JP4035240B2 - チップサイズパッケージの樹脂封止方法及び樹脂封止装置 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、チップサイズパッケージの樹脂封止方法及び樹脂封止装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体チップとほぼ同サイズに形成されるチップサイズパッケージ（ＣＳＰ）の構成について図９を参照して説明する。図９（ａ）は、配線パターン５１が形成されたベースフィルム（キャリアテープ等）５２に電気的絶縁層（エラストマー等）５３を介して半導体チップ５４の表面電極が形成された面が搭載されている。この電気的絶縁層５３より延出した配線パターン５１の一部であるリード５５が表面電極５６に接続され、該リード５５の露出部分及び半導体チップ５４、電気的絶縁層５３、ベースフィルム５２などの側面を含む隙間を封止樹脂５７により樹脂封止されてなる。ベースフィルム５２に露出成形された配線パターン５１には外部接続端子となるはんだボール５８が接合されている。
【０００３】
半導体チップ５４の表面電極５６に接続されるリード５５や半導体チップ５４、電気的絶縁層５３、ベースフィルム５２などの側面に充填される封止樹脂５７は、通常ポッティングにより充填されている。これは、チップサイズパッケージの場合、半導体チップ５４が電気的絶縁層５３を介してベースフィルム５２上に搭載されているため、通常のトランスファーモールド法で樹脂封止したのでは、被成形品が確実に挟圧できず、不要部分に樹脂バリが生じ、樹脂封止後にランナーを剥離したりゲートブレイクしたりした際に、配線パターン５１を損傷するおそれがあるためである。
【０００４】
図９（ｂ）はチップサイズパッケージの他の製品例として、半導体チップ５４を矩形枠状に形成したリング５９の内側に収納してポッティングにより樹脂封止して構成した例、図９（ｃ）はカン６０に半導体チップ５４を収容してポッティングにより樹脂封止して構成した例である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
近年、半導体チップ内の配線が微細化（0.35→0.25→0.18→0.13μｍ）しているのに対して、チップサイズパッケージの半導体チップ５４と外部接続端子となるはんだボール５８のボールピッチが0.5mm （はんだボール直径0.3mm ）がベースフィルム５２への実装上の最小ピッチであり、チップ面積の方が実装面積より小さくなってきている。
このように、半導体チップ５４の面積の方が実装面積より小さくなってきたことから、半導体チップ５４の表面電極５６が中央部に設けられて配線パターン５１に接続するリード５５がボンディングされるチップサイズパッケージが提案されている。
【０００６】
しかしながら、従来のチップサイズパッケージは、ポッティングにより樹脂封止していたため、封止樹脂が硬化するまでに時間がかかり、生産性が悪いという課題があった。
また、ポッティングによる場合は、封止樹脂を注入する際にエアを巻き込み易く、ボイドが発生し易いという課題もあった。また、樹脂封止時に樹脂圧を印加できないため、ボイドを小さくすることができないため、封止樹脂と半導体チップ及び電気的絶縁層との接着性は樹脂の親和性のみによっている。
また、ポッティングによる場合には、封止樹脂が充填される被成形品の外形形状にばらつきがあるため、ハンドリングも悪いという課題もあった。
特に、半導体チップが最外形ではなく厚さの薄いエラストマーとキャリアテープが最外形となるチップサイズパッケージにあっては、成形品の外形形状にばらつきが生じ易い。
【０００７】
本発明の目的は、上記従来技術の課題を解決し、生産性を向上させると共にボイドの生じ難い成形品質を向上させたチップサイズパッケージの樹脂封止方法及び樹脂封止装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記目的を達成するため次の構成を備える。
即ち、配線パターンが形成されたベースフィルムに電気的絶縁層を介して半導体チップが表面電極形成面より接合され、前記配線パターンが前記表面電極に電気的に接続された被成形品が樹脂封止されてなるチップサイズパッケージの樹脂封止方法において、モールド金型のキャビティ凹部の外形寸法は、前記半導体チップの外形寸法より大きく形成されており、リリースフィルムがパーティング面に張設された当該モールド金型に、前記被形成品の前記半導体チップがキャビティ凹部内に収容され、前記ベースフィルムが前記モールド金型によりリリースフィルムを介してクランプされたまま、前記キャビティ凹部における所定の隙間位置で当該キャビティ凹部に向けて開口する複数のゲートより所定の樹脂圧で封止樹脂が充填されて樹脂封止され、前記ゲートが開口する所定の隙間位置は、少なくとも半導体チップの中央部に形成された表面電極へのボンディング部に対応したベースフィルムと半導体チップ間の隙間位置を含み、更には半導体チップの周囲に形成されたベースフィルムと半導体チップとの間に形成される隙間位置、電気的絶縁層とリリースフィルム間に形成される隙間位置若しくはベースフィルムとリリースフィルム間に形成される隙間位置のうちのいずれかを含むことを特徴とする。
【０００９】
また、被成形品は、キャリアテープに複数個の半導体チップがエラストマーを介して搭載され、前記配線パターンが前記半導体チップの中央部に形成された前記表面電極に電気的に接続されていても良く、キャリアテープに成形品の最外形を規定すべく前記半導体チップの四方を囲繞するリングが接合されており、該リングの一部を切欠いて形成されたゲート口より封止樹脂が前記リングと前記被形成品との隙間に充填されて樹脂封止されるようになっていても良く、或いはキャリアテープに成形品の最外形を規定すべく半導体チップを収容するカンが接合されており、該カンの一部を切欠いて形成されたゲート口より封止樹脂がカンと被成形品との隙間に充填されて樹脂封止されるようになっていてもよい。
【００１０】
また、チップサイズパッケージの樹脂封止装置においては、配線パターンが形成されたベースフィルムに電気的絶縁層を介して半導体チップが表面電極形成面より接合され、前記配線パターンが前記表面電極に電気的に接続された被成形品の前記ベースフィルムをクランプし、前記半導体チップがキャビティ凹部に収容されて形成される隙間位置に開口するゲートより封止樹脂が所定の樹脂圧で充填されて樹脂封止するモールド金型と、前記モールド金型の前記キャビティ凹部やポットを含むパーティング面に張設されるリリースフィルムと、前記リリースフィルムを前記モールド金型のパーティング面に吸着保持させるための吸着保持手段を有し、前記モールド金型のキャビティ凹部の外形寸法は、前記半導体チップの外形寸法より大きく形成されており、前記ベースフィルムがモールド金型によりリリースフィルムを介してクランプされたまま前記キャビティ凹部における所定の隙間位置で当該キャビティ凹部に向けて開口する複数のゲートより封止樹脂が充填されて樹脂封止され、前記ゲートが開口する所定の隙間位置は、少なくとも半導体チップの中央部に形成された表面電極へのボンディング部に対応したベースフィルムと半導体チップ間の隙間位置を含み、更には半導体チップの周囲に形成されたベースフィルムと半導体チップとの間に形成される隙間位置、電気的絶縁層とリリースフィルム間に形成される隙間位置若しくはベースフィルムとリリースフィルム間に形成される隙間位置のうちのいずれかを含むことを特徴とする。
【００１１】
また、被成形品は、キャリアテープに複数個の半導体チップがエラストマーを介して搭載され、前記配線パターンが前記半導体チップの中央部に形成された前記表面電極に接続されていても良く、キャリアテープに成形品の最外形を規定すべく前記半導体チップの四方を囲繞するリングが接合されており、該リングの一部を切欠いて形成されたゲート口より封止樹脂が前記リングと前記被形成品との隙間に充填されて樹脂封止されても良く、或いはキャリアテープに成形品の最外形を規定すべく前記半導体チップを収容するカンが接合されており、該カンの一部を切欠いて形成されたゲート口より封止樹脂が前記カンと前記被成形品との隙間に充填されて樹脂封止されても良い。
また、吸着保持手段は、モールド金型のパーティング面で開口する吸着孔と、キャビティ凹部の内底面で開口するキャビティ吸着孔とこれらに連絡するエア吸引機構を備えていても良い。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な実施の態様を添付図面に基づいて詳細に説明する。
本実施の態様は、半導体パッケージのうちチップサイズパッケージを樹脂封止する樹脂封止方法及び樹脂封止装置について説明するものとする。
図１は樹脂封止装置の主要部の構成を示す正面説明図、図２（ａ）は被成形品の製造工程を示す説明図、図２（ｂ）はリリースフィルムを介してモールド金型にクランプされた状態を示す説明図、図３は被成形品の平面図、図４（ａ）は被成形品の樹脂封止工程を示す上視図、図４（ｂ）は図４（ａ）の矢印Ａ−Ａ断面図、図５（ａ）はモールド金型によりクランプされた図５（ｃ）の被成形品を矢印Ｂ−Ｂ方向から見た断面図、図５（ｂ）はモールド金型によりクランプされた図５（ｃ）の被成形品を矢印Ｃ−Ｃ方向から見た断面図、図５（ｃ）は被成形品の上視図、図５（ｄ）は図５（ｃ）の矢印Ｄ−Ｄ断面図、図６（ａ）は他例に係る被成形品の樹脂封止工程を示す上視図、図６（ｂ）は図６（ａ）の矢印Ｅ−Ｅ断面図、図７（ａ）はモールド金型によりクランプされた図７（ｃ）の被成形品の矢印Ｆ−Ｆ方向から見た断面図、図７（ｂ）はモールド金型によりクランプされた図７（ｃ）の被成形品の矢印Ｇ−Ｇ方向から見た断面図、図７（ｃ）は被成形品の上視図、図７（ｄ）は図７（ｃ）の矢印Ｈ−Ｈ断面図、図８は樹脂封止された各種チップサイズパッケージの構成を示す説明図である。
【００１３】
先ず、図１を参照して樹脂封止装置の概略構成について説明する。本実施形態はトランスファーモールド法によってチップサイズパッケージを樹脂封止する装置であり、被成形品３をクランプするモールド金型１のパーティング面の所要部位にリリースフィルム２を被覆して樹脂封止するものである。
【００１４】
トランスファーモールド法によって樹脂封止される被成形品３は、配線パターンが形成された基板面に電気的絶縁層を介して半導体チップの表面電極形成面が搭載され、該電気的絶縁層より延出した前記配線パターンの一部であるリードが前記表面電極に接続されてなる。具体的には、図２に示すように、キャリアテープ４に複数個の半導体チップ５がエラストマー６を介して搭載され、配線パターン７の一部であるビームリード８が半導体チップ５の中央部に形成された表面電極（図示せず）に接続されてなる。尚、この半導体チップ５はキャリアテープ４に１個のみ搭載される場合もある。
【００１５】
９、１０はモールド金型１を形成する上型及び下型である。図１の中心線より左半分は上型９と下型１０がクランプした状態を示し、右半分に封止樹脂１１を充填した状態を示す。封止樹脂１１としては柱状の樹脂タブレットの他に顆粒樹脂、液体樹脂などを用いても良い。下型１０には、ポット１２が形成されており内部にプラジャ１３が可動に装備されている。また、下型１０にはキャビティ凹部１４が形成されており、半導体チップ５が収容される。また、キャビティ凹部１４の外形寸法は、半導体チップ５の外形寸法より大きく形成されており、ビームリード８の接続部分などキャビティ凹部１４内被成形品３との間に形成される隙間位置に開口するゲート１６より所定の樹脂圧で封止樹脂１１が充填されて樹脂封止される（図４（ｂ）、図５（ａ）（ｂ）参照）。封止樹脂１１は樹脂路１５が枝分かれ状に分岐して３か所に形成され、キャビティ凹部１４に開口するゲート１６より各々隙間に充填される。尚、ゲート１６の高さ位置は、上型９と下型１０の分割面より下側で、キャリアテープ４と半導体チップ５との間に形成されている。
【００１６】
リリースフィルム２は、上型９及び下型１０のキャビティ凹部１４やポット１２を含むパーティング面に張設される。このリリースフィルム２は上型９と下型１０のパーティング面にじかに封止樹脂１１を付着させず（樹脂バリを生じさせず）に樹脂封止できるため有効である。また、リリースフィルム２を介して被成形品３をモールド金型１によりクランプする際に、該被成形品３の外面を弾性的に押圧して挟圧するから被成形品３を損傷することなくクランプすることができる。リリースフィルム２は、後述するように、エア吸引によってキャビティ凹部１４の内面形状にならって吸着支持される柔軟性を有すると共に、金型の加熱温度に耐えられる耐熱性を有する。また、樹脂封止後に金型から容易に離型し、封止樹脂１１と容易に剥離できるものである必要がある。このようなフィルムとしては、例えばＦＥＰフィルム、フッ素含浸ガラスクロス、ＰＥＴフィルム、ＥＴＦＥフィルム、ポリ塩化ビニリジンなどが好適に用いられる。
【００１７】
モールド金型１には、リリースフィルム３をパーティング面に吸着保持させるための吸着保持手段が装備されている。具体的には、キャビティ凹部１４の内底面にはスリット状に開口するキャビティ吸着孔１７が形成されている。また、上型９及び下型１０のパーティング面には吸着孔１８が形成されている。これらキャビティ吸着孔１７及び吸着孔１８はモールドベース１９に設けられたエア流路を経由して図示しない外部エア吸引機構に接続されている。
【００１８】
次に、上述のように構成された樹脂封止装置を用いてチップサイズパッケージを樹脂封止する工程について、図１〜図５を参照して説明する。
先ず、図１において樹脂封止装置の型開きしたモールド金型１のパーティング面（上下面）にリリースフィルム２を張設する。このリリースフィルム２は、モールド金型１のキャビティ凹部１４やポット１２を含むパーティング面を覆うように張設される。リリースフィルム２としては、図示しない送り機構及び巻き取り機構を備えた長尺状のフィルムを用いても良く、或いは短冊状のリリースフィルムを図示しない搬送手段によりモールド金型１へ搬入しても良い。リリースフィルム２は、上型９及び下型１０に設けられた吸着孔１８やキャビティ吸着孔１７より吸引されてパーティング面に沿って吸着保持される。
【００１９】
またモールド金型１に搬入される被成形品３は、本実施例では図２（ａ）に示すように長尺状或いは短冊状のキャリアテープ４に複数個の半導体チップ５がエラストマー６を介して接着され、配線パターン７の一部であるビームリード８が半導体チップ５の中央部に形成された表面電極にボンディングツール２１によりボンディング接続されてなる。
具体的には、図３に示すように、キャリアテープ４のチップ搭載面と反対側面には外部接続端子となるはんだボール２２が搭載された接続端子エリアが両側に形成されておりその間に設けられたビームリードウィンドウ２３には、ビームリード８が両側接続端子エリアを接続するように架設されている。このビームリードウィンドウ２２に架設されたビームリード８を、図２（ａ）に示すキャピタリ２０により中央部より切断し、該切断端部をボンディングツール２１により半導体チップ５の表面電極に各々ボンディング接続される。また、キャリアテープ４は、両端側近傍に所定ピッチで設けられたスプロケットホール２４により図示しない送り機構によりピッチ送り可能になっている。
【００２０】
次に、モールド金型１のポット１２にリリースフィルム２を介して封止樹脂１１を供給すると共に、被成形品３を下型１０のキャビティ凹部１４に半導体チップ５が収容されるよう位置合わせして供給する。
そして、この被成形品３はキャリアテープ４がモールド金型１によりクランプされる。この状態を図２（ｂ）及び図４（ｂ）に示す。リリースフィルム２は、配線パターン７が形成されたキャリアテープ４を密封するようクランプすると共に、はんだボール２２が形成された接続端子形成面及び半導体チップ５の外面を弾性的に挟圧する。
【００２１】
次に、図４（ａ）及び図５（ａ）（ｂ）に示すキャビティ凹部１４に連結する樹脂路１５を介してポット１２に供給された封止樹脂１１をプランジャ１３を上動させて所定の樹脂圧を印加しながら充填して樹脂封止する。モールド金型１のキャビティ凹部１４の外径寸法は、半導体チップ５の外径寸法より大きく形成されており、半導体チップ５の周囲に形成された隙間位置でキャビティ凹部１４に開口するゲート１６より封止樹脂１１が所定の樹脂圧で充填されて樹脂封止される。本実施例ではエラストマー６やキャリアテープ４の外形面に形成された隙間まで樹脂封止される。また、半導体チップ５とリリースフィルム２との間に隙間が形成されていても良く、この場合には半導体チップ５の周囲が樹脂封止される。また、モールド金型１のキャビティ凹部１４に開口するゲート１６の位置は、図４（ｂ）に示すように、ビームリード８の半導体チップ５の表面電極へのボンディング部に対応したキャリアテープ４と半導体チップ５間の隙間、或いは図４（ａ）に示すように、エラストマー６とリリースフィルム２間の隙間やキャリアテープ４とリリースフィルム２間の隙間など半導体チップ５の周囲に形成される隙間位置に対応して形成されている。尚、モールド金型１に形成されるゲート１６の位置は、図５（ｃ）（ｄ）に示すように被成形品３の形状やサイズに応じて適宜変更可能である。本実施例は、半導体チップ５の四方及びビームリード８のボンディング部が樹脂封止される場合について例示してある。
【００２２】
封止樹脂１１は、ポット１２より樹脂路１５を経てゲート１６よりキャビティ凹部１４の隙間に所定の樹脂圧を印加されて充填され、加熱硬化される。そして、樹脂封止後、モールド金型１を型開きして、図示しないアンローダー等の搬出機構により取り出して、ゲートブレイクが行われ、不要樹脂を分離除去して成形品のみを取り出す。尚、成形品は、リリースフィルム２により覆われているので、モールド金型１からの離型性は極めて良い。この成形品は、後に図８（ａ）に示すようにチップサイズパッケージ２５として個々に分離される。
【００２３】
上記構成によれば、チップサイズパッケージ２５をキャリアテープ４に支持したままキャビティ凹部１４の被成形品３との間に形成される隙間位置に開口するゲート１６よりトランスファーモールドにより所定の樹脂圧で封止樹脂が充填されて樹脂封止できるので、ポッティングに比べて封止樹脂１１の硬化時間が早く、生産性を向上させることができる。特に、封止樹脂１１に適正な樹脂圧を印加しながら樹脂封止できるので、エアが混入し難く、ボイドが発生しても微小に抑えることができるので、成形品質を向上させることができる。
また、半導体チップ５が最外形ではなく厚さの薄いエラストマー６とキャリアテープ４が最外形となるチップサイズパッケージにおいては、封止樹脂１１が被成形品３の最外形に充填されても、成形品のばらつきを抑えて一定の形状に樹脂成形できるので、成形品のハンドリングも向上させることができる。
また被成形品３を柔軟性のあるリリースフィルム２を介してモールド金型１によりクランプするので、半導体装置の外部接続端子や、半導体チップ５の外面に過大な圧力を加えることなくクランプできるので、被成形品３を損傷することなく樹脂封止できる。
【００２４】
上記実施例は、被成形品３として半導体チップ５の四方を樹脂封止する場合について説明したが、図６及び図７には、半導体チップ５の長手方向の側面に形成された隙間に封止樹脂１１が充填されて樹脂封止される場合を例示する。
この場合にも半導体チップ５が最外形ではなく厚さの薄いエラストマー６とキャリアテープ４が最外形となるため、ゲート１６の位置は、図６（ａ）（ｂ）に示すように、ビームリード８の半導体チップ５の表面電極へのボンディング部に対応したキャリアテープ４と半導体チップ５間の隙間、或いはエラストマー６とリリースフィルム２間の隙間やキャリアテープ４とリリースフィルム２間の隙間などに対応して形成されている。
【００２５】
本発明は、上記実施の態様に限定されるものではなく、被成形品３としては、図８（ｂ）（ｃ）に示すように、リング２６やカン２７を使用したチップサイズパッケージ２５であっても良い。即ち、図８（ｂ）はキャリアテープ４に成形品の最外形を規定すべく半導体チップ５の四方を囲繞するリング２６が接合されており、該リング２６の一部を切欠いて形成されたゲート口２８より封止樹脂１１がリング２６と被形成品３との隙間に充填されて樹脂封止される。
図８（ｃ）はキャリアテープ４に成形品の最外形を規定すべく半導体チップ５を収容するカン２７が接合されており、該カン２７の一部を切欠いて形成されたゲート口２８より封止樹脂１１がカン２７と被成形品３との隙間に充填されて樹脂封止される。これらの場合にも、キャビティ凹部１４とリング２６やカン２７にゲート口２８を設けておくことで、同様にトランスファーモールドにより樹脂封止できる。
また、被形成品は、キャリアテープ４を用いたチップサイズパッケージ２５について説明したが、樹脂基板を用いたチップサイズパッケージ２５でも良く、更にはファンイン／ファンアウトタイプのμ−ＢＧＡの樹脂封止についても適用可能である等、発明の精神を逸脱しない範囲内でさらに多くの改変を施し得るのはもちろんのことである。
【００２６】
【発明の効果】
本発明は前述したように、チップサイズパッケージをベースフィルムに支持したままキャビティ凹部の被成形品との間に形成される隙間位置に開口するゲートよりトランスファーモールドにより所定の樹脂圧で封止樹脂が充填されて樹脂封止できるので、ポッティングに比べて封止樹脂の硬化時間が早く、生産性を向上させることができる。特に、封止樹脂に適正な樹脂圧を印加しながら樹脂封止することができるので、エアが混入し難く、ボイドが発生しても微小に抑えることができるので、成形品質を向上させることができる。
また、半導体チップが最外形ではなく厚さの薄い電気的絶縁層と基板が最外形となるチップサイズパッケージにおいては、封止樹脂が被成形品の最外形に充填される場合であっても、成形品のばらつきを抑えて一定の形状に樹脂成形できるので、成形品のハンドリングも向上させることができる。
また被成形品を柔軟性のあるリリースフィルムを介してモールド金型によりクランプするので、半導体装置の外部接続端子や、半導体チップの外面に過大な圧力を加えることなくクランプできるので、被成形品を損傷することなく樹脂封止できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】樹脂封止装置の主要部の構成を示す正面説明図である。
【図２】被成形品の製造工程及びリリースフィルムを介してモールド金型にクランプされた状態を示す説明図である。
【図３】被成形品の平面図である。
【図４】被成形品の樹脂封止工程を示す上視図及び矢印Ａ−Ａ断面図である。
【図５】モールド金型によりクランプされた被成形品を矢印Ｂ−Ｂ方向及び矢印Ｃ−Ｃ方向から見た断面図、被成形品の上視図及び矢印Ｄ−Ｄ断面図である。
【図６】他例に係る被成形品の樹脂封止工程を示す上視図及び矢印Ｅ−Ｅ断面図である。
【図７】モールド金型によりクランプされた他例に係る被成形品を矢印Ｆ−Ｆ方向及び矢印Ｇ−Ｇ方向から見た断面図、被成形品の上視図及び矢印Ｈ−Ｈ断面図である。
【図８】樹脂封止された各種チップサイズパッケージの構成を示す説明図である。
【図９】従来の樹脂封止された各種チップサイズパッケージの構成を示す説明図である。
【符号の説明】
１ モールド金型
２ リリースフィルム
３ 被成形品
４ キャリアテープ
５ 半導体チップ
６ エラストマー
７ 配線パターン
８ ビームリード
９ 上型
１０ 下型
１１ 封止樹脂
１２ ポット
１３ プランジャ
１４ キャビティ凹部
１５ 樹脂路
１６ ゲート
１７ キャビティ吸着孔
１８ 吸着孔
１９ モールドベース
２０ キャピタリ
２１ ボンディングツール
２２ はんだボール
２３ ビームリードウィンドウ
２４ スプロケットホール
２５ チップサイズパッケージ
２６ リング
２７ カン
２８ ゲート口
【発明の属する技術分野】
本発明は、チップサイズパッケージの樹脂封止方法及び樹脂封止装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体チップとほぼ同サイズに形成されるチップサイズパッケージ（ＣＳＰ）の構成について図９を参照して説明する。図９（ａ）は、配線パターン５１が形成されたベースフィルム（キャリアテープ等）５２に電気的絶縁層（エラストマー等）５３を介して半導体チップ５４の表面電極が形成された面が搭載されている。この電気的絶縁層５３より延出した配線パターン５１の一部であるリード５５が表面電極５６に接続され、該リード５５の露出部分及び半導体チップ５４、電気的絶縁層５３、ベースフィルム５２などの側面を含む隙間を封止樹脂５７により樹脂封止されてなる。ベースフィルム５２に露出成形された配線パターン５１には外部接続端子となるはんだボール５８が接合されている。
【０００３】
半導体チップ５４の表面電極５６に接続されるリード５５や半導体チップ５４、電気的絶縁層５３、ベースフィルム５２などの側面に充填される封止樹脂５７は、通常ポッティングにより充填されている。これは、チップサイズパッケージの場合、半導体チップ５４が電気的絶縁層５３を介してベースフィルム５２上に搭載されているため、通常のトランスファーモールド法で樹脂封止したのでは、被成形品が確実に挟圧できず、不要部分に樹脂バリが生じ、樹脂封止後にランナーを剥離したりゲートブレイクしたりした際に、配線パターン５１を損傷するおそれがあるためである。
【０００４】
図９（ｂ）はチップサイズパッケージの他の製品例として、半導体チップ５４を矩形枠状に形成したリング５９の内側に収納してポッティングにより樹脂封止して構成した例、図９（ｃ）はカン６０に半導体チップ５４を収容してポッティングにより樹脂封止して構成した例である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
近年、半導体チップ内の配線が微細化（0.35→0.25→0.18→0.13μｍ）しているのに対して、チップサイズパッケージの半導体チップ５４と外部接続端子となるはんだボール５８のボールピッチが0.5mm （はんだボール直径0.3mm ）がベースフィルム５２への実装上の最小ピッチであり、チップ面積の方が実装面積より小さくなってきている。
このように、半導体チップ５４の面積の方が実装面積より小さくなってきたことから、半導体チップ５４の表面電極５６が中央部に設けられて配線パターン５１に接続するリード５５がボンディングされるチップサイズパッケージが提案されている。
【０００６】
しかしながら、従来のチップサイズパッケージは、ポッティングにより樹脂封止していたため、封止樹脂が硬化するまでに時間がかかり、生産性が悪いという課題があった。
また、ポッティングによる場合は、封止樹脂を注入する際にエアを巻き込み易く、ボイドが発生し易いという課題もあった。また、樹脂封止時に樹脂圧を印加できないため、ボイドを小さくすることができないため、封止樹脂と半導体チップ及び電気的絶縁層との接着性は樹脂の親和性のみによっている。
また、ポッティングによる場合には、封止樹脂が充填される被成形品の外形形状にばらつきがあるため、ハンドリングも悪いという課題もあった。
特に、半導体チップが最外形ではなく厚さの薄いエラストマーとキャリアテープが最外形となるチップサイズパッケージにあっては、成形品の外形形状にばらつきが生じ易い。
【０００７】
本発明の目的は、上記従来技術の課題を解決し、生産性を向上させると共にボイドの生じ難い成形品質を向上させたチップサイズパッケージの樹脂封止方法及び樹脂封止装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記目的を達成するため次の構成を備える。
即ち、配線パターンが形成されたベースフィルムに電気的絶縁層を介して半導体チップが表面電極形成面より接合され、前記配線パターンが前記表面電極に電気的に接続された被成形品が樹脂封止されてなるチップサイズパッケージの樹脂封止方法において、モールド金型のキャビティ凹部の外形寸法は、前記半導体チップの外形寸法より大きく形成されており、リリースフィルムがパーティング面に張設された当該モールド金型に、前記被形成品の前記半導体チップがキャビティ凹部内に収容され、前記ベースフィルムが前記モールド金型によりリリースフィルムを介してクランプされたまま、前記キャビティ凹部における所定の隙間位置で当該キャビティ凹部に向けて開口する複数のゲートより所定の樹脂圧で封止樹脂が充填されて樹脂封止され、前記ゲートが開口する所定の隙間位置は、少なくとも半導体チップの中央部に形成された表面電極へのボンディング部に対応したベースフィルムと半導体チップ間の隙間位置を含み、更には半導体チップの周囲に形成されたベースフィルムと半導体チップとの間に形成される隙間位置、電気的絶縁層とリリースフィルム間に形成される隙間位置若しくはベースフィルムとリリースフィルム間に形成される隙間位置のうちのいずれかを含むことを特徴とする。
【０００９】
また、被成形品は、キャリアテープに複数個の半導体チップがエラストマーを介して搭載され、前記配線パターンが前記半導体チップの中央部に形成された前記表面電極に電気的に接続されていても良く、キャリアテープに成形品の最外形を規定すべく前記半導体チップの四方を囲繞するリングが接合されており、該リングの一部を切欠いて形成されたゲート口より封止樹脂が前記リングと前記被形成品との隙間に充填されて樹脂封止されるようになっていても良く、或いはキャリアテープに成形品の最外形を規定すべく半導体チップを収容するカンが接合されており、該カンの一部を切欠いて形成されたゲート口より封止樹脂がカンと被成形品との隙間に充填されて樹脂封止されるようになっていてもよい。
【００１０】
また、チップサイズパッケージの樹脂封止装置においては、配線パターンが形成されたベースフィルムに電気的絶縁層を介して半導体チップが表面電極形成面より接合され、前記配線パターンが前記表面電極に電気的に接続された被成形品の前記ベースフィルムをクランプし、前記半導体チップがキャビティ凹部に収容されて形成される隙間位置に開口するゲートより封止樹脂が所定の樹脂圧で充填されて樹脂封止するモールド金型と、前記モールド金型の前記キャビティ凹部やポットを含むパーティング面に張設されるリリースフィルムと、前記リリースフィルムを前記モールド金型のパーティング面に吸着保持させるための吸着保持手段を有し、前記モールド金型のキャビティ凹部の外形寸法は、前記半導体チップの外形寸法より大きく形成されており、前記ベースフィルムがモールド金型によりリリースフィルムを介してクランプされたまま前記キャビティ凹部における所定の隙間位置で当該キャビティ凹部に向けて開口する複数のゲートより封止樹脂が充填されて樹脂封止され、前記ゲートが開口する所定の隙間位置は、少なくとも半導体チップの中央部に形成された表面電極へのボンディング部に対応したベースフィルムと半導体チップ間の隙間位置を含み、更には半導体チップの周囲に形成されたベースフィルムと半導体チップとの間に形成される隙間位置、電気的絶縁層とリリースフィルム間に形成される隙間位置若しくはベースフィルムとリリースフィルム間に形成される隙間位置のうちのいずれかを含むことを特徴とする。
【００１１】
また、被成形品は、キャリアテープに複数個の半導体チップがエラストマーを介して搭載され、前記配線パターンが前記半導体チップの中央部に形成された前記表面電極に接続されていても良く、キャリアテープに成形品の最外形を規定すべく前記半導体チップの四方を囲繞するリングが接合されており、該リングの一部を切欠いて形成されたゲート口より封止樹脂が前記リングと前記被形成品との隙間に充填されて樹脂封止されても良く、或いはキャリアテープに成形品の最外形を規定すべく前記半導体チップを収容するカンが接合されており、該カンの一部を切欠いて形成されたゲート口より封止樹脂が前記カンと前記被成形品との隙間に充填されて樹脂封止されても良い。
また、吸着保持手段は、モールド金型のパーティング面で開口する吸着孔と、キャビティ凹部の内底面で開口するキャビティ吸着孔とこれらに連絡するエア吸引機構を備えていても良い。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な実施の態様を添付図面に基づいて詳細に説明する。
本実施の態様は、半導体パッケージのうちチップサイズパッケージを樹脂封止する樹脂封止方法及び樹脂封止装置について説明するものとする。
図１は樹脂封止装置の主要部の構成を示す正面説明図、図２（ａ）は被成形品の製造工程を示す説明図、図２（ｂ）はリリースフィルムを介してモールド金型にクランプされた状態を示す説明図、図３は被成形品の平面図、図４（ａ）は被成形品の樹脂封止工程を示す上視図、図４（ｂ）は図４（ａ）の矢印Ａ−Ａ断面図、図５（ａ）はモールド金型によりクランプされた図５（ｃ）の被成形品を矢印Ｂ−Ｂ方向から見た断面図、図５（ｂ）はモールド金型によりクランプされた図５（ｃ）の被成形品を矢印Ｃ−Ｃ方向から見た断面図、図５（ｃ）は被成形品の上視図、図５（ｄ）は図５（ｃ）の矢印Ｄ−Ｄ断面図、図６（ａ）は他例に係る被成形品の樹脂封止工程を示す上視図、図６（ｂ）は図６（ａ）の矢印Ｅ−Ｅ断面図、図７（ａ）はモールド金型によりクランプされた図７（ｃ）の被成形品の矢印Ｆ−Ｆ方向から見た断面図、図７（ｂ）はモールド金型によりクランプされた図７（ｃ）の被成形品の矢印Ｇ−Ｇ方向から見た断面図、図７（ｃ）は被成形品の上視図、図７（ｄ）は図７（ｃ）の矢印Ｈ−Ｈ断面図、図８は樹脂封止された各種チップサイズパッケージの構成を示す説明図である。
【００１３】
先ず、図１を参照して樹脂封止装置の概略構成について説明する。本実施形態はトランスファーモールド法によってチップサイズパッケージを樹脂封止する装置であり、被成形品３をクランプするモールド金型１のパーティング面の所要部位にリリースフィルム２を被覆して樹脂封止するものである。
【００１４】
トランスファーモールド法によって樹脂封止される被成形品３は、配線パターンが形成された基板面に電気的絶縁層を介して半導体チップの表面電極形成面が搭載され、該電気的絶縁層より延出した前記配線パターンの一部であるリードが前記表面電極に接続されてなる。具体的には、図２に示すように、キャリアテープ４に複数個の半導体チップ５がエラストマー６を介して搭載され、配線パターン７の一部であるビームリード８が半導体チップ５の中央部に形成された表面電極（図示せず）に接続されてなる。尚、この半導体チップ５はキャリアテープ４に１個のみ搭載される場合もある。
【００１５】
９、１０はモールド金型１を形成する上型及び下型である。図１の中心線より左半分は上型９と下型１０がクランプした状態を示し、右半分に封止樹脂１１を充填した状態を示す。封止樹脂１１としては柱状の樹脂タブレットの他に顆粒樹脂、液体樹脂などを用いても良い。下型１０には、ポット１２が形成されており内部にプラジャ１３が可動に装備されている。また、下型１０にはキャビティ凹部１４が形成されており、半導体チップ５が収容される。また、キャビティ凹部１４の外形寸法は、半導体チップ５の外形寸法より大きく形成されており、ビームリード８の接続部分などキャビティ凹部１４内被成形品３との間に形成される隙間位置に開口するゲート１６より所定の樹脂圧で封止樹脂１１が充填されて樹脂封止される（図４（ｂ）、図５（ａ）（ｂ）参照）。封止樹脂１１は樹脂路１５が枝分かれ状に分岐して３か所に形成され、キャビティ凹部１４に開口するゲート１６より各々隙間に充填される。尚、ゲート１６の高さ位置は、上型９と下型１０の分割面より下側で、キャリアテープ４と半導体チップ５との間に形成されている。
【００１６】
リリースフィルム２は、上型９及び下型１０のキャビティ凹部１４やポット１２を含むパーティング面に張設される。このリリースフィルム２は上型９と下型１０のパーティング面にじかに封止樹脂１１を付着させず（樹脂バリを生じさせず）に樹脂封止できるため有効である。また、リリースフィルム２を介して被成形品３をモールド金型１によりクランプする際に、該被成形品３の外面を弾性的に押圧して挟圧するから被成形品３を損傷することなくクランプすることができる。リリースフィルム２は、後述するように、エア吸引によってキャビティ凹部１４の内面形状にならって吸着支持される柔軟性を有すると共に、金型の加熱温度に耐えられる耐熱性を有する。また、樹脂封止後に金型から容易に離型し、封止樹脂１１と容易に剥離できるものである必要がある。このようなフィルムとしては、例えばＦＥＰフィルム、フッ素含浸ガラスクロス、ＰＥＴフィルム、ＥＴＦＥフィルム、ポリ塩化ビニリジンなどが好適に用いられる。
【００１７】
モールド金型１には、リリースフィルム３をパーティング面に吸着保持させるための吸着保持手段が装備されている。具体的には、キャビティ凹部１４の内底面にはスリット状に開口するキャビティ吸着孔１７が形成されている。また、上型９及び下型１０のパーティング面には吸着孔１８が形成されている。これらキャビティ吸着孔１７及び吸着孔１８はモールドベース１９に設けられたエア流路を経由して図示しない外部エア吸引機構に接続されている。
【００１８】
次に、上述のように構成された樹脂封止装置を用いてチップサイズパッケージを樹脂封止する工程について、図１〜図５を参照して説明する。
先ず、図１において樹脂封止装置の型開きしたモールド金型１のパーティング面（上下面）にリリースフィルム２を張設する。このリリースフィルム２は、モールド金型１のキャビティ凹部１４やポット１２を含むパーティング面を覆うように張設される。リリースフィルム２としては、図示しない送り機構及び巻き取り機構を備えた長尺状のフィルムを用いても良く、或いは短冊状のリリースフィルムを図示しない搬送手段によりモールド金型１へ搬入しても良い。リリースフィルム２は、上型９及び下型１０に設けられた吸着孔１８やキャビティ吸着孔１７より吸引されてパーティング面に沿って吸着保持される。
【００１９】
またモールド金型１に搬入される被成形品３は、本実施例では図２（ａ）に示すように長尺状或いは短冊状のキャリアテープ４に複数個の半導体チップ５がエラストマー６を介して接着され、配線パターン７の一部であるビームリード８が半導体チップ５の中央部に形成された表面電極にボンディングツール２１によりボンディング接続されてなる。
具体的には、図３に示すように、キャリアテープ４のチップ搭載面と反対側面には外部接続端子となるはんだボール２２が搭載された接続端子エリアが両側に形成されておりその間に設けられたビームリードウィンドウ２３には、ビームリード８が両側接続端子エリアを接続するように架設されている。このビームリードウィンドウ２２に架設されたビームリード８を、図２（ａ）に示すキャピタリ２０により中央部より切断し、該切断端部をボンディングツール２１により半導体チップ５の表面電極に各々ボンディング接続される。また、キャリアテープ４は、両端側近傍に所定ピッチで設けられたスプロケットホール２４により図示しない送り機構によりピッチ送り可能になっている。
【００２０】
次に、モールド金型１のポット１２にリリースフィルム２を介して封止樹脂１１を供給すると共に、被成形品３を下型１０のキャビティ凹部１４に半導体チップ５が収容されるよう位置合わせして供給する。
そして、この被成形品３はキャリアテープ４がモールド金型１によりクランプされる。この状態を図２（ｂ）及び図４（ｂ）に示す。リリースフィルム２は、配線パターン７が形成されたキャリアテープ４を密封するようクランプすると共に、はんだボール２２が形成された接続端子形成面及び半導体チップ５の外面を弾性的に挟圧する。
【００２１】
次に、図４（ａ）及び図５（ａ）（ｂ）に示すキャビティ凹部１４に連結する樹脂路１５を介してポット１２に供給された封止樹脂１１をプランジャ１３を上動させて所定の樹脂圧を印加しながら充填して樹脂封止する。モールド金型１のキャビティ凹部１４の外径寸法は、半導体チップ５の外径寸法より大きく形成されており、半導体チップ５の周囲に形成された隙間位置でキャビティ凹部１４に開口するゲート１６より封止樹脂１１が所定の樹脂圧で充填されて樹脂封止される。本実施例ではエラストマー６やキャリアテープ４の外形面に形成された隙間まで樹脂封止される。また、半導体チップ５とリリースフィルム２との間に隙間が形成されていても良く、この場合には半導体チップ５の周囲が樹脂封止される。また、モールド金型１のキャビティ凹部１４に開口するゲート１６の位置は、図４（ｂ）に示すように、ビームリード８の半導体チップ５の表面電極へのボンディング部に対応したキャリアテープ４と半導体チップ５間の隙間、或いは図４（ａ）に示すように、エラストマー６とリリースフィルム２間の隙間やキャリアテープ４とリリースフィルム２間の隙間など半導体チップ５の周囲に形成される隙間位置に対応して形成されている。尚、モールド金型１に形成されるゲート１６の位置は、図５（ｃ）（ｄ）に示すように被成形品３の形状やサイズに応じて適宜変更可能である。本実施例は、半導体チップ５の四方及びビームリード８のボンディング部が樹脂封止される場合について例示してある。
【００２２】
封止樹脂１１は、ポット１２より樹脂路１５を経てゲート１６よりキャビティ凹部１４の隙間に所定の樹脂圧を印加されて充填され、加熱硬化される。そして、樹脂封止後、モールド金型１を型開きして、図示しないアンローダー等の搬出機構により取り出して、ゲートブレイクが行われ、不要樹脂を分離除去して成形品のみを取り出す。尚、成形品は、リリースフィルム２により覆われているので、モールド金型１からの離型性は極めて良い。この成形品は、後に図８（ａ）に示すようにチップサイズパッケージ２５として個々に分離される。
【００２３】
上記構成によれば、チップサイズパッケージ２５をキャリアテープ４に支持したままキャビティ凹部１４の被成形品３との間に形成される隙間位置に開口するゲート１６よりトランスファーモールドにより所定の樹脂圧で封止樹脂が充填されて樹脂封止できるので、ポッティングに比べて封止樹脂１１の硬化時間が早く、生産性を向上させることができる。特に、封止樹脂１１に適正な樹脂圧を印加しながら樹脂封止できるので、エアが混入し難く、ボイドが発生しても微小に抑えることができるので、成形品質を向上させることができる。
また、半導体チップ５が最外形ではなく厚さの薄いエラストマー６とキャリアテープ４が最外形となるチップサイズパッケージにおいては、封止樹脂１１が被成形品３の最外形に充填されても、成形品のばらつきを抑えて一定の形状に樹脂成形できるので、成形品のハンドリングも向上させることができる。
また被成形品３を柔軟性のあるリリースフィルム２を介してモールド金型１によりクランプするので、半導体装置の外部接続端子や、半導体チップ５の外面に過大な圧力を加えることなくクランプできるので、被成形品３を損傷することなく樹脂封止できる。
【００２４】
上記実施例は、被成形品３として半導体チップ５の四方を樹脂封止する場合について説明したが、図６及び図７には、半導体チップ５の長手方向の側面に形成された隙間に封止樹脂１１が充填されて樹脂封止される場合を例示する。
この場合にも半導体チップ５が最外形ではなく厚さの薄いエラストマー６とキャリアテープ４が最外形となるため、ゲート１６の位置は、図６（ａ）（ｂ）に示すように、ビームリード８の半導体チップ５の表面電極へのボンディング部に対応したキャリアテープ４と半導体チップ５間の隙間、或いはエラストマー６とリリースフィルム２間の隙間やキャリアテープ４とリリースフィルム２間の隙間などに対応して形成されている。
【００２５】
本発明は、上記実施の態様に限定されるものではなく、被成形品３としては、図８（ｂ）（ｃ）に示すように、リング２６やカン２７を使用したチップサイズパッケージ２５であっても良い。即ち、図８（ｂ）はキャリアテープ４に成形品の最外形を規定すべく半導体チップ５の四方を囲繞するリング２６が接合されており、該リング２６の一部を切欠いて形成されたゲート口２８より封止樹脂１１がリング２６と被形成品３との隙間に充填されて樹脂封止される。
図８（ｃ）はキャリアテープ４に成形品の最外形を規定すべく半導体チップ５を収容するカン２７が接合されており、該カン２７の一部を切欠いて形成されたゲート口２８より封止樹脂１１がカン２７と被成形品３との隙間に充填されて樹脂封止される。これらの場合にも、キャビティ凹部１４とリング２６やカン２７にゲート口２８を設けておくことで、同様にトランスファーモールドにより樹脂封止できる。
また、被形成品は、キャリアテープ４を用いたチップサイズパッケージ２５について説明したが、樹脂基板を用いたチップサイズパッケージ２５でも良く、更にはファンイン／ファンアウトタイプのμ−ＢＧＡの樹脂封止についても適用可能である等、発明の精神を逸脱しない範囲内でさらに多くの改変を施し得るのはもちろんのことである。
【００２６】
【発明の効果】
本発明は前述したように、チップサイズパッケージをベースフィルムに支持したままキャビティ凹部の被成形品との間に形成される隙間位置に開口するゲートよりトランスファーモールドにより所定の樹脂圧で封止樹脂が充填されて樹脂封止できるので、ポッティングに比べて封止樹脂の硬化時間が早く、生産性を向上させることができる。特に、封止樹脂に適正な樹脂圧を印加しながら樹脂封止することができるので、エアが混入し難く、ボイドが発生しても微小に抑えることができるので、成形品質を向上させることができる。
また、半導体チップが最外形ではなく厚さの薄い電気的絶縁層と基板が最外形となるチップサイズパッケージにおいては、封止樹脂が被成形品の最外形に充填される場合であっても、成形品のばらつきを抑えて一定の形状に樹脂成形できるので、成形品のハンドリングも向上させることができる。
また被成形品を柔軟性のあるリリースフィルムを介してモールド金型によりクランプするので、半導体装置の外部接続端子や、半導体チップの外面に過大な圧力を加えることなくクランプできるので、被成形品を損傷することなく樹脂封止できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】樹脂封止装置の主要部の構成を示す正面説明図である。
【図２】被成形品の製造工程及びリリースフィルムを介してモールド金型にクランプされた状態を示す説明図である。
【図３】被成形品の平面図である。
【図４】被成形品の樹脂封止工程を示す上視図及び矢印Ａ−Ａ断面図である。
【図５】モールド金型によりクランプされた被成形品を矢印Ｂ−Ｂ方向及び矢印Ｃ−Ｃ方向から見た断面図、被成形品の上視図及び矢印Ｄ−Ｄ断面図である。
【図６】他例に係る被成形品の樹脂封止工程を示す上視図及び矢印Ｅ−Ｅ断面図である。
【図７】モールド金型によりクランプされた他例に係る被成形品を矢印Ｆ−Ｆ方向及び矢印Ｇ−Ｇ方向から見た断面図、被成形品の上視図及び矢印Ｈ−Ｈ断面図である。
【図８】樹脂封止された各種チップサイズパッケージの構成を示す説明図である。
【図９】従来の樹脂封止された各種チップサイズパッケージの構成を示す説明図である。
【符号の説明】
１ モールド金型
２ リリースフィルム
３ 被成形品
４ キャリアテープ
５ 半導体チップ
６ エラストマー
７ 配線パターン
８ ビームリード
９ 上型
１０ 下型
１１ 封止樹脂
１２ ポット
１３ プランジャ
１４ キャビティ凹部
１５ 樹脂路
１６ ゲート
１７ キャビティ吸着孔
１８ 吸着孔
１９ モールドベース
２０ キャピタリ
２１ ボンディングツール
２２ はんだボール
２３ ビームリードウィンドウ
２４ スプロケットホール
２５ チップサイズパッケージ
２６ リング
２７ カン
２８ ゲート口
Claims (9)
- 配線パターンが形成されたベースフィルムに電気的絶縁層を介して半導体チップが表面電極形成面より接合され、前記配線パターンが前記表面電極に電気的に接続された被成形品が樹脂封止されてなるチップサイズパッケージの樹脂封止方法において、
モールド金型のキャビティ凹部の外形寸法は、前記半導体チップの外形寸法より大きく形成されており、リリースフィルムがパーティング面に張設された当該モールド金型に、前記被形成品の前記半導体チップがキャビティ凹部内に収容され、
前記ベースフィルムが前記モールド金型によりリリースフィルムを介してクランプされたまま、前記キャビティ凹部における所定の隙間位置で当該キャビティ凹部に向けて開口する複数のゲートより所定の樹脂圧で封止樹脂が充填されて樹脂封止され、
前記ゲートが開口する所定の隙間位置は、少なくとも半導体チップの中央部に形成された表面電極へのボンディング部に対応したベースフィルムと半導体チップ間の隙間位置を含み、更には半導体チップの周囲に形成されたベースフィルムと半導体チップとの間に形成される隙間位置、電気的絶縁層とリリースフィルム間に形成される隙間位置若しくはベースフィルムとリリースフィルム間に形成される隙間位置のうちのいずれかを含むことを特徴とするチップサイズパッケージの樹脂封止方法。 - 前記被成形品は、キャリアテープに複数個の半導体チップがエラストマーを介して搭載され、前記配線パターンが前記半導体チップの中央部に形成された前記表面電極に電気的に接続されてなることを特徴とする請求項１記載のチップサイズパッケージの樹脂封止方法。
- 前記被成形品は、前記キャリアテープに成形品の最外形を規定すべく前記半導体チップの四方を囲繞するリングが接合されており、該リングの一部を切欠いて形成されたゲート口より封止樹脂が前記リングと前記被形成品との隙間に充填されて樹脂封止されることを特徴とする請求項１又は請求項２記載のチップサイズパッケージの樹脂封止方法。
- 前記被成形品は、前記キャリアテープに成形品の最外形を規定すべく前記半導体チップを収容するカンが接合されており、該カンの一部を切欠いて形成されたゲート口より封止樹脂が前記カンと前記被成形品との隙間に充填されて樹脂封止されることを特徴とする請求項１又は請求項２記載のチップサイズパッケージの樹脂封止方法。
- 配線パターンが形成されたベースフィルムに電気的絶縁層を介して半導体チップが表面電極形成面より接合され、前記配線パターンが前記表面電極に電気的に接続された被成形品の前記ベースフィルムをクランプし、前記半導体チップがキャビティ凹部に収容されて形成される隙間位置に開口するゲートより封止樹脂が所定の樹脂圧で充填されて樹脂封止するモールド金型と、
前記モールド金型の前記キャビティ凹部やポットを含むパーティング面に張設されるリリースフィルムと、
前記リリースフィルムを前記モールド金型のパーティング面に吸着保持させるための吸着保持手段を有し、
前記モールド金型のキャビティ凹部の外形寸法は、前記半導体チップの外形寸法より大きく形成されており、前記ベースフィルムがモールド金型によりリリースフィルムを介してクランプされたまま前記キャビティ凹部における所定の隙間位置で当該キャビティ凹部に向けて開口する複数のゲートより封止樹脂が充填されて樹脂封止され、
前記ゲートが開口する所定の隙間位置は、少なくとも半導体チップの中央部に形成された表面電極へのボンディング部に対応したベースフィルムと半導体チップ間の隙間位置を含み、更には半導体チップの周囲に形成されたベースフィルムと半導体チップとの間に形成される隙間位置、電気的絶縁層とリリースフィルム間に形成される隙間位置若しくはベースフィルムとリリースフィルム間に形成される隙間位置のうちのいずれかを含むことを特徴とするチップサイズパッケージの樹脂封止装置。 - 前記被成形品は、キャリアテープに複数個の半導体チップがエラストマーを介して搭載され、前記配線パターンが前記半導体チップの中央部に形成された前記表面電極に接続されてなることを特徴とする請求項５記載のチップサイズパッケージの樹脂封止装置。
- 前記被成形品は、前記キャリアテープに成形品の最外形を規定すべく前記半導体チップの四方を囲繞するリングが接合されており、該リングの一部を切欠いて形成されたゲート口より封止樹脂が前記リングと前記被形成品との隙間に充填されて樹脂封止されることを特徴とする請求項５又は請求項６記載のチップサイズパッケージの樹脂封止装置。
- 前記被成形品は、前記キャリアテープに成形品の最外形を規定すべく前記半導体チップを収容するカンが接合されており、該カンの一部を切欠いて形成されたゲート口より封止樹脂が前記カンと前記被成形品との隙間に充填されて樹脂封止されることを特徴とする請求項５又は請求項６記載のチップサイズパッケージの樹脂封止装置。
- 前記吸着保持手段は、前記モールド金型のパーティング面で開口する吸着孔と、キャビティ凹部の内底面で開口するキャビティ吸着孔とこれらに連絡するエア吸引機構を備えていることを特徴とする請求項５、６、７又は請求項８記載のチップサイズパッケージの樹脂封止装置。
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