JPH04290237A - プラスチックｉｃパッケージの成形方法 - Google Patents
プラスチックｉｃパッケージの成形方法Info
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- JPH04290237A JPH04290237A JP33781791A JP33781791A JPH04290237A JP H04290237 A JPH04290237 A JP H04290237A JP 33781791 A JP33781791 A JP 33781791A JP 33781791 A JP33781791 A JP 33781791A JP H04290237 A JPH04290237 A JP H04290237A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/565—Moulds
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
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- B29C45/14655—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components connected to or mounted on a carrier, e.g. lead frame
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
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- H01L2224/4809—Loop shape
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- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49171—Fan-out arrangements
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置のパッケ
ージングに関し、特にＤＩＰ（デュアルインラインパッ
ケージ；ｄｕａｌ ｉｎ−ｌｉｎｅ ｐａｃｋａｇｅ）
、ＰＱＦＰ（プラスチッククォードフラットパック；ｐ
ｌａｓｔｉｃ ｑｕａｄ ｆｌａｔ ｐａｃｋ）および
ＰＬＣＣ（プラスチックリーデットチップキャリヤ；ｐ
ｌａｓｔｉｃ ｌｅａｄｅｄ ｃｈｉｐ ｃａｒｒｉｅ
ｒ ）などのタイプの半導体装置パッケージに関するも
のである。
ージングに関し、特にＤＩＰ（デュアルインラインパッ
ケージ；ｄｕａｌ ｉｎ−ｌｉｎｅ ｐａｃｋａｇｅ）
、ＰＱＦＰ（プラスチッククォードフラットパック；ｐ
ｌａｓｔｉｃ ｑｕａｄ ｆｌａｔ ｐａｃｋ）および
ＰＬＣＣ（プラスチックリーデットチップキャリヤ；ｐ
ｌａｓｔｉｃ ｌｅａｄｅｄ ｃｈｉｐ ｃａｒｒｉｅ
ｒ ）などのタイプの半導体装置パッケージに関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】現在のプラスチックパッケージング技術
は、半導体ダイの周囲にプラスチック“ボディ”を成形
することを含む。成形に先立ち、半導体ダイは、複数の
リードを有するリードフレームに取付けられる。この複
数のリードは、最終的には、半導体装置をプリント回路
板上の導電部の如き外部回路に接続するために、パッケ
ージから突出する。従来から、ＤＩＰ、ＰＱＦＰ、およ
びＰＬＣＣを含む種々のタイプのプラスチックパッケー
ジが知られている。
は、半導体ダイの周囲にプラスチック“ボディ”を成形
することを含む。成形に先立ち、半導体ダイは、複数の
リードを有するリードフレームに取付けられる。この複
数のリードは、最終的には、半導体装置をプリント回路
板上の導電部の如き外部回路に接続するために、パッケ
ージから突出する。従来から、ＤＩＰ、ＰＱＦＰ、およ
びＰＬＣＣを含む種々のタイプのプラスチックパッケー
ジが知られている。
【０００３】図１および図２に、従来の典型的なプラス
チックパッケージされた半導体装置１００を示す。半導
体ダイ（半導体チップ）１０２は、例えば多数のボンド
ワイヤ１０４によって、対応する数のリード１０６の内
側端部に接続される。半導体ダイをリードの内側端部に
接続する技術としては、そのほかの技術も知られている
。プラスチックボディ１０８は、種々の成形技術のうち
のいずれかによって、半導体ダイ１０２およびリード１
０６の内側端部を囲むように成形される。リード１０６
における、ボディ１０８の外部へ露出する外側部分は、
（鎖線Ｃで示す位置で）下方へ折曲げられ、さらに（鎖
線Ｄで示す位置において）外方へ折曲げられて、一般に
“ガルウィング”（かもめの翼）と称される形状になさ
れる。各リード１０６は、その幅（ｗ）が千分の６イン
チ（約０．２ｍｍ）のオーダーとされ、その隣り合うリ
ード１０６間の間隔（ｓ）は、典型的には、千分の１５
インチ（約０．５ｍｍ）のオーダーとされている。
チックパッケージされた半導体装置１００を示す。半導
体ダイ（半導体チップ）１０２は、例えば多数のボンド
ワイヤ１０４によって、対応する数のリード１０６の内
側端部に接続される。半導体ダイをリードの内側端部に
接続する技術としては、そのほかの技術も知られている
。プラスチックボディ１０８は、種々の成形技術のうち
のいずれかによって、半導体ダイ１０２およびリード１
０６の内側端部を囲むように成形される。リード１０６
における、ボディ１０８の外部へ露出する外側部分は、
（鎖線Ｃで示す位置で）下方へ折曲げられ、さらに（鎖
線Ｄで示す位置において）外方へ折曲げられて、一般に
“ガルウィング”（かもめの翼）と称される形状になさ
れる。各リード１０６は、その幅（ｗ）が千分の６イン
チ（約０．２ｍｍ）のオーダーとされ、その隣り合うリ
ード１０６間の間隔（ｓ）は、典型的には、千分の１５
インチ（約０．５ｍｍ）のオーダーとされている。
【０００４】図２には、多数のリード１０６を有するリ
ードフォーム（リードフレーム）１２０を示す。このリ
ードフレーム１２０は、千分の数インチ（すなわち０．
００４〜０．００６インチ）のオーダーの厚みを有する
導電箔から作られる。リード１０６の材料としては、典
型的には銅もしくは“４２合金”が用いられる。図示さ
れるように、リード１０６の外側端部は、リードフレー
ム１２０の外側角環状部分１２２に続いている。最終的
には、この外側角環状部分１２２から、完成した（パッ
ケージングされた）装置が鎖線Ａに示す位置で切取られ
る。図２における特別の注釈として、鎖線Ｂで示す位置
（ボディ１０８の外縁に最近接するかまたはその外縁位
置）において、隣り合うリード１０６間が“ダムバー”
１２４によってブリッジされていることがある。このダ
ムバー１２４は、リード１０６を形成する導電材料によ
って作られており、したがってその厚みもリード１０６
と同じである。ダムバー１２４は、各リードの内側端部
の整列状態を維持するに役立つが、このほか典型的には
箔によって作られるダイ取付けパッド（図示せず）が適
用されてこれも同じ役割を果たす。より重要なことは、
ダムバー１２４は、以下に議論するように、成形プロセ
スでは微妙な問題がある。（リード１０６は金型の上下
の型（貝殻状の半型）の間に挟まれて、その間に空隙を
作ることになるが、ダムバー１２４は上下の型の間から
リード１０６の間の部分において樹脂がボディ１０８の
外側へ飛び出ること（フラッシングすること）を防止す
る。半導体ダイがプラスチックボディにパッケージされ
た後には、ダムバー１２４は切取られ、リード１０６の
外側部分の間に残る樹脂の飛び出した部分は、“デジャ
ンキング”工程で除去される。）
ードフォーム（リードフレーム）１２０を示す。このリ
ードフレーム１２０は、千分の数インチ（すなわち０．
００４〜０．００６インチ）のオーダーの厚みを有する
導電箔から作られる。リード１０６の材料としては、典
型的には銅もしくは“４２合金”が用いられる。図示さ
れるように、リード１０６の外側端部は、リードフレー
ム１２０の外側角環状部分１２２に続いている。最終的
には、この外側角環状部分１２２から、完成した（パッ
ケージングされた）装置が鎖線Ａに示す位置で切取られ
る。図２における特別の注釈として、鎖線Ｂで示す位置
（ボディ１０８の外縁に最近接するかまたはその外縁位
置）において、隣り合うリード１０６間が“ダムバー”
１２４によってブリッジされていることがある。このダ
ムバー１２４は、リード１０６を形成する導電材料によ
って作られており、したがってその厚みもリード１０６
と同じである。ダムバー１２４は、各リードの内側端部
の整列状態を維持するに役立つが、このほか典型的には
箔によって作られるダイ取付けパッド（図示せず）が適
用されてこれも同じ役割を果たす。より重要なことは、
ダムバー１２４は、以下に議論するように、成形プロセ
スでは微妙な問題がある。（リード１０６は金型の上下
の型（貝殻状の半型）の間に挟まれて、その間に空隙を
作ることになるが、ダムバー１２４は上下の型の間から
リード１０６の間の部分において樹脂がボディ１０８の
外側へ飛び出ること（フラッシングすること）を防止す
る。半導体ダイがプラスチックボディにパッケージされ
た後には、ダムバー１２４は切取られ、リード１０６の
外側部分の間に残る樹脂の飛び出した部分は、“デジャ
ンキング”工程で除去される。）
【０００５】図３には、ロング、シュナイダーおよびパ
ティルの発明に係る１９８９年１２月１９日付出願の米
国特許出願Ｎｏ．４５４，７５２の「半導体装置アセン
ブリ用のヒートシンク」に開示されている、テープに搭
載した半導体装置アセンブリ１０を示す。この半導体装
置アセンブリ１０は、上部分割プラスチックフィルム層
１４（これは１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃ，１４Ｄの各セグ
メントからなる）と、下部プラスチックフィルム層１６
と、これら２つのプラスチックフィルム層１４，１６の
間に挟まれた金属製の複数のリード１８と、２つのプラ
スチックフィルム層１４，１６の間に支持された金属製
（好ましくは銅製）のダイ取付けパッド２０と、ダイ取
付けパッド２０に搭載された半導体装置（半導体ダイ；
半導体チップ）２２と、半導体ダイ２２をリード１８に
接続するボンドリード（ボンドワイヤ）２４とを含んで
いる。テープキャリヤ方式（テープ自動ボンディング方
式；ＴＡＢ方式）では、ボンドワイヤ２４を用いる代り
に、半導体ダイ２２からリード１８への導電路を形成す
るために導電バンプを用いても良い。
ティルの発明に係る１９８９年１２月１９日付出願の米
国特許出願Ｎｏ．４５４，７５２の「半導体装置アセン
ブリ用のヒートシンク」に開示されている、テープに搭
載した半導体装置アセンブリ１０を示す。この半導体装
置アセンブリ１０は、上部分割プラスチックフィルム層
１４（これは１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃ，１４Ｄの各セグ
メントからなる）と、下部プラスチックフィルム層１６
と、これら２つのプラスチックフィルム層１４，１６の
間に挟まれた金属製の複数のリード１８と、２つのプラ
スチックフィルム層１４，１６の間に支持された金属製
（好ましくは銅製）のダイ取付けパッド２０と、ダイ取
付けパッド２０に搭載された半導体装置（半導体ダイ；
半導体チップ）２２と、半導体ダイ２２をリード１８に
接続するボンドリード（ボンドワイヤ）２４とを含んで
いる。テープキャリヤ方式（テープ自動ボンディング方
式；ＴＡＢ方式）では、ボンドワイヤ２４を用いる代り
に、半導体ダイ２２からリード１８への導電路を形成す
るために導電バンプを用いても良い。
【０００６】上部プラスチックフィルム層１４は連続面
を形成しておらず、内側環状部分１４Ａと、その内側環
状部分の外側に配置された１またはそれ以上の中間環状
部分１４Ｂ，１４Ｃと、中間環状部分の外側に配置され
た外側環状部分１４Ｄとからなるように区分されている
。その上部プラスチックフィルム層１４は、カプトン（
ＫＡＰＴＯＮ）のようなプラスチックのテープで作られ
、リード１８に対する薄い絶縁支持構造を形成している
。内側環状部分１４Ａの内縁部は、ダイ取付けパッド２
０の外縁部を支持し、またその内側環状部分１４Ａの外
縁部はリード１８の最も内側の端部を支持しており、し
たがってこの内側環状部分１４Ａは、要はダイ取付けパ
ッド２０とリード１８との間にブリッジを形成している
。基材に対する硬化剤の配合割合が１０：１である、ダ
ウコーニングＱ１−４９３９のようなシリコンゲル２８
の層状体が、ボンドワイヤ２４を包んでいる。プラスチ
ック成形用組成物（後述する）によって作られたボディ
３０は、半導体ダイ２２を囲むように成形されており、
リード１８の外側部分がボディ３０の外側に残されてい
る。シリコンゲル２８は、半導体ダイ２２に成形用組成
物が接することを妨げるとともに、ボディ成形時におけ
るボンドワイヤ２４に対する応力緩和および水分遮蔽の
役割を果たす。シリコンゲル２８とボンドワイヤ２４と
の間の表面張力によって、半導体装置アセンブリの組立
時にシリコンゲルがボンドワイヤの周囲に保持される。 下部プラスチックフィルム層１６は、ダイ取付けパッド
２０の下面を覆うとともに、中間環状部分１４Ｃによっ
て画定される領域の全体にわたって、リード１８および
ダイ取付けパッド２０の位置する側に対し反対側の位置
で展開されている。この下部プラスチックフイルム層１
６は、カプトン（ＫＡＰＴＯＮ）のようなプラスッチク
テープ材によって作られている。
を形成しておらず、内側環状部分１４Ａと、その内側環
状部分の外側に配置された１またはそれ以上の中間環状
部分１４Ｂ，１４Ｃと、中間環状部分の外側に配置され
た外側環状部分１４Ｄとからなるように区分されている
。その上部プラスチックフィルム層１４は、カプトン（
ＫＡＰＴＯＮ）のようなプラスチックのテープで作られ
、リード１８に対する薄い絶縁支持構造を形成している
。内側環状部分１４Ａの内縁部は、ダイ取付けパッド２
０の外縁部を支持し、またその内側環状部分１４Ａの外
縁部はリード１８の最も内側の端部を支持しており、し
たがってこの内側環状部分１４Ａは、要はダイ取付けパ
ッド２０とリード１８との間にブリッジを形成している
。基材に対する硬化剤の配合割合が１０：１である、ダ
ウコーニングＱ１−４９３９のようなシリコンゲル２８
の層状体が、ボンドワイヤ２４を包んでいる。プラスチ
ック成形用組成物（後述する）によって作られたボディ
３０は、半導体ダイ２２を囲むように成形されており、
リード１８の外側部分がボディ３０の外側に残されてい
る。シリコンゲル２８は、半導体ダイ２２に成形用組成
物が接することを妨げるとともに、ボディ成形時におけ
るボンドワイヤ２４に対する応力緩和および水分遮蔽の
役割を果たす。シリコンゲル２８とボンドワイヤ２４と
の間の表面張力によって、半導体装置アセンブリの組立
時にシリコンゲルがボンドワイヤの周囲に保持される。 下部プラスチックフィルム層１６は、ダイ取付けパッド
２０の下面を覆うとともに、中間環状部分１４Ｃによっ
て画定される領域の全体にわたって、リード１８および
ダイ取付けパッド２０の位置する側に対し反対側の位置
で展開されている。この下部プラスチックフイルム層１
６は、カプトン（ＫＡＰＴＯＮ）のようなプラスッチク
テープ材によって作られている。
【０００７】半導体装置アセンブリの製造時においてそ
の半導体装置アセンブリの取扱いのため、“代用”リー
ドフレーム（エッジリング）１２が設けられており、こ
の代用リードフレーム１２は、電気メッキを容易にする
ため各リード１８の外側端部を短絡している。半導体ダ
イを囲むようにボディ３０を成形した後、半導体装置ア
センブリは代用リードフレーム１２および外側環状部分
１４Ｄから切離される。これらの代用リードフレーム１
２および外側環状部分１４Ｄは、半導体装置アセンブリ
１０の最終製品のいかなる部分をも構成しない。
の半導体装置アセンブリの取扱いのため、“代用”リー
ドフレーム（エッジリング）１２が設けられており、こ
の代用リードフレーム１２は、電気メッキを容易にする
ため各リード１８の外側端部を短絡している。半導体ダ
イを囲むようにボディ３０を成形した後、半導体装置ア
センブリは代用リードフレーム１２および外側環状部分
１４Ｄから切離される。これらの代用リードフレーム１
２および外側環状部分１４Ｄは、半導体装置アセンブリ
１０の最終製品のいかなる部分をも構成しない。
【０００８】図４、図５、および図６には、従来技術に
よるトランスファー成形装置の要部を示す。トランスフ
ァー成形は、高温の液体成形用組成物がリザーバーもし
くはポットから金型のキャビティ（後述する）に加圧注
入されるような加圧成形の自動化された一つの方式であ
る。
よるトランスファー成形装置の要部を示す。トランスフ
ァー成形は、高温の液体成形用組成物がリザーバーもし
くはポットから金型のキャビティ（後述する）に加圧注
入されるような加圧成形の自動化された一つの方式であ
る。
【０００９】成形用組成物は、典型的には、改良された
Ｂステージ組成物のような樹脂である。一般的な用途に
は、例えば木粉充填フェノール樹脂が優れた成形性と低
コストであることから、汎用されている。粉体や粒も、
自動予備成形によって容易にペレット状に成形し得る。 フェノール樹脂の主な欠点は、着色性に劣ることである
。着色性が主要な設計ファクターとなる場合には、メラ
ミン樹脂、ポリエステル樹脂、あるいはユリア樹脂が選
ばれることが多く、これらの樹脂はその色および濃淡の
選択の幅が広い。電子的なパッケージングの場合には、
エポキシ樹脂が好適である。
Ｂステージ組成物のような樹脂である。一般的な用途に
は、例えば木粉充填フェノール樹脂が優れた成形性と低
コストであることから、汎用されている。粉体や粒も、
自動予備成形によって容易にペレット状に成形し得る。 フェノール樹脂の主な欠点は、着色性に劣ることである
。着色性が主要な設計ファクターとなる場合には、メラ
ミン樹脂、ポリエステル樹脂、あるいはユリア樹脂が選
ばれることが多く、これらの樹脂はその色および濃淡の
選択の幅が広い。電子的なパッケージングの場合には、
エポキシ樹脂が好適である。
【００１０】金型２００は、２つの半割型、すなわち上
型２０２と下型２０４を有しており、これらの上型２０
２および下型２０４にはそれぞれ凹部２０６および２０
８（上側凹部２０６、下側凹部２０８）が形成されてい
る。これらの凹部２０６，２０８は、金型が閉じられた
状態で互いに対向して、最終的に成形されるボディ（す
なわち図１の符号１０８）の寸法、形状および表面を画
定するためのキャビティ２１０を形成する。図６に示す
ように、上型２０２および下型２０４は、リードフレー
ム（すなわち図２の符号１２２、または図３の代用フレ
ーム１２）の部分を挟み、これによって半導体ダイ（図
２の符号１０２）がキャビティ２１０内に収容される。
型２０２と下型２０４を有しており、これらの上型２０
２および下型２０４にはそれぞれ凹部２０６および２０
８（上側凹部２０６、下側凹部２０８）が形成されてい
る。これらの凹部２０６，２０８は、金型が閉じられた
状態で互いに対向して、最終的に成形されるボディ（す
なわち図１の符号１０８）の寸法、形状および表面を画
定するためのキャビティ２１０を形成する。図６に示す
ように、上型２０２および下型２０４は、リードフレー
ム（すなわち図２の符号１２２、または図３の代用フレ
ーム１２）の部分を挟み、これによって半導体ダイ（図
２の符号１０２）がキャビティ２１０内に収容される。
【００１１】金型の下型２０４には、典型的には、ポッ
ト２１５からの溶融した成形用組成物（液体成形用組成
物）を受けるための第１のランナー２１２が形成されて
いる。さらに金型の下型２０４には、第１のランナー２
１２からキャビティ２１０へ延びる１または２以上の第
２のランナー２１４が形成されている。第２のランナー
２１４とキャビティ２１０との境界部分には、ゲート２
１６が形成されている。このゲート２１６は、液体成形
用組成物が注入されるべきキャビティ２１０へ通じる小
さな開口部であり、ワイヤスイープを最小限にするため
、通常は半導体ダイおよび各ボンドワイヤの面よりも下
側において下型２０４にのみ（溝として）形成される。 典型的なゲート２１６の寸法は、（キャビティに続く部
分において）幅が６０〜１００ミル、（第２のランナー
からキャビティへの）深さが２０〜３０ミルである。最
終的な製品におけるプラスチックの不完全な充填および
空孔の発生を防止するため、各ゲート２１６に対し対称
な側にエアーベント（図示せず）が形成される。
ト２１５からの溶融した成形用組成物（液体成形用組成
物）を受けるための第１のランナー２１２が形成されて
いる。さらに金型の下型２０４には、第１のランナー２
１２からキャビティ２１０へ延びる１または２以上の第
２のランナー２１４が形成されている。第２のランナー
２１４とキャビティ２１０との境界部分には、ゲート２
１６が形成されている。このゲート２１６は、液体成形
用組成物が注入されるべきキャビティ２１０へ通じる小
さな開口部であり、ワイヤスイープを最小限にするため
、通常は半導体ダイおよび各ボンドワイヤの面よりも下
側において下型２０４にのみ（溝として）形成される。 典型的なゲート２１６の寸法は、（キャビティに続く部
分において）幅が６０〜１００ミル、（第２のランナー
からキャビティへの）深さが２０〜３０ミルである。最
終的な製品におけるプラスチックの不完全な充填および
空孔の発生を防止するため、各ゲート２１６に対し対称
な側にエアーベント（図示せず）が形成される。
【００１２】複数の金型を備えた（したがって複数のキ
ャビティを有する）成形機の場合、各キャビティに成形
用組成物が均一に分配されるようにランナーシステムの
レイアウトにバランスがとられる。この目的は、金型へ
の加圧注入口に最も近い位置でもまた第１のランナーに
沿う他の位置でも、各製品が同一特性となるように、成
形用組成物が各キャビティに均一な密度で充填されるよ
うにするためである。
ャビティを有する）成形機の場合、各キャビティに成形
用組成物が均一に分配されるようにランナーシステムの
レイアウトにバランスがとられる。この目的は、金型へ
の加圧注入口に最も近い位置でもまた第１のランナーに
沿う他の位置でも、各製品が同一特性となるように、成
形用組成物が各キャビティに均一な密度で充填されるよ
うにするためである。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】前述のような従来技術
では、下型への溶融した成形用組成物（プラスチック）
の流れ（注入加圧力）が、ダイ取付けパッド（すなわち
図３の符号２０）に歪をもたらすことが本発明者等によ
って見出された。ダイ取付けパッドが大きい場合、その
パッドは成形工程中に液体成形用組成物の加圧力によっ
て上方へ押し上げられ、ワイヤボンドを破壊させたり、
半導体ダイの位置を変えてしまう。その結果、廃棄すべ
き不合格品を発生して生産性を阻害することが多い。さ
らに、リードの数が増えれば増えるほど（したがってリ
ード間のピッチがより微細になればなるほど）、各リー
ドがそれに伴なって弱くなるから、前述の問題は一層顕
著となる。
では、下型への溶融した成形用組成物（プラスチック）
の流れ（注入加圧力）が、ダイ取付けパッド（すなわち
図３の符号２０）に歪をもたらすことが本発明者等によ
って見出された。ダイ取付けパッドが大きい場合、その
パッドは成形工程中に液体成形用組成物の加圧力によっ
て上方へ押し上げられ、ワイヤボンドを破壊させたり、
半導体ダイの位置を変えてしまう。その結果、廃棄すべ
き不合格品を発生して生産性を阻害することが多い。さ
らに、リードの数が増えれば増えるほど（したがってリ
ード間のピッチがより微細になればなるほど）、各リー
ドがそれに伴なって弱くなるから、前述の問題は一層顕
著となる。
【００１４】これらの問題は、特に半導体装置（半導体
ダイ）が“テープ自動ボンディング（ＴＡＢ；フィルム
キャリヤ）方式と称される方式でテープに搭載される場
合に明確となる。ＴＡＢ方式における支持構造（すなわ
ち図３の符号１４，１６，１８で表わされる部分）は、
対応するリードフレーム構造（すなわち図２の符号１２
２の部分）よりも弱いから、成形プロセスでの取扱いに
充分な注意が必要とされる。この問題を解決する方策と
して、テープ支持補助のために金型中に金属製の薄いイ
ンサート（図示せず）を配置する方法やテープの予め定
められた部分だけをクランプするように金型形状を変え
る（図示せず）方法が提案されている。これらのうち、
前者の方法では、成形サイクルに時間的な遅れが導入さ
れてしまう問題がある。後者の方法では、正確なテープ
の位置決めとオペレータの監視が必要とされる問題があ
る。その他の手段として、テープパック（ ＴａｐｅＰ
ａｃ；ナショナルセミコンダクターの商標）のような、
より強い特殊なテープを用いる方法がある。しかしなが
らテープパックのテープは、リードの数が少なく、その
ため使用が制限される。
ダイ）が“テープ自動ボンディング（ＴＡＢ；フィルム
キャリヤ）方式と称される方式でテープに搭載される場
合に明確となる。ＴＡＢ方式における支持構造（すなわ
ち図３の符号１４，１６，１８で表わされる部分）は、
対応するリードフレーム構造（すなわち図２の符号１２
２の部分）よりも弱いから、成形プロセスでの取扱いに
充分な注意が必要とされる。この問題を解決する方策と
して、テープ支持補助のために金型中に金属製の薄いイ
ンサート（図示せず）を配置する方法やテープの予め定
められた部分だけをクランプするように金型形状を変え
る（図示せず）方法が提案されている。これらのうち、
前者の方法では、成形サイクルに時間的な遅れが導入さ
れてしまう問題がある。後者の方法では、正確なテープ
の位置決めとオペレータの監視が必要とされる問題があ
る。その他の手段として、テープパック（ ＴａｐｅＰ
ａｃ；ナショナルセミコンダクターの商標）のような、
より強い特殊なテープを用いる方法がある。しかしなが
らテープパックのテープは、リードの数が少なく、その
ため使用が制限される。
【００１５】トランスファー成形における問題について
の詳細な議論は、ファンノストランド レインホール
ド（Ｖａｎ Ｎｏｓｔｒａｎｄ Ｒｅｉｎｈｏｌｄ ）
著、１９８８年発行の“マイクロエレクトロニクス
パッケージング ハンドブック”（Ｍｉｃｒｏｅｌｅ
ｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｐａｃｋａｇｉｎｇ Ｈａｎｄ Ｂ
ｏｏｋ）の５７８〜５９１頁を参照されたい。
の詳細な議論は、ファンノストランド レインホール
ド（Ｖａｎ Ｎｏｓｔｒａｎｄ Ｒｅｉｎｈｏｌｄ ）
著、１９８８年発行の“マイクロエレクトロニクス
パッケージング ハンドブック”（Ｍｉｃｒｏｅｌｅ
ｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｐａｃｋａｇｉｎｇ Ｈａｎｄ Ｂ
ｏｏｋ）の５７８〜５９１頁を参照されたい。
【００１６】この発明の目的は、ダイ取付けパッドが上
方へ押し上げられるような力を受けることを防止し、こ
れによって半導体ダイの位置ずれやボンドワイヤの歪お
よび／または破壊が生じないようにした、ＩＣパッケー
ジの成形方法を提供することにある。
方へ押し上げられるような力を受けることを防止し、こ
れによって半導体ダイの位置ずれやボンドワイヤの歪お
よび／または破壊が生じないようにした、ＩＣパッケー
ジの成形方法を提供することにある。
【００１７】さらにこの発明の目的は、不合格品を減少
させて生産性を向上させたＩＣパッケージの成形方法を
提供することにある。
させて生産性を向上させたＩＣパッケージの成形方法を
提供することにある。
【００１８】さらにこの発明の目的は、金属インサート
や、変形金型クランプ構造や、そのほか特殊なテープを
用いたりすることなく、テープ搭載半導体装置（ＴＡＢ
）について、パッケージボディを成形する技術を提供す
ることにある。
や、変形金型クランプ構造や、そのほか特殊なテープを
用いたりすることなく、テープ搭載半導体装置（ＴＡＢ
）について、パッケージボディを成形する技術を提供す
ることにある。
【００１９】さらにこの発明は、ダイ取付けパッドおよ
び／または半導体ダイに不均衡な力が加わることがない
ようにプラスチックＩＣパッケージの成形を行なう金型
を提供するにある。
び／または半導体ダイに不均衡な力が加わることがない
ようにプラスチックＩＣパッケージの成形を行なう金型
を提供するにある。
【００２０】さらにこの発明の目的は、上述のような方
法で作られたプラスチックＩＣパッケージを提供するこ
とにある。
法で作られたプラスチックＩＣパッケージを提供するこ
とにある。
【００２１】
【課題を解決するための手段】前述のような目的を達成
するため、この発明のプラスチックＩＣパッケージの成
形方法では、次のような構成を適用している。
するため、この発明のプラスチックＩＣパッケージの成
形方法では、次のような構成を適用している。
【００２２】すなわち請求項１の発明のプラスチックパ
ッケージの成形方法は、上側凹部を有する上型と下側凹
部を有する下型とからなる金型であって、かつその上側
凹部と下側凹部が、複数のリードを有するサブストレー
トの上に搭載された半導体ダイを囲んでボディを成形す
るためのキャビティを形成するようにした金型を用意し
ておき；かつ前記金型の下型には、リザーバからの液体
成形用組成物を受けるための下側ランナーを形成してお
き；さらに前記金型の下型に、サブストレートの下側に
おいて前記下側ランナーから前記キャビティへ液体成形
用組成物を導くための下側ゲートを形成しておき；また
前記金型の上型には、前記リザーバからの液体成形用組
成物を受けるための上側ランナーを形成しておき；さら
に前記金型の上型に、前記サブストレートの上側におい
て前記下側ランナーから前記キャビティへ液体成形用組
成物を導くための上側ゲートを形成しておき；前記サブ
ストレート上に搭載された半導体ダイを前記キャビティ
内に位置させ、かつ前記リードが上型および下型におけ
るランナーに隣接する外縁部分によって支持されるよう
に、前記金型を成形機にセットし；前記上側ランナーお
よび下側ランナーに液体成形用組成物を供給すること；
からなることを特徴とするものである。
ッケージの成形方法は、上側凹部を有する上型と下側凹
部を有する下型とからなる金型であって、かつその上側
凹部と下側凹部が、複数のリードを有するサブストレー
トの上に搭載された半導体ダイを囲んでボディを成形す
るためのキャビティを形成するようにした金型を用意し
ておき；かつ前記金型の下型には、リザーバからの液体
成形用組成物を受けるための下側ランナーを形成してお
き；さらに前記金型の下型に、サブストレートの下側に
おいて前記下側ランナーから前記キャビティへ液体成形
用組成物を導くための下側ゲートを形成しておき；また
前記金型の上型には、前記リザーバからの液体成形用組
成物を受けるための上側ランナーを形成しておき；さら
に前記金型の上型に、前記サブストレートの上側におい
て前記下側ランナーから前記キャビティへ液体成形用組
成物を導くための上側ゲートを形成しておき；前記サブ
ストレート上に搭載された半導体ダイを前記キャビティ
内に位置させ、かつ前記リードが上型および下型におけ
るランナーに隣接する外縁部分によって支持されるよう
に、前記金型を成形機にセットし；前記上側ランナーお
よび下側ランナーに液体成形用組成物を供給すること；
からなることを特徴とするものである。
【００２３】また請求項６の発明のプラスチックパッケ
ージの成形方法は、上側凹部を有する上型と下側凹部を
有する下型とからなる金型であって、かつその上側凹部
と下側凹部が、複数のリードを有するサブストレートの
上に搭載された半導体ダイを囲んでボディを成形するた
めのキャビティを形成するようにした金型を用意してお
き；かつ前記上型および下型のいずれか一方には、リザ
ーバからの液体成形用組成物を受けるためのランナーを
形成しておき；さらに前記下型には、前記サブストレー
トの下側において前記ランナーからキャビティへ液体成
形用組成物を導くための下側ゲートを形成しておき；ま
た前記上型には、前記サブストレートの上側において前
記ランナーからキャビティへ液体成形用組成物を導くた
めの上側ゲートを形成しておき；前記サブストレート上
に搭載された半導体ダイを前記キャビティ内に位置させ
、かつ前記リードが上型および下型におけるランナーに
隣接する外縁部分によって支持されるように、前記金型
を成形機にセットし；前記液体成形用組成物を前記ラン
ナーに供給すること；からなることを特徴とするもので
ある。
ージの成形方法は、上側凹部を有する上型と下側凹部を
有する下型とからなる金型であって、かつその上側凹部
と下側凹部が、複数のリードを有するサブストレートの
上に搭載された半導体ダイを囲んでボディを成形するた
めのキャビティを形成するようにした金型を用意してお
き；かつ前記上型および下型のいずれか一方には、リザ
ーバからの液体成形用組成物を受けるためのランナーを
形成しておき；さらに前記下型には、前記サブストレー
トの下側において前記ランナーからキャビティへ液体成
形用組成物を導くための下側ゲートを形成しておき；ま
た前記上型には、前記サブストレートの上側において前
記ランナーからキャビティへ液体成形用組成物を導くた
めの上側ゲートを形成しておき；前記サブストレート上
に搭載された半導体ダイを前記キャビティ内に位置させ
、かつ前記リードが上型および下型におけるランナーに
隣接する外縁部分によって支持されるように、前記金型
を成形機にセットし；前記液体成形用組成物を前記ラン
ナーに供給すること；からなることを特徴とするもので
ある。
【００２４】さらに請求項１１、請求項１２の発明では
、それぞれ請求項１、請求項６の成形方法によって成形
されたプラスチックＩＣパッケージを提供する。
、それぞれ請求項１、請求項６の成形方法によって成形
されたプラスチックＩＣパッケージを提供する。
【００２５】また請求項１３の発明のプラスチックＩＣ
パッケージの成形方法は、複数の金型を用いて同時に複
数のプラスチックＩＣパッケージを成形する方法につい
てのものであり、サブストレートに搭載された半導体装
置を収容するキャビティをそれぞれ有する複数の金型か
らなる複合金型を用意しておき；前記複合金型には第１
のランナーを形成しておき；前記各金型に、キャビティ
に連通する少なくとも１つのゲートをそれぞれ形成して
おき；さらに前記各金型に、前記少なくとも１つのゲー
トに連通しかつ第１のランナーに連通する第２のランナ
ーをそれぞれ形成しておき；前記第１のランナーに液体
成形用組成物を注入し、それによりキャビティに液体成
形用組成物を注入すること；を有してなり、液体成形用
組成物の注入による各サブストレートの上側における加
圧力と下側における加圧力とがバランスされるようにし
たものである。
パッケージの成形方法は、複数の金型を用いて同時に複
数のプラスチックＩＣパッケージを成形する方法につい
てのものであり、サブストレートに搭載された半導体装
置を収容するキャビティをそれぞれ有する複数の金型か
らなる複合金型を用意しておき；前記複合金型には第１
のランナーを形成しておき；前記各金型に、キャビティ
に連通する少なくとも１つのゲートをそれぞれ形成して
おき；さらに前記各金型に、前記少なくとも１つのゲー
トに連通しかつ第１のランナーに連通する第２のランナ
ーをそれぞれ形成しておき；前記第１のランナーに液体
成形用組成物を注入し、それによりキャビティに液体成
形用組成物を注入すること；を有してなり、液体成形用
組成物の注入による各サブストレートの上側における加
圧力と下側における加圧力とがバランスされるようにし
たものである。
【００２６】
【作用】この発明において、プラスチックでパッケージ
される半導体装置は、リードフレームあるいはテープキ
ャリヤのようなサブストレートに搭載された半導体ダイ
を有する。サブストレートは複数のリードを有しており
、半導体ダイはボンドワイヤーなどによってリードに接
続される。半導体ダイはダイ取付けパッドの上に取付け
られる。
される半導体装置は、リードフレームあるいはテープキ
ャリヤのようなサブストレートに搭載された半導体ダイ
を有する。サブストレートは複数のリードを有しており
、半導体ダイはボンドワイヤーなどによってリードに接
続される。半導体ダイはダイ取付けパッドの上に取付け
られる。
【００２７】プラスチックボディは半導体ダイと複数の
リードの内側部分を囲むように成形される。リードの外
側部分は、完成された半導体装置を他の回路に接続する
ために、ボディの外側へ延出する。
リードの内側部分を囲むように成形される。リードの外
側部分は、完成された半導体装置を他の回路に接続する
ために、ボディの外側へ延出する。
【００２８】半導体ダイは、サブストレートに搭載され
かつ接続された状態で、上型の凹部および下型の凹部に
よって形成されるキャビティ内に位置させて、成形機（
プレス機）内で成形される。上型および下型の少なくと
も一方にはリザーバー（またはポット）から液体成形用
組成物を受けるランナーが形成され、また上型と下型の
両者には、それぞれランナーからキャビティへ液体成形
用組成物を導く少くとも一つのゲートが形成されている
。
かつ接続された状態で、上型の凹部および下型の凹部に
よって形成されるキャビティ内に位置させて、成形機（
プレス機）内で成形される。上型および下型の少なくと
も一方にはリザーバー（またはポット）から液体成形用
組成物を受けるランナーが形成され、また上型と下型の
両者には、それぞれランナーからキャビティへ液体成形
用組成物を導く少くとも一つのゲートが形成されている
。
【００２９】複数の金型を有する複合金型の場合には、
第１のランナーが液体成形用組成物を受け、第２のラン
ナーが第１のランナーから各型のゲートに導く。
第１のランナーが液体成形用組成物を受け、第２のラン
ナーが第１のランナーから各型のゲートに導く。
【００３０】この発明の成形方法では、上型および下型
の両者にゲートが形成されているため、成形用組成物が
上型の凹部および下型の凹部に同時に注入されて、半導
体支持サブストレートの上側および下側に対して活用す
る成形用組成物の加圧力がバランスされる。
の両者にゲートが形成されているため、成形用組成物が
上型の凹部および下型の凹部に同時に注入されて、半導
体支持サブストレートの上側および下側に対して活用す
る成形用組成物の加圧力がバランスされる。
【００３１】これによって、完成したパッケージ半導体
装置の信頼性が増す。
装置の信頼性が増す。
【００３２】
【実施例】図１および図２には、従来技術によるプラス
チックパッケージされた半導体装置１００が示されるが
、これについては既に説明した。このようなパッケージ
を形成する技術、すなわちリードフレームに半導体ダイ
を搭載し、半導体ダイおよびリードの内側部分を囲むよ
うにプラスチックボディを成形し、リードフレームを切
離し、そして各リードの間の余分なプラスチックの突出
部分を“デジャンキング”（除去）する技術は良く知ら
れている。
チックパッケージされた半導体装置１００が示されるが
、これについては既に説明した。このようなパッケージ
を形成する技術、すなわちリードフレームに半導体ダイ
を搭載し、半導体ダイおよびリードの内側部分を囲むよ
うにプラスチックボディを成形し、リードフレームを切
離し、そして各リードの間の余分なプラスチックの突出
部分を“デジャンキング”（除去）する技術は良く知ら
れている。
【００３３】図３には、テープに搭載された半導体装置
についてのパッケージング技術が示されているが、これ
も既に説明した。
についてのパッケージング技術が示されているが、これ
も既に説明した。
【００３４】図４、図５、図６には、半導体金型で半導
体装置を囲むようにボディを成形するためのトランスフ
ァー成形工程について示しているが、これも既に説明し
た。
体装置を囲むようにボディを成形するためのトランスフ
ァー成形工程について示しているが、これも既に説明し
た。
【００３５】以下に述べるように、この発明の成形方法
では、上型および下型の両者に、これらの２つの型によ
って形成されるキャビティ内に液体成形用組成物を注入
するためのゲートがそれぞれ形成される。このようにす
ることによって、液体成形用組成物のキャビティ内への
注入によって引起される力は、半導体装置のダイを搭載
しているサブストレートの面の上側および下側に均等に
加えられる。
では、上型および下型の両者に、これらの２つの型によ
って形成されるキャビティ内に液体成形用組成物を注入
するためのゲートがそれぞれ形成される。このようにす
ることによって、液体成形用組成物のキャビティ内への
注入によって引起される力は、半導体装置のダイを搭載
しているサブストレートの面の上側および下側に均等に
加えられる。
【００３６】図７には、半導体ダイ２２を囲むボディを
成形するための金型３００を示す。半導体ダイ２２は、
テープキャリヤ（すなわち図３のプラスチックフィルム
層１４，１６）に搭載され、かつ、図３に示しているよ
うに、ボディ３９から延出するべきリード１８にボンド
ワイヤ２４によって接続されている。
成形するための金型３００を示す。半導体ダイ２２は、
テープキャリヤ（すなわち図３のプラスチックフィルム
層１４，１６）に搭載され、かつ、図３に示しているよ
うに、ボディ３９から延出するべきリード１８にボンド
ワイヤ２４によって接続されている。
【００３７】図７において、金型３００は上型３０２と
下型３０４とを有している。上型３０２には凹部（上側
凹部）３０６が形成され、下型３０４には凹部（下側凹
部）３０８が形成されている。これらの凹部３０６，３
０８は、互いに対向して、製品の成形ボディ（図３の符
号３０）の寸法、形状および表面を画定するようなキャ
ビティ３１０を形成している。
下型３０４とを有している。上型３０２には凹部（上側
凹部）３０６が形成され、下型３０４には凹部（下側凹
部）３０８が形成されている。これらの凹部３０６，３
０８は、互いに対向して、製品の成形ボディ（図３の符
号３０）の寸法、形状および表面を画定するようなキャ
ビティ３１０を形成している。
【００３８】サブストレートに搭載された半導体ダイ２
２は、上型３０２と下型３０４との間のパーティングラ
イン（型割り線）に沿ってキャビティ３１０内に配置さ
れる。上型３０２に第１のランナー３１２が形成されて
おり、これはポット（図４の符号２１５で示す）からの
加圧された液体成形用組成物を受ける。第２のランナー
３１４が、液体成形用組成物を、第１のランナー３１２
からゲート３１６を介し、サブストレート１８の上側に
おいてキャビティ３１０の上側凹部３０６に導く。
２は、上型３０２と下型３０４との間のパーティングラ
イン（型割り線）に沿ってキャビティ３１０内に配置さ
れる。上型３０２に第１のランナー３１２が形成されて
おり、これはポット（図４の符号２１５で示す）からの
加圧された液体成形用組成物を受ける。第２のランナー
３１４が、液体成形用組成物を、第１のランナー３１２
からゲート３１６を介し、サブストレート１８の上側に
おいてキャビティ３１０の上側凹部３０６に導く。
【００３９】同様に下型３０４に第１のランナー３２２
が形成されており、これはポット（図４の符号２１５で
示す）からの加圧された液体成形用組成物を受ける。第
２のランナー３２４が、液体成形用組成物を、第１のラ
ンナー３２２からゲート３２６を介し、サブストレート
１８の下側においてキャビティ３１０の下側凹部３０８
に導く。
が形成されており、これはポット（図４の符号２１５で
示す）からの加圧された液体成形用組成物を受ける。第
２のランナー３２４が、液体成形用組成物を、第１のラ
ンナー３２２からゲート３２６を介し、サブストレート
１８の下側においてキャビティ３１０の下側凹部３０８
に導く。
【００４０】実際上は、液体成形用組成物は、半導体ダ
イを搭載したサブストレートの上側および下側において
、上下のランナーおよび上下のゲートを介してキャビテ
ィ内へ同時に注入される。上型および下型には、それぞ
れ１またはそれ以上のゲートを形成することができ、ま
た最終製品における充填不良や空孔の発生を防止するた
め、各ゲートに対向する位置にエアーベント（図示せず
）が形成される。好ましくは、図示しているように、第
１のランナー３１２および３２２は、上型および下型の
同じ側に相対するように並んで形成されるが、場合によ
っては互いに相対させず、例えば上型、下型の反対側に
形成しても良い。
イを搭載したサブストレートの上側および下側において
、上下のランナーおよび上下のゲートを介してキャビテ
ィ内へ同時に注入される。上型および下型には、それぞ
れ１またはそれ以上のゲートを形成することができ、ま
た最終製品における充填不良や空孔の発生を防止するた
め、各ゲートに対向する位置にエアーベント（図示せず
）が形成される。好ましくは、図示しているように、第
１のランナー３１２および３２２は、上型および下型の
同じ側に相対するように並んで形成されるが、場合によ
っては互いに相対させず、例えば上型、下型の反対側に
形成しても良い。
【００４１】図８には、この発明の金型の他の例を示す
。図７について説明したと同様に、半導体ダイ２２は、
テープキャリヤ（すなわち図３におけるプラスチックフ
ィルム層１４および１６）に搭載され、ボディから延出
するべきリード１８にボンドワイヤ２４によって接続さ
れ、上型および下型の対向する凹部によって形成される
キャビティ内に収容される。このキャビティには半導体
装置を囲むようにボディを形成するための液体成形用組
成物が注入される。
。図７について説明したと同様に、半導体ダイ２２は、
テープキャリヤ（すなわち図３におけるプラスチックフ
ィルム層１４および１６）に搭載され、ボディから延出
するべきリード１８にボンドワイヤ２４によって接続さ
れ、上型および下型の対向する凹部によって形成される
キャビティ内に収容される。このキャビティには半導体
装置を囲むようにボディを形成するための液体成形用組
成物が注入される。
【００４２】図８において、金型４００は上型４０２と
下型４０４からなる。上型４０２には凹部（上側凹部）
４０６が形成され、下型４０４には凹部（下側凹部）４
０８が形成される。これらの凹部４０６，４０８は、互
いに対向してキャビティ４１０を形成する。このキャビ
ティ４１０は製品の成形ボディ（すなわち図３における
符号３０）の寸法、形状および表面を画定する。
下型４０４からなる。上型４０２には凹部（上側凹部）
４０６が形成され、下型４０４には凹部（下側凹部）４
０８が形成される。これらの凹部４０６，４０８は、互
いに対向してキャビティ４１０を形成する。このキャビ
ティ４１０は製品の成形ボディ（すなわち図３における
符号３０）の寸法、形状および表面を画定する。
【００４３】サブストレートに搭載された半導体ダイ２
２は、上型４０２および下型４０４の境界面で定義され
るパーティングライン（型割り線）に沿って、キャビテ
ィ４１０内に配置される。
２は、上型４０２および下型４０４の境界面で定義され
るパーティングライン（型割り線）に沿って、キャビテ
ィ４１０内に配置される。
【００４４】下型４０４には、第１のランナー４１２が
形成され、これはポット（図４において符号２１５で示
す）からの加圧された液体成形用組成物を受ける。下型
４０４の第２のランナー４１４は、リード１８を含むサ
ブストレートの下側において第１のランナー４１２から
ゲート４１６を介してキャビティ４１０へ液体成形用組
成物を導く。上型４０２の第２のランナー４１８は、下
型４０４の第２のランナー４１４に面しており、リード
１８を含むサブストレートの上側において液体成形用組
成物をゲート４２０を介してキャビティ４１０へ導く。
形成され、これはポット（図４において符号２１５で示
す）からの加圧された液体成形用組成物を受ける。下型
４０４の第２のランナー４１４は、リード１８を含むサ
ブストレートの下側において第１のランナー４１２から
ゲート４１６を介してキャビティ４１０へ液体成形用組
成物を導く。上型４０２の第２のランナー４１８は、下
型４０４の第２のランナー４１４に面しており、リード
１８を含むサブストレートの上側において液体成形用組
成物をゲート４２０を介してキャビティ４１０へ導く。
【００４５】実際上は、液体成形用組成物は、第１のラ
ンナー４１２、第２のランナー４１４，４１８、および
ゲート４１６，４２０を介し、半導体ダイを搭載したサ
ブストレート（符号１８で表わされる）の面の上側およ
び下側においてキャビティ４１０内に注入される。図で
は各型について１つのゲートしか示していないが、１ま
たはそれ以上のゲートを上型および下型の両者にそれぞ
れ形成しても良く、またキャビティへの充填不良や製品
における空孔の発生を防止するために、各ゲートの反対
側にエアーベント（図示せず）が設けられる。
ンナー４１２、第２のランナー４１４，４１８、および
ゲート４１６，４２０を介し、半導体ダイを搭載したサ
ブストレート（符号１８で表わされる）の面の上側およ
び下側においてキャビティ４１０内に注入される。図で
は各型について１つのゲートしか示していないが、１ま
たはそれ以上のゲートを上型および下型の両者にそれぞ
れ形成しても良く、またキャビティへの充填不良や製品
における空孔の発生を防止するために、各ゲートの反対
側にエアーベント（図示せず）が設けられる。
【００４６】
【発明の効果】この発明のプラスチックＩＣパッケージ
の成形方法によれば、サブストレートに支持された半導
体ダイおよびリードの内側端部を囲むプラスチックボデ
ィを成形するにあたって、金型の上型および下型の両者
にキャビティ内へ液体成形用組成物を導入するゲートが
設けられているため、サブストレートの上側（上型の凹
部）および下側（下型の凹部）へ同時に液体成形用組成
物が注入され、そのためサブストレートの上側および下
側に均等に液体成形用組成物の注入による加圧力が加わ
るから、サブストレートやダイ取付けパッドなとに不均
等な力が作用することが防止され、そのため半導体ダイ
の位置ずれが生じたり、ワイヤボンドに歪が生じたりあ
るいは破壊されたりすることを有効に防止できる。その
ため、製品の信頼性が増すとともに、不合格品の発生も
少なくなり、生産性も向上する。
の成形方法によれば、サブストレートに支持された半導
体ダイおよびリードの内側端部を囲むプラスチックボデ
ィを成形するにあたって、金型の上型および下型の両者
にキャビティ内へ液体成形用組成物を導入するゲートが
設けられているため、サブストレートの上側（上型の凹
部）および下側（下型の凹部）へ同時に液体成形用組成
物が注入され、そのためサブストレートの上側および下
側に均等に液体成形用組成物の注入による加圧力が加わ
るから、サブストレートやダイ取付けパッドなとに不均
等な力が作用することが防止され、そのため半導体ダイ
の位置ずれが生じたり、ワイヤボンドに歪が生じたりあ
るいは破壊されたりすることを有効に防止できる。その
ため、製品の信頼性が増すとともに、不合格品の発生も
少なくなり、生産性も向上する。
【図１】従来技術によりプラスチックパッケージされた
半導体装置の完成品の一例を示す斜視図である。
半導体装置の完成品の一例を示す斜視図である。
【図２】図１に示される半導体装置のリードフレーム部
分について、その製造過程の中間段階で示すための部分
省略平面図である。
分について、その製造過程の中間段階で示すための部分
省略平面図である。
【図３】従来技術によりプラスチックパッケージされた
テープ搭載方式（テープキャリヤ方式）の半導体装置の
一例の要部を、その製造過程の中間段階で示す縦断面図
である。
テープ搭載方式（テープキャリヤ方式）の半導体装置の
一例の要部を、その製造過程の中間段階で示す縦断面図
である。
【図４】従来技術によるトランスファー成形機における
金型の樹脂注入路を示す模式図である。
金型の樹脂注入路を示す模式図である。
【図５】図４に示される従来のトランスファー成形機の
金型の下型を示す図で、図４におけるＸ−Ｘ線の位置で
示す断面図である。
金型の下型を示す図で、図４におけるＸ−Ｘ線の位置で
示す断面図である。
【図６】図４に示される従来のトランスファー成形機の
金型を示す図で、金型のキャビティ内に半導体装置が収
容された状態を、図４におけるＹ−Ｙ線の位置で示す断
面図である。
金型を示す図で、金型のキャビティ内に半導体装置が収
容された状態を、図４におけるＹ−Ｙ線の位置で示す断
面図である。
【図７】この発明に従ってＩＣパッケージを成形するた
めの金型の一例を示す縦断面図である。
めの金型の一例を示す縦断面図である。
【図８】この発明に従ってＩＣパッケージを成形するた
めの金型の他の例を示す縦断面図である。
めの金型の他の例を示す縦断面図である。
１８ リード
２２ 半導体ダイ
３０ ボディ
３００ 金型
３０２ 上型
３０４ 下型
３０６ 凹部（上側凹部）
３０８ 凹部（下側凹部）
３１０ キャビティ
３１２ 第１のランナー
３１４ 第２のランナー
３１６ ゲート
３２２ 第１のランナー
３２４ ゲート
４００ 金型
４０２ 上型
４０４ 下型
４０６ 凹部（上側凹部）
４０８ 凹部（下側凹部）
４１０ キャビティ
４１２ 第１のランナー
４１４ 第２のランナー
４１６ ゲート
４１８ 第２のランナー
４２０ ゲート
Claims (13)
- 【請求項１】 上側凹部を有する上型と下側凹部を有
する下型とからなる金型であって、かつその上側凹部と
下側凹部が、複数のリードを有するサブストレートの上
に搭載された半導体ダイを囲んでボディを成形するため
のキャビティを形成するようにした金型を用意しておき
；かつ前記金型の下型には、リザーバからの液体成形用
組成物を受けるための下側ランナーを形成しておき；さ
らに前記金型の下型に、サブストレートの下側において
前記下側ランナーから前記キャビティへ液体成形用組成
物を導くための下側ゲートを形成しておき；また前記金
型の上型には、前記リザーバからの液体成形用組成物を
受けるための上側ランナーを形成しておき；さらに前記
金型の上型に、前記サブストレートの上側において前記
下側ランナーから前記キャビティへ液体成形用組成物を
導くための上側ゲートを形成しておき；前記サブストレ
ート上に搭載された半導体ダイを前記キャビティ内に位
置させ、かつ前記リードが上型および下型におけるラン
ナーに隣接する外縁部分によって支持されるように、前
記金型を成形機にセットし；前記上側ランナーおよび下
側ランナーに液体成形用組成物を供給すること；からな
ることを特徴とするプラスチックＩＣパッケージの成形
方法。 - 【請求項２】 前記成形用組成物がＢステージ樹脂か
らなる請求項１に記載のプラスチックＩＣパッケージの
成形方法。 - 【請求項３】 前記成形用組成物がエポキシ樹脂から
なる請求項１に記載のプラスチックＩＣパッケージの成
形方法。 - 【請求項４】 前記半導体ダイが、テープからなるサ
ブストレートに搭載されている請求項１に記載のプラス
チックＩＣパッケージの成形方法。 - 【請求項５】 前記半導体ダイが、リードフレームか
らなるサブストレートに搭載されている請求項１に記載
のプラスチックＩＣパッケージの成形方法。 - 【請求項６】 上側凹部を有する上型と下側凹部を有
する下型とからなる金型であって、かつその上側凹部と
下側凹部が、複数のリードを有するサブストレートの上
に搭載された半導体ダイを囲んでボディを成形するため
のキャビティを形成するようにした金型を用意しておき
；かつ前記上型および下型のいずれか一方には、リザー
バからの液体成形用組成物を受けるためのランナーを形
成しておき；さらに前記下型には、前記サブストレート
の下側において前記ランナーからキャビティへ液体成形
用組成物を導くための下側ゲートを形成しておき；また
前記上型には、前記サブストレートの上側において前記
ランナーからキャビティへ液体成形用組成物を導くため
の上側ゲートを形成しておき；前記サブストレート上に
搭載された半導体ダイを前記キャビティ内に位置させ、
かつ前記リードが上型および下型におけるランナーに隣
接する外縁部分によって支持されるように、前記金型を
成形機にセットし；前記液体成形用組成物を前記ランナ
ーに供給すること；からなることを特徴とするプラスチ
ックＩＣパッケージの成形方法。 - 【請求項７】 前記成形用組成物がＢステージ樹脂で
ある請求項６に記載のプラスチックＩＣパッケージの成
形方法。 - 【請求項８】 前記成形用組成物がエポキシ樹脂であ
る請求項６に記載のプラスチックＩＣパッケージの成形
方法。 - 【請求項９】 前記半導体ダイが、テープからなるサ
ブストレートに搭載されている請求項６に記載のプラス
チックＩＣパッケージの成形方法。 - 【請求項１０】 前記半導体ダイが、リードフレーム
からなるサブストレートに搭載されている請求項６に記
載のプラスチックＩＣパッケージの成形方法。 - 【請求項１１】 請求項１に記載の方法によって成形
されたプラスチックＩＣパッケージ。 - 【請求項１２】 請求項６に記載の方法によって成形
されたプラスチックＩＣパッケージ。 - 【請求項１３】 サブストレートに搭載された半導体
装置を収容するキャビティをそれぞれ有する複数の金型
からなる複合金型を用意しておき；前記複合金型には第
１のランナーを形成しておき；前記各金型に、キャビテ
ィに連通する少なくとも１つのゲートをそれぞれ形成し
ておき；さらに前記各金型に、前記少なくとも１つのゲ
ートに連通しかつ第１のランナーに連通する第２のラン
ナーをそれぞれ形成しておき；前記第１のランナーに液
体成形用組成物を注入し、それによりキャビティに液体
成形用組成物を注入すること；を有してなり、液体成形
用組成物の注入による各サブストレートの上側における
加圧力と下側における加圧力とがバランスされるように
した、プラスチックＩＣパッケージの成形方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US61910790A | 1990-11-27 | 1990-11-27 | |
| US07/619107 | 1990-11-27 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04290237A true JPH04290237A (ja) | 1992-10-14 |
Family
ID=24480484
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33781791A Withdrawn JPH04290237A (ja) | 1990-11-27 | 1991-11-27 | プラスチックｉｃパッケージの成形方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0489349A1 (ja) |
| JP (1) | JPH04290237A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5585600A (en) * | 1993-09-02 | 1996-12-17 | International Business Machines Corporation | Encapsulated semiconductor chip module and method of forming the same |
| US6656769B2 (en) | 2000-05-08 | 2003-12-02 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for distributing mold material in a mold for packaging microelectronic devices |
| US11444012B2 (en) | 2020-03-26 | 2022-09-13 | Texas Instruments Incorporated | Packaged electronic device with split die pad in robust package substrate |
-
1991
- 1991-11-27 EP EP91120303A patent/EP0489349A1/en not_active Withdrawn
- 1991-11-27 JP JP33781791A patent/JPH04290237A/ja not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0489349A1 (en) | 1992-06-10 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990204 |