JP2000176967A - 樹脂封止装置 - Google Patents

樹脂封止装置

Info

Publication number
JP2000176967A
JP2000176967A JP35419198A JP35419198A JP2000176967A JP 2000176967 A JP2000176967 A JP 2000176967A JP 35419198 A JP35419198 A JP 35419198A JP 35419198 A JP35419198 A JP 35419198A JP 2000176967 A JP2000176967 A JP 2000176967A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
mold
release film
circuit board
sealing device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP35419198A
Other languages
English (en)
Inventor
Fumio Miyajima
文夫 宮島
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Apic Yamada Corp
Original Assignee
Apic Yamada Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Apic Yamada Corp filed Critical Apic Yamada Corp
Priority to JP35419198A priority Critical patent/JP2000176967A/ja
Publication of JP2000176967A publication Critical patent/JP2000176967A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched

Landscapes

  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
  • Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 被成形品が搭載されるインサートブロックが
フローティング支持されたモールド金型に張設されるリ
リースフィルムのゲート側端部位置にずれが生じても、
ディゲート位置を安定させた樹脂封止装置を提供する。 【解決手段】 回路基板6のゲート位置に対応する部位
に金めっき7が施された被成形品1をクランプして樹脂
封止するモールド金型8と、モールド金型8に収容され
た被成形品1のうち回路基板6上を通過して封止樹脂を
圧送する樹脂路13及び該封止樹脂が供給されるポット
11を含むパーティング面を覆うリリースフィルム3
と、リリースフィルム3をモールド金型8のパーティン
グ面に吸着保持させるための吸着保持手段とを備え、モ
ールド金型8には、被成形品1が搭載される下型インサ
ートブロック15が常時パーティング面に向かって付勢
されてフローティング支持されており、下型インサート
ブロック15に搭載された被成形品1のうち回路基板6
を覆う下型側リリースフィルム3のゲート側端部位置A
は、少なくとも金めっき7が施されたエリアと交差する
ように張設されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、被成形品としてチ
ップサイズパッケージ(CSP)を回路基板に搭載した
半導体パッケージ、マルチレイヤータイプの積層基板、
樹脂基板、テープ基板などに半導体チップを搭載したB
GAタイプの半導体パッケージ等の各種半導体パッケー
ジを製造するための樹脂封止装置に関する。
【0002】
【従来の技術】図6に示すように、回路基板51のラン
ド部にチップサイズパッケージ52がはんだボール53
等の外部接続端子を介して搭載された被形成品54を、
樹脂封止装置に搬入してはんだボール53が形成された
チップサイズパッケージ52と回路基板51との間の熱
膨張係数の差による応力を緩和するため、これらの隙間
をアンダーフィルモールドされている。この樹脂封止装
置は、トランスファーモールド装置であり、モールド金
型の上型55にキャビティ凹部56が形成されており、
下型57にポット58及びプランジャ59が可動に装備
されている。また、上型55及び下型57の上下のパー
ティング面には、リリースフィルム60が各々吸着保持
されている。
【0003】また、下型57の回路基板51が搭載され
る部位には下型インサートブロックとして可動支持ブロ
ック61が設けられている。この可動支持ブロック61
は、常時コイルバネ等の弾性部材により上方に付勢され
たフローティング構造により上下動可能になっている。
これは、回路基板51の厚さは製品によってばらつきが
あり、特に回路基板51上に形成されたレジスト層は弾
性があるためモールド金型によりクランプされると厚さ
がばらつき易く、この厚さの変動分をモールド金型側で
吸収しなければならないためである。可動支持ブロック
61には、搭載される回路基板51を位置決めするため
の位置決めピン62が立設されている。また、下型57
に形成されたポット58には、リリースフィルム60を
介して柱状の樹脂タブレットや顆粒状或いは液状樹脂な
どの封止樹脂が各々充填される。また、上型55及び下
型57には、リリースフィルム60を吸着保持するため
の吸着孔及びキャビティ吸着孔(いずれも図示せず)が
各々形成されており、リリースフィルム60はパーティ
ング面に張設される。リリースフィルム60は、送り機
構及び巻き取り機構に各々巻き取られる長尺状のもの或
いは短冊状に切断されたものいずれを用いてもよい。
【0004】このように構成された樹脂封止装置の型開
きしたモールド金型のパーティング面にリリースフィル
ム60を各々吸着保持した状態で、下型57に被成形品
54を搬入して回路基板51の位置決め穴(図示せず)
を位置決めピン62に挿通して位置決めする。また、ポ
ット58には封止樹脂がリリースフィルム60を介して
装填される。そして、モールド金型を型閉じして、半導
体チップ52がリリースフィルム60を介してキャビテ
ィ凹部56に収容され、回路基板51が上型55及び下
型57によりクランプされる。このとき、被形成品54
を支持する支持ブロック61は回路基板51の厚み分だ
け弾性部材の付勢力に抗して押し下げられる。そして、
プランジャ59が上動して封止樹脂を樹脂路に張設され
たリリースフィルム60を介してチップサイズパッケー
ジ52と回路基板51との間に充填されてアンダーフィ
ルモールドが行われていた。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】モールド金型のパーテ
ィング面にリリースフィルム60が吸着保持された状態
で、樹脂タブレットをポット58に装填すると、下型5
7側に張設されたリリースフィルム60のゲート側端部
位置Aがポット58側に引き寄せられてずれ易い。ま
た、被成形品54は、支持ブロック61にフローティン
グ構造により可動に支持されているので、モールド金型
にクランプされると支持ブロック61が回路基板51の
板厚分だけ押し下げられるので、下型57側のリリース
フィルム60のゲート側端部位置Aを所定位置に位置出
しすることが困難となる。このように、リリースフィル
ム60のゲート側端部位置Aが不安定となると、封止樹
脂がリリースフィルム60のゲート側端縁より漏出し、
回路基板51の不要なエリアまで樹脂封止されたり下型
57に漏れ出すという不具合が生ずる。また、パワーB
GAなどのマルチレイヤータイプの回路基板を用いた半
導体パッケージにおいては、樹脂封止されるキャビティ
に搭載された半導体チップの周辺部に設けられた外部接
続端子に封止樹脂が漏れ出すおそれがあった。これによ
って、樹脂封止後に成形品の離型性が低下したり、ゲー
トブレイクして不要樹脂を除去する際に、リリースフィ
ルム60のゲート側端部より漏出した封止樹脂により、
ディゲート位置がばらついて配線パターンやはんだボー
ル53等の外部接続端子を損傷したり不要な樹脂が残っ
たりして、成形品の品質や信頼性が低下するおそれがあ
った。
【0006】本発明の目的は、上記従来技術の課題を解
決し、被成形品が搭載されるインサートブロックがフロ
ーティング支持されたモールド金型に張設されるリリー
スフィルムのゲート側端部位置にずれが生じてもディゲ
ート位置を安定させ、成形品の品質や信頼性を向上させ
た樹脂封止装置を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため次の構成を備える。即ち、回路基板のゲート位
置に対応する部位に剥離性材料が形成された被成形品を
クランプして樹脂封止するモールド金型と、モールド金
型に収容された被成形品のうち回路基板上を通過して封
止樹脂を圧送する樹脂路及び該封止樹脂が供給されるポ
ットを含むパーティング面を覆うリリースフィルムと、
リリースフィルムをモールド金型のパーティング面に吸
着保持させるための吸着保持手段とを備え、モールド金
型には、被成形品が搭載されるインサートブロックが常
時パーティング面に向かって付勢されてフローティング
支持されており、インサートブロックに搭載された被成
形品のうち回路基板を覆うリリースフィルムのゲート側
端部位置は、少なくとも剥離性材料形成エリアと交差す
るように張設されていることを特徴とする。
【0008】また、モールド金型は、チップサイズパッ
ケージが搭載された被成形品をクランプし、チップサイ
ズパッケージと回路基板との間にアンダーフィルモール
ドするものであっても良いし、或いは、半導体チップが
搭載された被成形品をクランプし、樹脂封止部を樹脂封
止するものであっても良い。また、回路基板の剥離性材
料形成エリアは、予めモールド金型に張設されたリリー
スフィルムにより覆われており、モールド金型がクラン
プしてもリリースフィルムのゲート側端部位置は、剥離
性材料形成エリアと交差しているのが望ましい。また、
剥離性材料は、金めっき又は加熱により接着性が失われ
るテープ材が用いられるのが好ましい。また、吸着保持
手段は、モールド金型のパーティング面で開口する吸着
孔と、キャビティ凹部の内底面で開口するキャビティ吸
着孔とこれらに連絡するエア吸引機構を備えていてもよ
い。
【0009】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施の態様
を添付図面に基づいて詳細に説明する。本実施の態様
は、半導体パッケージのうちチップサイズパッケージの
アンダーフィルモールドをトランスファモールドにより
行う樹脂封止装置について説明するものとする。図1は
チップサイズパッケージのアンダーフィルモールドを行
う樹脂封止装置の説明図、図2は図1の被成形品の金め
っきエリアとリリースフィルムの位置関係を示す説明
図、図3はマルチレイヤータイプのBGA基板を樹脂封
止する樹脂封止装置の説明図、図4は図3の被成形品の
金めっきエリアとリリースフィルムの位置関係を示す説
明図、図5は成形品の説明図である。
【0010】先ず、図1を参照して樹脂封止装置の概略
構成について説明する。本実施形態はチップサイズパッ
ケージをトランスファーモールドする樹脂封止装置であ
り、被成形品1をクランプするモールド金型2のパーテ
ィング面の所要部位にリリースフィルム3を被覆して樹
脂封止するものである。
【0011】トランスファーモールド法によって樹脂封
止される被成形品1は、配線パターンが形成されたベー
スフィルム上に電気的絶縁層(エラストマー)を介して
半導体チップの表面電極形成面が搭載され、該電気的絶
縁層より延出した配線パターンの一部であるリードが表
面電極に電気的に接続され、またベースフィルム側に外
部接続端子としてはんだボール4が接合されてチップサ
イズパッケージ5が形成される。このチップサイズパッ
ケージ5を回路基板6の配線パターンに接続するランド
部にはんだボール4を接合して形成されている。また、
回路基板6のゲート位置に対応する部位には、剥離性材
料として金めっき7が施されている(図2参照)。
【0012】モールド金型2は上型8と下型9とで被成
形品1をクランプしてアンダーフィルモールドを行う。
モールド金型2のうち上型8にはキャビティ凹部10が
形成されており、下型9にはポット11及びプランジャ
12が可動に装備されている。モールド金型2は、ポッ
ト11に供給された封止樹脂が、樹脂路13を経てゲー
ト14より被成形品1の樹脂封止部(本実施例ではチッ
プサイズパッケージ5と回路基板6との隙間)にトラン
スファーモールド法により充填して樹脂封止する。ポッ
ト11には、リリースフィルム3を介して柱状の樹脂タ
ブレットや顆粒状或いは液状樹脂などの封止樹脂が各々
充填される。
【0013】また、上型8及び下型9の上下のパーティ
ング面には、リリースフィルム3が各々吸着保持される
ようになっている。これらのうち上型側のリリースフィ
ルム3は、キャビティ凹部10、樹脂路13、ゲート1
4を含むパーティング面を覆っている。また、下型側の
リリースフィルム3は、モールド金型2に収容された被
成形品1のうち回路基板6上を通過して封止樹脂を圧送
する樹脂路13及び該封止樹脂が供給されるポット11
を含むパーティング面を覆っている。このとき、回路基
板6を覆う下型側リリースフィルム3のゲート側端部位
置Aは、少なくとも金めっき7が施されたエリアと交差
する、より好ましくはリリースフィルム3が金めっき7
が施されたエリアを覆うように張設されている。リリー
スフィルム3は、上型8と下型9のパーティング面にじ
かに封止樹脂を付着させず(樹脂バリを生じさせず)に
樹脂封止できるため有効である。また、リリースフィル
ム3を介して被成形品1をモールド金型2によりクラン
プする際に、該被成形品1の外面を弾性的に押圧して挟
圧するから該被成形品1を損傷することなくクランプす
ることができる。リリースフィルム3は、後述するよう
に、エア吸引によってキャビティ凹部10の内面形状に
ならって吸着支持される柔軟性を有すると共に、金型の
加熱温度に耐えられる耐熱性を有する。また、樹脂封止
後にモールド金型2から容易に離型し、封止樹脂と容易
に剥離できるものである必要がある。このようなフィル
ムとしては、例えばFEPフィルム、フッ素含浸ガラス
クロス、PETフィルム、ETFEフィルム、ポリプロ
ピレンフィルム、ポリ塩化ビニリジンなどが好適に用い
られる。リリースフィルム3は、送り機構及び巻き取り
機構に各々巻き取られる長尺状のもの或いは短冊状に切
断されたものいずれを用いてもよい。
【0014】モールド金型2には、リリースフィルム3
をパーティング面に吸着保持させるための図示しない吸
着保持手段が装備されている。具体的には、キャビティ
凹部10の内底面にはスリット状に開口するキャビティ
吸着孔が形成されている。また、上型8及び下型9のパ
ーティング面には吸着孔が形成されている。これらキャ
ビティ吸着孔及び吸着孔はモールドベースに設けられた
エア流路を経由して図示しない外部エア吸引機構に接続
されている。
【0015】モールド金型2の被成形品1を搭載する部
位には、下型インサートブロック15が上下動可能にフ
ローティング支持されている。この下型インサートブロ
ック15は、常時コイルバネ16等の弾性部材によりパ
ーティング面に向かって付勢されている。これは、回路
基板6の厚さは製品によってばらつきがあり、回路基板
6上に形成されたレジスト層は弾性があるためモールド
金型2によりクランプされると厚さがばらつき易く、こ
の厚さの変動分をモールド金型側で吸収しなければなら
ないためである。この下型インサートブロック15に
は、搭載される回路基板6を位置決めするための位置決
めピン17が立設されている。
【0016】次に、上述のように構成された樹脂封止装
置を用いてチップサイズパッケージを樹脂封止動作につ
いて、図1及び図2を参照して説明する。先ず、図1示
す樹脂封止装置の型開きしたモールド金型2のパーティ
ング面にリリースフィルム3を張設する。リリースフィ
ルム3は、上型8及び下型9に設けられた吸着孔やキャ
ビティ吸着孔(いずれも図示せず)より吸引されてパー
ティング面に沿って吸着保持される。このとき、被成形
品1の回路基板6に形成された金めっき7が施されたエ
リアは、下型側のリリースフィルム3により覆われてい
る。
【0017】またモールド金型2には図示しないローダ
ーなどにより被成形品1が下型インサートブロック15
上に搭載され、ポット11にリリースフィルム3を介し
て樹脂タブレットなどの封止樹脂が供給される。そし
て、この被成形品1はモールド金型2を型閉じすること
によりクランプされる。リリースフィルム3は、配線パ
ターンが形成された回路基板6を密封するようクランプ
すると共に、チップサイズパッケージ5の外面を弾性的
に挟圧する。このとき、樹脂タブレットの装填や、回路
基板6のクランプにより下型インサートブロック15が
板厚分だけ押し下げられ、下型10側のリリースフィル
ム3がポット11側に引き寄せられて、該リリースフィ
ルム3のゲート側端部位置Aがずれ易い。しかしなが
ら、本実施例では、リリースフィルム3のゲート側端部
位置Aがずれてばらついたとしても、金めっき7のエリ
ア内であり封止樹脂が樹脂路13に露出した金めっき7
に接触しても、該金めっき7と封止樹脂との離型性が良
いため、ゲートブレイクが一定の位置で行える。よっ
て、リリースフィルム3のゲート側端部位置Aにずれが
生じてもディゲート位置を安定させ成形品の品質や信頼
性を向上させることができる。
【0018】次にプランジャ12を上動させると封止樹
脂は、ポット11より樹脂路13を経てゲート14より
被成形品1のチップサイズパッケージ5と回路基板6と
の隙間に充填されて加熱硬化されアンダーフィルモール
ドが行われる。そして、樹脂封止後、モールド金型2を
型開きして、図示しないアンローダー等の搬出機構によ
り取り出して、ゲートブレイクが行われ、不要樹脂を分
離除去して成形品のみを取り出す。尚、成形品は、リリ
ースフィルム3により覆われているので、モールド金型
2からの離型性は極めて良い。
【0019】上記構成によれば、樹脂タブレットの装填
や下型インサートブロック15が回路基板6の板厚分だ
け押し下げられるなどの要因により、被成形品1をクラ
ンプする際に下型10側に張設されたリリースフィルム
3がポット11側に引き寄せられて、該リリースフィル
ム3のゲート側端部位置Aがずれてばらついたとして
も、該ゲート側端部位置Aは金めっき7のエリア内であ
り、該金めっき7と封止樹脂との離型性が良いため、ゲ
ートブレイクが一定の位置で行える。よって、リリース
フィルム3のゲート側端部位置Aにずれが生じてもディ
ゲート位置を安定させ成形品の品質や信頼性を向上させ
ることができる。
【0020】上記実施例は、被成形品3としてチップサ
イズパッケージ5を回路基板6に搭載したものをアンダ
ーフィルモールドする樹脂封止装置について説明した
が、これに限定されるものではなく、パワーBGAのよ
うにマルチレイヤータイプの回路基板のキャビティに収
容された半導体チップを樹脂封止する半導体パッケージ
製造用の樹脂封止装置であっても良い。
【0021】図3〜図5において、18は回路基板であ
り、複数の絶縁層と配線層を積層されたマルチレイヤー
タイプの積層基板が用いられている。この回路基板18
は、内部に電源/グランド層や信号層が形成されてい
る。また回路基板18の一方の面にはキャビティ19が
形成されており、底部に半導体チップ20が搭載されて
ワイヤボンディングにより該半導体チップ20と回路基
板18とが電気的に接続されて被成形品21が形成され
ている。また、キャビティ19の周辺部には、外部接続
端子としてはんだボール22が接合されている(図5参
照)。このボールエリアを横切るように形成される基板
面のゲート位置に対応する部位、具体的にはキャビティ
19の縁部近傍には金めっき23が施されている(図3
及び図4参照)。
【0022】モールド金型24は、上型25にゲート2
7が形成され、下型26にキャビティ凹部28が形成さ
れた下型インサートブロック29及び図示しないポット
やプランジャが装備されている。被成形品21が搭載さ
れる下型インサートブロック29は常時パーティング面
に向かってコイルバネ30等の弾性部材により付勢され
てフローティング支持されている。特に、回路基板18
が積層基板である場合には、製品によって板厚が変化す
るため、下型インサートブロック29により回路基板1
8をフローティング支持することにより板厚のばらつき
を吸収できるので有効である。また、モールド金型24
の上下パーティング面にはリリースフィルム3が各々吸
着保持されて張設されている。これらのうち上型側のリ
リースフィルム3は、回路基板18のはんだボール搭載
面、キャビティ19、ゲート27、樹脂路31を含むパ
ーティング面を覆っている。また下型側のリリースフィ
ルム3は、下型インサートブロック29のキャビティ凹
部28に収容された被成形品21に封止樹脂を圧送する
樹脂路31、ゲート27及び封止樹脂が供給されるポッ
ト(図示せず)を含むパーティング面を覆っている。こ
のとき、下型側リリースフィルム3は被成形品21のう
ち回路基板18を覆うゲート側端部位置A(図4参照)
が少なくとも金めっき23が施されたエリアと交差する
ように張設され、より好ましくはリリースフィルム3が
金めっき23が施されたエリアを覆うように張設されて
いる。
【0023】被成形品21としての回路基板18に半導
体チップ20が搭載されてなる半導体装置は、下型26
のキャビティ凹部28に搭載されてモールド金型24に
よりクランプされる。そして、ポットに供給された封止
樹脂がプランジャによりゲート27より充填されて樹脂
封止される(図3参照)。このとき、樹脂タブレットの
装填や下型インサートブロック29が回路基板18の板
厚分だけ押し下げられるなどの要因により、被成形品1
をクランプする際に下型26側に張設されたリリースフ
ィルム3のゲート側端部位置Aがポット側にずれても、
該ゲート側端部位置Aは金めっき23のエリア内であ
り、該金めっき23と封止樹脂との離型性が良いため、
ゲートブレイクが一定の位置で行える。よって、リリー
スフィルム3のゲート側端部位置Aにずれが生じてもデ
ィゲート位置を安定させ成形品の品質や信頼性を向上さ
せることができる。
【0024】本発明は、上記実施の態様に限定されるも
のではなく、被成形品としては、被成形品の最外形を規
定するリングやカンを使用したチップサイズパッケージ
やファンイン/ファンアウトタイプのμ−BGAタイプ
の半導体パッケージ製造用の樹脂封止装置などについて
も適用可能である。また、回路基板に形成される剥離性
材料としては、金めっきの他に、加熱により接着剤の接
着性が失われるテープ材、例えば日東電工業(株)製粘
着テープ「ニトフロン」(登録商標)などが好適に用い
られる。この場合、テープ材は樹脂封止後、接着性が失
われているため、回路基板より容易に剥離して除去可能
となる。以上のように、発明の精神を逸脱しない範囲内
でさらに多くの改変を施し得るのはもちろんのことであ
る。
【0025】
【発明の効果】本発明は前述したように、封止樹脂の装
填や回路基板をフローティング支持するインサートブロ
ックが被成形品をクランプした際に押し戻されるなどの
要因でリリースフィルムがポット側に引き寄せられて、
該リリースフィルムのゲート側端部位置がずれてばらつ
いたとしても、回路基板の剥離性材料形成エリア内であ
り、封止樹脂が樹脂路に露出した剥離性材料に接触して
も離型性が良いため、ゲートブレイクが一定の位置で行
える。よって、リリースフィルムのゲート側端部位置に
ずれが生じてもディゲート位置を安定させ成形品の品質
や信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】チップサイズパッケージのアンダーフィルモー
ルドを行う樹脂封止装置の説明図である。
【図2】図1の被成形品の金めっきエリアとリリースフ
ィルムの位置関係を示す説明図である。
【図3】マルチレイヤータイプのBGA基板を樹脂封止
する樹脂封止装置の説明図である。
【図4】図3の被成形品の金めっきエリアとリリースフ
ィルムの位置関係を示す説明図である。
【図5】成形品の説明図である。
【図6】従来のチップサイズパッケージのアンダーフィ
ルモールドを行う樹脂封止装置の説明図である。
【符号の説明】
1,21 被成形品 2,24 モールド金型 3 リリースフィルム 4,22 はんだボール 5 チップサイズパッケージ 6,18 回路基板 7,23 金めっき 8,25 上型 9,26 下型 10,28 キャビティ凹部 11 ポット 12 プランジャ 13,31 樹脂路 14,27 ゲート 15,29 下型インサートブロック 16,30 コイルバネ 17 位置決めピン 19 キャビティ 20 半導体チップ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 21/60 311 H01L 21/60 311S // B29L 31:34 Fターム(参考) 4F202 AD05 AD08 AG03 AH37 AM32 CA12 CB01 CB13 CB17 CK75 CL02 CQ01 CQ06 4F206 AD05 AD08 AG03 AH37 AM32 JA02 JB13 JB17 JB20 JQ81 5F044 RR19 5F061 AA01 BA03 CA21 DA02 DA05 DA06 DA08

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 回路基板のゲート位置に対応する部位に
    剥離性材料が形成された被成形品をクランプして樹脂封
    止するモールド金型と、 前記モールド金型に収容された前記被成形品のうち前記
    回路基板上を通過して封止樹脂を圧送する樹脂路及び該
    封止樹脂が供給されるポットを含むパーティング面を覆
    うリリースフィルムと、 前記リリースフィルムを前記モールド金型のパーティン
    グ面に吸着保持させるための吸着保持手段とを備え、 前記モールド金型には、前記被成形品が搭載されるイン
    サートブロックが常時パーティング面に向かって付勢さ
    れてフローティング支持されており、前記インサートブ
    ロックに搭載された前記被成形品のうち前記回路基板を
    覆う前記リリースフィルムのゲート側端部位置は、少な
    くとも前記剥離性材料形成エリアと交差するように張設
    されていることを特徴とする樹脂封止装置。
  2. 【請求項2】 前記モールド金型は、チップサイズパッ
    ケージが搭載された被成形品をクランプし、チップサイ
    ズパッケージと回路基板との間にアンダーフィルモール
    ドすることを特徴とする請求項1記載の樹脂封止装置。
  3. 【請求項3】 前記モールド金型は、半導体チップが搭
    載された被成形品をクランプし、樹脂封止部を樹脂封止
    することを特徴とする請求項1記載の樹脂封止装置。
  4. 【請求項4】 前記回路基板の剥離性材料形成エリア
    は、予め前記モールド金型に張設された前記リリースフ
    ィルムにより覆われており、前記モールド金型がクラン
    プしても前記リリースフィルムのゲート側端部位置は、
    前記剥離性材料形成エリアと交差していることを特徴と
    する請求項1、2又は請求項3記載の樹脂封止装置。
  5. 【請求項5】 前記剥離性材料は、金めっき又は加熱に
    より接着性が失われるテープ材が用いられることを特徴
    とする請求項1、2、3又は請求項4記載の樹脂封止装
    置。
  6. 【請求項6】 前記吸着保持手段は、前記モールド金型
    のパーティング面で開口する吸着孔と、キャビティ凹部
    の内底面で開口するキャビティ吸着孔とこれらに連絡す
    るエア吸引機構を備えていることを特徴とする請求項
    1、2、3、4又は請求項5記載の樹脂封止装置。
JP35419198A 1998-12-14 1998-12-14 樹脂封止装置 Pending JP2000176967A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP35419198A JP2000176967A (ja) 1998-12-14 1998-12-14 樹脂封止装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP35419198A JP2000176967A (ja) 1998-12-14 1998-12-14 樹脂封止装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2000176967A true JP2000176967A (ja) 2000-06-27

Family

ID=18435905

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP35419198A Pending JP2000176967A (ja) 1998-12-14 1998-12-14 樹脂封止装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2000176967A (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002118130A (ja) * 2000-10-06 2002-04-19 Apic Yamada Corp マトリクスパッケージの樹脂封止方法
US6459159B1 (en) * 1998-01-23 2002-10-01 Apic Yamada Corporation Apparatus for sealing a semiconductor device utilizing a release film
WO2002101813A1 (en) * 2001-06-08 2002-12-19 Infineon Technologies Ag A substrate for mounting a semiconductor device thereon
US6897094B2 (en) 2002-03-11 2005-05-24 Seiko Epson Corporation Semiconductor device and method of manufacturing the same, circuit board, and electronic instrument
JP2014014954A (ja) * 2012-07-06 2014-01-30 Apic Yamada Corp 樹脂モールド装置

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6459159B1 (en) * 1998-01-23 2002-10-01 Apic Yamada Corporation Apparatus for sealing a semiconductor device utilizing a release film
JP2002118130A (ja) * 2000-10-06 2002-04-19 Apic Yamada Corp マトリクスパッケージの樹脂封止方法
WO2002101813A1 (en) * 2001-06-08 2002-12-19 Infineon Technologies Ag A substrate for mounting a semiconductor device thereon
US6897094B2 (en) 2002-03-11 2005-05-24 Seiko Epson Corporation Semiconductor device and method of manufacturing the same, circuit board, and electronic instrument
JP2014014954A (ja) * 2012-07-06 2014-01-30 Apic Yamada Corp 樹脂モールド装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8304883B2 (en) Semiconductor device having multiple semiconductor elements
US6224360B1 (en) Resin sealing device for chip-size packages
JP3194917B2 (ja) 樹脂封止方法
US7618573B2 (en) Resin sealing method for electronic part and mold used for the method
US6350113B1 (en) Resin molding machine
US20050022378A1 (en) Apparatus used to package multimedia card by transfer molding
JP3581814B2 (ja) 樹脂封止方法及び樹脂封止装置
JPH0750359A (ja) 支持体から離脱可能なリードを有する半導体パッケージ
JP3510554B2 (ja) 樹脂モールド方法、モールド成形用金型及び配線基材
JP2664259B2 (ja) 半導体装置パッケージ及びその製造方法
JP2004134591A (ja) 半導体集積回路装置の製造方法
JP4001608B2 (ja) 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP2004200269A (ja) 電子部品の樹脂封止成形方法及び装置
JP3214788B2 (ja) 樹脂モールド装置および樹脂モールド方法
JP2000176967A (ja) 樹脂封止装置
JP3139981B2 (ja) チップサイズパッケージの樹脂封止方法及び樹脂封止装置
JP3793679B2 (ja) 電子部品の製造方法及び製造装置
JP4507380B2 (ja) 半導体装置の製造方法及びそれに用いるリードフレーム積層物
JP2002118130A (ja) マトリクスパッケージの樹脂封止方法
JPH1187433A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP7530772B2 (ja) 樹脂漏れ防止用部材、樹脂漏れ防止用部材供給機構、樹脂成形装置及び樹脂成形品の製造方法
JP3964438B2 (ja) 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP3061115U (ja) 半導体パッケ―ジの基板
JP4035240B2 (ja) チップサイズパッケージの樹脂封止方法及び樹脂封止装置
JP2003234436A (ja) マトリクス基板及び樹脂モールド方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Effective date: 20051108

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20070613

A131 Notification of reasons for refusal

Effective date: 20070626

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

A02 Decision of refusal

Effective date: 20071106

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02