CN106065243A - 密封用树脂片及电子器件装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供能够适合密封电子器件、且具有充分的散热性的密封用树脂片。该密封用树脂片包含无机填充剂，无机填充剂包含氧化铝粒子，氧化铝粒子的含量相对于无机填充剂整体为50体积％以上，氧化铝粒子的最大粒径为10μm以上且50μm以下的范围内，热固化后的片厚度方向的导热率为3W/m·K以上。

Description

密封用树脂片及电子器件装置

技术领域

本发明涉及一种密封用树脂片及电子器件装置。

背景技术

以往，在电子器件装置(例如电子部件装置、半导体装置)的制作中采用具代表性的以下步骤：将借助凸块等固定于基板等的1个或多个电子器件(例如电子部件、半导体芯片)用密封树脂密封，并根据需要将密封体切割成以电子器件为单位的封装体。作为此种密封树脂，使用片状的密封树脂(例如参照专利文献1)。

作为上述电子器件装置的制造方法，可列举以下方法：将配置于被粘物上的1个或多个电子器件埋入密封用树脂片，之后，使密封用树脂片热固化。

另一方面，近年来，随着电子器件装置的数据处理的高速化不断进展，来自电子器件的发热量变多，具有散热性的电子器件装置的设计的重要性增加。热当然会对电子器件装置本身造成不良影响，而且对组装有电子器件的电子设备主体也造成各种不良影响。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2006-19714号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

为此，近年来，需要开发能够适合密封电子器件、且具有充分的散热性的密封用树脂片。

本发明鉴于上述问题点而完成，其目的在于提供能够适合密封电子器件、且具有充分的散热性的密封用树脂片。

用于解决技术问题的手段

本申请发明人等发现通过采用下述的构成可以解决上述的技术问题，以至完成本发明。

即，本发明的密封用树脂片，其特征在于，所述密封用树脂片包含无机填充剂，

上述无机填充剂包含氧化铝粒子，

上述氧化铝粒子的含量相对于上述无机填充剂整体为50体积％以上，

上述氧化铝粒子的最大粒径为10μm以上且50μm以下的范围内，

热固化后的片厚度方向的导热率为3W/m·K以上。

氧化铝具有较高的导热率。根据上述构成，密封用树脂片包含无机填充剂，上述无机填充剂包含氧化铝粒子，上述氧化铝粒子的含量相对于上述无机填充剂整体为50体积％以上。由于包含相对于无机填充剂整体为50体积％以上的氧化铝粒子，因此可以提高热固化后的密封用树脂片的散热性。

另外，由于上述氧化铝粒子的最大粒径为10μm以上，因此可以使密封用树脂片的粘度成为适合埋入电子器件的低粘度。另外，由于上述氧化铝粒子的最大粒径为50μm以下，因此在密封电子器件时，可以防止在电子器件上氧化铝粒子从密封用树脂片露出。另外，在将配置于基板上的多个电子器件密封时，可以防止氧化铝粒子夹持到电子器件之间。

另外，由于热固化后的片厚度方向的导热率为3W/m·K以上，因此散热性优异。

这样，根据本发明的密封用树脂片，可以提供能够适合密封电子器件、且具有高散热性的密封用树脂片。

在上述构成中，上述无机填充剂还可以包含氮化硼。此时，优选使上述氮化硼的含量相对于上述无机填充剂整体为5体积％以上。

氮化硼比氧化铝热电导性高。因此，若包含相对于无机填充剂整体为5体积％以上的氮化硼，则可以提供具有更高散热性的密封用树脂片。

在上述构成中，热固化后的片厚度方向的导热率优选为5W/m·K以上。

若热固化后的片厚度方向的导热率为5W/m·K以上，则可以提供具有更高散热性的密封用树脂片。

在上述构成中，优选的是上述氧化铝粒子的表面经硅烷偶联剂进行过疏水化处理。

若上述氧化铝粒子的表面经硅烷偶联剂进行过疏水化处理，则与密封用树脂片中的树脂成分的润湿性提高。结果可以降低热固化前的粘度。

另外，本发明为具有上述密封用树脂片的电子器件装置。

根据上述构成，电子器件装置具有上述密封用树脂片，因此该电子器件装置的散热性优异。

附图说明

图1为示意性表示本发明的一个实施方式的密封用树脂片的剖视图。

图2A为示意性表示本发明的一个实施方式的电子器件装置的制造方法的一个工序的图。

图2B为示意性表示本发明的一个实施方式的电子器件装置的制造方法的一个工序的图。

图2C为示意性表示本发明的一个实施方式的电子器件装置的制造方法的一个工序的图。

图2D为示意性表示本发明的一个实施方式的电子器件装置的制造方法的一个工序的图。

图2E为示意性表示本发明的一个实施方式的电子器件装置的制造方法的一个工序的图。

具体实施方式

以下，列举实施方式对本发明进行详细地说明，但是本发明并不仅限定为这些实施方式。

[密封用树脂片]

图1为示意性表示本发明的一个实施方式的密封用树脂片(以下，也简称为“树脂片”。)的剖视图。树脂片11以具代表性的层叠于聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜等的隔片11a上的状态来提供。予以说明，为 了对隔片11a容易地进行树脂片11的剥离，可以实施脱模处理。

树脂片11的热固化后的导热率为3W/m·K以上、优选为4W/m·K以上、更优选为5W/m·K以上。由于热固化后的导热率为3W/m·K以上，因此导热性优异。作为使热固化后的导热率为3W/m·K以上的方法，可以如后述那样通过含有特定量具有特定粒径的无机填充剂等来实现。

在本发明中，“热固化后的导热率”是指在常压下以150℃加热30分钟后的导热率。

密封用片11在热固化前的90℃下的粘度优选为5～2000kPa·s的范围内、更优选为10～1500kPa·s的范围内、进一步优选为50～1000kPa·s的范围内。予以说明，90℃下的粘度是模拟电子器件密封时的粘度。若密封用树脂片11在90℃的粘度为上述数值范围内，则可以适合将电子器件埋入密封用树脂片11并进行密封。

树脂片11包含无机填充剂。

上述无机填充剂包含氧化铝粒子。

上述氧化铝粒子的含量相对于上述无机填充剂整体为50体积％以上、优选为60体积％以上、更优选为70体积％以上。氧化铝具有较高的导热率。树脂片11包含相对于无机填充剂整体为50体积％以上的氧化铝粒子，因此可以提高热固化后的树脂片11的散热性。

作为判断在树脂片11中是否包含相对于无机填充剂整体为50体积％以上的氧化铝粒子的方法，包括利用SEM图像简便地观察树脂片11的固化物的剖面、并由在剖面中所占的氧化铝粒子的面积进行计算的方法。当然也可以对固化物进行ICP发光光谱分析或荧光X射线分析等化学分析来判断是否包含相对于无机填充剂整体为50体积％以上的氧化铝粒子。

上述氧化铝粒子的最大粒径为10μm以上且50μm以下的范围内、优选为13μm以上且40μm以下的范围内、更优选为15μm以上且30μm以下的范围内。由于上述氧化铝粒子的最大粒径为10μm以上，因此可以使树脂片11的粘度(热固化前的粘度)为适合埋入电子器件的低粘度。另外，由于上述氧化铝粒子的最大粒径为50μm以下，因此在将电子器件密封而制作超薄型封装体等时可以防止防止在电子器件上氧化铝粒子从树脂片11露出。另外，在将配置于基板上的多个电子器件密封时可以防止 氧化铝粒子夹持于电子器件间。

上述氧化铝粒子的平均粒径优选为2μm以上且10μm以下、更优选为3μm以上且6μm以下。若上述平均粒径为2μm以上，则可以使树脂片11的粘度(热固化前的粘度)为适合埋入电子器件的低粘度。另一方面，若上述平均粒径为10μm以下，则固化后且将多个电子器件封装体通过切割而单片化时可以抑制切割刀片的摩耗。

上述氧化铝粒子优选其表面经硅烷偶联剂进行过疏水化处理。若上述氧化铝粒子的表面经硅烷偶联剂进行过疏水化处理，则与树脂片11中的树脂成分的润湿性提高。结果可以降低热固化前的粘度。

作为上述硅烷偶联剂，只要使能够对氧化铝粒子的表面进行疏水化处理的硅烷偶联剂，则并无特别限定，可列举具有甲基丙烯酰氧基、丙烯酰氧基、环氧基、氨基的硅烷偶联剂等。作为上述硅烷偶联剂的具体例，可列举3-甲基丙烯酰氧基丙基甲基二甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基三乙氧基硅烷、甲基丙烯酰氧基辛基三甲氧基硅烷、甲基丙烯酰氧基辛基三乙氧基硅烷、3-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、N-苯基-3-氨丙基三甲氧基硅烷等。其中，从反应性和低粘度化的观点出发，优选3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷。

上述氧化铝粒子优选预先经相对于上述氧化铝粒子100重量份为0.5～2重量份的上述硅烷偶联剂进行过表面处理。

若利用硅烷偶联剂进行氧化铝粒子的表面处理，则可以降低密封用片11的粘度(热固化前的粘度)，若硅烷偶联剂的量多，则脱气产生量也增加。因此，即使预先对氧化铝粒子进行表面处理，也会因在密封用片11的制作时产生的脱气而使密封用片11的性能降低。另一方面，若硅烷偶联剂的量少，则无法适当地降低粘度。为此，若利用相对于氧化铝粒子100重量份为0.5～2重量份的硅烷偶联剂对氧化铝粒子预先进行表面处理，则可以适当降低粘度，并且可以抑制由脱气所致的性能降低。

除氧化铝以外，上述无机填充剂还可以包含氮化硼。这是由于氮化硼具有比氧化铝更高的导热性。在包含氮化硼电脑情况下，尤其优选六方晶型氮化硼。

在树脂片11包含氮化硼(六方晶型氮化硼、正方晶型氮化硼)作为无机填充剂的情况下，其形状并无特别限定，可以为鳞片状，也可以为使鳞片状的氮化硼凝聚而成的二次凝聚体。其中，六方晶型氮化硼的通常的晶体结构为鳞片状，并且具有晶体的a轴方向(面方向)的导热率为c轴方向(厚度方向)的导热率的数倍～数十倍的热各向异性。因此，优选作为以具有各向同性的方式凝聚而成的二次凝聚体使用。

在此，仅从导热性的观点来说，也认为不使用氧化铝粒子作为无机填充剂，或者即使使用，也会减少含量而主要使用六方晶型氮化硼的二次凝聚体更佳。然而，若使树脂片含有六方晶型氮化硼的二次凝聚体，则树脂不易进入到二次凝聚体内的空隙，因此片硬且脆而高粘度化。因此，难以作为密封用树脂片来使用。为此，在本实施方式中采用的构成为：主要使用氧化铝粒子作为无机填充剂而抑制紧贴性的降低，并且为了进一步提高散热性而除氧化铝粒子外还可以含有氮化硼。

予以说明，本申请人还另外进行了与主要使用氮化硼的二次凝聚体作为无机填充剂的密封用树脂片有关的申请。在该申请中，将电子器件埋入密封用树脂片后，边维持加压的状态边对密封用树脂片加热而进行第一次热固化，由此确保导热性等。

另一方面，在本实施方式中提供不采用边维持加压的状态边使密封用树脂片固化(第一次热固化)这样的特殊工序即可使用的密封用树脂片。即，本实施方式的密封用树脂片是若进行在电子器件的密封后不施加压力(常压下)地使其热固化这样的简便工序即可提高导热率的密封用树脂片。另外，是埋入时的粘度为适合的粘度的密封用树脂片。

上述氮化硼的含量相对于上述无机填充剂整体优选为5体积％以上、更优选为10体积％以上、进一步优选为30体积％以上。另外，从紧贴性的观点、成本的观点出发，上述氮化硼的含量相对于上述无机填充剂整体优选为50体积％以下、更优选为40体积％以下。若包含相对于无机填充剂整体为5体积％以上的六方晶型氮化硼，则可以提供更低粘度且具有高散热性的密封用树脂片。具体而言，容易使热固化后的片厚度方向的导热率为3W/m·K以上，进而为5W/m·K以上。

上述二次凝聚体的平均粒径优选为5μm以上且200μm以下、更优选 为10μm以上且150μm以下。通过使上述二次凝聚体的平均粒径为5μm以上，从而可以适合赋予导热性。另一方面，通过使上述二次凝聚体的平均粒径为200μm以下，从而使用树脂片11所制造的电子器件装置容易薄型化。

上述二次凝聚体的最大粒径优选为250μm以下、更优选为200μm以下。通过使上述二次凝聚体的最大粒径为250μm以下，从而电子器件装置更容易薄型化。

上述二次凝聚体的形状不限于球状，也可以为其他形状。但是，在制造树脂片11时，若考虑既能确保热固化性树脂的流动性、又能提高二次凝聚体的配合量等，则二次凝聚粒体优选接近球状。予以说明，在上述二次凝聚体为球状以外的其他形状的情况下，平均粒径是指该形状的长边的长度。

上述二次凝聚体可以使用规定的氮化硼的晶体利用公知的方法来制造。具体而言，将规定的氮化硼的晶体进行烧制使其粉碎，或者使规定的氮化硼的晶体利用喷雾干燥等公知的方法凝聚后，进行烧制而使其烧结(粒生长)。在此，烧制温度并无特别限定，通常为2,000℃。

作为上述二次凝聚体，可以使用公知的二次凝聚体。作为具体的制品，可列举Momentive Performance Materials Japan公司制的“PT”系列(例如“PTX60”等)、水岛合金铁(株)制的“HP系列”(例如“HP-40”等)、昭和电工公司制的“Sho BN UHP”系列(例如“Sho BN UHP-EX”等)。

上述无机填充剂可以含有除上述氧化铝粒子、上述氮化硼以外的其他填料。作为上述其他填料，优选具有某个程度的导热性的填料或者能够对树脂片11赋予除导热性以外的其他功能的填料。可列举：例如氮化铝、氮化硅、氮化镓等金属氮化物；例如二酸化硅(silica)、氧化镁、氧化钛、氧化锌、氧化锡、氧化铜、氧化镍等金属氧化物；例如氢氧化铝、勃姆石、氢氧化镁、氢氧化钙、氢氧化锌、硅酸、氢氧化铁、氢氧化铜、氢氧化钡等氢氧化物；例如氧化锆水合物、氧化锡水合物、碱性碳酸镁、水滑石、片钠铝石(dawsonite)、硼砂、硼酸锌等水合金属氧化物；碳化硅、碳酸钙、钛酸钡、钛酸钾等。其中，优选二氧化硅，特别优选熔融二氧化硅。 熔融二氧化硅的线膨胀系数低(0.5×10^-6/K)，接近半导体材料。因此，若使用熔融二氧化硅作为其他填料，则可以进一步抑制电子器件装置的翘曲。

在本说明书中，上述无机填充剂的平均粒径及最大粒径是指利用激光衍射型粒度分布测定装置测定得到的值。

上述无机填充剂整体的含量相对于树脂片11整体优选为50体积％以上且90体积％以下、更优选为70体积％以上且85体积％以下。

树脂片11优选包含热固化性树脂及热塑性树脂。

作为上述热固化性树脂，优选环氧树脂、酚醛树脂。由此得到良好的热固化性。

作为环氧树脂，并无特别限定。例如可以使用三苯基甲烷型环氧树脂、甲酚线性酚醛型环氧树脂、联苯型环氧树脂、改性双酚A型环氧树脂、双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、改性双酚F型环氧树脂、二环戊二烯型环氧树脂、苯酚线性酚醛型环氧树脂、苯氧基树脂等各种环氧树脂。这些环氧树脂可以单独使用，也可以并用2种以上。

从确保环氧树脂的反应性的观点出发，优选环氧当量为150～250、软化点或熔点为50～130℃的常温下为固态的环氧树脂。其中，从可靠性的观点出发，更优选三苯基甲烷型环氧树脂、甲酚线性酚醛型环氧树脂、联苯型环氧树脂。另外，从能够对热固化性树脂片11赋予可挠性的理由出发，优选双酚F型环氧树脂。

酚醛树脂只要是与环氧树脂之间发生固化反应的酚醛树脂，则并无特别限定。例如可以使用苯酚线性酚醛树脂、苯酚芳烷基树脂、联苯芳烷基树脂、二环戊二烯型酚醛树脂、甲酚线性酚醛树脂、甲阶酚醛树脂等。这些酚醛树脂可以单独使用，也可以并用2种以上。

作为酚醛树脂，从与环氧树脂的反应性的观点出发，优选使用羟基当量为70～250、软化点为50～110℃的酚醛树脂。从固化反应性高的观点出发，可以适合使用苯酚线性酚醛树脂。另外，从可靠性的观点出发，可以适合使用苯酚芳烷基树脂、联苯芳烷基树脂之类的低吸湿性的酚醛树脂。

从固化反应性的观点出发，环氧树脂与酚醛树脂的配合比例优选按 照使酚醛树脂中的羟基的总和相对于环氧树脂中的环氧基1当量达到0.7～1.5当量的方式来配合，更优选为0.9～1.2当量。

除填料以外的全部成分100重量％中的热固化性树脂的含量优选为70重量％以上、更优选为75重量％以上、进一步优选为80重量％以上。若为70重量％以上，则可以减小固化物的CTE1。另一方面，热固化性树脂的含量优选为95重量％以下、更优选为92重量％以下、进一步优选为90重量％以下、特别优选为88重量％以下。

树脂片11优选包含固化促进剂。

作为固化促进剂，只要是使环氧树脂与酚醛树脂的固化进行的物质，则并无特别限定，例如可列举2-甲基咪唑(商品名；2MZ)、2-十一烷基咪唑(商品名；C11-Z)、2-十七烷基咪唑(商品名；C17Z)、1，2-二甲基咪唑(商品名；1.2DMZ)、2-乙基-4-甲基咪唑(商品名；2E4MZ)、2-苯基咪唑(商品名；2PZ)、2-苯基-4-甲基咪唑(商品名；2P4MZ)、1-苄基-2-甲基咪唑(商品名；1B2MZ)、1-苄基-2-苯基咪唑(商品名；1B2PZ)、1-氰基乙基-2-甲基咪唑(商品名；2MZ-CN)、1-氰基乙基-2-十一烷基咪唑(商品名；C11Z-CN)、1-氰基乙基-2-苯基咪唑鎓偏苯三酸盐(商品名；2PZCNS-PW)、2，4-二氨基-6-[2’-甲基咪唑基-(1’)]-乙基均三嗪(商品名；2MZ-A)、2，4-二氨基-6-[2’-十一烷基咪唑基-(1’)]-乙基均三嗪(商品名；C11Z-A)、2，4-二氨基-6-[2’-乙基-4’-甲基咪唑基-(1’)]-乙基均三嗪(商品名；2E4MZ-A)、2，4-二氨基-6-[2’-甲基咪唑基-(1’)]-乙基均三嗪异氰脲酸加成物(商品名；2MA-OK)、2-苯基-4，5-二羟基甲基咪唑(商品名；2PHZ-PW)、2-苯基-4-甲基-5-羟基甲基咪唑(商品名；2P4MHZ-PW)等咪唑系固化促进剂(均为四国化成工业(株)制)。

其中，优选2-苯基-4，5-二羟基甲基咪唑。2-苯基-4，5-二羟基甲基咪唑是在高温促进固化的物质，因此能够抑制因埋入工序中的热进行固化的情况。

固化促进剂的含量相对于环氧树脂及酚醛树脂的总和100重量份优选为0.2重量份以上、更优选为0.5重量份以上、进一步优选为0.8重量份以上。固化促进剂的含量相对于环氧树脂及酚醛树脂的总和100重量份优选为5重量份以下、更优选为2重量份以下。

树脂片11优选包含热塑性树脂。由此可以提高所得密封用树脂片的耐热性、可挠性、强度。作为上述热塑性树脂，优选能够作为弹性体发挥功能的热塑性树脂。

作为上述热塑性树脂，可列举例如丙烯酸系弹性体、聚氨酯系弹性体、硅酮橡胶系弹性体、聚酯系弹性体等。其中，从容易得到可挠性、与环氧树脂的分散性良好的观点出发，优选丙烯酸系弹性体。

作为上述丙烯酸系弹性体，并无特别限定，可列举以具有碳数30以下、尤其碳数4～18的直链或支链的烷基的丙烯酸或甲基丙烯酸的酯的1种或2种以上作为成分的聚合物(丙烯酸共聚合物)等。作为上述烷基，可列举例如甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、异丁基、戊基、异戊基、己基、庚基、环己基、2-乙基己基、辛基、异辛基、壬基、异壬基、癸基、异癸基、十一烷基、月桂基、十三烷基、十四烷基、硬脂基、十八烷基或二十烷基等。

另外，作为形成上述聚合物的其他单体，并无特别限定，可列举例如：丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧乙酯、丙烯酸羧戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸或巴豆酸等各种含羧基单体；马来酸酐或衣康酸酐等各种酸酐单体；(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羟基己酯、(甲基)丙烯酸8-羟基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羟基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羟基月桂酯或丙烯酸(4-羟基甲基环己基)甲酯等各种含羟基单体；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯或(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸等各种含磺酸基单体；或者2-羟基乙基丙烯酰基磷酸酯等各种含磷酸基单体。其中，从能够与环氧树脂反应而提高树脂片11的粘度的观点出发，优选包含含羧基单体、含缩水甘油基(环氧基)单体、含羟基单体中的至少1种。

上述热塑性树脂可以具有官能基。作为官能基，优选羧基、环氧基、羟基、氨基、巯基，更优选羧基。

上述热塑性树脂的重均分子量优选为50万以上、更优选为80万以上。另一方面，热塑性树脂的重均分子量优选为200万以下、更优选为150万以下。若重均分子量为上述数值范围内，则粘度适度，因此容易进 行配合时的处理。

予以说明，重均分子量是利用GPC(凝胶渗透色谱)测定并通过聚苯乙烯换算而计算得到的值。

除填料以外的全部成分100重量％中的热塑性树脂的含量优选为5重量％以上、更优选为10重量％以上、进一步优选为11重量％以上、更进一步优选为12重量％以上。若为5重量％以上，则得到树脂片的柔软性、可挠性。另一方面，热塑性树脂的含量优选为30重量％以下、更优选为20重量％以下。若为30重量％以下，则树脂片11的储藏弹性模量过高，能够兼顾埋入性和流动的限制。

树脂片11可以根据需要包含阻燃剂成分。由此，可以降低因部件短路、发热等而点火时的、燃烧扩大。作为阻燃剂组成成分，可以使用例如：氢氧化铝、氢氧化镁、氢氧化铁、氢氧化钙、氢氧化锡、复合化金属氢氧化物等各种金属氢氧化物；磷腈系阻燃剂等。

树脂片11可以包含硅烷偶联剂。作为硅烷偶联剂，并无特别限定，可列举3-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷等。

树脂片11中的硅烷偶联剂的含量优选为0.1～3重量％。若上述含量为0.1重量％以上，则可以提高固化后的树脂片的硬度，并且可以降低吸水率。另一方面，若上述含量为3重量％以下，则可以抑制脱气的产生。

树脂片11优选包含颜料。作为颜料，并无特别限定，可列举炭黑等。

树脂片11中的颜料的含量优选为0.1～2重量％。若为0.1重量％以上，则得到良好的标记性。若为2重量％以下，则可以确保固化后的树脂片的强度。

予以说明，在树脂组合物中可以根据需要适当配合除上述的各成分以外的其他添加剂。

[密封用树脂片的制造方法]

将用于形成树脂片11的树脂等溶解、分散于适当的溶剂而制备清漆，将该清漆以成为规定厚度的方式涂布于隔片11a上而形成涂布膜，之后，使该涂布膜在规定条件下干燥，从而可以形成树脂片11。予以说明，根据需要层叠多个树脂片并对其进行加热压制(例如在90℃进行60秒)，可以制成所需厚度的树脂片11。作为涂布方法，并无特别限定，例如可 列举辊涂敷、丝网涂敷、凹版涂敷等。另外，作为干燥条件，例如在干燥温度70～160℃、干燥时间1～30分钟的范围内进行。另外，在隔片上涂布清漆而形成涂布膜后，使涂布膜在上述干燥条件干燥，可以形成树脂片11。之后，将树脂片11与隔片一起贴合于隔片11a上。尤其在树脂片11包含热塑性树脂(丙烯酸系树脂)、环氧树脂、酚醛树脂的情况下，将这些树脂全部溶解于溶剂后，使其涂布、干燥。作为溶剂，可列举甲乙酮、乙酸乙酯、甲苯等。

树脂片11的厚度并无特别限定，例如为100～2000μm、更优选为110～1800μm。若为上述范围内，则可以良好地密封电子器件。

树脂片11可以为单层结构，也可以为将2种以上的组成不同的树脂片层叠而成的多层结构，出于无层间剥离的风险、片厚的均一性高、容易低吸湿化的理由，优选单层结构。

树脂片11被用于SAW(Surface Acoustic Wave)滤波器；压力传感器、振动传感器等MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)；LSI等IC、晶体管、半导体芯片等半导体；电容器；电阻；CMOS传感器等电子器件的密封。其中，适合用于需要中空密封的电子器件(具体而言为SAW滤波器、MEMS)的密封，尤其适合用于SAW滤波器的密封。

[中空封装体的制造方法]

图2A～图2E为示意性表示本发明的一个实施方式的电子器件装置的制造方法的一个工序的图。

在本实施方式中，对电子器件装置为中空封装体的情况进行说明。具体而言，对将搭载于印刷布线基板12上的SAW芯片13利用树脂片11进行中空密封而制造中空封装体的情况进行说明。其中，本发明并不限定于该例，在不具有中空部的电子器件装置的制造中也可以采用同样的方法。

(搭载SAW芯片的基板的准备工序)

在本实施方式的中空封装体的制造方法中，首先，如图2A所示那样，准备将多个SAW芯片13搭载于印刷布线基板12上的层叠体15(工序A)。

SAW芯片13相当于本发明的电子器件。另外，印刷布线基板12相当于本发明的支撑体。

SAW芯片13可以通过将形成有规定梳形电极的压电晶体利用公知的方法进行切割而单片化来形成。SAW芯片13向印刷布线基板12上的搭载可以使用倒装芯片接合机或芯片接合机等公知的装置。经由凸块等突起电极13a将SAW芯片13与印刷布线基板12电连接。另外，在SAW芯片13与印刷布线基板12之间以不阻碍SAW滤波器表面上的表面弹性波的传播的方式维持中空部14。SAW芯片13与印刷布线基板12之间的距离(中空部的宽度)可以适当设定，通常为10～100μm左右。

(树脂片准备工序)

另外，在本实施方式的中空封装体的制造方法中，准备树脂片11(工序B)。如上述那样，树脂片11含有特定的氧化铝粒子等。

(树脂片配置工序)

接着，如图2B所示，在下侧加热板41上将搭载有SAW芯片13的面朝上地配置层叠体15，并且在SAW芯片13面上配置树脂片11(工序C)。在该工序中，可以首先将层叠体15配置到下侧加热板41上，之后，在层叠体15上配置树脂片11，也可以在层叠体15上先层叠树脂片11，之后，将层叠有层叠体15和树脂片11的层叠物配置于下侧加热板41上。予以说明，隔片11a优选不在该阶段剥离。

(埋入工序)

接着，如图2C所示，利用下侧加热板41和上侧加热板42进行热压，将SAW芯片13用树脂片11密封(工序D)。予以说明，埋入工序是指从开始SAW芯片13的埋入到SAW芯片13被全部埋入的工序。

作为将SAW芯片13用树脂片11密封时的热压条件，优选为能够适合将SAW芯片13埋入树脂片11的程度，温度例如为40～150℃、优选为60～120℃，压力例如为0.1～10MPa、优选为0.5～8MPa。

另外，若考虑树脂片11对SAW芯片13及印刷布线基板12的密合性及紧贴性的提高，则优选在减压条件下进行压制。作为上述减压条件，例如为0.1～5kPa、更优选为0.1～100Pa。

(热固化处理工序)

接着，剥离隔片11a，对树脂片11进行热固化处理(参照图2D)。作为热固化处理的条件，可以根据树脂片11的构成材料进行适当设定， 例如，加热温度优选为100℃以上、更优选为120℃以上。另一方面，加热温度的上限优选为200℃以下、更优选为180℃以下。加热时间优选为10分钟以上、更优选为30分钟以上。另一方面，加热时间的上限优选为180分钟以下、更优选为120分钟以下。另外，本实施方式的树脂片11设想成在不加压的状态(常压)使其热固化来使用，但也可以根据需要进行加压，优选为0.1MPa以上、更优选为0.5MPa以上。另一方面，上限优选为10MPa以下、更优选为5MPa以下。予以说明，剥离隔片11a的时机不限定于热固化前。

(切割工序)

接着，可以进行密封体16的切割(参照图2E)。由此可以得到以SAW芯片13为单位的中空封装体18。

(基板安装工序)

可以根据需要进行对中空封装体18形成再布线及凸块、并将其安装到另一基板(未图示)的基板安装工序。中空封装体18在基板上的安装可以使用倒装芯片接合机或芯片接合机等公知的装置。

在上述的实施方式中对本发明的支撑体为印刷布线基板12的情况进行了说明，但是本发明的支撑体并不限定于该例，例如可以为陶瓷基板、硅基板、金属基板等。

实施例

以下，列举实例对本发明的适合的实施例进行详细说明。但是，关于该实施例中记载的材料、配合量等，只要没有特别限定性的记载，则无意将本发明的范围仅限定为这些实施例。

对实施例及比较例中使用的成分进行说明。

环氧树脂：新日铁化学公司制的YSLV-80XY(双酚F型环氧树脂、环氧当量：200g/eq.、软化点：80℃)

酚醛树脂：群荣化学公司制的LVR8210DL(线性酚醛型酚醛树脂、羟基当量：104g/eq.、软化点：60℃)

热塑性树脂：根上工业公司制的ME-2000M(含羧基的丙烯酸酯系聚合物、重均分子量：约60万、Tg：-35℃、酸值：20mgKOH/g、聚合物浓度20％的甲乙酮溶液)

炭黑：三菱化学公司制的#20

氧化铝粒子1：Admatechs公司制(平均粒径：3μm、最大粒径：15μm)、3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷处理品

氧化铝粒子2：Admatechs公司制(平均粒径：1.5μm、最大粒径：8μm)、3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷处理品

氮化硼的二次凝聚体：Momentive公司制、制品名：AC6091(平均粒径：125μm、最大粒径：200μm、筛分级品)

固化促进剂：四国化成工业公司制的2PHZ-PW(2-苯基-4，5-二羟基甲基咪唑)

[密封用树脂片的制作]

按照表1中记载的配合比，使各成分溶解、分散于作为溶剂的甲乙酮，得到浓度90重量％的清漆。将该清漆涂布于由经硅酮橡胶脱模处理后的厚度为38μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜构成的脱模处理膜上，之后，使其在110℃干燥3分钟。层叠所得的厚度60μm的片，得到厚度300μm的热固化性树脂片。

(热固化后的导热率的测定)

首先，将实施例、比较例的密封用树脂片以150℃加热30分钟使其热固化。热固化在常压下进行。

接着，对热固化后的这些密封用树脂片的导热率进行测定。导热率由下式求得。将结果示于表1中。

(导热率)＝(热扩散系数)×(比热)×(比重)

<热扩散系数>.

制作密封用树脂片后，在常压下以150℃加热30分钟。使用该样品，并使用氙闪光法热测定装置(NETZSCH公司制、LFA447nanoflash)测定热扩散系数。

<比热>

使用DSC(TA instrument制、Q-2000)，并利用基于JIS-7123的标准的测定方法求得。

<比重>

使用电子天秤(株式会社岛沣制作所制、AEL-200)，利用阿基米德 法来测定。

(密封用树脂片在90℃的粘度的测定)

使用流变仪(HAAKE公司制、MARS III)，利用平行板法对实施例及比较例中制作的密封用树脂片在90℃的粘度进行了测定。更详细而言，在间隙0.8mm、平行板直径8mm、测定频率1Hz、应变量0.05％、升温速度30℃/分钟的条件下，从50℃升温到90℃，直接在保持于90℃的状态测定3分钟粘度，读取此时的最低粘度。将结果示于表1中。

(密封性评价)

在下述接合条件下将形成有铝梳形电极的以下规格的SAW芯片安装于陶瓷基板，制作具有陶瓷基板及安装于陶瓷基板的SAW芯片的SAW芯片安装基板。SAW芯片与陶瓷基板之间的间隙宽度为20μm。

<SAW芯片>

芯片尺寸：1.2mm见方(厚度150μm)

凸块材质：Au(高度20μm)

凸块数：6个凸块

芯片数：100个(10个×10个)

<接合条件>

装置：松下电工(株)制

接合条件：200℃、3N、1秒、超声波输出功率2W

在SAW芯片安装基板上配置密封用树脂片。

接着，在以下所示的条件下，以平行平板方式进行真空压制，将SAW芯片埋入密封用树脂片。

<真空压制条件>

温度：60℃

加压力：4MPa

真空度：1.6kPa

压制时间：1分钟

开放于大气压后，在以下所示的条件下进行热固化处理。

<热固化处理条件>

温度：150℃

加压力：无(常压下)

加热时间：60分钟

使所得的密封体在基板与密封树脂(密封用树脂片)的界面剥离，露出SAW芯片的元件面。之后，利用光学显微镜进行观察。将密封用树脂片对SAW芯片的紧贴性良好、以在SAW芯片与密封用树脂片之间无空隙的状态密封SAW芯片的情况评价为“○”，将密封用树脂片的紧贴性差、以在SAW芯片与密封用树脂片之间有空隙的状态密封SAW芯片的情况评价为“×”。将结果示于表1中。

表1

符号说明

11 中空密封用树脂片

11a 支撑体

13 SAW芯片

16 密封体

18 中空封装体。

Claims (6)

1.一种密封用树脂片，其特征在于，所述密封用树脂片包含无机填充剂，

所述无机填充剂包含氧化铝粒子，

所述氧化铝粒子的含量相对于所述无机填充剂整体为50体积％以上，

所述氧化铝粒子的最大粒径为10μm以上且50μm以下的范围内，

热固化后的片厚度方向的导热率为3W/m·K以上。

2.根据权利要求1所述的密封用树脂片，其特征在于，所述无机填充剂还包含氮化硼，

所述氮化硼的含量相对于所述无机填充剂整体为5体积％以上。

3.根据权利要求2所述的密封用树脂片，其特征在于，热固化后的片厚度方向的导热率为5W/m·K以上。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的密封用树脂片，其特征在于，所述氧化铝粒子的表面经硅烷偶联剂进行过疏水化处理。

5.一种电子器件装置，其具有权利要求1～3中任一项所述的密封用树脂片。

6.一种电子器件装置，其具有权利要求4所述的密封用树脂片。