JP2000174046A - 樹脂封止方法 - Google Patents
樹脂封止方法Info
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- JP2000174046A JP2000174046A JP10349212A JP34921298A JP2000174046A JP 2000174046 A JP2000174046 A JP 2000174046A JP 10349212 A JP10349212 A JP 10349212A JP 34921298 A JP34921298 A JP 34921298A JP 2000174046 A JP2000174046 A JP 2000174046A
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- JP
- Japan
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- resin
- sealing resin
- mold
- release film
- semiconductor wafer
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 金属ピラー間に封止樹脂を印刷により均一に
かつ迅速に充填して成形品の成形品質を向上させ、かつ
外部接続端子が接合される金属ピラーの端面に封止樹脂
が付着しないようにした樹脂封止方法を提供する。 【解決手段】 ウエハー１上に形成された配線層に複数
のメタルポスト２が立設され、該メタルポスト２間を埋
めるよう封止樹脂３を印刷により塗布し、該封止樹脂３
を塗布された被成形品を、リリースフィルム１０がパー
ティング面に張設されたモールド金型４に配置し、上型
６及び下型８でリリースフィルム１０を介してクランプ
し、封止樹脂３を加熱硬化させて成形する。
かつ迅速に充填して成形品の成形品質を向上させ、かつ
外部接続端子が接合される金属ピラーの端面に封止樹脂
が付着しないようにした樹脂封止方法を提供する。 【解決手段】 ウエハー１上に形成された配線層に複数
のメタルポスト２が立設され、該メタルポスト２間を埋
めるよう封止樹脂３を印刷により塗布し、該封止樹脂３
を塗布された被成形品を、リリースフィルム１０がパー
ティング面に張設されたモールド金型４に配置し、上型
６及び下型８でリリースフィルム１０を介してクランプ
し、封止樹脂３を加熱硬化させて成形する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ上に
形成された配線層に複数の金属ピラーが立設された該金
属ピラー間を埋めるよう印刷工程により封止樹脂を印刷
された被成形品をモールド金型にてクランプしてトラン
スファー成形工程により加熱硬化させて成形する樹脂封
止方法に関する。
形成された配線層に複数の金属ピラーが立設された該金
属ピラー間を埋めるよう印刷工程により封止樹脂を印刷
された被成形品をモールド金型にてクランプしてトラン
スファー成形工程により加熱硬化させて成形する樹脂封
止方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】チップサイズパッケージなど半導体集積
回路（ＬＳＩ）を製造するには、半導体ウエハプロセス
とパッケージプロセスとを各々組み合わせて行われてい
た。即ち、半導体ウエハプロセスにおいては、ベア・ウ
エハにウエルを形成し、絶縁膜を介してトランジスタを
形成し、更に絶縁膜を介して配線層を形成しパシベーシ
ョン膜の形成及び電極パッドの形成などが行われてい
た。パッケージプロセスにおいては、ウエハテストを行
った後、チップに切断して、予めベースフィルムに配線
層が形成されたサブストレートにダイボンディングし、
ワイヤボンディングなどによりサブストレートと電気的
に接続した後、半導体チップ搭載面を樹脂封止され、外
部接続端子としてはんだボールが接合され、マーキング
やトリミングが行われた後、機能テストなどが行われ、
チップサイズパッケージが製造されていた。
回路（ＬＳＩ）を製造するには、半導体ウエハプロセス
とパッケージプロセスとを各々組み合わせて行われてい
た。即ち、半導体ウエハプロセスにおいては、ベア・ウ
エハにウエルを形成し、絶縁膜を介してトランジスタを
形成し、更に絶縁膜を介して配線層を形成しパシベーシ
ョン膜の形成及び電極パッドの形成などが行われてい
た。パッケージプロセスにおいては、ウエハテストを行
った後、チップに切断して、予めベースフィルムに配線
層が形成されたサブストレートにダイボンディングし、
ワイヤボンディングなどによりサブストレートと電気的
に接続した後、半導体チップ搭載面を樹脂封止され、外
部接続端子としてはんだボールが接合され、マーキング
やトリミングが行われた後、機能テストなどが行われ、
チップサイズパッケージが製造されていた。
【０００３】近年のＬＳＩの高密度実装化、高集積化に
伴い半導体チップの小型化が進んでおり、半導体ウエハ
上にトランジスタや配線を形成する半導体ウエハプロセ
スでは半導体チップを小型化すればするほど１枚取り個
数が増大して生産性が向上するため、生産コストを低下
することが可能となった。しかしながら、パッケージプ
ロセスにおいては、チップ寸法が縮小してもパッケージ
寸法は変わらないため、外形寸法は一定のままであっ
た。このため、パッケージプロセスの生産性は向上せ
ず、パッケージの外形寸法がチップの外形寸法と同じに
なるようなパッケージの出現が望まれていた。
伴い半導体チップの小型化が進んでおり、半導体ウエハ
上にトランジスタや配線を形成する半導体ウエハプロセ
スでは半導体チップを小型化すればするほど１枚取り個
数が増大して生産性が向上するため、生産コストを低下
することが可能となった。しかしながら、パッケージプ
ロセスにおいては、チップ寸法が縮小してもパッケージ
寸法は変わらないため、外形寸法は一定のままであっ
た。このため、パッケージプロセスの生産性は向上せ
ず、パッケージの外形寸法がチップの外形寸法と同じに
なるようなパッケージの出現が望まれていた。
【０００４】そこで、最近になって、特開平１０−７９
３６２号公報に示すように、半導体ウエハレベルで切断
した形でパッケージになる、即ちパッケージの外形寸法
がチップの外形寸法と同じになる、所謂半導体ウエハレ
ベルのチップサイズパッケージが提案されている。これ
は、半導体ウエハプロセスにおいて、半導体ウエハ上に
複数のトランジスタと配線を形成した後、チップの周辺
にある電極よりチップ中央部に向かって再配線し、ここ
に外部接続端子に接続するメタルポストを立ててその周
囲を樹脂封止する。そして、成形品にマーキングをして
はんだボールをメタルポストに電気的に接続するよう接
合した後、半導体ウエハを各チップ毎に切断して機能テ
ストを行いチップサイズパッケージが製造される。これ
によって、パッケージプロセスを半導体ウエハプロセス
と一体化して工程数を削減してスループットの向上を図
り、パッケージプロセスに要する製造装置が省略できる
ので製造コストを削減でき、省スペースでしかもロット
管理がしやすく、パッケージの生産性を著しく向上させ
ることが可能となる。
３６２号公報に示すように、半導体ウエハレベルで切断
した形でパッケージになる、即ちパッケージの外形寸法
がチップの外形寸法と同じになる、所謂半導体ウエハレ
ベルのチップサイズパッケージが提案されている。これ
は、半導体ウエハプロセスにおいて、半導体ウエハ上に
複数のトランジスタと配線を形成した後、チップの周辺
にある電極よりチップ中央部に向かって再配線し、ここ
に外部接続端子に接続するメタルポストを立ててその周
囲を樹脂封止する。そして、成形品にマーキングをして
はんだボールをメタルポストに電気的に接続するよう接
合した後、半導体ウエハを各チップ毎に切断して機能テ
ストを行いチップサイズパッケージが製造される。これ
によって、パッケージプロセスを半導体ウエハプロセス
と一体化して工程数を削減してスループットの向上を図
り、パッケージプロセスに要する製造装置が省略できる
ので製造コストを削減でき、省スペースでしかもロット
管理がしやすく、パッケージの生産性を著しく向上させ
ることが可能となる。
【０００５】上記半導体ウエハレベルのチップサイズパ
ッケージの製造工程において、樹脂封止工程では、半導
体ウエハをモールド金型によりクランプして封止樹脂に
より樹脂封止するトランスファモールド法ではなく、下
金型上に配置した半導体ウエハの中央部に固形の封止樹
脂を載せて単に圧縮成形するコンプレッションモールド
法が採用されている。このコンプレッションモールド法
は、封止樹脂とモールド金型との間に半導体ウエハ径よ
りやや大きい比較的硬質なテンポラリフィルムを介在さ
せて、封止樹脂がモールド金型やメタルポストの先端に
付着しないようになっている。封止樹脂は半導体ウエハ
の真ん中に載置されて、上型と下型とでクランプするこ
とにより、封止樹脂をメタルポスト間に充填するように
なっている。また、樹脂封止後、成形品よりテンポラリ
フィルムを剥がすことにより、メタルポスト上の封止樹
脂がテンポラリフィルムに付着してはんだバンプを接合
する表面を露出させるようになっている。
ッケージの製造工程において、樹脂封止工程では、半導
体ウエハをモールド金型によりクランプして封止樹脂に
より樹脂封止するトランスファモールド法ではなく、下
金型上に配置した半導体ウエハの中央部に固形の封止樹
脂を載せて単に圧縮成形するコンプレッションモールド
法が採用されている。このコンプレッションモールド法
は、封止樹脂とモールド金型との間に半導体ウエハ径よ
りやや大きい比較的硬質なテンポラリフィルムを介在さ
せて、封止樹脂がモールド金型やメタルポストの先端に
付着しないようになっている。封止樹脂は半導体ウエハ
の真ん中に載置されて、上型と下型とでクランプするこ
とにより、封止樹脂をメタルポスト間に充填するように
なっている。また、樹脂封止後、成形品よりテンポラリ
フィルムを剥がすことにより、メタルポスト上の封止樹
脂がテンポラリフィルムに付着してはんだバンプを接合
する表面を露出させるようになっている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしなから、上記コ
ンプレッションモールド法は、封止樹脂をモールド金型
により圧縮しながら周辺に流し込むようにしているた
め、メタルポストが林立する空間部に封止樹脂が均一に
流し込み難く、しかもチップの周辺部まで封止樹脂がい
きわたるまで時間がかかる。従って、樹脂封止工程に時
間がかかると共に、成形品の樹脂量にばらつきが生じや
すく、成形品質が低下するおそれがあった。また、メタ
ルポストの端面とモールド金型間に介在するテンポラリ
フィルムは、比較的硬質であり、樹脂封止後に成形品よ
りテンポラリフィルムを剥がすことにより、メタルポス
ト上の封止樹脂がテンポラリフィルムに付着してはんだ
バンプを接合する表面を露出させているため、封止樹脂
がメタルポストの端面に進入して樹脂封止されることが
多く、該テンポラリフィルムを剥がす際に封止樹脂も一
緒に剥がれ易いとは言えるが、メタルポストの端面に樹
脂残りが生ずるおそれがある。これによって、はんだボ
ールの接合面の接合強度が低下するおそれがあった。
ンプレッションモールド法は、封止樹脂をモールド金型
により圧縮しながら周辺に流し込むようにしているた
め、メタルポストが林立する空間部に封止樹脂が均一に
流し込み難く、しかもチップの周辺部まで封止樹脂がい
きわたるまで時間がかかる。従って、樹脂封止工程に時
間がかかると共に、成形品の樹脂量にばらつきが生じや
すく、成形品質が低下するおそれがあった。また、メタ
ルポストの端面とモールド金型間に介在するテンポラリ
フィルムは、比較的硬質であり、樹脂封止後に成形品よ
りテンポラリフィルムを剥がすことにより、メタルポス
ト上の封止樹脂がテンポラリフィルムに付着してはんだ
バンプを接合する表面を露出させているため、封止樹脂
がメタルポストの端面に進入して樹脂封止されることが
多く、該テンポラリフィルムを剥がす際に封止樹脂も一
緒に剥がれ易いとは言えるが、メタルポストの端面に樹
脂残りが生ずるおそれがある。これによって、はんだボ
ールの接合面の接合強度が低下するおそれがあった。
【０００７】本発明の目的は、上記従来技術の課題を解
決し、金属ピラー間に封止樹脂を印刷により均一にかつ
迅速に充填して成形品の成形品質を向上させ、かつ外部
接続端子が接合される金属ピラーの端面に封止樹脂が付
着しないようにした樹脂封止方法を提供することにあ
る。
決し、金属ピラー間に封止樹脂を印刷により均一にかつ
迅速に充填して成形品の成形品質を向上させ、かつ外部
接続端子が接合される金属ピラーの端面に封止樹脂が付
着しないようにした樹脂封止方法を提供することにあ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため次の構成を備える。即ち、半導体ウエハ上に形
成された配線層に複数の金属ピラーが立設された該金属
ピラー間を埋めるよう封止樹脂を印刷により塗布し、該
封止樹脂が塗布された被成形品を、リリースフィルムが
パーティング面に張設されたモールド金型に配置し、上
型及び下型でリリースフィルムを介してクランプし封止
樹脂を加熱硬化させて成形することを特徴とする。又
は、半導体ウエハ上に形成された配線層に複数の金属ピ
ラーが立設された被成形品を、リリースフィルムがパー
ティング面に張設されたモールド金型に配置し、金属ピ
ラー間を埋めるよう封止樹脂を印刷により塗布した後、
被成形品を上型及び下型でリリースフィルムを介してク
ランプして封止樹脂を加熱硬化させて成形することを特
徴とする。
するため次の構成を備える。即ち、半導体ウエハ上に形
成された配線層に複数の金属ピラーが立設された該金属
ピラー間を埋めるよう封止樹脂を印刷により塗布し、該
封止樹脂が塗布された被成形品を、リリースフィルムが
パーティング面に張設されたモールド金型に配置し、上
型及び下型でリリースフィルムを介してクランプし封止
樹脂を加熱硬化させて成形することを特徴とする。又
は、半導体ウエハ上に形成された配線層に複数の金属ピ
ラーが立設された被成形品を、リリースフィルムがパー
ティング面に張設されたモールド金型に配置し、金属ピ
ラー間を埋めるよう封止樹脂を印刷により塗布した後、
被成形品を上型及び下型でリリースフィルムを介してク
ランプして封止樹脂を加熱硬化させて成形することを特
徴とする。
【０００９】また、被成形品は、半導体ウエハ上に複数
箇所に形成された各配線層に複数の金属ピラーが各々立
設されており、該金属ピラーの端面には外部接続端子が
接合可能になっていても良い。また、モールド金型は、
リリースフィルムが金属ピラーの端面を覆って該端面に
封止樹脂が付着しないようにクランプするのが望まし
い。また、モールド金型のパーティング面には、半導体
ウエハ上に複数箇所に形成された被形成品をクランプす
る際に、金属ピラー間に塗布された封止樹脂に前記リリ
ースフィルムを介して進入して各被形成品毎に格子状に
仕切る凹凸面が形成されていても良い。
箇所に形成された各配線層に複数の金属ピラーが各々立
設されており、該金属ピラーの端面には外部接続端子が
接合可能になっていても良い。また、モールド金型は、
リリースフィルムが金属ピラーの端面を覆って該端面に
封止樹脂が付着しないようにクランプするのが望まし
い。また、モールド金型のパーティング面には、半導体
ウエハ上に複数箇所に形成された被形成品をクランプす
る際に、金属ピラー間に塗布された封止樹脂に前記リリ
ースフィルムを介して進入して各被形成品毎に格子状に
仕切る凹凸面が形成されていても良い。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施の態様
を添付図面に基づいて詳細に説明する。本実施の態様
は、半導体ウエハレベルのチップサイズパッケージを製
造するための樹脂封止方法について説明するものとす
る。図１は金属ピラーを立設された半導体ウエハが樹脂
封止された状態を示す説明図、図２はモールド金型の要
部構成を示す説明図、図３は半導体ウエハ上に形成され
たチップサイズパッケージの説明図、図４は上型のパー
ティング面の構造を示す説明図、図５は他例に係るモー
ルド金型の要部構成を示す説明図である。
を添付図面に基づいて詳細に説明する。本実施の態様
は、半導体ウエハレベルのチップサイズパッケージを製
造するための樹脂封止方法について説明するものとす
る。図１は金属ピラーを立設された半導体ウエハが樹脂
封止された状態を示す説明図、図２はモールド金型の要
部構成を示す説明図、図３は半導体ウエハ上に形成され
たチップサイズパッケージの説明図、図４は上型のパー
ティング面の構造を示す説明図、図５は他例に係るモー
ルド金型の要部構成を示す説明図である。
【００１１】先ず、図１を参照して半導体ウエハレベル
のチップサイズパッケージの概略構成について説明す
る。半導体ウエハ１上に複数のトランジスタと配線を形
成した後、チップの周辺にある電極よりチップ中央部に
向かって銅めっきを施してパターニングして再配線し、
ここに外部接続端子としてはんだボールが接合される金
属ピラー（メタルポスト）２を立ててその周囲を封止樹
脂３により樹脂封止されて被成形品が形成されている。
この樹脂封止工程は、例えば特開平５−１１４６２０号
公報に開示されるようなスキージユニットにより、液状
樹脂或いは半流動性樹脂を供給されて半導体ウエハ１上
に複数形成されたチップ面に印刷により均一に塗布され
る。そして、この被成形品をモールド金型４に搬入して
クランプすることにより、封止樹脂３を加熱硬化させて
成形される。樹脂封止後に成形品にマーキングが施さ
れ、半導体ウエハ１が各チップ毎に個片に切断されて半
導体ウエハレベルのチップサイズパッケージが形成され
る。尚、必要に応じてはんだボールが封止樹脂３より外
面に露出するメタルポスト２の端面に接合されていても
良い。
のチップサイズパッケージの概略構成について説明す
る。半導体ウエハ１上に複数のトランジスタと配線を形
成した後、チップの周辺にある電極よりチップ中央部に
向かって銅めっきを施してパターニングして再配線し、
ここに外部接続端子としてはんだボールが接合される金
属ピラー（メタルポスト）２を立ててその周囲を封止樹
脂３により樹脂封止されて被成形品が形成されている。
この樹脂封止工程は、例えば特開平５−１１４６２０号
公報に開示されるようなスキージユニットにより、液状
樹脂或いは半流動性樹脂を供給されて半導体ウエハ１上
に複数形成されたチップ面に印刷により均一に塗布され
る。そして、この被成形品をモールド金型４に搬入して
クランプすることにより、封止樹脂３を加熱硬化させて
成形される。樹脂封止後に成形品にマーキングが施さ
れ、半導体ウエハ１が各チップ毎に個片に切断されて半
導体ウエハレベルのチップサイズパッケージが形成され
る。尚、必要に応じてはんだボールが封止樹脂３より外
面に露出するメタルポスト２の端面に接合されていても
良い。
【００１２】図２は、被成形品を搬入されて加熱硬化さ
せるモールド金型４の構成を示す。モールド金型４は、
ヒータ５を内蔵した上型６とヒータ７を内蔵した下型８
とを備えており、下型８側に半導体ウエハ１を収容可能
なキャビティ凹部９が形成されている。また、モールド
金型４の上下のパーティング面にはリリースフィルム１
０が各々張設されている。リリースフィルム１０は送り
出しリールと巻き取りリール間に巻き回された長尺状の
ものや、図３に示す円形の半導体ウエハ１を覆う程度の
サイズに短冊状に切断されたフィルムのいずれか或いは
これらを組合せて用いても良い。リリースフィルム１０
は、半導体ウエハ１の外面を覆うもので、モールド金型
４のパーティング面へ封止樹脂３がじかに付着しないよ
うにするため及びメタルポスト２の端面に封止樹脂３が
進入しないよう該メタルポスト２がリリースフィルム１
０に食い込むようにクランプされる。
せるモールド金型４の構成を示す。モールド金型４は、
ヒータ５を内蔵した上型６とヒータ７を内蔵した下型８
とを備えており、下型８側に半導体ウエハ１を収容可能
なキャビティ凹部９が形成されている。また、モールド
金型４の上下のパーティング面にはリリースフィルム１
０が各々張設されている。リリースフィルム１０は送り
出しリールと巻き取りリール間に巻き回された長尺状の
ものや、図３に示す円形の半導体ウエハ１を覆う程度の
サイズに短冊状に切断されたフィルムのいずれか或いは
これらを組合せて用いても良い。リリースフィルム１０
は、半導体ウエハ１の外面を覆うもので、モールド金型
４のパーティング面へ封止樹脂３がじかに付着しないよ
うにするため及びメタルポスト２の端面に封止樹脂３が
進入しないよう該メタルポスト２がリリースフィルム１
０に食い込むようにクランプされる。
【００１３】リリースフィルム１０は、後述するよう
に、エア吸引によってキャビティ凹部９の内面形状にな
らって吸着支持される柔軟性を有すると共に、モールド
金型４の加熱温度に耐えられる耐熱性を有する。また、
樹脂封止後にモールド金型４から容易に離型し、封止樹
脂と容易に剥離できるものである必要がある。このよう
なフィルムとしては、例えばＦＥＰフィルム、フッ素含
浸ガラスクロス、ＰＥＴフィルム、ＥＴＦＥフィルム、
ポリプロピレンフィルム、ポリ塩化ビニリジンなどが好
適に用いられる。リリースフィルム１０は、送り機構及
び巻き取り機構に各々巻き取られる長尺状のもの或いは
短冊状に切断されたものいずれを用いてもよい。また、
モールド金型４には、リリースフィルム１０をパーティ
ング面に吸着保持させるための図示しない吸着保持手段
が装備されている。具体的には、キャビティ凹部９の内
底面にはスリット状に開口するキャビティ吸着孔１２が
形成されている。また、上型６及び下型８のパーティン
グ面には図示しない吸着孔が形成されている。これらキ
ャビティ吸着孔１２及び吸着孔は、モールドベースに設
けられたエア流路を経由して図示しない外部エア吸引機
構に接続されている。
に、エア吸引によってキャビティ凹部９の内面形状にな
らって吸着支持される柔軟性を有すると共に、モールド
金型４の加熱温度に耐えられる耐熱性を有する。また、
樹脂封止後にモールド金型４から容易に離型し、封止樹
脂と容易に剥離できるものである必要がある。このよう
なフィルムとしては、例えばＦＥＰフィルム、フッ素含
浸ガラスクロス、ＰＥＴフィルム、ＥＴＦＥフィルム、
ポリプロピレンフィルム、ポリ塩化ビニリジンなどが好
適に用いられる。リリースフィルム１０は、送り機構及
び巻き取り機構に各々巻き取られる長尺状のもの或いは
短冊状に切断されたものいずれを用いてもよい。また、
モールド金型４には、リリースフィルム１０をパーティ
ング面に吸着保持させるための図示しない吸着保持手段
が装備されている。具体的には、キャビティ凹部９の内
底面にはスリット状に開口するキャビティ吸着孔１２が
形成されている。また、上型６及び下型８のパーティン
グ面には図示しない吸着孔が形成されている。これらキ
ャビティ吸着孔１２及び吸着孔は、モールドベースに設
けられたエア流路を経由して図示しない外部エア吸引機
構に接続されている。
【００１４】尚、図４に示すように、上型６のパーティ
ング面には、半導体ウエハ１をクランプする際に、封止
樹脂３に進入して各チップサイズパッケージ１１毎にリ
リースフィルム１０を介して仕切る凹凸面１３が形成さ
れていても良い。モールド金型４が、封止樹脂３を塗布
された被成形品をクランプすると、上型６の凹凸面１３
のうち凸部がリリースフィルム１０を介して封止樹脂３
に進入して、該封止樹脂３を周囲に逃がしながら格子状
に仕切って、各チップサイズパッケージ１１毎に加熱硬
化して成形する。この場合には、後工程で、半導体ウエ
ハ１を各チップサイズパッケージ１１毎に個片に切断す
る際に、封止樹脂３及び半導体ウエハ１を切断するより
は、半導体ウエハ１のみを切断すれば良いので、切断し
易いという利点がある。
ング面には、半導体ウエハ１をクランプする際に、封止
樹脂３に進入して各チップサイズパッケージ１１毎にリ
リースフィルム１０を介して仕切る凹凸面１３が形成さ
れていても良い。モールド金型４が、封止樹脂３を塗布
された被成形品をクランプすると、上型６の凹凸面１３
のうち凸部がリリースフィルム１０を介して封止樹脂３
に進入して、該封止樹脂３を周囲に逃がしながら格子状
に仕切って、各チップサイズパッケージ１１毎に加熱硬
化して成形する。この場合には、後工程で、半導体ウエ
ハ１を各チップサイズパッケージ１１毎に個片に切断す
る際に、封止樹脂３及び半導体ウエハ１を切断するより
は、半導体ウエハ１のみを切断すれば良いので、切断し
易いという利点がある。
【００１５】本実施例の樹脂封止工程は、半導体ウエハ
１上に形成された配線層に複数のメタルポスト２が立設
され、該メタルポスト２間を埋めるよう封止樹脂３をス
キージユニット（図示せず）により印刷された被成形品
を、リリースフィルム１０がパーティング面に張設され
たモールド金型４に配置し、上型６及び下型８でリリー
スフィルム１０を介してクランプし、該封止樹脂３を加
熱硬化させて成形するようにしたが、半導体ウエハ１上
に形成された配線層に複数のメタルポスト２が接続され
た被成形品を、リリースフィルム１０がパーティング面
に張設されたモールド金型４に配置し、型開きしたモー
ルド金型４にスキージユニット（図示せず）が進入して
メタルポスト２間を埋めるよう封止樹脂３を印刷した
後、上型６及び下型８でリリースフィルム１０を介して
クランプして該封止樹脂３を加熱硬化させて成形するよ
うにしても良い。また、図５に示すように、キャビティ
底部１４が可動可能になっている場合には、スキージユ
ニット（図示せず）により封止樹脂３を印刷する際に僅
かに下動させておけば、該封止樹脂３を少しメタルポス
ト２間に余分に盛ってポスト間を均一に樹脂封止するこ
とができる。その後、モールド金型４をクランプする際
にわずかにキャビティ底部１４を上動させて元に戻すこ
とで、メタルポスト２の先端部がリリースフィルム１０
へ埋没して、この埋没量により樹脂封止後のメタルポス
ト２の端面の高さ方向の露出量を制御することができ
る。尚、キャビティ底部１４を可動にする機構は、スプ
リング、エアシリンダ、電動モータ等の様々な構成を採
用できる。
１上に形成された配線層に複数のメタルポスト２が立設
され、該メタルポスト２間を埋めるよう封止樹脂３をス
キージユニット（図示せず）により印刷された被成形品
を、リリースフィルム１０がパーティング面に張設され
たモールド金型４に配置し、上型６及び下型８でリリー
スフィルム１０を介してクランプし、該封止樹脂３を加
熱硬化させて成形するようにしたが、半導体ウエハ１上
に形成された配線層に複数のメタルポスト２が接続され
た被成形品を、リリースフィルム１０がパーティング面
に張設されたモールド金型４に配置し、型開きしたモー
ルド金型４にスキージユニット（図示せず）が進入して
メタルポスト２間を埋めるよう封止樹脂３を印刷した
後、上型６及び下型８でリリースフィルム１０を介して
クランプして該封止樹脂３を加熱硬化させて成形するよ
うにしても良い。また、図５に示すように、キャビティ
底部１４が可動可能になっている場合には、スキージユ
ニット（図示せず）により封止樹脂３を印刷する際に僅
かに下動させておけば、該封止樹脂３を少しメタルポス
ト２間に余分に盛ってポスト間を均一に樹脂封止するこ
とができる。その後、モールド金型４をクランプする際
にわずかにキャビティ底部１４を上動させて元に戻すこ
とで、メタルポスト２の先端部がリリースフィルム１０
へ埋没して、この埋没量により樹脂封止後のメタルポス
ト２の端面の高さ方向の露出量を制御することができ
る。尚、キャビティ底部１４を可動にする機構は、スプ
リング、エアシリンダ、電動モータ等の様々な構成を採
用できる。
【００１６】上記構成によれば、金型に載置された半導
体ウエハの中央に封止樹脂を載せて圧縮成形するコンプ
レッションモールド法に比べて、封止樹脂３を印刷によ
りメタルポスト２間に塗布するので、封止樹脂３を均一
にかつ迅速に充填して、該封止樹脂３の充填を迅速に行
うと共に、成形品の成形品質を向上させることができ
る。また、封止樹脂３が充填された被成形品を、リリー
スフィルム１０が張設されたモールド金型４によりクラ
ンプして熱硬化させて成形するので、樹脂封止面に露出
するメタルポスト２の端面がリリースフィルム１０に食
い込んで封止樹脂３が付着しないようにすることがで
き、はんだボール等の外部接続端子の接合面に樹脂残り
等は生じないので、接合性を良好に維持できる。
体ウエハの中央に封止樹脂を載せて圧縮成形するコンプ
レッションモールド法に比べて、封止樹脂３を印刷によ
りメタルポスト２間に塗布するので、封止樹脂３を均一
にかつ迅速に充填して、該封止樹脂３の充填を迅速に行
うと共に、成形品の成形品質を向上させることができ
る。また、封止樹脂３が充填された被成形品を、リリー
スフィルム１０が張設されたモールド金型４によりクラ
ンプして熱硬化させて成形するので、樹脂封止面に露出
するメタルポスト２の端面がリリースフィルム１０に食
い込んで封止樹脂３が付着しないようにすることがで
き、はんだボール等の外部接続端子の接合面に樹脂残り
等は生じないので、接合性を良好に維持できる。
【００１７】
【発明の効果】本発明は前述したように、半導体ウエハ
上に形成された配線層に複数の金属ピラーが立設され、
該金属ピラー間を埋めるよう封止樹脂を印刷により塗布
し、該封止樹脂を印刷された被成形品をリリースフィル
ムがパーティング面に張設されたモールド金型に配置
し、上型及び下型でリリースフィルムを介してクランプ
し該封止樹脂を加熱硬化させて成形したり、又は半導体
ウエハ上に形成された配線層に複数の金属ピラーが立設
された被成形品を、リリースフィルムがパーティング面
に張設されたモールド金型に配置し、金属ピラー間を埋
めるよう封止樹脂を印刷により塗布した後、上型及び下
型でリリースフィルムを介してクランプして該封止樹脂
を加熱硬化させて成形するので、従来の金型の上に封止
樹脂を載せて圧縮成形するコンプレッションモールド法
に比べて、封止樹脂を印刷により金属ピラー間に塗布す
るので、封止樹脂を均一にかつ迅速に充填して、該封止
樹脂の充填を迅速に行うと共に、成形品の成形品質を向
上させることができる。また、封止樹脂が充填された被
成形品を、リリースフィルムが張設されたモールド金型
によりクランプして熱硬化させて成形するので、樹脂封
止面に露出するメタルポストの端面がリリースフィルム
に食い込んで封止樹脂が付着しないようにすることがで
き、はんだボール等の外部接続端子の接合面に樹脂残り
等は生じないので、接合性を良好に維持できる。
上に形成された配線層に複数の金属ピラーが立設され、
該金属ピラー間を埋めるよう封止樹脂を印刷により塗布
し、該封止樹脂を印刷された被成形品をリリースフィル
ムがパーティング面に張設されたモールド金型に配置
し、上型及び下型でリリースフィルムを介してクランプ
し該封止樹脂を加熱硬化させて成形したり、又は半導体
ウエハ上に形成された配線層に複数の金属ピラーが立設
された被成形品を、リリースフィルムがパーティング面
に張設されたモールド金型に配置し、金属ピラー間を埋
めるよう封止樹脂を印刷により塗布した後、上型及び下
型でリリースフィルムを介してクランプして該封止樹脂
を加熱硬化させて成形するので、従来の金型の上に封止
樹脂を載せて圧縮成形するコンプレッションモールド法
に比べて、封止樹脂を印刷により金属ピラー間に塗布す
るので、封止樹脂を均一にかつ迅速に充填して、該封止
樹脂の充填を迅速に行うと共に、成形品の成形品質を向
上させることができる。また、封止樹脂が充填された被
成形品を、リリースフィルムが張設されたモールド金型
によりクランプして熱硬化させて成形するので、樹脂封
止面に露出するメタルポストの端面がリリースフィルム
に食い込んで封止樹脂が付着しないようにすることがで
き、はんだボール等の外部接続端子の接合面に樹脂残り
等は生じないので、接合性を良好に維持できる。
【図１】金属ピラーを立設された半導体ウエハが樹脂封
止された状態を示す説明図である。
止された状態を示す説明図である。
【図２】モールド金型の要部構成を示す説明図である。
【図３】半導体ウエハ上に形成されたチップサイズパッ
ケージの説明図である。
ケージの説明図である。
【図４】上型のパーティング面の構造を示す説明図であ
る。
る。
【図５】他例に係るモールド金型の要部構成を示す説明
図である。
図である。
【符号の説明】 １ 半導体ウエハ ２ メタルポスト ３ 封止樹脂 ４ モールド金型 ５，７ ヒータ ６ 上型 ８ 下型 ９ キャビティ凹部 １０ リリースフィルム １１ チップサイズパッケージ １２ キャビティ吸着孔 １３ 凹凸面 １４ キャビティ底部
Claims (5)
- 【請求項１】 半導体ウエハ上に形成された配線層に複
数の金属ピラーが立設された該金属ピラー間を埋めるよ
う封止樹脂を印刷により塗布し、該封止樹脂が塗布され
た被成形品を、リリースフィルムがパーティング面に張
設されたモールド金型に配置し、上型及び下型で前記リ
リースフィルムを介してクランプし前記封止樹脂を加熱
硬化させて成形することを特徴とする樹脂封止方法。 - 【請求項２】 半導体ウエハ上に形成された配線層に複
数の金属ピラーが立設された被成形品を、リリースフィ
ルムがパーティング面に張設されたモールド金型に配置
し、前記金属ピラー間を埋めるよう封止樹脂を印刷によ
り塗布した後、前記被成形品を上型及び下型で前記リリ
ースフィルムを介してクランプして前記封止樹脂を加熱
硬化させて成形することを特徴とする樹脂封止方法。 - 【請求項３】 前記被成形品は、半導体ウエハ上に複数
箇所に形成された各配線層に複数の金属ピラーが各々立
設されており、該金属ピラーの端面には外部接続端子が
接合可能になっていることを特徴とする請求項１又は請
求項２記載の樹脂封止方法。 - 【請求項４】 前記モールド金型は、前記リリースフィ
ルムが前記被成形品に形成された金属ピラーの端面を覆
って該端面に前記封止樹脂が付着しないようにクランプ
すること特徴とする請求項１、２又は請求項３記載の樹
脂封止方法。 - 【請求項５】 前記モールド金型のパーティング面に
は、前記半導体ウエハ上に複数箇所に形成された被形成
品をクランプする際に、前記金属ピラー間に塗布された
前記封止樹脂に前記リリースフィルムを介して進入して
各被形成品毎に格子状に仕切る凹凸面が形成されている
ことを特徴とする請求項１、２、３又は請求項４記載の
樹脂封止方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34921298A JP4058182B2 (ja) | 1998-12-09 | 1998-12-09 | 樹脂封止方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34921298A JP4058182B2 (ja) | 1998-12-09 | 1998-12-09 | 樹脂封止方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000174046A true JP2000174046A (ja) | 2000-06-23 |
| JP4058182B2 JP4058182B2 (ja) | 2008-03-05 |
Family
ID=18402245
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34921298A Expired - Lifetime JP4058182B2 (ja) | 1998-12-09 | 1998-12-09 | 樹脂封止方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4058182B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1035572A2 (en) * | 1999-03-10 | 2000-09-13 | Towa Corporation | Method of coating semiconductor wafer with resin and mold used therefor |
| US7164195B2 (en) | 2001-04-27 | 2007-01-16 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method |
| US20120061809A1 (en) * | 2009-03-17 | 2012-03-15 | Toppan Printing Co., Ltd | Method for manufacturing substrate for semiconductor element, and semiconductor device |
| CN105027280A (zh) * | 2013-01-11 | 2015-11-04 | 美光科技公司 | 具有穿过封装互连的半导体装置组合件及相关联系统、装置与方法 |
-
1998
- 1998-12-09 JP JP34921298A patent/JP4058182B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1035572A2 (en) * | 1999-03-10 | 2000-09-13 | Towa Corporation | Method of coating semiconductor wafer with resin and mold used therefor |
| EP1035572A3 (en) * | 1999-03-10 | 2003-12-03 | Towa Corporation | Method of coating semiconductor wafer with resin and mold used therefor |
| US7164195B2 (en) | 2001-04-27 | 2007-01-16 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method |
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| JP2016503241A (ja) * | 2013-01-11 | 2016-02-01 | マイクロン テクノロジー， インク． | パッケージ貫通インタコネクト付き半導体デバイスアセンブリ並びに関連するシステム、デバイス、及び方法 |
| US9508686B2 (en) | 2013-01-11 | 2016-11-29 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor device assembly with package interconnect extending into overlying spacer material, and associated systems, devices, and methods |
| EP2943978A4 (en) * | 2013-01-11 | 2016-12-14 | Micron Technology Inc | SEMICONDUCTOR COMPONENT ARRANGEMENT WITH PACKET CONTINUOUS NETWORKING AND CORRESPONDING SYSTEMS, DEVICES AND METHOD |
| US9978730B2 (en) | 2013-01-11 | 2018-05-22 | Micron Technology, Inc. | Method of assembly semiconductor device with through-package interconnect |
| US10615154B2 (en) | 2013-01-11 | 2020-04-07 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor device assembly with through-package interconnect and associated systems, devices, and methods |
| US11456286B2 (en) | 2013-01-11 | 2022-09-27 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor device assembly with through-package interconnect and associated systems, devices, and methods |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4058182B2 (ja) | 2008-03-05 |
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