CN108966672B - 部件制造用膜及部件的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的课题是提供即使在伴有温度变化的环境中使用的情况下，也可以在吸附停止后易于从平台面取下，使与平台面的密合状态稳定的半导体部件制造用膜和电子部件制造用膜。进一步提供使用了这样的半导体部件制造用膜的半导体部件的制造方法，以及使用了这样的电子部件制造用膜的电子部件的制造方法。作为解决本发明课题的方法，本部件制造用膜1是半导体部件或电子部件的制造方法所使用的膜，具备基层11以及设置于其一面11a侧的粘着材层12，基层的未设置粘着材层的一面的表面的Ra(μm)为0.1～2.0，Rz(μm)为1.0～15。本方法使用部件制造用膜1，具备单片化工序和拾取工序，在拾取工序前具备评价工序。

Description

部件制造用膜及部件的制造方法
技术领域
本发明涉及半导体部件制造用膜和半导体部件的制造方法，以及电子部件制造用膜和电子部件的制造方法。更详细地，涉及由半导体晶片制造半导体部件时，贴附于半导体晶片的背面而被利用的半导体部件制造用膜和半导体部件的制造方法，以及由阵列状电子部件制造电子部件时，贴附于阵列状电子部件的背面而被利用的电子部件制造用膜和电子部件的制造方法。
背景技术
近年来，利用了下述方法：将形成有电路的晶片进行单片化之后，评价(检查)单片化了的半导体部件，仅将该评价中合格了的半导体部件再配置于载体上，然后，利用密封剂阵列状地密封，从而将大量的电子部件一并制造，实现高成品率的方法。该类型的制造方法公开于下述专利文献1(参照图3A-图3E，[0028]和[0029])中。
此外，下述专利文献2公开了将形成有电路的晶片进行单片化时可以利用的粘着膜。进一步，下述专利文献3公开了密封时可以利用的粘着膜。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2006-287235号公报
专利文献2：日本特开2007-005436号公报
专利文献3：日本特开2010-278065号公报
发明内容
发明所要解决的课题
半导体部件虽然在1张半导体晶片上大量形成，但潜藏有一旦实际运行就发生初始故障的半导体部件。因此，期望不将担心初始故障的半导体部件带入至之后的工序，而在更前阶段的工序将其排除，提高最终制品的成品率。关于这一点，在专利文献1中，虽然记载了在粘着膜的粘着面，以使彼此具有充分的间隙的方式，配置初始阶段的评价完了的优异的裸片(die)(将晶片单片化了的半导体部件)这样的概要，但是具体而言，对于使用怎样的粘着膜可以实现该工序，并没有提及。
半导体制造工序被细分化，根据各工序的要求，变更被粘着物(半导体晶片、半导体部件和电子部件等)的支持体(粘着膜、托盘等)。例如，为了获得上述“评价完了的裸片”，需要进行半导体晶片的评价。在进行该评价的工序中，一般而言，在粘着膜的粘着面固定半导体晶片之后，进一步，将该粘着膜的背面(非粘着面)吸附于吸引平台来进行评价。而且，在评价工序中，施以加温环境、冷却环境。即，即使在加温环境、冷却环境下，也进行评价半导体部件是否正常运行的工作评价、进行热压的负荷的加速评价。
然而，可知如果进行这些评价，则即使在之后停止对于粘着膜的吸引，有时也无法将粘着膜从吸引平台取下，或者变得难以取下。认为这是因为，在伴有温度变化的环境中使用了粘着膜，结果成为粘着膜的背面牢固地密合在平滑性极其高的吸附平台的平台面上的状态而无法真空破坏。
这样，如果平台面与粘着膜的密合状态在每次操作都发生变化等而不稳定，则不能使用于取下粘着膜所需要的力恒定，具有操作效率降低这样的问题。
本发明是鉴于上述课题而提出的，其目的在于提供即使在伴有温度变化的环境中使用的情况下，也能够在吸附停止后易于从平台面取下，使与平台面的密合状态稳定的半导体部件制造用膜及电子部件制造用膜。进一步，其目的在于提供使用了这样的半导体部件制造用膜的半导体部件的制造方法及使用了这样的电子部件制造用膜的电子部件的制造方法。
用于解决课题的方法
即，本发明如下。
权利要求1所述的半导体部件制造用膜是半导体部件的制造方法所使用的半导体部件制造用膜，其主旨在于具备基层以及设置于上述基层的一面侧的粘着材层，
上述基层的未设置上述粘着材层的一面的表面的算术平均粗糙度(Ra)为0.1μm以上2.0μm以下，并且最大高度粗糙度(Rz)为1.0μm以上15μm以下。
权利要求2所述的半导体部件制造用膜的主旨在于，在权利要求1所述的半导体部件制造用膜中，上述基层的100℃时的弹性模量E’(100)与25℃时的弹性模量E’(25)之比RE1(＝E’(100)/E’(25))为0.2≤RE1≤1，并且E’(25)为35MPa以上3500MPa以下。
权利要求3所述的半导体部件制造用膜的主旨在于，在权利要求1或2所述的半导体部件制造用膜中，上述基层的160℃时的弹性模量E’(160)与-40℃时的弹性模量E’(-40)之比RE2(＝E’(160)/E’(-40))为0.01≤RE2≤1。
权利要求4所述的半导体部件制造用膜的主旨在于，在权利要求1～3中的任一项所述的半导体部件制造用膜中，上述基层包含热塑性聚酯系弹性体、热塑性聚酰胺系弹性体以及聚对苯二甲酸丁二醇酯中的至少1种。
权利要求5所述的半导体部件制造用膜的主旨在于，在权利要求1～4中任一项所述的半导体部件制造用膜中，上述半导体部件的制造方法具备下述工序：在形成有电路的半导体晶片的背面贴附有上述粘着材层的状态下，将上述半导体晶片单片化来获得半导体部件的单片化工序，以及
将上述半导体部件与上述粘着材层分离的拾取工序，
并且在上述拾取工序前，具备在25℃以下或75℃以上的温度区域进行上述半导体晶片或上述半导体部件的评价的评价工序。
权利要求6所述的半导体部件的制造方法的主旨在于，其具备下述工序：在形成有电路的半导体晶片的背面贴附有半导体部件制造用膜的粘着材层的状态下，将上述半导体晶片单片化来获得半导体部件的单片化工序，以及
将上述半导体部件与上述粘着材层分离的拾取工序，
并且在上述拾取工序前，具备在25℃以下或75℃以上的温度区域进行上述半导体晶片或上述半导体部件的评价的评价工序，
上述基层的未设置上述粘着材层的一面的表面的算术平均粗糙度(Ra)为0.1μm以上2.0μm以下，并且最大高度粗糙度(Rz)为1.0μm以上15μm以下。
权利要求7所述的半导体部件的制造方法的主旨在于，在权利要求6所述的半导体部件的制造方法中，上述基层的100℃时的弹性模量E’(100)与25℃时的弹性模量E’(25)之比RE1(＝E’(100)/E’(25))为0.2≤RE1≤1，并且E’(25)为35MPa以上3500MPa以下。
权利要求8所述的半导体部件的制造方法的主旨在于，在权利要求6或7所述的半导体部件的制造方法中，上述基层的160℃时的弹性模量E’(160)与-40℃时的弹性模量E’(-40)之比RE2(＝E’(160)/E’(-40))为0.01≤RE2≤1。
权利要求9所述的半导体部件的制造方法的主旨在于，在权利要求6～8中任一项所述的半导体部件的制造方法中，上述基层包含热塑性聚酯系弹性体、热塑性聚酰胺系弹性体以及聚对苯二甲酸丁二醇酯中的至少1种。
权利要求10所述的电子部件制造用膜是电子部件的制造方法所使用的电子部件制造用膜，其主旨在于具备基层以及设置于上述基层的一面侧的粘着材层，
上述基层的未设置上述粘着材层的一面的表面的算术平均粗糙度(Ra)为0.1μm以上2.0μm以下，并且最大高度粗糙度(Rz)为1.0μm以上15μm以下。
权利要求11所述的电子部件制造用膜的主旨在于，在权利要求10所述的电子部件制造用膜中，上述基层的100℃时的弹性模量E’(100)与25℃时的弹性模量E’(25)之比RE1(＝E’(100)/E’(25))为0.2≤RE1≤1，并且E’(25)为35MPa以上3500MPa以下。
权利要求12所述的电子部件制造用膜的主旨在于，在权利要求10或11所述的电子部件制造用膜中，上述基层的160℃时的弹性模量E’(160)与-40℃时的弹性模量E’(-40)之比RE2(＝E’(160)/E’(-40))为0.01≤RE2≤1。
权利要求13所述的电子部件制造用膜的主旨在于，在权利要求10～12中任一项所述的电子部件制造用膜中，上述基层包含热塑性聚酯系弹性体、热塑性聚酰胺系弹性体以及聚对苯二甲酸丁二醇酯中的至少1种。
权利要求14所述的电子部件制造用膜的主旨在于，在权利要求10～13中任一项所述的电子部件制造用膜中，上述电子部件的制造方法具备下述工序：
在半导体部件被阵列状地密封的阵列状电子部件的背面贴附有上述粘着材层的状态下，将上述阵列状电子部件单片化来获得电子部件的单片化工序，以及
将上述电子部件与上述粘着材层分离的拾取工序，
并且在上述拾取工序前，具备在25℃以下或75℃以上的温度区域进行上述阵列状电子部件或上述电子部件的评价的评价工序。
权利要求15所述的电子部件的制造方法的主旨在于，具备下述工序：
在半导体部件被阵列状地密封的阵列状电子部件的背面贴附有电子部件制造用膜的粘着材层的状态下，将上述阵列状电子部件单片化来获得电子部件的单片化工序，以及
将上述电子部件与上述粘着材层分离的拾取工序，
并且在上述拾取工序前，具备在25℃以下或75℃以上的温度区域进行上述阵列状电子部件或上述电子部件的评价的评价工序，
上述电子部件制造用膜具备基层以及设置于上述基层的一面侧的上述粘着材层，
上述基层的未设置上述粘着材层的一面的表面的算术平均粗糙度(Ra)为0.1μm以上2.0μm以下，并且最大高度粗糙度(Rz)为1.0μm以上15μm以下。
权利要求16所述的电子部件的制造方法的主旨在于，在权利要求15所述的电子部件的制造方法中，上述基层的100℃时的弹性模量E’(100)与25℃时的弹性模量E’(25)之比RE1(＝E’(100)/E’(25))为0.2≤RE1≤1，并且E’(25)为35MPa以上3500MPa以下。
权利要求17所述的电子部件的制造方法的主旨在于，在权利要求15或16所述的电子部件的制造方法中，上述基层的160℃时的弹性模量E’(160)与-40℃时的弹性模量E’(-40)之比RE2(＝E’(160)/E’(-40))为0.01≤RE2≤1。
权利要求18所述的电子部件的制造方法的主旨在于，在权利要求15～17中的任一项所述的电子部件的制造方法中，上述基层包含热塑性聚酯系弹性体、热塑性聚酰胺系弹性体以及聚对苯二甲酸丁二醇酯中的至少1种。
发明的效果
根据本发明的半导体部件制造用膜，即使在伴有温度变化的环境中使用的情况下，也能够在吸附停止后易于从平台面取下，使与平台面的密合状态稳定。
根据本发明的半导体部件的制造方法，即使在伴有温度变化的环境中使用的情况下，也能够在吸附停止后易于从平台面取下半导体部件制造用膜，使平台面与半导体部件制造用膜的密合状态稳定，因此能够效率良好地制造半导体部件。
根据本发明的电子部件制造用膜，即使在伴有温度变化的环境中使用的情况下，也能够在吸附停止后易于从平台面取下，使与平台面的密合状态稳定。
根据本发明的电子部件的制造方法，即使在伴有温度变化的环境中使用的情况下，也能够在吸附停止后易于从平台面取下电子部件制造用膜，使平台面与电子部件制造用膜的密合状态稳定，因此能够效率良好地制造电子部件。
附图说明
图1为说明本半导体部件制造用膜的一例的截面的说明图。
图2为说明本半导体部件的制造方法涉及的保护构件形成工序的说明图。
图3为说明本半导体部件的制造方法涉及的贴附工序的说明图。
图4为说明本半导体部件的制造方法涉及的评价工序的说明图。
图5为说明本半导体部件的制造方法涉及的单片化工序的说明图。
图6为说明本半导体部件的制造方法涉及的评价工序的说明图。
图7为说明本半导体部件的制造方法涉及的膜分离工序的说明图。
图8为说明本半导体部件的制造方法涉及的部件分离工序的说明图。
图9为说明本半导体部件的制造方法涉及的拾取工序的说明图。
图10为说明本电子部件的制造方法涉及的评价工序的说明图。
图11为说明本电子部件的制造方法涉及的单片化工序的说明图。
图12为说明本电子部件的制造方法涉及的评价工序的说明图。
图13为说明本电子部件的制造方法涉及的膜分离工序的说明图。
图14为说明本电子部件的制造方法涉及的部件分离工序的说明图。
图15为说明本电子部件的制造方法涉及的拾取工序的说明图。
图16为说明本电子部件的制造方法涉及的评价工序的其他方式的说明图。
具体实施方式
以下，一边参照附图一边说明本发明。这里所示的事项是例示性的事项和用于例示性说明本发明的实施方式的事项，出于提供被认为是能够最有效且容易理解本发明的原理和概念性特征的说明的目的来描述。在这一点上，是为了从根本上理解本发明所必需的而并非意在在某种程度以上示出本发明的结构上的细节，通过结合附图的说明，本领域技术人员清楚实际上如何实现本发明的几个方式。
另外，以下的说明中，关于半导体部件制造用膜与电子部件制造用膜共同的事项，有时也简单地记载为“部件制造用膜”来说明。
[1]半导体部件制造用膜
半导体部件制造用膜1是半导体部件的制造方法所使用的膜。该半导体部件制造用膜1具备基层11和粘着材层12(参照图1)。粘着材层12仅设置于基层11的另一面侧，通常未设置于基层11的一面侧。此外，基层11与粘着材层12可以直接接触，也可以隔着其他层。
〈1〉基层
基层11的未设置粘着材层12的一面11a的表面的算术平均粗糙度(Ra)为0.1μm以上2.0μm以下，并且最大高度粗糙度(Rz)为1.0μm以上15μm以下。
由此，即使在伴有温度变化的环境中使用的情况下，也能够防止部件制造用膜1的一面11a牢固地密合在平滑性高的吸附平台90的平台面上而无法真空破坏。而且，在吸附停止后，能够易于从平台面取下部件制造用膜1。此外，能够使平台面与部件制造用膜1的密合状态稳定化，以避免每次操作都变化，能够使用于取下部件制造用膜1所需要的力恒定。因此，操作效率提高，特别是在进行自动化的情况下是优越的。
通过使Ra的下限值为0.1μm以上，并且Rz的下限值为1.0μm以上，从而能够有效地防止无法真空破坏的情况。另一方面，通过使Ra的上限值为2.0μm以下，并且Rz的上限值为15μm以下，从而能够防止使部件制造用膜1吸附于吸附平台90时，得不到充分的密合。
在上述之中，Ra只要为0.1μm以上2.0μm以下的范围即可，进一步优选为0.15μm以上1.9μm以下，更优选为0.17μm以上1.8μm以下，特别优选为0.19μm以上1.7μm以下，特别优选为0.20μm以上1.5μm以下。
此外，Rz只要为1.0μm以上15μm以下的范围即可，进一步优选为1.5μm以上14μm以下，更优选为2.0μm以上13μm以下，特别优选为2.2μm以上12μm以下，特别优选为2.4μm以上5.9μm以下。
此外，基层优选高温时和常温时的各自的弹性模量E’之比包含于预定的范围内。具体而言，在将100℃时的弹性模量E’(100)与25℃时的弹性模量E’(25)之比设为RE1(＝E’(100)/E’(25))的情况下，优选比RE1为0.2以上1以下(0.2≤RE1≤1)。这里，“E’(100)”表示基层的100℃时的拉伸弹性模量，“E’(25)”表示基层的25℃时的拉伸弹性模量。
如上述那样，在0.2≤RE1≤1情况下，可以使常温下所具有的表面粗糙度即使在高温下也维持于可以充分地起作用的程度。另一方面，即使是RE1＜0.2的基层，也能够作为部件制造用膜进行利用，但特别是如果要在高温下吸附停止后获得易于从平台面取下的特性，则有必要进一步增大表面粗糙度，有吸附效率降低的倾向。因此，如果要在从常温直至高温都确保对于吸附平台的充分的吸附性的同时，获得高温下从平台面取下的容易性，优选使比RE1为0.2≤RE1≤1。
该比RE1优选为0.2≤RE1≤1，进一步优选为0.23≤RE1≤0.90，进一步优选为0.25≤RE1≤0.80，进一步优选为0.28≤RE1≤0.78，进一步优选为0.30≤RE1≤0.75，进一步优选为0.31≤RE1≤0.73，进一步优选为0.33≤RE1≤0.70。
在它们的优选范围中，能够制成特别是即使在高温下，也能在吸附停止后易于从平台面取下，能使与平台面的密合状态稳定化的部件制造用膜。即，在利用吸附平台来进行高温评价试验的情况下，不必每次评价逐一等待吸附平台的温度降低，可以将部件制造用膜从吸附平台取下，将下一个被评价物载置于吸附平台，可以效率良好地进行评价操作。
这里，所谓吸附平台，是指具备具有平滑的顶面的平台的装置，可以通过吸附，使部件制造用膜1吸附于该平滑的顶面的装置。例如，也被称为真空夹盘平台等。
构成该平台的原材料不受特别限定，通常具有能够吸引的结构，例如可以使用具有吸引孔的成型体(金属成型体、陶瓷成型体、树脂成型体等)、多孔质的成型体(金属成型体、陶瓷成型体、树脂成型体等)。特别是在利用具有金属制平台的吸附平台的工序中，本部件制造用膜1能够有效地发挥其作用。
此外，在0.2≤RE1≤1的范围内，E’(25)优选为35MPa≤E’(25)≤3500MPa，进一步优选为40MPa≤E’(25)≤3000MPa，进一步优选为42MPa≤E’(25)≤2800MPa，进一步优选为44MPa≤E’(25)≤2000MPa，进一步优选为46MPa≤E’(25)≤1000MPa，进一步优选为48MPa≤E’(25)≤500MPa，进一步优选为50MPa≤E’(25)≤400MPa，进一步优选为58MPa≤E’(25)≤350MPa，进一步优选为60MPa≤E’(25)≤300MPa，进一步优选为65MPa≤E’(25)≤250MPa，进一步优选为68MPa≤E’(25)≤200MPa，进一步优选为70MPa≤E’(25)≤150MPa。该E’(25)的值在基层的MD方向和TD方向上可以不同，但优选在基层的MD方向和TD方向的两方向上为上述范围。
另一方面，上述情况下的E’(100)优选为7MPa≤E’(100)≤3100MPa，进一步优选为10MPa≤E’(100)≤3060MPa，进一步优选为12MPa≤E’(100)≤2650MPa，进一步优选为15MPa≤E’(100)≤2500MPa，进一步优选为16MPa≤E’(100)≤2330MPa，进一步优选为17MPa≤E’(100)≤2230MPa，进一步优选为18MPa≤E’(100)≤1960MPa，进一步优选为19MPa≤E’(100)≤1000MPa，进一步优选为20MPa≤E’(100)≤500MPa，进一步优选为21MPa≤E’(100)≤250MPa，进一步优选为22MPa≤E’(100)≤100MPa，进一步优选为23MPa≤E’(100)≤70MPa。该E’(100)的值在基层的MD方向和TD方向上可以不同，但优选在基层的MD方向和TD方向的两方向上为上述范围。
另外，与基层相关的上述各弹性模量E’通过动态粘弹性测定装置(DMA：DynamicMechanical Analysis)来测定。具体而言，使样品尺寸为宽度10mm、夹盘间的长度20mm，在频率1Hz、升温速度5℃/分钟的测定条件下从-50℃直至200℃进行测定而得到数据，由该数据读取各温度的数据来获得。即，将25℃时的值设为拉伸弹性模量E’(25)，将100℃时的值设为拉伸弹性模量E’(100)。
此外，基层优选高温时和低温时的各自的弹性模量E’的比包含于预定的范围内。具体而言，在将160℃时的弹性模量E’(160)与-40℃时的弹性模量E’(-40)之比设为RE2(＝E’(160)/E’(-40))的情况下，比RE2优选为0.01以上1以下(0.01≤RE2≤1)。这里，“E’(160)”表示基层的160℃时的拉伸弹性模量，“E’(-40)”表示基层的-40℃时的拉伸弹性模量。
如上述那样，在0.01≤RE2≤1情况下，即使在半导体部件的制造时，在-40℃以上0℃以下的低温和/或100℃以上160℃以下的高温的各温度区域进行了评价工序，也不需要在其后将半导体晶片、半导体部件从部件制造用膜取下，替换为接下来的工序所要求的其他部件制造用膜，就可以如评价工序、单片化工序和拾取工序等那样，与不同的2个或2个以上的其他工序共同利用部件制造用膜。
如果更详细地进行说明，近年来，半导体部件有时例如，利用下述(1)和(2)的步骤来制造。
(1)将半导体晶片(单片化前)置于专用托盘、粘着膜，以晶片形态进行评价之后，在评价完了的晶片背面(非电路面)贴附其他粘着膜(具备接下来的工序所要求的特性的其他粘着膜)，然后，将晶片单片化(切割)而制成半导体部件，从该粘着膜拾取半导体部件，仅将先前评价中合格了的半导体部件进一步改贴于其他粘着膜以便在之后的工序中利用。
(2)在评价前的半导体晶片(单片化前)的背面(非电路面)贴附粘着膜(具备接下来的工序所要求的特性的其他粘着膜)，然后，将半导体晶片单片化(切割)而制成半导体部件，从该粘着膜拾取半导体部件，将半导体部件再配置于专用托盘来进行评价，仅将评价合格了的半导体部件进一步改贴于其他粘着膜以便在之后的工序中利用。
在这些步骤中，都需要进行将半导体部件在多个粘着膜等之间改贴的操作，改贴的工作量多，利用的粘着膜的种类也增加。因此，如果有能够在不同的工序中通用的部件制造用膜，则可以消除上述问题，能够实现工作量减少和成本减少。
与此相对，在本部件制造用膜中，如上述那样，具备0.1≤Ra(μm)≤2.0且1.0≤Rz(μm)≤15的特性之外，还具备0.2≤RE1≤1的特性的情况下，能够利用从伴随温度变化的评价工序直至将半导体制造用膜拉伸而进行的拾取工序(可以具备拾取工序中必要的柔软性)通用的膜。
此外，如上述那样，具备0.1≤Ra(μm)≤2.0且1.0≤Rz(μm)≤15的特性，进一步具备0.2≤RE1≤1的特性，还具备0.01≤RE2≤1的特性的情况下，进一步也能够应对具备有高温过程或低温过程的评价工序，能够利用从这样的评价工序直至将半导体制造用膜进行拉伸而进行的拾取工序(可以具备拾取工序中必要的柔软性)通用的膜。
这样，不必在各个工序中改贴于专用的粘着膜，在半导体部件的生产率方面是优越的。
此外，在将本部件制造用膜贴附于半导体晶片、半导体部件的状态下，进行评价工序和单片化工序(将半导体晶片进行单片化的工序)的哪个工序都可以，因此这些工序的任一者都可以先进行，与利用专用的粘着膜、托盘等的情况相比，可以提高工序的自由度。
上述比RE2优选为0.01≤RE2≤1，进一步优选为0.01≤RE2≤0.9，进一步优选为0.013≤RE2≤0.7，进一步优选为0.017≤RE2≤0.5，进一步优选为0.020≤RE2≤0.3，进一步优选为0.023≤RE2≤0.2，进一步优选为0.025≤RE2≤0.1，进一步优选为0.027≤RE2≤0.05。在它们的优选范围内，尤其能够发挥工序间的高的共享。
此外，在0.01≤RE2≤1的范围内，E’(-40)优选为10MPa≤E’(-40)≤4500MPa。在本部件制造用膜中，基层为10MPa≤E’(-40)≤4500MPa的情况下，在低温环境下能够维持部件制造用膜的柔软性。
例如，如后述那样，部件制造用膜1有时作为带有框体(环框架等)7的保护构件15(参照图2)来处理。而且，在评价工序(参照图16的R3’)中，被评价物(图16中例示出半导体晶片20，但对于半导体部件21、阵列状电子部件50、电子部件51也同样是可能的)在背面被贴附于固定在保护构件15的部件制造用膜1的粘着材层12的状态下，供于评价。在该评价时，为了避免探针卡8等测定设备侧的各部与框体7的接触，可以将制动器(stopper)91等夹具配置于框体7的内侧，将框体7向下方推下(例如，0.5～15mm)，使框体7远离探针卡8等测定设备。在这样的情况下，如果使框体7向下方移动，则贴于框体7的部件制造用膜1在开口部71内被拉伸，因此部件制造用膜1需要能够追随该活动的柔软性。而且，如后述那样，评价即使在低温下也可以进行，但基层11的低温下的拉伸弹性模量E’必定变得大于高温下的拉伸弹性模量E’，因此维持低温的柔软性变得重要。这样，对于要求经历评价工序的部件制造用膜1而言，优选能够维持低温环境下的柔软性。然而，易于获得高温下的耐热性的材料通常是高温拉伸弹性模量高的材料，这样的材料的拉伸弹性模量在低温下进一步提高，因此难以经受住上述状况。关于这一点，基层11的比RE2为0.01≤RE2≤1，并且E’(-40)为10MPa≤E’(-40)≤4500MPa的部件制造用膜1能够满足上述要求。
该E’(-40)进一步优选为20MPa≤E’(-40)≤4300MPa，进一步优选为50MPa≤E’(-40)≤4200MPa，进一步优选为80MPa≤E’(-40)≤4100MPa，进一步优选为100MPa≤E’(-40)≤4000MPa，进一步优选为120MPa≤E’(-40)≤3800MPa，进一步优选为150MPa≤E’(-40)≤2500MPa，进一步优选为200MPa≤E’(-40)≤1400MPa，进一步优选为250≤E’(-40)≤500MPa，进一步优选为300MPa≤E’(-40)≤400MPa。该E’(-40)的值在基层的MD方向和TD方向上可以不同，但优选在基层的MD方向和TD方向的两方向上为上述范围。
另一方面，上述情况下的E’(160)优选为0.1MPa≤E’(160)≤600MPa，进一步优选为0.15MPa≤E’(160)≤580MPa，进一步优选为0.2MPa≤E’(160)≤560MPa，进一步优选为0.3MPa≤E’(160)≤540MPa，进一步优选为0.4MPa≤E’(160)≤520MPa，进一步优选为0.5MPa≤E’(160)≤500MPa，进一步优选为0.6MPa≤E’(160)≤100MPa，进一步优选为0.8MPa≤E’(160)≤50MPa，进一步优选为1MPa≤E’(160)≤40MPa。该E’(160)的值在基层的MD方向和TD方向上可以不同，但优选在基层的MD方向和TD方向的两方向上为上述范围。
另外，与基层相关的上述各弹性模量E’通过动态粘弹性测定装置(DMA：DynamicMechanical Analysis)来测定。具体而言，将样品尺寸设为宽度10mm、夹盘间的长度20mm，在频率1Hz、升温速度5℃/分钟的测定条件下由从-50℃直至200℃进行测定而得到数据，由该数据读取各温度的数据来获得。即，将-40℃时的值设为拉伸弹性模量E’(-40)，将160℃时的值设为拉伸弹性模量E’(160)。
此外，基层的厚度不受特别限定，优选为50μm以上200μm以下，更优选为80μm以上200μm以下，特别优选为80μm以上150μm以下。
另外，基层有无拉伸均可。
基层只要是具有上述各种特性，可以支持粘着材层即可，其材质不受特别限定。作为构成基层的材料，优选为树脂。
此外，在树脂中，从达成上述各种特性这样的观点出发，优选为具有弹性体性质的树脂。作为具有弹性体性质的树脂，可举出热塑性弹性体和有机硅等。它们可以仅使用1种，也可以并用2种以上。其中，优选为具有热塑性的树脂，优选为热塑性弹性体。
在包含热塑性弹性体的情况下，相对于构成基层的树脂整体，其比例例如可以设为30质量％以上100质量％以下。即，构成基层的树脂可以仅由热塑性弹性体来形成。热塑性弹性体的比例进一步优选为50质量％以上100质量％以下，更优选为70质量％以上100质量％以下。
热塑性弹性体可以由具有硬链段和软链段的嵌段共聚物来形成，也可以由硬聚合物与软聚合物的聚合物合金来形成，也可以是具有它们两者的特性的热塑性弹性体。基层的各弹性模量E’的值可以通过构成基层的这些成分的调整来控制。即，可以通过调整树脂种类、包含多种树脂时它们的比例、构成树脂的聚合物的分子结构(硬链段和软链段的比例)来控制。
作为热塑性弹性体，可举出聚酯系热塑性弹性体、聚酰胺系热塑性弹性体、苯乙烯系热塑性弹性体、烯烃系热塑性弹性体、氯乙烯系热塑性弹性体、聚酰亚胺系热塑性弹性体(聚酰亚胺酯系、聚酰亚胺氨基甲酸酯系等)等。它们可以仅使用1种，也可以并用2种以上。
其中，优选为聚酯系热塑性弹性体、聚酰胺系热塑性弹性体、聚酰亚胺系热塑性弹性体，进一步特别优选为聚酯系热塑性弹性体和/或聚酰胺系热塑性弹性体。
聚酯系热塑性弹性体将聚酯成分作为硬链段，除此以外，可以是任意的构成。作为软链段，可以利用聚酯、聚醚和聚醚酯等。它们可以仅使用1种，也可以并用2种以上。即，例如，作为构成硬链段的聚酯成分，可以包含来源于对苯二甲酸二甲酯等单体的构成单元。另一方面，作为构成软链段的成分，可以包含来源于1,4-丁二醇和聚(氧基四亚甲基)二醇等单体的构成单元。
更具体而言，可举出PBT-PE-PBT型聚酯系热塑性弹性体等。
作为聚酯系热塑性弹性体，具体而言，可举出三井化学株式会社制“PRIMALLOY(商品名)”、东丽-杜邦公司制“Hytrel(商品名)”、东洋纺织株式会社制“PELPRENE(商品名)”、rikentechnos株式会社制“HYPER ALLOY ACTYMER(商品名)”等。它们可以仅使用1种，也可以并用2种以上。
聚酰胺系热塑性弹性体将聚酰胺成分作为硬链段，除此以外，可以是任意的构成。作为软链段，可以利用聚酯、聚醚和聚醚酯等。它们可以仅使用1种，也可以并用2种以上。即，例如，作为构成硬链段的聚酰胺成分，可举出聚酰胺6、聚酰胺11和聚酰胺12等。它们可以仅使用1种，也可以并用2种以上。这些聚酰胺成分中，可以利用各种内酰胺等作为单体。另一方面，作为构成软链段的成分，可以包含来源于二羧酸等单体、聚醚多元醇的构成单元。其中，作为聚醚多元醇，优选为聚醚二醇，可举出例如，聚(四亚甲基)二醇、聚(氧化丙烯)二醇等。它们可以仅使用1种，也可以并用2种以上。
更具体而言，可举出聚醚酰胺型聚酰胺系热塑性弹性体、聚酯酰胺型聚酰胺系热塑性弹性体、聚醚酯酰胺型聚酰胺系热塑性弹性体等。
作为聚酰胺系热塑性弹性体，具体而言，可举出阿科玛株式会社制“Pebax(商品名)”、大赛璐-赢创(daicel-evonik)株式会社制“DAIAMID(商品名)”、大赛璐-赢创株式会社制“VESTAMID(商品名)”、宇部兴产株式会社制“UBESTA XPA(商品名)”等。它们可以仅使用1种，也可以并用2种以上。
此外，在基层为热塑性弹性体以外的树脂的情况下，作为这样的树脂，可举出聚酯、聚酰胺、聚碳酸酯、丙烯酸系树脂等。它们可以仅使用1种，也可以并用2种以上。这些之中，优选为聚酯和/或聚酰胺，具体而言，可举出聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸丁二醇酯等聚酯、尼龙6、尼龙12等聚酰胺。
进一步，就基层而言，在构成基层的树脂中，可以包含增塑剂和软化剂(矿物油等)、填充剂(碳酸盐、硫酸盐、钛酸盐、硅酸盐、氧化物(氧化钛、氧化镁)、二氧化硅、滑石、云母、粘土、纤维填料等)、抗氧化剂、光稳定剂、抗静电剂、润滑剂、着色剂等各种添加剂。它们可以仅使用1种，也可以并用2种以上。
〈2〉粘着材层
粘着材层12是通过粘着材而形成的层，通常仅在基层11的另一面上具有(基层11的一面11a为具有0.1≤Ra(μm)≤2.0且1.0≤Rz(μm)≤15的特性的面)。该粘着材层12可以与基层11直接接触来设置，也可以介由其他层来设置。
粘着材层12的粘着力不受特别限定，贴附于硅晶片的表面并放置60分钟之后，从硅晶片的表面剥离时的按照JIS Z0237测定得到的相对于硅晶片的粘着力优选为(在温度23℃、相对湿度50％的环境下进行测定)0.1～10N/25mm。在粘着力为上述范围的情况下，可以确保与被贴附物(半导体晶片、半导体部件、电子部件等)的良好的粘接性的同时，抑制剥离被贴附物时的糊料残留。该粘着力进一步更优选为0.2N/25mm以上9N/25mm以下，进一步优选为0.3N/25mm以上8N/25mm以下。
此外，粘着材层12的厚度(基层11的一面侧的厚度)不受特别限定，优选为1μm以上40μm以下，更优选为2μm以上35μm以下，特别优选为3μm以上25μm以下。
粘着材只要具有上述特性即可，可以使用任意材料。通常，至少包含粘着主剂。作为粘着主剂，可举出丙烯酸系粘着剂、有机硅系粘着剂、橡胶系粘着剂等。它们可以仅使用1种，也可以并用2种以上。这些之中，优选为丙烯酸系粘着剂。
作为丙烯酸系粘着剂，可举出丙烯酸酯化合物的均聚物、丙烯酸酯化合物与共聚单体的共聚物等。它们可以仅使用1种，也可以并用2种以上。
此外，作为丙烯酸酯化合物，可举出丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯和丙烯酸2-乙基己酯等。它们可以仅使用1种，也可以并用2种以上。
进一步，作为共聚单体，可举出乙酸乙烯酯、丙烯腈、丙烯酰胺、苯乙烯、(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸、甲基丙烯酸羟基乙酯、甲基丙烯酸二甲基氨基乙酯、甲基丙烯酸缩水甘油酯、马来酸酐等。
进一步，除了粘着主剂以外，粘着材还可以包含交联剂。作为交联剂，可举出环氧系交联剂(季戊四醇聚缩水甘油醚等)、异氰酸酯系交联剂(二苯基甲烷二异氰酸酯、甲苯二异氰酸酯、四亚甲基二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯、多异氰酸酯等)。它们可以仅使用1种，也可以并用2种以上。在粘着材包含交联剂的情况下，将粘着材整体设为100质量份，交联剂的含量优选为10质量份以下。此外，粘着材层的粘着力可以根据交联剂的含量来调整。具体而言，可以利用日本特开2004-115591号公报所记载的方法。
此外，粘着剂可以是通过能量射线而被固化的能量固化型粘着材，可以是通过能量射线而不被固化的能量非固化型粘着材。
其中，在为能量固化型粘着材的情况下，通过对于粘着材进行能量射线照射，从而可以使粘着材固化，降低其粘着力。因此，使获得的电子部件(半导体部件被阵列状地密封的电子部件)与半导体部件制造用膜分离时，可以更确实地防止对于电子部件的糊料残留。
能量固化型粘着材可以是通过任意的能量射线被固化的能量固化型粘着材。作为能量射线，可举出紫外线、电子射线、红外线等。这些能量射线可以仅使用1种，也可以并用2种以上。具体而言，可举出通过紫外线被固化的紫外线固化型粘着剂。
在为能量固化型粘着材的情况下，除了上述粘着主剂以外，粘着材还可以包含分子内具有碳-碳双键的化合物(以下，简称为“固化性化合物”)、以及能够与能量射线反应而引发固化性化合物的聚合的光聚合引发剂。该固化性化合物优选为分子中具有碳-碳双键，通过自由基聚合能够固化的单体、低聚物和/或聚合物。具体而言，作为固化性化合物，可举出三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、四甘醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯等。它们可以仅使用1种，也可以并用2种以上。在粘着材包含固化性化合物的情况下，固化性化合物的含量相对于粘着材100质量份优选为0.1～20质量份。
另外，也可以通过上述粘着主剂的分子内具有碳-碳双键而包含分子内的碳-碳双键。即，例如，粘着主剂可以采用侧链具有碳-碳双键的能量固化型聚合物等。这样，在粘着主剂的分子内具有固化性结构的情况下，可以配合上述固化性化合物，也可以不配合。
另一方面，作为光聚合引发剂，优选为可以通过能量射线的照射而生成自由基的化合物。具体而言，可举出苯乙酮系光聚合引发剂{甲氧基苯乙酮等}、α-酮醇化合物{4-(2-羟基乙氧基)苯基(2-羟基-2-丙基)酮、α-羟基环己基苯基酮等}、缩酮系化合物{苯偶酰二甲基缩酮等}、苯偶姻系光聚合引发剂{苯偶姻、苯偶姻烷基醚类(苯偶姻甲基醚、苯偶姻异丙基醚、苯偶姻异丁基醚)等}、二苯甲酮系光聚合引发剂{二苯甲酮、苯甲酰苯甲酸等}、芳香族缩酮类{苯偶酰二甲基缩酮等}等。它们可以仅使用1种，也可以并用2种以上。在粘着材包含光聚合引发剂的情况下，相对于粘着材100质量份，光聚合引发剂的含量优选为5～15质量份。
〈3〉其他层
本品制造用膜1可以仅由基层11和粘着材层12来形成，也可以具备其他层。作为其他层，可举出能够吸收粘贴面的凹凸形状而使膜面平滑的凹凸吸收层、提高与粘着材的界面强度的界面强度提高层、抑制低分子量成分从基材向粘着面转移的转移防止层等。它们可以仅使用1种，也可以并用2种以上。
〈4〉半导体部件制造用膜的制造
本部件制造用膜可以利用任意的方法来制造，其方法不受特别限定。具体而言，可以通过共挤出法、挤出层压法、粘接层压法、涂布法等方法来制造。其中，共挤出法是将作为基层11的熔融树脂和作为粘着材层12的熔融树脂通过共挤出来叠层而制造部件制造用膜的方法。
此外，挤出层压法是在基层11上，将作为粘着材层12的熔融树脂通过挤出来叠层而制造半导体部件制造用膜的方法。
进一步，涂布法是在基层11上，将作为粘着材层12的熔融树脂通过涂布或涂覆来叠层而制造半导体部件制造用膜的方法。作为构成粘着材层12的粘着材，在使用能量固化型粘着材的情况下，优选使用该涂布法。
此外，粘接层压法是将基层11和粘着材层12介由热压接、粘接剂、热熔等来叠层而制造半导体部件制造用膜的方法。
这些方法可以仅使用1种，也可以并用2种以上。
进一步，如上述那样，利用共挤出法、挤出层压法、粘接层压法、涂布法等任一方法来制造将部件制造用膜的情况下，基层11也可以利用挤出成型法和压延成型法等适当的方法来成型。
本部件制造用膜1的基层11的一面11a具有预定的表面粗糙度。具有该预定的表面粗糙度的一面11a可以在基层11的形成时赋予，也可以在形成后再赋予。
例如，在基层11的形成时赋予预定的表面粗糙度的情况下，在利用挤出成型时，将从挤出机挤出的片通过具有预定的表面凹凸的辊(梨皮面辊等)，将辊的表面凹凸转印至片，从而能够形成赋予了预定的表面粗糙度的基层11。
此外，在基层11的形成时赋予预定的表面粗糙度的情况下，在利用压延成型时，将软化或熔融了的树脂在多个辊间，一边进行混炼和轧制一边成型为膜状，在比压延工序靠后的工序中，通过具有预定的表面凹凸的辊(梨皮面辊等)，将辊的表面凹凸转印至片，从而能够形成赋予了预定的表面粗糙度的基层11。
另外，基层11的一面11a的相反面的表面粗糙度不受特别限定。从形成粘着剂层12的观点出发，只要一面11a的相反面与粘着剂层12可以密合性良好地形成，则可以是更平滑的表面，也可以表面的算术平均粗糙度(Ra)、最大高度粗糙度(Rz)大。
此外，作为在基层11的形成后赋予预定的表面粗糙度的情况，将预先成型了的平滑的膜通过具有预定的表面凹凸的辊(梨皮面辊等)，将辊的表面凹凸转印至膜，从而能够赋予预定的表面粗糙度。此时，可以根据需要将膜进行加热。
进一步，可以对于预先成型了的平滑的膜，进行喷砂加工而赋予预定的表面粗糙度。
在这些情况下，同样地，从形成粘着剂层12的观点出发，基层11的一面11a的相反面优选与一面11a不同，为更平滑的表面。
[2]半导体部件的制造方法
本部件制造用膜1用于半导体部件21的制造方法。该半导体部件的制造方法具备单片化工序R4(参照图5)、评价工序R3(参照图4)和/或评价工序R5(参照图6)、拾取工序R8(参照图9)。
其中，单片化工序R4(参照图5)是在形成有电路的半导体晶片20的背面贴附有半导体部件制造用膜1的粘着材层12的状态下，将半导体晶片20单片化来获得半导体部件21的工序。
此外，拾取工序R8(参照图9)是将半导体部件21从粘着材层12分离的工序。
而且，在进行该拾取工序R8(参照图9)之前，具备评价工序R3(参照图4)和评价工序R5(参照图6)中至少一者的工序。其中，评价工序R3是在25℃以下或75℃以上的温度区域进行半导体晶片20的评价的工序。另一方面，评价工序R5是在25℃以下或75℃以上的温度区域进行半导体部件21的评价的工序。
在上述之中，单片化工序R4(参照图5)的前工序中通常设置有贴附工序R2(参照图3)。贴附工序R2(参照图3)是在形成有电路的半导体晶片20的背面贴附部件制造用膜1的粘着材层12的工序。通常，部件制造用膜1是在具有开口部71的框体7的一面7a贴附部件制造用膜1的粘着材层12以覆盖框体7的开口部71(保护构件形成工序R1，参照图2)，作为保护构件15被利用。而且，贴附工序R2(参照图3)是在保护构件15的框体7的开口部71所露出的粘着材层12的表面12a贴附半导体晶片20的工序，这些保护构件形成工序R1(参照图2)和贴附工序R2(参照图3)同时进行。另外，当然，保护构件形成工序R1(参照图2)和贴附工序R2(参照图3)也可以根据需要分别进行。
半导体晶片20只要是对于本部件制造用膜1，可以适当地贴附的半导体晶片即可，其种类不受限定，可举出例如，硅基板、蓝宝石基板、锗基板、锗-砷基板、镓-磷基板、镓-砷-铝基板等。其中，所谓使用了蓝宝石基板的半导体晶片，可举出在蓝宝石基板上叠层有半导体层(GaN等)的半导体晶片。这些半导体晶片的表面通常形成有电路。作为该电路，可举出配线、电容器、二极管和晶体管等。它们可以仅使用1种，也可以并用2种以上。
单片化工序R4(参照图5)是将背面贴附有部件制造用膜1的半导体晶片20单片化(切割)来获得半导体部件21的工序。该单片化工序R4可以使用公知的方法来适当进行。另外，就单片化而言，可以以使得1个半导体部件21内包含至少1个半导体电路区域的方式被单片化，也可以以使得1个半导体部件21内包含2个以上半导体电路区域的方式被单片化。
拾取工序R8(参照图9)是将单片化了的半导体部件21从部件制造用膜1的粘着材层12分离的工序。拾取工序R8可以使用公知的方法来适当进行，例如，如图9所例示那样，可以利用顶起构件92，将作为拾取对象的半导体部件21’从半导体部件制造用膜1的基层11一侧顶起，利用拾取器具93通过吸附等方法来拾取该被顶起了的半导体部件21’。
评价工序是在拾取工序R8前，进行半导体晶片20或半导体部件21的评价的工序。该评价工序包括：在单片化工序R4前且拾取工序R8前进行半导体晶片20的评价的评价工序R3(参照图4)、以及在单片化工序R4后且拾取工序R8前进行半导体部件21的评价的评价工序R5(参照图6)。评价工序R3和评价工序R5可以根据需要仅进行任一者，也可以进行它们这两者。
所谓半导体晶片20或半导体部件21的评价，具体而言，包含下述(1)的半导体晶片评价和下述(2)的半导体部件评价。
其中，(1)半导体晶片评价是：对于在半导体晶片状态下，形成于半导体晶片的多个电路(与各自的半导体部件的电路对应)的电特性在预定的温度区域(25℃以下或75℃以上)内是否是所期望的特性，利用探测器进行的评价。
另一方面，(2)半导体部件评价是：对于将半导体晶片单片化而多个半导体部件被阵列状地排列的状态下，这些半导体部件的电特性在预定的温度区域(25℃以下或75℃以上)内是否是所期望的特性，利用探测器进行的评价。
这些各评价中，包含以预定的温度区域内的动作确认为目的的评价、以预定的温度区域内的加速耐久试验为目的的评价(例如，老化测试)。
上述评价工序中，在进行评价工序R3(参照图4)的情况下，即，在单片化工序R4前且拾取工序R8前进行评价的情况下(对于半导体晶片20进行评价的情况下)，例如，通过如下来进行：使形成有多个探针81的探针卡8与半导体晶片20的预定的对应的位置接触来进行电连接，对在探针81与形成于半导体晶片20上的电路之间被交换的信号的正确与否进行判定(探针测试)(参照图4)。
此外，此时，如图4所示那样，可以在保护构件15的框体7固定部件制造用膜1，在该粘着材层12上贴附有半导体晶片20的背面的状态下，使探针卡8等测定设备与吸附平台90接近，使探针81与半导体晶片20的表面接触。
在该情况下，如图16所示那样，为了避免探针卡8等测定设备侧的各部与框体7的接触，可以将吸附平台90、制动器91等夹具配置于框体7的内侧，将框体7向下方推下，防止框体7与探针卡8等测定设备接触。
另一方面，如图6所示那样，进行评价工序中的评价工序R5(参照图6)的情况下，即，在单片化工序R4后且拾取工序R8前进行评价的情况下(对于半导体部件21进行评价的情况下)，例如，通过如下来进行：使形成有多个探针81的探针卡8与半导体部件21的各自预定的对应的位置接触来进行电连接，对在探针81与形成于半导体部件21上的电路之间被交换的信号的正确与否进行判定(探针测试)(参照图6)。
该情况下也同样地，如图16所示那样，可以将框体7向下方推下，防止框体7与探针卡8等测定设备接触。
就这些评价而言，除了接触上述那样的探针81来进行的电评价(探针测试)以外，还可以包含非接触的光学式的评价。
此外，评价温度区域不受特别限定，例如，可以设为25℃以下或75℃以上。特别是，本部件制造用膜1在具有0.2≤RE1≤1且35MPa≤E’(25)≤3500MPa的特性的情况下，具有能够经受住至少25～100℃的温度范围内的评价的特性。
此外，通过具有0.01≤RE2≤1的特性，从而即使在低温侧，在-80℃以上0℃以下(进一步-60℃以上-10℃以下，特别是-40℃以上-10℃以下)进行评价工序，部件制造用膜1也能够维持评价工序中必要的柔软性。进一步，对于拾取工序R8(参照图9)也不带来障碍。即，在拾取工序R8中用顶起构件92顶起时，部件制造用膜1也维持柔软性，部件制造用膜1能够被顶起而不断裂。特别是在拾取工序R8前具备部件分离工序R7(参照图8)的情况下，部件制造用膜1成为更易于断裂的状况，但通过利用上述部件制造用膜1，能够防止断裂，顺利地进行拾取。
进一步，即使在高温侧，在100℃以上170℃以下(进一步110℃以上170℃以下，特别是120℃以上160℃以下)进行评价工序，部件制造用膜1也能够维持评价工序中必要的柔软性。进一步，对于拾取工序R8(参照图9)也不带来障碍。即，在拾取工序R8中用顶起构件92顶起时，部件制造用膜1也能够维持柔软性，部件制造用膜1能够被顶起而不断裂。特别是在拾取工序R8前具备部件分离工序R7(参照图8)的情况下，部件制造用膜1成为更易于断裂的状况，但通过利用上述部件制造用膜1，能够防止断裂，顺利地进行拾取。
进一步，这些评价可以仅在低温侧和高温侧的任一侧进行评价，但对于本部件制造用膜1，即使进行这两侧的评价，也不会给拾取工序R8(参照图9)带来障碍。
本制造方法中，除了贴附工序R2(参照图3)、评价工序R3(参照图4)、单片化工序R4(参照图5)、评价工序R5(参照图6)、拾取工序R8(参照图9)以外，通常进一步具备膜分离工序R6(参照图7)。
膜分离工序R6(参照图7)是在部件制造用膜1上贴附有被贴附物(半导体晶片20、半导体部件21)的状态下，将吸附平台90与部件制造用膜1进行分离的工序。在本方法中，由于利用了上述部件制造用膜1，因此基层11的未设置粘着材层12的一面11a的表面为0.1≤Ra(μm)≤2.0且1.0≤Rz(μm)≤15，能够容易地稳定地进行该膜分离工序R6。
该膜分离工序R6(参照图7)例如可以在评价工序R5(参照图6)与拾取工序R8(参照图9)之间进行。即，在变更载置部件制造用膜1的台(吸附平台90等)时成为必要的工序。
本制造方法中，除了贴附工序R2(参照图3)、评价工序R3(参照图4)、单片化工序R4(参照图5)、评价工序R5(参照图6)、膜分离工序R6(参照图7)、拾取工序R8(参照图9)以外，还可以具备其他工序。
作为其他工序，可举出保护构件形成工序R1(参照图2)和部件分离工序R7(参照图8)。
其中，保护构件形成工序R1(参照图2)是在具有开口部71的框体7的一面7a贴附半导体部件制造用膜1的粘着材层12以覆盖框体7的开口部71的工序。
作为框体7，例如，可以使用环框架。框体7的大概形状不受限定，适当制成适应需要的形状。例如，可以采用圆形或四边形等。同样地，开口部71的大概形状也不受限定，适当制成适应需要的形状，例如，可以采用圆形或四边形等。构成框体7的材质也不受限定，例如，可以使用树脂和/或金属等。
此外，在框体7的一面7a贴附半导体部件制造用膜1的粘着材层12以覆盖框体7的开口部71时，可以根据需要进行加热。
此外，部件分离工序R7(参照图8)是通过拉伸部件制造用膜1，使单片化了的半导体部件21彼此在部件制造用膜1上分离的工序。在使部件制造用膜1拉伸时，可以使制动器91与框体7的内侧抵接来进行。
[3]电子部件制造用膜
本发明的电子部件制造用膜1为电子部件51的制造方法所使用的膜。该电子部件制造用膜1具有与半导体部件制造用膜1相同的构成(参照图1)。
因此，电子部件制造用膜1中的基层11可以直接适用上述半导体部件制造用膜1中的基层11的说明(〈1〉基层)。
此外，关于电子部件制造用膜1中的粘着材层12，可以直接适用上述半导体部件制造用膜1中的粘着材层12的说明(〈2〉粘着材层)。
进一步，关于电子部件制造用膜1中的其他层，可以直接适用上述半导体部件制造用膜1中的其他层的说明(〈3〉其他层)。
上述各说明中，将与半导体部件制造用膜1相关的说明中的“半导体部件制造用膜”的用语替换为“电子部件制造用膜1中的基层”，将“半导体晶片”的用语替换为“阵列状电子部件”，将“半导体部件”的用语替换为“电子部件”。
关于电子部件制造用膜1中的电子部件制造用膜的制造，可以直接适用上述的半导体部件制造用膜1中的与其制造相关的说明(〈4〉半导体部件制造用膜的制造)。这里，将与半导体部件制造用膜1的制造相关的说明中的“半导体部件制造用膜”的用语替换为“电子部件制造用膜1”，将“半导体晶片”的用语替换为“阵列状电子部件”，将“半导体部件”的用语替换为“电子部件”。
[4]电子部件的制造方法
本部件制造用膜1用于电子部件51的制造方法。该电子部件的制造方法具备单片化工序R4(参照图11)、评价工序R3(参照图10)和/或评价工序R5(参照图12)、拾取工序R8(参照图15)。
其中，单片化工序R4(参照图11)是将背面贴附有部件制造用膜1的阵列状电子部件50单片化(切割)来获得电子部件51的工序。
该单片化工序R4可以使用公知的方法来适当进行。另外，就单片化而言，可以是以使得1个电子部件51内包含至少1个半导体部件的方式被单片化，也可以是以使得1个电子部件51内包含2个以上半导体部件的方式被单片化。
此外，单片化工序R4(参照图11)中，与上述半导体部件制造用膜1中的情况同样，对于本电子部件制造用膜1，也可以利用框体7，作为保护构件15来利用。
阵列状电子部件50是半导体部件阵列状地密封而成的。具体而言，包含下述电子部件(1)-(3)。
阵列状电子部件(1)是将形成有电路的半导体晶片单片化而得的半导体部件(芯片、裸片)排列于引线框上，进行引线接合之后，利用密封剂进行密封而得的阵列状电子部件。
阵列状电子部件(2)是将形成有电路的半导体晶片单片化而得的半导体部件21(芯片、裸片)分离排列，利用密封剂30进行密封之后，一并形成再配线层和凸块电极等获得与外部导通的外部电路40的阵列状电子部件50(参照图10和图11)。即，是扇出方式(eWLB方式)中所获得的阵列状电子部件。
阵列状电子部件(3)是将半导体晶片直接以晶片状态作为半导体部件来利用，将再配线层和凸块电极等获得与外部导通的外部电路、将利用密封剂进行了密封的密封层一并形成的阵列状电子部件。该阵列状电子部件(3)中的半导体晶片为单片化前状态，包括半导体部件(芯片、裸片)被阵列状地形成的形态、将半导体晶片作为基体来利用(将在非电路硅基板上具有电路的芯片接合来利用的形态)等。即，阵列状电子部件(3)为在晶片级芯片规模封装(WLCSP)方式中所获得的阵列状电子部件。
另外，在阵列状电子部件(2)中，在形成阵列状电子部件(2)时也可以利用本发明的电子部件制造用膜。具体而言，可以在电子部件制造用膜1上分离排列半导体部件，利用密封剂进行密封之后，将再配线层和凸块电极等获得与外部导通的外部电路一并形成，获得阵列状电子部件。
评价工序是在拾取工序R8前，进行阵列状电子部件50或电子部件51的评价的工序。该评价工序包括：在单片化工序R4前且拾取工序R8前进行阵列状电子部件50的评价的评价工序R3(参照图10)、以及在单片化工序R4后且拾取工序R8前进行电子部件51的评价的评价工序R5(参照图12)。评价工序R3和评价工序R5可以根据需要仅进行任一者，也可以进行它们两者。
所谓阵列状电子部件50或电子部件51的评价，具体而言，包含下述(1)的阵列状电子部件评价和下述(2)的电子部件评价。
其中，(1)阵列状电子部件评价是：利用探测器来评价阵列状电子部件50在阵列状的状态下，阵列状电子部件50所包含的各内部电路、以及与这些内部电路对应而形成的外部电路(用于将各内部电路向外部导出的电路)的电特性在25℃以下或75℃以上的温度区域内是否是所期望的特性。
另一方面，(2)电子部件评价是：利用探测器来评价将阵列状电子部件50单片化而将多个电子部件51阵列状地排列的状态下，这些各个电子部件51的电特性在25℃以下或75℃以上的温度区域内是否是所期望的特性。
这些各评价中，包含以上述各温度区域内的动作确认为目的的评价、以上述各温度区域内的加速耐久试验为目的的评价(例如，老化测试)。
在进行上述评价工序中的评价工序R3(参照图10)的情况下，即，在单片化工序R4前且拾取工序R8前进行评价的情况下(对于阵列状电子部件50进行评价的情况下)，例如，通过如下来进行：使形成有多个探针81的探针卡8与形成于阵列状电子部件50上的外部电路(凸块电极等)接触来进行电连接，对在探针81与形成于阵列状电子部件50的外部电路之间被交换的信号的正确与否进行判定(探针测试)(参照图10)。
此外，此时，如图10所示那样，可以在保护构件15的框体7上固定部件制造用膜1，在该粘着材层12上贴附有阵列状电子部件50的背面的状态下，使探针卡8等测定设备与吸附平台90接近，使探针81与阵列状电子部件50的表面接触。
在该情况下，如图16所示那样，为了避免探针卡8等测定设备侧的各部与框体7的接触，可以将吸附平台90、制动器91等夹具配置于框体7的内侧，将框体7向下方推下，防止框体7与探针卡8等测定设备接触。
另一方面，如图12所示那样，进行评价工序中的评价工序R5(参照图12)的情况下，即，在单片化工序R4后且拾取工序R8前进行评价的情况下(对于电子部件51进行评价的情况下)，例如，通过如下来进行：使形成有多个探针81的探针卡8与电子部件51的各预定的对应的位置接触来进行电连接，对在探针81与形成于电子部件51上的电路之间被交换的信号的正确与否进行判定(探针测试)(参照图12)。
在该情况下也同样地，如图16所示那样，可以将框体7向下方推下，防止框体7与探针卡8等测定设备接触。
除了上述那样的接触探针81来进行的电评价(探针测试)以外，这些评价还可以包含非接触的光学式的评价。
此外，评价温度区域不受特别限定，例如，可以设为25℃以下或75℃以上。特别是，在本部件制造用膜1具有0.2≤RE1≤1且35MPa≤E’(25)≤3500MPa的特性的情况下，具有可以经受住在至少25～100℃的温度范围内的评价的特性。
此外，通过具有0.01≤RE2≤1的特性，从而即使在低温侧，在-80℃以上0℃以下(进一步-60℃以上-10℃以下，特别是-40℃以上-10℃以下)进行评价工序，部件制造用膜1也能够维持评价工序中必要的柔软性。进一步，对于拾取工序R8(参照图15)也不带来障碍。即，即使在拾取工序R8中用顶起构件92顶起时，部件制造用膜1也能够维持柔软性，部件制造用膜1被顶起而不断裂。特别是在拾取工序R8前，具备部件分离工序R7(参照图14)的情况下，部件制造用膜1成为更易于断裂的状况，但通过利用上述部件制造用膜1，从而能够防止断裂，顺利地进行拾取。
进一步即使在高温侧，在100℃以上170℃以下(进一步110℃以上170℃以下，特别是120℃以上160℃以下)进行评价工序，部件制造用膜1也能够维持评价工序中必要的柔软性。进一步，对于拾取工序R8(参照图15)不带来障碍。即，即使在拾取工序R8中用顶起构件92顶起时，部件制造用膜1也能够维持柔软性，部件制造用膜1被顶起而不断裂。特别是在拾取工序R8前，具备部件分离工序R7(参照图14)的情况下，部件制造用膜1成为更易于断裂的状况，但通过利用上述部件制造用膜1，从而能够防止断裂，顺利地进行拾取。
进一步，这些评价可以仅在低温侧和高温侧的任一侧进行评价，对于本部件制造用膜1，即使进行这两侧的评价，对于拾取工序R8(参照图15)也可以不带来障碍。
本制造方法中，除了评价工序R3(参照图10)、单片化工序R4(参照图11)、评价工序R5(参照图12)、拾取工序R8(参照图15)以外，通常进一步具备膜分离工序R6(参照图13)。
膜分离工序R6(参照图13)是在部件制造用膜1上贴附有被贴附物(阵列状电子部件50或电子部件51)的状态下，将吸附平台90与部件制造用膜1进行分离的工序。在本方法中，由于利用了上述部件制造用膜1，因此基层11的未设置粘着材层12的一面11a的表面为0.1≤Ra(μm)≤2.0且1.0≤Rz(μm)≤15，可以容易地稳定地进行该膜分离工序R6。
该膜分离工序R6(参照图13)例如，可以在评价工序R5(参照图12)与拾取工序R8(参照图15)之间进行。即，在变更载置部件制造用膜1的台(吸附平台90等)时成为必要的工序。
本制造方法中，除了评价工序R3(参照图10)、单片化工序R4(参照图11)、评价工序R5(参照图12)、膜分离工序R6(参照图13)、拾取工序R8(参照图15)以外，还可以具备其他工序。
作为其他工序，可举出部件分离工序R7(参照图14)。
部件分离工序R7(参照图14)是通过将部件制造用膜1进行拉伸，使单片化了的电子部件51彼此在部件制造用膜1上分离的工序。在使部件制造用膜1拉伸时，可以使制动器91与框体7的内侧抵接来进行。
实施例
以下，通过实施例来具体地说明本发明。
[1]用于部件制造用膜的基层
为了制造部件制造用膜，准备利用了各种树脂的基层。具体而言，将作为基层11的由后述各种树脂得到的膜，通过镜面加工辊(1)、镜面加工辊(2)、梨皮面加工辊(1)、梨皮面加工辊(2)、梨皮面加工辊(3)、喷砂加工和梨皮面加工辊(4)的各个加工，准备制成预定范围的表面粗糙度的基层用膜。
按照ISO4287-1997，使用小型表面粗糙度测定机(株式会社mitutoyo制，SJ-210)来测定利用各加工得到的成为各基层的膜的算术平均粗糙度(Ra)和最大高度粗糙度(Rz)。此时的基准长度设为4.0mm，速度设为0.5mm/s，截止值(cut off)设为0.8mm。
其结果是利用各加工得到的表面粗糙度如下。
镜面加工辊(1)：Ra：0.01～0.05，Rz：0.35～0.55
镜面加工辊(2)：Ra：0.05～0.15，Rz：0.60～0.70
梨皮面加工辊(1)：Ra：0.20～0.35，Rz：2.50～2.80
梨皮面加工辊(2)：Ra：0.20～0.40，Rz：3.00～3.20
梨皮面加工辊(3)：Ra：0.50～0.70，Rz：4.30～4.45
喷砂加工：Ra：0.55～0.70，Rz：6.00～7.00
梨皮面加工辊(4)：Ra：1.5，Rz：10.7
[2]部件制造用膜的制造
〈实验例1〉
(1)基层
作为基层11，使用了厚度80μm的聚酯系热塑性弹性体(TPEE)膜(熔点200℃)，上述表面粗糙度不同的6种(梨皮面加工辊(4)除外)的膜。
使用利用镜面加工辊(1)得到的膜，通过动态粘弹性测定装置(DMA：DynamicMechanical Analysis)(制品名：RSA-3，TA仪器公司制)来测定拉伸弹性模量E’。具体而言，使样品尺寸为宽度10mm，夹盘间的长度为20mm，在频率1Hz，升温速度5℃/分钟的测定条件下从-50℃直至200℃进行测定而得到数据，由该数据读取各温度的数据。
其结果是拉伸弹性模量E’(-40)为440MPa，拉伸弹性模量E’(25)为95MPa，拉伸弹性模量E’(100)为38MPa，拉伸弹性模量E’(160)为12MPa。
因此，RE1(＝E’(100)/E’(25))为0.40，RE2(＝E’(160)/E’(-40))为0.03。
(2)粘着材层
作为粘着材层12，使用了厚度10μm的非固化型的丙烯酸系粘着剂。
(3)基层与粘着材层的叠层
在上述(1)所记载的各6种基层11的各自一面上层压上述(2)的粘着材层12，获得了实验例1-1～实验例1-6的部件制造用膜1。
使用获得的实验例1的部件制造用膜1，按照JIS Z0237，采用以下方法测定粘着力。
即，将所得的部件制造用膜(利用镜面加工辊(1)得到的膜)制成宽度25mm的试验片，将该粘着材层12在4英寸的硅晶片上用约2kg橡胶辊施加压力的同时进行粘贴。接着，在温度23℃、相对湿度50％的环境下放置60分钟。然后，将试验片在180°方向上，以剥离速度300mm/分钟测定从硅晶片剥离时的粘着力。粘着力的测定进行2次，将平均值设为“粘着力”(N/25mm)。其结果是：由实验例1的部件制造用膜得到的粘着力为1.2N/25mm。
〈实验例2〉
作为基层11，厚度为150μm，除此以外，使用了与实验例1相同的聚酯系热塑性弹性体膜(熔点200℃)，上述表面粗糙度不同的6种(梨皮面加工辊(4)除外)的膜。
作为粘着材层12，使用了与实验例1相同的厚度10μm的非固化型的丙烯酸系粘着剂。
与实验例1的情况同样地，将基层11与粘着材层12进行叠层，获得了实验例2-1～实验例2-6的部件制造用膜1。使用获得的实验例2的部件制造用膜，与实验例1同样地测定得到的粘着力为1.2N/25mm。
〈实验例3〉
作为基层11，使用了厚度150μm的尼龙系热塑性弹性体(TPAE)膜(熔点160℃)，上述表面粗糙度不同的6种(梨皮面加工辊(4)除外)的膜。
使用该基层11(利用镜面加工辊(1)得到的膜)，与实验例1同样地测定得到的结果是：拉伸弹性模量E’(-40)为280MPa，拉伸弹性模量E’(25)为72MPa，拉伸弹性模量E’(100)为24MPa，拉伸弹性模量E’(160)为0.27MPa。
因此，RE1(＝E’(100)/E’(25))为0.34，RE2(＝E’(160)/E’(-40))为0.001。
作为粘着材层12，使用了与实验例1相同的厚度10μm的非固化型的丙烯酸系粘着剂。
与实验例1的情况同样地，将基层11与粘着材层12进行叠层，获得了实验例3-1～实验例3-6的部件制造用膜1。使用获得的实验例3的部件制造用膜，与实验例1同样地测定得到的粘着力为1.2N/25mm。
〈实验例4〉
作为基层11，使用了厚度75μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜(熔点263℃)，上述表面粗糙度不同的6种(梨皮面加工辊(4)除外)的膜。
使用该基层11(利用镜面加工辊(1)得到的膜)，与实验例1同样地测定得到的结果是：拉伸弹性模量E’(-40)为4000MPa，拉伸弹性模量E’(25)为3000MPa，拉伸弹性模量E’(100)为2150MPa，拉伸弹性模量E’(160)为550MPa。
因此，RE1(＝E’(100)/E’(25))为0.72，RE2(＝E’(160)/E’(-40))为0.14。
作为粘着材层12，使用了与实验例1相同的厚度10μm的非固化型的丙烯酸系粘着剂。
与实验例1的情况同样地，将基层11与粘着材层12进行叠层，获得了实验例4-1～实验例4-6的部件制造用膜1。使用获得的实验例4的部件制造用膜，与实验例1同样地测定得到的粘着力为1.2N/25mm。
〈实验例5〉
作为基层11，使用了厚度75μm的聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)膜(熔点220℃)，上述表面粗糙度不同的7种膜。
使用该基层11(利用镜面加工辊(1)得到的膜)，与实验例1同样地测定得到的结果是：拉伸弹性模量E’(-40)为1500MPa，拉伸弹性模量E’(25)为550MPa，拉伸弹性模量E’(100)为138MPa，拉伸弹性模量E’(160)为90MPa。
因此，RE1(＝E’(100)/E’(25))为0.25，RE2(＝E’(160)/E’(-40))为0.06。
作为粘着材层12，使用了与实验例1相同的厚度10μm的非固化型的丙烯酸系粘着剂。
与实验例1的情况同样地，将基层11与粘着材层12进行叠层，获得了实验例5-1～实验例5-7的部件制造用膜1。使用获得的实验例5的部件制造用膜，与实验例1同样地测定得到的粘着力为1.2N/25mm。
〈实验例6〉
作为基层11，使用了厚度80μm的无规聚丙烯(rPP)膜(熔点138℃)，上述表面粗糙度不同的6种(梨皮面加工辊(4)除外)的膜。
使用该基层11(利用镜面加工辊(1)得到的膜)，与实验例1同样地测定得到的结果是：拉伸弹性模量E’(-40)为1500MPa，拉伸弹性模量E’(25)为775MPa，拉伸弹性模量E’(100)为81MPa。另外，拉伸弹性模量E’(160)由于断裂而未能测定。
因此，RE1(＝E’(100)/E’(25))为0.10，RE2(＝E’(160)/E’(-40))小于0.01。
作为粘着材层12，使用了与实验例1相同的厚度10μm的非固化型的丙烯酸系粘着剂。
与实验例1的情况同样地，将基层11与粘着材层12进行叠层，获得了实验例6-1～实验例6-6的部件制造用膜1。使用获得的实验例6的部件制造用膜，与实验例1同样地测定得到的粘着力为1.2N/25mm。
〈实验例7〉
作为基层11，使用了厚度80μm的直链状低密度聚乙烯(LLDPE)膜(熔点116℃)，上述表面粗糙度不同的6种(梨皮面加工辊(4)除外)的膜。
使用该基层11(利用镜面加工辊(1)得到的膜)，与实验例1同样地测定得到的结果是：拉伸弹性模量E’(-40)为520MPa，拉伸弹性模量E’(25)为118MPa，拉伸弹性模量E’(100)为12MPa。另外，拉伸弹性模量E’(160)由于断裂而未能测定。
因此，RE1(＝E’(100)/E’(25))为0.10，RE2(＝E’(160)/E’(-40))小于0.01。
作为粘着材层12，使用了与实验例1相同的厚度10μm的非固化型的丙烯酸系粘着剂。
与实验例1的情况同样地，将基层11与粘着材层12进行叠层，获得了实验例7-1～实验例7-6的部件制造用膜1。使用获得的实验例7的部件制造用膜，与实验例1同样地测定得到的粘着力为1.2N/25mm。
〈实验例8〉
作为基层11，使用了厚度120μm的聚酯系热塑性弹性体(TPEE)膜(熔点199℃)，上述表面粗糙度不同的7种膜。
使用该基层11(利用镜面加工辊(1)得到的膜)，与实验例1同样地测定得到的结果是：拉伸弹性模量E’(-40)为374MPa，拉伸弹性模量E’(25)为56MPa，拉伸弹性模量E’(100)为32MPa，拉伸弹性模量E’(160)为8.5MPa。
因此，RE1(＝E’(100)/E’(25))为0.6，RE2(＝E’(160)/E’(-40))为0.02。
作为粘着材层12，使用了与实验例1相同的厚度10μm的非固化型的丙烯酸系粘着剂。
与实验例1的情况同样地，将基层11与粘着材层12进行叠层，获得了实验例8-1～实验例8-7的部件制造用膜1。使用获得的实验例8的部件制造用膜，与实验例1同样地测定得到的粘着力为1.2N/25mm。
[表1]
表1
[2]使用了部件制造用膜的试验
使用实验例1-8，进行了以下试验。
即，以将由上述[1]获得的实验例1-8(各6～7种)的各部件制造用膜1覆盖金属制的框体7的开口部71的方式在框体7的一面7a贴附各部件制造用膜1的粘着材层12而形成了保护构件15(图2)。进一步与保护构件15的形成同时，在粘着剂层12侧贴附4英寸尺寸的硅晶片。
然后，将贴有各部件制造用膜1的保护构件15的基层11的一面11a侧吸附固定于设定为各温度(平台表面温度为25℃、75℃、100℃、160℃)的吸附平台。然后，经过10分钟之后，进行真空破坏，抓住框体7，将各部件制造用膜1从晶片平台取下。此时，按照以下基准来评价从晶片平台的取下容易性，将其结果示于表2～5中。
“○”···能够与吸附平台的表面温度没有关系地取下。
“△”···如果不等待吸附平台的表面温度下降，则不能取下，但通过表面温度的下降而能够取下。
“×”···即使吸附平台的表面温度成为25℃也难以取下。
另外，本试验中利用的吸附平台为金属制，其表面粗糙度为Ra＝0.48μm且Rz＝2.64μm。测定方法与上述膜中的情况同样。
[表2]
表2
[表3]
表3
[表4]
表4
[表5]
表5
[3]实施例的效果
如表2所示那样，部件制造用膜1的基层11的一面11a侧的表面粗糙度为0.01≤Ra(μm)≤0.05且0.35≤Rz(μm)≤0.55的部件制造用膜(实验例1-1、实验例2-1、实验例3-1、实验例4-1、实验例5-1、实验例6-1、实验例7-1、实验例8-1)不论构成基层11的材质如何，即使吸附平台的表面温度为25℃也难以取下。此外，0.05≤Ra(μm)≤0.15且0.60≤Rz(μm)≤0.70的部件制造用膜(实验例1-2、实验例2-2、实验例3-2、实验例4-2、实验例5-2、实验例6-2、实验例7-2、实验例8-2)也是不论构成基层11的材质如何，即使吸附平台的表面温度为25℃，也难以取下。
与此相对，0.1≤Ra(μm)≤2.0且1.0≤Rz(μm)≤15的部件制造用膜1都能够从表面温度为25℃的状态的吸附平台容易地取下。
如表3所示那样，即使部件制造用膜1的基层11的一面11a侧的表面粗糙度为0.1≤Ra(μm)≤2.0且1.0≤Rz(μm)≤15，在基层的RE1为0.10的实验例6(实验例6-1～6-6)和实验例7(实验例7-1～7-6)中，如果在试验后(75℃)不等待吸附平台的表面温度下降，则难以取下，但通过吸附平台的表面温度下降则能够取下。
与此相对，部件制造用膜1的基层11的一面11a侧的表面粗糙度为0.1≤Ra(μm)≤2.0且1.0≤Rz(μm)≤15，而且基层的0.2≤RE1≤1且E’(25)为35MPa以上3500MPa以下的部件制造用膜1都可以从表面温度为75℃的状态的吸附平台容易地取下。
如表4所示那样，部件制造用膜1的基层11的一面11a侧的表面粗糙度为0.1≤Ra(μm)≤2.0且1.0≤Rz(μm)≤15，而且基层的RE2为0.01≤RE2≤1的部件制造用膜1，即使是表面温度为100℃的状态，也都可以从吸附平台容易地取下。
如表5所示那样，即使部件制造用膜1的基层11的一面11a侧的表面粗糙度为0.1≤Ra(μm)≤2.0且1.0≤Rz(μm)≤15，在基层的RE2为0.001的实验例3(实验例3-1～3-6)中，如果在试验后(160℃)不等待吸附平台的表面温度下降，则难以取下，但通过吸附平台的表面温度下降则能够取下。
与此相对，部件制造用膜1的基层11的一面11a侧的表面粗糙度为0.1≤Ra(μm)≤2.0且1.0≤Rz(μm)≤15，而且基层的RE2为0.01≤RE2≤1的部件制造用膜1，即使是表面温度为160℃的状态，也都可以从吸附平台容易地取下。
另外，在本发明中，不限于上述具体的实施例所示的内容，可以根据目的、用途，在本发明的范围内形成进行了各种变更的实施例。
产业可利用性
本发明的半导体部件制造用膜和半导体部件的制造方法以及电子部件制造用膜和电子部件的制造方法在半导体部件制造、电子部件制造的用途中被广泛利用。特别是在利用具备伴随有温度变化的评价工序、单片化工序和拾取工序的半导体部件的制造方法的情况下；在利用具备伴随有温度变化的评价工序、单片化工序和拾取工序的电子部件的制造方法的情况下，可以在这些工序中共同地利用，因此在进行生产率优异的部件的制造时被适当地利用。
符号的说明
1；半导体部件制造用膜、电子部件制造用膜，15；保护构件，
11；基层，
12；粘着材层，
12a；粘着材层的表面(开口部71所露出的粘着材层12的表面)，
20；半导体晶片，21；半导体部件，
30；密封材，
50；阵列状电子部件，51；电子部件，
7；框体，
7a；框体的一面，
71；框体的开口部，
8；探针卡，81；探针，
90；吸附平台，91；制动器，92；顶起构件，93；拾取器具，
R1；保护构件形成工序，
R2；贴附工序，
R3；评价工序(半导体晶片评价工序、阵列状电子部件评价工序)，
R4；单片化工序，
R5；评价工序(半导体部件评价工序、电子部件评价工序)，
R6；膜分离工序，
R7；部件分离工序，
R8；拾取工序。

Claims (14)

1.一种半导体部件制造用膜，其是半导体部件的制造方法所使用的半导体部件制造用膜，其特征在于，
具备基层以及设置于所述基层的一面侧的粘着材层，
所述基层的未设置所述粘着材层的一面的表面的算术平均粗糙度(Ra)为0.1μm以上2.0μm以下，并且最大高度粗糙度(Rz)为1.0μm以上15μm以下，所述基层的100℃时的弹性模量E’(100)与25℃时的弹性模量E’(25)之比RE1即E’(100)/E’(25)为0.2≤RE1≤1，并且E’(25)为35MPa以上3500MPa以下。
2.根据权利要求1所述的半导体部件制造用膜，所述基层的160℃时的弹性模量E’(160)与-40℃时的弹性模量E’(-40)之比RE2即E’(160)/E’(-40)为0.01≤RE2≤1。
3.根据权利要求1或2所述的半导体部件制造用膜，所述基层包含热塑性聚酯系弹性体、热塑性聚酰胺系弹性体以及聚对苯二甲酸丁二醇酯中的至少1种。
4.根据权利要求1或2所述的半导体部件制造用膜，所述半导体部件的制造方法具备下述工序：
在形成有电路的半导体晶片的背面贴附有所述粘着材层的状态下，将所述半导体晶片单片化来获得半导体部件的单片化工序，以及
将所述半导体部件与所述粘着材层分离的拾取工序，
并且在所述拾取工序前，具备在25℃以下或75℃以上的温度区域进行所述半导体晶片或所述半导体部件的评价的评价工序。
5.一种半导体部件的制造方法，其特征在于，具备下述工序：
在形成有电路的半导体晶片的背面贴附有半导体部件制造用膜的粘着材层的状态下，将所述半导体晶片单片化来获得半导体部件的单片化工序，以及
将所述半导体部件与所述粘着材层分离的拾取工序，
并且在所述拾取工序前，具备在25℃以下或75℃以上的温度区域进行所述半导体晶片或所述半导体部件的评价的评价工序，
所述半导体部件制造用膜具备基层以及设置于所述基层的一面侧的粘着材层，
所述基层的未设置所述粘着材层的一面的表面的算术平均粗糙度(Ra)为0.1μm以上2.0μm以下，并且最大高度粗糙度(Rz)为1.0μm以上15μm以下，
所述基层的100℃时的弹性模量E’(100)与25℃时的弹性模量E’(25)之比RE1即E’(100)/E’(25)为0.2≤RE1≤1，并且E’(25)为35MPa以上3500MPa以下。
6.根据权利要求5所述的半导体部件的制造方法，所述基层的160℃时的弹性模量E’(160)与-40℃时的弹性模量E’(-40)之比RE2即E’(160)/E’(-40)为0.01≤RE2≤1。
7.根据权利要求5或6所述的半导体部件的制造方法，所述基层包含热塑性聚酯系弹性体、热塑性聚酰胺系弹性体以及聚对苯二甲酸丁二醇酯中的至少1种。
8.一种电子部件制造用膜，其是电子部件的制造方法所使用的电子部件制造用膜，其特征在于，
具备基层以及设置于所述基层的一面侧的粘着材层，
所述基层的未设置所述粘着材层的一面的表面的算术平均粗糙度(Ra)为0.1μm以上2.0μm以下，并且最大高度粗糙度(Rz)为1.0μm以上15μm以下，
所述基层的100℃时的弹性模量E’(100)与25℃时的弹性模量E’(25)之比RE1即E’(100)/E’(25)为0.2≤RE1≤1，并且E’(25)为35MPa以上3500MPa以下。
9.根据权利要求8所述的电子部件制造用膜，所述基层的160℃时的弹性模量E’(160)与-40℃时的弹性模量E’(-40)之比RE2即E’(160)/E’(-40)为0.01≤RE2≤1。
10.根据权利要求8或9所述的电子部件制造用膜，所述基层包含热塑性聚酯系弹性体、热塑性聚酰胺系弹性体以及聚对苯二甲酸丁二醇酯中的至少1种。
11.根据权利要求8或9所述的电子部件制造用膜，所述电子部件的制造方法具备下述工序：
在半导体部件被阵列状地密封的阵列状电子部件的背面贴附有所述粘着材层的状态下，将所述阵列状电子部件单片化来获得电子部件的单片化工序，以及
将所述电子部件与所述粘着材层分离的拾取工序，
并且在所述拾取工序前，具备在25℃以下或75℃以上的温度区域进行所述阵列状电子部件或所述电子部件的评价的评价工序。
12.一种电子部件的制造方法，其特征在于，具备下述工序：
在半导体部件被阵列状地密封的阵列状电子部件的背面贴附有电子部件制造用膜的粘着材层的状态下，将所述阵列状电子部件单片化来获得电子部件的单片化工序，以及
将所述电子部件与所述粘着材层分离的拾取工序，
并且在所述拾取工序前，具备在25℃以下或75℃以上的温度区域进行所述阵列状电子部件或所述电子部件的评价的评价工序，
所述电子部件制造用膜具备基层以及设置于所述基层的一面侧的所述粘着材层，
所述基层的未设置所述粘着材层的一面的表面的算术平均粗糙度(Ra)为0.1μm以上2.0μm以下，并且最大高度粗糙度(Rz)为1.0μm以上15μm以下，
所述基层的100℃时的弹性模量E’(100)与25℃时的弹性模量E’(25)之比RE1即E’(100)/E’(25)为0.2≤RE1≤1，并且E’(25)为35MPa以上3500MPa以下。
13.根据权利要求12所述的电子部件的制造方法，所述基层的160℃时的弹性模量E’(160)与-40℃时的弹性模量E’(-40)之比RE2即E’(160)/E’(-40)为0.01≤RE2≤1。
14.根据权利要求12或13所述的电子部件的制造方法，所述基层包含热塑性聚酯系弹性体、热塑性聚酰胺系弹性体以及聚对苯二甲酸丁二醇酯中的至少1种。
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