JP7173740B2 - 封止用シート - Google Patents

Description

本発明は、封止用シートに関する。

従来、封止用シートにより、複数の電子素子（電子デバイス）を埋め込んで封止することが知られている。

例えば、熱硬化後の表面粗さが０．３μｍ以上である第１の面を有する電子デバイス封止用シートが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。

特許文献１に記載の電子デバイス封止用シートでは、第１の面に対向する第２の面が、電子デバイスに接触して封止する一方、第１の面は、レーザーマーキングされて、文字情報や図形情報などの情報がマーキングされる。

そして、特許文献１に記載の電子デバイス封止用シートでは、熱硬化後において、第１の面が上記した表面粗さを有するので、上記した情報の視認性が良好となっている。

特開２０１７－９８３５３号公報

しかるに、電子デバイス封止用シートは、第１の面がダイシングテープに接触した後、複数の電子デバイスを個片化するように、ダイシング（個片化）される。その際、ダイシングされた電子デバイス封止用シートの第１の面が、意図せずに、ダイシングテープから離間して、電子デバイス封止用シートが電子デバイスとともに飛んで（シート飛びが発生、または、デバイス飛びが発生して）しまうという不具合がある。

一方、ダイシング後には、電子デバイス封止用シートは、ピックアップ装置などによって、第１の面をダイシングテープから意図的に剥離（離間）して、別の箇所に搬送する必要がある。

本発明は、加工時には、基材との接触を確保しつつ、搬送時には、基材から確実に剥離することのできる封止用シートを提供する。

本発明（１）は、電子素子に接触する一方面と、前記一方面と前記厚み方向に間隔を隔てて対向し、基材に接触する他方面とを有する封止用シートであり、前記封止用シートの硬化物である硬化体シートの前記他方面の最大高さＲｚが、４μｍ以上、１５μｍ以下である、封止用シートを含む。

本発明（２）は、電子素子に接触する一方面と、前記一方面と前記厚み方向に間隔を隔てて対向し、基材に接触する他方面とを有する封止用シートであり、前記封止用シートの硬化物である硬化体シートの前記他方面の粗さ曲線要素の平均長さＲＳｍが、４μｍ以上、２５μｍ以下である、封止用シートを含む。

本発明（３）は、前記硬化体シートの前記他方面の粗さ曲線要素の平均長さＲＳｍの、前記硬化体シートの前記他方面の最大高さＲｚに対する比（ＲＳｍ／Ｒｚ）が、０．５以上、１以下である、（１）または（２）に記載の封止用シートを含む。

本発明（４）は、熱硬化性成分と、無機フィラーとを含有し、前記無機フィラーは、第１フィラーと、前記第１フィラーの平均フィラー径より小さい平均フィラー径を有する第２フィラーとを含有し、前記第２フィラーの前記第１フィラー１００質量部に対する配合部数が、５０質量部以上、１００質量部未満である、（１）～３のいずれか一項に記載の封止用シートを含む。

本発明の封止用シートでは、封止用シートの硬化物である硬化体シートの他方面の最大高さＲｚまたは粗さ曲線要素の平均長さＲＳｍが、上記した上限以下であるので、硬化体シートの加工時には、硬化体シートと基材との接触を確保することができる。そのため、硬化体シートを、電子素子を封止しながら、それらを確実に取り扱うことができる。

一方、硬化体シートの他方面の最大高さＲｚまたは粗さ曲線要素の平均長さＲＳｍが、上記した下限以上であるので、硬化体シートの搬送時には、硬化体シートを基材から確実に剥離することができる。

そのため、この硬化体シートは、取扱性および搬送性の両方に優れる。

図１は、本発明の封止用シートの一実施形態である半導体素子封止用シートの断面図を示す。 図２Ａ～図２Ｃは、図１に示す半導体素子封止用シートを用いて、半導体素子を封止して、半導体素子パッケージ集合体を製造する方法の工程図を示し、図２Ａが、複数の半導体素子と半導体素子封止用シートとをそれぞれ準備する工程、図２Ｂが、半導体素子封止用シートを、複数の半導体素子に対して対向配置する工程、図２Ｃが、半導体素子封止用シートによって、複数の半導体素子を封止して、半導体素子パッケージ集合体を得る工程を示す。 図３Ａ～図３Ｃは、図２Ｃに示す半導体素子パッケージ集合体を個片化して、半導体素子パッケージを得る工程を示す。図３Ａが、半導体素子パッケージ集合体を第１剥離シートから基材に転写する工程、図３Ｂが、半導体素子パッケージ集合体を切断する工程、図３Ｃが、半導体素子パッケージを基材から引き上げる工程を示す。

本発明の封止用シートの一実施形態である半導体素子封止用シートを、図１～図３Ｃを参照して説明する。

この半導体素子封止用シート１は、基板２に実装されている電子素子の一例としての半導体素子３（図２Ａ参照）を封止するための封止用シートである。

また、半導体素子封止用シート１は、後述する半導体素子パッケージ集合体１４（図２Ｃ参照）および半導体素子パッケージ４（図３Ｃ参照）を製造するための部品であって、半導体素子パッケージ集合体１４および半導体素子パッケージ４そのものではなく、半導体素子封止用シート１は、半導体素子３、および、半導体素子３を実装する基板２を含まず、具体的には、部品単独で流通し、産業上利用可能なデバイスである。

なお、半導体素子封止用シート１は、半導体素子３を封止した後の硬化体シート５（図２Ｃ参照）ではなく、つまり、半導体素子３を封止する前のシートである。

図１に示すように、半導体素子封止用シート１は、厚み方向に直交する方向（面方向）に延びる略板形状（フィルム形状）を有する。また、半導体素子封止用シート１は、厚み方向一方側に位置する一方面の一例としての第１面６と、第１面６と厚み方向に対向する他方面の一例としての第２面７とを備える。第１面６および第２面７は、ともに平坦面を有しており、互いに平行する。

第１面６は、半導体素子封止用シート１における厚み方向一方側に位置する面（下面）であって、図２Ｃに示すように、半導体素子封止用シート１が半導体素子３を封止するときに、半導体素子３および基板２に接触する接触面（厚み方向一方面）である。

第２面７は、半導体素子封止用シート１が半導体素子３を封止するときに、半導体素子３と接触することなく、基板２の実装面８（後述）と厚み方向に間隔を隔てて対向配置される対向面（厚み方向他方面）（上面）である。また、図３Ａに示すように、第２面７（図３Ａ参照。ただし、図３Ａでは、第１面６および第２面７が上下反転されている）は、半導体素子パッケージ集合体１４（後述）がダイシングテープ３０に転写されるときに、ダイシングテープ３０に接触する接触面である。図３Ｃに示すように、さらには、第２面７は、半導体素子パッケージ４（後述）が、ダイシングテープ３０から剥離する剥離面でもある。

半導体素子封止用シート１の材料は、例えば、熱硬化性成分と、無機フィラーとを含む封止組成物である。

熱硬化性成分は、半導体素子封止用シート１（封止組成物）において、無機フィラーを互いに結合させるバインダー成分であって、熱によって硬化して、封止組成物の硬度を向上させる。

熱硬化性成分は、例えば、封止樹脂（主剤）、硬化剤および硬化促進剤を含む。

封止樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ビニルエステル樹脂、シアノエステル樹脂、マレイミド樹脂、シリコーン樹脂などが挙げられる。封止樹脂としては、耐熱性などの観点から、好ましくは、エポキシ樹脂が挙げられる。

エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、変性ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、変性ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂などの２官能エポキシ樹脂、例えば、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、テトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂などの３官能以上の多官能エポキシ樹脂などが挙げられる。これらエポキシ樹脂は、単独で使用または２種以上を併用することができる。

好ましくは、２官能エポキシ樹脂の単独使用が挙げられ、具体的には、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂の単独使用が挙げられる。

エポキシ樹脂のエポキシ当量は、例えば、１０ｇ／ｅｑ．以上、好ましくは、１００ｇ／ｅｑ．以上であり、また、例えば、３００ｇ／ｅｑ．以下、好ましくは、２５０ｇ／ｅｑ．以下である。

エポキシ樹脂の軟化点は、例えば、５０℃以上、好ましくは、７０℃以上であり、また、例えば、１１０℃以下、好ましくは、９０℃以下である。

エポキシ樹脂の割合は、封止組成物において、例えば、１質量％以上、好ましくは、２質量％以上であり、また、例えば、３０質量％以下、好ましくは、１０質量％以下である。また、エポキシ樹脂の割合は、熱硬化性成分において、例えば、５０質量％以上、好ましくは、６０質量％以上であり、また、例えば、９０質量％以下、好ましくは、１０質量％以下である。

硬化剤は、加熱によって、上記した封止樹脂（主剤）を硬化させる成分（好ましくは、エポキシ樹脂硬化剤）である。硬化剤としては、例えば、フェノールノボラック樹脂などのフェノール樹脂が挙げられる。

硬化剤の割合は、封止樹脂がエポキシ樹脂であり、硬化剤がフェノール樹脂であれば、エポキシ樹脂中のエポキシ基１当量に対して、フェノール樹脂中の水酸基の合計が、例えば、０．７当量以上、好ましくは、０．９当量以上、例えば、１．５当量以下、好ましくは、１．２当量以下となるように、調整される。具体的には、硬化剤の配合部数は、封止樹脂１００質量部に対して、例えば、３０質量部以上、好ましくは、５０質量部以上であり、また、例えば、７５質量部以下、好ましくは、６０質量部以下である。

硬化促進剤は、加熱によって、封止樹脂の硬化を促進する触媒（熱硬化触媒）（好ましくは、エポキシ樹脂硬化促進剤）であって、例えば、有機リン系化合物、例えば、２－フェニル－４－メチル－５－ヒドロキシメチルイミダゾール（２Ｐ４ＭＨＺ）などのイミダゾール化合物などが挙げられる。好ましくは、イミダゾール化合物が挙げられる。硬化促進剤の配合部数は、封止樹脂１００質量部に対して、例えば、０．０５質量部以上であり、また、例えば、５質量部以下である。

無機フィラーは、半導体素子封止用シート１の強度を向上させる無機粒子である。無機フィラーの材料としては、例えば、石英ガラス、タルク、シリカ、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化珪素、窒化ホウ素などの無機化合物が挙げられる。これらは、単独使用または２種以上併用することができる。好ましくは、シリカが挙げられる。

無機フィラーの形状は、特に限定されず、例えば、略球形状、略板形状、略針形状、不定形状などが挙げられる。好ましくは、略球形状が挙げられる。

無機フィラーの最大長さの平均値（略球形状であれば、平均粒子径）Ｍは、例えば、５０μｍ以下、好ましくは、２０μｍ以下、より好ましくは、１０μｍ以下であり、また、例えば、０．１μｍ以上、好ましくは、０．５μｍ以上である。なお、平均粒子径Ｍは、例えば、レーザー散乱法における粒度分布測定法によって求められた粒度分布に基づいて、Ｄ５０値（累積５０％メジアン径）として求められる。

また、無機フィラーは、第１フィラーと、第１フィラーの最大長さの平均値Ｍ１より小さい最大長さの平均値Ｍ２を有する第２フィラーとを含むことができる。

第１フィラーの最大長さの平均値（略球形状であれば、平均粒子径）Ｍ１は、例えば、１μｍ以上、好ましくは、３μｍ以上であり、また、例えば、５０μｍ以下、好ましくは、３０μｍ以下である。

第２フィラーの最大長さの平均値（略球形状であれば、平均粒子径）Ｍ２は、例えば、１μｍ未満、好ましくは、０．８μｍ以下であり、また、例えば、０．０１μｍ以上、好ましくは、０．１μｍ以上である。

第１フィラーの最大長さの平均値の、第２フィラーの最大長さの平均値に対する比（Ｍ１／Ｍ２）は、例えば、２以上、好ましくは、５以上であり、また、例えば、５０以下、好ましくは、２０以下である。

第１フィラーおよび第２フィラーの材料は、ともに同一あるいは相異っていてもよい。好ましくは、第１フィラーおよび第２フィラーの材料は、ともに同一、具体的には、シリカである。

さらに、無機フィラーは、その表面が、部分的あるは全体的に、シランカップリング剤などで表面処理されていてもよい。好ましくは、表面処理されていない第１フィラーと、表面処理されている第２フィラーとの併用が挙げられる。

無機フィラー（第１フィラーおよび第２フィラーの併用であれば、それらの総量）の割合は、半導体素子封止用シート１（封止組成物）中、例えば、５０質量％以上、好ましくは、５０質量％超過、より好ましくは、５５質量％以上、さらに好ましくは、６０質量％以上であり、また、例えば、９５質量％以下、例えば、９０質量％以下、好ましくは、８５質量％以下、より好ましくは、７５質量％以下、さらに好ましくは、７０質量％以下、とりわけ好ましくは、７０質量％未満である。

無機フィラーの割合が上記した下限を上回ると、半導体素子封止用シート１の靱性を確保することができる。

一方、無機フィラーの割合が上記した上限を下回ると、半導体素子封止用シート１が脆くなることを抑制し、半導体素子３を確実に封止することができる。

無機フィラーが上記した第１フィラーと第２フィラーとを含む場合には、第１フィラーの割合は、封止組成物中、例えば、４０質量％以上、好ましくは、５０質量％超過であり、また、例えば、８０質量％以下、好ましくは、７０質量％以下である。

無機フィラーが上記した第１フィラーと第２フィラーとを含む場合には、第２フィラーの配合部数は、第１フィラー１００質量部に対して、例えば、３０質量部以上、好ましくは、４５質量部以上、より好ましくは、５０質量部以上、さらに好ましくは、５０質量部超過であり、また、例えば、１００質量部未満、好ましくは、８０質量部以下、より好ましくは、７０質量部以下、さらに好ましくは、６０質量部以下である。

第２フィラーの配合部数が上記した下限を上回れば、あるいは、上記した上限を下回れば、比較的大きな第１フィラー間の隙間を、第２フィラーによって効率的に充填して、半導体素子封止用シート１を熱プレスするときの流動性を低減させることができ、ひいては、半導体素子封止用シート１および硬化体シート５のそれぞれの第２面７の表面状態が、半導体素子封止用シート１から硬化体シート５となるときに、大きく変動することを抑制することができる。さらには、第２フィラーの配合部数が上記した下限を上回れば、あるいは、上記した上限を下回れば、硬化体シート５の第２面７に所望の表面状態（後述する最大高さＲｚ、平均長さＲＳｍなど）を付与する。

なお、封止組成物に、熱可塑性樹脂、顔料、シランカップリング剤などの添加剤を適宜の割合で添加することもできる。

熱可塑性樹脂は、加熱時の硬化体シート５における柔軟性を向上させる成分である。

熱可塑性樹脂としては、例えば、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン－酢酸ビニル共重合体、エチレン－アクリル酸共重合体、エチレン－アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂（６－ナイロンや６，６－ナイロンなど）、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、飽和ポリエステル樹脂（ＰＥＴなど）、ポリアミドイミド樹脂、フッ素樹脂、スチレン－イソブチレン－スチレンブロック共重合体などが挙げられる。これら熱可塑性樹脂は、単独使用または２種以上併用することができる。

熱可塑性樹脂として、好ましくは、封止樹脂（好ましくは、エポキシ樹脂）との分散性を向上させる観点から、アクリル樹脂が挙げられる。

アクリル樹脂としては、例えば、直鎖または分岐のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸アルキルエステルと、その他のモノマー（共重合性モノマー）とをモノマー成分とし、モノマー成分を重合することにより得られるアクリル系ポリマーなどが挙げられる。

アルキル基としては、例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ｎ－ブチル、ｔ－ブチル、イソブチル、アミル、イソアミル、ヘキシル、へプチル、シクロヘキシル、２－エチルヘキシル、オクチル、イソオクチル、ノニル、イソノニル、デシル、イソデシル、ウンデシル、ラウリル、トリデシル、テトラデシル、ステアリル、オクタデシル、ドデシルなどの炭素数１～２０のアルキル基が挙げられる。好ましくは、炭素数１～６のアルキル基が挙げられる。

その他のモノマーとしては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチルアクリレート、カルボキシペンチルアクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマール酸、クロトン酸などのカルボキシル基含有モノマーなどが挙げられる。

熱可塑性樹脂の重量平均分子量は、例えば、１０万以上、好ましくは、３０万以上であり、また、例えば、１００万以下、好ましくは、８０万以下である。なお、重量平均分子量は、ゲル浸透クロマトフラフィー（ＧＰＣ）により、標準ポリスチレン換算値に基づいて測定される。

熱可塑性樹脂の割合（固形分割合）は、封止組成物の熱硬化を阻害しないように調整されており、具体的には、封止組成物に対して、例えば、１質量％以上、好ましくは、２質量％以上、より好ましくは、３．５質量％以上であり、また、例えば、１０質量％以下、好ましくは、５質量％以下、より好ましくは、５質量％以下である。

なお、熱可塑性樹脂は、適宜の溶媒で希釈されて調製されていてもよい。

顔料としては、例えば、カーボンブラックなどの黒色顔料が挙げられる。顔料の平均粒子径は、例えば、０．００１μｍ以上、例えば、１μｍ以下である。顔料の割合は、封止組成物に対して、例えば、０．１質量％以上、また、例えば、２質量％以下である。

シランカップリング剤は、無機フィラーの表面を処理（表面処理）するために配合される。シランカップリング剤としては、例えば、エポキシ基を含有するシランカップリング剤が挙げられる。エポキシ基を含有するシランカップリング剤としては、例えば、３－グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、３－グリシドキシプロピルメチルジエトキシシランなどの３－グリシドキシジアルキルジアルコキシシラン、例えば、３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３－グリシドキシプロピルトリエトキシシランなどの３－グリシドキシアルキルトリアルコキシシランが挙げられる。好ましくは、３－グリシドキシアルキルトリアルコキシシランが挙げられる。シランカップリング剤の配合割合は、無機フィラー１００質量部に対して、例えば、０．１質量部以上、好ましくは、１質量部以上であり、また、例えば、１０質量部以下、好ましくは、５質量部以下である。

封止組成物を調製するには、熱硬化性成分と、無機フィラーと、必要により、添加剤とを配合して、それらを混合する。

次に、半導体素子封止用シート１の製造方法を説明する。

半導体素子封止用シート１を製造するには、例えば、封止組成物を溶媒（例えば、メチルエチルケトン、トルエン、酢酸エチルなど）に溶解および／または分散させて、ワニスを調製し、これを、図１に示すように、第１剥離シート１６に塗布し、乾燥させる。これによって、半導体素子封止用シート１を、第１剥離シート１６に支持された状態で、製造する。その後、第２剥離シート１７を、半導体素子封止用シート１に対して第１剥離シート１６の反対側に配置する。つまり、半導体素子封止用シート１を、第１剥離シート１６および第２剥離シート１７で厚み方向に挟み込んだ状態で、製造する。半導体素子封止用シート１の第１面６および第２面７のそれぞれは、第１剥離シート１６および第２剥離シート１７のそれぞれに接触している。

第１剥離シート１６および第２剥離シート１７のそれぞれは、可撓性を有し、面方向に延びるシート形状を有する。第１剥離シート１６および第２剥離シート１７の材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミドなどの樹脂、例えば、ステンレスなどの金属などが挙げられ、好ましくは、樹脂が挙げられる。また、第１剥離シート１６および第２剥離シート１７の表面（半導体素子封止用シート１に接触する接触面）は、剥離処理が施されていてもよい。第１剥離シート１６および第２剥離シート１７のそれぞれの厚みは、例えば、１μｍ以上、好ましくは、１０μｍ以上であり、また、例えば、１０００μｍ以下、好ましくは、５００μｍ以下である。

また、第２剥離シート１７の表面（詳しくは、第２面７に接触する面）は、その形状（表面における凹凸形状など）が後述する硬化体シート５の第２面７にある程度転写される関係上、以下の範囲を有する。具体的には、第２剥離シート１７の表面の最大高さＲｚは、例えば、４．０μｍ以上、好ましくは、４．５μｍ以上、より好ましくは、５．０μｍ以上であり、また、例えば、１５．０μｍ以下、好ましくは、１０．０μｍ以下である。第２剥離シート１７の表面の粗さ曲線要素の平均長さＲＳｍは、例えば、４．０μｍ以上、好ましくは、４．５μｍ以上であり、また、例えば、２５．０μｍ以下、好ましくは、１０．０μｍ以下である。また、第２剥離シート１７の表面の粗さ曲線要素の平均長さＲＳｍの、第２剥離シート１７の表面の最大高さＲｚに対する比（ＲＳｍ／Ｒｚ）は、例えば、０．１以上、好ましくは、０．３以上、より好ましくは、０．５以上、さらに好ましくは、０．５超過、さらには、０．７以上、さらには、０．９以上であり、また、例えば、１．１以下、好ましくは、１以下である。

第２剥離シート１７の表面の最大高さＲｚおよび粗さ曲線要素の平均長さＲＳｍは、後述する硬化体シート５の第２面７におけるそれらと同一の方法（後述）により算出される。

他方、ワニスを調製せず、混練押出によって、封止組成物から半導体素子封止用シート１を製造することもできる。第１剥離シート１６および第２剥離シート１７は、押出後の半導体素子封止用シート１に配置される。

半導体素子封止用シート１における熱硬化性成分は、例えば、Ｂステージ（完全硬化ではない半硬化）である。Ｂステージは、熱硬化性成分が、液状であるＡステージと、完全硬化したＣステージとの間の状態であって、硬化およびゲル化がわずかに進行し、圧縮弾性率がＣステージの弾性率よりも小さい状態である。

これにより、半導体素子封止用シート１を、第１面６および第２面７のそれぞれが、第１剥離シート１６および第２剥離シート１７で支持（保護）された状態で、製造する。

半導体素子封止用シート１の厚みは、特に限定されず、例えば、１００μｍ以上であり、また、例えば、２０００μｍ以下である。

次に、この半導体素子封止用シート１を用いて、複数の半導体素子３を封止し、続いて、複数の半導体素子３を個片化するように、硬化体シート５および基板２を切断して、半導体素子パッケージ４を製造する方法を説明する。

半導体素子パッケージ４を製造する方法は、複数の半導体素子３を準備する工程（図２Ａ参照）、半導体素子封止用シート１を準備する工程（図１および図２Ａ参照）、半導体素子封止用シート１によって複数の半導体素子３を封止して、半導体素子封止用シート１から硬化体シート５を調製するとともに、半導体素子パッケージ集合体１４を得る工程（図２Ｂおよび図２Ｃ参照）、半導体素子パッケージ集合体１４をダイシングテープ３０に配置する工程（図３Ａ参照）、半導体素子パッケージ集合体１４を切断加工する工程（図３Ｂ参照）、および、半導体素子パッケージ４をダイシングテープ３０から剥離する工程（図３Ｂおよび図３Ｃ参照）を備える。

この方法では、図２Ａに示すように、まず、半導体素子３を準備する。

半導体素子３は、例えば、半導体チップであり、面方向に延びる略平板形状を有する。半導体素子３としては、特に限定されない。半導体素子３の厚み方向一方面（下面）には、端子（図示せず）が設けられている。

半導体素子３は、基板２の実装面８（上面）（後述）に実装されている。具体的には、半導体素子３は、例えば、基板２に対してフリップチップ実装されている。

また、半導体素子３は、基板２において、面方向に互いに間隔を隔てて複数配置されている。

基板２は、面方向に延びる略平坦形状を有する実装基板である。また、基板２は、複数の半導体素子３を実装する実装面８（上面）と、実装面８と厚み方向に間隔を隔てて配置される対向面９とを有する。

実装面８は、面方向に沿う平面を有する。また、実装面８は、平面視において、複数の半導体素子３全部を囲む大きさを有する。つまり、基板２の実装面８は、平面視において、複数の半導体素子３と重複する重複領域１１と、複数の半導体素子３と重複せず、基板２から露出する露出領域１２とを有する。実装面８は、重複領域１１において、半導体素子３の端子（図示せず）に対応する基板端子（図示せず）を備える。

対向面９は、実装面８に平行しており、面方向に沿う平面を有する。

この方法では、別途、図１および図２Ａに示すように、半導体素子封止用シート１を準備する。具体的には、図１の矢印および仮想線で示すように、第１剥離シート１６を、半導体素子封止用シート１の第１面６から剥離する。

図２Ａの矢印および図２Ｂで示すように、その後、半導体素子封止用シート１を、その第１面６が、半導体素子３の厚み方向他方面（上面）に接触するように、複数の半導体素子３に配置する。

図２Ｂに示すように、次いで、半導体素子封止用シート１によって複数の半導体素子３を封止する。

例えば、下板および上板を備える平板プレス（図示せず）を用いて、半導体素子封止用シート１を加熱および加圧して、半導体素子封止用シート１で複数の半導体素子３を封止する。

また、上記した加熱によって、半導体素子封止用シート１は、熱硬化する。具体的には、一旦、軟化後、半導体素子封止用シート１の封止組成物が完全硬化する（Ｃステージ化する）。

加熱条件は、封止組成物が完全硬化する条件である。具体的には、加熱温度が、例えば、８５℃以上、好ましくは、１００℃以上であり、また、例えば、１２５℃以下、好ましくは、１１０℃以下である。加熱時間が、例えば、１０分間以上、好ましくは、３０分間以上であり、また、例えば、３００分間以下、好ましくは、１８０分間以下である。圧力は、特に限定されず、例えば、０．１ＭＰａ以上、好ましくは０．５ＭＰａ以上であり、また、例えば、１０ＭＰａ以下、好ましくは、５ＭＰａ以下である。

半導体素子封止用シート１は、一旦軟化して、複数の半導体素子３を埋設する。換言すれば、複数の半導体素子３が半導体素子封止用シート１に埋め込まれる。

半導体素子封止用シート１の第１面６は、半導体素子３の上面および周側面を被覆するとともに、実装面８における露出領域１２に接触する。

これによって、複数の半導体素子３が半導体素子封止用シート１によって封止される。また、基板２における露出領域１２は、半導体素子封止用シート１によって接触（密着）されている。

なお、第２面７では、第２剥離シート１７との接触状態が継続している。

なお、複数の半導体素子３を封止し、基板２の露出領域１２に接触する半導体素子封止用シート１は、すでに加熱により熱硬化（完全硬化）（Ｃステージ）状態となっている。そのため、半導体素子封止用シート１は、硬化体シート５となる。硬化体シート５は、半導体素子封止用シート１の硬化物である。

図２Ｃの矢印および仮想線で示すように、その後、第２剥離シート１７を硬化体シート５の第２面７から剥離する。つまり、第２面７を露出させる。

その後、半導体素子封止用シート１（あるいは硬化体シート５）は、熱硬化をより一層進行させたい場合には、平板プレスから下ろし、別の加熱炉に投入する。

硬化体シート５の第２面７の最大高さＲｚは、４μｍ以上であり、好ましくは、５μｍ以上、より好ましくは、６μｍ以上、さらに好ましくは、７μｍ以上、とりわけ好ましくは、８μｍ以上であり、また、１５μｍ以下、好ましくは、１０μｍ以下、より好ましくは、９μｍ以下である。

第２面７の最大高さＲｚは、ＪＩＳ Ｂ ０６５１（２００１）に基づいて、算出される。

第２面７の最大高さＲｚは、第２剥離シート１７の表面形状（表面状態）、無機フィラーの種類、形状、配合割合（第１フィラーおよび第２フィラーの配合割合を含む）、半導体素子封止用シート１の硬化条件（加熱条件など）などに応じて、決定される。

第２面７の最大高さＲｚが上記した上限を上回れば、第２面７にダイシングテープ３０を接触させ、その後、複数の半導体素子３を個片化するように、硬化体シート５をダイシングする際、硬化体シート５が、意図せずに、半導体素子３とともに、ダイシングテープ３０から離間してしまう。

一方、第２面７の最大高さＲｚが上記した下限を下回れば、硬化体シート５とダイシングテープ３０との密着力が過度に高くなり、そのため、硬化体シート５を備える半導体素子パッケージ４を、ピックアップ装置３６などでダイシングテープ３０から引き上げることができない。

硬化体シート５の第２面７の粗さ曲線要素の平均長さＲＳｍは、４μｍ以上であり、好ましくは、４．２以上、より好ましくは、４．４μｍ以上であり、また、２５μｍ以下、好ましくは、２０μｍ以下、より好ましくは、１５μｍ以下、さらに好ましくは、１０μｍ以下、とりわけ好ましくは、５μｍ未満、さらには、４．９μｍ以下、さらには、４．８μｍ以下、さらには、４．７μｍ以下である。

第２面７の粗さ曲線要素の平均長さＲＳｍは、ＪＩＳ Ｂ ０６５１（２００１）に基づいて、算出される。

第２面７の粗さ曲線要素の平均長さＲＳｍは、第２剥離シート１７の表面形状（表面状態）、無機フィラーの種類、形状、配合割合（第１フィラーおよび第２フィラーの配合割合を含む）、半導体素子封止用シート１の硬化条件（加熱条件など）などに応じて、決定される。

第２面７の粗さ曲線要素の平均長さＲＳｍが上記した上限を上回れば、第２面７にダイシングテープ３０を接触させ、その後、複数の半導体素子３を個片化するように、硬化体シート５をダイシングする際、硬化体シート５が、意図せずに、半導体素子３とともに、ダイシングテープ３０から離間してしまう。

一方、第２面７の粗さ曲線要素の平均長さＲＳｍが上記した下限を下回れば、硬化体シート５とダイシングテープ３０との密着力が過度に高くなり、そのため、硬化体シート５を備える半導体素子パッケージ４を、ピックアップ装置３６などでダイシングテープ３０から引き上げることができない。

また、硬化体シート５の第２面７の平均長さＲＳｍの、最大高さＲｚに対する比（ＲＳｍ／Ｒｚ）は、例えば、０．１以上、好ましくは、０．３以上、より好ましくは、０．５以上、さらに好ましくは、０．５超過、さらには、０．７以上、さらには、０．９以上であり、また、例えば、１．１以下、好ましくは、１以下である。

上記した比が上記した下限以上、上限以下であれば、第２面７にダイシングテープ３０を接触させ、その後、複数の半導体素子３を個片化するように、硬化体シート５をダイシングする際、硬化体シート５が、意図せずに、半導体素子３とともに、ダイシングテープ３０から離間してしまうことを抑制しながら、硬化体シート５を備える半導体素子パッケージ４を、確実に、ピックアップ装置３６などでダイシングテープ３０から引き上げることができる。

また、硬化体シート５は、半導体素子３を確実に封止できる靱性を有しており、具体的には、硬化体シート５の２５℃における引張貯蔵弾性率Ｅ’は、例えば、１ＧＰａ以上、好ましくは、５ＧＰａ以上であり、また、例えば、２０ＧＰａ以下、好ましくは、１０ＧＰａ以下、より好ましくは、５ＧＰａ以下である。硬化体シート５の２５℃の引張貯蔵弾性率Ｅ’は、モード：引張、走査温度：０～２６０℃、周波数：１Ｈｚ、昇温速度：１０℃／分で動的粘弾性測定を実施して求められる。

硬化体シート５の引張貯蔵弾性率Ｅ’が上記した下限以上であれば、硬化体シート５の半導体素子３に対する優れた封止性を確保することができる。硬化体シート５の引張貯蔵弾性率Ｅ’が上記した上限以下であれば、硬化体シート５が、その硬度に基づいてダイシングテープ３０から意図せずに剥離することを抑制することができる。

これにより、基板２、複数の半導体素子３および硬化体シート５を備える半導体素子パッケージ集合体１４を得ることができる。

なお、図２Ｃに示す半導体素子パッケージ集合体１４は、図３Ｃに示し、次に説明する切断後の半導体素子パッケージ４ではなく、具体的には、基板２および硬化体シート５を切断する前であり、複数の半導体素子３が個片化される前であり、つまり、複数の半導体素子３を有する。

その後、半導体素子パッケージ集合体１４をダイシングテープ３０に配置する。具体的には、まず、図３Ａの仮想線および矢印で示すように、半導体素子パッケージ集合体１４を、第２剥離シート１７から基材の一例としてのダイシングテープ３０に移し替える。つまり、半導体素子パッケージ集合体１４を、第２剥離シート１７からダイシングテープ３０に転写する。

具体的には、図２Ｃの矢印で示すように、まず、第２剥離シート１７を、硬化体シート５の第２面７から剥離する。続いて、図３Ａに示すように、半導体素子パッケージ集合体１４を上下反転して、ダイシングテープ３０に対して対向配置する。このとき、第２面７を、ダイシングテープ３０の感圧接着面（粘着面）３１に接触させる。

ダイシングテープ３０は、支持板３２と、支持板３２に支持される感圧接着層３３とを厚み方向に順に備える。

支持板３２は、面方向に沿う板形状を有する。支持板３２の材料としては、靱性を有する材料が挙げられ、例えば、第１剥離シート１６および第２剥離シート１７で例示した樹脂、金属が挙げられ、好ましくは、樹脂が挙げられる。

感圧接着層３３は、支持板３２の一面（主面）に配置されており、面方向に沿うシート形状を有する。感圧接着層３３は、ダイシングテープ３０における感圧接着面３１を形成する。感圧接着層３３の材料としては、アクリル系感圧接着剤などの感圧接着剤が挙げられる。

ダイシングテープ３０は、後述するダイシングにおいて半導体素子パッケージ集合体１４（半導体素子パッケージ４）が剥離することなく支持する一方、切断後の半導体素子パッケージ４が所望の条件（あるいは所望のタイミング）で剥離することを許容する剥離接着性を有する。ダイシングテープ３０の封止樹脂に対する剥離接着力（２５℃）は、例えば、０．０１Ｎ／５ｍｍ以下、好ましくは、０．０３Ｎ／５ｍｍ以上であり、また、例えば、０．０７Ｎ／５ｍｍ以下、好ましくは、０．０５Ｎ／５ｍｍ以下である。

その後、図３Ｂに示すように、半導体素子パッケージ集合体１４を、複数の半導体素子３のそれぞれに対応して、個片化する。半導体素子パッケージ集合体１４は、第２面７がダイシングテープ３０に支持される状態で、個片化される。つまり、複数の半導体素子３を備える半導体素子パッケージ集合体１４が、単数の半導体素子３を備える半導体素子パッケージ４に個片化されて、複数の半導体素子パッケージ４が得られる。

図３Ｂに示すように、複数の半導体素子３のそれぞれの周囲の硬化体シート５および基板２を、例えば、ダイシングソー（あるいはダイシングブレード）２５などの切断装置によって、切断（ダイシング）する。ダイシングソー２５は、例えば、基板２の対向面９から硬化体シート５の第２面７に向かって、基板２および硬化体シート５に進入する。

その後、個片化された半導体素子パッケージ４を、ピックアップ装置（図示せず）などを用いて、別の箇所に搬送する。

例えば、把持部３５および押圧部３４を備えるピックアップ装置３６によって、半導体素子パッケージ４を、ダイシングテープ３０から引き上げる。

把持部３５としては、例えば、吸引機構（図示せず）を備えるヘッドなどが挙げられる。

押圧部３４としては、例えば、厚み方向に延びる針部材などが挙げられる。

ピックアップ装置３６は、押圧部３４が各半導体素子パッケージ４を下側から上側（ダイシングテープ３０から半導体素子パッケージ４に向かう方向）に向かって押し上げた後、把持部３５が硬化体シート５の対向面９に接触して、図示しない移動装置による上側への移動によって、半導体素子パッケージ４における硬化体シート５の対向面８と、ダイシングテープ３０の感圧接着面３１（感圧接着層３３の表面）とを離間させる。

そして、この半導体素子封止用シート１では、半導体素子封止用シート１では、半導体素子パッケージ５の第２面７の最大高さＲｚまたは粗さ曲線要素の平均長さＲＳｍが、上記した上限以下であるので、硬化体シート５の加工時、具体的には、硬化体シート５を切断加工するときには、硬化体シート５とダイシングテープ３０との接触を確保することができる。つまり、硬化体シート５の切断加工時に、硬化体シート５がダイシングテープ３０に確実に感圧固定される。換言すれば、硬化体シート５がダイシングテープ３０から飛び出すこと（シート飛びの発生）（あるいは、硬化体シート５が半導体素子３とともに飛び出す素子飛び）（またはチップ飛び）を抑制することができる。そのため、硬化体シート５を、半導体素子３を封止しながら、ダイシングテープ３０で支持しながら、それらを確実に取り扱うことができる。

一方、硬化体シート５の第２面７の最大高さＲｚまたは粗さ曲線要素の平均長さＲＳｍが、上記した下限以上であるので、硬化体シート５の搬送時、具体的には、半導体素子パッケージ４をピックアップ装置３６により引き上げるときには、硬化体シート５をダイシングテープ３０から確実に剥離して、所望の箇所に搬送することができる。

そのため、この硬化体シート５は、ダイシングテープ３０で支持されながら、その後、ダイシングテープ３０から確実に剥離される。

その結果、硬化体シート５は、搬送性および取扱性の両方に優れる。

＜変形例＞
以下の各変形例において、上記した一実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。また、各変形例は、特記する以外、一実施形態と同様の作用効果を奏することができる。さらに、一実施形態および変形例は、適宜組み合わせることができる。

図示しないが、半導体素子封止用シート１により、単数の半導体素子３を封止することもできる。この場合には、単数の半導体素子３を封止した硬化体シート５を、ダイシングテープ３０で固定（密着）しながら、半導体素子３に対応するように、硬化体シート５および基板２を、ダイシングソー２５などで、外形加工する。

また、一実施形態では、封止用シートの一例として半導体素子封止用シート１を挙げて、電子素子の一例としての半導体素子３を封止しているが、これに限定されず、例えば、図示しないが、他の電子素子を封止する電子素子封止用シートであってもよい。この場合には、電子素子封止用シートを用いて、電子素子を封止して、電子素子パッケージ集合体および電子素子パッケージを順次製造することができる。

以下に実施例および比較例を示し、本発明をさらに具体的に説明する。なお、本発明は、何ら実施例および比較例に限定されない。また、以下の記載において用いられる配合割合（割合）、物性値、パラメータなどの具体的数値は、上記の「発明を実施するための形態」において記載されている、それらに対応する配合割合（割合）、物性値、パラメータなど該当記載の上限（「以下」、「未満」として定義されている数値）または下限（「以上」、「超過」として定義されている数値）に代替することができる。

実施例および比較例で使用した各成分、シートなどを以下に示す。

エポキシ樹脂：新日鐵化学社製のＹＳＬＶ－８０ＸＹ（ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（２官能エポキシ樹脂）、エポキシ当量２００ｇ／ｅｑ．軟化点８０℃）
硬化剤：群栄化学社製のＬＶＲ－８２１０ＤＬ（ノボラック型フェノール樹脂、エポキシ樹脂硬化剤、水酸基当量：１０４ｇ／ｅｑ．、軟化点：６０℃）
硬化促進剤：四国化成工業社製の２ＰＨＺ－ＰＷ（２－フェニル－４，５－ジヒドロキシメチルイミダゾール）、エポキシ樹脂硬化促進剤
第１フィラー：デンカ社製のＦＢ－８ＳＭ（球状溶融シリカ粉末（無機フィラー）、平均粒子径１５μｍ）
第２フィラー：アドマテックス社製のＳＣ２２０Ｇ－ＳＭＪ（平均粒径０．５μｍ）を３－メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン（信越化学社製の製品名：ＫＢＭ－５０３）で表面処理した無機フィラー。ＳＣ２２０Ｇ－ＳＭＪ １００質量部に対して１質量部のシランカップリング剤で表面処理した無機フィラー。

熱可塑性樹脂：根上工業社製のＨＭＥ－２００６Ｍ、カルボキシル基含有のアクリル酸エステルコポリマー、重量平均分子量：６０万、固形分濃度２０質量％のメチルエチルケトン溶液
顔料：三菱化学社製の＃２０（カーボンブラック）
シランカップリング剤：信越化学社製のＫＢＭ－４０３（３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン）
ＲＦ２：品番（ＲＦ２・ＰＥＴ７５ｃｓＡＭ８Ｕ）（第２剥離シート、最大高さＲｚ８．８μｍ、平均長さＲＳｍ４．５μｍ、アイム工業株式会社製）
ＥＸＰ：品番（ＥＸＰ－ＬＣＭ－０１）（第２剥離シート、最大高さＲｚ４．７μｍ、平均長さＲＳｍ４．５μｍ、開成工業株式会社製）
ＳＨＰ：品番（ＰＥＴ－７５－ＳＨＰ－Ａ０）（第２剥離シート、最大高さＲｚ２．２μｍ、平均長さＲＳｍ２．７μｍ、株式会社フジコー製）
Ｕ７０：品番（Ｕ７０－５０－２８０－１５０）（第２剥離シート、最大高さＲｚ４μｍ、平均長さＲＳｍ４．５μｍ、帝人フィルムソリューション社製）
ＭＲＡ：品番（ＭＲＡ３８）（第２剥離シート、最大高さＲｚ２．４μｍ、平均長さＲＳｍ１．５μｍ、三菱樹脂株式会社製）
ＮＴ：品番（ＮＴ－０１）（第２剥離シート、最大高さＲｚ１８．５μｍ、平均長さＲＳｍ１２７．６μ、株式会社きもと社製）

実施例１～５および比較例１～３
表１に記載の配合処方に従い、各成分をメチルエチルケトンに溶解および分散させ、ワニスを得た。ワニスの固形分濃度は、８０質量％であった。

ワニスを第１剥離シート１６の表面に塗布した後、１１０℃で、５分間乾燥させた。これにより、厚み２６０μｍの半導体素子封止用シート１を製造した。その後、半導体素子封止用シート１の第２面７に、第２剥離シート１７を配置した。

その後、半導体素子封止用シート１を、１５０℃で、１時間加熱して、硬化体シート５を調製した。

［物性］
硬化体シート５について、下記の物性を評価した。その結果を表１に記載する。

（最大高さＲｚ、および、粗さ曲線要素の平均長さＲＳｍ）
硬化体シート５の第２面７について、最大高さｓｚ、および、粗さ曲線要素の平均長さＲＳｍを測定した。また、硬化体シート５の第２面７の平均長さＲＳｍの、最大高さＲｚに対する比（ＲＳｍ／Ｒｚ）を算出した。

具体的には、Ｌａｓｅｒｔｅｃ社製の共焦点顕微鏡（ＯＰＴＥＬＩＣＳ Ｈ３００）を用いて、上記した各項目を測定した。

（引張貯蔵弾性率Ｅ’）
硬化体シート５を、縦０．１ｃｍ、横５ｃｍに外形加工して、２５℃における引張貯蔵弾性率Ｅ’を求めた。

測定装置および測定条件の詳細は、以下の通りである。

測定装置：固体粘弾性測定装置（形式：ＲＳＡ－Ｇ２、ティー・エイ・インスツルメンツ社製）
モード：引張
走査温度：０～２６０℃
周波数：１Ｈｚ
歪み：０．０５％
昇温速度：１０℃／分
［硬化体シートの評価］
硬化体シート５について、下記の項目を評価した。その結果を表１に記載する。

（シート飛び試験、および、ピックアップ試験）
硬化体シート５を、ダイシングテープ３０（ＮＢＤ－５１７２Ｋ、日東電工株式会社製）に貼り合わせて、続いて、ダイシングソー２５（ダイシングブレード、ブレード幅２００μｍ幅、直径５４ｍｍ、ＤＦＤ６３６１、Ｄｉｓｃｏ株式会社製）を用いて、ダイシングソー２５の移動速度３０ｍｍ／ｓｅｃ、回転数４００００ｒｐｍ、ＰＫＧサイズ２ｍｍ×２ｍｍ、水量１．５Ｌ／ｍｉｎで、ダイシング（切断加工）した。

そして、下記の基準に従って、硬化体シート５がダイシングテープ３０から飛び出したこと（シート飛び）を評価した。
○：硬化体シート５をダイシングしているときに、硬化体シート５がダイシングテープ３０から全く剥離しなかった（シート飛びが生じなかった）。
△：シート飛びが、１０％以下の割合で、発生した。
×：シート飛びが、１０％超過、１００％以下の割合で、発生した。

その後、把持部３５および押圧部３４を備えるピックアップ装置３６（ＳＰＡ－３００、新川株式会社製）を用いて、１０個の半導体素子パッケージ４をダイシングテープ３０から剥離することを試みた。

そして、剥離できた半導体素子パッケージ４の数により、下記の基準に従って評価した。
◎：１０個全部の半導体素子パッケージ４を、ピックアップ装置３６によって、ダイシングテープ３０から剥離できた。
○：７個以上、９個以下の半導体素子パッケージ４を、ピックアップ装置３６によって、ダイシングテープ３０から剥離できた。
△：５個以上、６個以下の半導体素子パッケージ４を、ピックアップ装置３６によって、ダイシングテープ３０から剥離できた。
×：１個以上４個以下の半導体素子パッケージ４を、ピックアップ装置３６によって、ダイシングテープ３０から剥離できた、あるいは、１０個全部の半導体素子パッケージ４を、ピックアップ装置３６によって、ダイシングテープ３０から剥離できなかった。

表１中、特記しない場合には、数値は、配合部数である。

１ 半導体素子封止用シート（封止用シートの一例）
３ 半導体素子（電子素子の一例）
５ 硬化体シート
６ 第１面（一方面の一例）
７ 第２面（他方面の一例）
３０ ダイシングテープ（基材の一例）
Ｒｚ 最大高さ
ＲＳｍ 粗さ曲線要素の平均長さ

Claims (4)

1. 電子素子に接触する一方面と、前記一方面と厚み方向に間隔を隔てて対向し、基材に接触する他方面とを有する封止用シートであり、
   前記封止用シートの硬化物である硬化体シートの前記他方面の最大高さＲｚが、４μｍ以上、９μｍ以下であることを特徴とする、封止用シート。
2. 電子素子に接触する一方面と、前記一方面と厚み方向に間隔を隔てて対向し、基材に接触する他方面とを有する封止用シートであり、
   前記封止用シートの硬化物である硬化体シートの前記他方面の粗さ曲線要素の平均長さＲＳｍが、４μｍ以上、２５μｍ以下であることを特徴とする、封止用シート。
3. 前記硬化体シートの前記他方面の粗さ曲線要素の平均長さＲＳｍの、前記硬化体シートの前記他方面の最大高さＲｚに対する比（ＲＳｍ／Ｒｚ）が、０．５以上、１以下であることを特徴とする、請求項１または２に記載の封止用シート。
4. 熱硬化性成分と、無機フィラーとを含有し、
   前記無機フィラーは、
   第１フィラーと、
   前記第１フィラーの平均フィラー径より小さい平均フィラー径を有する第２フィラーとを含有し、
   前記第２フィラーの前記第１フィラー１００質量部に対する配合部数が、５０質量部以上、１００質量部未満であることを特徴とする、請求項１～３のいずれか一項に記載の封止用シート。

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