TWI606506B - Method for forming a follow-up film wafer - Google Patents

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Description

附接著膜晶片之形成方法 發明領域
本發明係有關於一種形成於背面貼附有接著膜之附接著膜晶片之形成方法。
發明背景
習知，如專利文獻1所記載，已知有於背面貼附有接著膜(黏著層)之半導體晶片之製造方法。接著膜稱為DAF(Die Attach Film：晶片接合膜)，係用於粒接法。
又，如專利文獻2所記載，已知有所謂之切割後研磨法，該切割後研磨法係於形成有半導體元件之晶圓上沿著配置成格子狀之切割線從半導體元件之形成面側形成較完成時之晶片之厚度深的溝後，將晶圓之背面研磨及磨光至完成時之晶片之厚度，而將晶圓分離成各個晶片。
再者，如專利文獻3所記載，已知有一種方法，該方法係對業經以切割後研磨法分割成晶片之晶圓貼附接著膜後，通過相鄰之晶片間，將雷射光束照射於接著膜而使接著膜斷裂之方法。
另一方面，如專利文獻4所記載，也已知有一種手法，該手法非以雷射光束使接著膜斷裂，而是以分割裝 置扯斷。
先行技術文獻 專利文獻
專利文獻1 日本專利公開公報2000-182995號
專利文獻2 日本專利公開公報平11-040520號
專利文獻3 日本專利公開公報2002-118081號
專利文獻4 日本專利公開公報2005-223283號
發明概要
然而，如專利文獻3所揭示，在於以切割後研磨法分割成晶片一次之晶圓貼附接著膜之形態中，有於貼附接著膜之際分割之晶片移動之發生所謂推晶之虞。又，當發生此種推晶時，在相鄰之晶片間之間隙形成且應照射雷射光束之線非筆直(非直線狀)而彎曲或因情況晶片間之間隙消失。
又，當應照射雷射光束之線彎曲時，需追隨該彎曲，照射雷射光束，雷射光束照射之控制非常難。又，當晶片間之間隙消失時，無法再進行雷射光束之照射。
另一方面，在如揭示於專利文獻4之以分割裝置扯斷接著膜之手法中，舉例言之，對晶片尺寸小至1mm見方以下者扯斷接著膜時，有產生接著膜無法斷裂之區域之虞。又，由於被扯斷之接著膜形成為大於晶片，故被扯斷之接著膜之端附著於晶片之側面或表面，有之後引起拾取 不良或元件不良之虞。
本發明係鑑於上述問題點而發明者，其目的係就形成於背面貼附有接著膜之晶片之附接著膜晶片之形成方法，就接著膜之斷裂，提供用以解決上述問題之技術。
根據申請專利範圍第1項之發明，提供一種附接著膜晶片之形成方法，其係形成於背面貼附有接著膜之附接著膜晶片者，其包含有分割起點形成步驟、接著膜貼附步驟、接著膜分割溝形成步驟、伸展片貼附步驟及分割步驟，該分割起點形成步驟係於設定有交叉之複數分割預定線之晶圓形成沿著該分割預定線之分割起點者；該接著膜貼附步驟係於實施該分割起點形成步驟後，將接著膜貼附於晶圓之背面；該接著膜分割溝形成步驟係於實施該接著膜貼附步驟後，以雷射光束之照射或切削刀片於該接著膜形成沿著該分割預定線之分割溝；該伸展片貼附步驟係於實施該接著膜分割溝形成步驟後，將伸展片貼附於貼附在晶圓之該接著膜上；該分割步驟係於實施該伸展片貼附步驟後，藉將該伸展片伸展，對晶圓賦與外力，而將晶圓與該接著膜分割成各個晶片，而形成複數個於背面貼附有接著膜之附接著膜晶片。
根據申請專利範圍第2項之發明，提供一種附接著膜晶片之形成方法，其更包含有研磨步驟，該研磨步驟係於實施前述分割起點形成步驟前，研磨晶圓之背面，形成圓形凹部，同時，形成圍繞該圓形凹部之環狀凸部。
根據本發明，於晶圓形成分割起點後，將晶圓分割成各個晶片前，可將接著膜貼附於晶圓之背面。之後，對接著膜形成沿著晶片間之間隙之分割溝，而將晶圓分割成各個晶片。
根據此方法，由於於貼附接著膜之際，未分割晶圓，故不致發生推晶，在晶片間之間隙形成之分割預定線不致彎曲或間隙不致消失。又，由於形成沿著晶片間之間隙之分割溝，而將晶圓分割成各個晶片，故亦不致產生在扯斷接著膜之手法之弊端。
10‧‧‧保護帶
11‧‧‧研磨單元
12‧‧‧殼體
13‧‧‧座
17‧‧‧元件區域
18‧‧‧心軸
19‧‧‧外周剩餘區域
20‧‧‧雷射加工裝置
21‧‧‧磨輪
22，35，44，70‧‧‧夾頭台
24‧‧‧雷射光束照射單元
26‧‧‧殼體
28‧‧‧聚光器
29‧‧‧拍攝單元
30‧‧‧接著膜
30A‧‧‧附接著膜晶片
31，75‧‧‧分割溝
34‧‧‧雷射振盪機構
36‧‧‧雷射光束調變機構
37，53‧‧‧箭號
38‧‧‧重複頻率設定機構
40‧‧‧雷射光束脈衝寬度設定機構
42‧‧‧雷射光束波長設定機構
44a‧‧‧保持面
52‧‧‧磨石
60‧‧‧伸展片
72‧‧‧凸狀上面
73，74‧‧‧改質層
80‧‧‧晶片
D‧‧‧元件
F‧‧‧環狀框架
LB‧‧‧雷射光束
S1‧‧‧第1分割預定線
S2‧‧‧第2分割預定線
W‧‧‧半導體晶圓
Wa‧‧‧表面
Wb‧‧‧背面
Wc‧‧‧圓形凹部
Wd‧‧‧環狀凸部
圖1係就為加工對象之半導體晶圓顯示之立體圖圖2係用以實施研磨步驟之研磨單元之立體圖。
圖3係用以實施分割起點形成步驟之雷射加工裝置之立體圖。
圖4係雷射光束照射單元之方塊圖。
圖5(A)係就貼附有保護帶之晶圓顯示之截面圖。圖5(B)係就構成有圓形凹部之晶圓顯示之截面圖。圖5(C)係就形成有改質層之晶圓顯示之截面圖。圖5(D)係就貼附有接著膜之晶圓顯示之截面圖。
圖6係就於接著膜形成有分割溝之晶圓顯示之截面圖。
圖7(A)係就貼附有伸展片之晶圓顯示之截面圖。圖7(B)係就去除保護帶之晶圓顯示之圖。圖7(C)係就置放於具有凸狀上面之夾頭台之晶圓顯示的截面圖。
圖8(A)係就貼附有伸展片之晶圓顯示之截面圖。圖8(B)係就將伸展片伸展之狀況顯示之截面圖。圖8(C)係就分割成晶片之狀況顯示之截面圖。
圖9(A)係就貼附有伸展片之晶圓顯示之截面圖。圖9(B)係就去除環狀外周剩餘區域之狀況顯示之截面圖。圖9(C)係就分割成晶片之狀況顯示之截面圖。
用以實施發明之形態
以下，參照圖式，詳細地說明本發明之實施形態。參照圖1，顯示作為加工對象之半導體晶圓W(以下皆僅標示為「晶圓W」)之表面側立體圖。在晶圓W之表面中，第1分割預定線(切割道)S1與第2分割預定線垂直相交而形成，於以第1分割預定線S1與第2分割預定線S2劃分之複數區域分別形成有LSI等元件D。
就對此種晶圓W進行加工之本發明之實施形態，以下依序說明。首先，在本實施形態中，細節係實施後述分割起點形成步驟前，如圖2所示，實施研磨步驟，研磨晶圓W之背面Wb，形成圓形凹部Wc，同時，形成圍繞圓形凹部Wc之環狀凸部Wd。
圖2顯示用以實施研磨步驟之研磨單元11，具有可旋轉地收容於殼體12中之心軸18、固定於心軸18之前端之座13、螺固於座13且具有配設成環狀之複數磨石52之磨輪21、將心軸18旋轉驅動之圖中未示之伺服馬達而構成。
於研磨單元11之下方配置有夾頭台35，而形成於 夾頭台35吸引保持有晶圓W之狀態。在此吸引保持之前階段，為保護元件D，實施於晶圓W之表面Wa貼附保護帶10(圖1、圖5(A))之保護帶貼附步驟。然後，保護帶10形成為下側，可將晶圓W保持於夾頭台35。
又，一面將夾頭台35往以箭號37所示之方向以例如300rpm旋轉，一面使磨輪21往以箭號53所示之方向以例如6000rpm旋轉，同時，使磨輪21之磨石52接觸晶圓W之背面。然後，將磨輪21以預定研磨進給速度往下方研磨進給預定量。
結果，如圖2所示，於晶圓W之背面研磨去除對應於形成元件D之區域之元件區域17(參照圖1)之背面，而形成預定厚度(例如30μm)之圓形凹部Wc，同時，殘留對應於未形成元件D之外周剩餘區域19(參照圖1)之區域，而形成環狀凸部(環狀補強部)Wd。
接著，如圖3所示，實施於設定有交叉之複數分割預定線之晶圓W形成沿著分割預定線之分割起點的分割起點形成步驟。在本實施形態中，使用雷射加工裝置20之雷射光束照射單元24，從聚光器28將雷射光束對晶圓W之背面Wb照射，藉此，形成分割起點。
如圖4之方塊圖所示，於雷射光束照射單元24之殼體26內配設有雷射振盪機構34及雷射光束調變機構36。可使用YAG雷射振盪器或YVO4雷射振盪器作為雷射振盪機構34。雷射光束調變機構36具有重複頻率設定機構38、雷射光束脈衝寬度設定機構40、雷射光束波長設定機構42 而構成。
構成雷射光束調變機構36之重複頻率設定機構38、雷射光束脈衝寬度設定機構40及雷射光束波長設定機構42係眾所皆知之形態者，在本說明書中，省略其詳細說明。
在以上之結構中，如圖3所示，呈於雷射加工裝置20之夾頭台22之保持面藉由保護帶10保持有晶圓W之狀態，同時，將夾頭台22往X軸方向加工進給，藉此，可形成沿著分割預定線S1(圖1)之改質層。將夾頭台22往Y軸方向進行指標進給，而對所有分割預定線S1形成改質層。之後，使夾頭台22旋轉90度，同樣地，沿著分割預定線S2(圖2)，形成改質層。
此外，在本實施形態中，由於事前形成有圓形凹部Wc，故對在此圓形凹部Wc之範圍內之分割預定線S1、S2(圖1)，形成改質層，藉此，可防止環狀凸部之強度降低。然而，亦可從晶圓之外周緣之一端至另一端沿著分割預定線形成改質層。又，為檢測配置於作為背面側之位置之分割預定線來校準，而考慮為包含有於雷射光束照射單元4具有紅外線照相機之拍攝單元29之結構或為以配設於以透明材構成之夾頭台之保持面的下方之照相機隔著保持面來拍攝晶圓之背面的結構。
使用雷射光束之分割起點形成步驟之加工條件如下設定。
光源：LD激發Q開關 Nd：YVO4脈衝雷射
波長：1064nm
重複頻率：100kHz
平均輸出：1W
聚光點徑：Φ1μm
加工進給速度：100mm/秒
又，在分割起點形成步驟中，除了以改質層形成分割起點外，亦可以雷射加工溝或切削刀片之切削溝形成分割起點。此外，如上述，形成改質層作為分割起點時，可縮小分割預定線之寬度，使晶片之取得個數提高，故從此種觀點，宜形成改質層作為分割起點。
在以上說明之階段中，實施保護帶貼附步驟、研磨步驟、分割起點形成步驟，如圖5(A)所示，該保護帶貼附步驟係將保護帶10貼附於晶圓W之表面Wa，如圖5(B)所示，研磨晶圓W之背面Wb，形成圓形凹部Wc，同時，形成圍繞圓形凹部Wc之環狀凸部Wd，如圖5(C)所示，於設定有交叉之複數分割預定線之晶圓W形成沿著分割預定線之分割起點(改質層73)。
然後，實施如圖5(C)所示之分割起點形成步驟後，如圖5(D)所示，實施於晶圓W之背面Wb貼附接著膜30之接著膜貼附步驟。此接著膜30稱為DAF(Die Attach Film：晶片接合膜)，係用於粒接法者。
在本實施形態中，接著膜30構成可收於形成於晶圓W之背面Wb之圓形凹部Wc內(為環狀凸部Wd包圍之範圍)的圓盤形。又，亦可為下述結構，前述結構係藉使接著 膜30之外周緣接觸環狀凸部Wd之立起部份(內周壁)，形成可進行接著膜30對晶圓W之定位。
又，此接著膜30可以真空貼合機等眾所皆知之裝置對晶圓W之背面Wb(圓形凹部Wc之底面)貼附。
在此，在業經實施圖5(C)之分割起點形成步驟之狀態中，形成為未完全切斷分割預定線之狀態。亦即，形成為未分割成各個晶片之狀態。因此，如圖5(D)所示，即使將接著膜30貼附於晶圓W之背面Wb，亦不致產生晶片移動之所謂推晶。
接著，於實施圖5(D)所示之接著膜貼附步驟後，如圖6所示，實施以雷射光束LB之照射於接著膜30形成沿著分割預定線S1之分割溝31的接著膜分割溝形成步驟。
在圖6所示之本實施形態中，藉雷射光束LB所作之剝蝕加工，在將晶圓W保持於夾頭台44之狀態下，進行加工。於夾頭台44之保持面44a藉由保護帶10吸引保持有晶圓W，而形成於此晶圓W之圓形凹部Wc貼附有接著膜30之狀態。
又，對此接著膜30，照射雷射光束LB，使沿著分割預定線S1之分割溝31形成。分割溝31除了為完全切斷接著膜30之溝外，亦可為不完全切斷接著膜30之半切斷溝。
此外，於接著膜30形成分割溝31之際之剝蝕加工的條件如下設定。
光源：LD激發Q開關 Nd：YAG脈衝雷射
波長：355nm(YAG雷射之第3高諧波)
輸出：3~3.75W
重複頻率：10kHz
加工進給速度：100~200mm/秒
又，除了如本實施形態般，以使用雷射加工裝置之剝蝕加工實施接著膜分割溝形成步驟外，亦可以以旋轉之切削刀片形成切削溝之切削裝置形成分割溝31。此時，因切削刀片之刀厚、種類甚至是接著膜30之種類，有因切斷接著膜30而產生切削刀片之堵塞之虞。此時，宜使用雷射加工裝置。
實施圖6所示之接著膜分割溝形成步驟後，如圖7(A)所示，實施將伸展片60貼附於貼附在晶圓W之接著膜30上之伸展片貼附步驟。
在本實施形態，形成有分割溝31之接著膜30形成為上側，從接著膜30之上側覆蓋伸展片60，使伸展片60對接著膜30貼附。此外，伸展片60可以真空貼合機等眾所皆知之裝置對接著膜30貼附。
又，伸展片60設成堵住圓環狀之環狀框架F之開口部，藉由伸展片60，形成為接著膜30或晶圓W固定於環狀框架F之狀態。
然後，如圖7(B)所示，實施將保護帶10從晶圓W之表面Wa除去之保護帶去除步驟。藉此，可露出形成元件之晶圓W之表面Wa。
接著，如圖7(C)所示，將固定於環狀框架F之晶圓W從圖7(B)所示之狀態翻轉，之後，實施對具有對應於晶 圓W之圓形凹部Wc之凹形狀之凸狀上面72的夾頭台70置放固定於環狀框架F之晶圓W的保持步驟。
在本實施形態中，使用具有從下側插入至晶圓W之圓形凹部Wc之凸狀上面72的夾頭台70，晶圓W之背面Wb為凸狀上面72覆蓋，而可將晶圓W保持於夾頭台70上。
如以上，實施伸展片貼附步驟後，如圖8(A)~圖8(C)圖所示，實施分割步驟，該分割步驟係將伸展片60伸展，對晶圓W賦與外力，將晶圓W與接著膜30分割成各個晶片，而形成複數背面貼附有接著膜30之附接著膜晶片30A。
首先，如圖8(A)圖所示，對晶圓W之外周剩餘區域19，照射雷射光束，同時，藉使夾頭台70旋轉，於外周剩餘區域19形成圓形改質層74。此外，改質層74宜設於環狀凸部Wd之內周壁之延長線上。
接著，如圖8(B)所示，藉圖中未示之伸展裝置，將伸展片60伸展。此時，由於關於晶圓W，除了外周剩餘區域19之改質層74，藉圖5(C)所示之分割起點形成步驟，已形成有改質層73，又，關於接著膜30，藉以圖6所示之接著膜分割溝形成步驟形成有分割溝31，故在改質層73、74產生斷裂，而如圖8(C)所示，分割成各個晶片80、80。
又，除了以圖8(A)~圖8(C)所示之形態實施分割步驟外，亦可以圖9(A)~圖9(C)所示之形態實施分割步驟。
首先，如圖9(A)所示，對晶圓W之外周剩餘區域19，以雷射光束所作之剝蝕加工(或切削刀片所作之切削加 工)，於外周剩餘區域19形成圓形分割溝75。此外，分割溝75宜設於環狀凸部Wd之內周壁之延長線上。
接著，如圖9(B)所示，除去以分割溝75分割成環狀之晶圓W之外周剩餘區域19。
然後，如圖9(C)所示，以圖中未示之伸展裝置，將伸展片60伸展。此時，由於關於晶圓W，已經以圖5(C)所示之分割起點形成步驟，形成有改質層73，又，關於接著膜30，以圖6所示之接著膜分割溝形成步驟，形成分割溝31，故在改質層73之部位產生斷裂，而如圖9(C)所示，分割成各個晶片80、80。
根據以上所說明之實施形態，於晶圓W形成分割起點後，將晶圓W分割成各個晶片前，將接著膜30貼附於晶圓W之背面。之後，對接著膜30形成沿著晶片間之間隙之分割溝31，而將晶圓W分割成各個晶片。
根據此種方法，由於於貼附接著膜30之際，未分割有晶圓W，不致發生推晶，在晶片間之間隙形成之分割預定線不致彎曲或間隙不致消失。又，由於形成沿著晶片間之間隙之分割溝31，而將晶圓W分割成各個晶片，故亦不致產生在扯斷接著膜30之手法之弊端。
又，根據本實施例，可實施為對分割預定線狹小之被加工物適合之操作的使用雷射光束之改質層的形成。
又，可使於形成圓形凹部Wc之際同時形成之環狀凸部Wd具有作為外周補強部之功能，而可安全地進行施行分割起點之狀態的薄晶圓W之處置。又，藉於晶圓W形 成環狀凸部Wd(外周補強部)，一旦於處置中以分割起點為起點，產生一部份之晶片分割時，由於貼附於晶圓W之表面之保護帶10亦撓曲，而不致對其他晶片之配置產生影響，故無發生推晶之虞。
又，由於形成有分割溝31，故不僅接著膜30之分割容易，而且可確實地在所有區域分割接著膜30。特別是對薄且小之附接著膜晶片之形成或12吋等大口徑晶圓，本發明可適宜地實施。
另一方面，用以減低薄晶圓之處置風險(於處置之際產生之破損等弊端)之裝置結構考慮將分割起點形成用雷射加工裝置或切削裝置與研磨裝置或貼帶機連接成線內之結構(將複數裝置匯集為1個裝置之結構)。
此時，關於用以形成分割起點之程序(分割起點形成步驟)，較其他程序需要長時間。特別是關於可形成小晶片(極小晶片)之晶圓，由於分割起點之數或距離增加，故關於用以形成此分割起點之程序，需要長時間，每單位時間之UPH(Unit Per Hour：加工處理片數))差。當晶圓為大口徑時，由於分割起點之數或距離更增加，故UPH更惡化。
因此，採用連接成線內之結構時，在用以形成分割起點之雷射加工裝置或切削裝置之UPH與研磨裝置或貼帶機之UPH間無法取得平衡，研磨裝置或貼帶機之未運作之時間增加，CoO(Cost Of Operation：運轉費用)變差。
此點在本實施例中，由於非僅將晶圓W薄化，藉使外周殘留環狀凸部Wd，晶圓W之強度提高，可減低處置 風險，故於此止住，可減低CoO之惡化之風險，程序全體可實現良好之CoO。
再者，在非如上述之線內時，若藉使分割起點形成用雷射加工裝置或切削裝置與研磨裝置或貼帶機分別單獨運作，分割起點形成用雷射加工裝置或切削裝置之UPH可不致對研磨裝置或貼帶機之UPH造成影響，而可加工更多之晶圓。
此外，在以上說明之實施例中，實施了形成圓形凹部與環狀凸部之研磨步驟，亦可不形成圓形凹部與環狀凸部，而實施將晶圓全體薄化之薄化步驟，之後，實施分割起點形成步驟、接著膜貼附步驟、接著膜分割溝形成步驟、伸展片貼附步驟、分割步驟。又，實施分割起點形成步驟後，實施薄化晶圓之薄化步驟，接著，實施接著膜貼附步驟、接著膜分割溝形成步驟、伸展片貼附步驟、分割步驟。
10‧‧‧保護帶
30‧‧‧接著膜
31‧‧‧分割溝
44‧‧‧夾頭台
44a‧‧‧保持面
73‧‧‧改質層
LB‧‧‧雷射光束
S1‧‧‧第1分割預定線
W‧‧‧半導體晶圓
Wa‧‧‧表面
Wb‧‧‧背面
Wc‧‧‧圓形凹部
Wd‧‧‧環狀凸部

Claims (2)

  1. 一種附接著膜晶片之形成方法，係形成於背面貼附有接著膜之附接著膜晶片，其特徵在於包含有：分割起點形成步驟，係於設定有交叉之複數分割預定線之晶圓形成沿著該分割預定線之分割起點；接著膜貼附步驟，係於實施該分割起點形成步驟後，將接著膜貼附於晶圓之背面；接著膜分割溝形成步驟，係於實施該接著膜貼附步驟後，以雷射光束之照射或切削刀片於該接著膜形成沿著該分割預定線之分割溝；伸展片貼附步驟，係於實施該接著膜分割溝形成步驟後，將伸展片貼附於貼附在晶圓之該接著膜上；分割步驟，係於實施該伸展片貼附步驟後，藉將該伸展片伸展，對晶圓賦與外力，而將晶圓與該接著膜分割成各個晶片，而形成複數個於背面貼附有接著膜之附接著膜晶片；及研磨步驟，於實施該分割起點形成步驟前，研磨晶圓的背面而形成圓形凹部，且形成圍繞該圓形凹部的環狀凸部，在該分割起點形成步驟是將雷射光束照射晶圓的背面而形成成為分割起點的改質層，且不在晶圓的外周剩餘區域形成圓形的改質層。
  2. 如請求項1之附接著膜晶片之形成方法，其中在前述分割步驟中，將該伸展片伸展前，從晶圓的表面於該外周剩餘區域形成圓形的改質層或分割溝。
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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6235396B2 (ja) * 2014-03-28 2017-11-22 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6385131B2 (ja) * 2014-05-13 2018-09-05 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP6366351B2 (ja) * 2014-05-13 2018-08-01 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
DE102015100827A1 (de) 2015-01-21 2016-07-21 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Bearbeiten eines Halbleitersubstrats und Halbleiterchips
JP6482425B2 (ja) * 2015-07-21 2019-03-13 株式会社ディスコ ウエーハの薄化方法
JP2018014450A (ja) * 2016-07-22 2018-01-25 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP6814646B2 (ja) * 2017-01-23 2021-01-20 株式会社ディスコ 光デバイスウェーハの加工方法
JP6956788B2 (ja) * 2017-07-06 2021-11-02 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理システム
JP6918420B2 (ja) * 2017-09-14 2021-08-11 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
DE102019204457B4 (de) 2019-03-29 2024-01-25 Disco Corporation Substratbearbeitungsverfahren
JP7366490B2 (ja) 2019-04-19 2023-10-23 株式会社ディスコ チップの製造方法
JP7407561B2 (ja) * 2019-10-30 2024-01-04 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1140520A (ja) 1997-07-23 1999-02-12 Toshiba Corp ウェーハの分割方法及び半導体装置の製造方法
JP2000182995A (ja) 1998-12-14 2000-06-30 Mitsumi Electric Co Ltd 半導体装置の製造方法
US6668349B1 (en) * 2000-04-14 2003-12-23 Hitachi, Ltd. Data recording/readback method and data recording/readback device for the same
JP4109823B2 (ja) 2000-10-10 2008-07-02 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
JP4509720B2 (ja) * 2002-03-12 2010-07-21 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP2005223283A (ja) 2004-02-09 2005-08-18 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの分割方法
JP2005332982A (ja) * 2004-05-20 2005-12-02 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法
US7550367B2 (en) * 2004-08-17 2009-06-23 Denso Corporation Method for separating semiconductor substrate
JP2006086509A (ja) * 2004-08-17 2006-03-30 Denso Corp 半導体基板の分断方法
JP4754278B2 (ja) * 2005-06-23 2011-08-24 リンテック株式会社 チップ体の製造方法
JP2008028325A (ja) * 2006-07-25 2008-02-07 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法
JP2009283925A (ja) * 2008-04-22 2009-12-03 Hitachi Chem Co Ltd ダイシングテープ一体型接着シート、ダイシングテープ一体型接着シートの製造方法、及び半導体装置の製造方法
JP5357669B2 (ja) * 2009-08-28 2013-12-04 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP5451335B2 (ja) * 2009-11-20 2014-03-26 リンテック株式会社 マウント装置およびマウント方法

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