CN107851602B - 半导体部件制造用膜 - Google Patents

半导体部件制造用膜 Download PDF

Info

Publication number
CN107851602B
CN107851602B CN201680036275.8A CN201680036275A CN107851602B CN 107851602 B CN107851602 B CN 107851602B CN 201680036275 A CN201680036275 A CN 201680036275A CN 107851602 B CN107851602 B CN 107851602B
Authority
CN
China
Prior art keywords
manufacturing
film
semiconductor
base layer
less
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201680036275.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107851602A (zh
Inventor
林下英司
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsui Chemicals Tohcello Inc
Original Assignee
Mitsui Chemicals Tohcello Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsui Chemicals Tohcello Inc filed Critical Mitsui Chemicals Tohcello Inc
Publication of CN107851602A publication Critical patent/CN107851602A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107851602B publication Critical patent/CN107851602B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/22—Plastics; Metallised plastics
    • C09J7/25—Plastics; Metallised plastics based on macromolecular compounds obtained otherwise than by reactions involving only carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • C09J7/255—Polyesters
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J133/00—Adhesives based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C09J133/04—Homopolymers or copolymers of esters
    • C09J133/06—Homopolymers or copolymers of esters of esters containing only carbon, hydrogen and oxygen, the oxygen atom being present only as part of the carboxyl radical
    • C09J133/08—Homopolymers or copolymers of acrylic acid esters
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J133/00—Adhesives based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C09J133/04—Homopolymers or copolymers of esters
    • C09J133/06—Homopolymers or copolymers of esters of esters containing only carbon, hydrogen and oxygen, the oxygen atom being present only as part of the carboxyl radical
    • C09J133/10—Homopolymers or copolymers of methacrylic acid esters
    • C09J133/12—Homopolymers or copolymers of methyl methacrylate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J201/00—Adhesives based on unspecified macromolecular compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/22—Plastics; Metallised plastics
    • C09J7/25—Plastics; Metallised plastics based on macromolecular compounds obtained otherwise than by reactions involving only carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/30—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier
    • C09J2301/312—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier parameters being the characterizing feature
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/50—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by process specific features
    • C09J2301/502—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by process specific features process for debonding adherents
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2433/00—Presence of (meth)acrylic polymer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2467/00—Presence of polyester
    • C09J2467/006—Presence of polyester in the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2477/00—Presence of polyamide
    • C09J2477/006—Presence of polyamide in the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2479/00—Presence of polyamine or polyimide
    • C09J2479/02—Presence of polyamine or polyimide polyamine
    • C09J2479/026—Presence of polyamine or polyimide polyamine in the substrate

Abstract

本发明提供能够共通地进行伴随温度变化的评价工序、单片化工序、拾取工序的半导体部件制造用膜、半导体部件的制造方法、半导体部件以及评价方法。即，半导体部件制造用膜1具备基层11和设于其一面侧的粘着材层12，基层11的160℃时的弹性模量E’(160)与‑40℃时的弹性模量E’(‑40)之比RE(＝E’(160)/E’(‑40))为RE≥0.01，并且E’(‑40)为10MPa以上且小于1000MPa。本方法具备：将粘着材层12粘贴在形成有电路的半导体晶片的背面的工序、将半导体晶片进行单片化而得到半导体部件的工序、以及将半导体部件从粘着材层12分离的拾取工序，在拾取工序前，具备对半导体晶片或半导体部件进行评价的工序。

Description

半导体部件制造用膜
技术领域
本发明涉及半导体部件制造用膜和半导体部件的制造方法、以及电子部件制造用膜和电子部件的制造方法。进一步详细而言，涉及：在由半导体晶片制造半导体部件时粘贴于半导体晶片的背面而利用的半导体部件制造用膜和半导体部件的制造方法、以及在由阵列状电子部件制造电子部件时粘贴于阵列状电子部件的背面而利用的电子部件制造用膜和电子部件的制造方法。
背景技术
近年来，以下方法被采用：将形成有电路的晶片进行单片化后，对所得的半导体部件进行评价(检查)，仅将评价合格的半导体部件再配置于载体上，然后，使用密封剂以阵列状进行密封，从而一并制造半导体部件，实现高的成品率。这样的制造方法公开于下述专利文献1(参照图3A-图3E、[0028]和[0029])。
另外，作为将形成有电路的晶片进行单片化时可利用的粘着膜，公开了下述专利文献2。进一步，作为密封时可利用的粘着膜，公开了下述专利文献3。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2006-287235号公报
专利文献2：日本特开2007-005436号公报
专利文献3：日本特开2010-278065号公报
发明内容
发明要解决的课题
上述专利文献1中，记载了如下概要：在能够剥离的粘接带的粘接部上，以彼此具有充分间隙的方式配置已完成初期阶段评价的优异的小晶片(die)(将晶片进行单片化而得到的半导体部件)。然而，对于具体利用怎样的机械材料能够将其实现，并未提及。上述方法中，作为“能够剥离的粘接带”，可以利用上述专利文献3所公开的粘着膜。
另一方面，作为其以前的工序，例如，可以按照(1)的步骤进行：将半导体晶片(单片化前)置于专用托盘，以晶片形态进行评价后，在已完成评价的晶片背面(非电路面)粘贴上述专利文献2所公开的粘着膜，然后，将晶片进行单片化(切割)而制成半导体部件，从粘着膜拾取半导体部件后，仅将评价合格的半导体部件再配置于专利文献3所公开的粘着膜上。
另外，例如，可以按照(2)的步骤进行：在评价前的半导体晶片(单片化前)的背面(非电路面)粘贴上述专利文献2所公开的粘着膜，然后，将半导体晶片进行单片化(切割)而制成半导体部件，从粘着膜拾取半导体部件后，将半导体部件再配置于专用托盘并进行评价后，仅将评价合格的半导体部件再配置于专利文献3所公开的粘着膜上。
不管是哪个，上述(1)和(2)的步骤中，都存在需要进行在多个粘着膜间重新贴上半导体部件的操作这样的课题。
进一步，上述检查中，有时实施如下评价：评价在加温、冷却的环境下半导体晶片、半导体部件是否正常运转的工作评价；进行热应力的负荷而实施加速评价。即，在一个半导体晶片上形成非常多的半导体部件之后，进行单片化而成为半导体部件。关于该半导体部件，已知：在测定其故障率时形成被称为所谓故障率曲线的曲线，使其实际运转时在早期发生的“初期故障”的比例较高。因此，采用如下方法：不将担心初期故障的半导体部件带入后工序，而是在更前段的工序中排除，从而提高最终制品的成品率。
并且，如上所述，在评价时有时实施加热、冷却。即，有时在维持为低温的状态下进行电气评价，或者在维持为高温的状态下进行电气评价，或者进一步，在低温和高温两个环境下进行评价。因此，从不将瑕疵品带入后工序，降低后工序中的不良率这样的观点出发，优选在更后的工序中进行评价，但另一方面，也担心通过引入评价工序，反而使工时增加而生产率降低。
从这样的平衡考虑，需要能够赋予可自如选择适于各制品的工序顺序而不依赖于粘着膜的性能这样的自由度的粘着膜。即，需要即使在评价工序中遭受大的温度变化，单片化(切割)和拾取时也能够完成这些作业的粘着膜。即，需要能够在同一膜上进行评价、单片化和拾取的各工序的粘着膜。
本发明鉴于上述课题而完成，其目的在于提供能够共通地进行伴随温度变化的评价工序、单片化工序及拾取工序的半导体部件制造用膜和半导体部件的制造方法、以及能够共通地进行伴随温度变化的评价工序、单片化工序及拾取工序的电子部件制造用膜和电子部件的制造方法。
用于解决课题的方法
本发明包含以下事项。
[1]一种半导体部件制造用膜，其要点在于，是在半导体部件的制造方法中使用的半导体部件制造用膜，
具备：基层、以及设于上述基层的一面侧的粘着材层，
上述基层的160℃时的弹性模量E’(160)与-40℃时的弹性模量E’(-40)之比RE(＝E’(160)/E’(-40))为RE≥0.01，并且E’(-40)为10MPa以上且小于1000MPa。
[2]根据[1]所述的半导体部件制造用膜，其要点在于，上述基层包含热塑性聚酯系弹性体和/或热塑性聚酰胺系弹性体。
[3]根据[1]或[2]所述的半导体部件制造用膜，其要点在于，上述基层的厚度为50μm以上200μm以下。
[4]根据[1]至[3]中任一项所述的半导体部件制造用膜，其要点在于，上述粘着材层的厚度为1μm以上40μm以下。
[5]根据[1]至[4]中任一项所述的半导体部件制造用膜，其要点在于，上述粘着材层的依据JIS Z0237测定的粘着力为0.1～10N/25mm。
[6]根据[1]至[5]中任一项所述的半导体部件制造用膜，其要点在于，上述半导体部件的制造方法具备：在将上述粘着材层粘贴在形成有电路的半导体晶片的背面的状态下，将上述半导体晶片进行单片化而得到半导体部件的单片化工序；以及
将上述半导体部件从上述粘着材层分离的拾取工序；
并且，在上述拾取工序前，具备在0℃以下或100℃以上的温度区域对上述半导体晶片或上述半导体部件进行评价的评价工序。
[7]一种半导体部件的制造方法，其要点在于，具备：在将半导体部件制造用膜的粘着材层粘贴在形成有电路的半导体晶片的背面的状态下，将上述半导体晶片进行单片化而得到半导体部件的单片化工序；以及
将上述半导体部件从上述粘着材层分离的拾取工序；
并且，在上述拾取工序前，具备在0℃以下或100℃以上的温度区域对上述半导体晶片或上述半导体部件进行评价的评价工序；
上述半导体部件制造用膜具有基层和设于上述基层的一面侧的上述粘着材层，
上述基层的160℃时的弹性模量E’(160)与-40℃时的弹性模量E’(-40)之比RE(＝E’(160)/E’(-40))为RE≥0.01，并且E’(-40)为10MPa以上且小于1000MPa。
[8]根据[7]所述的半导体部件的制造方法，其要点在于，上述基层包含热塑性聚酯系弹性体和/或热塑性聚酰胺系弹性体。
[9]根据[7]或[8]所述的半导体部件的制造方法，其要点在于，上述基层的厚度为50μm以上200μm以下。
[10]根据[7]至[9]中任一项所述的半导体部件的制造方法，其要点在于，上述粘着材层的厚度为1μm以上40μm以下。
[11]根据[7]至[10]中任一项所述的半导体部件的制造方法，其要点在于，上述粘着材层的依据JIS Z0237测定的粘着力为0.1～10N/25mm。
[12]一种电子部件制造用膜，其要点在于，是在电子部件的制造方法中使用的电子部件制造用膜，
具备基层和设于上述基层的一面侧的粘着材层，
上述基层的160℃时的弹性模量E’(160)与-40℃时的弹性模量E’(-40)之比RE(＝E’(160)/E’(-40))为RE≥0.01，并且E’(-40)为10MPa以上且小于1000MPa。
[13]根据[12]所述的电子部件制造用膜，其要点在于，上述基层包含热塑性聚酯系弹性体和/或热塑性聚酰胺系弹性体。
[14]根据[12]或[13]所述的电子部件制造用膜，其要点在于，上述基层的厚度为50μm以上200μm以下。
[15]根据[12]至[14]中任一项所述的电子部件制造用膜，其要点在于，上述粘着材层的厚度为1μm以上40μm以下。
[16]根据[12]至[15]中任一项所述的电子部件制造用膜，其要点在于，上述粘着材层的依据JIS Z0237测定的粘着力为0.1～10N/25mm。
[17]根据[12]至[16]中任一项所述的电子部件制造用膜，其要点在于，上述电子部件的制造方法具备：
在将上述粘着材层粘贴在以阵列状密封半导体部件而得到的阵列状电子部件的背面的状态下，将上述阵列状电子部件单片化而得到电子部件的单片化工序；以及
将上述电子部件从上述粘着材层分离的拾取工序；
并且，在上述拾取工序前，具备在0℃以下或100℃以上的温度区域对上述阵列状电子部件或上述电子部件进行评价的评价工序。
[18]一种电子部件的制造方法，其要点在于，具备：在将电子部件制造用膜的粘着材层粘贴在以阵列状密封半导体部件而得到的阵列状电子部件的背面的状态下，将上述阵列状电子部件单片化而得到电子部件的单片化工序；以及
将上述电子部件从上述粘着材层分离的拾取工序；
并且，在上述拾取工序前，具备在0℃以下或100℃以上的温度区域对上述阵列状电子部件或上述电子部件进行评价的评价工序；
上述电子部件制造用膜具有基层和设于上述基层的一面侧的上述粘着材层，
上述基层的160℃时的弹性模量E’(160)与-40℃时的弹性模量E’(-40)之比RE(＝E’(160)/E’(-40))为RE≥0.01，并且E’(-40)为10MPa以上且小于1000MPa。
[19]根据[18]所述的电子部件的制造方法，其要点在于，上述基层包含热塑性聚酯系弹性体和/或热塑性聚酰胺系弹性体。
[20]根据[18]或[19]所述的电子部件的制造方法，其要点在于，上述基层的厚度为50μm以上200μm以下。
[21]根据[18]至[20]中任一项所述的电子部件的制造方法，其要点在于，上述粘着材层的厚度为1μm以上40μm以下。
[22]根据[18]至[21]中任一项所述的电子部件的制造方法，其要点在于，上述粘着材层的依据JIS Z0237测定的粘着力为0.1～10N/25mm。
发明效果
根据本发明的半导体部件制造用膜，能够共通地进行伴随温度变化的评价工序、单片化工序及拾取工序。因此，能够进行生产率优异的半导体部件的制造。
根据本发明的半导体部件的制造方法，由于可以利用伴随温度变化的评价工序、单片化工序及拾取工序共通的半导体部件制造用膜，因此生产率优异。
根据本发明的电子部件制造用膜，能够共通地进行伴随温度变化的评价工序、单片化工序及拾取工序。因此，能够进行生产率优异的电子部件的制造。
根据本发明的电子部件的制造方法，由于可以利用伴随温度变化的评价工序、单片化工序及拾取工序共通的电子部件制造用膜，因此生产率优异。
附图说明
图1是说明本半导体部件制造用膜的一个例子的截面的说明图。
图2是说明本半导体部件的制造方法所涉及的保护构件形成工序的说明图。
图3是说明本半导体部件的制造方法所涉及的粘贴工序的说明图。
图4是说明本半导体部件的制造方法所涉及的评价工序的说明图。
图5是说明本半导体部件的制造方法所涉及的单片化工序的说明图。
图6是说明本半导体部件的制造方法所涉及的评价工序的说明图。
图7是说明本半导体部件的制造方法所涉及的部件分离工序的说明图。
图8是说明本半导体部件的制造方法所涉及的拾取工序的说明图。
图9是说明本电子部件的制造方法所涉及的评价工序的说明图。
图10是说明本电子部件的制造方法所涉及的单片化工序的说明图。
图11是说明本电子部件的制造方法所涉及的评价工序的说明图。
图12是说明本电子部件的制造方法所涉及的部件分离工序的说明图。
图13是说明本电子部件的制造方法所涉及的拾取工序的说明图。
具体实施方式
以下，一边参照附图一边说明本发明。这里所示的事项是例示性的事项和用于例示性说明本发明的实施方式的事项，出于提供被认为是能够最有效且容易理解本发明的原理和概念性特征的说明的目的来描述。关于该点，是为了从根本上理解本发明所必需的，并非意在以某种程度以上示出本发明的结构上的细节，通过与附图对应的说明，本领域技术人员可知实际上如何实现本发明的几个方式。
[1]半导体部件制造用膜
本发明的半导体部件制造用膜1是半导体部件的制造方法中使用的膜。该半导体部件制造用膜1具备基层11和粘着材层12(参照图1)。粘着材层12只要设于基层11的至少一面侧即可，也可以根据需要设于基层11的一面侧和另一面侧的两方。另外，基层11与粘着材层12可以直接接触，也可以隔着其他层。
(1)基层
基层11的160℃时的弹性模量E’(160)与-40℃时的弹性模量E’(-40)之比RE(＝E’(160)/E’(-40))为RE≥0.01，并且E’(-40)为10MPa以上且小于1000MPa。
这里，“E’(160)”表示基层11的160℃时的拉伸弹性模量，“E’(-40)”表示基层11的-40℃时的拉伸弹性模量。进一步，比RE表示E’(160)相对于E’(-40)的比例{E’(160)/E’(-40)}。
因此，比RE为RE≥0.01，表示基层11的160℃时的拉伸弹性模量为基层11的-40℃时的拉伸弹性模量的1％以上。该RE为RE≥0.01即可，但优选0.01≤RE≤0.5，更优选0.01≤RE≤0.3，特别优选0.02≤RE≤0.2。
本发明的半导体部件制造用膜1中，通过使基层11的RE≥0.01，从而在制造半导体部件时，即使进行在-40℃以上0℃以下的低温、和/或100℃以上160℃以下的高温的各温度区域对半导体晶片或半导体部件进行评价的评价工序，在其后的拾取工序中半导体部件制造用膜1也能够维持必要的柔软性。因此，在伴随温度变化的评价工序、单片化工序与拾取工序中，可以共通利用本半导体部件制造用膜1，无须分别在各工序中重新换上专用的粘着膜，半导体部件的生产率优异。
而且，在粘贴有本半导体部件制造用膜1的状态下，上述评价工序和单片化工序中的任一工序都可进行，因此也可以先进行这些工序中的任一个，与采用专用的粘着膜、托盘等的情况相比，能够提高工序的自由度。
另外，E’(-40)为100MPa≤E’(-40)＜1000MPa。本发明的半导体部件制造用膜1中，通过使基层11为100MPa≤E’(-40)＜1000MPa，能够在低温环境下维持半导体部件制造用膜的柔软性。
例如，如后所述，部件制造用膜1有时作为带有框体(环状框架等)7的保护构件15处理。并且，评价工序(参照图4的R3、图6的R5、图9的R3、图11的R5)中，在将背面粘贴于固定于保护构件15的部件制造用膜1的粘着材层12的状态下，被评价物(半导体晶片20、半导体部件21、阵列状电子部件50、电子部件51)被供于评价。进行该评价时，为了避免探针卡8等测定仪器侧的各部与框体7的接触，将真空承载盘(未图示)、止动器91等夹具配置于框体7的内侧，将框体7向下方压下(例如，0.5～15mm)，从而能够使框体7远离探针卡8等测定仪器。这样的情况下，若使框体7向下方移动，则粘贴于框体7的部件制造用膜1在开口部71内扩展，因此部件制造用膜1需要能够追随该动向的柔软性。而且，如后所述，评价在低温下也可进行，但基层11在低温下的拉伸弹性模量E’必然大于在高温下的拉伸弹性模量E’，因此维持低温的柔软性变得重要。这样，在要求经过评价工序的部件制造用膜1中，需要能够维持低温环境下的柔软性。然而，容易获得高温下的耐热性的材料通常是高温拉伸弹性模量高的材料，这样的材料的拉伸弹性模量在低温下变得更高，因此难以胜任上述状况。关于该点，基层11的比RE为RE≥0.01并且E’(-40)为100MPa≤E’(-40)＜1000MPa的部件制造用膜1能够满足上述要求。
该E’(-40)优选100MPa≤E’(-40)＜1000MPa，进一步优选150MPa≤E’(-40)≤900MPa，更优选200MPa≤E’(-40)≤800MPa，特别优选250MPa≤E’(-40)≤700MPa。另外，E’(-40)的值优选在基层11的MD方向和TD方向的两方都处于上述范围。
E’(160)为1MPa≤E’(160)≤100MPa。本发明的半导体部件制造用膜1中，通过使基层11为1MPa≤E’(160)≤100MPa，能够防止高温环境下的半导体部件制造用膜的熔融，并且保持膜的形状。
该E’(160)为1MPa≤E’(160)≤10MPa即可，但优选2MPa≤E’(160)≤80MPa，更优选3MPa≤E’(160)≤60MPa，特别优选4MPa≤E’(160)≤40MPa。另外，E’(160)的值优选在基层11的MD方向和TD方向的两方都处于上述范围。
与基层11相关的各弹性模量E’通过动态粘弹性测定装置(DMA：DynamicMechanical Analysis)测定。具体而言，可以将样品尺寸设为宽度10mm、夹具间的长度20mm，在频率1Hz、升温速度5℃/分钟的测定条件下从-50℃至200℃进行测定，从所得的数据读取各温度的数据而获得。即，将-40℃时的值设为拉伸弹性模量E’(-40)，将160℃时的值设为拉伸弹性模量E’(160)。
另外，基层11的厚度没有特别限定，但优选50μm以上200μm以下，更优选65μm以上175μm以下，特别优选80μm以上150μm以下。
需要说明的是，基层11有无延伸不受限定。
基层11只要能够支撑粘着材层12，并且具有上述比RE和E’(-40)即可，其材质没有特别限定。作为构成基层11的材料，优选树脂。
另外，树脂中，从达到上述比RE和E’(-40)这样的观点出发，优选为具有弹性体性质的树脂。作为具有弹性体性质的树脂，可列举热塑性弹性体和有机硅等。它们可以仅使用一种也可以并用两种以上。这些中，优选具有热塑性的物质，优选热塑性弹性体。
包含热塑性弹性体的情况下，关于其比例，相对于构成基层11的树脂整体，例如可以设为30质量％以上100质量％以下。即，构成基层11的树脂可以仅由热塑性弹性体构成。热塑性弹性体的比例进一步优选50质量％以上100质量％以下，更优选70质量％以上100质量％以下。
热塑性弹性体可以由具有硬段和软段的嵌段共聚物构成，也可以由硬聚合物与软聚合物的聚合物合金构成，还可以是具有这两者的特性的物质。基层11的各弹性模量E’的值可以通过调整构成基层11的这些成分来控制。即，可以通过调整树脂种类、包含多种树脂时的它们的比例、构成树脂的聚合物的分子结构(硬段和软段的比例)来控制。
作为热塑性弹性体，可列举聚酯系热塑性弹性体(热塑性聚酯弹性体)、聚酰胺系热塑性弹性体(热塑性聚酰胺弹性体)、苯乙烯系热塑性弹性体(热塑性苯乙烯弹性体)、烯烃系热塑性弹性体(热塑性聚烯烃弹性体)、氯乙烯系热塑性弹性体(热塑性氯乙烯弹性体)、聚酰亚胺系热塑性弹性体{热塑性聚酰亚胺弹性体、聚酰亚胺酯系热塑性弹性体(热塑性聚酰亚胺酯弹性体)、聚酰亚胺氨基甲酸酯系热塑性弹性体(热塑性聚酰亚胺氨基甲酸酯弹性体)等}、聚氨酯系热塑性弹性体(热塑性聚氨酯弹性体)等。它们可以仅使用一种也可以并用两种以上。
这些中，优选聚酯系热塑性弹性体、聚酰胺系热塑性弹性体、聚酰亚胺系热塑性弹性体，进一步，特别优选聚酯系热塑性弹性体和/或聚酰胺系热塑性弹性体。
聚酯系热塑性弹性体除了以聚酯成分为硬段以外，可以为任何构成。作为软段，可以利用聚酯、聚醚和聚醚酯等。它们可以仅使用一种也可以并用两种以上。即，例如，作为构成硬段的聚酯成分，可以包含来源于对苯二甲酸二甲酯等单体的结构单元。另一方面，作为构成软段的成分，可以包含来源于1,4-丁二醇和聚(氧四亚甲基)二醇等单体的结构单元。
更具体而言，可列举PBT-PE-PBT型聚酯系热塑性弹性体等。需要说明的是，上述“PBT-PE-PBT”的记载中的PBT是指聚对苯二甲酸丁二醇酯，PE是指聚醚。
作为聚酯系热塑性弹性体，具体而言，可列举三菱化学株式会社制“Primalloy(商品名)”、东丽杜邦公司制“Hytrel(商品名)”、东洋纺织株式会社制“Pelprene(商品名)”、Riken Technos株式会社制“Hyperalloy Actymer(商品名)等。它们可以仅使用一种也可以并用两种以上。
聚酰胺系热塑性弹性体除了以聚酰胺成分为硬段以外，可以为任何构成。作为软段，可以利用聚酯、聚醚和聚醚酯等。它们可以仅使用一种也可以并用两种以上。即，例如，作为构成硬段的聚酰胺成分，可列举聚酰胺6、聚酰胺11和聚酰胺12等。它们可以仅使用一种也可以并用两种以上。这些聚酰胺成分中，可利用各种内酰胺等作为单体。另一方面，作为构成软段的成分，可以包含来源于二羧酸等单体、聚醚多元醇的结构单元。其中，作为聚醚多元醇，优选聚醚二元醇，例如，可列举聚(四亚甲基)二醇、聚(氧丙烯)二醇等。它们可以仅使用一种也可以并用两种以上。
更具体而言，可列举聚醚酰胺型聚酰胺系热塑性弹性体、聚酯酰胺型聚酰胺系热塑性弹性体、聚醚酯酰胺型聚酰胺系热塑性弹性体等。
作为聚酰胺系热塑性弹性体，具体而言，可列举Arkema株式会社制“Pebax(商品名)”、Daicel-Evonik株式会社制“Daiamid(商品名)”、Daicel-Evonik株式会社制“VESTAMID(商品名)”、宇部兴产株式会社制“UBESTA XPA(商品名)”等。它们可以仅使用一种也可以并用两种以上。
另外，基层11包含热塑性弹性体以外的树脂的情况下，作为这样的树脂，可列举聚酯、聚酰胺、聚碳酸酯、丙烯酸树脂等。它们可以仅使用一种也可以并用两种以上。这些中，优选聚酯和/或聚酰胺，具体而言，可列举聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸丁二醇酯等聚酯、尼龙6、尼龙12等聚酰胺。另外，包含热塑性弹性体以外的树脂(例如，1质量％以上)的情况下，将热塑性弹性体和其以外的其他树脂的合计设为100质量％时，其他树脂的比例优选小于50质量％，更优选小于30质量％。
进一步，基层11在构成其的树脂中可以包含增塑剂和软化剂(矿物油等)、填充剂(碳酸盐、硫酸盐、钛酸盐、硅酸盐、氧化物(氧化钛、氧化镁)、二氧化硅、滑石、云母、黏土、纤维填料等)、抗氧化剂、光稳定剂、防静电剂、润滑剂、着色剂等各种添加剂。它们可以仅使用一种也可以并用两种以上。
(2)粘着材层
粘着材层12是由粘着材形成的层，可以仅设置在基材11的一面上，或者设置在基层11的两面上。该粘着材层12可以与基层11直接接触而设置，也可以隔着其他层而设置。
粘着材层12的粘着力没有特别限定，但粘贴于硅晶片的表面并放置60分钟后从硅晶片的表面剥离时的、依据JIS Z0237测定的对于硅晶片的粘着力优选为(在温度23℃、相对湿度50％的环境下测定)0.1～10N/25mm。粘着力为上述范围的情况下，能够确保与半导体部件的良好粘接性，并且抑制将密封后的电子部件剥离时的残胶。该粘着力进一步更优选为0.2N/25mm以上9N/25mm以下，进一步优选为0.3N/25mm以上8N/25mm以下。
另外，粘着材层12的厚度(基层11的一面侧的厚度)没有特别限定，但优选为1μm以上40μm以下，更优选为2μm以上35μm以下，特别优选为3μm以上25μm以下。
粘着材只要具有上述特性即可，可以使用任何材料。通常至少包含粘着主剂。作为粘着主剂，可列举丙烯酸系粘着剂、有机硅系粘着剂、橡胶系粘着剂等。它们可以仅使用一种也可以并用两种以上。这些中，优选丙烯酸系粘着剂。
作为丙烯酸系粘着剂，可列举丙烯酸酯化合物的均聚物、丙烯酸酯化合物与共聚单体的共聚物等。它们可以仅使用一种也可以并用两种以上。
另外，作为丙烯酸酯化合物，可列举丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯和丙烯酸2-乙基己酯等。它们可以仅使用一种也可以并用两种以上。
进一步，作为共聚单体，可列举乙酸乙烯酯、丙烯腈、丙烯酰胺、苯乙烯、(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸、甲基丙烯酸羟基乙酯、甲基丙烯酸二甲基氨基乙酯、甲基丙烯酸缩水甘油酯、马来酸酐等。
进一步，粘着材除了粘着主剂以外，还可以包含交联剂。作为交联剂，可列举环氧系交联剂(季戊四醇聚缩水甘油醚等)、异氰酸酯系交联剂(二苯基甲烷二异氰酸酯、甲苯二异氰酸酯、四亚甲基二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯、聚异氰酸酯等)。它们可以仅使用一种也可以并用两种以上。粘着材包含交联剂的情况下，将粘着材整体设为100质量份，交联剂的含量优选设为10质量份以下。另外，粘着材层的粘着力可以通过交联剂的含量进行调整。具体而言，可以利用日本特开2004-115591号公报中记载的方法。
另外，粘着剂可以是会通过能量射线固化的能量固化型粘着材，也可以是不会通过能量射线固化的能量非固化型粘着材，进一步，还可以是通过能量射线进行发泡的能量发泡型粘着材。
其中，在为能量固化型粘着材的情况下，通过对粘着材进行能量射线照射，能够使粘着材固化，使其粘着力降低。因此，使所得的电子部件与半导体部件制造用膜分离时，能够更加确实地防止针对电子部件的残胶。
能量固化型粘着材可以是通过任何能量射线固化的粘着材，作为能量射线，可列举紫外线、电子射线、红外线等。这些能量射线可以仅使用一种，也可以并用两种以上。具体而言，可列举通过紫外线固化的紫外线固化型粘着剂。
为能量固化型粘着材的情况下，粘着材除了上述粘着主剂以外，还可以包含分子内具有碳-碳双键的化合物(以下，简称为“固化性化合物”)以及能够与能量射线反应而引发固化性化合物的聚合的光聚合引发剂。该固化性化合物优选分子中具有碳-碳双键并且能够通过自由基聚合进行固化的单体、低聚物和/或聚合物。具体而言，作为固化性化合物，可列举三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、四乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯等。它们可以仅使用一种也可以并用两种以上。粘着材包含固化性化合物的情况下，固化性化合物的含量相对于粘着材100质量份优选为0.1～20质量份。
需要说明的是，分子内的碳-碳双键，也可以通过存在于上述粘着主剂的分子内而被包含。即，例如，粘着主剂可以设为侧链具有碳-碳双键的能量固化型聚合物等。这样，粘着主剂在分子内具有固化性结构的情况下，可以配合上述固化性化合物，也可以不配合。
另一方面，作为光聚合引发剂，优选通过能量射线的照射能够生成自由基的化合物。具体而言，可列举苯乙酮系光聚合引发剂{甲氧基苯乙酮等}、α-酮醇化合物{4-(2-羟基乙氧基)苯基(2-羟基-2-丙基)酮、α-羟基环己基苯基酮等}、缩酮系化合物{苯偶酰二甲基缩酮等}、苯偶因系光聚合引发剂{苯偶因、苯偶因烷基醚类(苯偶因甲基醚、苯偶因异丙基醚、苯偶因异丁基醚)等}、二苯甲酮系光聚合引发剂{二苯甲酮、苯甲酰苯甲酸等}、芳香族缩酮类{苯偶酰二甲基缩酮等}等。它们可以仅使用一种也可以并用两种以上。粘着材包含光聚合引发剂的情况下，光聚合引发剂的含量相对于粘着材100质量份优选设为5～15质量份。
(3)其他层
本发明的半导体部件制造用膜1可以仅由基层11和粘着材层12构成，也可以具备其他层。作为其他层，可列举能够吸收粘贴面的凹凸形状而使膜面平滑的凹凸吸收层、提高与粘着材的界面强度的界面强度提高层、抑制低分子量成分从基材向粘着面转移的转移防止层等。它们可以仅使用一种也可以并用两种以上。
(4)半导体部件制造用膜的制造
本发明的半导体部件制造用膜可以通过任何方法制造，其方法没有特别限定。具体而言，可以通过共挤出法、挤出层压法、粘接层压法、涂布法等方法制造。其中，共挤出法是通过共挤出将形成基层11的熔融树脂与形成粘着材层12的熔融树脂层叠而制造半导体部件制造用膜的方法。
另外，挤出层压法是通过挤出将形成粘着材层12的熔融树脂层叠于基层11上而制造半导体部件制造用膜的方法。
进一步，涂布法是通过涂布或涂覆将形成粘着材层12的熔融树脂层叠于基层11上而制造半导体部件制造用膜的方法。使用能量固化型粘着材作为构成粘着材层12的粘着材的情况下，优选使用该涂布法
另外，粘接层压法是通过热压接、粘接剂、热熔胶等将基层11与粘着材层12层叠而制造半导体部件制造用膜的方法。
这些方法可以仅使用一种也可以并用两种以上。
[2]半导体部件的制造方法
本发明的半导体部件制造用膜1用于半导体部件的制造方法。该半导体部件的制造方法包含单片化工序R4(参照图5)和拾取工序R7(参照图8)，并且在拾取工序R7前具备评价工序R3(参照图4)和/或评价工序R5(参照图6)。
其中，在单片化工序R4(参照图5)的前工序中，通常设置粘贴工序R2(参照图3)。粘贴工序R2(参照图3)是在形成有电路的半导体晶片的背面粘贴半导体部件制造用膜1的粘着材层12的工序。通常，半导体部件制造用膜1通过以覆盖具有开口部71的框体7的开口部71的方式将半导体部件制造用膜1的粘着材层12粘贴于框体7的一面7a(保护构件形成工序R1，参照图2)，用作保护构件15。并且，粘贴工序R2(参照图3)是在保护构件15的露出于框体7的开口部71的粘着材层12的表面12a粘贴半导体晶片20的工序，但这些保护构件形成工序R1(参照图2)和粘贴工序R2(参照图3)可同时进行。需要说明的是，保护构件形成工序R1(参照图2)和粘贴工序R2(参照图3)当然也可以根据需要分别进行。
半导体晶片20只要是能够合适地粘贴于本半导体部件制造用膜1的半导体晶片即可，其种类没有限定，例如，可列举硅基板、蓝宝石基板、锗基板、锗-砷基板、镓-磷基板、镓-砷-铝基板等。其中，使用了蓝宝石基板的半导体晶片可列举在蓝宝石基板上层叠有半导体层(GaN等)的半导体晶片。在这些半导体晶片的表面，通常形成有电路。作为该电路，可列举配线、电容器、二极管和晶体管等。它们可以仅使用一种也可以并用两种以上。
单片化工序R4(参照图5)是将背面粘贴有半导体部件制造用膜1的半导体晶片进行单片化(切割)而得到半导体部件21的工序。该单片化工序R4可使用公知的方法适宜进行。需要说明的是，单片化可以按照一个半导体部件21内包含至少一个半导体电路区域的方式进行单片化，也可以按照一个半导体部件21内包含两个以上半导体电路区域的方式进行单片化。
拾取工序R7(参照图8)是将经单片化的半导体部件从半导体部件制造用膜1的粘着材层12分离的工序。拾取工序R7可使用公知的方法适宜进行，例如，可如图8所例示，从半导体部件制造用膜1的基层11一侧，通过顶起构件92将作为拾取对象的半导体部件21’顶起，利用拾取器具93通过吸附等方法来拾取该被顶起的半导体部件21’。
评价工序是在拾取工序前，在0℃以下或100℃以上的温度区域对半导体晶片或半导体部件进行评价的工序。即，该评价工序中，包括：在单片化工序前且拾取工序前在0℃以下或100℃以上的温度区域对半导体晶片进行评价的评价工序R3(参照图4)，以及在单片化工序后且拾取工序前在0℃以下或100℃以上的温度区域对半导体部件进行评价的评价工序R5(参照图6)。评价工序R3和评价工序R5根据需要可以仅进行任一者，也可以进行这两者。
另外，半导体晶片20或半导体部件21的评价具体而言包括下述(1)的半导体晶片评价和下述(2)的半导体部件评价。其中，(1)半导体晶片评价是利用探针进行以下评价，即：在半导体晶片的状态下，形成于半导体晶片的多个电路(与各半导体部件的电路相对应)的电气特性在0℃以下或100℃以上的温度区域是否为所期望的特性。另一方面，(2)半导体部件评价是利用探针进行以下评价，即：将半导体晶片进行单片化并将多个半导体部件以阵列状排列的状态下，这些半导体部件的电气特性在0℃以下或100℃以上的温度区域是否为所期望的特性。
这些各评价中，包括以确认上述各温度区域中的动作为目的的评价、以上述各温度区域中的加速耐久试验为目的的评价(例如，老化测试)。
在上述评价工序中进行评价工序R3(参照图4)的情况，即，在单片化工序前且拾取工序前进行评价的情况(对半导体晶片20进行评价的情况)下，例如，使形成有多个探针81的探针卡8与半导体晶片20的预定的对应部位接触并进行电连接，对探针81与形成于半导体晶片20上的电路之间交换的信号正确与否进行判定(探针测试)，从而进行评价(参照图4)。另外，此时，如前所述，在将半导体部件制造用膜1固定于保护构件15的框体7，将半导体晶片20的背面粘贴于其粘着材层12的状态下将半导体晶片20供于评价的情况下，为了避免探针卡8等测定仪器侧的各部与框体7的接触，可将真空承载盘(未图示)、止动器91等夹具配置于框体7的内侧，将框体7向下方压下(例如，0.5～15mm)，使框体7远离探针卡8等测定仪器。
另一方面，在上述评价工序中进行评价工序R5(参照图6)的情况，即，在单片化工序后且拾取工序前进行评价的情况(对半导体部件21进行评价的情况)下，例如，使形成有多个探针81的探针卡8与半导体部件21的各个预定的对应部位接触并进行电连接，对探针81与形成于半导体部件21上的电路之间交换的信号正确与否进行判定(探针测试)，从而进行评价(参照图6)。该情况下也同样地，在将半导体部件制造用膜1固定于保护构件15的框体7，将半导体部件21的背面粘贴于其粘着材层12的状态下将半导体部件21供于评价的情况下，为了避免探针卡8等测定仪器侧的各部与框体7的接触，可将真空承载盘(未图示)、止动器91等夹具配置于框体7的内侧，将框体7向下方压下(例如，0.5～15mm)，使框体7远离探针卡8等测定仪器。
这些评价只要在0℃以下和/或100℃以上的温度区域进行就没有特别限定，除了如上所述使探针接触而进行的电气评价(探针测试)以外，也可包括非接触的光学式的评价。
另外，关于评价温度区域，在低温侧只要为0℃以下即可，另外，在高温侧只要为100℃以上即可。特别是本半导体部件制造用膜1即使在低温侧在-80℃以上0℃以下(进而-60℃以上-10℃以下，尤其-40℃以上-10℃以下)进行评价工序，半导体部件制造用膜1在评价工序中也能够维持必要的柔软性。进一步，也不会妨碍拾取工序R7(参照图8)。即，在拾取工序R7(参照图8)中利用顶起构件92顶起时，半导体部件制造用膜1也维持了柔软性，可在不使半导体部件制造用膜1断裂的情况下顶起。特别是在拾取工序R7(参照图8)前具备部件分离工序R6(参照图7)的情况下，成为半导体部件制造用膜1更易断裂的状况，但通过利用前述的半导体部件制造用膜1，能够防止断裂而顺利地进行拾取。
进一步，即使在高温侧在100℃以上170℃以下(进而110℃以上170℃以下，尤其120℃以上160℃以下)进行评价工序，半导体部件制造用膜1在评价工序中也能够维持必要的柔软性。进一步，不会妨碍拾取工序R7(参照图8)。即，在拾取工序R7(参照图8)中利用顶起构件92顶起时，半导体部件制造用膜1也维持了柔软性，可在不使半导体部件制造用膜1断裂的情况下顶起。特别是在拾取工序R7(参照图8)前具备部件分离工序R6(参照图7)的情况下，成为半导体部件制造用膜1更易断裂的状况，但通过利用前述的半导体部件制造用膜1，能够防止断裂而顺利地进行拾取。
进一步，这些评价可仅在低温侧和高温侧的任一方进行评价，但就本半导体部件制造用膜1而言，可以设为即使进行该两者也不妨碍拾取工序R7(参照图8)。
上述制造方法中，除了粘贴工序R2(参照图3)、评价工序R3(参照图4)、单片化工序R4(参照图5)、评价工序R5(参照图6)、拾取工序R7(参照图8)以外还可具备其他工序。
作为其他工序，可列举保护构件形成工序R1(参照图2)和部件分离工序R6(图7)。
其中，保护构件形成工序R1(参照图2)是以覆盖具有开口部71的框体7的开口部71的方式将半导体部件制造用膜1的粘着材层12粘贴于框体7的一面7a的工序。
作为框体7，例如，可以使用环状框架。框体7的外形没有限定，可适宜形成适应需要的形状。例如，可以采用圆形或四边形等。同样地，开口部71的外形也没有限定，可适宜形成适应需要的形状，例如，可以采用圆形或四边形等。构成框体7的材质也没有限定，例如，可以使用树脂和/或金属等。
另外，以覆盖框体7的开口部71的方式将半导体部件制造用膜1的粘着材层12粘贴于框体7的一面7a时，可以根据需要进行加热。
另外，部件分离工序R6(参照图7)是通过将半导体部件制造用膜1扩展而使经单片化的半导体部件21彼此在半导体部件制造用膜1上分离的工序。使半导体部件制造用膜1扩展时，可以使止动器91抵接于框体7的内侧而进行。
[3]电子部件制造用膜
本发明的电子部件制造用膜1是在电子部件的制造方法中使用的膜。与半导体部件制造用膜1同样，该电子部件制造用膜1具备基层11和粘着材层12(参照图1)。另外，也与半导体部件制造用膜1同样，粘着材层12只要设于基层11的至少一面侧即可，根据需要也可设于基层11的一面侧和另一面侧两者，基层11与粘着材层12可以直接接触，也可以隔着其他层。
(1)基层
关于电子部件制造用膜1中的基层11，可以直接应用前述的半导体部件制造用膜1中的基层11的说明。这里，在与半导体部件制造用膜1的基层11有关的说明中，将“半导体部件制造用膜”一词改称为“电子部件制造用膜”，将“半导体晶片”一词改称为“阵列状电子部件”，将“半导体部件”一词改称为“电子部件”。
(2)粘着材层
关于电子部件制造用膜1中的粘着材层12，可以直接应用前述的半导体部件制造用膜1中的粘着材层12的说明。这里，在与半导体部件制造用膜1的粘着材层12有关的说明中，将“半导体部件制造用膜”一词改称为“电子部件制造用膜”，将“半导体晶片”一词改称为“阵列状电子部件”，将“半导体部件”一词改称为“电子部件”。
(3)其他层
关于电子部件制造用膜1中的其他层，可以直接应用前述的半导体部件制造用膜1中的其他层的说明。这里，在与半导体部件制造用膜1的其他层有关的说明中，将“半导体部件制造用膜”一词改称为“电子部件制造用膜”，将“半导体晶片”一词改称为“阵列状电子部件”，将“半导体部件”一词改称为“电子部件”。
(4)电子部件制造用膜的制造
关于电子部件制造用膜1中的电子部件制造用膜的制造，可以直接应用前述的半导体部件制造用膜1中的半导体部件制造用膜的制造的说明。这里，在与半导体部件制造用膜1的制造有关的说明中，将“半导体部件制造用膜”一词改称为“电子部件制造用膜”，将“半导体晶片”一词改称为“阵列状电子部件”，将“半导体部件”一词改称为“电子部件”。
[4]电子部件的制造方法
本发明的电子部件制造用膜1用于电子部件的制造方法。该电子部件的制造方法包含单片化工序R4(参照图10)和拾取工序R7(参照图13)，并且在拾取工序R7前具备评价工序R3(参照图9)和/或评价工序R5(参照图11)。
单片化工序R4(参照图10)是将背面粘贴有电子部件制造用膜1的阵列状电子部件50进行单片化(切割)而得到电子部件51的工序。
该单片化工序R4可使用公知的方法适宜进行。需要说明的是，单片化可以按照一个电子部件51内包含至少一个半导体部件的方式进行单片化，也可以按照一个电子部件51内包含两个以上的半导体部件的方式进行单片化。
另外，单片化工序R4(参照图10)中，与前述的半导体部件制造用膜1的情况同样地，本电子部件制造用膜1也可利用框体7而用作保护构件15。
阵列状电子部件50是将半导体部件以阵列状进行密封而得到的。具体而言，包含下述的电子部件(1)-(3)。
阵列状电子部件(1)是将形成有电路的半导体晶片进行单片化，将所得的半导体部件(芯片、小晶片)排列于引线框上，进行引线接合后，使用密封剂密封而获得的阵列状电子部件。
阵列状电子部件(2)是将形成有电路的半导体晶片进行单片化，将所得的半导体部件(芯片、小晶片)分离排列，使用密封剂密封后，一并形成再配线层和凸块电极等获得与外部的导通的外部电路而成的阵列状电子部件。即，其为以扇出方式(eWLB方式)获得的阵列状电子部件。
阵列状电子部件(3)是将半导体晶片直接以晶片状态用作半导体部件，一并形成再配线层和凸块电极等获得与外部的导通的外部电路、使用密封剂密封的密封层而成的阵列状电子部件。该阵列状电子部件(3)中的半导体晶片为单片化前状态，包含半导体部件(芯片、小晶片)以阵列状形成的形态、将半导体晶片用作基体(在非电路硅基板上接合具有电路的芯片而利用的形态)等。即，阵列状电子部件(3)为以晶片级芯片尺寸封装体(WLCSP)方式获得的阵列状电子部件。
需要说明的是，在形成阵列状电子部件(2)时也可以利用本发明的电子部件制造用膜。具体而言，可将半导体部件分离排列于电子部件制造用膜1上，使用密封剂密封后，一并形成再配线层和凸块电极等获得与外部的导通的外部电路而得到阵列状电子部件。
拾取工序R7(参照图13)是将经单片化的电子部件51从电子部件制造用膜1的粘着材层12分离的工序。拾取工序R7可使用公知的方法适宜进行，例如，可如图13所例示，从电子部件制造用膜1的基层11一侧，通过顶起构件92将作为拾取对象的电子部件51’顶起，利用拾取器具93通过吸附等方法来拾取该被顶起的电子部件51’。
评价工序是在拾取工序前，在0℃以下或100℃以上的温度区域对阵列状电子部件或电子部件进行评价的工序。即，该评价工序中，包括在单片化工序前且拾取工序前在0℃以下或100℃以上的温度区域对阵列状电子部件进行评价的评价工序R3(参照图9)、以及在单片化工序后且拾取工序前在0℃以下或100℃以上的温度区域对电子部件进行评价的评价工序R5(参照图11)。评价工序R3和评价工序R5根据需要可以仅进行任一者，也可以进行这两者。
另外，所谓阵列状电子部件50或电子部件51的评价，具体而言包含下述(1)的阵列状电子部件评价、和下述(2)的电子部件评价。其中，(1)阵列状电子部件评价是利用探针进行以下评价，即：在使阵列状电子部件保持阵列状的状态下，阵列状电子部件所包含的各内部电路、以及与这些内部电路对应地形成的外部电路(用于将各个内部电路向外部导出的电路)的电气特性在0℃以下或100℃以上的温度区域是否为所期望的特性。另一方面，(2)电子部件评价是利用探针进行以下评价，即：在将阵列状电子部件进行单片化并将多个电子部件以阵列状排列的状态下，这些各个电子部件的电气特性在0℃以下或100℃以上的温度区域是否为所期望的特性。
这些各评价中，包括以确认上述各温度区域中的动作为目的的评价、以上述各温度区域中的加速耐久试验为目的的评价(例如，老化测试)。
在上述评价工序中进行评价工序R3(参照图9)的情况，即，在单片化工序前且拾取工序前进行评价的情况(对阵列状电子部件50进行评价的情况)下，例如，使形成有多个探针81的探针卡8与形成于阵列状电子部件50上的外部电路(凸块电极等)接触并进行电连接，对探针81与形成于阵列状电子部件50的外部电路之间交换的信号正确与否进行判定(探针测试)，从而进行评价(参照图9)。另外，此时，如前所述，在将电子部件制造用膜1固定于保护构件15的框体7，将阵列状电子部件50的背面粘贴于其粘着材层12的状态下将阵列状电子部件50供于评价的情况下，为了避免探针卡8等测定仪器侧的各部与框体7的接触，可将真空承载盘(未图示)、止动器91等夹具配置于框体7的内侧，将框体7向下方压下(例如，0.5～15mm)，使框体7远离探针卡8等测定仪器。
另一方面，在上述评价工序中进行评价工序R5(参照图11)的情况，即，在单片化工序后且拾取工序前进行评价的情况(对电子部件51进行评价的情况)下，例如，使形成有多个探针81的探针卡8与电子部件51的各个预定的对应部位(例如，凸块电极等外部电路)接触并进行电连接，对探针81与形成于电子部件51的外部电路之间交换的信号正确与否进行判定(探针测试)，从而进行评价(参照图11)。该情况下也同样地，在将电子部件制造用膜1固定于保护构件15的框体7，将电子部件51的背面粘贴于其粘着材层12的状态下将电子部件51供于评价的情况下，为了避免探针卡8等测定仪器侧的各部与框体7的接触，可将真空承载盘(未图示)、止动器91等夹具配置于框体7的内侧，将框体7向下方压下(例如，0.5～15mm)，使框体7远离探针卡8等测定仪器。
这些评价只要在0℃以下和/或100℃以上的温度区域进行，就没有特别限定，如上所述，除了使探针接触而进行的电气评价(探针测试)以外，还可包含非接触的光学式的评价。
另外，关于评价温度区域，在低温侧只要为0℃以下即可，另外，在高温侧只要为100℃以上即可。特别是本电子部件制造用膜1即使在低温侧在-80℃以上0℃以下(进而-60℃以上-10℃以下，尤其-40℃以上-10℃以下)进行评价工序，电子部件制造用膜1在评价工序中也能够维持必要的柔软性。进一步，不会妨碍拾取工序R7(参照图13)。即，在拾取工序R7(参照图13)中利用顶起构件92顶起时，电子部件制造用膜1也维持了柔软性，能够在不使电子部件制造用膜1断裂的情况下顶起。特别是在拾取工序R7(参照图13)前具备部件分离工序R6(参照图12)的情况下，成为电子部件制造用膜1更易断裂的状况，但通过利用前述的电子部件制造用膜1，能够防止断裂而顺利地进行拾取。
进一步，即使在高温侧在100℃以上170℃以下(进而110℃以上170℃以下，尤其120℃以上160℃以下)进行评价工序，电子部件制造用膜1在评价工序中也能够维持必要的柔软性。进一步，不会妨碍拾取工序R7(参照图13)。即，在拾取工序R7(参照图13)中利用顶起构件92顶起时，电子部件制造用膜1也维持了柔软性，能够在不使电子部件制造用膜1断裂的情况下顶起。特别是在拾取工序R7(参照图13)前具备部件分离工序R6(参照图12)的情况下，成为电子部件制造用膜1更易断裂的状况，但通过利用前述的电子部件制造用膜1，能够防止断裂而顺利地进行拾取。
进一步，这些评价可仅在低温侧和高温侧的任一方进行评价，但就本电子部件制造用膜1而言，可以设为即使进行该两者也不会妨碍拾取工序R7(参照图13)。
上述制造方法中，除了评价工序R3(参照图9)、单片化工序R4(参照图10)、评价工序R5(参照图11)、拾取工序R7(参照图13)以外还可具备其他工序。
作为其他工序，可列举部件分离工序R6(图12)。部件分离工序R6(参照图12)是通过将电子部件制造用膜1扩展而使经单片化的电子部件51彼此在电子部件制造用膜1上分离的工序。使电子部件制造用膜1扩展时，可以使止动器91抵接于框体7的内侧而进行。
[5]评价方法
在通过利用本发明的半导体部件制造用膜1而制造半导体部件的期间，可以在不重新换上半导体部件制造用膜1的情况下对半导体晶片进行评价。即，可以在将具备基层11和设于基层11的一面侧的粘着材层12的半导体部件制造用膜1的粘着材层12粘贴于形成有电路的半导体晶片20的背面的状态下，在0℃以下或100℃以上的温度区域对半导体晶片20进行评价，所述基层11的160℃时的弹性模量E’(160)与-40℃时的弹性模量E’(-40)之比RE(＝E’(160)/E’(-40))为RE≥0.01，并且E’(-40)为10MPa以上且小于1000MPa(参照图4)。
进一步，在通过利用本发明的半导体部件制造用膜1而制造半导体部件的期间，可以在不重新换上半导体部件制造用膜1的情况下对半导体部件进行评价。即，可以在将具备基层11和设于基层11的一面侧的粘着材层12的半导体部件制造用膜1的粘着材层12粘贴于将形成有电路的半导体晶片20进行单片化而得的半导体部件21的背面的状态下，在0℃以下或100℃以上的温度区域对半导体部件21进行评价，所述基层11的160℃时的弹性模量E’(160)与-40℃时的弹性模量E’(-40)之比RE(＝E’(160)/E’(-40))为RE≥0.01，并且E’(-40)为10MPa以上且小于1000MPa(参照图6)。
这些评价方法可以仅进行任一者，也可以并用该两者。即，可在对半导体晶片20进行预定的评价后，进一步对半导体部件21进行预定的评价。关于评价的内容，如前所述。
另外，在通过利用本发明的电子部件制造用膜1而制造电子部件的期间，可以在不重新换上电子部件制造用膜1的情况下对阵列状电子部件进行评价。即，可以在将具备基层11和设于基层11的一面侧的粘着材层12的电子部件制造用膜1的粘着材层12粘贴于阵列状电子部件50的背面的状态下，在-40℃以上0℃以下或100℃以上160℃以下的温度区域对阵列状电子部件50进行评价，所述基层11的160℃时的弹性模量E’(160)与-40℃时的弹性模量E’(-40)之比RE(＝E’(160)/E’(-40))为RE≥0.01，并且E’(-40)为10MPa以上且小于1000MPa(参照图9)。
进一步，在通过利用本发明的电子部件制造用膜1而制造电子部件的期间，可以在不重新换上电子部件制造用膜1的情况下对电子部件进行评价。即，可以在将具备基层11和设于基层11的一面侧的粘着材层12的电子部件制造用膜1的粘着材层12粘贴于电子部件51的背面的状态下，在-40℃以上0℃以下或100℃以上160℃以下的温度区域对电子部件51进行评价，所述基层11的160℃时的弹性模量E’(160)与-40℃时的弹性模量E’(-40)之比RE(＝E’(160)/E’(-40))为RE≥0.01，并且E’(-40)为10MPa以上且小于1000MPa(参照图11)。
这些评价方法可以仅进行任一者，也可以并用该两者。即，可以在对阵列状电子部件50进行预定的评价后，进一步对电子部件51进行预定的评价。关于评价的内容，如前所述。
实施例
以下，通过实施例具体说明本发明。需要说明的是，以下，将半导体部件制造用膜和电子部件制造用膜统称而记载为部件制造用膜。
[1]部件制造用膜的制造
〈实施例1〉
(1)基层
使用厚度80μm的聚酯系热塑性弹性体(TPEE)膜(东丽杜邦株式会社制，品名“Hytrel 4777”，熔点200℃)作为基层11。
使用该基层11，通过动态粘弹性测定装置(DMA：Dynamic Mechanical Analysis)(制品名：RSA-3，TA Instruments公司制)测定拉伸弹性模量E’。具体而言，将样品尺寸设为宽度10mm、夹具间的长度设为20mm，在频率1Hz、升温速度5℃/分钟的测定条件下从-50℃至200℃进行测定，从所得的数据读取各温度的数据。即，将-40℃时的值设为拉伸弹性模量E’(-40)，将160℃时的值设为拉伸弹性模量E’(160)。其结果，E’(-40)为440MPa，E’(160)为12MPa。其结果，比RE(＝E’(160)/E’(-40))为0.03。
(2)粘着材层
使用厚度10μm的非固化型的丙烯酸系粘着剂作为粘着材层12。
(3)基层与粘着材层的层叠
在上述(1)中得到的基层11的一面层压上述(2)的粘着材层12，得到实施例1的部件制造用膜1。
使用所得的实施例1的部件制造用膜1，依据JIS Z0237，通过以下方法测定粘着力。即，将所得的部件制造用膜制成宽度25mm的试验片，一边用约2kg橡胶辊施加压力一边将其粘着材层12粘贴于4英寸的硅晶片。接着，在温度23℃、相对湿度50％的环境下放置60分钟。然后，测定将试验片在180°方向上以剥离速度300mm/分钟从硅晶片剥离时的粘着力。粘着力的测定进行两次，将平均值作为“粘着力”(N/25mm)。其结果，实施例1的部件制造用膜的粘着力为1.2N/25mm。
〈实施例2〉
作为基层11，除了厚度为150μm以外，使用与实施例1相同的聚酯系热塑性弹性体膜(东丽杜邦株式会社制，品名“Hytrel 4777”，熔点200℃)。
作为粘着材层12，使用与实施例1相同的、厚度10μm的非固化型的丙烯酸系粘着剂。
与实施例1的情况同样地，将基层11与粘着材层12层叠，得到实施例2的部件制造用膜1。使用所得的实施例2的部件制造用膜，与实施例1同样地测定的粘着力为1.2N/25mm。
〈实施例3〉
作为基层11，除了厚度为150μm以外，使用与实施例1相同的聚酯系热塑性弹性体膜(东丽杜邦株式会社制，品名“Hytrel 4777”，熔点200℃)。
作为粘着材层12，将本公司制的紫外线固化型的丙烯酸系粘着剂成型为厚度10μm，制成粘着材层12。
与实施例1的情况同样地，将基层11与粘着材层12层叠，得到实施例3的部件制造用膜1。使用所得的实施例3的部件制造用膜，与实施例1同样地测定的粘着力为4.5N/25mm。
〈比较例1〉
使用厚度80μm的直链状短链分支聚乙烯(PE)膜(株式会社普瑞曼聚合物制，品名“Evolue SP2040”，熔点116℃)作为基层11。
使用该基层11，与实施例1同样地进行测定，将所得的-40℃时的值作为拉伸弹性模量E’(-40)，为520MPa。另一方面，在温度160℃时，因断裂而无法测量E’(160)。其结果，比RE(＝E’(160)/E’(-40))小于0.01。
作为粘着材层12，使用与实施例1相同的、厚度10μm的非固化型的丙烯酸系粘着剂。
与实施例1的情况同样地，将基层11与粘着材层12层叠，得到比较例1的部件制造用膜1。使用所得的比较例1的部件制造用膜，与实施例1同样地测定的粘着力为1.2N/25mm。
〈比较例2〉
使用厚度80μm的无规聚丙烯(PP)膜(株式会社普瑞曼聚合物制，品名“F327”，熔点138℃)作为基层11。
使用该基层11，与实施例1同样地进行测定，将所得的-40℃时的值作为拉伸弹性模量E’(-40)，为1500MPa。另一方面，在温度160℃时，因断裂而无法测量E’(160)。其结果，比RE(＝E’(160)/E’(-40))小于0.01。
作为粘着材层12，使用与实施例1相同的、厚度10μm的非固化型的丙烯酸系粘着剂。
与实施例1的情况同样地，将基层11与粘着材层12层叠，得到比较例2的部件制造用膜1。使用所得的比较例2的部件制造用膜，与实施例1同样地测定的粘着力为1.2N/25mm。
〈比较例3〉
使用厚度80μm的聚氯乙烯(PVC)膜(Achilles株式会社制，品名“Seiden Film”，熔点95℃)作为基层11。
使用该基层11，与实施例1同样地进行测定，将所得的-40℃时的值作为拉伸弹性模量E’(-40)，为2000MPa，E’(160)为0.5MPa。其结果，比RE(＝E’(160)/E’(-40))为2.5×10-4，小于0.01。
作为粘着材层12，使用与实施例1相同的、厚度10μm的非固化型的丙烯酸系粘着剂。
与实施例1的情况同样地，将基层11与粘着材层12层叠，得到比较例3的部件制造用膜1。使用所得的比较例3的部件制造用膜，与实施例1同样地测定的粘着力为1.2N/25mm。
[表1]
Figure GDA0001516386300000261
[2]使用了部件制造用膜的试验
使用实施例1-3和比较例1-3，进行以下的两种试验。
(1)试验1(耐热性的评价)
将上述[1]中得到的实施例1-3和比较例1-3的各部件制造用膜的基层11一侧吸附固定于设定为温度160℃的真空吸附式的载片台(承载盘)，经过10分钟后，破坏真空，从载片台取下各部件制造用膜。此时，按照以下基准评价从载片台取下的容易性，将其结果示于表1。
“○”···能够没问题地取下。
“×”···可看见与载片台熔接，不容易取下。
(2)试验2(残胶的评价)
将上述[1]中得到的实施例1-3和比较例1-3的各部件制造用膜的粘着材层12一侧粘贴于4英寸尺寸的硅晶片的镜面，将晶片面设置于160度的热板上，维持10分钟后，将热板冷却。接着，使用高压水银灯，以累积光量成为1080mJ/cm2的方式照射波长365nm的光后，将各部件制造用膜从硅晶片剥离。此时，按照以下基准评价通过目视看到的硅晶片上的残胶，将其结果示于表1。
“○”···通过目视未看到硅晶片上的残胶。
“×”···通过目视看到了硅晶片上的残胶。
[3]实施例的效果
可知，通过部件制造用膜1的基层11的比RE为RE＞0.01，能够利用加热至160℃的载片台来制造半导体部件和电子部件。即，通过利用本部件制造用膜1，能够在伴随温度变化的评价工序、单片化工序和拾取工序中共通地利用部件制造用膜，能够减少用于更换的工时，提高半导体部件和电子部件的生产率。另外，根据实施例1与实施例2的比较，无论厚度如何，操作容易性(常温时的膜的硬度、贴附容易性等)未见差异，在任一实施例中均成为容易操作的部件制造用膜。
需要说明的是，本发明中，不限于上述具体实施例所示的内容，可以为根据目的、用途在本发明的范围内进行了各种变更的实施例。
工业实用性
本发明的半导体部件制造用膜和半导体部件的制造方法、以及电子部件制造用膜和电子部件的制造方法可广泛用于半导体部件制造、电子部件制造的用途。特别是在利用具备伴随温度变化的评价工序、单片化工序和拾取工序的半导体部件的制造方法的情况以及利用具备伴随温度变化的评价工序、单片化工序和拾取工序的电子部件的制造方法的情况下，可在这些工序中共通地利用，因此适合在进行生产率优异的部件的制造时使用。
符号说明
1：半导体部件制造用膜、电子部件制造用膜、
15：保护构件、
11：基层、
12：粘着材层、
12a：粘着材层的表面(露出于开口部71的粘着材层12的表面)、
20：半导体晶片、
21：半导体部件、
30：密封材、
50：阵列状电子部件、
51：电子部件、
7：框体、
7a：框体的一面、
71：框体的开口部、
8：探针卡、
81：探针、
91：止动器、
92：顶起构件、
93：拾取器具、
R1：保护构件形成工序、
R2：粘贴工序、
R3：评价工序(半导体晶片评价工序、阵列状电子部件评价工序)、
R4：单片化工序、
R5：评价工序(半导体部件评价工序、电子部件评价工序)、
R6：部件分离工序、
R7：拾取工序。

Claims (20)

1.一种半导体部件制造用膜，其特征在于，是在半导体部件的制造方法中使用的半导体部件制造用膜，
具备基层和设于所述基层的一面侧的粘着材层，
所述基层的160℃时的弹性模量E’(160)与-40℃时的弹性模量E’(-40)之比RE即E’(160)/E’(-40)为RE≥0.01，并且E’(-40)为10MPa以上且小于1000MPa。
2.根据权利要求1所述的半导体部件制造用膜，所述基层包含热塑性聚酯系弹性体和/或热塑性聚酰胺系弹性体。
3.根据权利要求1所述的半导体部件制造用膜，所述基层的厚度为50μm以上200μm以下。
4.根据权利要求1所述的半导体部件制造用膜，所述粘着材层的厚度为1μm以上40μm以下。
5.根据权利要求1所述的半导体部件制造用膜，所述粘着材层的依据JIS Z0237测定的粘着力为0.1～10N/25mm。
6.一种半导体部件的制造方法，其特征在于，具备：在将半导体部件制造用膜的粘着材层粘贴在形成有电路的半导体晶片的背面的状态下，将所述半导体晶片进行单片化而得到半导体部件的单片化工序；以及
将所述半导体部件从所述粘着材层分离的拾取工序；
并且，在所述拾取工序前，具备在0℃以下或100℃以上的温度区域对所述半导体晶片或所述半导体部件进行评价的评价工序；
所述半导体部件制造用膜具有基层和设于所述基层的一面侧的所述粘着材层，
所述基层的160℃时的弹性模量E’(160)与-40℃时的弹性模量E’(-40)之比RE即E’(160)/E’(-40)为RE≥0.01，并且E’(-40)为10MPa以上且小于1000MPa。
7.根据权利要求6所述的半导体部件的制造方法，所述基层包含热塑性聚酯系弹性体和/或热塑性聚酰胺系弹性体。
8.根据权利要求6所述的半导体部件的制造方法，所述基层的厚度为50μm以上200μm以下。
9.根据权利要求6所述的半导体部件的制造方法，所述粘着材层的厚度为1μm以上40μm以下。
10.根据权利要求6所述的半导体部件的制造方法，所述粘着材层的依据JIS Z0237测定的粘着力为0.1～10N/25mm。
11.一种电子部件制造用膜，其特征在于，是在电子部件的制造方法中使用的电子部件制造用膜，
具备基层和设于所述基层的一面侧的粘着材层，
所述基层的160℃时的弹性模量E’(160)与-40℃时的弹性模量E’(-40)之比RE即E’(160)/E’(-40)为RE≥0.01，并且E’(-40)为10MPa以上且小于1000MPa。
12.根据权利要求11所述的电子部件制造用膜，所述基层包含热塑性聚酯系弹性体和/或热塑性聚酰胺系弹性体。
13.根据权利要求11所述的电子部件制造用膜，所述基层的厚度为50μm以上200μm以下。
14.根据权利要求11所述的电子部件制造用膜，所述粘着材层的厚度为1μm以上40μm以下。
15.根据权利要求11所述的电子部件制造用膜，所述粘着材层的依据JIS Z0237测定的粘着力为0.1～10N/25mm。
16.一种电子部件的制造方法，其特征在于，具备：在将电子部件制造用膜的粘着材层粘贴在以阵列状密封半导体部件而得到的阵列状电子部件的背面的状态下，将所述阵列状电子部件单片化而得到电子部件的单片化工序；以及
将所述电子部件从所述粘着材层分离的拾取工序；
并且，在所述拾取工序前，具备在0℃以下或100℃以上的温度区域对所述阵列状电子部件或所述电子部件进行评价的评价工序；
所述电子部件制造用膜具有基层和设于所述基层的一面侧的所述粘着材层，
所述基层的160℃时的弹性模量E’(160)与-40℃时的弹性模量E’(-40)之比RE即E’(160)/E’(-40)为RE≥0.01，并且E’(-40)为10MPa以上且小于1000MPa。
17.根据权利要求16所述的电子部件的制造方法，所述基层包含热塑性聚酯系弹性体和/或热塑性聚酰胺系弹性体。
18.根据权利要求16所述的电子部件的制造方法，所述基层的厚度为50μm以上200μm以下。
19.根据权利要求16所述的电子部件的制造方法，所述粘着材层的厚度为1μm以上40μm以下。
20.根据权利要求16所述的电子部件的制造方法，所述粘着材层的依据JIS Z0237测定的粘着力为0.1～10N/25mm。
CN201680036275.8A 2015-06-29 2016-06-14 半导体部件制造用膜 Active CN107851602B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015130403 2015-06-29
JP2015-130403 2015-06-29
PCT/JP2016/067705 WO2017002610A1 (ja) 2015-06-29 2016-06-14 半導体部品製造用フィルム

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107851602A CN107851602A (zh) 2018-03-27
CN107851602B true CN107851602B (zh) 2021-08-06

Family

ID=57608103

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201680036275.8A Active CN107851602B (zh) 2015-06-29 2016-06-14 半导体部件制造用膜

Country Status (8)

Country Link
US (2) US10858547B2 (zh)
EP (1) EP3316280B1 (zh)
JP (1) JP6129446B1 (zh)
KR (1) KR102034972B1 (zh)
CN (1) CN107851602B (zh)
SG (1) SG11201708564WA (zh)
TW (1) TWI680517B (zh)
WO (1) WO2017002610A1 (zh)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6129446B1 (ja) 2015-06-29 2017-05-17 三井化学東セロ株式会社 半導体部品製造用フィルム
US11276600B2 (en) 2016-03-31 2022-03-15 Mitsui Chemicals Tohcello, Inc. Film for component manufacture and component manufacturing method
CN110235236B (zh) * 2017-01-30 2023-06-30 三井化学东赛璐株式会社 部件制造用膜、部件制造用具及部件制造方法
TW201901847A (zh) * 2017-05-11 2019-01-01 日商三井化學東賽璐股份有限公司 零件製造用具以及零件製造方法
KR102416073B1 (ko) * 2018-02-28 2022-07-01 미쓰이 가가쿠 토세로 가부시키가이샤 부품 제조 방법, 보지 필름 및 보지구 형성 장치
JP7139048B2 (ja) * 2018-07-06 2022-09-20 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
US20200075386A1 (en) * 2018-08-30 2020-03-05 Texas Instruments Incorporated Subring for semiconductor dies
JP7171134B2 (ja) * 2018-10-17 2022-11-15 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7166718B2 (ja) * 2018-10-17 2022-11-08 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7258421B2 (ja) * 2019-02-15 2023-04-17 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
DE102019203438A1 (de) * 2019-03-13 2020-09-17 Tesa Se Oberflächenschutzfolie zum Schutz der Kanten von Rotorblättern an Windrädern
JP2021015840A (ja) * 2019-07-10 2021-02-12 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
KR102635493B1 (ko) * 2020-11-04 2024-02-07 세메스 주식회사 본딩 설비에서 다이를 이송하기 위한 장치 및 방법
WO2022172990A1 (ja) 2021-02-10 2022-08-18 三井化学東セロ株式会社 電子部品の製造方法、製造用フィルム及び製造用具

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0369092A2 (en) * 1988-11-17 1990-05-23 Nitto Denko Corporation Dermal pressure-sensitive adhesive sheet material
JP2003338535A (ja) * 2002-05-22 2003-11-28 Mitsui Chemicals Inc 半導体ウェハ表面保護用粘着フィルム及び該粘着フィルムを用いる半導体ウェハ保護方法
JP2009275231A (ja) * 2006-08-30 2009-11-26 Dic Corp 再剥離用粘着シート
JP2011082480A (ja) * 2009-03-13 2011-04-21 Sekisui Chem Co Ltd ダイアタッチフィルム及びダイシングダイアタッチフィルム
CN102986007A (zh) * 2010-09-30 2013-03-20 三井化学株式会社 扩张性膜、切割膜以及半导体装置的制造方法
WO2013134000A1 (en) * 2012-03-08 2013-09-12 3M Innovative Properties Company Clean release, stretch releasable tape
WO2015033867A1 (ja) * 2013-09-09 2015-03-12 日東電工株式会社 半導体装置の製造方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7326592B2 (en) 2005-04-04 2008-02-05 Infineon Technologies Ag Stacked die package
JP4549239B2 (ja) 2005-06-22 2010-09-22 日東電工株式会社 ダイシング用粘着シート
JP5324319B2 (ja) 2009-05-26 2013-10-23 日東電工株式会社 ウエハマウント方法とウエハマウント装置
JP5718005B2 (ja) * 2010-09-14 2015-05-13 日東電工株式会社 半導体装置製造用耐熱性粘着テープ及びそのテープを用いた半導体装置の製造方法。
JP6148430B2 (ja) * 2011-07-26 2017-06-14 日東電工株式会社 接着シート及びその用途
WO2013021644A1 (ja) * 2011-08-09 2013-02-14 三井化学株式会社 半導体装置の製造方法およびその方法に用いられる半導体ウエハ表面保護用フィルム
JP5117629B1 (ja) * 2012-06-28 2013-01-16 古河電気工業株式会社 ウェハ加工用粘着テープ
JP6024382B2 (ja) * 2012-10-23 2016-11-16 大日本印刷株式会社 粘着剤組成物、粘着シート及び画像表示装置
JP6129446B1 (ja) 2015-06-29 2017-05-17 三井化学東セロ株式会社 半導体部品製造用フィルム

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0369092A2 (en) * 1988-11-17 1990-05-23 Nitto Denko Corporation Dermal pressure-sensitive adhesive sheet material
JP2003338535A (ja) * 2002-05-22 2003-11-28 Mitsui Chemicals Inc 半導体ウェハ表面保護用粘着フィルム及び該粘着フィルムを用いる半導体ウェハ保護方法
JP2009275231A (ja) * 2006-08-30 2009-11-26 Dic Corp 再剥離用粘着シート
JP2011082480A (ja) * 2009-03-13 2011-04-21 Sekisui Chem Co Ltd ダイアタッチフィルム及びダイシングダイアタッチフィルム
CN102986007A (zh) * 2010-09-30 2013-03-20 三井化学株式会社 扩张性膜、切割膜以及半导体装置的制造方法
WO2013134000A1 (en) * 2012-03-08 2013-09-12 3M Innovative Properties Company Clean release, stretch releasable tape
WO2015033867A1 (ja) * 2013-09-09 2015-03-12 日東電工株式会社 半導体装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20210047543A1 (en) 2021-02-18
SG11201708564WA (en) 2017-11-29
KR102034972B1 (ko) 2019-10-21
JPWO2017002610A1 (ja) 2017-07-06
TWI680517B (zh) 2019-12-21
EP3316280B1 (en) 2024-02-28
CN107851602A (zh) 2018-03-27
TW201701375A (zh) 2017-01-01
US11535776B2 (en) 2022-12-27
EP3316280A4 (en) 2019-03-13
EP3316280A1 (en) 2018-05-02
JP6129446B1 (ja) 2017-05-17
WO2017002610A1 (ja) 2017-01-05
US20180142130A1 (en) 2018-05-24
US10858547B2 (en) 2020-12-08
KR20180015229A (ko) 2018-02-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107851602B (zh) 半导体部件制造用膜
KR101411080B1 (ko) 웨이퍼 가공용 점착 테이프
US11942349B2 (en) Film for component manufacture and component manufacturing method
CN107735855B (zh) 电子部件保护膜、电子部件保护构件、电子部件的制造方法以及封装体的制造方法
CN108966672B (zh) 部件制造用膜及部件的制造方法
TWI590361B (zh) Semiconductor Wafer Processing Adhesive Tapes and Semiconductor Wafer Processing Methods
CN110622295B (zh) 部件制造用具及部件制造方法
US11251062B2 (en) Component-manufacturing film, component-manufacturing tool, and component-manufacturing method
JP2020077799A (ja) 仮固定用テープ
CN116941017A (zh) 半导体加工用粘着胶带及半导体装置的制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant