CN107039361A - 电子器件密封用片和电子器件封装件的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的课题在于提供一种激光标记后的部分的观察性优异的电子器件密封用片。本发明的解决手段在于一种电子器件密封用片，其具有表面粗糙度Ra为0.3μm以上的第1面和表面粗糙度Ra为0.1μm以下的第2面。

Description

电子器件密封用片和电子器件封装件的制造方法
技术领域
本发明涉及电子器件密封用片和电子器件封装件的制造方法。
背景技术
以往，作为电子器件封装件的制造方法，已知如下方法：用密封树脂将固定于基板等的1个或多个电子器件(例如，半导体芯片)密封后，切割密封体使得其成为电子器件单元的封装件。作为这样的密封树脂，例如，已知热固化性树脂片(例如，参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献：
专利文献1：日本特开2006-19714号公报
发明内容
发明要解决的课题
用如上述那样的电子器件封装件的制造方法来制造电子器件封装件时，优选预先对密封树脂进行激光标记、使得可以相互识别密封体、电子器件封装件。然而，密封树脂是用于进行密封的树脂，有时激光标记后的部分的观察性欠缺。
本发明鉴于上述课题而实施，其目的在于，提供激光标记后的部分的观察性优异的电子器件密封用片和使用了该密封用片的电子器件封装件的制造方法。
解决课题的方法
本申请发明人等发现通过采用下述的构成，可以解决上述的课题，从而完成了本发明。
即，本发明所涉及的电子器件密封用片的特征在于，具有
表面粗糙度Ra为0.3μm以上的第1面、
和表面粗糙度Ra为0.1μm以下的第2面。
根据上述构成，由于具有表面粗糙度Ra为0.3μm以上的第1面，因此若对第1面进行激光标记，则在进行了激光标记的部分与没有进行激光标记的部分之间容易产生对比。其结果是，激光标记后的部分的观察性优异。
此外，有时在热固化后进行激光标记。然而，若热固化前的表面粗糙度Ra为0.3μm以上，则在热固化后也会具有一定以上的表面粗糙度。因此，若热固化前的表面粗糙度Ra为0.3μm以上，则激光标记后的部分的观察性优异。
另外，由于具有表面粗糙度Ra为0.1μm以下的第2面，因此若将第2面贴附于被粘物，则可以抑制在贴附面产生空隙。
上述构成中，上述第1面的热固化后的表面粗糙度Ra优选为0.3μm以上。
若上述第1面的热固化后的表面粗糙度Ra为0.3μm以上，则激光标记后的部分的观察性更优异。
另外，本发明所涉及的电子器件封装件的制造方法的特征在于包含：
准备电子器件隔着凸块固定于被粘物上的层叠体的工序、
准备上述电子器件密封用片的工序、
以上述电子器件密封用片的上述第2面与上述电子器件接触的方式，将上述电子器件密封用片配置于上述层叠体的上述电子器件上的工序、
通过热压，将上述电子器件埋入上述电子器件密封用片的工序、和
在上述埋入工序后，使上述电子器件密封用片热固化而得到密封体的工序。
根据上述构成，由于使用了上述电子器件密封用片，因此若对第1面进行激光标记，则在进行了激光标记的部分与没有进行激光标记的部分之间容易产生对比。其结果是，激光标记后的部分的观察性优异。
另外，表面粗糙度Ra为0.1μm以下的第2面贴附于电子器件、被粘物，因此可以抑制在贴附面产生空隙。
上述构成中，优选得到上述密封体的工序后，上述第1面的表面粗糙度Ra为0.3μm以上。
得到上述密封体的工序后，若上述第1面的表面粗糙度Ra为0.3μm以上，则激光标记后的部分的观察性更优异。
附图说明
图1是本实施方式所涉及的电子器件密封用片的截面示意图。
图2是用于说明本实施方式所涉及的电子器件封装件的制造方法的截面示意图。
图3是用于说明本实施方式所涉及的电子器件封装件的制造方法的截面示意图。
图4是用于说明本实施方式所涉及的电子器件封装件的制造方法的截面示意图。
图5是用于说明本实施方式所涉及的电子器件封装件的制造方法的截面示意图。
图6是用于说明本实施方式所涉及的电子器件封装件的制造方法的截面示意图。
图7是用于说明本实施方式所涉及的电子器件封装件的制造方法的截面示意图。
具体实施方式
以下，对本发明的实施方式边参照附图边进行说明。但是，本发明不仅限于这些实施方式。
图1是本实施方式所涉及的电子器件密封用片的截面示意图。如图1所示，本实施方式所涉及的电子器件密封用片11(以下，也称为“密封用片11”)具有第1面11a和第2面11b。第2面11b是与第1面11a相反侧的面。在电子器件封装件的制造方法的项目中详细地说明，第1面11a为激光标记侧的面。第2面11b为将电子器件埋入侧的面，为被贴附于被粘物的面。
第1面11a的表面粗糙度Ra为0.3μm以上，优选为0.8μm以上，更优选为1.0μm以上。第1面11a的表面粗糙度Ra为0.5μm以上，因此若对第1面11a进行激光标记，则进行了激光标记的部分与没有进行激光标记的部分之间容易产生对比。其结果是，激光标记后的部分的观察性优异。
此外，有时在热固化后进行激光标记。然而，若热固化前的表面粗糙度Ra为0.3μm以上，则在热固化后也会具有一定以上的表面粗糙度。因此，若热固化前的表面粗糙度Ra为0.3μm以上，则激光标记后的部分的观察性优异。
另外，从外观性的观点考虑，第1面11a的表面粗糙度Ra优选为3.0μm以下，更优选为2.0μm以下。
第2面11b的表面粗糙度Ra为0.1μm以下，优选为0.08μm以下，更优选为0.05μm以下。第2面11b的表面粗糙度Ra为0.1μm以下，因此若将第2面11b贴附于被粘物，则可以抑制在贴附面产生空隙。
另外，第2面11b的表面粗糙度Ra越小越优选，例如为0.01μm以上。
表面粗糙度Ra的测定方法基于实施例中记载的方法。
例如，在第1面11a层叠隔片11c时，可以通过隔片11c的表面粗糙度来控制第1面11a的表面粗糙度Ra。另外，在密封用片11中含有无机填充剂时，可以通过无机填充剂的含量、粒径(平均粒径)来控制第1面11a的表面粗糙度Ra。
同样地，例如，在第2面11b层叠隔片11d的情况下，可以通过隔片11d的表面粗糙度来控制第2面11b的表面粗糙度Ra。另外，在密封用片11中含有无机填充剂时，可以通过无机填充剂的含量、粒径(平均粒径)来控制第2面11b的表面粗糙度Ra。
在第1面11a层叠有隔片11c。隔片11c的第1面11a侧的表面粗糙度Ra优选为0.5μm以上，更优选为1.0μm以上。隔片11c的表面形状被某种程度转印于第1面11a。因此，若隔片11c的第1面11a侧的表面粗糙度Ra为0.5μm以上，则在密封用片11的制造时，容易将第1面11a的表面粗糙度设为0.3μm以上。从所制造的密封用片11的外观的观点考虑，隔片11c的第1面11a侧的表面粗糙度Ra优选为3.0μm以下，更优选为2.0μm以下。
在第2面11b层叠有隔片11d。隔片11d的第2面11b侧的表面粗糙度Ra优选为0.1μm以下，更优选为0.05μm以下。隔片11d的表面形状被某种程度转印于第2面11b。因此，若隔片11d的第2面11b侧的表面粗糙度Ra为0.1μm以下，则在密封用片11的制造时，容易将第2面11b的表面粗糙度设为0.1μm以下。隔片11d的第2面11b侧的表面粗糙度Ra越小越优选，但例如为0.01μm以上。
作为隔片11c和隔片11d的材质，没有特别限定，可举出例如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚甲基戊烯、聚乙烯、聚丙烯等。
为了容易进行剥离，就隔片11c和隔片11d而言，可以对与密封用片11接触的一侧的面进行脱模处理。例如，可以通过硅酮系脱模剂、氟系脱模剂、长链烷基丙烯酸酯系脱模剂等剥离剂进行表面涂布。
本实施方式中，对在电子器件密封用片的两侧的面层叠有隔片的情况进行说明，但若本发明的电子器件密封用片具有表面粗糙度Ra为0.3μm以上的第1面和表面粗糙度Ra为0.1μm以下的第2面，则不限于该例子。例如，既可以不在第1面也可以不在第2面层叠隔片。另外，也可以仅在第1面层叠隔片，在第2面不层叠隔片。另外，也可以仅在第2面层叠隔片，在第1面不层叠隔片。
密封用片11优选含有环氧树脂和酚醛树脂。由此，能够得到良好的热固化性。
作为环氧树脂，没有特别限定。例如可以使用：三苯甲烷型环氧树脂、甲酚线性酚醛型环氧树脂、联苯型环氧树脂、改性双酚A型环氧树脂、双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、改性双酚F型环氧树脂、二环戊二烯型环氧树脂、苯酚线性酚醛型环氧树脂、苯氧基树脂等各种环氧树脂。这些环氧树脂可以单独使用，也可以两种以上并用。
从确保环氧树脂固化后的韧性和环氧树脂反应性的观点出发，优选环氧当量为150～250、软化点或熔点为50～130℃的在常温下为固形的树脂，其中，从成型性和可靠性的观点出发，更优选双酚F型环氧树脂、双酚A型环氧树脂、联苯型环氧树脂。
酚醛树脂只要是能与环氧树脂之间发生固化反应的树脂就没有特别限定。例如可以使用：苯酚线性酚醛树脂、苯酚芳烷基树脂、联苯芳烷基树脂、二环戊二烯型酚醛树脂、甲酚线性酚醛树脂、甲阶树脂等。这些酚醛树脂可以单独使用，也可以两种以上并用。
作为酚醛树脂，从与环氧树脂的反应性的观点出发，优选使用羟基当量为70～250、软化点为50～110℃的树脂，其中，从固化反应性高且价格便宜的观点出发，可以适宜使用苯酚线性酚醛树脂。此外，从可靠性的观点出发，还可以适当地使用苯酚芳烷基树脂、联苯芳烷基树脂这样的低吸湿性酚醛树脂。
环氧树脂与酚醛树脂的配合比例，从固化反应性的观点出发，相对于环氧树脂中的环氧基1当量，优选使酚醛树脂中的羟基合计为0.7～1.5当量进行配合，更优选为0.9～1.2当量。
密封用片11中的环氧树脂和酚醛树脂的总含量下限优选为5.0重量％以上，更优选为7.0重量％以上。如果为5.0重量％以上，则能够良好地获得对电子器件、被粘物等的粘接力。另一方面，上述总含量的上限优选为25重量％以下，更优选为20重量％以下。如果为25重量％以下，则能够降低密封用片的吸湿性。
密封用片11优选含有热塑性树脂。由此，能够使得到的密封用片的耐热性、挠性、强度得到提高。
作为热塑性树脂，可以列举：天然橡胶、丁基橡胶、异戊二烯橡胶、氯丁橡胶、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯树脂、聚碳酸酯树脂、热塑性聚酰亚胺树脂、6-尼龙或6,6-尼龙等聚酰胺树脂、苯氧基树脂、丙烯酸系树脂、PET或PBT等饱和聚酯树脂、聚酰胺酰亚胺树脂、氟树脂、苯乙烯-异丁烯-苯乙烯嵌段共聚物等。这些热塑性树脂可以单独使用，或者两种以上并用。其中，从容易得到挠性、与环氧树脂的分散性良好的观点出发，优选丙烯酸系树脂。
作为上述丙烯酸系树脂，没有特别限定，可以举出以一种或两种以上的丙烯酸或甲基丙烯酸的酯为成分的聚合物(丙烯酸系共聚物)等，其中，丙烯酸或甲基丙烯酸的酯是具有碳原子数30以下、特别是碳原子数4～18的直链或支链烷基的丙烯酸或甲基丙烯酸的酯。作为上述烷基，例如可列举：甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、异丁基、戊基、异戊基、己基、庚基、环己基、2-乙基己基、辛基、异辛基、壬基、异壬基、癸基、异癸基、十一烷基、月桂基、十三烷基、十四烷基、硬脂基、十八烷基或十二烷基等。
上述丙烯酸系树脂的玻璃化转变温度(Tg)优选为50℃以下，更优选为-70～20℃，进一步优选为-50～0℃。通过设定为50℃以下，可以使片材具有挠性。
上述丙烯酸系树脂之中，优选重均分子量为5万以上的树脂，更优选为10万～200万的树脂，进一步优选为30万～160万的树脂。如果在上述数值范围内，则能够进一步提高密封用片11的粘度和挠性。需要说明的是，重均分子量是利用GPC(凝胶渗透色谱)法测定并通过聚苯乙烯换算而得到的值。
另外，作为形成上述聚合物的其他单体，没有特别限定，例如可列举：丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧乙酯、丙烯酸羧戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸或巴豆酸等这样的含羧基单体、马来酸酐或衣康酸酐等这样的酸酐单体、(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羟基己酯、(甲基)丙烯酸8-羟基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羟基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羟基月桂酯或丙烯酸(4-羟甲基环己基)甲酯等这样的含羟基单体、苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯或(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸等这样的含磺酸基单体、或者2-羟乙基丙烯酰基磷酸酯等这样的含磷酸基单体。其中，从与环氧树脂反应而能够提高密封用片11的粘度的观点出发，优选含有含羧基单体、含缩水甘油基(环氧基)单体、含羟基单体中的至少一种。
密封用片11中热塑性树脂的含量优选为0.5重量％以上，更优选为1.0重量％以上。如果上述含量为0.5重量％以上，则能得到密封用片的柔软性、挠性。密封用片11中热塑性树脂的含量优选为10重量％以下，更优选为5重量％以下。如果为10重量％以下，则密封用片对于电子器件、基板的粘接性良好。
密封用片11优选含有无机填充剂。若含有无机填充剂，则可以根据无机填充剂的含量、粒径(平均粒径)来控制密封用片11的第1面11a、第2面11b的表面粗糙度Ra。特别是在密封用片11的第1面11a层叠有隔片11c时，可以通过隔片11c的表面粗糙度Ra、无机填充剂的含量和粒径的选择来控制第1面11a的表面粗糙度Ra。另外，在密封用片11的第2面11b层叠有隔片11d的情况下，可以通过隔片11d的表面粗糙度Ra和无机填充剂的含量和粒径的选择来控制第2面11b的表面粗糙度Ra。
上述无机填充剂没有特别限定，可以使用现有公知的各种填充剂，例如可列举：石英玻璃、滑石、二氧化硅(熔融二氧化硅、结晶性二氧化硅等)、氧化铝、氮化铝、氮化硅、氮化硼的粉末。它们可以单独使用，也可以两种以上并用。其中，从能够良好地降低线性膨胀系数的理由出发，优选二氧化硅、氧化铝，更优选二氧化硅。
作为二氧化硅，优选二氧化硅粉末，更优选熔融二氧化硅粉末。作为熔融二氧化硅粉末，可以列举：球状熔融二氧化硅粉末、破碎熔融二氧化硅粉末，从流动性的观点出发，优选球状熔融二氧化硅粉末。
密封用片11优选在69～86体积％的范围内含有无机填充剂。上述含量更优选为75体积％以上，进一步优选为78体积％以上。如果在69～86体积％的范围内含有无机填充剂，则可以使热膨胀系数接近电子器件(例如，后述的SAW芯片13)。其结果，能够抑制封装件的翘曲。进一步，如果在69～86体积％的范围内含有无机填充剂，则可以降低吸水率。
上述无机填充剂是二氧化硅时，上述无机填充剂的含量也可以以“重量％”为单位来说明。密封用片11中二氧化硅的含量优选为80～92重量％，更优选为85～92重量％。
优选使用平均粒径在50μm以下范围的无机填充剂，更优选使用0.1～20μm范围的无机填充剂，特别优选使用0.5～10μm范围的无机填充剂。
另外，作为上述无机填充剂，也可以使用两种以上平均粒径不同的无机填充剂。使用两种以上平均粒径不同的无机填充剂时，上述的“无机填充剂的平均粒径为50μm以下”是指无机填充剂整体的平均粒径为50μm以下。
若使用平均粒径50μm以下的范围的无机填充剂，则变得容易将第1面11a的表面粗糙度Ra设为0.3μm以上、且将第2面11b的表面粗糙度Ra设为0.1μm以下。
上述无机填充剂的形状没有特别限定，可以是球状(包括椭球体状)、多面体状、多棱柱状、扁平状、不定形状等任意形状，但从高填充状态的实现、适度的流动性的观点出发，优选球状。
密封用片11中含有的上述无机填充剂优选在利用激光衍射散射法测定的粒度分布中具有两个峰。例如可以通过混合两种平均粒径不同的无机填充剂得到这样的无机填充剂。如果使用粒度分布中具有两个峰的无机填充剂，则可高密度填充无机填充剂。其结果，能够更加提高无机填充剂的含量。
上述两个峰没有特别限定，优选粒径较大一侧的峰在3～30μm的范围内，粒径较小一侧的峰在0.1～1μm的范围内。如果上述两个峰在上述数值范围内，则能够更加提高无机填充剂的含量。
具体而言，上述粒度分布可以通过下面的方法得到。
(a)将密封用片11投入坩锅，在大气气氛下，700℃下灼烧2小时使其灰化。
(b)使得到的灰分分散至纯水中，超声波处理10分钟，利用激光衍射散射式粒度分布测量装置(贝克曼库尔特公司制、“LS 13 320”；湿式法)求出粒度分布(体积基准)。
需要说明的是，作为密封用片11的组成，除了无机填充剂之外为有机成分，通过上述的灼烧处理实际上全部的有机成分已被烧掉，因此将得到的灰分视为无机填充剂进行测量。需要说明的是，平均粒径的计算与粒度分布也可以同时进行。
密封用片11的无机填充剂优选预先用硅烷偶联剂进行表面处理。
作为上述硅烷偶联剂，只要是具有甲基丙烯酰氧基或丙烯酰氧基且能够进行无机填充剂表面处理的物质，就没有特别限定。作为上述硅烷偶联剂的具体例子，可列举：3-甲基丙烯酰氧基丙基甲基二甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基三乙氧基硅烷、甲基丙烯酰氧基辛基三甲氧基硅烷、甲基丙烯酰氧基辛基三乙氧基硅烷。其中，从反应性和成本的观点出发，优选3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷。
用硅烷偶联剂处理无机填充剂的表面时，会产生逸出气体(例如，甲醇)。因此，在制作密封用片11的前阶段就预先用硅烷偶联剂对无机填充剂进行表面处理的话，就可在此阶段中排除一定程度的逸出气体。其结果，在制作密封用片11时能够抑制封闭在片材内的逸出气体的量，可以减少空隙的产生。
密封用片11含有预先被作为硅烷偶联剂的具有甲基丙烯酰氧基或丙烯酰氧基的化合物进行了表面处理的无机填充剂时，相对于无机填充剂100重量份，上述无机填充剂优选预先用0.5～2重量份的硅烷偶联剂进行表面处理。
如果用硅烷偶联剂对无机填充剂进行表面处理的话，可以抑制密封用片11的粘度变得过大，但如果硅烷偶联剂的量多，则逸出气体的产生量也增加。因此，即使对无机填充剂预先进行了表面处理，在制作密封用片11时产生的逸出气体也会导致密封用片11的性能下降。另一方面，如果硅烷偶联剂的量少，则有时粘度变得过大。因此，相对于无机填充剂100重量份，如果用0.5～2重量份的硅烷偶联剂对无机填充剂预先进行表面处理的话，则在能够适当降低粘度的同时，还能够抑制逸出气体导致的性能下降。
密封用片11含有预先被作为硅烷偶联剂的具有甲基丙烯酰氧基或丙烯酰氧基的化合物进行了表面处理的无机填充剂、并且使用混合有两种平均粒径不同的无机填充剂的物质作为上述无机填充剂时，优选至少预先用硅烷偶联剂对平均粒径较小的无机填充剂进行表面处理。平均粒径较小的无机填充剂的比表面积更大，因此更能抑制粘度的上升。
另外，使用混合有两种平均粒径不同的无机填充剂的物质作为上述无机填充剂时，更优选预先用硅烷偶联剂对平均粒径较小的无机填充剂与较大的无机填充剂两者进行表面处理。在此情况下，更能进一步抑制粘度的上升。
密封用片11优选含有固化促进剂。
作为固化促进剂，只要是能使环氧树脂与酚醛树脂的固化推进的物质就没有特别限定，例如，可列举：三苯基膦、四苯基鏻四苯基硼酸盐等有机磷系化合物；2-苯基-4，5-二羟基甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羟基甲基咪唑等咪唑系化合物；等。其中，从反应性良好且固化物的Tg容易升高的理由出发，优选咪唑系化合物。咪唑系化合物中，在可以加快热固化时的粘度上升方面，优选2-苯基-4-甲基-5-羟基甲基咪唑。
相对于环氧树脂和酚醛树脂的总量100重量份，固化促进剂的含量优选为0.1～5重量份。
根据需要，密封用片11也可以含有阻燃剂成分。由此，能够减小因部件短路、发热等而起火时的燃烧扩大。作为阻燃剂组分，例如可以使用：氢氧化铝、氢氧化镁、氢氧化铁、氢氧化钙、氢氧化锡、复合化金属氢氧化物等各种金属氢氧化物；磷腈系阻燃剂等。
密封用片11优选含有颜料。作为颜料，没有特别限定，可以列举出炭黑等。
密封用片11中颜料的含量优选为0.1～2重量％。如果为0.1重量％以上，则能够获得良好的标记性。如果为2重量％以下，则能够确保固化后密封用片的强度。
需要说明的是，在树脂组合物中，除了上述各成分以外，还可以根据需要适当配合其它添加剂。
密封用片11的厚度没有特别限定，例如为100～2000μm。如果在上述范围内，则能够良好地密封电子器件。
密封用片11可以是单层结构，也可以是使组成不同的多个层层叠而成的多层结构。
[电子器件密封用片的制造方法]
密封用片11可由以下方法形成：在适当溶剂中将用于形成密封用片11的树脂等溶解、分散，制备清漆，以成为规定厚度的方式在隔片11c或隔片11d上涂布该清漆而形成涂膜后，在规定条件下干燥该涂膜。涂布方法没有特别限定，例如可列举：辊涂、丝网涂布、凹版涂布等。此外，作为干燥条件，例如在干燥温度70～160℃、干燥时间1～30分钟的范围内实施。之后，贴附另一个隔片。
另外，作为其他方法，在支承体上涂布上述清漆形成涂膜后，也可以在上述干燥条件下干燥涂膜形成密封用片11。随后，将密封用片11与支承体一起粘贴到隔片11c或11d上。随后，剥离支承体，贴附另一个隔片。特别是密封用片11含有热塑性树脂(丙烯酸系树脂)、环氧树脂、酚醛树脂时，将这些全部溶解至溶剂之后，再进行涂布、干燥。作为溶剂，可举出甲乙酮、乙酸乙酯、甲苯等。
另外，密封用片11可以通过混炼挤出来制造。作为通过混炼挤出来制造的方法，可举出例如：通过用混合辊、加压式捏合机、挤出机等公知的混炼机将用于形成密封用片11的各成分熔融混炼，由此制备混炼物，将得到的混炼物进行增塑加工而形成为片状的方法等。
具体地，不将熔融混炼后的混炼物冷却而直接在高温状态下进行挤出成形，由此可以形成密封用片。作为这样的挤出方法，没有特别限制，可举出T模头挤出法、辊轧制法、辊混炼法、共挤出法、压延成形法等。作为挤出温度，优选上述的各成分的软化点以上，若考虑环氧树脂的热固化性和成形性，则例如为40～150℃，优选为50～140℃，进一步优选为70～120℃。通过以上，可以形成密封用片11。
[电子器件封装件的制造方法]
本实施方式所涉及的电子器件封装件的制造方法至少包括：
准备电子器件隔着凸块固定于被粘物上的层叠体的工序、
准备电子器件密封用片的工序、
以电子器件密封用片的第2面与上述电子器件接触的方式，将上述电子器件密封用片配置于上述层叠体的上述电子器件上的工序、
通过热压，将上述电子器件埋入上述电子器件密封用片的工序、
和上述埋入工序后，使上述电子器件密封用片热固化而得到密封体的工序。
作为上述被粘物没有特别限制，可举出例如打印布线基板、陶瓷基板、硅基板、金属基板等。
作为上述电子器件，可举出传感器、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)、SAW(Surface Acoustic Wave)滤波器等具有中空结构的电子器件(中空型电子器件)；半导体芯片、IC(集积电路)，晶体管等半导体元件；电容器；电阻等。
以下，对本发明的电子器件封装件为中空型电子器件封装件的情况进行说明。中空型电子器件封装件是指在电子器件与被粘物之间存在中空部的电子器件封装件。然而，本发明的电子器件封装件不限于中空型电子器件封装件。本发明的电子器件封装件可以是在电子器件与被粘物之间填充有树脂等、不存在中空部的电子器件封装件。
具体地，在以下说明的本实施方式中，对通过密封用片11对搭载在印刷布线基板12上的SAW芯片13进行中空密封、制作中空封装件的情况进行说明。需要说明的是，SAW芯片13是指具有SAW(Surface Acoustic Wave)滤波器的芯片。即，本实施方式中对本发明的电子器件具有SAW(Surface Acoustic Wave)滤波器的芯片的情况进行说明。
图2～图7是用于说明本实施方式的电子器件封装件的制造方法的截面示意图。
(准备层叠体的工序)
本实施方式的中空封装件的制造方法中，首先，准备在印刷布线基板12上搭载有多个SAW芯片13(SAW滤波器13)的层叠体15(参照图2)。SAW芯片13可以通过利用公知方法对形成有规定梳状电极的压电晶体进行切割使其单片化而形成。在SAW芯片13搭载到印刷布线基板12中，可以使用倒装芯片接合机、芯片接合机等公知的装置。SAW芯片13与印刷布线基板12经由凸块13a进行电连接。此外，SAW芯片13与印刷布线基板12之间保持有中空部14，使得不会阻碍SAW滤波器表面的表面弹性波的传播。可以适当设定SAW芯片13与印刷布线基板12之间的距离(中空部的宽度)，通常为10～100μm左右。
(准备电子器件密封用片的工序)
另外，在本实施方式所涉及的电子器件封装件的制造方法中，准备密封用片11(参照图1)。
(配置电子器件密封用片的工序)
然后，如图3所示，在下侧加热板22上以固定有SAW芯片13的面朝上的方式配置层叠体15的同时，在SAW芯片13面上配置密封用片11。此时，在密封用片11的第2面11b层叠有隔片11d的情况下，剥离隔片11d后，以密封用片11的第2面11b与SAW芯片13接触的方式配置。在该工序中，首先在下侧加热板22上配置层叠体15，之后，可以在层叠体15上配置密封用片11，也可以在层叠体15上先层叠密封用片11，之后，将层叠有层叠体15和密封用片11的层叠物配置于下侧加热板22上。
(将电子器件埋入电子器件密封用片的工序)
接着，如图4所示，通过下侧加热板22和上侧加热板24进行热压，将SAW芯片13埋入密封用片11。下侧加热板22和上侧加热板24可以是平板压机所具备的构件。密封用片11作为用于保护SAW芯片13和附属于其的要素免受外部环境影响的密封树脂起作用。
具体地，作为将SAW芯片13埋入密封用片11时的热压条件，根据密封用片11的粘度等而不同，但温度优选为40～150℃，更优选为60～120℃，压力例如为0.1～10MPa，优选为0.2～5MPa，时间例如为0.3～10分钟，优选为0.5～5分钟。作为热压方法，可举出平行平板压制、辊压制。其中，优选平行平板压制。通过将热压条件设置在上述数值范围内，可以更适宜地将SAW芯片13埋入密封用片11。由于密封用片11的第2面11d的表面粗糙度Ra为0.1μm以下，因此可以抑制在与SAW芯片13、打印布线基板12的界面产生空隙。
另外，若考虑密封用片11对SAW芯片13和印刷布线基板12的密合性和追随性的提高，则优选在减压条件下进行压制。
作为上述减压条件，压力例如为0.1～5kPa，优选为0.1～100Pa，减压保持时间(从减压开始到压制开始的时间)例如为5～600秒，优选为10～300秒。
(隔片剥离工序)
然后，在密封用片11的第1面11a层叠有隔片11c的情况下，剥离隔片11c(参照图5)。
(使其热固化而得到密封体的工序)
然后，使密封用片11热固化而得到密封体25。由于密封用片11的第1面11a的热固化前的表面粗糙度Ra为0.3μm以上，因此在热固化后也具有一定以上的表面粗糙度。具体地，例如，热固化后的表面粗糙度Ra为0.3μm以上。
特别是在本实施方式中，在剥离隔片11c后，进行热固化。热固化时，有机成分轻微收缩，密封用片11的厚度(依赖于有机成分的厚度)轻微变薄。因此，分散于有机成分中的无机填充剂的表面形状轻微出现在第1面11a。其结果是，热固化后的第1面11a的表面粗糙度Ra也受到无机填充剂的存在的影响。因此，可以更适宜地破坏第1面11a的表面，可以通过激光标记工序进一步提高激光标记的部分的观察性。
具体地，作为热固化处理的条件，根据密封用片11的粘度、构成材料等而不同，但加热温度优选为100℃以上，更优选为120℃以上。另一方面，加热温度的上限优选为200℃以下，更优选为180℃以下。加热时间优选为10分钟以上，更优选为30分钟以上。另一方面，加热时间的上限优选为180分钟以下，更优选为120分钟以下。此外，根据需要可以加压，优选为0.1MPa以上，更优选为0.5MPa以上。另一方面，上限优选为10MPa以下，更优选为5MPa以下。通过将热固化处理的条件设置在上述数值范围内，可以使第1面11a的热固化后的表面粗糙度Ra为一定以上。
(激光标记工序)
然后，如图6所示，使用激光标记用的激光30，对密封用片11进行激光标记。由于第1面11a具有一定以上的表面粗糙度Ra，因此激光标记后的部分的观察性优异。此外，在进行激光标记前，通过以硅-镍为靶的溅射，可以在第1面11a形成薄膜。若预先形成上述薄膜，则激光标记部分的观察性进一步提高。
作为激光标记的条件，没有特别限定，可以对密封用片11以强度为0.3W～2.0W的条件照射激光[波长：532nm]。另外，作为一例，可举出以此时的加工深(深度)为2μm以上的方式照射的方法。上述加工深度的上限没有特别限制，例如可以从2μm～25μm的范围选择，优选为3μm以上(3μm～20μm)，更优选为5μm以上(5μm～15μm)。通过将激光标记的条件设置在上述数值范围内，可以使激光标记后的部分的观察性更良好。
此外，也可以通过构成树脂成分的种类或其含量、着色剂的种类或其含量、交联剂的种类或其含量、填充材的种类或其含量等来控制密封用片11的激光加工性。
作为进行密封用片11中的激光标记的部位，没有特别限制，可以在SAW芯片13的正上方，也可以在没有配置SAW芯片13的部位的上侧(例如，密封用片11的外周部分)。另外，作为通过激光标记进行打标的信息，可以为能用于区别密封体单元的文字信息、图形信息等，也可以为能用于区别在同一密封体25内各电子器件的文字信息、图形信息等。由此，可以使其具有密封体25、密封体25内的多个SAW芯片13(电子器件)的相互识别性。
仅密封1个作为电子器件的SAW滤波器13时，可以将密封体25制成1个电子器件封装件。另外，将多个SAW滤波器13一起密封时，通过将SAW滤波器分别分割，可以分别制成1个电子器件封装件。即，像本实施方式那样，在将多个SAW滤波器13一起密封时，进一步，可以进行下述的构成。
(切割工序)
激光标记工序后，可以进行密封体25的切割(参照图6)。由此，可以得到SAW芯片13单元的电子器件封装件18(中空型电子器件封装件)。
(基板安装工序)
根据需要，可以进行对电子器件封装件18形成凸块、将其安装于另外的基板(未图示)的基板安装工序。向电子器件封装件18的基板的安装中可以使用倒装芯片接合机、芯片接合机等公知的装置。
在上述的实施方式中，对剥离隔片11c后、进行热固化的情况进行了说明。然而，本发明中不限于该例，也可以在热固化后、剥离层叠于第1面的隔片。
此时，为在热固化时在第1面层叠有隔片的状态。因此，在隔片与密封用片的有机成分之间表面张力起作用，若隔片附近的有机成分收缩，则相应地有机成分被从其他部分拉到隔片侧。其结果是，不会像上述的实施方式的情况(剥离隔片11c后进行热固化的情况)的程度分散在有机成分中的无机填充剂的表面形状出现在第1面11a。也就是说，此时，在可以更好地设为依赖于隔片的形状的表面粗糙度方面优异。
上述的实施方式中，对使用电子器件密封用片、用平行平板压制将电子器件埋入的情况进行了说明，但本发明不限于该例，也可以在真空状态的真空腔室内，用脱模膜将电子器件与中空型电子器件密封用片的层叠物密闭后，在腔室内导入大气压以上的气体，将电子器件埋入电子器件密封用片。具体地，可以通过日本特开2013-52424号公报中记载的方法，将电子器件埋入电子器件密封用片。
上述的实施方式中，对在电子器件密封用片的热固化后进行激光标记的情况进行了说明。然而，本发明不限于该例，也可以在进行了激光标记后进行热固化。具体地，可以在剥离第1面侧的隔片后，在第1面进行激光标记，之后，使其热固化。另外，也可以在层叠有第1面侧的隔片的状态下就这样对第1面进行激光标记，然后，剥离第1面侧的隔片，之后，使其热固化。另外，还可以在层叠有第1面侧的隔片的状态下对第1面进行激光标记，然后，使其热固化，之后，剥离第1面侧的隔片。这些情况下，由于热固化前的第1面的表面粗糙度Ra为0.3μm以上，因此激光标记后的部分的观察性变得良好。
[实施例]
下面举例详细说明本发明的适合的实施例。其中，关于该实施例中记载的材料、配合量等，只要没有特别限定的记载，就不能将本发明的范围仅限定于这些材料、配合量。
对在实施例中使用的密封用片的成分和隔片的种类进行说明。
(密封用片的成分)
环氧树脂：新日铁化学株式会社制的YSLV-80XY(双酚F型环氧树脂、环氧当量200g/eq.、软化点80℃)
酚醛树脂：群荣化学制的LVR8210DL(线性酚醛型酚醛树脂、羟基当量104g/eq.、软化点60℃)
热塑性树脂：根上工业株式会社制的HME-2006M(含羧基的丙烯酸酯共聚物、重均分子量：约60万、玻璃化转变温度(Tg)：-35℃)
无机填充剂A：电气化学工业株式会社制的FB-5SDC(平均粒径5μm、未作表面处理)
无机填充剂B：对株式会社Admatechs制的SO-25R(平均粒径0.5μm)用3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷(信越化学株式会社制的产品名：KBM-503)进行表面处理得到的无机填充剂。相对于无机填充剂B的100重量份，用1重量份的硅烷偶联剂进行表面处理。
无机填充剂C：电气化学工业公司制的FB-9454F(平均粒径20μm，未作表面处理)
炭黑：三菱化学株式会社制造的#20
固化促进剂：四国化成工业株式会社制造的2P4MHZ-PW(2-苯基-4-羟基甲基5-甲基咪唑)
(隔片的种类)
TPX A：三井化学东赛璐(株)制：X-88BMT4两面印花型(凹凸小面)
TPX B：三井化学东赛璐(株)制：X-88BMT4两面印花型(凹凸大面)
PET A：(株)富士工公司制：50-X42
PET B：帝人公司制：U70
PET C：三菱树脂(株)公司制：MRA38
[实施例和比较例所涉及的两面带隔片的密封用片的制成]
按照表1中记载的密封用片的配合比，使各成分溶解、分散于作为溶剂的甲乙酮，得到浓度85重量％的清漆。将该清漆涂布于第1面侧的隔片上后，使其在110℃干燥5分钟。将其作为片X。
另外，将上述清漆涂布于设为第2面侧的隔片的隔片上后，使其在110℃干燥5分钟。将其设为片Y。制作3个同样的片Y。设为第1面侧的隔片的隔片和设为第2面侧的隔片的隔片如表1所示。由此，得到厚度55μm的片(片X、片Y)。使该4个片层叠，制作了厚度220μm的片。作为具体的4层的层叠方法，如下所述。
(1)使层叠于第1面侧的隔片的片X与层叠于第2面侧的隔片的片Y粘贴，作为层叠体Z1。
(2)将2个层叠于第2面侧的隔片的片Y粘贴，作为层叠体Z2。
(3)从层叠体Z1剥离第2面侧的隔片的同时，从层叠体Z2剥离一方的第2面侧的隔片。
(4)使通过上述(3)的操作露出的片的面彼此粘贴，得到在两面具有隔片的4层结构的密封用片。
(隔片的表面粗糙度的测定)
基于JIS B 0601，使用Lasertec公司制的共聚焦显微镜(OPTELICS H300)测定实施例、比较例中使用的隔片的表面粗糙度(Ra)。测定条件设置为50倍，将测定数据乘以Median filter而求出测定值。就测定而言，对各密封用片边变更测定部位边进行5次，将其平均值作为表面粗糙度(Ra)。将其作为各隔片表面粗糙度Ra。下述表1中示出结果。
(热固化前的密封用片的表面粗糙度的测定)
基于JIS B 0601，使用Lasertec公司制的共聚焦显微镜(OPTELICS H300)测定实施例和比较例所涉及的密封用片的热固化前的第1面和第2面的表面粗糙度(Ra)。测定条件设定为与隔片的表面粗糙度的测定时同样。具体地，从通过上述制作的两面带隔片的密封用片剥离第1面侧的隔片后，测定第1面的表面粗糙度(Ra)。另外，从通过上述制作的两面带隔片的密封用片剥离第2面侧的隔片后，测定第2面的表面粗糙度(Ra)。表1中示出结果。
(热固化后的密封用片的第1面的表面粗糙度的测定)
基于JIS B 0601，使用Lasertec公司制的共聚焦显微镜(OPTELICS H300)测定实施例和比较例所涉及的密封用片的热固化后的表面粗糙度(Ra)。测定条件设定为与隔片的表面粗糙度的测定时同样。
具体地，对以下的两种情况进行测定。
测定方法A：以两面带隔片的密封用片的状态使密封用片热固化后，剥离第1面侧的隔片，测定密封用片的第1面的表面粗糙度Ra。
测定方法B：从两面带隔片的密封用片剥离第1面侧的隔片后，使密封用片热固化。之后，测定密封用片的第1面的表面粗糙度Ra。
此外，热固化条件在测定方法A、测定方法B中都设置为150℃、1小时。表1中示出结果。
(激光标记性评价)
如下评价实施例和比较例所涉及的密封用片的热固化后的激光标记性。
·评价方法A
以通过实施例、比较例制成的两面带隔片的密封用片的状态使密封用片热固化后，剥离第1面侧的隔片。然后，在第1面使用激光印刷装置(商品名“MD-S9900”，KEYENCE公司制)，按照下述的照射条件，进行了激光印刷。
<激光印刷的照射条件>
激光波长：532nm
激光功率：1.2W
频率：32kHz
对激光印刷后的第1面，使用KEYENCE公司的装置名：CA-DDW8，对第1面从全方位方向照射斜光进行照明，用CCD照相机(装置名：CV-0350)(KEYENCE公司制)接收反射光。使用KEYENCE公司的装置名：CV-5000测定接收的反射光的亮度。对激光印刷部和非印刷部的两者进行亮度测定。此外，亮度是指将白色设为100％且将黑色设为0％的值，本说明书中，设为使用上述的KEYENCE公司的装置名CV-5000测定的值。将激光印刷部的亮度与非印刷部的亮度的差设为对比[％]，将40％以上的情况评价为○，将低于40％的情况评价为×而评价了激光标记性。表1中示出结果。
·评价方法B
从通过实施例、比较例制成的两面带隔片的密封用片剥离第1面侧的隔片后，使密封用片热固化。然后，对第1面进行激光印刷。激光印刷的照射条件设定为与评价方法A同样。另外，与评价方法A同样地评价激光标记性。下述表1中示结果。
此外，热固化条件在评价方法A、评价方法B中都设为150℃、1小时。表1中示出结果。
[表1]
符号说明
11 电子器件密封用片(密封用片)
13 SAW滤波器(电子器件)
14 中空部
15 层叠体
18 电子器件封装件
25 密封体

Claims (4)

1.一种电子器件密封用片，其特征在于，具有：
表面粗糙度Ra为0.3μm以上的第1面、和
表面粗糙度Ra为0.1μm以下的第2面。
2.根据权利要求1所述的电子器件密封用片，其特征在于，
所述第1面的热固化后的表面粗糙度Ra为0.3μm以上。
3.一种电子器件封装件的制造方法，其特征在于，包括：
准备电子器件隔着凸块固定于被粘物上的层叠体的工序、
准备权利要求1所述的电子器件密封用片的工序、
以所述电子器件密封用片的所述第2面与所述电子器件接触的方式将所述电子器件密封用片配置于所述层叠体的所述电子器件上的工序、
通过热压将所述电子器件埋入所述电子器件密封用片的工序、和
所述埋入工序后使所述电子器件密封用片热固化而得到密封体的工序。
4.根据权利要求3所述的电子器件封装件的制造方法，其特征在于，
在得到所述密封体的工序后，所述第1面的表面粗糙度Ra为0.3μm以上。
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