KR100304680B1 - 반도체장치및그제조방법 - Google Patents

반도체장치및그제조방법 Download PDF

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KR100304680B1
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노부오 야마시따
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가네꼬 히사시
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Abstract

반도체 칩이 상부에 탑재된 캐리어 테이프를 가지는 반도체 장치에 있어서, 반도체 칩이 수지로 밀봉되고, 수지 프레임 부분이 캐리어 테이프의 외주부에 형성된다. 이에 의해, 캐리어 테이프의 반송 동안 캐리어 테이프가 캐리어 테이프의 형태를 일정하게 유지하면서 반송되게 된다.

Description

반도체 장치 및 그 제조 방법{SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은 캐리어 테이프와 같은, 약한 강도를 갖는 기판을 사용하는 반도
체 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
칩 사이즈 패키지 (chip size package ; CSP) 와 같은, 캐리어 테이프 기판을 사용하는 반도체 장치에서는. 일반적으로, 반도체 칩이 공지의 트랜스퍼(transfer) 방식을 사용해서 수지로 밀봉된다.
종래의 반도체 장치에서는, 얇은 두께를 갖는 캐리어 테이프가 캐리어 테이프 기판으로서 사용된다. 따라서, 그 반도체 장치는 필연적으로 약한 강도를 가지게 된다. 또한, 반도체 칩을 밀봉하는 수지가 비교적 무겁기 때문에, 캐리어 테이프를 수평 방향으로 유지하는 것이 어렵다.
따라서, 캐리어 테이프를 취급할 때에는 매우 주의해야 한다. 또, 핀셋이 사용되는 경우에도, 캐리어 테이프를 부주의하게 취급함으로서, 제품 낙하 또는 손상에 기인한 불량이 발생하게 된다.
한편, 캐리어 테이프가, 핀셋을 사용하지 않고, 흡착 (absorption) 또는 클램프 (clamp) 에 의해 자동 반송시킬 때에도, 수지 및 캐리어 테이프 사이의 계면 (interface) 에서 박리 (peeling) 가 일어난다. 이는 흡착이 불충분할 뿐만 아니라, 균형이 불안정해지기 때문이다.
더욱이 제품이 클램프 될 때, 캐리어 테이프의 형태를 일정하게 유지한 상태로 캐리어 테이프를 반송하기가 어렵다. 이는 캐리어 테이프의 변형 및 수지와 캐리어 테이프 사이의 계면에서의 박리의 원인이 된다.
따라서, 본 발명의 목적은 제품의 보지성(保持性) 을 안정적으로 유지할 수 있는 반도체 장치 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 생산성이 우수한 반도체 장치 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명에 따르면, 반도체 장치는 반도체 칩이 탑재되는 캐리어 테이프를 가지고 있다. 이 경우, 반도체 칩을 보호하기 위해 수지 부분이 반도체 칩을 밀봉하거나 덮는다.
또한, 수지 프레임 부분이 캐리어 테이프의 외주부에 위치된다. 여기서, 수지 프레임 부분은 캐리어 테이프의 반송 동안에 캐리어 테이프의 모양을 일정하게 유지할 수 있도록 위치된다. 이 경우, 수지 프레임 부분은 수지 부분보다 더 두꺼운 것이 바람직하다.
좀 더 자세히 설명하면, 수지 프레임 부분은 이미 설명한 바와 같이, 캐리어 테이프의 외주부에 위치된다. 그 결과, 제품의 강도가 크게 향상되게 된다.
또한, 수지 프레임 부분은 수지 부분의 형성과 동시에 캐리어 테이프의 외주부에 형성된다. 여기서, 수지 프레임 부분은 수지 부분과 동일한 재료로 형성되는 것이 바람직하다. 이와 같이, 생산성이 크게 향상된다.
따라서, 캐리어 테이프의 변형에 의해 유발되는, 수지와 캐리어 테이프 사이의 계면에서의 박리가 효과적으로 감소되거나 제거될 수 있다.
또한, 수지 밀봉 후, 반송 작업이 크게 향상된다. 따라서, 제조 수율 또는 생산성의 향상이 가능하게된다.
또한, 수지 프레임 부분의 두께는 반도체 칩을 밀봉하는 수지 부분의 두께보다 더 두껍다. 이에 의해, 수지 밀봉 후 제품을 반송하는 동안에, 제품이 효과적으로 보호될 수 있다.
도 1a 내지 도 1e 는 종래의 반도체 장치 제조 방법을 나타낸 도면.
도 2a 내지 도 2f 는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 반도체 장치의 제조 방법을 나타낸 단면도.
도 3a 는 도 2a 내지 도 2f 의 제조 방법에 의해 제조된 반도체 장치의 평면도.
도 3b 는 도 2a 내지 도 2f 의 제조 방법에 의해 제조된 반도체 장치의 단면도.
도 4a 내지 도 4f 는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 반도체 장치의 제조 방법을 나타낸 단면도.
도 5a 는 도 4a 내지 도 4f 의 제조 방법에 의해 제조된 반도체 장치의 평면도.
도 5b 는 도 4a 내지 도 4f 의 제조 방법에 의해 제조된 반도체 장치의 단면도.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
a : 하부 다이 (1ower die) j : 플런저 (plunger)
b : 상부 다이 (upper die) k : 흡착 헤드 (absorption head)
c : 반도체 칩 l : 수지
d : 캐리어 테이프 (carrier tape) m : 수지 프레임 (단면)
e : 게이트(gate) n : 수지 프레임 (양면)
f : 녹아웃 핀 (knock-out pin) o : 러너 홈 (runner groove)
g : 주입 핀 (injection pin) p : 컬 (cull)
h : 서브 러너 (sub-runner) α : 수지 두께
i : 공동 (cavity) β,β',β" : 수지 프레임 두께
먼저, 본 발명의 보다 나은 이해를 위하여, 도 1a 내지 도 1e 를 참조하여, 종래의 반도체 장치의 제조 방법을 설명한다. 그 제조 방법은 본 명세서의 서두에서 언급된 종래의 제조 방법과 동일하다.
도 1a 에 도시된 바와 같이, 캐리어 테이프 (4) 가 하부 다이 (die ; 1) 에세트된다. 예를 들어, 캐리어 테이프 (4) 는 약 50 ㎛ 의 두께를 갖는다. 이 경우, 반도체 칩 (10)(도 1a 에서는 2 개의 칩) 이 캐리어 테이프 (4) 상에 위치된다.
계속해서, 도 1b 에 도시된 바와 같이, 수지 밀봉으로 패키지 형태를 형성하기 위하여 중간 다이 (2) 및 상부 다이 (3) 가 캐리어 테이프 (4) 상에 세트된다.
이 경우, 중간 다이 (2) 는 반도체 칩 (10) 을 덮는 공동 (cavity : 7) 을 갖는다. 또한, 상부 다이 (3) 는 게이트 (5) 를 통해 공동 (7) 과 연결되는 러너 (runner;6) 를 갖는다. 다이 세팅이 완료된 후, 열경화성 수지가 가열되며, 점도가 낮아질 때 수지에 압력이 가해진다.
그 후. 도 1c 에 도시된 바와 같이, 수지 (8) 가 러너 (6) 로부터 게이트(5) 를 통과하여, 공동 (7) 을 채우게 된다.
수지 (8) 가 공동 (7) 에 채워진 후, 수지 (8) 는 경화 공정에 따라서 경화된다. 여기서, 도 1c 의 참조 번호 11 은 컬 (cull) 을 지시한다는 것에 주의해야 한다.
다음으로, 도 1d 에 도시된 바와 같이, 상부 다이 (3) 가 중간 다이 (2) 로부터 분리되며, 지그 (zig) (9) 가 중간 다이 (2) 상에 세트된다. 계속해서, 중간 다이 (2) 의 제품이 지그 (9) 를 사용해서 제거된다.
이와 같이, 도 1e 에 도시된 바와 같이, 캐리어 테이프 (4) 상에 반도체 칩(1O)을 갖는 제품을 제조하였다. 이 경우에도, 도 1e 에 도시된 바와 같이,각각의 반도체 칩 (10) 이 수지로 밀봉된다.
종래의 반도체 장치에서는, 캐리어 테이프 (4) 가 얇은 두께를 갖는다. 그 려과, 캐리어 테이프 (1) 에 의해 형성된 반돛 장치는 필연적으로 약한 강도를 갖게 된다. 또한, 각 반도체 칩 (10)을 밀봉하는 수지 (8) 가 비교적 무겁기 때문에, 캐리어 테이프 (4)를 수평 방향으로 유지하는 것이 어렵다.
따라서. 캐리어 테이프 (4)를 취급할 때에는 매우 주의해야 한다. 한편, 캐리어 테이프 (4) 가 흡착 또는 클램프에 의해 자동적으로 반송되는 경우에도, 수지 (8) 와 캐리어 테이프 (4) 사이의 계면에서 박리가 일어난다. 이는 흡착이 불충분할 뿐만 아니라, 균형이 불안정해지기 때문이다.
더욱이, 제품이 클램프 될 때, 캐리어 테이프 (4) 의 형태를 일정하게 유지한 상태로 캐리어 테이프 (4) 를 반송하는 것이 어렵다. 이는 캐리어 테이프(4) 의 변형 및 수지 (8) 와 캐리어 테이프 (4) 사이의 계면에서의 박리를 유발시키게 된다.
이상 언급된 문제점들을 고려하여, 본 발명은 제품의 보지성을 안정적으로 유지할 수 있으면서도 생산성이 우수한 반도체 장치를 제공한다.
(제 1 실시예)
도 2a 내지 도 2f 및 도 3a 내지 도 3b 를 참조하여, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 반도체 장치 제조 방법에 대해 설명한다.
도 2a 에 도시된 바와 같이, 반도체 칩 (c) (도 2a 에서는 2 개의 칩) 이 캐리어 테이프 (d) 에 위치된다. 캐리어 테이프 (d) 는 반도체 칩 (c) 이 하방으로 향하는 상태에서 하부 다이 (a) 에 배치된다. 이 경우, 다음의 수지 프레임 부분 (m) 을 형성하기 위해 러너 그루브 (runner groove) (o) 가 하부 다이(a) 의 캐리어 테이프 (d) 의 외주부에 배치된다. 이 경우, 공동 (i) 및 게이트 (e) 에 연결된 서브-러너(sub-runner : h) 는 러너 그루브 (o) 로부터 분기된다.
또한. 복수의 녹아웃 (knock-out) 핀 (f) 이 하부 다이 (a) 의 반도체 칩 (c) 에 대응하는 위치에 형성된 복수의 관통부에 삽입된다. 이 경우, 녹아웃 핀 (f) 은 수직 방향으로 이동할 수 있도록 관통부에 삽입된다.
도 2b 에 도시된 바와 같이, 반도체 칩 (c) 이 상부에 탑재된 캐리어 테이프 (d) 가 상부 다이 (b) 와 하부 다이 (a) 사이에 삽입된다.
계속해서, 도 2c 에 도시된 바와 같이, 플런저 (plunger) (j) 를 사용해서 용융 상태의 수지 (1) 에 압력이 가해진다. 이에 따라, 수지 (1) 가 러너 그루브(o) 로 주입된다. 러너 그루브(o) 가 수지 (1) 로 채워진 후, 수지 (1) 는 서브-러너 (1l) 로 흐르기 시작한다.
그 후, 수지 (1) 가 게이트 (e) 및 공동 (i) 에 주입된다. 공동 (i) 이 수지 (1) 로 채워지면, 수지 (1) 주입이 완료된다.
이 경우, 수지 프레임 부분 (m) 이 캐리어 테이프 (d) 의 외주부에 위치된다. 따라서, 공동 (i) 의 공기 배출 효율은 종래 패키지 부분의 코너에 위치된 공기 벤트 (bent)(도시되지 않음) 가 사용되는 경우에도 낮아지게 된다. 따라서, 이 밀봉된 다이는 공지의 가스 제거 몰딩법을 사용해서 다이 a 와 b 사이의 그루브 내의 공기를 흡입하는 기구 (도시되지 않음) 를 갖는다.
계속해서, 도 2d 에 도시된 바와 같이, 수지 층진 작업이 완료된 후, 밀봉된 다이 (a 및 b) 는. 수지 (l) 의 경화 공정에 따른 몰딩 기간 후에 개방된다.
좀 더 자세히 설명하면. 먼저 상부 다이 (b) 가, 하부 다이 (a) 로부터 분리된다. 그 다음, 패키지 부분 및 수지 프레임 부분 (m) 또는 컬 부분 (p) 이 복수 위치에서 흡착 헤드 (absorption head) 를 사용하여 유지된 상태에서, 패키지 부분 및 수지 프레임 부분 (m) 이 녹아웃 핀 (f)을 사용하여 하부 다이 (a) 로부터 균일하게 분리된다. 이 작업은 모든 제품의 휨과 변형을 줄이기 위해 행해진다. 이와 같이, 한 사이클의 몰딩이 완료된다.
다음으로, 도 2e 에 도시된 바와 같이, 컬 부분 (p) 이 제품의 수지 프레임부분 (m) 및 흡착 헤드 (k) 를 클램핑함으로써 분리된다.
그 후, 도 2f 에 도시된 바와 같이, 최종 제품이 하우징 측 (도시되지 않음) 으로 반송된다.
반도체 장치 부분과 다른 종류의 수지를 사용해서 수지 프레임 부분 (m)을 형성하는 것도 가능하다. 그러나, 같은 종류의 수지를 사용하는 것이 생산성 면에서 유리하다. 이 경우, 수지 가격이 비싸면, 수지 프레임 부분 (m) 에 대해서 저렴한 수지를 사용하는 것이 바람직할 수도 있다.
한편, 도 3b 에 도시된 바와 같이, 러너 (o) 의 깊이(β)(즉, 수지 프레임 부분(m)) 는, 수지 (l) 로 밀봉한 후 제품을 반송하는 동안에 그 제품을 보호하기 위하여, 반도체 칩 (c) 을 밀봉하는 수지 (l) 의 두께 (α) 보다 더 깊거나 더두껍다.
(제 2 실시예)
계속해서, 도 4a 내지 도 4f 및 도 5a 내지 도 5b 를 참조하여, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 반도체 장치의 제조 방법에 대해 설명한다.
도 4a 에 도시된 바와 같이, 반도체 칩 (c) 이 캐리어 테이프 (d) 에 위치된다. 캐리어 테이프 (d) 는 반도체 칩 (c) 이 하방으로 향한 상태에서 하부 다이 (a) 에 배치된다. 이 경우, 다음의 수지 프레임 부분 (n) 을 형성하기 위하여 러너 그루브 (o) 가 하부 다이 (a) 의 캐리어 테이프 (d) 의 외주부에 배치된다. 이 경우, 공동 (i) 및 게이트 (e) 에 연결된 서브-러너 ( h) 는 러너 그루브 (o) 로부터 분기된다.
또한, 복수의 녹아웃 핀 (f) 이 하부 다이 (a) 의 반도체 칩 (c) 에 대응하는 위치에 형성된 복수의 관통부에 삽입된다. 이 경우, 녹아웃 핀 (f) 은 수직 방향으로 이동할 수 있도록 관통부에 삽입된다.
도 4b 에 도시된 바와 같이, 반도체 칩 (c) 이 탑재된 캐리어 테이프 (d)상부 다이 (b) 와 하부 다이 (a) 사이에 삽입된다.
이 경우, 수지 프레임 부분 (n) 을 형성하기 위해 러너 그루브(o) 가 또한 상부 다이 (d) 의 캐리어 테이프 (d) 의 외주부에 위치된다. 즉, 러너 (o) 는 캐리어 테이프 (d) 의 내부 및 외부로부터 캐리어 테이프 (d) 를 삽입할 수 있도록 배치된다.
또한, 복수의 주입 핀 (g) 이 상부 다이 (b) 의, 러너 (o)에 대응되는 위치에 형성된, 복수의 관통부에 삽입된다. 이 경우, 주입 핀 (g) 은 수직 방향으로 이동할 수 있도록 관통부에 삽입된다.
계속해서, 도 4c 에 도시된 바와 같이, 플런저 (j)를 사용해서 용융 상태의 수지 (l) 에 압력이 가해진다. 그럼으로써, 수지 (l) 가 러너 그루브 ( o) 로 주입된다. 러너 그루브 (o) 가 수지 (l) 로 채워진 후, 수지 (l) 가 서브 러너 (h) 로 흐르기 시작한다.
그 후, 수지 (1) 가 게이트 (e) 및 공동 (i) 에 주입된다. 공동 (i) 이 수지 (1) 로 채워지면; 수지 (1) 주입이 완료된다.
이 경우, 수지 프레임 부분 (n) 이 캐리어 테이프 (d) 의 외주부에 위치된다. 따라서, 공동 (i) 의 공기 배출 효율이, 종래 패키지 부분의 코너에 위치된 공기 벤트 (도시되지 않음) 가 사용되는 경우에도 낮아지게 된다. 따라서, 이 밀봉된 다이는 공지의 가스 제거 몰딩법을 사용해서 다이 (a 및 b) 사이의 그루브 내의 공기를 흡입하는 기구 (도시되지 않음) 를 갖는다.
계속해서, 도 4d 에 도시된 바와 같이, 수지 충진 작업이 완료된 후, 밀봉된 다이는, 수지 (l) 의 경화 공정에 따른 몰딩 기간 후에 개방된다.
좀 더 자세히 설명하면, 상부 다이 (b) 가 주입 핀 (g) 을 사용하여 분리된다. 다음으로, 패키지 부분 및 수지 프레임 부분 (n) 은, 패키지 부분 및 수지 프레임 (n) 또는 컬 부분 (p) 이 복수 위치에서 있는 흡착 헤드를 사용하여 유지한 상태에서, 녹아웃 핀 (f) 을 사용하여 하부 다이 (a) 로부터 균일하게 분리된다. 이러한 작업은 모든 제품의 흼과 번형을 줄이기 위해 행해진다. 이와 같이, 한 사이클의 몰딩이 완료된다.
다음으로, 도 4e 에 도시된 바와 같이, 컬 부분 (p) 이 제품의 제품 홀딩(holding) 부분에 의해 흡착 헤드 (k) 및 수지 프레임 부분 (n) 을 클램핑함으로써 분리된다.
그 후, 도 4f 에 도시된 바와 같이, 최종 제품이 하우징 측(도시되지 않음) 으로 반송된다.
여기서, 반도체 장치 부분과 다른 종류의 수지를 사용하여 수지 프레임 부분 (n) 을 형성하는 것도 가능하다. 그러나, 같은 종류의 수지를 사용하는 것이 생산성 면에서 유리하다. 이 경우, 수지 (1) 가격이 비싼 경우, 수지 프레임 부분 (n) 에 대해서 저렴한 수지 (1) 를 사용하는 것이 바람직할 수도 있다.
도 5b 에 도시된 바와 같이, 칩이 탑재된 면에서 러너 (o)(즉, 수지 프레임 부분 (n)) 의 두께 (β') 는, 수지 (1) 로 밀봉한 후 제품을 반송하는 동안 제품을 보호하기 위해서, 반도체 칩 (c) 을 밀봉 또는 덮는 수지 (1) 의 두께 (α) 보다 더 깊거나 더 두껍다.
또한, 수지 프레임 부분 (n) 도, 수지 프레임 부분 (n) 의 휨을 줄이기 위해, 캐리어 테이프 (d) 에 어떠한 반도체 칩 (c) 이 탑재되지 않은 반대면에 형성될 수 있다. 여기서, 수지 프레임 부분 (n) 의 깊이 (β") 도, 또한 반도체 칩 (c) 을 밀봉하거나 덮기 위해 수지 (1) 의 두께 (α) 보다 더 깊거나 두꺼우며, 수지 공정에 따라 변할 수 있다.
본 발명에 따르면, 캐리어 테이프 상에 탑재된 반도체 칩을 보호하기 위해, 반도체 칩을 수지로 밀봉한 반도체 장치에 있어서, 캐리어 테이프의 외주부에 반송용의 수지 프레임 부분을 형성함으로써, 제품의 강도가 크게 향상된다. 또한, 이 수지 프레임 부분을 수지로 밀봉할 때, 수지 부분과 동일한 수지로 동시에 형성함으로써, 생산성이 크게 향상된다.
결과적으로, 캐리어 테이프의 변형에 의해 유발되는, 수지 및 캐리어 테이프 사이의 계면에서의 박리가 효과적으로 감소 또는 제거될 수 있으며, 또한 수지 프레임 부분의 두께가 반도체 칩을 밀봉하는 수지 부분의 두께보다 더 두꺼우므로, 수지 밀봉 후 제품을 반송하는 동안 제품을 효과적으로 보호할 수 있다.

Claims (16)

  1. 반도체 칩이 상부에 탑재된 캐리어 테이프를 갖는 반도체 장치에 있어서,
    상기 반도체 칩을 밀봉하는 수지 부분, 및
    상기 캐리어 테이프의 외주부에 위치된 수지 프레임 부분을 포함하며,
    상기 수지 프레임 부분은, 상기 캐리어 테이프의 반송동안에 상기 캐리어 테이프의 형태를 일정하게 유지할 수 있도록 위치되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 반도체 칩은 상기 캐리어 테이프의 일 면 상에 탑재되고,
    상기 수지 프레임 부분은 오직 한 면에만 위치되는 것을 특징으로 하는 반도
    체 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 수지 프레임 부분은 상기 한 면의 반대면 상에도 또한 위치되는 것을
    특징으로 하는 반도체 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 수지 프레임 부분은 상기 수지 부분보다 더 두꺼운 것을 특징으로 하는반도체 장치.
  5. 반도체 칩이 상부에 탑재된 캐리어 테이프롤 갖는 반도체 장치의 제조 방법에 있어서,
    상기 반도체 칩을 밀봉하는 수지 부분을 형성하는 단계 ; 및
    상기 수지 부분의 형성과 동시에, 상기 캐리어 테이프의 외주부 상에 수지 프레임 부분을 형성하는 단계를 포함하며,
    상기 수지 프레임 부분은, 상기 캐리어 테이프의 반송 동안에 상기 캐리어 테이프의 형태를 일정하게 유지할 수 있도록 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 수지 프레임 부분은 상기 수지 부분과 같은 재료로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  7. 제 5 항에 있어서.
    상기 수지 프레임 부분은. 상기 캐리어 테이프를 반송하는 동안에 상기 캐리어 테이프를 보호할 수 있도록, 상기 수지 부분보다 더 두꺼운 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  8. 반도체 장치가 형상화된 캐리어 테이프 부재의 제조 방법에 있어서,
    반도체 칩이 상부에 탑재된 초기 캐리어 테이프를 준비하는 단계 ;
    상기 반도체 칩이 하방을 향한 상태에서, 상기 초기 캐리어 테이프를 하부 다이 상에 세트하되, 상기 하부 다·이는 상기 반도체 칩에 대응하는 제 1 위치에 공동을 갖고, 상기 초기 캐리어 테이프의 외주부에 대응하는 제 2 위치에 러너 그루브를 가지는 단계 ;
    상부 다이를 상기 초기 캐리어 테이프 상에 세트시키고, 상기 초기 캐리어 테이프가 상기 상부 다이 및 상기 하부 다이 사이에 샌드위치시키는 단계 ;
    공동 및 러너 그루브를 수지로 채우는 단계 ; 및
    상기 상부 다이 및 상기 하부 다이를 제거하여, 상기 반도체 칩을 수지로 밀봉하고, 러너 그루브에 대응하는 수지 프레임 부분을 상기 캐리어 테이프의 한면의 외주부 상에 위치시키는, 상기 캐리어 테이프 부재를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 캐리어 테이프 부재의 제조 방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 수지 프레임 부분은 상기 반도체 칩을 밀봉하는 수지와 같은 재료로 형성되는 것을 특징으로 하는 캐리어 테이프 부재의 제조 방법.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 수지 프레임 부분은, 상기 캐리어 테이프 부재의 반송동안에 상기 캐
    리어 테이프 부재의 형태를 일정하게 유지할 수 있도록 위치되는 것을 특징으로 하
    는 캐리어 테이프 부재의 제조 방법.
  11. 제 8 항에 있어서,
    상기 수지 프레임 부분은, 상기 캐리어 테이프 부재의 반송 동안에 상기 캐리어 테이프 부재를 보호할 수 있도록, 상기 수지 부분보다 더 두꺼운 것을 특징으로 하는 캐리어 테이프 부재의 제조 방법.
  12. 반도체 장치가 형상화된 캐리어 테이프 부재의 제조 방법에 있어서,
    반도체 칩이 상부에 탑재된 초기 캐리어 테이프를 준비하는 단계 ;
    상기 반도체 칩이 하방을 향한 상태에서, 상기 초기 캐리어 테이프롤 하부 다이 상에 세트하되, 상기 하부 다이는 상기 반도체 칩에 대응하는 제 1 위치에 공동을 갖고, 상기 초기 캐리어 테이프의 외주부에 대응하는 제 2 위치에 제 1 러너 그루브를 가지는 단계 ;
    상부 다이를 상기 초기 캐리어 테이프 상에 세트시키고, 상기 초기 캐리어 테이프를 상기 상부 다이 및 상기 하부 다이 사이에 샌드위치 시키는 단계로, 상기 상부 다이는 외주부에서 제 2 러너 그루브를 가지는 단계 ;
    공동 및 제 1 및 제 2 러너 그루브를 수지로 채우는 단계 ; 및
    상기 상부 다이 및 상기 하부 다이를 제거하여, 상기 반도체 칩을 수지로 밀봉하고, 제 1 및 제 2 러너 그루브에 대응하는 수지 프레임 부분을 상기 캐리어테이프의 양쪽 면의 외주부에 형성시키는 캐리어 테이프 부재를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 캐리어 테이프 부재의 제조 방법.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 수지 프레임 부분은 상기 반도체 칩을 밀봉하는 수지와 같은 재료로 형성되는 것을 특징으로 하는 캐리어 테이프 부재의 제조 방법.
  14. 제 12 항에 있어서,
    상기 수지 프레임 부분은, 상기 캐리어 테이프 부재의 반송동안에 상기 캐리어 테이프 요소의 모양을 일정하게 유지할 수 있도록 위치되는 것을 특징으로 하는 캐리어 테이프 부재의 제조 방법.
  15. 제 12 항에 있어서,
    상기 수지 프레임 부분은, 상기 캐리어 테이프 부재의 반송동안에 상기 캐리어 테이프 부재를 보호할 수 있도록, 상기 수지 부분보다 더 두꺼운 것을 특징으로 하는 캐리어 테이프 부재의 제조 방법.
  16. 캐리어 테이프, 상기 캐리어 테이프 상의 반도체 칩, 상기 반도체 칩 상에 덮혀진 수지 부분, 및 상기 수지 부분 주위의 수지 프레임 부분을 구비하는 반도체 장치 제조에 사용하기 위한 다이로서,
    상기 반도체 칩에 대응되며 리세스되어 공동이 형성된 중간 부분, 및
    상기 공동을 둘러싸며 리세스되어 러너 그루브가 형성된 외주부를 포함하는 것을 특징으로 하는 다이.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6734571B2 (en) 2001-01-23 2004-05-11 Micron Technology, Inc. Semiconductor assembly encapsulation mold
JP3791501B2 (ja) 2003-02-26 2006-06-28 セイコーエプソン株式会社 回路基板、半導体装置、半導体製造装置、回路基板の製造方法および半導体装置の製造方法
JP5911144B2 (ja) * 2010-07-02 2016-04-27 国立研究開発法人産業技術総合研究所 微小機械システム
JP6468455B1 (ja) * 2017-10-13 2019-02-13 第一精工株式会社 樹脂封止金型及び樹脂封止方法
DE102020201665A1 (de) * 2020-02-11 2021-08-12 Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung Mold-Vorrichtung

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0870082A (ja) * 1994-06-21 1996-03-12 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置およびその製造方法ならびにリードフレーム
KR19980032687A (ko) * 1996-10-09 1998-07-25 윌리엄비.켐플러 캐리어 테이프, 및 캐리어 테이프 제조 방법

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0870082A (ja) * 1994-06-21 1996-03-12 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置およびその製造方法ならびにリードフレーム
KR19980032687A (ko) * 1996-10-09 1998-07-25 윌리엄비.켐플러 캐리어 테이프, 및 캐리어 테이프 제조 방법

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