JP2954148B1 - 樹脂封止型半導体装置の製造方法およびその製造装置 - Google Patents

Abstract

【要約】 【課題】 樹脂封止型半導体装置の製造工程において、
封止テープを装着しながら樹脂封止を行なうに際し、封
止テープのシワの発生を抑制する。 【解決手段】 封止金型は上金型１１２ａと下金型１１
２ｂとからなり、下金型１１２ｂには、４つの真空引き
穴１１３及び各真空引き穴１１３間を連通させる真空引
き溝１１４が設けられている。下金型１１２ｂの上に封
止テープ１０６を載置し、その上に半導体チップ１０２
が搭載されたリードフレームを載置する。下金型１１２
ｂに形成された４ケ所の真空引き穴１１３を介して封止
テープ１０６を金型内で４方向に真空引きし、均一に延
ばして樹脂封止する。封止テープに張力を付与しながら
樹脂封止することにより、樹脂封止時の熱収縮による封
止テープのシワ発生を防止することができ、樹脂の裏面
が平坦になる。クランパや、凸部−凹部間の係合を利用
して封止テープに張力を付与してもよい。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体チップ及び
リードフレームを封止樹脂で封止した樹脂封止型半導体
装置の製造方法及びその製造装置に関するものであり、
特にその一部を封止樹脂から露出させるようにしたもの
の改良に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、電子機器の小型化に対応するため
に、電子機器に搭載される半導体部品を高密度に実装す
ることが要求され、それにともなって、半導体部品の小
型、薄型化が進んでいる。

【０００３】以下、従来の樹脂封止型半導体装置につい
て説明する。

【０００４】図３４（ａ）は、従来の樹脂封止型半導体
装置の平面図であり、図３４（ｂ）は、従来の樹脂封止
型半導体装置の断面図である。

【０００５】図３４（ａ），（ｂ）に示すように、従来
の樹脂封止型半導体装置は、裏面側に外部電極を有する
タイプの樹脂封止型半導体装置である。

【０００６】従来の樹脂封止型半導体装置は、インナー
リード２０１と、ダイパッド２０２と、そのダイパッド
２０２を支持する吊りリード２０３とよりなるリードフ
レームとを備えている。そして、ダイパッド２０２上に
半導体チップ２０４が接着剤により接合されており、半
導体チップ２０４の電極パッド（図示せず）とインナー
リード２０１とは、金属細線２０５により電気的に接続
されている。そして、ダイパッド２０２，半導体チップ
２０４，インナーリード２０１，吊りリード２０３及び
金属細線２０５は封止樹脂６により封止されている。こ
の構造では、インナーリード２０１の裏面側には封止樹
脂２０６は存在せず、インナーリード２０１の裏面側は
露出されており、この露出面を含むインナーリード２０
１の下部が外部電極２０７となっている。

【０００７】なお、図３４（ａ）は、封止樹脂２０６を
透明体として扱い、半導体装置の内部を透過して示して
いるが、図中、半導体チップ２０４は破線で示し、金属
細線２０５は図示を省略している。

【０００８】また、従来においては、プリント基板等の
実装基板に樹脂封止型半導体装置を実装する場合に、外
部電極と実装基板の電極との接合において必要な封止樹
脂２０６の裏面からのスタンドオフ高さを確保するため
に、図３５に示すように、外部電極２０７に対して、半
田からなるボール電極２０９を設け、ボール電極２０９
によりスタンドオフ高さを確保して、実装基板上に実装
していた。

【０００９】次に、従来の樹脂封止型半導体装置の製造
方法について、図面を参照しながら説明する。図３６〜
図３９は、従来の樹脂封止型半導体装置の製造工程を示
す断面図である。

【００１０】まず、図３６に示すように、インナーリー
ド２０１、ダイパッド２０２を有するリードフレーム２
１０を用意する。なお、図中、ダイパッド２０２は吊り
リードによって支持されているものであるが、吊りリー
ドの図示は省略している。また、吊りリードにはディプ
レス部が形成され、ダイパッド２０２はアップセットさ
れている。なお、このリードフレーム２１０には、樹脂
封止の際、封止樹脂の流出を止めるタイバーが設けられ
ていない。

【００１１】次に、図３７に示すように、用意したリー
ドフレームのダイパッド２０２の上に半導体チップ２０
４を接着剤により接合する。この工程は、いわゆるダイ
ボンド工程である。

【００１２】そして、図３８に示すように、ダイパッド
２０２上に接合された半導体チップ２０４とインナーリ
ード２０１とを金属細線２０５により電気的に接続す
る。この工程は、いわゆるワイヤーボンド工程である。
金属細線２０５には、アルミニウム細線、金（Ａｕ）線
などが適宜用いられる。

【００１３】次に、図３９に示すように、ダイパッド２
０２，半導体チップ２０４，インナーリード２０１，吊
りリード及び金属細線２０５を封止樹脂２０６により封
止する。この場合、半導体チップ２０４が接合されたリ
ードフレームが封止金型内に収納されて、トランスファ
ーモールドされるが、特にインナーリード２０１の裏面
が封止金型の上金型又は下金型に接触した状態で、樹脂
封止が行なわれる。

【００１４】最後に、樹脂封止後に封止樹脂２０６から
外方に突出しているインナーリード２０１の先端部２１
１を切断する。この切断工程により、切断後のインナー
リード２０１の先端面と封止樹脂６の側面とがほぼ同じ
面上にあるようになり、インナーリード２０１の下部が
外部電極２０７となる。

【００１５】そして、従来の樹脂封止型半導体装置の製
造工程では、樹脂封止工程で、封止樹脂２０６がインナ
ーリード２０１の裏面側に回り込んで、樹脂バリ（樹脂
のはみ出し分）を形成する場合があることから、通常
は、樹脂封止工程の後、インナーリード２０１の切断工
程の前に、樹脂バリを吹き飛ばすためのウォータージェ
ット工程を導入している。

【００１６】なお、必要に応じて、図３５に示すよう
に、外部電極２０７の下面上に半田からなるボール電極
を形成し、樹脂封止型半導体装置とする。また、半田ボ
ールのかわりに半田メッキ層を形成する場合もあった。

【００１７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
樹脂封止型半導体装置では、半導体装置の裏面におい
て、外部電極２０７の下面と封止樹脂２０６との面がほ
ぼ同じ面上にあるので、封止樹脂２０６からのスタンド
オフ高さが得られない。そのために、半田等からなるボ
ール電極２０９を設けて、実装基板上に実装しなければ
ならず、効率的な実装を行なうことができないという課
題があった。

【００１８】また、従来の樹脂封止型半導体装置の製造
方法の樹脂封止工程においては、半導体チップが接合さ
れたリードフレームを封止金型内に収納し、下金型の面
にインナーリードを押圧して密着させて、樹脂封止して
いるが、それでも封止樹脂がインナーリードの裏面側に
回り込んで、外部電極の表面に樹脂バリ（樹脂のはみ出
し分）が発生するという課題があった。

【００１９】そこで、従来は、外部電極２０７上の樹脂
バリ２０６ａを吹き飛ばすためにウォータージェット工
程を導入していたが、このようなウォータージェット工
程には多大の手間を要し、樹脂封止型半導体装置の量産
工程における工程削減等の工程の簡略化の要請に反す
る。つまり、樹脂バリの発生は、そのような工程の簡略
化のための大きな阻害要因となっていた。また、ウォー
タージェット工程によって、樹脂バリだけでなく柔らか
い金属メッキも剥がれるという品質上の大きな問題が発
生するおそれもあった。

【００２０】本発明の目的は、樹脂封止工程において、
リードフレームの裏面への樹脂バリの発生を抑制し、あ
るいは外部電極の封止樹脂からのスタンドオフ高さを確
保しうる手段を講ずるとともに、そのような構造を有し
ながら外観や特性の良好な樹脂封止型半導体装置を得る
ための樹脂封止型半導体装置の製造方法及びその製造装
置を提供することである。

【００２１】

【課題を解決するための手段】本発明の基本的な樹脂封
止型半導体装置の製造方法は、請求項１に記載されてい
るように、封止テープに対して半導体チップが搭載され
たリードフレームの裏面を貼付し、かつ少なくとも前記
リードフレームのインナーリードの下面に前記封止テー
プを密着させる工程と、複数の真空引き穴を有した第１
の金型と第２の金型とよりなる封止金型において、前記
封止テープが貼付されたリードフレームに対して樹脂封
止し、少なくとも前記リードフレームの半導体チップが
搭載された上面領域を樹脂封止する工程と、前記リード
フレームの裏面に貼付した前記封止テープを除去する工
程とよりなる樹脂封止型半導体装置の製造方法であっ
て、 前記樹脂封止する工程は、前記封止金型の第２の金
型により前記インナーリードを前記封止テープに対して
押圧するとともに、封止金型の第１の金型には複数列で
構成した溝と、それら溝内に複数の真空引き穴が設けら
れた第１の金型を用い、樹脂封止の際、前記複数列の溝
の内、最外列の溝から順に内側に前記真空引き穴により
真空引きして、前記封止テープを均一に延ばした状態で
前記封止金型に封止樹脂を流し込んで樹脂封止するもの
である。

【００２２】この方法により、リードフレームのうち封
止樹脂から確実に露出させたい部分がある場合に、第２
の工程でリードフレームのその部分に封止テープを密着
させておくことで、その部分が確実に封止樹脂から露出
した構造が実現する。そして、リードフレームのその部
分に樹脂バリが形成されることもないので、従来必要と
なっていたウォータージェット等の工程を不要とするこ
とができるので、製造工程の簡略化を図ることができ
る。また、この方法により、まず、封止テープが最外方
の溝に引っ張られて引き延ばされた後、封止テープがさ
らに内方の溝に引っ張られるので、より大きくかつ均一
な張力を封止テープに与えることができる。

【００２３】請求項２に記載されているように、第１の
金型と第２の金型とよりなる封止金型と半導体チップを
搭載したリードフレームとを用意する第１の工程と、封
止テープを前記リードフレームの表面の一部に密着させ
ながら前記封止金型に装着する第２の工程と、前記封止
テープに張力を与えながら封止テープを装着した状態で
前記半導体チップおよび前記リードフレームの少なくと
も前記表面の一部を除く部分を封止樹脂内に封止する第
３の工程とを備えている樹脂封止型半導体装置の製造方
法であって、前記第１の工程では、封止金型の第１の金
型または第２の金型の少なくともいずれか一方の金型に
ダイキャビティを有し、前記ダイキャピティを挟む少な
くとも２カ所の領域に前記封止テープを挟持するための
クランパを設けておき、前記第３の工程では、前記クラ
ンパによって前記封止テープを固定しておくことによ
り、前記封止テープに張力を与えるものである。

【００２４】この方法により、クランパに挟持されてい
ることによって封止テープに張力が与えられる。

【００２５】請求項３に記載されているように、上記ク
ランパによって封止テープに張力を与えるようにした樹
脂封止型半導体装置の製造方法において、封止テープを
挟持するためのクランパに対して、封止テープが引き延
ばされる方向に付勢する付勢手段をさらに設けておくこ
とにより、封止テープに張力を与えることができる。

【００２６】この方法により、付勢手段の付勢力によっ
て、より大きな張力を封止テープに与えることができ
る。

【００２７】請求項４に記載されているように、上記ク
ランパによって封止テープに張力を与えるようにした樹
脂封止型半導体装置の製造方法において、第２の工程の
前には、クランパにより、封止金型とは離れた場所で封
止テープを保持しておき、前記第２の工程では、前記ク
ランパとともに前記封止テープを前記封止金型の位置ま
で移動させることができる。

【００２８】この方法により、樹脂封止の前の長時間の
間、封止テープが封止金型の熱と張力とによって過剰に
引き延ばされるのを防止することができる。

【００２９】請求項５に記載されているように、第１の
金型および第２の金型の少なくともいずれか一方にダイ
キャビティを有し、かつ、互いに係合する少なくとも１
対の凸部および凹部を前記第１の金型，第２の金型の前
記ダイキャビティを挟む少なくとも２カ所の領域におい
て有する封止金型を準備しておき、第３の工程では、前
記第１の金型および第２の金型が接近したときに、前記
凸部と凹部とが係合することにより封止テープに張力を
付与することができる。

【００３０】この方法により、第１の金型と第２の金型
とが接近して凸部−凹部が係合すると、封止テープがそ
の係合部分に引き込まれることによって封止テープに張
力が 与えられる。

【００３１】請求項６に記載されているように、上記凸
部−凹部の係合によって封止テープに張力を与えるよう
にした樹脂封止型半導体装置の製造方法において、第１
の工程では、凸部および凹部は互いに係合長さが異な
り、かつその係合長さは最外方の凸部および凹部ほど大
きい複数対だけ設けておき、第３の工程では、最外方の
凸部および凹部の係合により引き延ばされた封止テープ
が、その内方の凸部および凹部の係合によりさらに引き
延ばされるように封止テープに張力を付与することがで
きる。

【００３２】この方法により、第１の金型と第２の金型
とが接近すると、最外方の凸部及び凹部の係合により引
き延ばされた封止テープが、その内方の凸部及び凹部の
係合によりさらに引き延ばされることで、大きくかつ均
一な張力を封止テープに与えることができる。

【００３３】請求項７に記載されているように、上記樹
脂封止型半導体装置の製造方法おいて、封止テープを複
数枚使用することができる。

【００３４】本発明の樹脂封止型半導体装置の製造装置
は、請求項８に記載されているように、樹脂封止型半導
体装置の製造工程における樹脂封止工程で使用される第
１の金型および第２の金型からなり第１の金型または第
２の金型の少なくともいずれか一方にダイキャビティを
有する封止金型と、前記樹脂封止型半導体装置の表面の
一部を封止樹脂から露出させるための封止テープに張力
を与えるための張力付与手段とを備えている樹脂封止型
半導体装置の製造装置であって、前記張力付与手段は、
前記ダイキャビティを挟む少なくとも２カ所の領域に設
けられ、前記封止テープを挟持するためのクランパであ
る樹脂封止型半導体装置の製造装置である。

【００３５】これにより、樹脂封止時にクランパで封止
テープを挟持しておくことで、封止 テープに張力を与え
ることができる。

【００３６】請求項９に記載されているように、クラン
パは、封止テープを少なくとも２方向以上に延伸させる
ように移動する機能を有する。

【００３７】これにより、封止テープにより大きな張力
を与えることができる。

【００３８】請求項１０に記載されているように、上記
クランパを備えた樹脂封止型半導体装置の製造装置にお
いて、クランパに対して、封止テープが引き延ばされる
方向に付勢する付勢手段をさらに備えることが好まし
い。

【００３９】請求項１１に記載されているように、上記
クランパを備えた樹脂封止型半導体装置の製造装置にお
いて、クランパは、封止テープを保持しつつ、封止金型
とは離れた場所から前記封止金型の位置まで移動できる
機能を有することもできる。

【００４０】これにより、封止テープを封止金型の熱に
長時間の間さらすことがないので、封止テープが過剰に
引き延ばされるのを回避することができる。

【００４１】請求項１２に記載されているように、樹脂
封止型半導体装置の製造装置は、樹脂封止型半導体装置
の製造工程における樹脂封止工程で使用される第１の金
型および第２の金型からなり第１の金型または第２の金
型の少なくともいずれか一方にダイキャビティを有する
封止金型と、前記樹脂封止型半導体装置の表面の一部を
封止樹脂から露出させるための封止テープに張力を与え
るための張力付与手段とを備えている樹脂封止型半導体
装置の製造装置であって、前記張力付与手段は、前記第
１の金型，第２の金型において前記ダイキャビティを挟
む少なくとも２カ所の領域に設けられた互いに係合する
少なくとも１対の凸部および凹部である樹脂封止型半導
体装置の製造装置である。

【００４２】これにより、樹脂封止時に第１の金型と第
２の金型とが接近すると、凸部と凹 部の係合部に封止テ
ープが引っ張り込まれるので、封止テープに張力を与え
ることができる。

【００４３】請求項１３に記載されているように、上記
互いに係合する凸部および凹部を備えた樹脂封止型半導
体装置の製造装置において、凸部および凹部は互いに係
合長さが異なるような複数対だけ設け、その係合長さは
外方の凸部及び凹部ほど大きくしておくことができる。

【００４４】これにより、最外方の係合部から順次封止
テープに張力を与えることができるので、より大きくか
つ均一な張力を封止テープに与えることができる。

【００４５】請求項１４に記載されているように、上記
互いに係合する凸部および凹部を備えた樹脂封止型半導
体装置の製造装置において、第１の金型または第２の金
型のダイキャビティは複数個設けられており、凸部およ
び凹部は、全てのダイキャビティを挟む外方領域と、前
記各ダイキャビティ間の内方領域とに配置することがで
きる。

【００４６】請求項１５に記載されているように、上記
互いに係合する凸部および凹部を備えた樹脂封止型半導
体装置の製造装置において、凸部または凹部の壁面に
は、滑り止めのための粗面処理を施しておくことが好ま
しい。

【００４７】これにより、凸部−凹部間の係合部に封止
テープを引っ張り込む作用を確実に奏することができ
る。

【００４８】請求項１６に記載されているように、上記
互いに係合する凸部および凹部を備えた樹脂封止型半導
体装置の製造装置において、凸部または凹部の壁面は滑
りにくい材質で構成しておくことが好ましい。

【００４９】これによっても、凸部−凹部間の係合部に
封止テープを引っ張り込む作用を確 実に奏することがで
きる。

【００５０】請求項１７に記載されているように、上記
互いに係合する凸部および凹部を備えた樹脂封止型半導
体装置の製造装置において、凹部には、真空引き装置に
連結された真空穴を形成しておくこともできる。

【００５１】これにより、凸部−凹部間の係合による引
っ張り力に加えて真空引きによる引っ張り力によって封
止テープに張力を与えることができる。

【００５２】請求項１８に記載されているように、樹脂
封止型半導体装置の製造装置において、第１または第２
の金型のうちいずれか一方における樹脂封止型半導体装
置の表面の一部に対向する領域には、彫り込み部を設け
ておくこともできる。

【００５３】これにより、樹脂封止時に封止テープを彫
り込み部の方に逃すことができるので、押圧力による封
止テープの凹み量を調整できる。すなわち、上記一部の
封止樹脂からの突出量を彫り込み部の深さによって調整
することができる。

【００５４】請求項１９に記載されているように、樹脂
封止型半導体装置の製造装置は、樹脂封止型半導体装置
の製造工程における樹脂封止工程で使用される第２の金
型および第１の金型からなり第２の金型または第１の金
型の少なくともいずれか一方にダイキャビティを有する
封止金型と、前記樹脂封止型半導体装置の表面の一部を
封止樹脂から露出させるための封止テープに張力を与え
るための張力付与手段とを備えている樹脂封止型半導体
装置の製造装置であって、張力付与手段は、前記第２の
金型および第１の金型の少なくともいずれか一方におい
て前記ダイキャビティを挟む領域に設けられ、真空引き
装置に連通されて前記封止テープを吸引するための真空
引き用凹部であり、前記真空引き用凹部は、前記ダイキ
ャビティの周囲に設けられた複数の溝と前記複数の溝の
うち最外方の溝にのみ形成された真空引き装置に連通す
る真空穴とである樹脂封止型半導体装置の製造装置であ
る。

【００５５】これにより、最外方の溝から順に封止テー
プに張力を与えることができるので、より大きくかつ均
一な張力を封止テープに与えることができる。

【００５６】

【発明の実施の形態】まず、各実施形態に共通に適用で
きる本発明の樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
について説明する。

【００５７】図１（ａ）は、本発明に係る樹脂封止型半
導体装置の構造例を示す平面図であり、図１（ｂ）は、
図１（ａ）に示すIb−Ib線における断面図である。ただ
し、図１（ａ）においては封止樹脂１７を透明体として
扱い、半導体チップ１５は破線で示す輪郭を有するもの
としており、金属細線１６の図示は省略している。

【００５８】図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、樹脂
封止型半導体装置は、インナーリード１２と、半導体チ
ップを支持するためのダイパッド１３と、そのダイパッ
ド１３を支持するための吊りリード１４とよりなるリー
ドフレームを備えている。そして、ダイパッド１３上に
半導体チップ１５が接着剤により接合されており、半導
体チップ１５の電極パッド（図示せず）とインナーリー
ド１２とは、金属細線１６により互いに電気的に接続さ
れている。そして、インナーリード１２，ダイパッド１
３，吊りリード１４，半導体チップ１５及び金属細線１
６は、封止樹脂１７内に封止されている。また、ダイパ
ッド１３は、インナーリード１２に対して上方に位置す
るように、吊りリード１４のディプレス部１９によりア
ップセットされている。そのため、封止樹脂１７により
封止された状態では、封止樹脂１７がダイパッド１３の
裏面側にも薄く存在している。インナーリード１２の下
面側には封止樹脂１７は存在せず、インナーリード１２
の下面が露出されており、このインナーリード１２の下
面が実装基板との接続面となる。すなわち、インナーリ
ード１２の下部が外部電極１８となっている。また、こ
の外部電極１８には本来的に樹脂封止工程における樹脂
のはみ出し部分である樹脂バリが存在せず、かつこの外
部電極１８は封止樹脂１７の裏面よりも下方に少し突出
している。このような樹脂バリの存在しないかつ下方に
突出した外部電極１８の構造は、後述する製造方法によ
って容易に実現できる。

【００５９】このような樹脂封止型半導体装置では、イ
ンナーリード１２の側方にはアウターリードが存在せ
ず、インナーリード１２の下部が外部電極１８となって
いるので、半導体装置の小型化を図ることができる。し
かも、インナーリード１２の下面つまり外部電極１８の
下面には樹脂バリが存在していないので、実装基板の電
極との接合の信頼性が向上する。また、外部電極１８が
封止樹脂１７の面より突出して形成されているため、実
装基板に樹脂封止型半導体装置を実装する際の外部電極
と実装基板の電極との接合において、外部電極１８のス
タンドオフ高さが予め確保されていることになる。した
がって、外部電極１８をそのまま外部端子として用いる
ことができ、従来のように、実装基板への実装のために
外部電極１８に半田ボールを付設する必要はなく、製造
工数、製造コスト的に有利となる。

【００６０】次に、樹脂封止型半導体装置の製造方法に
ついて、図面を参照しながら説明する。図２〜図７は、
本発明の樹脂封止型半導体装置の製造工程の一例を示す
断面図である。

【００６１】まず、図２に示す工程で、インナーリード
１２と、半導体チップを支持するためのダイパッド１３
とが設けられているリードフレーム２０を用意する。図
中、ダイパッド１３は吊りリードによって支持されてい
るが、この断面には現れないために図示されていない。
また、吊りリードにはディプレス部が形成され、ダイパ
ッド１３はインナーリード１２の面よりも上方にアップ
セットされているものである。さらに、用意するリード
フレーム２０は、樹脂封止の際、封止樹脂の流出を止め
るタイバーを設けていないリードフレームである。

【００６２】次に、図３に示す工程で、用意したリード
フレームのダイパッド上に半導体チップ１５を載置し
て、接着剤により両者を互いに接合する。この工程は、
いわゆるダイボンド工程である。なお、半導体チップを
支持する部材としてはリードフレームに限定されるもの
ではなく、他の半導体チップを支持できる部材、例えば
ＴＡＢテープ、基板を用いてもよい。

【００６３】そして、図４に示す工程で、ダイパッド１
３上に接合した半導体チップ１５とインナーリード１２
とを金属細線１６により電気的に接合する。この工程
は、いわゆるワイヤーボンド工程である。金属細線とし
ては、アルミニウム細線、金（Ａｕ）線などを適宜選択
して用いることができる。また、半導体チップ１５とイ
ンナーリード１２との電気的な接続は、金属細線１６を
介してでなくバンプなどを介して行なってもよい。

【００６４】次に、図５に示す工程で、リードフレーム
のダイパッド１３上に半導体チップ１５が接合された状
態で、インナーリード１２の裏面側に封止テープ２１を
貼り付ける。

【００６５】この封止テープ２１は、特にインナーリー
ド１２の裏面側に樹脂封止時に封止樹脂が回り込まない
ようにするマスク的な役割を果たさせるためのものであ
り、この封止テープ２１の存在によって、インナーリー
ド１２の裏面に樹脂バリが形成されるのを防止すること
ができる。このインナーリード１２等に貼り付ける封止
テープ２１は、ポリエチレンテレフタレート，ポリイミ
ド，ポリカーボネートなどを主成分とする樹脂をベース
としたテープであり、樹脂封止後は容易に剥がすことが
でき、また樹脂封止時における高温環境に耐性があるも
のであればよい。ここでは、ポリエチレンテレフタレー
トを主成分としたテープを用い、厚みは５０［μｍ］と
した。

【００６６】なお、ここでは、この封止テープ２１は、
リードフレームのインナーリード１２の面にのみ密着し
た状態でリードフレームの裏面側全体に亘って貼り付け
られており、吊りリードのディプレス部によりアップセ
ットされたダイパッド１３の裏面には密着していない
が、ダイパッド１３の裏面に密着させ、樹脂封止工程の
後に封止テープ２１を剥がすことでダイパッド１３の裏
面を露出させ、放熱特性の向上をねらってもよい。

【００６７】次に、図６に示す工程で、半導体チップ１
５が接合され、封止テープ２１が貼り付けられたリード
フレームを金型内に収納し、金型内に封止樹脂１７を流
し込んで樹脂封止を行う。この際、インナーリード１２
の裏面側に封止樹脂１７が回り込まないように、金型で
リードフレームのインナーリード１２の先端部分２２を
下方に押圧して、樹脂封止する。また、インナーリード
１２の裏面側の封止テープ２１面を金型面側に押圧して
樹脂封止を行う。

【００６８】最後に、図７に示す工程で、インナーリー
ド１２の裏面に貼付した封止テープ２１をピールオフに
より除去し、封止樹脂１７の裏面より突出した外部電極
１８を形成する。そして、インナーリード１２の先端部
２２を、インナーリード１２の先端面と封止樹脂１７の
側面とがほぼ同一面になるように切り離すことにより、
図７に示すような樹脂封止型半導体装置が完成される。

【００６９】図８は、外部電極１８の部分を拡大して示
す樹脂封止型半導体装置の部分裏面図である。同図に示
すように、ここでは、封止テープ２１をリードフレーム
の裏面に貼付した樹脂封止工程を行なっているので、イ
ンナーリード１２の裏面や側面、すなわち外部電極１８
の表面上における樹脂バリの発生を防止することができ
る。また、従来の製造方法のごとく、封止樹脂１７が外
部電極１８の表面に回り込み、外部電極１８の一部が封
止樹脂１７内に埋没することを防止することができる。

【００７０】以上のような製造方法では、樹脂封止工程
の前に予めインナーリード１２の裏面に封止テープ２１
を貼付しているので、封止樹脂１７が回り込むことがな
く、外部電極となるインナーリード１２の裏面には樹脂
バリの発生はない。したがって、インナーリードの下面
を露出させる従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法の
ごとく、インナーリード上に形成された樹脂バリをウォ
ータージェットなどによって除去する必要はない。すな
わち、この樹脂バリを除去するための面倒な工程の削除
によって、樹脂封止型半導体装置の量産工程における工
程の簡略化が可能となる。また、従来、ウォータージェ
ットなどによる樹脂バリ除去工程において生じるおそれ
のあったリードフレームのニッケル（Ｎｉ），パラジウ
ム（Ｐｄ），金（Ａｕ）などの金属メッキ層の剥がれは
解消できる。そのため、樹脂封止工程前における各金属
層のプリメッキが可能となる。

【００７１】加えて、以上の製造方法によって形成され
た外部電極１８は、封止樹脂１７より突出しているの
で、従来のように半田ボールを付設することなく、外部
電極１８をそのまま外部端子として用いることができ
る。

【００７２】なお、図６に示すように、樹脂封止工程に
おいては、溶融している封止樹脂の熱によって封止テー
プ２１が軟化するとともに熱収縮するので、インナーリ
ード１２が封止テープ２１に大きく食い込み、インナー
リード１２の裏面と封止樹脂１７の裏面との間には段差
が形成される。したがって、インナーリード１２の裏面
は封止樹脂１７の裏面から突出した構造となり、インナ
ーリード１２の下部である外部電極１８のスタンドオフ
高さを確保できる。そのため、この突出した外部電極１
８をそのまま外部端子として用いることができることに
なる。

【００７３】また、インナーリード１２の裏面と封止樹
脂１７の裏面との間の段差の大きさは、封止工程前に貼
付した封止テープ２１の厚みによりコントロールするこ
とができる。本発明では、５０［μｍ］の封止テープ２
１を用いているので、段差の大きさつまり外部電極１８
の突出量は、一般的にはその半分程度であり最大５０
［μｍ］である。すなわち、封止テープ２１がインナー
リード１２の裏面よりも上方に入り込む量が封止テープ
２１の厚さ分で定まることから、外部電極１８の突出量
を封止テープ２１の厚みによりセルフコントロールで
き、製造の容易化を図ることができる。この外部電極１
８の突出量を管理するためには、量産工程で封止テープ
２１の厚みを管理するだけでよく、別工程を設ける必要
がないので、本発明の製造方法は、工程管理のコスト上
きわめて有利な方法である。なお、貼付する封止テープ
２１については、所望とする段差の大きさに合わせて、
材質の硬度、厚み、および熱による軟化性を決定するこ
とができる。

【００７４】なお、図１（ｂ）に示すように、上記樹脂
封止型半導体装置において、ダイパッド１３の裏面側に
封止樹脂１７が存在しているものの、その厚みはダイパ
ッド１３のアップセット量に等しく極めて薄い。したが
って、この樹脂封止型半導体装置は、実質的には片面封
止型の半導体装置である。

【００７５】なお、ここでは、樹脂封止工程前に予め封
止テープ２１をリードフレームのインナーリード１２の
下面に貼付した例を示したが、このような貼り付ける方
法ではなく、封止テープ２１を封止金型にセットし、そ
の上にリードフレーム１２を密着させてもよい。この場
合は、後述するように、封止テープの封止金型へのリー
ル供給が可能となり、さらなる工程の合理化となる。

【００７６】なお、ここでは、リードフレームの裏面に
封止テープを貼付して樹脂封止を行なう製造方法の例を
示したが、本発明の方法は、リードフレームを備えてい
る半導体装置に限定されるものではない。本発明の基本
的な概念である樹脂封止工程で封止テープを用いる方法
は、広く半導体チップを搭載し、樹脂封止される部材を
有する半導体装置の樹脂封止工程に適用できるものであ
り、ＴＡＢタイプ、基板タイプなどの半導体装置の樹脂
封止工程に適用できる。

【００７７】以下、本発明の各実施形態について説明す
る。以下の各実施形態では、樹脂封止型半導体装置のシ
ワの発生を防止するための樹脂封止方法と樹脂封止装置
とについて、図面を参照しながら説明する。

【００７８】（第１の実施形態） 次に、真空引きによって封止テープに張力を与え、シワ
をなくすようにした第１の実施形態に係る各具体例につ
いて説明する。

【００７９】−第１の具体例− 図９（ａ）は、本実施形態の第１の具体例に係る樹脂封
止型半導体装置の製造方法で使用する封止用金型（下金
型）の平面図であり、図９（ｂ）は図９（ａ）の中央線
における樹脂封止の状態を示す断面図である。

【００８０】図９（ａ），（ｂ）に示すように、本実施
形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法においては、ま
ず、インナーリード１０１とダイパッド１０３とを有す
るリードフレームを用意し、ダイパッド１０３上に半導
体チップ１０２をダイボンド材により接合させ、半導体
チップ１０２上の電極パッド（図示せず）とインナーリ
ード１０１とを金属細線１０５を介して電気的に接続す
る。また、上金型１１２ａと、４カ所の真空引き穴１１
３及び各真空引き穴１１３間を連通させるための真空引
き溝１１４を有する下金型１１２ｂとからなる封止金型
１１２を用意する。そして、封止金型１１２の下金型１
１２ｂの上に封止テープ１０６を載置し、その上に半導
体チップ１０２が搭載されたリードフレームを載置す
る。この状態では、リードフレームのインナーリード１
０１の裏面に封止テープ１０６が接触している。

【００８１】次に、封止金型１１２の上金型１１２ａと
下金型１１２ｂとを合わせる。この時、上金型１１２ａ
の周縁部の下面と封止テープ１０６の上面とが接触した
状態となる。そして、上金型１１２ａを押圧するととも
に、真空引き装置（図示せず）により、下金型１１２ｂ
に形成された４ケ所の真空引き穴１１３を介して封止テ
ープ１０６を金型内で４方向に真空引きし、均一に延ば
した状態を維持する。この状態で樹脂封止工程を行なう
ことにより、樹脂封止時の熱収縮による封止テープ１０
６のシワ発生を防止することができる。その結果、樹脂
成形された樹脂封止型半導体装置の樹脂の裏面が平坦に
形成される。

【００８２】以下、上述の封止テープのシワがなくなる
メカニズムについて、さらに詳細に説明する。樹脂封止
の際、封止テープ１０６が熱収縮を起こし、縮まろうと
する作用に対して、真空引き穴１１３から真空引きを行
なうことで、封止テープ１０６が各真空引き穴１１３の
方向に引っ張られる。このように、封止テープ１０６に
延張状態を与えることにより、封止テープ１０６の収縮
が抑制されて、シワの発生が防止される。したがって、
形成された樹脂封止型半導体装置の裏面において、封止
テープ１０６と接していた封止樹脂１０７の面が平坦に
なっている。

【００８３】また、封止金型１１２の下金型１１２ｂ上
の真空引き穴１１３につながる真空引き溝１１４は、封
止テープ１０６の伸び率を考慮して、その溝の深さや幅
を形成することが望ましい。

【００８４】ただし、真空引き溝を設けずに、各真空引
き穴から個別に封止テープを引っ張ることによっても、
封止テープのシワの発生を防止する効果を発揮すること
ができる。

【００８５】なお、本実施形態において、リードフレー
ムに半導体チップを接合し、ワイヤーボンドする方法に
ついては、従来と同様なため図面を用いた説明は省略し
ている。

【００８６】以上、本実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法によれば、封止テープをリードフレーム等に
密着させて樹脂封止する際、封止金型内にほぼ均等な間
隔で設けた複数の真空引き穴を介して封止テープを吸着
し、その封止テープを均一に引っ張った状態で樹脂封止
することにより、封止テープの厚みが薄い場合、熱収縮
によるシワの発生が少なくでき、樹脂封止後の樹脂封止
型半導体装置の裏面の樹脂部が平坦に形成可能となる。
特に、真空引き溝を設けることにより、より均一な引っ
張り力を封止テープに与えることができる。

【００８７】なお、本実施形態の封止金型に真空引き穴
を形成して、この真空引き穴を介して封止テープを引っ
張りながら樹脂封止工程を行なう方法や後述の各実施形
態の方法は、上記図１（ａ），（ｂ）に示す構造を有す
る半導体装置だけでなく、各種構造を有する半導体装置
にも適用できる。ただし、封止テープを上金型に密着さ
せる必要がある場合には、上金型に真空引き穴を形成
し、この真空引き穴を介して封止テープを引っ張ること
になる。

【００８８】次に、上記第１の具体例の変形として、真
空引き溝又は真空引き穴を複数列設けた各種の具体例に
ついて説明する。

【００８９】−第２の具体例− 図１０は、３列の環状の真空引き溝１１４ａ，１１４
ｂ，１１４ｃと、各真空引き溝１１４ａ，１１４ｂ，１
１４ｃ内に形成された真空引き穴１１３ａ，１１３ｂ，
１１３ｃとが設けられた第２の具体例に係る下金型１１
２ｂの上面図である。このような場合、各真空引き穴１
１３ａ，１１３ｂ，１１３ｃから同時に真空引きを行な
ってもよいが、まず最外方の真空引き穴１１３ａから真
空引きを行なって封止テープを引き延ばした後、中間の
真空引き穴１１３ｂから真空引きを行ない、最後に最内
方の真空引き穴１１３ｃから真空引きを行なうことで漸
次封止テープを強く引き延ばすというように、３段階の
真空引きを行なうようにしてもよい。この段階的な真空
引きを行なうことにより、より均一で大きな引っ張り力
を封止テープに印加することができるという利点があ
る。

【００９０】−第３の具体例− 図１１は、３列の環状の真空引き溝１１４ａ，１１４
ｂ，１１４ｃと、真空引き溝１１４ａ−１１４ｂ間を連
結する連結溝１１６ａと、真空引き溝１１４ｂ−１１４
ｃ間を連結する連結溝１１６ｂと、最外方の真空引き溝
１１４ａに形成された真空引き穴１１３とが設けられた
第３の具体例に係る下金型１１２ｂの上面図である。こ
の場合、真空引き穴１１３から真空引きを行なうと、最
外方の溝１１４ａから順次真空度が高くなる。したがっ
て、真空引きのタイミングをずらせるための制御を行な
わなくても、段階的な真空引きと同じ効果を発揮するこ
とができる。

【００９１】−第４の具体例− 図１２は、短辺方向に延びる３列の直線状の真空引き溝
１１７ａ，１１７ｂ，１１７ｃと、各真空引き溝１１７
ａ，１１７ｂ，１１７ｃ内に形成された真空引き穴１１
３ａ，１１３ｂ，１１３ｃとが設けられた第４の具体例
に係る下金型１１２ｂの上面図である。図１２に示す構
造によっても、封止テープに引っ張り力を与えることが
できる。その場合、上述のように、最外方の真空引き穴
１１３ａから順次３段階の真空引きを行ってもよい。あ
るいは、図１１に示すような連結溝を設け、最外方の真
空引き溝１１７ａに真空引き穴を形成して、この真空引
き穴から真空引きを行なってもよい。いずれの場合に
も、上記環状の真空引き溝を設けた構造について説明し
たと同様の効果を発揮することができる。

【００９２】−第５の具体例− 図１３は、長辺方向に延びる３列の直線状の真空引き溝
１１８ａ，１１８ｂ，１１８ｃと、各真空引き溝１１８
ａ，１１８ｂ，１１８ｃ内に形成された真空引き穴１１
３ａ，１１３ｂ，１１３ｃとが設けられた第５の具体例
に係る下金型１１２ｂの上面図である。図１３に示す構
造によっても、封止テープに引っ張り力を与えることが
できる。その場合、上述のように、外方の真空引き穴１
１３ａから順次２段階の真空引きを行ってもよい。ある
いは、図１１に示すような連結溝を設け、外方の真空引
き溝１１７ａに真空引き穴を形成して、この真空引き穴
から真空引きを行なってもよい。いずれの場合にも、上
記環状の真空引き溝を設けた構造について説明したと同
様の効果を発揮することができる。

【００９３】なお、上記実施形態では、下金型１１２ｂ
に真空引き溝や真空引き穴を設けた例について説明した
が、上金型１１２ａに真空引き溝や真空引き穴を設けて
もよいことはいうまでもない。さらに、上金型１１２ａ
及び下金型１１２ｂの双方に真空引き溝や真空引き穴を
設けてもよい。

【００９４】（第２の実施形態） 次に、本発明の第２の実施形態に係る樹脂封止型半導体
装置の製造方法について説明する。本実施形態では、特
にインナーリードの下方において封止テープに加わる押
圧力を逃すための工夫について説明する。図１４は、本
実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の製造方法におけ
る樹脂封止状態を示す断面である。また、図１５は、本
実施形態で用いられる下金型１１２ｂの上面図である。

【００９５】図１４及び図１５において、上記第１の実
施形態と同じ部材については、図９（ｂ）と同じ符号を
付してその説明を省略する。本実施形態では、上述の第
１の実施形態における図９（ｂ）に示す構造に加えて、
下金型１１２ｂの上面のうちインナーリード１０１の下
方に位置する領域には、彫り込み部１１５が所望とする
深さで形成されている。インナーリード１０１の下方に
彫り込み部１１５を有する下金型１１２ｂを用いること
により、樹脂封止の際、封止テープ１０６の一部がその
彫り込み部１１５に逃げ込むので、各インナーリード１
０１間に形成されやすい深い溝を浅く抑制することがで
きる。さらには、インナーリード１０１の側面部と封止
樹脂１０７との密着面積を多くすることができ、インナ
ーリード１０１と封止樹脂１０７との密着強度を増大さ
せることができる。

【００９６】ここで、彫り込み部１１５の深さは、封止
テープ１０６の厚みに応じて適宜定められる。封止テー
プ１０６の厚み以上であると、インナーリード１０１に
ほとんど圧力が加わらないので、樹脂封止工程の終了後
におけるインナーリード１０１の突出量がほとんどなく
なる。一方、彫り込み部１１５の深さが０に近くなる
と、上述のようにインナーリード１０１の突出量が大き
くなりすぎて、本実施形態の実効が図れないと同時に、
各インナーリード１０１間に深い溝が出現しやすくな
る。それで、封止テープ１０６が２５μｍ前後のとき
は、彫り込み部１１５はほとんど必要ないが、封止テー
プの厚みが３０μｍ〜８０μｍ程度の場合には、封止テ
ープ１０６の厚みと彫り込み部１１５の深さとの差が２
５μｍ前後であることが好ましい。

【００９７】また、上記彫り込み部を設ける構造は、本
実施形態だけではなく、既に説明した各実施形態及び後
述の各実施形態にも適用できるものである。

【００９８】（第３の実施形態） 次に、封止テープに引っ張り力を印加するために、封止
テープを両側から引っ張りながら樹脂封止工程を行なう
ようにした第３の実施形態について、図１６〜図２１を
参照しながら説明する。

【００９９】−第１の具体例− 図１６（ａ），（ｂ）は、上金型にクランパを設け、ク
ランパによって封止テープに引っ張り力を与えるように
した第１の具体例を示す平面図及び断面図である。図１
６（ａ），（ｂ）に示すように、樹脂封止型半導体装置
の封止装置および封止金型は、上金型１２１ａと、上金
型１２１ａに設置されたクランパ１２２ａと、下金型１
２１ｂと、下金型１２１ｂに設けられた半導体製品成型
部１２４（ダイキャビティ）と、封止テープ１２５と、
上金型１２１ａと下金型１２１ｂとの間に圧力を印加す
るための駆動装置１２６よりなり、封止テープ１２５が
上金型１２１ａの下面とクランパ１２２ａとの間に挟ま
れて固定される構造となっている。なお、下金型１２１
ｂには、クランパ１２２ａとの緩衝を回避するための逃
げ部が設けられている。

【０１００】−第２の具体例− 以下の具体例における図１７〜図２１において、図１６
（ａ），（ｂ）に示す部材と同じ部材については、同じ
符号を付して説明を省略する。

【０１０１】図１７（ａ），（ｂ）は、金型１２１ａ，
１２１ｂの外方にクランパ１２２ｂを設け、このクラン
パ１２２ｂが金型１２１ａ，１２１ｂとは独立して移動
できるように構成した第２の具体例を示す平面図及び断
面図である。

【０１０２】−第３の具体例− 図１８（ａ），（ｂ）は、金型の外方に長辺方向に延び
るクランパ１２２ｃを設け、このクランパ１２２ｃが金
型１２１ａ，１２１ｂとは独立して移動できるように構
成した第３の具体例を示す平面図及び断面図である。

【０１０３】−第４の具体例− 図１９（ａ），（ｂ）は、金型１２１ａ，１２１ｂの外
方に金型１２１ａ，１２１ｂの周囲を取り囲む環状のク
ランパ１２２ｄを設け、このクランパ１２２ｄが金型１
２１ａ，１２１ｂとは独立して移動できるように構成し
た第４の具体例を示す平面図及び断面図である。

【０１０４】−第５の具体例− 図２０は、金型１２１ａ，１２１ｂの外方に第２の具体
例と同じ構造を有するクランパ１２２ｂを設け、このク
ランパ１２２ｂが金型１２１ａ，１２１ｂとは独立して
移動できるように構成するとともに、クランパ１２２ｂ
を短辺方向に平行な方向かつ外方に付勢するバネ１２３
を設けた第５の具体例を示す平面図である。なお、各ク
ランパ１２２ｂに２つのバネを設け、クランパ１２２ｂ
を四方に付勢するように構成してもよい。

【０１０５】−第６の具体例− 図２１は、金型１２１ａ，１２１ｂの外方に長辺方向に
延びる第３の具体例と同じ構造を有するクランパ１２２
ｃを設け、このクランパ１２２ｃが金型１２１ａ，１２
１ｂとは独立して移動できるように構成するとともに、
クランパ１２２ｃを短辺方向に平行な方向かつ外方に付
勢するバネ１２３を設けた第６の具体例を示す平面図で
ある。

【０１０６】−各具体例の効果− 上記図１７〜図２１に示すいずれの構造によっても、封
止テープ１２５に引っ張り力を与えることができ、樹脂
封止工程における封止テープ１２５のシワの発生、ひい
ては封止樹脂における凹凸模様の発生を防止することが
できる。特に、クランパを外方に付勢するバネが付設さ
れている場合には、より効果的に引っ張り力を封止テー
プに与えることができる。なお、クランパを外方に付勢
する手段としては、バネに限定されるものではなく、ゴ
ム等の他の弾性体を使用してもよいことはいうまでもな
い。

【０１０７】また、上記第２〜第６の具体例において、
クランパを保持した機構が封止金型から離れた位置から
封止金型の近傍に移動できる機能を付加しておいて、封
止テープが上金型及び下金型の熱的な影響を受けない幾
分離れた場所でクランパにより挟み固定された後、上金
型１２１ａあるいは下金型１２１ｂに供給されるように
してもよい。

【０１０８】（第４の実施形態） 次に、封止金型の上金型と下金型とに、互いに係合する
凹部と凸部とを設けておき、樹脂封止の際に封止テープ
をこの凹部と凸部の間で挟むことにより、封止テープに
引っ張り力を与えるようにした実施形態である第４の実
施形態の各具体例について、図２２〜図２７を参照しな
がら説明する。

【０１０９】−第１の具体例− 図２２（ａ），（ｂ）は、それぞれ本実施形態の第１の
具体例を示す斜視図及び断面図である。ただし、図２２
（ｂ）は、図２２（ａ）に示す凸部１３９ａ及び凹部１
４１ａに直交する方向の中央部における断面図である。
図２２（ａ），（ｂ）に示すように、上金型１３１ａに
は金型合わせ面から鉛直方向に突出した凸部１３９ａが
形成されている一方、下金型１３１ｂには上金型１３１
ａの凸部１３９ａに係合可能な凹部１４１ａが形成され
ている。下金型１３１ｂには、半導体製品成型部１３４
が設けられている。

【０１１０】この構造によって、上金型１３１ａが下方
に降ろされて下金型１３１ｂに近づくと、封止テープ１
３５が互いに係合する凸部１３９ａと凹部１４１ａとの
間に挟まれる。上金型１３１ａがさらに下方に降ろされ
ると、封止テープ１３５が凸部１３９ａと凹部１４１ａ
との間に引き込まれていくので、封止テープ１３５が少
なくとも２方向以上に引き延ばされることになる。

【０１１１】−第２の具体例− 図２３は、本実施形態の第２の具体例を示す上金型の下
面図である。この具体例では、上金型１２１ａには直線
状ではなく曲線状の凸部１３９ｂが設けられている。ま
た、下金型の構造を示す図は省略するが、下金型にはこ
の凸部１３９ｂに係合可能な曲線状の凹部が設けられて
いる。このような構造によっても、上記第１の具体例と
同様の作用により、封止テーブを引き延ばすことができ
る。

【０１１２】−第３の具体例− 図２４（ａ），（ｂ）は、それぞれ本実施形態の第３の
具体例を示す断面図及び下金型の上面図である。ただ
し、図２４（ａ）は、図２４（ｂ）に示す凹部１４１ｃ
に直交する方向の中央部における断面図である。この具
体例では、上金型１３１ａには、金型合わせ面から鉛直
方向に突出した３列の凸部１３９ｃが形成されている。
ただし、この３列の凸部１３９ｃは、最外方から順に高
さが小さくなっている。一方、下金型１３１ｂには上金
型１３１ａの凸部１３９ｃが係合可能な深さを有する３
列の凹部１４１ａが形成されている。つまり、外方の凸
部１３９ｃと凹部１４１ｃほど係合長さが大きいことに
なる。また、下金型１３１ｂには、半導体製品成型部１
３４が設けられている。なお、封止テープ１３５を引っ
張るための付勢手段としてのロール１４２も付設されて
いるが、このロール１４２は必ずしも必要ではない。

【０１１３】このように、複数列の互いに係合する凸部
１３９ｃ及び凹部１４１ｃを設け、各凸部１３９ｃの高
さ及び各凹部１４１ｃの深さを最外方に向かうほど高く
あるいは深く形成しておくことにより、最外方の凸部−
凹部の係合によって引き延ばされた封止テープが順次そ
の内方の凸部−凹部の係合により引き延ばされる。つま
り、封止テープ１３５を段階的に強度を増しながら引っ
張っていくことができるので、より効果的に封止テープ
１３５を引き延ばすことができる。

【０１１４】−第４の具体例− 図２５は、本実施形態の第４の具体例を示す下金型の上
面図である。この具体例では、下金型１３１ｂに、短い
直線状の凹部１４１ｄの複数列を千鳥状に配列してい
る。ただし、各凹部１４１ｄの深さは最外方に向かうほ
ど深くなっている。上金型の構造を示す図は省略する
が、上金型にはこの凹部１４１ｄに係合可能な複数列の
凸部が設けられている。このような構造によっても、上
記第３の具体例と同様の作用により、封止テーブを効果
的に引き延ばすことができる。

【０１１５】−第５の具体例− 図２６は、本実施形態の第５の具体例を示す下金型の上
面図である。この具体例では、下金型１３１ｂに、小円
状の凹部１４１ｅの複数個を千鳥状に配列している。た
だし、各凹部１４１ｅの深さは最外方に向かうほど深く
なっている。上金型の構造を示す図は省略するが、上金
型にはこの凹部１４１ｅに係合可能な複数個の凸部が設
けられている。このような構造によっても、上記第３の
具体例と同様の作用により、封止テーブを効果的に引き
延ばすことができる。

【０１１６】−第６の具体例− 図２７は、本実施形態の第６の具体例を示す下金型の上
面図である。この具体例では、下金型１３１ｂに複数の
半導体製品成型部１３４が設けられている場合に、下金
型１３１ｂの長辺方向の端部には長辺方向に延びる長い
直線状の凹部１４１ｇを設け、各半導体製品成型部１３
４間の領域には小さな凹部１４１ｆを設けている。上金
型の構造を示す図は省略するが、上金型にはこの凹部１
４１ｆ，１４１ｇに係合可能な凸部が設けられている。
なお、１４４は各半導体製品成型部１３４に封止樹脂を
供給するための封止樹脂流通路である。この場合には、
各半導体製品成型部１３４の四方から封止テープ１３５
を引き延ばすことができるので、１度の樹脂封止工程に
よって多数個の半導体装置の樹脂封止を行なう場合に特
に有効である。半導体装置の実際の樹脂封止工程に使用
される金型には、封止金型には極めて多数のダイキャビ
ティが設けられているので、この具体例の構造は、極め
て大きな効果を発揮することができる。

【０１１７】−第７の具体例− 図２８は、本実施形態の第７の具体例を示す断面図であ
る。この具体例では、上金型１３１ａには凹部１４１ｈ
が設けられ、下金型１３１ｂには上金型１３１ａの凹部
１４１ｈに係合する凸部１３９ｈが形成されている。そ
して、上金型１３１ａの下面において、封止テープ１３
５を引っ張るための真空引き溝１４６が凹部１４１ｈを
取り囲むように形成されている。なお、下金型１３１ｂ
に、半導体製品成型部１３４が設けられている。

【０１１８】このように、互いに係合する凸部−凹部の
形成領域の内方、内周、外周あるいは外方に真空引きを
目的とした真空引き溝１４６を設けるにより、さらに効
果的に封止テープ１３５を引き延ばすことができる。

【０１１９】なお、凸部に係合する凹部に真空引き用穴
を形成しておき、凸部−凹部間の係合効果と真空引き作
用との双方により効果的に封止テープに張力を与えるこ
ともできる。

【０１２０】また、以上の全ての具体例において、凸部
１３９および凹部１４１は封止テープ１３５の滑りを防
止するため表面を梨地加工するか、もしくは滑りにくい
材料、たとえばシリコンゴムで形成されているのが望ま
しい。

【０１２１】（第５の実施形態） 本実施形態では、予め引っ張られた状態の封止テープを
用いることにより、封止テープのシワを防止するように
した第５の実施形態について、図２９を参照しながら説
明する。図２９は、第５の実施形態における樹脂封止方
法を示す断面図である。

【０１２２】図２９に示すように、平坦な治具１４７が
準備され、平坦な治具１４７に封止テープ１３５を貼付
した後、上金型１３１ａに転写する。これによっても、
封止テープ１３５のシワを可及的に防止することができ
る。

【０１２３】なお、上記第３〜第５の実施形態における
クランパ機能、凹凸形状、真空引き機能などを組み合わ
せた封止装置および封止金型を用いることで、さらに絶
大なる効果が得られることは言うまでもない。

【０１２４】（第６の実施形態） 以下、本発明の第６の実施形態について説明する。本実
施形態では、樹脂封止型半導体装置のシワ防止を防止す
るための封止テープを連続的に供給する方法と、封止テ
ープ供給装置を付設した樹脂封止装置とについて、図面
を参照しながら説明する。

【０１２５】図３０（ａ）〜（ｃ）は、本実施形態にお
ける封止テープの供給装置を付設した樹脂封止装置およ
び樹脂封止工程を示す斜視図である。また、図３１は、
樹脂封止工程中の１つの工程を示す断面図である。

【０１２６】図３０（ａ）に示すように、封止金型は上
金型１５１ａと下金型１５１ｂとからなり、下金型１５
１ｂには、多数の半導体製品成型部１６０（ダイキャビ
ティ）と、各半導体製品成型部１５５に封止樹脂を供給
するための封止樹脂流通路１６１とが設けられている。
また、巻き出しロール１５６ａと巻き取りロール１５６
ｂとの間で一定の張力を加えながら、連続的に封止テー
プ１５２の巻き出しと巻き取りとを行なうことが可能に
構成されている。

【０１２７】そして、図３０（ｂ）に示すように、多数
の半導体チップを搭載したリードフレーム１５３が下金
型１５１ｂの半導体製品成型部１６０に供給され、樹脂
タブレット１５４ａが下金型１５１ｂの封止樹脂供給部
に投入される。

【０１２８】次に、図５２に示すように、封止金型の上
金型１５１ａと下金型１５１ｂとが型締めされ、ピスト
ン１５８により下方から溶融した封止樹脂が各半導体製
品成型部１６０に供給されて、樹脂封止型半導体装置１
５５が射出成形される。そして、射出成形が終了する
と、下金型１５１ｂが開く。

【０１２９】この時、下金型１５１ｂが開くと同時に、
図３０（ｃ）に示す樹脂カル１５４ｂと樹脂封止型半導
体装置１５５から封止テープ１５２が引き離される。ま
た、封止テープ１５２のうち、この樹脂封止工程で使用
された部分は巻き取りロールー１５６ｂに巻き取られ、
次の樹脂封止工程で使用する部分は巻き出しロール１５
６ａから供給される。その間に、樹脂カル１５４ｂと樹
脂封止型半導体装置１５５とは、下金型１５１ｂから取
り出される。

【０１３０】本実施形態によると、巻き出しロール１５
６ａと巻き取りロール１５６ｂとの間で、連続的に封止
テープ１５２を供給することにより、封止テープを用い
た樹脂封止工程を迅速に行なうことができ、生産効率の
向上を図ることができる。また、巻き出しロール１５６
ａと巻き取りロール１５６ｂとに回転力を加えること
で、封止テープ１５２に適正な張力を与えることがで
き、樹脂封止工程における封止テープ１５２のシワの発
生を抑制することができる。

【０１３１】 （各実施形態におけるシワの発生の抑制効果） ここで、上記各実施形態におけるシワの発生を抑制でき
ることによる効果について、さらに詳細に説明する。

【０１３２】図３２（ａ），（ｂ）は、封止テープに張
力を付与しない状態で樹脂封止工程を行なったときの封
止金型内の状態を示す断面図、および形成される樹脂封
止体の断面図である。また、図３３（ａ），（ｂ）は、
封止テープ１５２に張力を付与した状態で樹脂封止工程
を行なったときの封止金型内の状態を示す断面図、およ
び形成される樹脂封止体の断面図である。ただし、図３
２（ａ）および図３３（ａ）では、樹脂封止体と同じ上
下関係で表示するために、上記各実施形態に示す状態と
は上下を逆にして表示している。また、図３２（ａ），
（ｂ）において図１（ａ），（ｂ）と同じ符号で示す部
材は既に説明したとおりである。

【０１３３】封止テープに張力を付与しないで樹脂封止
を行なうと、封止テープには、図３２（ａ）に示すよう
なシワや、たるみ，破れなどが生じることがある。そし
て、このシワなどが生じると、それがそのまま封止樹脂
１７に転写されるので、樹脂封止工程の終了後の取り出
された樹脂封止体の封止樹脂１７の裏面には、図３２
（ｂ）に示すようなくぼみなどが発生するおそれがあっ
た。このようなくぼみが発生すると、外観が損なわれる
だけでなく、封止されている部材の一部が露出したり、
封止樹脂１７のクラックが生じるなどのおそれがある。

【０１３４】それに対し、上記各実施形態のごとく、樹
脂封止工程において封止テープに張力を付与しながら封
止金型に装着することにより、図３３（ａ）に示すよう
に封止テープにシワやたるみなどが発生するのを抑制す
ることができる。そして、樹脂封止工程の終了後に取り
出された樹脂封止体の封止樹脂１７の裏面にくぼみなど
が発生しないので、外観的にも特性的にも良好な樹脂封
止型半導体装置が得られる。すなわち、不良率の低減に
よる歩留まりの向上を図ることができる。

【０１３５】なお、封止テープは複数枚使用することが
できる。例えば、上面側と下面側に装着したり、一方の
側に複数枚装着したりすることができる。

【０１３６】

【発明の効果】本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方
法又はその製造装置によると、封止テープを装着した状
態で半導体チップ及びリードフレームを封止樹脂内に封
止する際に、封止テープに張力を付与するようにしたの
で、封止テープにおけるシワの発生を防止しながら、封
止テープが密着していた部分を封止樹脂から露出させた
構造を有し、かつシワの転写に起因する封止樹脂のくぼ
みなどのない樹脂封止型半導体装置の製造を図ることが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】各実施形態に適用される樹脂封止型半導体装置
の封止樹脂を透過して示す平面図及び断面図である。

【図２】各実施形態に適用される樹脂封止型半導体装置
の製造工程におけるリードフレームを用意する工程を示
す断面図である。

【図３】各実施形態に適用される樹脂封止型半導体装置
の製造工程におけるダイパッド上に半導体チップを接合
する工程を示す断面図である。

【図４】各実施形態に適用される樹脂封止型半導体装置
の製造工程における金属細線を形成する工程を示す断面
図である。

【図５】各実施形態に適用される樹脂封止型半導体装置
の製造工程における封止テープをリードフレームの下に
敷く工程を示す断面図である。

【図６】各実施形態に適用される樹脂封止型半導体装置
の製造工程における樹脂封止工程を示す断面図である。

【図７】各実施形態に適用される樹脂封止型半導体装置
の製造工程におけるインナーリードの先端カット工程の
終了後の樹脂封止型半導体装置の断面図である。

【図８】各実施形態に適用される樹脂封止型半導体装置
の製造工程によって形成された樹脂封止型半導体装置の
部分裏面図である。

【図９】それぞれ、第１の本実施形態の第１の具体例に
係る樹脂封止型半導体装置の製造方法で使用する封止用
金型の下金型の平面図、及び図９（ａ）の中央線におけ
る樹脂封止の状態を示す断面図である。

【図１０】３列の環状の真空引き溝と真空引き穴とを有
する第１の実施形態の第２の具体例に係る封止金型の下
金型の上面図である。

【図１１】３列の環状の真空引き溝と連結溝と真空引き
穴とを有する第１の実施形態の第３の具体例に係る封止
金型の下金型の上面図である。

【図１２】短辺方向に延びる３列の真空引き溝と真空引
き穴とを有する第１の実施形態の第４の具体例に係る封
止金型の下金型の上面図である。

【図１３】長辺方向に延びる３列の真空引き溝と真空引
き穴とを有する第１の実施形態の第５の具体例に係る封
止金型の下金型の上面図である。

【図１４】第２の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置
の製造方法における樹脂封止状態を示す断面図である。

【図１５】第２の実施形態で用いられる真空引き溝と彫
り込み部とを有する下金型の上面図である。

【図１６】上金型にクランパを設けた第３の実施形態の
第１の具体例を示す平面図及び断面図である。

【図１７】金型とは独立して移動するクランパを設けた
第３の実施形態の第２の具体例を示す平面図及び断面図
である。

【図１８】金型の外方に長辺方向に延びるクランパを設
けた第３の実施形態の第３の具体例を示す平面図及び断
面図である。

【図１９】金型の周囲を取り囲む環状クランパを設けた
第３の実施形態の第４の具体例を示す平面図及び断面図
である。

【図２０】金型の外方にクランパとクランパを短辺方向
に付勢するバネとを設けた第３の実施形態の第５の具体
例を示す平面図である。

【図２１】金型の外方にクランパとクランパを短辺及び
長辺方向に付勢するバネとを設けた第３の実施形態の第
６の具体例を示す平面図である。

【図２２】互いに係合する凸部，凹部を上金型，下金型
にそれぞれ設けた第４の実施形態の第１の具体例を示す
斜視図及び断面図である。

【図２３】第４の実施形態の第２の具体例における曲線
状の凸部を有する上金型の下面図である。

【図２４】互いに係合する３列の凸部，凹部を上金型，
下金型にそれぞれ設けた第４の実施形態の第３の具体例
を示す断面図及び下金型の上面図である。

【図２５】第４の実施形態の第４の具体例における短い
直線状の凹部の複数列が千鳥状に配列された下金型の上
面図である。

【図２６】第４の実施形態の第５の具体例における小円
状の凹部の複数個が千鳥状に配列された下金型の上面図
である。

【図２７】第４の実施形態の第６の具体例における直線
状の凹部と小さな凹部とを有する下金型の上面図であ
る。

【図２８】互いに係合する凸部，凹部を上金型，下金型
にそれぞれ設けると共に、上金型に真空引き溝を設けた
第４の実施形態の第７の具体例を示す断面図である。

【図２９】第５の実施形態における樹脂封止方法を示す
断面図である。

【図３０】第６の実施形態における封止テープを連続的
に供給する装置を付設した樹脂封止装置および樹脂封止
工程を示す斜視図である。

【図３１】第６の実施形態における樹脂封止工程中の１
つの工程を示す断面図である。

【図３２】封止テープに張力を付与しない状態で樹脂封
止工程を行なったときの封止金型内の状態を示す断面
図、および形成される樹脂封止体の断面図である。

【図３３】封止テープに張力を付与した状態で樹脂封止
工程を行なったときの封止金型内の状態を示す断面図、
および形成される樹脂封止体の断面図である。

【図３４】裏面側に外部電極を有するタイプの従来の樹
脂封止型半導体装置の平面図及び断面図である。

【図３５】外部電極にボール電極を設けてスタンドオフ
高さを確保した従来の樹脂封止型半導体装置の断面図で
ある。

【図３６】従来の樹脂封止型半導体装置の製造工程にお
けるリードフレームを用意する工程を示す断面図であ
る。

【図３７】従来の樹脂封止型半導体装置の製造工程にお
けるダイパッド上に半導体チップを接合する工程を示す
断面図である。

【図３８】従来の樹脂封止型半導体装置の製造工程にお
ける金属細線を形成する工程を示す断面図である。

【図３９】従来の樹脂封止型半導体装置の製造工程にお
ける樹脂封止工程を示す断面図である。

【符号の説明】

１２ インナーリード １３ ダイパッド １４ 吊りリード １５ 半導体チップ １６ 金属細線 １７ 封止樹脂 １８ 外部電極 １９ ディプレス部 ２０ リードフレーム ２１ 封止テープ １０１ インナーリード １０２ 半導体チップ １０３ ダイパッド １０５ 金属細線 １０６ 封止テープ １０７ 封止樹脂 １１２ａ 上金型 １１２ｂ 下金型 １１３ 真空引き穴 １１４ 真空引き溝 １１５ 彫り込み部 １１６ 連結溝 １１７ 真空引き溝 １１８ 真空引き溝 １２１ａ 上金型 １２１ｂ 下金型 １２２ クランパ １２３ バネ １２４ 半導体製品成型部（ダイキャビティ） １２５ 封止テープ １２６ 駆動装置 １３１ａ 上金型 １３１ｂ 下金型 １３４ 半導体製品成型部（ダイキャビティ） １３５ 封止テープ １３９ 凸部 １４１ 凹部 １４２ ロール １４４ 封止樹脂流通路 １４６ 真空引き溝 １４７ 治具 １５１ａ 上金型 １５１ｂ 下金型 １５２ 封止テープ １５３ リードフレーム １５４ａ 樹脂タブレット １５４ｂ 樹脂カル １５５ 樹脂封止型半導体装置 １５６ａ 巻き出しロール １５６ｂ 巻き取りロール １５８ ピストン １５９ 回転ロール １６０ 半導体製品成形部 １６１ 封止樹脂流通路

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 安達 修 大阪府高槻市幸町１番１号 松下電子工 業株式会社内 (72)発明者 山田 恭裕 大阪府高槻市幸町１番１号 松下電子工 業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭63−228630（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−303229（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−268137（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) H01L 21/56 H01L 23/28 - 23/30

Claims (19)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 封止テープに対して半導体チップが搭載
   されたリードフレームの裏面を貼付し、かつ少なくとも
   前記リードフレームのインナーリードの下面に前記封止
   テープを密着させる工程と、複数の真空引き穴を有した
   第１の金型と第２の金型とよりなる封止金型において、
   前記封止テープが貼付されたリードフレームに対して樹
   脂封止し、少なくとも前記リードフレームの半導体チッ
   プが搭載された上面領域を樹脂封止する工程と、前記リ
   ードフレームの裏面に貼付した前記封止テープを除去す
   る工程とよりなる樹脂封止型半導体装置の製造方法であ
   って、前記樹脂封止する工程は、前記封止金型の第２の
   金型により前記インナーリードを前記封止テープに対し
   て押圧するとともに、封止金型の第１の金型には複数列
   で構成した溝と、それら溝内に複数の真空引き穴が設け
   られた第１の金型を用い、樹脂封止の際、前記複数列の
   溝の内、最外列の溝から順に内側に前記真空引き穴によ
   り真空引きして、前記封止テープを均一に延ばした状態
   で前記封止金型に封止樹脂を流し込んで樹脂封止するこ
   とを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
2. 【請求項２】 第１の金型と第２の金型とよりなる封止
   金型と半導体チップを搭載したリードフレームとを用意
   する第１の工程と、 封止テープを前記リードフレームの表面の一部に密着さ
   せながら前記封止金型に装着する第２の工程と、 前記封止テープに張力を与えながら封止テープを装着し
   た状態で前記半導体チップおよび前記リードフレームの
   少なくとも前記表面の一部を除く部分を封止樹脂内に封
   止する第３の工程とを備えている樹脂封止型半導体装置
   の製造方法であって、 前記第１の工程では、封止金型の第１の金型または第２
   の金型の少なくともいずれか一方の金型にダイキャビテ
   ィを有し、前記ダイキャピティを挟む少なくとも２カ所
   の領域に前記封止テープを挟持するためのクランパを設
   けておき、 前記第３の工程では、前記クランパによって前記封止テ
   ープを固定しておくこと により、前記封止テープに張力
   を与える ことを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造
   方法。
3. 【請求項３】 封止テープを挟持するためのクランパに
   対して、封止テープが引き延ばされる方向に付勢する付
   勢手段をさらに設けておくことを特徴とする請求項２に
   記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
4. 【請求項４】 第２の工程の前には、クランパにより、
   封止金型とは離れた場所で封止テープを保持しておき、 前記第２の工程では、前記クランパとともに前記封止テ
   ープを前記封止金型の位置まで移動させることを特徴と
   する請求項２または請求項３に記載の樹脂封止型 半導体
   装置の製造方法。
5. 【請求項５】 第１の金型および第２の金型の少なくと
   もいずれか一方にダイキャビティを有し、かつ、互いに
   係合する少なくとも１対の凸部および凹部を前記第１の
   金型，第２の金型の前記ダイキャビティを挟む少なくと
   も２カ所の領域において有する封止金型を準備してお
   き、 第３の工程では、前記第１の金型および第２の金型が接
   近したときに、前記凸部と凹部とが係合することにより
   封止テープに張力を付与することを特徴とする請求項２
   に記載の 樹脂封止型半導体装置の製造方法。
6. 【請求項６】 第１の工程では、凸部および凹部は互い
   に係合長さが異なり、かつその係合長さは最外方の凸部
   および凹部ほど大きい複数対だけ設けておき、第３の工
   程では、最外方の凸部および凹部の係合により引き延ば
   された封止テープが、その内方の凸部および凹部の係合
   によりさらに引き延ばされるように封止テープに張力を
   付与することを特徴とする請求項５に記載の樹脂封止型
   半導体装置の製造方法。
7. 【請求項７】 封止テープを複数枚使用することを特徴
   とする請求項２〜請求項６のいずれか１つに記載の樹脂
   封止型半導体装置の製造方法。
8. 【請求項８】 樹脂封止型半導体装置の製造工程におけ
   る樹脂封止工程で使用される第１の金型および第２の金
   型からなり第１の金型または第２の金型の少なくともい
   ずれか一方にダイキャビティを有する封止金型と、 前記樹脂封止型半導体装置の表面の一部を封止樹脂から
   露出させるための封止 テープに張力を与えるための張力
   付与手段とを備えている樹脂封止型半導体装置の製造装
   置であって、 前記張力付与手段は、前記ダイキャビティを挟む少なく
   とも２カ所の領域に設けられ、前記封止テープを挟持す
   るためのクランパであることを特徴とする樹脂封止型半
   導体装置の製造装置。
9. 【請求項９】 クランパは、封止テープを少なくとも２
   方向以上に延伸させるように移動する機能を有すること
   を特徴とする請求項８に記載の樹脂封止型半導体装置の
   製造装置。
10. 【請求項１０】 クランパに対して、封止テープが引き
    延ばされる方向に付勢する付勢手段をさらに備えている
    ことを特徴とする請求項８に記載の樹脂封止型半導体装
    置の製造装置。
11. 【請求項１１】 クランパは、封止テープを保持しつ
    つ、封止金型とは離れた場所から前記封止金型の位置ま
    で移動できる機能を有することを特徴とする請求項８〜
    １０のいずれか１つに記載の樹脂封止型半導体装置の製
    造装置。
12. 【請求項１２】 樹脂封止型半導体装置の製造工程にお
    ける樹脂封止工程で使用される第１の金型および第２の
    金型からなり第１の金型または第２の金型の少なくとも
    いずれか一方にダイキャビティを有する封止金型と、 前記樹脂封止型半導体装置の表面の一部を封止樹脂から
    露出させるための封止テープに張力を与えるための張力
    付与手段とを備えている樹脂封止型半導体装置の製造装
    置であって、 前記張力付与手段は、前記第１の金型，第２の金型にお
    いて前記ダイキャビティを挟む少なくとも２カ所の領域
    に設けられた互いに係合する少なくとも１対の凸部およ
    び凹部であることを特徴とする 樹脂封止型半導体装置の
    製造装置。
13. 【請求項１３】 凸部および凹部は互いに係合長さが異
    なるような複数対だけ設けられており、その係合長さは
    外方の凸部及び凹部ほど大きいことを特徴とする請求項
    １２に記載の樹脂封止型半導体装置の製造装置。
14. 【請求項１４】 第１の金型または第２の金型のダイキ
    ャビティは複数個設けられており、 凸部および凹部は、全てのダイキャビティを挟む外方領
    域と、前記各ダイキャビ ティ間の内方領域とに配置され
    ていることを特徴とする請求項１２または請求項１３に
    記載の 樹脂封止型半導体装置の製造装置。
15. 【請求項１５】 凸部または凹部の壁面には、滑り止め
    のための粗面処理が施されていることを特徴とする請求
    項１２〜請求項１４のいずれかに記載の樹脂封止型半導
    体装置の製造装置。
16. 【請求項１６】 凸部または凹部の壁面は滑りにくい材
    質で構成されていることを特徴とする請求項１２〜請求
    項１５のいずれかに記載の樹脂封止型半導体装置の製造
    装置。
17. 【請求項１７】 凹部には、真空引き装置に連結された
    真空穴が形成されていることを特徴とする請求項１２〜
    請求項１６のいずれかに記載の樹脂封止型半導体装置の
    製造装置。
18. 【請求項１８】 第１または第２の金型のうちいずれか
    一方における樹脂封止型半導体装置の表面の一部に対向
    する領域には、彫り込み部が設けられていることを特徴
    とする請求項８〜請求項１７のいずれかに記載の樹脂封
    止型半導体装置の製造装置。
19. 【請求項１９】 樹脂封止型半導体装置の製造工程にお
    ける樹脂封止工程で使用される第１の金型および第２の
    金型からなり第１の金型または第２の金型の少なくとも
    いずれか一方にダイキャビティを有する封止金型と、 前記樹脂封止型半導体装置の表面の一部を封止樹脂から
    露出させるための封止テープに張力を与えるための張力
    付与手段とを備えている樹脂封止型半導体装置の製造装
    置であって、 張力付与手段は、前記第１の金型および第２の金型の少
    なくともいずれか一方において前記ダイキャビティを挟
    む領域に設けられ、真空引き装置に連通されて前記封止
    テープを吸引するための真空引き用凹部であり、 前記真空引き用凹部は、前記ダイキャビティの周囲に設
    けられた複数の溝と前記複数の溝のうち最外方の溝にの
    み形成された真空引き装置に連通する真空穴とである こ
    とを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造装置。