JP4778494B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
の裏面以外の箇所が封止部から露出するなどのモールド不良が起こることが問題となる。
図1は本発明の半導体装置の製造方法で用いられるモールド装置の構造の実施の形態の一例を示す構成概略図、図2は図1に示すモールド装置におけるモールド金型の構造の一例を示す断面図、図3は図2に示すモールド金型における上型の構造を示す平面図、図4は図2に示すモールド金型における下型の構造を示す平面図、図5は図1に示すモールド装置における金型除電部の配置を示す構成図、図6は本発明の半導体装置の製造方法を用いて組み立てられる半導体装置の一例であるBGAの構造を示す図であり、(a)は平面図、(b)は断面図、図7は図6に示すBGAの構造を示す底面図、図8(a),(b) は本発明の半導体装置の製造方法におけるイオンブローの一例を示す概念図、図9は本発明の半導体装置の製造方法における空クランプ時のフィルムの吸引状態の一例を示す拡大部分断面図、図10(a),(b),(c),(d)は本発明の半導体装置の製造方法におけるモールド金型の動作の一例を示す金型動作図、図11(a),(b) は本発明の半導体装置の製造方法のモールド金型の2段クランプにおける1次クランプの状態の一例を示す部分断面図、図12(a),(b),(c) は本発明の半導体装置の製造方法のモールド金型の2段クランプにおける2次クランプの状態の一例を示す部分断面図、図13(a),(b),(c),(d),(e),(f)は本発明の半導体装置の製造方法におけるモールド時のキャビティへの樹脂注入状態の一例を示す概念図、図14は本発明の半導体装置の製造方法におけるモールド時のキャビティの減圧状態の一例を示す拡大部分断面図であり、(a)は減圧前の状態、(b)は減圧開始状態、図15は本発明の半導体装置の製造方法におけるモールド時のキャビティへの樹脂注入状態の一例を示す部分断面図、図16は図2に示すモールド金型における上型のキャビティに対する吸引通路の構造を示す拡大部分平面図、図17は図1に示すモールド装置においてその下型にチップ組み立て体を配置した状態の一例を示す部分平面図、図18は本発明の半導体装置の製造方法における製造プロセスの実施の形態の一例を示す製造プロセスフロー図である。
面12iの外周にほぼ沿ったリング形状のOリング34(シール材)が設けられている。
充填が行えるため、図21の比較例に示すようなボイド35の発生を防ぐことができる。
させて、上側フィルム8および下側フィルム9のモールドに使用された部分を巻き取る。
1a 主面
1b パッド
2 BGA基板
2a 基板電極
2b チップ支持面
2c 裏面
3 フレーム部材
3a 基板支持リード
3b 枠部
4 ボンディングワイヤ
5 バンプ電極
6 封止部
7 チップ組み立て体
8 上側フィルム(第2のフィルム)
9 下側フィルム(第1のフィルム)
10 モールド金型
10a 樹脂充填部
11 上型(第1の金型)
11a キャビティ
11b カル
11c ランナ
11d ゲート
11e エアベント
11f 吸引口
11g 上側フィルム第1吸引部
11h 上側フィルム第2吸引部
11i 上型第1排気通路
11j 上型第2排気通路
11k 減圧用吸引口
11l 減圧吸引部
11m 減圧用排気通路
11n 金型面
11p 減圧用吸引通路
12 下型(第2の金型)
12a キャビティ
12b プランジャ
12c ポット
12d 吸引口
12e 下側フィルム第1吸引部
12f 下側フィルム第2吸引部
12g 下型第1排気通路
12h 下型第2排気通路
12i 金型面
13 ローダ部
14 フレーム収納部
15 フレーム搬送体
16 フレーム整列部
17 フレーム取り出し部
18 ゲートブレーク部
19 上側フィルム供給ローラ
20 上側フィルム巻取りローラ
21 下側フィルム供給ローラ
22 下側フィルム巻取りローラ
23 ガイドローラ
24 ポットクリーナ部
25 フィルム除電部
25a 上側フィルム除電部
25b 下側フィルム除電部
26 金型除電部
26a 上型除電部
26b 下型除電部
27 製品除電部
28 ノズル
29 モールド樹脂
30 BGA(半導体装置)
31 ドライエアー
32 除電用電極
33 電荷
34 Oリング(シール材)
35 ボイド
36 隙間
37,38 真空引き
39 剥離用エアー
40 樹脂ランナ部
41a 使用済み上側フィルム除電部
41b 使用済み下側フィルム除電部
42 押圧ブロック
Claims (7)
- (a)第1金型面、および前記第1金型面に形成されたキャビティを有する上型と、前記第1金型面と対向する第2金型面、前記第2金型面に形成された吸引孔、および前記吸引孔の周囲に設けられたシール材を有する下型とで構成されるモールド金型を準備する工程と、
(b)フィルムを準備する工程と、
(c)半導体チップを備えた組み立て体を準備する工程と、
(d)前記第1金型面と前記第2金型面との間に前記フィルムを配置する工程と、
(e)前記(d)工程の後、前記吸引孔を介して前記フィルムを吸引し、前記フィルムを前記モールド金型の前記第2金型面に密着させる工程と、
(f)前記(e)工程の後、前記上型と前記下型を型締めする工程と、
(g)前記(f)工程の後、前記吸引孔を介して前記フィルムをさらに吸引する工程と、
(h)前記(g)工程の後、前記上型と前記下型を型開きする工程と、
(i)前記(h)工程の後、前記組み立て体を前記モールド金型の前記第2金型面上に前記フィルムを介して配置する工程と、
(j)前記(i)工程の後、前記上型および前記下型を型締めする工程と、
(k)前記(j)工程の後、前記キャビティ内にモールド樹脂を供給し、前記半導体チップを封止する封止部を形成する工程と、
(l)前記(k)工程の後、前記上型と前記下型を型開する工程と、
(m)前記(l)工程の後、前記封止部が形成された前記組み立て体を前記モールド金型から離型する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1記載の半導体装置の製造方法において、
前記(e)工程では、前記シール材は前記第2金型面から前記第1金型面に向かって突出しており、
前記(f)工程及び前記(g)工程では、前記第2金型面から突出していた前記シール材は潰されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1記載の半導体装置の製造方法において、
前記(m)工程の後、前記組み立て体の裏面に半田を転写または印刷によって形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1記載の半導体装置の製造方法において、
前記シール材は、シリコーン樹脂によって形成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1記載の半導体装置の製造方法において、
前記シール材は、前記第2金型面の外周に沿ってリング状に設けられていることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - (a)第1金型面、前記第1金型面に形成された吸引孔、前記第1金型面に形成されたキャビティ、前記キャビティの周囲に設けられたシール材を有する上型と、前記第1金型面と対向する第2金型面を有する下型とで構成されるモールド金型を準備する工程と、
(b)フィルムを準備する工程と、
(c)半導体チップを備えた組み立て体を準備する工程と、
(d)前記第1金型面と前記第2金型面との間に前記フィルムを配置する工程と、
(e)前記(d)工程の後、前記吸引孔を介して前記フィルムを吸引し、前記フィルムを前記モールド金型の前記第1金型面に密着させる工程と、
(f)前記(e)工程の後、前記上型と前記下型を型締めする工程と、
(g)前記(f)工程の後、前記吸引孔を介して前記フィルムをさらに吸引する工程と、
(h)前記(g)工程の後、前記上型と前記下型を型開きする工程と、
(i)前記(h)工程の後、前記組み立て体を前記モールド金型の前記キャビティ内に配置する工程と、
(j)前記(i)工程の後、前記上型および前記下型を型締めする工程と、
(k)前記(j)工程の後、前記キャビティ内にモールド樹脂を供給し、前記半導体チップを封止する封止部を形成する工程と、
(l)前記(k)工程の後、前記上型と前記下型を型開きする工程と、
(m)前記(l)工程の後、前記封止部が形成された前記組み立て体を前記モールド金型から離型する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項6記載の半導体装置の製造方法において、
前記組み立て体は、基板と、前記基板上に搭載された半導体チップと、前記基板の複数の電極と前記半導体チップの複数のパッドとを電気的に接続する複数のワイヤとを有していることを特徴とする半導体装置の製造方法。
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