JP3581814B2 - 樹脂封止方法及び樹脂封止装置 - Google Patents

樹脂封止方法及び樹脂封止装置 Download PDF

Info

Publication number
JP3581814B2
JP3581814B2 JP2000009773A JP2000009773A JP3581814B2 JP 3581814 B2 JP3581814 B2 JP 3581814B2 JP 2000009773 A JP2000009773 A JP 2000009773A JP 2000009773 A JP2000009773 A JP 2000009773A JP 3581814 B2 JP3581814 B2 JP 3581814B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
lead frame
mold
tape
lower mold
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2000009773A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2001203227A (ja
Inventor
三郎 山本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Towa Corp
Original Assignee
Towa Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Towa Corp filed Critical Towa Corp
Priority to JP2000009773A priority Critical patent/JP3581814B2/ja
Priority to SG200100183A priority patent/SG104934A1/en
Priority to US09/760,157 priority patent/US6630374B2/en
Publication of JP2001203227A publication Critical patent/JP2001203227A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3581814B2 publication Critical patent/JP3581814B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/565Moulds
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93Batch processes
    • H01L24/95Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93Batch processes
    • H01L2224/95Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/97Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01004Beryllium [Be]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01005Boron [B]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01006Carbon [C]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01029Copper [Cu]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01033Arsenic [As]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01079Gold [Au]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01082Lead [Pb]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
  • Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体チップ等の電子部品が装着されたリードフレームを樹脂封止することにより、パッケージを形成する樹脂封止方法及び樹脂封止装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
近年、携帯機器に代表される電子機器の小型化に対する要求は強く、それに伴いパッケージの小型化、軽量化が急速に進んでいる。そして、QFN(QuadFlat Non−leaded)とよばれる、底面が平坦でパッケージの側面に外部電極が存在する小型パッケージが、広く使用されるようになっている。以下、従来におけるQFNパッケージの製造方法を説明する。まず、リードフレームのダイパッドに半導体チップを載置し、半導体チップとリードフレームとがそれぞれ有するパッド同士をワイヤボンディングする。次に、下型上に、半導体チップが装着されたリードフレームを載置する。次に、上型に設けられたキャビティに半導体チップが収容されるようにして、上型と下型とを型締めしてリードフレームをクランプし、キャビティに溶融樹脂を注入して硬化させる。次に、型開きして、半導体チップとリードフレームと硬化樹脂とが一体化された樹脂成形品を取り出した後に、打ち抜き加工によってパッケージを完成させる。完成したパッケージにおいて、外部電極は硬化樹脂の側面及び下面に露出して形成されている。したがって、QFNパッケージは、平面的に見てパッケージの内部にリードが取り込まれているので、実装面積を削減できるという利点を有する。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の製造方法によれば、樹脂封止する際に、本来平坦であるはずのパッケージの底面に、硬化樹脂が突出して形成される場合がある。この硬化樹脂は、次のような過程によって形成される。すなわち、下型の型面やリードフレームの下面等に存在する異物、リードフレームの微小な反りやうねり等によって、下型の型面とリードフレームの下面との間に間隙が発生する。この間隙に、リードフレームのリード同士間又はリード・ダイパッド間の空隙から、溶融樹脂がリードフレームの下面に流出して硬化することによって、パッケージの底面に硬化樹脂が突出して形成される。また、リードフレームが上型と下型とによってクランプされているので、リードフレームに微小な反りやうねり等がある場合には、下型とリードフレームとの間に間隙がいっそう発生しやすく、硬化樹脂がパッケージの底面に突出しやすい。
これらの場合には、外観上の問題になるとともに、プリント基板等にパッケージを実装する際に、パッケージの浮きが発生するおそれがある。したがって、パッケージの外部電極とプリント基板のパッドとの電気的接続の信頼性が低下したり、実装後のパッケージ取付高さが増加して電子機器の小型化を妨げるという問題が発生する。
一方、パッケージの底面における硬化樹脂の突出を防止するために、予め下面にテープが貼付されたリードフレームが使用される。しかし、この場合には、まず、コストが増加するという問題がある。更に、金型に載置されたリードフレームが金型によって加熱される際に、リードフレームとテープとの熱膨張係数の差に起因してリードフレームに反りが発生するので、パッケージの底面における硬化樹脂の突出を完全には防止できないという問題がある。
【0004】
本発明は、上述の課題を解決するためになされたものであり、パッケージの底面における硬化樹脂の突出を防止して、外観と電気的特性の信頼性とに優れたパッケージを形成するとともに、実装後のパッケージ取付高さの増加を抑制する、樹脂封止方法及び樹脂封止装置を提供することを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】
上述の技術的課題を解決するために、本発明に係る樹脂封止方法は、相対向する上型と下型とを使用して、半導体チップが装着されたリードフレームを樹脂封止する樹脂封止方法であって、供給側ロールから巻取り側ロールへと張られた樹脂テープを上型と下型との間に供給する工程と、上型の型面に沿って樹脂テープを張設する工程と、下型に設けられたキャビティに半導体チップを収納するようにして下型の型面にリードフレームを載置する工程と、上型と下型とによってリードフレームを挟持することなく上型と下型とを型締めする工程と、キャビティに溶融樹脂を注入し、該注入された溶融樹脂によって挟持されていないリードフレームを樹脂テープを介して上型に押圧する工程と、溶融樹脂を硬化させて硬化樹脂を形成する工程と、上型と下型とを型開きする工程と、硬化樹脂とリードフレームとが一体化された樹脂成形品を取り出す工程と、巻取り側ロール及び供給側ロールによって、巻取り側ロールに使用済の樹脂テープを巻き取りつつ上型と下型との間に未使用の樹脂テープを供給する工程とを備えたことを特徴とする。
【0006】
この方法によれば、樹脂テープを介して溶融樹脂により、リードフレームにおける半導体チップが装着されない面、つまり非装着面を上型に押圧するので、非装着面に溶融樹脂を流出する開口をふさぐとともに、樹脂テープを圧縮して変形させる。また、新たに供給された樹脂テープが、リードフレームの非装着面の上方を覆うので、樹脂テープ及びリードフレーム双方の面に異物が付着しにくくなる。これにより、リードフレームの反りや微小なうねりと異物とに起因する樹脂テープ・リードフレーム間での間隙の発生と、リードフレームの非装着面への溶融樹脂の流出とを抑制する。したがって、パッケージの底面における硬化樹脂の突出を防止できる。加えて、変形した樹脂テープの一部がリード同士間又はリード・ダイパッド間の空隙に食い込むので、リードフレームの非装着面側の側面が硬化樹脂から露出する。
【0007】
また、本発明に係る樹脂封止方法は、相対向する上型と下型とを使用して、半導体チップが装着されたリードフレームを樹脂封止する樹脂封止方法であって、供給側ロールから巻取り側ロールへと張られた樹脂テープを上型と下型との間に供給する工程と、下型の型面に沿って樹脂テープを張設する工程と、上型に設けられたキャビティの直下に半導体チップを配置するようにして、樹脂テープを介して下型上にリードフレームを載置する工程と、上型と下型とによってリードフレームを挟持することなく上型と下型とを型締めする工程と、キャビティに溶融樹脂を注入し、該注入された溶融樹脂によって挟持されていないリードフレームを樹脂テープを介して下型に押圧する工程と、溶融樹脂を硬化させて硬化樹脂を形成する工程と、上型と下型とを型開きする工程と、硬化樹脂とリードフレームとが一体化された樹脂成形品を取り出す工程と、巻取り側ロール及び供給側ロールによって、巻取り側ロールに使用済の樹脂テープを巻き取りつつ上型と下型との間に未使用の樹脂テープを供給する工程とを備えたことを特徴とする。
【0008】
この方法によれば、樹脂テープを介して溶融樹脂により、リードフレームの非装着面を下型に押圧するので、非装着面に溶融樹脂を流出する開口をふさぐとともに、樹脂テープを圧縮して変形させる。また、新たに供給された樹脂テープの上方に非装着面を下にしたリードフレームを配置するので、樹脂テープ及びリードフレーム双方の面に異物が付着しにくくなる。これにより、リードフレームの反りや微小なうねりと異物とに起因する樹脂テープ・リードフレーム間での間隙の発生と、リードフレームの非装着面への溶融樹脂の流出とを抑制する。したがって、パッケージの底面における硬化樹脂の突出を防止できる。加えて、変形した樹脂テープの一部がリード同士間又はリード・ダイパッド間の空隙に食い込むので、リードフレームの非装着面側の側面が硬化樹脂から露出する。
【0009】
また、本発明に係る樹脂封止方法は、上述の樹脂封止方法において、樹脂テープを張設する工程では、予め加熱された上型又は下型の型面に樹脂テープを近づけ、又は接触させることによって樹脂テープを予熱することを特徴とする。
【0010】
この方法によれば、予熱することによって熱膨張した樹脂テープに対して、リードフレームを押圧する。したがって、樹脂テープとリードフレームとを予め貼付した場合に発生する、熱膨張係数の差に起因する反りを抑制できる。
【0011】
また、本発明に係る樹脂封止方法は、上述の樹脂封止方法において、樹脂テープはベース層と粘着層とを有する粘着テープであり、押圧する工程ではリードフレームを粘着層に対して押圧するとともに、型開きする工程において、又は該型開きする工程よりも後に、リードフレームから粘着テープを引きはがすことを特徴とする。
【0012】
この方法によれば、粘着層によって粘着テープとリードフレームとの間の密着性を高める。これにより、この間での間隙と非装着面に溶融樹脂を流出する開口との発生を更に抑制するので、パッケージの底面で硬化樹脂の突出をいっそう防止できる。加えて、粘着層がリードフレームの非装着面側の側面にも付着するので、リードフレームの非装着面側の側面が硬化樹脂から露出する。
【0013】
また、本発明に係る樹脂封止方法は、上述の樹脂封止方法において、上型と下型との間の空間に存在する異物を除去する目的で空間を減圧する工程を更に備えたことを特徴とする。
【0014】
この方法によれば、上型と下型との間の空間から空気とともに異物を排出するので、樹脂テープ及びリードフレーム双方の面に対する異物の付着をいっそう抑制して、パッケージの底面で硬化樹脂の突出を更に防止できる。
【0015】
また、本発明に係る樹脂封止方法は、上述の樹脂封止方法において、リードフレームには複数個の半導体チップが装着され、上型又は下型にはキャビティが複数個設けられているとともに、押圧する工程では、複数個のキャビティに各々溶融樹脂を注入して、各キャビティにおいて注入された溶融樹脂によってリードフレームを樹脂テープに対して押圧することを特徴とする。
【0016】
この方法によれば、各々半導体チップが収容された複数のキャビティに溶融樹脂を注入することにより、リードフレームに複数の半導体チップを同時に樹脂封止するので、樹脂封止の作業効率を向上できる。
【0017】
また、本発明に係る樹脂封止装置は、一方の面に半導体チップが装着され、上型と下型とからなる金型の間に載置されたリードフレームを樹脂封止する樹脂封止装置であって、上型と下型との間に樹脂テープを張設する手段と、リードフレームが有する他方の面を樹脂テープに接触させ、金型が有するキャビティに半導体チップを収容させるようにして、かつ、上型と下型とによってリードフレームが挟持されることなく上型と下型とを型締めする手段と、キャビティに溶融樹脂を注入する手段と、注入された溶融樹脂が硬化した状態において上型と下型とを型開きする手段とを備えるとともに、溶融樹脂を注入する手段は、該注入された溶融樹脂によってリードフレームが有する他方の面を樹脂テープを介して金型に押圧することを特徴とする。
【0018】
この装置によれば、樹脂テープを介して溶融樹脂により、リードフレームの他方の面、つまり非装着面が金型に押圧されるので、非装着面に溶融樹脂を流出する開口をふさぐとともに、樹脂テープを圧縮して変形させる。また、張設された樹脂テープとリードフレームの非装着面とが対向して配置されるので、樹脂テープ及びリードフレーム双方の面に異物が付着しにくくなる。これにより、リードフレームの反りや微小なうねりと異物とに起因する樹脂テープ・リードフレーム間での間隙の発生と、リードフレームの非装着面への溶融樹脂の流出とが抑制される。したがって、パッケージの底面における硬化樹脂の突出を防止できる。これに加えて、変形した樹脂テープの一部がリード同士間又はリード・ダイパッド間の空隙に食い込むので、リードフレームの非装着面側の側面が硬化樹脂から露出する。
【0019】
また、本発明に係る樹脂封止装置は、上述の樹脂封止装置において、上型と下型との間の空間に存在する異物を除去する目的で空間を減圧する手段を更に備えたことを特徴とする。
【0020】
この装置によれば、異物が空気とともに排出されるので、リードフレーム及び樹脂テープ双方の面への異物の付着がいっそう抑制される。したがって、パッケージの底面における硬化樹脂の突出を更に防止できる。
【0021】
【発明の実施の形態】
(第1の実施形態)
本発明の第1の実施形態を、図1と図2とを参照して説明する。図1(1)〜(3)は、本実施形態に係る樹脂封止方法において、樹脂テープを供給し、供給された樹脂テープを張設して上型に固定し、型締めして溶融樹脂を注入する各工程をそれぞれ示す部分断面図である。
【0022】
本実施形態に係る樹脂封止装置を、図1を参照して説明する。図1において、上型1と下型2とは、それぞれヒータ(図示なし)によって加熱される金型である。下型2には凹部3とポット4とが設けられ、ポット4にはプランジャ5が昇降自在に設けられている。ポット4において、プランジャ5の上には、例えばエポキシ樹脂からなる樹脂タブレット6が配置されている。下型2には、更に、樹脂タブレット6が溶融された溶融樹脂が貯留されるカル部7、溶融樹脂が流動する経路である樹脂流動部8、溶融樹脂が充填されるキャビティ9が設けられている。エジェクターピン10は、下型2の側に設けられ、樹脂封止後の樹脂成形品を下型2から取り出すための突き出し機構である。
【0023】
リードフレーム11は、下型2の凹部3に載置されており、例えば、Cu系合金や42アロイ等の金属からなる配線部材である。ここで、下型2の凹部3の深さは、リードフレーム11の厚みよりも所定の値だけ、例えば0.03〜0.04mm程度だけ深くなるようにして設けられている。ダイパッド12は、リードフレーム11の一部からなり、後述する半導体チップが載置される領域である。ボンディングパッド13は、リードフレーム11の一部からなり、半導体チップの電極(図示なし)に電気的に接続される領域である。空隙14は、リードフレーム11において、ボンディングパッド13同士の間、ダイパッド12とボンディングパッド13との間、及びボンディングパッド13から延びるリード(図示なし)同士の間に形成され、リードフレーム11を貫通する空間である。半導体チップ15は、ダイパッド12に載置され、例えば多数のトランジスタ等の半導体素子を有するチップ状の電子部品である。ワイヤ16は、半導体チップ15の電極とリードフレーム11のボンディングパッド13とを電気的に接続するための、例えば金からなる金属線である。
【0024】
樹脂テープ17は、例えば、ポリイミド(PI)や四ふっ化エチレン(PTFE)等のプラスチックからなり、上型1の近傍に張設されている帯状でフィルム状の樹脂材料である。供給側ロール18は、リールにセットされた未使用の樹脂テープ17からなるロールである。巻取り側ロール19は、リールに巻き取られた使用済の樹脂テープ17からなるロールである。吸着用管路20は、バルブを有する減圧機構(いずれも図示なし)に接続され、必要に応じて樹脂テープ17を上型1に吸着するための配管である。
【0025】
本実施形態に係る樹脂封止方法を、図1及び図2を参照して説明する。まず、図1(1)に示すように、半導体チップ15とワイヤ16とが下型2のキャビティ9に収容されるようにして、下型2に設けられた凹部3に、半導体チップ15が装着されたリードフレーム11を載置する。すなわち、リードフレーム11において半導体チップ15が装着されていない面、つまり非装着面を上にして、リードフレーム11を載置する。したがって、リードフレーム11において半導体チップ15が装着された面、つまり装着面が、下型2に接することになる。
また、ポット4に樹脂タブレット6を投入し、下型2に設けられたヒータ(図示なし)により、下型2を介して樹脂タブレット6を加熱する。更に、供給側ロール18と巻取り側ロール19とを回転させて、上型1と下型2との間に未使用の樹脂テープ17を張設して供給する。
【0026】
次に、図1(2)に示すように、供給側ロール18と巻取り側ロール19とを上昇させて、樹脂テープ17を上型1の型面に近づけ、又は型面に接触させる。ここで、上型1は予めヒータ(図示なし)によって加熱されているので、樹脂テープ17は、上型1の型面から放射され又は伝導される熱によって予熱される。その後に、吸着用管路20を使用して、樹脂テープ17を上型1の型面に固定する。一方、ポット4内の樹脂タブレット6を加熱溶融させて、溶融樹脂21を形成する。
【0027】
次に、下型2を上昇させて、上型1と下型2とを型締めする。前述のように、下型2の凹部3はリードフレーム11の厚みよりも0.03〜0.04mm程度だけ深いので、上型1と下型2とはリードフレーム11をクランプしない。このことにより、リードフレーム11の非装着面と樹脂テープ17との間に、0.03〜0.04mm程度の段差を設けたことになる。
【0028】
次に、図1(3)に示すように、プランジャ5を上昇させることによって、溶融樹脂21を、カル部7、樹脂流動部8を順次経由してキャビティ9へと注入する。したがって、プランジャ5によって押圧された溶融樹脂21が、樹脂テープ17を介して、上型1にリードフレーム11を押圧することになる。この場合において、凹部3における型面(底面)とリードフレーム11の装着面との間には0.03〜0.04mm程度のギャップが形成されるが、溶融樹脂21の粘性によって、溶融樹脂21はこのギャップに進入しない。
【0029】
図2(1)〜(3)は、本実施形態に係る樹脂封止方法において、型開きし、樹脂成形品を取り出し、新たなリードフレームを供給する各工程をそれぞれ示す部分断面図である。
図2(1)に示すように、図1(3)のキャビティ9に注入された溶融樹脂が硬化して硬化樹脂22を形成した後に、下型2を下降させて上型1と下型2とを型開きするとともに、エジェクターピン10を上昇させる。これにより、図1(3)のカル部7、樹脂流動部8、及びキャビティ9において硬化した硬化樹脂22と、リードフレーム11とからなる樹脂成形品23を、下型2から突き出す。ここで、リードフレーム11が有する外部電極24は、プリント基板等にパッケージを実装する際に、プリント基板等のパッドに、半田等によって電気的に接続される端子である。
【0030】
次に、図2(2)に示すように、供給側ロール18と巻取り側ロール19とを下降させ、上型1から樹脂テープ17を引き離すとともに、上型1と下型2との間に、チャック25を進入させる。チャック25に設けられた吸着機構(図示なし)を使用して、エジェクターピン10により突き出された樹脂成形品23を吸着して、例えばトレイまで搬送する。樹脂成形品23が吸着された後に、エジェクターピン10は下降して元の位置に復帰する。ここまでの工程によって、1個のリードフレーム11を樹脂封止したことになる。
【0031】
次に、図2(3)に示すように、チャック25は、半導体チップ15が装着されたリードフレーム11を新たに吸着して、下型2の凹部3の真上までこれを搬送する。チャック25は下降した後に吸着を解除して、リードフレーム11を凹部3に載置する。そして、再び図1(1)に示す工程が開始される。すなわち、供給側ロール18と巻取り側ロール19とを回転させて、使用済の樹脂テープ17を巻取り側ロール19に巻き取るとともに、供給側ロール18から未使用の樹脂テープ17を上型1と下型2との間に供給する。
【0032】
以下、本実施形態における樹脂テープ17の作用について、図3を参照して説明する。図3(1)〜(3)は、本実施形態に係る樹脂封止方法において、樹脂テープを張設して上型に固定し、型締めした後にキャビティに溶融樹脂を注入するとともに溶融樹脂によって樹脂テープにリードフレームを押圧し、型開きしてパッケージを取り出す各工程をそれぞれ拡大して示す部分断面図である。
図3(1)に示すように、下型2に設けられた凹部3にリードフレーム11を載置する。ここで、リードフレーム11の非装着面は、下型2の上面よりも0.03〜0.04mm程度の段差Dだけ低い位置にある。
次に、図3(2)に示すように、型締めした後に、プランジャ5を上昇させて溶融樹脂21を押圧しする。これにより、キャビティ9に溶融樹脂21を注入するとともに、押圧された溶融樹脂21によって、樹脂テープ17を介して上型1にリードフレーム11を押圧させる。樹脂テープ17は、上型1とリードフレーム11との間にはさまれ、かつ、リードフレーム11のほぼ全面にわたって溶融樹脂21により押圧される。したがって、押圧された樹脂テープ17は、リードフレーム11のほぼ全面にわたって圧縮され変形するとともに、リードフレーム11が有する空隙14に食い込む。
次に、図3(3)に示すように、溶融樹脂21が硬化した後に型開きして、エジェクターピン10によって下型2から樹脂成形品23を突き出す。
【0033】
本実施形態における樹脂テープ17の作用は、次の通りである。まず、押圧された樹脂テープ17が圧縮され変形することによって、リードフレーム11の非装着面に密着するとともに、リードフレーム11が有する空隙14に食い込む。これにより、リードフレーム11に微小な反りやうねりがある場合においても、樹脂テープ17は、リードフレーム11の非装着面に密着し、非装着面に溶融樹脂21を流出する開口をふさぐことになる。
次に、樹脂テープ17は、リードフレーム11の非装着面において空隙14に食い込むので、溶融樹脂21は非装着面には到達しない。これにより、樹脂封止後にリードフレーム11の非装着面側、つまりパッケージがプリント基板等に実装される側の外部電極24の側面が硬化樹脂から露出することになる。
【0034】
ここで、本実施形態の特徴は、上型1と下型2とを型締めした状態で、リードフレーム11の非装着面から所定の間隔(=段差D)をおいて、予熱され上型1に固定した樹脂テープ17を配設することである。また、型締めによってリードフレーム11をクランプすることに代えて、キャビティ9に溶融樹脂21を注入することにより溶融樹脂21が樹脂テープ17を介して上型1にリードフレーム11を押圧することである。
【0035】
これにより、リードフレーム11の非装着面において、この非装着面に押圧されることによって圧縮し変形した樹脂テープ17が空隙14をふさぐ。したがって、リードフレーム11の装着面側で流動する溶融樹脂21は、空隙14から非装着面側には流出しない。
また、リードフレーム11がクランプされていないので、リードフレーム11に反りや微小なうねりがあった場合でも、溶融樹脂21によって押圧されたリードフレーム11が樹脂テープ17を押圧し、押圧された樹脂テープ17が圧縮され変形することにより、リードフレーム11と樹脂テープ17との間において間隙の発生が抑制される。
また、樹脂テープ17がリードフレーム11の非装着面の上方を覆って配置されるので、リードフレーム11及び樹脂テープ17双方の面に異物が付着しにくくなる。これにより、上型1とリードフレーム11との間における異物による間隙の発生が抑制される。
また、上型1に沿って張設した樹脂テープ17を上型1により予熱した後に、既に充分熱膨張した樹脂テープ17を介して上型1と下型2とを型締めする。したがって、リードフレーム11に樹脂テープ17を密着させ型締めした後にこれを加熱する場合に比べて、樹脂テープ17における小さなしわの発生を防止できる。それとともに、リードフレーム11に樹脂テープ17が貼付された状態で加熱する場合に比べて、リードフレーム11における反りの発生を防止できる。
これらのことによって、リードフレーム11の非装着面、すなわち完成したパッケージの底面における硬化樹脂の突出を防止できる。
更に、変形した樹脂テープ17の一部がリードフレーム11の空隙14に食い込むので、外部電極24の非装着面側の側面が硬化樹脂22から露出する。これによって、プリント基板等にパッケージを実装する際に、パッケージの外部電極24の側面と、その外部電極24に接触するプリント基板等のパッドとに、半田が付着する。したがって、外部電極24とパッドとの間の密着強度が増加するとともに、外観検査を容易に行うことができる。
加えて、予めリードフレーム11の非装着面に樹脂テープを貼付しておく必要がないので、材料コストを低く抑えることができる。
【0036】
(第2の実施形態)
本発明の第2の実施形態を、図4を参照して説明する。本実施形態は、樹脂テープとして、ベース層と粘着層とからなる粘着テープを使用するものである。図4(1)〜(3)は、本実施形態に係る樹脂封止方法において、粘着テープを張設して上型に固定し、型締めした後にキャビティに溶融樹脂を注入するとともに溶融樹脂によって粘着テープにリードフレームを押圧し、型開きしてパッケージを取り出す各工程をそれぞれ拡大して示す部分断面図である。
【0037】
図4において、ベース層26は、例えばポリイミド(PI)や四ふっ化エチレン(PTFE)等のプラスチックからなり、帯状かつフィルム状の樹脂材料である。粘着層27は、ベース層26上に設けられた軟らかい粘着性物質である。ベース層26と粘着層27とは、併せて粘着テープ28を構成する。
【0038】
本実施形態においては、図4(1),(2)に示すように、第1の実施形態と同様に、溶融樹脂21がリードフレーム11を粘着テープ28に押圧する。したがって、リードフレーム11の非装着面が粘着層27に固着され、更に、粘着層27は、リードフレーム11の非装着面ではつぶれるとともに、リードフレーム11の空隙14の部分ではその内部に食い込む。
【0039】
次に、図4(3)に示すように、溶融樹脂21を硬化させて硬化樹脂22を形成した後に、上型1と下型2とを型開きすることにより、樹脂成形品23から粘着テープ28を引きはがす。そして、エジェクターピン10により、リードフレーム11と硬化樹脂22とからなる樹脂成形品23を、下型2から突き出す。ここまでの工程により、1個のリードフレーム11を樹脂封止したことになる。
なお、下型2から樹脂成形品23を突き出した後に、樹脂成形品23から粘着テープ28を引きはがすこともできる。この場合には、例えば、図2のチャック25に代わる搬送用治具によって、突き出された樹脂成形品23の側面をクランプして、更に搬送用治具を下降させればよい。
【0040】
本実施形態によれば、粘着テープ28が、第1の実施形態における樹脂テープ17と同様に作用する。
加えて、リードフレーム11の非装着面に、粘着層27を確実に固着する。これにより、リードフレーム11と粘着テープ28との間における間隙の発生を、いっそう抑制できる。
また、第1の実施形態において樹脂テープ17の一部がリードフレーム11の空隙14に食い込む場合に比べて、軟らかい粘着性物質からなる粘着層27は、空隙14に更に深く食い込む。これにより、外部電極24の非装着面側の側面が硬化樹脂22からいっそう露出する。したがって、プリント基板等にパッケージを実装する際に、外部電極24とプリント基板等のパッドとの間の密着強度が更に増加する。
【0041】
(第3の実施形態)
本発明の第3の実施形態を、図5を参照して説明する。図5(1)及び(2)は、本実施形態に係る樹脂封止方法において、新たなリードフレームを供給し、パッケージを形成してこれを取り出す各工程をそれぞれ示す部分断面図である。図5(1)に示すように、本実施形態においては、樹脂テープ17を、下型2の型面に沿って配置する構成になっている。
【0042】
図5(1)に示すように、まず、樹脂テープ17を下型2の型面に近づけ、又は型面に接触させる。これにより、樹脂テープ17は、予めヒータ(図示なし)によって加熱されている下型2の型面から放射され又は伝導される熱によって予熱される。
次に、チャック25により、半導体チップ15が装着されたリードフレーム11を吸着した後に、樹脂テープ17の上方にリードフレーム11を移動させる。その後に、チャック25により、リードフレーム11を下降させ、樹脂テープ17を介して下型2上に載置する。以下、第1の実施形態と同様に、型締め、キャビティ9への溶融樹脂(図示なし)の注入、及び型開きを順次行う。ここで、プランジャ5に押圧された溶融樹脂は、リードフレーム11に設けられた開口29を通ってカル部7に流入する。
次に、図5(2)に示すように、上型1の下方へチャック25を進入させ、上型1に密着した樹脂成形品23をエジェクターピン10によって突き出し、チャック25が樹脂成形品23を吸着して例えばトレイまで搬送する。樹脂成形品23が吸着された後に、エジェクターピン10は上昇して元の位置に復帰する。ここまでの工程により、1個のリードフレーム11を樹脂封止したことになる。
【0043】
本実施形態によれば、第1の実施形態と同様に、リードフレーム11の非装着面、すなわち完成したパッケージの底面における硬化樹脂の突出を防止できる。また、プリント基板等にパッケージを実装する際に、外部電極24とプリント基板等のパッドとの間の密着強度が増加するとともに、外観検査を容易に行うことができる。更に、予めリードフレーム11の非装着面に樹脂テープを貼付しておく必要がないので、材料コストを低く抑えることができる。
【0044】
なお、樹脂テープ17として、第2の実施形態で使用した粘着テープ28を使用してもよい。この場合には、第2の実施形態と同様、外部電極24とプリント基板等のパッドとの間の密着強度がいっそう増加する。
【0045】
なお、上述の各実施形態において、上型1と下型2との間の空間に未使用の樹脂テープを供給する前に、減圧ポンプ等を使用してその空間を減圧することもできる。この場合には、減圧することによって、リードフレームと樹脂テープとが互いに圧着される面から、空気とともに異物が除去されるので、パッケージの底面における硬化樹脂の突出をいっそう効果的に防止できる。また、溶融樹脂への異物混入を抑制できるので、この点からもパッケージの信頼性を向上させることができる。
【0046】
また、上述の各実施形態においては、1個のリードフレーム11に2個の半導体チップ15が装着された場合を説明した。これに限らず、1個のリードフレームに1個の半導体チップが装着された場合においても、本発明を適用することができる。
加えて、リードフレームに3個以上の半導体チップが装着された場合においても、あるいはリードフレームに半導体チップがマトリックス状に配置された場合においても、本発明を適用することができる。これらの場合には、樹脂封止の作業効率を向上させることができる。
【0047】
【発明の効果】
本発明によれば、リードフレームにおける半導体チップが装着されない面、すなわち非装着面に樹脂テープを密着させて、溶融樹脂が非装着面側に流出することを防止する。また、樹脂テープとリードフレームとの間における異物の付着を防止する。また、樹脂テープにおける小さなしわの発生と、リードフレームにおける反りの発生とを防止する。これらのことによって、パッケージの底面における硬化樹脂の突出を防止することができる。
加えて、リードフレームの非装着面側の側面を硬化樹脂から露出させるので、プリント基板等にパッケージを実装する際の密着強度が増加するとともに、外観検査を容易に行うことができる。
したがって、パッケージの底面における硬化樹脂の突出を防止して、外観と信頼性とに優れ実装後のパッケージ取付高さの増加を抑制するとともに、実装する際の密着強度を向上させる、樹脂封止方法及び樹脂封止装置を提供できるという優れた実用的な効果を奏するものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】(1)〜(3)は、第1の実施形態に係る樹脂封止方法において、樹脂テープを供給し、供給された樹脂テープを張設して上型に固定し、型締めして溶融樹脂を注入する各工程をそれぞれ示す部分断面図である。
【図2】(1)〜(3)は、第1の実施形態に係る樹脂封止方法において、型開きし、パッケージを取り出し、新たなリードフレームを供給する各工程をそれぞれ示す部分断面図である。
【図3】(1)〜(3)は、第1の実施形態に係る樹脂封止方法において、樹脂テープを張設して上型に固定し、型締めした後にキャビティに溶融樹脂を注入するとともに溶融樹脂によって樹脂テープにリードフレームを押圧し、型開きしてパッケージを取り出す各工程をそれぞれ拡大して示す部分断面図である。
【図4】(1)〜(3)は、第2の実施形態に係る樹脂封止方法において、粘着テープを張設して上型に固定し、型締めした後にキャビティに溶融樹脂を注入するとともに溶融樹脂によって粘着テープにリードフレームを押圧し、型開きしてパッケージを取り出す各工程をそれぞれ拡大して示す部分断面図である。
【図5】(1)及び(2)は、第3の実施形態に係る樹脂封止方法において、新たなリードフレームを供給し、パッケージを形成してこれを取り出す各工程をそれぞれ示す部分断面図である。
【符号の説明】
1 上型
2 下型
3 凹部
4 ポット
5 プランジャ
6 樹脂タブレット
7 カル部
8 樹脂流動部
9 キャビティ
10 エジェクターピン
11 リードフレーム
12 ダイパッド
13 ボンディングパッド
14 空隙
15 半導体チップ
16 ワイヤ
17 樹脂テープ
18 供給側ロール
19 巻取り側ロール
20 吸着用管路
21 溶融樹脂
22 硬化樹脂
23 樹脂成形品
24 外部電極
25 チャック
26 ベース層
27 粘着層
28 粘着テープ
29 開口
D 段差

Claims (8)

  1. 相対向する上型と下型とを使用して、半導体チップが装着されたリードフレームを樹脂封止する樹脂封止方法であって、
    供給側ロールから巻取り側ロールへと張られた樹脂テープを前記上型と下型との間に供給する工程と、
    前記上型の型面に沿って前記樹脂テープを張設する工程と、
    前記下型に設けられたキャビティに前記半導体チップを収納するようにして前記下型の型面に前記リードフレームを載置する工程と、
    前記上型と下型とによって前記リードフレームを挟持することなく前記上型と下型とを型締めする工程と、
    前記キャビティに溶融樹脂を注入し、該注入された溶融樹脂によって前記挟持されていないリードフレームを前記樹脂テープを介して前記上型に押圧する工程と、
    前記溶融樹脂を硬化させて硬化樹脂を形成する工程と、
    前記上型と下型とを型開きする工程と、
    前記硬化樹脂と前記リードフレームとが一体化された樹脂成形品を取り出す工程と、
    前記巻取り側ロール及び前記供給側ロールによって、前記巻取り側ロールに使用済の前記樹脂テープを巻き取りつつ前記上型と下型との間に未使用の前記樹脂テープを供給する工程とを備えたことを特徴とする樹脂封止方法。
  2. 相対向する上型と下型とを使用して、半導体チップが装着されたリードフレームを樹脂封止する樹脂封止方法であって、
    供給側ロールから巻取り側ロールへと張られた樹脂テープを前記上型と下型との間に供給する工程と、
    前記下型の型面に沿って前記樹脂テープを張設する工程と、
    前記上型に設けられたキャビティの直下に前記半導体チップを配置するようにして、前記樹脂テープを介して前記下型上に前記リードフレームを載置する工程と、
    前記上型と下型とによって前記リードフレームを挟持することなく前記上型と下型とを型締めする工程と、
    前記キャビティに溶融樹脂を注入し、該注入された溶融樹脂によって前記挟持されていないリードフレームを前記樹脂テープを介して前記下型に押圧する工程と、
    前記溶融樹脂を硬化させて硬化樹脂を形成する工程と、
    前記上型と下型とを型開きする工程と、
    前記硬化樹脂と前記リードフレームとが一体化された樹脂成形品を取り出す工程と、
    前記巻取り側ロール及び前記供給側ロールによって、前記巻取り側ロールに使用済の前記樹脂テープを巻き取りつつ前記上型と下型との間に未使用の前記樹脂テープを供給する工程とを備えたことを特徴とする樹脂封止方法。
  3. 請求項1又は2記載の樹脂封止方法において、
    前記樹脂テープを張設する工程では、予め加熱された前記上型又は下型の型面に前記樹脂テープを近づけ、又は接触させることによって前記樹脂テープを予熱することを特徴とする樹脂封止方法。
  4. 請求項1〜3のいずれかに記載の樹脂封止方法において、
    前記樹脂テープはベース層と粘着層とを有する粘着テープであり、
    前記押圧する工程では前記リードフレームを前記粘着層に対して押圧するとともに、
    前記型開きする工程において、又は該型開きする工程よりも後に、前記リードフレームから前記粘着テープを引きはがすことを特徴とする樹脂封止方法。
  5. 請求項1〜4のいずれかに記載の樹脂封止方法において、
    前記上型と下型との間の空間に存在する異物を除去する目的で前記空間を減圧する工程を更に備えたことを特徴とする樹脂封止方法。
  6. 請求項1〜5のいずれかに記載の樹脂封止方法において、
    前記リードフレームには複数個の半導体チップが装着され、
    前記上型又は下型にはキャビティが複数個設けられているとともに、
    前記押圧する工程では、前記複数個のキャビティに各々前記溶融樹脂を注入して、各キャビティにおいて注入された溶融樹脂によって前記リードフレームを前記樹脂テープに対して押圧することを特徴とする樹脂封止方法。
  7. 一方の面に半導体チップが装着され、上型と下型とからなる金型の間に載置されたリードフレームを樹脂封止する樹脂封止装置であって、
    前記上型と下型との間に樹脂テープを張設する手段と、
    前記リードフレームが有する他方の面を前記樹脂テープに接触させ、前記金型が有するキャビティに前記半導体チップを収容させるようにして、かつ、前記上型と下型とによって前記リードフレームが挟持されることなく前記上型と下型とを型締めする手段と、
    前記キャビティに溶融樹脂を注入する手段と、
    前記注入された溶融樹脂が硬化した状態において前記上型と下型とを型開きする手段とを備えるとともに、
    前記溶融樹脂を注入する手段は、該注入された溶融樹脂によって前記リードフレームが有する他方の面を前記樹脂テープを介して前記金型に押圧することを特徴とする樹脂封止装置。
  8. 請求項7記載の樹脂封止装置において、
    前記上型と下型との間の空間に存在する異物を除去する目的で前記空間を減圧する手段を更に備えたことを特徴とする樹脂封止装置。
JP2000009773A 2000-01-19 2000-01-19 樹脂封止方法及び樹脂封止装置 Expired - Fee Related JP3581814B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000009773A JP3581814B2 (ja) 2000-01-19 2000-01-19 樹脂封止方法及び樹脂封止装置
SG200100183A SG104934A1 (en) 2000-01-19 2001-01-10 Resin sealing method and resin sealing apparatus
US09/760,157 US6630374B2 (en) 2000-01-19 2001-01-11 Resin sealing method and resin sealing apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000009773A JP3581814B2 (ja) 2000-01-19 2000-01-19 樹脂封止方法及び樹脂封止装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2001203227A JP2001203227A (ja) 2001-07-27
JP3581814B2 true JP3581814B2 (ja) 2004-10-27

Family

ID=18537879

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000009773A Expired - Fee Related JP3581814B2 (ja) 2000-01-19 2000-01-19 樹脂封止方法及び樹脂封止装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US6630374B2 (ja)
JP (1) JP3581814B2 (ja)
SG (1) SG104934A1 (ja)

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6001672A (en) * 1997-02-25 1999-12-14 Micron Technology, Inc. Method for transfer molding encapsulation of a semiconductor die with attached heat sink
JP3859457B2 (ja) * 2001-03-27 2006-12-20 沖電気工業株式会社 半導体装置の製造方法
US7220615B2 (en) * 2001-06-11 2007-05-22 Micron Technology, Inc. Alternative method used to package multimedia card by transfer molding
JP3470111B2 (ja) * 2001-06-28 2003-11-25 松下電器産業株式会社 樹脂封止型半導体装置の製造方法
JP3711333B2 (ja) * 2001-07-27 2005-11-02 沖電気工業株式会社 半導体装置の製造方法および樹脂封止装置
JP3704304B2 (ja) * 2001-10-26 2005-10-12 新光電気工業株式会社 リードフレーム及びその製造方法並びに該リードフレームを用いた半導体装置の製造方法
JP4519398B2 (ja) * 2002-11-26 2010-08-04 Towa株式会社 樹脂封止方法及び半導体装置の製造方法
JP5004410B2 (ja) 2004-04-26 2012-08-22 Towa株式会社 光素子の樹脂封止成形方法および樹脂封止成形装置
JP5128047B2 (ja) * 2004-10-07 2013-01-23 Towa株式会社 光デバイス及び光デバイスの生産方法
US7985357B2 (en) 2005-07-12 2011-07-26 Towa Corporation Method of resin-sealing and molding an optical device
TW200830573A (en) * 2007-01-03 2008-07-16 Harvatek Corp Mold structure for packaging light-emitting diode chip and method for packaging light-emitting diode chip
CN102522375B (zh) * 2008-07-30 2015-04-08 三洋电机株式会社 半导体装置、半导体装置的制造方法及引线框
EP2295219B1 (en) * 2009-09-10 2012-10-24 Research In Motion Limited Method and system for injection molding
CN102447035B (zh) * 2010-10-06 2015-03-25 赛恩倍吉科技顾问(深圳)有限公司 发光二极管、制造该发光二极管的模具及方法
JP2011171765A (ja) * 2011-05-24 2011-09-01 Towa Corp 光デバイス及び光デバイスの組立方法
KR101850979B1 (ko) * 2011-06-03 2018-04-20 서울반도체 주식회사 발광소자의 봉지재 성형장치 및 방법
JP5856007B2 (ja) * 2012-04-27 2016-02-09 Towa株式会社 樹脂封止方法および樹脂封止装置
JP6560498B2 (ja) * 2015-01-27 2019-08-14 Towa株式会社 樹脂封止方法及び樹脂成形品の製造方法
KR102337659B1 (ko) * 2018-02-21 2021-12-09 삼성전자주식회사 금형 검사 장치 및 금형 검사 방법
CN110289219B (zh) * 2019-06-28 2021-07-06 广东工业大学 扇出型模块高压封装工艺、结构以及设备
JP2024047674A (ja) * 2022-09-27 2024-04-08 Towa株式会社 成形型、樹脂成形装置、及び、樹脂成形品の製造方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL9400119A (nl) * 1994-01-27 1995-09-01 3P Licensing Bv Werkwijze voor het met een hardende kunststof omhullen van een electronische component, electronische componenten met kunststofomhulling verkregen door middel van deze werkwijze en matrijs voor het uitvoeren der werkwijze.
US6048483A (en) * 1996-07-23 2000-04-11 Apic Yamada Corporation Resin sealing method for chip-size packages
JP3017485B2 (ja) * 1998-01-23 2000-03-06 アピックヤマダ株式会社 半導体装置の樹脂封止方法及び樹脂封止装置
JP4020533B2 (ja) * 1999-04-28 2007-12-12 Towa株式会社 樹脂封止装置及び樹脂封止方法

Also Published As

Publication number Publication date
US6630374B2 (en) 2003-10-07
SG104934A1 (en) 2004-07-30
JP2001203227A (ja) 2001-07-27
US20010008775A1 (en) 2001-07-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3581814B2 (ja) 樹脂封止方法及び樹脂封止装置
EP1335428B1 (en) Resin-moulded semiconductor device and method for manufacturing the same
US7520052B2 (en) Method of manufacturing a semiconductor device
US20010042913A1 (en) Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, resin molding die, and semiconductor manufacturing system
EP2565913B1 (en) Method for encapsulating of a semiconductor
JP2004179284A (ja) 樹脂封止方法、半導体装置の製造方法、及び樹脂材料
JP2002009096A (ja) 樹脂封止方法及び樹脂封止装置
JP2001053094A (ja) 樹脂封止方法及び装置
KR100369386B1 (ko) 볼그리드어레이반도체패키지용인쇄회로기판및이를이용한볼그리드어레이반도체패키지의봉지방법
JP4454608B2 (ja) 半導体集積回路装置の製造方法
JP3423912B2 (ja) 電子部品、電子部品の樹脂封止方法、及び樹脂封止装置
JP2004230707A (ja) 電子部品の樹脂封止成形方法及び装置
JP3482888B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
JP2004200269A (ja) 電子部品の樹脂封止成形方法及び装置
JP3879823B2 (ja) 薄型半導体装置のモールド方法及びそのモールド金型
JP2003170465A (ja) 半導体パッケージの製造方法およびそのための封止金型
JP3139981B2 (ja) チップサイズパッケージの樹脂封止方法及び樹脂封止装置
JPH05291459A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP2002118130A (ja) マトリクスパッケージの樹脂封止方法
JP2000176967A (ja) 樹脂封止装置
JP2000141400A (ja) 半導体装置の樹脂封止方法
JPH11340263A (ja) 電子部品の樹脂封止成形方法
JPH07130782A (ja) ヒートシンク付きパッケージ型半導体装置の製造方法
JP2002026047A (ja) チップサイズパッケージの樹脂封止方法及び樹脂封止装置
JPH0342845A (ja) 半導体装置の樹脂封止成形金形装置

Legal Events

Date Code Title Description
A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20040726

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 3581814

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080730

Year of fee payment: 4

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080730

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090730

Year of fee payment: 5

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090730

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100730

Year of fee payment: 6

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110730

Year of fee payment: 7

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110730

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120730

Year of fee payment: 8

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120730

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130730

Year of fee payment: 9

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140730

Year of fee payment: 10

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees