と、イソシアナート系架橋剤〔日本ポリウレタン工業(株)製、コロネートL〕をトルエンで固形濃度30%に調整し、固形分比2重量部相当を加え、粘着剤組成物を得た。
(2)粘着剤層と基材11との積層
上述のように作製した粘着剤組成物を、厚さ38μmの剥離フィルム(SP-PET3811)上に乾燥後の厚さが10μmとなるように塗布し、100℃で1分間乾燥した。次いで、伸長可能なエチレン−メタクリル酸共重合フィルム(エチレンとメタクリル酸の重量比は91:9、厚さ100μm、23℃におけるヤング率が215MPa)を上記剥離フィルム上の粘着剤層に貼合し、積層した。
(3)リングフレーム固定用の粘着剤層15用の組成物
実施例1と同様の操作を行い、リングフレーム固定用の粘着剤組成物を得た。
(4)粘着剤層15付き収縮性フィルム13の製造
実施例1と同様の操作を行い、リングフレーム固定用の粘着剤と収縮性フィルムとの積層後、円形に型抜き加工し、160mmの内径の空孔を有しリングフレーム固定用粘着剤層を有する収縮性フィルムを得た。
(5)ワーク保持材10の作製
実施例1と同様の操作を行い、上記で得られた再剥離型粘着剤層を有する伸長可能なフィルムの粘着剤層側を、上記で製造した粘着剤層を有する収縮性フィルムの粘着剤層のない側に貼り合せて、空孔と同心円になるように210mm径の円形に型抜きして、図2に示す構成のワーク保持材を得た。
続いて、ダイシングブレードを用い、ウエハをチップサイズ10mm×10mmにダイシングし、ワーク保持材のワーク保持部に、10mm×10mmのチップがウエハ形状で整列仮着した状態とした。
続いて実施例1に準じて、ワーク保持材にエキスパンドを行い、加熱によりワーク保持材の収縮部を収縮させてたるみを解消した。カセットへの収納に問題は見られず、また、隣接するチップの間隔は十分であった。
次いで、実施例1と同様にして「チップ間隔」、「チップ整列性」、「たるみの大きさ」を評価した。
結果を表1に示す。
(比較例)
ワーク保持材として、収縮部を持たないダイシングテープ(リンテック(株)製、Adwill D-650、紫外線硬化タイプ、サイズ210mm径)を用いた。ダイシングテープ中央にウエハ(厚さ350μ、サイズ6インチ)を貼着し、ダイシングテープの外周部をリングフレームで固定した。続いて、ダイシングブレードを用いウエハをチップサイズ10mm×10mmにダイシングし、さらにエキスパンド装置によりエキスパンド(10mm落し)を行って、個片化されたチップの間隔を広げた。
次に、ダイシングテープの外周を、ヘアドライヤー(松下電工(株)製、出力1000W)を使用しいて10cmの距離からドライヤーを旋回させ30秒間加熱し、ダイシング
テープのたるみを減少させた。
カセット収納は可能だがたるみは若干残っており、強い振動があった場合、ダイシングテープの粘着面が隣接するテープの背面に接触する虞があった。また、チップ間隔は狭くなりチップ側端に破損の虞があった。
Figure 0004754278
本発明に係る製造方法の一工程を示す斜視図である。 図1のa−a線断面図である。 本発明に係る製造方法の一工程を示す。 本発明に係る製造方法の一工程を示す。 本発明に係る製造方法の一工程を示す。 本発明に係る製造方法の一工程を示す。 本発明に係る製造方法の一工程を示す。 本発明に係る製造方法の一工程を示す。 本発明に係る製造方法の一工程を示す。 本発明に係る製造方法の一工程を示す。 本発明に係る製造方法の一工程を示す。 本発明に係る製造方法の一工程を示す。
符号の説明
1…チップ群
2…リングフレーム
3…チップ
4…切断起点を形成したワーク
5…橋部
6…筒状治具
10…ワーク保持材
11…基材
12…ワーク保持部
12A…粘着剤層
13…収縮部
14…接着剤層
15…粘着剤層

Claims (8)

  1. 伸長可能な基材と、その片面中央部においてワークを一時的に保持する機能を有するワーク保持部と、ワーク保持部よりも外部に配置された収縮部とを有するワーク保持材のワーク保持部に個片化されたチップ群が仮着された状態にする工程、
    ワーク保持材をエキスパンドしチップ間の間隔を離間する工程、
    収縮部を収縮させ、収縮部とワーク保持部との間に発生したワーク保持材のたるみを解消する工程、および
    チップが仮着された状態でワーク保持材をカセットに収納する工程を含むチップ体の製造方法。
  2. ワーク保持部にワークを仮着し、該ワークを個片化することで、ワーク保持部に個片化されたチップ群が仮着された状態にすることを特徴とする請求項1に記載の製造方法。
  3. ワーク保持部が、基材上に剥離可能に積層されたダイボンド材からなり、ワークを個片化する工程において、該ダイボンド材もチップと同形状に個片化され、かつワーク保持材をカセットに収納する工程後、ダイボンド材がチップに同伴された状態でチップをピックアップする工程およびピックアップされたチップをダイボンド材を介してダイボンドする工程を含む請求項2に記載の製造方法。
  4. 個片化したチップ群を、ワーク保持部に転写することで、ワーク保持部に個片化されたチップ群が仮着された状態にすることを特徴とする請求項1に記載の製造方法。
  5. ワーク保持部が、基材上に剥離可能に積層されたダイボンド材からなり、ワーク保持材をエキスパンドする工程において、該ダイボンド材もチップと同形状に個片化され、かつワーク保持材をカセットに収納する工程後、ダイボンド材がチップに同伴された状態でチップをピックアップする工程およびピックアップされたチップをダイボンド材を介してダイボンドする工程を含む請求項4に記載の製造方法。
  6. ダイボンド材が、エネルギー線照射により粘着力が低減し、熱硬化により接着力を発現する粘接着剤からなり、ピックアップ工程に先立ちダイボンド材にエネルギー線照射を行い、ダイボンド工程においてダイボンド材の熱硬化を行う請求項3または5に記載の製造方法。
  7. ワーク保持部が、ワークに対して再剥離性を示す粘着剤からなり、かつワーク保持材をカセットに収納する工程後、チップをピックアップする工程を含む請求項1、2および4の何れかに記載の製造方法。
  8. 粘着剤が、エネルギー線照射により粘着力が低減する粘着剤からなり、ピックアップ工程に先立ち粘着剤にエネルギー線照射を行う請求項7に記載の製造方法。
JP2005183189A 2005-06-23 2005-06-23 チップ体の製造方法 Active JP4754278B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005183189A JP4754278B2 (ja) 2005-06-23 2005-06-23 チップ体の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005183189A JP4754278B2 (ja) 2005-06-23 2005-06-23 チップ体の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2007005530A JP2007005530A (ja) 2007-01-11
JP4754278B2 true JP4754278B2 (ja) 2011-08-24

Family

ID=37690854

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005183189A Active JP4754278B2 (ja) 2005-06-23 2005-06-23 チップ体の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4754278B2 (ja)

Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007250598A (ja) * 2006-03-14 2007-09-27 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法
JP2007294748A (ja) * 2006-04-26 2007-11-08 Tokyo Seimitsu Co Ltd ウェーハ搬送方法
JP5351458B2 (ja) * 2008-07-29 2013-11-27 リンテック株式会社 ウェハ加工用接着シートおよび半導体装置の製造方法
JP5193752B2 (ja) * 2008-08-28 2013-05-08 リンテック株式会社 レーザーダイシングシートおよび半導体チップの製造方法
JP5603757B2 (ja) * 2009-12-04 2014-10-08 リンテック株式会社 レーザーダイシング用粘着シート及び半導体装置の製造方法
JP5323779B2 (ja) * 2010-07-26 2013-10-23 古河電気工業株式会社 ウエハ加工用テープ
JP6018730B2 (ja) * 2011-03-14 2016-11-02 リンテック株式会社 ダイシングシートおよび半導体チップの製造方法
JP6009188B2 (ja) * 2012-03-23 2016-10-19 リンテック株式会社 ワーク加工用シート基材およびワーク加工用シート
JP6004705B2 (ja) * 2012-04-02 2016-10-12 株式会社ディスコ 接着フィルム付きチップの形成方法
JP5318251B2 (ja) * 2012-05-28 2013-10-16 リンテック株式会社 ダイソート用シート
JP5997506B2 (ja) * 2012-05-31 2016-09-28 リンテック株式会社 ダイシング・ダイボンディングシート
JP6029481B2 (ja) * 2013-02-04 2016-11-24 リンテック株式会社 レーザーダイシングシートおよび半導体チップの製造方法
CN105143380B (zh) 2013-03-28 2019-05-17 古河电气工业株式会社 粘合带及晶片加工用胶带
JP6306362B2 (ja) * 2014-02-13 2018-04-04 リンテック株式会社 伸長可能シートおよび積層チップの製造方法
JP6334223B2 (ja) * 2014-03-26 2018-05-30 リンテック株式会社 粘着シート
JP6295135B2 (ja) * 2014-04-24 2018-03-14 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
JP5863914B1 (ja) 2014-09-05 2016-02-17 古河電気工業株式会社 半導体加工用テープ及びこれを使用して製造する半導体装置の製造方法
JP2016065981A (ja) * 2014-09-25 2016-04-28 Jx日鉱日石エネルギー株式会社 凹凸パターンを有する部材の製造方法
JP6366447B2 (ja) * 2014-09-30 2018-08-01 株式会社ディスコ 拡張装置、及び接着シートの破断方法
JP6445315B2 (ja) * 2014-12-12 2018-12-26 日東電工株式会社 ダイシングシート、ダイシング・ダイボンドフィルム及び半導体装置の製造方法
JP6230730B2 (ja) 2015-03-24 2017-11-15 古河電気工業株式会社 半導体加工用テープ
KR101894690B1 (ko) 2015-03-24 2018-09-04 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 반도체 가공용 테이프
KR101658815B1 (ko) * 2015-04-16 2016-09-22 디에이치케이솔루션(주) 웨이퍼 확장 방법
JP7090066B2 (ja) 2016-07-13 2022-06-23 ユニバーサル インスツルメンツ コーポレーション モジュール式ダイ取扱いシステム
JP6741529B2 (ja) * 2016-09-09 2020-08-19 株式会社ディスコ チップ間隔維持方法
JP6800524B2 (ja) * 2016-10-21 2020-12-16 株式会社ディスコ チップ間隔維持方法
KR102319730B1 (ko) 2016-12-07 2021-11-02 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 반도체 가공용 테이프
JP6820099B2 (ja) * 2017-05-10 2021-01-27 リンテック株式会社 離間装置および離間方法
JP6884961B2 (ja) * 2017-05-10 2021-06-09 リンテック株式会社 離間装置および離間方法
JP6535118B1 (ja) 2018-03-28 2019-06-26 古河電気工業株式会社 半導体加工用テープ
JP6535119B1 (ja) 2018-03-28 2019-06-26 古河電気工業株式会社 半導体加工用テープ
JP6535117B1 (ja) 2018-03-28 2019-06-26 古河電気工業株式会社 半導体加工用テープ
SG11201906507PA (en) 2018-03-28 2019-11-28 Furukawa Electric Co Ltd Tape for semiconductor processing
WO2022025160A1 (ja) * 2020-07-31 2022-02-03 ボンドテック株式会社 チップ接合システムおよびチップ接合方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH108001A (ja) * 1996-06-25 1998-01-13 Lintec Corp 粘接着テープおよびその使用方法
JP2000136362A (ja) * 1998-08-26 2000-05-16 Lintec Corp 両面粘着シ―トおよびその使用方法
JP2003332267A (ja) * 2002-05-09 2003-11-21 Lintec Corp 半導体ウエハの加工方法
JP2004186430A (ja) * 2002-12-03 2004-07-02 Disco Abrasive Syst Ltd 半導体ウェーハの加工方法
JP2005109043A (ja) * 2003-09-29 2005-04-21 Tokyo Seimitsu Co Ltd エキスパンド方法
JP2005142365A (ja) * 2003-11-06 2005-06-02 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの分割方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH108001A (ja) * 1996-06-25 1998-01-13 Lintec Corp 粘接着テープおよびその使用方法
JP2000136362A (ja) * 1998-08-26 2000-05-16 Lintec Corp 両面粘着シ―トおよびその使用方法
JP2003332267A (ja) * 2002-05-09 2003-11-21 Lintec Corp 半導体ウエハの加工方法
JP2004186430A (ja) * 2002-12-03 2004-07-02 Disco Abrasive Syst Ltd 半導体ウェーハの加工方法
JP2005109043A (ja) * 2003-09-29 2005-04-21 Tokyo Seimitsu Co Ltd エキスパンド方法
JP2005142365A (ja) * 2003-11-06 2005-06-02 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの分割方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2007005530A (ja) 2007-01-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4754278B2 (ja) チップ体の製造方法
KR101649020B1 (ko) 접착 필름 및 다이싱 다이 본딩 필름 및 그것을 이용한 반도체 가공방법
JP2006203133A (ja) チップ体の製造方法、デバイスの製造方法およびチップ体固着用粘接着シート
TWI385759B (zh) 切割用晶片接合薄膜、固定碎片工件的方法以及半導體裝置
JP4762671B2 (ja) ダイシングテープ、および半導体ウェハダイシング方法
JP3784202B2 (ja) 両面粘着シートおよびその使用方法
JP6264126B2 (ja) ウエハ加工用テープ
JP4503429B2 (ja) 半導体装置の製造方法
KR20080007120A (ko) 피가공물의 가공 방법
TW200421552A (en) Dicing/die-bonding film, method of fixing chipped work and semiconductor device
JP2011006687A (ja) 接着シート、ダイシングテープ一体型接着シート、及び半導体装置の製造方法
TW201900797A (zh) 切晶黏晶膜
JP2005116610A (ja) 半導体ウエハの加工方法および半導体ウエハ加工用粘着シート
JPWO2017082211A1 (ja) マスク一体型表面保護フィルム
JP2004311848A (ja) 半導体装置の製造方法、保護用粘着テープおよびダイボンド用接着剤付き支持用粘着テープ
JP2003332267A (ja) 半導体ウエハの加工方法
JP6299315B2 (ja) ウエハ加工用テープ
JP2006342330A (ja) ダイシング用粘着シート、及びそれを用いたダイシング方法
JPWO2017082212A1 (ja) マスク一体型表面保護テープ
KR102155028B1 (ko) 마스크 일체형 표면 보호 테이프
JP5522773B2 (ja) 半導体ウエハの保持方法、チップ体の製造方法、およびスペーサ
JP2004119992A (ja) チップ体製造用粘着シート
KR102167491B1 (ko) 반도체 장치 제조용 점착성 필름 및 반도체 장치의 제조 방법
WO2004107423A1 (ja) 貫通構造を有する薄膜化回路基板の製造方法と保護用粘着テープ
JP2002270560A (ja) ウエハの加工方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080515

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20100317

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110301

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110426

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110517

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110525

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140603

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Ref document number: 4754278

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250