JP2003007951A - リードフレームおよび樹脂封止型半導体装置の製造方法 - Google Patents

リードフレームおよび樹脂封止型半導体装置の製造方法

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 樹脂封止工程におけるリードフレームの変形
を抑制する。 【解決手段】 図１（ａ）に示すように、リードフレー
ム１０Ａは、その中央部分に複数の半導体チップが一括
して樹脂封止される半導体装置形成領域１２を有し、半
導体装置形成領域１２の周辺部は、フレーム枠部１３に
連結されて支持されている。フレーム枠部１３における
モールドライン１４の内側の領域は、封止樹脂により一
括して封止される領域であり、モールドライン１４の外
側の領域は、金型によってクランプされる領域である。
リードフレーム１０Ａの底面には、モールドライン１４
の内側からリードフレーム１０Ａの側端部７０に向かっ
て、モールドライン１４を横切るように、複数の底付き
の溝１６が形成されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、樹脂封止部（パッ
ケージ）の底面からリード部を露出する面実装型のリー
ドフレームを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の小型化および高機能化
に対応するために、電子機器に搭載される半導体部品を
高密度に実装することがますます強く要求されている。
これに伴って、半導体チップおよびリードを封止樹脂に
より一体に封止した樹脂封止型半導体装置などの半導体
部品の小型化および薄型化が急速に進展している。この
ため、樹脂封止型半導体装置などの半導体部品の製造に
は、生産コストおよび生産性向上を図るために、種々の
工夫がなされており、例えば、ダイボンディング工程お
よびワイヤボンディング工程の後に、封止樹脂によって
複数の半導体チップを個別に封止する成形法が開発され
ている。以下に、従来の成形法における樹脂封止の手順
について、図７および図８を参照しながら説明する。
【０００３】図７は、従来の成形法に用いる樹脂封止装
置および樹脂封止の手順を概略的に説明するための斜視
図であり、図８は、樹脂封止時における封止金型内の状
態を示す断面図である。
【０００４】図７（ａ）に示すように、樹脂封止装置に
は、封止テープ１０１５を一定の張力を加えながら保持
することができるように構成されている。
【０００５】そして、図７（ｂ）に示すように、多数の
半導体チップを搭載したリードフレーム１０００が下金
型１０５２にセットされると、樹脂タブレット１０６２
が下金型１０５２の封止樹脂供給部１０６１に投入され
る。
【０００６】次に、図８（ａ）に示すように、上金型１
０５１と下金型１０５２とでリードフレーム１０００が
クランプされる。このとき、プランジャ１０５８により
下方から溶融した封止樹脂が各半導体製品成型部１０６
０に供給されて、各ダイキャビティ毎に樹脂封止型半導
体装置１０５５が射出成形される。射出成形が終了し、
下金型１０５２が開くと同時に、図７（ｃ）に示す樹脂
カル１０６３と樹脂封止型半導体装置１０５５とから封
止テープ１０１５が引き離される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
成形法では、上金型１０５１と下金型１０５２とでリー
ドフレーム１０００がクランプされる際に、封止テープ
１０１５と相対する上金型１０５１とのわずかな隙間
に、リードフレーム１０００の反り等の要因で取り残さ
れた空気および昇温によって封止テープ１０１５から発
生する水蒸気、有機材料ガス等の気体が取り込まれるこ
とがある。この状態で上金型１０５１と下金型１０５２
とを用いてクランプすると、これらの気体が上下の金型
の外部に放出されない。さらに、封止樹脂をキャビティ
に注入して樹脂封止すると、図８（ｂ）に示すように、
封止樹脂の注入に従って樹脂注入ゲート１０７０から遠
ざかるように押しやられ、押しやられた気体の圧力でリ
ードフレーム１０００を変形させることもある。リード
フレーム１０００の変形が大きい場合には、下金型１０
５２に半導体チップ１０２１や金属細線１０２２が接触
し破損や変形を生じさせるという不具合もある。
【０００８】本発明は、上記不具合を解決するためにな
されたものであり、樹脂封止工程におけるリードフレー
ムの変形を抑制することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明のリードフレーム
は、封止樹脂を充填するためのダイキャビティを有する
封止金型を用いて半導体チップを樹脂封止するために用
いられるリードフレームであって、上記ダイキャビティ
に曝される第１の領域と、上記第１の領域を囲み、上記
封止金型によってクランプされる第２の領域と、上記ダ
イキャビティに封止樹脂が充填された状態で外気に曝さ
れる第３の領域と、上記第１の領域が存在する面と対向
する面に形成され、上記第１の領域に対向する領域から
上記第２の領域に対向する領域を横切って、上記第３の
領域に到達する少なくとも１つの溝とを備える。
【００１０】本発明のリードフレームの第１の領域が存
在する面と対向する面に樹脂廻りこみ防止材を貼付して
樹脂封止型半導体装置を製造する場合、樹脂封止を行な
う際に、樹脂廻りこみ防止材と封止金型との間に取り込
まれた空気は、ダイキャビティに注入される樹脂の圧力
によって、封止金型によってクランプされた第２の領域
に押しやられる。押しやられた空気は、少なくとも１つ
の溝を覆う樹脂廻りこみ防止材をリードフレーム側、す
なわち、少なくとも１つの溝の内側に持ち上げる。少な
くとも１つの溝は、第１の領域に対向する領域から第２
の領域に対向する領域を横切って、外気に曝された第３
の領域に到達しているので、樹脂廻りこみ防止材を少な
くとも１つの溝の内側に持ち上げている空気は、封止金
型の外部に排気される。従って、樹脂封止型半導体装置
を製造する場合に、リードフレームの変形が抑制・防止
されると共に、リードフレームの変形に伴って発生する
半導体チップの破損、金属細線の変形および断線等を抑
制・防止することができる。
【００１１】上記少なくとも１つの溝は、底付き溝であ
り、上記第３の領域は、上記第２の領域を囲む側端面で
あってもよい。
【００１２】上記少なくとも１つの溝は、底付き溝であ
り、上記少なくとも１つの溝の底部から上記第３の領域
に貫通していてもよい。
【００１３】本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法
は、第１の領域と、上記第１の領域を囲む第２の領域
と、上記第２の領域の外方に位置する第３の領域と、上
記第１の領域が存在する面と対向する面に形成され、上
記第１の領域に対向する領域から上記第２の領域に対向
する領域を横切って、上記第３の領域に対向する領域に
到達する少なくとも１つの溝とを備えるリードフレーム
を用意する工程（ａ）と、 上記第１の領域に対向する
領域上に、樹脂廻りこみ防止材を設ける工程（ｂ）と、
上記リードフレームの上記第１の領域上に半導体チッ
プを搭載する工程（ｃ）と、 ダイキャビティを有する
封止金型を用いて上記半導体チップを上記ダイキャビテ
ィ内に入れて上記第２の領域をクランプし、上記ダイキ
ャビティ内に樹脂を充填する工程（ｄ）とを備える。
【００１４】この製造方法によって、樹脂を充填する工
程で、樹脂廻りこみ防止材と封止金型との間に取り込ま
れた空気は、ダイキャビティに注入される樹脂の圧力に
よって、封止金型によってクランプされた第２の領域に
押しやられる。押しやられた空気は、少なくとも１つの
溝を覆う樹脂廻りこみ防止材をリードフレーム側、すな
わち、少なくとも１つの溝の内側に持ち上げる。少なく
とも１つの溝は、第１の領域に対向する領域から第２の
領域に対向する領域を横切って、第２の領域の外方に位
置し、封止金型にクランプされない第３の領域に到達し
ているので、樹脂廻りこみ防止材を少なくとも１つの溝
の内側に持ち上げている空気は、封止金型の外部に排気
される。従って、樹脂封止型半導体装置を製造する場合
に、リードフレームの変形が抑制・防止されると共に、
リードフレームの変形に伴って発生する半導体チップの
破損、金属細線の変形および断線等を抑制・防止するこ
とができる。
【００１５】上記工程（ａ）において、上記少なくとも
１つの溝は、底付き溝であり、上記第３の領域は、上記
第２の領域を囲む側端面である構成としてもよい。
【００１６】上記工程（ａ）において、上記少なくとも
１つの溝は、底付き溝であり、上記少なくとも１つの溝
の底部から上記第３の領域に貫通する構成としてもよ
い。
【００１７】上記工程（ｂ）では、上記少なくとも１つ
の溝の面に沿って上記樹脂廻りこみ防止材を設けること
が好ましい。
【００１８】このことによって、樹脂封止を行なう際に
封止金型によってクランプされた第２の領域に押しやら
れた空気が、封止金型の外部に排気されるために、少な
くとも１つの溝を覆う樹脂廻りこみ防止材をリードフレ
ーム側、すなわち、少なくとも１つの溝の内側に持ち上
げる圧力を必要としない。従って、排気効率を高くする
ことができる。
【００１９】本発明の別の樹脂封止型半導体装置の製造
方法は、第１の領域と、上記第１の領域を囲む第２の領
域とを備えるリードフレームを用意する工程（ａ）と、
上記第１の領域に対向する領域上から上記第２の領域に
対向する領域上を横切って、上記第２の領域を囲む側端
面に到達する少なくとも１つの底付き溝を備える樹脂廻
りこみ防止材を、上記第１の領域に対向する領域および
上記第２の領域に対向する領域の上に設ける工程（ｂ）
と、上記リードフレームの上記第１の領域上に半導体チ
ップを搭載する工程（ｃ）と、ダイキャビティを有する
封止金型を用いて上記半導体チップを上記ダイキャビテ
ィ内に入れて上記第２の領域をクランプし、上記ダイキ
ャビティ内に樹脂を充填する工程（ｄ）とを備える。
【００２０】この製造方法によって、樹脂を充填する工
程で、樹脂廻りこみ防止材と封止金型との間に取り込ま
れた空気は、ダイキャビティに注入される樹脂の圧力に
よって、封止金型によってクランプされた第２の領域に
押しやられる。押しやられた空気は、樹脂廻りこみ防止
材に設けられ、第１の領域に対向する領域から第２の領
域に対向する領域を横切って、封止金型によってクラン
プされない第２の領域を囲む側端面に到達している少な
くとも１つの溝を通じて封止金型の外部に排気される。
従って、樹脂封止型半導体装置を製造する場合に、リー
ドフレームの変形が抑制・防止されると共に、リードフ
レームの変形に伴って発生する半導体チップの破損、金
属細線の変形および断線等を抑制・防止することができ
る。
【００２１】本発明のさらに別の樹脂封止型半導体装置
の製造方法は、第１の領域と、上記第１の領域を囲む第
２の領域とを備えるリードフレームを用意する工程
（ａ）と、 上記第１の領域に対向する領域および上記
第２の領域に対向する領域上の面が梨地となっている樹
脂廻りこみ防止材を上記第１の領域に対向する領域およ
び上記第２の領域に対向する領域上に設ける工程（ｂ）
と、上記第１の領域上に半導体チップを搭載する工程
（ｃ）と、ダイキャビティを有する封止金型を用いて上
記半導体チップを上記ダイキャビティ内に入れて上記第
２の領域をクランプし、上記ダイキャビティ内に樹脂を
充填する工程（ｄ）とを備える。
【００２２】この製造方法によって、樹脂を充填する工
程で、樹脂廻りこみ防止材と封止金型との間に取り込ま
れた空気は、ダイキャビティに注入される樹脂の圧力に
よって、樹脂廻りこみ防止材の梨地となっている面の細
かな凹凸の間を通って移動し、リードフレームが変形す
る前に封止金型の外部に排気される。従って、樹脂封止
型半導体装置を製造する場合に、リードフレームの変形
が抑制・防止されると共に、リードフレームの変形に伴
って発生する半導体チップの破損、金属細線の変形およ
び断線等を抑制・防止することができる。
【００２３】本発明のさらに別の樹脂封止型半導体装置
の製造方法は、ダイキャビティおよびクランプ部を有す
る第１の封止金型と、上記ダイキャビティに対向する面
および上記クランプ部に対向する面を有し、上記ダイキ
ャビティに対向する領域から上記クランプ部に対向する
領域を横切って、上記クランプ部に対向する領域を囲む
領域に到達する少なくとも１つの溝が設けられている第
２の封止金型とを用意する工程（ａ）と、第１の領域
と、上記第１の領域を囲む第２の領域とを備えるリード
フレームを用意する工程（ｂ）と、上記第１の領域に対
向する領域および上記第２の領域に対向する領域上に、
樹脂廻りこみ防止材を設ける工程（ｃ）と、上記リード
フレームの上記第１の領域上に半導体チップを搭載する
工程（ｄ）と、 上記第１の封止金型と第２の封止金型
とを用いて上記半導体チップを上記ダイキャビティ内に
入れて上記第２の領域をクランプし、上記ダイキャビテ
ィ内に樹脂を充填する工程（ｅ）とを備える。
【００２４】この製造方法によって、樹脂を充填する工
程で、樹脂廻りこみ防止材と第２の封止金型との間に取
り込まれた空気は、リードフレームが変形する前に、第
２の封止金型に設けられ、ダイキャビティに対向する領
域からクランプ部に対向する領域を横切って、クランプ
部に対向する領域を囲む領域に到達する少なくとも１つ
の溝を通じて封止金型の外部に排気される。従って、樹
脂封止型半導体装置を製造する場合に、リードフレーム
の変形が抑制・防止されると共に、リードフレームの変
形に伴って発生する半導体チップの破損、金属細線の変
形および断線等を抑制・防止することができる。
【００２５】本発明のさらに別の樹脂封止型半導体装置
の製造方法は、ダイキャビティおよびクランプ部を有す
る第１の封止金型と、上記ダイキャビティに対向する面
および上記クランプ部に対向する面を有し、上記ダイキ
ャビティに対向する面および上記クランプ部に対向する
面は梨地となっている第２の封止金型とを用意する工程
（ａ）と、第１の領域と、上記第１の領域を囲む第２の
領域とを備えるリードフレームを用意する工程（ｂ）
と、上記第１の領域に対向する領域および上記第２の領
域に対向する領域上に、樹脂廻りこみ防止材を設ける工
程（ｃ）と、上記リードフレームの上記第１の領域上に
半導体チップを搭載する工程（ｄ）と、上記第１の封止
金型と上記第２の封止金型とを用いて上記半導体チップ
を上記ダイキャビティ内に入れて上記第２の領域をクラ
ンプし、上記ダイキャビティ内に樹脂を充填する工程
（ｅ）とを備える。
【００２６】この製造方法によって、樹脂を充填する工
程で、樹脂廻りこみ防止材と封止金型との間に取り込ま
れた空気は、ダイキャビティに注入される樹脂の圧力に
よって、第２の封止金型の梨地となっている面の細かな
凹凸の間を通って移動し、リードフレームが変形する前
に、封止金型の外部に排気される。従って、樹脂封止型
半導体装置を製造する場合に、リードフレームの変形が
抑制・防止されると共に、リードフレームの変形に伴っ
て発生する半導体チップの破損、金属細線の変形および
断線等を抑制・防止することができる。
【００２７】
【発明の実施の形態】以下、図を参照しながら本発明の
実施形態を説明する。なお、簡単のため、各実施形態に
共通する構成要素は、同一の参照符号で示す。
【００２８】（実施形態１）本発明の実施形態１につい
て図１を参照しながら説明する。
【００２９】図１（ａ）は、本実施形態の封止テープ貼
付リードフレームを示す模式図である。図１（ｂ）は、
本実施形態の半導体装置の製造方法を示す断面図であ
る。
【００３０】本実施形態の封止テープ貼付リードフレー
ム１００は、リードフレーム１０Ａに封止テープ１５が
密着して貼付されたものである。
【００３１】図１（ａ）に示すように、リードフレーム
１０Ａは、その中央部分に複数の半導体チップが一括し
て樹脂封止される半導体装置形成領域１２を有し、半導
体装置形成領域１２の周辺部は、フレーム枠部１３に連
結されて支持されている。フレーム枠部１３におけるモ
ールドライン１４の内側の領域は、封止樹脂により一括
して封止される領域であり、モールドライン１４の外側
の領域は、金型によってクランプされる領域である。
【００３２】リードフレーム１０Ａの底面には、モール
ドライン１４の内側からリードフレーム１０Ａの側端部
７０に向かって、モールドライン１４を横切るように、
複数の底付きの溝１６が形成されている。
【００３３】また、封止テープ１５は、リードフレーム
１０Ａの半導体チップの保持面の反対面（底面）の全面
に亘って貼付されている。封止テープ１５は、樹脂封止
工程において封止樹脂がリードフレーム１０Ａの底面側
に廻り込むことを防止するために設けられる。
【００３４】以下、本実施形態の半導体装置の製造方法
を説明する。
【００３５】まず、リードフレーム１０Ａの底面の全面
に亘って、封止テープ１５を貼付する。本実施形態のリ
ードフレーム１０Ａでは、半導体チップ２０の保持面の
反対側の面（底面）からリード部を露出する（面実装方
式）。このため、リードフレーム１０Ａの底面に封止樹
脂１１が廻り込むことを防止するために、リードフレー
ム１０Ａの底面の全面に亘って、封止テープ１５を貼付
する。本実施形態では、封止テープ１５をリードフレー
ム１０Ａの底面の全面に亘って貼付しているが、少なく
ともモールドライン１４の内側の領域を覆うように封止
テープ１５を貼付すればよい。なお、封止テープ１５の
貼付は、以後に行なう樹脂封止工程よりも前であれば、
いつ行ってもよい。
【００３６】次に、ダイボンディング工程において、リ
ードフレーム１０Ａのダイパッド部（不図示）上に、複
数の半導体チップ２０をハンダ等で固着する。
【００３７】次に、ワイヤボンディング工程において、
例えば金（Ａｕ）からなる金属細線２１により半導体チ
ップ２０とリードフレーム１０Ａのリード部（不図示）
とを電気的に接続する。
【００３８】次に、樹脂封止を行なうことによって、樹
脂封止型半導体装置が射出成形される。
【００３９】以下に、本実施形態の樹脂封止工程を詳し
く説明する。
【００４０】本実施形態の樹脂封止工程で使用する半導
体装置の製造装置は、図１（ｂ）に示すように、上金型
５１と下金型５２とを備えている。
【００４１】下金型５２は、封止樹脂を導入するポット
部５４と、ポット部５４内を上下に移動可能に設けられ
たプランジャ５５を備える。
【００４２】上金型５１は、１つの封止テープ貼付リー
ドフレーム１００に固着された複数の半導体チップ２０
を一括して樹脂封止し、封止形状を決定する凹状のキャ
ビティ部５３と、ポット部５４から導入され、キャビテ
ィ部５３に送られる封止樹脂１１が流通するランナー部
５６およびゲート部５７と、キャビティ部５３をはさん
でゲート部５７と対向する側にキャビティ部５３内の空
気を金型外部に放出するためのエアベント部５８とを備
える。
【００４３】図１（ｂ）に示すように、樹脂封止を行な
う際には、まず、複数の半導体チップ２０が固着された
封止テープ貼付リードフレーム１００を、下金型５２に
セットする。このとき、封止テープ貼付リードフレーム
１００の封止テープ１５が貼付された底面と、下金型５
２の上面と対向させる。
【００４４】続いて、上金型５１と下金型５２とで封止
テープ貼付リードフレーム１００をクランプする。この
とき、封止テープ貼付リードフレーム１００を完全に平
坦な状態としながら、封止テープ貼付リードフレーム１
００の封止テープ１５と下金型５２の上面を完全に密着
させることは困難であり、封止テープ１５と下金型５２
の上面とのわずかな隙間に空気を取り込んだ状態となる
ことが多い。
【００４５】その後、加熱されて流動性が付与された封
止樹脂１１を、プランジャ５５によってキャビティ部５
３の内部に注入することにより、複数の半導体チップ２
０を一括して封止する。
【００４６】本実施形態によれば、キャビティ部５３内
へ封止樹脂１１が注入される際、封止テープ１５と下金
型５２との間にわずかに取り込まれていた空気は、封止
樹脂１１の注入による圧力で、エアベント部５８の方向
に移動する。キャビティ部５３内への封止樹脂１１の注
入が進むに従って、封止テープ１５と下金型５２との間
に取り込まれていた空気は、自身の圧力で複数の溝１６
を覆う封止テープ１５をリードフレーム１０Ａ側（すな
わち、溝１６の内側）に持ち上げ、外部に排気される。
【００４７】このことによって、リードフレーム１０Ａ
の変形を防止すると共に、リードフレーム１０Ａの変形
に伴って発生する半導体チップ２０の破損、金属細線２
１の変形および断線等を抑制・防止することができる。
従って、樹脂封止型半導体装置が高い歩留まり率で得ら
れ、製造コストを低減することができる。
【００４８】なお、複数の溝１６は、それぞれリードフ
レーム１０Ａの底面の少なくともモールドライン１４の
内側からクランプされる領域を横切って、外気に曝され
る領域まで形成されていることが必要である。特に、モ
ールドライン１４の外側に位置するフレーム枠部１３全
体が上金型５１と下金型５２とでクランプされる場合
は、溝１６をそれぞれリードフレーム１０Ａの側端部７
０まで形成することによって空気の排出効果が得られ
る。また、本実施形態では、複数の溝１６を底付き溝と
して設けているが、底のない溝（貫通孔）となっていて
も同等の効果が得られる。なお、溝１６の一部を底のな
い溝とする場合、底付きの部分をクランプ領域内に設け
ることによって、封止工程において封止樹脂１１がキャ
ビティ部５３から溝１６を通って外部に漏れ出すのを防
止できる。
【００４９】また、リードフレーム１０Ａの底面側に設
けた溝１６に沿って、封止テープ１５を凹形に窪ませる
ように貼付することもできる。このことによって、キャ
ビティ部５３内へ封止樹脂１１が注入される際に、空気
は封止テープ１５をリードフレーム１０Ａ側に持ち上げ
ることなく排出される。従って、リードフレーム１０Ａ
の変形をより効率的に防止できる。
【００５０】（実施形態２）本発明の実施形態２につい
て図２を参照しながら説明する。
【００５１】図２（ａ）は、本実施形態の封止テープ貼
付リードフレームを示す模式図である。図２（ｂ）は、
本実施形態の半導体装置の製造方法を示す断面図であ
る。
【００５２】本実施形態の封止テープ貼付リードフレー
ム２００は、リードフレーム１０Ｂに封止テープ１５が
密着して貼付されたものである。
【００５３】図２（ａ）に示すように、本実施形態のリ
ードフレーム１０Ｂは、その中央部分に複数の半導体チ
ップが一括して樹脂封止される半導体装置形成領域１２
を有し、半導体装置形成領域１２の周辺部は、フレーム
枠部１３に連結されて支持されている。フレーム枠部１
３におけるモールドライン１４の内側の領域は、封止樹
脂により一括して封止される領域であり、モールドライ
ン１４の外側の領域は、金型によってクランプされる領
域である。
【００５４】リードフレーム１０Ｂのフレーム枠部１３
には、モールドライン１４の内側からリードフレーム１
０Ｂの側端部７０に向かって、モールドライン１４を横
切るように、複数の底付きの溝１６が形成されている。
また、底付きの各溝１６のリードフレーム１０Ｂの側端
部７０の方は、貫通孔１７に接続されている。
【００５５】また、封止テープ１５は、リードフレーム
１０Ｂの半導体チップの保持面の反対面（底面）に貼付
されている。特に本実施形態では、封止テープ１５は、
リードフレーム１０Ｂの底面のうち、モールドライン１
４の内側の領域を覆い、且つ、それぞれの貫通孔１７の
少なくとも一部を露出するように貼付されている。
【００５６】以下、本実施形態の半導体装置の製造方法
を説明する。
【００５７】本実施形態の半導体装置の製造方法におい
て、ダイボンディング工程およびワイヤボンディング工
程は、上記実施形態１と共通である。
【００５８】本実施形態において、リードフレーム１０
Ｂの底面への封止テープ１５の貼付工程は、封止テープ
１５を、リードフレーム１０Ｂの底面のうち、モールド
ライン１４の内側の領域を覆い、且つ、それぞれの貫通
孔１７の少なくとも一部を露出するように貼付する。な
お、リードフレーム１０Ｂの底面のうち、少なくともモ
ールドライン１４の内側の領域を覆うように貼付すれば
よい。また、封止テープ１５の貼付は、次に行なう樹脂
封止工程よりも前であれば、いつ行ってもよい。
【００５９】次に、樹脂封止を行なうことによって、樹
脂封止型半導体装置が射出成形される。
【００６０】以下に、本実施形態の樹脂封止工程を詳し
く説明する。
【００６１】本実施形態の樹脂封止工程で使用する半導
体装置の製造装置は、図２（ｂ）に示すように、上金型
５１Ａと下金型５２Ａとを備えている。
【００６２】下金型５２Ａは、封止樹脂を導入するポッ
ト部５４と、ポット部５４内を上下に移動可能に設けら
れたプランジャ５５を備える。また、図２（ｂ）に示す
ように、リードフレーム１０Ｂの側端部７０を塞ぐ構造
となっている。
【００６３】上金型５１Ａは、１つのリードフレーム１
０Ｂに固着された複数の半導体チップ２０を一括して樹
脂封止し、封止形状を決定する凹状のキャビティ部５３
と、ポット部５４から導入され、キャビティ部５３に送
られる封止樹脂１１が流通するランナー部５６およびゲ
ート部５７と、キャビティ部５３をはさんでゲート部５
７と対向する側にキャビティ部５３内の空気を金型外部
に放出するためのエアベント部５８とを備える。特に、
本実施形態では、エアベント部５８は、封止テープ貼付
リードフレーム２００がセットされたときに、貫通孔１
７が位置する領域に設けられている。
【００６４】図２（ｂ）に示すように、樹脂封止を行な
う際には、まず、複数の半導体チップ２０が固着された
封止テープ貼付リードフレーム２００を、下金型５２Ａ
にセットする。このとき、封止テープ貼付リードフレー
ム１００の封止テープ１５が貼付された底面と、下金型
５２Ａの平面とを対向させる。
【００６５】続いて、上金型５１Ａと下金型５２Ａとで
封止テープ貼付リードフレーム１００をクランプする。
このとき、上記実施形態１と同様に、封止テープ貼付リ
ードフレーム１００を完全に平坦な状態としながら、封
止テープ貼付リードフレーム１００の封止テープ１５と
下金型５２Ａの上面を完全に密着させることは困難であ
り、封止テープ１５と下金型５２Ａの上面とのわずかな
隙間に空気を取り込んだ状態となることがある。
【００６６】その後、加熱されて流動性が付与された封
止樹脂１１を、プランジャ５５によってキャビティ部５
３の内部に注入することにより、複数の半導体チップ２
０を一括して封止する。
【００６７】本実施形態では、キャビティ部５３内へ封
止樹脂１１が注入される際、封止テープ１５と下金型５
２Ａとの間にわずかに取り込まれていた空気は、封止樹
脂１１の注入による圧力で、エアベント部５８の方向に
移動する。キャビティ部５３内への封止樹脂１１の注入
が進むに従って、封止テープ１５と下金型５２Ａとの間
に取り込まれていた空気は、自身の圧力でそれぞれの溝
１６を覆う封止テープ１５をリードフレーム１０Ｂ側に
持ち上げながら、それぞれの溝１６を移動する。この空
気はさらに、貫通孔１７を介して上金型５１Ａのうち、
クランプに寄与しないエアベント部５８を通って排出さ
れる。
【００６８】本実施形態によれば、リードフレーム１０
Ｂの変形を防止すると共に、リードフレーム１０Ｂの変
形に伴って発生する半導体チップ２０の破損、金属細線
２１の変形および断線等を抑制・防止することができ
る。従って、樹脂封止型半導体装置が高い歩留まり率で
得られ、製造コストを低減することができる。
【００６９】従って、本実施形態で用いるリードフレー
ム１０Ｂの構造は、図２（ｂ）に示すように、リードフ
レーム１０Ｂの側端部７０を塞ぐ構造の下金型５２Ａを
用いる場合に適している。この場合、特に空気の排出効
果を最も大きくするためには、封止テープ１５をフレー
ム枠部１３の少なくともモールドライン１４を含む面積
以上に亘って、且つ、貫通孔１７全体を露出させるよう
にリードフレーム１０Ｂに貼付することが望ましい。
【００７０】また、リードフレーム１０Ｂの底面側に設
けた溝１６に沿って、封止テープ１５を凹形に窪ませる
ように貼付してもよい。このことによって、キャビティ
部５３内へ封止樹脂１１が注入される際に、空気は封止
テープ１５をリードフレーム１０Ｂ側に持ち上げること
なく排出される。従って、リードフレーム１０Ｂの変形
をより効率的に防止できる。
【００７１】（実施形態３）本発明の実施形態３につい
て図３を参照しながら説明する。
【００７２】図３（ａ）は、本実施形態の封止テープ貼
付リードフレームを示す模式図である。図３（ｂ）は、
本実施形態の半導体装置の製造方法を示す断面図であ
る。
【００７３】本実施形態の封止テープ貼付リードフレー
ム３００は、リードフレーム１０Ｃに封止テープ１５ｂ
が密着して貼付されたものである。
【００７４】図３（ａ）に示すように、本実施形態のリ
ードフレーム１０Ｃは、その中央部分に複数の半導体チ
ップが一括して樹脂封止される半導体装置形成領域１２
を有し、半導体装置形成領域１２の周辺部は、フレーム
枠部１３に連結されて支持されている。フレーム枠部１
３におけるモールドライン１４の内側の領域は、封止樹
脂により一括して封止される領域であり、モールドライ
ン１４の外側の領域は、金型によってクランプされる領
域である。
【００７５】また、封止テープ１５ｂは、リードフレー
ム１０Ｃの半導体チップ２０の保持面の反対面（底面）
の全面に亘って貼付されている。特に本実施形態では、
封止テープ１５ｂの表面に、モールドライン１４の内側
からリードフレーム１０Ｂの側端部７０に向かって、モ
ールドライン１４を横切るように、複数の底付きの溝１
６ａが形成されている。
【００７６】以下、本実施形態の半導体装置の製造方法
を説明する。
【００７７】本実施形態の半導体装置の製造方法におい
て、ダイボンディング工程およびワイヤボンディング工
程は、上記実施形態１と共通である。
【００７８】リードフレーム１０Ｃの底面への封止テー
プ１５の貼付は、リードフレーム１０Ｃの底面に封止樹
脂１１が廻り込むことを防止するために、リードフレー
ム１０Ｃの底面の全面に亘って、封止テープ１５を貼付
する。本実施形態では、封止テープ１５をリードフレー
ム１０Ｃの底面の全面に亘って貼付しているが、少なく
ともモールドライン１４の内側の領域を覆うように封止
テープ１５を貼付すればよい。なお、封止テープ１５の
貼付は、次に行なう樹脂封止工程よりも前であれば、い
つ行ってもよい。
【００７９】次に、樹脂封止を行なうことによって、樹
脂封止型半導体装置が射出成形される。本実施形態の樹
脂封止工程で使用する半導体装置の製造装置は、図３
（ｂ）に示すように、上記実施形態１と同じものを用い
る。また、樹脂封止工程も、上記実施形態１と全く同様
に行なう。
【００８０】本実施形態によれば、キャビティ部５３内
へ封止樹脂１１が注入される際、封止テープ１５と下金
型５２との間にわずかに取り込まれていた空気は、封止
樹脂１１の注入による圧力で、エアベント部５８の方向
に移動する。キャビティ部５３内への封止樹脂１１の注
入が進むに従って、封止テープ１５と下金型５２との間
に取り込まれていた空気は、封止テープ１５の複数の溝
１６ａからリードフレーム１０Ｃが変形する前にモール
ドライン１４から外に放出される。
【００８１】このことによって、リードフレーム１０Ｃ
の変形を防止すると共に、リードフレーム１０Ｃの変形
に伴って発生する半導体チップ２０の破損、金属細線２
１の変形および断線等を抑制・防止することができる。
従って、樹脂封止型半導体装置が高い歩留まり率で得ら
れ、製造コストを低減することができる。
【００８２】（実施形態４）本発明の実施形態４につい
て図４を参照しながら説明する。
【００８３】図４（ａ）は、本実施形態の封止テープ貼
付リードフレームを示す模式図である。図４（ｂ）は、
本実施形態の半導体装置の製造方法を示す断面図であ
る。
【００８４】本実施形態の封止テープ貼付リードフレー
ム４００は、リードフレーム１０Ｃに封止テープ１５ｃ
が密着して貼付されたものである。
【００８５】図４（ａ）に示すように、本実施形態で
は、上記実施形態３と同じリードフレーム１０Ｃを用い
ている。封止テープ１５ｃは、リードフレーム１０Ｃの
半導体チップ２０の保持面の反対面（底面）の全面に亘
って貼付されている。特に本実施形態の封止テープ１５
ｃは、リードフレーム１０Ｃとの対抗面と反対側の面
が、細かな凹凸を有する粗面（梨地加工面）１８となっ
ている。
【００８６】以下、本実施形態の半導体装置の製造方法
を説明する。
【００８７】本実施形態の半導体装置の製造方法におい
て、ダイボンディング工程、ワイヤボンディング工程お
よび樹脂封止工程は、上記実施形態１と共通である。
【００８８】但し、本実施形態では、封止テープ１５ｃ
をリードフレーム１０Ｃの底面の全面に亘って貼付す
る。なお、封止テープ１５ｃの貼付は、樹脂封止工程よ
りも前であれば、いつ行ってもよい。
【００８９】キャビティ部５３内へ封止樹脂１１が注入
時される際、封止テープ１５ｃと下金型５２の上面との
わずかな隙間に取り込まれていた空気は、封止樹脂１１
の圧力でエアベント部５８の方に絞られながら封止テー
プ１５ｃの梨地加工面１８の細かな凹凸の間を通って移
動し、リードフレーム１０Ｃが変形する前にモールドラ
イン１４から外に放出される。これによりリードフレー
ム１０Ｃの変形を抑制・防止することができる。また、
リードフレーム１０Ｃの変形に伴って引き起こされる半
導体チップ２０の破損や金属細線２１の変形や断線を抑
制・防止することができる。特に、梨地加工面１８の表
面粗さＲｚが、２〜５０μｍの範囲内である場合には著
効が得られる。
【００９０】（実施形態５）本発明の実施形態５につい
て図５を参照しながら説明する。
【００９１】図５（ａ）は、本実施形態の半導体装置の
製造方法を示す断面図である。図５（ｂ）は、封止テー
プ貼付リードフレームをセットした状態の下金型の上面
を示す模式的な透視図である。なお、図５（ａ）および
図５（ｂ）に示すように、封止テープ貼付リードフレー
ム５００は、上記実施形態３で用いるリードフレーム１
０Ｃと、上記実施形態１で用いる封止テープ１５とから
なる。封止テープ１５は、リードフレーム１０Ｃの半導
体チップ２０の保持面の反対面（底面）の全面に亘って
貼付されている。つまり、上記実施形態１から４では設
けられていた排気のための構造が、封止テープ貼付リー
ドフレーム５００には設けられていない。
【００９２】一方、図５（ａ）および図５（ｂ）に示す
ように、本実施形態の下金型５２Ｂには、複数の底付き
溝５９が、リードフレーム１０Ｃのモールドライン１４
の内側に相当する位置からリードフレーム１０Ｃの側端
部７０に相当する位置を越えるように設けられている。
本実施形態の下金型５２Ｂを用いて、図５（ａ）に示す
ように上記実施形態１と同様に半導体装置を製造する。
【００９３】複数の底付き溝５９を設けた本実施形態の
下金型５２Ｂを用いることによって、樹脂封止工程にお
いて、キャビティ部５３内へ封止樹脂１１が注入される
際に、封止テープ１５と下金型５２Ｂの上面とのわずか
な隙間に取り込まれていた空気は、封止樹脂１１の圧力
でエアベント方向に移動し、溝５９からリードフレーム
１０Ｃが変形する前にモールドライン１４から金型外部
に排気される。従って、リードフレーム１０Ｃの変形を
防止すると共にリードフレーム１０Ｃの変形に伴って引
き起こされる半導体チップ２０の破損や金属細線２１の
変形や断線を防止することができる。
【００９４】（実施形態６）本発明の実施形態６につい
て図６を参照しながら説明する。
【００９５】図６（ａ）は、本実施形態の半導体装置の
製造方法を示す断面図である。図６（ｂ）は、封止テー
プ貼付リードフレームをセットした状態の下金型の上面
を示す模式的な透視図である。なお、本実施形態では、
図６（ａ）および図６（ｂ）に示すように、上記実施形
態５と同じ封止テープ貼付リードフレーム５００を用い
る。
【００９６】図６（ａ）および図６（ｂ）に示すよう
に、本実施形態の下金型５２Ｃの上面のうちの封止テー
プ１５に接する領域は、細かな凹凸が形成された粗面
（梨地加工面）６０となっている。本実施形態の下金型
５２Ｃを用いて、図６（ａ）に示すように、上記実施形
態１と同様に半導体装置を製造する。
【００９７】梨地加工面６０を設けた本実施形態の下金
型５２Ｃを用いることによって、樹脂封止工程におい
て、キャビティ部５３内へ封止樹脂１１が注入時される
際、封止テープ１５と下金型５２の上面とのわずかな隙
間に取り込まれていた空気は、封止樹脂１１の圧力で下
金型５２Ｃの梨地加工面６０の細かな凹凸の間を通って
エアベント部５８の方に移動し、リードフレーム１０Ｃ
が変形する前にモールドライン１４から金型外部に排気
される。従って、リードフレーム１０Ｃの変形を防止す
ると共にリードフレーム１０Ｃの変形に伴って引き起こ
される半導体チップ２０の破損や金属細線２１の変形や
断線を防止することができる。
【００９８】特に、梨地加工面６０の表面粗さＲｚが、
２〜５０μｍの範囲内である場合には著効が得られる。
【００９９】なお、本実施形態では、下金型５２Ｃの上
面のうちの封止テープ１５に接する領域のみ、細かな凹
凸が形成された粗面（梨地加工面）６０としたが、勿
論、下金型５２Ｃの上面全体を梨地加工してもよい。い
ずれにせよ、下金型５２Ｃの上面のうちの少なくとも封
止テープ１５に接する領域が梨地加工されていれば、上
記の効果が得られる。
【０１００】以上のように、上記実施形態１〜６をそれ
ぞれ独立した実施形態として説明したが、例えば、実施
形態１の封止テープ貼付リードフレーム１００と、実施
形態５の下金型の構造と、実施形態６の下金型の構造と
を組み合わせてもよい。このように、上記の各実施形態
を組み合わせることによって、樹脂封止工程において粘
着性テープと下金型との間に取り込まれた空気を、より
効率よく金型外部に排気することが出来る。従って、樹
脂封止工程におけるリードフレームの変形を抑制・防止
することができ、リードフレームの変形に伴って引き起
こされる半導体チップ２０の破損や金属細線２１の変形
や断線の抑制・防止の効果をさらに高めることが出来
る。
【０１０１】
【発明の効果】本発明によれば、樹脂封止工程において
リードフレームの変形を抑制することができ、信頼性の
高い樹脂封止型半導体装置が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１（ａ）は、本発明の実施形態１に係る封止
テープ貼付リードフレームを示す模式図であり、図１
（ｂ）は、本発明の実施形態１に係る半導体装置の製造
方法を示す断面図である。
【図２】図２（ａ）は、本発明の実施形態２に係る封止
テープ貼付リードフレームを示す模式図であり、図２
（ｂ）は、本発明の実施形態２に係る半導体装置の製造
方法を示す断面図である。
【図３】図３（ａ）は、本発明の実施形態３に係る封止
テープ貼付リードフレームを示す模式図であり、図３
（ｂ）は、本発明の実施形態３に係る半導体装置の製造
方法を示す断面図である。
【図４】図４（ａ）は、本発明の実施形態４に係る封止
テープ貼付リードフレームを示す模式図であり、図４
（ｂ）は、本発明の実施形態４に係る半導体装置の製造
方法を示す断面図である。
【図５】図５（ａ）は、本発明の実施形態５に係る半導
体装置の製造方法を示す断面図であり、図５（ｂ）は、
実施形態５において、封止テープ貼付リードフレームを
セットした下金型の上面を示す模式図である。
【図６】図６（ａ）は、本発明の実施形態６に係る半導
体装置の製造方法を示す断面図であり、図６（ｂ）は、
実施形態６において、封止テープ貼付リードフレームを
セットした下金型の上面を示す模式図である。
【図７】図７は、従来の成形法に用いる樹脂封止装置お
よび樹脂封止の手順を概略的に説明するための斜視図で
ある。
【図８】図８は、従来の成形法の樹脂封止時における封
止金型内の状態を示す断面図である。
【符号の説明】
１００、２００、３００、４００、５００ 封止テープ
貼付リードフレーム １０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ、１０００ リードフレーム １１ 封止樹脂 １２ 半導体装置形成領域 １３ フレーム枠部 １４ モールドライン １５、１５ｂ、１５ｃ、１０１５ 封止テープ １６、１６ａ 溝 １７ 貫通孔 １８ 粗面（梨地加工面） ２０、１０２１ 半導体チップ ２１、１０２２ 金属細線 ５１、５１Ａ、１０５１ 上金型 ５２、５２Ａ、５２Ｂ、５２Ｃ、１０５２ 下金型 ５３ キャビティ部 ５４ ポット部 ５５ プランジャ ５６ ランナー部 ５７ ゲート部 ５８ エアベント部 ５９ 溝 ６０ 粗面（梨地加工面） ７０ リードフレームの側端部 １０５５ 樹脂封止型半導体装置 １０５８ プランジャ １０６１ 封止樹脂供給部 １０６２ 樹脂タブレット １０６０ 半導体製品成型部 １０６３ 樹脂カル １０７０ 樹脂注入ゲート
フロントページの続き (72)発明者 日高 弘 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 5F061 AA01 BA02 CA21 DD12 DD13 5F067 AA11 DE01 DE03

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 封止樹脂を充填するためのダイキャビテ
    ィを有する封止金型を用いて半導体チップを樹脂封止す
    るために用いられるリードフレームであって、 上記ダイキャビティに曝される第１の領域と、 上記第１の領域を囲み、上記封止金型によってクランプ
    される第２の領域と、 上記ダイキャビティに封止樹脂が充填された状態で外気
    に曝される第３の領域と、 上記第１の領域が存在する面と対向する面に形成され、
    上記第１の領域に対向する領域から上記第２の領域に対
    向する領域を横切って、上記第３の領域に到達する少な
    くとも１つの溝と、 を備えることを特徴とするリードフレーム。
  2. 【請求項２】 請求項１に記載のリードフレームにおい
    て、 上記少なくとも１つの溝は、底付き溝であり、 上記第３の領域は、上記第２の領域を囲む側端面である
    ことを特徴とするリードフレーム。
  3. 【請求項３】 請求項１に記載のリードフレームにおい
    て、 上記少なくとも１つの溝は、底付き溝であり、上記少な
    くとも１つの溝の底部から上記第３の領域に貫通してい
    ることを特徴とするリードフレーム。
  4. 【請求項４】 第１の領域と、上記第１の領域を囲む第
    ２の領域と、上記第２の領域の外方に位置する第３の領
    域と、上記第１の領域が存在する面と対向する面に形成
    され、上記第１の領域に対向する領域から上記第２の領
    域に対向する領域を横切って、上記第３の領域に対向す
    る領域に到達する少なくとも１つの溝とを備えるリード
    フレームを用意する工程（ａ）と、 上記第１の領域に対向する領域上に、樹脂廻りこみ防止
    材を設ける工程（ｂ）と、 上記リードフレームの上記第１の領域上に半導体チップ
    を搭載する工程（ｃ）と、 ダイキャビティを有する封止金型を用いて上記半導体チ
    ップを上記ダイキャビティ内に入れて上記第２の領域を
    クランプし、上記ダイキャビティ内に樹脂を充填する工
    程（ｄ）と、 を備える樹脂封止型半導体装置の製造方法。
  5. 【請求項５】 請求項４に記載の樹脂封止型半導体装置
    の製造方法において、 上記工程（ａ）において、上記少なくとも１つの溝は、
    底付き溝であり、 上記第３の領域は、上記第２の領域を囲む側端面である
    ことを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
  6. 【請求項６】 請求項４に記載の樹脂封止型半導体装置
    の製造方法において、 上記工程（ａ）において、上記少なくとも１つの溝は、
    底付き溝であり、上記少なくとも１つの溝の底部から上
    記第３の領域に貫通することを特徴とする樹脂封止型半
    導体装置の製造方法。
  7. 【請求項７】 請求項４から６のいずれか１つに記載の
    樹脂封止型半導体装置の製造方法において、 上記工程（ｂ）では、上記少なくとも１つの溝の面に沿
    って上記樹脂廻りこみ防止材を設けることを特徴とする
    樹脂封止型半導体装置の製造方法。
  8. 【請求項８】 第１の領域と、上記第１の領域を囲む第
    ２の領域とを備えるリードフレームを用意する工程
    （ａ）と、 上記第１の領域に対向する領域上から上記第２の領域に
    対向する領域上を横切って、上記第２の領域を囲む側端
    面に到達する少なくとも１つの底付き溝を備える樹脂廻
    りこみ防止材を、上記第１の領域に対向する領域および
    上記第２の領域に対向する領域の上に設ける工程（ｂ）
    と、 上記リードフレームの上記第１の領域上に半導体チップ
    を搭載する工程（ｃ）と、 ダイキャビティを有する封止金型を用いて上記半導体チ
    ップを上記ダイキャビティ内に入れて上記第２の領域を
    クランプし、上記ダイキャビティ内に樹脂を充填する工
    程（ｄ）と、 を備える樹脂封止型半導体装置の製造方法。
  9. 【請求項９】 第１の領域と、上記第１の領域を囲む第
    ２の領域とを備えるリードフレームを用意する工程
    （ａ）と、 上記第１の領域に対向する領域および上記第２の領域に
    対向する領域上の面が梨地となっている樹脂廻りこみ防
    止材を上記第１の領域に対向する領域および上記第２の
    領域に対向する領域上に設ける工程（ｂ）と、 上記第１の領域上に半導体チップを搭載する工程（ｃ）
    と、 ダイキャビティを有する封止金型を用いて上記半導体チ
    ップを上記ダイキャビティ内に入れて上記第２の領域を
    クランプし、上記ダイキャビティ内に樹脂を充填する工
    程（ｄ）と、 を備える樹脂封止型半導体装置の製造方法。
  10. 【請求項１０】 ダイキャビティおよびクランプ部を有
    する第１の封止金型と、上記ダイキャビティに対向する
    面および上記クランプ部に対向する面を有し、上記ダイ
    キャビティに対向する領域から上記クランプ部に対向す
    る領域を横切って、上記クランプ部に対向する領域を囲
    む領域に到達する少なくとも１つの溝が設けられている
    第２の封止金型とを用意する工程（ａ）と、 第１の領域と、上記第１の領域を囲む第２の領域とを備
    えるリードフレームを用意する工程（ｂ）と、 上記第１の領域に対向する領域および上記第２の領域に
    対向する領域上に、樹脂廻りこみ防止材を設ける工程
    （ｃ）と、 上記リードフレームの上記第１の領域上に半導体チップ
    を搭載する工程（ｄ）と、 上記第１の封止金型と第２の封止金型とを用いて上記半
    導体チップを上記ダイキャビティ内に入れて上記第２の
    領域をクランプし、上記ダイキャビティ内に樹脂を充填
    する工程（ｅ）と、 を備える樹脂封止型半導体装置の製造方法。
  11. 【請求項１１】 ダイキャビティおよびクランプ部を有
    する第１の封止金型と、上記ダイキャビティに対向する
    面および上記クランプ部に対向する面を有し、上記ダイ
    キャビティに対向する面および上記クランプ部に対向す
    る面は梨地となっている第２の封止金型とを用意する工
    程（ａ）と、 第１の領域と、上記第１の領域を囲む第２の領域とを備
    えるリードフレームを用意する工程（ｂ）と、 上記第１の領域に対向する領域および上記第２の領域に
    対向する領域上に、樹脂廻りこみ防止材を設ける工程
    （ｃ）と、 上記リードフレームの上記第１の領域上に半導体チップ
    を搭載する工程（ｄ）と、 上記第１の封止金型と上記第２の封止金型とを用いて上
    記半導体チップを上記ダイキャビティ内に入れて上記第
    ２の領域をクランプし、上記ダイキャビティ内に樹脂を
    充填する工程（ｅ）と、 を備える樹脂封止型半導体装置の製造方法。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100733550B1 (ko) * 2005-07-13 2007-06-28 가부시끼가이샤 도시바 리소그래피 시뮬레이션 방법, 마스크 패턴 작성 방법,반도체 장치의 제조 방법, 및 기록 매체
KR100751890B1 (ko) * 2004-08-05 2007-08-23 옵티멈 케어 인터내셔널 테크 인코포레이티드 모듈화 리드프레임의 제조방법
JP2008091956A (ja) * 2007-12-26 2008-04-17 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置の製造方法
JP2008283138A (ja) * 2007-05-14 2008-11-20 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置及びその製造方法
JP2009289984A (ja) * 2008-05-29 2009-12-10 Canon Inc 半導体装置の製造方法及び半導体装置
JP2011014606A (ja) * 2009-06-30 2011-01-20 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置の製造方法

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2820240B1 (fr) * 2001-01-26 2004-07-16 St Microelectronics Sa Substrat support de puce a circuits integres adapte pour etre place dans un moule
TW486793B (en) * 2001-05-29 2002-05-11 Siliconware Precision Industries Co Ltd Packaging method for preventing a low viscosity encapsulant from flashing
US6969918B1 (en) * 2001-08-30 2005-11-29 Micron Technology, Inc. System for fabricating semiconductor components using mold cavities having runners configured to minimize venting
JP3607655B2 (ja) * 2001-09-26 2005-01-05 株式会社東芝 マウント材、半導体装置及び半導体装置の製造方法
KR102545290B1 (ko) * 2018-08-29 2023-06-16 삼성전자주식회사 반도체 패키지 몰딩 장치

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03152964A (ja) 1989-11-09 1991-06-28 Nec Corp 樹脂封止型半導体装置用リードフレーム
US5462624A (en) * 1992-12-22 1995-10-31 Vlsi Technology, Inc. Embedded inter-connect frame
JPH0714965A (ja) 1993-06-21 1995-01-17 Fuji Xerox Co Ltd 半導体装置用リードフレーム
TW344109B (en) * 1994-02-10 1998-11-01 Hitachi Ltd Methods of making semiconductor devices
US5977615A (en) * 1996-12-24 1999-11-02 Matsushita Electronics Corporation Lead frame, method of manufacturing lead frame, semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device
JPH1072057A (ja) * 1997-06-05 1998-03-17 Nitto Denko Corp セパレータもしくは包装用材料
JP2971834B2 (ja) 1997-06-27 1999-11-08 松下電子工業株式会社 樹脂封止型半導体装置の製造方法
JP2954148B1 (ja) 1998-03-25 1999-09-27 松下電子工業株式会社 樹脂封止型半導体装置の製造方法およびその製造装置
US6338813B1 (en) * 1999-10-15 2002-01-15 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Molding method for BGA semiconductor chip package
JP3429246B2 (ja) 2000-03-21 2003-07-22 株式会社三井ハイテック リードフレームパターン及びこれを用いた半導体装置の製造方法
US6400004B1 (en) * 2000-08-17 2002-06-04 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Leadless semiconductor package

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100751890B1 (ko) * 2004-08-05 2007-08-23 옵티멈 케어 인터내셔널 테크 인코포레이티드 모듈화 리드프레임의 제조방법
KR100733550B1 (ko) * 2005-07-13 2007-06-28 가부시끼가이샤 도시바 리소그래피 시뮬레이션 방법, 마스크 패턴 작성 방법,반도체 장치의 제조 방법, 및 기록 매체
JP2008283138A (ja) * 2007-05-14 2008-11-20 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置及びその製造方法
JP4737138B2 (ja) * 2007-05-14 2011-07-27 三菱電機株式会社 半導体装置及びその製造方法
JP2008091956A (ja) * 2007-12-26 2008-04-17 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置の製造方法
JP2009289984A (ja) * 2008-05-29 2009-12-10 Canon Inc 半導体装置の製造方法及び半導体装置
JP2011014606A (ja) * 2009-06-30 2011-01-20 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置の製造方法

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