JPH08222535A - 半導体ウエハ表面保護用粘着テープの使用方法 - Google Patents

半導体ウエハ表面保護用粘着テープの使用方法

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JPH08222535A
JPH08222535A JP7028301A JP2830195A JPH08222535A JP H08222535 A JPH08222535 A JP H08222535A JP 7028301 A JP7028301 A JP 7028301A JP 2830195 A JP2830195 A JP 2830195A JP H08222535 A JPH08222535 A JP H08222535A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 半導体ウエハを破損することなく容易に剥離
することができる半導体ウエハ表面保護用粘着テープの
使用方法を提供する。 【構成】 表面張力が35dyne/cm未満、ビカッ
ト軟化点が100℃以上である剥離フィルムの表面に設
けた粘着剤層を、表面張力が35dyne/cm以上で
あり、25℃における収縮率が5%未満であり、且つ5
0〜80℃の温水に浸漬した時の収縮率が5〜50%で
あるエチレン−酢酸ビニル共重合体延伸フィルムの表面
に転着して得られた半導体ウエハ表面保護用粘着テープ
を、該粘着剤層を介して半導体ウエハ表面に貼付して該
半導体ウエハ裏面を研削した後、50〜80℃の温水に
浸漬して剥離することを特徴とする半導体ウエハ表面保
護用粘着テープの使用方法。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハ表面保護
用粘着テープの使用方法に関する。詳しくは、半導体ウ
エハ表面保護用粘着テープを半導体ウエハの表面に貼付
して該半導体ウエハの裏面を研削した後、50〜80℃
の温水に浸漬し、該半導体ウエハの表面から該半導体ウ
エハ表面保護用粘着テープを剥離する方法に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体集積回路(以下、ICという)
は、通常、高純度シリコン単結晶等をスライスして半導
体ウエハとした後、その表面にエッチング加工等の手段
により集積回路を組み込み、その裏面を研削した後、ダ
イシングしてチップ化する方法で製造されている。
【0003】これらの工程の内、半導体ウエハの表面に
ICを組み込んだ後、半導体ウエハを薄くするためにそ
の裏面を研削する工程がある。この工程において、ウエ
ハ表面保護用粘着テープは、半導体ウエハの表面に貼付
して使用されている。このウエハ表面保護用粘着テープ
に要求される性能は、半導体ウエハ裏面を研削する際に
発生するシリコン等の研削屑を洗い流すため、または冷
却するために使用される純水等から半導体ウエハ表面を
保護し、且つ、裏面を研削する際の応力によるウエハの
破損を防ぐことである。
【0004】半導体ウエハ表面保護用粘着テープは、半
導体ウエハ裏面の研削後、不要となるため半導体ウエハ
表面から剥離される。剥離する方法として例えば、特開
平2−28950号公報には、半導体ウエハ表面に貼付
された半導体ウエハ表面保護用粘着テープの基材フィル
ム面に剥離テープと称する強粘着力のテープを貼付け、
該剥離テープを介して剥離する方法が開示されている。
【0005】しかし、近年、半導体チップの小型化が図
られるにつれて、ウエハを薄型化する傾向が進み、従
来、裏面研削後の厚さが250〜400μm程度であっ
たものが、200μm以下となってきている。また、サ
イズについても、径がせいぜい6インチ程度であったも
のが8インチ程度に大型化されてきた。そのため、半導
体ウエハ表面保護用粘着テープの粘着力が、裏面研削後
の薄い半導体ウエハに対して強過ぎて剥離する際に半導
体ウエハが破損するという問題が生じている。
【0006】そこで、剥離性を改善した表面保護用フィ
ルムが提案されている。例えば、特開昭58−1520
84号公報には、少なくとも5%の加熱収縮率を有する
延伸プラスチックフィルムの片面に接着剤層を設けた表
面保護用フィルムが開示されている。該表面保護用フィ
ルムに使用される少なくとも5%の加熱収縮率を有する
延伸プラスチックフィルムとして、ポリ塩化ビニルフィ
ルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィル
ム、ポリエチレンとポリプロピレンとの混合物フィルム
が記載されている。
【0007】しかし、ポリ塩化ビニルフィルムは硬質フ
ィルムの場合には、ショアD型硬度が40を超える固い
フィルムとなり、これを基材フィルムとする表面保護フ
ィルムは、柔軟性が乏しくて、半導体ウエハのように薄
くて脆い薄板の保護用フィルムとしては不適当である。
また、軟質フィルムの場合には、可塑剤等を多量含む。
そのため、経時につれて表面に可塑剤等がブリードアウ
トすることがあるので、これを基材フィルムとする表面
保護フィルムは、半導体ウエハ表面のように僅かな汚染
も許容されない用途には不適当である。
【0008】また、ポリエチレンフィルム、ポリプロピ
レンフィルム等のポリオレフィンフィルムは表面張力が
低いため、これらのフィルムの表面に粘着剤層を設けた
場合、フィルムと粘着剤層との親和性が乏しい。そのた
め、ポリオレフィンフィルムを基材フィルムとする表面
保護フィルムを半導体ウエハ表面に貼付し、剥離する際
に粘着剤層が基材フィルムから脱落し易く、半導体ウエ
ハ表面に残存することがあり、ウエハ表面を汚染する原
因となるのでかかる用途には不適当である。
【0009】また、特開平1−98684号公報には、
熱収縮性を有するプラスチックフィルムの表面に粘着剤
層が設けられたマスキングフィルムが開示されている。
そして、該プラスチックフィルムとして、ポリオレフィ
ン系樹脂フィルム、エチレン−酢酸ビニル共重合体フィ
ルム等が例示されている。しかし、比較的低温(室温〜
100℃)、特に室温でも収縮する性質を有するため、
半導体ウエハ表面に貼付けた後、ウエハ裏面を研削する
まで放置されている間にマスキングフィルムが収縮し、
端部が浮いてしまう可能性がある。このため、ウエハ裏
面研削中にウエハが破損したり、ウエハの研削ムラが生
じたり、ウエハ表面に冷却水が侵入する等のことがあ
る。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】上記問題点に鑑み、本
発明の目的は、薄い半導体ウエハであっても、該半導体
ウエハを破損することなく容易に剥離することができる
半導体ウエハ表面保護用粘着テープの使用方法を提供す
ることにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記目的
を達成するために、鋭意検討した結果、先ず、特定の表
面張力と耐熱性を有する剥離フィルムの表面に粘着剤層
を形成し、次いで、その粘着剤層を、特定の表面張力と
耐収縮性を有する基材フィルムの表面に転着して得られ
た半導体ウエハ表面保護用粘着テープは、50〜80℃
の温水に浸漬することにより容易に裏面の研削が終了し
た半導体ウエハの表面から剥離することを見出し、本発
明を完成した。
【0012】すなわち、本発明は、表面張力が35dy
ne/cm未満、ビカット軟化点が100℃以上である
剥離フィルムの片表面に粘着剤を塗布、乾燥して粘着剤
層を設けた後、該粘着剤層の表面に、表面張力が35d
yne/cm以上であり、25℃における収縮率が5%
未満であり、且つ50〜80℃の温水に浸漬した時の収
縮率が5〜50%であるエチレン−酢酸ビニル共重合体
延伸フィルムを押圧して、該粘着剤層を該エチレン−酢
酸ビニル共重合体延伸フィルム片表面に転着させて得ら
れた半導体ウエハ表面保護用粘着テープを、該粘着剤層
を介して半導体ウエハ表面に貼付して該半導体ウエハ裏
面を研削した後、50〜80℃の温水に浸漬し、該半導
体ウエハ表面から該半導体ウエハ表面保護用粘着テープ
を剥離することを特徴とする半導体ウエハ表面保護用粘
着テープの使用方法である。
【0013】以下、本発明について詳細に説明する。本
発明において、剥離フィルムのビカット軟化点は、JI
S K−7206に規定される方法に準じて測定したも
のである。本発明が適用できる半導体ウエハ表面保護用
粘着テープは、基材フィルムの片表面に粘着剤層が形成
されたものである。保存、輸送等する間、粘着剤層を保
護するため、該粘着剤層の表面に、通常セパレーターと
称する剥離フィルムが貼付されている。
【0014】本発明が適用できる半導体ウエハ表面保護
用粘着テープの製造方法は、先ず、剥離フィルムの片表
面に粘着剤を塗布、乾燥して粘着剤層が形成した後、粘
着剤層を50〜80℃の温水に浸漬した時、収縮率が5
〜50%であるエチレン−酢酸ビニル共重合体フィルム
の表面に転着させる。
【0015】上記剥離フィルムは、本質的には、表面張
力の絶対値が如何なる値であっても基材フィルムよりも
低い表面張力を有するフィルムであればよい。しかし、
粘着剤の塗布性、粘着剤層の密着性、剥離性、転着性等
を総合的に考慮すると、少なくとも粘着剤を塗布する面
の剥離フィルムの表面張力が温度23℃、相対湿度50
%の条件下で35dyne/cm未満であることが好ま
しい。剥離フィルムの表面張力が高いと、粘着剤層の剥
離フィルム表面への塗布性は向上するが、高過ぎると粘
着剤の塗布性、粘着剤層の基材フィルム表面との密着性
等が低下し、均一な厚さを有する粘着剤層を形成するに
難点がある。かかる点を考慮すると35dyne/cm
未満であることが好ましい。
【0016】また、剥離フィルムの耐熱性は、その表面
に塗布された粘着剤の乾燥性に影響する。耐熱性が低い
と粘着剤の乾燥温度を低温とする必要があり、乾燥に長
時間を要し短時間で効率よく乾燥することができない。
また、例えば、乾燥炉内で剥離フィルムが熱収縮を起こ
すことがあり剥離フィルムにしわが発生する等の不具合
が生じ、均一な厚みを有する粘着剤層が形成されないこ
とがある。かかる観点から、剥離フィルムは、所定の耐
熱性を有することが好ましい。耐熱性の判断基準とし
て、100℃以上のビカット軟化点を有することが好ま
し。
【0017】上記条件を満たす限り、剥離フィルムの種
類には特に制限はない。単層フィルムであっても、ま
た、複層フィルムであってもよく、市販品の中から適宜
選択できる。複層フィルムの場合は、少なくとも、粘着
剤層を形成する側のフィルムが上記条件を満たすもので
あることが好ましい。
【0018】具体的な剥離フィルムの例としては、高密
度ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフ
タレート、ポリアミド系樹脂等、またはそれらの混合物
から製造されたフィルムが挙げられる。好ましくは、高
密度ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルムお
よびポリエチレンテレフタレートフィルム等が挙げられ
る。さらに好ましくはポリプロピレンフィルムである。
【0019】これらのフィルムの製造方法には特に制限
はなく、押出成形法、カレンダー成形法等公知の方法で
製造されたもので差支えなく、また、成形温度は、原料
樹脂のガラス転移点または軟化点以上、分解温度未満の
温度であれば差支えない。
【0020】また、粘着剤層の剥離フィルムからの剥離
応力を小さくする目的で、剥離フィルムの粘着剤を塗布
する表面に粘着剤層を汚染しない範囲において、シリコ
ン系等の剥離剤を塗布しても差し支えない。剥離フィル
ムの厚さは、乾燥条件、粘着剤層の種類および厚さ、ま
たは半導体ウエハ表面保護用粘着テープの加工条件、加
工方法等により異なるが、通常10〜2000μmであ
る。
【0021】本発明が適用できる半導体ウエハ表面保護
用粘着テープを構成する基材フィルムは、50〜80℃
の温水に浸漬した時、収縮率が5〜50%であるエチレ
ン−酢酸ビニル共重合体(以下、EVAという)であ
る。
【0022】基材フィルムの厚さは、保護する半導体ウ
エハの形状、表面状態、研磨の方法、研磨条件あるいは
ウエハ表面保護用テープの切断、貼付等の作業性により
適宜決められるが、通常10〜500μmである。
【0023】基材フィルムの延伸倍率は、半導体ウエハ
裏面の研削の後、半導体ウエハ表面から剥離する際の剥
離性、作業性等に影響を及ぼす。延伸倍率が低いと半導
体ウエハ表面から剥離する際に加熱した場合、基材フィ
ルムの収縮が充分に起こらず、剥離性、作業性等が低下
する。かかる点を考慮すると、延伸倍率は、1.2倍以
上、好ましくは1.5倍以上である。また、基材フィル
ムの平板性や厚さバラツキ等に問題がなければ、延伸倍
率を高くすることはかまわないが、延伸時のフィルム破
れ、25℃での収縮率等を考慮すると、延伸倍率の上限
は5倍程度である。好ましくは3倍である。また、基材
フィルムの延伸方向は、フィルムの縦方向または横方向
に延伸する一軸延伸、またはフィルムの縦方向および横
方向に延伸する二軸延伸のいずれでもよい。
【0024】本発明が適用し得る半導体ウエハ表面保護
用粘着テープの基材フィルムの、少なくとも粘着剤を積
層しようとする面の表面張力は、剥離フィルムの粘着剤
層が形成される側の面の表面張力より高いことが必要で
ある。
【0025】基材フィルムは、本質的には、表面張力の
絶対値が如何なる値であっても剥離フィルムの表面張力
よりも高い表面張力を有するフィルムであれば用いるこ
とができる。剥離フィルムからの転着性、転着後の粘着
剤層の密着性等を考慮すると、35dyne/cm以上
の表面張力を有する延伸フィルムであることを基準とし
て選定することが好ましい。表面張力が低いと粘着剤層
と基材フィルムとの密着性が低下し、粘着剤層の剥離フ
ィルムからの転着が良好に行えない。基材フィルムの表
面張力を高くする方法としては、コロナ放電処理等が挙
げられる。
【0026】上記基材フィルムの製造方法には特に制限
はなく、押出成形法、カレンダー成形法等公知の方法で
製造されたもので差支えない。成形温度は、原料樹脂の
ガラス転移点または軟化点以上、分解温度未満の温度で
差支えない。
【0027】また、その延伸方法にも特別な制限はな
く、ロール圧延法、ロール延伸法等による縦一軸延伸
法、テンター機を用いる縦横逐次二軸延伸法、テンター
機を用いる縦横同時二軸延伸法等、公知の延伸方法で差
支えない。また、その延伸温度は、50〜70℃である
ことが好ましい。
【0028】上記のようにして延伸された基材フィルム
は、延伸された後、空冷または水冷等により少なくとも
室温またはその近傍の温度まで冷却され賦形される。延
伸された後、熱処理等を行うと半導体ウエハ表面保護用
粘着テープとして使用し、半導体ウエハ表面から剥離す
る際に、半導体ウエハ表面保護用テープが充分に収縮し
ない。結果として、半導体ウエハ表面保護用テープの剥
離性が低下する。そのため、延伸された基材フィルム
は、熱処理を施してないものが好ましい。
【0029】また、EVAフィルムの硬度は、エチレン
と酢酸ビニルの組成により変わるが、ASTM−D−2
240に既定されたショアD型硬度が50以下、好まし
くは40以下であるものが好ましい。かかる硬度を有す
るEVAフィルムは適度の柔軟性を有し、半導体ウエハ
の裏面研削時にその応力を吸収し、研削応力による半導
体ウエハの破損を防止し得る点で好ましい。
【0030】粘着剤の組成は、特に制限はなく、市販品
の中から適宜選択できるが、粘着性、塗布性、ウエハ表
面の非汚染性等の点からアクリル系水エマルジョン型粘
着剤が好ましい。このようなアクリル系水エマルジョン
型粘着剤として、アクリル酸アルキルエステルモノマー
およびカルボキシル基を有するモノマーを含むモノマー
混合物を水媒体中で乳化重合して得られるものである。
更に、必要に応じてそれらと共重合可能なビニルモノマ
ー、多官能性モノマー、内部架橋性モノマー等を混合し
たモノマー混合物を乳化共重合して得られるものである
ことが好ましい。
【0031】アクリル酸アルキルエステルモノマーとし
て、例えば、メチルアクリレート、メチルメタクリレー
ト、エチルアクリレート、エチルメタクリレート、プロ
ピルアクリレート、プロピルメタクリレート、ブチルア
クリレート、ブチルメタクリレート、ヘキシルアクリレ
ート、ヘキシルメタクリレート、オクチルアクリレー
ト、オクチルメタクリレート、ノニルアクリレート、ノ
ニルメタクリレート、ドデシルアクリレート、ドデシル
メタクリレート等が挙げられ、これらのモノマーの側鎖
アルキル基は直鎖状でも分岐状でも良い。また、上記の
アクリル酸アルキルエステルモノマーは目的に応じて二
種以上併用しても良い。
【0032】カルボキシル基を有するモノマーとして
は、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、
イタコン酸、マレイン酸、フマル酸等が挙げられる。
【0033】アクリル酸アルキルエステルモノマーおよ
びカルボキシル基を有するモノマーと共重合可能なビニ
ルモノマーとしては、例えば、ヒドロキシエチルアクリ
レート、ヒドロキシメタクリレート、ヒドロキシプロピ
ルアクリレート、ヒドロキシプロピルメタアクリレー
ト、アクリルアミド、メタクリルアミド、ジメチルアミ
ノアクリレート、ジメチルアモノメタクリレート、酢酸
ビニル、スチレン、アクリロニトリル等が挙げられる。
【0034】また、粘着剤には必要に応じて、ウエハ表
面を汚染しない程度に、界面活性剤、有機溶剤、架橋剤
等を添加することも可能である。半導体ウエハ表面の汚
染防止、腐蝕防止等を考慮すると、添加する界面活性剤
はノニオン性のものが好ましい。ノニオン性界面活性剤
として、ポリオキシエチレンオクチルフェニルエーテ
ル、ポリオキシエチレンニノニルフェニルエーテル、ポ
リオキシエチレンラウリルエーテル等が挙げられる。
【0035】剥離フィルムまたは基材フィルムの片表面
に設ける粘着剤層の厚さは、半導体ウエハ表面の表面状
態により適宜決められるが、通常1〜100μm程度で
ある。剥離フィルムに粘着剤を塗布する方法には、特に
制限がなく公知の方法が適用される。例えば、リバース
ロールコーター、グラビヤコーター、バーコーター、ダ
イコーター、コンマコーター等を用いる公知の塗布方法
が例示される。粘着剤を塗布した後は、乾燥炉で粘着剤
層を乾燥する。乾燥条件として、60〜250℃におい
て0.1〜20分間乾燥する方法が挙げられる。好まし
くは90〜180℃において0.4〜4分間である。
【0036】上記のようにして剥離フィルムの表面に粘
着剤層を形成した後、該粘着剤層の表面に上記基材フィ
ルムを積層し、押圧して粘着剤層を基材フィルムの表面
に転着する。転着する方法は、公知の方法で差しつかえ
ない。例えば、剥離フィルムの表面に形成された粘着剤
層の表面に基材フィルムを重ねて、それらをニップロー
ルに通引して押圧する方法等が挙げられる。粘着剤層の
表面から剥離フィルムを剥離するのは、半導体ウエハ表
面保護用粘着テープとして使用する直前が好ましい。
【0037】こうして得られる半導体ウエハ表面保護用
粘着テープは、ロール状巻体とするか、または、所定の
形状に切断した後、保管、輸送等に供される。
【0038】次いで、半導体ウエハ表面保護用粘着テー
プの使用方法について詳細に説明する。半導体ウエハ表
面保護用粘着テープは、その粘着剤層を介してICが形
成された半導体ウエハ表面に貼付される。そして、半導
体ウエハは、半導体ウエハ表面保護用粘着テープムの基
材フィルム層を介して研削機のチャックテーブル等に固
定される。次いで、研削機により半導体ウエハの裏面
(ICが形成されていない側の面)が所定の厚さまで研
削される。研削の際に、研削面に研磨材、冷却水等が噴
霧されることが一般的である。研削が終了した後、研削
面に純水等を噴霧する等して研削材、研削屑等を除去し
た後、50〜80℃の温水に浸漬さし、半導体ウエハ表
面から半導体ウエハ表面保護用粘着テープが剥離され
る。
【0039】半導体ウエハ表面保護用粘着テープが半導
体ウエハ表面から剥離される際の温水の温度は、表面保
護用粘着テープの剥離性に影響を及ぼし、温水の温度が
低いと基材フィルムの収縮が充分に起こらず、剥離性が
よくならないので好ましくない。また、温水の温度が高
いと、温水の温度を上げるためのエネルギーが多く必要
となったり、火傷の作業性においても好ましくない。温
水の温度は、基材フィルムの延伸倍率、半導体ウエハ表
面保護用テープの粘着力等によって適宜選択し得るが、
上記点を考慮すると50〜80℃の温度範囲であること
が好ましい。
【0040】浸漬時間についても半導体ウエハ表面から
の剥離性に影響を及ぼす。浸漬時間は、基材フィルムの
延伸倍率、および温水の温度によって異なるが、作業性
等を考慮すると1〜60秒間、好ましくは5〜30秒間
である。
【0041】
【実施例】以下、実施例を示し、本発明をさらに具体的
に説明するが、本発明はこれらの実施例のみに限定され
るものではない。尚、実施例に示した粘着力は下記方法
により測定した。 (1)粘着力の測定方法 SUS304板に、半導体ウエハ表面保護用粘着テープ
をその粘着剤層を介して貼付し、23℃×50%R.H
の雰囲気中に1時間放置した後、JIS Z−0237
に規定される方法に準じて、180°剥離応力を測定
し、25mm巾の値に換算したものを粘着力とする。
【0042】実施例1 Tダイ押出法にて製膜された厚さ50μm、ビカット軟
化点147℃、片表面の表面張力が30dyne/cm
であるポリプロピレンフィルムを剥離フィルムとして用
い、ロールコーター法により該剥離フィルムの該片表面
にアクリル系樹脂水エマルジョン型粘着剤(三井東圧化
学(株)製、商品名;ストラクトボンドX−5078)
を塗布し、100℃において60秒間乾燥し、剥離フィ
ルムの表面に厚さ10μmのアクリル系粘着剤層を設け
た。Tダイ押出法により製膜された未延伸エチレン−酢
酸ビニル共重合体(以下、EVAという)フィルムを6
0℃において縦方向に1.5倍延伸し、厚さ120μm
の一軸延伸EVAフィルムとした。該一軸延伸EVAフ
ィルムの片面にコロナ放電処理を施し、表面張力を42
dyne/cmとし、これを基材フィルムとして用い
た。剥離フィルムの表面に設けられたアクリル系粘着剤
層の表面に基材フィルムのコロナ放電処理面を重ね合わ
せて積層し、2Kg/cmの圧力で押圧し、該粘着
剤層を基材フィルムの表面に転着させて半導体ウエハ表
面保護用粘着テープを得た。得られた半導体ウエハ表面
保護用粘着テープを径4インチのミラーウエハの表面に
貼付し、80℃の温水に5秒間浸漬し、半導体ウエハ表
面保護用テープを剥離したところ全て自然に剥離した。
【0043】実施例2 Tダイ押出法により製膜された未延伸EVAフィルムの
延伸倍率を2.5倍とし、厚さ120μmの延伸フィル
ムとした以外、実施例1と同様の方法で半導体ウエハ表
面保護用粘着テープを得た。得られた半導体ウエハ表面
保護用粘着テープを径4インチのミラーウエハの表面に
貼付し、80℃の温水に5秒間浸漬した後、半導体ウエ
ハ表面保護用粘着テープを剥離したところ全て自然に剥
離した。
【0044】実施例3 Tダイ押出法により製膜された未延伸EVAフィルムの
延伸倍率を1.2倍とし、厚さ120μmの延伸フィル
ムとした以外、実施例1と同様の方法で半導体ウエハ表
面保護用粘着テープを得た。得られた半導体ウエハ表面
保護用粘着テープを径4インチのミラーウエハの表面に
貼付し、50℃の温水に30秒間浸漬した後、半導体ウ
エハ固定用フィルムを剥離したところ全て自然に剥離し
た。
【0045】実施例4 Tダイ押出法にて製膜した厚さ50μm、ビカット軟化
点175℃、片表面の表面張力が31dyne/cmで
あるポリエチレレンテレフタレートフィルムを剥離フィ
ルムとして用い、ロールコーター法により該剥離フィル
ムの該片表面にアクリル系樹脂水エマルジョン型粘着剤
(三井東圧化学(株)製、商品名;ストラクトボンドX
−5078)を塗布し、120℃において60秒間乾燥
し、剥離フィルムの表面に厚さ10μmのアクリル系粘
着剤層を設けた。Tダイ押出法により製膜された未延伸
EVAフィルムを60℃において横方向に2.0倍延伸
し、厚さ120μmである一軸延伸EVAフィルムとし
た。該一軸延伸EVAフィルムの片面にコロナ放電処理
を施し、表面張力を36dyne/cmとし、これを基
材フィルムとして用いた。剥離フィルムの表面に設けら
れたアクリル系粘着剤層の表面に基材フィルムのコロナ
放電処理面を重ね合わせて積層し、2Kg/cm2の圧
力で押圧し、該粘着剤層を基材フィルムの表面に転着さ
せて半導体ウエハ表面保護用粘着テープを得た。得られ
た半導体ウエハ表面保護用粘着テープを径4インチのミ
ラーウエハの表面に貼付し、60℃の温水に10秒間浸
漬した後、半導体ウエハ表面保護用粘着テープを剥離し
たところ全て自然に剥離した。
【0046】
【表1】
【0047】比較例1 基材フィルムの延伸倍率を縦方向に1.1倍とした以
外、実施例1と同様にして半導体ウエハ表面保護用粘着
テープを得た。得られた半導体ウエハ表面保護用粘着テ
ープを径4インチのミラーウエハの表面に貼付し、60
℃の温水に60秒間浸漬した後、半導体ウエハ表面保護
用粘着テープを剥離したところ、ミラーウエハ周辺部は
剥離したが、それ以外の部分は剥離しなかった。
【0048】比較例2 基材フィルムとして厚さ120μmの未延伸EVAフィ
ルムを用いた以外、実施例1と同様にして半導体ウエハ
表面保護用粘着テープを得た。得られた半導体ウエハ表
面保護用粘着テープを径4インチのミラーウエハの表面
に貼付し、80℃の温水に60秒間浸漬した後、半導体
ウエハ表面保護用粘着テープを剥離したところ、ミラー
ウエハ周辺部は剥離したが、それ以外の部分は剥離しな
かった。
【0049】比較例3 基材フィルムの延伸倍率を縦方向に6.0倍とした以
外、実施例1と同様にして半導体ウエハ表面保護用粘着
テープを得た。得られた半導体ウエハ表面保護用粘着テ
ープを径4インチのミラーウエハの表面に貼付した。2
5℃で24時間放置している間にウエハ端部から半導体
ウエハ表面保護用粘着テープの浮きが生じた。
【0050】比較例4 実施例1で用いたものと同様の基材フィルムの片面にコ
ロナ放電処理を施し、表面張力を42dyne/cmと
し、基材フィルムとして用いた。基材フィルムの該処理
面にアクリル系水エマルジョン型粘着剤(三井東圧化学
(株)製、商品名;ストラクトボンドX−5078)を
リバースロールコーター機を用いて塗布し、60℃にお
いて600秒間乾燥した。しかし、基材フィルムが収縮
したため、平板性の良好な半導体ウエハ表面保護用粘着
テープを得ることができなかった。
【0051】
【表2】
【0052】
【発明の効果】本発明によれば、裏面研削が終了した
後、表面に半導体ウエハ表面保護用粘着テープが貼付さ
れている半導体ウエハを、50〜80℃の温水に浸漬す
ることにより、薄い半導体ウエハであってもその表面か
ら極めて容易に半導体ウエハ表面保護用粘着テープを剥
離することができる。また、温水に浸漬して剥離する方
法では、半導体ウエハ表面の水による洗浄と同時に行う
ことができ、工程を煩雑化することなしに実施できる利
点もある。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 B32B 27/00 B32B 27/00 M 27/28 101 27/28 101 C09J 5/00 JHB C09J 5/00 JHB 7/02 JHR 7/02 JHR JKZ JKZ JLF JLF H01L 21/02 H01L 21/02 C (72)発明者 平井 健太郎 愛知県名古屋市南区丹後通2丁目1番地 三井東圧化学株式会社内

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 表面張力が35dyne/cm未満、ビ
    カット軟化点が100℃以上である剥離フィルムの片表
    面に粘着剤を塗布、乾燥して粘着剤層を設けた後、該粘
    着剤層の表面に、表面張力が35dyne/cm以上で
    あり、25℃における収縮率が5%未満であり、且つ5
    0〜80℃の温水に浸漬した時の収縮率が5〜50%で
    あるエチレン−酢酸ビニル共重合体延伸フィルムを押圧
    して、該粘着剤層を該エチレン−酢酸ビニル共重合体延
    伸フィルム片表面に転着させて得られた半導体ウエハ表
    面保護用粘着テープを、該粘着剤層を介して半導体ウエ
    ハ表面に貼付して該半導体ウエハ裏面を研削した後、5
    0〜80℃の温水に浸漬し、該半導体ウエハ表面から該
    半導体ウエハ表面保護用粘着テープを剥離することを特
    徴とする半導体ウエハ表面保護用粘着テープの使用方
    法。
  2. 【請求項2】 エチレン−酢酸ビニル共重合体延伸フィ
    ルムの延伸倍率が1.2〜5倍である請求項1記載の半
    導体ウエハ表面保護用粘着テープの使用方法。
  3. 【請求項3】 エチレン−酢酸ビニル共重合体延伸フィ
    ルムが、延伸後熱処理されていないものである請求項1
    記載の半導体ウエハ表面保護用粘着テープの使用方法。
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