JP2954148B1 - 樹脂封止型半導体装置の製造方法およびその製造装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置の製造方法およびその製造装置Info
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Abstract
封止テープを装着しながら樹脂封止を行なうに際し、封
止テープのシワの発生を抑制する。 【解決手段】 封止金型は上金型112aと下金型11
2bとからなり、下金型112bには、4つの真空引き
穴113及び各真空引き穴113間を連通させる真空引
き溝114が設けられている。下金型112bの上に封
止テープ106を載置し、その上に半導体チップ102
が搭載されたリードフレームを載置する。下金型112
bに形成された4ケ所の真空引き穴113を介して封止
テープ106を金型内で4方向に真空引きし、均一に延
ばして樹脂封止する。封止テープに張力を付与しながら
樹脂封止することにより、樹脂封止時の熱収縮による封
止テープのシワ発生を防止することができ、樹脂の裏面
が平坦になる。クランパや、凸部−凹部間の係合を利用
して封止テープに張力を付与してもよい。
Description
リードフレームを封止樹脂で封止した樹脂封止型半導体
装置の製造方法及びその製造装置に関するものであり、
特にその一部を封止樹脂から露出させるようにしたもの
の改良に関する。
に、電子機器に搭載される半導体部品を高密度に実装す
ることが要求され、それにともなって、半導体部品の小
型、薄型化が進んでいる。
て説明する。
装置の平面図であり、図34(b)は、従来の樹脂封止
型半導体装置の断面図である。
の樹脂封止型半導体装置は、裏面側に外部電極を有する
タイプの樹脂封止型半導体装置である。
リード201と、ダイパッド202と、そのダイパッド
202を支持する吊りリード203とよりなるリードフ
レームとを備えている。そして、ダイパッド202上に
半導体チップ204が接着剤により接合されており、半
導体チップ204の電極パッド(図示せず)とインナー
リード201とは、金属細線205により電気的に接続
されている。そして、ダイパッド202,半導体チップ
204,インナーリード201,吊りリード203及び
金属細線205は封止樹脂6により封止されている。こ
の構造では、インナーリード201の裏面側には封止樹
脂206は存在せず、インナーリード201の裏面側は
露出されており、この露出面を含むインナーリード20
1の下部が外部電極207となっている。
透明体として扱い、半導体装置の内部を透過して示して
いるが、図中、半導体チップ204は破線で示し、金属
細線205は図示を省略している。
実装基板に樹脂封止型半導体装置を実装する場合に、外
部電極と実装基板の電極との接合において必要な封止樹
脂206の裏面からのスタンドオフ高さを確保するため
に、図35に示すように、外部電極207に対して、半
田からなるボール電極209を設け、ボール電極209
によりスタンドオフ高さを確保して、実装基板上に実装
していた。
方法について、図面を参照しながら説明する。図36〜
図39は、従来の樹脂封止型半導体装置の製造工程を示
す断面図である。
ド201、ダイパッド202を有するリードフレーム2
10を用意する。なお、図中、ダイパッド202は吊り
リードによって支持されているものであるが、吊りリー
ドの図示は省略している。また、吊りリードにはディプ
レス部が形成され、ダイパッド202はアップセットさ
れている。なお、このリードフレーム210には、樹脂
封止の際、封止樹脂の流出を止めるタイバーが設けられ
ていない。
ドフレームのダイパッド202の上に半導体チップ20
4を接着剤により接合する。この工程は、いわゆるダイ
ボンド工程である。
202上に接合された半導体チップ204とインナーリ
ード201とを金属細線205により電気的に接続す
る。この工程は、いわゆるワイヤーボンド工程である。
金属細線205には、アルミニウム細線、金(Au)線
などが適宜用いられる。
02,半導体チップ204,インナーリード201,吊
りリード及び金属細線205を封止樹脂206により封
止する。この場合、半導体チップ204が接合されたリ
ードフレームが封止金型内に収納されて、トランスファ
ーモールドされるが、特にインナーリード201の裏面
が封止金型の上金型又は下金型に接触した状態で、樹脂
封止が行なわれる。
外方に突出しているインナーリード201の先端部21
1を切断する。この切断工程により、切断後のインナー
リード201の先端面と封止樹脂6の側面とがほぼ同じ
面上にあるようになり、インナーリード201の下部が
外部電極207となる。
造工程では、樹脂封止工程で、封止樹脂206がインナ
ーリード201の裏面側に回り込んで、樹脂バリ(樹脂
のはみ出し分)を形成する場合があることから、通常
は、樹脂封止工程の後、インナーリード201の切断工
程の前に、樹脂バリを吹き飛ばすためのウォータージェ
ット工程を導入している。
に、外部電極207の下面上に半田からなるボール電極
を形成し、樹脂封止型半導体装置とする。また、半田ボ
ールのかわりに半田メッキ層を形成する場合もあった。
樹脂封止型半導体装置では、半導体装置の裏面におい
て、外部電極207の下面と封止樹脂206との面がほ
ぼ同じ面上にあるので、封止樹脂206からのスタンド
オフ高さが得られない。そのために、半田等からなるボ
ール電極209を設けて、実装基板上に実装しなければ
ならず、効率的な実装を行なうことができないという課
題があった。
方法の樹脂封止工程においては、半導体チップが接合さ
れたリードフレームを封止金型内に収納し、下金型の面
にインナーリードを押圧して密着させて、樹脂封止して
いるが、それでも封止樹脂がインナーリードの裏面側に
回り込んで、外部電極の表面に樹脂バリ(樹脂のはみ出
し分)が発生するという課題があった。
バリ206aを吹き飛ばすためにウォータージェット工
程を導入していたが、このようなウォータージェット工
程には多大の手間を要し、樹脂封止型半導体装置の量産
工程における工程削減等の工程の簡略化の要請に反す
る。つまり、樹脂バリの発生は、そのような工程の簡略
化のための大きな阻害要因となっていた。また、ウォー
タージェット工程によって、樹脂バリだけでなく柔らか
い金属メッキも剥がれるという品質上の大きな問題が発
生するおそれもあった。
リードフレームの裏面への樹脂バリの発生を抑制し、あ
るいは外部電極の封止樹脂からのスタンドオフ高さを確
保しうる手段を講ずるとともに、そのような構造を有し
ながら外観や特性の良好な樹脂封止型半導体装置を得る
ための樹脂封止型半導体装置の製造方法及びその製造装
置を提供することである。
止型半導体装置の製造方法は、請求項1に記載されてい
るように、封止テープに対して半導体チップが搭載され
たリードフレームの裏面を貼付し、かつ少なくとも前記
リードフレームのインナーリードの下面に前記封止テー
プを密着させる工程と、複数の真空引き穴を有した第1
の金型と第2の金型とよりなる封止金型において、前記
封止テープが貼付されたリードフレームに対して樹脂封
止し、少なくとも前記リードフレームの半導体チップが
搭載された上面領域を樹脂封止する工程と、前記リード
フレームの裏面に貼付した前記封止テープを除去する工
程とよりなる樹脂封止型半導体装置の製造方法であっ
て、 前記樹脂封止する工程は、前記封止金型の第2の金
型により前記インナーリードを前記封止テープに対して
押圧するとともに、封止金型の第1の金型には複数列で
構成した溝と、それら溝内に複数の真空引き穴が設けら
れた第1の金型を用い、樹脂封止の際、前記複数列の溝
の内、最外列の溝から順に内側に前記真空引き穴により
真空引きして、前記封止テープを均一に延ばした状態で
前記封止金型に封止樹脂を流し込んで樹脂封止するもの
である。
止樹脂から確実に露出させたい部分がある場合に、第2
の工程でリードフレームのその部分に封止テープを密着
させておくことで、その部分が確実に封止樹脂から露出
した構造が実現する。そして、リードフレームのその部
分に樹脂バリが形成されることもないので、従来必要と
なっていたウォータージェット等の工程を不要とするこ
とができるので、製造工程の簡略化を図ることができ
る。また、この方法により、まず、封止テープが最外方
の溝に引っ張られて引き延ばされた後、封止テープがさ
らに内方の溝に引っ張られるので、より大きくかつ均一
な張力を封止テープに与えることができる。
金型と第2の金型とよりなる封止金型と半導体チップを
搭載したリードフレームとを用意する第1の工程と、封
止テープを前記リードフレームの表面の一部に密着させ
ながら前記封止金型に装着する第2の工程と、前記封止
テープに張力を与えながら封止テープを装着した状態で
前記半導体チップおよび前記リードフレームの少なくと
も前記表面の一部を除く部分を封止樹脂内に封止する第
3の工程とを備えている樹脂封止型半導体装置の製造方
法であって、前記第1の工程では、封止金型の第1の金
型または第2の金型の少なくともいずれか一方の金型に
ダイキャビティを有し、前記ダイキャピティを挟む少な
くとも2カ所の領域に前記封止テープを挟持するための
クランパを設けておき、前記第3の工程では、前記クラ
ンパによって前記封止テープを固定しておくことによ
り、前記封止テープに張力を与えるものである。
ることによって封止テープに張力が与えられる。
ランパによって封止テープに張力を与えるようにした樹
脂封止型半導体装置の製造方法において、封止テープを
挟持するためのクランパに対して、封止テープが引き延
ばされる方向に付勢する付勢手段をさらに設けておくこ
とにより、封止テープに張力を与えることができる。
て、より大きな張力を封止テープに与えることができ
る。
ランパによって封止テープに張力を与えるようにした樹
脂封止型半導体装置の製造方法において、第2の工程の
前には、クランパにより、封止金型とは離れた場所で封
止テープを保持しておき、前記第2の工程では、前記ク
ランパとともに前記封止テープを前記封止金型の位置ま
で移動させることができる。
間、封止テープが封止金型の熱と張力とによって過剰に
引き延ばされるのを防止することができる。
金型および第2の金型の少なくともいずれか一方にダイ
キャビティを有し、かつ、互いに係合する少なくとも1
対の凸部および凹部を前記第1の金型,第2の金型の前
記ダイキャビティを挟む少なくとも2カ所の領域におい
て有する封止金型を準備しておき、第3の工程では、前
記第1の金型および第2の金型が接近したときに、前記
凸部と凹部とが係合することにより封止テープに張力を
付与することができる。
とが接近して凸部−凹部が係合すると、封止テープがそ
の係合部分に引き込まれることによって封止テープに張
力が 与えられる。
部−凹部の係合によって封止テープに張力を与えるよう
にした樹脂封止型半導体装置の製造方法において、第1
の工程では、凸部および凹部は互いに係合長さが異な
り、かつその係合長さは最外方の凸部および凹部ほど大
きい複数対だけ設けておき、第3の工程では、最外方の
凸部および凹部の係合により引き延ばされた封止テープ
が、その内方の凸部および凹部の係合によりさらに引き
延ばされるように封止テープに張力を付与することがで
きる。
とが接近すると、最外方の凸部及び凹部の係合により引
き延ばされた封止テープが、その内方の凸部及び凹部の
係合によりさらに引き延ばされることで、大きくかつ均
一な張力を封止テープに与えることができる。
脂封止型半導体装置の製造方法おいて、封止テープを複
数枚使用することができる。
は、請求項8に記載されているように、樹脂封止型半導
体装置の製造工程における樹脂封止工程で使用される第
1の金型および第2の金型からなり第1の金型または第
2の金型の少なくともいずれか一方にダイキャビティを
有する封止金型と、前記樹脂封止型半導体装置の表面の
一部を封止樹脂から露出させるための封止テープに張力
を与えるための張力付与手段とを備えている樹脂封止型
半導体装置の製造装置であって、前記張力付与手段は、
前記ダイキャビティを挟む少なくとも2カ所の領域に設
けられ、前記封止テープを挟持するためのクランパであ
る樹脂封止型半導体装置の製造装置である。
テープを挟持しておくことで、封止 テープに張力を与え
ることができる。
パは、封止テープを少なくとも2方向以上に延伸させる
ように移動する機能を有する。
を与えることができる。
クランパを備えた樹脂封止型半導体装置の製造装置にお
いて、クランパに対して、封止テープが引き延ばされる
方向に付勢する付勢手段をさらに備えることが好まし
い。
クランパを備えた樹脂封止型半導体装置の製造装置にお
いて、クランパは、封止テープを保持しつつ、封止金型
とは離れた場所から前記封止金型の位置まで移動できる
機能を有することもできる。
長時間の間さらすことがないので、封止テープが過剰に
引き延ばされるのを回避することができる。
封止型半導体装置の製造装置は、樹脂封止型半導体装置
の製造工程における樹脂封止工程で使用される第1の金
型および第2の金型からなり第1の金型または第2の金
型の少なくともいずれか一方にダイキャビティを有する
封止金型と、前記樹脂封止型半導体装置の表面の一部を
封止樹脂から露出させるための封止テープに張力を与え
るための張力付与手段とを備えている樹脂封止型半導体
装置の製造装置であって、前記張力付与手段は、前記第
1の金型,第2の金型において前記ダイキャビティを挟
む少なくとも2カ所の領域に設けられた互いに係合する
少なくとも1対の凸部および凹部である樹脂封止型半導
体装置の製造装置である。
2の金型とが接近すると、凸部と凹 部の係合部に封止テ
ープが引っ張り込まれるので、封止テープに張力を与え
ることができる。
互いに係合する凸部および凹部を備えた樹脂封止型半導
体装置の製造装置において、凸部および凹部は互いに係
合長さが異なるような複数対だけ設け、その係合長さは
外方の凸部及び凹部ほど大きくしておくことができる。
テープに張力を与えることができるので、より大きくか
つ均一な張力を封止テープに与えることができる。
互いに係合する凸部および凹部を備えた樹脂封止型半導
体装置の製造装置において、第1の金型または第2の金
型のダイキャビティは複数個設けられており、凸部およ
び凹部は、全てのダイキャビティを挟む外方領域と、前
記各ダイキャビティ間の内方領域とに配置することがで
きる。
互いに係合する凸部および凹部を備えた樹脂封止型半導
体装置の製造装置において、凸部または凹部の壁面に
は、滑り止めのための粗面処理を施しておくことが好ま
しい。
テープを引っ張り込む作用を確実に奏することができ
る。
互いに係合する凸部および凹部を備えた樹脂封止型半導
体装置の製造装置において、凸部または凹部の壁面は滑
りにくい材質で構成しておくことが好ましい。
封止テープを引っ張り込む作用を確 実に奏することがで
きる。
互いに係合する凸部および凹部を備えた樹脂封止型半導
体装置の製造装置において、凹部には、真空引き装置に
連結された真空穴を形成しておくこともできる。
っ張り力に加えて真空引きによる引っ張り力によって封
止テープに張力を与えることができる。
封止型半導体装置の製造装置において、第1または第2
の金型のうちいずれか一方における樹脂封止型半導体装
置の表面の一部に対向する領域には、彫り込み部を設け
ておくこともできる。
り込み部の方に逃すことができるので、押圧力による封
止テープの凹み量を調整できる。すなわち、上記一部の
封止樹脂からの突出量を彫り込み部の深さによって調整
することができる。
封止型半導体装置の製造装置は、樹脂封止型半導体装置
の製造工程における樹脂封止工程で使用される第2の金
型および第1の金型からなり第2の金型または第1の金
型の少なくともいずれか一方にダイキャビティを有する
封止金型と、前記樹脂封止型半導体装置の表面の一部を
封止樹脂から露出させるための封止テープに張力を与え
るための張力付与手段とを備えている樹脂封止型半導体
装置の製造装置であって、張力付与手段は、前記第2の
金型および第1の金型の少なくともいずれか一方におい
て前記ダイキャビティを挟む領域に設けられ、真空引き
装置に連通されて前記封止テープを吸引するための真空
引き用凹部であり、前記真空引き用凹部は、前記ダイキ
ャビティの周囲に設けられた複数の溝と前記複数の溝の
うち最外方の溝にのみ形成された真空引き装置に連通す
る真空穴とである樹脂封止型半導体装置の製造装置であ
る。
プに張力を与えることができるので、より大きくかつ均
一な張力を封止テープに与えることができる。
きる本発明の樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
について説明する。
導体装置の構造例を示す平面図であり、図1(b)は、
図1(a)に示すIb−Ib線における断面図である。ただ
し、図1(a)においては封止樹脂17を透明体として
扱い、半導体チップ15は破線で示す輪郭を有するもの
としており、金属細線16の図示は省略している。
封止型半導体装置は、インナーリード12と、半導体チ
ップを支持するためのダイパッド13と、そのダイパッ
ド13を支持するための吊りリード14とよりなるリー
ドフレームを備えている。そして、ダイパッド13上に
半導体チップ15が接着剤により接合されており、半導
体チップ15の電極パッド(図示せず)とインナーリー
ド12とは、金属細線16により互いに電気的に接続さ
れている。そして、インナーリード12,ダイパッド1
3,吊りリード14,半導体チップ15及び金属細線1
6は、封止樹脂17内に封止されている。また、ダイパ
ッド13は、インナーリード12に対して上方に位置す
るように、吊りリード14のディプレス部19によりア
ップセットされている。そのため、封止樹脂17により
封止された状態では、封止樹脂17がダイパッド13の
裏面側にも薄く存在している。インナーリード12の下
面側には封止樹脂17は存在せず、インナーリード12
の下面が露出されており、このインナーリード12の下
面が実装基板との接続面となる。すなわち、インナーリ
ード12の下部が外部電極18となっている。また、こ
の外部電極18には本来的に樹脂封止工程における樹脂
のはみ出し部分である樹脂バリが存在せず、かつこの外
部電極18は封止樹脂17の裏面よりも下方に少し突出
している。このような樹脂バリの存在しないかつ下方に
突出した外部電極18の構造は、後述する製造方法によ
って容易に実現できる。
ンナーリード12の側方にはアウターリードが存在せ
ず、インナーリード12の下部が外部電極18となって
いるので、半導体装置の小型化を図ることができる。し
かも、インナーリード12の下面つまり外部電極18の
下面には樹脂バリが存在していないので、実装基板の電
極との接合の信頼性が向上する。また、外部電極18が
封止樹脂17の面より突出して形成されているため、実
装基板に樹脂封止型半導体装置を実装する際の外部電極
と実装基板の電極との接合において、外部電極18のス
タンドオフ高さが予め確保されていることになる。した
がって、外部電極18をそのまま外部端子として用いる
ことができ、従来のように、実装基板への実装のために
外部電極18に半田ボールを付設する必要はなく、製造
工数、製造コスト的に有利となる。
ついて、図面を参照しながら説明する。図2〜図7は、
本発明の樹脂封止型半導体装置の製造工程の一例を示す
断面図である。
12と、半導体チップを支持するためのダイパッド13
とが設けられているリードフレーム20を用意する。図
中、ダイパッド13は吊りリードによって支持されてい
るが、この断面には現れないために図示されていない。
また、吊りリードにはディプレス部が形成され、ダイパ
ッド13はインナーリード12の面よりも上方にアップ
セットされているものである。さらに、用意するリード
フレーム20は、樹脂封止の際、封止樹脂の流出を止め
るタイバーを設けていないリードフレームである。
フレームのダイパッド上に半導体チップ15を載置し
て、接着剤により両者を互いに接合する。この工程は、
いわゆるダイボンド工程である。なお、半導体チップを
支持する部材としてはリードフレームに限定されるもの
ではなく、他の半導体チップを支持できる部材、例えば
TABテープ、基板を用いてもよい。
3上に接合した半導体チップ15とインナーリード12
とを金属細線16により電気的に接合する。この工程
は、いわゆるワイヤーボンド工程である。金属細線とし
ては、アルミニウム細線、金(Au)線などを適宜選択
して用いることができる。また、半導体チップ15とイ
ンナーリード12との電気的な接続は、金属細線16を
介してでなくバンプなどを介して行なってもよい。
のダイパッド13上に半導体チップ15が接合された状
態で、インナーリード12の裏面側に封止テープ21を
貼り付ける。
ド12の裏面側に樹脂封止時に封止樹脂が回り込まない
ようにするマスク的な役割を果たさせるためのものであ
り、この封止テープ21の存在によって、インナーリー
ド12の裏面に樹脂バリが形成されるのを防止すること
ができる。このインナーリード12等に貼り付ける封止
テープ21は、ポリエチレンテレフタレート,ポリイミ
ド,ポリカーボネートなどを主成分とする樹脂をベース
としたテープであり、樹脂封止後は容易に剥がすことが
でき、また樹脂封止時における高温環境に耐性があるも
のであればよい。ここでは、ポリエチレンテレフタレー
トを主成分としたテープを用い、厚みは50[μm]と
した。
リードフレームのインナーリード12の面にのみ密着し
た状態でリードフレームの裏面側全体に亘って貼り付け
られており、吊りリードのディプレス部によりアップセ
ットされたダイパッド13の裏面には密着していない
が、ダイパッド13の裏面に密着させ、樹脂封止工程の
後に封止テープ21を剥がすことでダイパッド13の裏
面を露出させ、放熱特性の向上をねらってもよい。
5が接合され、封止テープ21が貼り付けられたリード
フレームを金型内に収納し、金型内に封止樹脂17を流
し込んで樹脂封止を行う。この際、インナーリード12
の裏面側に封止樹脂17が回り込まないように、金型で
リードフレームのインナーリード12の先端部分22を
下方に押圧して、樹脂封止する。また、インナーリード
12の裏面側の封止テープ21面を金型面側に押圧して
樹脂封止を行う。
ド12の裏面に貼付した封止テープ21をピールオフに
より除去し、封止樹脂17の裏面より突出した外部電極
18を形成する。そして、インナーリード12の先端部
22を、インナーリード12の先端面と封止樹脂17の
側面とがほぼ同一面になるように切り離すことにより、
図7に示すような樹脂封止型半導体装置が完成される。
す樹脂封止型半導体装置の部分裏面図である。同図に示
すように、ここでは、封止テープ21をリードフレーム
の裏面に貼付した樹脂封止工程を行なっているので、イ
ンナーリード12の裏面や側面、すなわち外部電極18
の表面上における樹脂バリの発生を防止することができ
る。また、従来の製造方法のごとく、封止樹脂17が外
部電極18の表面に回り込み、外部電極18の一部が封
止樹脂17内に埋没することを防止することができる。
の前に予めインナーリード12の裏面に封止テープ21
を貼付しているので、封止樹脂17が回り込むことがな
く、外部電極となるインナーリード12の裏面には樹脂
バリの発生はない。したがって、インナーリードの下面
を露出させる従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法の
ごとく、インナーリード上に形成された樹脂バリをウォ
ータージェットなどによって除去する必要はない。すな
わち、この樹脂バリを除去するための面倒な工程の削除
によって、樹脂封止型半導体装置の量産工程における工
程の簡略化が可能となる。また、従来、ウォータージェ
ットなどによる樹脂バリ除去工程において生じるおそれ
のあったリードフレームのニッケル(Ni),パラジウ
ム(Pd),金(Au)などの金属メッキ層の剥がれは
解消できる。そのため、樹脂封止工程前における各金属
層のプリメッキが可能となる。
た外部電極18は、封止樹脂17より突出しているの
で、従来のように半田ボールを付設することなく、外部
電極18をそのまま外部端子として用いることができ
る。
おいては、溶融している封止樹脂の熱によって封止テー
プ21が軟化するとともに熱収縮するので、インナーリ
ード12が封止テープ21に大きく食い込み、インナー
リード12の裏面と封止樹脂17の裏面との間には段差
が形成される。したがって、インナーリード12の裏面
は封止樹脂17の裏面から突出した構造となり、インナ
ーリード12の下部である外部電極18のスタンドオフ
高さを確保できる。そのため、この突出した外部電極1
8をそのまま外部端子として用いることができることに
なる。
脂17の裏面との間の段差の大きさは、封止工程前に貼
付した封止テープ21の厚みによりコントロールするこ
とができる。本発明では、50[μm]の封止テープ2
1を用いているので、段差の大きさつまり外部電極18
の突出量は、一般的にはその半分程度であり最大50
[μm]である。すなわち、封止テープ21がインナー
リード12の裏面よりも上方に入り込む量が封止テープ
21の厚さ分で定まることから、外部電極18の突出量
を封止テープ21の厚みによりセルフコントロールで
き、製造の容易化を図ることができる。この外部電極1
8の突出量を管理するためには、量産工程で封止テープ
21の厚みを管理するだけでよく、別工程を設ける必要
がないので、本発明の製造方法は、工程管理のコスト上
きわめて有利な方法である。なお、貼付する封止テープ
21については、所望とする段差の大きさに合わせて、
材質の硬度、厚み、および熱による軟化性を決定するこ
とができる。
封止型半導体装置において、ダイパッド13の裏面側に
封止樹脂17が存在しているものの、その厚みはダイパ
ッド13のアップセット量に等しく極めて薄い。したが
って、この樹脂封止型半導体装置は、実質的には片面封
止型の半導体装置である。
止テープ21をリードフレームのインナーリード12の
下面に貼付した例を示したが、このような貼り付ける方
法ではなく、封止テープ21を封止金型にセットし、そ
の上にリードフレーム12を密着させてもよい。この場
合は、後述するように、封止テープの封止金型へのリー
ル供給が可能となり、さらなる工程の合理化となる。
封止テープを貼付して樹脂封止を行なう製造方法の例を
示したが、本発明の方法は、リードフレームを備えてい
る半導体装置に限定されるものではない。本発明の基本
的な概念である樹脂封止工程で封止テープを用いる方法
は、広く半導体チップを搭載し、樹脂封止される部材を
有する半導体装置の樹脂封止工程に適用できるものであ
り、TABタイプ、基板タイプなどの半導体装置の樹脂
封止工程に適用できる。
る。以下の各実施形態では、樹脂封止型半導体装置のシ
ワの発生を防止するための樹脂封止方法と樹脂封止装置
とについて、図面を参照しながら説明する。
をなくすようにした第1の実施形態に係る各具体例につ
いて説明する。
止型半導体装置の製造方法で使用する封止用金型(下金
型)の平面図であり、図9(b)は図9(a)の中央線
における樹脂封止の状態を示す断面図である。
形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法においては、ま
ず、インナーリード101とダイパッド103とを有す
るリードフレームを用意し、ダイパッド103上に半導
体チップ102をダイボンド材により接合させ、半導体
チップ102上の電極パッド(図示せず)とインナーリ
ード101とを金属細線105を介して電気的に接続す
る。また、上金型112aと、4カ所の真空引き穴11
3及び各真空引き穴113間を連通させるための真空引
き溝114を有する下金型112bとからなる封止金型
112を用意する。そして、封止金型112の下金型1
12bの上に封止テープ106を載置し、その上に半導
体チップ102が搭載されたリードフレームを載置す
る。この状態では、リードフレームのインナーリード1
01の裏面に封止テープ106が接触している。
下金型112bとを合わせる。この時、上金型112a
の周縁部の下面と封止テープ106の上面とが接触した
状態となる。そして、上金型112aを押圧するととも
に、真空引き装置(図示せず)により、下金型112b
に形成された4ケ所の真空引き穴113を介して封止テ
ープ106を金型内で4方向に真空引きし、均一に延ば
した状態を維持する。この状態で樹脂封止工程を行なう
ことにより、樹脂封止時の熱収縮による封止テープ10
6のシワ発生を防止することができる。その結果、樹脂
成形された樹脂封止型半導体装置の樹脂の裏面が平坦に
形成される。
メカニズムについて、さらに詳細に説明する。樹脂封止
の際、封止テープ106が熱収縮を起こし、縮まろうと
する作用に対して、真空引き穴113から真空引きを行
なうことで、封止テープ106が各真空引き穴113の
方向に引っ張られる。このように、封止テープ106に
延張状態を与えることにより、封止テープ106の収縮
が抑制されて、シワの発生が防止される。したがって、
形成された樹脂封止型半導体装置の裏面において、封止
テープ106と接していた封止樹脂107の面が平坦に
なっている。
の真空引き穴113につながる真空引き溝114は、封
止テープ106の伸び率を考慮して、その溝の深さや幅
を形成することが望ましい。
き穴から個別に封止テープを引っ張ることによっても、
封止テープのシワの発生を防止する効果を発揮すること
ができる。
ムに半導体チップを接合し、ワイヤーボンドする方法に
ついては、従来と同様なため図面を用いた説明は省略し
ている。
の製造方法によれば、封止テープをリードフレーム等に
密着させて樹脂封止する際、封止金型内にほぼ均等な間
隔で設けた複数の真空引き穴を介して封止テープを吸着
し、その封止テープを均一に引っ張った状態で樹脂封止
することにより、封止テープの厚みが薄い場合、熱収縮
によるシワの発生が少なくでき、樹脂封止後の樹脂封止
型半導体装置の裏面の樹脂部が平坦に形成可能となる。
特に、真空引き溝を設けることにより、より均一な引っ
張り力を封止テープに与えることができる。
を形成して、この真空引き穴を介して封止テープを引っ
張りながら樹脂封止工程を行なう方法や後述の各実施形
態の方法は、上記図1(a),(b)に示す構造を有す
る半導体装置だけでなく、各種構造を有する半導体装置
にも適用できる。ただし、封止テープを上金型に密着さ
せる必要がある場合には、上金型に真空引き穴を形成
し、この真空引き穴を介して封止テープを引っ張ること
になる。
空引き溝又は真空引き穴を複数列設けた各種の具体例に
ついて説明する。
b,114cと、各真空引き溝114a,114b,1
14c内に形成された真空引き穴113a,113b,
113cとが設けられた第2の具体例に係る下金型11
2bの上面図である。このような場合、各真空引き穴1
13a,113b,113cから同時に真空引きを行な
ってもよいが、まず最外方の真空引き穴113aから真
空引きを行なって封止テープを引き延ばした後、中間の
真空引き穴113bから真空引きを行ない、最後に最内
方の真空引き穴113cから真空引きを行なうことで漸
次封止テープを強く引き延ばすというように、3段階の
真空引きを行なうようにしてもよい。この段階的な真空
引きを行なうことにより、より均一で大きな引っ張り力
を封止テープに印加することができるという利点があ
る。
b,114cと、真空引き溝114a−114b間を連
結する連結溝116aと、真空引き溝114b−114
c間を連結する連結溝116bと、最外方の真空引き溝
114aに形成された真空引き穴113とが設けられた
第3の具体例に係る下金型112bの上面図である。こ
の場合、真空引き穴113から真空引きを行なうと、最
外方の溝114aから順次真空度が高くなる。したがっ
て、真空引きのタイミングをずらせるための制御を行な
わなくても、段階的な真空引きと同じ効果を発揮するこ
とができる。
117a,117b,117cと、各真空引き溝117
a,117b,117c内に形成された真空引き穴11
3a,113b,113cとが設けられた第4の具体例
に係る下金型112bの上面図である。図12に示す構
造によっても、封止テープに引っ張り力を与えることが
できる。その場合、上述のように、最外方の真空引き穴
113aから順次3段階の真空引きを行ってもよい。あ
るいは、図11に示すような連結溝を設け、最外方の真
空引き溝117aに真空引き穴を形成して、この真空引
き穴から真空引きを行なってもよい。いずれの場合に
も、上記環状の真空引き溝を設けた構造について説明し
たと同様の効果を発揮することができる。
118a,118b,118cと、各真空引き溝118
a,118b,118c内に形成された真空引き穴11
3a,113b,113cとが設けられた第5の具体例
に係る下金型112bの上面図である。図13に示す構
造によっても、封止テープに引っ張り力を与えることが
できる。その場合、上述のように、外方の真空引き穴1
13aから順次2段階の真空引きを行ってもよい。ある
いは、図11に示すような連結溝を設け、外方の真空引
き溝117aに真空引き穴を形成して、この真空引き穴
から真空引きを行なってもよい。いずれの場合にも、上
記環状の真空引き溝を設けた構造について説明したと同
様の効果を発揮することができる。
に真空引き溝や真空引き穴を設けた例について説明した
が、上金型112aに真空引き溝や真空引き穴を設けて
もよいことはいうまでもない。さらに、上金型112a
及び下金型112bの双方に真空引き溝や真空引き穴を
設けてもよい。
装置の製造方法について説明する。本実施形態では、特
にインナーリードの下方において封止テープに加わる押
圧力を逃すための工夫について説明する。図14は、本
実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の製造方法におけ
る樹脂封止状態を示す断面である。また、図15は、本
実施形態で用いられる下金型112bの上面図である。
施形態と同じ部材については、図9(b)と同じ符号を
付してその説明を省略する。本実施形態では、上述の第
1の実施形態における図9(b)に示す構造に加えて、
下金型112bの上面のうちインナーリード101の下
方に位置する領域には、彫り込み部115が所望とする
深さで形成されている。インナーリード101の下方に
彫り込み部115を有する下金型112bを用いること
により、樹脂封止の際、封止テープ106の一部がその
彫り込み部115に逃げ込むので、各インナーリード1
01間に形成されやすい深い溝を浅く抑制することがで
きる。さらには、インナーリード101の側面部と封止
樹脂107との密着面積を多くすることができ、インナ
ーリード101と封止樹脂107との密着強度を増大さ
せることができる。
テープ106の厚みに応じて適宜定められる。封止テー
プ106の厚み以上であると、インナーリード101に
ほとんど圧力が加わらないので、樹脂封止工程の終了後
におけるインナーリード101の突出量がほとんどなく
なる。一方、彫り込み部115の深さが0に近くなる
と、上述のようにインナーリード101の突出量が大き
くなりすぎて、本実施形態の実効が図れないと同時に、
各インナーリード101間に深い溝が出現しやすくな
る。それで、封止テープ106が25μm前後のとき
は、彫り込み部115はほとんど必要ないが、封止テー
プの厚みが30μm〜80μm程度の場合には、封止テ
ープ106の厚みと彫り込み部115の深さとの差が2
5μm前後であることが好ましい。
実施形態だけではなく、既に説明した各実施形態及び後
述の各実施形態にも適用できるものである。
テープを両側から引っ張りながら樹脂封止工程を行なう
ようにした第3の実施形態について、図16〜図21を
参照しながら説明する。
ランパによって封止テープに引っ張り力を与えるように
した第1の具体例を示す平面図及び断面図である。図1
6(a),(b)に示すように、樹脂封止型半導体装置
の封止装置および封止金型は、上金型121aと、上金
型121aに設置されたクランパ122aと、下金型1
21bと、下金型121bに設けられた半導体製品成型
部124(ダイキャビティ)と、封止テープ125と、
上金型121aと下金型121bとの間に圧力を印加す
るための駆動装置126よりなり、封止テープ125が
上金型121aの下面とクランパ122aとの間に挟ま
れて固定される構造となっている。なお、下金型121
bには、クランパ122aとの緩衝を回避するための逃
げ部が設けられている。
(a),(b)に示す部材と同じ部材については、同じ
符号を付して説明を省略する。
121bの外方にクランパ122bを設け、このクラン
パ122bが金型121a,121bとは独立して移動
できるように構成した第2の具体例を示す平面図及び断
面図である。
るクランパ122cを設け、このクランパ122cが金
型121a,121bとは独立して移動できるように構
成した第3の具体例を示す平面図及び断面図である。
方に金型121a,121bの周囲を取り囲む環状のク
ランパ122dを設け、このクランパ122dが金型1
21a,121bとは独立して移動できるように構成し
た第4の具体例を示す平面図及び断面図である。
例と同じ構造を有するクランパ122bを設け、このク
ランパ122bが金型121a,121bとは独立して
移動できるように構成するとともに、クランパ122b
を短辺方向に平行な方向かつ外方に付勢するバネ123
を設けた第5の具体例を示す平面図である。なお、各ク
ランパ122bに2つのバネを設け、クランパ122b
を四方に付勢するように構成してもよい。
延びる第3の具体例と同じ構造を有するクランパ122
cを設け、このクランパ122cが金型121a,12
1bとは独立して移動できるように構成するとともに、
クランパ122cを短辺方向に平行な方向かつ外方に付
勢するバネ123を設けた第6の具体例を示す平面図で
ある。
止テープ125に引っ張り力を与えることができ、樹脂
封止工程における封止テープ125のシワの発生、ひい
ては封止樹脂における凹凸模様の発生を防止することが
できる。特に、クランパを外方に付勢するバネが付設さ
れている場合には、より効果的に引っ張り力を封止テー
プに与えることができる。なお、クランパを外方に付勢
する手段としては、バネに限定されるものではなく、ゴ
ム等の他の弾性体を使用してもよいことはいうまでもな
い。
クランパを保持した機構が封止金型から離れた位置から
封止金型の近傍に移動できる機能を付加しておいて、封
止テープが上金型及び下金型の熱的な影響を受けない幾
分離れた場所でクランパにより挟み固定された後、上金
型121aあるいは下金型121bに供給されるように
してもよい。
凹部と凸部とを設けておき、樹脂封止の際に封止テープ
をこの凹部と凸部の間で挟むことにより、封止テープに
引っ張り力を与えるようにした実施形態である第4の実
施形態の各具体例について、図22〜図27を参照しな
がら説明する。
具体例を示す斜視図及び断面図である。ただし、図22
(b)は、図22(a)に示す凸部139a及び凹部1
41aに直交する方向の中央部における断面図である。
図22(a),(b)に示すように、上金型131aに
は金型合わせ面から鉛直方向に突出した凸部139aが
形成されている一方、下金型131bには上金型131
aの凸部139aに係合可能な凹部141aが形成され
ている。下金型131bには、半導体製品成型部134
が設けられている。
に降ろされて下金型131bに近づくと、封止テープ1
35が互いに係合する凸部139aと凹部141aとの
間に挟まれる。上金型131aがさらに下方に降ろされ
ると、封止テープ135が凸部139aと凹部141a
との間に引き込まれていくので、封止テープ135が少
なくとも2方向以上に引き延ばされることになる。
面図である。この具体例では、上金型121aには直線
状ではなく曲線状の凸部139bが設けられている。ま
た、下金型の構造を示す図は省略するが、下金型にはこ
の凸部139bに係合可能な曲線状の凹部が設けられて
いる。このような構造によっても、上記第1の具体例と
同様の作用により、封止テーブを引き延ばすことができ
る。
具体例を示す断面図及び下金型の上面図である。ただ
し、図24(a)は、図24(b)に示す凹部141c
に直交する方向の中央部における断面図である。この具
体例では、上金型131aには、金型合わせ面から鉛直
方向に突出した3列の凸部139cが形成されている。
ただし、この3列の凸部139cは、最外方から順に高
さが小さくなっている。一方、下金型131bには上金
型131aの凸部139cが係合可能な深さを有する3
列の凹部141aが形成されている。つまり、外方の凸
部139cと凹部141cほど係合長さが大きいことに
なる。また、下金型131bには、半導体製品成型部1
34が設けられている。なお、封止テープ135を引っ
張るための付勢手段としてのロール142も付設されて
いるが、このロール142は必ずしも必要ではない。
139c及び凹部141cを設け、各凸部139cの高
さ及び各凹部141cの深さを最外方に向かうほど高く
あるいは深く形成しておくことにより、最外方の凸部−
凹部の係合によって引き延ばされた封止テープが順次そ
の内方の凸部−凹部の係合により引き延ばされる。つま
り、封止テープ135を段階的に強度を増しながら引っ
張っていくことができるので、より効果的に封止テープ
135を引き延ばすことができる。
面図である。この具体例では、下金型131bに、短い
直線状の凹部141dの複数列を千鳥状に配列してい
る。ただし、各凹部141dの深さは最外方に向かうほ
ど深くなっている。上金型の構造を示す図は省略する
が、上金型にはこの凹部141dに係合可能な複数列の
凸部が設けられている。このような構造によっても、上
記第3の具体例と同様の作用により、封止テーブを効果
的に引き延ばすことができる。
面図である。この具体例では、下金型131bに、小円
状の凹部141eの複数個を千鳥状に配列している。た
だし、各凹部141eの深さは最外方に向かうほど深く
なっている。上金型の構造を示す図は省略するが、上金
型にはこの凹部141eに係合可能な複数個の凸部が設
けられている。このような構造によっても、上記第3の
具体例と同様の作用により、封止テーブを効果的に引き
延ばすことができる。
面図である。この具体例では、下金型131bに複数の
半導体製品成型部134が設けられている場合に、下金
型131bの長辺方向の端部には長辺方向に延びる長い
直線状の凹部141gを設け、各半導体製品成型部13
4間の領域には小さな凹部141fを設けている。上金
型の構造を示す図は省略するが、上金型にはこの凹部1
41f,141gに係合可能な凸部が設けられている。
なお、144は各半導体製品成型部134に封止樹脂を
供給するための封止樹脂流通路である。この場合には、
各半導体製品成型部134の四方から封止テープ135
を引き延ばすことができるので、1度の樹脂封止工程に
よって多数個の半導体装置の樹脂封止を行なう場合に特
に有効である。半導体装置の実際の樹脂封止工程に使用
される金型には、封止金型には極めて多数のダイキャビ
ティが設けられているので、この具体例の構造は、極め
て大きな効果を発揮することができる。
る。この具体例では、上金型131aには凹部141h
が設けられ、下金型131bには上金型131aの凹部
141hに係合する凸部139hが形成されている。そ
して、上金型131aの下面において、封止テープ13
5を引っ張るための真空引き溝146が凹部141hを
取り囲むように形成されている。なお、下金型131b
に、半導体製品成型部134が設けられている。
形成領域の内方、内周、外周あるいは外方に真空引きを
目的とした真空引き溝146を設けるにより、さらに効
果的に封止テープ135を引き延ばすことができる。
を形成しておき、凸部−凹部間の係合効果と真空引き作
用との双方により効果的に封止テープに張力を与えるこ
ともできる。
139および凹部141は封止テープ135の滑りを防
止するため表面を梨地加工するか、もしくは滑りにくい
材料、たとえばシリコンゴムで形成されているのが望ま
しい。
用いることにより、封止テープのシワを防止するように
した第5の実施形態について、図29を参照しながら説
明する。図29は、第5の実施形態における樹脂封止方
法を示す断面図である。
準備され、平坦な治具147に封止テープ135を貼付
した後、上金型131aに転写する。これによっても、
封止テープ135のシワを可及的に防止することができ
る。
クランパ機能、凹凸形状、真空引き機能などを組み合わ
せた封止装置および封止金型を用いることで、さらに絶
大なる効果が得られることは言うまでもない。
施形態では、樹脂封止型半導体装置のシワ防止を防止す
るための封止テープを連続的に供給する方法と、封止テ
ープ供給装置を付設した樹脂封止装置とについて、図面
を参照しながら説明する。
ける封止テープの供給装置を付設した樹脂封止装置およ
び樹脂封止工程を示す斜視図である。また、図31は、
樹脂封止工程中の1つの工程を示す断面図である。
金型151aと下金型151bとからなり、下金型15
1bには、多数の半導体製品成型部160(ダイキャビ
ティ)と、各半導体製品成型部155に封止樹脂を供給
するための封止樹脂流通路161とが設けられている。
また、巻き出しロール156aと巻き取りロール156
bとの間で一定の張力を加えながら、連続的に封止テー
プ152の巻き出しと巻き取りとを行なうことが可能に
構成されている。
の半導体チップを搭載したリードフレーム153が下金
型151bの半導体製品成型部160に供給され、樹脂
タブレット154aが下金型151bの封止樹脂供給部
に投入される。
金型151aと下金型151bとが型締めされ、ピスト
ン158により下方から溶融した封止樹脂が各半導体製
品成型部160に供給されて、樹脂封止型半導体装置1
55が射出成形される。そして、射出成形が終了する
と、下金型151bが開く。
図30(c)に示す樹脂カル154bと樹脂封止型半導
体装置155から封止テープ152が引き離される。ま
た、封止テープ152のうち、この樹脂封止工程で使用
された部分は巻き取りロールー156bに巻き取られ、
次の樹脂封止工程で使用する部分は巻き出しロール15
6aから供給される。その間に、樹脂カル154bと樹
脂封止型半導体装置155とは、下金型151bから取
り出される。
6aと巻き取りロール156bとの間で、連続的に封止
テープ152を供給することにより、封止テープを用い
た樹脂封止工程を迅速に行なうことができ、生産効率の
向上を図ることができる。また、巻き出しロール156
aと巻き取りロール156bとに回転力を加えること
で、封止テープ152に適正な張力を与えることがで
き、樹脂封止工程における封止テープ152のシワの発
生を抑制することができる。
ることによる効果について、さらに詳細に説明する。
力を付与しない状態で樹脂封止工程を行なったときの封
止金型内の状態を示す断面図、および形成される樹脂封
止体の断面図である。また、図33(a),(b)は、
封止テープ152に張力を付与した状態で樹脂封止工程
を行なったときの封止金型内の状態を示す断面図、およ
び形成される樹脂封止体の断面図である。ただし、図3
2(a)および図33(a)では、樹脂封止体と同じ上
下関係で表示するために、上記各実施形態に示す状態と
は上下を逆にして表示している。また、図32(a),
(b)において図1(a),(b)と同じ符号で示す部
材は既に説明したとおりである。
を行なうと、封止テープには、図32(a)に示すよう
なシワや、たるみ,破れなどが生じることがある。そし
て、このシワなどが生じると、それがそのまま封止樹脂
17に転写されるので、樹脂封止工程の終了後の取り出
された樹脂封止体の封止樹脂17の裏面には、図32
(b)に示すようなくぼみなどが発生するおそれがあっ
た。このようなくぼみが発生すると、外観が損なわれる
だけでなく、封止されている部材の一部が露出したり、
封止樹脂17のクラックが生じるなどのおそれがある。
脂封止工程において封止テープに張力を付与しながら封
止金型に装着することにより、図33(a)に示すよう
に封止テープにシワやたるみなどが発生するのを抑制す
ることができる。そして、樹脂封止工程の終了後に取り
出された樹脂封止体の封止樹脂17の裏面にくぼみなど
が発生しないので、外観的にも特性的にも良好な樹脂封
止型半導体装置が得られる。すなわち、不良率の低減に
よる歩留まりの向上を図ることができる。
できる。例えば、上面側と下面側に装着したり、一方の
側に複数枚装着したりすることができる。
法又はその製造装置によると、封止テープを装着した状
態で半導体チップ及びリードフレームを封止樹脂内に封
止する際に、封止テープに張力を付与するようにしたの
で、封止テープにおけるシワの発生を防止しながら、封
止テープが密着していた部分を封止樹脂から露出させた
構造を有し、かつシワの転写に起因する封止樹脂のくぼ
みなどのない樹脂封止型半導体装置の製造を図ることが
できる。
の封止樹脂を透過して示す平面図及び断面図である。
の製造工程におけるリードフレームを用意する工程を示
す断面図である。
の製造工程におけるダイパッド上に半導体チップを接合
する工程を示す断面図である。
の製造工程における金属細線を形成する工程を示す断面
図である。
の製造工程における封止テープをリードフレームの下に
敷く工程を示す断面図である。
の製造工程における樹脂封止工程を示す断面図である。
の製造工程におけるインナーリードの先端カット工程の
終了後の樹脂封止型半導体装置の断面図である。
の製造工程によって形成された樹脂封止型半導体装置の
部分裏面図である。
係る樹脂封止型半導体装置の製造方法で使用する封止用
金型の下金型の平面図、及び図9(a)の中央線におけ
る樹脂封止の状態を示す断面図である。
する第1の実施形態の第2の具体例に係る封止金型の下
金型の上面図である。
穴とを有する第1の実施形態の第3の具体例に係る封止
金型の下金型の上面図である。
き穴とを有する第1の実施形態の第4の具体例に係る封
止金型の下金型の上面図である。
き穴とを有する第1の実施形態の第5の具体例に係る封
止金型の下金型の上面図である。
の製造方法における樹脂封止状態を示す断面図である。
り込み部とを有する下金型の上面図である。
第1の具体例を示す平面図及び断面図である。
第3の実施形態の第2の具体例を示す平面図及び断面図
である。
けた第3の実施形態の第3の具体例を示す平面図及び断
面図である。
第3の実施形態の第4の具体例を示す平面図及び断面図
である。
に付勢するバネとを設けた第3の実施形態の第5の具体
例を示す平面図である。
長辺方向に付勢するバネとを設けた第3の実施形態の第
6の具体例を示す平面図である。
にそれぞれ設けた第4の実施形態の第1の具体例を示す
斜視図及び断面図である。
状の凸部を有する上金型の下面図である。
下金型にそれぞれ設けた第4の実施形態の第3の具体例
を示す断面図及び下金型の上面図である。
直線状の凹部の複数列が千鳥状に配列された下金型の上
面図である。
状の凹部の複数個が千鳥状に配列された下金型の上面図
である。
状の凹部と小さな凹部とを有する下金型の上面図であ
る。
にそれぞれ設けると共に、上金型に真空引き溝を設けた
第4の実施形態の第7の具体例を示す断面図である。
断面図である。
に供給する装置を付設した樹脂封止装置および樹脂封止
工程を示す斜視図である。
つの工程を示す断面図である。
止工程を行なったときの封止金型内の状態を示す断面
図、および形成される樹脂封止体の断面図である。
工程を行なったときの封止金型内の状態を示す断面図、
および形成される樹脂封止体の断面図である。
脂封止型半導体装置の平面図及び断面図である。
高さを確保した従来の樹脂封止型半導体装置の断面図で
ある。
けるリードフレームを用意する工程を示す断面図であ
る。
けるダイパッド上に半導体チップを接合する工程を示す
断面図である。
ける金属細線を形成する工程を示す断面図である。
ける樹脂封止工程を示す断面図である。
Claims (19)
- 【請求項1】 封止テープに対して半導体チップが搭載
されたリードフレームの裏面を貼付し、かつ少なくとも
前記リードフレームのインナーリードの下面に前記封止
テープを密着させる工程と、複数の真空引き穴を有した
第1の金型と第2の金型とよりなる封止金型において、
前記封止テープが貼付されたリードフレームに対して樹
脂封止し、少なくとも前記リードフレームの半導体チッ
プが搭載された上面領域を樹脂封止する工程と、前記リ
ードフレームの裏面に貼付した前記封止テープを除去す
る工程とよりなる樹脂封止型半導体装置の製造方法であ
って、前記樹脂封止する工程は、前記封止金型の第2の
金型により前記インナーリードを前記封止テープに対し
て押圧するとともに、封止金型の第1の金型には複数列
で構成した溝と、それら溝内に複数の真空引き穴が設け
られた第1の金型を用い、樹脂封止の際、前記複数列の
溝の内、最外列の溝から順に内側に前記真空引き穴によ
り真空引きして、前記封止テープを均一に延ばした状態
で前記封止金型に封止樹脂を流し込んで樹脂封止するこ
とを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。 - 【請求項2】 第1の金型と第2の金型とよりなる封止
金型と半導体チップを搭載したリードフレームとを用意
する第1の工程と、 封止テープを前記リードフレームの表面の一部に密着さ
せながら前記封止金型に装着する第2の工程と、 前記封止テープに張力を与えながら封止テープを装着し
た状態で前記半導体チップおよび前記リードフレームの
少なくとも前記表面の一部を除く部分を封止樹脂内に封
止する第3の工程とを備えている樹脂封止型半導体装置
の製造方法であって、 前記第1の工程では、封止金型の第1の金型または第2
の金型の少なくともいずれか一方の金型にダイキャビテ
ィを有し、前記ダイキャピティを挟む少なくとも2カ所
の領域に前記封止テープを挟持するためのクランパを設
けておき、 前記第3の工程では、前記クランパによって前記封止テ
ープを固定しておくこと により、前記封止テープに張力
を与える ことを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造
方法。 - 【請求項3】 封止テープを挟持するためのクランパに
対して、封止テープが引き延ばされる方向に付勢する付
勢手段をさらに設けておくことを特徴とする請求項2に
記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。 - 【請求項4】 第2の工程の前には、クランパにより、
封止金型とは離れた場所で封止テープを保持しておき、 前記第2の工程では、前記クランパとともに前記封止テ
ープを前記封止金型の位置まで移動させることを特徴と
する請求項2または請求項3に記載の樹脂封止型 半導体
装置の製造方法。 - 【請求項5】 第1の金型および第2の金型の少なくと
もいずれか一方にダイキャビティを有し、かつ、互いに
係合する少なくとも1対の凸部および凹部を前記第1の
金型,第2の金型の前記ダイキャビティを挟む少なくと
も2カ所の領域において有する封止金型を準備してお
き、 第3の工程では、前記第1の金型および第2の金型が接
近したときに、前記凸部と凹部とが係合することにより
封止テープに張力を付与することを特徴とする請求項2
に記載の 樹脂封止型半導体装置の製造方法。 - 【請求項6】 第1の工程では、凸部および凹部は互い
に係合長さが異なり、かつその係合長さは最外方の凸部
および凹部ほど大きい複数対だけ設けておき、第3の工
程では、最外方の凸部および凹部の係合により引き延ば
された封止テープが、その内方の凸部および凹部の係合
によりさらに引き延ばされるように封止テープに張力を
付与することを特徴とする請求項5に記載の樹脂封止型
半導体装置の製造方法。 - 【請求項7】 封止テープを複数枚使用することを特徴
とする請求項2〜請求項6のいずれか1つに記載の樹脂
封止型半導体装置の製造方法。 - 【請求項8】 樹脂封止型半導体装置の製造工程におけ
る樹脂封止工程で使用される第1の金型および第2の金
型からなり第1の金型または第2の金型の少なくともい
ずれか一方にダイキャビティを有する封止金型と、 前記樹脂封止型半導体装置の表面の一部を封止樹脂から
露出させるための封止 テープに張力を与えるための張力
付与手段とを備えている樹脂封止型半導体装置の製造装
置であって、 前記張力付与手段は、前記ダイキャビティを挟む少なく
とも2カ所の領域に設けられ、前記封止テープを挟持す
るためのクランパであることを特徴とする樹脂封止型半
導体装置の製造装置。 - 【請求項9】 クランパは、封止テープを少なくとも2
方向以上に延伸させるように移動する機能を有すること
を特徴とする請求項8に記載の樹脂封止型半導体装置の
製造装置。 - 【請求項10】 クランパに対して、封止テープが引き
延ばされる方向に付勢する付勢手段をさらに備えている
ことを特徴とする請求項8に記載の樹脂封止型半導体装
置の製造装置。 - 【請求項11】 クランパは、封止テープを保持しつ
つ、封止金型とは離れた場所から前記封止金型の位置ま
で移動できる機能を有することを特徴とする請求項8〜
10のいずれか1つに記載の樹脂封止型半導体装置の製
造装置。 - 【請求項12】 樹脂封止型半導体装置の製造工程にお
ける樹脂封止工程で使用される第1の金型および第2の
金型からなり第1の金型または第2の金型の少なくとも
いずれか一方にダイキャビティを有する封止金型と、 前記樹脂封止型半導体装置の表面の一部を封止樹脂から
露出させるための封止テープに張力を与えるための張力
付与手段とを備えている樹脂封止型半導体装置の製造装
置であって、 前記張力付与手段は、前記第1の金型,第2の金型にお
いて前記ダイキャビティを挟む少なくとも2カ所の領域
に設けられた互いに係合する少なくとも1対の凸部およ
び凹部であることを特徴とする 樹脂封止型半導体装置の
製造装置。 - 【請求項13】 凸部および凹部は互いに係合長さが異
なるような複数対だけ設けられており、その係合長さは
外方の凸部及び凹部ほど大きいことを特徴とする請求項
12に記載の樹脂封止型半導体装置の製造装置。 - 【請求項14】 第1の金型または第2の金型のダイキ
ャビティは複数個設けられており、 凸部および凹部は、全てのダイキャビティを挟む外方領
域と、前記各ダイキャビ ティ間の内方領域とに配置され
ていることを特徴とする請求項12または請求項13に
記載の 樹脂封止型半導体装置の製造装置。 - 【請求項15】 凸部または凹部の壁面には、滑り止め
のための粗面処理が施されていることを特徴とする請求
項12〜請求項14のいずれかに記載の樹脂封止型半導
体装置の製造装置。 - 【請求項16】 凸部または凹部の壁面は滑りにくい材
質で構成されていることを特徴とする請求項12〜請求
項15のいずれかに記載の樹脂封止型半導体装置の製造
装置。 - 【請求項17】 凹部には、真空引き装置に連結された
真空穴が形成されていることを特徴とする請求項12〜
請求項16のいずれかに記載の樹脂封止型半導体装置の
製造装置。 - 【請求項18】 第1または第2の金型のうちいずれか
一方における樹脂封止型半導体装置の表面の一部に対向
する領域には、彫り込み部が設けられていることを特徴
とする請求項8〜請求項17のいずれかに記載の樹脂封
止型半導体装置の製造装置。 - 【請求項19】 樹脂封止型半導体装置の製造工程にお
ける樹脂封止工程で使用される第1の金型および第2の
金型からなり第1の金型または第2の金型の少なくとも
いずれか一方にダイキャビティを有する封止金型と、 前記樹脂封止型半導体装置の表面の一部を封止樹脂から
露出させるための封止テープに張力を与えるための張力
付与手段とを備えている樹脂封止型半導体装置の製造装
置であって、 張力付与手段は、前記第1の金型および第2の金型の少
なくともいずれか一方において前記ダイキャビティを挟
む領域に設けられ、真空引き装置に連通されて前記封止
テープを吸引するための真空引き用凹部であり、 前記真空引き用凹部は、前記ダイキャビティの周囲に設
けられた複数の溝と前記複数の溝のうち最外方の溝にの
み形成された真空引き装置に連通する真空穴とである こ
とを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7741698A JP2954148B1 (ja) | 1998-03-25 | 1998-03-25 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法およびその製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7741698A JP2954148B1 (ja) | 1998-03-25 | 1998-03-25 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法およびその製造装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2954148B1 true JP2954148B1 (ja) | 1999-09-27 |
JPH11274195A JPH11274195A (ja) | 1999-10-08 |
Family
ID=13633352
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7741698A Expired - Lifetime JP2954148B1 (ja) | 1998-03-25 | 1998-03-25 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法およびその製造装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2954148B1 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002076040A (ja) | 2000-08-30 | 2002-03-15 | Hitachi Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
FR2820240B1 (fr) * | 2001-01-26 | 2004-07-16 | St Microelectronics Sa | Substrat support de puce a circuits integres adapte pour etre place dans un moule |
JP3456983B2 (ja) | 2001-06-27 | 2003-10-14 | 松下電器産業株式会社 | リードフレームおよび樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
JP2004014823A (ja) | 2002-06-07 | 2004-01-15 | Renesas Technology Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP4790750B2 (ja) * | 2008-04-18 | 2011-10-12 | オンセミコンダクター・トレーディング・リミテッド | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
JP6089260B2 (ja) * | 2013-05-13 | 2017-03-08 | アピックヤマダ株式会社 | 樹脂モールド装置及び樹脂モールド方法 |
JP6096081B2 (ja) * | 2013-08-06 | 2017-03-15 | アピックヤマダ株式会社 | 樹脂封止金型、樹脂封止方法、および樹脂封止金型のクリーニング方法 |
JP6430342B2 (ja) * | 2015-08-11 | 2018-11-28 | Towa株式会社 | 樹脂成形装置及び樹脂成形方法並びに成形型 |
-
1998
- 1998-03-25 JP JP7741698A patent/JP2954148B1/ja not_active Expired - Lifetime
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---|---|
JPH11274195A (ja) | 1999-10-08 |
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