JP2000252309A - 半導体集積回路装置の製造方法 - Google Patents
半導体集積回路装置の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 フィルムを用いたモールドにおいて静電破壊
を防止し、かつ封止部の外観品質および製品の信頼性の
向上を図る。 【解決手段】 上型１１および下型１２と、チップ組み
立て体７をフレーム整列部１６にセットするローダ部１
３と、モールド樹脂の充填後の型開き完了後、チップ組
み立て体７を把持して下型１２上の下側フィルム９から
チップ組み立て体７を剥離させ、かつチップ組み立て体
７をフレーム収納部１４まで搬送するフレーム取り出し
部１７と、モールドを終えたチップ組み立て体７を収納
するフレーム収納部１４と、上側フィルム８および下側
フィルム９の除電を行うフィルム除電部２５と、モール
ド金型１０の除電を行う金型除電部と、モールド後のチ
ップ組み立て体７を除電する製品除電部２７とからな
り、フィルム、モールド金型１０および製品を除電して
モールドを行って静電破壊を防ぐ。
を防止し、かつ封止部の外観品質および製品の信頼性の
向上を図る。 【解決手段】 上型１１および下型１２と、チップ組み
立て体７をフレーム整列部１６にセットするローダ部１
３と、モールド樹脂の充填後の型開き完了後、チップ組
み立て体７を把持して下型１２上の下側フィルム９から
チップ組み立て体７を剥離させ、かつチップ組み立て体
７をフレーム収納部１４まで搬送するフレーム取り出し
部１７と、モールドを終えたチップ組み立て体７を収納
するフレーム収納部１４と、上側フィルム８および下側
フィルム９の除電を行うフィルム除電部２５と、モール
ド金型１０の除電を行う金型除電部と、モールド後のチ
ップ組み立て体７を除電する製品除電部２７とからな
り、フィルム、モールド金型１０および製品を除電して
モールドを行って静電破壊を防ぐ。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造技術に
関し、特に、モールド金型の金型面に単一またはそれ以
上の複数の離型フィルムを配置して行われるモールドに
適用して有効な技術に関する。
関し、特に、モールド金型の金型面に単一またはそれ以
上の複数の離型フィルムを配置して行われるモールドに
適用して有効な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】フィルムを用いたモールド方法として
は、例えば、特開平８−１９７５６７号公報（宮島Ｉ）
や特開平１０−９２８５６号公報（宮島II）などにその
技術が記載されており、前者には、フィルムと被成形品
との隙間部分から樹脂を充填することによってガスを巻
き込まずにモールドする技術が記載されている。さら
に、後者には、フィルムを介して被成形品をクランプす
ることにより、半導体チップの側面および外面ならびに
電気的絶縁層の外面を挟圧してモールドを行う技術が記
載されている。
は、例えば、特開平８−１９７５６７号公報（宮島Ｉ）
や特開平１０−９２８５６号公報（宮島II）などにその
技術が記載されており、前者には、フィルムと被成形品
との隙間部分から樹脂を充填することによってガスを巻
き込まずにモールドする技術が記載されている。さら
に、後者には、フィルムを介して被成形品をクランプす
ることにより、半導体チップの側面および外面ならびに
電気的絶縁層の外面を挟圧してモールドを行う技術が記
載されている。
【０００３】また、静電気を除去する除電技術として
は、例えば、特開平８−７８１８４号公報（土方）、特
開平４−３６７４２３号公報（三宅など）または特開平
４−９４１４４号公報（鈴木など）などにその技術が記
載されており、特開平８−７８１８４号公報には、電極
の周囲を絶縁部材によって覆うとともに、この絶縁部材
に気泡を含有させることにより、印加電圧を大きくして
除電用のイオンの発生量を増加させる技術が記載されて
いる。
は、例えば、特開平８−７８１８４号公報（土方）、特
開平４−３６７４２３号公報（三宅など）または特開平
４−９４１４４号公報（鈴木など）などにその技術が記
載されており、特開平８−７８１８４号公報には、電極
の周囲を絶縁部材によって覆うとともに、この絶縁部材
に気泡を含有させることにより、印加電圧を大きくして
除電用のイオンの発生量を増加させる技術が記載されて
いる。
【０００４】また、特開平４−３６７４２３号公報に
は、イオン化されたガスを熱収縮性合成樹脂の包装内に
注入して静電気を中和した後に、包装袋を熱で収縮させ
て製品に密着させて封止する技術が記載されている。
は、イオン化されたガスを熱収縮性合成樹脂の包装内に
注入して静電気を中和した後に、包装袋を熱で収縮させ
て製品に密着させて封止する技術が記載されている。
【０００５】さらに、特開平８−７８１８４号公報に
は、ＴＡＢ（Tape Automated Bonding）設備においてテ
ープ送り出し部と打ち抜き部との間および打ち抜き部と
テープ巻き取り部との間にそれぞれ静電気除去部を設け
たＴＡＢ技術が記載されている。
は、ＴＡＢ（Tape Automated Bonding）設備においてテ
ープ送り出し部と打ち抜き部との間および打ち抜き部と
テープ巻き取り部との間にそれぞれ静電気除去部を設け
たＴＡＢ技術が記載されている。
【０００６】また、特開平８−１５６０１４号公報（宮
島III ）には、モールド金型においてその上型および下
型のクランプ面の間隔を調節する突き当てブロックを設
置して金型のクランプ時のフィルムの圧縮量を調節する
技術が記載されている。
島III ）には、モールド金型においてその上型および下
型のクランプ面の間隔を調節する突き当てブロックを設
置して金型のクランプ時のフィルムの圧縮量を調節する
技術が記載されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】樹脂封止形の半導体集
積回路装置において、その封止部は、半導体チップを樹
脂封止することによって形成される。その際、モールド
装置のモールド金型の金型面、主に樹脂接触面は、非常
に汚れやすく、数百ショットまたは数千ショットごとに
金型面の清掃を行わなければならない。
積回路装置において、その封止部は、半導体チップを樹
脂封止することによって形成される。その際、モールド
装置のモールド金型の金型面、主に樹脂接触面は、非常
に汚れやすく、数百ショットまたは数千ショットごとに
金型面の清掃を行わなければならない。
【０００８】そこで、モールド装置の稼働率を向上させ
るための方法として、モールド金型の金型面にフィルム
を配置してモールドを行い、モールド終了後に、フィル
ムごと成形品を金型面から離脱させる方法が考えられ
る。
るための方法として、モールド金型の金型面にフィルム
を配置してモールドを行い、モールド終了後に、フィル
ムごと成形品を金型面から離脱させる方法が考えられ
る。
【０００９】ところが、前記した技術のフィルムを用い
たモールドおいて、フィルムの表面は通常鏡面に近い状
態に形成されており、したがって、これと密着して形成
された半導体集積回路装置の封止部の表面も鏡面状態に
形成される。
たモールドおいて、フィルムの表面は通常鏡面に近い状
態に形成されており、したがって、これと密着して形成
された半導体集積回路装置の封止部の表面も鏡面状態に
形成される。
【００１０】その結果、製品組み立て後に、封止部に製
品番号などの記号や文字を付す際に、印刷などによるマ
ーキング方法では、インクが載らないことがあり、封止
部に前記記号や文字を付せないことが問題となる。
品番号などの記号や文字を付す際に、印刷などによるマ
ーキング方法では、インクが載らないことがあり、封止
部に前記記号や文字を付せないことが問題となる。
【００１１】また、フィルムを用いたモールドでは、成
形品やモールド金型が帯電する。これにより、静電破壊
を引き起こす可能性があり、その結果、モールド装置に
容易に組み込むことが可能な静電気除去手段を開発しな
ければならないことが問題となる。
形品やモールド金型が帯電する。これにより、静電破壊
を引き起こす可能性があり、その結果、モールド装置に
容易に組み込むことが可能な静電気除去手段を開発しな
ければならないことが問題となる。
【００１２】さらに、フィルムを用いたモールドでは、
樹脂注入時にキャビティ内のフィルムに弛みが形成され
ることがあり、その結果、封止部の表面に弛みの跡が形
成されて外観不良に至ることが問題となる。
樹脂注入時にキャビティ内のフィルムに弛みが形成され
ることがあり、その結果、封止部の表面に弛みの跡が形
成されて外観不良に至ることが問題となる。
【００１３】また、フィルムを用いたモールドでは、フ
ィルムの圧縮量を調節するためのメカニカルな機構をモ
ールド金型に設置するのが困難であることが問題とな
る。
ィルムの圧縮量を調節するためのメカニカルな機構をモ
ールド金型に設置するのが困難であることが問題とな
る。
【００１４】また、フィルムを用いたモールドでは、フ
ィルムによって静電気が発生し易い。さらに、接地を取
っている金型自体にも相当の帯電が発生することが本発
明者によって明らかにされた。
ィルムによって静電気が発生し易い。さらに、接地を取
っている金型自体にも相当の帯電が発生することが本発
明者によって明らかにされた。
【００１５】したがって、本発明の目的は、信頼性の高
いバンプ接続が可能なＢＧＡ（BallGrid Array)などの
半導体集積回路装置の製造方法を提供することにある。
いバンプ接続が可能なＢＧＡ（BallGrid Array)などの
半導体集積回路装置の製造方法を提供することにある。
【００１６】また、本発明の他の目的は、モールドにお
ける静電破壊を防止する半導体集積回路装置の製造方法
を提供することにある。
ける静電破壊を防止する半導体集積回路装置の製造方法
を提供することにある。
【００１７】さらに、本発明の他の目的は、モールドに
よって形成される封止部の外観品質の向上を図る半導体
集積回路装置の製造方法を提供することにある。
よって形成される封止部の外観品質の向上を図る半導体
集積回路装置の製造方法を提供することにある。
【００１８】また、本発明の他の目的は、製品としての
信頼性の向上を図る半導体集積回路装置の製造方法を提
供することにある。
信頼性の向上を図る半導体集積回路装置の製造方法を提
供することにある。
【００１９】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【００２０】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【００２１】すなわち、本発明の半導体集積回路装置の
製造方法は、モールド金型のキャビティを含む金型面に
第１金型側と第２金型側とで一対を成すフィルムを配置
し、前記一対のフィルム間に半導体チップを備えたチッ
プ組み立て体を配置した後、前記半導体チップをモール
ドすることにより組み立てられる半導体集積回路装置の
製造方法であって、少なくとも一方の面に微細な凹凸が
形成された前記フィルムを準備する工程と、前記モール
ド金型の前記金型面に相互の前記微細な凹凸が形成され
た面を対向させて前記一対のフィルムを配置する工程
と、前記一対のフィルム間に前記チップ組み立て体を配
置する工程と、一対の前記モールド金型を閉じた後、前
記一対のフィルム間にモールド樹脂を供給して、前記キ
ャビティに前記フィルムが倣うように前記モールド樹脂
を充填させる工程と、前記キャビティに前記モールド樹
脂を充填させて前記チップ組み立て体に前記キャビティ
の形状に対応した前記半導体集積回路装置の封止部を形
成する工程とを有し、前記フィルムの前記微細な凹凸に
より、前記封止部の表面を粗面に形成するものである。
製造方法は、モールド金型のキャビティを含む金型面に
第１金型側と第２金型側とで一対を成すフィルムを配置
し、前記一対のフィルム間に半導体チップを備えたチッ
プ組み立て体を配置した後、前記半導体チップをモール
ドすることにより組み立てられる半導体集積回路装置の
製造方法であって、少なくとも一方の面に微細な凹凸が
形成された前記フィルムを準備する工程と、前記モール
ド金型の前記金型面に相互の前記微細な凹凸が形成され
た面を対向させて前記一対のフィルムを配置する工程
と、前記一対のフィルム間に前記チップ組み立て体を配
置する工程と、一対の前記モールド金型を閉じた後、前
記一対のフィルム間にモールド樹脂を供給して、前記キ
ャビティに前記フィルムが倣うように前記モールド樹脂
を充填させる工程と、前記キャビティに前記モールド樹
脂を充填させて前記チップ組み立て体に前記キャビティ
の形状に対応した前記半導体集積回路装置の封止部を形
成する工程とを有し、前記フィルムの前記微細な凹凸に
より、前記封止部の表面を粗面に形成するものである。
【００２２】したがって、半導体集積回路装置の封止部
の表面が粗面に形成されるため、封止部に製品番号など
の記号や文字を付す際に、印刷によるマーキングを行っ
た場合でもインクを付すことが可能になるため、封止部
に記号や文字を容易に付すことができる。
の表面が粗面に形成されるため、封止部に製品番号など
の記号や文字を付す際に、印刷によるマーキングを行っ
た場合でもインクを付すことが可能になるため、封止部
に記号や文字を容易に付すことができる。
【００２３】また、本発明の半導体集積回路装置の製造
方法は、モールド金型のキャビティを含む金型面に第１
金型側と第２金型側とで一対を成すフィルムを配置し、
前記一対のフィルム間に半導体チップを備えたチップ組
み立て体を配置した後、前記半導体チップをモールドす
ることにより組み立てられる半導体集積回路装置の製造
方法であって、前記モールド金型の前記金型面に前記一
対のフィルムを配置する工程と、イオン化されたエアー
を前記モールド金型の前記金型面に供給して前記金型面
で帯電する電荷を中和する工程と、前記金型面の電荷中
和が行われた前記一対のフィルム間に前記チップ組み立
て体を配置する工程と、一対の前記モールド金型を閉じ
た後、前記一対のフィルム間にモールド樹脂を供給し
て、前記キャビティに前記フィルムが倣うように前記モ
ールド樹脂を充填させる工程と、前記キャビティに前記
モールド樹脂を充填させて前記チップ組み立て体に前記
キャビティの形状に対応した前記半導体集積回路装置の
封止部を形成する工程とを有し、前記モールド金型の前
記金型面を除電してモールドし得るものである。
方法は、モールド金型のキャビティを含む金型面に第１
金型側と第２金型側とで一対を成すフィルムを配置し、
前記一対のフィルム間に半導体チップを備えたチップ組
み立て体を配置した後、前記半導体チップをモールドす
ることにより組み立てられる半導体集積回路装置の製造
方法であって、前記モールド金型の前記金型面に前記一
対のフィルムを配置する工程と、イオン化されたエアー
を前記モールド金型の前記金型面に供給して前記金型面
で帯電する電荷を中和する工程と、前記金型面の電荷中
和が行われた前記一対のフィルム間に前記チップ組み立
て体を配置する工程と、一対の前記モールド金型を閉じ
た後、前記一対のフィルム間にモールド樹脂を供給し
て、前記キャビティに前記フィルムが倣うように前記モ
ールド樹脂を充填させる工程と、前記キャビティに前記
モールド樹脂を充填させて前記チップ組み立て体に前記
キャビティの形状に対応した前記半導体集積回路装置の
封止部を形成する工程とを有し、前記モールド金型の前
記金型面を除電してモールドし得るものである。
【００２４】さらに、本発明の半導体集積回路装置の製
造方法は、モールド金型のキャビティを含む金型面に第
１金型側と第２金型側とで一対を成すフィルムを配置
し、前記一対のフィルム間に半導体チップを備えたチッ
プ組み立て体を配置した後、前記半導体チップをモール
ドすることにより組み立てられる半導体集積回路装置の
製造方法であって、前記モールド金型の前記金型面に前
記一対のフィルムを配置する工程と、前記一対のフィル
ム間に前記チップ組み立て体を配置する工程と、一対の
前記モールド金型を初期クランプした後、前記一対のフ
ィルム間にモールド樹脂を供給して、前記モールド樹脂
の注入圧により前記キャビティと前記フィルムとの間で
一部隙間が形成される状態になるまで前記キャビティに
前記モールド樹脂を注入する第１樹脂注入工程と、前記
第１樹脂注入工程後、前記初期クランプより大きな圧力
で一対の前記モールド金型を本クランプし、この状態で
前記モールド樹脂の注入圧により前記フィルムが前記キ
ャビティに倣うように前記キャビティに前記モールド樹
脂を充填させて前記チップ組み立て体に前記キャビティ
の形状に対応した前記半導体集積回路装置の封止部を形
成する第２樹脂注入工程とを有し、前記モールド樹脂の
注入時の前記モールド金型のクランプ状態を前記初期ク
ランプと前記本クランプとの２段階に分けて行うもので
ある。
造方法は、モールド金型のキャビティを含む金型面に第
１金型側と第２金型側とで一対を成すフィルムを配置
し、前記一対のフィルム間に半導体チップを備えたチッ
プ組み立て体を配置した後、前記半導体チップをモール
ドすることにより組み立てられる半導体集積回路装置の
製造方法であって、前記モールド金型の前記金型面に前
記一対のフィルムを配置する工程と、前記一対のフィル
ム間に前記チップ組み立て体を配置する工程と、一対の
前記モールド金型を初期クランプした後、前記一対のフ
ィルム間にモールド樹脂を供給して、前記モールド樹脂
の注入圧により前記キャビティと前記フィルムとの間で
一部隙間が形成される状態になるまで前記キャビティに
前記モールド樹脂を注入する第１樹脂注入工程と、前記
第１樹脂注入工程後、前記初期クランプより大きな圧力
で一対の前記モールド金型を本クランプし、この状態で
前記モールド樹脂の注入圧により前記フィルムが前記キ
ャビティに倣うように前記キャビティに前記モールド樹
脂を充填させて前記チップ組み立て体に前記キャビティ
の形状に対応した前記半導体集積回路装置の封止部を形
成する第２樹脂注入工程とを有し、前記モールド樹脂の
注入時の前記モールド金型のクランプ状態を前記初期ク
ランプと前記本クランプとの２段階に分けて行うもので
ある。
【００２５】なお、本発明の半導体集積回路装置の製造
方法は、モールド金型のキャビティを含む金型面に第１
金型側と第２金型側とで一対を成すフィルムを配置し、
前記一対のフィルム間に半導体チップを備えたチップ組
み立て体を配置した後、前記半導体チップをモールドす
ることにより組み立てられる半導体集積回路装置の製造
方法であって、前記モールド金型の前記金型面に前記一
対のフィルムを配置する工程と、前記一対のフィルム間
に前記チップ組み立て体を配置する工程と、一対の前記
モールド金型を閉じた後、前記一対のフィルム間にモー
ルド樹脂を供給する工程と、前記キャビティ内で前記モ
ールド樹脂が前記チップ組み立て体のボンディングワイ
ヤを覆った時点で、前記キャビティを真空引きして前記
フィルムが前記キャビティに倣うように前記キャビティ
に前記モールド樹脂を充填させる工程と、前記キャビテ
ィに前記モールド樹脂を充填させて前記チップ組み立て
体に前記キャビティの形状に対応した前記半導体集積回
路装置の封止部を形成する工程とを有し、前記真空引き
状態で前記キャビティに前記モールド樹脂を充填させて
前記封止部へのボイドの形成を防止し得るものである。
方法は、モールド金型のキャビティを含む金型面に第１
金型側と第２金型側とで一対を成すフィルムを配置し、
前記一対のフィルム間に半導体チップを備えたチップ組
み立て体を配置した後、前記半導体チップをモールドす
ることにより組み立てられる半導体集積回路装置の製造
方法であって、前記モールド金型の前記金型面に前記一
対のフィルムを配置する工程と、前記一対のフィルム間
に前記チップ組み立て体を配置する工程と、一対の前記
モールド金型を閉じた後、前記一対のフィルム間にモー
ルド樹脂を供給する工程と、前記キャビティ内で前記モ
ールド樹脂が前記チップ組み立て体のボンディングワイ
ヤを覆った時点で、前記キャビティを真空引きして前記
フィルムが前記キャビティに倣うように前記キャビティ
に前記モールド樹脂を充填させる工程と、前記キャビテ
ィに前記モールド樹脂を充填させて前記チップ組み立て
体に前記キャビティの形状に対応した前記半導体集積回
路装置の封止部を形成する工程とを有し、前記真空引き
状態で前記キャビティに前記モールド樹脂を充填させて
前記封止部へのボイドの形成を防止し得るものである。
【００２６】本願発明のその他の概要を箇条書きにして
以下に示す。
以下に示す。
【００２７】１．モールド金型のキャビティを含む金型
面に第１金型側と第２金型側とで一対を成すフィルムを
配置し、前記一対のフィルム間に半導体チップを備えた
チップ組み立て体を配置した後、前記半導体チップをモ
ールドすることにより組み立てられる半導体集積回路装
置の製造方法であって、少なくとも一方の面に微細な凹
凸が形成された前記フィルムを準備する工程と、前記モ
ールド金型の前記金型面に相互の前記微細な凹凸が形成
された面を対向させて前記一対のフィルムを配置する工
程と、前記一対のフィルム間に前記チップ組み立て体を
配置する工程と、一対の前記モールド金型を閉じた後、
前記一対のフィルム間にモールド樹脂を供給して、前記
キャビティに前記フィルムが倣うように前記モールド樹
脂を充填させる工程と、前記キャビティに前記モールド
樹脂を充填させて前記チップ組み立て体に前記キャビテ
ィの形状に対応した前記半導体集積回路装置の封止部を
形成する工程とを有し、前記フィルムの前記微細な凹凸
により、前記封止部の表面を粗面に形成することを特徴
とする半導体集積回路装置の製造方法。
面に第１金型側と第２金型側とで一対を成すフィルムを
配置し、前記一対のフィルム間に半導体チップを備えた
チップ組み立て体を配置した後、前記半導体チップをモ
ールドすることにより組み立てられる半導体集積回路装
置の製造方法であって、少なくとも一方の面に微細な凹
凸が形成された前記フィルムを準備する工程と、前記モ
ールド金型の前記金型面に相互の前記微細な凹凸が形成
された面を対向させて前記一対のフィルムを配置する工
程と、前記一対のフィルム間に前記チップ組み立て体を
配置する工程と、一対の前記モールド金型を閉じた後、
前記一対のフィルム間にモールド樹脂を供給して、前記
キャビティに前記フィルムが倣うように前記モールド樹
脂を充填させる工程と、前記キャビティに前記モールド
樹脂を充填させて前記チップ組み立て体に前記キャビテ
ィの形状に対応した前記半導体集積回路装置の封止部を
形成する工程とを有し、前記フィルムの前記微細な凹凸
により、前記封止部の表面を粗面に形成することを特徴
とする半導体集積回路装置の製造方法。
【００２８】２．モールド金型のキャビティを含む金型
面に第１金型側と第２金型側とで一対を成すフィルムを
配置し、前記一対のフィルム間に半導体チップを備えた
チップ組み立て体を配置した後、前記半導体チップをモ
ールドすることにより組み立てられる半導体集積回路装
置の製造方法であって、前記モールド金型の前記金型面
に前記一対のフィルムを配置する工程と、イオン化され
たエアーを前記モールド金型の前記金型面に供給して前
記金型面で帯電する電荷を中和する工程と、前記一対の
フィルム間に前記チップ組み立て体を配置する工程と、
前記金型面の電荷中和が行われた一対の前記モールド金
型を閉じた後、前記一対のフィルム間にモールド樹脂を
供給して、前記キャビティに前記フィルムが倣うように
前記モールド樹脂を充填させる工程と、前記キャビティ
に前記モールド樹脂を充填させて前記チップ組み立て体
に前記キャビティの形状に対応した前記半導体集積回路
装置の封止部を形成する工程とを有し、前記モールド金
型の前記金型面を除電してモールドし得ることを特徴と
する半導体集積回路装置の製造方法。
面に第１金型側と第２金型側とで一対を成すフィルムを
配置し、前記一対のフィルム間に半導体チップを備えた
チップ組み立て体を配置した後、前記半導体チップをモ
ールドすることにより組み立てられる半導体集積回路装
置の製造方法であって、前記モールド金型の前記金型面
に前記一対のフィルムを配置する工程と、イオン化され
たエアーを前記モールド金型の前記金型面に供給して前
記金型面で帯電する電荷を中和する工程と、前記一対の
フィルム間に前記チップ組み立て体を配置する工程と、
前記金型面の電荷中和が行われた一対の前記モールド金
型を閉じた後、前記一対のフィルム間にモールド樹脂を
供給して、前記キャビティに前記フィルムが倣うように
前記モールド樹脂を充填させる工程と、前記キャビティ
に前記モールド樹脂を充填させて前記チップ組み立て体
に前記キャビティの形状に対応した前記半導体集積回路
装置の封止部を形成する工程とを有し、前記モールド金
型の前記金型面を除電してモールドし得ることを特徴と
する半導体集積回路装置の製造方法。
【００２９】３．モールド金型のキャビティを含む金型
面に第１金型側と第２金型側とで一対を成すフィルムを
配置し、前記一対のフィルム間に半導体チップを備えた
チップ組み立て体を配置した後、前記半導体チップをモ
ールドすることにより組み立てられる半導体集積回路装
置の製造方法であって、前記モールド金型の前記金型面
に前記一対のフィルムを配置する工程と、前記一対のフ
ィルム間に前記チップ組み立て体を配置する工程と、一
対の前記モールド金型を閉じた後、前記一対のフィルム
間にモールド樹脂を供給して、前記キャビティに前記フ
ィルムが倣うように前記モールド樹脂を充填させる工程
と、前記キャビティに前記モールド樹脂を充填させて前
記チップ組み立て体に前記キャビティの形状に対応した
前記半導体集積回路装置の封止部を形成する工程と、イ
オン化されたエアーを前記チップ組み立て体に供給して
前記チップ組み立て体で帯電する電荷を中和する工程と
を有し、モールド後の前記チップ組み立て体を除電し得
ることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
面に第１金型側と第２金型側とで一対を成すフィルムを
配置し、前記一対のフィルム間に半導体チップを備えた
チップ組み立て体を配置した後、前記半導体チップをモ
ールドすることにより組み立てられる半導体集積回路装
置の製造方法であって、前記モールド金型の前記金型面
に前記一対のフィルムを配置する工程と、前記一対のフ
ィルム間に前記チップ組み立て体を配置する工程と、一
対の前記モールド金型を閉じた後、前記一対のフィルム
間にモールド樹脂を供給して、前記キャビティに前記フ
ィルムが倣うように前記モールド樹脂を充填させる工程
と、前記キャビティに前記モールド樹脂を充填させて前
記チップ組み立て体に前記キャビティの形状に対応した
前記半導体集積回路装置の封止部を形成する工程と、イ
オン化されたエアーを前記チップ組み立て体に供給して
前記チップ組み立て体で帯電する電荷を中和する工程と
を有し、モールド後の前記チップ組み立て体を除電し得
ることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【００３０】４．モールド金型のキャビティを含む金型
面に第１金型側と第２金型側とで一対を成すフィルムを
配置し、前記一対のフィルム間に半導体チップを備えた
チップ組み立て体を配置した後、前記半導体チップをモ
ールドすることにより組み立てられる半導体集積回路装
置の製造方法であって、高電圧が印加された電極間にエ
アーを通してこのエアーをイオン化し、イオン化された
前記エアーを前記一対のフィルムに供給して前記フィル
ムで帯電する電荷を中和する工程と、前記モールド金型
の前記金型面に前記電荷中和済みの一対のフィルムを配
置する工程と、高電圧が印加された電極間にエアーを通
してこのエアーをイオン化し、イオン化された前記エア
ーを前記モールド金型の前記金型面に供給して前記金型
面で帯電する電荷を中和する工程と、前記一対のフィル
ム間に前記チップ組み立て体を配置する工程と、前記金
型面の電荷中和が行われた一対の前記モールド金型を閉
じた後、前記一対のフィルム間にモールド樹脂を供給し
て、前記キャビティに前記フィルムが倣うように前記モ
ールド樹脂を充填させる工程と、前記キャビティに前記
モールド樹脂を充填させて前記チップ組み立て体に前記
キャビティの形状に対応した前記半導体集積回路装置の
封止部を形成する工程と、高電圧が印加された電極間に
エアーを通してこのエアーをイオン化し、イオン化され
た前記エアーを前記チップ組み立て体に供給して前記チ
ップ組み立て体で帯電する電荷を中和する工程とを有
し、モールド後の前記チップ組み立て体を除電し得るこ
とを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
面に第１金型側と第２金型側とで一対を成すフィルムを
配置し、前記一対のフィルム間に半導体チップを備えた
チップ組み立て体を配置した後、前記半導体チップをモ
ールドすることにより組み立てられる半導体集積回路装
置の製造方法であって、高電圧が印加された電極間にエ
アーを通してこのエアーをイオン化し、イオン化された
前記エアーを前記一対のフィルムに供給して前記フィル
ムで帯電する電荷を中和する工程と、前記モールド金型
の前記金型面に前記電荷中和済みの一対のフィルムを配
置する工程と、高電圧が印加された電極間にエアーを通
してこのエアーをイオン化し、イオン化された前記エア
ーを前記モールド金型の前記金型面に供給して前記金型
面で帯電する電荷を中和する工程と、前記一対のフィル
ム間に前記チップ組み立て体を配置する工程と、前記金
型面の電荷中和が行われた一対の前記モールド金型を閉
じた後、前記一対のフィルム間にモールド樹脂を供給し
て、前記キャビティに前記フィルムが倣うように前記モ
ールド樹脂を充填させる工程と、前記キャビティに前記
モールド樹脂を充填させて前記チップ組み立て体に前記
キャビティの形状に対応した前記半導体集積回路装置の
封止部を形成する工程と、高電圧が印加された電極間に
エアーを通してこのエアーをイオン化し、イオン化され
た前記エアーを前記チップ組み立て体に供給して前記チ
ップ組み立て体で帯電する電荷を中和する工程とを有
し、モールド後の前記チップ組み立て体を除電し得るこ
とを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【００３１】５．モールド金型のキャビティを含む金型
面に第１金型側と第２金型側とで一対を成すフィルムを
配置し、前記一対のフィルム間に半導体チップを備えた
チップ組み立て体を配置した後、前記半導体チップをモ
ールドすることにより組み立てられる半導体集積回路装
置の製造方法であって、前記モールド金型の前記金型面
に前記一対のフィルムを配置する工程と、前記一対のフ
ィルム間に前記チップ組み立て体を配置する工程と、一
対の前記モールド金型を初期クランプした後、前記一対
のフィルム間にモールド樹脂を供給して、前記モールド
樹脂の注入圧により前記キャビティと前記フィルムとの
間で一部隙間が形成される状態になるまで前記キャビテ
ィに前記モールド樹脂を注入する第１樹脂注入工程と、
前記第１樹脂注入工程後、前記初期クランプより大きな
圧力で一対の前記モールド金型を本クランプし、この状
態で前記モールド樹脂の注入圧により前記フィルムが前
記キャビティに倣うように前記キャビティに前記モール
ド樹脂を充填させて前記チップ組み立て体に前記キャビ
ティの形状に対応した前記半導体集積回路装置の封止部
を形成する第２樹脂注入工程とを有し、前記モールド樹
脂の注入時の前記モールド金型のクランプ状態を前記初
期クランプと前記本クランプとの２段階に分けて行うこ
とを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
面に第１金型側と第２金型側とで一対を成すフィルムを
配置し、前記一対のフィルム間に半導体チップを備えた
チップ組み立て体を配置した後、前記半導体チップをモ
ールドすることにより組み立てられる半導体集積回路装
置の製造方法であって、前記モールド金型の前記金型面
に前記一対のフィルムを配置する工程と、前記一対のフ
ィルム間に前記チップ組み立て体を配置する工程と、一
対の前記モールド金型を初期クランプした後、前記一対
のフィルム間にモールド樹脂を供給して、前記モールド
樹脂の注入圧により前記キャビティと前記フィルムとの
間で一部隙間が形成される状態になるまで前記キャビテ
ィに前記モールド樹脂を注入する第１樹脂注入工程と、
前記第１樹脂注入工程後、前記初期クランプより大きな
圧力で一対の前記モールド金型を本クランプし、この状
態で前記モールド樹脂の注入圧により前記フィルムが前
記キャビティに倣うように前記キャビティに前記モール
ド樹脂を充填させて前記チップ組み立て体に前記キャビ
ティの形状に対応した前記半導体集積回路装置の封止部
を形成する第２樹脂注入工程とを有し、前記モールド樹
脂の注入時の前記モールド金型のクランプ状態を前記初
期クランプと前記本クランプとの２段階に分けて行うこ
とを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【００３２】６．モールド金型のキャビティを含む金型
面に第１金型側と第２金型側とで一対を成すフィルムを
配置し、前記一対のフィルム間に半導体チップを備えた
チップ組み立て体を配置した後、前記半導体チップをモ
ールドすることにより組み立てられる半導体集積回路装
置の製造方法であって、前記モールド金型の前記金型面
に前記一対のフィルムを配置する工程と、前記一対のフ
ィルム間に前記チップ組み立て体を配置する工程と、一
対の前記モールド金型を閉じた後、前記一対のフィルム
間にモールド樹脂を供給する工程と、前記キャビティ内
で前記モールド樹脂が前記チップ組み立て体のボンディ
ングワイヤを覆った時点で、前記キャビティを真空引き
して前記フィルムが前記キャビティに倣うように前記キ
ャビティに前記モールド樹脂を充填させる工程と、前記
キャビティに前記モールド樹脂を充填させて前記チップ
組み立て体に前記キャビティの形状に対応した前記半導
体集積回路装置の封止部を形成する工程とを有し、前記
真空引き状態で前記キャビティに前記モールド樹脂を充
填させて前記封止部へのボイドの形成を防止し得ること
を特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
面に第１金型側と第２金型側とで一対を成すフィルムを
配置し、前記一対のフィルム間に半導体チップを備えた
チップ組み立て体を配置した後、前記半導体チップをモ
ールドすることにより組み立てられる半導体集積回路装
置の製造方法であって、前記モールド金型の前記金型面
に前記一対のフィルムを配置する工程と、前記一対のフ
ィルム間に前記チップ組み立て体を配置する工程と、一
対の前記モールド金型を閉じた後、前記一対のフィルム
間にモールド樹脂を供給する工程と、前記キャビティ内
で前記モールド樹脂が前記チップ組み立て体のボンディ
ングワイヤを覆った時点で、前記キャビティを真空引き
して前記フィルムが前記キャビティに倣うように前記キ
ャビティに前記モールド樹脂を充填させる工程と、前記
キャビティに前記モールド樹脂を充填させて前記チップ
組み立て体に前記キャビティの形状に対応した前記半導
体集積回路装置の封止部を形成する工程とを有し、前記
真空引き状態で前記キャビティに前記モールド樹脂を充
填させて前記封止部へのボイドの形成を防止し得ること
を特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【００３３】７．モールド金型のキャビティを含む金型
面に第１金型側と第２金型側とで一対を成すフィルムを
配置し、前記一対のフィルム間に半導体チップを備えた
チップ組み立て体を配置した後、前記半導体チップをモ
ールドすることにより組み立てられる半導体集積回路装
置の製造方法であって、前記モールド金型の前記金型面
に前記一対のフィルムを配置する工程と、チップ支持面
の反対側の面に外部端子として突起状電極が設けられる
チップ支持基板を備えた前記チップ組み立て体を準備す
る工程と、前記一対のフィルム間に前記チップ組み立て
体を配置して前記チップ支持基板の前記チップ支持面側
とその反対の面側とに前記フィルムを配置する工程と、
一対の前記モールド金型を閉じた後、何れか一方の前記
フィルムと前記チップ組み立て体の前記チップ支持基板
の前記反対側の面とを密着させ、前記一対のフィルム間
にモールド樹脂を供給して、前記キャビティに前記フィ
ルムが倣うように前記モールド樹脂を充填させる工程
と、前記キャビティに前記モールド樹脂を充填させて前
記チップ組み立て体に前記キャビティの形状に対応した
前記半導体集積回路装置の封止部を形成する工程と、前
記チップ支持基板の前記チップ支持面と反対側の面に前
記フィルムを密着させてモールドすることにより、前記
チップ支持基板の前記反対側の面に前記モールド樹脂を
付着させずにモールドし得ることを特徴とする半導体集
積回路装置の製造方法。
面に第１金型側と第２金型側とで一対を成すフィルムを
配置し、前記一対のフィルム間に半導体チップを備えた
チップ組み立て体を配置した後、前記半導体チップをモ
ールドすることにより組み立てられる半導体集積回路装
置の製造方法であって、前記モールド金型の前記金型面
に前記一対のフィルムを配置する工程と、チップ支持面
の反対側の面に外部端子として突起状電極が設けられる
チップ支持基板を備えた前記チップ組み立て体を準備す
る工程と、前記一対のフィルム間に前記チップ組み立て
体を配置して前記チップ支持基板の前記チップ支持面側
とその反対の面側とに前記フィルムを配置する工程と、
一対の前記モールド金型を閉じた後、何れか一方の前記
フィルムと前記チップ組み立て体の前記チップ支持基板
の前記反対側の面とを密着させ、前記一対のフィルム間
にモールド樹脂を供給して、前記キャビティに前記フィ
ルムが倣うように前記モールド樹脂を充填させる工程
と、前記キャビティに前記モールド樹脂を充填させて前
記チップ組み立て体に前記キャビティの形状に対応した
前記半導体集積回路装置の封止部を形成する工程と、前
記チップ支持基板の前記チップ支持面と反対側の面に前
記フィルムを密着させてモールドすることにより、前記
チップ支持基板の前記反対側の面に前記モールド樹脂を
付着させずにモールドし得ることを特徴とする半導体集
積回路装置の製造方法。
【００３４】８．前記項７記載の半導体集積回路装置の
製造方法であって、前記フィルムとして、少なくとも一
方の面に微細な凹凸が形成されたフィルムを用い、前記
モールドによって前記封止部を形成した際に、前記フィ
ルムの前記微細な凹凸によって前記封止部の表面を粗面
に形成することを特徴とする半導体集積回路装置の製造
方法。
製造方法であって、前記フィルムとして、少なくとも一
方の面に微細な凹凸が形成されたフィルムを用い、前記
モールドによって前記封止部を形成した際に、前記フィ
ルムの前記微細な凹凸によって前記封止部の表面を粗面
に形成することを特徴とする半導体集積回路装置の製造
方法。
【００３５】９．前記項１記載の半導体集積回路装置の
製造方法であって、前記フィルムとして、メチルペンテ
ン樹脂によって形成されたフィルムを用いることを特徴
とする半導体集積回路装置の製造方法。
製造方法であって、前記フィルムとして、メチルペンテ
ン樹脂によって形成されたフィルムを用いることを特徴
とする半導体集積回路装置の製造方法。
【００３６】１０．前記項４記載の半導体集積回路装置
の製造方法であって、前記エアーとして、ドライエアー
を用いることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方
法。
の製造方法であって、前記エアーとして、ドライエアー
を用いることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方
法。
【００３７】１１．前記項４記載の半導体集積回路装置
の製造方法であって、前記フィルムとして、少なくとも
一方の面に微細な凹凸が形成されたフィルムを用い、前
記モールドによって前記封止部を形成した際に、前記フ
ィルムの前記微細な凹凸によって前記封止部の表面を粗
面に形成することを特徴とする半導体集積回路装置の製
造方法。
の製造方法であって、前記フィルムとして、少なくとも
一方の面に微細な凹凸が形成されたフィルムを用い、前
記モールドによって前記封止部を形成した際に、前記フ
ィルムの前記微細な凹凸によって前記封止部の表面を粗
面に形成することを特徴とする半導体集積回路装置の製
造方法。
【００３８】１２．前記項５記載の半導体集積回路装置
の製造方法であって、前記フィルムとして、少なくとも
一方の面に微細な凹凸が形成されたフィルムを用い、前
記モールドによって前記封止部を形成した際に、前記フ
ィルムの前記微細な凹凸によって前記封止部の表面を粗
面に形成することを特徴とする半導体集積回路装置の製
造方法。
の製造方法であって、前記フィルムとして、少なくとも
一方の面に微細な凹凸が形成されたフィルムを用い、前
記モールドによって前記封止部を形成した際に、前記フ
ィルムの前記微細な凹凸によって前記封止部の表面を粗
面に形成することを特徴とする半導体集積回路装置の製
造方法。
【００３９】１３．前記項６記載の半導体集積回路装置
の製造方法であって、前記フィルムとして、少なくとも
一方の面に微細な凹凸が形成されたフィルムを用い、前
記モールドによって前記封止部を形成した際に、前記フ
ィルムの前記微細な凹凸によって前記封止部の表面を粗
面に形成することを特徴とする半導体集積回路装置の製
造方法。
の製造方法であって、前記フィルムとして、少なくとも
一方の面に微細な凹凸が形成されたフィルムを用い、前
記モールドによって前記封止部を形成した際に、前記フ
ィルムの前記微細な凹凸によって前記封止部の表面を粗
面に形成することを特徴とする半導体集積回路装置の製
造方法。
【００４０】１４．前記項５記載の半導体集積回路装置
の製造方法であって、前記初期クランプの圧力を面圧１
から５ｋｇ／ｍｍ2 とし、前記本クランプの圧力を面圧
１０ｋｇ／ｍｍ2 以上とすることを特徴とする半導体集
積回路装置の製造方法。
の製造方法であって、前記初期クランプの圧力を面圧１
から５ｋｇ／ｍｍ2 とし、前記本クランプの圧力を面圧
１０ｋｇ／ｍｍ2 以上とすることを特徴とする半導体集
積回路装置の製造方法。
【００４１】１５．主面に半導体集積回路が形成された
半導体チップを準備する工程と、前記半導体チップを搭
載可能なチップ支持基板が取り付けられたフレーム部材
を準備する工程と、前記半導体チップと前記チップ支持
基板とを接合する工程と、前記半導体チップの表面電極
と前記チップ支持基板の基板電極とをワイヤボンディン
グによって電気的に接続する工程と、モールド金型の前
記金型面に一対のフィルムを配置する工程と、前記半導
体チップが搭載された前記フレーム部材であるチップ組
み立て体を前記一対のフィルム間に配置する工程と、一
対の前記モールド金型を閉じた後、何れか一方の前記フ
ィルムと前記チップ組み立て体の前記チップ支持基板の
チップ支持面の反対側の面とを密着させ、前記一対のフ
ィルム間にモールド樹脂を供給して、前記キャビティに
前記フィルムが倣うように前記キャビティに前記モール
ド樹脂を充填させる工程と、前記キャビティに前記モー
ルド樹脂を充填させて前記チップ組み立て体に前記キャ
ビティの形状に対応した前記半導体集積回路装置の封止
部を形成する工程と、前記封止部形成後、前記チップ組
み立て体の前記フレーム部材から前記チップ支持基板を
分離し、その後、前記チップ支持基板の前記チップ支持
面と反対側の面に外部端子として複数の突起状電極を形
成する工程とを有し、前記チップ組み立て体の前記チッ
プ支持基板の前記チップ支持面と反対側の面に前記フィ
ルムを密着させてモールドすることにより、前記チップ
支持基板の前記反対側の面に前記モールド樹脂を付着さ
せずにモールドし得ることを特徴とする半導体集積回路
装置の製造方法。
半導体チップを準備する工程と、前記半導体チップを搭
載可能なチップ支持基板が取り付けられたフレーム部材
を準備する工程と、前記半導体チップと前記チップ支持
基板とを接合する工程と、前記半導体チップの表面電極
と前記チップ支持基板の基板電極とをワイヤボンディン
グによって電気的に接続する工程と、モールド金型の前
記金型面に一対のフィルムを配置する工程と、前記半導
体チップが搭載された前記フレーム部材であるチップ組
み立て体を前記一対のフィルム間に配置する工程と、一
対の前記モールド金型を閉じた後、何れか一方の前記フ
ィルムと前記チップ組み立て体の前記チップ支持基板の
チップ支持面の反対側の面とを密着させ、前記一対のフ
ィルム間にモールド樹脂を供給して、前記キャビティに
前記フィルムが倣うように前記キャビティに前記モール
ド樹脂を充填させる工程と、前記キャビティに前記モー
ルド樹脂を充填させて前記チップ組み立て体に前記キャ
ビティの形状に対応した前記半導体集積回路装置の封止
部を形成する工程と、前記封止部形成後、前記チップ組
み立て体の前記フレーム部材から前記チップ支持基板を
分離し、その後、前記チップ支持基板の前記チップ支持
面と反対側の面に外部端子として複数の突起状電極を形
成する工程とを有し、前記チップ組み立て体の前記チッ
プ支持基板の前記チップ支持面と反対側の面に前記フィ
ルムを密着させてモールドすることにより、前記チップ
支持基板の前記反対側の面に前記モールド樹脂を付着さ
せずにモールドし得ることを特徴とする半導体集積回路
装置の製造方法。
【００４２】１６．前記項１５記載の半導体集積回路装
置の製造方法であって、前記モールド樹脂の注入の際
に、前記チップ組み立て体の前記フレーム部材の基板支
持フレームの表裏両面に前記モールド樹脂を周り込ませ
て前記チップ支持基板の前記チップ支持面側と側面とに
前記封止部を形成することを特徴とする半導体集積回路
装置の製造方法。
置の製造方法であって、前記モールド樹脂の注入の際
に、前記チップ組み立て体の前記フレーム部材の基板支
持フレームの表裏両面に前記モールド樹脂を周り込ませ
て前記チップ支持基板の前記チップ支持面側と側面とに
前記封止部を形成することを特徴とする半導体集積回路
装置の製造方法。
【００４３】本願発明の更にその他の概要を箇条書きに
して以下に示す。
して以下に示す。
【００４４】１．モールド金型のキャビティを含む金型
面に第１のフィルム、および一方の主面に微細な凹凸が
形成された第２のフィルムを前記第２のフィルムの前記
一方の主面が前記第１のフィルムの一方の主面と対向す
るように配置し、前記第１および第２のフィルム間に半
導体チップを備えたチップ組み立て体を配置した後、前
記半導体チップをモールドすることにより組み立てられ
る半導体集積回路装置の製造方法であって、(a) 前記第
１および第２のフィルム間に前記チップ組み立て体を配
置する工程と、(b) 前記モールド金型を構成する第１お
よび第２の金型を閉じた後、前記第１および第２のフィ
ルム間にモールド樹脂を供給して、前記キャビティに前
記モールド樹脂を充填させる工程と、(c) 前記キャビテ
ィに前記モールド樹脂を充填させて前記チップ組み立て
体に前記キャビティの形状に対応した前記半導体集積回
路装置の封止部を形成する工程と、(d) 前記各工程の
後、前記モールド金型を開いて封止された前記チップ組
み立て体を前記キャビティから離型させる工程とを有す
ることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
面に第１のフィルム、および一方の主面に微細な凹凸が
形成された第２のフィルムを前記第２のフィルムの前記
一方の主面が前記第１のフィルムの一方の主面と対向す
るように配置し、前記第１および第２のフィルム間に半
導体チップを備えたチップ組み立て体を配置した後、前
記半導体チップをモールドすることにより組み立てられ
る半導体集積回路装置の製造方法であって、(a) 前記第
１および第２のフィルム間に前記チップ組み立て体を配
置する工程と、(b) 前記モールド金型を構成する第１お
よび第２の金型を閉じた後、前記第１および第２のフィ
ルム間にモールド樹脂を供給して、前記キャビティに前
記モールド樹脂を充填させる工程と、(c) 前記キャビテ
ィに前記モールド樹脂を充填させて前記チップ組み立て
体に前記キャビティの形状に対応した前記半導体集積回
路装置の封止部を形成する工程と、(d) 前記各工程の
後、前記モールド金型を開いて封止された前記チップ組
み立て体を前記キャビティから離型させる工程とを有す
ることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【００４５】２．モールド金型のキャビティを含む金型
面に第１および第２のフィルムを配置し、前記第１およ
び第２のフィルム間に半導体チップを備えたチップ組み
立て体を配置した後、前記半導体チップをモールドする
ことにより組み立てられる半導体集積回路装置の製造方
法であって、(a) イオン化されたガスを前記モールド金
型の前記金型面に供給して前記金型面領域に帯電する電
荷を中和する工程と、(b) 前記第１および第２のフィル
ム間に前記チップ組み立て体を配置する工程と、(c) 前
記金型面の電荷中和が行われた前記モールド金型を構成
する第１および第２の金型を閉じた後、前記第１および
第２フィルム間にモールド樹脂を供給して、前記キャビ
ティに前記モールド樹脂を充填させる工程と、(d) 前記
キャビティに前記モールド樹脂を充填させて前記チップ
組み立て体に前記キャビティの形状に対応した前記半導
体集積回路装置の封止部を形成する工程と、(e) 前記各
工程の後、前記モールド金型を開いて封止された前記チ
ップ組み立て体を前記キャビティから離型させる工程と
を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方
法。
面に第１および第２のフィルムを配置し、前記第１およ
び第２のフィルム間に半導体チップを備えたチップ組み
立て体を配置した後、前記半導体チップをモールドする
ことにより組み立てられる半導体集積回路装置の製造方
法であって、(a) イオン化されたガスを前記モールド金
型の前記金型面に供給して前記金型面領域に帯電する電
荷を中和する工程と、(b) 前記第１および第２のフィル
ム間に前記チップ組み立て体を配置する工程と、(c) 前
記金型面の電荷中和が行われた前記モールド金型を構成
する第１および第２の金型を閉じた後、前記第１および
第２フィルム間にモールド樹脂を供給して、前記キャビ
ティに前記モールド樹脂を充填させる工程と、(d) 前記
キャビティに前記モールド樹脂を充填させて前記チップ
組み立て体に前記キャビティの形状に対応した前記半導
体集積回路装置の封止部を形成する工程と、(e) 前記各
工程の後、前記モールド金型を開いて封止された前記チ
ップ組み立て体を前記キャビティから離型させる工程と
を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方
法。
【００４６】３．モールド金型のキャビティを含む金型
面に第１および第２のフィルムを配置し、前記第１およ
び第２のフィルム間に半導体チップを備えたチップ組み
立て体を配置した後、前記半導体チップをモールドする
ことにより組み立てられる半導体集積回路装置の製造方
法であって、(a) 前記第１および第２のフィルム間に前
記チップ組み立て体を配置する工程と、(b) 前記モール
ド金型を構成する第１および第２の金型を閉じた後、前
記第１および第２のフィルム間にモールド樹脂を供給し
て、前記キャビティに前記モールド樹脂を充填させる工
程と、(c) 前記キャビティに前記モールド樹脂を充填さ
せて前記チップ組み立て体に前記キャビティの形状に対
応した前記半導体集積回路装置の封止部を形成する工程
と、(d) 前記金型を開いて封止された前記チップ組み立
て体を前記キャビティから離型させる工程と、(e) 前記
各工程の後、イオン化されたガスを前記チップ組み立て
体に供給して前記チップ組み立て体上に帯電する電荷を
中和する工程とを有することを特徴とする半導体集積回
路装置の製造方法。
面に第１および第２のフィルムを配置し、前記第１およ
び第２のフィルム間に半導体チップを備えたチップ組み
立て体を配置した後、前記半導体チップをモールドする
ことにより組み立てられる半導体集積回路装置の製造方
法であって、(a) 前記第１および第２のフィルム間に前
記チップ組み立て体を配置する工程と、(b) 前記モール
ド金型を構成する第１および第２の金型を閉じた後、前
記第１および第２のフィルム間にモールド樹脂を供給し
て、前記キャビティに前記モールド樹脂を充填させる工
程と、(c) 前記キャビティに前記モールド樹脂を充填さ
せて前記チップ組み立て体に前記キャビティの形状に対
応した前記半導体集積回路装置の封止部を形成する工程
と、(d) 前記金型を開いて封止された前記チップ組み立
て体を前記キャビティから離型させる工程と、(e) 前記
各工程の後、イオン化されたガスを前記チップ組み立て
体に供給して前記チップ組み立て体上に帯電する電荷を
中和する工程とを有することを特徴とする半導体集積回
路装置の製造方法。
【００４７】４．モールド金型のキャビティを含む金型
面に第１および第２のフィルムを配置し、前記第１およ
び第２のフィルム間に半導体チップを備えたチップ組み
立て体を配置した後、前記半導体チップをモールドする
ことにより組み立てられる半導体集積回路装置の製造方
法であって、(a) イオン化された第１のガスを前記第１
および第２のフィルムに供給して前記フィルム上に帯電
する電荷を中和する工程と、(b) 前記モールド金型の前
記金型面に前記電荷中和済みの第１および第２のフィル
ムを配置する工程と、(c) イオン化された第２のガスま
たは前記第１のガスを前記モールド金型の前記金型面に
供給して前記金型面領域に帯電する電荷を中和する工程
と、(d) 前記第１および第２のフィルム間に前記チップ
組み立て体を配置する工程と、(e) 前記金型面の電荷中
和が行われた前記モールド金型の第１および第２の金型
を閉じた後、前記第１および第２のフィルム間にモール
ド樹脂を供給して、前記キャビティに前記モールド樹脂
を充填させる工程と、(f) 前記キャビティに前記モール
ド樹脂を充填させて前記チップ組み立て体に前記キャビ
ティの形状に対応した前記半導体集積回路装置の封止部
を形成する工程と、(g) 前記各工程の後、前記金型を開
いて封止された前記チップ組み立て体を前記キャビティ
から離型させる工程と、(h) イオン化された第３のガ
ス、前記第２または前記第１のガスを前記チップ組み立
て体に供給して前記チップ組み立て体上に帯電する電荷
を中和する工程とを有することを特徴とする半導体集積
回路装置の製造方法。
面に第１および第２のフィルムを配置し、前記第１およ
び第２のフィルム間に半導体チップを備えたチップ組み
立て体を配置した後、前記半導体チップをモールドする
ことにより組み立てられる半導体集積回路装置の製造方
法であって、(a) イオン化された第１のガスを前記第１
および第２のフィルムに供給して前記フィルム上に帯電
する電荷を中和する工程と、(b) 前記モールド金型の前
記金型面に前記電荷中和済みの第１および第２のフィル
ムを配置する工程と、(c) イオン化された第２のガスま
たは前記第１のガスを前記モールド金型の前記金型面に
供給して前記金型面領域に帯電する電荷を中和する工程
と、(d) 前記第１および第２のフィルム間に前記チップ
組み立て体を配置する工程と、(e) 前記金型面の電荷中
和が行われた前記モールド金型の第１および第２の金型
を閉じた後、前記第１および第２のフィルム間にモール
ド樹脂を供給して、前記キャビティに前記モールド樹脂
を充填させる工程と、(f) 前記キャビティに前記モール
ド樹脂を充填させて前記チップ組み立て体に前記キャビ
ティの形状に対応した前記半導体集積回路装置の封止部
を形成する工程と、(g) 前記各工程の後、前記金型を開
いて封止された前記チップ組み立て体を前記キャビティ
から離型させる工程と、(h) イオン化された第３のガ
ス、前記第２または前記第１のガスを前記チップ組み立
て体に供給して前記チップ組み立て体上に帯電する電荷
を中和する工程とを有することを特徴とする半導体集積
回路装置の製造方法。
【００４８】５．モールド金型のキャビティを含む金型
面に第１および第２のフィルムを配置し、前記第１およ
び第２のフィルム間に半導体チップを備えたチップ組み
立て体を配置した後、前記半導体チップをモールドする
ことにより組み立てられる半導体集積回路装置の製造方
法であって、(a) 前記第１および第２のフィルム間に前
記チップ組み立て体を配置する工程と、(b) 前記モール
ド金型を構成する第１および第２の金型を１次クランプ
した後、前記第１および第２のフィルム間にモールド樹
脂を供給して、前記モールド樹脂により前記キャビティ
内の前記第１および第２フィルム間がほぼ充填される状
態になるまで前記キャビティに前記モールド樹脂を注入
する第１樹脂注入工程と、(c) 前記第１樹脂注入工程
後、前記１次クランプより大きな圧力で前記モールド金
型を２次クランプし、この状態で前記モールド樹脂の注
入圧により前記フィルムが前記キャビティ内面に沿うよ
うに前記キャビティに前記モールド樹脂を充填させて前
記チップ組み立て体に前記キャビティの形状に対応した
前記半導体集積回路装置の封止部を形成する第２樹脂注
入工程と、(d) 前記各工程の後、前記金型を開いて封止
された前記チップ組み立て体を前記キャビティから離型
させる工程とを有することを特徴とする半導体集積回路
装置の製造方法。
面に第１および第２のフィルムを配置し、前記第１およ
び第２のフィルム間に半導体チップを備えたチップ組み
立て体を配置した後、前記半導体チップをモールドする
ことにより組み立てられる半導体集積回路装置の製造方
法であって、(a) 前記第１および第２のフィルム間に前
記チップ組み立て体を配置する工程と、(b) 前記モール
ド金型を構成する第１および第２の金型を１次クランプ
した後、前記第１および第２のフィルム間にモールド樹
脂を供給して、前記モールド樹脂により前記キャビティ
内の前記第１および第２フィルム間がほぼ充填される状
態になるまで前記キャビティに前記モールド樹脂を注入
する第１樹脂注入工程と、(c) 前記第１樹脂注入工程
後、前記１次クランプより大きな圧力で前記モールド金
型を２次クランプし、この状態で前記モールド樹脂の注
入圧により前記フィルムが前記キャビティ内面に沿うよ
うに前記キャビティに前記モールド樹脂を充填させて前
記チップ組み立て体に前記キャビティの形状に対応した
前記半導体集積回路装置の封止部を形成する第２樹脂注
入工程と、(d) 前記各工程の後、前記金型を開いて封止
された前記チップ組み立て体を前記キャビティから離型
させる工程とを有することを特徴とする半導体集積回路
装置の製造方法。
【００４９】６．モールド金型のキャビティを含む金型
面に第１および第２のフィルムを配置し、前記第１およ
び第２のフィルム間に半導体チップを備えたチップ組み
立て体を配置した後、前記半導体チップをモールドする
ことにより組み立てられる半導体集積回路装置の製造方
法であって、(a) 前記第１および第２のフィルム間に前
記チップ組み立て体を配置する工程と、(b) 前記モール
ド金型を構成する第１および第２の金型を閉じた後、前
記第１および第２のフィルム間にモールド樹脂を供給す
る工程と、(c) 前記キャビティ内で前記モールド樹脂が
前記チップ組み立て体のボンディングワイヤを覆った後
に、前記キャビティを真空引きして前記キャビティに前
記モールド樹脂を充填させる工程と、(d) 前記キャビテ
ィに前記モールド樹脂を充填させて前記チップ組み立て
体に前記キャビティの形状に対応した前記半導体集積回
路装置の封止部を形成する工程と、(e) 前記各工程の
後、前記金型を開いて封止された前記チップ組み立て体
を前記キャビティから離型させる工程とを有することを
特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
面に第１および第２のフィルムを配置し、前記第１およ
び第２のフィルム間に半導体チップを備えたチップ組み
立て体を配置した後、前記半導体チップをモールドする
ことにより組み立てられる半導体集積回路装置の製造方
法であって、(a) 前記第１および第２のフィルム間に前
記チップ組み立て体を配置する工程と、(b) 前記モール
ド金型を構成する第１および第２の金型を閉じた後、前
記第１および第２のフィルム間にモールド樹脂を供給す
る工程と、(c) 前記キャビティ内で前記モールド樹脂が
前記チップ組み立て体のボンディングワイヤを覆った後
に、前記キャビティを真空引きして前記キャビティに前
記モールド樹脂を充填させる工程と、(d) 前記キャビテ
ィに前記モールド樹脂を充填させて前記チップ組み立て
体に前記キャビティの形状に対応した前記半導体集積回
路装置の封止部を形成する工程と、(e) 前記各工程の
後、前記金型を開いて封止された前記チップ組み立て体
を前記キャビティから離型させる工程とを有することを
特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【００５０】７．第１および第２の金型を有するモール
ド金型のキャビティを含む金型面に第１および第２のフ
ィルムを配置し、前記第１および第２のフィルム間に複
数のリードを有するチップ支持基板、その第１の主面上
に固定された半導体チップ、および前記複数のリードと
前記半導体チップ間を接続するボンディングワイヤとを
備えたチップ組み立て体を配置した後、前記半導体チッ
プをモールドすることにより組み立てられる半導体集積
回路装置の製造方法であって、(a) 前記第１および第２
のフィルム間に前記チップ組み立て体を配置する工程
と、(b) 前記モールド金型の第１および第２の金型を閉
じた後、前記第１のフィルムと前記チップ組み立て体の
前記チップ支持基板の第２の主面とをモールド樹脂が入
り込まない程度に密着させ、前記第１および第２のフィ
ルム間に前記モールド樹脂を供給して、前記キャビティ
に前記モールド樹脂を充填させる工程と、(c) 前記キャ
ビティに前記モールド樹脂を充填させて前記チップ組み
立て体に前記キャビティの形状に対応した前記半導体集
積回路装置の封止部を形成する工程と、(d) 前記各工程
の後、前記金型を開いて封止された前記チップ組み立て
体を前記キャビティから離型させる工程とを有すること
を特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
ド金型のキャビティを含む金型面に第１および第２のフ
ィルムを配置し、前記第１および第２のフィルム間に複
数のリードを有するチップ支持基板、その第１の主面上
に固定された半導体チップ、および前記複数のリードと
前記半導体チップ間を接続するボンディングワイヤとを
備えたチップ組み立て体を配置した後、前記半導体チッ
プをモールドすることにより組み立てられる半導体集積
回路装置の製造方法であって、(a) 前記第１および第２
のフィルム間に前記チップ組み立て体を配置する工程
と、(b) 前記モールド金型の第１および第２の金型を閉
じた後、前記第１のフィルムと前記チップ組み立て体の
前記チップ支持基板の第２の主面とをモールド樹脂が入
り込まない程度に密着させ、前記第１および第２のフィ
ルム間に前記モールド樹脂を供給して、前記キャビティ
に前記モールド樹脂を充填させる工程と、(c) 前記キャ
ビティに前記モールド樹脂を充填させて前記チップ組み
立て体に前記キャビティの形状に対応した前記半導体集
積回路装置の封止部を形成する工程と、(d) 前記各工程
の後、前記金型を開いて封止された前記チップ組み立て
体を前記キャビティから離型させる工程とを有すること
を特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【００５１】８．前記項７記載の半導体集積回路装置の
製造方法であって、前記第１および第２のフィルムとし
て、少なくとも一方の面に微細な凹凸が形成されたフィ
ルムを用い、前記モールドによって前記封止部を形成し
た際に、前記第１または第２のフィルムの前記微細な凹
凸によって前記封止部の表面を粗面に形成することを特
徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
製造方法であって、前記第１および第２のフィルムとし
て、少なくとも一方の面に微細な凹凸が形成されたフィ
ルムを用い、前記モールドによって前記封止部を形成し
た際に、前記第１または第２のフィルムの前記微細な凹
凸によって前記封止部の表面を粗面に形成することを特
徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【００５２】９．前記項１記載の半導体集積回路装置の
製造方法であって、前記第１および第２のフィルムとし
て、メチルペンテン樹脂によって形成されたフィルムを
用いることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方
法。
製造方法であって、前記第１および第２のフィルムとし
て、メチルペンテン樹脂によって形成されたフィルムを
用いることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方
法。
【００５３】１０．前記項４記載の半導体集積回路装置
の製造方法であって、前記ガスとして、ドライエアーを
用いることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方
法。
の製造方法であって、前記ガスとして、ドライエアーを
用いることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方
法。
【００５４】１１．前記項４記載の半導体集積回路装置
の製造方法であって、前記第１および第２のフィルムと
して、少なくとも一方の面に微細な凹凸が形成されたフ
ィルムを用い、前記モールドによって前記封止部を形成
した際に、前記第１または第２のフィルムの前記微細な
凹凸によって前記封止部の表面を粗面に形成することを
特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
の製造方法であって、前記第１および第２のフィルムと
して、少なくとも一方の面に微細な凹凸が形成されたフ
ィルムを用い、前記モールドによって前記封止部を形成
した際に、前記第１または第２のフィルムの前記微細な
凹凸によって前記封止部の表面を粗面に形成することを
特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【００５５】１２．前記項５記載の半導体集積回路装置
の製造方法であって、前記第１および第２のフィルムと
して、少なくとも一方の面に微細な凹凸が形成されたフ
ィルムを用い、前記モールドによって前記封止部を形成
した際に、前記第１または第２のフィルムの前記微細な
凹凸によって前記封止部の表面を粗面に形成することを
特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
の製造方法であって、前記第１および第２のフィルムと
して、少なくとも一方の面に微細な凹凸が形成されたフ
ィルムを用い、前記モールドによって前記封止部を形成
した際に、前記第１または第２のフィルムの前記微細な
凹凸によって前記封止部の表面を粗面に形成することを
特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【００５６】１３．前記項６記載の半導体集積回路装置
の製造方法であって、前記第１および第２のフィルムと
して、少なくとも一方の面に微細な凹凸が形成されたフ
ィルムを用い、前記モールドによって前記封止部を形成
した際に、前記第１または第２のフィルムの前記微細な
凹凸によって前記封止部の表面を粗面に形成することを
特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
の製造方法であって、前記第１および第２のフィルムと
して、少なくとも一方の面に微細な凹凸が形成されたフ
ィルムを用い、前記モールドによって前記封止部を形成
した際に、前記第１または第２のフィルムの前記微細な
凹凸によって前記封止部の表面を粗面に形成することを
特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【００５７】１４．前記項５記載の半導体集積回路装置
の製造方法であって、前記１次クランプの圧力を面圧１
から５ｋｇ／ｍｍ2 とし、前記２次クランプの圧力を面
圧１０ｋｇ／ｍｍ2 以上とすることを特徴とする半導体
集積回路装置の製造方法。
の製造方法であって、前記１次クランプの圧力を面圧１
から５ｋｇ／ｍｍ2 とし、前記２次クランプの圧力を面
圧１０ｋｇ／ｍｍ2 以上とすることを特徴とする半導体
集積回路装置の製造方法。
【００５８】１５．以下の工程からなる半導体集積回路
装置の製造方法： (a) 配線を備えたチップ支持基板とその第１の主面上に
固定された半導体チップ、および前記半導体チップの複
数の表面電極と前記チップ支持基板の複数のリードを電
気的に接続する複数の接続部材とからなるチップ組み立
て体を、第１および第２のフィルムが配置された第１お
よび第２の金型間に供給する工程； (b) 前記第１および第２の金型を閉じることによって、
前記チップ組み立て体の一部を前記第１および第２の金
型間のモールドキャビティ内に収容した状態で、溶融さ
れたモールド樹脂が前記チップ支持基板の第２の主面上
に浸入しないように前記モールド樹脂を前記キャビティ
内の前記第１および第２のフィルム間に注入して、前記
半導体チップ、前記接続部材、および前記チップ支持基
板の側面周辺部を封止する工程； (c) 前記第１および第２の金型を開いて、封止された前
記チップ組み立て体を前記キャビティから離型させる工
程。
装置の製造方法： (a) 配線を備えたチップ支持基板とその第１の主面上に
固定された半導体チップ、および前記半導体チップの複
数の表面電極と前記チップ支持基板の複数のリードを電
気的に接続する複数の接続部材とからなるチップ組み立
て体を、第１および第２のフィルムが配置された第１お
よび第２の金型間に供給する工程； (b) 前記第１および第２の金型を閉じることによって、
前記チップ組み立て体の一部を前記第１および第２の金
型間のモールドキャビティ内に収容した状態で、溶融さ
れたモールド樹脂が前記チップ支持基板の第２の主面上
に浸入しないように前記モールド樹脂を前記キャビティ
内の前記第１および第２のフィルム間に注入して、前記
半導体チップ、前記接続部材、および前記チップ支持基
板の側面周辺部を封止する工程； (c) 前記第１および第２の金型を開いて、封止された前
記チップ組み立て体を前記キャビティから離型させる工
程。
【００５９】１６．前記項１５記載の半導体集積回路装
置の製造方法であって、前記モールド樹脂の注入は、ト
ランスファーモールド方式を用いて行われることを特徴
とする半導体集積回路装置の製造方法。
置の製造方法であって、前記モールド樹脂の注入は、ト
ランスファーモールド方式を用いて行われることを特徴
とする半導体集積回路装置の製造方法。
【００６０】１７．モールド金型のキャビティを含む金
型面に一方の主面に微細な凹凸が形成された第１のフィ
ルムを配置し、前記第１のフィルムと前記キャビティ内
面間に半導体チップを備えたチップ組み立て体を配置し
た後、前記半導体チップをモールドすることにより組み
立てられる半導体集積回路装置の製造方法であって、
(a) 前記第１のフィルムと前記キャビティ内面間に前記
チップ組み立て体を配置する工程と、(b) 前記モールド
金型を構成する第１および第２の金型を閉じた後、前記
第１のフィルムと前記キャビティ内面間にモールド樹脂
を供給して、前記キャビティに前記モールド樹脂を充填
させる工程と、(c) 前記キャビティに前記モールド樹脂
を充填させて前記チップ組み立て体に前記キャビティの
形状に対応した前記半導体集積回路装置の封止部を形成
する工程と、(d) 前記各工程の後、前記モールド金型を
開いて封止された前記チップ組み立て体を前記キャビテ
ィから離型させる工程とを有することを特徴とする半導
体集積回路装置の製造方法。
型面に一方の主面に微細な凹凸が形成された第１のフィ
ルムを配置し、前記第１のフィルムと前記キャビティ内
面間に半導体チップを備えたチップ組み立て体を配置し
た後、前記半導体チップをモールドすることにより組み
立てられる半導体集積回路装置の製造方法であって、
(a) 前記第１のフィルムと前記キャビティ内面間に前記
チップ組み立て体を配置する工程と、(b) 前記モールド
金型を構成する第１および第２の金型を閉じた後、前記
第１のフィルムと前記キャビティ内面間にモールド樹脂
を供給して、前記キャビティに前記モールド樹脂を充填
させる工程と、(c) 前記キャビティに前記モールド樹脂
を充填させて前記チップ組み立て体に前記キャビティの
形状に対応した前記半導体集積回路装置の封止部を形成
する工程と、(d) 前記各工程の後、前記モールド金型を
開いて封止された前記チップ組み立て体を前記キャビテ
ィから離型させる工程とを有することを特徴とする半導
体集積回路装置の製造方法。
【００６１】１８．モールド金型のキャビティを含む金
型面に第１のフィルムを配置し、前記第１のフィルムと
前記キャビティ内面間に半導体チップを備えたチップ組
み立て体を配置した後、前記半導体チップをモールドす
ることにより組み立てられる半導体集積回路装置の製造
方法であって、(a) イオン化されたガスを前記モールド
金型の前記金型面に供給して前記金型面領域に帯電する
電荷を中和する工程と、(b) 前記第１のフィルムと前記
キャビティ内面間に前記チップ組み立て体を配置する工
程と、(c) 前記金型面の電荷中和が行われた前記モール
ド金型を構成する第１および第２の金型を閉じた後、前
記第１のフィルムと前記キャビティ内面間にモールド樹
脂を供給して、前記キャビティに前記モールド樹脂を充
填させる工程と、(d) 前記キャビティに前記モールド樹
脂を充填させて前記チップ組み立て体に前記キャビティ
の形状に対応した前記半導体集積回路装置の封止部を形
成する工程と、(e) 前記各工程の後、前記モールド金型
を開いて封止された前記チップ組み立て体を前記キャビ
ティから離型させる工程とを有することを特徴とする半
導体集積回路装置の製造方法。
型面に第１のフィルムを配置し、前記第１のフィルムと
前記キャビティ内面間に半導体チップを備えたチップ組
み立て体を配置した後、前記半導体チップをモールドす
ることにより組み立てられる半導体集積回路装置の製造
方法であって、(a) イオン化されたガスを前記モールド
金型の前記金型面に供給して前記金型面領域に帯電する
電荷を中和する工程と、(b) 前記第１のフィルムと前記
キャビティ内面間に前記チップ組み立て体を配置する工
程と、(c) 前記金型面の電荷中和が行われた前記モール
ド金型を構成する第１および第２の金型を閉じた後、前
記第１のフィルムと前記キャビティ内面間にモールド樹
脂を供給して、前記キャビティに前記モールド樹脂を充
填させる工程と、(d) 前記キャビティに前記モールド樹
脂を充填させて前記チップ組み立て体に前記キャビティ
の形状に対応した前記半導体集積回路装置の封止部を形
成する工程と、(e) 前記各工程の後、前記モールド金型
を開いて封止された前記チップ組み立て体を前記キャビ
ティから離型させる工程とを有することを特徴とする半
導体集積回路装置の製造方法。
【００６２】１９．モールド金型のキャビティを含む金
型面に第１のフィルムを配置し、前記第１のフィルムと
前記キャビティ内面間に半導体チップを備えたチップ組
み立て体を配置した後、前記半導体チップをモールドす
ることにより組み立てられる半導体集積回路装置の製造
方法であって、(a) 前記第１のフィルムと前記キャビテ
ィ内面間に前記チップ組み立て体を配置する工程と、
(b) 前記モールド金型を構成する第１および第２の金型
を閉じた後、前記第１のフィルムと前記キャビティ内面
間にモールド樹脂を供給して、前記キャビティに前記モ
ールド樹脂を充填させる工程と、(c) 前記キャビティに
前記モールド樹脂を充填させて前記チップ組み立て体に
前記キャビティの形状に対応した前記半導体集積回路装
置の封止部を形成する工程と、(d) 前記金型を開いて封
止された前記チップ組み立て体を前記キャビティから離
型させる工程と、(e) 前記各工程の後、イオン化された
ガスを前記チップ組み立て体に供給して前記チップ組み
立て体上に帯電する電荷を中和する工程とを有すること
を特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
型面に第１のフィルムを配置し、前記第１のフィルムと
前記キャビティ内面間に半導体チップを備えたチップ組
み立て体を配置した後、前記半導体チップをモールドす
ることにより組み立てられる半導体集積回路装置の製造
方法であって、(a) 前記第１のフィルムと前記キャビテ
ィ内面間に前記チップ組み立て体を配置する工程と、
(b) 前記モールド金型を構成する第１および第２の金型
を閉じた後、前記第１のフィルムと前記キャビティ内面
間にモールド樹脂を供給して、前記キャビティに前記モ
ールド樹脂を充填させる工程と、(c) 前記キャビティに
前記モールド樹脂を充填させて前記チップ組み立て体に
前記キャビティの形状に対応した前記半導体集積回路装
置の封止部を形成する工程と、(d) 前記金型を開いて封
止された前記チップ組み立て体を前記キャビティから離
型させる工程と、(e) 前記各工程の後、イオン化された
ガスを前記チップ組み立て体に供給して前記チップ組み
立て体上に帯電する電荷を中和する工程とを有すること
を特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【００６３】２０．モールド金型のキャビティを含む金
型面に第１のフィルムを配置し、前記第１のフィルムと
前記キャビティ内面間に半導体チップを備えたチップ組
み立て体を配置した後、前記半導体チップをモールドす
ることにより組み立てられる半導体集積回路装置の製造
方法であって、(a) イオン化された第１のガスを前記第
１のフィルムに供給して前記フィルム上に帯電する電荷
を中和する工程と、(b) 前記モールド金型の前記金型面
に前記電荷中和済みの第１のフィルムを配置する工程
と、(c) イオン化された第２のガスまたは前記第１のガ
スを前記モールド金型の前記金型面に供給して前記金型
面領域に帯電する電荷を中和する工程と、(d) 前記第１
のフィルムと前記キャビティ内面間に前記チップ組み立
て体を配置する工程と、(e) 前記金型面の電荷中和が行
われた前記モールド金型の第１および第２の金型を閉じ
た後、前記第１のフィルムと前記キャビティ内面間にモ
ールド樹脂を供給して、前記キャビティに前記モールド
樹脂を充填させる工程と、(f) 前記キャビティに前記モ
ールド樹脂を充填させて前記チップ組み立て体に前記キ
ャビティの形状に対応した前記半導体集積回路装置の封
止部を形成する工程と、(g) 前記各工程の後、前記金型
を開いて封止された前記チップ組み立て体を前記キャビ
ティから離型させる工程と、(h) イオン化された第３の
ガス、前記第２または前記第１のガスを前記チップ組み
立て体に供給して前記チップ組み立て体上に帯電する電
荷を中和する工程とを有することを特徴とする半導体集
積回路装置の製造方法。
型面に第１のフィルムを配置し、前記第１のフィルムと
前記キャビティ内面間に半導体チップを備えたチップ組
み立て体を配置した後、前記半導体チップをモールドす
ることにより組み立てられる半導体集積回路装置の製造
方法であって、(a) イオン化された第１のガスを前記第
１のフィルムに供給して前記フィルム上に帯電する電荷
を中和する工程と、(b) 前記モールド金型の前記金型面
に前記電荷中和済みの第１のフィルムを配置する工程
と、(c) イオン化された第２のガスまたは前記第１のガ
スを前記モールド金型の前記金型面に供給して前記金型
面領域に帯電する電荷を中和する工程と、(d) 前記第１
のフィルムと前記キャビティ内面間に前記チップ組み立
て体を配置する工程と、(e) 前記金型面の電荷中和が行
われた前記モールド金型の第１および第２の金型を閉じ
た後、前記第１のフィルムと前記キャビティ内面間にモ
ールド樹脂を供給して、前記キャビティに前記モールド
樹脂を充填させる工程と、(f) 前記キャビティに前記モ
ールド樹脂を充填させて前記チップ組み立て体に前記キ
ャビティの形状に対応した前記半導体集積回路装置の封
止部を形成する工程と、(g) 前記各工程の後、前記金型
を開いて封止された前記チップ組み立て体を前記キャビ
ティから離型させる工程と、(h) イオン化された第３の
ガス、前記第２または前記第１のガスを前記チップ組み
立て体に供給して前記チップ組み立て体上に帯電する電
荷を中和する工程とを有することを特徴とする半導体集
積回路装置の製造方法。
【００６４】２１．モールド金型のキャビティを含む金
型面に第１のフィルムを配置し、前記第１のフィルムと
前記キャビティ内面間に半導体チップを備えたチップ組
み立て体を配置した後、前記半導体チップをモールドす
ることにより組み立てられる半導体集積回路装置の製造
方法であって、(a) 前記第１のフィルムと前記キャビテ
ィ内面間に前記チップ組み立て体を配置する工程と、
(b) 前記モールド金型の第１および第２の金型を閉じた
後、前記第１のフィルムと前記キャビティ内面間にモー
ルド樹脂を供給して、前記キャビティに前記モールド樹
脂を充填させる工程と、(c) 前記キャビティに前記モー
ルド樹脂を充填させて前記チップ組み立て体に前記キャ
ビティの形状に対応した前記半導体集積回路装置の封止
部を形成する工程と、(d) 前記各工程の後、前記金型を
開いて封止された前記チップ組み立て体を前記キャビテ
ィから離型させる工程と、(e) イオン化されたガスを前
記第１のフィルム上に供給して帯電した電荷を中和する
工程と、(f) 前記モールドに使用された部分の前記第１
のフィルムをリールに巻き取る工程とを有することを特
徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
型面に第１のフィルムを配置し、前記第１のフィルムと
前記キャビティ内面間に半導体チップを備えたチップ組
み立て体を配置した後、前記半導体チップをモールドす
ることにより組み立てられる半導体集積回路装置の製造
方法であって、(a) 前記第１のフィルムと前記キャビテ
ィ内面間に前記チップ組み立て体を配置する工程と、
(b) 前記モールド金型の第１および第２の金型を閉じた
後、前記第１のフィルムと前記キャビティ内面間にモー
ルド樹脂を供給して、前記キャビティに前記モールド樹
脂を充填させる工程と、(c) 前記キャビティに前記モー
ルド樹脂を充填させて前記チップ組み立て体に前記キャ
ビティの形状に対応した前記半導体集積回路装置の封止
部を形成する工程と、(d) 前記各工程の後、前記金型を
開いて封止された前記チップ組み立て体を前記キャビテ
ィから離型させる工程と、(e) イオン化されたガスを前
記第１のフィルム上に供給して帯電した電荷を中和する
工程と、(f) 前記モールドに使用された部分の前記第１
のフィルムをリールに巻き取る工程とを有することを特
徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【００６５】２２．モールド金型のキャビティを含む金
型面に半導体チップを備えたチップ組み立て体を配置し
た後、前記半導体チップをモールドすることにより組み
立てられる半導体集積回路装置の製造方法であって、
(a) 前記金型面に前記チップ組み立て体を配置する工程
と、(b) 前記モールド金型を構成する第１および第２の
金型を閉じた後、前記キャビティにモールド樹脂を供給
する工程と、(c) 前記キャビティ内で前記モールド樹脂
が前記チップ組み立て体のボンディングワイヤを覆った
後に、前記キャビティを真空引きして前記キャビティに
前記モールド樹脂を充填させる工程と、(d) 前記キャビ
ティに前記モールド樹脂を充填させて前記チップ組み立
て体に前記キャビティの形状に対応した前記半導体集積
回路装置の封止部を形成する工程と、(e) 前記各工程の
後、前記金型を開いて封止された前記チップ組み立て体
を前記キャビティから離型させる工程とを有することを
特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
型面に半導体チップを備えたチップ組み立て体を配置し
た後、前記半導体チップをモールドすることにより組み
立てられる半導体集積回路装置の製造方法であって、
(a) 前記金型面に前記チップ組み立て体を配置する工程
と、(b) 前記モールド金型を構成する第１および第２の
金型を閉じた後、前記キャビティにモールド樹脂を供給
する工程と、(c) 前記キャビティ内で前記モールド樹脂
が前記チップ組み立て体のボンディングワイヤを覆った
後に、前記キャビティを真空引きして前記キャビティに
前記モールド樹脂を充填させる工程と、(d) 前記キャビ
ティに前記モールド樹脂を充填させて前記チップ組み立
て体に前記キャビティの形状に対応した前記半導体集積
回路装置の封止部を形成する工程と、(e) 前記各工程の
後、前記金型を開いて封止された前記チップ組み立て体
を前記キャビティから離型させる工程とを有することを
特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【００６６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。
に基づいて詳細に説明する。
【００６７】以下の実施の形態では特に必要なとき以外
は同一または同様な部分の説明を原則として繰り返さな
い。
は同一または同様な部分の説明を原則として繰り返さな
い。
【００６８】また、以下の実施の形態では便宜上、複数
の発明を単一の一連の実施の形態の中で説明するが、特
に明示した場合を除き、各ステップは全ての発明につい
て必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。
の発明を単一の一連の実施の形態の中で説明するが、特
に明示した場合を除き、各ステップは全ての発明につい
て必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。
【００６９】さらに、以下の実施の形態では便宜上その
必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態
に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それ
らはお互いに無関係なものではなくなく、一方は他方の
一部または全部の変形例、詳細、補足説明などの関係に
ある。
必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態
に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それ
らはお互いに無関係なものではなくなく、一方は他方の
一部または全部の変形例、詳細、補足説明などの関係に
ある。
【００７０】また、以下の実施の形態において、要素の
数等（個数、数値、量、範囲等を含む）に言及する場
合、特に明示した場合及び原理的に明らかに特定の数に
限定される場合などを除き、その特定の数に限定される
ものではなく、特定の数以上でも以下でも良いものとす
る。
数等（個数、数値、量、範囲等を含む）に言及する場
合、特に明示した場合及び原理的に明らかに特定の数に
限定される場合などを除き、その特定の数に限定される
ものではなく、特定の数以上でも以下でも良いものとす
る。
【００７１】さらに、以下の実施の形態において、その
構成要素（要素ステップなどを含む）は、特に明示した
場合及び原理的に明らかに必須であると考えられる場合
などを除き、必ずしも必須のものではないことは言うま
でもない。
構成要素（要素ステップなどを含む）は、特に明示した
場合及び原理的に明らかに必須であると考えられる場合
などを除き、必ずしも必須のものではないことは言うま
でもない。
【００７２】同様に、以下の実施の形態において、構成
要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示
した場合及び原理的に明らかにそうでないと考えられる
場合などを除き、実質的にその形状などに近似または類
似するものなどを含むものとする。このことは前記数値
及び範囲についても同様である。
要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示
した場合及び原理的に明らかにそうでないと考えられる
場合などを除き、実質的にその形状などに近似または類
似するものなどを含むものとする。このことは前記数値
及び範囲についても同様である。
【００７３】さらに、以下の実施の形態において「チッ
プ組み立て体」と言うときは、半導体チップとこれが固
定されるチップ支持基板、半導体チップとチップ支持基
板とを電気的に接続する接続部材、およびチップ支持基
板を支持するフレーム部材を含む組み立て体などを表
し、モールドによって封止部が形成された組み立て体も
含むものとする。
プ組み立て体」と言うときは、半導体チップとこれが固
定されるチップ支持基板、半導体チップとチップ支持基
板とを電気的に接続する接続部材、およびチップ支持基
板を支持するフレーム部材を含む組み立て体などを表
し、モールドによって封止部が形成された組み立て体も
含むものとする。
【００７４】なお、実施の形態を説明するための全図に
おいて、同一の機能を有する部材には同一の符号を付
し、その繰り返しの説明は省略する。
おいて、同一の機能を有する部材には同一の符号を付
し、その繰り返しの説明は省略する。
【００７５】図１は本発明の半導体集積回路装置の製造
方法で用いられるモールド装置の構造の実施の形態の一
例を示す構成概略図、図２は図１に示すモールド装置に
おけるモールド金型の構造の一例を示す断面図、図３は
図２に示すモールド金型における上型の構造を示す平面
図、図４は図２に示すモールド金型における下型の構造
を示す平面図、図５は図１に示すモールド装置における
金型除電部の配置を示す構成図、図６は本発明の半導体
集積回路装置の製造方法を用いて組み立てられる半導体
集積回路装置の一例であるＢＧＡの構造を示す図であ
り、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図、図７は図６に示
すＢＧＡの構造を示す底面図、図８（ａ),（ｂ) は本発
明の半導体集積回路装置の製造方法におけるイオンブロ
ーの一例を示す概念図、図９（ａ),（ｂ),（ｃ),（ｄ）
は本発明の半導体集積回路装置の製造方法におけるモー
ルド金型の動作の一例を示す金型動作図、図１０（ａ),
（ｂ) は本発明の半導体集積回路装置の製造方法のモー
ルド金型の２段クランプにおける１次クランプの状態の
一例を示す部分断面図、図１１（ａ),（ｂ),（ｃ) は本
発明の半導体集積回路装置の製造方法のモールド金型の
２段クランプにおける２次クランプの状態の一例を示す
部分断面図、図１２（ａ),（ｂ),（ｃ),（ｄ),（ｅ),
（ｆ）は本発明の半導体集積回路装置の製造方法におけ
るモールド時のキャビティへの樹脂注入状態の一例を示
す概念図、図１３は本発明の半導体集積回路装置の製造
方法におけるモールド時のキャビティの減圧状態の一例
を示す拡大部分断面図であり、（ａ）は減圧前の状態、
（ｂ）は減圧開始状態、図１４は本発明の半導体集積回
路装置の製造方法におけるモールド時のキャビティへの
樹脂注入状態の一例を示す部分断面図、図１５は図２に
示すモールド金型における上型のキャビティに対する吸
引通路の構造を示す拡大部分平面図、図１６は図１に示
すモールド装置においてその下型にチップ組み立て体を
配置した状態の一例を示す部分平面図、図１７は本発明
の半導体集積回路装置の製造方法における製造プロセス
の実施の形態の一例を示す製造プロセスフローである。
方法で用いられるモールド装置の構造の実施の形態の一
例を示す構成概略図、図２は図１に示すモールド装置に
おけるモールド金型の構造の一例を示す断面図、図３は
図２に示すモールド金型における上型の構造を示す平面
図、図４は図２に示すモールド金型における下型の構造
を示す平面図、図５は図１に示すモールド装置における
金型除電部の配置を示す構成図、図６は本発明の半導体
集積回路装置の製造方法を用いて組み立てられる半導体
集積回路装置の一例であるＢＧＡの構造を示す図であ
り、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図、図７は図６に示
すＢＧＡの構造を示す底面図、図８（ａ),（ｂ) は本発
明の半導体集積回路装置の製造方法におけるイオンブロ
ーの一例を示す概念図、図９（ａ),（ｂ),（ｃ),（ｄ）
は本発明の半導体集積回路装置の製造方法におけるモー
ルド金型の動作の一例を示す金型動作図、図１０（ａ),
（ｂ) は本発明の半導体集積回路装置の製造方法のモー
ルド金型の２段クランプにおける１次クランプの状態の
一例を示す部分断面図、図１１（ａ),（ｂ),（ｃ) は本
発明の半導体集積回路装置の製造方法のモールド金型の
２段クランプにおける２次クランプの状態の一例を示す
部分断面図、図１２（ａ),（ｂ),（ｃ),（ｄ),（ｅ),
（ｆ）は本発明の半導体集積回路装置の製造方法におけ
るモールド時のキャビティへの樹脂注入状態の一例を示
す概念図、図１３は本発明の半導体集積回路装置の製造
方法におけるモールド時のキャビティの減圧状態の一例
を示す拡大部分断面図であり、（ａ）は減圧前の状態、
（ｂ）は減圧開始状態、図１４は本発明の半導体集積回
路装置の製造方法におけるモールド時のキャビティへの
樹脂注入状態の一例を示す部分断面図、図１５は図２に
示すモールド金型における上型のキャビティに対する吸
引通路の構造を示す拡大部分平面図、図１６は図１に示
すモールド装置においてその下型にチップ組み立て体を
配置した状態の一例を示す部分平面図、図１７は本発明
の半導体集積回路装置の製造方法における製造プロセス
の実施の形態の一例を示す製造プロセスフローである。
【００７６】図１に示す本実施の形態の半導体集積回路
装置の製造方法で用いられるモールド装置は、樹脂封止
形の半導体集積回路装置の組み立て工程のモールド工程
において、モールド金型１０の上型（第１の金型）１１
側と下型（第２の金型）１２側とで一対を成すフィルム
である上側（第１側）フィルム８（第２のフィルム）お
よび下側（第２側）フィルム９（第１のフィルム）を用
いて図６（ｂ）に示す半導体チップ１のモールドを行う
ものであり、トランスファータイプのモールド装置であ
る。
装置の製造方法で用いられるモールド装置は、樹脂封止
形の半導体集積回路装置の組み立て工程のモールド工程
において、モールド金型１０の上型（第１の金型）１１
側と下型（第２の金型）１２側とで一対を成すフィルム
である上側（第１側）フィルム８（第２のフィルム）お
よび下側（第２側）フィルム９（第１のフィルム）を用
いて図６（ｂ）に示す半導体チップ１のモールドを行う
ものであり、トランスファータイプのモールド装置であ
る。
【００７７】なお、このモールド装置は、ラミネートモ
ールド装置とも呼ばれ、本実施の形態では、このモール
ド装置によってモールドされる半導体集積回路装置の一
例として図６に示すＢＧＡ（Ball Grid Array)３０を取
り上げて説明する。
ールド装置とも呼ばれ、本実施の形態では、このモール
ド装置によってモールドされる半導体集積回路装置の一
例として図６に示すＢＧＡ（Ball Grid Array)３０を取
り上げて説明する。
【００７８】図１に示すモールド装置の構成について説
明すると、モールドが行われ、かつ一対を成してモール
ド金型１０を構成する上型１１および下型１２と、ダイ
ボンディングとワイヤボンディングとを終えて形成され
たチップ組み立て体７（チップリード複合体ともいう）
をフレーム整列部１６にセットするローダ部１３と、チ
ップ組み立て体７の整列・位置決めを行うフレーム整列
部１６と、タブレット（図１１に示すモールド樹脂２９
を固めた材料）およびチップ組み立て体７を保持し、か
つ両者をモールド金型１０まで搬送するフレーム搬送体
１５と、モールド樹脂２９の充填後の型開き完了後、チ
ップ組み立て体７を把持して下型１２上の下側フィルム
９からチップ組み立て体７を剥離させるフレームチャッ
クを備え、かつチップ組み立て体７をフレーム収納部１
４まで搬送するフレーム取り出し部１７と、取り出され
たチップ組み立て体７のカルブレークを行うゲートブレ
ーク部１８と、図２に示すポット１２ｃ内のレジンバリ
を吸引してポット１２ｃ内の清掃を行う移動自在なポッ
トクリーナ部２４（図５参照）と、モールドを終えたチ
ップ組み立て体７を収納するフレーム収納部１４とから
なる。
明すると、モールドが行われ、かつ一対を成してモール
ド金型１０を構成する上型１１および下型１２と、ダイ
ボンディングとワイヤボンディングとを終えて形成され
たチップ組み立て体７（チップリード複合体ともいう）
をフレーム整列部１６にセットするローダ部１３と、チ
ップ組み立て体７の整列・位置決めを行うフレーム整列
部１６と、タブレット（図１１に示すモールド樹脂２９
を固めた材料）およびチップ組み立て体７を保持し、か
つ両者をモールド金型１０まで搬送するフレーム搬送体
１５と、モールド樹脂２９の充填後の型開き完了後、チ
ップ組み立て体７を把持して下型１２上の下側フィルム
９からチップ組み立て体７を剥離させるフレームチャッ
クを備え、かつチップ組み立て体７をフレーム収納部１
４まで搬送するフレーム取り出し部１７と、取り出され
たチップ組み立て体７のカルブレークを行うゲートブレ
ーク部１８と、図２に示すポット１２ｃ内のレジンバリ
を吸引してポット１２ｃ内の清掃を行う移動自在なポッ
トクリーナ部２４（図５参照）と、モールドを終えたチ
ップ組み立て体７を収納するフレーム収納部１４とから
なる。
【００７９】さらに、本実施の形態のモールド装置に
は、上側フィルム８および下側フィルム９の搬送系とし
て、上側フィルム８を送り出す上側フィルム供給ローラ
１９と、上側フィルム８を巻き取る上側フィルム巻取り
ローラ２０（リール）と、下側フィルム９を送り出す下
側フィルム供給ローラ２１と、下側フィルム９を巻き取
る下側フィルム巻取りローラ２２（リール）と、上側フ
ィルム８および下側フィルム９の搬送を案内する複数の
ガイドローラ２３とが設けられている。
は、上側フィルム８および下側フィルム９の搬送系とし
て、上側フィルム８を送り出す上側フィルム供給ローラ
１９と、上側フィルム８を巻き取る上側フィルム巻取り
ローラ２０（リール）と、下側フィルム９を送り出す下
側フィルム供給ローラ２１と、下側フィルム９を巻き取
る下側フィルム巻取りローラ２２（リール）と、上側フ
ィルム８および下側フィルム９の搬送を案内する複数の
ガイドローラ２３とが設けられている。
【００８０】また、前記モールド装置には、静電気を除
電する除電部が４箇所に設けられている。
電する除電部が４箇所に設けられている。
【００８１】すなわち、樹脂系のフィルムである上側フ
ィルム８および下側フィルム９を搬送させるため、モー
ルド金型１０やチップ組み立て体７などで静電気が発生
し易く、これを除電しなければならないため、前記除電
部が４箇所に設けられている。
ィルム８および下側フィルム９を搬送させるため、モー
ルド金型１０やチップ組み立て体７などで静電気が発生
し易く、これを除電しなければならないため、前記除電
部が４箇所に設けられている。
【００８２】まず、使用前すなわちモールド金型１０上
に搬送される前に上側フィルム８および下側フィルム９
に対して除電を行うフィルム除電部２５である上側フィ
ルム除電部２５ａおよび下側フィルム除電部２５ｂが設
けられ、さらに、図５に示すように、モールド金型１０
の除電を行う金型除電部２６である上型除電部２６ａお
よび下型除電部２６ｂが設けられている。
に搬送される前に上側フィルム８および下側フィルム９
に対して除電を行うフィルム除電部２５である上側フィ
ルム除電部２５ａおよび下側フィルム除電部２５ｂが設
けられ、さらに、図５に示すように、モールド金型１０
の除電を行う金型除電部２６である上型除電部２６ａお
よび下型除電部２６ｂが設けられている。
【００８３】なお、図５に示すように、上型除電部２６
ａと下型除電部２６ｂは、モールド装置の正面側に配置
されている。
ａと下型除電部２６ｂは、モールド装置の正面側に配置
されている。
【００８４】また、製品となるモールド後のチップ組み
立て体７をフレーム収納部１４に収納する前に除電する
製品除電部２７が、ゲートブレーク部１８とフレーム収
納部１４との間に配置されて設けられている。
立て体７をフレーム収納部１４に収納する前に除電する
製品除電部２７が、ゲートブレーク部１８とフレーム収
納部１４との間に配置されて設けられている。
【００８５】さらに、モールドによって使用された使用
済み（モールド済み）の上側フィルム８および下側フィ
ルム９を除電する使用済み上側フィルム除電部４１ａと
使用済み下側フィルム除電部４１ｂとが、それぞれのフ
ィルム巻き取り部である上側フィルム巻取りローラ２０
（リール）および下側フィルム巻取りローラ２２（リー
ル）の近傍に設けられており、それぞれのフィルムを巻
き取る際に除電が行われる。
済み（モールド済み）の上側フィルム８および下側フィ
ルム９を除電する使用済み上側フィルム除電部４１ａと
使用済み下側フィルム除電部４１ｂとが、それぞれのフ
ィルム巻き取り部である上側フィルム巻取りローラ２０
（リール）および下側フィルム巻取りローラ２２（リー
ル）の近傍に設けられており、それぞれのフィルムを巻
き取る際に除電が行われる。
【００８６】なお、前記フィルム巻き取り部では、非常
に高い電位の静電気が発生するため、使用済み上側フィ
ルム除電部４１ａと使用済み下側フィルム除電部４１ｂ
は、この静電気を除去するのに非常に有効である。
に高い電位の静電気が発生するため、使用済み上側フィ
ルム除電部４１ａと使用済み下側フィルム除電部４１ｂ
は、この静電気を除去するのに非常に有効である。
【００８７】ここで、本実施の形態の半導体集積回路装
置の製造方法で行われる前記除電方法について説明する
と、前記除電方法は、図８に示すようなイオンブローで
あり、それぞれの除電部（上側フィルム除電部２５ａ、
下側フィルム除電部２５ｂ、上型除電部２６ａ、下型除
電部２６ｂ、製品除電部２７、使用済み上側フィルム除
電部４１ａおよび使用済み下側フィルム除電部４１ｂ）
には、イオンブロー用のガスを吐出するノズル２８と、
高電圧が印加される除電用電極（電極）３２とが設置さ
れている。
置の製造方法で行われる前記除電方法について説明する
と、前記除電方法は、図８に示すようなイオンブローで
あり、それぞれの除電部（上側フィルム除電部２５ａ、
下側フィルム除電部２５ｂ、上型除電部２６ａ、下型除
電部２６ｂ、製品除電部２７、使用済み上側フィルム除
電部４１ａおよび使用済み下側フィルム除電部４１ｂ）
には、イオンブロー用のガスを吐出するノズル２８と、
高電圧が印加される除電用電極（電極）３２とが設置さ
れている。
【００８８】すなわち、図８（ａ）に示すように、除電
用電極３２に高電圧を印加し、この状態の除電用電極３
２間にノズル２８から吐出させた前記ガスを通して前記
ガスをイオン化させ、さらに、このイオン化された前記
ガス（図８では正のイオン）を対象物（図８では上側フ
ィルム８を用いて説明しているが、下側フィルム９やモ
ールド金型１０およびチップ組み立て体７、さらにはモ
ールド済みの上側フィルム８や下側フィルム９について
も同様）上に帯電した負の電荷３３に吹き付け、これに
より、図８（ｂ）に示すように、負の電荷３３（静電
気）を中和する（ただし、電荷３３の正負は反対であっ
てもよい）。
用電極３２に高電圧を印加し、この状態の除電用電極３
２間にノズル２８から吐出させた前記ガスを通して前記
ガスをイオン化させ、さらに、このイオン化された前記
ガス（図８では正のイオン）を対象物（図８では上側フ
ィルム８を用いて説明しているが、下側フィルム９やモ
ールド金型１０およびチップ組み立て体７、さらにはモ
ールド済みの上側フィルム８や下側フィルム９について
も同様）上に帯電した負の電荷３３に吹き付け、これに
より、図８（ｂ）に示すように、負の電荷３３（静電
気）を中和する（ただし、電荷３３の正負は反対であっ
てもよい）。
【００８９】その結果、静電気の発生を防ぐものであ
る。
る。
【００９０】なお、本実施の形態では、イオンブロー用
の前記ガスとして、ドライエアー３１を用いる場合を説
明するが、ドライエアー３１を用いることにより、不活
性ガスなどの場合とは異なり、ドライエアー３１の供給
ユニットを簡易的なユニットとすることができるため、
前記ドライエアー３１の供給ユニットを備えた前記各除
電部を比較的簡単な構造のものとすることができる。
の前記ガスとして、ドライエアー３１を用いる場合を説
明するが、ドライエアー３１を用いることにより、不活
性ガスなどの場合とは異なり、ドライエアー３１の供給
ユニットを簡易的なユニットとすることができるため、
前記ドライエアー３１の供給ユニットを備えた前記各除
電部を比較的簡単な構造のものとすることができる。
【００９１】その結果、除電機能を兼ね備えたモールド
装置のコストを抑えることができる。
装置のコストを抑えることができる。
【００９２】また、図１に示すモールド装置のモールド
金型１０における上型１１には、図６に示すＢＧＡ３０
の基板支持リード３ａおよびＢＧＡ基板２の上側の封止
部６の形状に対応したキャビティ１１ａが形成され、同
様にして下型１２には、基板支持リード３ａの下側の封
止部６（ＢＧＡ基板２の側面に形成された封止部６）の
形状に対応したキャビティ１２ａが形成されており、こ
れらキャビティ１１ａ，１２ａが合わさるとＢＧＡ基板
２を含む封止部６の形状を成す。
金型１０における上型１１には、図６に示すＢＧＡ３０
の基板支持リード３ａおよびＢＧＡ基板２の上側の封止
部６の形状に対応したキャビティ１１ａが形成され、同
様にして下型１２には、基板支持リード３ａの下側の封
止部６（ＢＧＡ基板２の側面に形成された封止部６）の
形状に対応したキャビティ１２ａが形成されており、こ
れらキャビティ１１ａ，１２ａが合わさるとＢＧＡ基板
２を含む封止部６の形状を成す。
【００９３】なお、本実施の形態で説明するＢＧＡ３０
は、図６に示すように、ＢＧＡ基板２の裏面（第１の主
面であるチップ支持面２ｂと反対側の面すなわち第２の
主面のこと）２ｃに外部端子である複数のバンプ電極５
（突起状電極）が取り付けられるため、ＢＧＡ基板２の
裏面２ｃをモールドすることはできない。
は、図６に示すように、ＢＧＡ基板２の裏面（第１の主
面であるチップ支持面２ｂと反対側の面すなわち第２の
主面のこと）２ｃに外部端子である複数のバンプ電極５
（突起状電極）が取り付けられるため、ＢＧＡ基板２の
裏面２ｃをモールドすることはできない。
【００９４】そこで、図１に示すモールド装置では、モ
ールド樹脂２９の注入時に、ＢＧＡ基板２の裏面２ｃ
（第２の主面）に下側フィルム９を密着させ、これによ
り、ＢＧＡ基板２の側面から裏面２ｃ側へのモールド樹
脂２９の侵入を阻止することができる。
ールド樹脂２９の注入時に、ＢＧＡ基板２の裏面２ｃ
（第２の主面）に下側フィルム９を密着させ、これによ
り、ＢＧＡ基板２の側面から裏面２ｃ側へのモールド樹
脂２９の侵入を阻止することができる。
【００９５】ただし、モールド樹脂２９の注入の際に
は、基板支持リード３ａのＢＧＡ基板２側にモールド樹
脂２９を周り込ませて、ＢＧＡ基板２の側面周辺部をモ
ールドすることができる。
は、基板支持リード３ａのＢＧＡ基板２側にモールド樹
脂２９を周り込ませて、ＢＧＡ基板２の側面周辺部をモ
ールドすることができる。
【００９６】つまり、ＢＧＡ３０では、基板支持リード
３ａの表側だけでなく、基板支持リード３ａのＢＧＡ基
板２側すなわち下側のＢＧＡ基板２の側面周辺部にも封
止部６が形成されている。
３ａの表側だけでなく、基板支持リード３ａのＢＧＡ基
板２側すなわち下側のＢＧＡ基板２の側面周辺部にも封
止部６が形成されている。
【００９７】したがって、前記モールド装置に設けられ
たモールド金型１０は、両面モールドタイプのものであ
る。
たモールド金型１０は、両面モールドタイプのものであ
る。
【００９８】また、図３に示すように、上型１１には、
モールド樹脂２９がキャビティ１１ａに流れ込む際の流
路の分岐点となるカル１１ｂや、これに連通するランナ
１１ｃおよびゲート１１ｄ、さらにガス抜きとなるエア
ベント１１ｅが形成されている。
モールド樹脂２９がキャビティ１１ａに流れ込む際の流
路の分岐点となるカル１１ｂや、これに連通するランナ
１１ｃおよびゲート１１ｄ、さらにガス抜きとなるエア
ベント１１ｅが形成されている。
【００９９】一方、図４に示すように、下型１２には、
カル１１ｂにモールド樹脂２９を押し出すプランジャ１
２ｂや、このプランジャ１２ｂと一対を成すモールド樹
脂２９の供給口であるポット１２ｃが形成されている。
カル１１ｂにモールド樹脂２９を押し出すプランジャ１
２ｂや、このプランジャ１２ｂと一対を成すモールド樹
脂２９の供給口であるポット１２ｃが形成されている。
【０１００】なお、図１に示すモールド装置は、マルチ
ポット形のトランスファー方式のものであり、１台のモ
ールド金型１０に対して２つのポット１２ｃが設けら
れ、かつそれぞれのポット１２ｃに対して４つのキャビ
ティ１１ａ，１２ａが形成されている。
ポット形のトランスファー方式のものであり、１台のモ
ールド金型１０に対して２つのポット１２ｃが設けら
れ、かつそれぞれのポット１２ｃに対して４つのキャビ
ティ１１ａ，１２ａが形成されている。
【０１０１】したがって、前記モールド装置は、１台の
モールド金型１０で同時に８つのＢＧＡ３０の封止部６
を形成することができる。
モールド金型１０で同時に８つのＢＧＡ３０の封止部６
を形成することができる。
【０１０２】また、前記モールド装置は、マルチポット
形のものであるため、下型１２には、２つのシリンダ状
のポット１２ｃが貫通して形成され、モールド時には、
このポット１２ｃに、溶融されてモールド樹脂２９とな
る円筒形のタブレットがセットされる。
形のものであるため、下型１２には、２つのシリンダ状
のポット１２ｃが貫通して形成され、モールド時には、
このポット１２ｃに、溶融されてモールド樹脂２９とな
る円筒形のタブレットがセットされる。
【０１０３】つまり、前記モールド装置は、下型１２が
稼動側であり、上型１１と下型１２のクランプおよびモ
ールド金型１０を開く際には、この下型１２が上下動
（昇降）する構造になっている。
稼動側であり、上型１１と下型１２のクランプおよびモ
ールド金型１０を開く際には、この下型１２が上下動
（昇降）する構造になっている。
【０１０４】また、図３に示す上型１１には、そのキャ
ビティ１１ａに開口する吸引口１１ｆが設けられてお
り、図２に示すように、モールドの際に上側フィルム８
がキャビティ１１ａおよびカル１１ｂに密着するように
吸引口１１ｆを介して上側フィルム８を吸引する上側フ
ィルム第１吸引部１１ｇと、同じく、モールドの際に、
上側フィルム８がキャビティ１１ａの周囲に密着するよ
うに吸引口１１ｆを介して上側フィルム８を吸引する上
側フィルム第２吸引部１１ｈとが設置されている。
ビティ１１ａに開口する吸引口１１ｆが設けられてお
り、図２に示すように、モールドの際に上側フィルム８
がキャビティ１１ａおよびカル１１ｂに密着するように
吸引口１１ｆを介して上側フィルム８を吸引する上側フ
ィルム第１吸引部１１ｇと、同じく、モールドの際に、
上側フィルム８がキャビティ１１ａの周囲に密着するよ
うに吸引口１１ｆを介して上側フィルム８を吸引する上
側フィルム第２吸引部１１ｈとが設置されている。
【０１０５】なお、キャビティ１１ａおよびカル１１ｂ
に設けられた吸引口１１ｆと上側フィルム第１吸引部１
１ｇとは上型第１排気通路１１ｉによって連通し、キャ
ビティ１１ａの周囲に設けられた吸引口１１ｆと上側フ
ィルム第２吸引部１１ｈとは上型第２排気通路１１ｊに
よって連通している。
に設けられた吸引口１１ｆと上側フィルム第１吸引部１
１ｇとは上型第１排気通路１１ｉによって連通し、キャ
ビティ１１ａの周囲に設けられた吸引口１１ｆと上側フ
ィルム第２吸引部１１ｈとは上型第２排気通路１１ｊに
よって連通している。
【０１０６】さらに、上側フィルム第１吸引部１１ｇお
よび上側フィルム第２吸引部１１ｈは、モールド終了
後、吸引口１１ｆからキャビティ１１ａ、カル１１ｂお
よびキャビティ１１ａの周囲に対して剥離用エアー３９
（図９（ｄ）参照）を吐出して上型１１から上側フィル
ム８を分離させる機能も兼ね備えている。
よび上側フィルム第２吸引部１１ｈは、モールド終了
後、吸引口１１ｆからキャビティ１１ａ、カル１１ｂお
よびキャビティ１１ａの周囲に対して剥離用エアー３９
（図９（ｄ）参照）を吐出して上型１１から上側フィル
ム８を分離させる機能も兼ね備えている。
【０１０７】なお、上型１１において、それぞれのキャ
ビティ１１ａには、図１５に示すように、その側面周囲
に合計１２個の減圧用吸引通路１１ｐが形成されてお
り、これらの減圧用吸引通路１１ｐが、減圧用吸引口１
１ｋと連通している。
ビティ１１ａには、図１５に示すように、その側面周囲
に合計１２個の減圧用吸引通路１１ｐが形成されてお
り、これらの減圧用吸引通路１１ｐが、減圧用吸引口１
１ｋと連通している。
【０１０８】また、上型１１には、モールド時にキャビ
ティ１１ａ内を真空引き（真空排気）して減圧する機構
も設けられており、これにより、ボイド３５（図１９参
照）が形成されることを防止できる。
ティ１１ａ内を真空引き（真空排気）して減圧する機構
も設けられており、これにより、ボイド３５（図１９参
照）が形成されることを防止できる。
【０１０９】すなわち、エアベント１１ｅと連通する減
圧用吸引口１１ｋが形成され、モールドの際の樹脂注入
時に、減圧吸引部１１ｌによりエアベント１１ｅと減圧
用吸引口１１ｋとを介してキャビティ１１ａ内を真空引
き（真空排気）し、これにより、封止部６に前記ボイド
３５が形成されることを防ぐものである。
圧用吸引口１１ｋが形成され、モールドの際の樹脂注入
時に、減圧吸引部１１ｌによりエアベント１１ｅと減圧
用吸引口１１ｋとを介してキャビティ１１ａ内を真空引
き（真空排気）し、これにより、封止部６に前記ボイド
３５が形成されることを防ぐものである。
【０１１０】なお、減圧用吸引口１１ｋと減圧吸引部１
１ｌとは減圧用排気通路１１ｍを介して連通しており、
この減圧用排気通路１１ｍには、シールド部材としてＯ
リング３４（図１４参照）が設けられている。
１ｌとは減圧用排気通路１１ｍを介して連通しており、
この減圧用排気通路１１ｍには、シールド部材としてＯ
リング３４（図１４参照）が設けられている。
【０１１１】一方、図４に示す下型１２においても、そ
のキャビティ１２ａに開口する吸引口１２ｄが設けられ
ており、図２に示すように、モールドの際に下側フィル
ム９がキャビティ１２ａに密着するように吸引口１２ｄ
を介して下側フィルム９を吸引する下側フィルム第１吸
引部１２ｅと、同じく、モールドの際に、下側フィルム
９がキャビティ１２ａの周囲に密着するように吸引口１
２ｄを介して下側フィルム９を吸引する下側フィルム第
２吸引部１２ｆとが設置されている。
のキャビティ１２ａに開口する吸引口１２ｄが設けられ
ており、図２に示すように、モールドの際に下側フィル
ム９がキャビティ１２ａに密着するように吸引口１２ｄ
を介して下側フィルム９を吸引する下側フィルム第１吸
引部１２ｅと、同じく、モールドの際に、下側フィルム
９がキャビティ１２ａの周囲に密着するように吸引口１
２ｄを介して下側フィルム９を吸引する下側フィルム第
２吸引部１２ｆとが設置されている。
【０１１２】なお、キャビティ１２ａに設けられた吸引
口１２ｄと下側フィルム第１吸引部１２ｅとは下型第１
排気通路１２ｇによって連通し、キャビティ１２ａの周
囲に設けられた吸引口１２ｄと下側フィルム第２吸引部
１２ｆとは下型第２排気通路１２ｈによって連通してい
る。
口１２ｄと下側フィルム第１吸引部１２ｅとは下型第１
排気通路１２ｇによって連通し、キャビティ１２ａの周
囲に設けられた吸引口１２ｄと下側フィルム第２吸引部
１２ｆとは下型第２排気通路１２ｈによって連通してい
る。
【０１１３】さらに、上型１１の場合と同様に、下側フ
ィルム第１吸引部１２ｅおよび下側フィルム第２吸引部
１２ｆは、モールド終了後、吸引口１２ｄからキャビテ
ィ１２ａおよびキャビティ１２ａの周囲に対して剥離用
エアー３９を吐出して下型１２から下側フィルム９を分
離させる機能も兼ね備えている。
ィルム第１吸引部１２ｅおよび下側フィルム第２吸引部
１２ｆは、モールド終了後、吸引口１２ｄからキャビテ
ィ１２ａおよびキャビティ１２ａの周囲に対して剥離用
エアー３９を吐出して下型１２から下側フィルム９を分
離させる機能も兼ね備えている。
【０１１４】また、本実施の形態の半導体集積回路装置
の製造方法のモールド工程で用いる上側フィルム８およ
び下側フィルム９は、表裏両面に微細な凹凸が形成され
ている（両フィルムの前記微細な凹凸は、モールド金型
１０内でモールド樹脂２９と接触する少なくとも一方の
面に形成されていればよいが、表裏両面に形成されてい
る方が好ましいため、本実施の形態では、両面に形成さ
れている場合を説明する）ものである。
の製造方法のモールド工程で用いる上側フィルム８およ
び下側フィルム９は、表裏両面に微細な凹凸が形成され
ている（両フィルムの前記微細な凹凸は、モールド金型
１０内でモールド樹脂２９と接触する少なくとも一方の
面に形成されていればよいが、表裏両面に形成されてい
る方が好ましいため、本実施の形態では、両面に形成さ
れている場合を説明する）ものである。
【０１１５】前記微細な凹凸は、その凹凸における凹部
の凹量または凸部の凸量が、モールドによって封止部６
が形成された際に、その封止部６の表面に文字や記号な
どのインクを付すことが可能な程度の凹凸として形成さ
れたものであり、梨地加工によって形成される。その凹
凸量は、例えば、１μｍ以上であるが、実際のフィルム
などにおける梨地加工技術を考慮した場合、最大６から
２０μｍ、好ましくは１０から１５μｍ、最適には１０
μｍ程度である。
の凹量または凸部の凸量が、モールドによって封止部６
が形成された際に、その封止部６の表面に文字や記号な
どのインクを付すことが可能な程度の凹凸として形成さ
れたものであり、梨地加工によって形成される。その凹
凸量は、例えば、１μｍ以上であるが、実際のフィルム
などにおける梨地加工技術を考慮した場合、最大６から
２０μｍ、好ましくは１０から１５μｍ、最適には１０
μｍ程度である。
【０１１６】そこで、上側フィルム８と下側フィルム９
とをモールド金型１０の上型１１と下型１２のそれぞれ
の金型面１１ｎ，１２ｉに配置する際には、相互のフィ
ルムの前記微細な凹凸が形成された面を対向させて配置
し（ただし、本実施の形態では、両フィルムの表裏両面
に前記微細な凹凸が形成されている場合であるため、上
側フィルム８および下側フィルム９において何れの面を
対向させて配置してもよい）、この状態でモールドを行
う。
とをモールド金型１０の上型１１と下型１２のそれぞれ
の金型面１１ｎ，１２ｉに配置する際には、相互のフィ
ルムの前記微細な凹凸が形成された面を対向させて配置
し（ただし、本実施の形態では、両フィルムの表裏両面
に前記微細な凹凸が形成されている場合であるため、上
側フィルム８および下側フィルム９において何れの面を
対向させて配置してもよい）、この状態でモールドを行
う。
【０１１７】さらに、上型１１と下型１２とで上側フィ
ルム８および下側フィルム９を一対にしてモールド金型
１０に配置するが、図１に示すモールド装置のモールド
金型１０では、下型１２のほぼ中央にポット１２ｃとプ
ランジャ１２ｂとが配置されているため、図５に示すよ
うに、下側フィルム９を、下型１２の金型面１２ｉにお
けるポット１２ｃ上を避けた両側に２列で配置してい
る。
ルム８および下側フィルム９を一対にしてモールド金型
１０に配置するが、図１に示すモールド装置のモールド
金型１０では、下型１２のほぼ中央にポット１２ｃとプ
ランジャ１２ｂとが配置されているため、図５に示すよ
うに、下側フィルム９を、下型１２の金型面１２ｉにお
けるポット１２ｃ上を避けた両側に２列で配置してい
る。
【０１１８】すなわち、図１に示すモールド装置で用い
る一対のフィルムのうち、図５に示すように、上側フィ
ルム８は、上型１１の金型面１１ｎとほぼ同程度の幅を
有する１枚のものであり、一方、下側フィルム９は、Ｂ
ＧＡ基板２より大きい幅を有する２枚のフィルムであ
る。
る一対のフィルムのうち、図５に示すように、上側フィ
ルム８は、上型１１の金型面１１ｎとほぼ同程度の幅を
有する１枚のものであり、一方、下側フィルム９は、Ｂ
ＧＡ基板２より大きい幅を有する２枚のフィルムであ
る。
【０１１９】なお、上側フィルム８および下側フィルム
９を形成する材料としては、例えば、メチルペンテン樹
脂を用いることが好ましく、このメチルペンテン樹脂を
用いることにより、モールド工程で使用済みとなった上
側フィルム８および下側フィルム９を焼却処分すること
が可能になる。
９を形成する材料としては、例えば、メチルペンテン樹
脂を用いることが好ましく、このメチルペンテン樹脂を
用いることにより、モールド工程で使用済みとなった上
側フィルム８および下側フィルム９を焼却処分すること
が可能になる。
【０１２０】その結果、上側フィルム８および下側フィ
ルム９を用いたモールドにおいても環境に悪影響を及ぼ
すことなくモールドすることがてきる。
ルム９を用いたモールドにおいても環境に悪影響を及ぼ
すことなくモールドすることがてきる。
【０１２１】次に、図６，図７を用いて、本実施の形態
の半導体集積回路装置の製造方法によって組み立てられ
る半導体集積回路装置の一例であるＢＧＡ３０の構造を
説明する。
の半導体集積回路装置の製造方法によって組み立てられ
る半導体集積回路装置の一例であるＢＧＡ３０の構造を
説明する。
【０１２２】前記ＢＧＡ３０は、図１に示すモールド装
置を用いて樹脂封止（モールド）が行われて組み立てら
れた低コストタイプのものである。
置を用いて樹脂封止（モールド）が行われて組み立てら
れた低コストタイプのものである。
【０１２３】ＢＧＡ３０の構成は、主面１ａに半導体集
積回路が形成され、かつアルミニウムなどからなるパッ
ド１ｂ（表面電極）が設けられた半導体チップ１（半導
体集積回路チップともいう）と、半導体チップ１を支持
し、かつこの半導体チップ１のパッド１ｂに応じて配置
されて設けられた基板電極２ａ（リード）を備えたＢＧ
Ａ基板２（チップ支持基板）と、ＢＧＡ３０の外部端子
としてＢＧＡ基板２の裏面２ｃ（第２の主面）に取り付
けられた複数のバンプ電極５（突起状電極）と、半導体
チップ１のパッド１ｂとこれに対応する基板電極２ａと
を電気的に接続する金線などのボンディングワイヤ４
（接続部材）と、半導体チップ１およびボンディングワ
イヤ４を図１に示すモールド装置によってモールドして
形成した封止部６とからなる。
積回路が形成され、かつアルミニウムなどからなるパッ
ド１ｂ（表面電極）が設けられた半導体チップ１（半導
体集積回路チップともいう）と、半導体チップ１を支持
し、かつこの半導体チップ１のパッド１ｂに応じて配置
されて設けられた基板電極２ａ（リード）を備えたＢＧ
Ａ基板２（チップ支持基板）と、ＢＧＡ３０の外部端子
としてＢＧＡ基板２の裏面２ｃ（第２の主面）に取り付
けられた複数のバンプ電極５（突起状電極）と、半導体
チップ１のパッド１ｂとこれに対応する基板電極２ａと
を電気的に接続する金線などのボンディングワイヤ４
（接続部材）と、半導体チップ１およびボンディングワ
イヤ４を図１に示すモールド装置によってモールドして
形成した封止部６とからなる。
【０１２４】ここで、ＢＧＡ３０の封止部６は、図１に
示すモールド装置によってモールドされて形成されたも
のであるため、モールド金型１０に配置された上側フィ
ルム８および下側フィルム９の梨地加工によって封止部
６の表面が粗面に形成されている。
示すモールド装置によってモールドされて形成されたも
のであるため、モールド金型１０に配置された上側フィ
ルム８および下側フィルム９の梨地加工によって封止部
６の表面が粗面に形成されている。
【０１２５】したがって、ＢＧＡ３０の組み立て完了
後、封止部６に製品番号などの記号や文字を付す際に、
印刷によるマーキングを行った場合でもインクを付すこ
とが可能になるため、封止部６に記号や文字を容易に付
すことができる。
後、封止部６に製品番号などの記号や文字を付す際に、
印刷によるマーキングを行った場合でもインクを付すこ
とが可能になるため、封止部６に記号や文字を容易に付
すことができる。
【０１２６】また、ＢＧＡ基板２は、例えば、３層配線
構造のものである。
構造のものである。
【０１２７】さらに、複数のバンプ電極５は、図７に示
すように、ＢＧＡ基板２の裏面２ｃにおいてそのほぼ中
央付近のチップエリアを除く周囲に格子状に配列され、
例えば、半田によって形成されたものである。
すように、ＢＧＡ基板２の裏面２ｃにおいてそのほぼ中
央付近のチップエリアを除く周囲に格子状に配列され、
例えば、半田によって形成されたものである。
【０１２８】なお、半導体チップ１は、ペースト材など
によってＢＧＡ基板２にマウントされている。
によってＢＧＡ基板２にマウントされている。
【０１２９】さらに、封止部６を形成するモールド樹脂
２９は、例えば、エポキシ系の熱硬化性樹脂などであ
る。
２９は、例えば、エポキシ系の熱硬化性樹脂などであ
る。
【０１３０】なお、モールドの際にはＢＧＡ基板２の裏
面２ｃに下側フィルム９を密着させてモールドを行うた
め、ＢＧＡ基板２の裏面２ｃにモールド樹脂２９が付着
することを阻止できる。
面２ｃに下側フィルム９を密着させてモールドを行うた
め、ＢＧＡ基板２の裏面２ｃにモールド樹脂２９が付着
することを阻止できる。
【０１３１】これにより、ＢＧＡ基板２の裏面２ｃに薄
いモールド樹脂２９の膜が形成されることを防止でき、
その結果、信頼性の高いバンプ接続が可能なＢＧＡ３０
を実現できる。
いモールド樹脂２９の膜が形成されることを防止でき、
その結果、信頼性の高いバンプ接続が可能なＢＧＡ３０
を実現できる。
【０１３２】また、ＢＧＡ基板２の裏面２ｃに薄いモー
ルド樹脂２９の膜が形成されることを防止できるため、
モールド後にモールド樹脂２９の前記薄い膜を除去する
工程を省くことができる。
ルド樹脂２９の膜が形成されることを防止できるため、
モールド後にモールド樹脂２９の前記薄い膜を除去する
工程を省くことができる。
【０１３３】その結果、ＢＧＡ基板２に対してのバンプ
形成または転写をスムーズに行うことができる。
形成または転写をスムーズに行うことができる。
【０１３４】また、ＢＧＡ３０では、モールド時に、基
板支持リード３ａのＢＧＡ基板２側にもモールド樹脂２
９を周り込ませて、ＢＧＡ基板２の側面周辺部をモール
ドしているため、基板支持リード３ａの表側だけでな
く、基板支持リード３ａのＢＧＡ基板２側すなわち下側
のＢＧＡ基板２の側面周辺部にも封止部６が形成されて
いる。
板支持リード３ａのＢＧＡ基板２側にもモールド樹脂２
９を周り込ませて、ＢＧＡ基板２の側面周辺部をモール
ドしているため、基板支持リード３ａの表側だけでな
く、基板支持リード３ａのＢＧＡ基板２側すなわち下側
のＢＧＡ基板２の側面周辺部にも封止部６が形成されて
いる。
【０１３５】これにより、封止部６とＢＧＡ基板２との
接触面積が増えるため、両者の接合力を向上できるとと
もに、下型１２のキャビティ１２ａの大きさを基準にし
た場合、ＢＧＡ基板２の大きさを小さくすることがで
き、その結果、ＢＧＡ３０の低コスト化を図ることがで
きる。
接触面積が増えるため、両者の接合力を向上できるとと
もに、下型１２のキャビティ１２ａの大きさを基準にし
た場合、ＢＧＡ基板２の大きさを小さくすることがで
き、その結果、ＢＧＡ３０の低コスト化を図ることがで
きる。
【０１３６】なお、基板支持リード３ａは、例えば、銅
などからなる薄板状のフレーム部材３に形成されている
ものである。
などからなる薄板状のフレーム部材３に形成されている
ものである。
【０１３７】ここで、図１に示すモールド装置における
モールド金型１０は、ＢＧＡ４個取りの１枚のフレーム
部材３を用い、このフレーム部材３を２枚同時にモール
ドするものである。
モールド金型１０は、ＢＧＡ４個取りの１枚のフレーム
部材３を用い、このフレーム部材３を２枚同時にモール
ドするものである。
【０１３８】したがって、前記モールド装置では、１回
のモールド動作で８個のＢＧＡ３０の封止部６を形成で
きる。
のモールド動作で８個のＢＧＡ３０の封止部６を形成で
きる。
【０１３９】つまり、複数個取りのために複数の半導体
チップ１を搭載可能な多連のフレーム部材３を用いたも
のであり、基板支持リード３ａは、モールド後に、フレ
ーム部材３を個々のＢＧＡ３０に切断された際にＢＧＡ
３０側に残留した部材である。
チップ１を搭載可能な多連のフレーム部材３を用いたも
のであり、基板支持リード３ａは、モールド後に、フレ
ーム部材３を個々のＢＧＡ３０に切断された際にＢＧＡ
３０側に残留した部材である。
【０１４０】これにより、１枚のフレーム部材３は、４
つのＢＧＡ基板２を支持可能な基板支持リード３ａと、
この基板支持リード３ａを支持する枠部３ｂ（図１４参
照）とから構成される薄板状の部材である。
つのＢＧＡ基板２を支持可能な基板支持リード３ａと、
この基板支持リード３ａを支持する枠部３ｂ（図１４参
照）とから構成される薄板状の部材である。
【０１４１】次に、本実施の形態の半導体集積回路装置
の製造方法を図１７に示す製造プロセスフローにしたが
って説明する。
の製造方法を図１７に示す製造プロセスフローにしたが
って説明する。
【０１４２】なお、前記半導体集積回路装置の製造方法
は、図６および図７に示すＢＧＡ３０の製造方法であ
る。
は、図６および図７に示すＢＧＡ３０の製造方法であ
る。
【０１４３】まず、主面１ａに半導体集積回路が形成さ
れた半導体チップ１（半導体集積回路チップともいう）
を準備する。
れた半導体チップ１（半導体集積回路チップともいう）
を準備する。
【０１４４】一方、半導体チップ１を搭載可能な配線基
板であるＢＧＡ基板２（チップ支持基板）が取り付けら
れた図１０に示すフレーム部材３を準備する。
板であるＢＧＡ基板２（チップ支持基板）が取り付けら
れた図１０に示すフレーム部材３を準備する。
【０１４５】ここで、フレーム部材３は、例えば、銅な
どからなる薄板状の部材であり、１枚のフレーム部材３
から４個のＢＧＡ３０が製造可能なように４枚のＢＧＡ
基板２が各ＢＧＡ領域に一列にほぼ等間隔に並んで取り
付けられたものである。
どからなる薄板状の部材であり、１枚のフレーム部材３
から４個のＢＧＡ３０が製造可能なように４枚のＢＧＡ
基板２が各ＢＧＡ領域に一列にほぼ等間隔に並んで取り
付けられたものである。
【０１４６】続いて、図１７に示すステップＳ１による
フレーム部材供給とステップＳ２による半導体チップ供
給とを行った後、半導体チップ１とＢＧＡ基板２とを接
合するチップマウント（ダイボンドともいう）を行う
（ステップＳ３）。
フレーム部材供給とステップＳ２による半導体チップ供
給とを行った後、半導体チップ１とＢＧＡ基板２とを接
合するチップマウント（ダイボンドともいう）を行う
（ステップＳ３）。
【０１４７】すなわち、各ＢＧＡ基板２のチップ支持面
２ｂ（第１の主面）上にペースト材を介して半導体チッ
プ１をマウントする（固定する）。
２ｂ（第１の主面）上にペースト材を介して半導体チッ
プ１をマウントする（固定する）。
【０１４８】その後、半導体チップ１の複数の端子であ
るパッド１ｂ（表面電極）とこれに対応するＢＧＡ基板
２の複数の基板電極２ａ（リード）とをワイヤボンディ
ングによって電気的に接続する（ステップＳ４）。
るパッド１ｂ（表面電極）とこれに対応するＢＧＡ基板
２の複数の基板電極２ａ（リード）とをワイヤボンディ
ングによって電気的に接続する（ステップＳ４）。
【０１４９】これによって、半導体チップ１の複数のパ
ッド１ｂとそれぞれに対応するＢＧＡ基板２の複数の基
板電極２ａとがボンディングワイヤ４（接続部材）によ
って電気的に接続される。
ッド１ｂとそれぞれに対応するＢＧＡ基板２の複数の基
板電極２ａとがボンディングワイヤ４（接続部材）によ
って電気的に接続される。
【０１５０】なお、チップマウントとワイヤボンディン
グとを終えたフレーム部材３がチップ組み立て体７（図
９（ｂ）参照）となる。
グとを終えたフレーム部材３がチップ組み立て体７（図
９（ｂ）参照）となる。
【０１５１】その後、モールド工程を行う。まず、図１
に示す前記モールド装置のローダ部１３にモールドが行
われるチップ組み立て体７を搬入する。
に示す前記モールド装置のローダ部１３にモールドが行
われるチップ組み立て体７を搬入する。
【０１５２】続いて、ローダ部１３からフレーム整列部
１６にチップ組み立て体７をセットし、フレーム整列部
１６においてチップ組み立て体７の位置決めと整列とを
行う。
１６にチップ組み立て体７をセットし、フレーム整列部
１６においてチップ組み立て体７の位置決めと整列とを
行う。
【０１５３】さらに、フレーム搬送体１５に円筒形のタ
ブレットをセットするとともに、フレーム搬送体１５に
よってフレーム整列部１６から所望のチップ組み立て体
７を吸着支持する。
ブレットをセットするとともに、フレーム搬送体１５に
よってフレーム整列部１６から所望のチップ組み立て体
７を吸着支持する。
【０１５４】続いて、前記モールド装置のモールド金型
１０におけるポット１２ｃ（図２参照）を図５に示すポ
ットクリーナ部２４によってクリーニングする。
１０におけるポット１２ｃ（図２参照）を図５に示すポ
ットクリーナ部２４によってクリーニングする。
【０１５５】その後、表裏両面に微細な凹凸が形成され
た上側フィルム８すなわち表裏両面が梨地加工された上
側フィルム８を上側フィルム供給ローラ１９にセット
し、この上側フィルム８の先端側を上型１１と下型１２
との間を通して上側フィルム巻取りローラ２０に巻き取
り可能にセットする。
た上側フィルム８すなわち表裏両面が梨地加工された上
側フィルム８を上側フィルム供給ローラ１９にセット
し、この上側フィルム８の先端側を上型１１と下型１２
との間を通して上側フィルム巻取りローラ２０に巻き取
り可能にセットする。
【０１５６】同様に、表裏両面に微細な凹凸が形成され
た下側フィルム９すなわち表裏両面が梨地加工された下
側フィルム９を下側フィルム供給ローラ２１にセット
し、上側フィルム８の場合と同様に下側フィルム９の先
端側を上型１１と下型１２との間を通して、かつ上側フ
ィルム８と対向させて下側フィルム巻取りローラ２２に
巻き取り可能にセットする。
た下側フィルム９すなわち表裏両面が梨地加工された下
側フィルム９を下側フィルム供給ローラ２１にセット
し、上側フィルム８の場合と同様に下側フィルム９の先
端側を上型１１と下型１２との間を通して、かつ上側フ
ィルム８と対向させて下側フィルム巻取りローラ２２に
巻き取り可能にセットする。
【０１５７】これにより、上型１１と下型１２との間に
一対を成すフィルムである上側フィルム８と下側フィル
ム９とが対向した状態で配置される。
一対を成すフィルムである上側フィルム８と下側フィル
ム９とが対向した状態で配置される。
【０１５８】ここで、図１に示すモールド装置のモール
ド金型１０では、下型１２のほぼ中央にポット１２ｃと
プランジャ１２ｂとが配置されているため、図５に示す
ように、下側フィルム９を、下型１２の金型面１２ｉに
おけるポット１２ｃ上を避けた両側に２列で配置してい
る。
ド金型１０では、下型１２のほぼ中央にポット１２ｃと
プランジャ１２ｂとが配置されているため、図５に示す
ように、下側フィルム９を、下型１２の金型面１２ｉに
おけるポット１２ｃ上を避けた両側に２列で配置してい
る。
【０１５９】すなわち、上側フィルム８は、上型１１の
金型面１１ｎとほぼ同程度の幅を有する１枚のシートで
あり、一方、下側フィルム９は、ＢＧＡ基板２より大き
い幅を有する２枚のシートである。
金型面１１ｎとほぼ同程度の幅を有する１枚のシートで
あり、一方、下側フィルム９は、ＢＧＡ基板２より大き
い幅を有する２枚のシートである。
【０１６０】その後、ステップＳ５によるフィルム除電
を行う。
を行う。
【０１６１】ここでは、図１に示すフィルム除電部２５
において、図８（ａ）に示すように、高電圧、例えば、
１０ｋＶの高電圧が印加された除電用電極３２間に第１
のガスであるドライエアー３１を通してこのドライエア
ー３１をイオン化する。
において、図８（ａ）に示すように、高電圧、例えば、
１０ｋＶの高電圧が印加された除電用電極３２間に第１
のガスであるドライエアー３１を通してこのドライエア
ー３１をイオン化する。
【０１６２】さらに、フィルム除電部２５において、イ
オン化されたドライエアー３１を一対のフィルムすなわ
ち上側フィルム８と下側フィルム９とに供給して上側フ
ィルム８および下側フィルム９上に帯電する電荷３３を
図８（ｂ）に示すように中和する。
オン化されたドライエアー３１を一対のフィルムすなわ
ち上側フィルム８と下側フィルム９とに供給して上側フ
ィルム８および下側フィルム９上に帯電する電荷３３を
図８（ｂ）に示すように中和する。
【０１６３】なお、図８は、一対のフィルムのうち、上
側フィルム８のみの除電（イオンブロー）を説明した図
であるが、下側フィルム９についても全く同様である。
側フィルム８のみの除電（イオンブロー）を説明した図
であるが、下側フィルム９についても全く同様である。
【０１６４】これにより、モールド前の未使用の上側フ
ィルム８および下側フィルム９をイオンブローすること
ができ、その結果、上側フィルム８および下側フィルム
９での静電気の発生を防ぐことができる。
ィルム８および下側フィルム９をイオンブローすること
ができ、その結果、上側フィルム８および下側フィルム
９での静電気の発生を防ぐことができる。
【０１６５】その後、図９（ａ）に示すように、上側フ
ィルム巻取りローラ２０および下側フィルム巻取りロー
ラ２２によって各フィルムを所定量巻き取り、これによ
り、図５に示すモールド金型１０の上型１１の金型面１
１ｎと下型１２の金型面１２ｉとに前記電荷中和済み、
すなわちイオンブロー済みの上側フィルム８および下側
フィルム９を配置するフィルム送り（ステップＳ６）を
行う。
ィルム巻取りローラ２０および下側フィルム巻取りロー
ラ２２によって各フィルムを所定量巻き取り、これによ
り、図５に示すモールド金型１０の上型１１の金型面１
１ｎと下型１２の金型面１２ｉとに前記電荷中和済み、
すなわちイオンブロー済みの上側フィルム８および下側
フィルム９を配置するフィルム送り（ステップＳ６）を
行う。
【０１６６】続いて、モールド金型１０上で上側フィル
ム８および下側フィルム９を予備加熱するとともに、適
正なテンションを両フィルムに付与する。
ム８および下側フィルム９を予備加熱するとともに、適
正なテンションを両フィルムに付与する。
【０１６７】その後、ステップＳ７による金型除電を行
う。
う。
【０１６８】ここでは、図５に示す上型除電部２６ａお
よび下型除電部２６ｂを備えた金型除電部２６におい
て、図８（ａ）に示すように、高電圧、例えば、１０ｋ
Ｖの高電圧が印加された除電用電極３２間に第２のガス
であるドライエアー３１を通してこのドライエアー３１
をイオン化する。
よび下型除電部２６ｂを備えた金型除電部２６におい
て、図８（ａ）に示すように、高電圧、例えば、１０ｋ
Ｖの高電圧が印加された除電用電極３２間に第２のガス
であるドライエアー３１を通してこのドライエアー３１
をイオン化する。
【０１６９】さらに、金型除電部２６において、図５に
示すように、イオン化されたドライエアー３１を上型１
１と下型１２のそれぞれの金型面１１ｎ，１２ｉに供給
してそれぞれの金型面領域に帯電する電荷３３（図８
（ｂ）参照）を中和する。
示すように、イオン化されたドライエアー３１を上型１
１と下型１２のそれぞれの金型面１１ｎ，１２ｉに供給
してそれぞれの金型面領域に帯電する電荷３３（図８
（ｂ）参照）を中和する。
【０１７０】これにより、モールド後のモールド金型１
０をイオンブローすることができ、その結果、次ショッ
トのモールドを行う際に、モールド金型１０に静電気が
発生していない状態でモールドを行うことができる。
０をイオンブローすることができ、その結果、次ショッ
トのモールドを行う際に、モールド金型１０に静電気が
発生していない状態でモールドを行うことができる。
【０１７１】したがって、モールド金型１０上での静電
気によるＢＧＡ３０への静電破壊などの悪影響を防止で
きる。
気によるＢＧＡ３０への静電破壊などの悪影響を防止で
きる。
【０１７２】さらに、ステップＳ８によるフィルム吸引
を行う。
を行う。
【０１７３】ここでは、図３に示す上側フィルム第１吸
引部１１ｇから、上型第１排気通路１１ｉおよび吸引口
１１ｆを介して上側フィルム８を吸引し、上型１１のキ
ャビティ１１ａ内面に沿うように上側フィルム８をキャ
ビティ１１ａ内面に密着させる。
引部１１ｇから、上型第１排気通路１１ｉおよび吸引口
１１ｆを介して上側フィルム８を吸引し、上型１１のキ
ャビティ１１ａ内面に沿うように上側フィルム８をキャ
ビティ１１ａ内面に密着させる。
【０１７４】同様に、図４に示す下側フィルム第１吸引
部１２ｅから、下型第１排気通路１２ｇおよび吸引口１
２ｄを介して下側フィルム９を吸引し、下型１２のキャ
ビティ１２ａ内面に沿うように下側フィルム９をキャビ
ティ１２ａ内面に密着させる。
部１２ｅから、下型第１排気通路１２ｇおよび吸引口１
２ｄを介して下側フィルム９を吸引し、下型１２のキャ
ビティ１２ａ内面に沿うように下側フィルム９をキャビ
ティ１２ａ内面に密着させる。
【０１７５】その後、タブレットがセットされ、かつチ
ップ組み立て体７を吸着支持したフレーム搬送体１５を
モールド金型１０上に移動させ、下型１２のポット１２
ｃ内に前記タブレットをセットするとともに、図１０
（ａ）に示すように、キャビティ１１ａ，１２ａ上に配
置した一対のフィルムである上側フィルム８と下側フィ
ルム９との間に２組のチップ組み立て体７を配置する。
ップ組み立て体７を吸着支持したフレーム搬送体１５を
モールド金型１０上に移動させ、下型１２のポット１２
ｃ内に前記タブレットをセットするとともに、図１０
（ａ）に示すように、キャビティ１１ａ，１２ａ上に配
置した一対のフィルムである上側フィルム８と下側フィ
ルム９との間に２組のチップ組み立て体７を配置する。
【０１７６】なお、２組のチップ組み立て体７は、下型
１２の金型面１２ｉにおいて、ポット１２ｃの両側にそ
れぞれ分けて２列に配置する。
１２の金型面１２ｉにおいて、ポット１２ｃの両側にそ
れぞれ分けて２列に配置する。
【０１７７】したがって、１つのチップ組み立て体７の
フレーム部材３上には４つの半導体チップ１が搭載され
ているため、このモールド金型１０においては、１回の
モールド動作で８つの半導体チップ１のモールドを行う
ことができる。
フレーム部材３上には４つの半導体チップ１が搭載され
ているため、このモールド金型１０においては、１回の
モールド動作で８つの半導体チップ１のモールドを行う
ことができる。
【０１７８】なお、下型１２上にチップ組み立て体７を
配置させた状態を図１６に示す。
配置させた状態を図１６に示す。
【０１７９】図１６は、下型１２上における基板支持リ
ード３ａ（基板支持治具）とＢＧＡ基板２とキャビティ
１２ａの位置関係を示したものであり、ここでは、ＢＧ
Ａ基板２上に固定された半導体チップ１とボンディング
ワイヤ４とを省略して示すとともに、ＢＧＡ基板２を透
過してその下側に見えるキャビティ１２ａを示したもの
である。
ード３ａ（基板支持治具）とＢＧＡ基板２とキャビティ
１２ａの位置関係を示したものであり、ここでは、ＢＧ
Ａ基板２上に固定された半導体チップ１とボンディング
ワイヤ４とを省略して示すとともに、ＢＧＡ基板２を透
過してその下側に見えるキャビティ１２ａを示したもの
である。
【０１８０】図１６に示すように、チップ組み立て体７
においてフレーム部材３の基板支持リード３ａによって
支持されたＢＧＡ基板２は、下型１２のキャビティ１２
ａ上に配置されている。
においてフレーム部材３の基板支持リード３ａによって
支持されたＢＧＡ基板２は、下型１２のキャビティ１２
ａ上に配置されている。
【０１８１】続いて、フレーム搬送体１５を待機位置に
戻す。
戻す。
【０１８２】その後、フレーム搬送体１５が待機位置に
戻ったことを確認し、続いて、プレスによって下型１２
を上昇させて一対のモールド金型１０である上型１１と
下型１２とを図９（ｃ）に示すようにクランプする。
戻ったことを確認し、続いて、プレスによって下型１２
を上昇させて一対のモールド金型１０である上型１１と
下型１２とを図９（ｃ）に示すようにクランプする。
【０１８３】なお、この段階で行う上型１１と下型１２
のクランプは、図１０（ｂ）に示すように、例えば、面
圧１から５ｋｇ／ｍｍ2 程度の１次（初期）クランプで
ある。
のクランプは、図１０（ｂ）に示すように、例えば、面
圧１から５ｋｇ／ｍｍ2 程度の１次（初期）クランプで
ある。
【０１８４】その後、この１次クランプの状態で、ステ
ップＳ９により、モールドを行う。ここでは、上側フィ
ルム８と下側フィルム９との間に図１１（ａ）に示すよ
うに溶融されたモールド樹脂２９（レジン）を供給し
て、モールド樹脂２９の注入圧によりキャビティ１１ａ
と上側フィルム８、かつキャビティ１２ａと下側フィル
ム９の間で一部隙間３６が形成される状態になるまで
（キャビティ１１ａ，１２ａ内の上側フィルム８と下側
フィルム９との間がモールド樹脂２９によってほぼ充填
された状態になるまで）キャビティ１１ａ，１２ａにモ
ールド樹脂２９を注入する第１樹脂注入工程を行う。
ップＳ９により、モールドを行う。ここでは、上側フィ
ルム８と下側フィルム９との間に図１１（ａ）に示すよ
うに溶融されたモールド樹脂２９（レジン）を供給し
て、モールド樹脂２９の注入圧によりキャビティ１１ａ
と上側フィルム８、かつキャビティ１２ａと下側フィル
ム９の間で一部隙間３６が形成される状態になるまで
（キャビティ１１ａ，１２ａ内の上側フィルム８と下側
フィルム９との間がモールド樹脂２９によってほぼ充填
された状態になるまで）キャビティ１１ａ，１２ａにモ
ールド樹脂２９を注入する第１樹脂注入工程を行う。
【０１８５】つまり、図１１（ａ）に示すように、キャ
ビティ１１ａおよびキャビティ１２ａの隙間３６が、そ
れぞれキャビティ１１ａ，１２ａの隅部のみに形成され
る程度になるまで樹脂注入を行う。
ビティ１１ａおよびキャビティ１２ａの隙間３６が、そ
れぞれキャビティ１１ａ，１２ａの隅部のみに形成され
る程度になるまで樹脂注入を行う。
【０１８６】その際、図１３（ａ）に示すように、下側
フィルム９とチップ組み立て体７のＢＧＡ基板２の裏面
２ｃ（第２の主面）とをモールド樹脂２９が入り込まな
い程度に密着させ、図１４に示すように、上側フィルム
８と下側フィルム９の間にモールド樹脂２９を供給し
て、キャビティ１１ａ，１２ａ内面に上側フィルム８お
よび下側フィルム９がそれぞれ沿うようにキャビティ１
１ａ，１２ａにモールド樹脂２９を充填する。
フィルム９とチップ組み立て体７のＢＧＡ基板２の裏面
２ｃ（第２の主面）とをモールド樹脂２９が入り込まな
い程度に密着させ、図１４に示すように、上側フィルム
８と下側フィルム９の間にモールド樹脂２９を供給し
て、キャビティ１１ａ，１２ａ内面に上側フィルム８お
よび下側フィルム９がそれぞれ沿うようにキャビティ１
１ａ，１２ａにモールド樹脂２９を充填する。
【０１８７】なお、モールド樹脂２９を注入する際に
は、図１２（ａ),（ｂ),（ｃ）に示すように、図１３
（ａ）に示すゲート１１ｄから順次モールド樹脂２９を
注入していき、図１３（ｂ）に示すように、図１３
（ａ）に示すチップ組み立て体７におけるフレーム部材
３の基板支持リード３ａの表裏両面側にモールド樹脂２
９を周り込ませてＢＧＡ基板２のチップ支持面２ｂ（第
１の主面）側と側面周辺部とに図６（ｂ）に示すように
封止部６を形成する。
は、図１２（ａ),（ｂ),（ｃ）に示すように、図１３
（ａ）に示すゲート１１ｄから順次モールド樹脂２９を
注入していき、図１３（ｂ）に示すように、図１３
（ａ）に示すチップ組み立て体７におけるフレーム部材
３の基板支持リード３ａの表裏両面側にモールド樹脂２
９を周り込ませてＢＧＡ基板２のチップ支持面２ｂ（第
１の主面）側と側面周辺部とに図６（ｂ）に示すように
封止部６を形成する。
【０１８８】その際、図１３（ｂ）に示すように、キャ
ビティ１１ａ，１２ａ内でモールド樹脂２９がチップ組
み立て体７のボンディングワイヤ４を覆った後、キャビ
ティ１１ａ，１２ａの真空引き３７を行って上側フィル
ム８がキャビティ１１ａ内面に沿うように、かつ下側フ
ィルム９がキャビティ１２ａ内面に沿うようにキャビテ
ィ１１ａ，１２ａにモールド樹脂２９を充填させる。
ビティ１１ａ，１２ａ内でモールド樹脂２９がチップ組
み立て体７のボンディングワイヤ４を覆った後、キャビ
ティ１１ａ，１２ａの真空引き３７を行って上側フィル
ム８がキャビティ１１ａ内面に沿うように、かつ下側フ
ィルム９がキャビティ１２ａ内面に沿うようにキャビテ
ィ１１ａ，１２ａにモールド樹脂２９を充填させる。
【０１８９】すなわち、キャビティ１１ａ，１２ａ内を
十分にモールド樹脂２９によって充填し、図１９に示す
ボイド３５が形成される直前に真空引き３７を行う。
十分にモールド樹脂２９によって充填し、図１９に示す
ボイド３５が形成される直前に真空引き３７を行う。
【０１９０】これにより、図２０（ａ),（ｂ）に示す比
較例の真空引き３８のように、上側フィルム８が減圧に
よって引っ張られてキャビティ１１ａから剥がれ、その
結果、上側フィルム８の脱落によるワイヤ曲がりを防止
できる。
較例の真空引き３８のように、上側フィルム８が減圧に
よって引っ張られてキャビティ１１ａから剥がれ、その
結果、上側フィルム８の脱落によるワイヤ曲がりを防止
できる。
【０１９１】なお、図１３（ｂ）に示す真空引き３７
は、図３に示す上型１１の減圧吸引部１１ｌによって減
圧用吸引口１１ｋ、エアベント１１ｅおよび減圧用排気
通路１１ｍを介して行う。
は、図３に示す上型１１の減圧吸引部１１ｌによって減
圧用吸引口１１ｋ、エアベント１１ｅおよび減圧用排気
通路１１ｍを介して行う。
【０１９２】続いて、キャビティ１１ａ，１２ａ内を真
空引き３７の状態すなわち減圧状態にしつつ、図１４お
よび図１２（ｄ),（ｅ),（ｆ）に示すように、順次キャ
ビティ１１ａ，１２ａ内にモールド樹脂２９を充填させ
ていく。
空引き３７の状態すなわち減圧状態にしつつ、図１４お
よび図１２（ｄ),（ｅ),（ｆ）に示すように、順次キャ
ビティ１１ａ，１２ａ内にモールド樹脂２９を充填させ
ていく。
【０１９３】これにより、キャビティ１１ａ，１２ａ内
のガス抜きを行いながらモールド樹脂２９の充填が行え
るため、図１９の比較例に示すようなボイド３５の発生
を防ぐことができる。
のガス抜きを行いながらモールド樹脂２９の充填が行え
るため、図１９の比較例に示すようなボイド３５の発生
を防ぐことができる。
【０１９４】その結果、ＢＧＡ３０の耐吸湿性を向上で
き、これにより、ＢＧＡ３０の品質および信頼性を向上
できる。
き、これにより、ＢＧＡ３０の品質および信頼性を向上
できる。
【０１９５】また、図１１（ａ）に示すように、モール
ド樹脂２９の注入過程において、キャビティ１１ａと上
側フィルム８との隙間３６およびキャビティ１２ａと下
側フィルム９との隙間３６が、それぞれキャビティ１１
ａ，１２ａの隅部のみに形成される程度になるまで（キ
ャビティ１１ａ，１２ａ内におけるモールド樹脂２９の
充填割合が９０％程度に到達するまで）樹脂注入を行っ
た後（第１樹脂注入工程後）、面圧１から５ｋｇ／ｍｍ
2 程度の前記１次クランプより大きな圧力（例えば、面
圧１０ｋｇ／ｍｍ2 以上）で上型１１と下型１２とを２
次（本）クランプし、図１１（ｂ）に示すように、この
状態でモールド樹脂２９の注入圧により上側フィルム８
および下側フィルム９が、キャビティ１１ａ，１２ａ内
面のそれぞれの隅部まで密着してキャビティ１１ａ，１
２ａに沿うようにモールド樹脂２９を充填させる。
ド樹脂２９の注入過程において、キャビティ１１ａと上
側フィルム８との隙間３６およびキャビティ１２ａと下
側フィルム９との隙間３６が、それぞれキャビティ１１
ａ，１２ａの隅部のみに形成される程度になるまで（キ
ャビティ１１ａ，１２ａ内におけるモールド樹脂２９の
充填割合が９０％程度に到達するまで）樹脂注入を行っ
た後（第１樹脂注入工程後）、面圧１から５ｋｇ／ｍｍ
2 程度の前記１次クランプより大きな圧力（例えば、面
圧１０ｋｇ／ｍｍ2 以上）で上型１１と下型１２とを２
次（本）クランプし、図１１（ｂ）に示すように、この
状態でモールド樹脂２９の注入圧により上側フィルム８
および下側フィルム９が、キャビティ１１ａ，１２ａ内
面のそれぞれの隅部まで密着してキャビティ１１ａ，１
２ａに沿うようにモールド樹脂２９を充填させる。
【０１９６】すなわち、前記２次クランプによってモー
ルド金型１０を閉じた状態で、モールド樹脂２９の注入
圧により、キャビティ１１ａ，１２ａの隅々まで上側フ
ィルム８、下側フィルム９が密着するまで樹脂注入を行
う第２樹脂注入工程を行う。
ルド金型１０を閉じた状態で、モールド樹脂２９の注入
圧により、キャビティ１１ａ，１２ａの隅々まで上側フ
ィルム８、下側フィルム９が密着するまで樹脂注入を行
う第２樹脂注入工程を行う。
【０１９７】その結果、図１１（ｃ）に示すように、チ
ップ組み立て体７にキャビティ１１ａ，１２ａのそれぞ
れの形状に対応したＢＧＡ３０の封止部６を形成でき
る。
ップ組み立て体７にキャビティ１１ａ，１２ａのそれぞ
れの形状に対応したＢＧＡ３０の封止部６を形成でき
る。
【０１９８】したがって、モールド樹脂の注入時の前記
モールド金型のクランプ状態を前記１次クランプと前記
２次クランプとの２段階に分けて行うことにより、比較
的クランプ力の弱い前記１次クランプ時にキャビティ１
１ａ，１２ａ内面の形状にほぼ完全に沿うように上側フ
ィルム８および下側フィルム９を微移動させることがで
き、その結果、キャビティ１１ａ，１２ａ内における上
側フィルム８および下側フィルム９の弛みを取り除くこ
とができる。
モールド金型のクランプ状態を前記１次クランプと前記
２次クランプとの２段階に分けて行うことにより、比較
的クランプ力の弱い前記１次クランプ時にキャビティ１
１ａ，１２ａ内面の形状にほぼ完全に沿うように上側フ
ィルム８および下側フィルム９を微移動させることがで
き、その結果、キャビティ１１ａ，１２ａ内における上
側フィルム８および下側フィルム９の弛みを取り除くこ
とができる。
【０１９９】これにより、ＢＧＡ３０の封止部６の外観
形状の品質を低下させることなくモールドでき、その結
果、ＢＧＡ３０の封止部６の外観品質を向上できる。
形状の品質を低下させることなくモールドでき、その結
果、ＢＧＡ３０の封止部６の外観品質を向上できる。
【０２００】モールド樹脂２９の充填完了後、図２に示
す減圧吸引部１１ｌによるキャビティ１１ａ，１２ａ内
の真空引き３７（図１３（ｂ）参照）すなわち減圧を停
止し、モールド樹脂２９を硬化させる。
す減圧吸引部１１ｌによるキャビティ１１ａ，１２ａ内
の真空引き３７（図１３（ｂ）参照）すなわち減圧を停
止し、モールド樹脂２９を硬化させる。
【０２０１】モールド完了後、プレスによって下型１２
を下降させ、モールド金型１０を開き、これにより、チ
ップ組み立て体７をキャビティ１１ａ，１２ａから離型
させる。
を下降させ、モールド金型１０を開き、これにより、チ
ップ組み立て体７をキャビティ１１ａ，１２ａから離型
させる。
【０２０２】ここでは、まず、上側フィルム８からチッ
プ組み立て体７を剥離し、その後、チップ組み立て体７
をフレーム取り出し部１７のフレームチャックによって
把持し、上方に引き上げて下側フィルム９からチップ組
み立て体７を剥離する。
プ組み立て体７を剥離し、その後、チップ組み立て体７
をフレーム取り出し部１７のフレームチャックによって
把持し、上方に引き上げて下側フィルム９からチップ組
み立て体７を剥離する。
【０２０３】続いて、上側フィルム第１吸引部１１ｇに
よる上側フィルム８の上型１１への吸引を停止し、その
後、吸引から吐出に切り換えて、図９（ｄ）に示すよう
に、図３に示す上側フィルム第１吸引部１１ｇによって
吸引口１１ｆから剥離用エアー３９を突出させ、上型１
１のキャビティ１１ａから上側フィルム８を剥離させ
る。
よる上側フィルム８の上型１１への吸引を停止し、その
後、吸引から吐出に切り換えて、図９（ｄ）に示すよう
に、図３に示す上側フィルム第１吸引部１１ｇによって
吸引口１１ｆから剥離用エアー３９を突出させ、上型１
１のキャビティ１１ａから上側フィルム８を剥離させ
る。
【０２０４】同様にして、下側フィルム第１吸引部１２
ｅによる下側フィルム９の下型１２への吸引を停止し、
その後、吸引から吐出に切り換えて、図４に示す下側フ
ィルム第１吸引部１２ｅによって吸引口１２ｄから剥離
用エアー３９を突出させ、下型１２のキャビティ１２ａ
から下側フィルム９を剥離させる。
ｅによる下側フィルム９の下型１２への吸引を停止し、
その後、吸引から吐出に切り換えて、図４に示す下側フ
ィルム第１吸引部１２ｅによって吸引口１２ｄから剥離
用エアー３９を突出させ、下型１２のキャビティ１２ａ
から下側フィルム９を剥離させる。
【０２０５】続いて、ステップＳ１０により、フィルム
巻き取りを行う。
巻き取りを行う。
【０２０６】ここでは、上側フィルム巻取りローラ２０
および下側フィルム巻取りローラ２２を回転させて、上
側フィルム８および下側フィルム９のモールドに使用さ
れた部分を巻き取る。
および下側フィルム巻取りローラ２２を回転させて、上
側フィルム８および下側フィルム９のモールドに使用さ
れた部分を巻き取る。
【０２０７】これにより、上側フィルム８および下側フ
ィルム９が順送りされ、その結果、図２に示すモールド
金型１０の上型１１の金型面１１ｎおよび下型１２の金
型面１２ｉには、未使用の上側フィルム８および下側フ
ィルム９がそれぞれ配置される。
ィルム９が順送りされ、その結果、図２に示すモールド
金型１０の上型１１の金型面１１ｎおよび下型１２の金
型面１２ｉには、未使用の上側フィルム８および下側フ
ィルム９がそれぞれ配置される。
【０２０８】また、フィルム巻き取りの際には、使用済
み上側フィルム除電部４１ａと使用済み下側フィルム除
電部４１ｂとにより、それぞれ使用済みの上側フィルム
８および下側フィルム９を除電する使用済みフィルム除
電（ステップＳ１１）を行う。
み上側フィルム除電部４１ａと使用済み下側フィルム除
電部４１ｂとにより、それぞれ使用済みの上側フィルム
８および下側フィルム９を除電する使用済みフィルム除
電（ステップＳ１１）を行う。
【０２０９】すなわち、上側フィルム８および下側フィ
ルム９のそれぞれのモールドに使用された部分にイオン
化されたドライエアー３１（ガス）を供給してそれぞれ
のフィルム上に帯電する電荷３３（図８（ａ）参照）を
中和する。
ルム９のそれぞれのモールドに使用された部分にイオン
化されたドライエアー３１（ガス）を供給してそれぞれ
のフィルム上に帯電する電荷３３（図８（ａ）参照）を
中和する。
【０２１０】これにより、上側フィルム巻取りローラ２
０や下側フィルム巻取りローラ２２などのフィルム巻き
取り部では、非常に高い電位の静電気が発生するため、
使用済み上側フィルム除電部４１ａと使用済み下側フィ
ルム除電部４１ｂのイオンブローにより、それぞれのフ
ィルム上の静電気を確実に除去することができる。
０や下側フィルム巻取りローラ２２などのフィルム巻き
取り部では、非常に高い電位の静電気が発生するため、
使用済み上側フィルム除電部４１ａと使用済み下側フィ
ルム除電部４１ｂのイオンブローにより、それぞれのフ
ィルム上の静電気を確実に除去することができる。
【０２１１】その後、ステップＳ１２により、製品取り
出しを行う。
出しを行う。
【０２１２】ここでは、フレーム取り出し部１７によっ
てモールド済みのチップ組み立て体７を取り出し、図５
に示すポットクリーナ部２４によってポット１２ｃ内の
レジンバリを吸引する。
てモールド済みのチップ組み立て体７を取り出し、図５
に示すポットクリーナ部２４によってポット１２ｃ内の
レジンバリを吸引する。
【０２１３】続いて、取り出したモールド済みのチップ
組み立て体７を図１に示すゲートブレーク部１８によっ
てカルブレークし、これにより、フレーム部材３に付着
した残留樹脂とチップ組み立て体７とを分離する。
組み立て体７を図１に示すゲートブレーク部１８によっ
てカルブレークし、これにより、フレーム部材３に付着
した残留樹脂とチップ組み立て体７とを分離する。
【０２１４】ブレーク完了後、フレーム取り出し部１７
によってモールド済みのチップ組み立て体７をフレーム
収納部１４まで搬送し、フレーム収納部１４にチップ組
み立て体７を順次収容していく。
によってモールド済みのチップ組み立て体７をフレーム
収納部１４まで搬送し、フレーム収納部１４にチップ組
み立て体７を順次収容していく。
【０２１５】その際、チップ組み立て体７をフレーム収
納部１４に収容する直前に、ステップＳ１３に示す製品
除電を行う。
納部１４に収容する直前に、ステップＳ１３に示す製品
除電を行う。
【０２１６】ここでは、図１に示す製品除電部２７にお
いて、図８（ａ）に示すように、高電圧、例えば、１０
ｋＶの高電圧が印加された除電用電極３２間に第３のガ
スであるドライエアー３１を通してこのドライエアー３
１をイオン化する。
いて、図８（ａ）に示すように、高電圧、例えば、１０
ｋＶの高電圧が印加された除電用電極３２間に第３のガ
スであるドライエアー３１を通してこのドライエアー３
１をイオン化する。
【０２１７】さらに、製品除電部２７において、図１に
示すように、イオン化されたドライエアー３１をチップ
組み立て体７に供給してチップ組み立て体７上に帯電す
る前記電荷３３（図８（ａ）参照）を中和する。
示すように、イオン化されたドライエアー３１をチップ
組み立て体７に供給してチップ組み立て体７上に帯電す
る前記電荷３３（図８（ａ）参照）を中和する。
【０２１８】これにより、モールド済みのチップ組み立
て体７をイオンブローすることができ、その結果、チッ
プ組み立て体７に静電気が発生していない状態でこれら
を次工程に送ることができる。
て体７をイオンブローすることができ、その結果、チッ
プ組み立て体７に静電気が発生していない状態でこれら
を次工程に送ることができる。
【０２１９】したがって、次工程で組み立てるＢＧＡ３
０への悪影響を防止できる。
０への悪影響を防止できる。
【０２２０】モールドによる封止部６の形成後、チップ
組み立て体７のフレーム部材３からＢＧＡ基板２を含む
個々のＢＧＡ領域を切断して分離する。
組み立て体７のフレーム部材３からＢＧＡ基板２を含む
個々のＢＧＡ領域を切断して分離する。
【０２２１】すなわち、型切断によって、フレーム部材
３の枠部３ｂから基板支持リード３ａを切断・分離（ス
テップＳ１４）し、これにより、モールド済みの個々の
ＢＧＡ基板２を取得する。
３の枠部３ｂから基板支持リード３ａを切断・分離（ス
テップＳ１４）し、これにより、モールド済みの個々の
ＢＧＡ基板２を取得する。
【０２２２】その後、ＢＧＡ基板２の裏面２ｃ（第２の
主面）に外部端子として複数の突起状電極であるバンプ
電極５を半田転写または半田印刷などによって形成する
バンプ電極形成（ステップＳ１５）を行い、かつ溶融し
て取り付け、これにより、ＢＧＡ３０を組み立てること
ができる。
主面）に外部端子として複数の突起状電極であるバンプ
電極５を半田転写または半田印刷などによって形成する
バンプ電極形成（ステップＳ１５）を行い、かつ溶融し
て取り付け、これにより、ＢＧＡ３０を組み立てること
ができる。
【０２２３】続いて、ＢＧＡ３０の所定の検査を行い、
図６および図７に示すＢＧＡ３０の製造を完了する（ス
テップＳ１６）。
図６および図７に示すＢＧＡ３０の製造を完了する（ス
テップＳ１６）。
【０２２４】なお、ＢＧＡ３０においては、モールド時
に、チップ組み立て体７のＢＧＡ基板２の裏面２ｃに下
側フィルム９を密着させてモールドすることにより、Ｂ
ＧＡ基板２の裏面２ｃ（第２の主面つまりバンプ電極５
を取り付ける側の面）にモールド樹脂２９を付着させず
にモールドすることができる。
に、チップ組み立て体７のＢＧＡ基板２の裏面２ｃに下
側フィルム９を密着させてモールドすることにより、Ｂ
ＧＡ基板２の裏面２ｃ（第２の主面つまりバンプ電極５
を取り付ける側の面）にモールド樹脂２９を付着させず
にモールドすることができる。
【０２２５】すなわち、モールド時のＢＧＡ基板２の側
面から裏面２ｃへのモールド樹脂２９の侵入を阻止でき
るため、ＢＧＡ基板２の裏面２ｃに薄いモールド樹脂２
９の膜が形成されることを防止できる。
面から裏面２ｃへのモールド樹脂２９の侵入を阻止でき
るため、ＢＧＡ基板２の裏面２ｃに薄いモールド樹脂２
９の膜が形成されることを防止できる。
【０２２６】その結果、信頼性の高いバンプ接続が可能
なＢＧＡを実現できる。
なＢＧＡを実現できる。
【０２２７】さらに、ＢＧＡ基板２の裏面２ｃに薄いモ
ールド樹脂２９の膜が形成されることを防止できるた
め、モールド後にモールド樹脂２９の前記薄い膜を除去
する工程を省くことができる。
ールド樹脂２９の膜が形成されることを防止できるた
め、モールド後にモールド樹脂２９の前記薄い膜を除去
する工程を省くことができる。
【０２２８】その結果、ＢＧＡ基板２に対してのバンプ
形成または転写をスムーズに行うことができる。
形成または転写をスムーズに行うことができる。
【０２２９】なお、モールド樹脂２９をＢＧＡ基板２の
裏面２ｃに付着させることなく、ＢＧＡ基板２の側面に
も封止部６を形成することができるため、ＢＧＡ３０に
おいて封止部６とＢＧＡ基板２との接合力の向上を図る
ことができる。
裏面２ｃに付着させることなく、ＢＧＡ基板２の側面に
も封止部６を形成することができるため、ＢＧＡ３０に
おいて封止部６とＢＧＡ基板２との接合力の向上を図る
ことができる。
【０２３０】また、ＢＧＡ３０においては、モールド金
型１０に配置された上側フィルム８および下側フィルム
９の梨地加工によって封止部６の表面が粗面に形成され
ている。
型１０に配置された上側フィルム８および下側フィルム
９の梨地加工によって封止部６の表面が粗面に形成され
ている。
【０２３１】その結果、組み立て完了後のＢＧＡ基板２
の封止部６に製品番号などの記号や文字を付す際に、印
刷によるマーキングを行った場合でもインクを付すこと
が可能になるため、封止部６に記号や文字を容易に付す
ことができる。
の封止部６に製品番号などの記号や文字を付す際に、印
刷によるマーキングを行った場合でもインクを付すこと
が可能になるため、封止部６に記号や文字を容易に付す
ことができる。
【０２３２】以上、本発明者によってなされた発明を発
明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は
前記発明の実施の形態に限定されるものではなく、その
要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言う
までもない。
明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は
前記発明の実施の形態に限定されるものではなく、その
要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言う
までもない。
【０２３３】例えば、前記実施の形態のＢＧＡ３０（半
導体集積回路装置）の製造方法のモールド工程において
は、円筒形のタブレットを用いる場合を説明したが、前
記タブレットの変形例として棒状タブレットを用いても
よく、その際のモールド後の樹脂ランナ部４０の形状を
図１８に示す。
導体集積回路装置）の製造方法のモールド工程において
は、円筒形のタブレットを用いる場合を説明したが、前
記タブレットの変形例として棒状タブレットを用いても
よく、その際のモールド後の樹脂ランナ部４０の形状を
図１８に示す。
【０２３４】つまり、前記棒状タブレットを用いること
により、図１８（ａ),（ｂ）に示すように、樹脂ランナ
部４０の長さを短くできるとともに、隣接する封止部６
の間隔も短くできるため、その結果、モールド樹脂２９
の使用量を低減することができる。
により、図１８（ａ),（ｂ）に示すように、樹脂ランナ
部４０の長さを短くできるとともに、隣接する封止部６
の間隔も短くできるため、その結果、モールド樹脂２９
の使用量を低減することができる。
【０２３５】また、前記実施の形態においては、上型１
１を第１の金型とし、下型１２を第２の金型としたが、
両者の関係は、その反対であってもよい。
１を第１の金型とし、下型１２を第２の金型としたが、
両者の関係は、その反対であってもよい。
【０２３６】つまり、上型１１を第２の金型とし、下型
１２を第１の金型としてもよい。
１２を第１の金型としてもよい。
【０２３７】同様に、フィルムについても、上側フィル
ム８を第１のフィルム、下側フィルム９を第２のフィル
ムとしてもよい。
ム８を第１のフィルム、下側フィルム９を第２のフィル
ムとしてもよい。
【０２３８】また、前記実施の形態では、第１および第
２のフィルムを用いる場合について説明したが、前記フ
ィルムは、何れか一方のみを用いてもよい。
２のフィルムを用いる場合について説明したが、前記フ
ィルムは、何れか一方のみを用いてもよい。
【０２３９】例えば、第１のフィルムのみを用いて、半
導体集積回路装置の封止部を形成する金型の金型面領域
にのみ前記第１のフィルムを配置し、これによってモー
ルドを行うものである。
導体集積回路装置の封止部を形成する金型の金型面領域
にのみ前記第１のフィルムを配置し、これによってモー
ルドを行うものである。
【０２４０】また、各除電部で用いられる第１のガス、
第２のガスまたは第３のガスについても、何れのガスを
どの除電部で用いてもよい。
第２のガスまたは第３のガスについても、何れのガスを
どの除電部で用いてもよい。
【０２４１】なお、前記実施の形態においては、モール
ド金型１０において下型１２を稼動側としたが、これに
限らず上型１１を稼動側としてもよい。
ド金型１０において下型１２を稼動側としたが、これに
限らず上型１１を稼動側としてもよい。
【０２４２】また、前記実施の形態のＢＧＡ３０の製造
方法のモールド工程において、梨地加工フィルムを用い
たモールド技術、モールド金型１０やチップ組み立て体
７およびフィルムの除電（イオンブロー）技術、モール
ド時のキャビティ真空引き（減圧）技術およびモールド
金型の金型２段クランプ技術の４つの技術については、
個々に何れか１つの技術のみを用いてもよく、あるい
は、任意の２つ、３つまたは４つの技術の組み合わせで
あってもよい。
方法のモールド工程において、梨地加工フィルムを用い
たモールド技術、モールド金型１０やチップ組み立て体
７およびフィルムの除電（イオンブロー）技術、モール
ド時のキャビティ真空引き（減圧）技術およびモールド
金型の金型２段クランプ技術の４つの技術については、
個々に何れか１つの技術のみを用いてもよく、あるい
は、任意の２つ、３つまたは４つの技術の組み合わせで
あってもよい。
【０２４３】また、前記実施の形態では、半導体集積回
路装置の一例としてＢＧＡ３０を取り上げて説明した
が、前記半導体集積回路装置は、ＢＧＡ３０に限定され
るものではなく、樹脂封止が行われる半導体集積回路装
置であれば、例えば、ＣＳＰ（Chip Scale Package) や
ＱＦＮ（Quad Flat Non-leaded package）などであって
もよい。
路装置の一例としてＢＧＡ３０を取り上げて説明した
が、前記半導体集積回路装置は、ＢＧＡ３０に限定され
るものではなく、樹脂封止が行われる半導体集積回路装
置であれば、例えば、ＣＳＰ（Chip Scale Package) や
ＱＦＮ（Quad Flat Non-leaded package）などであって
もよい。
【０２４４】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【０２４５】（１）．半導体集積回路装置の製造方法の
モールド工程において梨地加工が行われたフィルムを用
いてモールドを行うことにより、半導体集積回路装置の
封止部の表面を粗面に形成できる。これにより、封止部
に記号や文字を付す際に、印刷によるマーキングを行っ
た場合でもインクを付すことが可能になり、その結果、
半導体集積回路装置の封止部に記号や文字を容易に付す
ことができる。
モールド工程において梨地加工が行われたフィルムを用
いてモールドを行うことにより、半導体集積回路装置の
封止部の表面を粗面に形成できる。これにより、封止部
に記号や文字を付す際に、印刷によるマーキングを行っ
た場合でもインクを付すことが可能になり、その結果、
半導体集積回路装置の封止部に記号や文字を容易に付す
ことができる。
【０２４６】（２）．半導体集積回路装置がＢＧＡであ
る場合にはその製造方法において、ＢＧＡ基板の裏面に
モールド樹脂を付着させずにモールドすることができる
ため、ＢＧＡ基板の裏面に薄いモールド樹脂の膜が形成
されることを防止できる。これにより、信頼性の高いバ
ンプ接続が可能なＢＧＡを実現できるとともに、モール
ド後にモールド樹脂の前記薄い膜を除去する工程を省く
ことができ、その結果、ＢＧＡ基板に対してのバンプ形
成または転写をスムーズに行うことができる。
る場合にはその製造方法において、ＢＧＡ基板の裏面に
モールド樹脂を付着させずにモールドすることができる
ため、ＢＧＡ基板の裏面に薄いモールド樹脂の膜が形成
されることを防止できる。これにより、信頼性の高いバ
ンプ接続が可能なＢＧＡを実現できるとともに、モール
ド後にモールド樹脂の前記薄い膜を除去する工程を省く
ことができ、その結果、ＢＧＡ基板に対してのバンプ形
成または転写をスムーズに行うことができる。
【０２４７】（３）．半導体集積回路装置の製造方法の
モールド工程においてフィルムを用いてモールドを行う
際に、フィルム、チップ組み立て体およびモールド金型
をイオンブローすることにより、各部材における静電気
の発生を防ぐことができる。これにより、静電気による
製品への静電破壊などの悪影響を防止できる。その結
果、半導体集積回路装置の信頼性を向上できる。
モールド工程においてフィルムを用いてモールドを行う
際に、フィルム、チップ組み立て体およびモールド金型
をイオンブローすることにより、各部材における静電気
の発生を防ぐことができる。これにより、静電気による
製品への静電破壊などの悪影響を防止できる。その結
果、半導体集積回路装置の信頼性を向上できる。
【０２４８】（４）．半導体集積回路装置の製造方法の
モールド工程においてフィルムを用いてモールドを行う
際に、樹脂注入時にキャビティを真空引き（減圧）しな
がらモールドを行うことにより、キャビティ内のガス抜
きを行いながらモールド樹脂を充填することができる。
これにより、封止部におけるボイドの形成を防ぐことが
でき、その結果、半導体集積回路装置の品質および信頼
性を向上できる。
モールド工程においてフィルムを用いてモールドを行う
際に、樹脂注入時にキャビティを真空引き（減圧）しな
がらモールドを行うことにより、キャビティ内のガス抜
きを行いながらモールド樹脂を充填することができる。
これにより、封止部におけるボイドの形成を防ぐことが
でき、その結果、半導体集積回路装置の品質および信頼
性を向上できる。
【０２４９】（５）．半導体集積回路装置の製造方法の
モールド工程においてフィルムを用いてモールドを行う
際に、モールド金型のクランプ時に金型２段クランプを
行うことにより、キャビティ内でのフィルムの弛みを取
り除いてモールドすることができる。これにより、半導
体集積回路装置の封止部の外観品質を向上できる。
モールド工程においてフィルムを用いてモールドを行う
際に、モールド金型のクランプ時に金型２段クランプを
行うことにより、キャビティ内でのフィルムの弛みを取
り除いてモールドすることができる。これにより、半導
体集積回路装置の封止部の外観品質を向上できる。
【図１】本発明の半導体集積回路装置の製造方法で用い
られるモールド装置の構造の実施の形態の一例を示す構
成概略図である。
られるモールド装置の構造の実施の形態の一例を示す構
成概略図である。
【図２】図１に示すモールド装置におけるモールド金型
の構造の一例を示す断面図である。
の構造の一例を示す断面図である。
【図３】図２に示すモールド金型における上型の構造を
示す平面図である。
示す平面図である。
【図４】図２に示すモールド金型における下型の構造を
示す平面図である。
示す平面図である。
【図５】図１に示すモールド装置における金型除電部の
配置を示す構成図である。
配置を示す構成図である。
【図６】（ａ),（ｂ) は本発明の半導体集積回路装置の
製造方法を用いて組み立てられる半導体集積回路装置の
一例であるＢＧＡの構造を示す図であり、（ａ）は平面
図、（ｂ）は断面図である。
製造方法を用いて組み立てられる半導体集積回路装置の
一例であるＢＧＡの構造を示す図であり、（ａ）は平面
図、（ｂ）は断面図である。
【図７】図６に示すＢＧＡの構造を示す底面図である。
【図８】（ａ),（ｂ) は本発明の半導体集積回路装置の
製造方法におけるイオンブローの一例を示す概念図であ
る。
製造方法におけるイオンブローの一例を示す概念図であ
る。
【図９】（ａ),（ｂ),（ｃ),（ｄ）は本発明の半導体集
積回路装置の製造方法におけるモールド金型の動作の一
例を示す金型動作図である。
積回路装置の製造方法におけるモールド金型の動作の一
例を示す金型動作図である。
【図１０】（ａ),（ｂ) は本発明の半導体集積回路装置
の製造方法のモールド金型の２段クランプにおける１次
クランプの状態の一例を示す部分断面図である。
の製造方法のモールド金型の２段クランプにおける１次
クランプの状態の一例を示す部分断面図である。
【図１１】（ａ),（ｂ),（ｃ) は本発明の半導体集積回
路装置の製造方法のモールド金型の２段クランプにおけ
る２次クランプの状態の一例を示す部分断面図である。
路装置の製造方法のモールド金型の２段クランプにおけ
る２次クランプの状態の一例を示す部分断面図である。
【図１２】（ａ),（ｂ),（ｃ),（ｄ),（ｅ),（ｆ）は本
発明の半導体集積回路装置の製造方法におけるモールド
時のキャビティへの樹脂注入状態の一例を示す概念図で
ある。
発明の半導体集積回路装置の製造方法におけるモールド
時のキャビティへの樹脂注入状態の一例を示す概念図で
ある。
【図１３】（ａ),（ｂ) は本発明の半導体集積回路装置
の製造方法におけるモールド時のキャビティの減圧状態
の一例を示す拡大部分断面図であり、（ａ）は減圧前の
状態、（ｂ）は減圧開始状態である。
の製造方法におけるモールド時のキャビティの減圧状態
の一例を示す拡大部分断面図であり、（ａ）は減圧前の
状態、（ｂ）は減圧開始状態である。
【図１４】本発明の半導体集積回路装置の製造方法にお
けるモールド時のキャビティへの樹脂注入状態の一例を
示す部分断面図である。
けるモールド時のキャビティへの樹脂注入状態の一例を
示す部分断面図である。
【図１５】図２に示すモールド金型における上型のキャ
ビティに対する吸引通路の構造を示す拡大部分平面図で
ある。
ビティに対する吸引通路の構造を示す拡大部分平面図で
ある。
【図１６】図１に示すモールド装置においてその下型に
チップ組み立て体を配置した状態の一例を示す部分平面
図である。
チップ組み立て体を配置した状態の一例を示す部分平面
図である。
【図１７】本発明の半導体集積回路装置の製造方法にお
ける製造プロセスの実施の形態の一例を示す製造プロセ
スフローである。
ける製造プロセスの実施の形態の一例を示す製造プロセ
スフローである。
【図１８】（ａ),（ｂ) は本発明の半導体集積回路装置
の製造方法のモールド時に用いられるタブレットの変形
例である棒状タブレットを用いた際の樹脂ランナ部の構
造の一例を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断
面図である。
の製造方法のモールド時に用いられるタブレットの変形
例である棒状タブレットを用いた際の樹脂ランナ部の構
造の一例を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断
面図である。
【図１９】本発明の半導体集積回路装置の製造方法のモ
ールドに対する比較例のモールドによって形成されたボ
イドを示すモールド概念図である。
ールドに対する比較例のモールドによって形成されたボ
イドを示すモールド概念図である。
【図２０】（ａ),（ｂ) は本発明の半導体集積回路装置
の製造方法のモールド時のキャビティの減圧に対する比
較例のキャビティの減圧を行った際の状態を示す拡大部
分断面図であり、（ａ）は減圧前の状態、（ｂ）は減圧
後の状態である。
の製造方法のモールド時のキャビティの減圧に対する比
較例のキャビティの減圧を行った際の状態を示す拡大部
分断面図であり、（ａ）は減圧前の状態、（ｂ）は減圧
後の状態である。
１ 半導体チップ １ａ 主面 １ｂ パッド（表面電極） ２ ＢＧＡ基板（チップ支持基板） ２ａ 基板電極（リード） ２ｂ チップ支持面（第１の主面） ２ｃ 裏面（第２の主面） ３ フレーム部材 ３ａ 基板支持リード ３ｂ 枠部 ４ ボンディングワイヤ（接続部材） ５ バンプ電極（突起状電極） ６ 封止部 ７ チップ組み立て体 ８ 上側フィルム（第２のフィルム） ９ 下側フィルム（第１のフィルム） １０ モールド金型 １１ 上型（第１の金型） １１ａ キャビティ １１ｂ カル １１ｃ ランナ １１ｄ ゲート １１ｅ エアベント １１ｆ 吸引口 １１ｇ 上側フィルム第１吸引部 １１ｈ 上側フィルム第２吸引部 １１ｉ 上型第１排気通路 １１ｊ 上型第２排気通路 １１ｋ 減圧用吸引口 １１ｌ 減圧吸引部 １１ｍ 減圧用排気通路 １１ｎ 金型面 １１ｐ 減圧用吸引通路 １２ 下型（第２の金型） １２ａ キャビティ １２ｂ プランジャ １２ｃ ポット １２ｄ 吸引口 １２ｅ 下側フィルム第１吸引部 １２ｆ 下側フィルム第２吸引部 １２ｇ 下型第１排気通路 １２ｈ 下型第２排気通路 １２ｉ 金型面 １３ ローダ部 １４ フレーム収納部 １５ フレーム搬送体 １６ フレーム整列部 １７ フレーム取り出し部 １８ ゲートブレーク部 １９ 上側フィルム供給ローラ ２０ 上側フィルム巻取りローラ（リール） ２１ 下側フィルム供給ローラ ２２ 下側フィルム巻取りローラ（リール） ２３ ガイドローラ ２４ ポットクリーナ部 ２５ フィルム除電部 ２５ａ 上側フィルム除電部 ２５ｂ 下側フィルム除電部 ２６ 金型除電部 ２６ａ 上型除電部 ２６ｂ 下型除電部 ２７ 製品除電部 ２８ ノズル ２９ モールド樹脂 ３０ ＢＧＡ（半導体集積回路装置） ３１ ドライエアー（ガス） ３２ 除電用電極（電極） ３３ 電荷 ３４ Ｏリング ３５ ボイド ３６ 隙間 ３７，３８ 真空引き ３９ 剥離用エアー ４０ 樹脂ランナ部 ４１ａ 使用済み上側フィルム除電部 ４１ｂ 使用済み下側フィルム除電部
Claims (22)
- 【請求項１】 モールド金型のキャビティを含む金型面
に第１のフィルム、および一方の主面に微細な凹凸が形
成された第２のフィルムを前記第２のフィルムの前記一
方の主面が前記第１のフィルムの一方の主面と対向する
ように配置し、前記第１および第２のフィルム間に半導
体チップを備えたチップ組み立て体を配置した後、前記
半導体チップをモールドすることにより組み立てられる
半導体集積回路装置の製造方法であって、 (a) 前記第１および第２のフィルム間に前記チップ組み
立て体を配置する工程と、 (b) 前記モールド金型を構成する第１および第２の金型
を閉じた後、前記第１および第２のフィルム間にモール
ド樹脂を供給して、前記キャビティに前記モールド樹脂
を充填させる工程と、 (c) 前記キャビティに前記モールド樹脂を充填させて前
記チップ組み立て体に前記キャビティの形状に対応した
前記半導体集積回路装置の封止部を形成する工程と、 (d) 前記各工程の後、前記モールド金型を開いて封止さ
れた前記チップ組み立て体を前記キャビティから離型さ
せる工程とを有することを特徴とする半導体集積回路装
置の製造方法。 - 【請求項２】 モールド金型のキャビティを含む金型面
に第１および第２のフィルムを配置し、前記第１および
第２のフィルム間に半導体チップを備えたチップ組み立
て体を配置した後、前記半導体チップをモールドするこ
とにより組み立てられる半導体集積回路装置の製造方法
であって、 (a) イオン化されたガスを前記モールド金型の前記金型
面に供給して前記金型面領域に帯電する電荷を中和する
工程と、 (b) 前記第１および第２のフィルム間に前記チップ組み
立て体を配置する工程と、 (c) 前記金型面の電荷中和が行われた前記モールド金型
を構成する第１および第２の金型を閉じた後、前記第１
および第２フィルム間にモールド樹脂を供給して、前記
キャビティに前記モールド樹脂を充填させる工程と、 (d) 前記キャビティに前記モールド樹脂を充填させて前
記チップ組み立て体に前記キャビティの形状に対応した
前記半導体集積回路装置の封止部を形成する工程と、 (e) 前記各工程の後、前記モールド金型を開いて封止さ
れた前記チップ組み立て体を前記キャビティから離型さ
せる工程とを有することを特徴とする半導体集積回路装
置の製造方法。 - 【請求項３】 モールド金型のキャビティを含む金型面
に第１および第２のフィルムを配置し、前記第１および
第２のフィルム間に半導体チップを備えたチップ組み立
て体を配置した後、前記半導体チップをモールドするこ
とにより組み立てられる半導体集積回路装置の製造方法
であって、 (a) 前記第１および第２のフィルム間に前記チップ組み
立て体を配置する工程と、 (b) 前記モールド金型を構成する第１および第２の金型
を閉じた後、前記第１および第２のフィルム間にモール
ド樹脂を供給して、前記キャビティに前記モールド樹脂
を充填させる工程と、 (c) 前記キャビティに前記モールド樹脂を充填させて前
記チップ組み立て体に前記キャビティの形状に対応した
前記半導体集積回路装置の封止部を形成する工程と、 (d) 前記金型を開いて封止された前記チップ組み立て体
を前記キャビティから離型させる工程と、 (e) 前記各工程の後、イオン化されたガスを前記チップ
組み立て体に供給して前記チップ組み立て体上に帯電す
る電荷を中和する工程とを有することを特徴とする半導
体集積回路装置の製造方法。 - 【請求項４】 モールド金型のキャビティを含む金型面
に第１および第２のフィルムを配置し、前記第１および
第２のフィルム間に半導体チップを備えたチップ組み立
て体を配置した後、前記半導体チップをモールドするこ
とにより組み立てられる半導体集積回路装置の製造方法
であって、 (a) イオン化された第１のガスを前記第１および第２の
フィルムに供給して前記フィルム上に帯電する電荷を中
和する工程と、 (b) 前記モールド金型の前記金型面に前記電荷中和済み
の第１および第２のフィルムを配置する工程と、 (c) イオン化された第２のガスまたは前記第１のガスを
前記モールド金型の前記金型面に供給して前記金型面領
域に帯電する電荷を中和する工程と、 (d) 前記第１および第２のフィルム間に前記チップ組み
立て体を配置する工程と、 (e) 前記金型面の電荷中和が行われた前記モールド金型
の第１および第２の金型を閉じた後、前記第１および第
２のフィルム間にモールド樹脂を供給して、前記キャビ
ティに前記モールド樹脂を充填させる工程と、 (f) 前記キャビティに前記モールド樹脂を充填させて前
記チップ組み立て体に前記キャビティの形状に対応した
前記半導体集積回路装置の封止部を形成する工程と、 (g) 前記各工程の後、前記金型を開いて封止された前記
チップ組み立て体を前記キャビティから離型させる工程
と、 (h) イオン化された第３のガス、前記第２または前記第
１のガスを前記チップ組み立て体に供給して前記チップ
組み立て体上に帯電する電荷を中和する工程とを有する
ことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。 - 【請求項５】 モールド金型のキャビティを含む金型面
に第１および第２のフィルムを配置し、前記第１および
第２のフィルム間に半導体チップを備えたチップ組み立
て体を配置した後、前記半導体チップをモールドするこ
とにより組み立てられる半導体集積回路装置の製造方法
であって、 (a) 前記第１および第２のフィルム間に前記チップ組み
立て体を配置する工程と、 (b) 前記モールド金型を構成する第１および第２の金型
を１次クランプした後、前記第１および第２のフィルム
間にモールド樹脂を供給して、前記モールド樹脂により
前記キャビティ内の前記第１および第２フィルム間がほ
ぼ充填される状態になるまで前記キャビティに前記モー
ルド樹脂を注入する第１樹脂注入工程と、 (c) 前記第１樹脂注入工程後、前記１次クランプより大
きな圧力で前記モールド金型を２次クランプし、この状
態で前記モールド樹脂の注入圧により前記フィルムが前
記キャビティ内面に沿うように前記キャビティに前記モ
ールド樹脂を充填させて前記チップ組み立て体に前記キ
ャビティの形状に対応した前記半導体集積回路装置の封
止部を形成する第２樹脂注入工程と、 (d) 前記各工程の後、前記金型を開いて封止された前記
チップ組み立て体を前記キャビティから離型させる工程
とを有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造
方法。 - 【請求項６】 モールド金型のキャビティを含む金型面
に第１および第２のフィルムを配置し、前記第１および
第２のフィルム間に半導体チップを備えたチップ組み立
て体を配置した後、前記半導体チップをモールドするこ
とにより組み立てられる半導体集積回路装置の製造方法
であって、 (a) 前記第１および第２のフィルム間に前記チップ組み
立て体を配置する工程と、 (b) 前記モールド金型を構成する第１および第２の金型
を閉じた後、前記第１および第２のフィルム間にモール
ド樹脂を供給する工程と、 (c) 前記キャビティ内で前記モールド樹脂が前記チップ
組み立て体のボンディングワイヤを覆った後に、前記キ
ャビティを真空引きして前記キャビティに前記モールド
樹脂を充填させる工程と、 (d) 前記キャビティに前記モールド樹脂を充填させて前
記チップ組み立て体に前記キャビティの形状に対応した
前記半導体集積回路装置の封止部を形成する工程と、 (e) 前記各工程の後、前記金型を開いて封止された前記
チップ組み立て体を前記キャビティから離型させる工程
とを有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造
方法。 - 【請求項７】 第１および第２の金型を有するモールド
金型のキャビティを含む金型面に第１および第２のフィ
ルムを配置し、前記第１および第２のフィルム間に複数
のリードを有するチップ支持基板、その第１の主面上に
固定された半導体チップ、および前記複数のリードと前
記半導体チップ間を接続するボンディングワイヤとを備
えたチップ組み立て体を配置した後、前記半導体チップ
をモールドすることにより組み立てられる半導体集積回
路装置の製造方法であって、 (a) 前記第１および第２のフィルム間に前記チップ組み
立て体を配置する工程と、 (b) 前記モールド金型の第１および第２の金型を閉じた
後、前記第１のフィルムと前記チップ組み立て体の前記
チップ支持基板の第２の主面とをモールド樹脂が入り込
まない程度に密着させ、前記第１および第２のフィルム
間に前記モールド樹脂を供給して、前記キャビティに前
記モールド樹脂を充填させる工程と、 (c) 前記キャビティに前記モールド樹脂を充填させて前
記チップ組み立て体に前記キャビティの形状に対応した
前記半導体集積回路装置の封止部を形成する工程と、 (d) 前記各工程の後、前記金型を開いて封止された前記
チップ組み立て体を前記キャビティから離型させる工程
とを有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造
方法。 - 【請求項８】 請求項７記載の半導体集積回路装置の製
造方法であって、前記第１および第２のフィルムとし
て、少なくとも一方の面に微細な凹凸が形成されたフィ
ルムを用い、前記モールドによって前記封止部を形成し
た際に、前記第１または第２のフィルムの前記微細な凹
凸によって前記封止部の表面を粗面に形成することを特
徴とする半導体集積回路装置の製造方法。 - 【請求項９】 請求項１記載の半導体集積回路装置の製
造方法であって、前記第１および第２のフィルムとし
て、メチルペンテン樹脂によって形成されたフィルムを
用いることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方
法。 - 【請求項１０】 請求項４記載の半導体集積回路装置の
製造方法であって、前記ガスとして、ドライエアーを用
いることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。 - 【請求項１１】 請求項４記載の半導体集積回路装置の
製造方法であって、前記第１および第２のフィルムとし
て、少なくとも一方の面に微細な凹凸が形成されたフィ
ルムを用い、前記モールドによって前記封止部を形成し
た際に、前記第１または第２のフィルムの前記微細な凹
凸によって前記封止部の表面を粗面に形成することを特
徴とする半導体集積回路装置の製造方法。 - 【請求項１２】 請求項５記載の半導体集積回路装置の
製造方法であって、前記第１および第２のフィルムとし
て、少なくとも一方の面に微細な凹凸が形成されたフィ
ルムを用い、前記モールドによって前記封止部を形成し
た際に、前記第１または第２のフィルムの前記微細な凹
凸によって前記封止部の表面を粗面に形成することを特
徴とする半導体集積回路装置の製造方法。 - 【請求項１３】 請求項６記載の半導体集積回路装置の
製造方法であって、前記第１および第２のフィルムとし
て、少なくとも一方の面に微細な凹凸が形成されたフィ
ルムを用い、前記モールドによって前記封止部を形成し
た際に、前記第１または第２のフィルムの前記微細な凹
凸によって前記封止部の表面を粗面に形成することを特
徴とする半導体集積回路装置の製造方法。 - 【請求項１４】 請求項５記載の半導体集積回路装置の
製造方法であって、前記１次クランプの圧力を面圧１か
ら５ｋｇ／ｍｍ2 とし、前記２次クランプの圧力を面圧
１０ｋｇ／ｍｍ2 以上とすることを特徴とする半導体集
積回路装置の製造方法。 - 【請求項１５】 以下の工程からなる半導体集積回路装
置の製造方法： (a) 配線を備えたチップ支持基板とその第１の主面上に
固定された半導体チップ、および前記半導体チップの複
数の表面電極と前記チップ支持基板の複数のリードを電
気的に接続する複数の接続部材とからなるチップ組み立
て体を、第１および第２のフィルムが配置された第１お
よび第２の金型間に供給する工程； (b) 前記第１および第２の金型を閉じることによって、
前記チップ組み立て体の一部を前記第１および第２の金
型間のモールドキャビティ内に収容した状態で、溶融さ
れたモールド樹脂が前記チップ支持基板の第２の主面上
に浸入しないように前記モールド樹脂を前記キャビティ
内の前記第１および第２のフィルム間に注入して、前記
半導体チップ、前記接続部材、および前記チップ支持基
板の側面周辺部を封止する工程； (c) 前記第１および第２の金型を開いて、封止された前
記チップ組み立て体を前記キャビティから離型させる工
程。 - 【請求項１６】 請求項１５記載の半導体集積回路装置
の製造方法であって、前記モールド樹脂の注入は、トラ
ンスファーモールド方式を用いて行われることを特徴と
する半導体集積回路装置の製造方法。 - 【請求項１７】 モールド金型のキャビティを含む金型
面に一方の主面に微細な凹凸が形成された第１のフィル
ムを配置し、前記第１のフィルムと前記キャビティ内面
間に半導体チップを備えたチップ組み立て体を配置した
後、前記半導体チップをモールドすることにより組み立
てられる半導体集積回路装置の製造方法であって、 (a) 前記第１のフィルムと前記キャビティ内面間に前記
チップ組み立て体を配置する工程と、 (b) 前記モールド金型を構成する第１および第２の金型
を閉じた後、前記第１のフィルムと前記キャビティ内面
間にモールド樹脂を供給して、前記キャビティに前記モ
ールド樹脂を充填させる工程と、 (c) 前記キャビティに前記モールド樹脂を充填させて前
記チップ組み立て体に前記キャビティの形状に対応した
前記半導体集積回路装置の封止部を形成する工程と、 (d) 前記各工程の後、前記モールド金型を開いて封止さ
れた前記チップ組み立て体を前記キャビティから離型さ
せる工程とを有することを特徴とする半導体集積回路装
置の製造方法。 - 【請求項１８】 モールド金型のキャビティを含む金型
面に第１のフィルムを配置し、前記第１のフィルムと前
記キャビティ内面間に半導体チップを備えたチップ組み
立て体を配置した後、前記半導体チップをモールドする
ことにより組み立てられる半導体集積回路装置の製造方
法であって、 (a) イオン化されたガスを前記モールド金型の前記金型
面に供給して前記金型面領域に帯電する電荷を中和する
工程と、 (b) 前記第１のフィルムと前記キャビティ内面間に前記
チップ組み立て体を配置する工程と、 (c) 前記金型面の電荷中和が行われた前記モールド金型
を構成する第１および第２の金型を閉じた後、前記第１
のフィルムと前記キャビティ内面間にモールド樹脂を供
給して、前記キャビティに前記モールド樹脂を充填させ
る工程と、 (d) 前記キャビティに前記モールド樹脂を充填させて前
記チップ組み立て体に前記キャビティの形状に対応した
前記半導体集積回路装置の封止部を形成する工程と、 (e) 前記各工程の後、前記モールド金型を開いて封止さ
れた前記チップ組み立て体を前記キャビティから離型さ
せる工程とを有することを特徴とする半導体集積回路装
置の製造方法。 - 【請求項１９】 モールド金型のキャビティを含む金型
面に第１のフィルムを配置し、前記第１のフィルムと前
記キャビティ内面間に半導体チップを備えたチップ組み
立て体を配置した後、前記半導体チップをモールドする
ことにより組み立てられる半導体集積回路装置の製造方
法であって、 (a) 前記第１のフィルムと前記キャビティ内面間に前記
チップ組み立て体を配置する工程と、 (b) 前記モールド金型を構成する第１および第２の金型
を閉じた後、前記第１のフィルムと前記キャビティ内面
間にモールド樹脂を供給して、前記キャビティに前記モ
ールド樹脂を充填させる工程と、 (c) 前記キャビティに前記モールド樹脂を充填させて前
記チップ組み立て体に前記キャビティの形状に対応した
前記半導体集積回路装置の封止部を形成する工程と、 (d) 前記金型を開いて封止された前記チップ組み立て体
を前記キャビティから離型させる工程と、 (e) 前記各工程の後、イオン化されたガスを前記チップ
組み立て体に供給して前記チップ組み立て体上に帯電す
る電荷を中和する工程とを有することを特徴とする半導
体集積回路装置の製造方法。 - 【請求項２０】 モールド金型のキャビティを含む金型
面に第１のフィルムを配置し、前記第１のフィルムと前
記キャビティ内面間に半導体チップを備えたチップ組み
立て体を配置した後、前記半導体チップをモールドする
ことにより組み立てられる半導体集積回路装置の製造方
法であって、 (a) イオン化された第１のガスを前記第１のフィルムに
供給して前記フィルム上に帯電する電荷を中和する工程
と、 (b) 前記モールド金型の前記金型面に前記電荷中和済み
の第１のフィルムを配置する工程と、 (c) イオン化された第２のガスまたは前記第１のガスを
前記モールド金型の前記金型面に供給して前記金型面領
域に帯電する電荷を中和する工程と、 (d) 前記第１のフィルムと前記キャビティ内面間に前記
チップ組み立て体を配置する工程と、 (e) 前記金型面の電荷中和が行われた前記モールド金型
の第１および第２の金型を閉じた後、前記第１のフィル
ムと前記キャビティ内面間にモールド樹脂を供給して、
前記キャビティに前記モールド樹脂を充填させる工程
と、 (f) 前記キャビティに前記モールド樹脂を充填させて前
記チップ組み立て体に前記キャビティの形状に対応した
前記半導体集積回路装置の封止部を形成する工程と、 (g) 前記各工程の後、前記金型を開いて封止された前記
チップ組み立て体を前記キャビティから離型させる工程
と、 (h) イオン化された第３のガス、前記第２または前記第
１のガスを前記チップ組み立て体に供給して前記チップ
組み立て体上に帯電する電荷を中和する工程とを有する
ことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。 - 【請求項２１】 モールド金型のキャビティを含む金型
面に第１のフィルムを配置し、前記第１のフィルムと前
記キャビティ内面間に半導体チップを備えたチップ組み
立て体を配置した後、前記半導体チップをモールドする
ことにより組み立てられる半導体集積回路装置の製造方
法であって、 (a) 前記第１のフィルムと前記キャビティ内面間に前記
チップ組み立て体を配置する工程と、 (b) 前記モールド金型の第１および第２の金型を閉じた
後、前記第１のフィルムと前記キャビティ内面間にモー
ルド樹脂を供給して、前記キャビティに前記モールド樹
脂を充填させる工程と、 (c) 前記キャビティに前記モールド樹脂を充填させて前
記チップ組み立て体に前記キャビティの形状に対応した
前記半導体集積回路装置の封止部を形成する工程と、 (d) 前記各工程の後、前記金型を開いて封止された前記
チップ組み立て体を前記キャビティから離型させる工程
と、 (e) イオン化されたガスを前記第１のフィルム上に供給
して帯電した電荷を中和する工程と、 (f) 前記モールドに使用された部分の前記第１のフィル
ムをリールに巻き取る工程とを有することを特徴とする
半導体集積回路装置の製造方法。 - 【請求項２２】 モールド金型のキャビティを含む金型
面に半導体チップを備えたチップ組み立て体を配置した
後、前記半導体チップをモールドすることにより組み立
てられる半導体集積回路装置の製造方法であって、 (a) 前記金型面に前記チップ組み立て体を配置する工程
と、 (b) 前記モールド金型を構成する第１および第２の金型
を閉じた後、前記キャビティにモールド樹脂を供給する
工程と、 (c) 前記キャビティ内で前記モールド樹脂が前記チップ
組み立て体のボンディングワイヤを覆った後に、前記キ
ャビティを真空引きして前記キャビティに前記モールド
樹脂を充填させる工程と、 (d) 前記キャビティに前記モールド樹脂を充填させて前
記チップ組み立て体に前記キャビティの形状に対応した
前記半導体集積回路装置の封止部を形成する工程と、 (e) 前記各工程の後、前記金型を開いて封止された前記
チップ組み立て体を前記キャビティから離型させる工程
とを有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造
方法。
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