CN108250681A

CN108250681A - 树脂片

Info

Publication number: CN108250681A
Application number: CN201711247630.9A
Authority: CN
Inventors: 饭野智绘; 土生刚志; 清水祐作; 砂原肇
Original assignee: Nitto Denko Corp
Current assignee: Nitto Denko Corp
Priority date: 2016-12-28
Filing date: 2017-11-30
Publication date: 2018-07-06
Also published as: JP2018104649A; SG10201708662TA; TW201835180A

Abstract

本发明提供在埋入中空型电子器件时可以使树脂到达中空型电子器件的端部、并且在热固化时能够不使树脂在中空部内大幅移动的树脂片。一种树脂片，其包含无机填充剂，无机填充剂的粒径为0.5μm以上且45μm以下，关于无机填充剂，全部无机填充剂中的50重量％以上的无机填充剂的比表面积为2.0m²/g～4.5m²/g的范围内。

Description

树脂片

技术领域

本发明涉及一种树脂片。

背景技术

一直以来，在对电子器件与基板之间为中空结构的中空型电子器件进行树脂密封来制作中空型电子器件封装体时，作为密封树脂，有使用片状密封树脂的情况(例如参照专利文献1、专利文献2)。

作为上述封装体的制造方法，可列举：在配置于被粘物上的一个或多个电子器件上配置片状的密封树脂，接着，朝着使电子器件与片状的密封树脂靠近的方向进行加压，将电子器件埋入片状的密封树脂，之后，使片状的密封树脂热固化的方法。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2006-19714号公报

专利文献2：日本特开2014-189790号公报

发明内容

发明要解决的课题

在利用上述的方法对中空型电子器件进行密封的情况下，在密封树脂的固化后的时刻，需要保持中空状态而不使树脂大量进入到中空型电子器件的中空部。

作为保持中空状态的方法，需要在埋入中空型电子器件时使树脂到达中空型电子器件的端部、并且在热固化时不使树脂在中空部内大幅移动。

在埋入中空型电子器件时，为了使树脂到达中空型电子器件的端部，需要密封树脂在埋入时的温度下具有高的流动性。另一方面，为了在热固化时不使树脂在中空部内大幅移动，需要降低热固化中的密封树脂的流动性。

以往，为了提高密封树脂的流动性，大多情况下采用的是致密地填充无机填充剂的方法。例如有时采用如下方法：通过使主要的无机填充剂中以最佳的比率含有粒径小的微粉无机填充剂，从而将无机填充剂致密地填充。

另外，从确保所制造的中空型电子器件封装体的可靠性的观点出发，有时也采用将热膨胀系数(CTE)低的无机填充剂致密地填充的方法。

然而，若设计为将无机填充剂进行致密填充，则有时最低熔融粘度过度降低。因此，存在热固化中的树脂的流动量变大而大量进入到中空部内的风险。

本发明是鉴于上述课题而完成的发明，其目的在于提供在埋入中空型电子器件时可以使树脂到达中空型电子器件的端部、并且在热固化时能够不使树脂在中空部内大幅移动的树脂片。

用于解决课题的手段

本申请发明人等为了解决上述以往的问题点而对树脂片进行了研究。其结果发现：通过采用下述的构成，从而在埋入中空型电子器件时，可以使树脂到达中空型电子器件的端部，并且在热固化时能够不使树脂在中空部内大幅移动。以至完成本发明。

即，本发明的树脂片，其特征在于，

包含无机填充剂，

上述无机填充剂的粒径为0.5μm以上且45μm以下的范围内，

关于上述无机填充剂，使全部无机填充剂中的50重量％以上的无机填充剂的比表面积为2.0m²/g～4.5m²/g的范围内。

根据上述构成，包含无机填充剂，并且上述无机填充剂的粒径为0.5μm以上且45μm以下的范围内。即，作为无机填充剂，仅包含粒径为0.5μm以上且45μm以下的范围内的无机填充剂，而不包含粒径小于0.5μm的无机填充剂和粒径大于45μm的无机填充剂。

因此，未致密地填充无机填充剂。

其结果为：在埋入中空型电子器件时，可以使树脂到达中空型电子器件的端部，并且在热固化时，能够通过例如最低熔融粘度的控制等而不使树脂在中空部内大幅移动。

另外，由于不包含粒径小于0.5μm的无机填充剂，因此可以抑制过度地低粘度化。另外，由于不包含粒径大于45μm的无机填充剂，因此在中空用电子器件的端部，被凸块高度以上的粒径的无机填充剂阻塞的可能性低。因此，可以防止仅树脂成分流入中空部。其结果是可以抑制树脂过度地进入中空部。

另外，由于全部无机填充剂中的50重量％以上的无机填充剂的比表面积为2.0m²/g以上，因此可以得到能够使树脂填充至中空用电子器件的端部的粘度。另外，可以抑制树脂粘度的偏差，得到稳定的树脂。另一方面，由于全部无机填充剂中的50重量％以上的无机填充剂的比表面积为4.5m²/g以下，因此可以得到能够在固化后使树脂至少填充至中空用电子器件端部的粘度的树脂。

在上述构成中，上述无机填充剂的含量相对于树脂片总体优选为75重量％以上。

若上述无机填充剂的含量相对于树脂片总体为75重量％以上，则可以增大将无机填充剂的粒径设为0.5μm以上且45μm以下的范围内所带来的影响。因此，在埋入中空型电子器件时，可以更适宜使树脂到达中空型电子器件的端部，并且在热固化时，可以更适宜不使树脂在中空部内大幅移动。

在上述构成中，在90℃下的熔融粘度η优选为100000Pa·s以上且350000Pa·_s以下。

若90℃下的熔融粘度η为100000Pa·s以上，则可以抑制进入量变得过量。另一方面，若在90℃下的熔融粘度η为350000Pa·s以下，则在热固化后可以至少使树脂填充至中空用电子器件的端部。

附图说明

图1是本实施方式的电子器件密封用树脂片的剖面示意图。

图2是用于说明对进入量X1及进入量Y1进行测定的程序的剖面示意图。

图3是用于说明对进入量X1及进入量Y1进行测定的程序的剖面示意图。

图4是用于说明对进入量X1及进入量Y1进行测定的程序的剖面示意图。

图5是用于说明对进入量X1及进入量Y1进行测定的程序的剖面示意图。

图6是图5的部分放大图。

图7是用于说明本实施方式的中空型电子器件封装体的制造方法的剖面示意图。

图8是用于说明本实施方式的中空型电子器件封装体的制造方法的剖面示意图。

图9是用于说明本实施方式的中空型电子器件封装体的制造方法的剖面示意图。

图10是用于说明本实施方式的中空型电子器件封装体的制造方法的剖面示意图。

图11是用于说明本实施方式的中空型电子器件封装体的制造方法的剖面示意图。

具体实施方式

以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。但是，本发明并不仅限定于这些实施方式。

(电子器件密封用树脂片)

图1是本实施方式的电子器件密封用树脂片(树脂片)的剖面示意图。如图1所示，电子器件密封用树脂片11(以下也称为“树脂片11”)代表性地以层叠于聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜等的间隔件11a上的状态来提供。予以说明，为了容易进行树脂片11的剥离，也可以对间隔件11a实施脱模处理。

予以说明，在本实施方式中，对仅在树脂片的一面层叠有间隔件的情况进行说明，但是，本发明并不限定于该例，也可以在树脂片的双面层叠间隔件。这种情况下，可以在即将使用前剥离一面的间隔件进行使用。另外，在本发明中，树脂片可以未层叠于间隔件而以树脂片的单体进行提供。另外，也可以在不违背本发明意图的范围内，在树脂片上层叠其他层。

本发明的树脂片可以适宜作为中空密封用的电子器件密封用树脂片来使用。关于树脂片11，利用下述步骤A～步骤G的程序测定的进入量Y1优选为0μm以上且80μm以下。上述进入量Y1更优选为0μm以上且70μm以下，进一步优选为0μm以上且50μm以下。

步骤A：准备将下述样式的1个模型芯片经由树脂凸块安装到玻璃基板上后的模型芯片安装基板；

步骤B：准备纵1cm、横1cm、厚220μm的尺寸的树脂片的样品；

步骤C：将上述样品配置在上述模型芯片安装基板的上述模型芯片上；

步骤D：在下述埋入条件下，将上述模型芯片埋入上述样品中

步骤E：在上述步骤D之后，对进入到上述模型芯片与上述玻璃基板之间的中空部的、构成上述样品的树脂的进入量X1进行测定；

步骤F：在上述步骤E之后，在150℃的热风干燥机中放置1小时，使上述样品热固化而得到密封体样品；以及

步骤G：对上述密封体样品中的进入到上述中空部的上述树脂的进入量Y1进行测定。

<模型芯片的样式>

芯片尺寸为纵3mm、横3mm、厚200μm，形成有高20μm的树脂凸块。

<埋入条件>

挤压方法：平板挤压

温度：65℃

加压力：0.1MPa

真空度：1.6kPa

挤压时间：1分钟

予以说明，若埋入条件的温度过低，则对玻璃基板的粘接降低，不能清楚地观测侵入量X1(在芯片周围的空隙大)，另一方面，若埋入条件的温度过高，则在热压中开始反应，有侵入量出现偏差的可能性(再现性降低)，操作性也降低，因此设定为65℃。另外，从芯片的破损、对玻璃基板的粘接性的观点出发，压力设为0.1MPa。

以下，对求出进入量X1、以及由进入量Y1减去进入量X1所得的值的方法进行说明。

图2～图5是用于说明对进入量X1及进入量Y1进行测定的程序的剖面示意图。图6是图5的部分放大图。

(步骤A)

在步骤A中，如图2所示，准备将1个模型芯片113经由树脂凸块113a安装于玻璃基板112后的模型芯片安装基板115。模型芯片113的样式如下述所示。更具体而言，模型芯片安装基板115通过实施例记载的方法来准备。

<模型芯片113的样式>

芯片尺寸为纵3mm、横3mm、厚200μm，且形成有高20μm的树脂凸块113a。

(步骤B)

在步骤B中，如图3所示，准备纵1cm、横1cm、厚220μm的尺寸的样品111。样品111是使用与树脂片11相同的材料并使其为纵1cm、横1cm、厚220μm的尺寸的样品。在本实施方式中，对将样品111层叠于间隔件111a上的情况进行说明。样品111例如可以通过以下方式来制作：首先，制作纵10cm以上、横10cm以上、厚220μm的密封用片11，之后，将其切割成纵1cm、横1cm、厚220μm的尺寸。予以说明，无需使树脂片11本身为纵1cm、横1cm、厚220μm的尺寸。

(步骤C)

在步骤C中，如图4所示，将样品111配置在模型芯片安装基板115的模型芯片113上。例如，将模型芯片安装基板115以固定有模型芯片113的面朝上的方式配置在下侧加热板122上，并且在模型芯片113面上配置样品111。在该步骤中，可以在下侧加热板122上首先配置模型芯片安装基板115，之后，在模型芯片安装基板115上配置样品111，也可以在模型芯片安装基板115上先层叠样品111，之后，将层叠有模型芯片安装基板115和样品111的层叠物配置在下侧加热板122上。

(步骤D)

在步骤C之后的步骤D中，如图5所示，在下述埋入条件下将模型芯片113埋入样品111。具体而言，在下述埋入条件下，利用平板挤压所具备的下侧加热板122和上侧加热板124进行热压，将模型芯片113埋入样品111中。之后，在大气压、常温(25℃)下进行放置。放置时间设为24小时以内。

<埋入条件>

挤压方法：平板挤压

温度：65℃

加压力：0.1MPa

真空度：1.6kPa

挤压时间：1分钟

(步骤E)

在步骤D之后的步骤E中，对进入到模型芯片113与玻璃基板112之间的中空部114的、构成样品111的树脂的进入量X1进行测定(参照图6)。进入量X1为从模型芯片113的端部进入到中空部114的树脂的最大到达距离。

(步骤F)

在上述步骤E之后，将在样品111中埋入了模型芯片113的结构物在150℃的热风干燥机中放置1小时，使样品111热固化，得到密封体样品。

(步骤G)

在上述步骤F之后，对上述密封体样品的进入到中空部114的上述树脂的进入量Y1进行测定。进入量Y1为从模型芯片113的端部进入到中空部114的树脂的最大到达距离。

之后，求出由进入量Y1减去进入量X1所得的值。

基于以上情况，对求出进入量X1、以及由进入量Y1减去进入量X1所得的值的方法进行说明。

如上述所示，树脂片11的上述进入量Y1为0μm以上且80μm以下。在中空型电子器件封装体中，形成于凸块、电子器件的工作面大多设置在从电子器件的端部起沿着中空部方向为100μm以上的内侧。因此，在上述进入量Y1为80μm以下的情况下，可以作为中空型电子器件封装体而可靠地发挥功能。

由上述进入量Y1减去上述进入量X1所得的值、即(Y1-X1)优选为80μm以下，更优选为50μm以下。

若由上述进入量Y1减去上述进入量X1所得的值为80μm以下，则在实际的中空型电子器件封装体的制造中，可以抑制使树脂片热固化时的、中空部的树脂的流动。

上述进入量X1优选为10μm以上且70μm以下，更优选为0μm以上且50μm以下。

若上述进入量X1为0μm以上且70μm以下，则在实际的中空型电子器件封装体的制造中，将电子器件埋入树脂片11时，可以使树脂适度进入到电子器件与被粘物之间的中空部。

予以说明，之所以使用进入量Y1、进入量X1、以及由进入量Y1减去上述进入量X1所得的值对树脂片11的物性进行评价，是为了在设想的条件下对实际的中空型电子器件封装体的制造进行评价。但是，这些评价的条件当然有时与实际的中空型电子器件封装体的制造条件不同。

树脂片11在90℃下的熔融粘度η优选为100000Pa·s以上且350000Pa·s以下，更优选为125000Pa·s以上且325000Pa·s以下，进一步优选为150000Pa·s以上且300000Pa·s以下。

若90℃下的熔融粘度η为100000Pa·s以上，则可以抑制进入量变得过量。另一方面，若90℃下的熔融粘度η为350000Pa·s以下，则可以在热固化后至少使树脂填充至中空用电子器件的端部。

作为树脂片11在90℃下的熔融粘度η的控制方法，可列举：利用下述的无机填充剂的粒径或含量进行控制的方法、利用热塑性树脂的种类或含量进行控制的方法、通过制作用于形成树脂片11的清漆或混炼物时的搅拌条件而进行控制的方法等。

树脂片11包含无机填充剂，上述无机填充剂的粒径为0.5μm以上且45μm以下的范围内。上述粒径优选为0.6μm以上且40μm以下的范围内，更优选为0.7μm以上且38μm以下的范围内。

即，作为无机填充剂，包含粒径为规定范围内的无机填充剂，不包含小于规定粒径的无机填充剂和大于规定粒径的无机填充剂。

因此，未致密地填充无机填充剂。

另外，由于不包含小于规定粒径的无机填充剂，因此可以抑制过度低粘度化。另外，由于不包含大于规定粒径的无机填充剂，因此在中空用电子器件的端部，被凸块高度以上的粒径的无机填充剂阻塞的可能性低。因此，可以防止仅树脂成分流入中空部。其结果是可以抑制树脂过度地进入中空部。

作为得到粒径处于0.5μm以上且45μm以下范围内的无机填充剂的方法，可列举例如以下方法：将市售品的无机填充剂分级，去除规定范围外的粒径的无机填充剂，制成只有规定范围内的粒径的无机填充剂。

上述无机填充剂并无特别限定，可以使用以往公知的各种填充剂，可列举例如石英玻璃、滑石、二氧化硅(熔融二氧化硅、结晶性二氧化硅等)、氧化铝、氮化铝、氮化硅、氮化硼的粉末。它们可以单独使用，也可以并用2种以上。其中，基于可以良好地降低线膨胀系数的理由，优选二氧化硅、氧化铝，更优选二氧化硅。

作为二氧化硅，优选二氧化硅粉末，更优选熔融二氧化硅粉末。作为熔融二氧化硅粉末，可列举球状熔融二氧化硅粉末、破碎熔融二氧化硅粉末，但是，从流动性的观点出发，优选球状熔融二氧化硅粉末。

上述无机填充剂的含量相对于树脂片11总体优选为75重量％以上，更优选为80重量％以上。

若上述无机填充剂的含量相对于树脂片11总体为75重量％以上，则可以增大将无机填充剂的粒径设为规定范围内所带来的影响。因此，在埋入中空型电子器件时，可以更适宜使树脂到达中空型电子器件的端部，并且在热固化时，可以更适宜不使树脂在中空部内大幅移动。

上述无机填充剂的形状并无特别限定，可以为球状(包括椭球体状。)、多面体状、多棱柱状、扁平形状、不定形状等任意形状，但是，从在中空结构附近的高填充状态的达成、适度的流动性的观点出发，优选球状。

具体而言，树脂片11中所含的上述无机填充剂的粒径或粒度分布利用以下的方法而得到。

(a)将树脂片11放入坩埚中，在大气气氛下以700℃强热2小时，使其灰化。

(b)使得到的灰分分散至纯水中，进行10分钟超声波处理，利用激光衍射散射式粒度分布测量装置(贝克曼库尔特公司制、“LS13320”；湿式法)求出粒度分布(体积基准)。

予以说明，作为树脂片11的组成，除了无机填充剂之外为有机成分，通过上述的强热处理实际上会使全部的有机成分烧失，因此将得到的灰分视为无机填充剂进行测定。予以说明，平均粒径的计算也可以与粒度分布同时进行。

树脂片11的无机填充剂优选预先用硅烷偶联剂进行表面处理。

作为上述硅烷偶联剂，只要是具有甲基丙烯酰氧基或丙烯酰氧基、且能够进行无机填充剂表面处理的物质，则并无特别限定。作为上述硅烷偶联剂的具体例子，可列举：3-甲基丙烯酰氧基丙基甲基二甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基三乙氧基硅烷、甲基丙烯酰氧基辛基三甲氧基硅烷、甲基丙烯酰氧基辛基三乙氧基硅烷。其中，从反应性和成本的观点出发，优选3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷。

在树脂片11含有预先被作为硅烷偶联剂的具有甲基丙烯酰氧基或丙烯酰氧基的化合物进行了表面处理的无机填充剂的情况下，相对于无机填充剂100重量份，优选预先利用0.5～2重量份的硅烷偶联剂对上述无机填充剂进行表面处理。

若利用硅烷偶联剂进行无机填充剂的表面处理，则可以抑制树脂片11的粘度过于变大。

关于上述无机填充剂，全部无机填充剂中的50重量％以上的无机填充剂的比表面积为2.0m²/g～4.5m²/g的范围内，优选为2.1m²/g～4.3m²/g的范围内。由于全部无机填充剂中的50重量％以上的无机填充剂的比表面积为2.0m²/g以上，因此可以得到能够使树脂填充至中空用电子器件的端部的粘度。另外，还可以抑制树脂粘度的偏差，得到稳定的树脂。另一方面，由于全部无机填充剂中的50重量％以上的无机填充剂的比表面积为4.5m²/g以下，因此可以得到能够在固化后使树脂至少填充至中空用电子器件端部的粘度的树脂。上述无机填充剂的比表面积的测定方法基于实施例记载的方法。

树脂片11优选包含环氧树脂及酚树脂。由此，得到良好的热固化性。

作为环氧树脂，并无特别限定。例如可以使用：三苯基甲烷型环氧树脂、甲酚线型酚醛型环氧树脂、联苯型环氧树脂、改性双酚A型环氧树脂、双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、改性双酚F型环氧树脂、双环戊二烯型环氧树脂、苯酚线型酚醛型环氧树脂、苯氧基树脂等各种环氧树脂。这些环氧树脂可以单独使用，也可以并用2种以上。

从确保环氧树脂的固化后的韧性及环氧树脂的反应性的观点出发，优选环氧当量为150～250、软化点或熔点为50～130℃的常温下为固态的环氧树脂，其中，从成型性及可靠性的观点出发，更优选双酚F型环氧树脂、双酚A型环氧树脂、联苯型环氧树脂等。

酚树脂只要是与环氧树脂之间发生固化反应的酚树脂则并无特别限定。例如可以使用苯酚线型酚醛树脂、苯酚芳烷基树脂、联苯芳烷基树脂、双环戊二烯型酚树脂、甲酚线型酚醛树脂、甲阶酚醛树脂等。这些酚树脂可以单独使用，也可以并用2种以上。

作为酚树脂，从与环氧树脂的反应性的观点出发，优选使用羟基当量为70～250、软化点为50～110℃的树脂，其中，从固化反应性高且廉价的观点出发，可以适宜使用苯酚线型酚醛树脂。另外，从可靠性的观点出发，也可以适宜使用苯酚芳烷基树脂、联苯芳烷基树脂之类的低吸湿性的酚树脂。

关于环氧树脂与酚树脂的配合比例，从固化反应性的观点出发，优选以相对于环氧树脂中的环氧基1当量而使酚树脂中的羟基的合计达到0.7～1.5当量的方式进行配合，更优选为0.9～1.2当量。

树脂片11中的环氧树脂及酚树脂的合计含量的下限优选为5.0重量％以上，更优选为7.0重量％以上。若为5.0重量％以上，则良好地得到对电子器件、基板等的粘接力。另一方面，上述合计含量的上限优选为25重量％以下，更优选为20重量％以下。若为25重量％以下，则可以降低树脂片的的吸湿性。

树脂片11优选包含热塑性树脂。由此，可以提高所得树脂片的耐热性、挠性、强度。

作为热塑性树脂，可列举：天然橡胶、丁基橡胶、异戊二烯橡胶、氯丁橡胶、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯树脂、聚碳酸酯树脂、热塑性聚酰亚胺树脂、6-尼龙或6，6-尼龙等聚酰胺树脂、苯氧基树脂、丙烯酸系树脂、PET或PBT等的饱和聚酯树脂、聚酰胺酰亚胺树脂、氟树脂、苯乙烯-异丁烯-苯乙烯嵌段共聚物等。这些热塑性树脂可以单独使用，也可以并用2种以上。其中，从容易得到挠性、与环氧树脂的分散性良好的观点出发，优选丙烯酸系树脂。

作为上述丙烯酸系树脂，并无特别限定，可列举以具有碳数30以下、尤其是碳数4～18的直链或支链的烷基的丙烯酸或者甲基丙烯酸的酯中的1种或2种以上为成分的聚合物(丙烯酸系共聚物)等。作为上述烷基，可列举例如甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、异丁基、戊基、异戊基、己基、庚基、环己基、2-乙基己基、辛基、异辛基、壬基、异壬基、癸基、异癸基、十一烷基、月桂基、十三烷基、十四烷基、硬脂基、十八烷基或二十烷基等。

上述丙烯酸系树脂的玻璃化转变温度(Tg)优选为50℃以下，更优选为-70～20℃，进一步优选为-50～0℃。通过使玻璃化转变温度为50℃以下，从而可以使片材具有挠性。

在上述丙烯酸系树脂中，优选重均分子量为5万以上的树脂，更优选重均分子量为10万～200万的树脂，进一步优选重均分子量为30万～160万的树脂。若在上述数值范围内，则可以进一步提高树脂片11的粘度和挠性。予以说明，重均分子6量是利用GPC(凝胶渗透色谱)进行测定、并通过聚苯乙烯换算而计算得到的值。

另外，作为形成上述聚合物的其他单体，并无特别限定，可列举例如：丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧基乙酯、丙烯酸羧基戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸或巴豆酸等各种含羧基的单体；马来酸酐或衣康酸酐等各种酸酐单体；(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羟基己酯、(甲基)丙烯酸8-羟基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羟基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羟基月桂酯或(4-羟基甲基环己基)-甲基丙烯酸酯等各种含羟基的单体；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯或(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸等各种含磺酸基的单体；或者2-羟基乙基丙烯酰基磷酸酯等各种含磷酸基的单体。其中，从能够与环氧树脂反应，提高树脂片的粘度的观点出发，优选含有含羧基的单体、含缩水甘油基(环氧基)的单体、含羟基的单体中的至少一种。

树脂片11中的热塑性树脂的含量优选为0.5重量％以上，更优选为1.0重量％以上。若上述含量为0.5重量％以上，则得到树脂片的柔软性、挠性。树脂片11中的热塑性树脂的含量优选为10重量％以下，更优选为5重量％以下。若为10重量％以下，则树脂片对电子器件、基板的粘接性良好。

树脂片11优选包含固化促进剂。

作为固化促进剂，只要是使环氧树脂与酚树脂的固化加剧的固化促进剂，则并无特别限定，可列举例如：三苯基膦、四苯基硼四苯基膦等有机磷系化合物；2-苯基-4，5-二羟基甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羟基甲基咪唑等咪唑系化合物；等。其中，从反应性良好且固化物的Tg容易升高的理由出发，优选咪唑系化合物。在咪唑系化合物中，在可以加快热固化时的粘度上升这一点，优选2-苯基-4-甲基-5-羟基甲基咪唑。

固化促进剂的含量相对于环氧树脂及酚树脂的合计100重量份优选为0.1～5重量份。

树脂片11也可以根据需要包含阻燃剂成分。由此，可以减低因部件短路或发热等而起火时的燃烧扩大。作为阻燃剂组成成分，可以使用例如：氢氧化铝、氢氧化镁、氢氧化铁、氢氧化钙、氢氧化锡、复合化金属氢氧化物等各种金属氢氧化物；磷腈系阻燃剂等。

树脂片11优选包含颜料。作为颜料，并无特别限定，可列举炭黑等。

树脂片11中的颜料的含量优选为0.1～2重量％。若为0.1重量％以上，则得到良好的标记性。若为2重量％以下，则可以确保固化后的树脂片的强度。

予以说明，在树脂组合物中，除了上述各成分以外，可以根据需要适当地配合其他添加剂。

树脂片11的厚度并无特别限定，例如为100～2000μm。若为上述范围内，则可以良好地密封电子器件。

树脂片11可以是单层结构，也可以是两个以上树脂片层叠而成的多层结构。

[树脂片的制造方法]

树脂片11可以通过如下方式来形成：将用于形成树脂片11的树脂等溶解、分散在适当溶剂中而制备清漆，以成为规定厚度的方式在间隔件11a上涂布该清漆而形成涂膜后，在规定条件下使该涂膜干燥。作为涂布方法，并无特别限定，可列举例如辊涂布、丝网涂布、凹版涂布等。另外，作为干燥条件，例如在干燥温度70～160℃、干燥时间1～30分钟的范围内进行。

另外，作为其他方法，也可以在支承体上涂布上述清漆而形成涂膜后，使涂膜在上述干燥条件下干燥而形成树脂片11。之后，将树脂片11与支承体一起贴合于间隔件11a上的树脂片11特别是包含热塑性树脂(丙烯酸系树脂)、环氧树脂、酚树脂的情况下，将这些树脂全部溶解于溶剂之后，再进行涂布、干燥。作为溶剂，可列举甲乙酮、乙酸乙酯、甲苯等。

另外，树脂片11可以通过混炼挤出来制造。作为通过混炼挤出进行制造的方法，可列举例如：将用于形成树脂片11的各成分利用混炼辊、加压式捏合机、挤出机等公知的混炼机进行熔融混炼，从而制备成混炼物，对所得的混炼物进行增塑加工而形成为片状的方法等。

具体而言，通过不使熔融混炼后的混炼物冷却而直接在高温状态下进行挤出成形，从而可以形成树脂片。作为这种挤出方法，并无特别限制，可列举T模挤出法、辊压延法、辊混炼法、共挤出法、压延成型法等。作为挤出温度，优选为上述各成分的软化点以上，若考虑环氧树脂的热固化性及成型性，则例如为40～150℃，优选为50～140℃，进一步优选为70～120℃。通过以上方式，可以形成树脂片11。

[中空型电子器件封装体的制造方法]

本实施方式的中空型电子器件封装体的制造方法至少包含：

准备将电子器件经由凸块固定于被粘物上的层叠体的工序；

准备树脂片的工序；

将上述树脂片配置在上述层叠体的上述电子器件上的工序；

利用热压将上述电子器件埋入上述树脂片的工序；以及

在上述埋入工序后，使上述树脂片热固化而得到密封体的工序。

作为上述被粘物，并无特别限定，可列举例如LTCC(Low Temperature Co-firedCeramics，低温共烧陶瓷)基板、印刷布线基板、陶瓷基板、硅基板、金属基板等。在本实施方式中，利用树脂片11对搭载于印刷布线基板12上的SAW芯片13进行中空密封而制作中空型电子器件封装体。予以说明，SAW芯片13是指具有SAW(Surface Acoustic Wave)滤波器的芯片。即，在本实施方式中，对本发明的电子器件为具有SAW(Surface Acoustic Wave)滤波器的芯片的情况进行说明。

图7～图11是用于说明本实施方式的中空型电子器件封装体的制造方法的剖面示意图。

(准备层叠体的工序)

本实施方式的中空封装体的制造方法中，首先，准备在印刷布线基板12上搭载有多个SAW芯片13(SAW滤波器13)的层叠体15(参照图7)。SAW芯片13可以通过利用公知的方法对形成有规定的梳形电极的压电晶体进行切割使其单片化而形成。在将SAW芯片13搭载到印刷布线基板12时，可以使用倒装芯片接合机、芯片接合机等公知的装置。SAW芯片13与印刷布线基板12经由凸块13a进行电连接。另外，在SAW芯片13与印刷布线基板12之间维持有中空部14，而不会阻碍SAW滤波器表面的表面弹性波的传播。SAW芯片13与印刷布线基板12之间的距离(中空部的宽度)可以适当设定，通常为10～100μm左右。

(准备树脂片的工序)

另外，在本实施方式的中空型电子器件封装体的制造方法中，准备树脂片11(参照图1)。

(配置树脂片的工序)

接着，如图8所示，将层叠体15以固定有SAW芯片13的面朝上的方式配置在下侧加热板22上，并且在SAW芯片13面上配置树脂片11。在该工序中，可以在下侧加热板22上首先配置层叠体15，之后，在层叠体15上配置树脂片11；也可以在层叠体15上先层叠树脂片11，之后，将层叠有层叠体15和树脂片11的层叠物配置在下侧加热板22上。

(将电子器件埋入电子器件用树脂片的工序)

接着，如图9所示，利用下侧加热板22和上侧加热板24进行热压，将SAW芯片13埋入树脂片11中。下侧加热板22及上侧加热板24可以是平板挤压所具备的装置。树脂片11作为用于保护SAW芯片13及其附带的元件免受外部环境影响的密封树脂而发挥功能。

该埋入工序优选按照以下方式进行：使构成树脂片11的树脂的、进入到SAW滤波器13与印刷布线基板12之间的中空部14的进入量X2达到0μm以上且50μm以下。上述进入量X2更优选为0μm以上且30μm以下，进一步优选为0μm以上且20μm以下。作为使上述进入量X2为0μm以上且50μm以下的方法，可以通过调整树脂片11的粘度、或调整热压条件来达成。更具体而言，可列举例如较高地设定压力及温度的方法。

具体而言，作为将SAW芯片13埋入树脂片11时的热压条件，根据树脂片11的粘度等而不同，但温度优选为20～150℃，更优选为40～100℃，压力例如为0.01～20MPa，优选为0.05～5MPa，时间例如为0.3～10分钟，优选为0.5～5分钟。作为热压方法，可列举平行平板挤压、辊挤压。其中，优选平行平板挤压。通过使热压条件为上述数值范围内，从而容易使进入量X2为上述数值范围内。

若热压时的温度过高，则在热压中引发反应，有侵入量出现偏差的可能性，从操作性的观点出发，也要求低温(例如100℃以下)等。另外，从防止芯片发生破损的观点出发，压力也优选低压。

另外，若考虑到提高树脂片11对SAW芯片13及印刷布线基板12的密合性及追随性，则优选在减压条件下进行挤压。

作为上述减压条件，压力例如为0.1～5kPa，优选为0.1～100Pa，减压保持时间(从减压开始到挤压开始为止的时间)例如为5～600秒，优选为10～300秒。

(间隔件剥离工序)

接着，如本实施方式那样，在以单面附有间隔件的状态使用树脂片11的情况下，剥离间隔件11a(参照图10)。

(使其热固化而得到密封体的工序)

接着，使树脂片11热固化而得到密封体25。

得到该密封体的工序优选按照如下方式进行：将得到密封体25的工序之后的状态的、上述树脂进入到中空部14的进入量设为Y2时，由上述进入量Y2减去上述进入量X2所得的值达到60μm以下。由上述进入量Y2减去上述进入量X2所得的值更优选为30μm以下，进一步优选为10μm以下。作为使由上述进入量Y2减去上述进入量X2所得的值为60μm以下的方法，可以通过调整树脂片11的固化前的粘度、或者以使加热时的固化速度变快的方式调整树脂片11的构成材料来达成。

具体而言，作为热固化处理的条件，根据树脂片11的粘度或构成材料等而不同，但加热温度优选为100℃以上，更优选为120℃以上。另一方面，加热温度的上限优选为200℃以下，更优选为180℃以下。加热时间优选为10分钟以上，更优选为30分钟以上。另一方面，加热时间的上限优选为180分钟以下，更优选为120分钟以下。另外，也可以根据需要进行加压，优选为0.1MPa以上，更优选为0.5MPa以上。另一方面，上限优选为10MPa以下，更优选为5MPa以下。

通过将热固化处理的条件设为上述数值范围内，从而使从埋入工序后到热固化工序后为止的期间的树脂的流动距离、即由进入量Y2减去上述进入量X2所得的值容易为规定范围内。

在仅密封1个作为电子器件的SAW滤波器13的情况下，可以将密封体25作为1个中空型电子器件封装体。另外，在将多个SAW滤波器13一并密封的情况下，通过分割为单个SAW滤波器，从而可以各自制成1个中空型电子器件封装体。即，如本实施方式那样，在将多个SAW滤波器13一并密封的情况下，还可以进行下述的构成。

(切割工序)

在热固化工序之后，可以进行密封体25的切割(参照图6)。由此，可以得到以SAW芯片13为单位的中空封装体18(中空型电子器件封装体)。

(基板安装工序)

根据需要，可以进行对中空封装体18形成凸块、再将其安装在另外的基板(未图示)的基板安装工序。在将中空封装体18安装到基板时，可以使用倒装芯片接合机、芯片接合机等公知的装置。

上述的实施方式中，对本发明的中空型电子器件是作为具有可动部的半导体芯片的SAW芯片13的情况进行了说明。但是，只要本发明的中空型电子器件在被粘物与电子器件之间具有中空部，则并不限定于该例。例如也可以为具有压力传感器、振动传感器等MEMS(Micro Electro Mechanical Systems，微机电系统)作为可动部的半导体芯片。

另外，在上述的本实施方式中，对使用树脂片并利用平行平板挤压而埋入电子器件的情况进行了说明，但是，本发明并不限定于该例，也可以在真空状态的真空腔室内，利用脱模膜将电子器件与树脂片的层叠物密闭后，向腔室内导入大气压以上的气体，将电子器件埋入树脂片的热固化性树脂片中。具体而言，可以通过日本特开2013-52424号公报中记载的方法将电子器件埋入树脂片的热固化性树脂片中。

在上述的实施方式中，对本发明的树脂片为中空密封用的情况进行了说明。然而，本发明的树脂片也可以是除中空密封用以外的密封用片(例如以将中空部也密封的形态使用的树脂片)。

实施例

以下，对本发明的适合的实施例进行例示性地详细说明。但是，该实施例中记载的材料或配合量等只要没有特别限定性的记载，则均无将本发明的范围仅限定于此的意图。

对在实施例中使用的树脂片的成分进行说明。

环氧树脂：新日铁化学(株)制的YSLV一80XY(双酚F型环氧树脂、环氧当量200g/eq.、软化点80℃)

酚树脂：群荣化学制的LVR8210DL(线型酚醛型酚树脂、羟基当量104g/eq.、软化点60℃)

热塑性树脂：根上工业公司制的ME-2006M(含羧基的丙烯酸酯系聚合物、重均分子量：约60万、酸值：31mgKOH/g、聚合物浓度20％的甲乙酮溶液)

无机填充剂A-1：Denka公司制的FB-8SM(二氧化硅、平均粒径：5μm、未进行表面处理、仅包含粒径0.1μm以上且50μm以下的二氧化硅(不包含粒径大于50μm的二氧化硅及粒径小于0.1μm的二氧化硅)、比表面积：2.5)

无机填充剂A-2：Denk_a公司制的FB-8SM(二氧化硅、平均粒径：5μm、未进行表面处理、仅包含粒径0.1μm以上且50μm以下的二氧化硅(不包含粒径大于50μm的二氧化硅及粒径小于0.1μm的二氧化硅)、比表面积：2.7)

无机填充剂A-3：Denk_a公司制的FB-8SM(二氧化硅、平均粒径：5μm、未进行表面处理、仅包含粒径0.1μm以上且50μm以下的二氧化硅(不包含粒径大于50μm的二氧化硅及粒径小于0.1μm的二氧化硅)、比表面积：1.8)

无机填充剂A-4：Denka公司制的FB-8SM(二氧化硅、平均粒径：5μm、未进行表面处理、仅包含粒径0.1μm以上且50μm以下的二氧化硅(不包含粒径大于50μm的二氧化硅及粒径小于0.1μm的二氧化硅)、比表面积：4.3)

无机填充剂B：将Admatechs公司制的SC-220G-SMJ(氧化硅、平均粒径0.5μm、包含粒径大于50μm的二氧化硅及粒径小于0.001μm的二氧化硅)用3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷(信越化学公司制的制品名：KBM-503)进行表面处理后的无机填充剂。相对于100重量份无机填充剂B，用1重量份的硅烷偶联剂进行表面处理。

炭黑：三菱化学公司制的#20

硅烷偶联剂(环氧硅烷偶联剂)：信越硅酮公司制的KBM-403(3-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷)

固化促进剂：日本触媒公司制的HC-188W(将咪唑系催化剂2P4MHZ用5-羟基-间苯二甲酸包合的潜伏性效果催化剂。2P4MHZ含有比例67％)

[实施例及比较例的树脂片的制作]

按照表1中记载的树脂片的配合比，使各成分溶解、分散于作为溶剂的甲乙酮中，得到浓度为75重量％的清漆。将该清漆涂布在经过硅酮脱模处理的间隔件上后，在110℃下干燥5分钟。由此得到厚度55μm的片。将该片层叠4层，制作厚度220μm的树脂片。

予以说明，在下述评价中，树脂片的厚度优选以下述评价中使用的芯片厚度与凸块高度的合计以上的厚度来实施。这是由于：若片厚过薄，则侵入量减少，无法进行稳定的评价。因此，在本实施例中，下述评价中的“芯片厚度与凸块高度的合计”为220μm。

(向封装体中空部的树脂进入性评价)

<步骤A>

首先，准备将下述样式的1个模型芯片经由树脂凸块而安装于玻璃基板(纵76mm、横26mm、厚1.0mm)的模型芯片安装基板。玻璃基板与模型芯片之间的间隙宽度为20μm。

<模型芯片的样式>

芯片尺寸为纵3mm、横3mm、厚200μm，形成有高20μm的树脂凸块(树脂的材质：干膜抗蚀剂)。凸块数为63个凸块，并按照预先设定的图案进行配置(为在各1mm×1mm的区域内配置有7个凸块的图案，还具有非等间隔的部位)。模型芯片的材质为硅晶片。

予以说明，近年来，电子器件的薄型化推进，要求芯片、半导体封装体的薄型化。因此，要求形成于芯片表面的凸块高度为10～50μm左右。在此，由于在将硅晶片磨削至规定厚度后在晶片表面形成凸块，因此若晶片厚度太薄，则无法有效地形成凸块。为此，在本实施例中，考虑到能够稳定地形成凸块的晶片厚度的限度，采用约200μm作为芯片厚度进行了评价。另外，为了抑制评价的偏差，凸块高度越低越好。从该观点出发，将凸块高度设为20μm进行了评价。

具体而言，将上述模型芯片在下述接合条件下安装于上述玻璃基板，由此准备模型芯片安装基板。

<接合条件>

装置：松下电工(株)制

接合条件：200℃、3N、1秒、超声波输出2W

<步骤B>

将上述实施例、比较例中制作的厚度220μm的树脂片切割成纵1cm、横1cm，制成样品。

<步骤C>

将上述样品配置在上述模型芯片安装基板的上述模型芯片上。

<步骤D>

在下述埋入条件下将上述模型芯片埋入上述样品。

<埋入条件>

挤压方法：平板挤压

温度：65℃

加压力：0.1MPa

真空度：1.6kPa

挤压时间：1分钟

<步骤E>

开放于大气压后，测定进入到上述模型芯片与上述玻璃基板之间的中空部的、构成上述样品的树脂的进入量X1。具体而言，利用KEYENCE公司制的商品名“DigitalMicroscope VHX-2000”(200倍)，测定进入到模型芯片与陶瓷基板之间的中空部的树脂的进入量X1。关于树脂进入量X1，测定从SAW芯片端部进入中空部的树脂的最大到达距离，将其作为树脂进入量X1。予以说明，在未进入而是中空部扩展到比SAW芯片更靠外侧时，树脂进入量表示为负值。

<步骤F>

在上述步骤E之后，在150℃的热风干燥机中放置1小时。由此，使上述样品热固化而得到密封体样品。予以说明，在本实施例中，作为固化促进剂，使用日本触媒公司制的HC-188W(将咪唑系催化剂2P4MHZ用5-羟基-间苯二甲酸包合的潜伏性固化催化剂。2P4MHZ含有比例67％)，考虑到该制品的反应起始温度，在本实施例中，将加热条件设为在150℃下进行1小时。

<步骤G>

之后，测定进入到密封体样品的中空部的树脂的进入量Y1。测定方法与进入量X1相同。将树脂进入量Y1为0μm～80μm的情况设为“○”，将小于0μm或大于80μm的情况设为“×”，进行了评价。结果如表1所示。

之后，求出由进入量Y1减去进入量X1所得的值。结果如表1所示。将由进入量Y1减去进入量X1所得的值为100μm以下的情况设为“○”，将大于100μm的情况设为“×”，进行了评价。结果如表1所示。

(树脂片在90℃下的熔融粘度η的测定)

使用流变仪(HAAKE公司制、MARS II)，利用平行板法测定实施例及比较例中制作的树脂片在90℃下的熔融粘度η。更详细而言，在以下的条件下进行了测定。将90℃测定时的最低值的粘度设为熔融粘度η。结果如表1所示。

<测定条件>

测定模式：室温(25℃)～90℃升温后，在90℃下15分钟等维持

升温速度：10℃/分钟

应变量：0.05％

频率：1hz

样品直径：8mmφ

(无机填充剂的比表面积的测定)

将树脂片加入坩埚中，在大气气氛下以700℃强热2小时，使其灰化。予以说明，作为树脂片的组成，除了无机填充剂之外为有机成分，通过上述的强热处理实际上会使全部的有机成分烧失，因此将得到的灰分视为无机填充剂进行测定。

BET比表面积利用BET吸附法(多点法)进行测定。具体而言，使用Quantachrome制4连式比表面积·细孔分布测定装置“NOVA-4200e型”，将所得的灰分在110下真空脱气6小时以上后，在氮气中、于77.35K的温度下进行了测定。结果如表1所示。

【表1】

符号说明

11 电子器件用树脂片(树脂片)

13 SAW滤波器(电子器件)

14 中空部

15 层叠体

18 中空型电子器件封装体

25 密封体

112 玻璃基板

113 模型芯片

113a 树脂凸块

114 中空部

115 模型芯片安装基板

Claims

1.一种树脂片，其特征在于，其包含无机填充剂，

所述无机填充剂的粒径为0.5μm以上且45μm以下的范围内，

关于所述无机填充剂，全部无机填充剂中的50重量％以上的无机填充剂的比表面积为2.0m²/g～4.5m²/g的范围内。

2.根据权利要求1所述的树脂片，其特征在于，所述无机填充剂的含量相对于树脂片总体为75重量％以上。

3.根据权利要求1或2所述的树脂片，其特征在于，其在90℃时的熔融粘度η为100000Pa·s以上且350000Pa·s以下。