JP3061121B2 - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体装置およびその製造方法Info
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 81
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 22
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 112
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 112
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 8
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 5
- 238000010276 construction Methods 0.000 claims 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 10
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 3
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 1
Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/565—Moulds
-
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、キャリアテープ
等、強度の弱い基板を用いた半導体装置の製造方法に関
する。
等、強度の弱い基板を用いた半導体装置の製造方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】チップサイズパケージ（ＣＰＳ）のよう
な、キャリアテープ基板を用いた半導体装置において
は、トランスファ方式で樹脂封入が行われる。この際、
従来では、次のようにしてトランスファー成形を行って
いる。
な、キャリアテープ基板を用いた半導体装置において
は、トランスファ方式で樹脂封入が行われる。この際、
従来では、次のようにしてトランスファー成形を行って
いる。
【０００３】図５に従来の半導体装置の製造方法を示
す。
す。
【０００４】まず、図５（ａ）に示すように、下金型１
にキャリアテープ４をセットする。キャリアテープ４の
厚さは、例えば、約５０ミクロンである。このキャリア
テープ４上にはチップ１０が搭載されている。
にキャリアテープ４をセットする。キャリアテープ４の
厚さは、例えば、約５０ミクロンである。このキャリア
テープ４上にはチップ１０が搭載されている。
【０００５】引き続いて、図５（ｂ）に示すように、そ
の上に封入樹脂でパケージ外形を形成する中金型２及び
上金型３をセットする。ここで、中金型２には半導体チ
ップ１０を覆うキャビティ７がある。また、上金型３
は、このキャビティ７とゲート５を介して連通するライ
ナ６を備えている。セット完了後、熱硬化性樹脂を加熱
し、粘度が低下した時点で樹脂を加圧する。
の上に封入樹脂でパケージ外形を形成する中金型２及び
上金型３をセットする。ここで、中金型２には半導体チ
ップ１０を覆うキャビティ７がある。また、上金型３
は、このキャビティ７とゲート５を介して連通するライ
ナ６を備えている。セット完了後、熱硬化性樹脂を加熱
し、粘度が低下した時点で樹脂を加圧する。
【０００６】図５（ｃ）に移って、樹脂８はランナ６か
らゲート５を通り、キャビティ７内へ充填される。樹脂
充填完了後、樹脂８の硬化特性に応じた樹脂キュアを行
う。ここで、参照符号１１で示すものはカルである。
らゲート５を通り、キャビティ７内へ充填される。樹脂
充填完了後、樹脂８の硬化特性に応じた樹脂キュアを行
う。ここで、参照符号１１で示すものはカルである。
【０００７】引き続いて、図５（ｄ）に示すように、上
金型３及び中金型２を取り外した際、中金型２に密着し
ている製品を治具９等を用いて取り外す。
金型３及び中金型２を取り外した際、中金型２に密着し
ている製品を治具９等を用いて取り外す。
【０００８】これにより、図５（ｅ）に示すように、キ
ャリアテープ４上の半導体チップ１０が樹脂８で封入さ
れた製品が作製される。これが成形の１サイクルであ
る。
ャリアテープ４上の半導体チップ１０が樹脂８で封入さ
れた製品が作製される。これが成形の１サイクルであ
る。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】この従来の樹脂封入完
了後の半導体の形態は、厚さの薄いキャリアテープ４を
用いているため強度が弱く、また、半導体チップ１０を
封入する樹脂８の重量により水平に保持する事が困難で
ある。この為、ハンドリング時の取り扱い時に細心の注
意を払わなければならず、又、ピンセット等を用いた場
合でも取り扱いミスにより製品落下やキズによる不良等
が発生する。
了後の半導体の形態は、厚さの薄いキャリアテープ４を
用いているため強度が弱く、また、半導体チップ１０を
封入する樹脂８の重量により水平に保持する事が困難で
ある。この為、ハンドリング時の取り扱い時に細心の注
意を払わなければならず、又、ピンセット等を用いた場
合でも取り扱いミスにより製品落下やキズによる不良等
が発生する。
【００１０】一方、ピンセット等を用いず、吸着又はク
ランプで自動搬送を行う場合においては、吸着面積不足
やバランスが不安定であると、樹脂／テープ界面で剥が
れが発生する。
ランプで自動搬送を行う場合においては、吸着面積不足
やバランスが不安定であると、樹脂／テープ界面で剥が
れが発生する。
【００１１】更に、製品クランプを行った場合、強度が
ないキャリアテープ１の形状を保持したまま搬送するこ
とは困難で、キャリアテープ変形やこれに伴う樹脂／テ
ープ界面の剥がれの要因となるという問題がある。
ないキャリアテープ１の形状を保持したまま搬送するこ
とは困難で、キャリアテープ変形やこれに伴う樹脂／テ
ープ界面の剥がれの要因となるという問題がある。
【００１２】したがって、本発明の課題は、製品保持性
を安定させることができる半導体装置およびその製造方
法を提供することにある。
を安定させることができる半導体装置およびその製造方
法を提供することにある。
【００１３】本発明の他の課題は、生産性に優れた半導
体装置およびその製造方法を提供することにある。
体装置およびその製造方法を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、キャリ
アテープの片面上に搭載された半導体チップを保護する
ために前記半導体チップを樹脂封入してなる半導体装置
において、前記キャリアテープの外周部に前記半導体チ
ップを覆う樹脂と一体である搬送用の樹脂フレームを設
けたことを特徴とする半導体装置が得られる。
アテープの片面上に搭載された半導体チップを保護する
ために前記半導体チップを樹脂封入してなる半導体装置
において、前記キャリアテープの外周部に前記半導体チ
ップを覆う樹脂と一体である搬送用の樹脂フレームを設
けたことを特徴とする半導体装置が得られる。
【００１５】また、本発明によれば、キャリアテープ上
に半導体チップを搭載した半導体装置を製造する方法に
おいて、前記半導体チップを保護する為に前記半導体チ
ップを樹脂封止する際、前記キャリアテープの外周部に
封止樹脂を用いて搬送用の樹脂フレームを同時に形成す
ることを特徴とする半導体装置の製造方法が得られる。
に半導体チップを搭載した半導体装置を製造する方法に
おいて、前記半導体チップを保護する為に前記半導体チ
ップを樹脂封止する際、前記キャリアテープの外周部に
封止樹脂を用いて搬送用の樹脂フレームを同時に形成す
ることを特徴とする半導体装置の製造方法が得られる。
【００１６】
【作用】製品外形保持を目的とした樹脂フレームを形成
するので、製品保持性が安定する。また、この樹脂フレ
ームを、樹脂封入時に半導体チップを樹脂封入した同じ
樹脂を用いて同時に形成することにより、フレーム形成
がパケージ部の樹脂封入と同時にできる事から生産性が
優れる。
するので、製品保持性が安定する。また、この樹脂フレ
ームを、樹脂封入時に半導体チップを樹脂封入した同じ
樹脂を用いて同時に形成することにより、フレーム形成
がパケージ部の樹脂封入と同時にできる事から生産性が
優れる。
【００１７】樹脂で形成されたフレームを用いる事で樹
脂封入後の製品外形強度が向上した事により、樹脂成形
から製品収納までを自動化できる。また、その時キャリ
アテープの変形が抑制されている事から、樹脂とキャリ
アテープとの界面の剥がれ等を防止する事が可能とな
る。
脂封入後の製品外形強度が向上した事により、樹脂成形
から製品収納までを自動化できる。また、その時キャリ
アテープの変形が抑制されている事から、樹脂とキャリ
アテープとの界面の剥がれ等を防止する事が可能とな
る。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。
て図面を参照して詳細に説明する。
【００１９】図１を参照して、本発明の第１の実施の形
態に係る半導体装置の製造方法について説明する。尚、
図１は後述する図２（ａ）のＩ−Ｉ線に沿った断面図で
ある。
態に係る半導体装置の製造方法について説明する。尚、
図１は後述する図２（ａ）のＩ−Ｉ線に沿った断面図で
ある。
【００２０】図１（ａ）を参照して、キャリアテープｄ
上には半導体チップｃ（図示の例では２個）が搭載され
ている。半導体チップｃが下側となる状態で、キャリア
テープｄが下金型ａ上に搭載される。下金型ａには、キ
ャリアテープｄの外周部付近に位置する部分に、後述す
る樹脂フレームｍを構築する為のランナ溝ｏが設けられ
ている。このランナ溝ｏからゲートｅ及びキャビティｉ
につながるサブランナｈが複数枝分かれしている。ま
た、下金型ａには半導体チップｃと対応する位置に形成
された複数個の貫通孔に複数本のノックアウトピンｆが
上下動可能に挿入されている。
上には半導体チップｃ（図示の例では２個）が搭載され
ている。半導体チップｃが下側となる状態で、キャリア
テープｄが下金型ａ上に搭載される。下金型ａには、キ
ャリアテープｄの外周部付近に位置する部分に、後述す
る樹脂フレームｍを構築する為のランナ溝ｏが設けられ
ている。このランナ溝ｏからゲートｅ及びキャビティｉ
につながるサブランナｈが複数枝分かれしている。ま
た、下金型ａには半導体チップｃと対応する位置に形成
された複数個の貫通孔に複数本のノックアウトピンｆが
上下動可能に挿入されている。
【００２１】図１（ｂ）に移って、上金型ｂによって、
半導体チップｃを搭載したキャリアテープｄを、下金型
ａとの間に挟み込む。
半導体チップｃを搭載したキャリアテープｄを、下金型
ａとの間に挟み込む。
【００２２】図１（ｃ）に移って、溶融状態の樹脂ｌを
プランジャｊで加圧する。すると、まず、ランナ溝ｏに
樹脂が注入され、ランナ溝ｏが樹脂で充填された後、サ
ブランナｈへ樹脂ｌが流動し始める。この後、樹脂ｌ
は、ゲートｅ、キャビティｉ内へと注入され、キャビテ
ィｉ内に樹脂ｌが充填されると樹脂ｌの注入が完了す
る。
プランジャｊで加圧する。すると、まず、ランナ溝ｏに
樹脂が注入され、ランナ溝ｏが樹脂で充填された後、サ
ブランナｈへ樹脂ｌが流動し始める。この後、樹脂ｌ
は、ゲートｅ、キャビティｉ内へと注入され、キャビテ
ィｉ内に樹脂ｌが充填されると樹脂ｌの注入が完了す
る。
【００２３】この場合、樹脂フレームｍがキャリアテー
プｄの外周部に構築されている為、従来のパッケージ部
のコーナ等に設けていたエアーベントでは、キャビティ
ｉ内の空気を排除する効率は低下する。この為に、本封
入金型では金型溝内の空気を脱気成形にて吸引する機構
（図示せず）を兼ね備えている。
プｄの外周部に構築されている為、従来のパッケージ部
のコーナ等に設けていたエアーベントでは、キャビティ
ｉ内の空気を排除する効率は低下する。この為に、本封
入金型では金型溝内の空気を脱気成形にて吸引する機構
（図示せず）を兼ね備えている。
【００２４】図１（ｄ）に移って、樹脂充填完了後は、
樹脂硬化特性に応じた成形時間を経過させてから封入金
型の型開きを行う。まず、上金型ｄを離す。パッケージ
部及び樹脂フレームｍ部の下金型ａとの離型は、製品全
体の反り及び変形低減の為に、まず、パッケージ部と樹
脂フレームｍ部又はカルｐ部を吸着ヘッドｋで複数押さ
えた後に、金型側ノックアウトピンｆでパッケージ部と
樹脂フレームｍ部を下金型ａから均等量離型させる。こ
れにより成形１サイクルが完了する。
樹脂硬化特性に応じた成形時間を経過させてから封入金
型の型開きを行う。まず、上金型ｄを離す。パッケージ
部及び樹脂フレームｍ部の下金型ａとの離型は、製品全
体の反り及び変形低減の為に、まず、パッケージ部と樹
脂フレームｍ部又はカルｐ部を吸着ヘッドｋで複数押さ
えた後に、金型側ノックアウトピンｆでパッケージ部と
樹脂フレームｍ部を下金型ａから均等量離型させる。こ
れにより成形１サイクルが完了する。
【００２５】図１（ｅ）に移って、成形１サイクルが完
了した製品は、前記製品押さえ部である吸着ヘッドｋ又
は樹脂フレームｍをクランプし、カルｐの分離を行う。
了した製品は、前記製品押さえ部である吸着ヘッドｋ又
は樹脂フレームｍをクランプし、カルｐの分離を行う。
【００２６】図１（ｆ）に移って、その後、収納側へ搬
送する。
送する。
【００２７】封入樹脂は樹脂フレームｍ部と半導体装置
部を各々異なった樹脂を用いる事も可能である。しか
し、同一の樹脂を用いた方が生産性には有利である。但
し、樹脂コストが高くなる場合は、樹脂フレームｍ部に
低コストの樹脂を用いた方が良い場合もある。
部を各々異なった樹脂を用いる事も可能である。しか
し、同一の樹脂を用いた方が生産性には有利である。但
し、樹脂コストが高くなる場合は、樹脂フレームｍ部に
低コストの樹脂を用いた方が良い場合もある。
【００２８】図２に図１の製造方法により製造された半
導体装置を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図であ
る。図２（ｂ）に示すように、ランナ溝ｏすなわち樹脂
フレームｍの深さβは半導体チップｃを覆う樹脂厚αよ
り深く設けている。これは樹脂封入後の製品搬送時の製
品保護を目的としている。
導体装置を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図であ
る。図２（ｂ）に示すように、ランナ溝ｏすなわち樹脂
フレームｍの深さβは半導体チップｃを覆う樹脂厚αよ
り深く設けている。これは樹脂封入後の製品搬送時の製
品保護を目的としている。
【００２９】図３を参照して、本発明の第２の実施の形
態に係る半導体装置の製造方法について説明する。尚、
図３は後述する図４（ａ）のIII −III 線に沿った断面
図である。上述した第１の実施の形態との主な相違点
は、上金型ｂにもランナ溝ｏを形成したことである。
態に係る半導体装置の製造方法について説明する。尚、
図３は後述する図４（ａ）のIII −III 線に沿った断面
図である。上述した第１の実施の形態との主な相違点
は、上金型ｂにもランナ溝ｏを形成したことである。
【００３０】図３（ａ）を参照して、キャリアテープｄ
上には半導体チップｃ（図示の例では２個）が搭載され
ている。半導体チップｃが下側となる状態で、キャリア
テープｄが下金型ａに搭載される。下金型ａには、キャ
リアテープｄの外周部付近に位置する部分に、後述する
樹脂フレームｎを構築する為のランナ溝ｏが設けられて
いる。このランナ溝ｏからゲートｅ及びキャビティｉに
つながるサブランナｈが複数枝分かれしている。また、
下金型ａには半導体チップｃと対応する位置に形成され
た複数個の貫通孔に複数本のノックアウトピンｆが上下
動可能に挿入されている。
上には半導体チップｃ（図示の例では２個）が搭載され
ている。半導体チップｃが下側となる状態で、キャリア
テープｄが下金型ａに搭載される。下金型ａには、キャ
リアテープｄの外周部付近に位置する部分に、後述する
樹脂フレームｎを構築する為のランナ溝ｏが設けられて
いる。このランナ溝ｏからゲートｅ及びキャビティｉに
つながるサブランナｈが複数枝分かれしている。また、
下金型ａには半導体チップｃと対応する位置に形成され
た複数個の貫通孔に複数本のノックアウトピンｆが上下
動可能に挿入されている。
【００３１】図３（ｂ）に移って、上金型ｂによって、
半導体チップｃを搭載したキャリアテープｄを、下金型
ａとの間に挟み込む。この上金型ｂにも、樹脂フレーム
ｎを構築する為のランナ溝ｏが設けられている。すなわ
ち、ランナ溝ｏはキャリアテープｄの表裏各々からキャ
リアテープｄを挟み込む様に設けられている。また、上
金型ｂにはランナ溝ｏと対応する位置に形成された複数
個の貫通孔に複数本のイジェクタピンｇが上下動可能に
設けられている。
半導体チップｃを搭載したキャリアテープｄを、下金型
ａとの間に挟み込む。この上金型ｂにも、樹脂フレーム
ｎを構築する為のランナ溝ｏが設けられている。すなわ
ち、ランナ溝ｏはキャリアテープｄの表裏各々からキャ
リアテープｄを挟み込む様に設けられている。また、上
金型ｂにはランナ溝ｏと対応する位置に形成された複数
個の貫通孔に複数本のイジェクタピンｇが上下動可能に
設けられている。
【００３２】図３（ｃ）に移って、溶融状態の樹脂ｌを
プランジャｊで加圧する。すると、まず、ランナ溝ｏに
樹脂が注入され、ランナ溝ｏが樹脂で充填された後、サ
ブランナｈへ樹脂ｌが流動し始める。この後、樹脂ｌ
は、ゲートｅ、キャビティｉ内へと注入され、キャビテ
ィｉ内に樹脂ｌが充填されると樹脂ｌの注入が完了す
る。
プランジャｊで加圧する。すると、まず、ランナ溝ｏに
樹脂が注入され、ランナ溝ｏが樹脂で充填された後、サ
ブランナｈへ樹脂ｌが流動し始める。この後、樹脂ｌ
は、ゲートｅ、キャビティｉ内へと注入され、キャビテ
ィｉ内に樹脂ｌが充填されると樹脂ｌの注入が完了す
る。
【００３３】この場合、樹脂フレームｎがキャリアテー
プｄの外周部に構築されている為、従来のパッケージ部
のコーナ等に設けていたエアーベントでは、キャビティ
ｉ内の空気を排除する効率は低下する。この為に、本封
入金型では金型溝内の空気を脱気成形にて吸引する機構
（図示せず）を兼ね備えている。
プｄの外周部に構築されている為、従来のパッケージ部
のコーナ等に設けていたエアーベントでは、キャビティ
ｉ内の空気を排除する効率は低下する。この為に、本封
入金型では金型溝内の空気を脱気成形にて吸引する機構
（図示せず）を兼ね備えている。
【００３４】図３（ｄ）に移って、樹脂充填完了後は、
樹脂硬化特性に応じた成形時間を経過させてから封入金
型の型開きを行う。まず、イジェクタピンｇを用いて上
金型ｄを離す。パッケージ部及び樹脂フレームｎ部の下
金型ａとの離型は、製品全体の反り及び変形低減の為
に、まず、パッケージ部と樹脂フレームｎ部又はカルｐ
部を吸着ヘッドｋで複数押さえた後に、金型側ノックア
ウトピンｆでパッケージ部と樹脂フレームｎ部を下金型
ａから均等量離型させる。これにより成形１サイクルが
完了する。
樹脂硬化特性に応じた成形時間を経過させてから封入金
型の型開きを行う。まず、イジェクタピンｇを用いて上
金型ｄを離す。パッケージ部及び樹脂フレームｎ部の下
金型ａとの離型は、製品全体の反り及び変形低減の為
に、まず、パッケージ部と樹脂フレームｎ部又はカルｐ
部を吸着ヘッドｋで複数押さえた後に、金型側ノックア
ウトピンｆでパッケージ部と樹脂フレームｎ部を下金型
ａから均等量離型させる。これにより成形１サイクルが
完了する。
【００３５】図３（ｅ）に移って、成形１サイクルが完
了した製品は、前記製品押さえ部である吸着ヘッドｋ又
は樹脂フレームｎをクランプし、カルｐの分離を行う。
了した製品は、前記製品押さえ部である吸着ヘッドｋ又
は樹脂フレームｎをクランプし、カルｐの分離を行う。
【００３６】図３（ｆ）に移って、その後、収納側へ搬
送する。
送する。
【００３７】封入樹脂は樹脂フレームｎ部と半導体装置
部を各々異なった樹脂を用いる事も可能である。しか
し、同一の樹脂を用いた方が生産性には有利である。但
し、樹脂コストが高くなる場合は、樹脂フレームｍ部に
低コストの樹脂を用いた方が良い場合もある。
部を各々異なった樹脂を用いる事も可能である。しか
し、同一の樹脂を用いた方が生産性には有利である。但
し、樹脂コストが高くなる場合は、樹脂フレームｍ部に
低コストの樹脂を用いた方が良い場合もある。
【００３８】図４に図３の製造方法により製造された半
導体装置を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図であ
る。図４（ｂ）に示すように、ランナ溝ｏすなわち樹脂
フレームｎの半導体チップｃ搭載側の深さβ´は半導体
チップｃを覆う樹脂厚αより深く設けている。これは樹
脂封入後の製品搬送時の製品保護を目的としている。ま
た、樹脂フレームｎの半導体チップｃ非搭載側の深さ
β”は樹脂フレームの反り低減の為に設けられてもので
あって、樹脂特性によって変動するものとする。
導体装置を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図であ
る。図４（ｂ）に示すように、ランナ溝ｏすなわち樹脂
フレームｎの半導体チップｃ搭載側の深さβ´は半導体
チップｃを覆う樹脂厚αより深く設けている。これは樹
脂封入後の製品搬送時の製品保護を目的としている。ま
た、樹脂フレームｎの半導体チップｃ非搭載側の深さ
β”は樹脂フレームの反り低減の為に設けられてもので
あって、樹脂特性によって変動するものとする。
【００３９】本発明は上述した実施の形態に限定せず、
本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で種々の変更・変形が
可能である。
本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で種々の変更・変形が
可能である。
【００４０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
キャリアテープ上に搭載された半導体チップを保護する
ために半導体チップを樹脂封入してなる半導体装置にお
いて、キャリアテープの外周部に半導体チップを覆う樹
脂と一体である搬送用の樹脂フレームを形成しているの
で、製品の強度が向上するという利点がある。また、こ
の樹脂フレームを樹脂封入時にパッケージ部と同じ樹脂
で同時に設けることによって、生産性が向上するという
利点もある。この為、テープ変形等による樹脂とテープ
界面の剥がれが低減し、又樹脂封入後の搬送性が向上す
る事で、歩留まりや生産性が向上する。また、樹脂フレ
ームの厚さを半導体チップを覆う厚さより厚くすること
により、樹脂封入後の製品搬送時に製品を保護すること
ができる。さらに、半導体チップの搭載側ばかりでなく
非搭載側にも樹脂フレームを設けることにより、樹脂フ
レームの反りを低減できる。
キャリアテープ上に搭載された半導体チップを保護する
ために半導体チップを樹脂封入してなる半導体装置にお
いて、キャリアテープの外周部に半導体チップを覆う樹
脂と一体である搬送用の樹脂フレームを形成しているの
で、製品の強度が向上するという利点がある。また、こ
の樹脂フレームを樹脂封入時にパッケージ部と同じ樹脂
で同時に設けることによって、生産性が向上するという
利点もある。この為、テープ変形等による樹脂とテープ
界面の剥がれが低減し、又樹脂封入後の搬送性が向上す
る事で、歩留まりや生産性が向上する。また、樹脂フレ
ームの厚さを半導体チップを覆う厚さより厚くすること
により、樹脂封入後の製品搬送時に製品を保護すること
ができる。さらに、半導体チップの搭載側ばかりでなく
非搭載側にも樹脂フレームを設けることにより、樹脂フ
レームの反りを低減できる。
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の
製造工程を示す断面図である。
製造工程を示す断面図である。
【図２】図１の製造方法により製造された半導体装置を
示す図である。
示す図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の
製造工程を示す断面図である。
製造工程を示す断面図である。
【図４】図３の製造方法により製造された半導体装置を
示す図である。
示す図である。
【図５】従来の半導体装置の製造工程を示す図である。
ａ 下金型 ｂ 上金型 ｃ 半導体チップ ｄ キャリアテープ ｅ ゲート ｆ ノックアウトピン ｇ イジェクタピン ｈ サブランナ ｉ キャビティ ｊ プランジャ ｋ 吸着ヘッド ｌ 樹脂 ｍ 樹脂フレーム（片面） ｎ 樹脂フレーム（両面） ｏ ランナ溝 ｐ カル α 樹脂厚 β，β´，β” 樹脂フレーム厚
Claims (10)
- 【請求項１】 キャリアテープの片面上に搭載された半
導体チップを保護するために前記半導体チップを樹脂封
入してなる半導体装置において、 前記キャリアテープの外周部に前記半導体チップを覆う
樹脂と一体である搬送用の樹脂フレームを設けたことを
特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 前記半導体チップが複数個ある、請求項
１に記載の半導体装置。 - 【請求項３】 前記樹脂フレームが、前記半導体チップ
が搭載された側の片面にのみ設けられている、請求項１
又は２に記載の半導体装置。 - 【請求項４】 前記樹脂フレームが、前記半導体チップ
が搭載された側および搭載されていない側の両側に設け
られている、請求項１又は２に記載の半導体装置。 - 【請求項５】 前記樹脂フレームの厚さが前記半導体チ
ップを覆う樹脂の厚さよりも厚いことを特徴とする、請
求項１又は２に記載の半導体装置。 - 【請求項６】 キャリアテープ上に半導体チップを搭載
した半導体装置を製造する方法において、 前記半導体チップを保護する為に前記半導体チップを樹
脂封止する際、前記キャリアテープの外周部に封止樹脂
を用いて搬送用の樹脂フレームを同時に形成することを
特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項７】 前記半導体チップが複数個ある、請求項
６に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項８】 前記封止樹脂を用いて、前記半導体チッ
プを覆う樹脂と一体である前記搬送用の樹脂フレーム
を、前記半導体チップを覆う樹脂と一括に形成すること
を特徴とする、請求項６又は７に記載の半導体装置の製
造方法。 - 【請求項９】 前記封止樹脂を、前記キャリアテープ周
辺部のランナ溝からサブランナおよびゲートを介して前
記半導体チップ搭載部のキャビティに流し込むことを特
徴とする、請求項８に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項１０】 前記樹脂フレームの厚さが前記半導体
チップを覆う樹脂の厚さよりも厚いことを特徴とする、
請求項６乃至９のいずれか１つに記載の半導体装置の製
造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9239945A JP3061121B2 (ja) | 1997-09-04 | 1997-09-04 | 半導体装置およびその製造方法 |
| KR1019980036059A KR100304680B1 (ko) | 1997-09-04 | 1998-09-02 | 반도체장치및그제조방법 |
| TW087114793A TW388972B (en) | 1997-09-04 | 1998-09-03 | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| CN98118597A CN1211071A (zh) | 1997-09-04 | 1998-09-03 | 半导体器件及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9239945A JP3061121B2 (ja) | 1997-09-04 | 1997-09-04 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1187433A JPH1187433A (ja) | 1999-03-30 |
| JP3061121B2 true JP3061121B2 (ja) | 2000-07-10 |
Family
ID=17052168
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9239945A Expired - Lifetime JP3061121B2 (ja) | 1997-09-04 | 1997-09-04 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3061121B2 (ja) |
| KR (1) | KR100304680B1 (ja) |
| CN (1) | CN1211071A (ja) |
| TW (1) | TW388972B (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6734571B2 (en) | 2001-01-23 | 2004-05-11 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor assembly encapsulation mold |
| JP3791501B2 (ja) | 2003-02-26 | 2006-06-28 | セイコーエプソン株式会社 | 回路基板、半導体装置、半導体製造装置、回路基板の製造方法および半導体装置の製造方法 |
| WO2012002446A1 (ja) * | 2010-07-02 | 2012-01-05 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 微小機械システム |
| JP6468455B1 (ja) * | 2017-10-13 | 2019-02-13 | 第一精工株式会社 | 樹脂封止金型及び樹脂封止方法 |
| DE102020201665A1 (de) * | 2020-02-11 | 2021-08-12 | Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Mold-Vorrichtung |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0870082A (ja) * | 1994-06-21 | 1996-03-12 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置およびその製造方法ならびにリードフレーム |
| JPH10116861A (ja) * | 1996-10-09 | 1998-05-06 | Texas Instr Japan Ltd | キャリアテープ、及びキャリアテープ製造方法 |
-
1997
- 1997-09-04 JP JP9239945A patent/JP3061121B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-09-02 KR KR1019980036059A patent/KR100304680B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1998-09-03 TW TW087114793A patent/TW388972B/zh not_active IP Right Cessation
- 1998-09-03 CN CN98118597A patent/CN1211071A/zh active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW388972B (en) | 2000-05-01 |
| KR100304680B1 (ko) | 2001-11-02 |
| KR19990029447A (ko) | 1999-04-26 |
| JPH1187433A (ja) | 1999-03-30 |
| CN1211071A (zh) | 1999-03-17 |
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