KR20230160730A - 반도체 가공용 점착 테이프 - Google Patents

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Abstract

과제는, 내열성이 우수한 반도체 가공용 점착 테이프를 제공하는 것이다.
해결 수단으로, 본 발명의 실시 형태의 반도체 가공용 점착 테이프는, 점착제층과, 완화층과, 기재를 이 순으로 구비한다. 이 완화층의 아웃 가스 양은 4000μg/g 이하이고, 또한, 응력 완화율이 70％ 이상이다. 이 기재의 열 수축률은 3.0％ 이하이다.

Description

반도체 가공용 점착 테이프{PRESSURE-SENSITIVE ADHESIVE TAPE FOR SEMICONDUCTOR PROCESSING}
본 발명은 반도체 가공용 점착 테이프에 관한 것이다.
절연 게이트 바이폴라 트랜지스터(IGBT: Insulated Gate Bipolar Transistor) 등의 파워 반도체는, 전력 변환 및 모터 제어 등의 목적으로 널리 사용되고 있다. 파워 반도체는 대형이고, 디바이스의 특성을 향상시키기 위하여 두께가 100㎛ 이하로 될 때까지 이면을 연삭하는 경우가 있다. 파워 반도체는, 예를 들어 웨이퍼에 백그라인드 테이프를 첩부하여 연삭하고, 그 후 스퍼터링 또는 증착에 의해 금속층을 형성하여 전극을 마련하는 백 메탈 공정을 행하여 제작된다(특허문헌 1). 백 메탈 공정은, 고진공, 또한, 200℃ 이상의 고온 영역에서 행해지기 때문에, 얇게 연삭된 반도체 웨이퍼에서는 휨이 발생하고, 웨이퍼의 갈라짐이 발생하는 경우가 있다. 또한, 백그라인드 테이프에는 백라인드 공정 후에 경박리가 되도록 자외선 경화형 점착제가 사용된다. 자외선 경화형 점착제는 진공, 또한, 고온 환경에서는, 점착제층에 보이드가 발생하는 경우가 있다.
일본 특허 공개 제2019-169704호 공보
본 발명은 상기 종래의 과제를 해결하기 위하여 이루어진 것이고, 그 목적으로 하는 점은, 내열성이 우수한, 반도체 가공용 점착 테이프를 제공하는 데 있다.
1. 본 발명의 실시 형태의 반도체 가공용 점착 테이프는, 점착제층과, 완화층과, 기재를 이 순으로 구비한다. 이 완화층의 아웃 가스 양은 4000μg/g 이하이고, 또한, 응력 완화율은 70％ 이상이다. 이 기재의 열 수축률은 3.0％ 이하이다.
2. 상기 1.에 기재된 반도체 가공용 점착 테이프에 있어서, 상기 완화층을 형성하는 조성물은 베이스 폴리머를 포함하고, 이 베이스 폴리머는 아크릴산의 함유 비율이 5몰％ 이하인 모노머 조성물을 중합하여 얻어지는 폴리머여도 된다.
3. 상기 2.의 반도체 가공용 점착 테이프에 있어서, 상기 완화층을 형성하는 조성물은 상기 베이스 폴리머에, 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물을 부가 중합시켜서 얻어지는 폴리머를 포함하고 있어도 된다.
4. 상기 3.의 반도체 가공용 점착 테이프에 있어서, 상기 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물의 부가량은 5몰％ 이하여도 된다.
5. 상기 1. 내지 4.의 어느 것에 기재된 반도체 가공용 점착 테이프에 있어서, 상기 완화층을 형성하는 조성물은 베이스 폴리머를 포함하고, 이 베이스 폴리머는 아크릴산부틸의 함유 비율이 50몰％ 이상인 모노머 조성물을 중합하여 얻어지는 폴리머여도 된다.
6. 상기 1. 내지 5.의 어느 것에 기재된 반도체 가공용 점착 테이프에 있어서, 상기 점착제층은 자외선 경화형 점착제에 의해 형성되는 층이어도 된다.
7. 상기 1. 내지 6.의 어느 것에 기재된 반도체 가공용 점착 테이프에 있어서, 상기 완화층의 인장 탄성률은 0.1MPa 이상이어도 된다.
8. 상기 1. 내지 7.의 어느 것에 기재된 반도체 가공용 점착 테이프에 있어서, 상기 반도체 가공용 점착 테이프는, 백그라인드 공정에 사용되어도 된다.
9. 상기 1. 내지 8.의 어느 것에 기재된 반도체 가공용 점착 테이프에 있어서, 상기 반도체 가공용 점착 테이프는, 진공, 또한, 200℃ 이상의 가열 공정을 포함하는 반도체 제조 공정에 사용되어도 된다.
본 발명의 실시 형태에 따르면, 내열성이 우수한 반도체 가공용 점착 테이프를 제공할 수 있다. 본 발명의 실시 형태의 반도체 가공용 점착 테이프는, 진공 또한 고온(예를 들어, 200℃ 이상) 가열 공정을 포함하는 반도체 제조 공정에 사용된 경우에도, 반도체 웨이퍼 및 반도체 가공용 점착 테이프의 휨 및 점착제층의 보이드 발생을 억제할 수 있다.
도 1은, 본 발명의 하나의 실시 형태에 의한 반도체 가공용 점착 테이프의 개략 단면도이다.
A. 반도체 가공용 점착 테이프의 전체 구성
도 1은, 본 발명의 실시 형태에 의한 반도체 가공용 점착 테이프의 개략 단면도이다. 반도체 가공용 점착 테이프(100)는, 기재(10)와, 완화층(30)과, 점착제층(20)을 이 순으로 구비한다. 기재(10)는 열 수축률이 3.0％ 이하이다. 완화층(30)은, 아웃 가스 양이 4000μg/g 이하이고, 또한, 응력 완화율이 70％ 이상이다. 이러한 기재(10) 및 완화층(30)을 구비하면, 내열성이 우수한 반도체 가공용 점착 테이프를 제공할 수 있다. 이러한 기재 및 완화층을 갖는 반도체 가공용 점착 테이프는, 박형으로 연삭한 반도체 웨이퍼에 첩부된 채 고온(예를 들어 200℃ 이상) 환경에 놓인 경우라도 휨의 발생이 억제될 수 있다. 또한, 점착제층을 형성하는 점착제 조성물로서 자외선 경화형 점착제를 사용한 경우라도 보이드의 발생이 억제될 수 있다. 따라서, 예를 들어 반도체 웨이퍼에 첩부하여 백그라인드 공정을 행한 후, 다른 점착 시트 또는 지지체로 바꿔 붙이는 일 없이, 진공 또한 고온(예를 들어, 200℃ 이상) 가열 공정(예를 들어, 백 메탈 공정)에 제공할 수 있다. 도시 예에서는 기재(10)는 단일의 층이지만, 2층 이상의 적층체여도 된다. 반도체 가공용 점착 테이프는, 사용에 제공할 때까지의 동안, 점착제층을 보호할 목적으로, 점착제층의 외측에 세퍼레이터가 마련되어 있어도 된다.
완화층(30)은 아웃 가스 양이 4000μg/g 이하이고, 바람직하게는 3800μg/g 이하이고, 보다 바람직하게는 3100μg/g 이하이고, 더욱 바람직하게는 3000μg/g 이하이고, 특히 바람직하게는 2800μg/g 이하이다. 아웃 가스 양이 상기 범위라면, 점착제층의 보이드 발생을 억제할 수 있고, 내열성이 우수한 반도체 가공용 점착 테이프를 제공할 수 있다. 아웃 가스 양은 적을수록 바람직하고, 예를 들어 1300μg/g 이상이다. 본 명세서에 있어서, 완화층의 아웃 가스 양은 유기 성분의 아웃 가스 양과 수분의 아웃 가스 양의 합계를 말한다. 본 명세서에 있어서, 유기 성분의 아웃 가스 양은, 이하의 방법에 의해 측정된 아웃 가스 양을 말한다. 두께 50㎛의 완화층의 양측에 세퍼레이터를 적층한 적층체로부터 5㎠(1cm×5cm)를 잘라내고, 양측의 세퍼레이터를 박리하여 평가 샘플로 하고, 칭량한다. 이어서, 평가 샘플을 바이얼병에 넣어서 마개를 막는다. 이어서, 평가 샘플을 넣은 바이얼병을, 헤드 스페이스 샘플러(HSS)를 사용하여 가열하고, 가열 상태의 가스 1mL를 채취하여 가스 크로마토그래프(GC)에 주입하고, 토탈의 아웃 가스 양(μg/g)을 측정한다. 본 명세서에 있어서, 수분의 아웃 가스 양은, 두께 50㎛의 완화층의 양측에 세퍼레이터를 적층한 적층체로부터 10㎠(1cm×5cm의 시료를 2매) 잘라내고, 완화층의 양측으로부터 세퍼레이터를 박리한 평가 샘플의 칼 피셔법에 의해 측정한 수분량을 말한다.
완화층(30)의 응력 완화율은 70％ 이상이고, 바람직하게는 71％ 이상이고, 보다 바람직하게는 75％ 이상이고, 더욱 바람직하게는 78％ 이상이고, 특히 바람직하게는 80％ 이상이다. 완화층의 응력 완화율은, 바람직하게는 95％ 이하이다. 응력 완화율이 상기 범위라면, 고온 환경에 놓인 경우라도 기재의 열 수축을 완화하고, 휨의 발생을 억제할 수 있다. 본 명세서에 있어서, 응력 완화율은 이하의 방법에 의해 측정된 시험력으로부터 하기 식에 의해 산출한 값을 말한다. 1쌍의 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 세퍼레이터 사이에, 완화층(두께 20㎛)을 형성하고, 건조기 내에서 50℃, 48시간 에이징한다. 그 후, 세퍼레이터에서 끼움 지지한 완화층을 길이 50mm, 폭 30mm의 사이즈로 커트한다. 이어서, 세퍼레이터를 박리하고, 기포가 들어가지 않도록 둥글게 하여, 길이 30mm, 직경 1.13mm의 막대 형상 시료를 제작한다. 막대 형상 시료를 인장 시험기(예를 들어, ORIENTEC사제, 제품명: 「RTC-1150A」)를 사용하여, 측정 온도 22℃, 척간 거리 10mm, 속도 10mm/분의 조건 하에서, 50％까지 인장하고, 그 후 인장한 상태에서 600초간 고정한다. 각각의 시험력(N)으로부터 하기 식에 의해 응력 완화율을 산출한다.
응력 완화율=((50％ 인장 초기 시의 시험력)-(600초 후 고정 후의 시험력))/(50％ 인장 초기 시의 시험력)×100
기재(10)의 열 수축률은 3.0％ 이하이고, 바람직하게는 2.5％ 이하이고, 보다 바람직하게는 2.0％ 이하이고, 더욱 바람직하게는 1.5％ 이하이고, 특히 바람직하게는 1.0％ 이하이다. 기재의 열 수축률은 작을수록 바람직하고, 예를 들어 0.1％ 이상이다. 기재의 열 수축률이 상기 범위라면, 고온 환경에 놓인 경우라도 휨의 발생을 억제하고, 내열성이 우수한 반도체 가공용 점착 테이프를 제공할 수 있다. 본 명세서에 있어서, 열 수축률은 이하의 방법에 의해 산출한 값을 말한다. 기재로서 사용하는 필름(10cm×10cm)을 25℃ 3분간 정치하고, 초기 길이를 계측한다. 이어서, 필름을 승온 장치에 넣고, 20℃/분으로 25℃로부터 200℃까지 승온하고, 200℃의 온도에서 10분간 유지한다. 이어서, -20℃/분으로 25℃까지 냉각한다. 그 후, 가열 후의 길이를 측정하고, 하기 식으로부터 수축률을 산출한다.
수축률(％)=100-((가열 후 길이)/(초기 길이)×100)
본 발명의 실시 형태의 반도체 가공용 점착 테이프의 두께는 임의의 적절한 두께로 설정될 수 있다. 반도체 가공용 점착 테이프의 두께는, 바람직하게는 70㎛ 내지 900㎛이고, 보다 바람직하게는 80㎛ 내지 800㎛이고, 더욱 바람직하게는 90㎛ 내지 750㎛이다.
B. 기재
상기한 바와 같이, 기재의 열 수축률은 3.0％ 이하이다. 기재의 열 수축률이 3.0％ 이하이면 휨의 발생을 억제하고, 내열성이 우수한 반도체 가공용 점착 테이프를 제공할 수 있다. 기재의 열 수취율의 바람직한 범위는 상기한 바와 같다.
기재는, 임의의 적절한 수지로 구성될 수 있다. 기재를 구성하는 수지의 구체예로서는, 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리부틸렌테레프탈레이트(PBT), 폴리부틸렌나프탈레이트(PBN) 등의 폴리에스테르계 수지, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체, 에틸렌-메타크릴산메틸 공중합체, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 에틸렌-프로필렌 공중합체 등의 폴리올레핀계 수지, 폴리비닐알코올, 폴리염화비닐리덴, 폴리염화비닐, 염화비닐-아세트산비닐 공중합체, 폴리아세트산비닐, 폴리아미드, 폴리이미드, 셀룰로오스류, 불소계 수지, 폴리에테르, 폴리스티렌 등의 폴리스티렌계 수지, 폴리카르보네이트, 폴리에테르술폰, 폴리에테르에테르케톤 등을 들 수 있다. 바람직하게는 폴리에스테르계 수지이고, 보다 바람직하게는 폴리에틸렌나프탈레이트이다. 이들 수지를 사용하면, 고온 환경에 놓인 경우라도 휨의 발생을 억제할 수 있는 기재를 형성할 수 있다. 또한, 이들 수지는 자외선을 투과하기 때문에, 자외선 경화형 점착제를 사용하여 점착제층을 형성하고, 경박리성을 갖는 반도체 가공용 점착 테이프를 제공할 수 있다.
기재는, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서, 그 밖의 성분을 더 포함하고 있어도 된다. 그 밖의 성분으로서는, 예를 들어 산화 방지제, 자외선 흡수제, 광안정제, 내열 안정제 등을 들 수 있다. 그 밖의 성분의 종류 및 사용량은, 목적에 따라서 임의의 적절한 양으로 사용할 수 있다.
기재의 두께는, 바람직하게는 30㎛ 내지 200㎛이고, 보다 바람직하게는 40㎛ 내지 180㎛이고, 더욱 바람직하게는 45㎛ 내지 180㎛이다. 기재의 두께가 상기 범위라면, 고온 환경에 놓인 경우라도 휨의 발생을 억제할 수 있다.
C. 완화층
상기한 바와 같이, 완화층은 아웃 가스 양이 4000μg/g 이하이고, 또한, 응력 완화율이 70％ 이상이다. 이러한 완화층을 갖는 반도체 가공용 점착 테이프는, 고온 환경에 놓인 경우라도 기재의 열 수축을 완화하고, 휨의 발생을 억제할 수 있다. 또한, 점착제층으로서 자외선 경화형 점착제를 사용한 경우에도, 보이드의 발생을 억제할 수 있다. 그 결과, 내열성이 우수한 반도체 가공용 점착 테이프를 제공할 수 있다.
완화층의 인장 탄성률은 바람직하게는 0.06MPa 이상이고, 보다 바람직하게는 0.1MPa 이상이고, 더욱 바람직하게는 0.12MPa 이상이다. 완화층의 인장 탄성률은 바람직하게는 1.1MPa 이하이다. 인장 탄성률이 상기 범위라면, 휨의 발생을 억제할 수 있다. 본 명세서에 있어서, 인장 탄성률은 이하의 방법에 의해 측정한 값을 말한다. 1쌍의 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 세퍼레이터 사이에, 완화층(두께 20㎛)을 형성하고, 건조기 내에서 50℃, 48시간 에이징한다. 그 후, 세퍼레이터로 끼움 지지한 완화층을 길이 50mm, 폭 30mm의 사이즈로 커트한다. 이어서, 세퍼레이터를 박리하고, 기포가 들어가지 않도록 둥글게 하여, 길이 30mm, 직경 1.13mm의 막대 형상 시료를 제작한다. 인장 시험기(예를 들어, ORIENTEC사제, 상품명: RTC-1150A)를 사용하여, 측정 온도 22도, 척간 거리 10mm, 속도 10mm/분의 조건 하에서, 막대 형상 시료의 S-S 커브를 측정한다. S-S 커브의 상승으로부터 초기 탄성률을 구하고, 이 값을 완화층의 인장 탄성률로 한다.
완화층을 형성하는 조성물(이하, 완화층 형성 조성물이라고도 함)은 임의의 적절한 베이스 폴리머를 포함한다. 베이스 폴리머로서는, 바람직하게는 (메트)아크릴계 폴리머가 사용된다. (메트)아크릴계 폴리머를 사용하면, 내열성이 우수한 반도체 가공용 점착 테이프를 제공할 수 있다. 또한, 완화층의 저장 탄성률 및 인장 탄성률을 적절한 값으로 조정할 수 있다. 또한, 본 명세서에 있어서, 「(메트)아크릴」이란, 아크릴 및/또는 메타크릴을 말한다.
C-1. (메트)아크릴계 폴리머
(메트)아크릴계 폴리머는 임의의 적절한 (메트)아크릴계 모노머를 포함하는 모노머 조성물을 중합하여 얻어지는 폴리머이다. (메트)아크릴계 모노머로서는 임의의 적절한 (메트)아크릴계 모노머를 사용할 수 있다. 대표적으로는, (메트)아크릴산알킬에스테르를 사용할 수 있다. (메트)아크릴산알킬에스테르의 구체예로서는, (메트)아크릴산메틸, (메트)아크릴산에틸, (메트)아크릴산프로필, (메트)아크릴산이소프로필, (메트)아크릴산부틸, (메트)아크릴산이소부틸, (메트)아크릴산s-부틸, (메트)아크릴산t-부틸, (메트)아크릴산펜틸, (메트)아크릴산헥실, (메트)아크릴산헵틸, (메트)아크릴산옥틸, (메트)아크릴산2-에틸헥실, (메트)아크릴산이소옥틸, (메트)아크릴산노닐, (메트)아크릴산이소노닐, (메트)아크릴산데실, (메트)아크릴산이소데실, (메트)아크릴산운데실, (메트)아크릴산도데실, (메트)아크릴산트리데실, (메트)아크릴산테트라데실, (메트)아크릴산펜타데실, (메트)아크릴산헥사데실, (메트)아크릴산헵타데실, (메트)아크릴산옥타데실, (메트)아크릴산노나데실, (메트)아크릴산에이코실 등의 (메트)아크릴산C1-20알킬에스테르를 들 수 있다. (메트)아크릴산알킬에스테르는 1종만을 사용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
응집력, 내열성, 가교성 등의 개질을 목적으로서, 필요에 따라, 상기 (메트)아크릴계 모노머와 공중합 가능한 다른 단량체 성분을 더 사용해도 된다. 이러한 단량체 성분으로서, 예를 들어 아크릴산, 메타크릴산 등의 카르복실기 함유 모노머; 무수 말레산, 무수 이코탄산 등의 산 무수물 모노머; (메트)아크릴산히드록시에틸, (메트)아크릴산히드록시프로필 등의 히드록실기 함유 모노머; 스티렌술폰산, 알릴술폰산 등의 술폰산기 함유 모노머; (메트)아크릴아미드, N,N-디메틸(메트)아크릴아미드 등의 (N-치환)아미드계 모노머; (메트)아크릴산아미노에틸 등의 (메트)아크릴산아미노알킬계 모노머; (메트)아크릴산메톡시에틸 등의 (메트)아크릴산알콕시알킬계 모노머; N-시클로헥실말레이미드, N-이소프로필말레이미드 등의 말레이미드계 모노머; N-메틸이타콘이미드, N-에틸이타콘이미드 등의 이타콘이미드계 모노머; 숙신이미드계 모노머; 아세트산비닐, 프로피온산비닐, N-비닐피롤리돈, 메틸비닐피롤리돈 등의 비닐계 모노머; 아크릴로니트릴, 메타크릴로니트릴 등의 시아노아크릴레이트 모노머; (메트)아크릴산글리시딜 등의 에폭시기 함유 아크릴계 모노머; (메트)아크릴산폴리에틸렌글리콜, (메트)아크릴산폴리프로필렌글리콜 등의 글리콜계 아크릴에스테르 모노머; (메트)아크릴산테트라히드로푸르푸릴, 불소(메트)아크릴레이트, 실리콘(메트)아크릴레이트 등의 복소환, 할로겐 원자, 규소 원자 등을 갖는 아크릴산에스테르계 모노머; 이소프렌, 부타디엔, 이소부틸렌 등의 올레핀계 모노머; 비닐에테르 등의 비닐에테르계 모노머 등을 들 수 있다. 이들의 단량체 성분은, 1종만을 사용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
모노머 조성물의 아크릴산의 함유 비율은 바람직하게는 5몰％ 이하이고, 보다 바람직하게는 4몰％ 이하이고, 더욱 바람직하게는 3몰％ 이하이다. 모노머 조성물의 아크릴산 함유 비율이 상기 범위라면, 완화층의 아웃 가스 양, 특히 수분에서 유래되는 아웃 가스 양을 저감할 수 있다. 모노머 조성물의 아크릴산 함유 비율은, 예를 들어 0몰％, 즉, 모노머 조성물이 아크릴산을 포함하지 않아도 된다.
모노머 조성물은 바람직하게는 아크릴산부틸을 포함한다. 아크릴산부틸을 포함하는 모노머 조성물을 사용하면, 완화층의 아웃 가스 양을 저감하고, 내열성이 우수한 반도체 가공용 점착 테이프를 제공할 수 있다. 모노머 조성물의 아크릴산부틸의 함유 비율은 바람직하게는 50몰％ 이상이고, 보다 바람직하게는 60몰％ 내지 99몰％이고, 더욱 바람직하게는 70몰％ 내지 97몰％이다. 아크릴산부틸의 함유 비율이 상기 범위라면, 완화층의 아웃 가스 양을 보다 저감시킬 수 있다.
모노머 조성물은 바람직하게는 수산기 함유 (메트)아크릴계 모노머를 더 포함한다. 수산기 함유 모노머를 포함함으로써, 수산기를 갖는 (메트)아크릴계 폴리머가 얻어지고, 이 수산기가 임의의 적절한 치환기의 도입점이 될 수 있다. 또한, 모노머 조성물의 수산기 함유 모노머의 함유 비율은 바람직하게는 0.1몰％ 내지 8몰％이고, 보다 바람직하게는 1몰％ 내지 7.5몰％이다. 수산기 함유 모노머의 함유 비율이 상기 범위라면, 후술하는 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물의 부가 중합을 양호하게 행할 수 있다.
수산기 함유 모노머로서는, 임의의 적절한 모노머를 사용할 수 있다. 예를 들어, 2-히드록시메틸아크릴레이트, 2-히드록시에틸아크릴레이트, 2-히드록시프로필아크릴레이트, 3-히드록시프로필아크릴레이트, 4-히드록시부틸아크릴레이트, 2-히드록시메틸메타크릴레이트, 2-히드록시에틸메타크릴레이트, N-(2-히드록시에틸)아크릴아미드 등을 들 수 있다. 바람직하게는, 2-히드록시메틸아크릴레이트, 2-히드록시에틸아크릴레이트, 2-히드록시메틸메타크릴레이트, 2-히드록시에틸메타크릴레이트가 사용된다. 이들 모노머는, 1종만을 사용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
모노머 조성물의 아크릴산에틸 및 아크릴산메틸의 함유 비율은 바람직하게는 5몰％ 이하이고, 보다 바람직하게는 4몰％ 이하이고, 더욱 바람직하게는 3몰％ 이하이다. 모노머 조성물의 아크릴산에틸 및 아크릴산메틸의 함유 비율이 상기 범위라면, 완화층의 아웃 가스 양, 특히 수분에서 유래되는 아웃 가스 양을 저감할 수 있다. 모노머 조성물의 아크릴산에틸 및 아크릴산메틸의 함유 비율은, 예를 들어 1몰％ 이상이고, 모노머 조성물의 아크릴산에틸 및 아크릴산메틸의 함유 비율이 0몰％, 즉, 모노머 조성물이 아크릴산에틸 및 아크릴산메틸을 포함하지 않아도 된다.
하나의 실시 형태에 있어서, 모노머 조성물은 아크릴산부틸과, 수산기 함유 모노머와, 메타크릴산부틸, 메타크릴산메틸, 아크릴산에틸, 아크릴산이소부틸, 메타크릴산이소부틸, 아크릴산이소아밀로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 모노머를, 이들 모노머 성분의 합계가 100몰％가 되도록 포함하는 것이 바람직하다. 이들의 모노머 성분을 조합하여 사용하면 보다 아웃 가스 양을 저감할 수 있고, 휨의 발생을 억제하는 것이 가능한 반도체 가공용 점착 테이프를 제공할 수 있다.
하나의 실시 형태에 있어서, 완화층 형성 조성물(결과로서 형성되는 완화층)은 상기 베이스 폴리머에 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물을 부가 중합시켜서 얻어지는 폴리머(이하, 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 폴리머라고도 함)를 포함한다. 완화층이 중합성 탄소 이중 결합을 갖는 폴리머를 포함하는 경우, 휨의 발생을 보다 억제할 수 있다. 중합성 탄소-탄소 이중 결합은 베이스 폴리머의 측쇄에 부가 중합되어 있어도 되고, 말단에 부가 중합되어 있어도 되고, 측쇄 및 말단에 부가 중합되어 있어도 된다.
측쇄 또는 말단에 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 폴리머는, 임의의 적절한 방법에 의해 얻을 수 있다. 예를 들어, 상기 베이스 폴리머와, 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물을 부가 반응시킴으로써 얻어질 수 있다. 구체적으로는, 임의의 적절한 관능기를 갖는 모노머 유래의 구성 단위를 갖는 베이스 폴리머를 임의의 적절한 용매 중에서 중합하고, 그 후, 해당 베이스 폴리머의 관능기와, 해당 관능기와 반응할 수 있는 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물을 반응시킴으로써, 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 폴리머를 얻을 수 있다. 반응시키는 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물의 양은, 베이스 폴리머의 관능기의 몰수에 대하여 등몰 이하가 되도록 사용된다. 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물의 양이 베이스 폴리머의 관능기의 몰수를 초과하는 경우, 유기 성분 유래의 아웃 가스 양이 증가될 우려가 있다. 용매로서는 임의의 적절한 용매를 사용할 수 있고, 예를 들어 아세트산에틸, 메틸틸케톤, 톨루엔 등의 각종 유기 용제를 들 수 있다.
상기와 같이 하여 베이스 폴리머와 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물을 반응시키는 경우, 베이스 폴리머 및 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물은 각각, 서로 반응 가능한 관능기를 갖는 것이 바람직하다. 관능기의 조합으로서는, 예를 들어 카르복실기/에폭시기, 카르복실기/아지리딘기, 히드록실기/이소시아네이트기 등을 들 수 있다. 이들 관능기의 조합 중에서도, 반응 추적의 용이함으로부터, 히드록실기와 이소시아네이트기의 조합이 바람직하다.
상기 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물로서는, 예를 들어 2-이소시아네이토에틸메타크릴레이트, 메타크릴로이소시아네이트, 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트(2-이소시아나토에틸메타크릴레이트), m-이소프로페닐-α,α-디메틸벤질이소시아네이트 등을 들 수 있다.
베이스 폴리머의 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물의 부가량은 바람직하게는 5몰％ 이하이고, 보다 바람직하게는 4몰％ 이하이고, 더욱 바람직하게는 3몰％ 이하이다. 부가량이 5몰％를 초과하면 아웃 가스 양, 특히 유기 성분에서 유래되는 아웃 가스 양이 증가하고, 보이드의 발생을 충분히 억제할 수 없는 경우가 있다.
C-2. 가교제
완화층 형성 조성물은 바람직하게는 가교제를 더 포함한다. 가교제로서는, 예를 들어 이소시아네이트계 가교제, 에폭시계 가교제, 아지리딘계 가교제, 킬레이트계 가교제 등을 들 수 있다. 가교제의 함유 비율은, 완화층 형성 조성물에 포함되는 베이스 폴리머(중합성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 경우에는, 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 폴리머) 100중량부에 대하여, 바람직하게는 0.01중량부 내지 10중량부이고, 보다 바람직하게는 0.02중량부 내지 5중량부이고, 더욱 바람직하게는 0.025중량부 내지 0.5중량부이다. 가교제의 함유량이 상기 범위라면, 휨의 발생을 억제할 수 있다. 가교제의 함유량이 0.01중량부 미만인 경우, 조성물이 졸 상태가 되고, 완화층을 형성할 수 없을 우려가 있다. 가교제의 함유량이 10중량부를 초과하는 경우, 반도체 웨이퍼 표면의 요철에 대한 추종성이 저하될 수 있다.
하나의 실시 형태에 있어서는, 이소시아네이트계 가교제가 바람직하게 사용된다. 이소시아네이트계 가교제는, 다종의 관능기와 반응할 수 있는 점에서 바람직하다. 특히 바람직하게는, 이소시아네이트기를 3개 이상 갖는 가교제가 사용된다.
C-3. 첨가제
완화층은, 필요에 따라, 임의의 적절한 첨가제를 포함할 수 있다. 첨가제로서는, 예를 들어 촉매(예를 들어, 백금 촉매), 점착 부여제, 가소제, 안료, 염료, 충전제, 노화 방지제, 도전재, 자외선 흡수제, 광안정제, 박리 조정제, 연화제, 계면 활성제, 난연제, 용제 등을 들 수 있다.
하나의 실시 형태에 있어서, 완화층은 자외선 경화형의 조성물로 형성되어 있어도 된다. 완화층 형성 조성물이 자외선 경화형의 조성물인 경우, 이 조성물은 광중합 개시제를 더 포함한다. 광중합 개시제로서는 임의의 적절한 개시제를 사용할 수 있다. 광중합 개시제로서는, 예를 들어 에틸2,4,6-트리메틸벤질페닐포스피네이트, (2,4,6-트리메틸벤조일)-페닐포스핀옥시드 등의 아실포스핀옥시드계 광중합 개시제; 4-(2-히드록시에톡시)페닐(2-히드록시-2-프로필)케톤, α-히드록시-α,α'-디메틸아세토페논, 2-메틸-2-히드록시프로피오페논, 1-히드록시시클로헥실페닐케톤 등의 α-케톨계 화합물; 메톡시아세토페논, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논, 2,2-디에톡시아세토페논, 2-메틸-1-[4-(메틸티오)-페닐]-2-모르폴리노프로판-1 등의 아세토페논계 화합물; 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 아니소인메틸에테르 등의 벤조인에테르계 화합물; 벤질디메틸케탈 등의 케탈계 화합물; 2-나프탈렌술포닐클로라이드 등의 방향족 술포닐클로라이드계 화합물; 1-페논-1,1-프로판디온-2-(o-에톡시카르보닐)옥심 등의 광 활성 옥심계 화합물; 벤조페논, 벤조일벤조산, 3,3'-디메틸-4-메톡시벤조페논 등의 벤조페논계 화합물; 티오크산톤, 2-클로로티오크산톤, 2-메틸티오크산톤, 2,4-디메틸티오크산톤, 이소프로필티오크산톤, 2,4-디클로로티오크산톤, 2,4-디에틸티오크산톤, 2,4-디이소프로필티오크산톤 등의 티오크산톤계 화합물; 캄포퀴논; 할로겐화케톤; 아실포스포네이트, 2-히드록시-1-(4-(4-(2-히드록시-2-메틸프로피오닐)벤질)페닐-2-메틸프로판-1 등의 α-히드록시아세토페논 등을 들 수 있다. 바람직하게는, 아세토페논계 화합물을 사용할 수 있다. 광중합 개시제는 1종만을 사용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
광중합 개시제는 임의의 적절한 양으로 사용될 수 있다. 광중합 개시제의 함유량은, 상기 베이스 폴리머(중합성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물이 부가되어 있는 경우에는, 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 폴리머) 100중량부에 대하여, 바람직하게는 0.5중량부 내지 20중량부이고, 보다 바람직하게는 0.5중량부 내지 10중량부이다. 광중합 개시제의 함유량이 0.5중량부 미만인 경우, 자외선 조사 시에 충분히 경화되지 않을 우려가 있다. 광중합 개시제의 함유량이 10중량부를 초과하는 경우, 완화층 형성 조성물의 보존 안정성이 저하될 우려가 있다.
완화층의 두께는 임의의 적절한 값으로 설정될 수 있다. 예를 들어, 20㎛ 내지 500㎛이고, 바람직하게는 30㎛ 내지 400㎛이고, 보다 바람직하게는 40㎛ 내지 300㎛이다. 완화층의 두께가 상기 범위라면, 기재의 열 수축을 완화하고, 휨의 발생이 억제된 반도체 가공용 점착 테이프를 제공할 수 있다. 또한, 반도체 웨이퍼 표면의 요철 매립성이 우수한 반도체 가공용 점착 테이프를 제공할 수 있다.
D. 점착제층
점착제층은 임의의 적절한 점착제 조성물을 사용하여 형성된다. 하나의 실시 형태에 있어서, 점착제층 조성물(결과로서 형성되는 점착제층)은 자외선 경화형 점착제를 포함한다. 자외선 경화형 점착제를 포함하는 경우, 자외선 조사 전에는 피착체에 대한 우수한 점착력을, 자외선 조사 후에는 우수한 박리성을 갖는 점착 테이프를 제공할 수 있다. 또한, 상기의 기재 및 완화층을 구비하기 때문에, 진공, 또한, 고온 가열 공정에 제공된 경우에도, 보이드의 발생을 억제할 수 있다.
D-1. 자외선 경화형 점착제
자외선 경화형 점착제로서는, 임의의 적절한 점착제를 사용할 수 있다. 예를 들어, 아크릴계 점착제, 고무계 점착제, 실리콘계 점착제, 폴리비닐에테르계 점착제 등의 임의의 적절한 점착제에 자외선 경화성의 모노머 및/또는 올리고머를 첨가한 점착제여도 되고, 베이스 폴리머로서 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 측쇄 또는 말단에 갖는 폴리머를 사용한 점착제여도 된다.
중합성 탄소-탄소 이중 결합을 측쇄 또는 말단에 갖는 폴리머를 사용한 점착제를 사용하는 경우, 베이스 폴리머로서는 측쇄 또는 말단에 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 갖고, 또한, 점착성을 갖는 폴리머가 사용된다. 이러한 폴리머로서는, 예를 들어 (메트)아크릴계 수지, 비닐알킬에테르계 수지, 실리콘계 수지, 폴리에스테르계 수지, 폴리아미드계 수지, 우레탄계 수지, 스티렌-디엔 블록 공중합체 등의 수지에 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 도입한 폴리머를 들 수 있다. 바람직하게는, (메트)아크릴계 수지에 중합성 탄소-탄소 이중 결합이 도입된 (메트)아크릴계 폴리머가 사용된다. (메트)아크릴계 폴리머를 사용하는 경우, 점착제층의 저장 탄성률 및 인장 탄성률의 조정을 하기 쉽고, 또한, 점착력과 박리성의 밸런스가 우수한 점착 테이프를 얻을 수 있다. 또한, 점착제 유래의 성분에 의한 피착체의 오염이 저감될 수 있다.
(메트)아크릴계 수지로서는, 임의의 적절한 (메트)아크릴계 수지를 사용할 수 있다. (메트)아크릴계 수지로서는, 예를 들어 직쇄 또는 분지의 알킬기를 갖는 아크릴산 또는 메타크릴산의 에스테르를 1종 또는 2종 이상 포함하는 모노머 조성물을 중합하여 얻어지는 중합체를 들 수 있다.
직쇄 또는 분지의 알킬기는, 바람직하게는 탄소수가 30개 이하의 알킬기이고, 보다 바람직하게는 탄소수 1개 내지 20개의 알킬기이고, 더욱 바람직하게는 탄소수 4개 내지 18개의 알킬기이다. 알킬기로서는, 구체적으로는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, t-부틸기, 이소부틸기, 아밀기, 이소아밀기, 헥실기, 헵틸기, 시클로헥실기, 2-에틸헥실기, 옥틸기, 이소옥틸기, 노닐기, 이소노닐기, 데실기, 이소데실기, 운데실기, 라우릴기, 트리데실기, 테트라데실기, 스테아릴기, 옥타데실기, 도데실기 등을 들 수 있다.
(메트)아크릴계 수지를 형성하는 모노머 조성물은, 임의의 적절한 다른 모노머를 포함하고 있어도 된다. 다른 모노머로서는, 예를 들어 아크릴산, 메타크릴산, 카르복시에틸아크릴레이트, 카르복시펜틸아크릴레이트, 이타콘산, 말레산, 푸마르산, 크로톤산 등의 카르복실기 함유 모노머; 무수 말레산, 무수 이타콘산 등의 산 무수물 모노머; (메트)아크릴산2-히드록시에틸, (메트)아크릴산2-히드록시프로필, (메트)아크릴산4-히드록시부틸, (메트)아크릴산6-히드록시헥실, (메트)아크릴산8-히드록시옥틸, (메트)아크릴산10-히드록시데실, (메트)아크릴산12-히드록시라우릴, (4-히드록시메틸시클로헥실)-메틸아크릴레이트, 2-히드록시에틸비닐에테르, 4-히드록시부틸비닐에테르, 디에틸렌글리콜모노비닐에테르 등의 히드록실기 함유 모노머; 스티렌술폰산, 알릴술폰산, 2-(메트)아크릴아미드-2-메틸프로판술폰산, (메트)아크릴아미도프로판술폰산, 술포프로필(메트)아크릴레이트, (메트)아크릴로일옥시나프탈렌술폰산 등의 술폰산기 함유 모노머; 2-히드록시에틸 아크릴로일포스페이트 등의 인산기 함유 모노머; 등의 관능기 함유 모노머를 들 수 있다. 관능기 함유 모노머를 포함하는 경우, 중합성 탄소-탄소 이중 결합이 도입되기 쉬운 (메트)아크릴계 수지를 얻을 수 있다. 관능기 함유 모노머의 함유 비율은, 모노머 조성물의 전체 모노머 100중량부에 대하여, 바람직하게는 4중량부 내지 30중량부이고, 보다 바람직하게는 6중량부 내지 20중량부이다.
다른 모노머로서, 다관능 모노머를 사용해도 된다. 다관능 모노머를 사용하는 경우, 점착제의 응집력, 내열성, 접착성 등을 높일 수 있다. 또한, 점착제층 중의 저분자량 성분이 적어지기 때문에, 피착체를 오염시키기 어려운 점착 테이프를 얻을 수 있다. 다관능성 모노머로서는, 예를 들어 헥산디올(메트)아크릴레이트, (폴리)에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, (폴리)프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨디(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 에폭시(메트)아크릴레이트, 폴리에스테르(메트)아크릴레이트, 우레탄(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 다관능 모노머의 함유 비율은, 상기 모노머 조성물의 전체 모노머 100중량부에 대하여, 바람직하게는 1중량부 내지 100중량부이고, 보다 바람직하게는 5중량부 내지 50중량부이다.
(메트)아크릴계 수지의 중량 평균 분자량은, 바람직하게는 30만 이상이고, 보다 바람직하게는 50만 이상이고, 더욱 바람직하게는 80만 내지 300만이다. 이러한 범위라면, 저분자량 성분의 블리드를 방지하고, 저오염성의 점착 테이프를 얻을 수 있다. (메트)아크릴계 수지의 분자량 분포(중량 평균 분자량/수 평균 분자량)는, 바람직하게는 1 내지 20이고, 보다 바람직하게는 3 내지 10이다. 분자량 분포가 좁은 (메트)아크릴계 수지를 사용하면, 저분자량 성분의 블리드를 방지하고, 저오염성의 점착 테이프를 얻을 수 있다. 또한, 중량 평균 분자량 및 수 평균 분자량은, 겔 투과 크로마토그래피 측정(용매: 테트라히드로푸란, 폴리스티렌 환산)에 의해 구할 수 있다.
측쇄 또는 말단에 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 폴리머는, 임의의 적절한 방법에 의해 얻을 수 있다. 예를 들어, 임의의 적절한 중합 방법에 의해 얻어진 수지와, 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물을 반응(예를 들어, 축합 반응, 부가 반응)시킴으로써 얻어질 수 있다. 구체적으로는, (메트)아크릴계 수지를 사용하는 경우, 임의의 적절한 관능기를 갖는 모노머 유래의 구성 단위를 갖는 (메트)아크릴계 수지(공중합체)를 임의의 적절한 용매 중에서 중합하고, 그 후, 해당 아크릴계 수지의 관능기와, 해당 관능기와 반응할 수 있는 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물을 반응시킴으로써, 상기 수지를 얻을 수 있다. 반응시키는 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물의 양은, 상기 수지 100중량부에 대하여, 바람직하게는 4중량부 내지 30중량부이고, 보다 바람직하게는 4중량부 내지 20중량부이다. 용매로서는 임의의 적절한 용매를 사용할 수 있고, 예를 들어 아세트산에틸, 메틸틸케톤, 톨루엔 등의 각종 유기 용제를 들 수 있다.
상기와 같이 하여 수지와 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물을 반응시키는 경우, 수지 및 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물은 각각, 서로 반응 가능한 관능기를 갖는 것이 바람직하다. 관능기의 조합으로서는, 예를 들어 카르복실기/에폭시기, 카르복실기/아지리딘기, 히드록실기/이소시아네이트기 등을 들 수 있다. 이들 관능기의 조합 중에서도, 반응 추적의 용이함에서, 히드록실기와 이소시아네이트기의 조합이 바람직하다.
상기 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물로서는, 예를 들어 2-이소시아네이트에틸메타크릴레이트, 메타크릴로이소시아네이트, 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트(2-이소시아나토에틸메타크릴레이트), m-이소프로페닐-α,α-디메틸벤질이소시아네이트 등을 들 수 있다.
자외선 경화성의 모노머 및/또는 올리고머를 첨가한 점착제를 사용하는 경우, 자외선 경화성 모노머 및 올리고머로서는, 임의의 적절한 모노머 또는 올리고머를 사용할 수 있다. 자외선 경화성 모노머로서는, 예를 들어 우레탄(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 테트라메틸올메탄테트라(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨모노히드록시펜타(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 1,4-부탄디올디(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 자외선 경화성의 올리고머로서는, 우레탄계 올리고머, 폴리에테르계 올리고머, 폴리에스테르계 올리고머, 폴리카르보네이트계 올리고머, 폴리부타디엔계 올리고머 등을 들 수 있다. 올리고머로서는, 바람직하게는 분자량이 100 내지 30000 정도의 것이 사용된다. 모노머 및 올리고머는 1종만을 사용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
모노머 및/또는 올리고머는, 사용하는 점착제의 종류에 따라, 임의의 적절한 양으로 사용될 수 있다. 예를 들어, 점착제를 구성하는 베이스 폴리머 100중량부에 대하여, 바람직하게는 5중량부 내지 500중량부, 보다 바람직하게는 40중량부 내지 150중량부 사용된다.
D-2. 광중합 개시제
광중합 개시제로서는, 임의의 적절한 개시제를 사용할 수 있다. 광중합 개시제로서는, 예를 들어 에틸2,4,6-트리메틸벤질페닐포스피네이트, (2,4,6-트리메틸벤조일)-페닐포스핀옥시드 등의 아실포스핀옥시드계 광중합 개시제; 4-(2-히드록시에톡시)페닐(2-히드록시-2-프로필)케톤, α-히드록시-α,α'-디메틸아세토페논, 2-메틸-2-히드록시프로피오페논, 1-히드록시시클로헥실페닐케톤 등의 α-케톨계 화합물; 메톡시아세토페논, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논, 2,2-디에톡시아세토페논, 2-메틸-1-[4-(메틸티오)-페닐]-2-모르폴리노프로판-1 등의 아세토페논계 화합물; 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 아니소인메틸에테르 등의 벤조인에테르계 화합물; 벤질디메틸케탈 등의 케탈계 화합물; 2-나프탈렌술포닐클로라이드 등의 방향족 술포닐클로라이드계 화합물; 1-페논-1,1-프로판디온-2-(o-에톡시카르보닐)옥심 등의 광 활성 옥심계 화합물; 벤조페논, 벤조일벤조산, 3,3'-디메틸-4-메톡시벤조페논 등의 벤조페논계 화합물; 티오크산톤, 2-클로로티오크산톤, 2-메틸티오크산톤, 2,4-디메틸티오크산톤, 이소프로필티오크산톤, 2,4-디클로로티오크산톤, 2,4-디에틸티오크산톤, 2,4-디이소프로필티오크산톤 등의 티오크산톤계 화합물; 캄포퀴논; 할로겐화케톤; 아실포스포네이트, 2-히드록시-1-(4-(4-(2-히드록시-2-메틸프로피오닐)벤질)페닐-2-메틸프로판-1 등의 α-히드록시아세토페논 등을 들 수 있다. 바람직하게는, 아세토페논계 화합물을 사용할 수 있다. 광중합 개시제는 1종만을 사용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
광중합 개시제로서는, 시판품을 사용해도 된다. 예를 들어, IGM Resins사제의 상품명: Omnirad 127, Omnirad 369 및 Omnirad 651을 들 수 있다.
광중합 개시제는 임의의 적절한 양으로 사용될 수 있다. 광중합 개시제의 함유량은, 상기 자외선 경화형 점착제 100중량부에 대하여, 바람직하게는 0.5중량부 내지 20중량부이고, 보다 바람직하게는 0.5중량부 내지 10중량부이다. 광중합 개시제의 함유량이 0.5중량부 미만인 경우, 자외선 조사 시에 충분히 경화되지 않을 우려가 있다. 광중합 개시제의 함유량이 10중량부를 초과하는 경우, 점착제의 보존 안정성이 저하될 우려가 있다.
D-3. 첨가제
상기 점착제층 형성 조성물은, 필요에 따라, 임의의 적절한 첨가제를 포함할 수 있다. 해당 첨가제로서는, 예를 들어 가교제, 촉매(예를 들어, 백금 촉매), 점착 부여제, 가소제, 안료, 염료, 충전제, 노화 방지제, 도전재, 자외선 흡수제, 광안정제, 박리 조정제, 연화제, 계면 활성제, 난연제, 용제 등을 들 수 있다.
점착제층의 두께는, 임의의 적절한 값으로 설정될 수 있다. 점착제층의 두께는, 바람직하게는 2㎛ 내지 500㎛이고, 보다 바람직하게는 3㎛ 내지 300㎛이고, 더욱 바람직하게는 5㎛ 내지 250㎛이다. 점착제층의 두께가 상기 범위라면, 피착체에 대하여 충분한 점착력을 발휘할 수 있다.
E. 반도체 가공용 점착 테이프의 제조 방법
본 발명의 실시 형태의 반도체 가공용 점착 테이프는, 임의의 적절한 방법에 의해 제조될 수 있다. 예를 들어, 세퍼레이터에 완화층 형성 조성물, 또는, 점착제 용액(자외선 경화형 점착제)을 각각 도포하고, 건조시켜서, 세퍼레이터 상에 완화층, 또는, 점착제층을 형성한 후, 그것들을 기재에 순차 접합하는 방법에 의해 얻어질 수 있다. 또한, 기재 상에, 완화층 형성 조성물 및 점착제층 형성 조성물을 각각 도포하고, 건조시켜서, 반도체 가공용 점착 테이프를 얻어도 된다. 점착제층 형성 조성물의 도포 방법으로서는, 바 코터 도포, 에어 나이프 도포, 그라비아 도포, 그라비아 리버스 도포, 리버스 롤 도포, 립 도포, 다이 도포, 딥 도포, 오프셋 인쇄, 플렉소 인쇄, 스크린 인쇄 등 다양한 방법을 채용할 수 있다. 건조 방법으로서는, 임의의 적절한 방법이 채용될 수 있다.
F. 반도체 가공용 점착 테이프의 용도
본 발명의 실시 형태의 반도체 가공용 점착 테이프는 반도체 제조 프로세스에 적합하게 사용할 수 있다. 바람직하게는 백그라인드 테이프로서 사용된다. 상기한 바와 같이, 본 발명의 실시 형태의 반도체 가공용 점착 테이프는 내열성이 우수하기 때문에, 백그라인드 공정 후에 가열 공정을 포함하는 반도체 제조 프로세스에 사용되는 경우, 다른 점착 시트 또는 지지체로 바꿔 붙이는 일 없이, 가열 공정에 사용할 수 있다.
상기한 바와 같이, 본 발명의 실시 형태의 반도체 가공용 점착 테이프는 내열성이 우수하다. 그 때문에, 반도체 웨이퍼에 첩부하여 백그라인드 공정을 행하고, 이어서 진공, 또한, 200℃ 이상의 고온으로 가열되는 공정(예를 들어, 백 메탈 공정)에 제공된 경우에도, 휨의 발생을 억제하고, 반도체 웨이퍼의 갈라짐의 발생을 억제할 수 있다. 또한, 점착제층을 자외선 경화형 점착제를 사용하여 형성한 경우에도, 보이드의 발생을 억제할 수 있다. 따라서, 백그라인드 공정의 후, 진공, 또한, 200℃ 이상의 고온으로 가열되는 공정에 제공하기 전에, 내열성을 갖는 다른 점착 테이프, 또는, 다른 지지체로 바꿔 붙이는 일 없이, 진공 또한 200℃ 이상의 고온으로 가열되는 공정에 제공할 수 있다. 그 때문에, 파워 반도체 등의 반도체 웨이퍼의 제조를 효율적으로 행할 수 있다. 또한, 본 명세서에 있어서, 진공이란 압력이 대기압 미만인 것을 말한다.
[실시예]
이하, 실시예에 의해 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다. 또한, 실시예에 있어서, 특별히 명기하지 않는 한, 「부」 및 「％」는 중량 기준이다.
[합성예 1] Polymer1의 합성
표 1에 기재된 모노머 성분을 사용하여 Polymer1을 합성하였다.
구체적으로는, 아크릴산-2-에틸헥실(2EHA) 30중량부와, 메타크릴산메틸(MA) 70중량부와, 아크릴산(AA) 10중량부와, 중합 개시제(과산화벤조일(BPO)) 0.2중량부와, 용매(톨루엔)를 혼합하여 모노머 조성물을 조제하였다. 이 모노머 조성물을, 1L 둥근 바닥 세퍼러블 플라스크에, 세퍼러블 커버, 분액 깔때기, 온도계, 질소 도입관, 리비히 냉각기, 배큠 시일, 교반봉, 교반 날개가 장비된 중합용 실험 장치에 투입하고, 교반하면서, 상온에서 2시간, 질소 치환하였다. 그 후, 질소를 유입 하, 교반하면서, 60℃ 하에서 8시간 유지하여 중합하고, 수지(Polymer1) 용액을 얻었다. 얻어진 수지 용액은 실온까지 냉각하였다.
[합성예 2] Polymer2의 합성
표 1에 기재된 모노머 성분을 사용하여 Polymer2를 합성하였다.
구체적으로는, 아크릴산부틸(BA) 50중량부와, 아크릴산에틸(EA) 50중량부와, 아크릴산(AA) 5중량부와, 아크릴산2-히드록시에틸 1중량부와, 중합 개시제(과산화벤조일(BPO)) 0.1중량부와, 용매(톨루엔)를 혼합하여 모노머 조성물을 조제하였다. 이 모노머 조성물을, 1L 둥근 바닥 세퍼러블 플라스크에, 세퍼러블 커버, 분액 깔때기, 온도계, 질소 도입관, 리비히 냉각기, 배큠 시일, 교반봉, 교반 날개가 장비된 중합용 실험 장치에 투입하고, 교반하면서, 상온에서 2시간, 질소 치환하였다. 그 후, 질소를 유입 하, 교반하면서, 60℃ 하에서 8시간 유지하여 중합하고, 수지(Polymer2) 용액을 얻었다. 얻어진 수지 용액은 실온까지 냉각하였다.
[합성예 3] Polymer3의 합성
표 1에 기재된 모노머 성분을 사용하여 Polymer3을 합성하였다.
구체적으로는, 아크릴산부틸(BA) 100중량부와, 아크릴산(AA) 3중량부와, 중합 개시제(2,2'-아조비스-이소부티로니트릴(AIBN)) 0.2중량부와, 용매(아세트산에틸)를 혼합하여 모노머 조성물을 조제하였다. 이 모노머 조성물을, 1L 둥근 바닥 세퍼러블 플라스크에, 세퍼러블 커버, 분액 깔때기, 온도계, 질소 도입관, 리비히 냉각기, 배큠 시일, 교반봉, 교반 날개가 장비된 중합용 실험 장치에 투입하고, 교반하면서, 상온에서 2시간, 질소 치환하였다. 그 후, 질소를 유입 하, 교반하면서, 60℃ 하에서 8시간 유지하여 중합하고, 수지(Polymer3) 용액을 얻었다. 얻어진 수지 용액은 실온까지 냉각하였다.
[합성예 4] Polymer4의 합성
표 1에 기재된 모노머 성분을 사용하여 Polymer4를 합성하였다.
구체적으로는, 아크릴산부틸(BA) 100중량부와, 아크릴산2-히드록시에틸(HEA) 7중량부와, 중합 개시제(2,2'-아조비스-이소부티로니트릴(AIBN)) 0.3중량부와, 용매(아세트산에틸)를 혼합하여 모노머 조성물을 조제하였다. 이 모노머 조성물을, 1L 둥근 바닥 세퍼러블 플라스크에, 세퍼러블 커버, 분액 깔때기, 온도계, 질소 도입관, 리비히 냉각기, 배큠 시일, 교반봉, 교반 날개가 장비된 중합용 실험 장치에 투입하고, 교반하면서, 상온에서 2시간, 질소 치환하였다. 그 후, 질소를 유입 하, 교반하면서, 60℃ 하에서 8시간 유지하여 중합하고, 수지(Polymer4) 용액을 얻었다. 얻어진 수지 용액은 실온까지 냉각하였다.
[합성예 5] Polymer5의 합성
표 1에 기재된 모노머 성분을 사용하여 Polymer5를 합성하였다.
구체적으로는, 아크릴산부틸(BA) 100중량부와, 메타크릴산부틸(BMA) 37중량부와, 아크릴산2-히드록시에틸(HEA) 6중량부와, 중합 개시제(2,2'-아조비스-이소부티로니트릴(AIBN)) 0.3중량부와, 용매(아세트산에틸)를 혼합하여 모노머 조성물을 조제하였다.
이 모노머 조성물을, 1L 둥근 바닥 세퍼러블 플라스크에, 세퍼러블 커버, 분액 깔때기, 온도계, 질소 도입관, 리비히 냉각기, 배큠 시일, 교반봉, 교반 날개가 장비된 중합용 실험 장치에 투입하고, 교반하면서, 상온에서 2시간, 질소 치환하였다. 그 후, 질소를 유입 하, 교반하면서, 60℃ 하에서 8시간 유지하여 중합하고, 수지(Polymer5) 용액을 얻었다. 얻어진 수지 용액은 실온까지 냉각하였다.
[합성예 6] Polymer6의 합성
표 1에 기재된 모노머 성분을 사용하여 Polymer6을 합성하였다.
구체적으로는, 아크릴산부틸(BA) 100중량부와, 메타크릴산부틸(BMA) 37중량부와, 아크릴산2-히드록시에틸(HEA) 6중량부와, 중합 개시제(2,2'-아조비스-이소부티로니트릴(AIBN)) 0.3중량부와, 용매(아세트산에틸)를 혼합하여 모노머 조성물을 조제하였다. 이 모노머 조성물을, 1L 둥근 바닥 세퍼러블 플라스크에, 세퍼러블 커버, 분액 깔때기, 온도계, 질소 도입관, 리비히 냉각기, 배큠 시일, 교반봉, 교반 날개가 장비된 중합용 실험 장치에 투입하고, 교반하면서, 상온에서 2시간, 질소 치환하였다. 그 후, 질소를 유입 하, 교반하면서, 60℃ 하에서 8시간 유지하여 중합하고, 수지 용액을 얻었다. 얻어진 수지 용액은 실온까지 냉각하였다. 이어서, 냉각한 수지 용액에, 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물로서, 2-이소시아나토에틸메타크릴레이트(쇼와 덴꼬사제, 상품명 「카렌즈 MOI」) 2중량부를 첨가하였다. 또한, 디라우르산디부틸주석 IV(와코 쥰야꾸 고교사제) 0.1중량부를 첨가하고, 공기 분위기 하에서, 50℃에서 24시간 교반하고, 수지(Polymer6) 용액을 얻었다.
[합성예 7] Polymer7의 합성
표 1에 기재된 모노머 성분을 사용하여 Polymer7을 합성하였다.
구체적으로는, 아크릴산부틸(BA) 100중량부와, 메타크릴산부틸(BMA) 37중량부와, 아크릴산2-히드록시에틸(HEA) 6중량부와, 중합 개시제(2,2'-아조비스-이소부티로니트릴(AIBN)) 0.3중량부와, 용매(아세트산에틸)를 혼합하여 모노머 조성물을 조제하였다. 이 모노머 조성물을, 1L 둥근 바닥 세퍼러블 플라스크에, 세퍼러블 커버, 분액 깔때기, 온도계, 질소 도입관, 리비히 냉각기, 배큠 시일, 교반봉, 교반 날개가 장비된 중합용 실험 장치에 투입하고, 교반하면서, 상온에서 2시간, 질소 치환하였다. 그 후, 질소를 유입 하, 교반하면서, 60℃ 하에서 8시간 유지하여 중합하고, 수지 용액을 얻었다. 얻어진 수지 용액은 실온까지 냉각하였다. 이어서, 냉각한 수지 용액에, 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물로서, 2-이소시아나토에틸메타크릴레이트(쇼와 덴꼬사제, 상품명 「카렌즈 MOI」) 5중량부를 첨가하였다. 또한, 디라우르산디부틸주석 IV(와코 쥰야꾸 고교사제) 0.1중량부를 첨가하고, 공기 분위기 하에서, 50℃에서 24시간 교반하고, 수지(Polymer7) 용액을 얻었다.
[합성예 8] Polymer8의 합성
표 1에 기재된 모노머 성분을 사용하여 Polymer8을 합성하였다.
구체적으로는, 아크릴산부틸(BA) 100중량부와, 메타크릴산부틸(BMA) 37중량부와, 아크릴산2-히드록시에틸(HEA) 6중량부와, 중합 개시제(2,2'-아조비스-이소부티로니트릴(AIBN)) 0.3중량부와, 용매(아세트산에틸)를 혼합하여 모노머 조성물을 조제하였다. 이 모노머 조성물을, 1L 둥근 바닥 세퍼러블 플라스크에, 세퍼러블 커버, 분액 깔때기, 온도계, 질소 도입관, 리비히 냉각기, 배큠 시일, 교반봉, 교반 날개가 장비된 중합용 실험 장치에 투입하고, 교반하면서, 상온에서 2시간, 질소 치환하였다. 그 후, 질소를 유입 하, 교반하면서, 60℃ 하에서 8시간 유지하여 중합하고, 수지 용액을 얻었다. 얻어진 수지 용액은 실온까지 냉각하였다. 이어서, 냉각한 수지 용액에, 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물로서, 2-이소시아나토에틸메타크릴레이트(쇼와 덴꼬사제, 상품명 「카렌즈 MOI」) 8중량부를 첨가하였다. 또한, 디라우르산디부틸주석 IV(와코 쥰야꾸 고교사제) 0.1중량부를 첨가하고, 공기 분위기 하에서, 50℃에서 24시간 교반하고, 수지(Polymer8) 용액을 얻었다.
[제조예 1 내지 10] 완화층 형성 조성물의 조제
폴리머(수지 용액)와, 가교제(닛본 폴리우레탄 고교사제, 상품명 「코로네이트 L」)를 표 3에 기재된 부수로 혼합하고, 완화층 형성 조성물을 얻었다.
[제조예 11] 점착제 조성물의 조제
아크릴산부틸(BA) 100중량부와, 아크릴산2-히드록시에틸(HEA) 7중량부와, 중합 개시제(2,2'-아조비스-이소부티로니트릴(AIBN)) 0.3중량부와, 용매(아세트산에틸)를 혼합하여 모노머 조성물을 조제하였다.
이 모노머 조성물을, 1L 둥근 바닥 세퍼러블 플라스크에, 세퍼러블 커버, 분액 깔때기, 온도계, 질소 도입관, 리비히 냉각기, 배큠 시일, 교반봉, 교반 날개가 장비된 중합용 실험 장치에 투입하고, 교반하면서, 상온에서 2시간, 질소 치환하였다. 그 후, 질소를 유입 하, 교반하면서, 60℃ 하에서 8시간 유지하여 중합하고, 수지 용액을 얻었다. 얻어진 수지 용액은 실온까지 냉각하였다.
이어서, 냉각한 수지 용액에, 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물로서, 2-이소시아나토에틸메타크릴레이트(쇼와 덴꼬사제, 상품명 「카렌즈 MOI」) 5중량부를 첨가하였다. 또한, 디라우르산디부틸주석 IV(와코 쥰야꾸 고교사제) 0.1중량부를 첨가하고, 공기 분위기 하에서, 50℃에서 24시간 교반하고, 중합성 탄소 이중 결합을 갖는 수지를 포함하는 수지 용액을 얻었다.
얻어진 수지 용액의 수지 100중량부에 대하여, 가교제(닛본 폴리우레탄 고교사제, 상품명 「코로네이트 L」) 0.50중량부와, 광중합 개시제(시바 재팬사제, 상품명 「이르가큐어 369」) 1중량부를 첨가, 혼합하고, 점착제 조성물을 얻었다.
[실시예 1]
한쪽 면에 코로나 처리를 실시한 두께 50㎛의 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN) 필름(데이진 필름 솔루션사제, 상품명 「테오넥스(등록 상표) 필름 Q51」)의 코로나 처리 면에, 완화층 형성 조성물 1을 도포하고, 120도에서 3분간, 건조기에서 건조시키고, 두께 50㎛의 완화층을 형성하였다.
별도, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 세퍼레이터(미쓰비시 케미컬사제, 상품명 「다이아호일 MRF38」)의 이형 처리면측에 제조예 11에서 얻어진 점착제층 형성 조성물을 도포하고, 120℃에서 3분간, 건조기에서 건조시키고, 두께 6㎛의 점착제층을 형성하였다.
이어서, 완화층과 점착제층을 기포가 들어가지 않도록 핸드 롤러로 접합하였다. 이어서, 차광한 상태에서, 50℃로 설정한 건조기 내에서 48시간 방치 후, 건조기로부터 취출하고, 점착 테이프를 얻었다.
[실시예 2 내지 8]
완화층 형성 조성물을 표 3에 기재된 것으로 한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 점착 테이프를 얻었다.
(비교예 1)
완화층 형성 조성물을 표 3에 기재된 것으로 한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 점착 테이프를 얻었다.
(비교예 2)
폴리에틸렌나프탈레이트 필름 대신에 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름(도레이사제, 상품명 「루미러 #50 ES-10」)을 사용한 것 및 완화층 형성 조성물을 표 3에 기재한 것으로 한 것 이외에는 점착 테이프를 얻었다.
(비교예 3)
완화층 형성 조성물을 표 3에 기재한 것으로 한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 점착 테이프를 얻었다.
<평가>
실시예 및 비교예에서 얻어진 점착 테이프, 기재 및 완화층 형성 조성물을 사용하여 하기 평가를 행하였다. 결과를 표 3에 나타낸다.
1. 가열 수축률
실시예 및 비교예에서 기재로서 사용한 필름(10cm×10cm)을 25℃ 3분간 정치하고, 초기 샘플 길이를 계측하였다. 이어서, 필름을 승온 장치에 넣어, 20℃/분으로 25℃로부터 200℃까지 승온하고, 200℃의 온도에서 10분간 유지하였다. 이어서, -20℃/분으로 25℃까지 냉각하였다. 그 후 가열 후의 길이를 측정하고, 하기 식으로부터 수축률을 산출하였다.
수축률(％)=100-((가열 후 길이)/(초기 길이)×100)
2. 아웃 가스(유기 성분)
PET 세퍼레이터(미쓰비시 케미컬사제, 상품명 「다이아호일 MRF38」)의 이형 처리면에 실시예 및 비교예에서 사용한 완화층 형성 조성물을 도포하고, PET 세퍼레이터 상에서 120℃ 3분간, 건조기에서 건조시키고, 두께 50㎛의 완화층을 형성하였다. 이어서, 완화층의 PET 세퍼레이터와 접하고 있지 않은 면에, 다른 PET 세퍼레이터(미쓰비시 케미컬사제, 상품명 「다이아호일 MRF38」)의 이형 처리면측을, 기포가 말려들지 않게 접합하여, 50℃로 설정된 건조기 내에서 48시간 방치하고, 적층체를 얻었다.
적층체로부터 5㎠(1cm×5cm)를 잘라내고, 양측의 세퍼레이터를 박리하여 평가 샘플로 하고, 평가 샘플의 칭량을 행하였다. 이어서, 평가 샘플을 바이얼병에 넣고 마개를 막았다. 이어서, 평가 샘플을 넣은 바이얼병을, 헤드 스페이스 샘플러(HSS)를 사용하여 하기의 조건에서 가열을 행하였다. 가열 상태의 가스 1mL를 채취하고, 가스 크로마토그래프(GC)에 주입하여 측정을 행하고, 토탈의 아웃 가스 양(μg/g)을 구하였다.
<분석 장치>
HSS: 시마즈 세이사쿠쇼제, 제품명 「HS-20」
GC: 시마즈 세이사쿠쇼제, 제품명 「QP2010Ultra」
<조건>
<<HSS>>
오븐 온도: 200℃
가열 시간: 15분
샘플 루프 온도: 240℃
트랜스퍼 라인 온도: 250℃
가압 시간: 0.50분
루프 충전 시간: 0.50분
루프 평형 시간: 0.10분
주입 시간: 0.50분
<<GC>>
칼럼: DB-17(0.250mmφ×30m, df=0.5㎛)
칼럼 온도: 40℃(3분)→10℃/분→280℃(13분)
칼럼 압력: 49.7kPa(40℃)
캐리어 가스: He(1.0mL/분(40℃), 정 선속도 모드)
선속도: 36.1cm/초
주입구 온도: 250℃
주입 방식: 스플릿(20:1)
검출기: FID
검출기 온도: 250℃
3. 아웃 가스(수분)
칼 피셔법에 의해 완화층의 아웃 가스(수분)를 측정하였다.
PET 세퍼레이터(미쓰비시 케미컬사제, 상품명 「다이아호일 MRF38」)의 이형 처리면에 실시예 및 비교예에서 사용한 완화층 형성 조성물을 도포하고, PET 세퍼레이터 상에서 120℃ 3분간, 건조기에서 건조시키고, 두께 50㎛의 완화층을 형성하였다. 이어서, 완화층의 PET 세퍼레이터와 접하고 있지 않은 면에, 다른 PET 세퍼레이터(미쓰비시 케미컬사제, 상품명 「다이아호일 MRF38」)의 이형 처리면측을, 기포가 말려들지 않게 접합하여, 50℃로 설정된 건조기 내에서 48시간 방치하고, 적층체를 얻었다.
적층체를 10㎠(1cm×5cm의 시료를 2매)로 잘라내고, 양면의 세퍼레이터를 박리한 후 알루미늄박에 전사하고, 칭량하였다. 칭량 후의 시료를 가열 기화 장치(미쓰비시 케미컬 애널리테크사제, 제품명 「VA-200형」)에 넣고, 150℃에서 발생한 가스를 전량 적정식 수분 측정 장치(미쓰비시 케미컬 애널리테크사제, 제품명 「CA-200형」)의 적정 셀 내에 도입하고, 수분량(μg/g)을 측정하였다.
4. 인장 탄성률
1쌍의 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 세퍼레이터(미쓰비시 케미컬사제, 상품명 「다이아호일 MRF38」) 사이에, 각 실시예 및 비교예에서 사용한 조성물을 사용하여 완화층(두께 20㎛)을 형성하고, 건조기 내에서 50℃, 48시간 에이징하였다. 그 후, 세퍼레이터에서 끼움 지지한 완화층을 길이 50mm, 폭 30mm의 사이즈로 커트하였다. 이어서, 세퍼레이터를 박리하고, 기포가 들어가지 않도록 둥글게 하여, 길이 30mm, 직경 1.13mm의 막대 형상 시료를 제작하였다.
인장 시험기(ORIENTEC사제, 상품명: RTC-1150A)를 사용하여, 측정 온도 22℃, 척간 거리 10mm, 속도 10mm/분의 조건 하에서, 상기 막대 형상 시료의 S-S 커브를 측정하였다. S-S 커브의 상승으로부터 초기 탄성률을 구하고, 이 값을 완화층의 인장 탄성률로 하였다. 측정은 3회 행하고, 그 평균값을 인장 탄성률의 값으로서 사용하였다. 또한, 인장 탄성률은 자외선 조사 전, 및 자외선 조사(50mW/㎠, 20초, 1000mJ/㎠) 후의 각각에 대하여 측정하였다.
5. 응력 완화율
1쌍의 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 세퍼레이터(미쓰비시 케미컬사제, 상품명 「다이아호일 MRF38」) 사이에, 각 실시예 및 비교예에서 사용한 조성물을 사용하여 완화층(두께 20㎛)을 형성하고, 건조기 내에서 50℃, 48시간 에이징하였다. 그 후, 세퍼레이터에서 끼움 지지한 완화층을 길이 50mm, 폭 30mm의 사이즈로 커트하였다. 이어서, 세퍼레이터를 박리하고, 기포가 들어가지 않도록 둥글게 하여, 길이 30mm, 직경 1.13mm의 막대 형상 시료를 제작하였다.
인장 시험기(ORIENTEC사제, 제품명: 「RTC-1150A)를 사용하여, 측정 온도 22도, 척간 거리 10mm, 속도 10mm/분의 조건 하에서, 막대 형상 시료를 50％까지 인장하고, 그 후 인장한 상태에서 600초간 고정하였다. 각각의 시험력(N)으로부터 하기 식에 의해 응력 완화율을 산출하였다.
응력 완화율=((50％ 인장 초기 시의 시험력)-(600초 후의 시험력))/(50％ 인장 초기 시의 시험력)×100
6. 휨 양
실시예 및 비교예에서 얻어진 점착 테이프를, 이하의 조건에서 Si 미러 웨이퍼에 첩부하였다.
첩부 장치: DR 3000III(닛토 세이키제)
첩부 설정: 8인치
첩부 테이프: 실시예·비교예의 것
첩부 웨이퍼: 8인치 Si 웨이퍼(미연삭)
첩부 테이블: 23℃
첩부 압력: 0.4MPa
첩부 속도: 3mm/초
커터 온도: 180℃
커트 속도: 200mm/초
커터 날: 아트나이프 갈아 끼우는 날 XB10(올파제)
이어서, Si 미러 웨이퍼의 점착 테이프가 첩부되어 있지 않은 면을 백그라인드 장치(Disco사제, 제품명 「DGP8760」)를 사용하여, 표 2에 기재된 조건으로, 최종 마무리 두께가 100㎛가 되도록 연삭하였다.
연삭한 웨이퍼와 점착 테이프의 적층체를 오븐에 넣고, 200℃에서 15분간 가열하고, 그 후 실온까지 냉각하여, 오븐으로부터 취출하였다. 취출한 시료를 평탄한 책상에 점착 테이프가 위, Si 미러 웨이퍼가 아래가 되도록(Si 미러 웨이퍼가 책상과 접하도록) 책상에 두고, Si 미러 웨이퍼가 접지되어 있는 중심부를 0으로 하고, 단부의 높이를 휨 양으로 하여 측정으로 하였다. 최대의 높이가 된 부분을 각 시료의 휨 양으로 하였다.
7. 보이드
휨 양을 측정한 시료를 눈으로 보아 관찰하고, 1mm 이상의 보이드의 개수를 계측하고, 이하의 기준으로 평가하였다.
○: 보이드 0개
△: 보이드 1개 내지 50개
×: 보이드가 50개를 초과한다
8. 박리 강도 및 접착제 잔여물
상기 휨 양을 측정한 시료의 점착 테이프면측으로부터 하기 조건에서 자외선을 조사하였다. 이어서, 첩부 장치(닛토 세이키사제, 제품명 「DR-9000」, 테이블 온도: 60℃, 박리 속도: 3mm/초)를 사용하여 점착 테이프를 박리하였다. 박리 후의 Si 미러 웨이퍼의 점착 테이프를 첩부한 면을 눈으로 보아 확인하고, 접착제 잔여물이 있는 경우에는 ×, 접착제 잔여물이 없는 경우에는 ○로 하였다.
<자외선 조사 조건>
자외선 조사 장치: 닛토 세이키사제, 상품명: UM810
광원: 고압 수은등
조사 강도: 50mW/㎠(측정 기기: 우시오사제, 제품명 「자외선 조도계 UT-101」)
조사 시간: 20초
적산 광량: 2000mJ/㎠
본 발명의 반도체 가공용 점착 테이프는, 200℃ 이상의 가열 공정을 포함하는 반도체 웨이퍼의 제조 공정에도 적합하게 사용할 수 있다.
10: 기재
20: 점착제층
30: 완화층
100: 반도체 가공용 점착 테이프

Claims (9)

  1. 점착제층과, 완화층과, 기재를 이 순으로 구비하고,
    해당 완화층의 아웃 가스 양이 4000μg/g 이하이고, 또한, 응력 완화율이 70％ 이상이고,
    해당 기재의 열 수축률이 3.0％ 이하인, 반도체 가공용 점착 테이프.
  2. 제1항에 있어서, 상기 완화층을 형성하는 조성물이 베이스 폴리머를 포함하고, 해당 베이스 폴리머가 아크릴산의 함유 비율이 5몰％ 이하인 모노머 조성물을 중합하여 얻어지는 폴리머인, 반도체 가공용 점착 테이프.
  3. 제2항에 있어서, 상기 완화층을 형성하는 조성물이 상기 베이스 폴리머에, 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물을 부가 중합시켜서 얻어지는 폴리머를 포함하는, 반도체 가공용 점착 테이프.
  4. 제3항에 있어서, 상기 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물의 부가량이 5몰％ 이하인, 반도체 가공용 점착 테이프.
  5. 제1항에 있어서, 상기 완화층을 형성하는 조성물이 베이스 폴리머를 포함하고, 해당 베이스 폴리머가 아크릴산부틸의 함유 비율이 50몰％ 이상인 모노머 조성물을 중합하여 얻어지는 폴리머인, 반도체 가공용 점착 테이프.
  6. 제1항에 있어서, 상기 점착제층이 자외선 경화형 점착제에 의해 형성되는 층인, 반도체 가공용 점착 테이프.
  7. 제1항에 있어서, 상기 완화층의 인장 탄성률이 0.1MPa 이상인, 반도체 가공용 점착 테이프.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 백그라인드 공정에 사용되는, 반도체 가공용 점착 테이프.
  9. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 진공, 또한, 200℃ 이상의 가열 공정을 포함하는 반도체 제조 공정에 사용되는, 반도체 가공용 점착 테이프.
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