WO2005077633A1 - 電子部品の樹脂封止方法およびそれに用いられる金型 - Google Patents

電子部品の樹脂封止方法およびそれに用いられる金型 Download PDF

Info

Publication number
WO2005077633A1
WO2005077633A1 PCT/JP2004/019164 JP2004019164W WO2005077633A1 WO 2005077633 A1 WO2005077633 A1 WO 2005077633A1 JP 2004019164 W JP2004019164 W JP 2004019164W WO 2005077633 A1 WO2005077633 A1 WO 2005077633A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
mold
substrate
resin
cavity
sealing
Prior art date
Application number
PCT/JP2004/019164
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Shinji Takase
Takashi Tamura
Yohei Onishi
Original Assignee
Towa Corporation
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Towa Corporation filed Critical Towa Corporation
Priority to US10/562,356 priority Critical patent/US7618573B2/en
Priority to DE112004002705T priority patent/DE112004002705T5/de
Publication of WO2005077633A1 publication Critical patent/WO2005077633A1/ja

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/565—Moulds
    • H01L21/566—Release layers for moulds, e.g. release layers, layers against residue during moulding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C33/00—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor
    • B29C33/56—Coatings, e.g. enameled or galvanised; Releasing, lubricating or separating agents
    • B29C33/68—Release sheets
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C43/00—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor
    • B29C43/02—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor of articles of definite length, i.e. discrete articles
    • B29C43/18—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor of articles of definite length, i.e. discrete articles incorporating preformed parts or layers, e.g. compression moulding around inserts or for coating articles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C43/00—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor
    • B29C43/32—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
    • B29C43/36—Moulds for making articles of definite length, i.e. discrete articles
    • B29C43/38—Moulds for making articles of definite length, i.e. discrete articles with means to avoid flashes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4912—Layout
    • H01L2224/49175—Parallel arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Definitions

  • the present invention relates to a resin sealing method for sealing a substrate on which electronic components are mounted with resin, and a mold used for the method.
  • a resin sealing method for an electronic component in which resin is introduced into a space in the mold by evacuating the mold to a vacuum is conventionally used.
  • the air in the mold is sucked by the suction device while the mold is clamped.
  • the resin spreads evenly in the mold, so that the resin can be molded favorably. Therefore, it is desirable to use both a method in which the above-described release film is used and a method in which the inside of the mold is vacuumed to form resin.
  • Patent Document 1 JP-A-2002-43345 (see page 15 and FIG. 13)
  • the inventor of the present application has invented a mold having a three-piece structure in order to use both a method using a release film and a method of making the inside of the mold a vacuum state.
  • the three-piece mold has an intermediate mold in addition to the upper mold and the lower mold.
  • the intermediate mold is inserted between the upper mold and the lower mold, and is used for pressing the release film against the lower mold during resin molding. Therefore, even when the resin is molded in a vacuum state in the mold, the release film is prevented from coming off the lower mold force and coming into contact with the electronic component.
  • the present invention has been made in view of the above-described problems, and has as its object to press a mold release film against a lower mold surface by an intermediate mold of a three-piece mold, and Prevents the cured resin from cracking near the inner surface of the cavity when the mold is opened in the resin sealing method for electronic components where resin is molded while the mold is empty. It is to be.
  • the resin sealing method for an electronic component according to the present invention includes an upper mold, a lower mold facing the upper mold, an intermediate mold provided between the upper mold and the lower mold, and a lower mold cavity. This is a method in which an electronic component is resin-sealed in a cavity using a release film to be coated.
  • a pre-sealing substrate in which electronic components are mounted on an upper mold is attached.
  • the lower mold and the intermediate mold sandwiching the release film the entire surface of the cavity is covered with the release film.
  • the upper mold, the lower mold and the intermediate mold are clamped, whereby the electronic component is immersed in the molten resin in the cavity.
  • the molten resin is cured to form a cured resin.
  • the upper mold, the lower mold, and the intermediate mold are opened. After sealing, in which the electronic component is encapsulated by the cured resin, the upper mold force is removed.
  • the resin is formed in a state where not only the bottom surface of the cavity but also the side surface of the cavity is covered with the release film. Therefore, the releasability between the cavity side surface and the cured resin is improved. Therefore, when the substrate is removed from the cavity after sealing, the cured resin is prevented from being damaged near the side surface of the cavity.
  • the mold of the present invention is used in the above-described resin sealing method for electronic components.
  • FIG. 1 is a diagram showing a substrate on which a resin-sealed semiconductor chip according to a first embodiment is mounted, in which a substrate before resin sealing is drawn on the left side and a substrate on the right side.
  • FIG. 3 is a diagram illustrating a substrate after sealing with grease.
  • FIG. 2 is a plan view showing a layout of the resin sealing device.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of the mold according to the embodiment, showing a state where an upper mold, a lower mold, and an intermediate mold are opened.
  • FIG. 4 is an enlarged sectional view of a main part of the mold shown in FIG. 3, showing a state in which a release film is held between a lower mold and an intermediate mold.
  • FIG. 5 is an enlarged sectional view of a main part of the mold shown in FIG. 3, showing a state where the substrate and the resin material shown in FIG. 1 are supplied into the mold.
  • FIG. 6 is an enlarged sectional view of a main part of the mold shown in FIG. 3, showing a state in which the substrate shown in FIG. 1 is mounted on the upper mold and the resin material is melted by heating in the cavity. It is.
  • FIG. 7 is a view of the upper mold shown in FIG. 6 as viewed from below, and shows a state where the substrate shown in FIG. 1 is mounted on the upper mold surface.
  • FIG. 8 is a view of the upper mold of FIG. 6 as viewed from below, and is a view of another example showing a state where the substrate shown in FIG. 1 is mounted on the upper mold surface.
  • FIG. 9 is an enlarged cross-sectional view of a main part of the mold shown in FIG. 3, showing a state when air in the mold is sucked and the inside of the mold is evacuated.
  • FIG. 10 is an enlarged sectional view of a main part of the mold shown in FIG. 3, showing a state immediately before the substrate shown in FIG. 1 is immersed in a molten resin.
  • FIG. 11 is an enlarged cross-sectional view of a main part of the mold shown in FIG. 3, showing a state where the mold is completely clamped and the substrate shown in FIG. 1 is completely immersed in molten resin .
  • FIG. 12 is an enlarged sectional view of a main part of the mold shown in FIG. 3, showing a state immediately after the resin-sealed substrate is separated from the lower mold.
  • FIG. 13 is an enlarged sectional view of a main part of the mold shown in FIG. 3, showing a state immediately after the substrate shown in FIG. 1 has been removed from the upper mold.
  • FIG. 14 is a diagram showing a substrate on which a resin-sealed semiconductor chip of Embodiment 2 is mounted, wherein a substrate before resin sealing is drawn on the left side, and resin-sealed on the right side.
  • FIG. 11 is a drawing depicting a later substrate.
  • FIG. 15 is an enlarged cross-sectional view of the mold according to the second embodiment, showing a state where the substrate shown in FIG. 14 is mounted on the upper mold surface.
  • FIG. 16 is an enlarged cross-sectional view of a main part of the mold according to the second embodiment, showing a state where the mold is completely clamped and the substrate shown in FIG. 14 is completely immersed in the molten resin. is there.
  • FIG. 17 is a view showing a substrate on which a resin-sealed semiconductor chip of Embodiment 3 is mounted, in which a substrate before resin sealing is drawn on the left side and resin-sealed on the right side.
  • FIG. 11 is a drawing depicting a later substrate.
  • FIG. 18 is an enlarged cross-sectional view of the mold according to Embodiment 3, showing a state where the substrate shown in FIG. 17 is mounted on the upper mold surface.
  • FIG. 19 is an enlarged cross-sectional view of a main part of the mold according to Embodiment 3, showing a state where the mold is completely clamped and the substrate shown in FIG. 17 is completely immersed in the molten resin. is there.
  • Substrate 1 is circular or polygonal.
  • chips 2 On one surface of the substrate 1, a plurality of semiconductor chips 2 (hereinafter, simply referred to as “chip 2”) are mounted.
  • the substrate 1 and the chip 2 are electrically connected by wires 3.
  • One surface of the substrate 11 after sealing is a sealing molding portion 7 in which the resin encapsulating the chip 2 is molded, and a portion around the sealing molding portion 7, and the resin is And the outer peripheral portion 8 of the substrate that is not formed.
  • the other surface of the substrate 1 located on the back side of the sealing molding 7 is a non-mounting surface 9 on which the chip 2 is not mounted.
  • the cured resin 10 is formed in the sealing molding part 7.
  • the substrate 1 is, for example, a BGA (Ball Grid Array) substrate, a CSP (Chip Size Package) substrate, or the like.
  • the resin sealing device 70 of the present embodiment has the mold 12.
  • the mold 12 is a mold for transferless molding, and has a three-piece structure.
  • the three-piece mold includes an upper mold 13, a lower mold 14, and an intermediate mold 15.
  • the mold 12 is mounted on a press unit 71.
  • the resin sealing device 70 has a function of supplying the pre-sealing substrate 4 and the resin material 5 into the mold 12 and a function of removing the substrate 11 from the mold 12 after sealing. Is provided. Before being transferred onto the loader unit 73, the pre-sealing substrate 4 is stored in the in-magazine unit 74. The resin material 5 is stored in the resin material unit 75 before being transferred to the loader unit 73. After sealing, the substrate 11 is taken out of the press unit 71 by the loader unit 73 and stored in the out magazine unit 76.
  • substrates 1 are placed on each of the in-magazine unit 74 and the out-magazine unit 76 with a space between each other.
  • a slit-type magazine cassette is provided. Further, in the resin sealing step of the first embodiment, substrate 1 is stored in a magazine cassette with sealing molding portion 7 facing downward.
  • the press unit 71 closes and opens the mold 12.
  • the lower mold 14 is moved upward and downward by a pressing means such as a mechanism using the pressure of the working fluid or an electric press mechanism.
  • the intermediate mold 15 is pressed by another pressing means different from the pressing means of the lower mold 14. Moved up and down.
  • the release film 17 moves from the sending section 22 to the winding section 23 along the direction indicated by the arrow in FIG.
  • the feeding section 22 and the winding section 23 can apply tension to the release film 17 or relax the tension of the release film 17.
  • the loader unit 73 includes a transfer unit 78 such as a mechanical chuck transfer mechanism or a robot arm transfer mechanism. Accordingly, the pre-sealing substrate 4 and the resin material 5 are transported by the transporting means 78 and move in the mold 12 in a substantially horizontal direction.
  • the upper part of the conveying means 78 is used for supplying the substrate 4 before sealing and taking out the substrate 11 after sealing, and the lower part of the conveying means 78 is used for supplying the resin material 5. .
  • the resin material unit 75 includes a storage unit (not shown) such as a resin stocker for storing the granular resin material 5 to be used. Further, a control unit 77 for controlling the above-described units 71 to 76 and a vacuum unit is provided.
  • the pre-sealing substrate 4 is transferred from the in-magazine unit 74 to the upper portion of the loader unit 73.
  • the resin material 5 is transferred from the resin material unit 75 to the lower portion of the loader unit 73.
  • the pre-sealing substrate 4 and the resin material 5 are transferred from the loader unit 73 to the press unit 71.
  • resin sealing of the pre-sealing substrate 4 is performed by the mold 12, whereby the post-sealing substrate 11 is obtained.
  • the substrate 11 after sealing is removed from the mold 12 and placed on the upper part of the loader unit 73. Thereafter, the substrate 11 is transferred from the loader unit 73 to the out magazine unit 76 after sealing.
  • the mold 12 of the present embodiment includes an upper mold 13, a lower mold 14, and an intermediate mold 15, as shown in FIG.
  • Upper die 13 does not move. Therefore, the position of the upper mold surface 18 of the upper mold 13 is fixed.
  • the lower mold 14 moves upward and downward.
  • the lower mold 14 includes a lower mold surface 19 and a convex portion 27 protruding from the lower mold surface 19.
  • the protrusion 27 has a cavity surface 26 .
  • the intermediate mold 15 is located between the upper mold 13 and the lower mold 14 and is moved upward and downward.
  • the intermediate mold 15 has an upper mold surface 24 and a lower mold surface 25. Further, as shown in FIG. 3, the intermediate mold 15 includes a housing portion 43 for housing the chuck member 37 holding the substrate 1 and a through hole 44 into which the lower mold 14 is inserted.
  • the upper die 13 includes a substrate mechanism 29, a seal member 30, and a suction / discharge hole 31.
  • the substrate mechanism 29 fixes the pre-sealing substrate 4 on the upper mold surface 18 with the chip 2 facing downward.
  • the seal member 30 closes the gap between the upper mold 13 and the intermediate mold 15 when the upper mold 13, the lower mold 14, and the intermediate mold 15 are clamped.
  • the suction / discharge hole 31 communicates with a vacuum mechanism that evacuates the space in the mold when the upper mold 13, the lower mold 14, and the intermediate mold 15 are clamped.
  • the substrate mechanism 29 of the upper mold 13 includes an adsorbing portion 32 that adsorbs the substrate 1 (the pre-sealing substrate 4 and the post-sealing substrate 11), and a narrower substrate 1. And a holding portion 33 to be held.
  • the substrate 1 is suctioned to the suction portion 32 of the upper die 13.
  • the suction section 32 includes a gas permeable member 34, a communication groove 35, and a suction / discharge hole 36.
  • the air-permeable member attracts the non-mounting surface 9 of the substrate 1.
  • the communication groove 35 communicates with the air-permeable member 34.
  • the suction / discharge hole 36 communicates with the communication groove 35 and is connected to a vacuum mechanism (not shown). The vacuum mechanism sucks the non-mounting surface 9 of the substrate 1 through the air-permeable member 34, the communication groove 35, and the suction / discharge hole 36.
  • the holding section 33 is provided between the suction section 32 and the seal member 30.
  • the outer peripheral portion 8 of the substrate 1 is placed on the holding portion 33.
  • the holding portion 33 includes a chuck member 37 having an opening corresponding to the chip 2, an attachment rod 38 attached to the chuck member 37, an elastic member 40 into which the attachment rod 38 is inserted, and a drive for driving the attachment rod 38. It has a member 39.
  • the lower die 14 is provided with a film mechanism 28.
  • the film mechanism 28 includes a permeable member 45, a communication groove 46 communicating with the permeable member 45, and a suction / discharge hole 47 communicating with the communication groove 46.
  • the suction / discharge hole 47 communicates with a vacuum cut (not shown) for sucking the release film 17.
  • the vacuum unit sucks the release film 17 toward the cavity surface 26 via the suction / discharge hole 47, the communication groove 46, and the air-permeable member 45. Goodbye
  • the release film 17 is in close contact with the cavity surface 26. Therefore, the release film 17 covering the entire surface of the cavity 16 is prevented from moving into the cavity space 20.
  • the film mechanism 28 discharges air from the cavity surface 26 via the suction / discharge hole 47, the communication groove 46, and the air-permeable member 45. Thereby, the substrate 11 is easily removed from the cavity surface 26 after the sealing.
  • the intermediate mold 15 moves downward. Thereby, the lower mold side mold surface 25 and the release film 17 come into contact with each other. Thereafter, the intermediate mold 15 moves further downward. As a result, as shown in FIG. 4, the release film 17 is held between the lower mold surface 25 and the upper surface of the holding member 49.
  • a mounting rod 50 that supports the holding member 49 is provided on the lower surface of the holding member 49.
  • An elastic member 55 for elastically supporting the cavity member 52 is provided below the cavity member 52.
  • the intermediate mold 15 is formed by the through holes 44 and the opening 48.
  • the release film 17 in the space abuts on the cavity member 52.
  • the cross-sectional shape of the cavity member 52 is an L-shape.
  • the L-shape consists of a vertical part and a horizontal part.
  • the vertical portion of the cavity member 52 is disposed around a contact portion 53 that comes into contact with the substrate outer peripheral portion 8 of the substrate 1 via the release film 17, and around the cavity surface 26, It has a cavity bottom surface 54a constituting a part of the bottom surface of the cavity 16 and a cavity side surface 54b constituting the side surface of the cavity 16.
  • the horizontal portion of the cavity member 52 has an upper surface that contacts the lower surface of the sandwiching member 49 and a lower surface that contacts the lower mold surface 19 when the cavity member 52 moves downward.
  • the elastic member 55 is connected to the lower surface of the horizontal portion of the cavity member 52 and is inserted into a recess provided in the lower die 14! RU
  • the cross-sectional shape of the integrated transfer means 78 is a horizontal U-shape, and FIG. 5 shows only the tip of the horizontal portion in the horizontal U-shape. Have been. Further, the pre-sealing substrate 4 is fixed to the upper part of the transfer means 78, and the resin material 5 is fixed to the lower part of the transfer means 78.
  • the release film 17 is connected to the intermediate mold 15 and the holding member 49 until the upper surface of the holding member 49 reaches a position lower than the contact portion 53 of the cavity member 52.
  • the intermediate mold 15 moves downward in a state where the intermediate mold 15 is held.
  • the release film 17 is applied to the entire surface of the cavity 16, that is, all of the cavity surface 26, the cavity bottom surface 54a, and the cavity side surface 54b. In close contact. Therefore, since the cavity side surface 54b is covered with the release film 17 that is not exposed, when the molten resin 6 is introduced into the cavity 16, the molten resin 6 and the cavity side surface 54b come into direct contact. None. That is, the molten resin 6 does not have a portion that contacts the lower mold 14. In other words, the molten resin 6 contains the chip 2 and is in contact only with the release film 17 and the pre-sealing substrate 4.
  • the mold releasability between the cavity side surface 54b and the cured resin 10 is improved. As a result, chipping or cracking of the cured resin 10 in the vicinity of the cavity side surface 54b is prevented.
  • the substrate 1 is held between the chuck member 37 and the upper die surface 18.
  • the chuck member 37 and the mounting rod 38 move upward and downward.
  • the chuck member 37 and the mounting rod 38 are driven by a driving member 39 and an elastic member 40.
  • the elastic member 40 wound around the mounting rod 38 is first in a contracted state.
  • the chuck member 37 is separated from the upper die surface 18 as shown in FIG.
  • the pre-sealing substrate 4 is supplied between the chuck member 37 and the upper die surface 18 by the transfer means 78.
  • the resin material 5 is transferred into the mold 12 by the transfer means 78 together with the pre-sealing substrate 4.
  • the resin material 5 supplied to the cavity space 20 is heated to become the molten resin 6.
  • the release film 17 is more reliably prevented from being wrinkled by the gravity of the molten resin 6, and is coated along the cavity surface 26.
  • the holding portion 33 is a force for holding the entire substrate outer peripheral portion 8 of the substrate 1 with the chuck member 37.
  • the substrate outer peripheral portion 8 may be pinched. Further, the substrate 1 may be fixed to the upper die 13 by the positioning holes 42 provided in the substrate outer peripheral portion 8 and the positioning pins inserted therein.
  • the upper mold side mold surface 24 comes into contact with the seal member 30.
  • the vacuum mechanism sucks the air in the outside air blocking space 21 through the suction / discharge hole 31 communicating with the outside air blocking space 21 in a state where the seal member 30 is compressed.
  • the contact portion 53 is inserted into the through hole 44, and contacts the outer peripheral portion 8 of the substrate via the release film 17, as shown in FIG.
  • the chip 2 together with the wire 3 is immersed in the molten resin 6 in the cavity space 20.
  • the contact portion 53 is in contact with the entire outer periphery 8 of the substrate. Therefore, in the state shown in FIG. 10, the molten resin 6 does not leak onto the outer peripheral portion 8 of the substrate.
  • resin sealing of the chip 2 is completed. Thereafter, when a predetermined time elapses, the molten resin 6 in the chip 2 is cured, and the cured resin 10 is formed.
  • the lower mold 14 and the intermediate mold 15 move downward in a state where the substrate 11 is separated from the cavity surface 26 after sealing. At this time, the substrate 11 is still mounted on the upper mold surface 18 after sealing.
  • the upper mold 13, the lower mold 14, and the intermediate mold 15 are opened.
  • the chuck member 37 is separated from the upper die surface 18.
  • the transfer means 78 removes the substrate 11 from the upper mold 13 after sealing.
  • the substrate 1 according to the second embodiment penetrates between a portion where the wire 3 and the substrate 1 are connected and a portion where the chip 2 and the substrate 1 are in contact with each other.
  • a hole 56 is formed.
  • the through-hole 56 is filled with the molten resin.
  • a release film 57 described later is used. It is.
  • the film unit 72 has a mechanism for transporting the release film 57 separately from the transport mechanism for the release film 17 as described later. Have.
  • release film 57 is attached to substrate 1 without mounting. It is supplied between the surface 9 and the upper die surface 18 of the upper die 13. The release film 57 moves in a direction perpendicular to the paper in FIGS. 15 and 16, similarly to the release film 17. Also, the non-mounting surface 9 and the release A slight adhesive layer may be provided on the surface of the release film 57 that is in contact with the non-mounting surface 9 so as not to form a gap with the lum 57. In this case, when the substrate 11 is removed from the upper die 13 after sealing, it is necessary to prevent the slightly adhesive layer from remaining on the non-mounting surface 9. When the release film 57 is coated on the non-mounting surface 9, resin sealing may be performed in a state where the release film 57 enters the through-hole 56.
  • substrate 1 is supplied between upper mold 13 and intermediate mold 15 with the surface on which chip 2 is mounted facing downward. . Thereafter, the release film 57 is adsorbed to the upper mold surface 18. Next, the non-mounting surface 9 of the substrate 1 is mounted on the upper die surface 18 via the release film 57.
  • the molten resin 6 is filled from the vicinity of the chip 2 to the inside of the through hole 56, the molten resin 6 is cured, and the resin sealing is completed. At this time, the molten resin 6 does not leak onto the non-mounting surface 9 due to the presence of the release film 57.
  • the suction unit 32 be switched to a state of sucking air and a state of discharging air.
  • the air discharged from the air-permeable member 34 pushes the release film 57 against the non-mounting surface 9 of the substrate 1.
  • the adhesiveness between the non-mounting surface 9 of the substrate 1 and the release film 57 is further increased, and the possibility that the resin flows over the non-mounting surface 9 is more reliably reduced.
  • the same reference numerals as those of the resin sealing molds of Embodiments 1 and 2 are given.
  • the portions have the same structures and functions as those of the portions denoted by the same reference numerals described in Embodiments 1 and 2, and therefore, description thereof will not be repeated. Therefore, in the present embodiment, mainly, the resin sealing method and the resin sealing method for the electronic components of the first and second embodiments are described. The difference from the mold used for this will be explained.
  • a plurality of chips 2 are provided on one surface, and a substrate before sealing from which wires 3 connected to the other surface force chip 2 protrude. 4 is used.
  • a through hole 58 is formed near the position where the substrate 1 and the chip 2 come into contact.
  • the substrate 11 after sealing includes a sealing molding portion 7 in which the cured resin 10 enclosing the chip 2 is formed, a sealing molding portion 59 enclosing only the wire 3, and a resin sealing molding. It has a substrate outer peripheral portion 8 that is not mounted and a non-mounting surface 9 on which the chip 2 is not mounted.
  • the sealing molding portion 7 on one surface is connected to the sealing molding portion 59 on the other surface through the through hole 58 as shown in FIG. Even resin flows out. After the sealing with the resin, the cured resin 10 is formed on one surface, and the substrate 11 after sealing with the cured resin 62 formed on the other surface is obtained.
  • the upper mold 13 of the third embodiment further includes an upper cavity 60 that is provided on the air-permeable member 34 and accommodates the wire 3 that also extends on the other surface of the substrate 1. This is the point that the mold 12 of the present embodiment is different from the mold 12 of the first and second embodiments. As shown in FIG. 18, a cavity forming member 61 having a concave portion corresponding to the position, size, and shape of the wire 3 is inserted into the upper die cavity 60.
  • the cavity forming member 61 may not be provided, and the air-permeable member 34 may be formed with a recess for accommodating the wire 3.
  • the upper mold surface 60 may be provided with the upper mold cavity 60 without the air-permeable member 34.
  • the release film 57 described in the above-described second embodiment is attached to the non-mounting surface 9 of the substrate 1 so that the molten resin 6 does not flow between the upper mold cavity 60 and the non-mounting surface 9 of the substrate 1. And between the upper mold surface 18.
  • the resin sealing method for an electronic component first, as shown in FIG. 18, substrate 1 is supplied between upper mold 13 and intermediate mold 15. Next, as shown in FIG. 19, the molten resin 6 is supplied to the cavity space 20. Thereafter, the lower mold 14 and the intermediate mold 15 move toward the upper mold 13 until the outer peripheral portion 8 of the substrate comes into contact with the contact portion 53 of the cavity member 52. As a result, the molten resin 6 flows from the sealing molding portion 7 on one surface to the sealing molding portion 59 on the other surface via the through hole 58. In this case, the cavity forming member 61 A projection (not shown) may be provided on the surface of the cavity forming member 61 so that the molten resin 6 does not go around.
  • the resin sealing method of the present embodiment also improves the releasability between the substrate 11 and the cavity 16 after sealing, so that the cured resin 10 is chipped and cracked. Is prevented.
  • the resin sealing method of the electronic component according to each of the above-described embodiments is used for resin sealing the wire-bonded chip 2. It can be applied to a flip chip substrate on which is mounted, or a resin sealing method of a resin sealing method for an wafer level package. In this case, the molten resin may be generated using the tablet-shaped resin material 5.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
  • Casting Or Compression Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)

Abstract

　本発明の電子部品（２）の樹脂封止方法においては、上型（１３）、下型（１４）、中間型（１５）、および離型フィルム（１７）が用いられる。離型フィルム（１７）は、下型（１４）と中間型（１５）とによって挟まれ、所定の張力がかけられ、下型（１４）のキャビティ（１６）を被覆する。このとき、キャビティ側面（５４ｂ）が離型フィルム（１７）によって被覆される。そのため、キャビティ側面（５４ｂ）と硬化樹脂（１０）との離型性が良好になる。その結果、キャビティ側面（５４ｂ）の近傍で硬化樹脂（１０）が損傷することが防止される。

Description

明 細 書
電子部品の樹脂封止方法およびそれに用いられる金型
技術分野
[0001] 本発明は、電子部品が搭載された基板を榭脂で封止する榭脂封止方法およびそ れに用いられる金型に関するものである。
背景技術
[0002] 従来から、トランスファーレス成形用の金型として、たとえば、後述する特許文献 1に 開示されているように、上型と下型とからなる二枚型構造の金型が用いられている。こ の二枚型構造の金型を用いた電子部品の榭脂封止方法においては、型開きのとき に榭脂成形品と金型とが離れないことに起因して生じる不具合を防止する必要があ る。そのため、溶融樹脂と金型との間に離型フィルム (リリースフィルム）が介在する状 態で、榭脂の成形が行なわれる。この場合、金型に設けられた複数の孔を介して離 型フィルムが吸引される。それによつて、離型フィルムが金型の表面に吸着される。し たがって、離型フィルムが金型の表面力 離れて電子部品に接触することが防止さ れる。その結果、電子部品が損傷することが防止される。
[0003] 一方、金型内を真空にすることによって、金型内の空間に榭脂を導入する電子部 品の榭脂封止方法も従来力も用いられている。この方法においては、金型が型締め された状態で、金型内の空気が吸引装置によって吸引される。この方法によれば、榭 脂が金型内にむらなくいきわたるため、榭脂の成形が良好に行なわれる。したがって 、前述の離型フィルムが用いられる方法および金型内を真空状態にして榭脂を成形 する方法の双方を用いることが望まし 、。
[0004] ただし、金型内が真空状態になると、金型の内部へ向力つて離型フィルムが吸引さ れる力が、吸引装置によって金型の表面に向力つて離型フィルムが吸引される力より も大きくなる場合がある。この場合には、離型フィルムが、金型内の電子部品に接触 するという不具合が生じてしまう。したがって、二枚型構造の金型が用いられる場合 には、離型フィルムが用いられる榭脂封止方法と金型内を真空状態にすることよって 榭脂を金型内に導入する榭脂封止方法とを併用することは困難である。 特許文献 1 :特開 2002-43345号公報 (第 15頁および図 13参照） 発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0005] そこで、本願の発明者は、離型フィルムを用いる方法および金型内を真空状態に する方法の双方を用いるために、三枚型構造の金型を発明した。
[0006] この三枚型の金型は、上型および下型以外に中間型を有している。中間型は、上 型と下型との間に挿入され、榭脂成形のときに、下型に対して離型フィルムを押し付 けるために用いられる。そのため、金型内が真空状態で榭脂の成形が行なわれても 、離型フィルムが下型力 離れて電子部品に接触することが防止される。
[0007] しカゝしながら、キヤビティの内側面は、離型フィルムを介することなぐ榭脂に直接接 触するため、キヤビティの内側面と樹脂との離型性 (リリースアビリティ）が悪い。したが つて、型開きのときに硬化樹脂が中間型の内側面力も離れないために、硬化樹脂が キヤビティの内側面の近傍で割れてしまうという不具合が生じる。
[0008] 本発明は、上述の問題に鑑みてなされたものであり、その目的は、三枚型構造の金 型の中間型によって下型の型面に離型フィルムが押し付けられ、かつ、金型内が真 空になっている状態で、榭脂が成形される電子部品の榭脂封止方法において、型開 きのときにキヤビティの内側面の近傍で硬化樹脂が割れてしまうことを防止することで ある。
課題を解決するための手段
[0009] 本発明の電子部品の榭脂封止方法は、上型と、上型に対向する下型と、上型と下 型との間に設けられた中間型と、下型のキヤビティを被覆する離型フィルムとを用い て、キヤビティ内において電子部品を榭脂封止する方法である。
[0010] 前述の方法においては、まず、上型に電子部品が装着された封止前基板が取り付 けられる。次に、下型と中間型とが離型フィルムを挟む状態で、離型フィルムによって キヤビティの全面が被覆される。その後、上型と下型および中間型とが型締めされ、 それによつて、キヤビティ内の溶融樹脂に電子部品が浸される。その後、溶融榭脂が 硬化し、硬化樹脂が形成される。次に、上型、下型、および中間型が型開きされる。 硬化榭脂によって電子部品が内包された封止後基板が上型力 取り外される。 [0011] この方法によれば、キヤビティの底面のみならずキヤビティ側面が離型フィルムによ つて被覆された状態で、榭脂の成形が行なわれる。そのため、キヤビティ側面と硬化 榭脂との離型性が良好となる。したがって、封止後基板をキヤビティから取り外すとき に、キヤビティ側面の近傍で硬化樹脂が損傷することが防止される。なお、本発明の 金型は、前述の電子部品の榭脂封止方法に用いられる。
[0012] この発明の上記および他の目的、特徴、局面および利点は、添付の図面と関連し て理解されるこの発明に関する次の詳細な説明から明らかとなるであろう。
図面の簡単な説明
[0013] [図 1]実施の形態 1の榭脂封止される半導体チップが搭載された基板を示す図であ つて、左側には榭脂封止前の基板が描かれ、右側には榭脂封止後の基板が描かれ た図である。
[図 2]榭脂封止装置のレイアウトを示す平面図である。
[図 3]実施の形態の金型の断面図であって、上型、下型、および中間型が型開きされ た状態を示す図である。
[図 4]図 3に示す金型の要部の拡大断面図であって、下型と中間型とによって離型フ イルムが狭持された状態を示す図である。
[図 5]図 3に示す金型の要部の拡大断面図であって、図 1に示す基板と榭脂材料とが 金型内に供給されている状態を示す図である。
[図 6]図 3に示す金型の要部の拡大断面図であって、図 1に示す基板が上型に装着 され、かつ、キヤビティ内で榭脂材料が加熱によって溶融した状態を示す図である。
[図 7]図 6に示す金型の上型を下側から見た図であって、図 1に示す基板が上型面に 装着された状態を示す図である。
[図 8]図 6に示す金型の上型を下側から見た図であって、図 1に示す基板が上型面に 装着された状態を示す他の例の図である。
[図 9]図 3に示す金型の要部の拡大断面図であって、金型内の空気が吸引され、金 型内が真空にされるときの状態を示す図である。
[図 10]図 3に示す金型の要部の拡大断面図であって、図 1に示す基板が溶融樹脂に 浸される直前の状態を示す図である。 [図 11]図 3に示す金型の要部の拡大断面図であって、金型が完全に型締めされ、図 1に示す基板が溶融樹脂に完全に浸された状態を示す図である。
[図 12]図 3に示す金型の要部の拡大断面図であって、榭脂封止後の基板が下型か ら離れた直後の状態を示す図である。
[図 13]図 3に示す金型の要部の拡大断面図であって、図 1に示す基板が上型から取 り外された直後の状態を示す図である。
[図 14]実施の形態 2の榭脂封止される半導体チップが搭載された基板を示す図であ つて、左側には榭脂封止前の基板が描かれ、右側には榭脂封止後の基板が描かれ た図である。
[図 15]実施の形態 2の金型の拡大断面図であって、図 14に示す基板が上型面に装 着された態を示す図である。
[図 16]実施の形態 2の金型の要部の拡大断面図であって、金型が完全に型締めされ 、図 14に示す基板が溶融樹脂に完全に浸された状態を示す図である。
[図 17]実施の形態 3の榭脂封止される半導体チップが搭載された基板を示す図であ つて、左側には榭脂封止前の基板が描かれ、右側には榭脂封止後の基板が描かれ た図である。
[図 18]実施の形態 3の金型の拡大断面図であって、図 17に示す基板が上型面に装 着された状態を示す図である。
[図 19]実施の形態 3の金型の要部の拡大断面図であって、金型が完全に型締めされ 、図 17に示す基板が溶融樹脂に完全に浸された状態を示す図である。
符号の説明
[0014] 1 基板、 2 半導体チップ、 4 封止前基板、 5 榭脂材料、 6 溶融榭脂、 7, 59 封止成形部、 10, 62 硬化榭脂、 11 封止後基板、 13 上型、 14 下型、 15 中間 型、 16 キヤビティ、 17, 57 離型フィルム。
発明を実施するための最良の形態
[0015] (実施の形態 1)
以下、図 1一図 11を参照しながら、実施の形態 1の榭脂封止方法およびそれに用 いられる金型を説明する。 [0016] 図 1を用いて、本実施の形態の榭脂封止方法を用いて榭脂封止される基板 1を説 明する。基板 1は、円形状または多角形状である。基板 1の一方の面には、複数個の 半導体チップ 2 (以下、単に「チップ 2」という。）が搭載されている。基板 1とチップ 2と は、ワイヤ 3によって電気的に接続されている。
[0017] 封止後基板 11の一方の面は、チップ 2を内包する榭脂が成形される封止成形部 7 と、封止成形部 7の周囲の部分であって、かつ、榭脂が成形されない基板外周部 8と を有している。封止成形部 7の裏側に位置する基板 1の他方の面は、チップ 2が装着 されない非装着面 9である。榭脂封止が終了した後には、封止成形部 7に硬化榭脂 1 0が形成される。なお、基板 1は、たとえば、 BGA(Ball Grid Array)基板および CSP ( Chip Size Package)基板等である。
[0018] 次に、図 2を用いて、本実施の形態の榭脂封止装置を説明する。本実施の形態の 榭脂封止装置 70は、金型 12を有している。金型 12は、トランスファーレス成形用の 金型であって、三枚型の構造の金型である。三枚型は、上型 13、下型 14、および中 間型 15からなる。金型 12は、プレスユニット 71に搭載されている。
[0019] 榭脂封止装置 70は、封止前基板 4および榭脂材料 5を金型 12内に供給する機能 と、封止後基板 11を金型 12から取り出す機能とを有するローダユニット 73を備えて いる。封止前基板 4は、ローダユニット 73上に移送される前においては、インマガジン ユニット 74に収納されている。榭脂材料 5は、ローダユニット 73に移送される前にお いては、榭脂材料ユニット 75に収納されている。封止後基板 11は、ローダユニット 73 によって、プレスユニット 71から取り出され、アウトマガジンユニット 76に収納される。
[0020] また、インマガジンユニット 74およびアウトマガジンユニット 76のそれぞれには、複 数枚の基板 1 (封止前基板 4または封止後基板 11)が互いに間隔を置いた状態で載 置されるスリット型のマガジンカセットが設けられている。また、基板 1は、本実施の形 態 1の榭脂封止工程においては、封止成形部 7が下方に向いた状態でマガジンカセ ットに収納される。
[0021] また、プレスユニット 71は、金型 12の型締めおよび型開きをする。下型 14は、作動 流体の圧力を利用した機構または電動プレス機構等のプレス手段によって、上下方 向に移動される。中間型 15は、下型 14のプレス手段とは別のプレス手段によって、 上下方向に移動される。
[0022] また、金型 12の近傍には、離型フィルム 17を送出す送出部 22と離型フィルム 17を 巻き取る卷取部 23とが設けられている。離型フィルム 17は、図 2に矢印で示す方向 に沿って、送出部 22から卷取部 23へ移動する。また、送出部 22および卷取部 23は 、離型フィルム 17に張力をかけたり、離型フィルム 17の張力を緩めたりすることができ る。
[0023] ローダユニット 73は、メカチャック搬送機構またはロボットアーム搬送機構等の搬送 手段 78を備えている。したがって、封止前基板 4および榭脂材料 5は、搬送手段 78 によって搬送され、金型 12内で、略水平方向に移動する。搬送手段 78の上側部分 は、封止前基板 4の供給および封止後基板 11の取り出しを行なうために用いられ、 搬送手段 78の下側部分は、榭脂材料 5を供給するために用いられる。
[0024] 榭脂材料ユニット 75は、使用される顆粒状の榭脂材料 5を収納するレジンストッカ 一等の収納部 (図示なし)を備えている。また、前述の各ユニット 71— 76および真空 ユニットを制御する制御ユニット 77が設けられている。
[0025] 本実施の形態の電子部品の榭脂封止方法の概要を説明する。
[0026] まず、インマガジンユニット 74からローダユニット 73の上側部分へ封止前基板 4が 移送される。次に、榭脂材料ユニット 75からローダユニット 73の下側部分へ榭脂材 料 5が移送される。その後、ローダユニット 73からプレスユニット 71へ封止前基板 4お よび榭脂材料 5が移送される。次に、金型 12にて封止前基板 4の榭脂封止が行なわ れ、それにより、封止後基板 11が得られる。
[0027] 次に、封止後基板 11は、金型 12から取り外され、ローダユニット 73の上側部分に 載置される。その後、ローダユニット 73からアウトマガジンユニット 76へ封止後基板 1 1が移送される。
[0028] 次に、図 3を用いて、本実施の形態の金型を説明する。
[0029] 本実施の形態の金型 12は、図 3に示すように、上型 13、下型 14、および中間型 15 を備えている。上型 13は移動しない。したがって、上型 13の上型面 18の位置は固 定されている。また、下型 14は、上方および下方に移動する。下型 14は下型面 19と 下型面 19から突出した凸部 27と含んでいる。凸部 27はキヤビティ面 26を有している 。中間型 15は、上型 13と下型 14との間に位置し、上方および下方に移動される。中 間型 15は、上型側金型面 24と、下型側金型面 25とを有している。また、中間型 15 は、図 3に示すように、基板 1を狭持したチャック部材 37を収容する収容部 43と、下 型 14が挿入される貫通孔 44とを備えて 、る。
[0030] また、上型 13は、基板機構 29、シール部材 30、および吸引排出孔 31を備えてい る。基板機構 29は、チップ 2が下方に向いた状態で、上型面 18に封止前基板 4を固 定する。シール部材 30は、上型 13、下型 14、および中間型 15が型締めされたとき に、上型 13と中間型 15との隙間を塞ぐ。吸引排出孔 31は、上型 13、下型 14、およ び中間型 15が型締めされたときに金型内の空間を真空状態にする真空機構に連通 している。
[0031] また、図 3に示すように、上型 13における基板機構 29は、基板 1 (封止前基板 4およ び封止後基板 11)を吸着する吸着部 32と、基板 1を狭持する挟持部 33とを備えてい る。
[0032] 上型 13の吸着部 32には、基板 1が吸着される。吸着部 32は、通気性部材 34、連 通溝 35、および吸引排出孔 36を備えている。通気性部材 34は、基板 1の非装着面 9を吸着する。連通溝 35は、通気性部材 34に連通している。吸引排出孔 36は、連通 溝 35に連通しているとともに、真空機構（図示なし）に接続されている。真空機構は、 通気性部材 34、連通溝 35、および吸引排出孔 36を介して基板 1の非装着面 9を吸 引する。
[0033] 挟持部 33は、吸着部 32とシール部材 30との間に設けられている。挟持部 33は、 基板 1の基板外周部 8が載置される。挟持部 33は、チップ 2に対応する開口を有する チャック部材 37と、チャック部材 37に取付けられた取付棒 38と、取付棒 38が挿入さ れた弾性部材 40と、取付棒 38を駆動する駆動部材 39とを有して 、る。
[0034] 一方、下型 14には、フィルム機構 28が設けられて 、る。フィルム機構 28は、通気性 部材 45と、通気性部材 45に連通する連通溝 46と、連通溝 46に連通する吸引排出 孔 47とを含んでいる。吸引排出孔 47は、離型フィルム 17を吸引するための真空ュ- ット（図示なし）に連通している。真空ユニットは、吸引排出孔 47、連通溝 46、通気性 部材 45を介して離型フィルム 17をキヤビティ面 26に向かって吸引する。それによつ て、離型フィルム 17は、キヤビティ面 26に密着する。したがって、キヤビティ 16の全面 に被覆される離型フィルム 17がキヤビティ空間 20内へ移動することが防止される。
[0035] また、フィルム機構 28は、吸引排出孔 47、連通溝 46、通気性部材 45を介してキヤ ビティ面 26から空気を吐出する。それによつて、封止後基板 11はキヤビティ面 26か ら容易に取り外される。
[0036] 次に、図 4一図 11を用いて、金型 12の型締め時の動作および金型 12の詳細構造 を説明する。
[0037] 型締め時においては、まず、中間型 15が下方へ移動する。それにより、下型側金 型面 25と離型フィルム 17とが接触する。その後、中間型 15がさらに下方へ移動する 。それにより、図 4に示すように、下型側金型面 25と挟持部材 49の上面とによって、 離型フィルム 17が狭持される。なお、挟持部材 49の下面には、挟持部材 49を支持 する取付棒 50が設けられている。また、キヤビティ部材 52の下側には、キヤビティ部 材 52を弾性的に支持する弾性部材 55が設けられている。
[0038] 図 3に示す型開き状態では、挟持部材 49の上面が下型 14よりも上方に位置し、弹 性部材 55が伸張した状態になっているが、一方、下型 14と中間型 15とが型締めさ れると、図 4に示すように、挟持部材 49および取付棒 50が下方へ移動することによつ て、弾性部材 55が縮んだ状態になる。
[0039] 次に、中間型 15と挟持部材 49とによって離型フィルム 17が狭持された状態で、さ らに中間型 15が下方へ移動すると、貫通孔 44と開口部 48とによって形成された空 間内の離型フィルム 17が、キヤビティ部材 52に当接する。
[0040] キヤビティ部材 52は、凸部 27部分を囲むように設けられているため、下型 14と中間 型 15との間において上方および下方に移動することが可能である。なお、キヤビティ 部材 52の断面形状は、 L字型形状である。その L字型は、垂直部分と水平部分とで 構成される。
[0041] キヤビティ部材 52の垂直部分は、図 5に示すように、離型フィルム 17を介して基板 1 の基板外周部 8に当接する当接部位 53と、キヤビティ面 26の周囲に配置され、キヤ ビティ 16の底面の一部を構成するキヤビティ底面 54aと、キヤビティ 16の側面を構成 するキヤビティ側面 54bとを有して 、る。 [0042] また、キヤビティ部材 52の水平部分は、挟持部材 49の下面と当接する上面と、キヤ ビティ部材 52が下方へ移動すると下型面 19に当接する下面とを有して 、る。なお、 弾性部材 55は、キヤビティ部材 52の水平部分の下面に接続されるとともに、下型 14 に設けられた凹部に挿入されて！、る。
[0043] 次に、中間型 15と挟持部材 49とによって離型フィルム 17が狭持された状態で、さ らに中間型 15が下方へ移動すると、図 5に示すように、挟持部材 49の下面と、キヤビ ティ部材 52の水平部分とが当接する。このとき、キヤビティ 16の全面が離型フィルム 1 7によって被覆される。また、フィルム機構 28によって、キヤビティ面 26に離型フィル ム 17が吸着される。それにより、キヤビティ 16内に、図 5に示すキヤビティ空間 20が 形成される。
[0044] なお、本実施の形態 1においては、一体型の搬送手段 78の断面形状は横向きの U 字型であり、図 5においては、横向きの U字形状における水平部分の先端部のみが 示されている。また、搬送手段 78の上側部分に封止前基板 4が固定され、搬送手段 78の下側部分に榭脂材料 5が固定されている。
[0045] また、キヤビティ空間 20が形成されるときには、挟持部材 49の上面がキヤビティ部 材 52の当接部位 53よりも低い位置に至るまで、離型フィルム 17が中間型 15と挟持 部材 49とによって狭持された状態で、中間型 15が下方へ移動する。
[0046] また、フィルム機構 28が離型フィルム 17を下方へ強制的に吸引すると、離型フィル ム 17がキヤビティ 16の全面、すなわち、キヤビティ面 26、キヤビティ底面 54a、および キヤビティ側面 54bの全てに密着する。したがって、キヤビティ側面 54bは、露出する ことなぐ離型フィルム 17で被覆されているため、溶融榭脂 6がキヤビティ 16内に導 入されたときに溶融榭脂 6とキヤビティ側面 54bとが直接接触することがない。つまり、 溶融榭脂 6は、下型 14に接触する部分を有していない。言い換えれば、溶融榭脂 6 は、チップ 2を内包し離型フィルム 17と封止前基板 4とにのみ接触している。したがつ て、封止後基板 11が下型 14および中間型 15から取り外されるときに、キヤビティ側 面 54bと硬化榭脂 10との離型性が良好となる。その結果、キヤビティ側面 54bの近傍 で硬化榭脂 10に欠けまたはクラックが生じることが防止される。
[0047] 一方、上型 13においては、チャック部材 37と上型面 18との間で基板 1が狭持され るとき、チャック部材 37および取付棒 38が上方および下方へ移動する。チャック部材 37および取付棒 38は、駆動部材 39および弾性部材 40によって駆動される。
[0048] 挟持部 33が動作するときには、取付棒 38に巻き付けた弾性部材 40が、まず、縮ん だ状態になる。このとき、図 5に示すように、チャック部材 37は上型面 18から離れた 状態になる。この状態で、封止前基板 4が、搬送手段 78によって、チャック部材 37と 上型面 18との間に供給される。このとき、封止前基板 4とともに榭脂材料 5も、搬送手 段 78によって、金型 12内に搬送される。
[0049] その後、図 6に示すように、キヤビティ空間 20に供給された榭脂材料 5が加熱され 溶融榭脂 6となる。このとき、離型フィルム 17は、溶融榭脂 6の重力によって、より一層 確実にフィルム皺の発生が防止され、キヤビティ面 26に沿って被覆される。
[0050] なお、挟持部 33は、図 7に示すように、基板 1の基板外周部 8の全体をチャック部材 37で狭持するものである力 図 8に示すように、チャック爪 41によって、基板外周部 8 が狭持されてもよい。また、基板外周部 8に設けられた位置決め孔 42とそれに挿入さ れる位置決めピンとによって、基板 1が上型 13に固定されてもよい。
[0051] 次に、図 9に示すように、上型側金型面 24がシール部材 30に当接する。その後、 真空機構は、シール部材 30が圧縮された状態で、外気遮断空間 21内に連絡する吸 引排出孔 31を介して、外気遮断空間 21内の空気を吸引する。このとき、当接部位 5 3は、貫通孔 44内に挿入され、図 10に示すように、離型フィルム 17を介して基板外 周部 8に当接する。
[0052] それにより、ワイヤ 3とともに、チップ 2が、キヤビティ空間 20の溶融榭脂 6に浸される 。このとき、当接部位 53は基板外周部 8の全周に当接している。そのため、図 10に示 す状態においては、基板外周部 8上に溶融榭脂 6が漏出することがない。次に、図 1 1に示すように、チップ 2の榭脂封止が完了する。その後、所定時間が経過すると、チ ップ 2部分の溶融榭脂 6が硬化し、硬化榭脂 10が成形される。
[0053] 次に、封止後基板 11を下型 14および離型フィルム 17から離すために、下型 14が 下方へ移動すると、図 12に示すように、硬化榭脂 10に接触している離型フィルム 17 とキヤビティ面 26との間に隙間ができる。この状態で、フィルム機構 28の機能を利用 して、離型フィルム 17が吸引されることによって、封止後基板 11が離型フィルム 17 ( キヤビティ面 26)から完全に離される。
[0054] 次に、図示していないが、封止後基板 11がキヤビティ面 26から離れた状態で、下 型 14および中間型 15が下方へ移動する。このとき、上型面 18には、封止後基板 11 が装着されたままの状態である。
[0055] その後、上型 13と下型 14および中間型 15とが型開きされる。次に、封止後基板 11 を上型 13から取り外すために、チャック部材 37が上型面 18から離れる。この状態で 、図 13に示すように、搬送手段 78が、上型 13から封止後基板 11を取り外す。
[0056] (実施の形態 2)
次に、図 14一図 16を参照して、本発明の実施の形態 2の電子部品の榭脂封止方 法およびそれに用いられる金型を説明する。
[0057] なお、本実施の形態の榭脂封止用の金型においては、本実施の形態 1の榭脂封 止用の金型 12の参照符号と同一の参照符号が付されている部位は、実施の形態 1 で説明した同一の参照符号が付されている部位の構造および機能と同一の構造お よび機能を有するため、その説明は繰り返さない。したがって、本実施の形態におい ては、主に、実施の形態 1の電子部品の榭脂封止方法およびそれに用いられる金型 と異なる点の説明がなされる。
[0058] 本実施の形態 2の基板 1は、図 14に示すように、ワイヤ 3と基板 1とが接続されてい る部位とチップ 2と基板 1とが接触している部位との間に貫通孔 56が形成されている 。なお、榭脂封止においては、貫通孔 56に溶融樹脂が充填されるが、非装着面 9上 にまで溶融樹脂が漏れ出さな 、ようにするために、後述する離型フィルム 57が用いら れる。
[0059] 本実施の形態においては、フィルムユニット 72は、図 2には描かれていないが、後 述するように、離型フィルム 17の搬送機構とは別に離型フィルム 57を搬送する機構 を有している。
[0060] 本実施の形態の電子部品の榭脂封止方法においては、図 15および図 16に示すよ うに、上型面 18を被覆するために、離型フィルム 57が、基板 1の非装着面 9と上型 13 の上型面 18との間に供給される。離型フィルム 57は、離型フィルム 17と同様に、図 1 5および図 16において、紙面に垂直な方向に移動する。また、非装着面 9と離型フィ ルム 57との隙間を生じさせないために、離型フィルム 57の非装着面 9に接触する面 に、微粘着層が設けられていてもよい。この場合、封止後基板 11が上型 13から取り 外されるときに、微粘着層が非装着面 9に残存しないようにすることが必要である。ま た、離型フィルム 57が非装着面 9に被覆される場合には、貫通孔 56内に離型フィル ム 57が入り込んだ状態で榭脂封止が行なわれてもよい。
[0061] 本実施の形態においても、図 15に示すように、基板 1は、チップ 2が搭載された面 が下方に向いた状態で、上型 13と中間型 15との間に供給される。その後、離型フィ ルム 57が上型面 18に吸着される。次に、基板 1の非装着面 9が離型フィルム 57を介 して上型面 18に装着される。
[0062] 次に、図 16に示すように、チップ 2の近傍から貫通孔 56内まで溶融榭脂 6が充填さ れ、溶融榭脂 6が硬化し、榭脂封止が完了する。このとき、離型フィルム 57の存在に よって、溶融榭脂 6が非装着面 9上に漏れ出さない。
[0063] なお、 3枚金型が型締めされた状態になる直前に、吸着部 32は空気を吸引する状 態力 空気を吐き出す状態へ切換えられることが望ましい。それにより、通気性部材 34から吐き出される空気が基板 1の非装着面 9に向力つて離型フィルム 57を押し付 ける。その結果、基板 1の非装着面 9と離型フィルム 57との密着性がより一層高まり、 非装着面 9上に樹脂が廻り込むおそれがより確実に低減される。
[0064] 前述の本実施の形態の電子部品の榭脂封止方法によっても、封止後基板 11とキ ャビティ 16との間の離型性が向上するため、硬化榭脂 10に欠けおよびクラックが発 生することが防止される。
[0065] (実施の形態 3)
次に、図 17—図 19を参照して、本発明の実施の形態 3の電子部品の榭脂封止方 法およびそれに用いられる金型を説明する。
[0066] なお、本実施の形態の榭脂封止用の金型においては、本実施の形態 1および 2の 榭脂封止用の金型の参照符号と同一の参照符号が付されている部位は、実施の形 態 1および 2で説明した同一の参照符号が付されている部位の構造および機能と同 一の構造および機能を有するため、その説明は繰り返さない。したがって、本実施の 形態においては、主に、実施の形態 1および 2の電子部品の榭脂封止方法およびそ れに用いられる金型と異なる点の説明がなされる。
[0067] 本実施の形態においては、図 17に示すように、一方の面に複数個のチップ 2が設 けられ、他方の面力 チップ 2に接続されたワイヤ 3が突出する封止前基板 4が用い られる。本実施の形態の封止前基板 4には、基板 1とチップ 2とが接触する位置の近 傍に貫通孔 58が形成されて 、る。
[0068] また、封止後基板 11は、チップ 2を内包する硬化榭脂 10が形成される封止成形部 7と、ワイヤ 3のみを内包する封止成形部 59と、榭脂封止成形されない基板外周部 8 と、チップ 2が装着されない非装着面 9とを有している。また、本実施の形態の榭脂封 止方法においては、図 19に示すように、一方の面上の封止成形部 7から貫通孔 58 を介して他方の面上の封止成形部 59にも樹脂が流れ出る。榭脂封止後には、一方 の面上に硬化榭脂 10が形成され、他方の面上に硬化榭脂 62が形成された封止後 基板 11が得られる。
[0069] 本実施の形態 3の上型 13は、通気性部材 34に設けられ、基板 1の他方の面カも延 びるワイヤ 3を収容する上型キヤビティ 60をさらに備える。このことが、本実施の形態 の金型 12と実施の形態 1および実施の形態 2の金型 12とが異なっている点である。 上型キヤビティ 60内には、図 18に示すように、ワイヤ 3の位置、大きさ、および形状に 対応した凹部を有するキヤビティ形成部材 61が挿入されて ヽる。
[0070] ただし、キヤビティ形成部材 61が設けられず、通気性部材 34にワイヤ 3を収容する 凹部が形成されていてもよい。また、通気性部材 34が設けられず、上型面 18に上型 キヤビティ 60が設けられていてもよい。さらに、上型キヤビティ 60と基板 1の非装着面 9との間に溶融榭脂 6が回り込まないように、前述した実施の形態 2で説明された離 型フィルム 57が基板 1の非装着面 9と上型面 18との間に供給されてもよい。
[0071] 本実施の形態の電子部品の榭脂封止方法においては、まず、図 18に示すように、 上型 13と中間型 15との間に基板 1が供給される。次に、図 19に示すように、キヤビテ ィ空間 20に溶融榭脂 6が供給される。その後、基板外周部 8がキヤビティ部材 52の 当接部位 53に当接するまで、上型 13に向かって、下型 14および中間型 15が移動 する。それにより、一方の面の封止成形部 7上から貫通孔 58を介して他方の面の封 止成形部 59上に溶融榭脂 6が流れ込む。なお、この場合、キヤビティ形成部材 61の 周囲に溶融榭脂 6が廻り込まないように、キヤビティ形成部材 61の表面に突起（図示 なし）が設けられて 、てもよ 、。
[0072] 本実施の形態の電子部品の榭脂封止方法によっても、封止後基板 11とキヤビティ 16との間の離型性が良好となるため、硬化榭脂 10に欠けおよびクラックが発生する ことが防止される。
[0073] 前述の各実施の形態の電子部品の榭脂封止方法は、ワイヤボンデングされたチッ プ 2を榭脂封止するために用いられて 、るが、ワイヤ 3が無 、チップ 2が装着されたフ リップチップ基板、または、ゥエーハレベルパッケージの榭脂封止方法の榭脂封止に も適用することは可能である。この場合においては、タブレット状の榭脂材料 5を用い て、溶融樹脂が生成されてもよい。
[0074] この発明を詳細に説明し示してきた力 これは例示のためのみであって、限定ととつ てはならず、発明の精神と範囲は添付の請求の範囲によってのみ限定されることが 明らかに理解されるであろう。

Claims

請求の範囲
上型（13)と、前記上型（13)に対向する下型（14)と、前記上型（13)と下型（14)と の間に設けられた中間型（15)と、前記下型（14)のキヤビティ（16)を被覆する離型 フィルム（17)とを用いて、前記キヤビティ（16)内において電子部品（2)を榭脂封止 する方法であって、
前記上型（13)に前記電子部品（2)が装着された封止前基板 (4)を取り付けるステ ップと、
前記下型（14)と前記中間型（ 15)とが前記離型フィルム（17)を挟む状態で、前記 離型フィルム（17)によって前記キヤビティ（16)の全面（26, 54a, 54b)を被覆する ステップと、
前記上型（13)と前記下型（14)および前記中間型（15)とを型締めすることによつ て、前記キヤビティ（16)内の溶融榭脂 (6)に前記電子部品（2)を浸すステップと、 前記溶融榭脂 (6)を硬化させて、硬化榭脂（10)を形成するステップと、 前記上型（13)、前記下型（14)、および前記中間型（15)を型開きするステップと、 前記硬化榭脂 (10)によって前記電子部品（2)が内包された封止後基板（11)を前 記上型（13)力 取り外すステップとを備えた、電子部品の榭脂封止方法。
請求の範囲第 1項に記載の電子部品の榭脂封止方法に用いられる金型。
PCT/JP2004/019164 2004-02-13 2004-12-22 電子部品の樹脂封止方法およびそれに用いられる金型 WO2005077633A1 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/562,356 US7618573B2 (en) 2004-02-13 2004-12-22 Resin sealing method for electronic part and mold used for the method
DE112004002705T DE112004002705T5 (de) 2004-02-13 2004-12-22 Harzvergießverfahren für eine elektronische Komponente sowie bei diesem Verfahren verwendetes Formwerkzeug

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004-037179 2004-02-13
JP2004037179A JP4373237B2 (ja) 2004-02-13 2004-02-13 半導体チップの樹脂封止成形方法および樹脂封止成形用金型

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2005077633A1 true WO2005077633A1 (ja) 2005-08-25

Family

ID=34857747

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2004/019164 WO2005077633A1 (ja) 2004-02-13 2004-12-22 電子部品の樹脂封止方法およびそれに用いられる金型

Country Status (7)

Country Link
US (1) US7618573B2 (ja)
JP (1) JP4373237B2 (ja)
KR (2) KR20070087218A (ja)
CN (1) CN100469550C (ja)
DE (1) DE112004002705T5 (ja)
TW (1) TWI250593B (ja)
WO (1) WO2005077633A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101107843B1 (ko) * 2007-03-13 2012-02-09 토와 가부시기가이샤 전자 부품의 압축 성형 방법 및 그것에 사용되는 장치

Families Citing this family (49)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5004410B2 (ja) * 2004-04-26 2012-08-22 Ｔｏｗａ株式会社 光素子の樹脂封止成形方法および樹脂封止成形装置
JP5128047B2 (ja) * 2004-10-07 2013-01-23 Ｔｏｗａ株式会社 光デバイス及び光デバイスの生産方法
US7985357B2 (en) * 2005-07-12 2011-07-26 Towa Corporation Method of resin-sealing and molding an optical device
JP2007109831A (ja) * 2005-10-13 2007-04-26 Towa Corp 電子部品の樹脂封止成形方法
JP4953619B2 (ja) * 2005-11-04 2012-06-13 Ｔｏｗａ株式会社 電子部品の樹脂封止成形装置
JP2007251094A (ja) * 2006-03-20 2007-09-27 Towa Corp 半導体チップの樹脂封止成形装置
JP4474381B2 (ja) * 2006-05-15 2010-06-02 住友重機械工業株式会社 被成形品の落下防止機構
JP4836661B2 (ja) * 2006-05-17 2011-12-14 Ｔｏｗａ株式会社 電子部品の樹脂封止成形方法及び樹脂封止成形用金型
JP4858966B2 (ja) 2006-11-02 2012-01-18 Ｔｏｗａ株式会社 電子部品の圧縮成形方法及び成形装置
KR100803679B1 (ko) * 2006-11-15 2008-02-20 삼성전자주식회사 몰딩 구조물 제조 방법 및 기판 몰딩 방법 및 장치
JP4855307B2 (ja) * 2007-03-13 2012-01-18 Ｔｏｗａ株式会社 電子部品の圧縮成形方法
JP4855329B2 (ja) * 2007-05-08 2012-01-18 Ｔｏｗａ株式会社 電子部品の圧縮成形方法及び装置
US7915089B2 (en) * 2007-04-10 2011-03-29 Infineon Technologies Ag Encapsulation method
CN101623914B (zh) * 2008-07-11 2012-07-04 康准电子科技（昆山）有限公司 模内装饰的成型装置及成型方法
JP5036654B2 (ja) * 2008-07-22 2012-09-26 Ｔｏｗａ株式会社 半導体チップの圧縮成形方法
JP5140517B2 (ja) * 2008-08-07 2013-02-06 アピックヤマダ株式会社 樹脂モールド装置および樹脂モールド方法
KR101042692B1 (ko) * 2008-12-18 2011-06-20 세크론 주식회사 에폭시 몰딩 컴파운드를 트레이에 공급하는 방법
KR101102912B1 (ko) * 2009-11-05 2012-01-11 삼성전기주식회사 압축 몰딩 시스템
KR101101669B1 (ko) * 2009-12-01 2011-12-30 삼성전기주식회사 전자부품 제조장치 및 전자부품 제조방법
DE102010034923A1 (de) * 2010-08-20 2012-02-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Schichtverbunds aus einer Lumineszenzkonversionsschicht und einer Streuschicht
DE102010047454A1 (de) * 2010-10-04 2012-04-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Silikonfolie, Silikonfolie und optoelektronisches Halbleiterbauteil mit einer Silikonfolie
DE102010049312B4 (de) 2010-10-22 2023-08-03 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung eines Konversionsplättchens und Konversionsplättchen
JP5468574B2 (ja) * 2011-06-29 2014-04-09 Ｔｏｗａ株式会社 電子部品の樹脂封止成形方法及び装置
JP5658308B2 (ja) * 2013-05-21 2015-01-21 Ｔｏｗａ株式会社 圧縮成形方法
JP5944866B2 (ja) * 2013-06-20 2016-07-05 Ｔｏｗａ株式会社 電子部品の圧縮樹脂封止方法及び圧縮樹脂封止装置
JP5786918B2 (ja) * 2013-10-23 2015-09-30 第一精工株式会社 樹脂封止金型およびこれを用いた樹脂封止装置、樹脂封止方法
JP6270571B2 (ja) * 2014-03-19 2018-01-31 Ｔｏｗａ株式会社 シート樹脂の供給方法と半導体封止方法及び半導体封止装置
TW201540854A (zh) * 2014-04-23 2015-11-01 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 鍍膜方法
JP6017492B2 (ja) 2014-04-24 2016-11-02 Ｔｏｗａ株式会社 樹脂封止電子部品の製造方法、突起電極付き板状部材、及び樹脂封止電子部品
JP6310773B2 (ja) * 2014-05-22 2018-04-11 Ｔｏｗａ株式会社 樹脂成形装置及び樹脂成形方法
JP5944445B2 (ja) 2014-07-18 2016-07-05 Ｔｏｗａ株式会社 樹脂封止電子部品の製造方法、突起電極付き板状部材、樹脂封止電子部品、及び突起電極付き板状部材の製造方法
JP6307374B2 (ja) * 2014-07-22 2018-04-04 アピックヤマダ株式会社 成形金型、成形装置および成形品の製造方法
JP5975085B2 (ja) * 2014-10-20 2016-08-23 第一精工株式会社 樹脂封止用金型、樹脂封止装置および成形品の製造方法
JP6491508B2 (ja) * 2015-03-23 2019-03-27 Ｔｏｗａ株式会社 樹脂封止装置及び樹脂成形品の製造方法
CN106142800A (zh) * 2015-04-20 2016-11-23 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 成膜装置及成膜方法
JP6193951B2 (ja) * 2015-10-19 2017-09-06 Ｔｏｗａ株式会社 樹脂封止電子部品の製造方法及び樹脂封止電子部品の製造装置
JP6580519B2 (ja) 2016-05-24 2019-09-25 Ｔｏｗａ株式会社 圧縮成形装置、樹脂封止品製造装置、圧縮成形方法、及び樹脂封止品の製造方法
JP6827283B2 (ja) * 2016-08-03 2021-02-10 Ｔｏｗａ株式会社 成形型、樹脂成形装置及び樹脂成形品の製造方法
JP6423399B2 (ja) * 2016-09-27 2018-11-14 アピックヤマダ株式会社 樹脂成形方法、フィルム搬送装置および樹脂成形装置
US20190109021A1 (en) * 2016-11-11 2019-04-11 Shin-Etsu Engineering Co., Ltd. Resin-sealing device and resin-sealing method
WO2018146755A1 (ja) * 2017-02-08 2018-08-16 信越エンジニアリング株式会社 樹脂封止装置及び樹脂封止方法
CN106672619A (zh) * 2017-02-15 2017-05-17 苏州迈瑞微电子有限公司 塑封料转运设备及方法
KR102471274B1 (ko) * 2018-02-13 2022-11-28 삼성전자주식회사 리플로우를 위한 스택 툴 및 이를 포함하는 리플로우 장치
JP6994445B2 (ja) * 2018-08-31 2022-01-14 Ｔｏｗａ株式会社 樹脂成形装置、離型フィルムの剥離方法、樹脂成形品の製造方法
JP7115160B2 (ja) * 2018-09-05 2022-08-09 日立金属株式会社 固定部材
CN109942862B (zh) * 2019-03-13 2020-12-18 浙江大学 一种基于油凝胶的深海耐高压柔性浮力材料及其应用、耐高压深海电子元器件及其制备方法
JP7134926B2 (ja) * 2019-07-10 2022-09-12 Ｔｏｗａ株式会社 樹脂成形装置、及び樹脂成形品の製造方法
CN112976666B (zh) * 2019-12-12 2022-07-26 东莞市天贺电子科技有限公司 一种应用于压缩成形的模具上的动平衡缓冲机构
JP7444453B2 (ja) 2020-11-25 2024-03-06 アピックヤマダ株式会社 樹脂封止装置及び樹脂封止方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1119938A (ja) * 1997-07-08 1999-01-26 Howa Kasei:Kk 表皮付発泡成形体の成形装置および表皮付発泡成形体の成形法
JP2000280298A (ja) * 1999-04-01 2000-10-10 Nec Corp 半導体素子用樹脂封止金型及び半導体素子の樹脂封止方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4618466A (en) * 1982-10-21 1986-10-21 Apsley Metals Limited Moulding apparatus
JP3282988B2 (ja) * 1997-05-01 2002-05-20 アピックヤマダ株式会社 樹脂モールド方法及び樹脂モールド装置
JP2971834B2 (ja) 1997-06-27 1999-11-08 松下電子工業株式会社 樹脂封止型半導体装置の製造方法
JP3017485B2 (ja) 1998-01-23 2000-03-06 アピックヤマダ株式会社 半導体装置の樹脂封止方法及び樹脂封止装置
JP3680005B2 (ja) 1998-07-10 2005-08-10 アピックヤマダ株式会社 半導体装置の製造方法及び樹脂封止装置
KR100611519B1 (ko) 1998-07-10 2006-08-11 아피쿠 야마다 가부시키가이샤 반도체 장치 제조 방법 및 수지 몰딩 장치
SG92685A1 (en) 1999-03-10 2002-11-19 Towa Corp Method of coating semiconductor wafer with resin and mold used therefor
US6306331B1 (en) * 1999-03-24 2001-10-23 International Business Machines Corporation Ultra mold for encapsulating very thin packages
US6438826B2 (en) 2000-02-10 2002-08-27 Towa Corporation Electronic component, method of sealing electronic component with resin, and apparatus therefor
JP3423912B2 (ja) 2000-02-10 2003-07-07 Ｔｏｗａ株式会社 電子部品、電子部品の樹脂封止方法、及び樹脂封止装置
US6439869B1 (en) * 2000-08-16 2002-08-27 Micron Technology, Inc. Apparatus for molding semiconductor components
JP4268389B2 (ja) * 2002-09-06 2009-05-27 Ｔｏｗａ株式会社 電子部品の樹脂封止成形方法及び装置
US7985357B2 (en) * 2005-07-12 2011-07-26 Towa Corporation Method of resin-sealing and molding an optical device

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1119938A (ja) * 1997-07-08 1999-01-26 Howa Kasei:Kk 表皮付発泡成形体の成形装置および表皮付発泡成形体の成形法
JP2000280298A (ja) * 1999-04-01 2000-10-10 Nec Corp 半導体素子用樹脂封止金型及び半導体素子の樹脂封止方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101107843B1 (ko) * 2007-03-13 2012-02-09 토와 가부시기가이샤 전자 부품의 압축 성형 방법 및 그것에 사용되는 장치
KR101162460B1 (ko) 2007-03-13 2012-07-04 토와 가부시기가이샤 전자 부품의 압축 성형 방법 및 그것에 사용되는 장치
KR101245393B1 (ko) * 2007-03-13 2013-03-19 토와 가부시기가이샤 전자 부품의 압축 성형 방법 및 그것에 사용되는 장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR20070087218A (ko) 2007-08-27
JP2005225133A (ja) 2005-08-25
TW200527555A (en) 2005-08-16
DE112004002705T5 (de) 2007-09-13
US7618573B2 (en) 2009-11-17
KR100844668B1 (ko) 2008-07-07
CN1832839A (zh) 2006-09-13
CN100469550C (zh) 2009-03-18
JP4373237B2 (ja) 2009-11-25
TWI250593B (en) 2006-03-01
US20060186576A1 (en) 2006-08-24
KR20060052812A (ko) 2006-05-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2005077633A1 (ja) 電子部品の樹脂封止方法およびそれに用いられる金型
JP4268389B2 (ja) 電子部品の樹脂封止成形方法及び装置
JP4326786B2 (ja) 樹脂封止装置
JP4174263B2 (ja) 樹脂モールド方法
KR101718605B1 (ko) 시트 수지의 공급 방법과 반도체 밀봉 방법 및 반도체 밀봉 장치
JP2005305954A5 (ja)
KR100931295B1 (ko) 전자 부품 몰딩 장치 및 전자 부품 몰딩 방법
JP2020026088A (ja) ワーク搬送装置、樹脂搬送装置及び樹脂モールド装置
JP3450223B2 (ja) 半導体装置封入用金型、及び、半導体装置封入方法
JP2005219297A (ja) 樹脂モールド方法および樹脂モールド装置
JP3569224B2 (ja) 樹脂封止方法及び樹脂封止装置
JP7029342B2 (ja) モールド金型、樹脂モールド装置及び樹脂モールド方法
JP2002059453A (ja) 樹脂封止方法及び樹脂封止装置
JP2004090580A (ja) 樹脂モールド金型および樹脂モールド装置
US6235113B1 (en) Apparatus and method for dispensing a liquid on electrical devices
JP3658258B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2005225067A (ja) 樹脂モールド方法および樹脂モールド装置
JP5027451B2 (ja) 半導体チップの樹脂封止成形方法
JP2000176967A (ja) 樹脂封止装置
JP7417429B2 (ja) 樹脂成形装置、樹脂成形品の製造方法
JP2005236133A (ja) 樹脂封止成形方法
JP7335647B2 (ja) ワーク搬送装置及び樹脂モールド装置
WO2023067878A1 (ja) 樹脂成形用成形型、樹脂成形装置、及び樹脂成形品の製造方法
KR20090081500A (ko) 전자 부품 몰딩 장치 및 전자 부품 몰딩 방법
JP4035240B2 (ja) チップサイズパッケージの樹脂封止方法及び樹脂封止装置

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 200480022231.7

Country of ref document: CN

AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AE AG AL AM AT AU AZ BA BB BG BR BW BY BZ CA CH CN CO CR CU CZ DE DK DM DZ EC EE EG ES FI GB GD GE GH GM HR HU ID IL IN IS KE KG KP KR KZ LC LK LR LS LT LU LV MA MD MG MK MN MW MX MZ NA NI NO NZ OM PG PH PL PT RO RU SC SD SE SG SK SL SY TJ TM TN TR TT TZ UA UG US UZ VC VN YU ZA ZM ZW

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): BW GH GM KE LS MW MZ NA SD SL SZ TZ UG ZM ZW AM AZ BY KG KZ MD RU TJ TM AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HU IE IS IT LT LU MC NL PL PT RO SE SI SK TR BF BJ CF CG CI CM GA GN GQ GW ML MR NE SN TD TG

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2006186576

Country of ref document: US

Ref document number: 10562356

Country of ref document: US

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1020067000842

Country of ref document: KR

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 1020067000842

Country of ref document: KR

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1120040027055

Country of ref document: DE

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 10562356

Country of ref document: US

122 Ep: pct application non-entry in european phase
RET De translation (de og part 6b)

Ref document number: 112004002705

Country of ref document: DE

Date of ref document: 20070913

Kind code of ref document: P

REG Reference to national code

Ref country code: DE

Ref legal event code: 8607