JP2002373870A - 半導体ウエーハの加工方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 半導体ウエーハを裏面研削によって著しく薄
くする場合にも、半導体ウエーハを損傷することなく裏
面研削ができ、容易に搬送でき、そして更に裏面研削の
後に半導体ウエーハの表面に自由にアクセスすることが
可能である、半導体ウエーハ加工方法を提供する。 【解決手段】 研削工程とその後に表面からアクセスし
て所要処理を加える処理工程との間に、半導体ウエーハ
２を外側リング部材１２ａ及び内側リング部材１２ｂか
ら成るフレーム及び装着テープ１０から離脱させると共
に、別個のフレーム２２に装着テープ２４を介して装着
する移し替え工程を遂行する、或いは半導体ウエーハ２
をフレーム自体に、半導体ウエーハ２の表面に貼着され
ていた装着テープに代えて半導体ウエーハの裏面に貼着
された装着テープを介して装着する装着テープ交換工程
を遂行する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、表面には格子状に
配列されたストリートによって区画された多数の矩形領
域が配列されており、矩形領域の各々には半導体回路が
施されている半導体ウエーハの加工方法に関する。

【０００２】当業者には周知の如く、半導体デバイスの
製造においては、半導体ウエーハの表面に、格子状に配
列されたストリートによって多数の矩形領域を区画し、
かかる矩形領域の各々に半導体回路を施している。そし
て、半導体ウエーハの裏面を研削してその厚さを低減せ
しめると共に、ストリートに沿って半導体ウエーハを切
削し、矩形領域を個々に分離して半導体チップを形成し
ている。

【０００３】通常、半導体ウエーハの裏面に研削手段を
作用せしめて半導体ウエーハの厚さを所要値まで低減
し、しかる後に半導体ウエーハの表面から切削手段を作
用せしめて半導体ウエーハをストリートに沿って切削
し、これによって矩形領域を個々に分離している。半導
体ウエーハをストリートに沿って切削する際には、切削
の後も個々に分離された矩形領域を一体として搬送、洗
浄等の処理を施すことができるようになすために、中央
部に装着開口を有するフレームに装着テープを介して装
着している。更に詳しくは、装着開口を跨がって延びる
テープをフレームに装着すると共に、装着開口内におい
て半導体ウエーハの裏面を装着テープに貼着せしめ、か
くしてフレームに半導体ウエーハを装着している。次い
で、個々に分離された矩形領域即ち半導体チップをピッ
クアップして所要場所に搬送する。

【０００４】近時においては、最初に、半導体ウエーハ
の表面から切削手段を作用せしめてストリートに沿って
所要深さの溝を形成し、しかる後に半導体ウエーハの裏
面に研削手段を作用せしめて半導体ウエーハの厚さを低
減せしめ、かくして上記溝の存在に起因して矩形領域の
各々が分離せしめられるようになす、ことも実施されて
いる。この場合にも、個々に分離された矩形領域を一体
として搬送、洗浄等の処理を施すことができるようにな
すために、半導体ウエーハの裏面を研削する際には、中
央部に装着開口を有するフレームに装着テープを介して
装着している。更に詳しくは、装着開口を跨がって延び
るテープをフレームに装着すると共に、装着開口内にお
いて半導体ウエーハの表面を装着テープに貼着せしめ、
かくしてフレームに半導体ウエーハを装着している。次
いで、個々に分離された矩形領域即ち半導体チップをピ
ックアップして所要場所に搬送する。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】著しく小型且つ軽量の
半導体チップを形成するために、近時においては、半導
体ウエーハの裏面を研削して半導体ウエーハの厚さを著
しく薄くする、例えば１５０μm 以下、殊に５０μm 以
下、にすることが望まれることが少なくない。然るに、
例えばシリコン製である半導体ウエーハの厚さを著しく
薄くせしめると、半導体ウエーハの剛性が著しく小さく
なり、損傷せしめることなく研削することが困難である
と共に、研削された半導体ウエーハを所要速度で搬送す
ることも著しく困難になる。研削の際に半導体ウエーハ
が損傷せしめられるのを防止ためには、半導体ウエーハ
の表面に保護基板乃至保護テープを貼着した状態で、半
導体ウエーハの裏面に切削手段を作用せしめて半導体ウ
エーハの研削を遂行すればよい。しかしながら、半導体
ウエーハの表面に保護基板乃至保護テープを貼着した場
合、半導体ウエーハの裏面研削工程の後に遂行される処
理工程、例えばストリートに沿った切削或いは個々に分
離された矩形領域のピックアップ等においては、半導体
ウエーハにその表面から直接的にアクセスすることが必
要であるが、かようなアクセスが保護基板乃至保護テー
プによって妨害されてしまう。

【０００６】本発明は上記事実に鑑みてなされたもので
あり、その主たる技術的目的は、半導体ウエーハの裏面
研削によって半導体ウエーハの厚さを著しく薄くせしめ
る場合にも、半導体ウエーハを損傷せしめることなく裏
面研削を遂行することができ、半導体ウエーハを充分容
易に所要とおりに搬送することができ、そして更にウエ
ーハの裏面研削の後に半導体ウエーハの表面に自由にア
クセスすることが可能である、新規且つ改良された半導
体ウエーハ加工方法を提供することである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明者等は、鋭意検討
の結果、半導体ウエーハの裏面を研削する研削工程に先
立って、中央部に装着開口を有するフレームに、半導体
ウエーハの表面に貼着された装着テープを介して半導体
ウエーハを装着し、これに加えて、研削工程とその後に
半導体ウエーハの表面からアクセスして所要処理を加え
る処理工程との間に、（１）半導体ウエーハを先のフレ
ーム及び装着テープから離脱せしめると共に、中央部に
装着開口を有する別個のフレームに、半導体ウエーハの
裏面に貼着された装着テープを介して装着する、移し替
え工程を遂行する、或いは（２）半導体ウエーハを先の
フレーム自体に、半導体ウエーハの表面に貼着されてい
た装着テープに代えて半導体ウエーハの裏面に貼着され
た装着テープを介して装着する装着テープ交換工程を遂
行する、ことによって上記主たる技術的課題を達成する
ことができることを見出した。

【０００８】即ち、本発明の一局面によれば、上記主た
る技術的課題を達成する半導体ウエーハ加工方法とし
て、表面には格子状に配列されたストリートによって区
画された多数の矩形領域が配設されており、該矩形領域
の各々には半導体回路が施されている半導体ウエーハの
加工方法にして、中央部に装着開口を有する第一のフレ
ームに、該装着開口を跨がって延びる第一の装着テープ
を装着すると共に、半導体ウエーハの表面を該第一の装
着テープに貼着せしめて該第一のフレームの該装着開口
内に装着する装着工程と、該第一のフレームに装着され
た半導体ウエーハの表面を該第一の装着テープを介して
チャック手段上に吸着し、半導体ウエーハの裏面に研削
手段を作用せしめて半導体ウエーハの裏面を研削して半
導体ウエーハの厚さを低減せしめる研削工程と、該研削
工程の後に、該第一のフレームに装着された半導体ウエ
ーハを、中央部に装着開口を有する第二のフレームに装
着すると共に該第一のフレームから離脱せしめる移し替
え工程であって、該第二のフレームの片面に該装着開口
を跨がって延びる第二の装着テープを装着すること、半
導体ウエーハの裏面を該第二の装着テープに貼着せしめ
て該第二のフレームの該装着開口内に半導体ウエーハを
装着すること、該第二のフレームに半導体ウエーハを装
着した後又はその前に、半導体ウエーハから該第一のフ
レームを離脱せしめること、及び該第二のフレームに半
導体ウエーハを装着した後又はその前に、半導体ウエー
ハから該第一の装着テープを離脱せしめること、から成
る移し替え工程と、該第二のフレームに装着された半導
体ウエーハに、その表面からアクセスして所要処理を加
える処理工程と、を含む、ことを特徴とする半導体ウエ
ーハ加工方法が提供される。

【０００９】好ましくは、 該移し替え工程において、
半導体ウエーハの裏面を該第二の装着テープに貼着した
後に、半導体ウエーハから該第一の装着テープを離脱す
る。

【００１０】本発明の他の局面によれば、上記主たる技
術的課題を達成する半導体ウエーハ加工方法として、表
面には格子状に配列されたストリートによって区画され
た多数の矩形領域が配設されており、該矩形領域の各々
には半導体回路が施されている半導体ウエーハの加工方
法にして、中央部に装着開口を有するフレームの片面
に、該装着開口を跨がって延びる第一の装着テープを装
着すると共に、半導体ウエーハの表面を該第一の装着テ
ープに貼着せしめて該第一のフレームの該装着開口内に
装着する装着工程と、該フレームに装着された半導体ウ
エーハの表面を該第一の装着テープを介してチャック手
段上に吸着し、半導体ウエーハの裏面に研削手段を作用
せしめて半導体ウエーハの裏面を研削して半導体ウエー
ハの厚さを低減せしめる研削工程と、該研削工程の後
に、該フレームの他面に、該装着開口を跨がって延びる
第二の装着テープを装着すると共に半導体ウエーハの裏
面を該第二の装着テープに貼着し、半導体ウエーハの裏
面を該第二の装着テープに貼着した後又はその前に、半
導体ウエーハから該第一の装着テープを離脱せしめる装
着テープ交換工程と、該装着テープ交換工程の後に、半
導体ウエーハに、その表面からアクセスして所要処理を
加える処理工程と、を含む、ことを特徴とする半導体ウ
エーハ加工方法が提供される。

【００１１】好ましくは、該装着テープ交換工程におい
て、半導体ウエーハの裏面を該第二の装着テープに貼着
した後に、半導体ウエーハから該第一の装着テープを離
脱する。

【００１２】本発明の好適実施形態においては、該処理
工程は、半導体ウエーハの裏面を該第一の装着テープを
介してチャック手段上に吸着し、半導体ウエーハの表面
から切削手段を作用せしめて半導体ウエーハをストリー
トに沿って切断する切断工程である。或いは、該第一の
フレームに装着される半導体ウエーハには、その表面か
らストリートに沿って所要深さの溝が切削されており、
該研削工程において半導体ウエーハを研削すると、半導
体ウエーハは多数の矩形領域に分離され、該処理工程は
個々に分離されている矩形領域の夫々をピックアップす
るピックアック工程である。該研削工程において半導体
ウエーハの厚さを１５０μm 以下にせしめる。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して、本発
明の半導体ウエーハの加工方法の好適実施形態につい
て、更に詳述する。

【００１４】図１には、本発明の加工方法を適用するこ
とができる半導体ウエーハの典型例が図示されている。
図示の半導体ウエーハ２は、円板形状の一部にオリエン
テーションフラットと称される直線縁４を形成した形状
であり、その表面には格子状に配列されたストリート６
によって多数の矩形領域８が区画されている。矩形領域
８の各々には半導体回路が施されている。

【００１５】本発明の加工方法においては装着工程が遂
行される。この装着工程においては、図２に図示する如
く、半導体ウエーハ２を装着テープ１０を介してフレー
ム１２（第一のフレーム）に装着する。図２と共に図３
を参照することによって明確に理解される如く、図示の
実施形態におけるフレーム１２は、適宜の合成樹脂或い
は金属から形成することができる外側リング部材１２ａ
及び内側リング１２ｂ部材から構成されており、その中
央部には円形の装着開口１４を有する。外側リング部材
１２ａの内径は内側リング部材１２ｂの外径と実質上同
一乃至これより若干小さく、外側リング部材１２ａと内
側リング部材１２ｂとは締まり嵌めによって離脱自在に
嵌合せしめられるのが好都合である。ポリエステルフィ
ルム乃至シートの如き合成樹脂製フィルム乃至シートか
ら構成することができる装着テープ１０は、その周縁部
をフレーム１２の外側リング部材１２ａと内側リング部
材１２ｂとの間に挟み込むことによって、フレーム１２
に装着されており、フレーム１２の装着開口１４を跨が
って延びている。装着テープ１０の片面（図２において
上面）には、粘着剤が塗布されている。かかる粘着剤は
紫外線を照射することによって硬化せしめられて粘着性
が消失乃至低下する紫外線硬化型、或いは加熱すること
によって硬化せしめられて粘着性が消失乃至低下する加
熱硬化型粘着剤であるのが好都合である。半導体ウエー
ハ２は、その表面を下方に向けた状態、換言すればその
裏面を上方に露呈せしめた状態で、フレーム１２の装着
開口１４内に位置付けられ、装着テープ１０の上面に貼
着され、かくしてフレーム１２に半導体ウエーハ２が装
着される。

【００１６】次に、研削工程が遂行される。図３を参照
して説明すると、研削工程においては、多孔性チャック
板を含むチャック手段１６が使用されている。このチャ
ック手段１６は、フレーム１２の装着開口１４よりも幾
分小さい外径を有しており、装着テープ１０上に貼着さ
れた半導体ウエーハ２はチャック手段１６上に載置され
るが、フレーム１２はチャック手段１６の外側に位置せ
しめられる。チャック手段１６は真空源に連通せしめら
れ、これによってチャック手段１６上に装着テープ１０
を介して半導体ウエーハ２の表面が吸着せしめられる。
そして、半導体ウエーハ２の裏面に研削手段１８が作用
せしめられて半導体ウエーハ２の裏面が研削され、半導
体ウエーハ２の厚さが所定値まで低減せしめられる。研
削手段１８はその下面にダイヤモンド粒子を含有した研
削具を有する環状研削工具か構成することができ、半導
体ウエーハ２の裏面を研削する際には半導体ウエーハ２
を保持したチャック手段１６がその中心軸線を中心とし
て回転せしめられると共に研削手段１８がその中心軸線
を中心として回転せしめられ、そして研削手段１８が半
導体ウエーハ２の裏面に押圧せしめられる。かような研
削工程においては、半導体ウエーハ２の表面に貼着され
ている装着テープ１０によって半導体ウエーハ２が補強
されている故に、半導体ウエーハ２を破損せしめる等の
問題を発生せしめることなく、半導体ウエーハ２を例え
ば１５０μm 以下、殊に５０μm 以下の厚さまで研削す
ることが可能である。半導体ウエーハ２の裏面の上述し
たとおりの研削は、例えば株式会社ディスコから商品名
「ＤＦＧ８４１」として販売されている研削機によって
好都合に遂行することができる。かような研削機を使用
する場合には、装着テープ１０を介してフレーム１２に
装着した半導体ウエーハ２をそれ自体は周知のカセット
（図示していない）に上下方向に間隔をおいて複数個収
容して、研削機に供給することができる。

【００１７】本発明の加工方法においては、研削工程に
続いて移し替え工程を遂行することが重要である。図４
に図示している移し替え工程においては、最初に、図４
（ａ）に図示する如く、内側リング部材１２ｂ及び半導
体ウエーハ２を支持基台２０によって下方から支持し
て、外側リング部材１２ａを下方に強制することによっ
て外側リング部材１２ａと内側リング部材１２ｂを分離
せしめる。この際、装着テープ１０の周縁部が外側リン
グ部材１２ａの内面に比較的強固に付着されている場合
には、装着テープ１０の周縁部を外側リング部材１２ａ
と共に下方に強制して装着テープ１０の主部から切り離
すことができる。外側リング部材１２ａと内側リング部
材１２ｂとを分離せしめると、内側リング部材１２ｂも
半導体ウエーハ２及びその表面に貼着されている装着テ
ープ１０から分離せしめられる。次いで、支持基台２０
上に支持されている半導体ウエーハ２をフレーム１２と
は別個のフレーム２２（第二のフレーム）に装着テープ
２４を介して装着する。図４（ｂ）に図示する如く、フ
レーム２２は適宜の合成樹脂或いは金属から形成するこ
とができる環状部材から構成されており、その中央部に
は円形の装着開口２６が形成されている。かかるフレー
ム２２の片面即ち上面には装着開口２６を跨がって延び
る装着テープ２４が貼着されている。装着テープ２４
は、装着テープ１０と同様に適宜の合成樹脂フィルム乃
至シートから構成することができ、その片面即ち下面に
は紫外線硬化型粘着剤或いは加熱硬化型粘着剤であるの
が好都合である粘着剤が塗布されており、かかる粘着剤
によってフレーム２２の片面に装着テープ２４が貼着さ
れている。装着テープ２４が貼着されているフレーム２
２を下降せしめてその装着開口２６内に支持基台２０上
の半導体ウエーハ２に位置せしめ、装着テープ２４の下
面に半導体ウエーハ２の裏面を貼着する。しかる後に、
図４（ｃ）に図示する如く、多孔性円板を含む吸引手段
２８によって装着テープ２４を介して半導体ウエーハ２
の裏面を吸着し、半導体ウエーハ２の表面及びそこに貼
着されている装着テープ１０を下方に露呈せしめる。そ
して、装着テープ１０に紫外線を照射或いは装着テープ
１０を加熱して装着テープ１０の片面即ち上面に塗布さ
れている粘着剤を硬化せしめてその粘着性を消失乃至低
下せしめる。しかる後に、装着テープ１０の片縁部を他
縁部に向けて漸次引っ張ることによって半導体ウエーハ
２の表面から剥離せしめる。かくして、半導体ウエーハ
２からフレーム１２及び装着テープ１０を離脱せしめる
と共に、半導体ウエーハ２を装着テープ２４を介してフ
レーム２２に装着する。図５は、装着テープ２４を介し
てフレーム２２に装着された半導体ウエーハ２を、その
表面を上方に向けた状態で図示している。

【００１８】而して、図４に図示する実施形態において
は、吸引手段２８によって吸引して半導体ウエーハ２の
表面及びこれに貼着されている装着テープ１０を下方に
露呈せしめた状態で、装着テープ１０を半導体ウエーハ
２の表面から剥離しているが、所望ならば、半導体ウエ
ーハ２をその表面を上方に向けた状態にして適宜の吸着
手段上に載置して半導体ウエーハ２の表面及びこれに貼
着された装着テープ１０を上方に露呈せしめておいて、
装着テープ１０を半導体ウエーハ２の表面から剥離する
こともできる。また、図４に図示する実施形態において
は、装着テープ２４を半導体ウエーハ２の裏面に貼着し
た後に装着テープ１０を半導体ウエーハ２の表面から剥
離しているが、装着テープ１０を半導体ウエーハ２の表
面から剥離した後に半導体ウエーハ２の裏面に装着テー
プ２４を貼着することもできる。

【００１９】上記移し替え工程が終了すると、半導体ウ
エーハ２にその表面からアクセスして所要処理を加える
処理工程が遂行される。図示の実施形態においては、図
６に図示する如く、半導体ウエーハ２の裏面をこれに貼
着されている装着テープ２４を介してチャック手段３０
上に吸着し、半導体ウエーハ２の表面に切削手段３２を
作用せしめて半導体ウエーハ２をストリート６に沿って
切削する。チャック手段３０は、真空源に連通せしめら
れて半導体ウエーハ２の裏面を装着テープ２４を介して
吸引する多孔性チャック板を含んでいる。切削手段３２
はダイヤモンド砥粒を適宜の結合剤で結合することによ
って形成することができる薄肉円板形状のブレードから
好都合に構成することができる、かような切削手段３２
をその中心軸線を中心として高速回転せしめながら、チ
ャック手段３０と切削手段３２とをストリート６に沿っ
て相対的に移動せしめることによって、半導体ウエーハ
２のストリート６に沿って切削し、矩形領域８を個々に
分離することができる。装着テープ２４は切削されるこ
となく維持され、従って矩形領域８を個々に分離して
も、各矩形領域８はその裏面が装着テープ２４に貼着さ
れてフレーム２２に保持され続ける。かような切削工程
を遂行した後には、個々に分離した矩形領域８を洗浄し
た後に個々にピックアップして所要場所に搬送すること
ができる。半導体ウエーハ２の上述したとおりの切削
は、例えば株式会社ディスコから商品名「ＤＦＤ６４
１」として販売されている切削機（ダイサーとも称され
ている）によって好都合に遂行することができる。かよ
うな切削機を使用する場合にも、装着テープ２４を介し
てフレーム２２に装着した半導体ウエーハ２をそれ自体
は周知のカセット（図示していない）に上下方向に間隔
をおいて複数個収容して、研削機に供給することができ
る。

【００２０】図示の実施形態においては、半導体ウエー
ハ２の裏面を研削して半導体ウエーハ２の厚さを所定値
に低減した後に半導体ウエーハ２をストリート６に沿っ
て切削しているが、所望ならば、図３に図示する研削工
程に先立って、半導体ウエーハ２の表面にストリート６
に沿って所要深さの溝を刻設することもできる（かかる
溝の刻設は図６を参照して説明した切削工程と同様な切
削工程によって遂行することができる）。この場合に
は、図３に図示する研削工程において半導体ウエーハ２
の裏面を研削してその厚さを低減せしめると、上記溝の
存在に起因して半導体ウエーハ２は個々の矩形領域８に
分離される。そして、分離された矩形領域８が装着テー
プ１０を介してフレーム１２に装着され続ける。そし
て、図４を参照して説明したとおりの移し替え工程を遂
行すると、個々に分離されている矩形領域８の各々が装
着テープ２４を介してフレーム２２に装着された状態が
確立される。かかる場合には移し替え工程の後に遂行さ
れる処理工程として、個々に分離されている矩形領域８
を個々にピックアップして所要場所（例えば矩形領域８
を装着すべき装着台上）に搬送するそれ自体は周知のピ
ックアップ工程を遂行すればよい。

【００２１】図７は、装着工程において図２及び図３を
参照して説明したフレーム１２に代えて使用されるフレ
ームの変形例を図示している。図７に図示するフレーム
１１２は、適宜の合成樹脂或いは金属から形成すること
ができる環状部材から構成されており、その中央部には
円形装着開口１１４が形成されている（かようなフレー
ム１１２は図４乃至図６に図示するフレーム２２と実質
上同一でよい）。かかるフレーム１１２には装着テープ
１１０を介して半導体ウエーハ２が装着される。装着テ
ープ１１０は合成樹脂フィルム又はシートから構成する
ことができ、その両面に紫外線硬化型粘着剤或いは加熱
硬化型粘着剤であるのが好都合である粘着剤が塗布され
ている。装着テープ１１０はフレーム１１２の装着開口
１１４を跨がって延びており、装着テープ１１０の片面
即ち下面がフレーム１１２の片面即ち上面に貼着されて
いる。半導体ウエーハ２はその表面を下方に向けた状態
でフレーム１１２の装着開口１１４内に配置されて装着
テープ１１０の上面に貼着されている。かようなフレー
ム１１２が使用される場合も、図３を参照して説明した
様式と実質上同一の様式で半導体ウエーハ２の裏面の研
削を遂行することができる。移し替え工程において半導
体ウエーハ２からフレーム１１２を離脱する際には、図
７に二点鎖線１１５で示す如く、半導体ウエーハ２の外
周縁よりも外側で且つ装着開口１１４の内周縁よりも内
側において、切断刃の如き適宜の切断手段（図示してい
ない）によって装着テープ１１０を切断することができ
る。移し替え工程におけるその他の操作様式、及び半導
体ウエーハ２の切削様式は図４乃至図６を参照して説明
した上記様式と同一でよい。

【００２２】図７に図示する実施形態においては、装着
テープ１１０の片面即ち下面にフレーム１１２を貼着
し、装着テープ１１０の他面即ち上面に半導体ウエーハ
２を貼着しているが、図８に図示する如く、装着テープ
１１０の同一面（上面）にフレーム１１２と半導体ウエ
ーハ２との双方を貼着することもできる。従って装着テ
ープ１１０はその片面即ち上面のみに粘着剤が塗布され
ている形態のものでよい。

【００２３】図９は、図４に図示する移し替え工程に代
えて遂行される装着テープ交換工程を図示している。か
かる装着テープ交換工程においては、図９（ａ）に図示
する如く、研削工程において裏面が研削された半導体ウ
エーハ２と共にかかる半導体２が装着テープ１１０を介
して装着されているフレーム１１２（かかるフレーム１
１２は図８に図示するフレーム１１２と同一でよい）
が、半導体ウエーハ２の裏面を上方に向けた状態で、適
宜の支持基台１２０上に載置される。そして、半導体ウ
エーハ２の裏面及びフレーム１１２の上面に装着テープ
１１０とは別個の装着テープ１２４が貼着される。かか
る装着テープ１２４もその片面即ち下面に紫外線硬化型
粘着剤或いは加熱硬化型粘着剤であるのが好都合である
粘着剤が塗布されている合成樹脂フィルム又はシートか
ら形成されてものでよい。次いで、図９（ｂ）に図示す
る如く、フレーム１１２、半導体ウエーハ２並びに装着
テープ１１０及び１２４の表裏を反転して支持基台１２
０上に載置する。しかる後に、半導体ウエーハ２の外周
縁よりも外側で且つフレーム１１２の装着開口１１４の
内周縁よりも内側において、回転切断刃１２５の如き適
宜の切断手段によって装着テープ１１０を切断する。次
いで、装着テープ１１０に紫外線を照射或いは装着テー
プ１１０を加熱して装着テープ１１０の片面（即ち図９
（ｂ）において下面）に塗布されている粘着剤を硬化せ
しめてその粘着性を消失乃至低下せしめる。そして、装
着テープ１１０の片縁部を他縁部に向けて漸次引っ張る
ことによって半導体ウエーハ２の表面から剥離せしめ
る。かくすると、半導体ウエーハ２が装着テープ１２４
を介してフレーム１１２に装着された状態が確立され
る。かかる状態は図５に図示する状態と実質上同一であ
り、装着テープ１１２はフレーム１１２の片面（図９
（ｂ）において下面）に貼着されていると共に半導体エ
ーハ２の裏面（図９（ｂ）において下面）に貼着されて
いる。

【００２４】図９を参照して説明した装着テープ交換工
程を完了した後においては、図６を参照して説明したと
おりの様式によって切削工程を遂行することができる。
図４と図９を比較参照することによって容易に理解され
る如く、移し替え工程に代えて装着テープ交換工程を遂
行する場合には、研削工程に使用したフレーム１１２を
切削工程の如き処理工程にも使用することができ、フレ
ーム１１２とは別個のフレームを準備する必要がない。

【００２５】

【発明の効果】本発明の半導体ウエーハの加工方法によ
れば、半導体ウエーハの裏面研削によって半導体ウエー
ハの厚さを著しく薄くせしめる場合にも、半導体ウエー
ハを損傷せしめることなく裏面研削を遂行することがで
き、半導体ウエーハを充分容易に所要とおりに搬送する
ことができ、そして更にウエーハの裏面研削の後に半導
体ウエーハの表面に自由にアクセスすることが可能であ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の加工方法が提供される半導体ウエーハ
の典型例を示す斜面図。

【図２】本発明の加工方法における装着工程において半
導体ウエーハを装着テープを介してフレームに装着した
状態を示す斜面図。

【図３】本発明の加工方法における研削工程を示す簡略
断面図。

【図４】本発明の加工方法における移し替え工程を示す
簡略断面図。

【図５】本発明の加工方法における移し替え工程の後に
おける、半導体ウエーハが装着テープを介してフレーム
に装着されている状態を示す斜面図。

【図６】本発明の加工方法における切削工程（処理工
程）示す簡略断面図。

【図７】本発明の加工方法における装着工程において半
導体ウエーハを装着テープを介してフレームの変形例に
装着した状態を示す斜面図。

【図８】本発明の加工方法における装着工程において半
導体ウエーハを装着テープを介してフレームの変形例に
装着した他の状態を示す斜面図。

【図９】本発明の加工方法において移し替え工程に代え
て遂行される装着テープ交換工程を示す簡略断面図。

【符号の説明】

２：半導体ウエーハ ６：ストリート ８：矩形領域 １０：装着テープ １２：フレーム １４：装着開口 １６：チャック手段 １８：研削手段 ２２：フレーム ２４：装着テープ ２６：装着開口 ３０：チャック手段 ３２：切削手段 １１０：装着テープ １１２：フレーム １１４：装着開口 １２４：装着テープ

フロントページの続き (72)発明者 南條 雅俊 東京都大田区東糀谷２丁目14番３号 株式 会社ディスコ内 (72)発明者 木村 祐輔 東京都大田区東糀谷２丁目14番３号 株式 会社ディスコ内 (72)発明者 矢嶋 興一 東京都大田区東糀谷２丁目14番３号 株式 会社ディスコ内

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 表面には格子状に配列されたストリート
   によって区画された多数の矩形領域が配設されており、
   該矩形領域の各々には半導体回路が施されている半導体
   ウエーハの加工方法にして、 中央部に装着開口を有する第一のフレームに、該装着開
   口を跨がって延びる第一の装着テープを装着すると共
   に、半導体ウエーハの表面を該第一の装着テープに貼着
   せしめて該第一のフレームの該装着開口内に装着する装
   着工程と、 該第一のフレームに装着された半導体ウエーハの表面を
   該第一の装着テープを介してチャック手段上に吸着し、
   半導体ウエーハの裏面に研削手段を作用せしめて半導体
   ウエーハの裏面を研削して半導体ウエーハの厚さを低減
   せしめる研削工程と、 該研削工程の後に、該第一のフレームに装着された半導
   体ウエーハを、中央部に装着開口を有する第二のフレー
   ムに装着すると共に該第一のフレームから離脱せしめる
   移し替え工程であって、 該第二のフレームの片面に該装着開口を跨がって延びる
   第二の装着テープを装着すること、 半導体ウエーハの裏面を該第二の装着テープに貼着せし
   めて該第二のフレームの該装着開口内に半導体ウエーハ
   を装着すること、 該第二のフレームに半導体ウエーハを装着した後又はそ
   の前に、半導体ウエーハから該第一のフレームを離脱せ
   しめること、及び該第二のフレームに半導体ウエーハを
   装着した後又はその前に、半導体ウエーハから該第一の
   装着テープを離脱せしめること、から成る移し替え工程
   と、 該第二のフレームに装着された半導体ウエーハに、その
   表面からアクセスして所要処理を加える処理工程と、 を含む、ことを特徴とする半導体ウエーハ加工方法。
2. 【請求項２】 該移し替え工程において、半導体ウエー
   ハの裏面を該第二の装着テープに貼着した後に、半導体
   ウエーハから該第一の装着テープを離脱する、請求項１
   記載の半導体ウエーハ加工方法。
3. 【請求項３】 表面には格子状に配列されたストリート
   によって区画された多数の矩形領域が配設されており、
   該矩形領域の各々には半導体回路が施されている半導体
   ウエーハの加工方法にして、 中央部に装着開口を有するフレームの片面に、該装着開
   口を跨がって延びる第一の装着テープを装着すると共
   に、半導体ウエーハの表面を該第一の装着テープに貼着
   せしめて該第一のフレームの該装着開口内に装着する装
   着工程と、 該フレームに装着された半導体ウエーハの表面を該第一
   の装着テープを介してチャック手段上に吸着し、半導体
   ウエーハの裏面に研削手段を作用せしめて半導体ウエー
   ハの裏面を研削して半導体ウエーハの厚さを低減せしめ
   る研削工程と、該研削工程の後に、該フレームの他面
   に、該装着開口を跨がって延びる第二の装着テープを装
   着すると共に半導体ウエーハの裏面を該第二の装着テー
   プに貼着し、半導体ウエーハの裏面を該第二の装着テー
   プに貼着した後又はその前に、半導体ウエーハから該第
   一の装着テープを離脱せしめる装着テープ交換工程と、 該装着テープ交換工程の後に、半導体ウエーハに、その
   表面からアクセスして所要処理を加える処理工程と、 を含む、ことを特徴とする半導体ウエーハ加工方法。
4. 【請求項４】 該装着テープ交換工程において、半導体
   ウエーハの裏面を該第二の装着テープに貼着した後に、
   半導体ウエーハから該第一の装着テープを離脱する、請
   求項３記載の半導体ウエーハ加工方法。
5. 【請求項５】 該処理工程は、半導体ウエーハの裏面を
   該第一の装着テープを介してチャック手段上に吸着し、
   半導体ウエーハの表面から切削手段を作用せしめて半導
   体ウエーハをストリートに沿って切断する切断工程であ
   る、請求項１から４までのいずれかに記載の半導体ウエ
   ーハの加工方法。
6. 【請求項６】 該第一のフレームに装着される半導体ウ
   エーハには、その表面からストリートに沿って所要深さ
   の溝が切削されており、該研削工程において半導体ウエ
   ーハを研削すると、半導体ウエーハは多数の矩形領域に
   分離され、該処理工程は個々に分離されている矩形領域
   の夫々をピックアップするピックアック工程である、請
   求項１から４までのいずれかに記載の半導体ウエーハの
   加工方法。
7. 【請求項７】 該研削工程において半導体ウエーハの厚
   さを１５０μm 以下にせしめる、請求項１から６までの
   いずれかに記載の半導体ウエーハ加工方法。