CN113755106A - 半导体加工用压敏粘合片 - Google Patents

半导体加工用压敏粘合片 Download PDF

Info

Publication number
CN113755106A
CN113755106A CN202110612742.XA CN202110612742A CN113755106A CN 113755106 A CN113755106 A CN 113755106A CN 202110612742 A CN202110612742 A CN 202110612742A CN 113755106 A CN113755106 A CN 113755106A
Authority
CN
China
Prior art keywords
sensitive adhesive
pressure
meth
adhesive sheet
semiconductor processing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202110612742.XA
Other languages
English (en)
Inventor
田中俊平
河野广希
植野大树
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nitto Denko Corp
Original Assignee
Nitto Denko Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nitto Denko Corp filed Critical Nitto Denko Corp
Publication of CN113755106A publication Critical patent/CN113755106A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • C09J7/38—Pressure-sensitive adhesives [PSA]
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/29—Laminated material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L33/00—Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides or nitriles thereof; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L33/04—Homopolymers or copolymers of esters
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J133/00—Adhesives based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C09J133/04—Homopolymers or copolymers of esters
    • C09J133/14—Homopolymers or copolymers of esters of esters containing halogen, nitrogen, sulfur or oxygen atoms in addition to the carboxy oxygen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • C09J7/38—Pressure-sensitive adhesives [PSA]
    • C09J7/381—Pressure-sensitive adhesives [PSA] based on macromolecular compounds obtained by reactions involving only carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • C09J7/385—Acrylic polymers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/50—Properties of the layers or laminate having particular mechanical properties
    • B32B2307/51—Elastic
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/70—Other properties
    • B32B2307/732—Dimensional properties
    • B32B2307/734—Dimensional stability
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2457/00—Electrical equipment
    • B32B2457/14—Semiconductor wafers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/10—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive tape or sheet
    • C09J2301/12—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive tape or sheet by the arrangement of layers
    • C09J2301/122—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive tape or sheet by the arrangement of layers the adhesive layer being present only on one side of the carrier, e.g. single-sided adhesive tape
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/30—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier
    • C09J2301/302—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier the adhesive being pressure-sensitive, i.e. tacky at temperatures inferior to 30°C
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/30—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier
    • C09J2301/312—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier parameters being the characterizing feature
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/40—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the presence of essential components
    • C09J2301/416—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the presence of essential components use of irradiation

Abstract

本发明涉及半导体加工用压敏粘合片。提供一种在不降低成品率的情况下适当地保护半导体晶片的半导体加工用压敏粘合片。半导体加工用压敏粘合片包括压敏粘合剂层和基材。该半导体加工用压敏粘合片在外周肋晶片加热翘曲评价中示出翘曲量为0mm～5mm，并且在外周肋晶片挠曲评价中示出挠曲量为0mm～5mm。

Description

半导体加工用压敏粘合片
本申请根据35 U.S.C.119节要求2020年6月2日提交的日本专利申请No.2020-096050的优先权，其内容通过引用而并入本文中。
技术领域
本发明涉及半导体加工用压敏粘合片。
背景技术
在背面磨削工艺(backgrinding process)中，可以将半导体晶片磨削到难以单独处理晶片的厚度。因此，为了改善后续工艺中的可操作性，半导体晶片已经经由粘合剂固定到支承晶片(support wafer)上。然而，在将半导体晶片从支承晶片上剥离时，需要用溶剂对粘合剂进行溶解处理，因此出现了成本和环境负荷方面的问题。
近年来，通过背面磨削工艺而变薄的状态的半导体晶片已经进行了加热工序如离子注入工艺或退火处理工艺。因此，已经提出了一种不仅在背面磨削工艺中而且在加热工序中用压敏粘合片保护半导体晶片的技术(日本专利申请特开No.2005-236032)。然而，存在加热时在其上贴合有压敏粘合片的半导体晶片中发生翘曲的问题。当发生翘曲时，存在用装置输送晶片变得困难，因此成品率(yield)降低的风险。
作为确保可操作性的技术，已经提出了一种形成其外周比其内侧更厚的这样的半导体晶片(所谓的TAIKO(商标)晶片，以下也称为“外周肋晶片”)的方法(日本专利No.5,390,740)。根据该技术，加热工序可以通过单独使用半导体晶片来进行。然而，在单独处理TAIKO晶片时，将半导体晶片的表面(电路面)暴露，因此，电路面的污染、或损坏等易于发生。因此，可能不能以充分的成品率获得产品。进一步，为了改善半导体装置的生产效率，已经提出了晶片直径的增加。随着外周肋晶片直径的增加，在晶片中会发生挠曲。当发生挠曲时，存在用装置输送半导体晶片变得困难，因此成品率降低的风险。
发明内容
发明要解决的问题
已经做出本发明以解决相关技术的问题，并且本发明的目的为提供一种在不降低成品率的情况下适当地保护半导体晶片的半导体加工用压敏粘合片。
用于解决问题的方案
根据本发明的至少一个实施方案，提供一种半导体加工用压敏粘合片，其包括压敏粘合剂层和基材。所述半导体加工用压敏粘合片在外周肋晶片加热翘曲评价中示出翘曲量为0mm～5mm，并且在外周肋晶片挠曲评价中示出挠曲量为0mm～5mm。
在本发明的至少一个实施方案中，所述基材的23℃下的储能弹性模量为2×109Pa以上，并且180℃下的储能弹性模量为2×108Pa以上。
在本发明的至少一个实施方案中，所述基材的厚度为50μm～200μm。
在本发明的至少一个实施方案中，所述半导体加工用压敏粘合片进一步包括缓和层。
在本发明的至少一个实施方案中，所述缓和层包含通过将(甲基)丙烯酸系聚合物交联而获得的交联产物。
在本发明的至少一个实施方案中，所述(甲基)丙烯酸系聚合物不含(甲基)丙烯酸作为单体组分。
在本发明的至少一个实施方案中，所述(甲基)丙烯酸系聚合物包含0.1mol％～8mol％的含羟基的(甲基)丙烯酸系单体。
在本发明的至少一个实施方案中，所述(甲基)丙烯酸系聚合物包含50mol％～99mol％的具有4个以下的碳原子的烷基的(甲基)丙烯酸系单体。
在本发明的至少一个实施方案中，所述压敏粘合剂层包含UV固化型压敏粘合剂。
在本发明的至少一个实施方案中，所述缓和层没有UV固化能力。
附图说明
图1为根据本发明的至少一个实施方案的半导体加工用压敏粘合片的示意性截面图。
图2为根据本发明的至少一个实施方案的半导体加工用压敏粘合片的示意性截面图。
图3为用于说明在外周肋晶片挠曲评价中测量挠曲的方法的示意图。
具体实施方式
A.半导体加工用压敏粘合片的整体构造
图1为根据本发明的至少一个实施方案的半导体加工用压敏粘合片的示意性截面图。半导体加工用压敏粘合片100包括基材10和设置在基材的一个表面上的压敏粘合剂层20。半导体加工用压敏粘合片可以包括任意合适的其它层(未示出)。例如，任意合适的层可以在基材和压敏粘合剂层之间形成。图2为根据本发明的至少一个实施方案的半导体加工用压敏粘合片的示意性截面图。在该实施方案中，半导体加工用压敏粘合片100依次包括基材10、缓和层30、和压敏粘合剂层20。在图示的实例中，基材10为单层，但是半导体加工用压敏粘合片可以包括两个以上的基材。两个以上的基材可以层叠以便彼此接触，或者基材可以通过任意其它层作中间层(intermediation)来层叠。例如，在半导体加工用压敏粘合片中，可以依次层叠第一基材、缓和层、第二基材、和压敏粘合剂层。直至使用半导体加工用压敏粘合片前，出于保护压敏粘合剂层的目的，隔离体可以设置在压敏粘合剂层的外侧。
在本发明的至少一个实施方案中，半导体加工用压敏粘合片在外周肋晶片加热翘曲评价中的翘曲量为0mm～5mm。当外周肋晶片加热翘曲评价中的翘曲量落入该范围内时，即使在其中将半导体加工用压敏粘合片贴合于其上的状态下对晶片进行加热工序的情况下，也可以抑制其翘曲的发生，并且因此可以有效地进行利用装置的晶片的输送。因此，可以抑制成品率的降低。在外周肋晶片加热翘曲评价中的翘曲量优选为0mm～4.5mm、更优选0mm～4mm、还更优选0mm～3.5mm。翘曲量优选为尽可能小的值。在本说明书中，在外周肋晶片加热翘曲评价中的翘曲量是指通过后述实施例中所述的方法测量的值。
在本发明的至少一个实施方案中，半导体加工用压敏粘合片在外周肋晶片挠曲评价中的挠曲量为0mm～5mm。当挠曲量落入该范围内时，即使在其中半导体晶片的直径增加的情况下，也可以适当地支承晶片，并且因此可以防止成品率的降低。进一步，可以有效地进行利用装置的晶片的输送，并且因此可以防止成品率的降低。在外周肋晶片挠曲评价中的挠曲量优选为0mm～4.5mm、更优选0mm～4mm、还更优选0mm～3.5mm。挠曲量优选为尽可能小的值。在本说明书中，在外周肋晶片挠曲评价中的挠曲量是指通过后述实施例中所述的方法测量的值。
根据本发明的至少一个实施方案的半导体加工用压敏粘合片的厚度可以设定为任意合适的厚度。例如，半导体加工用压敏粘合片的厚度优选为50μm～900μm、更优选100μm～800μm、还更优选150μm～750μm。当厚度落入该范围内时，即使在其中该片进行加热工序的情况下，该片也可以适当地支承半导体晶片，并且因此可以维持其可操作性。另外，可以有效地进行利用装置的晶片的输送，并且因此可以防止成品率的降低。当厚度大于900μm时，半导体加工用压敏粘合片的加工性和可操作性会降低。
B.基材
在本发明的至少一个实施方案中，基材的23℃下的储能弹性模量优选为1×109Pa以上、更优选2×109Pa以上、还更优选2.5×109Pa以上。当23℃下的储能弹性模量落入该范围内时，适当地支承半导体晶片，并且因此可以抑制其挠曲。基材的23℃下的储能弹性模量优选为尽可能高的。基材的23℃下的储能弹性模量为例如1×1010Pa以下。在本说明书中，基材的储能弹性模量是指通过使用膜厚为100μm、长度为25mm(测量长度)和宽度为10mm的样品测量的储能弹性模量，该样品通过使用形成基材的材料来制造。
在本发明的至少一个实施方案中，基材的180℃下的储能弹性模量为优选2×108Pa以上、更优选2.1×108Pa以上、还更优选2.3×108Pa以上。当180℃下的储能弹性模量落入该范围内时，即使在其中该片进行加热工序的情况下，该片也可以适当地支承半导体晶片。如上所述，在半导体晶片的加工工艺中，该片可以进行加热工序。即使当该片进行包括这种加热工序的半导体晶片的加工工艺时，该片也可以适当地支承半导体晶片。基材的180℃下的储能弹性模量优选为尽可能高的。基材的180℃下的储能弹性模量为例如1×1010Pa以下。
基材的厚度优选为50μm～200μm、更优选60μm～180μm、还更优选70μm～180μm。当基材的厚度落入该范围内时，适当地支承半导体晶片，并且因此可以防止其翘曲和/或挠曲的发生。当基材的厚度大于200μm时，半导体加工用压敏粘合片的加工性会降低。
基材的层数可以仅为1层，或者可以为2层以上。当基材的层数为2层以上时，基材可以层叠以便彼此接触，或者基材可以通过任意其它层作中间层来层叠。当基材的层数为2层以上时，使用基材使得半导体加工用压敏粘合片中所有基材的总厚度可以为上述基材的厚度。
基材可以由任意合适的树脂形成。形成基材的树脂的具体实例包括如聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)和聚萘二甲酸丁二醇酯(PBN)等聚酯系树脂、如乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-甲基丙烯酸甲酯共聚物、聚乙烯、聚丙烯和乙烯-丙烯共聚物等聚烯烃系树脂、聚乙烯醇、聚偏二氯乙烯、聚氯乙烯、氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、聚乙酸乙烯酯、聚酰胺、聚酰亚胺、纤维素类、氟系树脂、聚醚、如聚苯乙烯等聚苯乙烯系树脂、聚碳酸酯、聚醚砜和聚醚醚酮。其中，优选使用聚萘二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺和聚醚醚酮。当使用这种树脂时，即使在其中半导体加工用压敏粘合片进行加热工序的情况下，该片也可以适当地支承半导体晶片。另外，可以抑制加热工序后的基材的收缩，并且因此可以形成收缩应力小的基材。
在不抑制本发明的效果的范围内，基材可以进一步包括其它组分。其它组分的实例包括抗氧化剂、UV吸收剂、光稳定剂和热稳定剂。关于其它组分的种类和使用量，其它组分可以根据目的以任意合适的量使用。
C.压敏粘合剂层
压敏粘合剂层通过使用任意合适的压敏粘合剂层形成组合物而形成。在本发明的至少一个实施方案中，压敏粘合剂层形成组合物(所得压敏粘合剂层)包含UV固化型压敏粘合剂。当引入UV固化型压敏粘合剂时，可以提供在UV照射前对被粘物具有优异的压敏粘合强度并且在UV照射后具有优异的剥离性的压敏粘合片。
C-1.UV固化型压敏粘合剂
任意合适的压敏粘合剂可以用作UV固化型压敏粘合剂。例如，可以采用通过将UV固化性单体和/或低聚物添加至任意合适的压敏粘合剂如丙烯酸系压敏粘合剂、橡胶系压敏粘合剂、有机硅系压敏粘合剂、或聚乙烯醚系压敏粘合剂等而获得的压敏粘合剂，或可以采用使用在其侧链中或在其末端具有聚合性碳-碳双键的聚合物作为基础聚合物的压敏粘合剂。
当使用在其侧链中或在其末端具有聚合性碳-碳双键的聚合物的压敏粘合剂被使用时，使用在其侧链中或在其末端具有聚合性碳-碳双键并且具有压敏粘合性的聚合物作为基础聚合物。这种聚合物的实例包括各自通过将聚合性碳-碳双键引入树脂如(甲基)丙烯酸系树脂、乙烯基烷基醚系树脂、有机硅系树脂、聚酯系树脂、聚酰胺系树脂、聚氨酯系树脂或苯乙烯-二烯嵌段共聚物而获得的聚合物。其中，优选使用通过将聚合性碳-碳双键引入(甲基)丙烯酸系树脂而获得的(甲基)丙烯酸系聚合物。当使用(甲基)丙烯酸系聚合物时，可以获得其中压敏粘合剂层的储能弹性模量和拉伸弹性模量容易调节，并且压敏粘合强度和剥离性之间的平衡优异的压敏粘合片。进一步，可以减少源自压敏粘合剂的组分对被粘物的污染。“(甲基)丙烯酸”是指丙烯酸和/或甲基丙烯酸。
任意合适的(甲基)丙烯酸系树脂可以用作(甲基)丙烯酸系树脂。(甲基)丙烯酸系树脂的实例为通过使包含一种或两种以上的各自具有直链或支链烷基的丙烯酸或甲基丙烯酸的酯的单体组合物聚合而获得的聚合物。
直链或支链烷基优选为具有30个以下的碳原子的烷基，更优选具有1～20个碳原子的烷基，还更优选具有4～18个碳原子的烷基。烷基的具体实例包括甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、异丁基、戊基、异戊基、己基、庚基、环己基、2-乙基己基、辛基、异辛基、壬基、异壬基、癸基、异癸基、十一烷基、月桂基、十三烷基、十四烷基、硬脂基、十八烷基和十二烷基。
(甲基)丙烯酸系树脂形成用单体组合物可以包含任意合适的其它单体。其它单体的实例包括含官能团的单体，其包括：含羧基的单体，如丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧乙酯、丙烯酸羧戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸和巴豆酸；酸酐单体，如马来酸酐和衣康酸酐；含羟基的单体，如(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羟基己酯、(甲基)丙烯酸8-羟基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羟基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羟基月桂酯、(4-羟甲基环己基)-丙烯酸甲酯、2-羟乙基乙烯基醚、4-羟丁基乙烯基醚和二甘醇单乙烯基醚；含磺酸基的单体，如苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺基-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺基丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯和(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸；和含磷酸基的单体，如2-羟乙基丙烯酰基磷酸酯。含官能团的单体的引入可以提供其中容易引入聚合性碳-碳双键的(甲基)丙烯酸系树脂。相对于单体组合物的全部单体的100重量份，含官能团的单体的含量比例优选为4重量份～30重量份，更优选为6重量份～20重量份。
作为其它单体，可以使用多官能单体。当使用多官能单体时，例如，可以改善压敏粘合剂的内聚强度、耐热性或粘合性。另外，压敏粘合剂层中的低分子量组分的量减少，并且因此可以获得难以污染被粘物的压敏粘合片。多官能单体的实例包括(甲基)丙烯酸己二醇酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、环氧(甲基)丙烯酸酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯、和聚氨酯(甲基)丙烯酸酯。相对于单体组合物的全部单体的100重量份，多官能单体的含量比例优选为1重量份～100重量份，更优选为5重量份～50重量份。
(甲基)丙烯酸系树脂的重均分子量优选为300,000以上、更优选500,000以上、还更优选800,000～3,000,000。当重均分子量落入该范围内时，可以防止低分子量组分的渗出，并且因此可以获得具有低污染性的压敏粘合片。(甲基)丙烯酸系树脂的分子量分布(重均分子量/数均分子量)优选为1～20、更优选3～10。当使用具有窄分子量分布的(甲基)丙烯酸系树脂时，可以防止低分子量组分的渗出(bleed)，并且因此可以获得具有低污染性的压敏粘合片。重均分子量和数均分子量可以通过凝胶渗透色谱测量(溶剂：四氢呋喃，聚苯乙烯换算)来确定。
在其侧链中或在其末端具有聚合性碳-碳双键的聚合物可以通过任意合适的方法获得。该聚合物可以通过例如使通过任意合适的聚合方法获得的树脂与具有聚合性碳-碳双键的化合物进行反应(例如，缩合反应或加成反应)来获得。具体地，当使用(甲基)丙烯酸系树脂时，该树脂可以通过使具有源自具有任意合适的官能团的单体的结构单元的(甲基)丙烯酸系树脂(共聚物)在任意合适的溶剂中进行聚合，然后使所得物在丙烯酸系树脂的官能团和具有与该官能团可反应的聚合性碳-碳双键的化合物之间进行反应来获得。相对于100重量份的上述树脂，要进行反应的具有聚合性碳-碳双键的化合物的量优选为4重量份～30重量份、更优选4重量份～20重量份。作为溶剂，可以使用任意合适的溶剂。其实例包括各种有机溶剂，如乙酸乙酯、甲基乙基酮和甲苯。
当树脂和具有聚合性碳-碳双键的化合物如上所述彼此进行反应时，树脂和具有聚合性碳-碳双键的化合物优选具有可以彼此反应的官能团。官能团的组合为例如羧基/环氧基，羧基/氮杂环丙烷基、或羟基/异氰酸酯基。在这些官能团的组合中，从反应跟踪的容易性的观点，羟基和异氰酸酯基的组合为优选的。
具有聚合性碳-碳双键的化合物的实例包括甲基丙烯酸2-异氰酸基乙酯、甲基丙烯酰基异氰酸酯、2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯(甲基丙烯酸2-异氰酸乙酯)、和间异丙烯基-α,α-二甲基苄基异氰酸酯。
当使用通过添加UV固化性单体和/或低聚物而获得的压敏粘合剂时，任意合适的单体或低聚物可以用作各自的UV固化性单体和低聚物。UV固化性单体的实例包括聚氨酯(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羟甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯和1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯。UV固化性低聚物的实例包括聚氨酯系低聚物、聚醚系低聚物、聚酯系低聚物、聚碳酸酯系低聚物、和聚丁二烯系低聚物。分子量为约100～约30,000的低聚物优选用作低聚物。单体和低聚物可以单独使用或以其组合使用。
单体和/或低聚物可以根据要使用的压敏粘合剂的种类以任意合适的量使用。相对于压敏粘合剂形成用基础聚合物的100重量份，要使用的单体和/或低聚物的量例如优选为5重量份～500重量份、更优选40重量份～150重量份。
C-2.光聚合引发剂
任意合适的引发剂可以用作光聚合引发剂。光聚合引发剂的实例包括：酰基氧化膦系光聚合引发剂，如2,4,6-三甲基苄基苯基次膦酸乙酯和(2,4,6-三甲基苯甲酰基)-苯基氧化膦；α-酮醇系化合物，如4-(2-羟基乙氧基)苯基(2-羟基-2-丙基)酮、α-羟基-α,α′-二甲基苯乙酮、2-甲基-2-羟基苯丙酮和1-羟基环己基苯基酮；苯乙酮系化合物，如甲氧基苯乙酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2,2-二乙氧基苯乙酮、和2-甲基-1-[4-(甲硫基)-苯基]-2-吗啉基丙烷-1；苯偶姻醚系化合物，如苯偶姻乙醚、苯偶姻异丙醚、和茴香偶姻甲醚；缩酮系化合物，如苄基二甲基缩酮；芳香族磺酰氯系化合物，如2-萘磺酰氯；光活性肟系化合物，如1-苯酮-1,1-丙二酮-2-(邻乙氧基羰基)-肟；二苯甲酮系化合物，如二苯甲酮、苯甲酰基苯甲酸、和3,3'-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮；噻吨酮系化合物，如噻吨酮、2-氯噻吨酮、2-甲基噻吨酮、2,4-二甲基噻吨酮、异丙基噻吨酮、2,4-二氯噻吨酮、2,4-二乙基噻吨酮、和2,4-二异丙基噻吨酮；樟脑醌；卤代酮；以及酰基膦酸酯、和α-羟基苯乙酮，如2-羟基-1-(4-(4-(2-羟基-2-甲基丙酰基)苄基)苯基-2-甲基丙烷-1。其中，可以优选使用苯乙酮系化合物。光聚合引发剂可以单独使用或以其组合使用。
作为光聚合引发剂，也可以使用市售品。其实例包括来自IGM Resins B.V.的在商品名Omnirad 127、Omnirad 369和Omnirad 651下可得的产品。
光聚合引发剂可以以任意合适的量使用。相对于100重量份的上述UV固化型压敏粘合剂，光聚合引发剂的含量优选为0.5重量份～20重量份、更优选0.5重量份～10重量份。当光聚合引发剂的含量小于0.5重量份时，UV固化型压敏粘合剂在UV照射时不会充分固化。当光聚合引发剂的含量大于10重量份时，压敏粘合剂的储存稳定性会降低。
C-3.添加剂
压敏粘合剂层形成组合物可以根据需要包含任意合适的添加剂。添加剂的实例包括交联剂、催化剂(例如，铂催化剂)、增粘剂、增塑剂、颜料、染料、填料、防老剂、导电材料、UV吸收剂、光稳定剂、剥离改性剂(peeling modifier)、软化剂、表面活性剂、阻燃剂和溶剂。
在本发明的至少一个实施方案中，UV固化型压敏粘合剂进一步包含交联剂。交联剂的实例包括异氰酸酯系交联剂、环氧系交联剂、氮杂环丙烷系和螯合物系交联剂。相对于在UV固化型压敏粘合剂中的基础聚合物的100重量份，交联剂的含量比例优选为0.01重量份～10重量份、更优选0.02重量份～5重量份、还更优选0.025重量份～0.5重量份。压敏粘合剂层的柔软性可以通过交联剂的含量比例来控制。当交联剂的含量小于0.01重量份时，压敏粘合剂变为溶胶状，并且因此不会形成压敏粘合剂层。当交联剂的含量大于10重量份时，对被粘物的粘附性(adhesiveness)会降低，并且被粘物会得不到充分保护。
在本发明的至少一个实施方案中，优选使用异氰酸酯系交联剂。异氰酸酯系交联剂为优选的，这是因为该交联剂可以与各种官能团反应。特别优选使用具有3个以上的异氰酸酯基的交联剂。当异氰酸酯系交联剂用作交联剂并且交联剂的含量比例落入上述范围内时，可以形成即使在加热后剥离性也优异并且导致粘合剂残留量显著减少的压敏粘合剂层。
压敏粘合剂层的厚度可以设定为任意合适的值。压敏粘合剂层的厚度优选为10μm～500μm、更优选30μm～300μm、还更优选50μm～250μm。当压敏粘合剂层的厚度落入该范围内时，该层可以展现出对被粘物充分的压敏粘合强度。
压敏粘合剂层可以由一层或两层以上形成。当压敏粘合剂层由两层以上形成时，压敏粘合剂层仅需要包括至少一层通过使用包含光聚合引发剂的压敏粘合剂层形成组合物而形成的压敏粘合剂层。当压敏粘合剂层由两层以上形成时，通过使用包含光聚合引发剂的压敏粘合剂组合物而形成的压敏粘合剂层优选形成在压敏粘合片的与被粘物接触的表面上。不是由压敏粘合剂层形成组合物形成的压敏粘合剂层可以由任意合适的压敏粘合剂组合物形成。压敏粘合剂组合物可以为UV固化型压敏粘合剂或压敏粘合剂。
D.缓和层
在本发明的至少一个实施方案中，半导体晶片加工用压敏粘合片进一步包括缓和层。当该片进一步包括缓和层时，即使在其中该片进行加热工序的情况下，该片也可以进一步抑制翘曲的发生，并且因此可以更令人满意地支承半导体晶片。缓和层可以设置在任意合适的位置。例如，该层可以设置在基材和压敏粘合剂层之间。要形成的缓和层的层数可以仅为1层，或可以为2层以上。
缓和层可以通过使用任意合适的聚合物形成。在本发明的至少一个实施方案中，缓和层优选包含通过将(甲基)丙烯酸系聚合物交联而获得的交联产物(cross-linkedproduct)。当该层包含通过将(甲基)丙烯酸系聚合物交联而获得的交联产物时，可以同时实现半导体晶片加工用压敏粘合片的可操作性和加工性，以及半导体晶片加工用压敏粘合片的耐热性。包含通过将(甲基)丙烯酸系聚合物交联而获得的交联产物的缓和层具体描述如下。
D-1.(甲基)丙烯酸系聚合物
任意合适的(甲基)丙烯酸系单体可以用作(甲基)丙烯酸系聚合物形成用丙烯酸系单体。在本发明的至少一个实施方案中，(甲基)丙烯酸系聚合物不含(甲基)丙烯酸作为单体组分。当该聚合物不含(甲基)丙烯酸作为单体组分时，可以抑制缓和层的吸水，并且因此可以改善半导体加工用压敏粘合片的耐热性。
(甲基)丙烯酸烷基酯可以典型地用作丙烯酸系单体。(甲基)丙烯酸烷基酯的具体实例包括各自具有3～20个碳原子的烷基的(甲基)丙烯酸系单体((甲基)丙烯酸C3-C20烷基酯)，如(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸异丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸异丁酯、(甲基)丙烯酸仲丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸异戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸异辛酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸异壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸异癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯、(甲基)丙烯酸十五烷基酯、(甲基)丙烯酸十六烷基酯、(甲基)丙烯酸十七烷基酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯、(甲基)丙烯酸十九烷基酯和(甲基)丙烯酸二十烷基酯。其中，优选使用具有4个以下的碳原子的烷基的(甲基)丙烯酸系单体。(甲基)丙烯酸系单体可以单独使用或以其组合使用。
(甲基)丙烯酸系聚合物中的具有4个以下的碳原子的烷基的(甲基)丙烯酸系单体的含量比例优选为50mol％～99mol％、更优选60mol％～95mol％、还更优选70mol％～90mol％。当具有4个以下的碳原子的烷基的(甲基)丙烯酸系单体的含量比例落入该范围内时，可以同时实现半导体晶片加工用压敏粘合片的可操作性和加工性，以及耐热性。当具有超过4个碳原子的烷基的(甲基)丙烯酸系单体的含量比例大于99mol％时，未反应的单体组分的比例会由于空间位阻的影响而增加。结果，未反应的单体组分可以用作缓和层中的脱气源(outgas source)，以降低半导体加工用压敏粘合片的耐热性。(甲基)丙烯酸系聚合物中的单体组分的含量比例是指(甲基)丙烯酸系聚合物的合成中使用的单体组合物中的含量比例。
在本发明的至少一个实施方案中，(甲基)丙烯酸系聚合物优选包含含羟基的(甲基)丙烯酸系单体。当该聚合物包含含羟基的单体时，获得具有羟基的(甲基)丙烯酸系聚合物，并且羟基可以用作任意合适的取代基的导入点。另外，可以同时实现半导体晶片加工用压敏粘合片的可操作性和加工性，以及耐热性。(甲基)丙烯酸系聚合物中的含羟基的单体的含量比例优选为0.1mol％～8mol％、更优选1mol％～7.5mol％。当含羟基的单体的含量比例大于8mol％时，缓和层可以吸水以降低半导体加工用压敏粘合片的耐热性。
任意合适的单体可以用作含羟基的单体。其实例包括丙烯酸2-羟甲酯、丙烯酸2-羟乙酯、丙烯酸2-羟丙酯、丙烯酸3-羟丙酯、丙烯酸4-羟丁酯、甲基丙烯酸2-羟甲酯、甲基丙烯酸2-羟乙酯、和N-(2-羟乙基)丙烯酰胺。其中，优选使用丙烯酸2-羟甲酯、丙烯酸2-羟乙酯、甲基丙烯酸2-羟甲酯和甲基丙烯酸2-羟乙酯。这些单体可以单独使用或以其组合使用。
另外，可以根据需要进一步使用与(甲基)丙烯酸烷基酯可共聚的其它单体组分，以达到使例如内聚强度、耐热性或交联性改性的目的。这种单体组分的实例包括：酸酐单体，如马来酸酐和衣康酸酐；含羟基的单体，如(甲基)丙烯酸羟乙酯和(甲基)丙烯酸羟丙酯；含磺酸基的单体，如苯乙烯磺酸和烯丙基磺酸；(N-取代)酰胺系单体，如(甲基)丙烯酰胺和N,N-二甲基(甲基)丙烯酰胺；(甲基)丙烯酸氨基烷基酯系单体，如(甲基)丙烯酸氨基乙酯；(甲基)丙烯酸烷氧基烷基酯系单体，如(甲基)丙烯酸甲氧基乙酯；马来酰亚胺系单体，如N-环己基马来酰亚胺和N-异丙基马来酰亚胺；衣康酰亚胺系单体，如N-甲基衣康酰亚胺和N-乙基衣康酰亚胺；琥珀酰亚胺系单体；乙烯基系单体，如乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯、N-乙烯基吡咯烷酮和甲基乙烯基吡咯烷酮；氰基丙烯酸酯单体，如丙烯腈和甲基丙烯腈；含环氧基的丙烯酸系单体，如(甲基)丙烯酸缩水甘油酯；乙二醇系丙烯酸酯单体(glycol-basedacrylic ester monomer)，如聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯和聚丙二醇(甲基)丙烯酸酯；各自具有杂环、卤原子或硅原子的丙烯酸酯系单体，如(甲基)丙烯酸四氢糠酯、氟(甲基)丙烯酸酯(fluorine(meth)acrylate)、有机硅(甲基)丙烯酸酯(silicone(meth)acrylate)；烯烃系单体，如异戊二烯、丁二烯和异丁烯；和乙烯基醚系单体，如乙烯基醚。这些单体组分可以单独使用或以其组合使用。
在本发明的至少一个实施方案中，缓和层优选没有UV固化能力。当该层没有UV固化能力时，即使在其中半导体加工用压敏粘合片进行加热工序的情况下，也可以抑制其翘曲的发生。任意合适的方法可以用作提供没有UV固化能力的缓和层的手段(measure)。其实例包括以下方法：与部分C中的描述不同，没有将碳-碳双键引入(甲基)丙烯酸系聚合物中，没有向其中添加UV固化性单体和/或低聚物，并且没有向其中添加光聚合引发剂。
(甲基)丙烯酸系聚合物可以通过任意合适的方法来获得。该聚合物可以通过例如任意合适的聚合方法将包含上述单体组分的单体组合物聚合来获得。
D-2.交联剂
任意合适的交联剂可以用作用于将(甲基)丙烯酸系聚合物交联的交联剂。例如，可以各自使用部分C中所列的交联剂。在本发明的至少一个实施方案中，优选使用异氰酸酯系交联剂。异氰酸酯系交联剂为优选的，这是因为该交联剂可以与各种官能团反应。特别优选使用具有3个以上的异氰酸酯基的交联剂。交联剂可以以任意合适的量使用。相对于100重量份的(甲基)丙烯酸系聚合物，交联剂的含量优选为0.01重量份～10重量份、更优选0.02重量份～5重量份、还更优选0.025重量份～0.5重量份。当交联剂的含量小于0.01重量份时，缓和层的状态可能变得更接近溶胶，从而降低半导体加工用压敏粘合片的加工性。进一步，当该片进行加热工序时，可能变得难以保持缓和层的形状，从而污染加热装置。当交联剂的含量大于10重量份时，存在缓和层变得更接近凝胶，因此缓和层的橡胶弹性变得更高，从而妨碍缓和层充分地发挥其在加热工序中减轻基材收缩的功能的风险。结果，该层对片发生翘曲的抑制效果会降低。
D-3.添加剂
缓和层可以根据需要包含任意合适的添加剂。添加剂的实例包括催化剂(例如，铂催化剂)、增粘剂、增塑剂、颜料、染料、填料、防老剂、导电材料、UV吸收剂、光稳定剂、剥离改性剂、软化剂、表面活性剂、阻燃剂和溶剂。
缓和层的厚度可以设定为任意合适的值。厚度为例如5μm～600μm，优选为10μm～550μm、更优选20μm～500μm。当缓和层的厚度落入该范围内时，即使在其中将半导体加工用压敏粘合片贴合于其上的状态下对半导体晶片进行加热工序的情况下，也可以抑制其翘曲的发生，并且因此可以有效地进行利用装置的晶片的输送。因此，可以抑制成品率的降低。当缓和层的厚度小于5μm时，其对加热工序中翘曲的发生的抑制效果会降低。当缓和层的厚度大于600μm时，在其中将压敏粘合片贴合到半导体晶片并且切割贴合产物(bondedproduct)的工艺中，半导体加工用压敏粘合片的加工性的降低，从而降低成品率的可能性变得更高。
E.半导体加工用压敏粘合片的制造方法
半导体加工用压敏粘合片可以通过任意合适的方法来制造。该片可以通过例如以下方法来获得，该方法包括：将压敏粘合剂溶液(UV固化型压敏粘合剂)涂布至隔离体；将该溶液干燥以在隔离体上形成压敏粘合剂层；然后将该层贴合至基材。另外，半导体加工用压敏粘合片可以通过将压敏粘合剂层形成组合物涂布至基材上并且将该组合物干燥来获得。如棒涂机涂布、气刀涂布、凹版涂布、凹版逆向涂布、逆向辊涂、唇式涂布、模涂、浸涂、胶版印刷、柔性版印刷、和丝网印刷等各种方法可以各自用作压敏粘合剂层形成组合物的涂布方法。任意合适的方法可以用作干燥方法。
当半导体加工用压敏粘合片进一步包括缓和层时，缓和层可以通过任意合适的方法来形成。例如，缓和层可以通过以与形成压敏粘合剂层的方法相同的方式将缓和层的材料涂布至基材并且将该材料干燥来形成。
F.半导体加工用压敏粘合片的用途
半导体加工用压敏粘合片可以适当地用于半导体制造工艺中。如上所述，即使在半导体加工用压敏粘合片进行加热工序时，也抑制了该片发生翘曲，并且因此可以防止成品率的降低。因此，该片可以适当地用于保护要进行加热工序的半导体晶片。
当外周肋晶片的直径增加时，其外周肋对其磨削部分的刚性贡献率(rigiditycontribution ratio)降低，并且因此在晶片进行加热工序时，如挠曲和翘曲的发生等问题会变得更加显著。即使在将半导体晶片加工用压敏粘合片施用至直径增加(例如12英寸)的外周肋晶片时，该片也抑制了当晶片进行加热工序时挠曲和翘曲的发生，并且因此可以防止成品率降低。
实施例
现在，通过实施例具体地描述本发明，但本发明不限于这些实施例。另外，在实施例中，除非另有说明，“份”和“％”都是以重量计。
[制造例1]
压敏粘合剂层形成组合物的制备
将167.17重量份的丙烯酸丁酯(BA)、12.11重量份的丙烯酸2-羟乙酯(HEA)、0.54重量份的偶氮二异丁腈(AIBN)、和414.98重量份的乙酸乙酯混合以制备组合物。将所得组合物投入聚合用实验装置中，所述装置具有带有可拆式盖的1升圆底可拆式烧瓶、分液漏斗、温度计、氮气引入管、李比希冷凝器、真空密封、搅拌棒和搅拌叶片，并且在搅拌该组合物的同时，在常温下用氮气吹扫装置内部6小时。之后，当该组合物在氮气气流中搅拌时，将该组合物在65℃下保持4小时，然后在75℃下保持2小时来聚合。因此，获得树脂溶液。
将包含所得树脂溶液的烧瓶冷却至室温。之后，将用作具有聚合性碳-碳双键的化合物的8.09重量份的甲基丙烯酸2-异氰基乙酯(由Showa Denko K.K.制造，商品名：“Karenz MOI”)和0.04重量份的二月桂酸二丁基锡(IV)(由Wako Pure ChemicalIndustries,Ltd.制造)添加至该树脂溶液中，并且将该混合物在空气气氛下于50℃搅拌24小时，以提供基础聚合物。
将0.4重量份的多异氰酸酯交联剂(由Nippon Polyurethane Industry Co.,Ltd.制造，商品名：“CORONATE L”)和0.5重量份的光聚合引发剂(由IGM Resins B.V.制造，商品名：“Omnirad 369”)添加至所得基础聚合物的固成分100重量份中，随后混合。接下来，将乙酸乙酯用作稀释溶剂以调节混合物的粘度。因此，获得压敏粘合剂层形成组合物。
[制造例2]
缓和层形成组合物1～6的制备
将表1中所示的各材料混合以提供组合物。将所得组合物各自投入聚合用实验装置中，所述装置已经通过安装具有可拆式盖的1升圆底可拆式烧瓶、分液漏斗、温度计、氮气引入管、李比希冷凝器、真空密封、搅拌棒和搅拌叶片而获得，并且在搅拌该组合物的同时，在常温下用氮气吹扫装置内部6小时。之后，当该组合物在氮气气流中搅拌时，将该组合物在65℃下保持4小时，然后在75℃下保持2小时来聚合。因此，获得树脂溶液(缓和层聚合物1～6)。
将0.2重量份的多异氰酸酯交联剂(由Nippon Polyurethane Industry Co.,Ltd.制造，商品名：“CORONATE L”)添加至所得树脂溶液的固成分100重量份中，随后混合。接下来，将乙酸乙酯用作稀释溶剂以调节混合物的粘度。因此，获得缓和层形成组合物1～6。
表1
Figure BDA0003096577200000181
EA：丙烯酸乙酯
BA：丙烯酸丁酯
HEA：丙烯酸2-羟乙酯
2EHA：丙烯酸2-乙基己酯
AA：丙烯酸
AIBN：偶氮二异丁腈
[实施例1]
将厚度为50μm的聚萘二甲酸乙二醇酯膜(由Teijin Film Solutions Limited制造，商品名：“TEONEX(商标)FILM Q51”)的一个表面进行电晕处理。将缓和层形成组合物1涂布至膜的经电晕处理的表面，并且用干燥机在120℃下干燥3分钟，以形成厚度为40μm的缓和层。
单独地，将压敏粘合剂层形成组合物涂布至聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)隔离体(由Mitsubishi Chemical Corporation制造，商品名：“DIAFOIL MRF38”)的经剥离处理的表面侧，并且用干燥机在120℃下干燥3分钟，以形成厚度为10μm的压敏粘合剂层。
接下来，用手动辊将缓和层和压敏粘合剂层彼此贴合，使得没有气泡进入其间的间隙。接下来，在遮光的状态下，将贴合产物在设定为50℃的干燥机中静置48小时，然后从干燥机中移出。因此，获得压敏粘合片。
[实施例2]
除了将基材的厚度设定为100μm以外，以与实施例1相同的方式获得压敏粘合片。
[实施例3]
除了将基材的厚度设定为188μm以外，以与实施例1相同的方式获得压敏粘合片。
[实施例4]
除了使用缓和层形成组合物2来代替缓和层形成组合物1以外，以与实施例2相同的方式获得压敏粘合片。
[实施例5]
除了使用缓和层形成组合物3来代替缓和层形成组合物1以外，以与实施例2相同的方式获得压敏粘合片。
[实施例6]
将厚度为125μm的聚萘二甲酸乙二醇酯膜(由Teijin Film Solutions Limited制造，商品名：“TEONEX(商标)FILM Q51”)的一个表面进行电晕处理。将缓和层形成组合物1涂布至膜的经电晕处理的表面，并且用干燥机在120℃下干燥3分钟，以形成厚度为40μm的缓和层。接下来，将厚度为25μm的聚萘二甲酸乙二醇酯膜(由Teijin Film SolutionsLimited制造，商品名：“TEONEX(商标)FILM Q51”)的一个表面进行电晕处理，并且用手动辊将膜的未进行电晕处理的表面贴合至缓和层，使得没有气泡进入其间的间隙。
单独地，将压敏粘合剂层形成组合物涂布至聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)隔离体(由Mitsubishi Chemical Corporation制造，商品名：“DIAFOIL MRF38”)的经剥离处理的表面侧，并且用干燥机在120℃下干燥3分钟，以形成厚度为10μm的压敏粘合剂层。
接下来，用手动辊将厚度为25μm的聚萘二甲酸乙二醇酯膜的经电晕处理的表面和压敏粘合剂层彼此贴合，使得没有气泡进入其间的间隙。接下来，在遮光的状态下，将贴合产物在设定为50℃的干燥机中静置48小时，然后从干燥机中移出。因此，获得压敏粘合片。
[实施例7]
除了使用缓和层形成组合物4来代替缓和层形成组合物1以外，以与实施例2相同的方式获得压敏粘合片。
[实施例8]
除了使用缓和层形成组合物5来代替缓和层形成组合物1以外，以与实施例2相同的方式获得压敏粘合片。
[实施例9]
除了使用缓和层形成组合物6来代替缓和层形成组合物1以外，以与实施例2相同的方式获得压敏粘合片。
(比较例1)
除了将基材的厚度设定为25μm以外，以与实施例1相同的方式获得压敏粘合片。
(比较例2)
除了将基材的厚度设定为250μm以外，以与实施例1相同的方式获得压敏粘合片。
(比较例3)
将厚度为100μm的聚萘二甲酸乙二醇酯膜(由Teijin Film Solutions Limited制造，商品名：“TEONEX(商标)FILM Q51”)的一个表面进行电晕处理。将压敏粘合剂层形成组合物涂布至膜的经电晕处理的表面，并且用干燥机在120℃下干燥3分钟，以形成厚度为50μm的压敏粘合剂层。接下来，用手动辊将聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)隔离体(由MitsubishiChemical Corporation制造，商品名：“DIAFOIL MRF38”)的经剥离处理的表面贴合至压敏粘合剂层，使得没有气泡进入其间的间隙。接下来，在遮光的状态下，将贴合产物在设定为50℃的干燥机中静置48小时，然后从干燥机中移出。因此，获得压敏粘合片。
(比较例4)
除了将厚度为100μm的PET膜(由Toray Industries,Inc.制造，商品名：“LUMIRROR#100ES10”)用作基材以外，以与实施例1相同的方式获得压敏粘合片。
<评价>
以下评价通过使用实施例和比较例中获得的压敏粘合片、基材形成材料、缓和层形成组合物1～6、以及压敏粘合剂层形成组合物来进行。结果示于表2。
1.基材的储能弹性模量E′
用美工刀(box cutter)将基材形成材料切割成具有膜厚为100μm、长度为25mm(测量的长度)、以及宽度为10mm的条状以提供评价样品。评价样品的0℃～250℃下的储能弹性模量E′用固体粘弹性测量测量装置(由Rheometric Scientific制造，商品名：“RSA III”)来测量。在频率为1Hz、升温速度为10℃/分钟的条件下进行测量，并且将22℃下的储能弹性模量E′用作各样品的储能弹性模量E′。
2.贴合后的切割性的评价
切割试验通过在以下条件下贴合各所得压敏粘合片来进行。每次更换贴合有片的带或晶片时，用新的刀片更换切割刀片。
贴合装置：DR-3000III(由Nitto Seiki Co.,Ltd.制造)
贴合设置：12英寸
贴合晶片：12英寸Si晶片(未磨削)
贴合工作台：23℃
贴合压力：0.4MPa
贴合速度：3mm/秒
切割机温度：180℃
切割机速度：200mm/秒
切割机刀片：美工刀(Art Knife)替换刀片XB10(由Olfa Corporation制造)
3.外周肋晶片评价
(1)样品的制作
准备12英寸Si镜，并且用贴合装置(由Nitto Seiki Co.,Ltd.制造，商品名：DR-3000III)将加工用压敏粘合带(由Nitto Denko Corporation制造，商品名：UB-3083D)贴合到其上，随后切割。。接下来，将所得Si晶片的外周肋的宽度设定为2mm(未磨削，无倾斜加工(no slope processing))，并且将其除了肋之外的部分进行薄化加工至厚度为75μm。接下来，用高压汞灯以500mJ/cm2以上的光量从加工用压敏粘合带的基材侧施加UV光，以将带的压敏粘合剂层固化，随后剥离加工用压敏粘合带。因此，获得外周肋晶片。
将实施例或比较例中获得的压敏粘合片切割为测量为400mm×400mm的尺寸。将各压敏粘合片的基材表面放置在地板上，并且将其隔离体剥离。接下来，在其中没有对压敏粘合片施加张力的状态下，将12英寸的切割环贴合至压敏粘合片的压敏粘合剂层。接下来，用贴合装置(由Nitto Seiki Co.,Ltd.制造，商品名：MV 3000)(工作台：不与晶片的背面接触的工作台，贴合温度：23℃，贴合时的真空度：50Pa)将外周肋晶片和压敏粘合片彼此贴合。将外周肋晶片的平坦面和压敏粘合剂层彼此贴合。之后，将美工刀的刀片从晶片的肋面插入，以沿着晶片的外周切割压敏粘合片。因此，制作评价样品。挠曲评价和加热翘曲评价通过使用所得样品来进行。
(2)外周肋晶片挠曲评价
如图3所示，仅将外周肋晶片评价样品的外周肋放置在支承体上，使得其凹部朝向下方，随后测量样品的挠曲量(mm)。在其中支承体设置为水平的状态下进行评价，并且将其中挠曲量变为最大的部分中的挠曲量用作半导体加工用压敏粘合片的挠曲量。
(3)外周肋晶片加热翘曲评价
将外周肋晶片评价样品装入防爆干燥机(由Espec Corp.制造，商品名：SPH-201)，并且在180℃下进行加热处理1小时。接下来，将评价样品的Si表面放置在地板上，并且用尺子来测量样品的翘曲量(mm)(从地板的表面到样品的外周肋晶片的端部的距离)。另外，目视观察加热后样品的缓和层中是否存在气泡以及其基材是否熔融。
4.剥离强度
(1)加热前的剥离强度
将在实施例或比较例中获得的压敏粘合片切割为尺寸为长150mm×宽20mm的条状。在23℃下，使2kg的辊往返一次，以将已剥离了其隔离体的压敏粘合片贴合至镜面抛光的硅晶片(mirror-finished silicon wafer)(由Shin-Etsu Semiconductor Co.,Ltd.制造，商品名：“CZN<100>2.5-3.5”，直径：4英寸)。将片和晶片之间的贴合部分形成尺寸为长80mm×宽20mm。将贴合产物在23℃的气氛下在无负荷下静置30分钟。接下来，压敏粘合片的压敏粘合强度通过在以下条件下依照JIS Z 0237进行90°剥离试验来测量。
<90°剥离试验>
试验的重复次数：3次
温度：23℃
剥离角度：90°
剥离速度：300mm/分钟
初始长度(夹具间隔(chuck interval))：150mm
(2)加热前且UV照射后的剥离强度
将在实施例或比较例中获得的压敏粘合片切割为尺寸为长150mm×宽20mm的条状。在23℃下，使2kg的辊往返一次，以将已剥离了其隔离体的压敏粘合片贴合至镜面抛光的硅晶片(由Shin-Etsu Semiconductor Co.,Ltd.制造，商品名：“CZN<100>2.5-3.5”，直径：4英寸)。将片和晶片之间的贴合部分形成尺寸为长80mm×宽20mm。将贴合产物在23℃的气氛下在无负荷下静置30分钟。在已经静置30分钟之后，在以下的UV照射条件下，用UV光从片的基材的背面侧照射贴合产物。之后，将贴合产物静置30分钟，并且以与加热前剥离强度的评价相同的方式依照JIS Z 0237来进行90°剥离试验。
<UV照射条件>
UV照射装置：由Nitto Seiki Co.,Ltd.制造，商品名：UM810
光源：高压汞灯
照射强度：50mW/cm2(测量装置：由Ushio Inc.制造的“UV强度计UT-101”)
照射时间：30秒
累积光量：1,500mJ/cm2
(3)加热后且UV照射后的剥离强度
将在实施例或比较例中获得的压敏粘合片切割为尺寸为长150mm×宽20mm的条状。在23℃下，使2kg的辊往返一次，以将已剥离了其隔离体的压敏粘合片贴合至镜面抛光的硅晶片(由Shin-Etsu Semiconductor Co.,Ltd.制造，商品名：“CZN<100>2.5-3.5”，直径：4英寸)。将片和晶片之间的贴合部分形成尺寸为长80mm×宽20mm。将贴合产物在23℃的气氛下在无负荷下静置30分钟。接下来，将贴合产物在设定为180℃的干燥机中加温1小时。在加温之后，在遮光的状态下，将贴合产物在23℃和50％RH的环境中静置3小时。接下来，在以下的UV照射条件下，用UV光从片的基材的背面侧照射贴合产物。之后，将贴合产物静置30分钟，并且以与加热前剥离强度的评价相同的方式依照JIS Z 0237来进行90°剥离试验。
<UV照射条件>
UV照射装置：由Nitto Seiki Co.,Ltd.制造，商品名：UM810
光源：高压汞灯
照射强度：50mW/cm2(测量装置：由Ushio Inc.制造的“UV强度仪UT-101”)
照射时间：30秒
累积光量：1,500mJ/cm2
5.缓和层评价
(1)样品的制造
将缓和层形成组合物1～6各自涂布至PET隔离体(由Mitsubishi ChemicalCorporation制造，商品名：“DIAFOIL MRA38”)的经剥离处理的表面，并且在PET隔离体上用干燥机在120℃下干燥3分钟，以提供厚度为50μm的缓和层。将另一个PET隔离体(由Mitsubishi Chemical Corporation制造，商品名：“DIAFOIL MRA38”)的经剥离处理的表面侧贴合至缓和层的不与PET隔离体接触的表面，使得其间不包括气泡。将贴合产物在设定为50℃的干燥机中静置48小时，以提供评价样品。
(2)Karl Fischer含水量
将评价样品切割为各自尺寸测量为1cm×5cm的两片(总面积：10cm2)。将各片的两个表面上的隔离体剥离并且转移到铝箔上，并且将所得样品称重。将称重后的样品装入加热蒸发器(由Mitsubishi Chemical Analytech Co.,Ltd.制造，商品名：MODEL VA-200)中，并且将在150℃下产生的气体引入库仑滴定型含水量测量装置(由Mitsubishi ChemicalAnalytech Co.,Ltd.制造，商品名：MODEL CA-200)的滴定池中，然后测量其含水量(μg/g)。
(3)吸水后的Karl Fischer含水量
将评价样品装入在60℃和95％RH下的恒温恒湿器中72小时。接下来，将评价样品切割为各自尺寸测量为1cm×5cm(总面积：10cm2)的两片。将各片的两个表面上的隔离体剥离并且转移到铝箔上，并且将所得样品称重。将称重后的样品装入加热蒸发器(由Mitsubishi Chemical Analytech Co.,Ltd.制造，商品名：MODEL VA-200)中，并且将在150℃下产生的气体引入库仑滴定型含水量测量装置(由Mitsubishi Chemical AnalytechCo.,Ltd.制造，商品名：MODEL CA-200)的滴定池中，然后测量其含水量(μg/g)。从将样品从恒温恒湿器中移出到将样品装入加热蒸发器中以开始测量需要1小时。
(4)脱气测量
从评价样品中切割出尺寸测量为1cm×5cm(5cm2)的片，并且将其隔离体剥离，然后将所得样品称重。接下来，将样品装入小玻璃瓶(vial bottle)中，并且将瓶子密封。之后，用顶空进样器(head space sampler)(HSS，由Shimadzu Corporation制造，商品名：HS-20)将包含样品的小玻璃瓶加热，并且将处于加热状态的气体1mL注入气相色谱仪(GC，由Shimadzu Corporation制造，商品名：QP2010 Ultra)并且进行测量。在以下条件下进行分析，并且确定总脱气量(μg/g)。
<HSS>
烘箱温度：200℃
加热时间：15分钟
样品环(Sample loop)温度：240℃
传输线路(Transfer line)温度：250℃
加压时间：0.50分钟
环填充时间：0.50分钟
环平衡时间：0.10分钟
注入时间：0.50分钟
<GC>
柱子：DB-17(0.250mmΦ×30m，df＝0.5μm)
柱温：40℃(3分钟)→10℃/分钟→280℃(13分钟)
柱压：49.7kPa(40℃)
载气：He(1.0mL/分钟，40℃，固定线速度模式(fixed linear velocity mode))
线速度：36.1cm/s
注入口温度：250℃
注入方法：分流(split)(20:1)
检测器：FID
检测器温度：250℃
Figure BDA0003096577200000271
根据本发明的至少一个实施方案的半导体加工用压敏粘合片可以适当地用于半导体加工工艺。根据本发明的至少一个实施方案的半导体加工用压敏粘合片还可以适当地用于大直径的外周肋晶片的加工。
产业上的可利用性
根据本发明的至少一个实施方案，可以提供一种在不降低成品率的情况下适当地保护半导体晶片的半导体加工用压敏粘合片。在外周肋晶片的直径增加时，在其热加工时如挠曲和翘曲等问题会变得更加显著。根据本发明的至少一个实施方案的半导体加工用压敏粘合片可以适当地保护甚至直径增加的半导体晶片如外周肋晶片，而不降低成品率。

Claims (10)

1.一种半导体加工用压敏粘合片，其包括：
压敏粘合剂层；和
基材，
所述半导体加工用压敏粘合片在外周肋晶片加热翘曲评价中示出翘曲量为0mm～5mm，并且在外周肋晶片挠曲评价中示出挠曲量为0mm～5mm。
2.根据权利要求1所述的半导体加工用压敏粘合片，其中所述基材的23℃下的储能弹性模量为2×109Pa以上，并且180℃下的储能弹性模量为2×108Pa以上。
3.根据权利要求1所述的半导体加工用压敏粘合片，其中所述基材的厚度为50μm～200μm。
4.根据权利要求1所述的半导体加工用压敏粘合片，其进一步包括缓和层。
5.根据权利要求4所述的半导体加工用压敏粘合片，其中所述缓和层包含通过将(甲基)丙烯酸系聚合物交联而获得的交联产物。
6.根据权利要求5所述的半导体加工用压敏粘合片，其中所述(甲基)丙烯酸系聚合物不含(甲基)丙烯酸作为单体组分。
7.根据权利要求5所述的半导体加工用压敏粘合片，其中所述(甲基)丙烯酸系聚合物包含0.1mol％～8mol％的含羟基的(甲基)丙烯酸系单体。
8.根据权利要求5所述的半导体加工用压敏粘合片，其中所述(甲基)丙烯酸系聚合物包含50mol％～99mol％的具有4个以下的碳原子的烷基的(甲基)丙烯酸系单体。
9.根据权利要求1所述的半导体加工用压敏粘合片，其中所述压敏粘合剂层包含UV固化型压敏粘合剂。
10.根据权利要求4所述的半导体加工用压敏粘合片，其中所述缓和层没有UV固化能力。
CN202110612742.XA 2020-06-02 2021-06-02 半导体加工用压敏粘合片 Pending CN113755106A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020096050A JP2021187985A (ja) 2020-06-02 2020-06-02 半導体加工用粘着シート
JP2020-096050 2020-06-02

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN113755106A true CN113755106A (zh) 2021-12-07

Family

ID=76059734

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110612742.XA Pending CN113755106A (zh) 2020-06-02 2021-06-02 半导体加工用压敏粘合片

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20210371562A1 (zh)
EP (1) EP3919578A1 (zh)
JP (1) JP2021187985A (zh)
KR (1) KR20210149599A (zh)
CN (1) CN113755106A (zh)
TW (1) TW202204550A (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2023074840A (ja) 2021-11-18 2023-05-30 三菱重工サーマルシステムズ株式会社 空調装置

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003338535A (ja) * 2002-05-22 2003-11-28 Mitsui Chemicals Inc 半導体ウェハ表面保護用粘着フィルム及び該粘着フィルムを用いる半導体ウェハ保護方法
JP2004106515A (ja) * 2002-07-26 2004-04-08 Nitto Denko Corp 加工用粘着シートとその製造方法
CN1580168A (zh) * 2003-08-08 2005-02-16 日东电工株式会社 再剥离型粘合片材
JP2005183764A (ja) * 2003-12-22 2005-07-07 Mitsui Chemicals Inc 半導体ウェハ表面保護用粘着フィルム及び該粘着フィルムを用いる半導体ウエハの裏面加工方法
JP2006232930A (ja) * 2005-02-23 2006-09-07 Nitto Denko Corp 粘着シートとその製造方法、及び、製品の加工方法
CN102027086A (zh) * 2008-05-12 2011-04-20 日东电工株式会社 粘合片、使用该粘合片的被粘物的加工方法及粘合片剥离装置
CN102754200A (zh) * 2009-12-22 2012-10-24 古河电气工业株式会社 半导体晶片表面保护用胶带
JP2012209429A (ja) * 2011-03-30 2012-10-25 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体ウエハ加工用粘着テープ及び半導体ウエハの加工方法
JP2016121231A (ja) * 2014-12-24 2016-07-07 古河電気工業株式会社 電子部品加工用粘着テープ
CN109743877A (zh) * 2016-10-03 2019-05-10 琳得科株式会社 半导体加工用粘着胶带以及半导体装置的制造方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4558345B2 (ja) 2004-02-19 2010-10-06 リンテック株式会社 保護シートおよび半導体ウエハの加工方法
JP5390740B2 (ja) 2005-04-27 2014-01-15 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7266398B2 (ja) 2018-12-11 2023-04-28 株式会社ディスコ 切削装置及び切削装置を用いたウエーハの加工方法

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003338535A (ja) * 2002-05-22 2003-11-28 Mitsui Chemicals Inc 半導体ウェハ表面保護用粘着フィルム及び該粘着フィルムを用いる半導体ウェハ保護方法
JP2004106515A (ja) * 2002-07-26 2004-04-08 Nitto Denko Corp 加工用粘着シートとその製造方法
CN1580168A (zh) * 2003-08-08 2005-02-16 日东电工株式会社 再剥离型粘合片材
JP2005183764A (ja) * 2003-12-22 2005-07-07 Mitsui Chemicals Inc 半導体ウェハ表面保護用粘着フィルム及び該粘着フィルムを用いる半導体ウエハの裏面加工方法
JP2006232930A (ja) * 2005-02-23 2006-09-07 Nitto Denko Corp 粘着シートとその製造方法、及び、製品の加工方法
CN102027086A (zh) * 2008-05-12 2011-04-20 日东电工株式会社 粘合片、使用该粘合片的被粘物的加工方法及粘合片剥离装置
CN102754200A (zh) * 2009-12-22 2012-10-24 古河电气工业株式会社 半导体晶片表面保护用胶带
JP2012209429A (ja) * 2011-03-30 2012-10-25 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体ウエハ加工用粘着テープ及び半導体ウエハの加工方法
JP2016121231A (ja) * 2014-12-24 2016-07-07 古河電気工業株式会社 電子部品加工用粘着テープ
CN109743877A (zh) * 2016-10-03 2019-05-10 琳得科株式会社 半导体加工用粘着胶带以及半导体装置的制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP3919578A1 (en) 2021-12-08
JP2021187985A (ja) 2021-12-13
TW202204550A (zh) 2022-02-01
US20210371562A1 (en) 2021-12-02
KR20210149599A (ko) 2021-12-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109743877B (zh) 半导体加工用粘着胶带以及半导体装置的制造方法
JP4711777B2 (ja) 粘着シートとその製造方法、及び、製品の加工方法
EP1760131B1 (en) Pressure-sensitive adhesive sheet and method of processing articles
TWI519618B (zh) 放射線硬化型黏著劑組合物及黏著片材
EP3007212B1 (en) Semiconductor wafer protection film and production method for semiconductor device
EP2154220B1 (en) Re-releasable adhesive agent and re-releasable adhesive sheet
JP2011018669A (ja) 半導体ウェハダイシング用粘着シート及び該粘着シートを用いる半導体ウェハのダイシング方法
KR20150097483A (ko) 보호막 형성용 필름
KR20210023871A (ko) 반도체 가공용 점착 테이프 및 반도체 장치의 제조 방법
KR20130092475A (ko) 반도체 웨이퍼 가공용 시트
JP7386088B2 (ja) 粘着剤組成物および該粘着剤組成物を用いた粘着シート
CN113755106A (zh) 半导体加工用压敏粘合片
KR102647149B1 (ko) 백그라인드 테이프
JP4804625B2 (ja) 半導体ウエハ加工用保護シートおよび半導体ウエハの加工方法
JP2017005072A (ja) 半導体ウエハ保護用粘着シート
JP7426260B2 (ja) 粘着テープ
KR20230160730A (ko) 반도체 가공용 점착 테이프
WO2022270008A1 (ja) 半導体素子加工用粘着シート
JP2003105290A (ja) 固定用粘着シート
CN117447937A (zh) 半导体加工用压敏粘合片
TW202132386A (zh) 紫外線硬化型黏著片材
KR20220169929A (ko) 반도체 웨이퍼 가공용 점착 시트
CN115926633A (zh) 用于半导体加工用压敏粘合带的压敏粘合剂组合物和使用该压敏粘合剂组合物的压敏粘合带

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination