JP2003338535A - 半導体ウェハ表面保護用粘着フィルム及び該粘着フィルムを用いる半導体ウェハ保護方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体ウェハが厚み1００μｍ以下に薄層化
され、且つダイボンディング工程において高温に晒され
た場合であっても、半導体ウェハの反りを矯正し、ウェ
ハの搬送不良、破損などを防止し得る半導体ウェハ表面
保護用粘着フィルムを提供する。 【解決手段】 基材フィルムの片表面に粘着剤層が形成
された半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムであって、
基材フィルムが、下記数式（１） ｜Ｅ×Ｄ×Ｌ｜＜１５ ・・・（１） ｛数式（１）において、Ｅは２３℃における貯蔵弾性率
（単位：ＧＰａ）、Ｄは厚み（単位：μｍ）、Ｌは１８
０℃において２分間加熱したときのＭＤ方向の収縮率
（単位：％）｝で表される関係を満たし、且つ厚みが２
０〜３００μｍである層を少なくとも１層含む半導体ウ
ェハ表面保護用粘着フィルム。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェハ表面
保護用粘着フィルム、及び該粘着フィルムを用いる半導
体ウェハ保護方法に関する。詳しくは、半導体ウェハを
薄層化加工する工程における半導体ウェハの反り矯正、
及び破損防止に有用で、生産性の向上を図り得る半導体
ウェハ表面保護用粘着フィルム、及び該粘着フィルムを
用いる半導体ウェハ保護方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体ウェハを加工する工程は、半導体
ウェハの回路形成面に半導体ウェハ表面保護用粘着フィ
ルムを貼着する工程、半導体ウェハの回路非形成面を加
工する工程、半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムを剥
離する工程、半導体ウェハを分割切断するダイシング工
程、分割された半導体チップをリードフレームへ接合す
るダイボンディング工程を経た後、半導体チップを外部
保護の為に樹脂で封止するモールド工程、等により構成
されている。

【０００３】従来、ダイボンディング工程では、リード
フレーム上にダイボンディング材料である樹脂ペースト
を供給し、その上に半導体チップを載せて接着する方法
が最も多く用いられている。しかし、樹脂ペーストを用
いた場合、リードフレーム上に均一に塗布することが困
難である為、接着層の硬化時にボイドが発生したり、チ
ップクラックが生じる等の問題がある。

【０００４】ダイボンディング材料である樹脂ペースト
の欠点である不均一な塗布性を改善すること、及び工程
全般の合理化を目的として、特開平６−３０２６２９号
公報には、ダイボンディング工程において、ダイボンデ
ィング用接着フィルムを用いる方法が開示されている。
この方法は、半導体ウェハの回路非形成面にダイボンデ
ィング用接着フィルムを貼着する工程、ダイボンディン
グ用接着フィルムを貼着した状態の半導体ウェハをダイ
シングテープに固着した後、分割切断するダイシング工
程、及びダイシングテープを剥離する工程を経た後、半
導体チップをリードフレームにダイボンディングする工
程を実施する方法である。

【０００５】しかしながら、この方法は、半導体ウェハ
の回路非形成面を加工して、半導体ウェハを更に薄くし
た場合、特に１００μｍ以下にした場合には、半導体ウ
ェハ表面保護用粘着フィルムが貼着していない状態で
は、ダイボンディング用接着フィルムを貼着する際に、
ロールの圧力、ウェハを薄層化した為に生じたウェハの
反り等により半導体ウェハが破損する等の重大な問題が
発生する。

【０００６】近年益々、半導体チップの薄層化の要求が
高まっており、厚みが３０〜１００μｍ程度のチップも
望まれている。従って、このように薄層化された半導体
ウェハであっても破損することなく、ダイボンディング
用粘着フィルムを貼着できる半導体ウェハの保護方法が
望まれている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
問題に鑑み、半導体ウェハが厚み１００μｍ以下程度に
薄層化され、且つ、ダイボンディング工程において高温
に晒された場合であっても、半導体ウェハの反りを矯正
し、ダイボンディング工程におけるウェハの搬送不良、
破損などを防止し得る半導体ウェハ表面保護用粘着フィ
ルム、及び該粘着フィルムを用いる半導体ウェハの保護
方法を提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明者らは鋭意検討し
た結果、半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムの基材フ
ィルムに着目し、その貯蔵弾性率、高温での収縮率、及
び厚みの３特性の積の絶対値が特定値未満である基材フ
ィルムを用いることにより、上記課題が解決できること
を見出し、本発明に到った。

【０００９】すなわち、本発明は、基材フィルムの片表
面に粘着剤層が形成された半導体ウェハ表面保護用粘着
フィルムであって、基材フィルムが、下記数式（１） ｜Ｅ×Ｄ×Ｌ｜＜１５ ・・・（１） ｛数式（１）において、Ｅは２３℃における貯蔵弾性率
（単位：ＧＰａ）、Ｄは厚み（単位：μｍ）、Ｌは１８
０℃において２分間加熱したときの機械方向の収縮率
（単位：％）｝で表される関係を満たし、且つ、厚みが
２０〜３００μｍである層を少なくとも１層含むことを
特徴とする半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムであ
る。

【００１０】また、本発明の他の発明は、半導体ウェハ
の回路形成面に半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムを
貼着する第一工程、半導体ウェハの回路非形成面を加工
する第二工程、及び半導体ウェハの回路非形成面にダイ
ボンティング用接着フィルムを貼着する第三工程を含む
工程における半導体ウェハ保護方法であって、半導体ウ
ェハ表面保護用粘着フィルムを剥離することなしに第三
工程を実施し、且つ、半導体ウェハ表面保護用粘着フィ
ルムとして、前記半導体ウェハ表面保護用粘着フィルム
を用いることを特徴とする半導体ウェハ保護方法であ
る。

【００１１】本発明によれば、厚みが１００μｍ以下に
薄層化され、且つ、ダイボンディング工程において高温
に晒された場合であっても、上記一連の工程における半
導体ウェハの反りを矯正し、ダイボンディング工程にお
けるウェハの搬送不良、破損などを防止できる。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下、本発明について詳細に説明
する。先ず、本発明に係わる半導体ウェハ表面保護用粘
着フィルムについて説明する。本発明に係わる半導体ウ
ェハ表面保護用粘着フィルムは、基材フィルムの片表面
に粘着剤層を形成することにより製造される。通常、粘
着剤層を保護するために、粘着剤層の表面に剥離フィル
ムが貼着される。剥離フィルムを剥離したときに露出す
る粘着剤層の表面を介して半導体ウェハ表面に貼着する
ことを考慮し、粘着剤層による半導体ウェハ表面の汚染
防止を図るためには、剥離フィルムの片面に、粘着剤塗
布液を塗布、乾燥して粘着剤層を形成した後、得られた
粘着剤層を基材フィルムの片面に転写する方法が好まし
い。

【００１３】基材フィルムは、上記数式（１）の関係を
満たし、且つ、厚みが２０〜３００μｍである層を少な
くとも１層（以下、この層を耐熱基材フィルム層とい
う）含むように形成する。具体的には、２３℃における
貯蔵弾性率（Ｅ、単位：ＧＰａ）、厚み（Ｄ、単位：μ
ｍ）、及び１８０℃において２分間加熱したときの機械
方向の収縮率（Ｌ、単位：％）の積の絶対値が１５未満
であり、且つ、厚みが２０〜３００μｍである層を少な
くとも１層含む基材フィルムを用いる。基材フィルム全
体の厚みは５０〜３５０μｍであることが好ましい。好
ましくは、上記特性が下記数式（２）の関係を満たし、
且つ、厚みが２０〜３００μｍである層を少なくとも１
層含むように形成する。 ｜Ｅ×Ｄ×Ｌ｜＜１０ ・・・（２） 上記数式（１）及び（２）は、基材フィルムのが収縮す
る際に生じる収縮力を表す数式である。収縮率
[（Ｌ）、単位：％]は１８０℃で２分間加熱した前後の
歪みを百分率（パーセント）で表したものであり、収縮
を正、膨張を負で表す。Ｅ、Ｄ、及びＬの３者の積は、
基材フィルムの収縮により発生する応力を表している。
好ましくは、上記数式（１）の関係を満たし、且つ、２
３〜２００℃における貯蔵弾性率が１×１０⁷〜１×１
０¹⁰Ｐａ、１８０℃において２分間加熱したときの機械
方向の収縮率が０．０１〜１％である層を少なくとも１
層含む基材フィルムである。

【００１４】耐熱基材フィルム層の少なくとも１層の２
３〜２００℃における貯蔵弾性率が１×１０⁷Ｐａ未満
である場合は、ダイボンディング用接着フィルムの貼着
工程において、表面保護用粘着フィルムに熱により、チ
ャックテーブルに接している耐熱基材フィルム層が融解
し、チャックテーブルからアームによる搬送に問題が生
じることがある。また、薄層化した半導体ウェハの反り
が原因で、ダイボンディング用接着フィルム貼着時のウ
ェハ破損、チャックテーブルからアームによる搬送時の
吸着不良などの問題が生じてしまうこともある。

【００１５】かかる耐熱基材フィルム層を形成する樹脂
として、シリコーンゴムが挙げられる。シリコーンゴム
の代表的市販品として、三菱樹脂（株）製、商品名：珪
樹が挙げられる。本発明に用いるシリコーンゴムは、ケ
イ素と酸素からなる無機質のシロキサン結合を骨格と
し、そのケイ素原子に直結するメチル基などの有機基格
を有する合成高分子である。シリコーンゴムの性能は主
鎖のシロキサン結合によるものと、化学構造に起因して
いるものとに区分される。シロキサン結合の特性として
は、耐熱性、耐候性、難焼性、誘電特性、耐放射線性、
耐アーク性、耐コロナ性、電気絶縁性、耐紫外線性があ
る。化学構造に起因する特性は、撥水性、消泡性、離型
性、接着性、耐寒性、粘度温度特性、圧縮特性、泡沫安
定性、ガラス透過性がある。

【００１６】本発明に係わる半導体ウェハ表面保護用粘
着フィルムの粘着剤層を形成する粘着剤は、ダイボンデ
ィング用接着フィルム貼着時の温度条件下、例えば１５
０℃程度の温度でも、粘着剤として充分機能するもので
あることが好ましい。具体的には、アクリル系粘着剤、
シリコン系粘着剤等が例示される。粘着剤層の厚みは３
〜１００μｍであることが好ましい。粘着剤層は、半導
体ウェハ表面保護用粘着フィルムをウェハの回路形成面
（以下、表面という）から剥離した後、半導体ウェハの
表面に糊残りなどによる汚染が生じないことが好まし
い。

【００１７】粘着剤層は、特に、ダイボンディング用接
着フィルムを加熱貼着するダイボンディング工程におい
て１５０℃程度の高温に曝された際に、粘着力が大きく
なり過ぎないように、また、半導体ウェハ表面の汚染が
増加しないように、反応性官能基を有する架橋剤、過酸
化物、放射線等により高密度に架橋されたものであるこ
とが好ましい。更に、ダイボンディング用接着フィルム
を貼着する際に、温度１５０℃以上の条件下で加熱処理
された場合であっても、粘着力が上昇して剥離不良を起
こさないこと、及び糊残りが発生しないことが好まし
い。その為、粘着剤層は、１５０℃における貯蔵弾性率
が少なくとも１×１０⁵Ｐａであることが好ましい。貯
蔵弾性率は、高ければ高いほどよいが、通常、その上限
は１×１０ ⁸Ｐａ程度である。

【００１８】上記特性を有する粘着剤層を形成する方法
として、アクリル系粘着剤を用いる方法を例示する。粘
着剤層は、（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマ
ー単位、架橋剤と反応し得る官能基を有するモノマー単
位、２官能性モノマー単位をそれぞれ特定量含む乳化重
合共重合体であるアクリル系粘着剤、並びに、凝集力を
上げたり粘着力を調整するための、官能基を１分子中に
２個以上有する架橋剤を含む溶液またはエマルション液
を用いることにより形成される。溶液で使用する場合
は、乳化重合で得られたエマルション液からアクリル系
粘着剤を塩析等で分離した後、溶剤等で再溶解して使用
する。アクリル系粘着剤は、分子量が充分に大きく、溶
剤への溶解性が低く、若しくは溶解しない場合が多いの
で、コスト的な観点から鑑みても、エマルション液のま
ま使用することが好ましい。

【００１９】本発明に用いるアクリル系粘着剤として
は、アクリル酸アルキルエステル、メタクリル酸アルキ
ルエステル、又はこれらの混合物を主モノマー〔以下、
モノマー（Ａ）〕として、架橋剤と反応し得る官能基を
有するコモノマーを含むモノマー混合物を共重合して得
られたものが挙げられる。

【００２０】モノマー（Ａ）としては、炭素数１〜１２
程度のアルキル基を有するアクリル酸アルキルエステ
ル、又はメタクリル酸アルキルエステル〔以下、これら
の総称して（メタ）アクリル酸アルキルエステルとい
う〕が挙げられる。好ましくは、炭素数１〜８のアルキ
ル基を有する（メタ）アクリル酸アルキルエステルであ
る。具体的には、アクリル酸メチル、メタクリル酸メチ
ル、アクリル酸エチル、メタクリル酸エチル、アクリル
酸ブチル、メタクリル酸ブチル、アクリル酸−２−エチ
ルヘキシル等が挙げられる。これらは単独で使用して
も、また、２種以上を混合して使用してもよい。モノマ
ー（Ａ）の使用量は粘着剤の原料となる全モノマーの総
量中に、通常、１０〜９８．９重量％の範囲で含ませる
ことが好ましい。更に好ましくは８５〜９５重量％であ
る。モノマー（Ａ）の使用量をかかる範囲とすることに
より、（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマー単
位（Ａ）１０〜９８．９重量％、好ましくは８５〜９５
重量％を含むポリマーが得られる。

【００２１】架橋剤と反応し得る官能基を有するモノマ
ー単位（Ｂ）を形成するモノマー（Ｂ）としては、アク
リル酸、メタクリル酸、イタコン酸、メサコン酸、シト
ラコン酸、フマル酸、マレイン酸、イタコン酸モノアル
キルエステル、メサコン酸モノアルキルエステル、シト
ラコン酸モノアルキルエステル、フマル酸モノアルキル
エステル、マレイン酸モノアルキルエステル、アクリル
酸グリシジル、メタクリル酸グリシジル、アクリル酸−
２−ヒドロキシエチル、メタクリル酸−２−ヒドロキシ
エチル、アクリルアミド、メタクリルアミド、ターシャ
ル−ブチルアミノエチルアクリレート、ターシャル−ブ
チルアミノエチルメタクリレート等が挙げられる。好ま
しくは、アクリル酸、メタクリル酸、アクリル酸−２−
ヒドロキシエチル、メタクリル酸−２−ヒドロキシエチ
ル、アクリルアミド、メタクリルアミド等である。これ
らの一種を上記主モノマーと共重合させてもよいし、ま
た２種以上を共重合させてもよい。架橋剤と反応し得る
官能基を有するモノマー（Ｂ）の使用量は、粘着剤の原
料となる全モノマーの総量中に、通常、１〜４０重量％
の範囲で含まれていることが好ましい。更に好ましく
は、１〜１０重量％である。而して、モノマー組成とほ
ぼ等しい組成の構成単位（Ｂ）を有するポリマーが得ら
れる。

【００２２】更に、粘着剤層は、半導体ウェハの裏面加
工、及びダイボンディング用接着フィルムの貼着時等に
おける温度条件下でも、粘着剤として充分機能するよう
に、粘着力や剥離性を調整することが好ましい。その方
策として、エマルション粒子の凝集力を維持する為に粒
子バルクの架橋方式も考慮することが好ましい。

【００２３】エマルション粒子に対しては、１５０〜２
００℃の温度条件下でも１×１０⁵Ｐａ以上を有する為
に、２官能モノマー（Ｃ）を共重合することによって凝
集力を維持するよう架橋方式を改良することが好まし
い。良好に共重合するモノマーとして、メタクリル酸ア
リル、アクリル酸アリル、ジビニルベンゼン、メタクリ
ル酸ビニル、アクリル酸ビニルや、例えば、両末端がジ
アクリレートまたはジメタクリレートで主鎖の構造がプ
ロピレングリコール型〔日本油脂（株）製、商品名；Ｐ
ＤＰ−２００、同ＰＤＰ−４００、同ＡＤＰ−２００、
同ＡＤＰ-４００〕、テトラメチレングリコール型〔日
本油脂（株）製、商品名；ＡＤＴ‐２５０、同ＡＤＴ‐
８５０〕及びこれらの混合型〔日本油脂（株）製、商品
名：ＡＤＥＴ‐１８００、同ＡＤＰＴ−４０００〕であ
るもの等が挙げられる。２官能モノマー（Ｃ）を乳化共
重合する場合、その使用量は、全モノマー中に０．１〜
３０重量％含むことが好ましい。更に好ましくは０．１
〜５重量％である。而して、モノマー組成とほぼ等しい
組成の構成単位（Ｃ）を有するポリマーが得られる。

【００２４】上記粘着剤を構成する主モノマー、及び架
橋剤と反応し得る官能基を有するコモノマーの他に、界
面活性剤としての性質を有する特定のコモノマー（以
下、重合性界面活性剤と称する）を共重合してもよい。
重合性界面活性剤は、主モノマー及びコモノマーと共重
合する性質を有すると共に、乳化重合する場合には乳化
剤としての作用を有する。重合性界面活性剤を用いて乳
化重合したアクリル系粘着剤を用いた場合には、通常、
界面活性剤による半導体ウェハ表面に対する汚染が生じ
ない。また、粘着剤層に起因する僅かな汚染が生じた場
合においても、半導体ウェハ表面を水洗することにより
容易に除去することが可能となる。

【００２５】このような重合性界面活性剤の例として
は、例えば、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテ
ルのベンゼン環に重合性の１−プロペニル基を導入した
もの〔第一工業製薬（株）製；商品名：アクアロンＲＮ
−１０、同ＲＮ−２０、同ＲＮ−３０、同ＲＮ−５０
等〕、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテルの硫
酸エステルのアンモニウム塩のベンゼン環に重合性の１
−プロペニル基を導入したもの〔第一工業製薬（株）
製；商品名：アクアロンＨＳ−１０、同ＨＳ−２０
等〕、及び分子内に重合性二重結合を持つ、スルホコハ
ク酸ジエステル系〔花王（株）製；商品名：ラテムルＳ
−１２０Ａ、同Ｓ−１８０Ａ等〕等が挙げられる。更に
必要に応じて、酢酸ビニル、アクリロニトリル、スチレ
ン等の重合性２重結合を有するモノマーを共重合しても
よい。

【００２６】アクリル系粘着剤の重合反応機構として
は、ラジカル重合、アニオン重合、カチオン重合等が挙
げられる。粘着剤の製造コスト、モノマーの官能基の影
響及び半導体ウェハ表面へのイオンの影響等を等慮すれ
ばラジカル重合によって重合することが好ましい。ラジ
カル重合反応によって重合する際、ラジカル重合開始剤
として、ベンゾイルパーオキサイド、アセチルパーオキ
サイド、イソブチリルパーオキサイド、オクタノイルパ
ーオキサイド、ジ−ターシャル−ブチルパーオキサイ
ド、ジ−ターシャル−アミルパーオキサイド等の有機過
酸化物、過硫酸アンモニウム、過硫酸カリウム、過硫酸
ナトリウム等の無機過酸化物、２，２’−アゾビスイソ
ブチロニトリル、２，２’−アゾビス−２−メチルブチ
ロニトリル、４，４’−アゾビス−４−シアノバレリッ
クアシッド等のアゾ化合物が挙げられる。

【００２７】乳化重合法により重合する場合には、これ
らのラジカル重合開始剤の中で、水溶性の過硫酸アンモ
ニウム、過硫酸カリウム、過硫酸ナトリウム等の無機過
酸化物、同じく水溶性の４，４’−アゾビス−４−シア
ノバレリックアシッド等の分子内にカルボキシル基を持
ったアゾ化合物が好ましい。半導体ウェハ表面へのイオ
ンの影響を考慮すれば、過硫酸アンモニウム、４，４’
−アゾビス−４−シアノバレリックアシッド等の分子内
にカルボキシル基を有するアゾ化合物が更に好ましい。
４，４’−アゾビス−４−シアノバレリックアシッド等
の分子内にカルボキシル基を有するアゾ化合物が特に好
ましい。

【００２８】本発明に用いる架橋性の官能基を１分子中
に２個以上有する架橋剤は、アクリル系粘着剤が有する
官能基と反応させ、粘着力及び凝集力を調整するために
用いる。架橋剤としては、ソルビトールポリグリシジル
エーテル、ポリグリセロールポリグリシジルエーテル、
ペンタエリスリトールポリグリシジルエーテル、ジグリ
セロールポリグリシジルエーテル、グリセロールポリグ
リシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジ
ルエーテル、レソルシンジグリシジルエーテル等のエポ
キシ系化合物、テトラメチレンジイソシアネート、ヘキ
サメチレンジイソシアネート、トリメチロールプロパン
のトルエンジイソシアネート３付加物、ポリイソシアネ
ート等のイソシアネート系化合物、トリメチロールプロ
パン−トリ−β−アジリジニルプロピオネート、テトラ
メチロールメタン−トリ−β−アジリジニルプロピオネ
ート、Ｎ，Ｎ’−ジフェニルメタン−４，４’−ビス
（１−アジリジンカルボキシアミド）、Ｎ，Ｎ’−ヘキ
サメチレン−１，６−ビス（１−アジリジンカルボキシ
アミド）、Ｎ，Ｎ’−トルエン−２，４−ビス（１−ア
ジリジンカルボキシアミド）、トリメチロールプロパン
−トリ−β−（２−メチルアジリジン）プロピオネート
等のアジリジン系化合物、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ
グリシジルｍ−キシレンジアミン、１，３−ビス（Ｎ，
Ｎ’−ジグリシジルアミノメチル）シクロヘキサンの４
官能性エポキシ系化合物及びヘキサメトキシメチロール
メラミン等のメラミン系化合物が挙げられる。これらは
単独で使用してもよいし、２種以上に対して併用しても
よい。

【００２９】架橋剤の含有量は、通常、架橋剤中の官能
基数がアクリル系粘着剤中の官能基数よりも多くならな
い程度の範囲が好ましい。しかし、架橋反応で新たに官
能基が生じる場合や、架橋反応が遅い場合等、必要に応
じて過剰に含有してもよい。好ましい含有量は、アクリ
ル系粘着剤１００重量部に対し、架橋剤０．１〜１５重
量部である。含有量が少なすぎると、粘着剤層の凝集力
が不十分となり、１５０〜２００℃において、弾性率が
１×１０⁵Ｐａ未満となり、耐熱特性が低下する。その
ため、粘着剤層に起因する糊残りを生じ易くなったり、
粘着力が高くなり、表面保護用粘着フィルムを半導体ウ
ェハ表面から剥離する際に自動剥がし機で剥離トラブル
が発生したり、半導体ウェハを完全に破損したりするこ
とがある。含有量が多すぎると、粘着剤層と半導体ウェ
ハ表面との密着力が弱くなり、半導体ウェハ裏面研削工
程において、半導体ウェハ表面と粘着剤層の間に研磨屑
が浸入して半導体ウェハを破損したり、半導体ウェハ表
面を汚染することがある。

【００３０】本発明に用いる粘着剤塗布液には、上記の
特定の２官能モノマーを共重合したアクリル系粘着剤及
び架橋剤の他に、粘着特性を調整するためにロジン系、
テルペン樹脂系等のタッキファイヤー、各種界面活性剤
等を本発明の目的に影響しない程度に適宜含有してもよ
い。また、塗布液がエマルション液である場合は、ジエ
チレングリコールモノアルキルエーテル等の造膜助剤を
本発明の目的に影響しない程度に適宜添加してよい。造
膜助剤として使用されるジエチレングリコールモノアル
キルエーテル及びその誘導体は、粘着剤層中に多量に存
在した場合、洗浄が不可能となる程度に半導体ウェハ表
面を汚染することがある。そのため、粘着剤塗布液の乾
燥温度において揮発する性質を有するものを使用し、粘
着剤層中の残存量を極力低くすることが好ましい。

【００３１】本発明の半導体ウェハ表面保護用粘着フィ
ルムの粘着力は、半導体ウェハの加工条件、半導体ウェ
ハの直径、裏面研削後の半導体ウェハの厚み、ダイボン
ディング用接着フィルム貼着温度等を勘案して適宜調整
できる。粘着力が低すぎると、半導体ウェハ表面への表
面保護用粘着フィルムの貼着が困難となったり、表面保
護用粘着フィルムによる保護性能が不十分となり、半導
体ウェハが破損したり、半導体ウェハ表面に研削屑等に
よる汚染が生じることがある。また、粘着力が高すぎる
と、半導体ウェハの裏面加工を実施した後、表面保護用
粘着フィルムを半導体ウェハ表面から剥離する際に、自
動剥がし機で剥離トラブルが発生する等、剥離作業性が
低下したり、半導体ウェハを破損したりすることがあ
る。通常、ＳＵＳ３０４−ＢＡ板に対する粘着力に換算
して５〜５００ｇ／２５ｍｍ、好ましくは１０〜３００
ｇ／２５ｍｍである。

【００３２】基材フィルムまたは剥離フィルムの片表面
に粘着剤塗布液を塗布する方法としては、従来公知の塗
布方法、例えば、ロールコーター法、リバースロールコ
ーター法、グラビアロール法、バーコート法、コンマコ
ーター法、ダイコーター法等が採用できる。塗布された
粘着剤の乾燥条件には特に制限はないが、一般的には、
８０〜２００℃の温度範囲において、１０秒〜１０分間
乾燥することが好ましい。更に好ましくは、８０〜１７
０℃において、１５秒〜５分間乾燥する。架橋剤と粘着
剤との架橋反応を十分に促進させるために、粘着剤塗布
液の乾燥が終了した後、表面保護粘着フィルムを４０〜
８０℃において５〜３００時間程度加熱してもよい。

【００３３】本発明の半導体ウェハ表面保護用粘着フィ
ルムの製造方法は、上記の通りであるが、半導体ウェハ
表面の汚染防止の観点から、基材フィルム、剥離フィル
ム、粘着剤主剤等全ての原料資材の製造環境、粘着剤塗
布液の調製、保存、塗布及び乾燥環境は、米国連邦規格
２０９ｂに規定されるクラス１，０００以下のクリーン
度に維持されていることが好ましい。

【００３４】本発明に係わる半導体ウェハ保護方法を適
用した半導体ウェハの製造方法は、先ず、前記の如く、
半導体ウェハの表面に半導体ウェハ表面保護用粘着フィ
ルムを貼着する第一工程、及び半導体ウェハの回路非形
成面（以下、裏面という）を加工する第二工程を順次実
施し、引き続き、該表面保護用粘着フィルムを剥離する
ことなしに半導体ウェハの裏面にダイボンディング用接
着フィルムを貼着する第三工程を実施する。以降の工程
には特に制限はないが、例えば、半導体ウェハ表面保護
用粘着フィルムを剥離する工程、半導体ウェハを分割切
断するダイシング工程、半導体チップを外部保護の為に
樹脂で封止するモールド工程等を順次実施する半導体ウ
ェハの製造方法が挙げられる。

【００３５】本発明の半導体ウェハ保護方法について詳
細に説明する。本発明の半導体ウェハ保護方法は、半導
体ウェハの表面に半導体ウェハ表面保護用粘着フィルム
を貼着する第一工程、及び半導体ウェハの裏面を加工す
る第二工程を順次実施し、引き続き、半導体ウェハ表面
保護用粘着フィルムを剥離することなしに、半導体ウェ
ハ裏面にダイボンディング用接着フィルムを貼着する第
三工程を実施する。この際、半導体ウェハ表面保護用粘
着フィルムとして、前記半導体ウェハ表面保護用粘着フ
ィルムを用いる。

【００３６】本発明に係わる半導体ウェハ保護方法の詳
細は、先ず、半導体ウェハ表面保護用粘着フィルム（以
下、表面保護用粘着フィルムと略称する）の粘着剤層側
から剥離フィルムを剥離し、粘着剤層表面を露出させ、
その粘着剤層を介して、半導体ウェハの表面に表面保護
用粘着フィルムを貼着する（第一工程）。次いで、裏面
加工機のチャックテーブル等に表面保護用粘着フィルム
の基材フィルム層を介して半導体ウェハを固定し、半導
体ウェハの裏面を加工する（第二工程）。第二工程は、
半導体ウェハの裏面研削工程、ウェットエッチング工
程、及びポリッシング工程を全て実施してもよいし、又
は、これらの工程のいずれか一工程を実施してもよい。
次いで、表面保護用粘着フィルムを剥離することなし
に、ダイボンディング用接着フィルムの貼着工程に搬送
され、ダイボンディング用接着フィルムを貼着する（第
三工程）。その後、表面保護用粘着フィルムは剥離され
る。また、必要に応じて表面保護用粘着フィルムを剥離
した後に、半導体ウェハ表面に対して、水洗、プラズマ
洗浄等の処理が施される。

【００３７】従来、裏面加工工程において、半導体ウェ
ハは、研削前の厚みが５００〜１０００μｍであったも
のが、半導体チップの種類等に応じ、２００〜６００μ
ｍ程度まで研削、薄層化される。一方、本発明の保護方
法を適用することにより、厚みが１００μｍ以下になる
まで薄層化することができる。その場合、半導体ウェハ
の最低厚みは２０μｍ程度である。１００μｍ以下まで
薄くする場合は、裏面研削に引き続いて、ウェットエッ
チング工程やポリッシング工程を実施することもでき
る。裏面を研削する前の半導体ウェハの厚みは、半導体
ウェハの直径、種類等により適宜決められ、裏面研削後
の半導体ウェハの厚みは、得られるチップのサイズ、回
路の種類等により適宜決められる。

【００３８】表面保護用粘着フィルムを半導体ウェハの
表面に貼着する操作は、人手により行われる場合もある
が、一般に、ロール状の表面保護用粘着フィルムを取り
付けた自動貼り機と称される装置によって行われる。こ
のような自動貼り機として、例えばタカトリ（株）製、
形式：ＡＴＭ−１０００Ｂ、同ＡＴＭ−１１００、同Ｔ
ＥＡＭ−１００、帝国精機（株）製、形式：ＳＴＬシリ
ーズ等が挙げられる。

【００３９】裏面研削方式としては、スルーフィード方
式、インフィード方式等の公知の研削方式が採用され
る。通常、いずれの方法においても、半導体ウェハと砥
石に水を供給して冷却しながら裏面研削が行われる。裏
面研削終了後、必要に応じて、ウェットエッチング、ポ
リッシングが行われる。ウェットエッチング工程及びポ
リッシング工程は、半導体ウェハ裏面に生じた歪の除
去、半導体ウェハのさらなる薄層化、酸化膜等の除去、
電極を裏面に形成する際の前処理等を目的として行われ
る。エッチング液は、上記の目的に応じて適宜選択され
る。

【００４０】ダイボンディング用接着フィルムを貼着す
る工程で用いる装置としては、例えば、タカトリ（株）
製、形式：ＤＭ−８００等が挙げられる。ダイボンディ
ング用接着フィルムとしては、ポリエステル系、ポリプ
ロピレン系フィルムの表面に、ポリイミド樹脂と熱硬化
性樹脂の混合物からなるワニスを塗布して、接着剤層を
形成したダイボンディング用接着フィルムが挙げられ
る。この時、必要に応じてポリイミド樹脂と熱硬化性樹
脂の混合物に添加剤を混合することもある。ロールを用
いて、ダイボンディング用接着フィルムを半導体ウェハ
裏面に加熱貼着することにより、接着剤付半導体ウェハ
とされる。

【００４１】通常、半導体ウェハ裏面にダイボンディン
グ用接着フィルムを貼着する際には、上記の如きダイボ
ンディング用接着フィルム貼着装置が用いられる。先
ず、１００〜１５０℃程度に加熱された装置内のチャッ
クテーブルに、表面保護用粘着フィルムを介して半導体
ウェハを吸着させて、装置内の内臓ロールによって半導
体ウェハ裏面にダイボンディング用接着フィルムを仮貼
着し、半導体ウェハの外周部からはみだした余剰のダイ
ボンディング用接着フィルムをカットする。次いで、ダ
イボンディング用接着フィルムを介して半導体ウェハを
アームで吸着して、１５０〜２００℃程度に加熱された
チャックテーブルに移動、吸着させて本貼着する。この
際、薄層化された半導体ウェハに大きな反りがあると、
低温側のチャックテーブルにおいて、ロールを用いて、
ダイボンディング用接着フィルムを貼着する際にロール
の押圧によって半導体ウェハが破損し易い。

【００４２】また、半導体ウェハが破損することなし
に、半導体ウェハ裏面にダイボンディング用接着フィル
ムを仮貼着できても、半導体ウェハに大きな反りがある
と、ダイボンディング用接着フィルムを介して、半導体
ウェハをアームに吸着させて、低温側のチャックテーブ
ルから、高温側のチャックテーブルへアームによって半
導体ウェハを搬送する際、及び、アームによって高温側
チャックテーブルから脱着する際にアームへの吸着不良
などよって、半導体ウェハの搬送不良が生じることがあ
る。半導体ウェハ表面に本発明に係わる粘着フィルムを
貼着して半導体ウェハを薄層化し、且つ、粘着フィルム
を剥離することなしにダイボンディング用接着フィルム
貼着することにより、半導体ウェハの反りが矯正され、
その破損及び搬送不良を防止することができるのであ
る。

【００４３】裏面研削工程、エッチング工程、及びダイ
ボンディング用接着フィルムの貼着工程がそれぞれ終了
した後、半導体ウェハ表面から表面保護用粘着フィルム
が剥離される。これらの一連の操作は、人手により行わ
れる場合もあるが、一般的に自動剥がし機と称される装
置を用いて行われる。このような自動剥がし機として
は、タカトリ（株）製、形式：ＡＴＲＭ−２０００Ｂ、
同ＡＴＲＭ−２１００、帝国精機（株）製、形式：ＳＴ
Ｐシリーズ等が挙げられる。また、剥離性の向上を目的
として、必要に応じて加熱剥離することが好ましい。

【００４４】表面保護用粘着フィルムを剥離した後の半
導体ウェハ表面は、必要に応じて洗浄される。洗浄方法
としては、水洗浄、溶剤洗浄等の湿式洗浄、プラズマ洗
浄等の乾式洗浄等が挙げられる。湿式洗浄の場合、超音
波洗浄を併用してもよい。これらの洗浄方法は、半導体
ウェハ表面の汚染状況により適宜選択される。

【００４５】本発明の半導体ウェハ保護方法が適用でき
る半導体ウェハとして、シリコンウェハに限らず、ゲル
マニウム、ガリウム−ヒ素、ガリウム−リン、ガリウム
−ヒ素−アルミニウム等のウェハが挙げられる。

【００４６】

【実施例】以下、実施例を示して本発明についてさらに
詳細に説明する。以下に示す全ての実施例及び比較例に
おいて、米国連邦規格２０９ｂに規定されるクラス１，
０００以下のクリーン度に維持された環境において粘着
剤塗布液の調製及び塗布、半導体シリコンウェハの裏面
研削、並びにダイボンディング用接着フィルム貼着等の
製造を実施した。本発明はこれら実施例に限定されるも
のではない。尚、実施例に示した各種特性値は下記の方
法で測定した。

【００４７】１．各種特性の測定方法 １−１．粘着力測定（ｇ／２５ｍｍ） 下記に規定した条件以外は、全てＪＩＳ Ｚ０２３７−
１９９１に規定される方法に準じて測定する。２３℃の
雰囲気下において、実施例または比較例で得られた粘着
フィルムをその粘着剤層を介して、２０ｃｍ×５ｃｍの
長方形のＳＵＳ３０４−ＢＡ板（ＪＩＳ Ｇ４３０５−
１９９１規定）の表面に貼着し、同サイズに粘着フィル
ムをカットし、６０分放置する。但し、粘着フィルムは
機械方向（以下、ＭＤ方向という）がＳＵＳ３０４−Ｂ
Ａ板の２０ｃｍの辺に、機械方向と直交する方向（以
下、ＴＤ方向という）がＳＵＳ３０４−ＢＡ板の５ｃｍ
の辺に対するように粘着フィルムを貼着する。試料のＭ
Ｄ方向の一端を挟持し、剥離角度１８０度、剥離速度３
００ｍｍ／ｍｉｎ．でＳＵＳ３０４−ＢＡ板の表面から
試料を剥離する際の応力を測定し、２５ｍｍ幅に換算す
る。

【００４８】１−２．貯蔵弾性率（Ｐａ） １）粘着剤層 半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムの粘着剤層の部分
を厚さ１ｍｍになるように積層し、直径８ｍｍの粘弾性
測定用試料を作製する。動的粘弾性測定装置（レオメト
リックス社製：形式：ＲＭＳ−８００）を用いて、１５
０℃及び２００℃において貯蔵弾性率を測定する。測定
周波数は１Ｈｚとし、歪みは０．１〜３％とする。

【００４９】２）基材フィルム層 半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムの基材フィルム層
部分を切断し、長方形（ＭＤ方向：３０ｍｍ、ＴＤ方
向：１０ｍｍ）の試料を作製する。動的粘弾性測定装置
（レオメトリックス社製：形式：ＲＳＡ−ＩＩ）を用い
て、０〜３００℃までの貯蔵弾性率（機械方向）を測定
する。測定周波数は、１Ｈｚとし、歪みは０．０１〜
０．１％とする。２３℃における貯蔵弾性率（ＭＤ方
向）を上記数式（１）中のＥ（単位：ＧＰａ）とする。
但し、積層基材フィルムの場合は、各層独立で測定を行
う。

【００５０】１−３．基材フィルムの収縮率（％） 基材フィルムを正方形（ＭＤ方向：３０ｃｍ、ＴＤ方
向：３０ｃｍ）に切断し、パンチでスポット（ＭＤ方
向：２５ｃｍ、ＴＤ方向：２５ｃｍ）を基材フィルムに
開け、試料を作製する。２次元測定機（（株）ミツトヨ
製：形式：ＣＲＹＳＴＡＬ＊μＶ６０６）を用いて、基
材フィルムに開けられたスポット間隔を測定する。測定
後、試料を１８０℃に保たれたオーブンで２分間加熱し
た後、取り出し自然冷却した後、再度スポット間隔を測
定し、下記数式（３）により収縮率を算出する。数式
（３）において、Ｌは収縮率（％）、Ｌ₀は加熱前のス
ポット間隔（ｃｍ）、Ｌ₁は加熱後のスポット間隔（ｃ
ｍ）を示す。 Ｌ＝〔（Ｌ₀―Ｌ₁）／Ｌ₀〕×１００・・（３）

【００５１】１−４．汚染性評価 １０枚の半導体シリコンウェハ（直径：８インチ、厚
み：６００μｍ、スクライブラインの深さ：８μｍ、ス
クライブラインの幅：１００μｍ）の表面に試料用の表
面保護用粘着フィルムをその粘着剤層を介して、半導体
シリコンウェハの全表面に貼着し、半導体ウェハの裏面
加工工程、ダイボンディング用接着フィルム貼着工程を
経た後、剥離機（日東精機（株）製、型式：ＨＲ８５０
０ＩＩ）を用いて粘着フィルムを剥離した後、半導体ウ
ェハの表面をレーザーフォーカス顕微鏡（ＫＥＹＥＮＣ
Ｅ製、形式：ＶＦ−７５１０、ＶＦ−７５００、ＶＰ−
ＥＤ１００）を用いて２５０倍率で観察する。粘着フィ
ルムを剥離した後の表面に糊残りが認められたウェハの
枚数を示す。

【００５２】１−５. 半導体ウェハ反り量の評価 半導体ウェハの表面に厚み１０μｍのポリイミド膜が配
設されている８インチシリコンウェハ（以下、ＰＩウェ
ハと略称する、直径約２００ｍｍ、厚み７２５μｍ）の
表面に、表面保護用粘着フィルムをその粘着剤層を介し
てハンドローラを用いて貼付けた後、裏面研削機
（（株）ディスコ製、形式：ＤＦＧ８６０）を用いて厚
みが１００μｍになるまでウェハ裏面を研削し薄層化す
る。薄層化後、ＰＩウェハの表面に表面保護用粘着フィ
ルムが貼り付けられている状態で、表面保護用粘着フィ
ルム貼付け面を上にしてＰＩウェハを定板上に乗せる。
定板とウェハ裏面との最大距離を測定し、反り量とす
る。次に、その表面保護用粘着フィルムが貼付けられた
薄層化後のＰＩウェハをホットプレート（アドバンテッ
ク社製、形式：ＴＰ−３２０）を用い、１８０℃で２分
間加熱し、上記と同様にして加熱後の反り量を測定す
る。１０枚のＰＩウェハについて評価し、その平均値で
示す。

【００５３】１−６．半導体ウェハの破損（枚数） ダイボンディング用接着フィルム貼着工程、及び表面保
護用粘着フィルム剥離工程における半導体ウェハの破損
枚数を示す。１０枚のＰＩウェハについて評価し、破損
した枚数を示す。

【００５４】２．表面保護用粘着フィルムの製造例 ２−１．基材フィルムの製造例１ ２３〜２００℃での貯蔵弾性率が１×１０⁷〜１×１０
¹⁰Ｐａである樹脂より形成され、２３℃の貯蔵弾性率
[（Ｅ）ＧＰａ]、厚み[（Ｄ）μｍ]、及び１８０℃で２
分加熱後のＭＤ方向の収縮率[（Ｌ）％]がそれぞれ、
０．０４ＧＰａ、１５０μｍ、０.７２％であり、前記
数式（１）の関係を満たすフィルムとして、シリコーン
ゴムフィルム[三菱樹脂（株）製、商品名：珪樹、片面
表面処理品]を選定した。粘着剤層を形成する側の表面
にプライマーの塗付を施し、基材フィルム１とした。
尚、貯蔵弾性率は、２３℃において０．０４ＧＰａ、２
００℃において１３ＭＰａであった。また、数式（１）
に基づく算出値は４．３であった。

【００５５】２−２．基材フィルムの比較製造例１ 前記数式（１）を満たさない２軸延伸ポリエチレンテレ
フタレートフィルム〔東洋紡（株）製、商品名：Ｋ−１
５３７、２３℃の貯蔵弾性率（Ｅ）：３．４ＧＰａ、２
００℃の貯蔵弾性率が３５０ＭＰａ、厚み（Ｄ）：５０
μｍ、１８０℃で２分加熱前後のＭＤ方向の収縮率
（Ｌ）：０．７２％〕を基材フィルム２とした。数式
（１）に基づく算出値は１２２．４であった。粘着剤層
を形成する側の表面にコロナ放電処理を施した。

【００５６】２−３．基材フィルムの比較製造例２ 前記数式（１）を満たさない２軸延伸ポリエチレンナフ
タレートフィルム〔帝人（株）製、商品名：テオネック
ス、２３℃の貯蔵弾性率（Ｅ）：５．３ＧＰａ、２００
℃の貯蔵弾性率が２０００ＭＰａ、厚み（Ｄ）：５０μ
ｍ、１８０℃で２分加熱前後のＭＤ方向の収縮率
（Ｌ）：０．１５％〕を基材フィルム３とした。数式
（１）に基づく算出値は３９．８であった。粘着剤層を
形成する側の表面にコロナ放電処理を施した。

【００５７】２−４．粘着剤主剤の製造例１ 重合反応機に脱イオン水１５０重量部、重合開始剤とし
て４，４’−アゾビス−４−シアノバレリックアシッド
〔大塚化学（株）製、商品名：ＡＣＶＡ〕を０．６２５
重量部、モノマー（Ａ）としてアクリル酸−２−エチル
ヘキシル６２．２５重量部、アクリル酸−ｎ−ブチル１
８重量部、及びメタクリル酸メチル１２重量部、モノマ
ー（Ｂ）としてメタクリル酸−２−ヒドロキシエチル３
重量部、メタクリル酸２重量部、及びアクリルアミド１
重量部、モノマー（Ｃ）としてポリテトラメチレングリ
コールジアクリレート〔日本油脂（株）製、商品名：Ａ
ＤＴ−２５０〕１重量部、水溶性コモノマーとしてポリ
オキシエチレンノニルフェニルエーテル（エチレンオキ
サイドの付加モル数の平均値：約２０）の硫酸エステル
のアンモニウム塩のベンゼン環に重合性の１−プロペニ
ル基を導入したもの〔第一工業製薬（株）製、商品名：
アクアロンＨＳ−１０〕０．７５重量部を装入し、攪拌
下で７０〜７２℃において８時間乳化重合を実施し、ア
クリル系樹脂エマルションを得た。これを９重量％アン
モニア水で中和（ｐＨ＝７．０）し、固形分４２．５重
量％のアクリル系粘着剤（粘着剤主剤１）とした。

【００５８】２−５．粘着剤主剤の製造例２ 重合反応機に脱イオン水１５０重量部、重合開始剤とし
て４，４’−アゾビス−４−シアノバレリックアシッド
〔大塚化学（株）製、商品名：ＡＣＶＡ〕を０．６２５
重量部、モノマー（Ａ）としてアクリル酸−２−エチル
ヘキシル６２．２５重量部、アクリル酸−ｎ−ブチル１
８重量部、及びメタクリル酸メチル１２重量部、モノマ
ー（Ｂ）としてメタクリル酸−２−ヒドロキシエチル３
重量部、メタクリル酸２重量部、及びアクリルアミド１
重量部、モノマー（Ｃ）としてメタクリル酸アリル〔和
光純薬工業（株）製〕１重量部、水溶性コモノマーとし
てポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル（エチレ
ンオキサイドの付加モル数の平均値：約２０）の硫酸エ
ステルのアンモニウム塩のベンゼン環に重合性の１−プ
ロペニル基を導入したもの〔第一工業製薬（株）製、商
品名：アクアロンＨＳ−１０〕０．７５重量部を装入
し、攪拌下で７０〜７２℃において８時間乳化重合を実
施し、アクリル系樹脂エマルションを得た。これを９重
量％アンモニア水で中和（ｐＨ＝７．０）し、固形分４
２．５重量％のアクリル系粘着剤（粘着剤主剤２）とし
た。

【００５９】２−６．粘着剤塗布液の製造例１ 粘着剤主剤の製造例１得られた粘着剤主剤１の１００重
量部を採取し、さらに９重量％アンモニア水を加えてｐ
Ｈ９．５に調整した。次いで、アジリジン系架橋剤〔日
本触媒化学工業（株）製、商品名：ケミタイトＰｚ−３
３〕１．６重量部を添加して粘着剤塗布液１を得た。

【００６０】２−７．粘着剤塗布液の製造例２ 粘着剤主剤の製造例２で得られた粘着剤主剤２を用いた
以外は、粘着剤塗布液の製造例１と同様にして粘着剤塗
布液２を得た。

【００６１】２−８．粘着フィルムの製造例１ 粘着剤塗布液１を、ロールコーターを用いてポリプロピ
レンフィルム（剥離フィルム、厚み：５０μｍ）に塗布
し、１２０℃で２分間乾燥して厚み１０μｍの粘着剤層
を設けた。これに上記基材フィルム１の表面処理が施さ
れた側の表面を貼り合わせ押圧して、粘着剤層を転写さ
せた。転写後、６０℃において４８時間加熱した後、室
温まで冷却することにより半導体ウェハ表面保護用粘着
フィルム１を製造した。粘着剤層の貯蔵弾性率は、１５
０℃において１．５×１０⁵Ｐａ、２００℃において
１．３×１０⁵Ｐａであった。また、粘着力は１２０ｇ
／２５ｍｍであった。

【００６２】２−９．粘着フィルムの製造例２ 粘着剤塗布液２を、ロールコーターを用いてポリプロピ
レンフィルム（剥離フィルム、厚み：５０μｍ）に塗布
し、１２０℃で２分間乾燥して厚み１０μｍの粘着剤層
を設けた。これに上記基材フィルム１のコロナ放電処理
面を貼り合わせ押圧して、粘着剤層を転写させた。転写
後、６０℃において４８時間加熱した後、室温まで冷却
することにより半導体ウェハ表面保護用粘着フィルム２
を製造した。粘着剤層の貯蔵弾性率は、１５０℃におい
て２．５×１０⁵Ｐａ、２００℃において１．８×１０⁵
Ｐａであった。また、粘着力は、１５０ｇ／２５ｍｍで
あった。

【００６３】２−１０．粘着フィルムの比較製造例１ 基材フィルム２、及び粘着剤塗布液１を用いた以外は、
粘着フィルムの製造例１と同様にして半導体ウェハ表面
保護用粘着フィルム３を製造した。粘着剤層の貯蔵弾性
率は、１５０℃において１．５×１０⁵Ｐａ、２００℃
において１．３×１０⁵Ｐａであった。また、粘着力
は、１００ｇ／２５ｍｍであった。

【００６４】２−１１．粘着フィルムの比較製造例２ 基材フィルム３、及び粘着剤塗布液１を用いた以外は、
粘着フィルムの製造例１と同様にして半導体ウェハ表面
保護用粘着フィルム４を製造した。粘着剤層の貯蔵弾性
率は、１５０℃において１．５×１０⁵Ｐａ、２００℃
において１．３×１０⁵Ｐａであった。また、粘着力
は、１１５ｇ／２５ｍｍであった。

【００６５】２−１２．粘着フィルムの比較製造例３ 基材フィルム２、及び粘着剤塗布液２を用いた以外は、
粘着フィルムの製造例１と同様にして半導体ウェハ表面
保護用粘着フィルム５を製造した。粘着剤層の貯蔵弾性
率は、１５０℃において２．５×１０⁵Ｐａ、２００℃
において１．８×１０⁵Ｐａであった。また、粘着力
は、１４０ｇ／２５ｍｍであった。

【００６６】２−１３．粘着フィルムの比較製造例４ 基材フィルム３、及び粘着剤塗布液２を用いた以外は、
粘着フィルムの製造例１と同様にして半導体ウェハ表面
保護用粘着フィルム６を製造した。粘着剤層の貯蔵弾性
率は、１５０℃において２．５×１０⁴Ｐａ、２００℃
において１．８×１０⁵Ｐａであった。また、粘着力
は、１４５ｇ／２５ｍｍであった。

【００６７】３−１．保護方法の実施例１ 半導体ウェハ（ＰＩウェハ）に対する、半導体ウェハ表
面保護用粘着フィルム１の保護性能を評価した。半導体
ウェハ表面保護用粘着フィルム１を集積回路が組み込ま
れた１０枚のＰＩウェハ（直径：８インチ、厚み：７５
０μｍ）の全表面に貼着した状態で、裏面研削機
（（株）ディスコ製、形式：ＤＦＧ８６０）を用いて、
厚みが１００μｍになるまでＰＩウェハ裏面を研削し
た。次いで、半導体ウェハ表面保護用粘着フィルム１を
貼着したままの状態で、１５０℃に加熱されたダイボン
ディング用接着フィルム貼着機（タカトリ（株）製、形
式：ＤＭ−８００）内のチャックテーブルに、表面保護
用粘着フィルムを介して半導体ウェハを吸着させて、装
置内の内臓ロールによってＰＩウェハ裏面にダイボンデ
ィング用接着フィルム（日立化成（株）製、商品名：ハ
イアタッチ）を仮貼着し、ＰＩウェハの外周部からはみ
だした余剰のダイボンディング用接着フィルムをカット
した。次いで、ダイボンディング用接着フィルムを介し
てＰＩウェハをアームで吸着して、１８０℃に加熱され
たチャックテーブルに移動、吸着させて本貼着した。そ
の後、ダイボンディング用接着フィルムが本貼着された
ＰＩウェハをアームによって高温側チャックテーブルか
ら脱着し、カセットに収納した。

【００６８】その結果、ダイボンディング用接着フィル
ム貼着機に内蔵するロールによってＰＩウェハに押圧が
かかったにもかかわらず、１０枚全てのＰＩウェハに対
して接着フィルム貼着時においてＰＩウェハの反りが原
因である割れは発生しなかった。また、ダイボンディン
グ用接着フィルムを仮貼付した後、低温側のチャックテ
ーブルから高温側のチャックテーブルへウェハをアーム
で吸着して搬送する際、及び、アームによって高温側チ
ャックテーブルから脱着する際に問題が生じなかった。
表１には、この現象をＯＫと記載した。更に、剥離機
（日東精機（株）製、形式：ＨＲ８５００ＩＩ）を用い
て、ＰＩウェハ表面から半導体ウェハ表面保護用粘着フ
ィルム１を剥離した。剥離の際においてもＰＩウェハの
割れは発生しなかった。また、半導体ウェハ表面保護用
粘着フィルム１を剥離した後のＰＩウェハ表面に糊残り
等の汚染は観察されなかった。

【００６９】別途、他のＰＩウェハ（直径：８インチ、
厚み：７５０μｍ）１０枚について上記と同様にして、
厚みが１００μｍになるまでウェハ裏面を研削した後、
半導体ウェハ表面保護用粘着フィルム１を貼着したまま
の状態で、反り量の測定を行った。その結果、半導体ウ
ェハ表面保護用粘着フィルム貼付け面方向への反り量は
５．０ｍｍであった。さらに、ホットプレートを用いて
ＰＩウェハを１８０℃で２分間加熱し、加熱後の反り量
を測定した。その結果、半導体ウェハ表面保護用粘着フ
ィルム貼付け面方向への反り量は９．０ｍｍであった。
得られた結果を表１に示す。

【００７０】３−２．保護方法の実施例２ 半導体ウェハ表面保護用粘着フィルム２を用いた以外、
保護方法の実施例１と同様の方法を実施した。その結
果、全ての評価で実施例１と同様の結果が得られた。得
られた結果を表１に示す。

【００７１】３−３．保護方法の比較例１ 半導体ウェハ表面保護用粘着フィルム１を１０枚のＰＩ
ウェハ（直径：８インチ、厚み：７５０μｍ）の全表面
に貼着した状態で、裏面研削機（（株）ディスコ製、形
式：ＤＦＧ８６０）を用いて厚みが１００μｍになるま
でウェハ裏面を研削した。次いで、半導体ウェハ表面保
護用粘着フィルム１を剥離した。その後、１５０℃にお
いてダイボンディング用接着フィルム（日立化成（株）
製、商品名：ハイアタッチ）を半導体ウェハ裏面に貼着
（タカトリ（株）製、形式：ＤＭ−８００）した。その
結果、ＰＩウェハの裏面にダイボンディング用接着フィ
ルムを貼着する時に半導体ウェハが９枚割れ、ダイボン
ディング用接着フィルムが貼着できる状態ではなかっ
た。ＰＩウェハ１枚については、ダイボンディング用接
着フィルムを貼着する際のウェハ割れ、及び該接着フィ
ルムの貼着後のアーム搬送に問題がなかった。反り量の
評価は実施例１と同様の結果となった。得られた結果を
表１に示す。

【００７２】３−４．保護方法の比較例２ 半導体ウェハ表面保護用粘着フィルム３を用いた以外、
保護方法の実施例１と同様の方法を実施した。その結
果、ＰＩウェハの裏面にダイボンディング用接着フィル
ムを貼付ける時の熱によりウェハが大きく反った。その
ため、ウェハが４枚割れた。残りの６枚のＰＩウェハに
おいて、アームに対する吸着不良が起こり、チャックテ
ーブルからアームによる搬送が出来なかった。表１に
は、この現象をエラーと記載した。裏面研削後のＰＩウ
ェハの反り量は、半導体ウェハ表面保護用粘着フィルム
貼付け面方向へ４．８ｍｍであり、１８０℃で２分間加
熱後の反り量は、半導体ウェハ表面保護用粘着フィルム
貼付け面方向へ２８．０ｍｍであった。得られた結果を
表１に示す。

【００７３】３−５．保護方法の比較例３ 半導体ウェハ表面保護用粘着フィルム４を用いた以外、
保護方法の実施例１と同様の方法を実施した。その結
果、ＰＩウェハの裏面にダイボンディング用接着フィル
ムを貼付ける時の熱によりウェハが大きく反った。その
ため、ウェハが２枚割れた。残りの８枚のＰＩウェハに
おいて、アームに対する吸着不良が起こり、チャックテ
ーブルからアームによる搬送が出来なかった。表１に
は、この現象をエラーと記載した。ウェハ反り量の評価
結果は、裏面研削後のＰＩウェハの反り量は、半導体ウ
ェハ表面保護用粘着フィルム貼付け面方向へ４．３ｍｍ
であり、１８０℃で２分間加熱後の反り量は半導体ウェ
ハ表面保護用粘着フィルム貼付け面方向へ２５．０ｍｍ
であった。得られた結果を表１に示す。

【００７４】３−６．保護方法の比較例４ 半導体ウェハ表面保護用粘着フィルム５を用いた以外、
保護方法の実施例１と同様の方法を実施した。その結
果、ＰＩウェハの裏面にダイボンディング用接着フィル
ムを貼付ける時の熱によりウェハが大きく反った。その
ため、ウェハが５枚割れた。残りの５枚のＰＩウェハに
おいて、アームに対する吸着不良が起こり、チャックテ
ーブルからアームによる搬送が出来なかった。表１に
は、この現象をエラーと記載した。ウェハ反り量の評価
は、裏面研削後のＰＩウェハの反り量は半導体ウェハ表
面保護用粘着フィルム貼付け面方向へ４．５ｍｍであ
り、１８０℃で２分間加熱後の反り量は半導体ウェハ表
面保護用粘着フィルム貼付け面方向へ２８．３ｍｍであ
った。得られた結果を表１に示す。

【００７５】３−７．保護方法の比較例５ 半導体ウェハ表面保護用粘着フィルム６を用いた以外、
保護方法の実施例１と同様の方法を実施した。その結
果、ＰＩウェハの裏面にダイボンディング用接着フィル
ムを貼付ける時の熱によりウェハが大きく反った。その
ため、ウェハが３枚割れた。残りの７枚のＰＩウェハに
おいて、アームに対する吸着不良が起こり、チャックテ
ーブルからアームによる搬送が出来なかった。表１に
は、この現象をエラーと記載した。ウェハ反り量の評価
は、裏面研削後のＰＩウェハの反り量は半導体ウェハ表
面保護用粘着フィルム貼付け面方向へ４．０ｍｍであ
り、１８０℃で２分間加熱後の反り量は半導体ウェハ表
面保護用粘着フィルム貼付け面方向へ２５．５ｍｍであ
った。得られた結果を表１に示す。

【００７６】３−８．保護方法の参考例１ 保護方法の実施例１と同様にして、ＰＩウェハの裏面を
研削した。次いで、ＰＩウェハ表面から半導体ウェハ表
面保護用粘着フィルム１を剥離した。粘着フィルム１を
剥離した後、ＰＩウェハの反りを測定したところ反り量
は８．５ｍｍであった。また、１８０℃で２分間加熱し
た後の反り量は１０．０ｍｍであった。

【００７７】

【表１】

【００７８】＜表１の記載の説明＞ ＊：試料１枚についての評価結果を示す。

【００７９】

【発明の効果】本発明によれば、厚みが１００μｍ以下
に薄層化され、且つ、ダイボンディング工程において高
温に晒された場合であっても、半導体ウェハの反りを矯
正し、ダイボンディング工程におけるウェハの搬送不
良、破損などを防止することができる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 才本 芳久 愛知県名古屋市南区丹後通２−１ 三井化 学株式会社内 (72)発明者 福本 英樹 愛知県名古屋市南区丹後通２−１ 三井化 学株式会社内 (72)発明者 中島 純 愛知県名古屋市南区丹後通２−１ 三井化 学株式会社内 Ｆターム(参考） 4J004 AA10 AA11 AB01 CA06 CC02 CC03 FA04 FA05 4J040 DF041 EK031 GA05 GA07 GA11 GA22 JA03 JA09 JB09 NA20 5F031 CA02 DA15 HA78 MA35 MA37

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基材フィルムの片表面に粘着剤層が形成
   された半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムであって、
   基材フィルムが、下記数式（１） ｜Ｅ×Ｄ×Ｌ｜＜１５ ・・・（１） ｛数式（１）において、Ｅは２３℃における貯蔵弾性率
   （単位：ＧＰａ）、Ｄは厚み（単位：μｍ）、Ｌは１８
   ０℃において２分間加熱したときの機械方向の収縮率
   （単位：％）｝で表される関係を満たし、且つ、厚みが
   ２０〜３００μｍである層を少なくとも１層含むことを
   特徴とする半導体ウェハ表面保護用粘着フィルム。
2. 【請求項２】 基材フィルムの少なくとも１層が、２３
   〜２００℃における貯蔵弾性率が１×１０⁷〜１×１０
   ¹⁰Ｐａ、１８０℃において２分間加熱したときの機械方
   向の収縮率が０．０１〜１％であることを特徴とする請
   求項１記載の半導体ウェハ表面保護用粘着フィルム。
3. 【請求項３】 前記数式（１）で表される関係を満た
   し、且つ、厚みが２０〜３００μｍである層を形成する
   樹脂がシリコーンゴムであることを特徴とする請求項１
   記載の半導体ウェハ表面保護用粘着フィルム。
4. 【請求項４】 粘着剤層が、１５０℃における貯蔵弾性
   率が少なくとも１×１０⁵Ｐａ、厚みが３〜１００μｍ
   であることを特徴とする請求項１記載の半導体ウェハ表
   面保護用粘着フィルム。
5. 【請求項５】 半導体ウェハの回路形成面に半導体ウェ
   ハ表面保護用粘着フィルムを貼着する第一工程、半導体
   ウェハの回路非形成面を加工する第二工程、及び半導体
   ウェハの回路非形成面にダイボンティング用接着フィル
   ムを貼着する第三工程を含む工程における半導体ウェハ
   保護方法であって、半導体ウェハ表面保護用粘着フィル
   ムを剥離することなしに第三工程を実施し、且つ、半導
   体ウェハ表面保護用粘着フィルムとして、請求項１〜４
   のいずれか１項に記載の半導体ウェハ表面保護用粘着フ
   ィルムを用いることを特徴とする半導体ウェハ保護方
   法。
6. 【請求項６】 前記第二工程を経た後の半導体ウェハの
   厚みが１００μｍ以下であることを特徴とする請求項５
   記載の半導体ウェハ保護方法。