JPH11345793A - 半導体ウエハの裏面研削方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】半導体ウエハの裏面研削後にウエハ表面保護用
粘着テープを剥離する際にウエハの割れを防止できるウ
エハの裏面研削方法を提供する。 【解決手段】半導体ウエハの表面に熱収縮性の粘着テー
プ（Ａ）を貼付してウエハの裏面を研削する第１工程、
リング状フレームに固定用粘着テープ（Ｂ）を貼付し、
該テープ（Ｂ）のほヾ中央部に研削後の半導体ウエハの
裏面を貼付する第２工程、ウエハ表面から粘着テープ
（Ａ）を剥離する第３工程とを順次実行する半導体ウエ
ハの裏面研削方法であって、第１工程で用いる粘着テー
プ（Ａ）の粘着力Ｐと、第２工程で用いる固定用粘着テ
ープ（Ｂ）の粘着力Ｑが、特定の値および比率に限定さ
れ、第３工程において粘着テープ（Ａ）に６０〜９０℃
の温水を放射して剥離することを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハの裏
面研削方法に関する。詳しくは、熱収縮性を有する半導
体ウエハ表面保護用粘着テープをシリコンウエハ等の半
導体ウエハの集積回路が組み込まれた側の面（以下、
「ウエハ表面」という）に貼付した後、半導体ウエハ裏
面研削機を用いて半導体ウエハの集積回路の組み込まれ
ていない側の面（以下、「ウエハ裏面」という）を研削
し、引き続いてウエハ裏面に半導体ウエハ裏面固定用粘
着テープを貼付して固定し、表面保護用粘着テープに温
水を放射して剥離する、半導体ウエハの裏面研削方法に
関する。

【０００２】

【従来の技術】通常、半導体集積回路（以下、「ＩＣ」
という）は、高純度シリコン単結晶等をスライスして半
導体ウエハとした後、その表面にエッチング加工等の手
段により集積回路を組み込み、さらにウエハ裏面を研削
した後、ダイシングしてチップ化する方法で製造されて
いる。

【０００３】これらの工程の中に、半導体ウエハの表面
にＩＣを組み込んだ後、ウエハを任意の厚さまで薄くす
るためにウエハ裏面を研削するバックグラインド工程が
ある。この工程では、半導体ウエハ表面に形成された回
路の保護、ウエハの破損防止、ウエハ研削加工を容易に
する等の目的でウエハ表面保護用粘着テープを、その粘
着剤層を介してウエハの表面に貼付し、保護しながら半
導体ウエハ裏面を研削加工する方法が用いられている。
この工程では、ウエハ裏面を研削する際に生じる研削熱
の除去および発生するシリコン屑の洗い流しのため、研
削水と称する水をウエハと研削砥石にかけながら行う。

【０００４】半導体ウエハ表面保護用粘着テープは、通
常、裏面研削終了後不要となった時に剥離機と称される
装置内において、剥離テープと称する強粘着力の粘着テ
ープを半導体ウエハ表面保護用粘着テープの基材フィル
ム側に貼付し、該剥離テープを介して剥離する方法が採
用されている。しかし、上記の如き剥離装置を用いてウ
エハから表面保護用粘着テープを剥離する場合、剥離テ
ープを半導体ウエハ表面保護用粘着テープの基材フィル
ム側に貼付する際に、ウエハの破損が起こったり、剥離
テープと表面保護用粘着フィルムの接着不良による剥が
し不良等が生じたりすることがあった。又、上記の様な
剥離テープを用いて表面保護用粘着フィルムを剥離する
装置は、機構が複雑で大がかりなものとなり、設備コス
トの上昇につながる。

【０００５】上記の問題を解決する方法として、例え
ば、特開平８−２２２５３５号公報に、表面張力が、３
５ｄｙｎｅ／ｃｍ未満、ビカット軟化点が１００℃以上
である剥離フィルムの片面に粘着剤を塗布、乾燥して粘
着剤層を設けた後、該粘着剤層の表面に、表面張力が３
５ｄｙｎｅ／ｃｍ以上であり、２５℃における収縮率が
５％未満であり、且つ５０〜８０℃の温水に浸漬した時
の収縮率が５〜５０％であるエチレン−酢酸ビニル共重
合体延伸フィルムを押圧して、該粘着剤層を該エチレン
−酢酸ビニル共重合体延伸フィルム片面に転着させて得
られた半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムを、該粘着
剤層を介して半導体ウエハ表面に貼付して、該半導体ウ
エハ裏面を研削した後、５０〜８０℃の温水に浸漬し、
該半導体ウエハ表面から該半導体ウエハ表面保護用粘着
フィルムを剥離することを特徴とする半導体ウエハ表面
保護用粘着フィルムの使用方法が開示されている。当該
発明によれば、裏面研削後の厚さが２００μｍ以下で、
口径が８インチ程度の半導体ウエハから、半導体ウエハ
表面保護用粘着フィルムを剥離する際に、ウエハを破損
することなく容易に剥離することができると記載されて
いる。

【０００６】また、特開平７−２０１７８７号公報に
は、熱収縮性のプラスチックフィルムの一面上に、
（ｉ）少なくともカルボキシル基の一部が部分中和され
たカルボキシル基含有親水性重合体の部分架橋物と、
（ii）アニオン性界面活性剤およびカチオン性界面活性
剤からなる群から選択される少なくとも１種の室温で液
状の界面活性剤とを含む粘着剤層が設けられてなるウエ
ハ表面保護シートが開示されている。

【０００７】しかし、上記発明の場合でも、ウエハの口
径、裏面研削後の厚み、表面形状によっては粘着フィル
ム（粘着シート、本発明においては粘着テープ）を剥離
する際に、ウエハが破損することがあった。尚、特開平
７−２０１７８７号公報においては、その実施例で、半
導体ウエハの表面にウエハ表面保護シートを貼り付けた
ままの状態で、保護シートとともにウエハをダイシング
し、ダイシング後に各チップ表面からチップサイズに切
断された保護シートを剥離している為、剥離時における
ウエハが破損する問題は生じていない。しかし、通常
は、「スクライブラインの判別（センサーで行なわれる
ことが多く、ウエハ表面に粘着テープがあると識別でき
ないことがある）」「ダイシングブレードの磨耗（粘着
剤層を切断することにより、磨耗が速くなる傾向にあ
る）」「切断後のテープの回収（チップサイズごとに切
断された保護テープを効率的に回収することは装置によ
っては困難となる）」等を考慮して、ダイシングを行な
う前に保護テープを剥離するのが主流である。従って本
発明においては、ダイシンングを行なう前に剥離するこ
とを前提としている。

【０００８】粘着テープを剥離する際の破損の問題は、
半導体ウエハの口径が大きくなる程、また、裏面研削後
の厚みが薄くなる程、生じ易くなる傾向にある。また、
ウエハ口径が同じであり、且つ、裏面研削後の厚みが同
じであっても、スクライブライン（「ストリート」とも
いう。ウエハ上のチップをダイシングすることによって
分割する際、回転丸刃が通る道）の幅、深さ等、半導体
ウエハの表面形状によって、破損し易いウエハがある。
スクライブラインの深さ等、ウエハ表面凹凸が大きい
程、破損が生じ易くなる傾向にある。

【０００９】近年、半導体チップの小型化が図られるに
つれて、ウエハを薄型化する傾向が進み、従来、裏面研
削後のウエハの厚さが２００〜４００μｍ程度であった
が、チップの種類によっては１５０μｍ程度まで薄くな
っている。また、半導体製造の合理化に伴い、ウエハの
サイズについても、従来、径が最大２００ｍｍであった
ものが今後３００ｍｍ、４００ｍｍへと大型化が予定さ
れている。

【００１０】また、ウエハの薄型化、大口径化は単にウ
エハの強度の低下を招くだけでなく、裏面が研削された
後に該ウエハの反りが大きくなる問題も生じさせてい
る。この反りによって、「半導体ウエハ表面保護用粘着
テープの剥離工程において、半導体ウエハをチャックテ
ーブルに吸着させる際にウエハを破損させたり」、「半
導体ウエハ表面保護用粘着テープを半導体ウエハから剥
離する際に、チャックテーブルへの吸着不足によりウエ
ハの保持が不十分となり、半導体ウエハが破損し易くな
る」等、新たな問題も生じさせている。

【００１１】ウエハが破損した場合、単にウエハの歩留
りが悪くなるだけでなく、ウエハの破片が製造装置の中
に入り込み、該装置のメンテナンスが必要になるなど、
大幅な生産性の低下につながることもある。 このような粘着テープ剥離工程においてウエハが破損す
る問題と相反して、前記バックグラインド工程において
は、研削水がテープとウエハの間へ浸入することを防止
する為、ウエハ表面保護用粘着テープには、十分な粘着
力が求められる。研削水が侵入すると、これによりテー
プが浮き、研削後のウエハの厚み精度が低下することが
ある。また、研削と同時に発生したシリコン屑がテープ
とウエハ表面の間に浸入し、ウエハ表面を汚染する問題
が生じることもある。さらに水の浸入が著しい場合に
は、研削中にテープが剥れ、ウエハが破損することもあ
る。

【００１２】近年、半導体ウエハの大口径化、薄層化お
よびＩＣの高性能化に伴い、ウエハ裏面の研削時や、粘
着テープの剥離時にウエハを破損せず、また作業時間が
短縮でき、さらにはウエハ表面への汚染が少ない半導体
ウエハの加工方法が望まれていた。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
問題点に鑑み、半導体ウエハの裏面研削後、半導体ウエ
ハの表面から半導体ウエハ表面保護用粘着テープを剥離
する際にウエハの割れを防止し、さらに、作業時間の短
縮が図れる半導体ウエハの裏面研削方法を提供すること
にある。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、鋭意検討
した結果、熱収縮性を有する基材フィルムの片表面に粘
着剤層が形成された半導体ウエハ表面保護用粘着テープ
（Ａ）〔本明細書中において単に「表面保護用粘着テー
プ（Ａ）」ともいう〕を半導体ウエハ表面に貼付して、
半導体ウエハの裏面を研削し、研削終了後、表面保護用
粘着テープ（Ａ）の粘着力の２倍以上の粘着力を有する
半導体ウエハ裏面固定用粘着テープ（Ｂ）〔本明細書中
において単に「裏面固定用粘着テープ（Ｂ）」ともい
う〕を半導体ウエハ裏面に貼付してから、表面保護用粘
着テープ（Ａ）に温水を放射して、該粘着テープ（Ａ）
を収縮、剥離することにより、上記目的が達成させるこ
とを見出し、本発明を完成させた。

【００１５】すなわち、本発明により下記の半導体ウエ
ハの裏面研削方法が提供される。 （ｉ）半導体ウエハの表面に半導体ウエハ表面保護用粘
着テープ（Ａ）を貼付して半導体ウエハの裏面を研削す
る第１工程と、リング状フレームに半導体ウエハ裏面固
定用粘着テープ（Ｂ）を貼付し、該リング状フレームに
囲まれた裏面固定用粘着テープ（Ｂ）のほヾ中央部に研
削後の半導体ウエハの裏面を貼付する第２工程と、半導
体ウエハ表面から表面保護用粘着テープ（Ａ）を剥離す
る第３工程とを順次実行する半導体ウエハの裏面研削方
法であって、上記第１工程で用いる表面保護用粘着テー
プ（Ａ）が、熱収縮性を有する基材フィルムの片表面に
粘着剤層が形成され、その粘着力Ｐが１０〜１０００ｇ
／２５ｍｍであり、上記第２工程で用いる裏面固定用粘
着テープ（Ｂ）の粘着力Ｑが２５０〜３５００ｇ／２５
ｍｍであり、且つ、上記両粘着テープの粘着力Ｐおよび
Ｑの間に、Ｐ×２≦Ｑなる関係が成立すると共に、上記
第３工程において、表面保護用粘着テープ（Ａ）に６０
〜９０℃の温水を放射して剥離すること、を特徴とする
半導体ウエハの裏面研削方法。

【００１６】（ii）上記第１工程で用いる表面保護用粘
着テープ（Ａ）の基材フィルムが、少なくとも１軸方向
に延伸されたエチレン−酢酸ビニル共重合体であり、且
つ、６０℃〜９０℃の温水に３０秒間浸漬した時の１軸
方向の収縮率が少なくとも５％であることを特徴する前
記（ｉ）の半導体ウエハの裏面研削方法。 (iii) 上記第３工程における６０℃〜９０℃の温水の放
射位置が、表面保護用粘着テープ（Ａ）の粘着剤層と半
導体ウエハ表面の界面であることを特徴とする前記
（ｉ）の半導体ウエハの裏面研削方法。

【００１７】本発明では、温水を放射して、表面保護用
粘着テープ（Ａ）を剥離する方法を採用するので、表面
保護用粘着テープ（Ａ）の粘着剤層とウエハ表面の界面
に温水が毛管現象により侵入し、剥離時の粘着力が実質
的に低下する。熱収縮性の表面保護用粘着テープ（Ａ）
が温水放射により収縮、剥離する際に、半導体ウエハが
ウエハマウント状態にある為、表面保護用粘着テープ
（Ａ）の粘着力の２倍以上の強粘着力を有する裏面固定
用粘着テープ（Ｂ）で補強されており、表面保護用粘着
テープ（Ａ）の収縮応力によりウエハが破損することが
ない。また、半導体ウエハを研削した後、該ウエハに反
りが生じた場合であっても、該ウエハを強固に保持する
ことができる。

【００１８】従って、本発明によれば、口径が１００〜
３００ｍｍである半導体ウエハの裏面を厚み８０〜２０
０μｍ程度まで薄く研削する場合であっても、さらに
は、研削した後にウエハに反りが生じていても、半導体
ウエハ表面保護用粘着テープ（Ａ）を剥離する際に、半
導体ウエハを破損することがない。その上、剥離後、直
ちにウエハのダイシングを行なえる為、工程の大幅な簡
略化も可能となる。さらには、表面保護用粘着テープ
（Ａ）の粘着剤層の組成を選択し、加熱収縮剥離時の加
熱媒体として６０〜９０℃の純水を用いれば、洗浄工程
をも省略することもできる。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下、本発明について詳細に説明
する。先ず、熱収縮性の半導体ウエハ表面保護用粘着テ
ープ（Ａ）について詳細に説明する。本発明に適用でき
る表面保護用粘着テープ（Ａ）は、少なくとも一軸方向
に延伸してなるエチレン−酢酸ビニル共重合体等からな
る基材フィルムの片表面に粘着剤層が形成されたものが
好ましい。保存、輸送等を行なう間、粘着剤層を保護す
るため、該粘着剤層の表面に、通常、セパレーターと称
する剥離フィルムが貼付されているものが好ましい。

【００２０】表面保護用粘着テープ（Ａ）の製造方法
は、例えば、剥離フィルムの片表面に粘着剤を塗布、乾
燥して粘着剤層を形成した後、得られた粘着剤層を、少
なくとも一軸方向に延伸された基材フィルムの表面に転
着させる。表面保護用粘着テープ（Ａ）を構成する基材
フィルムは、少なくとも一軸方向に延伸されてなり、６
０℃〜９０℃の温水中に３０秒間浸漬した時の１軸方向
の収縮率が少なくとも５％、好ましくは５〜５０％、さ
らに好ましくは１５〜３５％であるものが用いられる。
材質としてはエチレン−酢酸ビニル共重合体樹脂が好ま
しい。

【００２１】基材フィルムの厚みは、保護する半導体ウ
エハの形状、表面状態、研削の方法、研削条件、あるい
はウエハ表面保護用粘着テープの切断、貼付等の作業性
により適宜決められるが、通常、１０〜１０００μｍで
ある。好ましくは１００〜３００μｍである。上記基材
フィルムの製造方法には特に制限はなく、押出成形法、
カレンダー成形法等公知の方法で製造されたもので差支
えない。成形温度は、原料樹脂のガラス転移点または軟
化点以上、分解温度未満の温度で差支えない。基材フィ
ルムに熱収縮性を付与するために、少なくとも１軸方向
に延伸することが好ましい。延伸倍率は、ウエハ裏面の
研削の後、表面保護用粘着テープ（Ａ）をウエハ表面か
ら剥離する際の剥離性、作業性等に影響を及ぼす。延伸
倍率が低いとウエハ表面から剥離する際に加熱した場
合、基材フィルムの収縮が充分に起こらず、剥離性、作
業性等が低下する。かかる点を考慮すると、延伸倍率
は、少なくとも１．２倍、好ましくは１．６倍以上、さ
らに好ましくは２．０倍以上である。基材フィルムの延
伸方向は、１軸方向であっても２軸方向であっても良
い。好ましくはフィルムの縦方向の１軸方向である。延
伸倍率の上限は、延伸時の破れ等を考慮すると６倍程度
である。

【００２２】また、延伸方法にも特別な制限はなく、ロ
ール圧延法、ロール延伸法等による縦一軸延伸法、テン
ター機を用いる縦横逐次二軸延伸法、テンター機を用い
る縦横同時二軸延伸法等、公知の延伸方法で差支えな
い。延伸温度は４０〜８０℃、好ましくは５０〜７０℃
である。上記のようにして延伸された基材フィルムは、
通常、経時での収縮が起きないよう熱処理が行われる。
熱処理温度は４０〜８０℃、好ましくは５０〜７０℃で
ある。

【００２３】基材フィルムの、少なくとも粘着剤層を積
層しようとする面の表面張力は、剥離フィルムの粘着剤
層が形成される側の面の表面張力より高いことが必要で
ある。基材フィルムは、通常、表面張力の絶対値が如何
なる値であっても剥離フィルムの表面張力よりも高い表
面張力を有するフィルムであれば用いることができる。
剥離フィルムからの転着後の粘着剤層の密着性等を考慮
すると、３５ｄｙｎｅ／ｃｍ以上の表面張力を有する延
伸フィルムであることを基準として選定することが好ま
しい。表面張力が低いと粘着剤層と基材フィルムとの密
着性が低下し、粘着剤層の剥離フィルムからの転着が良
好に行えない。基材フィルムの表面張力を高くする方法
としては、コロナ放電処理等が挙げられる。

【００２４】表面保護用粘着テープ（Ａ）に用いる剥離
フィルムは、本質的には、表面張力の絶対値が如何なる
値であっても基材フィルムのそれよりも低い表面張力を
有するフィルムであればよい。また、剥離フィルムの耐
熱性は、その表面に塗布された粘着剤の乾燥性に影響す
る。耐熱性が低いと粘着剤の乾燥温度を低温とする必要
があり、乾燥に長時問を要し短時間で効率よく乾燥する
ことができない。また、例えば、乾燥炉内で剥離フィル
ムが熱収縮を起こすことがあり、剥離フィルムにしわが
発生する等の不具合が生じ、均一な厚みを有する粘着剤
層が形成されないことがある。かかる観点から、剥離フ
ィルムは、所定の耐熱性を有することが好ましい。耐熱
性の判断基準として、１００℃以上のビカット軟化点を
有することが好ましい。上記条件を満たす限り、剥離フ
ィルムの種類には特に制限はない。単層フィルムであっ
ても、また、積層フィルムであってもよく、市販品の中
から適宜選択できる。

【００２５】具体的な剥離フィルムの例としては、高密
度ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフ
タレート、ポリアミド系樹脂等、またはそれらの混合物
から製造されたフィルムが挙げられる。好ましくは、高
密度ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルムお
よぴポリエチレンテレフタレートフィルム等が挙げられ
る。これらのフィルムの製造方法には特に制限はなく、
押出成形法、カレンダー成形法等公知の方法で製造され
たもので差支えなく、また、成形温度は、原料樹脂のガ
ラス転移点または軟化点以上、分解温度未満の温度であ
れば差支えない。

【００２６】また、粘着剤層の剥離フィルムからの剥離
応力を小さくする目的で、剥離フィルムの粘着剤を塗布
する表面に粘着剤層を汚染しない範囲において、シリコ
ーン系等の剥離剤を塗布しても差し支えない。剥離フィ
ルムの厚さは、乾燥条件、粘着剤層の種類および厚さ、
または表面保護用粘着テープ（Ａ）の加工条件、加工方
法等により異なるが、通常、１０〜１０００μｍであ
る。好ましくは２０〜１００μｍである。粘着剤層の表
面から剥離フィルムを剥離するのは、表面保護用粘着テ
ープ（Ａ）として使用する直前が好ましい。

【００２７】表面保護用粘着テープ（Ａ）に用いられる
粘着剤層としては、研削するウエハの表面形状、口径、
表面保護膜の種類、裏面研削量等の条件に合わせて設計
されたものであれば、いずれでも用いることができ、粘
着剤ポリマー、架橋剤、添加剤等を含有する塗工液（溶
液または、エマルジョン液）を基材フィルムまたは剥離
フィルムに塗工することにより形成される。

【００２８】粘着剤ポリマーとしては、特に制限はな
く、市販品等の中から適宜選択できるが、粘着性、塗布
性、ウエハ表面の非汚染性等の点からアクリル系粘着剤
が好ましい。このようなアクリル系粘着剤は、アクリル
酸アルキルエステルモノマー、およびカルボキシル基、
水酸基等の官能基を有するモノマーを含むモノマー混合
物を共重合して得られる。更に、必要に応じてそれらと
共重合可能なビニルモノマー、多官能性モノマー、内部
架橋性モノマー等を共重合することができる。また、粘
着剤ポリマーとしてエマルジョン系のものを用いれば、
後述する温水による加熱剥離工程において、ウエハ表面
が洗浄される効果がある。

【００２９】アクリル酸アルキルエステルモノマーとし
て、例えば、メチルアクリレート、メチルメタクリレー
ト、エチルアクリレート、エチルメタクリレート、プロ
ピルアクリレート、プロピルメタクリレート、ブチルア
クリレート、ブチルメタクリレート、ヘキシルアクリレ
ート、へキシルメタクリレート、オクチルアクリレー
ト、オクチルメタクリレート、ノニルアクリレート、ノ
ニルメタクリレート、ドデシルアクリレート、ドデシル
メタクリレート等が挙げられる。これらのモノマーの側
鎖アルキル基は直鎖状でも分岐状でも良い。また、上記
のアクリル酸アルキルエステルモノマーは目的に応じて
２種以上併用しても良い。

【００３０】官能基を有するモノマーとしては、例え
ば、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、イタコン
酸、マレイン酸、フマル酸等のカルボキシル基を有する
モノマー、ヒドロキシエチルアクリレート、ヒドロキシ
エチルメタクリレート、ヒドロキシプロピルアクリレー
ト、ヒドロキシプロピルメタクリレート等の水酸基を有
するモノマー、アクリルアミド、メタクリルアミド、ジ
メチルアミノアクリレート、ジメチルアミノメタクリレ
ート等が挙げられ、その他共重合可能なモノマーとして
酢酸ビニル、スチレン、アクリロニトリル等が挙げられ
る。

【００３１】粘着剤ポリマーの重合反応機構としては、
ラジカル重合、アニオン重合、カチオン重合等が挙げら
れるが、粘着剤の製造コスト、モノマーの官能基の影響
および半導体ウエハ表面へのイオンの影響等を考慮すれ
ば、ラジカル重合によって重合することが好ましい。ラ
ジカル重合反応によって重合する際、ラジカル重合開始
剤としては、ベンゾイルパーオキサイド、アセチルパー
オキサイド、イソブチリルパーオキサイド、オクタノイ
ルパーオキサイド、ジターシャルブチルパーオキサイ
ド、ジターシャルアミルパーオキサイド等の有機過酸化
物、過硫酸アンモニウム、過硫酸カリウム、過硫酸ナト
リウム等の無機過酸化物、２，２’−アゾビスイソブチ
ロニトリル、２，２’−アゾビス−２−メチルブチロニ
トリル、４，４’−アゾビス−４−シアノバレリックア
シッド等のアゾ化合物等が挙げられる。

【００３２】乳化重合法により重合する場合には、これ
らのラジカル重合開始剤の中で、水溶性の過硫酸アンモ
ニウム、過硫酸カリウム、過硫酸ナトリウム等の無機過
酸化物、同じく水溶性の４，４’−アゾビス−４−シア
ノバレリックアシッド等の分子内にカルボキシル基を持
ったアゾ化合物が好ましい。半導体ウエハ表面へのイオ
ンの影響を考慮すれば、４，４’−アゾビス−４−シア
ノバレリックアシッド等の分子内にカルボキシル基を持
ったアゾ化合物がさらに好ましい。

【００３３】上記のようにして得られた粘着剤ポリマー
は、官能基を１分子中に２個以上有する架橋剤によって
架橋されることが好ましい。この架橋剤は、粘着剤ポリ
マーが有する官能基と反応させ、粘着力および凝集力を
調整するために用いる。架橋剤としては、ソルビトール
ポリグリシジルエーテル、ポリグリセロールポリグリシ
ジルエーテル、ペンタエリスリトールポリグリシジルエ
ーテル、ジグリセロールポリグリシジルエーテル、グリ
セロールポリグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコ
ールジグリシジルエーテル、レソルシンジグリシジルエ
ーテル等のエポキシ系化合物、テトラメチレンジイソシ
アネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、トリメチ
ロールプロパンのトルエンジイソシアネート３付加物、
ポリイソシアネート等のイソシアネート系化合物、トリ
メチロールプロパン−トリ−β−アジリジニルプロピオ
ネート、テトラメチロールメタン−トリ−β−アジリジ
ニルプロピオネート、Ｎ，Ｎ’−ジフェニルメタン−
４，４’−ビス（１−アジリジンカルボキシアミド）、
Ｎ，Ｎ’−ヘキサメチレン−１，６−ビス（１−アジリ
ジンカルボキシアミド）、Ｎ，Ｎ’−トルエン−２，４
−ビス−アジリジンカルボキシアミド、トリメチロール
プロパン−トリ−β−（２−メチルアジリジン）プロピ
オネート等のアジリジン系化合物、及びヘキサメトキシ
メチロールメラミン等のメラミン系化合物等が挙げられ
る。

【００３４】これらは単独で使用してもよいし、２種以
上を併用してもよい。上記架橋剤の中で、エポキシ系架
橋剤は架橋反応の速度が遅く、反応が十分に進行しない
場合には粘着剤層の凝集力が低くなり、半導体ウエハ表
面の凹凸によっては粘着剤層に起因する汚染が生じるこ
とがある。したがって、適宜、アミン等の触媒を添加す
るか、もしくは触媒作用のあるアミン系官能基をもつモ
ノマーを粘着剤ポリマーに共重合するか、架橋剤を使用
する際にアミンとしての性質を有するアジリジン系架橋
剤を併用することが好ましい。

【００３５】架橋剤の添加量は、通常、架橋剤中の官能
基数が粘着剤ポリマー中の官能基数よりも多くならない
程度の範囲で添加するのが好ましい。しかし、架橋反応
で新たに官能基が生じる場合、架橋反応が遅い場合等に
は必要に応じて過剰に添加してもよい。通常、ウエハ裏
面研削時にウエハ表面に貼付する表面保護用粘着テープ
（Ａ）の粘着力は、ウエハ裏面の研削条件、ウエハの口
径、研削後のウエハの厚み等を勘案して適宜設定される
が、通常、ＪＩＳ−Ｚ０２３７に規定される方法に準拠
して、被着体としてＳＵＳ−３０４ＢＡ板を用い、剥離
速度３００ｍｍ／ｍｉｎ、剥離角度１８０度の条件下で
測定した粘着力が１０〜１０００ｇ／２５ｍｍ、好まし
くは３０〜６００ｇ／２５ｍｍ程度である。

【００３６】また、粘着剤には必要に応じて、ウエハ表
面を汚染しない程度に、界面活性剤等の添加剤を含有さ
せてもよい。特に界面活性剤を含有することにより、後
述する温水による加熱剥離工程において、ウエハ表面が
洗浄される効果がある。界面活性剤は、ウエハ表面を汚
染しないものであれば、ノニオン性でもアニオン性でも
使用することができる。ノニオン性界面活性剤として、
ポリオキシエチレンオクチルフェニルエーテル、ポリオ
キシエチレンノニルフェニルエーテル、ポリオキシエチ
レンラウリルエーテル等が挙げられる。アニオン性界面
活性剤として、アルキルジフェニールエーテルジスルフ
ォネートおよびその塩、ビスナフタレンスルフォネート
およびその塩、ポリオキシエチレンアルキルスルホコハ
ク酸エステルおよびその塩、ポリオキシエチレンアルキ
ルフェニルエーテルの硫酸エステルおよびその塩等が挙
げられる。

【００３７】上記例示した界面活性剤は、単独で使用し
てもよいし、２種以上を併用してもよい。界面活性剤の
添加量は、粘着剤ポリマーと架橋剤の合計重量、すなわ
ち、架橋した粘着剤ポリマー１００重量部に対して０．
０５〜５重量部が好ましい。より好ましくは０．０５〜
３重量部である。

【００３８】基材フィルムまたは剥離フィルムの片表面
に粘着剤塗布液を塗布する方法としては、従来公知の塗
布方法、例えばロールコーター法、グラビアロール法、
バーコート法等が採用できる。塗布された粘着剤の乾燥
条件には特に制限はないが、一般的には、８０〜２００
℃の温度範囲において１０秒〜１０分間乾燥することが
好ましい。さらに好ましくは、８０〜１７０℃において
１５秒〜５分間乾燥する。粘着剤層の厚みは、半導体ウ
エハの表面状態、形状、裏面の研削方法等により適宜決
められるが、半導体ウエハの裏面を研削している時の粘
着力、研削が完了した後の剥離性等を勘案すると、通
常、２〜１００μｍ程度である。好ましくは５〜７０μ
ｍ程度である。

【００３９】上記のようにして剥離フィルムの表面に粘
着剤層を形成した後、該粘着剤層の表面に上記基材フィ
ルムを積層し、押圧して粘着剤層を基材フィルムの表面
に転着する。転着する方法は、公知の方法で差しつかえ
ない。例えば、剥離フィルムの表面に形成された粘着剤
層の表面に基材フィルムを重ねて、それらをニップロー
ルに通引して押圧する方法等が挙げられる。こうして得
られる表面保護用粘着テープ（Ａ）は、ロール状とする
か、または、所定の形状に切断した後、保管、輸送等に
供される。

【００４０】次に、裏面固定用粘着テープ（Ｂ）につい
て説明する。本発明で使用する裏面固定用粘着テープ
（Ｂ）は、リング状フレームに固定されることにより、
表面保護用粘着テープ（Ａ）を加熱収縮剥離する際に、
該粘着テープ（Ａ）の収縮剥離応力で半導体ウエハが破
損しないよう、該ウエハを固定、補強する役割を有す
る。本発明に用いる粘着テープ（Ｂ）は基材フィルムの
片表面に、粘着剤層が形成されたものが好ましい。粘着
テープ（Ｂ）は、基材フィルム又は剥離フィルムの片表
面に、粘着剤を塗布、乾燥して粘着剤層を形成すること
により製造される。

【００４１】基材フィルムに粘着剤層を形成する場合
は、環境に起因する汚染等から保護するために粘着剤層
の表面に剥離フィルムを貼着することが好ましい。ま
た、剥離フィルムの片表面に粘着剤層を形成する場合
は、粘着剤層を基材フィルムへ転写する方法がとられ
る。基材フィルム及び剥離フィルムのいずれの片表面に
粘着剤を塗布するかは、基材フィルム及び剥離フィルム
の耐熱性、半導体ウエハ裏面への汚染性等を考慮して決
める。例えば、剥離フィルムの耐熱性が基材フィルムの
それより優れている場合は、剥離フィルムの表面に粘着
剤層を設けた後、基材フィルムへ転写する。耐熱性が同
等または基材フィルムが優れている場合は、基材フィル
ムの表面に粘着剤層を設け、該粘着剤層表面に剥離フィ
ルムを貼着する。

【００４２】本発明に用いる粘着テープ（Ｂ）は、剥離
フィルムを剥離したときに露出する粘着剤層の表面を介
して半導体ウエハ裏面に貼着されることを考慮し、粘着
剤層によるウエハ裏面の汚染防止を図るためには、耐熱
性の良好な剥離フィルムを使用し、その表面に粘着剤塗
布液を塗布、乾燥して粘着剤層を形成し、それを基材フ
ィルムへ転写する方法が好ましい。

【００４３】粘着テープ（Ｂ）の基材フィルムとして
は、合成樹脂、天然ゴム、合成ゴム等から製造されたフ
ィルムが挙げられる。後述するように、粘着テープ
（Ｂ）の粘着剤層に紫外線により硬化し、粘着力が低下
する性質を有するものを用いた場合には、紫外線を透過
する性質を有する必要がある。さらに、基材フィルムに
剛性のあるポリエチレンテレフタレートフィルム等を採
用すれば、半導体ウエハを補強する効果がより一層高く
なる。さらに、６０〜９０℃の温水中に３０秒間浸漬し
た時の１軸方向の収縮率が４％以下であることが好まし
い。基材フィルムの厚みは、通常、２０〜２００μｍで
ある。

【００４４】裏面固定用粘着テープ（Ｂ）の剥離フィル
ムとしては、高密度ポリエチレン、ポリプロピレン、ポ
リエチレンテレフタレート、並びに、それらのフィルム
にシリコーン系等の剥離剤が塗布されたもの等、表面保
護用粘着テープ（Ａ）に用いられる剥離フィルムと同様
の要件を満たすものであれば、特に制限はない。剥離フ
ィルムの厚さは、乾燥条件、粘着剤層の種類および厚
さ、または表面保護用粘着テープの加工条件、加工方法
等により異なるが、通常、２０〜１００μｍである。裏
面固定用粘着テープ（Ｂ）に用いられる粘着剤層として
は、表面保護用粘着テープ（Ａ）を加熱収縮剥離する際
に、該粘着テープ（Ａ）の収縮剥離応力で半導体ウエハ
が破損しないよう、該ウエハを固定し、且つ、リング状
フレームに裏面固定用粘着テープ（Ｂ）が保持される様
に設計されたものであれば、いずれでも用いることがで
きる。通常、アクリル系等の粘着剤ポリマー、架橋剤、
添加剤等を含有する塗工液（溶液または、エマルジョン
液）を基材フィルムまたは剥離フィルムに塗工すること
により形成される。

【００４５】表面保護用粘着テープ（Ａ）を剥離する際
の裏面固定用粘着テープ（Ｂ）の粘着力（ウエハ固定時
の粘着力）は強い方が好ましい。裏面固定用粘着テープ
（Ｂ）の粘着剤層として、ウエハを固定する時には強粘
着力を有し、紫外線（以下、「ＵＶ」という）を照射す
ることにより粘着剤層が硬化し、粘着力が低下する、所
謂、ＵＶ硬化型のものを使用した粘着テープ（Ｂ）が特
に好ましい。そのことにより、次工程のダイシング工程
でウエハをチップ毎に切断する際にも、チップの飛散を
防止でき、さらにチップをピックアップする際には、Ｕ
Ｖを照射する事により粘着力が低下する為、容易にピッ
クアップすることができる。

【００４６】本発明においては、表面保護用粘着テープ
（Ａ）を剥離する際に、温水を放射することを特徴とし
ているが、この温水は裏面固定用粘着テープ（Ｂ）の粘
着剤層とウエハ裏面の界面にも毛管現象で入り込み、裏
面固定用粘着テープ（Ｂ）がウエハを保持する力を低下
させることがある。従って、表面保護用粘着テープ
（Ａ）の粘着力に対して、裏面固定用粘着テープ（Ｂ）
の粘着力が特定の値以上でないと、裏面固定用粘着テー
プ（Ｂ）によるウエハの固定が不十分となり、表面保護
用粘着テープ（Ａ）剥離時にウエハが破損することがあ
る。

【００４７】従って、表面保護用粘着テープ（Ａ）剥離
時の表面保護用粘着テープ（Ａ）の粘着力Ｐと裏面固定
用粘着テープ（Ｂ）の粘着力Ｑとの関係は、少なくと
も、Ｑ≧Ｐ×２であり、好ましくは、Ｑ≧Ｐ×２．５で
ある。裏面固定用粘着テープ（Ｂ）の粘着力Ｑが強い
程、リング状フレームによる固定も強固となり、従っ
て、表面保護用粘着テープ（Ａ）を収縮剥離する際にウ
エハの破損を防止する効果がより高くなる。裏面固定用
粘着テープ（Ｂ）の粘着力Ｑが低いと、リング状フレー
ムへの固定が不十分となる。リング状フレームから裏面
固定用粘着テープ（Ｂ）が外れた場合、ウエハを補強す
る効果がなくなり、表面保護用粘着テープ（Ａ）剥離時
にウエハを破損することになる。これらの観点から、具
体的には、裏面固定用粘着テープ（Ｂ）によるウエハ固
定時の粘着力Ｑは２５０〜３５００ｇ／２５ｍｍである
ものが好ましい。さらに好ましくは５００〜３５００ｇ
／２５ｍｍである。ここでいう粘着力とは、表面保護用
粘着テープ（Ａ）と同様の測定法で測定した値である。

【００４８】裏面固定用粘着テープ（Ｂ）の粘着剤層
に、ウエハを固定する時には強粘着力を有し、紫外線を
照射することにより粘着剤層が硬化し、粘着力が低下す
る、ＵＶ硬化型の粘着剤層を用いる場合、該粘着剤層と
しては、ウエハを固定する際の粘着力Ｑ〔紫外線照射
（硬化）前の粘着力〕が前述の条件を満たすものであれ
ば、公知の様々な構成のものが採用される。

【００４９】例えば、アクリル系等の粘着剤ポリマー、
光重合開始剤、分子内に重合性炭素−炭素二重結合を持
つモノマーおよび／またはオリゴマー、必要に応じて熱
架橋剤、を含有したものが好ましく用いられる。

【００５０】以下、ＵＶ硬化型粘着剤層について詳細に
記載する。粘着剤ポリマーとしては、アクリル系ポリマ
ー、ブタジエン系ポリマー、イソプレン系ポリマー、ス
チレン−ブタジエン系ポリマー、ポリエステル系ポリマ
ー等の各種合成ゴム系ポリマー等が挙げられる。これら
の内、粘着性、塗布性、ウエハ裏面への非汚染性等を考
慮すれば、アクリル系ポリマーが好ましい。また、後述
する熱架橋剤を使用する場合には、粘着剤ポリマーが該
熱架橋剤と架橋反応しうる官能基を有する必要がある。
粘着剤ポリマーは、分子内に重合性炭素−炭素二重結合
を有していてもよい。

【００５１】光重合開始剤としては、紫外線によりラジ
カルを発生させる性質を有し、粘着剤層の紫外線硬化反
応を開始させる目的で使用される。具体的に例示するな
らば、ベンゾイン〔日本曹達（株）製、ニッソキュアー
ＢＯ、等〕、ベンゾインメチルエーテル〔日本曹達
（株）製、ニッソキュアーＭＢＯ、等〕、ベンゾインエ
チルエーテル〔日本曹達（株）製、ニッソキュアーＥＢ
Ｏ、等〕、ベンゾインイソプロピルエーテル〔日本曹達
（株）製、ニッソキュアーＩＢＰＯ、等〕、ベンゾイン
イソブチルエーテル、ベンジルジメチルケタール〔日本
チバガイギー（株）、イルガキュア−６５１、等〕等の
ベンゾイン系、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニル
ケトン〔日本チバガイギー（株）、イルガキュア−１８
４、等〕、２−メチル−１−〔４−（メチルチオ）フェ
ニル〕−２−モノホリノプロパン−１〔日本チバガイギ
ー（株）、イルガキュア−９０７、等〕、ジエトキシア
セトフェノン、４−（２−ヒドロキシエトキシ）−フェ
ニル（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン〔メルク
ジャパン（株）、ダロキュア−２９５９、等〕等のアセ
トフェノン系、ベンゾフェノン〔日本化薬（株）製、カ
ヤキュアーＢＰ、等〕、ヒドロキシベンゾフェノン等の
ベンゾフェノン系、チオキサンソン〔日本曹達（株）
製、ニッソキュアーＴＸ、等〕、２−メチルチオキサン
ソン〔日本曹達（株）製、ニッソキュアーＭＴＸ、
等〕、２，４−ジエチルチオキサンソン〔日本化薬
（株）製、カヤキュアーＤＥＴＸ、等〕等のチオキサン
ソン系、ベンジル、アンスラキノン、２−エチルアンス
ラキノン、２−ｔｅｒｔ−ブチルアンスラキノン等が挙
げられる。これらは単独で使用しても良いし、二種以上
を併用してもよい。含有量は、通常、粘着剤ポリマー１
００重量部に対して、０．１〜１５重量部である。好ま
しくは、１〜１０重量部である。含有量が多いとウエハ
裏面を汚染する傾向があり、少ないと紫外線硬化後の粘
着力の低下が不十分となる傾向がある。

【００５２】ＵＶ硬化型粘着剤層には上記の光重合開始
剤の他に、必要に応じて反応を促進するために光開始助
剤を含有してもよい。光開始助剤としては、トリエタノ
ールアミン、４−ジメチルアミノ安息香酸エチル〔日本
化薬（株）製、カヤキュアーＥＰＡ、等〕、等が挙げら
れる。これらの光開始助剤は単独で使用してもよいし、
二種以上を併用してもよい。含有量は、通常、上記光開
始剤との総和が、上記光開始剤の含有量の範囲内になる
ようにすることが好ましい。

【００５３】紫外線硬化型粘着剤を構成する分子内に重
合性炭素−炭素二重結合を持つモノマーおよび／または
オリゴマーは紫外線照射時に重合して粘着剤層を硬化さ
せ、粘着力を低下させる目的で使用される。具体的に例
示するならばウレタン（メタ）アクリレート系オリゴマ
ー、エポキシ（メタ）アクリレート系オリゴマー、ポリ
エステル（メタ）アクリレート系オリゴマー、ビス（ア
クリロキシエチル）ヒドロキシエチルイソシアヌレー
ト、ビス（メタクリロキシエチル）ヒドロキシエチルイ
ソシアヌレート、トリス（アクリロキシエチル）イソシ
アヌレート、トリス（メタクリロキシエチル）イソシア
ヌレート、ビスフェノールＡジ（メタ）アクリレート、
ビスフェノールＦジ（メタ）アクリレート、ジエチレン
グリコールジ（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサン
ジオールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコ
ールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパン
トリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ
（メタ）アクレート、ペンタエリスリトールテトラ（メ
タ）アクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロ
キシペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリト
ールヘキサ（メタ）アクリレート、トリス（メタクリロ
キシエチル）イソシアヌレートの各種変性体、トリス
（アクリロキシエチル）イソシアヌレートの各種変性
体、ビスフェノールＡジ（メタ）アクリレートの各種変
性体、ビスフェノールＦジ（メタ）アクリレートの各種
変性体、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレ
ートの各種変性体、ジペンタエリスリトールヘキサ（メ
タ）アクリレートの各種変性体、等が挙げられる。これ
らは、単独で使用してもよいし、二種以上を併用しても
よい。ここで、（メタ）アクリル酸、（メタ）アクリレ
ートなる記載は、アクリル酸及びメタクリル酸、並び
に、アクリレート及びメタクリレートを意味する。

【００５４】分子内に重合性炭素−炭素二重結合を持つ
モノマーおよび／またはオリゴマーの含有量は、通常、
粘着剤ポリマー１００重量部に対して、１〜１００重量
部である。含有量が多いとウエハ裏面を汚染することが
あり、少ないと紫外線硬化後の粘着力の低下が不十分と
なる傾向がある。

【００５５】ＵＶ硬化型粘着剤層に、必要に応じて含有
される熱架橋剤としては、表面保護用粘着テープ（Ａ）
を説明した際に例示したもの等の中から適宜選択する。
熱架橋剤を粘着剤層に含有させることにより、粘着剤ポ
リマーが有する官能基と架橋反応するため、粘着剤層が
ウエハ裏面（またはチップ裏面）を汚染し難くする効果
が生じる。

【００５６】ＵＶ硬化型粘着剤層は、上記の粘着剤ポリ
マー、光重合開始剤、分子内に重合性炭素−炭素二重結
合を持つモノマーおよび／またはオリゴマー、必要に応
じて熱架橋剤、等の他に、該粘着剤層の保存性をよくす
るためのフェノチアジン、ハイドロキノン等の重合禁止
剤、粘着特性を調整するためのロジン系、テルペン樹脂
系等のタッキファイヤーを適宜含有してもよい。本発明
に用いる裏面固定用粘着テープ（Ｂ）の粘着剤層の厚み
は、５〜５０μｍの範囲内である。

【００５７】基材フィルム又は剥離フィルムの片表面に
粘着剤塗布液を塗布する方法としては、表面保護用粘着
テープ（Ａ）を製造する際と同様、従来公知の塗布方法
が採用できる。塗布された粘着剤の乾燥条件には特に制
限はないが、表面保護用粘着テープ（Ａ）と同様、８０
〜２００℃の温度範囲において１０秒〜１０分間乾燥す
ることが好ましい。さらに好ましくは８０〜１７０℃に
おいて１５秒〜５分間乾燥する。

【００５８】剥離フィルムの表面に粘着剤層を形成した
後、該粘着剤層の表面に上記基材フィルムを積層し、押
圧して粘着剤層を基材フィルムの表面に転着する場合、
転着する方法は、公知の方法で差しつかえない。例え
ば、剥離フィルムの表面に形成された粘着剤層の表面に
基材フィルムを重ねて、それらをニップロールに通引し
て押圧する方法等が挙げられる。

【００５９】裏面固定用粘着テープ（Ｂ）を製造する
際、粘着剤塗布液の乾燥が終了した後に、架橋剤と粘着
剤ポリマーとの架橋反応を十分に促進させるために、粘
着フィルムを４０〜８０℃において５〜３００時間程度
加熱しても良い。

【００６０】こうして得られる裏面固定用粘着テープ
（Ｂ）は、表面保護用粘着テープ（Ａ）と同様にロール
状とするか、または、所定の形状に切断した後、保管、
輸送等に供される。裏面固定用粘着テープ（Ｂ）は、本
発明の要件を満たせば特に制限はないが、ウエハダイシ
ング用粘着フィルム、ダイシングテープ等と称して市販
されているものの中から、選択することもできる。

【００６１】本発明において、表面保護用粘着テープ
（Ａ）を剥離する際に、裏面固定用粘着テープ（Ｂ）を
半導体ウエハ裏面の固定に用いている為、半導体ウエハ
裏面研削後に半導体ウエハに反りが生じていても、確実
に保持することができる。従って、従来行なわれていた
真空チャックテーブルによる固定方法よりも、ウエハを
保持する効果に優れる。特に粘着剤層に、強粘着力のも
のを選択し、基材フィルムに剛性のフィルムを選択する
ことにより、より一層確実なものとなる。

【００６２】次に、本発明で使用するリング状フレーム
について説明する。本発明で使用するリング状フレーム
は、一般に、半導体ウエハのダイシング時に、ウエハダ
イシング用粘着フィルム（ダイシングテープともいう）
を固定する為に用いられてきたものである。ダイシング
フレーム、金属キャリアフレーム等とも称されている。
ステンレス等の金属製のものが多く市販されており、一
部にプラスチック製のものもある。

【００６３】本発明において、裏面固定用粘着テープ
（Ｂ）がリング状フレームに弛みなく貼り付けられるこ
とにより、リング状フレームの中央部分に貼付けられた
半導体ウエハを補強する効果がある。さらには、表面保
護用粘着テープ（Ａ）を加熱収縮により剥離した後に
は、そのままダイシング工程に移行することもできる。

【００６４】次に、本発明の半導体ウエハの裏面研削方
法について図面を参照しつつ詳細に説明する。表面保護
用粘着テープ（Ａ）２は、熱収縮性基材フィルム２ａの
片表面に粘着剤層２ｂが形成されたものであり、該粘着
剤層２ｂを介して半導体ウエハ１のスクライブライン１
ａが形成された表面に貼付される（図１）。そして、半
導体ウエハ１は、表面保護用粘着テープ（Ａ）２の基材
フィルム２ａを介して研削機のチャックテーブル３に固
定される。次いで、研削機の研削砥石４により半導体ウ
エハ１の裏面が所定の厚さまで研削される（図２）。

【００６５】研削の際に、研削面に冷却水が注水される
ことが一般的である。研削が終了した後、研削面に純水
を注水する等して研削屑等を除去した後、表面保護用粘
着テープ（Ａ）２を貼付したまま、ウエハマウント作製
工程へ移行する。ウエハマウント作製工程において、リ
ング状フレーム５に裏面固定用粘着テープ（Ｂ）６を貼
付し、リング状フレーム５に囲まれた裏面固定用粘着テ
ープ（Ｂ）６のほヾ中央部に裏面が研削された半導体ウ
エハ１の裏面を貼着する。この際、半導体ウエハ１の表
面には表面保護用粘着テープ（Ａ）２が貼付されてい
る。かくして、表面保護用粘着テープ（Ａ）２が貼付さ
れた半導体ウエハ１からなるウエハマウント状態が作製
される（図３）。

【００６６】本発明でいう「ウエハマウント状態」と
は、リング状フレーム５に裏面固定用粘着テープ（Ｂ）
６を貼付し、該リング状フレーム５に囲まれた裏面固定
用粘着テープ（Ｂ）６のほぼ中央部に、裏面研削後の半
導体ウエハ１を表面保護用粘着テープ（Ａ）２を貼付し
たまま研削面（裏面）側から貼付した状態（すなわち、
請求項１における第２工程を完了した状態）のことをい
う。

【００６７】ウエハマウント状態を作製する方法とし
て、特に制限はないが、予め、リング状フレーム５に裏
面固定用粘着テープ（Ｂ）６をセットしておいてから、
表面保護用粘着テープ（Ａ）２が貼付されたままの半導
体ウエハ１の研削面（裏面）側を裏面固定用粘着テープ
（Ｂ）６の粘着剤層と接する様にマウントする方法、裏
面固定用粘着テープ（Ｂ）６を、リング状フレーム５
と、表面保護用粘着テープ（Ａ）２が貼付されたままの
半導体ウエハ１の研削面（裏面）側とに、同時に貼付す
る方法、表面保護用粘着テープ（Ａ）２が貼付されたま
まの半導体ウエハ１の裏面に裏面固定用粘着テープ
（Ｂ）６を貼付した後、リング状フレーム５をセットす
る方法等、公知の方法が挙げられる。尚、裏面固定用粘
着テープ（Ｂ）６は、例えばその基材フィルム６ａの片
表面に前記紫外線硬化型粘着剤層６ｂが形成されたもの
である。

【００６８】次に、表面保護用粘着テープ（Ａ）２の剥
離工程について説明する。本発明においては、表面保護
用粘着テープ（Ａ）２を加熱、収縮して剥離する際に、
表面保護用粘着テープ（Ａ）２にノズル８から温水７を
放射することに特徴がある。剥離時に温水７を放射する
ことにより、表面保護用粘着テープ（Ａ）２の粘着剤層
２ｂと半導体ウエハ１の表面の界面に温水７が毛管現象
により侵入し、表面保護用粘着テープ（Ａ）２の剥離時
の粘着力が実質的に低下する効果がある。

【００６９】この効果をより有効に利用し、表面保護用
粘着テープ（Ａ）２の剥離時の半導体ウエハにかかる負
担をさらに低減させることを考慮すれば、温水放射の方
法は、表面保護用粘着テープ（Ａ）２の粘着剤層２ｂと
半導体ウエハ１の表面の界面付近に温水７を供給するこ
とが好ましい。該界面付近に積極的に温水７を供給すれ
ば、表面保護用粘着テープ（Ａ）２の熱収縮性基材フィ
ルム２ａの収縮を端面から比較的選択的に発生させるこ
とができ、且つ、収縮速度に毛管現象を追従させること
ができ、界面粘着力を低下せしめる効果が増大する（図
４）。

【００７０】温水は半導体ウエハ表面を汚染させないも
のを用いることが好ましい。さらに、表面保護用粘着テ
ープ（Ａ）の剥離時に温水を放射することで、同時にウ
エハ表面が洗浄される効果もある。このような洗浄効果
を考慮した場合においても、温水放射方法として、表面
保護用粘着テープ（Ａ）の粘着剤層とウエハ表面の界面
付近に温水を供給することが好ましい。

【００７１】さらに、表面保護用粘着テープ（Ａ）の粘
着剤層を構成する粘着剤ポリマーとして、エマルジョン
系粘着剤ポリマーを用いたり、粘着剤層に界面活性剤を
含有させることにより、上記の洗浄効果を一層高めるこ
とができ、専用の洗浄工程を省略することもできる。

【００７２】温水の温度は、表面保護用粘着テープ
（Ａ）の基材フィルムの延伸倍率、粘着力等によって、
６０〜９０℃の範囲で適宜選択し得る。温水放射時間も
半導体ウエハ表面からの剥離性に影響を及ぼす。温水放
射時間は、基材フィルムの延伸倍率、熱処理温度によっ
て異なるが、作業性等を考慮すると１〜６０秒間、好ま
しくは１０〜３０秒間である。洗浄工程を削減する場合
においては、０．５〜１０分間、好ましくは１〜５分間
である。

【００７３】表面保護用粘着テープ（Ａ）の剥離後、収
縮した表面保護用粘着テープ（Ａ）が半導体ウエハ上に
残存することがあるが、これは、マウントを回転させた
り、温水をさらに供給することにより容易に除去するこ
とができる。表面保護用粘着テープ（Ａ）を収縮剥離す
る際に、マウントを回転させたり、温水の放射量を多く
すれば、剥離と同時に表面保護用粘着テープ（Ａ）を除
去することも可能となる為、さらに工程を簡略化するこ
とができる。表面保護用粘着テープ（Ａ）の除去終了
後、ダイシング工程へ移行し、半導体ウエハはチップ毎
に切断される。

【００７４】尚、本発明においては、表面保護用粘着テ
ープ（Ａ）の剥離が簡便な為、剥離工程をダイシング装
置内で行なうこともできる。この際、従来のダイシング
装置に温水放射装置を取り付けるだけでよい。

【００７５】本発明が適用できる半導体ウエハのサイズ
は、直径が１００〜３００ｍｍのものである。今後、半
導体ウエハのサイズは、直径が４００ｍｍ程度となるこ
とが予想されるが、その場合にも充分に適用できる。本
発明が適用できる半導体ウエハとしては、シリコンウエ
ハ、ゲルマニウム、ガリウム−砒素、ガリウム−砒素−
アルミニウム等が挙げられる。

【００７６】

【実施例】以下、実施例を示し、本発明をさらに具体的
に説明するが、本発明はこれらの実施例のみに限定され
るものではない。尚、実施例に示した各種特性値は下記
の方法で測定した。

【００７７】（１）粘着力（ｇ／２５ｍｍ） 被着体としてＳＵＳ３０４−ＢＡ板を用い、剥離速度３
００ｍｍ／ｍｉｎ、剥離角度１８０度の条件下で，ＪＩ
Ｓ−Ｚ０２３７−１９９１に規定される方法に準拠して
測定する。

【００７８】（２）粘着テープ（Ａ）及び（Ｂ）の収縮
率（％） 粘着テープの任意の箇所を選択し、縦横それぞれ１０ｃ
ｍの正方形の試料片を１５枚作成する。８０℃に調節さ
れた温水中に３０秒間浸漬し、取り出した後、２４時間
常温で放置する。縦方向（機械方向）の試料片の長さを
測定して、温水浸漬前後の長さから収縮率を求める。 収縮率（％）＝｛（温水浸漬前の試料片の長さ−温水浸
漬後の試料片長さ）／温水浸漬前の試料片の長さ｝×１
００ （３）ＥＳＣＡによるウエハ表面汚染の測定 ミラーウエハ表面のスクライブライン加工されていない
部分についてＥＳＣＡを用いて下記の条件で測定し、珪
素に対する炭素の比（以下、「Ｃ／Ｓｉ比」という）を
求め、有機物によるシリコンウエハの汚染状況を調べ
た。 ＜ＥＳＣＡ測定条件及びＣ／Ｓｉ比＞Ｘ線源：ＭｇＫα
線（１２５３．６ｅＶ）、Ｘ線出力：２４０Ｗ、測定真
空度：３×１０^-7Ｐａ以下、Ｃ／Ｓｉ値：（炭素のピー
ク面積）／（珪素のピーク面積）測定装置：ＥＳＣＡ−
３２００（島津製作所製） ＜Ｃ／Ｓｉ値の評価方法＞ 粘着フィルムを貼付する前のシリコンミラーウエハ表面
のＣ／Ｓｉ値は、通常、０．１０±０．０１である。粘
着フィルムを貼付し、剥離した後のシリコンミラーウエ
ハ表面のＣ／Ｓｉ値が、０．１０を超えて大きな値とな
るほど、ウエハ表面が粘着フィルムにより汚染されてい
るとした。通常、Ｃ／Ｓｉ値が０．１５以下であれば、
実用上問題ないレベルと判断する。

【００７９】実施例１ 実施例１のプロセスの概要は下記の通りである。 （１）半導体ウエハの表面に表面保護用粘着テープ
（Ａ）を貼付ける（図１）。 （２）バックグラインド工程において該ウエハの裏面を
研削・研磨する（図２）。 （３）ウエハマウント作製工程において、リング状フレ
ームに半導体ウエハ裏面固定用粘着テープ（Ｂ）を貼付
し、該リング状フレームに囲まれた裏面固定用粘着テー
プ（Ｂ）のほヾ中央部に、表面保護用粘着テープ（Ａ）
が貼付されたままの研削後の半導体ウエハを貼付して、
半導体ウエハ、リング状フレーム、裏面固定用粘着テー
プ（Ｂ）からなるウエハマウント状態を作製する（図
３）。 （４）表面保護用粘着テープ（Ａ）剥離工程において、
表面保護用粘着テープ（Ａ）の粘着剤層と半導体ウエハ
の表面との界面に温水を放射し半導体ウエハの表面から
表面保護用粘着テープ（Ａ）を剥離する（図４）。

【００８０】〔表面保護用粘着テープ（Ａ）の製造〕 （粘着剤塗布液の製造）重合反応機に脱イオン水１４８
重量部、アニオン性界面活性剤としてポリオキシエチレ
ンノニルフェニルエーテルサルフェートのアンモニウム
塩〔日本乳化剤（株）製、商品名：Ｎｅｗｃｏｌ−５６
０ＳＦ、５０重量％水溶液〕２重量部（界面活性剤単体
として１重量部）、重合開始剤として４，４’−アゾビ
ス−４一シアノバレリックアシッド（大塚化学（株）
製、商品名：ＡＣＶＡ）０．５重量部、アクリル酸ブチ
ル７４重量部、メタクリル酸メチル１４重量部、メタク
リル酸−２−ヒドロキシエチル９重量部、メタクリル酸
２重量部、アクリルアミド１重量部を添加し、攪拌下で
７０℃において９時間乳化重合を実施し、アクリル樹脂
系水エマルジョンを得た。これを１４重量％アンモニア
水で中和し、固形分約４０重量％の粘着剤ポリマー（主
剤）エマルジョンを得た。得られた粘着剤主剤エマルジ
ョン１００重量部（粘着剤ポリマー濃度約４０重量％）
を採取し、さらに１４重量％アンモニア水を加えてｐＨ
９．３に調整した。次いで、アジリジン系架橋剤（日本
触媒化学工業（株）製、商品名：ケミタイトＰＺ−３
３）２重量部、および造膜助剤としてジエチレングリコ
ールモノブチルエーテル５重量部を添加して粘着剤塗布
液を得た。

【００８１】（基材フィルムの製造）Ｔダイ押出法によ
り製膜された未延伸エチレン−酢酸ビニル共重合体（以
下、「ＥＶＡ」という）フィルムを５０℃において縦方
向に３．０倍延伸し、さらに６０℃で熱固定し、厚さ１
２０μｍの一軸延伸ＥＶＡフィルムとした。該一軸延伸
ＥＶＡフィルムの片面にコロナ放電処理を施し、表面張
力を５０ｄｙｎｅ／ｃｍとし、これを基材フィルムとし
て用いた。

【００８２】（表面保護用粘着テープ（Ａ）の製造）Ｔ
ダイ押出法にて製膜された厚さ５０μｍ、ビカット軟化
点１４０℃、片表面の表面張力が３０ｄｙｎｅ／ｃｍで
あるポリプロピレンフィルムを剥離フィルムとして用
い、ロールコーター法により該剥離フィルムの該片表面
に上記方法により得られたアクリル系樹脂水エマルジョ
ン型粘着剤を塗布し、１２０℃において６０秒間乾燥
し、剥離フィルムの表面に厚さ１０μｍのアクリル系粘
着剤層を設けた。剥離フィルムの表面に設けられたアク
リル系粘着剤層の表面に基材フィルムのコロナ放電処理
面を重ね合わせて積層し、２ｋｇ／ｃｍ² の圧力で押圧
し、該粘着剤層を基材フィルムの表面に転着させて、粘
着力２００ｇ／２５ｍｍ、８０℃における熱収縮率が３
７％の半導体ウエハ表面保護用粘着テープ（Ａ）を得
た。

【００８３】〔裏面固定用粘着テープ（Ｂ）の製造〕 （粘着剤塗布液の製造）アクリル酸エチル４０重量部、
アクリル酸２−エチルヘキシル４５重量部、アクリル酸
メチル１０重量部、メタクリル酸グリシジル５重量部の
モノマー混合物を、ベンゾイルパーオキサイド系重合開
始剤〔日本油脂（株）製、ナイパーＢＭＴ−Ｋ４０〕
０．８重量部（開始剤として０．３２重量部）を用い
て、トルエン６５重量部、酢酸エチル５０重量部中で８
０℃で１０時間反応させた。反応終了後、冷却し、これ
にキシレン３０重量部、アクリル酸２．５重量部とテト
ラデシルジメチルベンジルアンモニウムクロライド〔日
本油脂（株）製、カチオンＭ₂−１００〕１．５重量部
を加え、空気を吹き込みながら８０℃で１５時間反応さ
せ、アクリル系ポリマーの溶液（粘着剤主剤）を得た。

【００８４】この粘着剤主剤溶液にアクリル系粘着剤ポ
リマー１００重量部に対して、光重合開始剤としてベン
ジルジメチルケタール〔日本チバガイギー（株）、イル
ガキュアー６５１〕を５重量部添加し、分子内に重合性
炭素−炭素二重結合を２つ以上有するモノマーとしてジ
ペンタエリスリトールヘキサアクリレートとジペンタエ
リスリトールモノヒドロキシペンタアクリレートの混合
物〔東亜合成化学工業（株）製、アロニックスＭ−４０
０〕を１５重量部、さらに、熱架橋剤としてイソシアナ
ート系架橋剤〔三井化学（株）製、オレスターＰ４９−
７５−Ｓ〕を１．３３重量部（熱架橋剤として１重量
部）添加し、粘着剤塗布液を得た。

【００８５】（裏面固定用粘着テープ（Ｂ）の製造）Ｔ
ダイ押出法にて製膜された厚さ５０μｍ、ビカット軟化
点１４０℃、片表面の表面張力が３０ｄｙｎｅ／ｃｍで
あるポリプロピレンフィルムを剥離フィルムとして用
い、ロールコーター法により該剥離フィルムの該片表面
に上記方法により得られた粘着剤塗布液を塗布し、１２
０℃において６０秒間乾燥し、剥離フィルムの表面に厚
さ１５μｍのＵＶ硬化型粘着剤層を設けた。

【００８６】次いで、得られた粘着剤層表面に、コロナ
放電処理を施した厚さ１００μｍのポリエチレンテレフ
タレートフィルム（基材フィルム、８０℃の温水中に３
０秒間浸漬した時の１軸方向の収縮率が１％以下）の該
処理面を貼り合わせ押圧して、粘着剤層を転写させた。
転写後、６０℃において２４時間加熱した後、室温まで
冷却することにより半導体ウエハ裏面固定用粘着テープ
（Ｂ）を製造した。得られた粘着テープ（Ｂ）のＳＵＳ
−３０４ＢＡ板に対する粘着力は紫外線照射前で５００
ｇ／２５ｍｍ、紫外線照射後〔ＳＵＳ３０４−ＢＡ板か
ら剥離する直前に４００ｍＪ／ｃｍ² の紫外線（高圧水
銀灯）を照射した後〕で５０ｇ／２５ｍｍであった。

【００８７】〔バックグラインド工程〕得られた表面保
護用粘着テープ（Ａ）を、表面に幅１００μｍ、深さ５
μｍのスクライブラインが端面まで１ｃｍ間隔で縦横に
形成されたシリコンミラーウエハ（直径８インチ、厚み
７００μｍ）５０枚の表面に貼付し、バックグラインド
工程へ供給した。研削機内では、最初に粗研削、次いで
仕上げ研削、最後に裏面洗浄を実施した。すなわち、裏
面研削機内で、該パターンウエハを研削速度３００μｍ
／分で厚み１７０μｍまで粗研削し、次いで、２０μｍ
／分で１００μｍまで仕上研削した。裏面研削後のウエ
ハは、表面保護用粘着テープ（Ａ）が貼付された状態で
若干（平板上に置いた場合、２ｍｍ程度の浮き上がりが
生じる程度）のソリが確認された。

【００８８】〔ウエハマウント作製工程〕リング状フレ
ームに、紫外線硬化型の粘着剤層を有する裏面固定用粘
着テープ（Ｂ）を貼付し、ついで、該フレームのほぼ中
央部の粘着テープ（Ｂ）の粘着剤層に、裏面が研削・研
磨されたウエハを、表面に粘着テープ（Ａ）が貼付けら
れた状態のままで、ウエハ裏面が接する形で貼付け、ウ
エハマウント状態を作製した。

【００８９】〔剥離工程〕上記のウエハマウント状態の
まま、冷却水ラインを温水ラインに変更したフリーオー
トマチックダイシングソー〔（株）ディスコ製、形式：
ＤＦＤ６５０〕内に、ダイシングを行なう際と同様の方
法で固定した。ノズル８から８０℃の温水を毎分５リッ
トルで表面保護用粘着テープ（Ａ）の粘着剤層とウエハ
の界面に放射し、表面保護用粘着テープ（Ａ）が収縮し
て剥離するに従い、剥離界面部分に温水を放射し続ける
ことで表面保護用粘着テープ（Ａ）を剥離させ、ウエハ
上から表面保護用粘着テープ（Ａ）を除去した。この
時、該粘着テープの剥離に伴うウエハの破損はなかっ
た。

【００９０】〔ウエハ表面の汚染評価〕この時点で、ミ
ラーウエハ３枚の表面についてＥＳＣＡ測定を行なっ
た。その結果、ウエハ中央部にあったチップのＣ／Ｓｉ
値は３点平均で０．１３、端面にあったチップのＣ／Ｓ
ｉ値は３点平均で０．１２であり、実用上問題ない汚染
レベルであった。

【００９１】〔ダイシング工程（参考）〕ＥＳＣＡ測定
を行なわなかったウエハは、粘着テープ（Ｂ）に貼付け
られた状態のまま、フリーオートマチックダイシングソ
ーによって、スクライブラインに沿って切断された。

【００９２】比較例１ 実施例１の裏面固定用粘着テープ（Ｂ）の製造におい
て、熱架橋剤の添加量を２．６６重量部（熱架橋剤とし
て２重量部）とし、塗布乾燥後の粘着剤層の厚みを１０
μｍとした以外は、全て同様の方法で裏面固定用粘着テ
ープ（Ｂ）を製造した。得られた粘着テープ（Ｂ）の粘
着力特性は、ＳＵＳ−３０４ＢＡ板に対する粘着力は紫
外線照射前で３００ｇ／２５ｍｍ、紫外線照射後〔ＳＵ
Ｓ３０４−ＢＡ板から剥離する直前に４００ｍＪ／ｃｍ
² の紫外線（高圧水銀灯）を照射した後〕で５０ｇ／２
５ｍｍであった。ここで得られた粘着テープ（Ｂ）を用
いた以外は全て、実施例１と同様の方法で表面保護用粘
着テープ（Ａ）を剥離した。裏面固定用粘着テープ
（Ｂ）がウエハを保持する力が弱く、収縮、剥離時に３
枚のウエハが破損した。また、破損が生じなかったウエ
ハについて、実施例１と同様にＥＳＣＡ測定を行った。
その結果、ウエハ中央部にあったチップのＣ／Ｓｉ値は
３点平均で０．１３、端面にあったチップのＣ／Ｓｉ値
は３点平均で０．１４であり、この点に関しては、実施
例１と同様、実用上問題ない汚染レベルであった。

【００９３】比較例２ 実施例１と同様にして裏面研削した半導体ウエハ５０枚
について、ウエハマウントを作製せずに、そのまま８０
℃の温水中に浸漬して表面保護用粘着テープ（Ａ）を剥
離した。この時、粘着テープの収縮、剥離に伴いウエハ
が１０枚破損した。また、破損が生じなかったウエハに
ついて、実施例１と同様にＥＳＣＡ測定を行った。その
結果、ウエハ中央部にあったチップのＣ／Ｓｉ値は３点
平均で０．４７、端面にあったチップのＣ／Ｓｉ値は３
点平均で０．３９であり、ウエハ表面の洗浄を要するレ
ベルであった。

【００９４】比較例３ 実施例１の〔剥離工程〕において、温水を放射する代わ
りに、表面保護用粘着テープ（Ａ）の基材フィルム側か
らドライヤーにより８０℃の温風を吹きつけて表面保護
用粘着テープ（Ａ）を収縮剥離させた他は、全て実施例
１と同様の方法で表面保護用粘着テープ（Ａ）を剥離し
た。収縮、剥離時に３枚のウエハが破損した。剥離工程
終了後、全てのウエハの場合において、収縮した表面保
護用粘着テープ（Ａ）がウエハ表面に粘着剤層の一部を
介して残存し、これを除去するのに新たに人手を要し
た。また、破損が生じなかったウエハについて、実施例
１と同様にＥＳＣＡ測定を行った。その結果、ウエハ中
央部にあったチップのＣ／Ｓｉ値は３点平均で０．６
２、端面にあったチップのＣ／Ｓｉ値は３点平均で０．
６１であり、ウエハ表面の洗浄を要するレベルであっ
た。

【００９５】

【発明の効果】本発明によれば、半導体ウエハの裏面を
研削した後、表面保護用粘着テープを剥離する際に、半
導体ウエハの破損を生じることなく、容易に該粘着テー
プを剥離することができる。さらに、粘着剤の組成を選
択すれば、剥離操作によりウエハ表面の洗浄を兼ねるこ
ともでき、作業時間の短縮等の合理化を可能とする。

【図面の簡単な説明】

【図１】 半導体ウエハの表面に表面保護用粘着テープ
（Ａ）を貼付した状態の側面模式図である。

【図２】 半導体ウエハ裏面を研削機で研削する状態の
側面模式図である。

【図３】 半導体ウエハのマウント状態を示す上面およ
び側面模式図である。

【図４】 温水放射による表面保護用粘着テープ（Ａ）
の剥離状況を示す側面模式図である。

【符号の説明】

１ 半導体ウエハ １ａ スクライブライン ２ 表面保護用粘着テープ（Ａ） ２ａ 熱収縮性基材フィルム ２ｂ 粘着剤層 ３ 研削機チャックテーブル ４ 研削砥石 ５ リング状フレーム ６ 裏面固定用粘着テープ（Ｂ） ６ａ 基材フィルム ６ｂ 紫外線硬化型粘着剤層 ７ 温水 ８ ノズル

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 平井 健太郎 愛知県名古屋市南区丹後通２丁目１番地 三井化学株式会社内 (72)発明者 福本 英樹 愛知県名古屋市南区丹後通２丁目１番地 三井化学株式会社内

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体ウエハの表面に半導体ウエハ表面
   保護用粘着テープ（Ａ）を貼付して半導体ウエハの裏面
   を研削する第１工程と、リング状フレームに半導体ウエ
   ハ裏面固定用粘着テープ（Ｂ）を貼付し、該リング状フ
   レームに囲まれた裏面固定用粘着テープ（Ｂ）のほヾ中
   央部に研削後の半導体ウエハの裏面を貼付する第２工程
   と、半導体ウエハ表面から表面保護用粘着テープ（Ａ）
   を剥離する第３工程とを順次実行する半導体ウエハの裏
   面研削方法であって、 上記第１工程で用いる表面保護用粘着テープ（Ａ）が、
   熱収縮性を有する基材フィルムの片表面に粘着剤層が形
   成され、その粘着力Ｐが１０〜１０００ｇ／２５ｍｍで
   あり、上記第２工程で用いる裏面固定用粘着テープ
   （Ｂ）の粘着力Ｑが２５０〜３５００ｇ／２５ｍｍであ
   り、且つ、上記両粘着テープの粘着力ＰおよびＱの間
   に、Ｐ×２≦Ｑなる関係が成立すると共に、上記第３工
   程において、表面保護用粘着テープ（Ａ）に６０〜９０
   ℃の温水を放射して剥離すること、を特徴とする半導体
   ウエハの裏面研削方法。
2. 【請求項２】 上記第１工程で用いる表面保護用粘着テ
   ープ（Ａ）の基材フィルムが、少なくとも１軸方向に延
   伸されたエチレン−酢酸ビニル共重合体であり、且つ、
   ６０℃〜９０℃の温水に３０秒間浸漬した時の１軸方向
   の収縮率が少なくとも５％であることを特徴する請求項
   １記載の半導体ウエハの裏面研削方法。
3. 【請求項３】 上記第３工程における６０℃〜９０℃の
   温水の放射位置が、表面保護用粘着テープ（Ａ）の粘着
   剤層と半導体ウエハ表面の界面であることを特徴とする
   請求項１記載の半導体ウエハの裏面研削方法。
4. 【請求項４】 上記表面保護用粘着テープ（Ａ）の粘着
   力Ｐと上記裏面固定用粘着テープ（Ｂ）の粘着力Ｑとの
   間に、Ｐ×２．５≦Ｑなる関係が成立することを特徴と
   する請求項１記載の半導体ウエハの裏面研削方法。