KR100611519B1 - 반도체 장치 제조 방법 및 수지 몰딩 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 반도체 장치 제조 방법은 반도체 장치들의 제조를 효과적으로 수행하며 불량품 제조를 방지할 수 있다. 상기 방법은 상부 다이(20) 및 하부 다이(21)를 구비한 몰딩 장치에서 실행되며, 상기 다이들 중 하나에는 반도체 장치들의 수지 몰딩부에 대응하는 복수의 캐비티들이 형성된다. 상기 방법은, 반도체 장치들의 기판(12)과 접촉하는 다이들 중 하나의 분할면과 캐비티들의 내면들을, 다이들 및 몰딩용 수지(34a)로부터 용이하게 박리할 수 있는 릴리스 필름(40)으로 피복하는 단계; 기판(12)을 다이들로 클램프하는 단계; 수지(34a)를 캐비티들 내에 충전하는 단계; 및 몰딩된 기판(12)을 절단함으로써 반도체 장치들을 형성하는 단계를 포함한다.
반도체 장치, 수지 몰딩 장치, 상부 다이, 하부 다이, 기판, 몰딩용 수지, 릴리스 필름

Description

반도체 장치 제조 방법 및 수지 몰딩 장치{Method of manufacturing semicondutor devices and resin molding machine}
도 1은 몰딩될 부재가 내부에 설치된 본 발명의 실시예의 수지 몰딩 장치의 단면도.
도 2는 몰딩될 부재가 클램프되고 수지로 몰딩되는 수지 몰딩 장치의 단면도.
도 3은 수지 몰딩 장치의 하부 다이의 사시도.
도 4는 수지로 몰딩된 부재의 사시도.
도 5는 다른 실시예의 수지 몰딩 장치의 단면도.
도 6은 다른 실시예의 수지 몰딩 장치의 단면도.
도 7은 다른 실시예의 수지 몰딩 장치의 단면도.
도 8은 수지로 몰딩된 부재의 사시도.
도 9는 하부 다이의 사시도.
도 10은 수지로 몰딩하기 위해 하부 다이가 상향으로 이동될 수 있는 수지 몰딩 장치의 단면도.
도 11은 몰딩될 부재가 수지로 몰딩된 상태의 단면도.
도 12는 수지로 몰딩하기 위해 하부 다이가 상향으로 이동될 수 있는 수지 몰딩 장치의 단면도.
도 13은 수지로 몰딩하기 위해 하부 다이가 상향으로 이동될 수 있는 수지 몰딩 장치의 설명도.
도 14는 반도체 웨이퍼가 몰딩되는 수지 몰딩 장치의 설명도.
도 15는 수지로 몰딩된 반도체 웨이퍼의 확대 단면도.
도 16은 수지 몰딩 장치의 상부 다이의 평면도.
도 17은 수지 몰딩 장치의 하부 다이의 평면도.
도 18은 반도체 웨이퍼가 몰딩되는 수지 몰딩 장치의 설명도.
도 19a는 수지 몰딩 장치의 클램퍼를 도시한 단면도.
도 19b는 클램퍼의 부분 평면도.
도 20은 상부 다이의 내부 구조를 도시한 설명도.
도 21은 수지가 충전된 캐비티들의 단면도.
도 22는 러너 통로들을 도시한 단면도.
도 23은 러너 통로들을 도시한 평면도.
도 24는 반도체 칩이 기판 상에 장착되어 수지로 몰딩된 성형품의 단면도.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
10 : 반도체 칩 12 : 기판
16 : 부재 14, 34a, 94 : 수지
20 : 상부 다이 21 : 하부 다이
24 : 포트 28a : 분할판
28 : 분할부 30 : 수지 통로
40 : 릴리스 필름 76 : 클램퍼
90 : 반도체 웨이퍼
본 발명은 반도체 장치 제조 방법과 그 방법을 위한 수지 몰딩 장치에 관한 것이다.
종래의 반도체 장치 제조 방법이 도 24를 참조로 설명된다. 복수의 반도체 칩들(10)이 기판(12) 상에 규칙적으로 이격되어 배치된다. 기판(12)은 수지(14)로 몰딩된다. 수지(14)가 경화된 후, 반도체 칩들(10)은 수지(14)와 기판(12)을 다이싱 커터(dicing cutter) 또는 레이저 수단을 사용하여 절단함으로써 각각 분리되어, 개개의 반도체 장치들이 제조될 수 있다.
종래의 방법에 있어서, 다수의 반도체 칩들(10)이 기판(12)에 고밀도로 배치될 수 있어, 소형의 반도체 장치가 효과적으로 제조될 수 있고 제조 비용도 효과적으로 감소될 수 있다.
그러나, 반도체 장치들(10)이 배치되는 기판(12)의 일측면이 몰딩되고, 개개의 반도체 장치들을 형성하기 위해 기판(12)이 절단되는 종래의 방법은 다음과 같은 단점들을 갖는다. 다이싱 커터를 사용하여 기판(12)을 절단하는 경우에, 다이싱 커터의 다이싱 날이 상이한 재료들, 즉, 기판(12)과 경화된 수지(14)를 절단하기 때문에 다이싱 날은 손상되기 쉽다. 또한, 개개의 반도체 장치들의 에지들은 부서지거나 균열되기 쉽다. 한편, 레이저 수단을 사용하여 절단하는 경우에는, 기판(12)을 절단하는데 장시간이 소요된다.
반도체 칩들(10)이 수지(14)를 채움으로써 몰딩되는 경우에는, 수지(14)를 경화시키는데 장시간이 소요되어, 제조 효율이 매우 떨어진다. 트랜스퍼 몰딩 장치로 몰딩하는 경우에는, 와이어들이 수지 흐름에 의해 변형되기 쉬워서, 불량품들이 제조될 것이다. 또한, 기판(12)의 일측면이 전체적으로 몰딩되기 때문에 몰딩된 기판은 만곡 변형될 것이다.
본 발명은 종래 방법들의 단점들을 해결하기 위해 제안된 것이다.
본 발명의 목적은 반도체 장치들을 효과적으로 제조할 수 있고 불량품들의 제조를 방지할 수 있는 반도체 장치 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 상기 방법을 실행하기 위한 수지 몰딩 장치를 제공하는 것이다.
상기 목적들을 달성하기 위해서, 본 발명은 다음과 같은 기본 구조를 갖는다.
상부 다이 및 하부 다이를 포함하는 몰딩 장치에서 반도체 장치들을 제조하는 방법으로서, 상기 상부 다이 및 하부 다이 중 하나에는 반도체 장치들의 수지 몰딩된 부품에 대응하는 복수의 캐비티들이 형성되고, 상기 반도체 장치 제조 방법은, 반도체 장치들의 기판과 접촉하는 다이들 중 하나의 분할면과 캐비티들의 내면들을, 다이들 및 몰딩용 수지로부터 용이하게 박리할 수 있는 릴리스 필름으로 피복하는 단계; 기판을 다이들로 클램프하는 단계; 수지를 캐비티들 내에 충전하는 단계; 및 몰딩된 기판을 절단함으로써 반도체 장치들을 형성하는 단계를 포함한다.
그리고, 상부 다이 및 하부 다이를 구비하는 몰딩 장치에서의 반도체 장치 제조 방법은, 반도체 웨이퍼를 클램프할 수 있는 다이들의 분할면들의 부분들을, 다이들 및 몰딩용 수지로부터 용이하게 박리할 수 있는 릴리스 필름으로 피복하는 단계; 반도체 웨이퍼의 일측면 상에 수지를 제공하는 단계; 반도체 웨이퍼의 일측면을 몰딩하도록 릴리스 필름과 함께 다이들에 의해 반도체 웨이퍼를 클램프하는 단계; 및 몰딩된 반도체 웨이퍼를 절단함으로써 반도체 장치들을 형성하는 단계를 포함한다.
수지 몰딩 장치는, 반도체 칩들 및/또는 회로 소자들이 장착되는 기판을 포함하는 몰딩될 부재를 클램프하기 위한 상부 다이 및 하부 다이; 상기 다이들 중 하나에 형성되며 반도체 칩들 또는 회로 소자들을 수용할 수 있는 복수의 캐비티들; 기판과 접촉하는 상기 다이들 중 하나의 분할면과 캐비티들의 내면들을 피복하도록, 다이들로부터 용이하게 박리할 수 있는 릴리스 필름과 몰딩용 수지를 이송하기 위한 릴리스 필름 이송 기구; 몰딩될 부재가 릴리스 필름과 함께 다이들에 의해 클램프되는 동안, 포트(pot)로부터 캐비티들로 수지를 공급하기 위한 수지 충전 기구를 포함하고, 반도체 칩들 및/또는 회로 소자들은 각각 수지로 몰딩된다.
수지 몰딩 장치는, 반도체 칩들 및/또는 회로 소자들이 장착된 기판을 포함하는 몰딩될 부재를 클램프하기 위한 상부 다이 및 하부 다이; 하부 다이에 형성되며 반도체 칩들 및/또는 회로 소자들을 수용할 수 있는 복수의 캐비티들; 기판과 접촉하는 하부 다이의 분할면과 캐비티들의 내면들을 피복하도록, 다이들과 몰딩용 수지로부터 용이하게 박리할 수 있는 릴리스 필름을 이송하기 위한 릴리스 필름 이송 기구를 포함하고, 몰딩될 부재는 릴리스 필름과 함께 다이들에 의해 클램프되고 릴리스 필름으로 에워싸인 공간으로 공급되는 수지로 몰딩된다.
그리고, 반도체 웨이퍼의 일측면 전체를 몰딩하기 위한 수지 몰딩 장치는, 반도체 웨이퍼를 클램프하기 위한 상부 다이 및 하부 다이; 상기 다이들 중 하나의 분할면에 형성되는 몰딩부; 다이들의 분할면들을 피복하도록, 다이들 및 몰딩용 수지로부터 용이하게 박리할 수 있는 릴리스 필름를 이송하기 위한 릴리스 필름 이송 기구를 포함하고, 반도체 웨이퍼는 릴리스 필름과 함께 다이들에 의해 클램프되고 몰딩부 내에 공급되는 수지로 몰딩된다.
본 발명의 방법에 있어서, 기판의 일측면 상의 복수의 반도체 칩들 또는 반도체 웨이퍼는 용이하게 및 확실하게 수지로 몰딩될 수 있다. 릴리스 필름을 사용함으로써, 다이들의 구조들이 단순해질 수 있고, 수지 플래시(resin flash)가 형성되지 않으며, 신뢰도 높은 반도체 장치들이 제조될 수 있다.
본 발명의 수지 몰딩 장치에 있어서, 몰딩될 부재의 수지 몰딩부는 용이하게 및 확실하게 수지로 몰딩될 수 있다. 반도체 웨이퍼 등의 일측면은 적절하게 몰딩될 수 있다.
본 발명의 실시예들이 첨부 도면을 참조하여 예로서 설명될 것이다.
본 발명의 바람직한 실시예들이 첨부 도면을 참조하여 하기에 상세히 설명된다.
본 발명의 실시예의 수지 몰딩 장치는 도 1 및 도 2를 참조하여 설명된다.
몰딩될 각 부재(16) 상에 복수의 반도체 칩들(10)이 장착된다. 각 부재(16)에 있어서, 반도체 칩들(10)은 규칙적으로 이격되어 기판(12) 상에 배치된다. 본 실시예에 있어서, 복수의 멀티-칩 모듈들이 반도체 장치들로서 부재(16)로부터 제조되며, 복수의 멀티-칩 모듈들 각각은 한 쌍의 반도체 칩들(10)을 포함한다. 본 실시예의 방법은 물론 반도체 장치들에 적용될 수 있으며, 반도체 장치들 각각은 하나의 반도체 칩들(10), 세개 이상의 반도체 칩들(10), 또는 회로 소자들, 예를 들어, 저항기를 포함한다.
부재들(16)은 상부 다이(20) 및 하부 다이(21)에 의해 클램프되고, 부재들(16)을 몰딩하기 위해 수지가 포트(24)로부터 캐비티 공간(26)으로 공급된다. 용융된 수지는 플런저(22)에 의해 가압된다.
본 실시예에 있어서, 캐비티들(26a)이 하부 다이들(21)에 형성되고, 반도체 칩들(10)이 장착되는 각각의 부재(16)의 측면은 아래쪽을 향하게 되며, 부재들(16)이 하부 다이들(21) 내에 설치된다. 상부 다이(20) 내에 캐비티들을 형성한 경우에는, 반도체 칩들(10)이 장착되는 부재들(16)의 측면들은 위쪽을 향하게 된다는 점에 주목해야 한다.
하부 다이(21)의 사시도가 도 3에 도시되어 있다. 하부 다이(21)의 캐비티들(26a)은 기판(12) 내의 반도체 칩들(10)의 배치에 대응하여 배치된다. 인접한 캐비티들(26a)은 분할부들(28)에 의해 분할된다. 본 실시예에서, 분할부들(28)은 직사각형 캐비티들(26a)을 분할하기 위해 격자 형태로 형성된다. 분할부들(28)의 상부면들은 동일한 레벨에 위치되고, 다이의 분할면의 일부분으로서 작용한다.
러너 통로들(30)은 각각 인접한 캐비티 공간들(26)과 연통한다. 각각의 러너 통로(30)는 분할부(28)를 부분적으로 절단함으로써 형성되어, 인접한 캐비티 공간들(26)은 러너 통로(30)를 통해 연통될 수 있다. 본 실시예에서는, 3개의 캐비티들(26a)이 다이의 종방향으로 연속적으로 배치되며, 러너 통로들(30)에 의해 연통된다.
도 1은 하부 다이들(21)이 러너 통로들(30)을 통과하는 평면을 절단한 단면도이다.
본 실시예에 있어서, 부재들(16)은 상부 다이(20) 및 하부 다이(21)에 의해 클램프된다. 캐비티들(26a)의 내면들을 포함하는 하부 다이들(21)의 분할면들이 릴리스 필름(40)으로 피복되어, 수지 몰딩이 실행되는 동안 수지가 분할면들과 직접 접촉하지 않는다는 것이 중요하다. 릴리스 필름(40)은 다이들로부터 발생되는 열에 대항하기에 충분한 내열성을 가지며, 다이들로부터 쉽게 박리할 수 있다. 예를 들어, 릴리스 필름(40)은 PTFE, ETFE, PET, FEP 등으로 제조될 수 있다. 릴리스 필름(40)은 캐비티들(26a) 등의 몰딩부들의 내면들을 따라 쉽게 변형되도록 충분한 유연성 및 신장성을 가져야 한다. 또한, 릴리스 필름(40)은 경화된 수지로부터 쉽게 박리되어야 한다.
본 실시예에 있어서, 하부 다이들(21)은 포트(24)의 각 측부 상에 개별적으로 위치된다. 도 1은 주로 하나의 하부 다이(21)를 도시한다. 물론, 하부 다이(21)는 포트(24)의 일측부 상에만 위치될 수도 있다. 하부 다이들(21)의 크기 및 각 하부 다이(21)의 캐비티들(26a)의 수는 부재들(16) 등에 따라 설계될 수도 있다.
도 1에는, 다이가 개방되고, 릴리스 필름(40)이 하부 다이들(21) 및 포트(24)를 피복하도록 설치되어 있다. 도면에 도시된 바와 같이, 릴리스 필름(40)은 포트(24)의 내주면과 하부 다이들(21)의 전체 분할면들을 피복한다.
릴리스 필름(40)은 분할면들을 전체적으로 피복하도록 이송되고, 그 이송 동작은 몰딩 동작과 동시에 일어난다. 릴리스 필름(40)은 다이들의 분할면들 상에만 장착될 수도 있고, 바람직하게는 릴리스 필름(40)은 캐비티들(26a)의 내부 바닥면들을 통해 공기를 흡입함으로써 캐비티들(26a)의 내면들을 따라 그 위에 고정된다. 공기는 릴리스 필름(40)을 고정시키기 위해 공기 흡입 구멍들(32)을 통해 흡입된다. 공기 흡입 구멍들(32)은, 예를 들어, 슬릿들과 비슷하게 형성되고, 캐비티ㄷ드들)의 내부 바닥면들에서 개방된다. 공기 흡입 구멍들(32)은 공기 흡입용 공기 기구에 연통된다.
릴리스 필름(40)은 충분한 유연성을 가지고 있기 때문에, 용이하게 변형될 수 있고 공기 흡입 구멍들(32)을 통해 공기를 흡입함으로써 캐비티들(26a)의 내면들을 따라 고정된다. 이러한 동작에 의해, 반도체 칩들(10)을 수용하는 캐비티 공간들(26)이 형성될 수 있다.
포트(24)에 있어서도, 공기는 포트(24)를 통해 흡입되고, 릴리스 필름(40)은 포트(24)의 내주면 및 플런저(22)의 상단부면 상에 고정된다.
포트(24) 내에 릴리스 필름(40)을 고정하기 위해, 포트(24)의 내주면과 플런저(22)의 외주면 사이에 공기 통로들이 형성될 수도 있고, 공기는 그곳을 통해 하향으로 흡입될 수 있다. 그리고, 공기 흡입 홈들은 플런저(22)의 외주면에 수직으로 형성될 수도 있고, 공기가 그곳을 통해 흡입될 수 있다. 포트(24)의 내면들은 릴리스 필름(40)으로 피복되기 때문에, 포트(24)의 내면들 상에는 수지가 고착되지 않을 것이다.
릴리스 필름(40)이 공기 흡입에 의해 포트(24)의 내면들과 하부 다이들(21)의 분할면 상에 고정된 후에, 수지 정제(resin tablet)(34)가 포트(24) 내로 공급되고, 부재(16)가 하부 다이들(21) 내의 지정 위치에 설치된다. 포트(24) 내로 공급되는 수지는 수지 정제뿐 아니라, 수지 펠릿(resin pellet), 수지 분말, 액체 수지, 시트형 수지, 젤리형 수지 등일 수도 있다. 그리고, 수지는 열경화성 수지 및 열가소성 수지일 수도 있다.
다음으로, 부재(16)는 상부 다이(20)와 하부 다이(21) 사이에 클램프되고, 포트(24) 내에서 용융된 수지(34a)가 가압되어 플런저(22)에 의해 이송되어서, 캐비티 공간들(26)이 수지(34a)로 충전된다. 도 2는 캐비티 공간들(26)이 수지(34a)로 충전된 상태를 도시한다. 먼저, 포트(24)에 가장 근접한 캐비티 공간(26)이 수지(34a)로 충전된 후, 다음으로 캐비티 공간들(26)이 충전된다. 각각의 러너 통로(30)는 인접한 캐비티 공간들(26)을 서로 연통시키고, 캐비티 공간들(26)을 수지(34a)로 충전시키기 위한 수지 통로로서 작용한다. 수지(34a)가 포트(24)로부터 모든 캐비티 공간들(26)로 공급된 후에, 수지 압력은 수지(34a)를 응고시키도록 유지된다.
수지(34a)가 응고된 후에, 다이들이 개방되고, 성형품들은 하부 다이들(21)로부터 취출된다. 성형품들은, 릴리스 필름(40)과 함께 다이들로부터 성형품을 취출하는 단계와; 성형품들로부터 릴리스 필름(40)을 제거하는 단계에 의해 취출될 수도 있거나, 또는, 다이들 내의 성형품들로부터 릴리스 필름(40)을 제거하는 단계와; 성형품들과 릴리스 필름(40)을 다이들로부터 개별적으로 취출하는 단계에 의해 취출될 수도 있다.
성형 부재(성형품)는 도 4에 도시된다. 복수의 직사각형 수지-몰딩부들(36)이 규칙적으로 이격되어 기판(12) 상에 배치된다. 인접한 수지-몰딩부들(36) 사이에는 수지가 고착되지 않으므로, 기판(12)의 표면은 부분적으로 그사이에서 노출된다. 수지 피스(30a)는 러너 통로들(30) 내에서 응고되어 기판(12)에 고착된다.
반도체 장치들은 수지-몰딩부들(36)을 따라 기판(12)을 분할함으로써 완성된다. 도 4에서, 선 A-A는 기판(12)의 종방향 분할선이고, 선 B-B는 분할선 A-A에 수직한 분할선이다. 본 실시예의 수지 몰딩 장치에 의해 몰딩된 성형품들에서, 응고된 수지 피스(30a)는 러너 통로들(30) 내에 부분적으로 남게 되지만, 기판의 표면은 인접한 수지-몰딩부들(36) 사이에서 부분적으로 노출되므로, 분할선들을 따라 기판(12)을 절단함으로써 개개의 반도체 장치들이 용이하게 얻어질 수 있다.
반도체 장치들은 단지 기판(12)의 절단에 의해 분리되기 때문에, 다이싱 커터의 날은 손상되지 않고 반도체 장치들은 용이하게 분리될 수 있다. 기판(12)을 다이싱 커터에 의해 용이하게 절단하기 위해, 러너 통로들(30)이 형성되는 부분을 제외한 분할선들을 따라 슬릿 구멍들이 형성될 수 있다.
또한, 분할선에 대응하는 노치들이 기판(12)에 형성될 수도 있다. 이 경우에, 기판(12)은 반도체 장치들을 분리시키기 위해 노치들을 포함하는 라인들 따라 파단된다.
릴리스 필름(40)을 사용함으로써, 몰딩될 부재(16)이 견고하게 클램프되어 적절히 몰딩될 수 있다. 기판(12)이 플라스틱으로 이루어진 경우, 기판(12)의 두께는 부분적으로 다르다. 그러나, 이러한 두께의 차이는 릴리스 필름(40)에 의해 완화될 수 있으므로, 기판(12)은 그 표면 상에 수지 플래시를 형성하지 않고도 견고하게 몰딩될 수 있다.
종래의 수지 몰딩 장치에 있어서, 성형품들은 다이들이 개방된 상태에서 이젝터 핀들에 의해 취출된다. 릴리스 필름(40)을 사용함으로써, 성형품들은 이젝터 핀들 없이도 다이들로부터 취출될 수 있다. 즉, 다이들에 이젝터 핀들이 조립되지 않으므로, 다이들의 구조가 단순해질 수 있다.
몰딩부들, 예를 들어, 캐비티들의 내면들을 릴리스 필름(40)으로 피복함으로써, 수지(34a)가 캐비티들(26a)의 내면들 상에서 부드럽게 유동할 수 있고, 따라서, 캐비티 공간들(26)은 수지(34a)로 용이하게 충전될 수 있고, 기판들은 수지-몰딩부들(36) 내에 보이드들(voids)을 형성하지 않고 없이 견고하게 몰딩될 수 있다. 수지(34a)는 캐비티 공간들(26) 내에서 부드럽게 유동할 수 있기 때문에, 예를 들어, 두께가 0.1mm인 수지-몰딩부들(36)을 갖는 반도체 장치들이 용이하게 제조될 수 있다.
종래의 수지 몰딩 장치에 있어서, 캐비티 공간들(26) 내에서 부드럽게 유동할 수 있으며 다이들로부터 용이하게 박리될 수 있는 수지가 선택된다. 본 실시예에서는 릴리스 필름(40)이 사용되기 때문에, 수지는 다이들과 직접 접촉하지 않으므로, 수지는 캐비티 공간들(26)의 충전 특성과 반도체 장치의 전기 특성만을 기초로 하여 선택될 수도 있다.
릴리스 필름(40)은 도 5에 도시된 바와 같이 사용될 수도 있다. 릴리스 필름(40)의 두개의 시트들은 각각 상부 다이(20) 및 하부 다이(21)의 분할면들을 피복한다. 그리고, 포트(24)는 부재(16)의 기판과 면할 수도 있다.
또한, 도 6에 도시된 바와 같이, 몰딩될 부재(16)의 두께와 동일한 깊이를 갖는 오목부들(20a)이, 부재(16)를 각각 그 내부에 수용하기 위해 상부 다이(20)에 형성될 수도 있다.
본 실시예에 있어서, 러너 통로들(30)은 하부 다이들(21)의 분할부들(28)에 형성된다. 러너 통로들(30) 내에서 응고되는 수지 피스들을 기판(12) 상에 남기지 않기 위해, 도 7에 도시된 다이들이 사용될 수도 있다.
도 7에 도시된 다이들에 있어서, 분할부들(28a)은 직사각형 캐비티들(26a) 뿐만 아니라 도 3에 도시된 하부 다이(21)의 분할부들(28)을 분할한다. 그러나, 도 7의 분할부들(28a)은 수직방향으로 이동될 수 있는 분할판들이다. 분할판들(28a)은 수직방향으로 이동되는 지지판(38)에 의해 지지된다.
도 7에서, 부재들(16)은 상부 다이(20) 및 하부 다이(21)에 의해 릴리스 필름(40)과 함께 클램프되고, 수지(34a)는 포트(24)로부터 캐비티 공간들(26)로 공급된다. 분할판들(28a)의 상단부면들이, 인접한 캐비티 공간들(26)을 서로 연통시키는 수지 통로들(31)을 형성하도록 기판(12)의 바닥면으로부터 분리되기 때문에, 캐비티 공간들(26)이 수지(34a)로 충전될 때, 모든 캐비티 공간들(26)은 수지(34a)로 충전될 수 있다. 모든 캐비티 공간들(26)이 수지(34a)로 충전될 때, 분할판들(28a)의 상단부면들이 기판(12)의 바닥면과 접촉할 때까지 지지판(38)이 위로 이동되므로, 각각의 캐비티 공간(26)은 완전히 분할될 수 있다.
이러한 방식으로, 수지 피스는 수지 통로들(31)에 남지 않게 되고, 각각의 통로는 기판(12)의 바닥면 위에 형성되어, 몰딩 동작이 완료된 후에 인접한 캐비티 공간들(26)과 연통하므로, 수지-몰딩부들(36)이 기판(12)상에서 완전히 분리된 성형품이 도 8에 도시된 바와 같이 제조될 수 있다. 수지-몰딩부들(36)이 완전히 분리되기 때문에, 개개의 반도체 장치들은 기판(12)을 절단함으로써 용이하게 제조될 수 있다.
분할판(28a)은 하부 다이(21) 내에 뚫린 수직 구멍들 내에서 이동되므로, 릴리스 필름(40)은 그 수직 구멍들을 통해 공기를 흡입함으로써 캐비티들(26a)의 내면들을 따라 그 위에 고정될 수 있다. 그러므로, 공기 흡입 구멍들은 개별적으로 필요없게 된다.
상술된 실시예들에 있어서, 캐비티들(26a)은 하부 다이들(21)에 형성되지만, 이 방법들은 캐비티들(26a)이 상부 다이(20)에 형성된 수지 몰딩 장치에 적용될 수 있다. 상부 다이(20)에 캐비티들(26a)을 형성하는 경우에, 캐비티 공간들(26)을 서로 연통시키는 수지 통로들은 상부 다이(20)에 형성된다.
캐비티들(26a)이 분할부들(28)에 의해 완벽히 분할되는 몰딩 다이가 도 9에 도시되어 있다. 상술된 실시예들에 있어서, 인접한 캐비티 공간들(26)은, 분할부들(28) 내에 러너 통로들(30)을 형성하거나 분할판들(28a)을 하향으로 이동시킴으로써 서로 연통된다. 몰딩될 부재는 도 9에 도시된 다이(21)에 의해 몰딩될 수 있고, 캐비티들(26a)은 러너 통로들(30)이 없는 고정 분할부들(28)에 의해 분할된다.
도 10은 하부 다이(21)가, 러너 통로들(30)이 없는 고정 분할부들(28)을 가지며 수지가 액체 수지인 다른 실시예를 도시한다. 하부 베이스(42)는 하부 다이(21)의 개폐 운동을 안내한다. 지지 로드(44)는 하부 다이(21)를 개폐 방향으로 이동시키기 위한 구동 기구(도시되지 않음)에 접속된다. 예를 들어, 구동 기구는 지지 로드(44)를 이동시키기 위한 볼 베어링 스크루와, 그 볼 베어링 스크루를 회전시키기 위한 모터를 구비하므로, 하부 다이(21)는 개폐 방향으로 선형으로 이동될 수 있다.
도 10에 도시된 바와 같이, 하부 다이(21)의 개폐 방향은 수직선(VL)에 대해 약간 경사지고, 릴리스 필름(40)이 공기 흡입에 의해 하부 다이(21)의 몰딩부들 상에 고정되지 않은 상태로 액체 수지(50)가 공급된 다음, 몰딩될 부재(16)가 클램프되어 몰딩된다. 도 10에 도시된 각도(θ)는 수직선(VL)에 대한 다이들의 경사각이다.
다이가 개방될 때 릴리스 필름(40)이 이송되고, 릴리스 필름(40)의 에지들이 하부 베이스(42)에 의해 지지된 다음, 지정된 용적을 갖는 액체 수지(50)가 릴리스 필름(40) 상에 공급된다. 도 10은 부재(16)의 에지들을 상부 다이(20) 및 하부 베이스(42)에 의해 클램프하는 상태를 도시한다. 릴리스 필름(40)은 느슨해져, 액체 수지(50)가 릴리스 필름(40) 상에 모아진다. 다이들은 경사져 있기 때문에, 액체 수지(50)는 중심선(CL)의 좌측에 치우쳐 모아진다.
액체 수지(50)는 하부 다이들(21)에 형성된 모든 캐비티들을 완전히 충전시키기에 충분한 용적을 가진다.
도 10에서, 하부 다이(21)는 하단부 위치에 위치된다. 액체 수지(50)는, 하부 다이(21)의 상향 이동에 의해 릴리스 필름(40)과 함께 상향으로 가압된다. 다이들은 경사져 있기 때문에, 최하측 캐비티 공간(26)이 먼저 액체 수지(50)로 충전된 다음, 보다 높은 캐비티 공간들(26)이 차례로 충전된다.
하부 다이(21)가 상단부 위치에 위치되고, 부재(16)가 상부 다이(20) 및 하부 다이(21)에 의해 클램프된 상태가 도 11에 도시된다. 모든 캐비티 공간들(26)은 릴리스 필름(40)으로 피복되고 액체 수지(50)로 충전된다. 부재(16)는 상부 다이(20) 및 하부 다이(21)에 의해 부재(16)를 클램핑하는 상태에서 액체 수지(50)를 응고시킴으로써 몰딩된다. 히터들(46)은 상부 다이(20) 및 하부 다이(21)를 가열한다.
하부 다이(21)는 격자상으로 형성된 분할부들(28)을 가지지만, 다이들은 경사져서 액체 수지(50)는 캐비티 공간들(26) 내로, 최하부 캐비티 공간으로부터 보다 높은 캐비티 공간으로 차례로 도입되므로, 모든 캐비티 공간들(26)은 분할부ㄷ들8) 내에 러너 통로들(30)을 형성하지 않고 액체 수지(50)로 충전될 수 있다. 분할부들(28) 내에 러너 통로들(30)을 형성하지 않고, 독립된 수지-몰딩부들(36)이 도 8에 도시된 바와 같이 부재(16) 상에 형성될 수 있다.
액체 수지(50)를 사용하는 경우에 있어서, 액체 수지(50)의 용적은, 액체 수지(50)로 충전될 캐비티 공간들(26)의 전체 용적보다 약간 크다. 범람하는 액체 수지(50)가 수집되는 오버플로 캐비티(48)가 하부 베이스(42)의 분할면에 형성된다. 오버플로 캐비티(48)는 하부 베이스(42)의 분할면에 형성되며, 하부 다이(21)의 최상부 캐비티에 인접하여 위치된다. 캐비티 공간들은 최하부 캐비티 공간으로부터 보다 높은 캐비티 공간으로 충전되므로, 결과적으로 액체 수지(50)는 최상부 캐비티 공간으로부터 범람하여 오버플로 캐비티(48) 내로 수집된다.
액체 수지(50) 대신에 수지 정제가 사용될 수도 있다는 점에 주목해야 한다. 이 경우에, 몰딩 동작은, 하부 베이스(42)에 의해 릴리스 필름(40)을 지지하는 단계와; 릴리스 필름(40) 상에 수지 정제를 공급하는 단계와; 다이들의 가열에 의해 수지 정제를 용융시키는 단계와; 하부 다이(21)를 상향으로 이동시키는 단계에 의해 실행된다. 이러한 단계들에 의해, 수지 용융물이 캐비티 공간들 내로 점차로 공급되므로, 부재(16)는 액체 수지(50)를 사용하는 경우와 마찬가지로 몰딩된다.
보이드들이 거의 형성되지 않는 수지 정제가 사용되는 경우에, 액체 수지(50)와 마찬가지로, 보이드들을 거의 갖지 않는 양호한 수지-몰딩부들이 형성될 수 있다.
도 10 내지 도 12에 도시된 수지 몰딩 장치에 있어서, 하부 다이(21)의 분할면은 상부 다이(20)의 분할면에 평행하다. 예를 들어, 다이들이 경사짐으로써 야기되는 하부 다이(21)의 분할면의 최하점과 그 최상점 사이의 레벨 차는 0.05mm이므로, 부재(16)는 최하부 에지로부터 최상부 에지까지 점차로 클램프될 수 있다. 이러한 동작에 의해, 캐비티 공간들 내의 공기는 최상측부로부터 용이하게 도입되고, 릴리스 필름(40)은 릴리스 필름(40)이 클램프될 때 상측부를 향해 약간 당겨져 연장되므로, 릴리스 필름(40)에 주름이 형성되지 않는다.
다이들이 경사지고 하부 다이가 상향 및 하향으로 이동되는 수지 몰딩 장치의 다른 실시예가 도 12에 도시된다. 수지 정제가 용융된 용융부(60)가 수지 공급부로서 상부 다이(20) 및 하부 다이(21)에 제공된다. 용융부(60) 내에서 용융된 용융 수지(34a)는 릴리스 필름(40) 상에 공급된다. 도 12에 도시된 바와 같이, 용융부(60)는 상부 다이(20)에 제공되며, 수지 정제(34)를 가압하기 위한 판(62)과 그 판(62)을 편향시키기 위한 스프핑(64)을 구비한다. 수지 정제(34)는 판(62)에 의해 가압되어 가열되므로, 수지 정제(34)는 용융된다. 도면부호 66은 히터를 나타낸다.
다이들(20, 21)은 선행 실시예와 마찬가지로 경사지므로, 용융부(60)는 상부 다이(20)의 상측부에 제공된다. 용융부(60)에서 용융된 용융 수지(34a)는 가압되어, 판(62)에 의해 릴리스 필름(40)의 상부면까지 이송된다. 출입구(68)는 용융부(60)의 베이스부로부터 하부 다이(21)까지 수지(34a)를 도입시킨다.
수지 몰딩 장치의 작동이 하기에 설명된다. 릴리스 필름(40) 및 몰딩될 부재(16)는 다이들이 개방된 상태에서 설치되고, 수지 정제(34)는 용융부(60) 내로 공급된 후, 상부 다이(20) 및 하부 베이스(42)가 폐쇄된다. 다음으로, 다이들은 릴리스 필름(40) 상에 용융 수지(34a)를 공급하기 위해 도 12에 도시된 바와 같이 경사진다. 용융 수지(34a)는 상부 다이(20)의 용융부(60) 대신에 다른 곳으로 공급될 수도 있다. 예를 들어, 수지 정제는 하부 다이(21)에 제공된 포트 내로 공급될 수도 있으며, 용융 수지(34a)는 포트로부터 게이트(68)를 통해 플런저에 의해 공급된다. 수지 정제 대신에 수지 펠릿 및 액체 수지가 사용될 수도 있다. 액체 수지는 플라스틱 필름으로 밀착되게 감싸일 수도 있으며, 정제 또는 연필 모양으로 형성될 수도 있다.
본 실시예에 있어서, 하부 다이(21)는 가동 다이이고, 부재(16)는 하부 다이(21)를 상향으로 이동시킴으로써 클램프된다. 그러나, 다이들(20, 21)의 기능은 바뀔 수도 있다. 예를 들어, 상부 다이(20)가 가동 다이일 수도 있고, 캐비티들(26a)이 상부 다이에 형성될 수도 있으며, 부재(16)의 반도체 칩들(10)이 몰딩되도록 상향으로 이동될 수도 있다. 본 실시예에 있어서, 용융 수지(34a)는 용융부(60) 또는 포트-플런저 기구에 의해 캐비티 공간들(26) 내로 공급된다. 상부 다이(20)의 분할면은, 응고된 수지를 상부 다이의 분할면 위에 고착시키지 않고 몰딩 동작을 실행하도록 릴리스 필름으로 피복될 수도 있다.
도 10 내지 도 12에 도시된 수지 몰딩 장치에 있어서, 캐비티들(26a)이 형성되는 판형상 하부 다이(21)는 포트로부터 캐비티 공간들까지 수지를 가압 및 이송시키는 일 없이 부재(16)를 몰딩하기 위해 상향으로 이동된다.
하부 다이(21)가 수직으로 이동할 수 있는 다른 실시예가 도 13에 도시된다.
도 13에서, 상부 다이(20)는 고정 테이블(70)에 고정되고, 하부 다이(21)는 수직으로 이동되도록 가동 테이블(72)에 고정된다. 도 10 내지 도 12에 도시된 실시예에 있어서, 하부 다이(21)는 수직선에 대해 경사진다. 본 실시예에 있어서, 하부 다이(21)는 수직 방향으로 이동된다. 하부 다이(21)는 베이스 블록(74)을 사용하여 하부 베이스(42)에 고정되고, 하부 베이스(42)는 가동 테이블(72)에 고정된다. 이러한 구조에 의해, 하부 다이(21)는 가동 테이블(72)에 의해 이동된다.
클램퍼들(76)은 부재(16)의 외부 에지들을 클램프한다. 클램퍼들(76)은 스프링들(78)에 의해 상부 다이(20)쪽으로 항상 편향되며, 가동 테이블(72)에 대해 수직으로 이동할 수 있다. 클램퍼들(76)은 다른 수단, 예를 들어, 공기 실린더 유닛들에 의해 편향될 수도 있다. 공기 실린더 유닛들을 사용하는 경우에, 클램퍼들(76)의 상단부면들은, 부재(16)가 하부 다이(21)에 설치될 때 캐비티들(26)의 내부 바닥면들과 일치하므로, 부재(16)는 편평한 표면 상에 설치될 수 있다. 이러한 구조에 의해, 특히 반도체 웨이퍼들과 같은 대형 부재를 몰딩하는 경우에, 부재들(16)의 파손이 방지될 수 있다.
수지 몰딩 장치에는, 새로운 릴리스 필름(40)을 이송하는 이송 롤(80a)과 사용된 릴리스 필름(40)을 수집하는 수집 롤(80b)이 제공되어 있다. 릴리스 필름(40)은 이송 롤(80a)로부터 하부 다이(21)까지 간헐적으로 이송되고, 장치의 몰딩 단계들에 의해 수집 롤(80b) 둘레에 감긴다. 이송 롤러(82)는 릴리스 필름(40)을 이송하고, 수집 롤러(84)는 릴리스 필름(40)을 인출한다.
수지 몰딩 장치의 동작이 하기에 설명된다.
먼저, 하부 다이(21)는 최하부 위치에 위치되고, 새로운 릴리스 필름(40)은 하부 다이(21) 상으로 이송된다. 하부 다이(21)가 최하부 위치에 위치될 때, 클램퍼들(76)의 상단부(클램핑)면들은 스프링들(78)의 탄성에 의해 하부 다이(21)의 분할면으로부터 상향으로 돌출된다. 릴리스 필름(40)은 클램퍼들(76)의 상단부면들 위를 피복하고, 각각 클램퍼들(76) 내에 형성되는 공기 흡입 구멍들(76a)을 통해 공기를 흡입함으로써 상단부면 위에 고정된다.
그후, 공기는 하부 다이(21)의 내부 바닥면에 개방된 공기 흡입 구멍들을 통해 흡입되므로, 릴리스 필름(40) 내의 수지 저장부는 하부 다이(21) 및 클램퍼ㄷ들6)에 의해 에워싸인다. 액체 수지(50)는 수지 저장부 내로 공급된다.
부재(16)의 기판(12)의 바닥면 상에는 복수의 반도체 칩들(10)이 장착된다. 부재(16)는 릴리스 필름(40)으로 피복된 클램퍼들(76) 또는 상부 다이(20) 상에 정확히 설치된다.
부재(16)가 설치된 후에, 가동 테이블(72)은 상부 다이(20), 클램퍼들(76) 및 하부 다이(21)에 의해 부재(16)를 클램프하도록 상향으로 이동된다. 가동 테이블(72)이 상향으로 이동될 때, 먼저, 부재(16)의 외부 에지들이 클램퍼들(76) 및 상부 다이(20)에 의해 클램프된 다음, 가동 테이블(72)이 상향으로 이동되므로, 부재(16)는 상부 다이(20) 및 하부 다이(21)에 의해 클램프된다. 클램퍼들(76)의 이동이 정지된 후에, 스프링들(78)은 하부 다이(21)가 상향으로 이동되는 동안 압축된다.
스토퍼들(86, 87)은 하부 다이(21)의 최상부 위치를 한정한다. 하부 다이(21)는, 스토퍼(87)의 단부면이 스토퍼(86)의 단부면과 접촉할 때까지 상향으로 이동할 수 있다. 스토퍼들(86, 87)은 가동 테이블(72)에 의해 부재(16)가 과도하게 클램프되어 손상되지 않도록 하기 위해 제공된다.
클램핑 상태에서, 부재(16)의 외부 에지들, 와이어들, 반도체 칩들(10) 및 기판(12)은, 하부 다이(21)를 상향으로 이동시킴으로써 액체 수지(50) 내에 차례로 담긴다. 상기 부재들을 액체 수지(50) 내에 담금으로써, 액체 수지(50)는 릴리스 필름(40)을 밀어내고 캐비티 공간들(26)을 충전시킴으로써, 와이어들 및 반도체 칩들(10)이 수지로 몰딩된다.
하부 다이(21)가 최상부 위치에 이를 때, 액체 수지(50)는 가열되어 응고된다. 상부 다이(20) 및 하부 다이(21)는 히터들(46)에 의해 가열된다.
수지가 응고된 후에, 가동 테이블(72)은 다이들을 개방시키도록 하향으로 이동된다. 다이들이 개방되면, 먼저 하부 다이(21)는 클램퍼들(76)에 의해 몰딩 부재(16)를 클램핑한 채로 하향으로 이동된 다음, 클램퍼들(76)은 몰딩 부재(16)를 지지한 채로 하향으로 이동된다. 다이들을 완전히 개방할 경우, 몰딩 부재(16)는 다이로부터 취출되고, 릴리스 필름(40)을 클램퍼들(76)로부터 해제시키도록 공기 흡입이 정지된 다음, 새로운 릴리스 필름(40)이 공급된다. 수지 몰딩 장치는 다음으로 몰딩될 부재를 몰딩하도록 준비된다.
본 실시예에 있어서, 복수의 캐비티들(26a)을 포함하는 판형상 하부 다이(21)는 가동 테이블(72)에 의해 이동되므로, 수지 압력은 부재(16)에 대해 효과적으로 작용한다. 따라서, 이송 수지 몰딩 장치에 비해, 소용량의 프레스 기구가 사용될 수 있다. 종래의 이송 수지 몰딩 장치에 있어서, 프레스 기구의 출력은 약 120ton이며, 플런저의 추력은 약 3ton이고, 본 실시예의 수지 몰딩 장치에 있어서 프레스 기구의 필요 출력은 약 15ton이다.
본 실시예의 수지 몰딩 장치는, 예를 들어, A3, A4 크기의 대형 판 부재들을 수지를 사용하여 몰딩할 수 있다. 히터들(46)은 상부 다이(20) 및 하부 다이(21)에 조립되고, 부재들(16)은 수지의 응고를 가속시키도록 양 측면들로부터 가열되므로, 몰딩 동작의 작업 효율이 향상될 수 있다. 다이들의 중심부에 위치된 히터들의 열 동력이 다른 부분들보다 크기 때문에, 수지는 중심부로부터 응고될 수 있으며 몰딩 부재의 변형이 방지될 수 있다는 점에 주목해야 한다. 히터가 다이 내에 부재(16)를 설치하는 로더(loader)에 제공되는 경우, 몰딩 부재(16)의 변형이 추가로 방지될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 부재(16)는 하부 다이(21)를 수직으로 이동시킴으로써 다이들(20, 21) 사이에서 클램프되고, 반도체 칩들에 접속된 와이어들의 변형이 방지될 수 있어, 신뢰할 수 있는 몰딩이 실행될 수 있다. 또한, 응고된 수지 내에는 응력이 잔존하지 않으므로, 몰딩 부재의 변형이 방지될 수 있다.
수지 몰딩이 릴리스 필름(40)을 사용하여 실행되기 때문에, 캐비티들(26)의 테두리들은 기판(12)의 두께가 부분적으로 다를지라도 기판(12)을 견고하게 클램프할 수 있으므로, 수지 플래시는 기판(12)의 표면 상에 형성되지 않는다. 하부 다이(21)를 릴리스 필름(40)으로 피복함으로써, 수지가 하부 다이(21) 및 클램퍼들(76)에 고착되지 않고 기구의 가동부들로 내습하지 않으므로, 가동부들은 부드럽게 이동할 수 있다.
하부 다이(21)가 반도체 웨이퍼(90)를 몰딩하도록 수직으로 이동되는 수지 몰딩 장치의 다른 실시예가 도 14 및 도 15에 도시된다.
외부 단자들이 접속되는 복수의 기둥들(92)이 반도체 웨이퍼(90)의 상부면 상에 수직으로 형성되고, 그 상부면은 기둥들(92)의 상단부면들을 제외하고 수지로 몰딩될 것이다. 몰딩 후에, 반도체 웨이퍼(90)는 복수의 제품들로 분할된다.
도 14에 도시된 바와 같이, 하부 다이(21)는 가동 테이블(72)에 의해 지지되고, 클램퍼(76)는 스프링들(78)에 의해 편향되고, 릴리스 필름(40)은 상술한 실시예에서와 같이 하부 다이(21)로 이송된다. 그러나, 본 실시예에 있어서, 반도체 웨이퍼(90)는 몰딩될 표면이 상향을 향한 채로 하부 다이(21)에 설치되고, 릴리스 필름(41)은 상부 다이(20)의 분할면으로 이송된다. 릴리스 필름(41)은 수지가 상부 다이(20) 상에 고착되는 것을 방지한다. 수지 몰딩 장치는 새로운 릴리스 필름(41)을 이송하는 이송 롤(81a)과 사용된 릴리스 필름(41)을 수집하는 수집 롤(81b)을 구비한다.
본 실시예의 수지 몰딩 장치의 동작이 하기에 설명된다. 먼저, 다이들이 개방되고, 릴리스 필름(41)이 상부 다이(20)의 분할면 상에서 이송되고, 릴리스 필름(41)이 하부 다이(21)의 분할면 상에서 이송되고, 릴리스 필름(40)은 공기 흡입에 의해 클램퍼(76) 상에 고정된다.
그후, 하부 다이(21)의 내부 바닥면에 개방된 공기 흡입 구멍을 통해 공기가 흡입되므로, 릴리스 필름(40) 내의 오목부가 하부 다이(21) 및 클램퍼(76)에 의해 에워싸인다. 반도체 웨이퍼(90)는 그 오목부에 설치된다.
반도체 웨이퍼(90)의 중심부에 수지(94)가 설치된다. 도 14는 수지(94)가 설치된 상태를 도시한다.
그후, 가동 테이블(76)이 클램프하도록 상향으로 이동된다. 먼저, 수지(94)가 클램프된 다음, 클램퍼(76)는 상부 다이(20)에 접촉한다.
클램퍼(76)가 상부 다이(20)와 접촉하고, 가동 테이블이 추가로 상향으로 이동되므로, 하부 다이(21)는 반도체 웨이퍼(90)를 상향으로 이동시킨다. 하부 다이(21)의 스토퍼들(87)이 상부 다이(20)의 스토퍼들(86)에 접촉할 때, 하부 다이(21)에 의해 야기되는 반도체 웨이퍼(90)의 상향 이동은 정지된다. 이 상태에서, 수지(94)가 용융되고, 용융된 수지(94a)는 기둥들(92) 사이의 공간들을 충전시킨다. 성형품의 두께는 한정된다.
하부 다이(21)가 상향으로 이동될 때, 수지(94)는 점차로 용융되고, 용융된 수지(94a)는 반도체 웨이퍼(90)의 중심부로부터 외부 에지로 흐르고, 마지막으로 용융된 수지(94a)는 기둥들(92) 사이의 공간들을 충전시킨다.
도 15는 하부 다이(21)가 최상부 위치에 위치되고 스토퍼들(86, 87)이 서로 접촉되어 있는 상태를 도시한다. 용융된 수지(94a)는 반도체 웨이퍼(90)의 상부면 상에 수직으로 제공된 기둥들(92) 사이의 공간들을 충전하며, 기둥들(92)의 상단부들은 릴리스 필름(41)에 약간 물리므로, 수지(94a)는 기둥들(92)의 상단부면들 상에 고착되지 않는다. 기둥들의 높이가 약간 다를지라도, 그 차이는 릴리스 필름(41)에 의해 보완될 수 있으므로, 기둥들(92)의 상단부면들은 몰딩 후에 노출될 수 있다. 릴리스 필름(41)은 공기 흡입 구멍들(96)을 통해 공기를 흡입함으로써 상부 다이(20)의 분할면 상에 고정된다. 도면부호 98은 오버플로 캐비티를 나타낸다.
도 16은 도 15에 도시된 상부 다이(20)의 평면도이고, 도 17은 하부 다이(21)의 평면도이다. 도 16에서, 원형 가압면(20c)이 상부 다이(20)의 분할면에 형성되어 반도체 웨이퍼(90)를 가압할 수 있다. 공기 흡입에 의해 상부 다이(20) 상에 릴리스 필름(41)을 고정할 수 있는 복수의 공기 흡입 구멍들(96)이 가압면을 에워싸도록 배치된다. 공기 흡입 구멍들(96)은 직사각형으로 배치되지만, 가압면(20c)에 대해 동축으로 원형으로 배치될 수도 있다.
다이들(20, 21)의 분할면들, 즉, 캐비티들의 내부 바닥면들을 포함하는 공기 흡입 구멍들(96)에 의해 둘러싸인 분할면들은 방전 가공이나 샌드블라스트 가공 등에 의해 직물과 같은 거친면이 형성되므로, 미세한 돌기들이 그 안에 형성되게 된다. 미세한 돌기들을 형성함으로써, 마찰 저항은 감소될 수 있고 릴리스 필름은 부드럽게 이동될 수 있어서, 릴리스 필름이 정확하게 위치될 수 있다. 미세한 돌기들은 다이들의 열전도성을 감소시키므로, 릴리스 필름은 점차로 가열되어 팽창되며, 공기 흡입에 의해 전체적으로 인출될 수 있다. 또한, 공기는 외부에서 쉽게 도입될 수 있으므로, 릴리스 필름의 주름은 계속적인 공기 흡입에 의해 점차로 제거될 수 있다.
상기 미세한 돌기들 대신에 미세한 홈들이 분할면들에 형성될 수도 있다. 다이들의 클램핑 면들은 평활면들 내에 형성될 수도 있다.
도 17에 도시된 바와 같이, 반도체 웨이퍼(90)를 지지하는 하부 다이(21)의 평면 형상은 원형이며, 그 직경은 반도체 웨이퍼(90)의 직경에 기초하여 설계된다. 클램퍼(76)는 하부 다이(21)의 외주면 상에서 미끄러지듯이 이동할 수 있다. 클램핑 돌기(76b)가 클램퍼(76)의 표면 상에 제공되며 하부 다이(21)를 에워싼다. 클램핑 돌기(76b)는 수지-몰딩부의 테두리부를 견고하게 클램프하도록 분할면으로부터 약간 돌출된다. 클램핑 돌기(76b)를 부분적으로 절단함으로써 오버플로 출입구들(76c)이 형성된다.
오버플로 캐비티(98)는 클램핑 돌기(76b)를 원형으로 에워싼다. 공기 통풍구(98a)가 오버플로 캐비티(98)의 내부 바닥면에서 개방되고 오버플로 캐비티(98) 내로 릴리스 필름(40)을 인출하기 위해 공기 흡입용 공기 기구와 연통된다. 하부 다이(21) 뿐만 아니라 상부 다이(20)에도 다른 오버플로 캐비티(98)가 형성된다.
흡입 홈들(77)이 오버플로 캐비티(98)의 외측부 상에서 하부 다이(21)에 제공된다. 본 실시예에서, 4개의 흡입 홈들(77)이 규칙적으로 이격되어 제공된다. 각각의 흡입 홈들(77)은 그 내부 바닥면에서 개방되는 공기 흡입 구멍들(77a)을 갖는다. 또한, 공기 흡입 구멍들(77a)은 또한 릴리스 필름(40)을 흡입 홈들(77) 내로 인출하기 위해 공기 기구와 연통된다. 릴리스 필름(40)의 이완부들을 흡입 홈들(77) 내로 흡입함으로써, 릴리스 필름(40)의 주름들이 제거될 수 있다. 흡입 홈들(77)은 하나의 원형 홈일 수도 있다. 오버플로 캐비티(98)가 내부에 심부(deeper portion)를 가질 경우, 릴리스 필름(40)의 이완부들은 흡입 심부 및 홈들(77)로 인출될 수 있다.
기둥들(92)이 수직으로 제공되는 반도체 웨이퍼(90)의 표면이 하향을 향하고 있는 다른 실시예가 도 18에 도시되어 있다. 본 실시예에 있어서, 릴리스 필름(40, 41)은 각각 하부 다이(21) 및 상부 다이(20)로 이송되고, 클램퍼(76)가 제공되며, 가동 테이블(72)이 상술한 실시예에서와 같이 하부 다이(21)를 지지한다. 하부 다이(21)의 내부 바닥면에서 개방된 공기 흡입 구멍들을 통해 공기를 흡입하기 위해 밀봉 링(101)이 제공된다.
본 실시예에 있어서, 릴리스 필름(40, 41)이 다이들(20, 21) 상에 설치된 다음, 반도체 웨이퍼(90)는 클램퍼(76)의 상부면에 의해 반도체 웨이퍼(90)의 외부 에지를 지지함으로써 하부 다이(21)에 설치되고, 액체 수지(50)는 하부 다이(21) 및 클램퍼(76)에 의해 에워싸이는 오목부 내로 공급된다. 도 18은 액체 수지(50)가 공급된 상태를 도시한다.
계속해서, 반도체 웨이퍼(90)의 외부 에지는 가동 테이블(72)을 상향으로 이동시킴으로써 상부 다이(20)와 클램퍼(76) 사이에 클램프된 다음, 하부 다이(21)가 상향으로 더 이동된다. 하부 다이(21)의 상향 이동은 스토퍼(87)가 스토퍼(86)에 접촉할 때 정지된다. 하부 다이(21)의 상향 이동에 의해, 기둥들(92)을 포함하는 반도체 웨이퍼(90)의 하부면이 액체 수지(50) 내에 전체적으로 담긴다. 하부 다이(21)가 성형품의 수지-몰딩부의 두께를 한정하는 최상부 위치에 이를 때, 기둥들(92)의 하단부들은 릴리스 필름(40)에 약간 물리므로, 기둥들(92)의 하단부면들 상에 수지가 고착되지 않고 기둥들(92)의 하단부면들은 몰딩 동작을 완료한 후에 노출될 수 있다.
기둥들을 포함하는 반도체 웨이퍼(90)의 표면이 몰딩될 때 다이들(20, 21)이 릴리스 필름(40, 41)으로 피복되는 상기 방법들은 기둥들(92)의 단부면들을 제외하고 반도체 웨이퍼(90)의 하나의 표면을 몰딩하도록 적절히 적용될 수 있다. 다이들(20, 21)의 분할면들을 릴리스 필름(40, 41)으로 피복함으로써, 분할면들 상에 수지가 고착되지 않으므로, 분할면들을 세정하는 단계는 필요하지 않다. 즉, 몰딩 동작은 깨끗한 상태에서 실행될 수 있고, 신뢰도 있는 제품이 제조될 수 있다.
도 13, 도 14 및 도 18에 도시된 수지 몰딩 장치들에 있어서, 하부 다이(21)는 가동 테이블(72)에 의해 지지되어 이동되지만, 부재(16)는 하부 다이(21) 대신에 상부 다이(20)를 수직으로 이동시킴으로써 클램프될 수도 있다. 즉, 부재(16)는 상부 다이(20) 및 하부 다이(21)의 상대 이동에 의해 클램프된다.
다른 실시예가 도 19a 및 도 19b에 도시된다. 수지 몰딩 장치에 있어서, 클램퍼(76)는 오버플로 캐비티(102)를 가지며, 스토퍼들(86, 87)의 길이는 조절될 수 있다.
오버플로 캐비티(102)는 공기 통로들(104)을 통해 공기 기구에 연통된다. 도면부호 106은 오버플로 출입구를 나타내고, 도면부호 108은 공기 통풍구들을 나타낸다. 도 19a는 오버플로 캐비티(102), 오버플로 출입구(106) 및 공기 통풍구들(108)을 도시한 평면도이다. 오버플로 캐비티(102)는 링형상의 홈과 같이 형성되며, 오버플로 출입구(106)는 그 내측부 상에 형성된다. 공기 통풍구들(108)은 오버플로 캐비티(102)로부터 규칙적으로 이격되어 방사상 외향으로 연장된다. 릴리스 필름(40, 41)은 클램핑면(110)에 의해 클램프된다.
다이의 몰딩부(캐비티 공간)로부터 범람된 수지는 오버플로 캐비티(102) 내로 도입되고, 그 캐비티의 내면은 릴리스 필름(40)으로 피복된다. 오버플로 캐비티(102) 내의 공기를 공기 통로들(104)을 통해 가압함으로써 캐비티 공간 내의 수지에 압력이 인가될 수 있으므로, 수지 압력의 감소가 방지될 수 있다. 오버플로 캐비티(102)로 수지를 방출함으로써 야기되는 저항은 공기 통로들(104) 내의 공기 압력을 제어함으로써 제어될 수 있다. 성형품의 수지-몰딩부의 두께는 오버플로 캐비티(102) 내로 방출되는 수지의 양에 의해 정밀하게 제어될 수 있다.
모터(116)는 상부 다이(20)의 스토퍼(86)의 길이를 제어한다. 스토퍼(86)는 안내 로드(86a)에서 돌출하여 유지된다. 스토퍼(86)에 연결된 타원형 캠(도시되지 않음)이 모터(116)의 출력축에 고정되어, 스토퍼(86)의 돌출 길이가 타원형 캠의 회전 위치에 의해 제어될 수 있도록 한다. 몰딩될 부재들의 두께는 부재들의 수 및 형태에 따라 약간 다르다. 예를 들어, 반도체 웨이퍼들(90)의 두께는 돌출 층들의 두께, 기둥들(92)의 길이 등에 따라 다르다. 따라서, 상기 차이는 스토퍼들(86)의 돌출 길이를 조절함으로써 보완된다. 본 실시예에 있어서, 스토퍼들(86)의 돌출 길이는 약 ±0.1mm 정도 조절된다.
몰딩하기 위해 하부 다이가 수직으로 이동되는 수지 몰딩 장치에 있어서, 수지 압력이 효율적으로 인가될 수 있으므로, 하부 다이(21)로서 대형 다이가 사용될 수 있다. 그러나, 대형 다이에 있어서, 캐비티 공간 내의 수지의 응고 정도는 부분적으로 다르다. 대형 캐비티로서 하부 다이를 고려하는 경우에, 수지 응고는 바람직하게는 하부 다이(21)의 중심부로부터 시작하여 점차로 외부 에지를 향해 진행된다. 이러한 응고에 의해, 수지 내의 공기는 캐비티 공간의 외부로 도입될 수 있으며, 성형품 내에서의 보이드들의 형성이 방지될 수 있다. 하부 다이(21)의 중심부로부터 수지 응고를 개시하기 위해, 다이의 중심부의 열용량이 외부 에지부의 열용량보다 크거나, 또는 다이의 중심부에서의 히터들의 열동력이 외부 에지부에서의 히터들의 열동력보다 크다. 다이의 열분포는 다이를 원형으로 형성함으로써 일정해질 수 있다는 점에 주의해야 한다.
도 20에서, 열 절연 공간들(108)이 상부 다이(20)에 형성되어, 상부 다이(20)에서의 열용량의 분포를 제어하도록 한다.
수지는 응고 상태에서 수축되므로, 성형품이 응고 후에 소정 두께를 가지도록 다이의 중심부가 과충전될 수도 있다. 수지가 하부 다이(도시되지 않음) 내의 캐비티 공간(도시되지 않음)에 적절한 수지 압력으로 충전될 때, 상부 다이의 바닥 분할면의 중심부가 상향으로 밀어 올려져 약간 변형된다. 수지가 응고된 후에, 상부 다이(20)의 변형된 중심부는 초기 상태로 복귀된다. 도 20에서, 예를 들어, 0.02mm의 작은 틈새 "G"가 상부 다이(20)에 형성된다. 작은 틈새 "G"에 의해, 상부 다이(20)는 수지 압력에 의해 약간 변형될 수 있다.
실시예들에서 설명한 바와 같이, 본 발명의 수지 몰딩 장치의 주된 특징은 릴리스 필름을 사용하는 것이다. 릴리스 필름을 사용함으로써, 각각의 캐비티 공간 내의 수지는 캐비티 공간 내에 남아있는 공기의 공기압과 릴리스 필름의 탄성에 의해 적절히 가압된다.
몰딩될 부재(16)가 릴리스 필름(40)과 함께 상부 다이(20) 및 하부 다이(21)에 의해 클램프된 상태가 도 21에 도시된다. 캐비티들(26a)은 각각 분할부들(28)에 의해 분할되기 때문에, 각각의 캐비티(26a) 내에 밀봉되는 공기는 릴리스 필름(40)과 함께 부재(16)를 클램핑함으로써 압축된다. 캐비티(26a) 내에 밀봉된 공기와 릴리스 필름(40)은 수지(34a 또는 50)를 가압한다. 이러한 가압 동작은 수지가 응고되어 그 용적이 감소될 때 캐비티 공간 내의 수지에 적절한 압력을 인가한다.
도 21에 도시된 실시예에 있어서, 공기 통로들(33)이 하부 다이(21)에 형성되고 캐비티들(26a)의 내부 바닥면들에서 개방되며, 압축된 공기는 압력을 인가하도록 공기 통로들(33)을 통해 이송된다. 공기 압력은, 릴리스 필름을 고정시키기 위해 공기 통로들(33) 대신에 캐비티들(26a)의 내부 바닥면들에서 개방되는 공기 흡입 구멍들(32)을 통해 인가될 수도 있다.
도 22 및 도 23에 도시된 몰딩 다이에 있어서, 러너 통로들(29, 29a)은 캐비티들(26a)을 분할하기 위한 분할부들(28)에 형성된다. 본 실시예에 있어서, 인접한 캐비티들(26a)을 연통시키는 각 러너 통로(29a)는 인접한 캐비티들(26a) 사이에 형성되는 분할부(28)의 중간 부분에 형성되고; 캐비티들(26a)을 사선방향으로 연통시키는 각 러너 통로(29)는 분할부들(28)의 교차 부분에 형성된다. 러너 통로들을 형성함으로써, 남아있는 공기가 하나의 캐비티 공간(26)으로부터 다른 캐비티 공간으로 도입될 수 있으며, 캐비티 공간들(26) 내의 수지 압력은 균형을 이룰 수 있게 된다. 또한, 러너 통로는 캐비티 공간들(26) 내의 수지의 양을 상술한 실시예의 러너 통로들(30)과 동일하게 만들 수 있다.
본 발명의 방법은 다양한 종류의 몰딩 부재들, 예를 들어, 반도체 칩들이 장착된 기판, 플라스틱 기판을 포함하며 회로 소자들이 장착된 회로 모듈, 반도체 웨이퍼, 및 전기 단자들이나 회로들이 형성된 반도체 웨이퍼를 몰딩하기 위해 적용될 수 있다. 기판은 다층 기판, 테이프 기판 등일 수도 있다.
상술한 실시예들에 있어서, 릴리스 필름은 긴 시트와 같이 형성되어 이송 롤 상에 감기지만, 스트립형 릴리스 필름이 사용될 수도 있다.
다이들의 크기가, 예를 들어, A3, A4, A5 등의 특정 크기로 제한되면, 수지 몰딩 장치는 공통적으로 및 효율적으로 사용될 수 있다.
상부 다이(20) 및 하부 다이(21)의 분할면들은 몰딩부를 포함하고 무전해 도금에 의해 니켈-붕소-텅스텐 합금으로 코팅될 수도 있다. 수지는 코팅면들로부터 쉽게 박리할 수 있으며, 수지 누출은 방지될 수 있다. 또한, 몰딩을 위해 이동되는 몰딩 다이들 내의 수지의 이동 범위로 인한 수지 누출을 효과적으로 방지하기 위해, 분할면들은 실리콘 재료, 플루오르 수지 또는 저중합체로 분산되는 분산 코팅으로 피복될 수도 있다.
본 발명은 그 정신 및 본질적인 특징으로부터 벗어나지 않고 다른 특정 형태로 실시될 수도 있다. 그러므로, 본 발명의 실시예들은 제한적인 것이 아니라 예시적인 것으로서 고려되어야 하며, 본 발명의 범위는 상세한 설명보다는 특허청구범위에 의해 지시되는 것이고, 그 모든 변형들은 특허청구범위와 동등 범위 내에서 이루어질 수 있다.
본 발명의 방법에 따라서, 기판의 일측면 상의 복수의 반도체 칩 또는 반도체 웨이퍼는 용이하게 및 확실하게 수지로 몰딩될 수 있으며, 릴리스 필름을 사용함으로써, 다이의 구조는 단순해질 수 있고, 수지 플래시는 형성되지 않으며, 신뢰도 높은 반도체 장치가 제조될 수 있다.
본 발명의 수지 몰딩 장치에 있어서, 몰딩될 부재의 수지 몰딩부는 쉽고 확실하게 수지로 몰딩될 수 있으며, 반도체 웨이퍼 등의 일측부는 적절하게 몰딩될 수 있다.

Claims (16)

  1. 상부 다이(20) 및 하부 다이(21)를 구비한 몰딩 장치에서 반도체 장치들을 제조하기 위한 방법으로서, 상기 다이들 중 하나에는 상기 반도체 장치들의 수지-몰딩부들에 대응하는 복수의 캐비티들이 형성되는, 상기 반도체 장치 제조 방법에 있어서:
    상기 반도체 장치들의 기판(12)과 접촉하는 상기 다이들 중 하나의 분할면 및 상기 캐비티들의 내면들을, 상기 다이들 및 몰딩용 수지(14)로부터 용이하게 박리할 수 있는 릴리스 필름(40)으로 피복하는 단계;
    상기 기판(12)을 상기 다이들로 클램프하는 단계;
    상기 캐비티들 내에 수지(34a)를 충전하는 단계; 및
    몰딩된 기판(12)을 절단함으로써 상기 반도체 장치들을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 릴리스 필름(40)은, 상기 캐비티들의 내면들과 상기 다이의 분할면이 상기 릴리스 필름(40)으로 피복될 때, 상기 캐비티들의 내면들에서 각각 개방되는 공기 흡입 구멍들(32)을 통해 공기를 흡입함으로써 상기 캐비티들의 내면들 상에 고정되는, 반도체 장치 제조 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 캐비티들은 상기 다이의 몰딩면에 형성되고, 그 단부면이 상기 분할면의 일부로서 작용하는 분할부(28)에 의해 분할되고,
    인접한 캐비티들을 서로 연통시키도록 상기 분할부(28)에 수지 통로(30)가 형성되고,
    상기 수지(34a)는 포트(24)에서 가압되어 상기 포트(24)로부터 상기 캐비티들로 이송되는, 반도체 장치 제조 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 캐비티들은 상기 다이의 몰딩면에 형성되고, 상기 다이에 제공되어 상기 다이들의 개폐 방향으로 이동할 수 있는 분할판(28a)에 의해 분할되고,
    상기 분할판(28a)의 단부면은 상기 수지가 상기 포트(24)로부터 상기 캐비티들로 이송될 때 상기 기판(12)의 표면으로부터 멀리 이동되고,
    상기 분할판(28a)의 단부면은 수지(14)가 상기 캐비티들 내에 충전된 후에 상기 기판(12)의 표면 상에서 가압되는, 반도체 장치 제조 방법.
  4. 삭제
  5. 상부 다이(20) 및 하부 다이(21)를 구비한 몰딩 장치에서 반도체 장치들을 제조하기 위한 방법으로서, 상기 다이들 중 하나에는 상기 반도체 장치들의 수지-몰딩부들에 대응하는 복수의 캐비티들이 형성되는, 상기 반도체 장치 제조 방법에 있어서:
    상기 반도체 장치들의 기판(12)과 접촉하는 상기 다이들 중 하나의 분할면 및 상기 캐비티들의 내면들을, 상기 다이들 및 몰딩용 수지(14)로부터 용이하게 박리할 수 있는 릴리스 필름(40)으로 피복하는 단계;
    상기 기판(12)을 상기 다이들로 클램프하는 단계;
    상기 캐비티들 내에 수지(34a)를 충전하는 단계; 및
    몰딩된 기판(12)을 절단함으로써 상기 반도체 장치들을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 캐비티들은 상기 하부 다이(21)의 몰딩면에 형성되고, 그 단부면이 상기 분할면의 일부로서 작용하는 분할부(28)에 의해 분할되고,
    상기 릴리스 필름(40)은 상기 다이들이 개방된 상태에서 상기 하부 다이(21)의 분할면 위를 피복하도록 제공되고,
    상기 캐비티들을 충전하기에 충분한 용적을 갖는 상기 수지(14)는, 상기 릴리스 필름(40)으로 내면이 피복되는 상기 캐비티들 내에 충전되고,
    상기 기판(12)은 상기 상부 다이(20)와 상기 하부 다이(21) 사이에서 상기 릴리스 필름(40)과 함께 클램프됨으로써, 상기 분할부(28)에 의해 분할되는 수지-몰딩부들이 각각 상기 수지(34a)로 몰딩되는, 반도체 장치 제조 방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 다이들의 개폐 방향은 수직선에 대해 경사지는, 반도체 장치 제조 방법.
  7. 제 5 항에 있어서, 수지 공급부는 상기 다이중 하나에 제공되고, 상기 수지(34a)는 상기 릴리스 필름(40)으로 에워싸인 공간 내로 공급되는 반도체 장치 제조 방법.
  8. 상부 다이(20)와 하부 다이(21)를 구비한 몰딩 장치에서 반도체 장치들을 제조하는 방법에 있어서:
    반도체 웨이퍼(90)를 클램프할 수 있는 상기 다이들의 분할면들의 부분들을, 상기 다이들 및 몰딩용 수지로부터 용이하게 박리할 수 있는 릴리스 필름(40)으로 피복하는 단계;
    상기 반도체 웨이퍼(90)의 일측면 상에 수지를 제공하는 단계;
    상기 반도체 웨이퍼(90)의 일측면을 몰딩하기 위해 상기 반도체 웨이퍼(90)를 상기 릴리스 필름(40)과 함께 상기 다이들에 의해 클램프하는 단계; 및
    몰딩된 반도체 웨이퍼(90)를 절단함으로써 상기 반도체 장치들을 형성하는 단계를 포함하고,
    외부 단자들이 접속되는 복수의 기둥들(92)이 상기 몰딩될 일측면에 제공되는, 반도체 장치 제조 방법.
  9. 삭제
  10. 수지 몰딩 장치에 있어서:
    반도체 칩들(10) 및/또는 회로 소자들이 장착된 기판(12)을 구비하는 몰딩될 부재(16)를 클램프하기 위한 상부 다이(20) 및 하부 다이(21);
    상기 다이들 중 하나에 형성되고, 상기 반도체 칩들(10) 및/또는 상기 회로 소자들을 수용할 수 있는 복수의 캐비티들;
    상기 기판(12)과 접촉하는 상기 다이들 중 하나의 분할면과 상기 캐비티들의 내면들을 피복하기 위해, 상기 다이들 및 몰딩용 수지(34a)로부터 용이하게 박리할 수 있는 릴리스 필름(40)을 이송하기 위한 릴리스 필름 이송 기구; 및
    상기 몰딩될 부재(16)가 상기 릴리스 필름(40)과 함께 상기 다이들에 의해 클램프된 상태에서 포트(24)로부터 상기 캐비티들까지 상기 수지(34a)를 이송하기 위한 수지 충전 기구를 포함하고,
    상기 반도체 칩들(10) 및/또는 상기 회로 소자들은 각각 수지(34a)로 몰딩되는, 수지 몰딩 장치.
  11. 수지 몰딩 장치에 있어서:
    반도체 칩들(10) 및/또는 회로 소자들이 장착된 기판(12)을 구비하는 몰딩될 부재(16)를 클램프하기 위한 상부 다이(20) 및 하부 다이(21);
    상기 하부 다이(21)에 형성되고, 상기 반도체 칩들(10) 및/또는 회로 소자들을 수용할 수 있는 복수의 캐비티들; 및
    상기 기판(12)과 접촉하는 상기 하부 다이(21)의 분할면과 상기 캐비티들의 내면들을 피복하기 위해, 상기 다이들 및 몰딩용 수지(34a)로부터 용이하게 박리할 수 있는 릴리스 필름(40)을 이송하기 위한 릴리스 필름 이송 기구를 포함하고,
    상기 몰딩될 부재(16)는 상기 릴리스 필름(40)과 함께 상기 다이들에 의해 클램프되고, 상기 릴리스 필름(40)으로 에워싸인 공간 내에 공급되는 상기 수지(34a)로 몰딩되는, 수지 몰딩 장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 하부 다이(21)에 제공되는 클램퍼(76)를 더 포함하고,
    상기 클램퍼(76)는, 상기 다이들이 개방되어 상기 몰딩될 부재(16)의 외부 에지부를 클램프할 수 있을 때, 상기 하부 다이(21)의 분할면으로부터 클램핑면을 돌출시키도록 상기 상부 다이(20) 쪽으로 편향되는, 수지 몰딩 장치.
  13. 반도체 웨이퍼(90)의 일측면 전체를 몰딩하기 위한 수지 몰딩 장치에 있어서:
    반도체 웨이퍼(90)를 클램프하기 위한 상부 다이(20) 및 하부 다이(21);
    상기 다이들 중 하나의 분할면에 형성되는 몰딩부; 및
    상기 다이들의 분할면들을 피복하기 위해, 상기 다이들 및 몰딩용 수지(34a)로부터 용이하게 박리할 수 있는 릴리스 필름(40)을 이송하기 위한 릴리스 필름 이송 기구를 포함하고,
    상기 반도체 웨이퍼(90)는 상기 릴리스 필름(40)과 함께 상기 다이들에 의해 클램프되고, 상기 몰딩부 내에 공급되는 상기 수지(34a)로 몰딩되는, 수지 몰딩 장치.
  14. 제 10 항에 있어서,
    상기 다이의 분할면에 형성되는 오버플로 캐비티(98); 및
    상기 오버플로 캐비티(98)의 바닥면에서 개방되고 공기 기구에 접속되는 공기 통로(98a)를 더 포함하는, 수지 몰딩 장치.
  15. 제 10 항에 있어서,
    상기 다이들은 몰딩부의 중심부로부터 외부 에지부까지 상기 수지(34a)를 응고시키도록 설계되는, 수지 몰딩 장치.
  16. 제 10 항에 있어서,
    상기 릴리스 필름(40)이 가압되는 상기 분할면의 일부가 거친 표면으로 형성되는, 수지 몰딩 장치.
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