JP2000141400A - 半導体装置の樹脂封止方法 - Google Patents
半導体装置の樹脂封止方法Info
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- JP2000141400A JP2000141400A JP32497598A JP32497598A JP2000141400A JP 2000141400 A JP2000141400 A JP 2000141400A JP 32497598 A JP32497598 A JP 32497598A JP 32497598 A JP32497598 A JP 32497598A JP 2000141400 A JP2000141400 A JP 2000141400A
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- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 生産効率が高く、しかも樹脂封止部の成形品
質の高い半導体装置の樹脂封止方法を提供する。 【解決手段】 積層基板２に形成された端子形成面５と
同一面側に半導体チップ４を搭載されてなる半導体装置
１の樹脂封止方法において、樹脂封止される半導体チッ
プ４に対向してポット９及びプランジャ１０が配備され
たモールド金型のうち、積層基板２の端子形成面５に対
向する逃げ面１１及びポット９を含むパーティング面に
リリースフィルム１２を張設する工程と、モールド金型
に半導体装置１及び封止樹脂８を供給してクランプする
工程と、ポット９内に装備されたプランジャ１０により
封止樹脂９に樹脂圧を印加して半導体チップ４を樹脂封
止する樹脂封止工程とを有する。
質の高い半導体装置の樹脂封止方法を提供する。 【解決手段】 積層基板２に形成された端子形成面５と
同一面側に半導体チップ４を搭載されてなる半導体装置
１の樹脂封止方法において、樹脂封止される半導体チッ
プ４に対向してポット９及びプランジャ１０が配備され
たモールド金型のうち、積層基板２の端子形成面５に対
向する逃げ面１１及びポット９を含むパーティング面に
リリースフィルム１２を張設する工程と、モールド金型
に半導体装置１及び封止樹脂８を供給してクランプする
工程と、ポット９内に装備されたプランジャ１０により
封止樹脂９に樹脂圧を印加して半導体チップ４を樹脂封
止する樹脂封止工程とを有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、回路基板に形成さ
れた端子形成面と同一面側に半導体素子を搭載されてな
る半導体装置の樹脂封止方法に関する。
れた端子形成面と同一面側に半導体素子を搭載されてな
る半導体装置の樹脂封止方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置製造用の樹脂封止方法として
は、製品により種々異なるが、例えばチップサイズパッ
ケージのアンダーフィルモールドや回路基板に形成され
た端子形成面と同一面側に半導体素子を搭載されてなる
ＢＧＡタイプの半導体パッケージの樹脂封止方法として
は、例えばポッティング法により樹脂封止が行われてい
る。また、回路基板やリードフレームなどに半導体チッ
プが搭載された通常の半導体パッケージの樹脂封止方法
としては、例えばトランスファ成形による自動機が広く
使用されている。このトランスファモールド装置は、モ
ールド金型のキャビティに被成形品を搬入してクランプ
し、樹脂を圧送して樹脂封止を行い、樹脂封止後、成形
品をモールド金型より離型して搬出するように構成され
ている。
は、製品により種々異なるが、例えばチップサイズパッ
ケージのアンダーフィルモールドや回路基板に形成され
た端子形成面と同一面側に半導体素子を搭載されてなる
ＢＧＡタイプの半導体パッケージの樹脂封止方法として
は、例えばポッティング法により樹脂封止が行われてい
る。また、回路基板やリードフレームなどに半導体チッ
プが搭載された通常の半導体パッケージの樹脂封止方法
としては、例えばトランスファ成形による自動機が広く
使用されている。このトランスファモールド装置は、モ
ールド金型のキャビティに被成形品を搬入してクランプ
し、樹脂を圧送して樹脂封止を行い、樹脂封止後、成形
品をモールド金型より離型して搬出するように構成され
ている。
【０００３】例えば図１１はＢＧＡ用の積層基板５１の
はんだボール５２形成面５３と同一面側に半導体素子５
４を搭載されてなるＢＧＡタイプの半導体パッケージ５
５の樹脂封止方法として、ポッティングノズル５６より
半導体素子５４を搭載されたキャビティ５７へ樹脂を充
填して硬化させる方法を示すものである。このＢＧＡタ
イプの半導体パッケージ５５の樹脂封止方法としては、
半導体素子５４の搭載面と同一面側にポッティングによ
る他は樹脂封止方法がないのが実情であった。
はんだボール５２形成面５３と同一面側に半導体素子５
４を搭載されてなるＢＧＡタイプの半導体パッケージ５
５の樹脂封止方法として、ポッティングノズル５６より
半導体素子５４を搭載されたキャビティ５７へ樹脂を充
填して硬化させる方法を示すものである。このＢＧＡタ
イプの半導体パッケージ５５の樹脂封止方法としては、
半導体素子５４の搭載面と同一面側にポッティングによ
る他は樹脂封止方法がないのが実情であった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ポッテ
ィング法により半導体パッケージ５５に封止樹脂充填
後、該封止樹脂を加熱硬化させるとしても硬化時間が長
く、生産性が低い。また、ポッテング法により樹脂封止
するため、樹脂封止部分に樹脂圧が印加されないため、
エアーが混入し易く、均一に硬化し難いため、成形部位
にボイドが生じ易いという課題もあった。
ィング法により半導体パッケージ５５に封止樹脂充填
後、該封止樹脂を加熱硬化させるとしても硬化時間が長
く、生産性が低い。また、ポッテング法により樹脂封止
するため、樹脂封止部分に樹脂圧が印加されないため、
エアーが混入し易く、均一に硬化し難いため、成形部位
にボイドが生じ易いという課題もあった。
【０００５】本発明の目的は、上記従来技術の課題を解
決し、生産効率が高く、しかも樹脂封止部の成形品質の
高い半導体装置の樹脂封止方法を提供することにある。
決し、生産効率が高く、しかも樹脂封止部の成形品質の
高い半導体装置の樹脂封止方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため次の構成を備える。即ち、回路基板に形成され
た端子形成面と同一面側に半導体素子を搭載されてなる
半導体装置の樹脂封止方法において、樹脂封止される半
導体素子に対向して配設されたポット内にプランジャが
可動可能に装備されたモールド金型のうち、回路基板の
端子形成面に対向する逃げ面及びポットを含む金型のパ
ーティング面にリリースフィルムを張設する工程と、モ
ールド金型に半導体装置及び封止樹脂を供給してクラン
プする工程と、ポット内に装備されたプランジャにより
リリースフィルムを介して封止樹脂に樹脂圧を印加して
半導体素子を樹脂封止する樹脂封止工程とを有すること
を特徴とする。上記構成によれば、回路基板に形成され
た端子形成面と同一面側に半導体素子を搭載されてなる
半導体装置（例えばＢＧＡタイプの半導体パッケージ）
をトランスファー成形法により樹脂封止できるので、従
来のポッティング法に比べて封止樹脂の硬化時間も短
く、生産性が向上できる。また、封止樹脂に適正な樹脂
圧が印加されて樹脂封止されるので、ポッティング法に
比べてエアーが混入するおそれがなく、ボイドの発生も
少ないので、成形品質を向上させることができる。ま
た、リリースフィルムを使用するためはんだボールなど
の端子形成後であってもトランスファ成形法により容易
に樹脂封止できるので、ユーザーの使い勝手が良い。
するため次の構成を備える。即ち、回路基板に形成され
た端子形成面と同一面側に半導体素子を搭載されてなる
半導体装置の樹脂封止方法において、樹脂封止される半
導体素子に対向して配設されたポット内にプランジャが
可動可能に装備されたモールド金型のうち、回路基板の
端子形成面に対向する逃げ面及びポットを含む金型のパ
ーティング面にリリースフィルムを張設する工程と、モ
ールド金型に半導体装置及び封止樹脂を供給してクラン
プする工程と、ポット内に装備されたプランジャにより
リリースフィルムを介して封止樹脂に樹脂圧を印加して
半導体素子を樹脂封止する樹脂封止工程とを有すること
を特徴とする。上記構成によれば、回路基板に形成され
た端子形成面と同一面側に半導体素子を搭載されてなる
半導体装置（例えばＢＧＡタイプの半導体パッケージ）
をトランスファー成形法により樹脂封止できるので、従
来のポッティング法に比べて封止樹脂の硬化時間も短
く、生産性が向上できる。また、封止樹脂に適正な樹脂
圧が印加されて樹脂封止されるので、ポッティング法に
比べてエアーが混入するおそれがなく、ボイドの発生も
少ないので、成形品質を向上させることができる。ま
た、リリースフィルムを使用するためはんだボールなど
の端子形成後であってもトランスファ成形法により容易
に樹脂封止できるので、ユーザーの使い勝手が良い。
【０００７】また、樹脂封止部のエアー抜きの構成とし
ては、リリースフィルムの所定位置にエアベント穴が形
成されているのが好ましく、リリースフィルムが張設さ
れるモールド金型のパーティング面にはエアベント溝が
形成されていても良い。これらエアベント穴とエアベン
ト溝は、少なくともいずれか一方を装備されていること
が望ましく、両方とも装備されていても良い。また、半
導体装置は、モールド金型にクランプされてキャビティ
が水平方向に対して傾斜するよう保持されたまま樹脂封
止されるようにしても良い。この場合には、傾斜したモ
ールド金型のキャビティ内の上方にエアーベント部を設
けることによりエアを抜け易くすることができる。ま
た、プランジャ先端のコーナー部にＲを形成しても良
く、この場合にはプランジャが封止樹脂を押圧した際に
コーナー部のリリースフィルムにしわが発生するのを防
止してエアを抜け易くすることができる。また、半導体
装置がクランプされる際に、モールド金型のパーティン
グ面に隙間を形成して一旦停止させ、その後半導体装置
の外形高さ位置までクランプし、プランジャにより封止
樹脂に樹脂圧を印加しながら樹脂封止するようにすれ
ば、キャビティ内のエアを確実に抜いてから樹脂封止を
行うことができる。
ては、リリースフィルムの所定位置にエアベント穴が形
成されているのが好ましく、リリースフィルムが張設さ
れるモールド金型のパーティング面にはエアベント溝が
形成されていても良い。これらエアベント穴とエアベン
ト溝は、少なくともいずれか一方を装備されていること
が望ましく、両方とも装備されていても良い。また、半
導体装置は、モールド金型にクランプされてキャビティ
が水平方向に対して傾斜するよう保持されたまま樹脂封
止されるようにしても良い。この場合には、傾斜したモ
ールド金型のキャビティ内の上方にエアーベント部を設
けることによりエアを抜け易くすることができる。ま
た、プランジャ先端のコーナー部にＲを形成しても良
く、この場合にはプランジャが封止樹脂を押圧した際に
コーナー部のリリースフィルムにしわが発生するのを防
止してエアを抜け易くすることができる。また、半導体
装置がクランプされる際に、モールド金型のパーティン
グ面に隙間を形成して一旦停止させ、その後半導体装置
の外形高さ位置までクランプし、プランジャにより封止
樹脂に樹脂圧を印加しながら樹脂封止するようにすれ
ば、キャビティ内のエアを確実に抜いてから樹脂封止を
行うことができる。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施の態様
を添付図面に基づいて詳細に説明する。本実施の態様
は、ＢＧＡタイプの半導体装置を樹脂封止する樹脂封止
方法ついて説明するものとする。図１は第１実施例に係
る半導体装置をクランプする工程を示す説明図、図２は
第１実施例に係る半導体装置を樹脂封止工程を示す説明
図、図３は樹脂封止後の半導体装置の説明図、図４は第
２実施例に係る半導体装置をクランプする工程を示す説
明図、図５は第２実施例に係る半導体装置を樹脂封止工
程を示す説明図、図６は樹脂封止後の半導体装置の説明
図、図７は従来のプランジャを用いて封止樹脂の押圧動
作を行う際の課題を示す説明図、図８は他例に係るプラ
ンジャを用いて封止樹脂の押圧動作を示す説明図、図９
は図１０のモールド金型の矢印Ａ−Ａ位置における樹脂
封止装置の断面説明図、図１０はモールド金型のうち下
型の上視図である。
を添付図面に基づいて詳細に説明する。本実施の態様
は、ＢＧＡタイプの半導体装置を樹脂封止する樹脂封止
方法ついて説明するものとする。図１は第１実施例に係
る半導体装置をクランプする工程を示す説明図、図２は
第１実施例に係る半導体装置を樹脂封止工程を示す説明
図、図３は樹脂封止後の半導体装置の説明図、図４は第
２実施例に係る半導体装置をクランプする工程を示す説
明図、図５は第２実施例に係る半導体装置を樹脂封止工
程を示す説明図、図６は樹脂封止後の半導体装置の説明
図、図７は従来のプランジャを用いて封止樹脂の押圧動
作を行う際の課題を示す説明図、図８は他例に係るプラ
ンジャを用いて封止樹脂の押圧動作を示す説明図、図９
は図１０のモールド金型の矢印Ａ−Ａ位置における樹脂
封止装置の断面説明図、図１０はモールド金型のうち下
型の上視図である。
【０００９】〔第１実施例〕先ず、樹脂封止装置の概略
構成について図１並びに図９及び図１０を参照して説明
する。尚、図９は図１０のモールド金型の矢印Ａ−Ａ位
置における断面図である。１はＢＧＡタイプの半導体装
置である。この半導体装置１は、回路基板としてエポキ
シ樹脂などの絶縁樹脂層と銅箔等の金属層が交互に積層
され、内部に信号層や電源／グランド層が形成された積
層基板２に、キャビティ（凹部）３が形成されており、
該キャビティ３に半導体チップ４が搭載されてワイヤボ
ンディングなどにより電気的に接続されてなる。また、
半導体装置１は積層基板２の端子形成面５と同一面側に
半導体チップ４が搭載されている。端子形成面５には接
続端子として例えばはんだボール６が形成されている
（図１参照）。
構成について図１並びに図９及び図１０を参照して説明
する。尚、図９は図１０のモールド金型の矢印Ａ−Ａ位
置における断面図である。１はＢＧＡタイプの半導体装
置である。この半導体装置１は、回路基板としてエポキ
シ樹脂などの絶縁樹脂層と銅箔等の金属層が交互に積層
され、内部に信号層や電源／グランド層が形成された積
層基板２に、キャビティ（凹部）３が形成されており、
該キャビティ３に半導体チップ４が搭載されてワイヤボ
ンディングなどにより電気的に接続されてなる。また、
半導体装置１は積層基板２の端子形成面５と同一面側に
半導体チップ４が搭載されている。端子形成面５には接
続端子として例えばはんだボール６が形成されている
（図１参照）。
【００１０】７は下型であり、樹脂タブレット等の封止
樹脂８を装填されるポット９、該ポット９内に装備され
たプランジャ１０が装備されている。このポット９及び
プランジャ１０は、樹脂封止される半導体チップ４に対
向して配備されている。また、下型７のパーティング面
には、半導体装置１をクランプした際に端子形成面５を
収容する逃げ面（凹面）１１が形成されている。１２は
リリースフィルムであり、本実施例では下型７のパーテ
ィング面に張設されて吸引穴７ａにより吸着保持され
る。このリリースフィルム１２としては、モールド金型
より剥離し易くしかも耐熱性を有する長尺状或いは短冊
状のフィルムが用いられ、例えばＦＥＰシートフィル
ム、ＰＥＴシートフィルム、ポリ塩化ビリニジン、フッ
素含浸ガラスクロスフィルム、ＥＴＦＥフィルム等が好
適に用いられる（図９参照）。
樹脂８を装填されるポット９、該ポット９内に装備され
たプランジャ１０が装備されている。このポット９及び
プランジャ１０は、樹脂封止される半導体チップ４に対
向して配備されている。また、下型７のパーティング面
には、半導体装置１をクランプした際に端子形成面５を
収容する逃げ面（凹面）１１が形成されている。１２は
リリースフィルムであり、本実施例では下型７のパーテ
ィング面に張設されて吸引穴７ａにより吸着保持され
る。このリリースフィルム１２としては、モールド金型
より剥離し易くしかも耐熱性を有する長尺状或いは短冊
状のフィルムが用いられ、例えばＦＥＰシートフィル
ム、ＰＥＴシートフィルム、ポリ塩化ビリニジン、フッ
素含浸ガラスクロスフィルム、ＥＴＦＥフィルム等が好
適に用いられる（図９参照）。
【００１１】また、樹脂封止部のエア抜きの構成として
は、リリースフィルム１２が張設される下型７のパーテ
ィング面にはリリースフィルム１２を吸着保持するため
の吸引穴７ａや、樹脂封止部よりエアを外部へ逃がすた
めのエアベント溝１４が形成されている。リリースフィ
ルム１２にはエアベント溝１４に連通するエアベント穴
１５が形成されている（図１０参照）。また、エアベン
ト溝１４は、吸引穴７ａを介して下型７のベース部に設
けられたフィルム吸引溝１６に連通しており、吸引した
エアをモールド金型外へ排気する（図９参照）。１３は
上型であり、半導体装置１の端子形成面５と反対側の積
層基板２に当接して下型７との協働により半導体装置１
をクランプする。上型１３のパーティング面には、半導
体装置１の積層基板２を吸着保持する基板吸引穴１３ａ
が形成されている（図９参照）。
は、リリースフィルム１２が張設される下型７のパーテ
ィング面にはリリースフィルム１２を吸着保持するため
の吸引穴７ａや、樹脂封止部よりエアを外部へ逃がすた
めのエアベント溝１４が形成されている。リリースフィ
ルム１２にはエアベント溝１４に連通するエアベント穴
１５が形成されている（図１０参照）。また、エアベン
ト溝１４は、吸引穴７ａを介して下型７のベース部に設
けられたフィルム吸引溝１６に連通しており、吸引した
エアをモールド金型外へ排気する（図９参照）。１３は
上型であり、半導体装置１の端子形成面５と反対側の積
層基板２に当接して下型７との協働により半導体装置１
をクランプする。上型１３のパーティング面には、半導
体装置１の積層基板２を吸着保持する基板吸引穴１３ａ
が形成されている（図９参照）。
【００１２】次に半導体装置１の樹脂封止方法について
図１〜図３を参照して説明する。先ず、型開きしたモー
ルド金型の下型７のパーティング面にリリースフィルム
１２を張設する。リリースフィルム１２は、長尺状の場
合にはリール間に巻回されたものが定寸送りされ、下型
７に設けられた吸引穴（図示せず）よりエアー吸引する
ことにより吸着保持される。また、短冊状の場合には、
半導体装置１と共にローダー（図示せず）により搬入さ
れるか、専用のリリースフィルム供給装置（図示せず）
により供給される。
図１〜図３を参照して説明する。先ず、型開きしたモー
ルド金型の下型７のパーティング面にリリースフィルム
１２を張設する。リリースフィルム１２は、長尺状の場
合にはリール間に巻回されたものが定寸送りされ、下型
７に設けられた吸引穴（図示せず）よりエアー吸引する
ことにより吸着保持される。また、短冊状の場合には、
半導体装置１と共にローダー（図示せず）により搬入さ
れるか、専用のリリースフィルム供給装置（図示せず）
により供給される。
【００１３】次いで、リリースフィルム１２が吸着保持
された下型７に半導体装置１及び封止樹脂８が搬入され
る。半導体装置１は半導体チップ搭載面（端子形成面
５）を下向きにして下型７に搭載される。このとき、半
導体装置１の端子形成面５にははんだボール６が形成さ
れていてもいなくてもよいが、いずれにせよ下型７の逃
げ面１１に収容されるので支障はない。また封止樹脂８
としては樹脂タブレットのような固形のものや粉末樹
脂、液体樹脂或いは顆粒樹脂などであっても良い。
された下型７に半導体装置１及び封止樹脂８が搬入され
る。半導体装置１は半導体チップ搭載面（端子形成面
５）を下向きにして下型７に搭載される。このとき、半
導体装置１の端子形成面５にははんだボール６が形成さ
れていてもいなくてもよいが、いずれにせよ下型７の逃
げ面１１に収容されるので支障はない。また封止樹脂８
としては樹脂タブレットのような固形のものや粉末樹
脂、液体樹脂或いは顆粒樹脂などであっても良い。
【００１４】次に、図１に示すように、半導体装置１を
下型７及び上型１３によりクランプする。この場合、上
下金型のうち、いずれが上下動しても良いが、リリース
フィルム１２が長尺状であれば、上型１３が開閉可能に
なっている方が、装置構成上は好都合である。
下型７及び上型１３によりクランプする。この場合、上
下金型のうち、いずれが上下動しても良いが、リリース
フィルム１２が長尺状であれば、上型１３が開閉可能に
なっている方が、装置構成上は好都合である。
【００１５】次に、図２に示すように、プランジャ１０
を上動させてポット９に供給された封止樹脂８に樹脂圧
を印加してキャビティ３内へ充填して半導体チップ４を
樹脂封止する。このとき、ポット９内の封止樹脂８は上
方のキャビティ３内に充填される。また、キャビティ３
内のエアーはリリースフィルム１２に形成されたエアー
ベント穴や下型７に形成されたエアーベント溝を介して
金型内より除去される。また、半導体チップ４の端子形
成面５は逃げ面１１に収容され、しかもキャビティ３以
外の下型７のパーティング面はリリースフィルム１２に
覆われているので、封止樹脂８が端子形成面５に侵入し
たり、金型面に漏れ出すことはない。
を上動させてポット９に供給された封止樹脂８に樹脂圧
を印加してキャビティ３内へ充填して半導体チップ４を
樹脂封止する。このとき、ポット９内の封止樹脂８は上
方のキャビティ３内に充填される。また、キャビティ３
内のエアーはリリースフィルム１２に形成されたエアー
ベント穴や下型７に形成されたエアーベント溝を介して
金型内より除去される。また、半導体チップ４の端子形
成面５は逃げ面１１に収容され、しかもキャビティ３以
外の下型７のパーティング面はリリースフィルム１２に
覆われているので、封止樹脂８が端子形成面５に侵入し
たり、金型面に漏れ出すことはない。
【００１６】このようにして、樹脂封止された半導体装
置１は、リリーフフィルム１２を介して樹脂封止されて
いるため容易に離型し、モールド金型を型開きして図示
しないアンローダー等により図３に示すように取り出さ
れる。
置１は、リリーフフィルム１２を介して樹脂封止されて
いるため容易に離型し、モールド金型を型開きして図示
しないアンローダー等により図３に示すように取り出さ
れる。
【００１７】上記構成によれば、積層基板２に形成され
た端子形成面５と同一面側に半導体チップ４を搭載され
てなる半導体装置１をトランスファー成形法により樹脂
封止できるので、従来のポッティング法に比べて封止樹
脂８の硬化時間も短く、生産性が向上できる。また、封
止樹脂８に適正な樹脂圧が印加されて樹脂封止されるの
で、ポッティング法に比べてエアーが混入するおそれが
なく、ボイドの発生も少ないので、成形品質を向上させ
ることができる。また、リリースフィルム１２を使用す
るためはんだボール６などの端子形成後であってもトラ
ンスファ成形法により容易に樹脂封止できるので、ユー
ザーの使い勝手が良い。
た端子形成面５と同一面側に半導体チップ４を搭載され
てなる半導体装置１をトランスファー成形法により樹脂
封止できるので、従来のポッティング法に比べて封止樹
脂８の硬化時間も短く、生産性が向上できる。また、封
止樹脂８に適正な樹脂圧が印加されて樹脂封止されるの
で、ポッティング法に比べてエアーが混入するおそれが
なく、ボイドの発生も少ないので、成形品質を向上させ
ることができる。また、リリースフィルム１２を使用す
るためはんだボール６などの端子形成後であってもトラ
ンスファ成形法により容易に樹脂封止できるので、ユー
ザーの使い勝手が良い。
【００１８】〔第２実施例〕次に半導体装置の樹脂封止
方法の他例について図４〜図６を参照して説明する。第
１実施例と同一の部材には同一の番号を付して説明を援
用する。第１実施例は、下型７側にポット９及びプラン
ジャ１０を装備した場合について説明したが、図４及び
図５に示すように、上型１３にポット９及びプランジャ
１０を装備していても良い。上型１３のパーティング面
には半導体チップ４の端子形成面５を収容する逃げ面１
１が形成されており、該パーティング面に形成された吸
引穴（図示せず）よりリリースフィルム１２が吸着保持
される。本実施例では、半導体装置１は、半導体チップ
搭載面（端子形成面５）を上向きにして下型７に搭載さ
れる。
方法の他例について図４〜図６を参照して説明する。第
１実施例と同一の部材には同一の番号を付して説明を援
用する。第１実施例は、下型７側にポット９及びプラン
ジャ１０を装備した場合について説明したが、図４及び
図５に示すように、上型１３にポット９及びプランジャ
１０を装備していても良い。上型１３のパーティング面
には半導体チップ４の端子形成面５を収容する逃げ面１
１が形成されており、該パーティング面に形成された吸
引穴（図示せず）よりリリースフィルム１２が吸着保持
される。本実施例では、半導体装置１は、半導体チップ
搭載面（端子形成面５）を上向きにして下型７に搭載さ
れる。
【００１９】次に半導体装置１の樹脂封止方法について
図４〜図６を参照して説明する。先ず、型開きしたモー
ルド金型の上型１３のパーティング面にリリースフィル
ム１２を張設する。リリースフィルム１２は、長尺状の
場合にはリール間に巻回されたものが定寸送りされ、上
型１３に設けられた吸引穴（図示せず）よりエアー吸引
することにより吸着保持される。また、短冊状の場合に
は、半導体装置１と共にローダー（図示せず）により搬
入されるか、専用のリリースフィルム供給装置（図示せ
ず）により供給される。
図４〜図６を参照して説明する。先ず、型開きしたモー
ルド金型の上型１３のパーティング面にリリースフィル
ム１２を張設する。リリースフィルム１２は、長尺状の
場合にはリール間に巻回されたものが定寸送りされ、上
型１３に設けられた吸引穴（図示せず）よりエアー吸引
することにより吸着保持される。また、短冊状の場合に
は、半導体装置１と共にローダー（図示せず）により搬
入されるか、専用のリリースフィルム供給装置（図示せ
ず）により供給される。
【００２０】次に、下型７に半導体装置１及び封止樹脂
８が搬入される。半導体装置１は半導体チップ搭載面
（端子形成面５）を上向きにして下型７に搭載される。
また封止樹脂８はポット９内に充填できるものであって
も良いが、顆粒状や粉末状の樹脂や液体状の樹脂をキャ
ビティ３に充填するようにしても良い。
８が搬入される。半導体装置１は半導体チップ搭載面
（端子形成面５）を上向きにして下型７に搭載される。
また封止樹脂８はポット９内に充填できるものであって
も良いが、顆粒状や粉末状の樹脂や液体状の樹脂をキャ
ビティ３に充填するようにしても良い。
【００２１】次に、図４に示すように、半導体装置１を
下型７及び上型１３によりクランプする。この場合、上
下金型のうち、いずれが上下動しても良いが、リリース
フィルム１２が長尺状であれば、下型７が開閉可能にな
っている方が、装置構成上は好都合である。
下型７及び上型１３によりクランプする。この場合、上
下金型のうち、いずれが上下動しても良いが、リリース
フィルム１２が長尺状であれば、下型７が開閉可能にな
っている方が、装置構成上は好都合である。
【００２２】次に、図５に示すように、プランジャ１０
を下動させて封止樹脂８に樹脂圧を印加してキャビティ
３内へ充填し半導体チップ４を樹脂封止する。このと
き、キャビティ３内のエアーはリリースフィルム１２に
形成されたエアベント穴や上型１３に形成されたエアベ
ント溝を介して金型内より除去される。尚、プランジャ
１０の直径は、樹脂封止部の外径より大きいものを用い
ても良い。
を下動させて封止樹脂８に樹脂圧を印加してキャビティ
３内へ充填し半導体チップ４を樹脂封止する。このと
き、キャビティ３内のエアーはリリースフィルム１２に
形成されたエアベント穴や上型１３に形成されたエアベ
ント溝を介して金型内より除去される。尚、プランジャ
１０の直径は、樹脂封止部の外径より大きいものを用い
ても良い。
【００２３】このようにして、樹脂封止された半導体装
置１は、リリーフフィルム１２を介して樹脂封止されて
いるため容易に離型し、モールド金型を型開きして図示
しないアンローダー等により図６に示すように取り出さ
れる。
置１は、リリーフフィルム１２を介して樹脂封止されて
いるため容易に離型し、モールド金型を型開きして図示
しないアンローダー等により図６に示すように取り出さ
れる。
【００２４】また、樹脂封止部からエア抜きを行う他の
手段としては、例えば特開平１−１２５８３５号公報の
第５図に示すように、半導体装置１がモールド金型にク
ランプされか該モールド金型をキャビティが水平方向に
対して所定角度傾斜するよう保持されたまま樹脂封止さ
れるようにしても良い。この場合には、傾斜したモール
ド金型のキャビティ内の上方にエアーベンド部を形成し
ておくことでキャビティ内のエアを抜け易くすることが
できる。
手段としては、例えば特開平１−１２５８３５号公報の
第５図に示すように、半導体装置１がモールド金型にク
ランプされか該モールド金型をキャビティが水平方向に
対して所定角度傾斜するよう保持されたまま樹脂封止さ
れるようにしても良い。この場合には、傾斜したモール
ド金型のキャビティ内の上方にエアーベンド部を形成し
ておくことでキャビティ内のエアを抜け易くすることが
できる。
【００２５】また、他の手段としては、図８（ａ）
（ｂ）に示すようにプランジャ１０先端のコーナー部に
Ｒを形成しても良い。図８（ａ）はプランジャ１０が待
機位置にある状態を示すもので、図８（ｂ）はプランジ
ャ１０が上動した状態を示す。プランジャ１０は、通常
図７（ａ）（ｂ）に示すように円柱状をしており、図７
（ａ）の待機位置から図７（ｂ）のように封止樹脂８を
押圧する上動位置へ移動してコーナー部に樹脂圧が加わ
ると、下型７の壁面に上下に張設されたリリースフィル
ム１２にしわ１２ａが生じ易くなる。このリリースフィ
ルム１２のしわ１２ａの隙間にエアが溜まり易く、成形
品質が低下するおそれがある。これに対して、プランジ
ャ１０先端のコーナー部にＲを形成した場合には、プラ
ンジャ１０が上動して封止樹脂８を押圧しコーナー部に
樹脂圧が加わっても、Ｒ部で該樹脂圧を逃がすことがで
きるため、リリースフィルム１２が過剰に圧縮されるこ
とがないためしわ１２ａは生じなく、しかもエアベント
穴１５よりエアベント溝１４を介してエアを逃がして成
形品質を向上させることができる。
（ｂ）に示すようにプランジャ１０先端のコーナー部に
Ｒを形成しても良い。図８（ａ）はプランジャ１０が待
機位置にある状態を示すもので、図８（ｂ）はプランジ
ャ１０が上動した状態を示す。プランジャ１０は、通常
図７（ａ）（ｂ）に示すように円柱状をしており、図７
（ａ）の待機位置から図７（ｂ）のように封止樹脂８を
押圧する上動位置へ移動してコーナー部に樹脂圧が加わ
ると、下型７の壁面に上下に張設されたリリースフィル
ム１２にしわ１２ａが生じ易くなる。このリリースフィ
ルム１２のしわ１２ａの隙間にエアが溜まり易く、成形
品質が低下するおそれがある。これに対して、プランジ
ャ１０先端のコーナー部にＲを形成した場合には、プラ
ンジャ１０が上動して封止樹脂８を押圧しコーナー部に
樹脂圧が加わっても、Ｒ部で該樹脂圧を逃がすことがで
きるため、リリースフィルム１２が過剰に圧縮されるこ
とがないためしわ１２ａは生じなく、しかもエアベント
穴１５よりエアベント溝１４を介してエアを逃がして成
形品質を向上させることができる。
【００２６】また更に他の手段としては、図９に示すよ
うに、半導体装置１がクランプされる際に、モールド金
型のパーティング面に隙間を形成して一旦停止させて樹
脂封止部よりエアを抜いた後、半導体装置１の外形高さ
位置までクランプし、プランジャ１０により封止樹脂８
に樹脂圧を印加しながら樹脂封止する２段圧縮成形方法
を採用することで、樹脂封止部のエアを確実に抜いてか
ら樹脂封止を行うことができる。
うに、半導体装置１がクランプされる際に、モールド金
型のパーティング面に隙間を形成して一旦停止させて樹
脂封止部よりエアを抜いた後、半導体装置１の外形高さ
位置までクランプし、プランジャ１０により封止樹脂８
に樹脂圧を印加しながら樹脂封止する２段圧縮成形方法
を採用することで、樹脂封止部のエアを確実に抜いてか
ら樹脂封止を行うことができる。
【００２７】本発明は、上記実施の態様に限定されるも
のではなく、被成形品はＢＧＡタイプの半導体装置につ
いて説明したが、他の製品であっても良く、例えば回路
基板としては積層基板２に限らず通常の配線パターンが
形成された回路基板を用いても良い等発明の精神を逸脱
しない範囲内でさらに多くの改変を施し得るのはもちろ
んのことである。
のではなく、被成形品はＢＧＡタイプの半導体装置につ
いて説明したが、他の製品であっても良く、例えば回路
基板としては積層基板２に限らず通常の配線パターンが
形成された回路基板を用いても良い等発明の精神を逸脱
しない範囲内でさらに多くの改変を施し得るのはもちろ
んのことである。
【００２８】
【発明の効果】本発明は前述したように、回路基板に形
成された端子形成面と同一面側に半導体素子を搭載され
てなる半導体装置をトランスファー成形法により樹脂封
止できるので、従来のポッティング法に比べて封止樹脂
の硬化時間も短く、生産性が向上できる。また、封止樹
脂に適正な樹脂圧が印加されて樹脂封止されるので、ポ
ッティング法に比べてエアーが混入するおそれがなく、
ボイドの発生も少ないので、成形品質を向上させること
ができる。また、リリースフィルムを使用するためはん
だボールなどの端子形成後であってもトランスファ成形
法により容易に樹脂封止できるので、ユーザーの使い勝
手が良い。
成された端子形成面と同一面側に半導体素子を搭載され
てなる半導体装置をトランスファー成形法により樹脂封
止できるので、従来のポッティング法に比べて封止樹脂
の硬化時間も短く、生産性が向上できる。また、封止樹
脂に適正な樹脂圧が印加されて樹脂封止されるので、ポ
ッティング法に比べてエアーが混入するおそれがなく、
ボイドの発生も少ないので、成形品質を向上させること
ができる。また、リリースフィルムを使用するためはん
だボールなどの端子形成後であってもトランスファ成形
法により容易に樹脂封止できるので、ユーザーの使い勝
手が良い。
【図１】第１実施例に係る半導体装置をクランプする工
程を示す説明図である。
程を示す説明図である。
【図２】第１実施例に係る半導体装置を樹脂封止工程を
示す説明図である。
示す説明図である。
【図３】樹脂封止後の半導体装置の説明図である。
【図４】第２実施例に係る半導体装置をクランプする工
程を示す説明図である。
程を示す説明図である。
【図５】第２実施例に係る半導体装置を樹脂封止工程を
示す説明図である。
示す説明図である。
【図６】樹脂封止後の半導体装置の説明図である。
【図７】従来のプランジャを用いて封止樹脂の押圧動作
を行う際の課題を示す説明図である。
を行う際の課題を示す説明図である。
【図８】他例に係るプランジャを用いて封止樹脂の押圧
動作を示す説明図である。
動作を示す説明図である。
【図９】図１０のモールド金型の矢印Ａ−Ａ位置におけ
る樹脂封止装置の断面説明図である。
る樹脂封止装置の断面説明図である。
【図１０】モールド金型のうち下型の上視図である。
【図１１】従来の半導体装置の樹脂封止方法を示す説明
図である。
図である。
１ 半導体装置 ２ 積層基板 ３ キャビティ ４ 半導体チップ ５ 端子形成面 ６ はんだボール ７ 下型 ７ａ 吸引穴 ８ 封止樹脂 ９ ポット １０ プランジャ １１ 逃げ面 １２ リリースフィルム １３ 上型 １３ａ 基板吸引穴 １４ エアベント溝 １５ エアベンド穴 １６ フィルム吸引溝
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） // Ｂ２９Ｌ 31:34 Ｆターム(参考） 4F202 AD03 AD05 AD08 AD35 AG03 AH37 CA12 CB01 CB17 CM72 CP05 4F206 AD03 AD05 AD08 AD35 AG03 AH37 JA02 JB17 JF06 JL02 JQ03 5F061 AA01 BA01 CA21 DA01 DA03 DA06 DA08 DA12
Claims (6)
- 【請求項１】 回路基板に形成された端子形成面と同一
面側に半導体素子を搭載されてなる半導体装置の樹脂封
止方法において、 樹脂封止される前記半導体素子に対向して配設されたポ
ット内にプランジャが可動可能に装備されたモールド金
型のうち、前記回路基板の端子形成面に対向する逃げ面
及び前記ポットを含むモールド金型のパーティング面に
リリースフィルムを張設する工程と、 前記モールド金型に前記半導体装置及び封止樹脂を供給
してクランプする工程と、 前記ポット内に装備された前記プランジャにより前記リ
リースフィルムを介して前記封止樹脂に樹脂圧を印加し
て前記半導体素子を樹脂封止する樹脂封止工程と、 を有することを特徴とする半導体装置の樹脂封止方法。 - 【請求項２】 前記リリースフィルムの所定位置には、
エアベント穴が形成されていることを特徴とする請求項
１記載の半導体装置の樹脂封止方法。 - 【請求項３】 前記リリースフィルムが張設される前記
モールド金型のパーティング面にはエアベント溝が形成
されていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置
の樹脂封止方法。 - 【請求項４】 前記半導体装置は、前記モールド金型に
クランプされてキャビティが水平方向に対して傾斜する
よう保持されたまま樹脂封止されることを特徴とする請
求項１記載の半導体装置の樹脂封止方法。 - 【請求項５】 前記プランジャ先端のコーナー部にＲを
形成したことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の
樹脂封止方法。 - 【請求項６】 前記半導体装置がクランプされる際に、
前記モールド金型のパーティング面に隙間を形成して一
旦停止させ、その後前記半導体装置の外形高さ位置まで
クランプし、前記プランジャにより前記封止樹脂に樹脂
圧を印加しながら樹脂封止することを特徴とする請求項
１記載の半導体装置の樹脂封止方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32497598A JP4262339B2 (ja) | 1998-11-16 | 1998-11-16 | 半導体装置の樹脂封止方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32497598A JP4262339B2 (ja) | 1998-11-16 | 1998-11-16 | 半導体装置の樹脂封止方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000141400A true JP2000141400A (ja) | 2000-05-23 |
| JP4262339B2 JP4262339B2 (ja) | 2009-05-13 |
Family
ID=18171731
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32497598A Expired - Lifetime JP4262339B2 (ja) | 1998-11-16 | 1998-11-16 | 半導体装置の樹脂封止方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4262339B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002160269A (ja) * | 2000-11-27 | 2002-06-04 | Apic Yamada Corp | リリースフィルム使用樹脂成形用モールド金型装置 |
| JP2009090503A (ja) * | 2007-10-05 | 2009-04-30 | Towa Corp | 電子部品の樹脂封止成形用金型 |
| CN102909824A (zh) * | 2012-10-19 | 2013-02-06 | 珠海格力大金精密模具有限公司 | 过滤网组件生产装置 |
| JP2022034373A (ja) * | 2020-08-18 | 2022-03-03 | Ｔｏｗａ株式会社 | 樹脂成形装置及び樹脂成形品の製造方法 |
-
1998
- 1998-11-16 JP JP32497598A patent/JP4262339B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002160269A (ja) * | 2000-11-27 | 2002-06-04 | Apic Yamada Corp | リリースフィルム使用樹脂成形用モールド金型装置 |
| JP2009090503A (ja) * | 2007-10-05 | 2009-04-30 | Towa Corp | 電子部品の樹脂封止成形用金型 |
| CN102909824A (zh) * | 2012-10-19 | 2013-02-06 | 珠海格力大金精密模具有限公司 | 过滤网组件生产装置 |
| JP2022034373A (ja) * | 2020-08-18 | 2022-03-03 | Ｔｏｗａ株式会社 | 樹脂成形装置及び樹脂成形品の製造方法 |
| JP7360368B2 (ja) | 2020-08-18 | 2023-10-12 | Ｔｏｗａ株式会社 | 樹脂成形装置及び樹脂成形品の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4262339B2 (ja) | 2009-05-13 |
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