JP2008192945A - ウエーハの裏面に装着された接着フィルムの破断方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ダイシングテープを拡張して接着フィルムを各デバイスに沿って破断する際に、接着フィルムの破片がデバイスの表面に付着するようにした接着フィルムの破断方法を提供する。
【解決手段】複数のストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハの裏面に装着されウエーハの外形より大きい外形を有する接着フィルムを、ダイシングテープの表面に貼着された状態でデバイスに沿って破断する接着フィルムの破断方法であって、ダイシングテープの表面に貼着された接着フィルムにおけるウエーハの外周縁からはみ出した外周部をウエーハの外周縁に沿って切断する外周部切断工程と、外周部切断工程によって切断された接着フィルムの外周部をダイシングテープから剥離する外周部除去工程と、外周部除去工程を実施した後に環状のフレームに装着されたダイシングテープを拡張し接着フィルムをデバイスに沿って破断するテープ拡張工程とを含む。
【選択図】図５

Description

本発明は、表面に複数のストリートが格子状に形成されているとともに該複数のストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハの裏面に装着された接着フィルムを、デバイスに沿って破断するウエーハの裏面に装着された接着フィルムの破断方法に関する。

例えば、半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に形成されたストリートと呼ばれる分割予定ラインによって区画された複数の領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスを形成し、該デバイスが形成された各領域をストリートに沿って分割することにより個々のデバイスを製造している。

個々に分割されたデバイスは、その裏面にエポキシ樹脂等で形成された厚さ２０〜４０μｍのダイアタッチフィルムと称するダイボンディング用の接着フィルムが装着され、この接着フィルムを介してデバイスを支持するダイボンディングフレームに加熱圧着することによりボンディングされる。デバイスの裏面にダイボンディング用の接着フィルムを装着する方法としては、半導体ウエーハの裏面に接着フィルムを貼着し、この接着フィルムを介して半導体ウエーハをダイシングテープに貼着した後、半導体ウエーハの表面に形成されたストリートに沿って切削ブレードにより接着フィルムとともに切断することにより、裏面に接着フィルムが装着されたデバイスを形成している。（例えば、特許文献１参照。）
特開２０００−１８２９９５号公報

しかるに、切削ブレードにより半導体ウエーハとともに接着フィルムを切断すると、切削ブレードに接着フィルムが絡まり、切断されたデバイスの切断面に欠けやクラックが発生するとともに、接着フィルムに髭状のバリが発生してワイヤボンディングの際に断線の原因になるという問題がある。

近年、携帯電話やパソコン等の電気機器はより軽量化、小型化が求められており、より薄いデバイスが要求されている。より薄くデバイスを分割する技術として所謂先ダイシング法と称する分割技術が実用化されている。この先ダイシング法は、ウエーハの表面からストリートに沿って所定の深さ（デバイスの仕上がり厚さに相当する深さ）の分割溝を形成し、その後、表面に分割溝が形成されたウエーハの裏面を研削して該裏面に分割溝を表出させ個々のデバイスに分離する技術であり、デバイスの厚さを５０μｍ以下に加工することが可能である。

しかるに、先ダイシング法によってウエーハを個々のデバイスに分割する場合には、ウエーハの表面からストリートに沿って所定の深さの分割溝を形成した後にウエーハの裏面を研削して該裏面に分割溝を表出させるので、ダイボンディング用の接着フィルムを前もってウエーハの裏面に装着することができない。従って、先ダイシング法によって分割されたデバイスをダイボンディングフレームにボンディングする際には、デバイスとダイボンディングフレームとの間にボンド剤を挿入しながら行わなければならず、ボンディング作業を円滑に実施することができないという問題がある。

このような問題を解消するために、先ダイシング法によって個々のデバイスに分割されたウエーハの裏面にダイボンディング用の接着フィルムを貼着し、この接着フィルムを介してウエーハをダイシングテープに貼着した後、ダイシングテープを拡張することにより接着フィルムを分割溝に沿って破断する方法が提案されている。（例えば、特許文献２参照。）
特開２００４−１９３２４１号公報

一方、近年ウエーハに対して透過性を有するパルスレーザー光線を用い、分割すべき領域の内部に集光点を合わせてパルスレーザー光線を照射するレーザー加工方法も試みられている。このレーザー加工方法を用いた分割方法は、ウエーハの裏面から内部に集光点を合わせてウエーハに対して透過性を有する例えば波長が１０６４ｎｍのパルスレーザー光線を照射し、ウエーハの内部にストリートに沿って変質層を連続的に形成し、この変質層が形成されることによって強度が低下したストリートに沿って外力を加えることにより、ウエーハを分割するものである。

また、ウエーハに対して吸収性を有する例えば波長が３５５ｎｍのパルスレーザー光線をストリートに沿って照射し、ストリートに沿ってレーザー加工溝を形成した後、ストリートに沿って外力を加えることにより、ウエーハを分割する方法も実用化されている。

上記レーザー加工方法を用いてストリートに沿って変質層またはレーザー加工溝が形成されたウエーハの裏面にダイボンディング用の接着フィルムを貼着し、この接着フィルムを介してウエーハをダイシングテープに貼着した後、ダイシングテープを拡張することにより変質層またはレーザー加工溝が形成されることによって強度が低下せしめられたストリートに沿って個々のデバイスに分割されるとともに、接着フィルムを分割された各デバイスの外周縁に沿って破断する方法が提案されている。（例えば、特許文献３参照。）
特開２００４−２７３８９５号公報

ダイボンディング用の接着フィルムは、ウエーハの裏面全面に確実に装着するためにウエーハの外形より大きく形成されている。このため、接着フィルムが貼着されたダイシングテープを拡張して接着フィルムを各デバイスに沿って破断すると、ウエーハの外周からはみ出している接着フィルムが破壊して飛散し、その破片がデバイスの表面に付着してダイボンディング不良やワイヤディング不良を発生させる原因となる。

本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術課題は、接着フィルムが貼着されたダイシングテープを拡張して接着フィルムを各デバイスに沿って破断する際に、接着フィルムの破片がデバイスの表面に付着ようにしたウエーハの裏面に装着された接着フィルムの破断方法を提供することにある。

上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、表面に複数のストリートが格子状に形成されているとともに該複数のストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハの裏面に装着されウエーハの外形より大きい外形を有する接着フィルムを、環状のフレームに装着されたダイシングテープの表面に貼着された状態でデバイスに沿って破断するウエーハの裏面に装着された接着フィルムの破断方法であって、
ダイシングテープの表面に貼着された接着フィルムにおけるウエーハの外周縁からはみ出した外周部をウエーハの外周縁に沿って切断する外周部切断工程と、
該外周部切断工程によって切断された接着フィルムの外周部をダイシングテープから剥離する外周部除去工程と、
該外周部除去工程を実施した後に、環状のフレームに装着されたダイシングテープを拡張し、接着フィルムをデバイスに沿って破断するテープ拡張工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハの裏面に装着された接着フィルムの破断方法が提供される。

上記ダイシングテープは紫外線を照射することにより粘着力が低下するテープを使用し、上記外周部除去工程はダイシングテープにおける上記外周部切断工程によって切断された接着フィルムの外周部が貼着されている領域に紫外線を照射して実施することが望ましい。

本発明によれば、テープ拡張工程において接着フィルムを各デバイスの外周縁に沿って破断する際には、外周部切断工程および外周部除去工程を実施することにより接着フィルムにおけるウエーハの外周縁からはみ出した外周部が除去されているので、破断される際に接着フィルムの破片が飛散することはなく、デバイスの表面に接着フィルムの破片が付着することはない。従って、接着フィルムの破片がデバイスの表面に付着することによるダイボンディング不良やワイヤディング不良の発生を未然に防止することができる。

以下、本発明によるウエーハの裏面に装着された接着フィルムの破断方法の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。

ここで、裏面に接着フィルムが装着されたウエーハの形態について説明する。
図１の(a),(b)には、所謂先ダイシング法によって個々のデバイスに分割された半導体ウエーハ２の裏面にダイボンディング用の接着フィルム３が装着され、該接着フィルム３側が環状のフレームFに装着されたダイシングテープTの表面に貼着された状態が示されている。図１に示す半導体ウエーハ２は、表面２ａに複数のストリート２１が格子状に形成されているとともに該複数のストリート２１によって区画された複数の領域にデバイス２２が形成されている。この半導体ウエーハ２を所謂先ダイシング法によって個々のデバイスに分割するには、切削装置を用いて半導体ウエーハ２の表面２ａに形成されたストリート２１に沿って所定深さ（デバイスの仕上がり厚さに相当する深さ）の分割溝２３を形成する（分割溝形成工程）。次に、分割溝２３が形成された半導体ウエーハ２の表面に保護部材を装着し、半導体ウエーハ２の裏面を研削して、分割溝を裏面に表出させることにより個々のデバイス２２に分割する（分割溝表出工程）。このようにして個々のデバイス２２に分割された半導体ウエーハ２の裏面２ｂにダイボンディング用の接着フィルム３を装着する。そして、裏面に接着フィルム３が装着された半導体ウエーハ２の（個々のデバイス２２に分割されている）接着フィルム３側を上述した環状のフレームFに装着されたダイシングテープTの表面に貼着する。

上記接着フィルム３は、厚さ２０〜４０μｍのエポキシ樹脂フィルムからなり、８０〜２００°Ｃの温度で加熱しつつ半導体ウエーハ２の裏面２ｂに押圧して装着される。この接着フィルム３は、半導体ウエーハ２の裏面全面に確実に装着するために半導体ウエーハ２の外形より大きく形成されている。従って、接着フィルム３の外周部３０は、半導体ウエーハ２の外周縁からはみ出た状態となる。なお、ダイシングテープの表面に予め接着フィルムが貼着された接着フィルム付きのダイシングテープを用いることができる。この場合、上述したように先ダイシング法によって個々のデバイスに分割された半導体ウエーハ２の裏面を環状のフレームに装着された接着フィルム付きのダイシングテープの接着フィルム上に載置し、８０〜２００°Ｃの温度で加熱しつつ接着フィルム２１を半導体ウエーハ２０の裏面２０ｂに押圧して装着する。上記環状のフレームＦは、厚さが１mmのステンレス鋼によって環状に形成されている。上記ダイシングテープＴは、図示の実施形態においては厚さが７０μｍのポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）からなるシート基材の表面に紫外線を照射することにより粘着力が低下する粘着糊が厚さが５μｍ程度塗布されている。

図２の(a),(b)には、ストリート２１に沿って内部に変質層２４が形成された半導体ウエーハ２の裏面にダイボンディング用の接着フィルム３が装着され、該接着フィルム３側が環状のフレームFに装着されたダイシングテープTの表面に貼着された状態が示されている。半導体ウエーハ２の内部にストリート２１に沿って変質層２４を形成するには、半導体ウエーハ２の裏面２ｂ側から内部に集光点を合わせてウエーハに対して透過性を有する例えば波長が１０６４ｎｍのパルスレーザー光線をストリート２１に沿って照射し、半導体ウエーハ２の内部にストリート２１に沿って変質層２４を連続的に形成する（変質層形成工程）。このようにしてストリート２１に沿って内部に変質層２４が形成された半導体ウエーハ２の裏面２ｂにダイボンディング用の接着フィルム３を装着する。そして、裏面に接着フィルム３が装着された半導体ウエーハ２の接着フィルム３側を上述した環状のフレームFに装着されたダイシングテープTの表面に貼着する。

図３の(a),(b)には、ストリート２１に沿ってレーザー加工溝２５が形成された半導体ウエーハ２の裏面にダイボンディング用の接着フィルム３が装着され、該接着フィルム３側が環状のフレームFに装着されたダイシングテープTの表面に貼着された状態が示されている。半導体ウエーハ２にストリート２１に沿ってレーザー加工溝２５を形成するには、先ず半導体ウエーハ２の裏面２ｂにダイボンディング用の接着フィルム３を装着する。そして、裏面に接着フィルム３が装着された半導体ウエーハ２の接着フィルム３側を上述した環状のフレームFに装着されたダイシングテープTの表面に貼着する。次に、半導体ウエーハ２の表面２ａ側からウエーハに対して吸収性を有する例えば波長が３５５ｎｍのパルスレーザー光線をストリート２１に沿って照射し、ストリート２１に沿ってレーザー加工溝２５を形成する（レーザー加工溝形成工程）。

以上のようにして、半導体ウエーハ２の裏面２ｂに装着されたダイボンディング用の接着フィルム３を環状のフレームFに装着されたダイシングテープTの表面に貼着したならば、接着フィルム３における半導体ウエーハ２の外周縁からはみ出した外周部３０をウエーハの外周縁に沿って切断する外周部切断工程を実施する。この外周部切断工程について図４の(a),(b)を参照して説明する。図４の(a),(b)に示す実施形態は、外周部切断工程をレーザー加工装置４を用いて実施する例である。即ち、レーザー加工装置４のチャックテーブル４１上に環状のフレームFに装着されたダイシングテープTを載置し、図示しない吸引手段を作動してチャックテーブル４１上にダイシングテープT（表面に半導体ウエーハ２の裏面２ｂに装着されたダイボンディング用の接着フィルム３が貼着されている）を吸引保持する。そして、環状のフレームFをチャックテーブル４１に配設された図示しないクランプによって固定する。次に、チャックテーブル４１を移動してレーザー光線照射手段の集光器４２の直下に接着フィルム３における半導体ウエーハ２の外周縁との境界部を位置付ける。そして、集光器４２からパルスレーザー光線を照射しつつチャックテーブル４１を回転する。このとき、集光器４２から照射されるパルスレーザー光線の集光点Pを接着フィルム３の上面付近に合わせる。この結果、チャックテーブル４１を１回転することにより、図４の(b)に示すように接着フィルム３の外周部３０は半導体ウエーハ２の外周縁との境界部において切断される。

上記外周部切断工程は、例えば以下の加工条件で行われる。
レーザー光線の光源 ：ＹＶＯ４レーザーまたはＹＡＧレーザー
波長 ：３５５ｎｍ
繰り返し周波数 ：５０ｋＨｚ
平均出力 ：１W
集光スポット径 ：φ５μｍ

なお、上述した実施形態においては、外周部切断工程をレーザーによって実施した例を示したが、外周部切断工程は切削装置を用いて実施してもよい。

上述したように外周部切断工程を実施したならば、外周部切断工程によって切断された接着フィルム３の外周部３０をダイシングテープTから剥離する外周部除去工程を実施する。この外周部切断工程においては、図５の(a)に示すようにダイシングテープTにおける接着フィルム３の外周部３０が貼着されている領域に紫外線照射ランプLによって紫外線を照射し、ダイシングテープTに塗布された粘着糊の粘着力を低下させておくことが望ましい。そして、図５の(b)に示すように接着フィルム３の外周部３０をダイシングテープTから剥離する。

なお、図３に示すように半導体ウエーハ２のストリート２１に沿ってレーザー加工溝２５が形成する場合には、上記外周部切断工程および外周部除去工程はレーザー加工溝形成工程を実施する前に実施してもよい。

上述したように外周部除去工程を実施したならば、環状のフレームFに装着されたダイシングテープTを拡張し、接着フィルム３を各デバイスに沿って破断するテープ拡張工程を実施する。このテープ拡張工程は、図示の実施形態においては図６に示すテープ拡張装置５を用いて実施する。図６に示すテープ拡張装置５は、上記環状のフレームFを保持するフレーム保持手段５１と、該フレーム保持手段５１に保持された環状のフレームFに装着されたダイシングテープTを拡張するテープ拡張手段５２を具備している。フレーム保持手段５１は、環状のフレーム保持部材５１１と、該フレーム保持部材５１１の外周に配設された固定手段としての複数のクランプ５１２とからなっている。フレーム保持部材５１１の上面は環状のフレームＦを載置する載置面５１１ａを形成しており、この載置面５１１ａ上に環状のフレームFが載置される。そして、載置面５１１ａ上に載置された環状のフレームFは、クランプ５１２によってフレーム保持部材５１１に固定される。このように構成されたフレーム保持手段５１は、テープ拡張手段５２によって上下方向に進退可能に支持されている。

テープ拡張手段５２は、上記環状のフレーム保持部材５１１の内側に配設される拡張ドラム５２１を具備している。この拡張ドラム５２１は、環状のフレームFの内径より小さく該環状のフレームFに装着されたダイシングテープTに貼着される半導体ウエーハ２の外径より大きい内径および外径を有している。また、拡張ドラム５２１は、下端に支持フランジ５２２を備えている。図示の実施形態におけるテープ拡張手段５２は、上記環状のフレーム保持部材５１１を上下方向に進退可能な支持手段５３を具備している。この支持手段５３は、上記支持フランジ５２２上に配設された複数のエアシリンダ５３１からなっており、そのピストンロッド５３２が上記環状のフレーム保持部材５１１の下面に連結される。このように複数のエアシリンダ５３１からなる支持手段５３は、図６および図７の(a)に示すように環状のフレーム保持部材５１を載置面５１１が拡張ドラム５２１の上端と略同一高さとなる基準位置と、図７の(b)に示すように環状のフレーム保持部材５１を載置面５１１が拡張ドラム５２１の上端から図において上方に所定量離隔した離隔位置と、図７の(c)に示すように環状のフレーム保持部材５１を載置面５１１が拡張ドラム５２１の上端から図において所定量下方の拡張位置に選択的に移動せしめる。従って、複数のエアシリンダ５３１からなる支持手段５３は、拡張ドラム５２１とフレーム保持部材５１１とを上下方向に相対移動する拡張移動手段として機能する。図６を参照して説明を続けると、図示の実施形態におけるテープ拡張装置５は、テープ拡張手段５２を構成する拡張ドラム５２１内に配設された冷却手段５４を具備している。この冷却手段５４は、冷却流体噴射ノズル５４１が上方に向けて配設されており、図示しない冷却流体供給手段に連通されている。

図示の実施形態におけるテープ拡張装置５は以上のように構成されており、このテープ拡張装置５を用いて、上述した環状のフレームFに装着されたダイシングテープTを拡張し、接着フィルム３をデバイスに沿って破断するテープ拡張工程について、主に図７を参照して説明する。
上記図５の(b)に示すように外周部切断工程が実施された接着フィルム３（半導体ウエーハ２の裏面２ｂに装着されている）が貼着されたダイシングテープTを介して支持した環状のフレームFを図７の（ａ）に示すようにフレーム保持手段５１を構成するフレーム保持部材５１１の載置面５１１ａ上に載置し、クランプ５１２によってフレーム保持部材５１１に固定する(フレーム保持工程)。このとき、フレーム保持部材５１１は図７の（ａ）に示す基準位置に位置付けられている。

図７の（ａ）に示すように基準位置に位置付けられているフレーム保持部材５１１に、接着フィルム３（半導体ウエーハ２の裏面２ｂに装着されている）が貼着されたダイシングテープTを介して支持した環状のフレームFを固定したならば、複数のエアシリンダ５３１を作動して、フレーム保持部材５１１を図７の（ｂ）に示す離隔位置に上昇せしめる（離隔位置位置付け工程）。

次に、複数のエアシリンダ５３１を作動して、フレーム保持部材５１１を図７の（c）に示す拡張位置まで一気に下降せしめる。従って、フレーム保持部材５１１の載置面５１１a上に固定されている環状のフレームFも下降するため、図７の（c）に示すように環状のフレームFに装着されたダイシングテープTは拡張ドラム５２１の上端縁に当接して拡張せしめられる（テープ拡張工程）。このとき、フレーム保持部材５１１即ち環状のフレームFに装着されたダイシングテープTは図７の（ｂ）に示す離隔位置から下降するので、拡張ドラム５２１の上端縁に当接する際には所定の移動速度に達している。なお、ダイシングテープTが拡張ドラム５２１の上端縁に当接する際の所定の移動速度は、１００mm／秒以上であることが望ましい。この結果、ダイシングテープTに貼着されている接着フィルム３には放射状に引張力が急激に作用する。このようにして、ダイシングテープTに貼着されている接着フィルム３に放射状の引張力が作用すると、上記図１に示すように半導体ウエーハ２が個々のデバイス２２に分割されている場合には、デバイス２２および接着フィルム３間の間隔が急激に広げられる。この結果、接着フィルム３は各デバイス２２の外周縁に沿って確実に破断される。また、上記図２または図３に示すように半導体ウエーハ２のストリート２１に沿って変質層２４またはレーザー加工溝２５が形成されている場合には、上記のようにダイシングテープTに貼着されている接着フィルム３に放射状の引張力が作用すると、半導体ウエーハ２は変質層２４またはレーザー加工溝２５が形成されることによって強度が低下せしめられたストリート２１に沿って個々のデバイス２２に分割されるとともに、接着フィルム３は分割された各デバイス２２の外周縁に沿って破断される。なお、上記テープ拡張工程を実施する際には、図７の（ａ）に示すように基準位置に位置付けられているときに冷却手段５４を作動して冷却流体噴射ノズル５４１から冷却流体を噴射し、接着フィルム３を１０℃以下に冷却することが望ましい。

上述したテープ拡張工程において接着フィルム３を各デバイス２２の外周縁に沿って破断する際には、上記外周部切断工程および外周部除去工程を実施することにより接着フィルム３における半導体ウエーハ２の外周縁からはみ出した外周部３０が除去されているので、破断される際に接着フィルム３の破片が飛散することはなく、デバイス２２の表面に接着フィルム３の破片が付着することはない。

上述したようにテープ拡張工程を実施したならば、図８に示すようにピックアップ装置６を作動しピックアップコレット６１によって所定位置に位置付けられたデバイス２２をピックアップ（ピックアップ工程）し、図示しないトレーまたはダイボンディング工程に搬送する。

裏面にダイボンディング用の接着フィルムが装着された半導体ウエーハが環状のフレームに装着されたダイシングテープに貼着された状態を示す第１の実施形態の斜視図。 裏面にダイボンディング用の接着フィルムが装着された半導体ウエーハが環状のフレームに装着されたダイシングテープに貼着された状態を示す第２の実施形態の斜視図。 裏面にダイボンディング用の接着フィルムが装着された半導体ウエーハが環状のフレームに装着されたダイシングテープに貼着された状態を示す第３の実施形態の斜視図。 本発明によるウエーハの裏面に装着された接着フィルムの破断方法における外周部切断工程の説明図。 本発明によるウエーハの裏面に装着された接着フィルムの破断方法における外周部除去工程の説明図。 本発明によるウエーハの裏面に装着された接着フィルムの破断方法におけるテープ拡張工程を実施するテープ拡張装置の斜視図。 本発明によるウエーハの裏面に装着された接着フィルムの破断方法におけるテープ拡張工程の説明図。 本発明によるウエーハの裏面に装着された接着フィルムの破断方法におけるピックアップ工程を示す説明図。

符号の説明

２：半導体ウエーハ
２１：ストリート
２２：デバイス
３：接着フィルム
４：レーザー加工装置
４１：チャックテーブル
４２：集光器
５：テープ拡張装置
５１：フレーム保持手段
５１１：フレーム保持部材
５２：テープ拡張手段
５２１：拡張ドラム
５３：支持手段
５３１：エアシリンダ
５４：冷却手段
５４１：冷却流体噴射ノズル
F：環状のフレーム
T：ダイシングテープ

Claims (2)

1. 表面に複数のストリートが格子状に形成されているとともに該複数のストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハの裏面に装着されウエーハの外形より大きい外形を有する接着フィルムを、環状のフレームに装着されたダイシングテープの表面に貼着された状態でデバイスに沿って破断するウエーハの裏面に装着された接着フィルムの破断方法であって、
   ダイシングテープの表面に貼着された接着フィルムにおけるウエーハの外周縁からはみ出した外周部をウエーハの外周縁に沿って切断する外周部切断工程と、
   該外周部切断工程によって切断された接着フィルムの外周部をダイシングテープから剥離する外周部除去工程と、
   該外周部除去工程を実施した後に、環状のフレームに装着されたダイシングテープを拡張し、接着フィルムをデバイスに沿って破断するテープ拡張工程と、を含む、
   ことを特徴とするウエーハの裏面に装着された接着フィルムの破断方法。
2. 該ダイシングテープは紫外線を照射することにより粘着力が低下するテープを使用し、該外周部除去工程はダイシングテープにおける該外周部切断工程によって切断された接着フィルムの外周部が貼着されている領域に紫外線を照射して実施する、請求項１記載のウエーハの裏面に装着された接着フィルムの破断方法。

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