JP3207837B2 - 半導体装置の製造方法および樹脂封止装置 - Google Patents

半導体装置の製造方法および樹脂封止装置

Info

Publication number
JP3207837B2
JP3207837B2 JP31165599A JP31165599A JP3207837B2 JP 3207837 B2 JP3207837 B2 JP 3207837B2 JP 31165599 A JP31165599 A JP 31165599A JP 31165599 A JP31165599 A JP 31165599A JP 3207837 B2 JP3207837 B2 JP 3207837B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
mold
lower mold
release film
molded
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP31165599A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2000299335A (ja
Inventor
文夫 宮島
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Apic Yamada Corp
Original Assignee
Apic Yamada Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Apic Yamada Corp filed Critical Apic Yamada Corp
Priority to JP31165599A priority Critical patent/JP3207837B2/ja
Publication of JP2000299335A publication Critical patent/JP2000299335A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3207837B2 publication Critical patent/JP3207837B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置の製造方
法および樹脂封止装置に関し、より詳細には、半導体ウ
エハを片面樹脂封止して半導体装置とする半導体装置の
製造方法およびこれに用いる樹脂封止装置に関する。
【0002】
【従来の技術】樹脂封止型の半導体装置を製造する方法
として、図24に示すように、多数個の半導体チップ1
0を縦横方向に所定間隔で配列した基板12を被成形品
として樹脂封止し、樹脂14が硬化した後、個々の半導
体チップ10の配置位置に合わせて樹脂14と基板12
とをダイシングソーあるいはレーザ等によって切断し、
これによって個片の半導体装置を得る方法がある。この
半導体装置の製造方法によれば半導体チップ10を高密
度に配置することができ、きわめて小形の半導体装置を
効率的に生産する上で有効であり、半導体装置の製造コ
ストを効果的に引き下げることが可能である。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ように半導体チップ10が搭載されている面全体を樹脂
封止した基板12を個片に分離して半導体装置とする方
法には次のような問題点がある。すなわち、ダイシング
ソーを用いて個片に切断する方法の場合は、樹脂14と
基板12といった異なる材質のものをダイシングするこ
とからダイシング刃が傷みやすく、切断部分に欠けやク
ラックがはいりやすくなる。また、レーザを用いて分離
する場合は切断に時間がかかる。また、半導体チップ1
0を樹脂封止する際にポッティング法による場合は樹脂
14が硬化するまでに時間がかかり、効率的でない。ま
た、トランスファ封止法によって樹脂封止する場合はワ
イヤ流れなどが生じて的確な樹脂封止ができない。ま
た、半導体チップ10が搭載されている面全体を単に樹
脂封止することから成形品が反るといった問題がある。
【0004】本発明は、これらの問題点を解消すべくな
されたものであり、その目的とするところは、半導体ウ
エハを片面樹脂封止して半導体装置とする半導体装置の
製造方法およびこれに用いる樹脂封止装置を提供するに
ある。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため次の構成を備える。すなわち、被成形品を上型
と下型とでクランプし、上型と下型の一方の樹脂成形面
と該樹脂成形面に対向する被成形品の被成形面との間
で、前記被成形面の略全面にわたって形成される一つの
キャビティにより被成形品を一括して樹脂封止した後、
片面樹脂封止された成形品を半導体装置ごとに個片に分
割して半導体装置を得る半導体装置の製造方法であっ
て、型開き時に、前記上型下型の樹脂成形面を含むパ
ーティング面の少なくとも被成形品が配置される領域
を、金型および封止用の樹脂と容易に剥離するリリース
フィルムを金型面にエア吸着して被覆し、前記リリース
フィルムを介して前記上型および下型により被成形品
とともに封止用に供給された樹脂をクランプして被成形
品の被成形面を樹脂封止することを特徴とする。また、
前記上型と下型のパーティング面の少なくとも被成形品
が配置される領域をリリースフィルムにより被覆した
後、被成形面を上型の樹脂成形面に向けて下型に被成形
品をセットし、被成形品の被成形品に樹脂を供給した
後、前記リリースフィルムを介して前記上型および下型
により、被成形品とともに樹脂をクランプして被成形品
樹脂封止することを特徴とする。また、前記上型と下
型のパーティング面の少なくとも被成形品が配置される
領域をリリースフィルムにより被覆した後、下型の樹脂
成形面の凹部内に樹脂を供給し、被成形面を下型の樹脂
成形面に向けて下型に被成形品をセットした後、前記リ
リースフィルムを介して前記上型および下型により、被
成形品とともに樹脂をクランプして被成形品を樹脂封止
することを特徴とする。また、被成形品をセットする下
型の型面が被成形品の平面形状と同一の平面形状に形成
され、下型の周囲に型開き時に下型の型面よりも端面が
突出するクランパが設けられた金型を使用し、前記下型
およびクランパの上にリリースフィルムを供給し、下型
からリリースフィルムをエア吸引してクランパの内側
面と下型の型面によって囲まれた凹部の内面にリリース
フィルムを吸着した後、前記凹部に被成型品をセット
て樹脂封止することを特徴とする。この方法によれば、
樹脂ばりを生じさせずに確実に樹脂封止することができ
る。また、前記被成形品が、被成形品の片面に多数本の
ピラーが立設された半導体ウエハであり、前記ピラーが
立設された面を被成形面として樹脂封止することを特徴
とする。この方法によれば、ピラーの端面に樹脂ばりが
付着せず、ピラーの端面が確実に露出した状態で樹脂封
止することができる。
【0006】また、被成形品を上型と下型とでクランプ
し、上型と下型の一方の樹脂成形面と該樹脂成形面に対
向する被成形品の被成形面との間で、前記被成形面の略
全面にわたって形成される一つのキャビティにより被成
形品を一括して樹脂封止する樹脂封止装置であって、前
記被成形品をセットする下型の型面が被成形品の平面形
と同一の平面形状に形成されるとともに、下型の周囲
に型開き時に下型の型面よりも端面が突出するクランパ
が設けられ、前記上型下型の樹脂成形面を含むパーテ
ィング面の少なくとも被成形品が配置される領域に、金
型および封止用の樹脂と容易に剥離するリリースフィル
ムを供給して被覆するリリースフィルムの供給機構およ
びリリースフィルムを金型面にエア吸着する吸引機構
設け、前記上型と下型の樹脂成形面が前記リリースフィ
ルムにより被覆された状態で前記下型に被成形品をセッ
、被成形品の被成形面に封止用の樹脂を供給し、
記リリースフィルムを介して前記上型および下型によ
被成形品とともに前記樹脂をクランプして被成形品
の被成形面を樹脂封止する可動プラテン等のプレス装置
を備えたことを特徴とする。また、前記上型および下型
のパーティング面に、エア吸引機構に接続してリリース
フィルムをパーティング面に吸着するエア吸着孔が設け
られていることにより、リリースフィルムを金型面にエ
ア吸着して確実な樹脂封止ができる。また、前記上型お
よび下型の前記エア吸着孔に囲まれた領域が、梨地等の
粗面に形成されていることにより、エア吸引した際にリ
リースフィルムが移動しやすくなりリリースフィルムの
位置決めが正確にできて、さらに確実な樹脂封止が可能
となる。また、前記上型および下型のパーティング面に
オーバーフロー用のキャビティが設けられ、該キャビテ
ィの底面にエア機構に接続する通気孔が設けられている
ことにより、余分の樹脂をオーバーフロー用のキャビテ
ィに収容可能にするとともに余分のリリースフィルムを
ひき込むことによって確実な樹脂封止が可能となる。ま
た、前記上型または下型に、樹脂の硬化を樹脂成形部の
中央部から周辺に進行させる金型構造あるいはヒータ制
御構造が設けられていることにより、被成形品の略全面
を樹脂封止した際に、成形品が反らないようにすること
が可能となる。
【0007】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る半導体装置の
製造方法およびこの方法を適用する樹脂封止装置につい
て添付図面とともに詳細に説明する。図1、2は本発明
に係る半導体装置の樹脂封止装置で使用する金型の構成
とこの樹脂封止装置を用いて樹脂封止する方法を示す。
16は基板12に半導体チップ10を搭載した被成形品
である。被成形品16は基板12上で縦横方向に一定間
隔で半導体チップ10が配置されたものである。実施形
態は2つの半導体チップ10を単位として一つの半導体
装置を構成するマルチチップモジュールを製造する例で
ある。もちろん、個々の半導体装置で単一の半導体チッ
プ10を搭載する場合、3つ以上の半導体チップ10を
搭載する場合、半導体チップ10以外の抵抗等の回路部
品を搭載する場合等にも適用可能である。
【0008】被成形品16は金型の上型20と下型21
とによってクランプされ、ポット24からキャビティ2
6に樹脂を充填して樹脂封止される。22は樹脂を圧送
するプランジャである。本実施形態では下型21にキャ
ビティ凹部26aを設け、被成形品16の半導体チップ
10を搭載した面を下向きにして下型21に被成形品1
6をセットする。なお、上型20にキャビティ凹部を設
けて被成形品16の半導体チップ10の搭載面を上向き
にして樹脂封止することも可能である。
【0009】図3に下型21の斜視図を示す。下型21
には基板12に搭載されている半導体チップ10の配置
位置に合わせて矩形のキャビティ凹部26aを形成す
る。28は隣接するキャビティ凹部26aを仕切る仕切
り部である。実施形態では仕切り部28を格子枠状に形
成して矩形に区分されたキャビティ凹部26aを形成し
た。仕切り部28の上端面は均等高さに形成され、金型
のパーティング面となる。
【0010】30は隣接するキャビティ26の間を連絡
するランナー路である。ランナー路30は仕切り部28
を部分的に切り欠いて形成し、隣接するキャビティ26
がランナー路30を介して連通するようにする。実施形
態では長手方向に配列されるキャビティ凹部26aが3
個ずつ連通するようにランナー路30を配置した。図1
では、ランナー路30が通過する部位で下型21を切断
した断面を示す。
【0011】本実施形態の樹脂封止装置は被成形品16
を上型20と下型21とでクランプして樹脂封止する
が、下型21の樹脂成形面をリリースフィルム40で被
覆することにより、樹脂成形面にじかに封止樹脂が接触
しないようにして樹脂封止することを特徴とする。リリ
ースフィルム40は金型の加熱温度に耐えられる所定の
耐熱性を有するもので金型から容易に剥離するものを使
用する。たとえば、PTFE、ETFE、PET、FE
Pフィルム等が使用できる。また、キャビティ凹部26
a等の樹脂封止部の内面形状にならって容易に変形する
柔軟性、伸展性を有するものを使用する。また、樹脂封
止後に硬化した樹脂から容易に剥離するものを使用す
る。
【0012】実際形態の封止金型はポット24の両側に
下型21を配置する。図1は一方側の下型21を示して
いる。もちろん、下型21はポット24の両側に配置す
るのでなくポット24の一方側のみに配置するのでもよ
い。また、下型21の寸法や下型21に設けるキャビテ
ィ凹部26aの配置数等も被成形品16に合わせて適宜
設計する。図1は型開きして下型21とポット24にリ
リースフィルム40をセットした状態を示す。図のよう
にリリースフィルム40はポット24の内面と下型21
の樹脂封止面の全体を被覆するように配置する。
【0013】リリースフィルム40は樹脂封止操作に合
わせて、封止金型の樹脂封止部を覆うように封止金型上
に搬入される。リリースフィルム40をセットする際は
封止金型の樹脂封止面に単にのせるだけでもよいが、図
1に示すように、キャビティ凹部26aの内底面側から
エア吸引し、キャビティ凹部26aの内面形状にならっ
てリリースフィルム40を吸着するのがよい。32はリ
リースフィルム40をエア吸引するための吸引孔であ
る。吸引孔32はたとえばキャビティ凹部26aの内底
面でスリット状に開口させ、封止金型の外部のエア吸引
機構に連絡して設ける。
【0014】リリースフィルム40は柔軟性を有するか
ら、吸引孔32からエア吸引することにより容易にキャ
ビティ凹部26aの内面形状にならってエア吸着され
る。これによって被成形品16を収納するキャビティ2
6が形成される。ポット24部分についてもポット24
の内部側からエア吸引することにより、ポット24の内
周面とプランジャ22の上端面で構成される凹部の内面
に沿ってリリースフィルム40がエア吸着される。
【0015】ポット24の内面にリリースフィルム40
をエア吸着する方法としては、ポット24の内周面とプ
ランジャ22の外周面との間の隙間部分をエア流路とし
てポット24の下方からエア吸引する方法、プランジャ
22の外周面に上下に連通する溝を設け、溝部分をエア
流路としてエア吸引する方法等がある。ポット24の内
面をリリースフィルム40で覆っているから、ポット2
4の内面に溶融した樹脂が付着することがない。
【0016】リリースフィルム40を下型21の樹脂封
止面とポット24部分にエア吸着した後、ポット24に
樹脂タブレット34を供給し、被成形品16を下型21
の所定位置にセットする。ポット24に供給する封止用
の樹脂としては樹脂をタブレット状に固めて成形したも
のの他、顆粒状の樹脂、粉体状の樹脂、液体状の樹脂、
シート状の樹脂、ゼリー状の樹脂が使用できる。また、
熱硬化性樹脂であっても熱可塑性樹脂であってもよい。
【0017】次いで、被成形品16を上型20と下型2
1とでクランプし、ポット24内で溶融した樹脂34a
をプランジャ22により圧送してキャビティ26内に樹
脂34aを充填する。図2はキャビティ26に樹脂34
aを充填した状態である。樹脂34aはポット24に近
い側に配置されているキャビティ26からより遠い側の
キャビティ26へ向けて順に充填されていく。ランナー
路30は隣接するキャビティ26間を連通して樹脂34
aを充填する流路となる。このようにしてポット24か
らすべてのキャビティ26に樹脂34aが充填した後、
保圧して樹脂34aを硬化させる。
【0018】樹脂34aが硬化した後、型開きし、樹脂
封止した成形品を封止金型上から取り出す。成形品の取
り出しは、封止樹脂にリリースフィルム40が付着した
状態で金型外へ取り出してからリリースフィルム40を
剥離除去するか、封止金型内で成形品をリリースフィル
ム40から剥離した後、成形品とリリースフィルム40
を別々に金型外へ取り出しする。
【0019】図4は樹脂封止後の成形品の斜視図を示
す。基板12上に矩形の樹脂封止部36が一定間隔をあ
けて縦横配列で配置されている。隣接する樹脂封止部3
6の中間部分には樹脂が残留せず、基板12が露出す
る。30aはランナー路30内で硬化した樹脂で基板1
2に付着して残留しているものである。
【0020】半導体装置は個々の樹脂封止部36ごとに
基板12を分割して得られる。図でA−A線は基板12
上での一方の分離線、B−B線はこれに直交する他方の
分離線を示す。本実施形態の樹脂封止装置によって得ら
れた成形品は、ランナー路30内で硬化した樹脂30a
が部分的に残留するが、隣接する樹脂封止部36の中間
領域は基板12のみであり、基板12のみを分割するこ
とによって容易に個片化された半導体装置を得ることが
できる。
【0021】このように基板12のみを分割して半導体
装置とする方法であれば、ダイシングソーを用いて分割
する場合でも刃をいためることなく、きわめて容易に分
割することができる。ダイシングソーによる分割操作を
容易にするため基板12として、ランナー路30が通過
する部位を除いてダイシングソーが通過する部位にあら
かじめスリット孔を設けたものを使用すれば、さらに能
率的に分割することができる。また、基板12の分割線
に合わせてあらかじめノッチを設けた基板12を使用
し、樹脂封止後にノッチ部分で基板12を割ることによ
って個片の半導体装置を得ることもできる。
【0022】本実施形態のようにリリースフィルム40
を用いて樹脂封止する方法は、被成形品16を確実にク
ランプすることができ、的確な樹脂封止ができるという
利点がある。被成形品16の基板12が樹脂基板である
ような場合には、基板12の厚さに若干のばらつきがあ
ることが避けられない。しかし、リリースフィルム40
を介してクランプすれば、基板12の厚さのばらつきを
吸収して基板12の表面に樹脂ばりを残したりせず確実
に樹脂封止することができる。
【0023】また、成形品を離型する場合はエジェクタ
ピンを使用して型開き時に樹脂成形部分をエジェクタピ
ンで突き出すようにするのが従来の方法である。リリー
スフィルム40を用いればエジェクタピンを用いずに離
型することができ、封止金型の内部にエジェクタピンを
配置するといった複雑な金型構造にする必要がないとい
う利点がある。
【0024】また、リリースフィルム40で封止金型の
樹脂封止部の内面を被覆することにより、キャビティ2
6の内面での樹脂の流れ性が良好となり、キャビティ2
6内に樹脂34aが充填されやすくなって樹脂封止部3
6の内部にボイドが生じることを防止し、確実に樹脂封
止することができる。また、キャビティ26内での樹脂
34aの流れ性が良好になることから、樹脂封止部36
の厚さが0.1mmといったきわめて薄厚のパッケージ
を形成することが容易に可能になる。
【0025】また、キャビティ26内での樹脂の流れ性
に関連して、従来の樹脂封止装置では成形品の離型性を
考慮して、樹脂封止後の離型が容易な樹脂を使用してい
るが、本実施形態のようにリリースフィルム40を使用
する場合は、樹脂と封止金型とが接しないから、キャビ
ティ26への樹脂の充填性、半導体装置の電気的特性等
のみを考慮して樹脂を選択することができる。
【0026】なお、リリースフィルム40を用いて樹脂
封止する方法としては、図5に示すように上型20と下
型21の双方のパーティング面および樹脂成形面をリリ
ースフィルム40で被覆して樹脂封止するようにしても
よい。また、被成形品16基板面上にポット24を配置
して樹脂封止する構成とすることもできる。また、図6
に示すように上型20に被成形品16の基板と同厚の段
差20aを設けて、段差20a内に被成形品16を収容
して樹脂封止することもできる。
【0027】上記実施形態の樹脂封止装置で使用する下
型21は仕切り部28にランナー路28を設けて隣接す
るキャビティ26を連通していたが、ランナー路28内
で硬化した樹脂が基板12上に残らないようにするに
は、たとえば、図7に示すような封止金型を使用すれば
よい。図7に示す封止金型は上述した下型21と同様に
仕切り部28によって矩形枠状にキャビティ凹部26a
を仕切るものであるが、隣接するキャビティ26を連絡
する仕切り部28を上下に可動となる仕切り板28aと
して形成し、仕切り板28aを上下駆動される支持板3
8に支持したことを特徴とする。
【0028】図7は被成形品16をリリースフィルム4
0を介して上型20と下型21とでクランプし、ポット
24からキャビティ26に樹脂34aを充填している状
態である。このように樹脂34aをキャビティ26に充
填する際には仕切り板28aの上端面を基板12の表面
から離間させ、隣接するキャビティ26を相互に連通さ
せる連通路31とすることによってすべてのキャビティ
26に樹脂34aを充填することができる。そして、す
べてのキャビティ26に樹脂34aが充填されたところ
で支持板38を上動させ、仕切り板28aの上端面を基
板12に当接させることによって、個々のキャビティ2
6を完全に仕切ることができる。
【0029】このような方法によって樹脂封止すれば、
基板12上でキャビティ26を相互に連通していた連通
路31の部位にも樹脂封止後に樹脂が残留せず、図8に
示すように基板12上で樹脂封止部36が完全に分離し
た成形品を得ることができる。このように樹脂封止部3
6が個々に完全に分離して形成されれば、基板12を個
片に分離する操作がさらに容易になる。また、仕切り板
28aを利用する場合は、下型21で仕切り板28aを
上下動させる上下動孔からエアを吸引してリリースフィ
ルム40をキャビティ凹部26aにならってエア吸着す
ることができ、エア吸着用の吸引孔を別に設けなくても
よい。
【0030】上述した各実施形態ではいずれも下型21
にキャビティ凹部26aを設けた金型を使用して樹脂封
止したが、上型20にキャビティ凹部26aを設けた金
型を使用する場合も同様に樹脂封止することができる。
上型20にキャビティ凹部26aを設けた場合は上型2
0にキャビティ26に連絡する樹脂路を設けるようにす
ればよい。
【0031】図9は仕切り部28で各キャビティ凹部2
6aを完全に仕切った封止金型を示す。上述した実施形
態では仕切り部28にランナー路30を設け、あるいは
仕切り板28aを可動にすることによって隣接するキャ
ビティ26を連通したが、この例のように、ランナー路
30を有しない、固定した仕切り部28でキャビティ凹
部26aを形成した封止金型を使用して樹脂封止するこ
とも可能である。
【0032】図10はランナー路30を有しない固定の
仕切り部28を設けた封止金型で液状樹脂を使用して樹
脂封止する樹脂封止装置の実施形態を示す。42は下型
ベースであり、下型21を型開閉方向にガイドして支持
する。44は下型21を型開閉方向に押動する駆動機構
に連繋する支持ロッドである。下型21はたとえば、モ
ータによりボールねじを回転駆動し支持ロッド44を進
退動させることによって昇降させることができる。
【0033】本実施形態の樹脂封止装置は、図10に示
すように型開閉方向を鉛直線に対し数度傾斜させた配置
とすることと、リリースフィルム40を下型21の樹脂
成形面にエア吸着させない状態で液状樹脂50を供給し
てから被成形品16をクランプして樹脂封止することを
特徴とする。図10でθは鉛直線に対して金型を傾斜さ
せて配置した角度を示す。
【0034】図10は型開きした状態で下型ベース42
によりリリースフィルム40の周縁部を支持してリリー
スフィルム40の上に所定量の液状樹脂50を供給した
後、被成形品16の周縁部を上型20と下型ベース42
とでクランプした状態を示す。リリースフィルム40が
たるんでリリースフィルム40の上に液状樹脂50が収
容されている。金型が傾斜して設置されていることによ
り液状樹脂50は中心線CLから左側に偏位して収容さ
れる。
【0035】液状樹脂50は下型21に設けられている
すべてのキャビティを充填するに十分な樹脂量を供給す
る。図10で下型21は下位置にある状態である。この
下位置にある状態から下型21を上型20に向けて押し
上げる。下型21が上昇するとともに液状樹脂50はリ
リースフィルム40を介して押し上げられるが、金型が
傾斜して配置されているから、下型21の低位側にある
キャビティ26から徐々に高位側のキャビティ26に向
けて液状樹脂50が充填されていく。
【0036】図11は下型21を上位置まで完全に押し
上げ、上型20と下型21とで被成形品16をクランプ
した状態である。すべてのキャビティ26でリリースフ
ィルム40を介して液状樹脂50が充填されている。こ
のように被成形品16を上型20と下型21とでクラン
プした状態で、液状樹脂50を硬化させて樹脂封止す
る。46は上型20と下型21とを加熱するためのヒー
タである。
【0037】下型21は縦横に仕切り部28を設けた金
型であるが、金型を傾斜させて配置し、液状樹脂50を
低位側のキャビティ26から順に充填していくことによ
って、仕切り部28にランナー路30を設けずに、すべ
てのキャビティ26に液状樹脂50を充填することが可
能となる。そして、仕切り部28にランナー路30を設
けないことによって、図8に示すような、完全に樹脂封
止部36が独立した形態で樹脂封止することが可能とな
る。
【0038】上記のように液状樹脂50を供給して樹脂
封止する際には、樹脂量が不足しないように、すべての
キャビティ26を充填するに必要な樹脂量よりも若干多
目に液状樹脂50を供給する。下型ベース42のパーテ
ィング面に設けたオーバーフロー用のキャビティ48は
樹脂封止した際に余分となった樹脂を収容するためのも
のである。オーバーフロー用のキャビティ48は下型2
1で最高位のキャビティに隣接する下型ベース42のパ
ーティング面に設ける。これは、低位側のキャビティか
ら順に充填していった液状樹脂50が最後にキャビティ
から溢れた分を収容するためである。
【0039】なお、液状樹脂50のかわりに樹脂タブレ
ットを供給して樹脂封止することも可能である。リリー
スフィルム40を下型ベース42で支持した状態で樹脂
タブレットを供給し、封止金型の熱によって樹脂タブレ
ットを溶融した後、下型21を押し上げることによっ
て、液状樹脂50と同様に徐々にキャビティ26に樹脂
が充填されて樹脂封止される。ボイド混入量の少ない樹
脂タブレットを使用すれば、液状樹脂を使用する場合と
同様にボイドのない好適な樹脂封止が可能である。
【0040】上記図10〜12で示した樹脂封止装置で
は下型21のクランプ面は上型20のクランプ面と平行
面に形成いているが、下型21のクランプ面を当初設計
状態で低位側から高位側にかけて全体として0.05m
m程度傾斜させ、下型21を押し上げて上型20との間
で被成形品16をクランプする際に、低位側から高位側
に徐々にクランプされるように型クランプを制御するよ
うに構成することができる。このように金型のクランプ
そのものを制御することにより、最高位側からエアを抜
けしやすくし、リリースフィルム40を若干高位側へ引
いて延ばすようにクランプできることから、リリースフ
ィルム40をしわを生じさせずに樹脂封止できるという
利点がある。
【0041】図12は金型を傾斜させ下型21を昇降さ
せて樹脂封止する樹脂封止装置の他の構成例を示す。本
実施形態の樹脂封止装置は上型20あるいは下型21に
樹脂の供給部として樹脂タブレット34を加熱して溶融
する溶融部60を設け、溶融部60で溶融した樹脂34
aをリリースフィルム40上に供給するように構成した
ことを特徴とする。図12では上型20にタブレット押
圧板62と押圧バネ64を設けた溶融部60を設け、押
圧板62により樹脂タブレット34を押圧しつつ加熱し
て溶融する構成を示す。66はヒータである。
【0042】上型20および下型21は上述した実施形
態と同様に傾斜させて配置するから、溶融部60は上型
20のパーティング面のうちで最も高位側に配置し、溶
融部60で溶融された樹脂34aが押圧板62によって
押し出されてリリースフィルム40上に流入するように
する。68は溶融部60の基部から下型21側に樹脂3
4aが流入するようにするためのゲートである。
【0043】本実施形態の樹脂封止装置による樹脂封止
操作は、型開き時にリリースフィルム40と被成形品1
6をセットするとともに、溶融部60に樹脂タブレット
34を供給して上型20と下型ベース42とを型閉じす
る。次いで、金型装置を図12に示すように鉛直位置か
ら所定角度まで傾斜させ、溶融した樹脂34aをリリー
スフィルム40上に供給する。なお、リリースフィルム
40上に所要量の樹脂34aを供給する方法は上型20
に溶融部60を設ける方法に限らず、たとえば下型21
にプランジャ等の押し出し機構と樹脂を供給するポット
を設け、ポットに樹脂タブレット34を供給してゲート
68から溶融した樹脂34aを供給するといったことも
可能である。樹脂タブレット34のかわりに顆粒状樹脂
や液状樹脂を使用することも可能である。液状樹脂は樹
脂フィルムで密封シールしてタブレット形状としたも
の、ペンシル形状にしたもの等が使用できる。
【0044】また、本実施形態では下型21を可動と
し、下型21を上昇させて被成形品16をクランプして
樹脂封止するが、上型20と下型21の作用を逆にして
上型20を可動とし、上型20にキャビティ凹部26a
を設け、半導体チップ10を上向きにして被成形品16
をセットして樹脂封止することも可能である。本実施形
態の場合は溶融部60あるいは押し出し機構を設けて樹
脂34aをキャビティ26に押し出すように構成される
からである。また、本実施形態の場合も下型21に限ら
ず上型20のパーティング面にもリリースフィルムを供
給してパーティング面をリリースフィルムで被覆するこ
とにより、金型に樹脂を付着させずに樹脂封止すること
ができる。
【0045】上記図10〜12に示す樹脂封止装置はポ
ットからキャビティへ樹脂を圧送することなく、キャビ
ティ凹部26aを形成したプレート状の下型21を昇降
させるだけで樹脂封止することを特徴とする。図13は
下型21を昇降させる方式で樹脂封止する樹脂封止装置
の他の実施形態を示す。図13は固定プラテン70に上
型20を支持し、可動プラテン72に下型21を支持し
て下型21を昇降可能としたものである。図10〜12
に示す樹脂封止装置では下型21を鉛直線に対し傾けて
昇降させたが、本実施形態では鉛直方向に昇降させる。
下型21はベースブロック74を介して下型ベース42
に固定し、下型ベース42を可動プラテン72に固設す
る。こうして下型21は可動プラテン72によって押動
されることになる。
【0046】76は被成形品16を樹脂封止する際に封
止範囲の外周囲をクランプするクランパである。クラン
パ76は弾発スプリング78により上型20に向けて常
時付勢され、可動プラテン72に対し鉛直方向に可動で
ある。なお、クランパ76を付勢する手段として、エア
シリンダ等の制御手段を用いることができる。エアシリ
ンダ等の制御手段を用いる場合は、被成形品16をセッ
トする際に、キャビティの底面位置にクランパ76のク
ランプ端面を下げておくことにより、フラットな状態で
被成形品16を支持できるという利点がある。大型の半
導体ウエハ等を被成形品16とする場合に破損等を防止
できて有用である。80aはリリースフィルム40の供
給ロール、80bはリリースフィルム40の巻取ロール
である。樹脂封止操作に合わせてリリースフィルム40
は供給ロール80aから下型21上に定寸送りされ、巻
取ロール80bに巻き取られる。82はリリースフィル
ム40を搬送するための送り出しローラ、84は巻取り
ローラである。
【0047】本実施形態の樹脂封止装置による樹脂封止
操作は以下のとおりである。まず、下型21が下位置に
ある状態で新たにリリースフィルム40が下型21の上
に供給される。クランパ76は弾発スプリング78の付
勢力により、下型21が下位置にある状態で下型21の
樹脂成形面よりも上方にクランプ面が突出する。リリー
スフィルム40はクランパ76の端面を覆っており、ク
ランパ76に設けたエア吸着孔76aからエア吸引する
ことによってクランプ面に吸着支持される。次に、下位
置にある下型21の内底面側からエア吸引し、図13に
示すように、下型21とクランパ76によって囲まれた
凹部の内面がリリースフィルム40によって被覆された
樹脂収容凹部を形成する。この状態で樹脂収容凹部に所
定量の液状樹脂50を供給する。
【0048】被成形品16は基板12の片面に複数個の
半導体チップ10を搭載したものである。被成形品16
は上型20に位置決めしてセットしてもよいし、リリー
スフィルム40を配置した状態でクランパ76の上に位
置決めしてセットしてもよい。被成形品16をセットし
た後、可動プラテン72を上動させ上型20とクランパ
76および下型21とで被成形品16をクランプする。
可動プラテン72が上動する際には、まずクランパ76
と上型20とで被成形品16の周縁部がクランプされ、
さらに可動プラテン72が上動して下型21と上型20
とで被成形品16がクランプされる。クランパ76が停
止した後、下型21が上昇する際には弾発スプリング7
8が縮む。
【0049】86、87は下型21が上動した際の上位
置を規制するストッパである。下型21はストッパ8
6、87の端面が当接する高さまで上昇して停止する。
ストッパ86、87はクランプ時に可動プラテン72が
過度に被成形品16をクランプして被成形品を傷めない
ようにするためのものである。クランパ76によって被
成形品16の周縁部をクランプした状態で下型21を押
し上げることにより、液状樹脂50はワイヤ、半導体チ
ップ、基板の順で浸漬していく。デバイスが液状樹脂5
0に浸漬されるにしたがって樹脂はリリースフィルム4
0を押し広げるようにして個々のキャビティ26内に押
し出され、各キャビティごと半導体チップ10が樹脂封
止される。
【0050】下型21を完全に上位置に押し上げた状態
で液状樹脂50を加熱して硬化させる。上型20および
下型21はヒータ46によって加熱されている。樹脂硬
化後、可動プラテン72を下降させて型開きする。型開
き時には、まずクランパ76で被成形品16をクランプ
した状態で下型21が下動し、次いで成形品を支持した
状態でクランパ76が下動する。型開きしたところで成
形品を金型外に取り出し、クランパ76によるリリース
フィルム40の吸着支持を解除して、リリースフィルム
40を新たに引き出しする。こうして、次回の樹脂封止
状態となる。
【0051】本実施形態のように複数のキャビティ凹部
26aを設けたプレート状の下型21を可動プラテン7
2で押動して樹脂封止する方法は、被成形品16に対し
て樹脂成形圧力が効果的に作用するから、従来のトラン
スファモールドによる場合にくらべて小出力のプレス装
置で樹脂封止することが可能である。従来の樹脂封止装
置では120トン程度のプレス装置で、3トンのプラン
ジャの推力を有するものといったものを使用している
が、本実施形態の装置であれば15トン程度のプレス装
置で十分である。
【0052】また、A3サイズ、A4サイズといった大
型のプレート状の被成形品を樹脂封止することが可能と
なる。上型20と下型21にヒータ46を内蔵し、被成
形品16を両面から加熱して樹脂硬化時間を速め、これ
によって樹脂封止作業を効率化できる。なお、加熱によ
って成形品が反らないように中心から硬化するよう上型
20と下型21のヒータを中心の発熱量が大きくなるよ
うに調節するのがよい。また、被成形品16を金型にセ
ットするインローダにヒータを設けておき、被成形品1
6を金型にセットする前にあらかじめ被成形品16を加
熱しておくと、被成形品16を金型にセットした際の反
りをかなり減少させることができる。
【0053】また、本実施形態のように下型21を昇降
操作して上型20との間で被成形品16をクランプして
樹脂封止する方法によると、ワイヤ流れのない好適な樹
脂封止が可能である。また、樹脂に内部ストレスが生じ
ないから、反りのない成形品が得られる。また、リリー
スフィルム40を介して樹脂封止することで、基板12
の厚さがばらついたりした場合でもキャビティの境界部
分で基板12が確実にクランプでき、基板12の表面に
樹脂ばりを生じさせずに樹脂封止することができる。ま
た、下型21をリリースフィルム40で被覆したことに
より樹脂が下型21やクランパ76の表面に付着せず、
これらの可動部分に樹脂が入り込むことを防止して円滑
な可動動作を可能とする。
【0054】図14、15は下型21を昇降させる方式
で樹脂封止する樹脂封止装置の応用例として半導体ウエ
ハ90の片面を樹脂成形する装置を示す。半導体ウエハ
90の片面上には外部接続端子を接合するピラー92が
多数本立設されており、このピラー92を立設した面を
ピラー92の端面が露出するように樹脂成形する。樹脂
成形後、この半導体ウエハ90は個片に分割されて製品
となる。図14に示すように、下型21を可動プラテン
72に支持し、弾発スプリング78によりクランパ76
を可動に支持すること、下型21にリリースフィルム4
0を供給する構成は上記実施形態と同様であり、被成形
面を上向きにして半導体ウエハ90を下型21にセット
すること、上型20の樹脂成形面にリリースフィルム4
1を供給するようにした点が異なる。リリースフィルム
41は上型20に樹脂が付着することを防止する。81
aがリリースフィルム41の供給ロール、81bが巻取
ロールである。
【0055】本実施形態の樹脂封止装置では、まず、型
開きの状態で上型20のクランプ面にリリースフィルム
41を供給してセットするとともに、下型21にリリー
スフィルム40を供給し、クランパ76にリリースフィ
ルム40を吸着支持する。次に、下型21の内底面から
リリースフィルム40をエア吸引し、クランパ76と下
型21によって囲まれた凹部内面にリリースフィルム4
0を吸着し、凹部内に半導体ウエハ90をセットする。
次に、樹脂94を半導体ウエハ90の略中央部にセット
する。図14は樹脂94をセットした状態である。
【0056】次いで、可動プラテン72を上動し、クラ
ンプを開始する。まず、樹脂94がクランプされ、次に
クランパ76が上型20に当接する。クランパ76が上
型20に当接し、さらに可動プラテン72が上動するこ
とによって下型21が半導体ウエハ90を押し上げるよ
うになる。下型21が半導体ウエハ90を押し上げる動
作は、上型20と下型21のストッパ86、87が当接
したところで停止する。この停止位置は樹脂94が溶融
され、各ピラー92間を樹脂94aが充填する状態であ
り、この位置で製品の厚さが規定される。下型20が押
し上げられる際には樹脂94は徐々に溶融し、浸漬半径
が徐々に大きくなるように中央部分から周囲に浸漬して
いき、最終的にピラー92の間に充填される。
【0057】図15はストッパ86、87が当接して下
型21が上位置に押し上げられた状態である。半導体ウ
エハ90に立設されたピラー92の間に樹脂94aが充
填され、ピラー92の端面がリリースフィルム41内に
若干入り込んでピラー92の端面に樹脂94aが付着し
ないよう樹脂成形される。ピラー92の高さ寸法に若干
ばらつきがあってもリリースフィルム41を介して樹脂
成形することによって、ばらつきを吸収してピラー92
の端面を確実に露出させて樹脂成形することができる。
96はリリースフィルム41を上型21で吸着支持する
ためのエア吸着孔、98はオーバーフロー用のキャビテ
ィである。
【0058】図16は図15に示す樹脂封止金型の上型
20の平面図、図17は下型21の平面図である。図1
6で20cは上型20のパーティング面に設けた被成形
品の半導体ウエハ90を押接する円形の押接面を示す。
押接面20cの周囲に上型20にリリースフィルム41
をエア吸着するエア吸着孔96を所定間隔で配置する。
図示例ではエア吸着孔96を四角形状に配置している
が、押接面20cの形状にあわせて同心の円形状に配置
することもできる。
【0059】上型20および下型21側のパーティング
面(キャビティの底面を含む)で、エア吸着孔96、7
6aで各々囲まれた領域を放電加工、サンドブラスト等
によって梨地等の粗面に形成すると、表面のわずかな凹
凸によって摩擦抵抗が小さくなりリリースフィルムが移
動しやすくなってリリースフィルムの位置決めが確実に
できるようになる。また、表面の凹凸によって金型から
の熱が伝わりにくくなり、リリースフィルムがいっきに
伸びないことからリリースフィルムをエア吸引した際に
フィルム全体を吸引しやすくなる。また、エア抜きがし
やすくなることから、リリースフィルムを吸引した際に
しわが生じてもエア吸引を続けると徐々にしわが解消さ
れる。なお、表面の粗面形状としては梨地の他、溝を設
けるといった方法もある。クランプエリアについては平
滑面に仕上げる場合もある。
【0060】図17に示すように半導体ウエハ90を支
持する下型21は半導体ウエハ90の径寸法に合わせて
平面形状を円形に形成される。クランパ76は下型21
の外側に下型21に対して摺動可能に設けられる。76
bは下型21の外周に沿ってクランパ76の表面に設け
たクランプ突起である。クランプ突起76bは樹脂封止
領域の境界部分で確実にクランプ力が作用するようパー
ティング面から僅かに突出するように設けたものであ
る。76cはクランプ突起76bを溝状に切り欠いたオ
ーバーフローゲートである。
【0061】オーバーフロー用のキャビティ98はクラ
ンプ突起76bの外側に一周するように配置する。オー
バーフロー用のキャビティ98の底面にエアベント孔9
8aを開口し、エア吸引機構に連絡してオーバーフロー
用のキャビティ98内にリリースフィルム40を吸引可
能とする。上型20にも下型21と同様にオーバーフロ
ー用のキャビティ98を設ける。下型21で77はオー
バーフロー用のキャビティ98のさらに外側に配置した
吸引溝である。実施形態では吸引溝77を均等配置で4
か所に設けている。77aは吸引溝77の底面に開口さ
せた吸引孔である。この吸引孔77aもエア吸引機構に
連絡し、リリースフィルム40を吸引溝77に引き込み
可能とする。吸引溝77にリリースフィルム40のたる
みを引き込み、しわを取ることが可能となる。吸引溝7
7は分断した形状でなく周方向に連通させた形状として
もよい。なお、オーバーフロー用のキャビティ98の深
さを部分的に深くすることによって吸収溝77と同様な
リリースフィルム40のたるみを引き込む作用をもたせ
ることができる。
【0062】図18はピラー92を立設した面を下型2
1に向けて半導体ウエハ90を樹脂成形する樹脂封止装
置の実施形態を示す。上型20と下型21にリリースフ
ィルム40、41を供給すること、クランパ76を用い
ること、可動プラテン72で下型21を支持すること等
の基本的な構成は上記実施形態と同様である。101は
下型21の底面側からエア吸引するために設けたシール
リングである。本実施形態での樹脂封止装置では、上型
20と下型21にリリースフィルム40、41をセット
した後、クランパ76の上面で周縁部を支持するように
して半導体ウエハ90を下型21にセットし、クランパ
76と下型21とで形成された凹部内に液状樹脂50を
注入する。図18は液状樹脂50を注入した状態であ
る。
【0063】次いで、可動プラテン72を上動させ半導
体ウエハ90の周縁部をクランパ76で上型20との間
でクランプし、さらに下型21を上動させる。下型21
はストッパ86、87が当接したところで上動が停止す
る。下型21の上動とともに液状樹脂50が半導体ウエ
ハ90のピラー92の形成面の全面で浸漬する。下型2
1の押し上げ位置ではピラー92の端面が若干リリース
フィルム40に入り込むように液状樹脂50の充填厚が
設定されているから、ピラー92の端面から樹脂が排除
され、ピラー92を露出した形状で樹脂成形される。
【0064】本実施形態および上記実施形態で説明した
ように、半導体ウエハ90でピラー92を形成した面を
樹脂封止する際に、上型20および下型21をリリース
フィルム40、41で被覆して樹脂成形する方法は、ピ
ラー92の端面を露出させた状態で樹脂成形する方法と
して好適に用いられる。そして、上型20と下型21の
樹脂成形面をリリースフィルム40、41で被覆するこ
とによって、樹脂成形面に樹脂が付着せず、したがって
金型面をクリーニングする必要がなくなるとともに、き
わめてクリーンな状態での樹脂成形が可能となって、信
頼性の高い製品の製造に好適に利用することが可能とな
る。
【0065】上述した図13、14、18で示す樹脂封
止装置はいずれも下型21を可動プラテン72で支持し
て下型21を可動としたが、下型21を昇降させるかわ
りに上型20を昇降させて被成形品16をクランプして
樹脂封止することも可能である。すなわち、上型20と
下型21によって被成形品16をクランプする操作は相
対的な型締め、押圧操作であればよい。
【0066】図19は樹脂封止装置の他の実施形態とし
て、クランパ78にオーバーフロー用のキャビティ10
2を設けた構成と、ストッパ86、87の突出長さを調
節可能とした構成を示す。オーバーフロー用のキャビテ
ィ102は通気孔104を介してエア機構に連絡する。
106はオーバーフローゲート、108はエアベントで
ある。図19(b)にオーバーフロー用のキャビティ10
2、オーバーフローゲート106、エアベント108の
平面図を示す。オーバーフロー用のキャビティ102は
周方向に連通し、その内周側にオーバーフローゲート1
06を配置する。エアベント108はオーバーフロー用
のキャビティ102の外周に所定間隔をおいて複数個配
置する。110はリリースフィルム40、41をクラン
プするクランプ面である。
【0067】樹脂成形部からオーバーフローした樹脂は
リリースフィルム40で内面が被覆されたオーバーフロ
ー用のキャビティ102に進入する。この状態で通気孔
104からオーバーフロー用のキャビティ102にエア
圧を加えることでキャビティ内に供給されている樹脂に
樹脂圧を加えることができ、樹脂成形部での樹脂圧の低
下を防止することができる。また、通気孔104からの
エア圧を制御することによって、オーバーフロー用のキ
ャビティ102へ樹脂が排出される際の抵抗を制御する
ことができる。オーバーフロー用のキャビティ102へ
の樹脂のオーバーフロー量を制御することによりパッケ
ージの厚さを正確に制御することも可能である。
【0068】116は上型20側のストッパ86の突出
長さを制御するモータである。ストッパ86をガイドロ
ッドに対して突出入自在に支持し、モータ116の出力
軸にストッパ86と嵌合するたとえば楕円カムを取り付
け、楕円カムの回動位置によってストッパ86の突出量
を調節する。被成形品は製品あるいはロットによって厚
さが若干変動する。たとえば、半導体ウエハ90の場合
にはウエハの厚さ、保護用の膜の厚さ、ピラー92の寸
法等にばらつきがある。したがって、このようなばらつ
きに対応して適切にクランプできるようストッパの高さ
を調節できるようにしておくのがよい。実際にストッパ
86の調節高さとしては±0.1mm程度あればよい。
【0069】前述したように、下型21を昇降させて樹
脂封止する方法によれば、樹脂圧が効果的に作用するこ
とから下型21としてかなり大型の金型を使用すること
が可能となる。しかしながら、金型が大型になると、キ
ャビティ内で樹脂が硬化する度合いが場所によって異な
ることが問題となる。下型21全体を大きなキャビティ
として見た場合、樹脂の硬化は下型の中央から徐々に周
辺に及んでいくようにすることが好ましい。これは、ボ
イドをキャビティの外側に追い出し、キャビティ内にで
きるだけボイドが残らないようにするためである。この
ように下型21全体で中央部の樹脂から先に硬化するよ
うにするためには、金型の中央部での熱容量を大きくし
周辺部の熱容量を小さくする方法、ヒータの容量を中央
部で大きくし周辺部で小さくする方法等がある。なお、
金型全体の平面形状を円形にすると温度分布を均等にで
きるといった利点がある。
【0070】図20は金型の熱容量の分布をコントロー
ルするため金型内に断熱空間108を設けた例である。
また、樹脂は硬化する際に収縮する性質があるから、キ
ャビティの中央部で樹脂を過充填とし、樹脂が収縮した
際に所定の厚さが得られるようにする構成とすることも
可能である。すなわち、樹脂圧を受けた際にキャビティ
の中央部で金型が外に若干押し広げられるようにし、樹
脂が収縮する際に元位置に復帰するようにする。図20
で110は金型の中央部で0.02mm程度の隙間に形
成した部位である。これにより金型が樹脂圧によって若
干押し広げられる。
【0071】以上、各実施形態で説明したように、本発
明に係る樹脂封止装置はリリースフィルム40を介して
樹脂封止することを特徴としている。このようにリリー
スフィルム40を介して樹脂封止した場合は、個々のキ
ャビティで見ると、キャビティ内に残留している空気の
圧力とリリースフィルム40の弾性力とによってキャビ
ティ内に充填された樹脂に適度の保圧力を作用して樹脂
封止されるという利点がある。
【0072】図21は上型20と下型21とでリリース
フィルム40を介して被成形品16をクランプした状態
である。キャビティ凹部26aは下型21に設けた仕切
り部28によって個々に区分されているから、リリース
フィルム40を介して被成形品16をクランプすると、
キャビティ凹部26aに空気が閉じ込められて圧縮され
る。このキャビティ凹部26aに閉じ込められた空気は
リリースフィルム40を介して樹脂34a、50を押圧
するように作用し、同時にリリースフィルムの弾性力も
樹脂を押圧するように作用する。これは、硬化時に樹脂
の体積が減少する場合に、キャビティに充填された樹脂
に適度の保圧力を加えて樹脂封止する作用としてはたら
く。
【0073】図21に示す例では、下型21にキャビテ
ィ凹部26aの内底面に通じるエア送入孔33を設け、
エア送入孔33から圧縮空気を送入して保圧力を加える
ようにしている。エア送入孔33を設けるかわりに、リ
リースフィルム40をキャビティ凹部26aの内面にエ
ア吸着する吸引孔32を利用して保圧力を加えるように
してもよい。
【0074】図22、23はキャビティ凹部26aを仕
切る仕切り部28の端面にランナー路を設けて樹脂封止
する金型の構成例を示す。実施形態では隣接するキャビ
ティ26の中間にある仕切り部28にキャビティ26同
士を連絡するランナー路29a、仕切り部28が交差す
る位置で対角位置にあるキャビティ26同士を連絡する
ランナー路29を設けた。仕切り部28にランナー路を
設けることにより、キャビティ26に残留したエアをキ
ャビティ26間で連通させることができ、キャビティ2
6間で保圧力をバランスさせることができる。また、ラ
ンナー路は前述したランナー路30等と同様にキャビテ
ィ26間で樹脂量を平均化させる作用がある。
【0075】なお、被成形品としては樹脂基板に半導体
チップ10を搭載したものはもちろん、樹脂基板に各種
回路部品を搭載したモジュール製品、半導体ウエハを基
板とするもの、半導体ウエハの表面に電極を形成したも
の、半導体ウエハに回路を形成したもの等、さまざまな
製品が対象となる。また、基板も多層基板、テープ基板
が使用できる。また、前記実施形態ではリール状に卷回
した長尺のリリースフィルムを使用したが、短冊状のリ
リースフィルムを使用してもよい。また、樹脂成形に使
用する金型の寸法を、A3、A4、A5といった特定の
規格寸法に設定しておくことにより、樹脂封止装置を共
通に使用することが可能となり装置を効率的に使用する
ことができるようになる。
【0076】また、樹脂成形部を含む上型20、21の
パーティング面の処理として、ニッケル−ホウ素−タン
グステンの三元合金による無電解めっきを施したものは
樹脂の離型性が良好であることから、樹脂成形時の樹脂
漏れ対策用として好適に使用できる。また、金型の表面
をシリコン系の超撥水性有機めっきにより処理したも
の、また、金型の表面をフッ素化テフロン、オリゴマー
を分散粒子とした分散めっきにより処理したものは、金
型可動による樹脂封止装置では樹脂の流動が少ないこと
から好適に使用でき、樹脂漏れ対策用としても有効な処
理である。
【0077】
【発明の効果】本発明に係る半導体装置の製造方法によ
れば、上述したように、被成形品の片面を略全面にわた
って樹脂ばり等を生じさせずに確実に樹脂封止すること
ができ、樹脂封止した成形品を個片に分割することによ
って信頼性の高い半導体装置として提供することができ
る等の著効を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】樹脂封止装置に被成形品をセットする状態の断
面図である。
【図2】被成形品をクランプして樹脂封止した状態の樹
脂封止装置の断面図である。
【図3】樹脂封止装置で用いる下型の斜視図である。
【図4】被成形品を樹脂封止した成形品の斜視図であ
る。
【図5】樹脂封止装置の他の構成を示す断面図である。
【図6】樹脂封止装置のさらに他の構成を示す断面図で
ある。
【図7】樹脂封止装置の他の実施形態を示す断面図であ
る。
【図8】被成形品を樹脂封止した樹脂成形品の斜視図で
ある。
【図9】被成形品を樹脂封止する下型の斜視図である。
【図10】下型を昇降させて樹脂封止する樹脂封止装置
を示す断面図である。
【図11】被成形品を樹脂封止した状態の断面図であ
る。
【図12】下型を昇降させて樹脂封止する樹脂封止装置
を示す断面図である。
【図13】下型を昇降させて樹脂封止する樹脂封止装置
の説明図である。
【図14】半導体ウエハの樹脂封止装置の構成を示す説
明図である。
【図15】半導体ウエハを樹脂封止した状態を拡大して
示す断面図である。
【図16】樹脂封止装置の上型の構成を示す平面図であ
る。
【図17】樹脂封止装置の下型の構成を示す平面図であ
る。
【図18】半導体ウエハの樹脂封止装置の構成を示す説
明図である。
【図19】樹脂封止装置のクランパの構成を示す断面図
および平面図である。
【図20】金型の内部構造を示す説明図である。
【図21】樹脂封止した状態のキャビティ内の構成を示
す断面図である。
【図22】ランナー路を形成した状態を示す断面図であ
る。
【図23】ランナー路を形成した状態を示す平面図であ
る。
【図24】基板上に多数個の半導体チップを搭載した被
成形品を樹脂封止した状態の断面図である。
【符号の説明】
10 半導体チップ 12 基板 14 樹脂 16 被成形品 20 上型 21 下型 22 プランジャ 24 ポット 26 キャビティ 26a キャビティ凹部 28 仕切り部 28a 仕切り板 30 ランナー路 32 吸引孔 33 エア送入孔 34 樹脂タブレット 34a 樹脂 36 樹脂封止部 40、41 リリースフィルム 42 下型ベース 46 ヒータ 50 液状樹脂 60 溶融部 70 固定プラテン 72 可動プラテン 76 クランパ 80a、81a 供給ロール 80b、81b 巻取ロール 86、87 ストッパ 90 半導体ウエハ 92 ピラー 94 樹脂 102 オーバーフロー用のキャビティ 104 通気孔

Claims (10)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 被成形品を上型と下型とでクランプし、
    上型と下型の一方の樹脂成形面と該樹脂成形面に対向す
    被成形品の被成形面との間で、前記被成形面の略全面
    にわたって形成される一つのキャビティにより被成形品
    を一括して樹脂封止した後、片面樹脂封止された成形品
    を半導体装置ごとに個片に分割して半導体装置を得る
    導体装置の製造方法であって、型開き時に、前記 上型下型の樹脂成形面を含むパーテ
    ィング面の少なくとも被成形品が配置される領域を、金
    型および封止用の樹脂と容易に剥離するリリースフィル
    を金型面にエア吸着して被覆し、 前記リリースフィルムを介して前記上型および下型によ
    被成形品とともに封止用に供給された樹脂をクラン
    プして被成形品の被成形面を樹脂封止することを特徴と
    する半導体装置の製造方法。
  2. 【請求項2】 上型と下型のパーティング面の少なくと
    も被成形品が配置される領域をリリースフィルムにより
    被覆した後、 被成形面を上型の樹脂成形面に向けて下型に被成形品を
    セットし、 被成形品の被成形品に樹脂を供給した後、前記リリース
    フィルムを介して前記上型および下型により、被成形品
    とともに樹脂をクランプして被成形品を 樹脂封止するこ
    とを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
  3. 【請求項3】 上型と下型のパーティング面の少なくと
    も被成形品が配置される領域をリリースフィルムにより
    被覆した後、 下型の樹脂成形面の凹部内に樹脂を供給し、 被成形面を下型の樹脂成形面に向けて下型に被成形品を
    セットした後、前記リリースフィルムを介して前記上型
    および下型により、被成形品とともに樹脂をクランプし
    て被成形品を 樹脂封止することを特徴とする請求項
    載の半導体装置の製造方法。
  4. 【請求項4】 被成形品をセットする下型の型面が被成
    形品の平面形状と同一の平面形状に形成され、下型の周
    囲に型開き時に下型の型面よりも端面が突出するクラン
    パが設けられた金型を使用し、 前記下型およびクランパの上にリリースフィルムを供給
    し、下型側からリリー スフィルムをエア吸引してクラン
    パの内側面と下型の型面によって囲まれた凹部の内面に
    リリースフィルムを吸着した後、 前記凹部に被成型品をセットして樹脂封止する ことを特
    徴とする請求項1、2または3記載の半導体装置の製造
    方法。
  5. 【請求項5】 前記被成形品が、被成形品の片面に多数
    本のピラーが立設された半導体ウエハであり、前記ピラ
    ーが立設された面を被成形面として樹脂封止することを
    特徴とする請求項1、2、3または4記載の半導体装置
    の製造方法。
  6. 【請求項6】 被成形品を上型と下型とでクランプし、
    上型と下型の一方の樹脂成形面と該樹脂成形面に対向す
    る被成形品の被成形面との間で、前記被成形面の略全面
    にわたって形成される一つのキャビティにより被成形品
    を一括して樹脂封止する樹脂封止装置であって、 前記被成形品をセットする下型の型面が被成形品の平面
    形状と同一の平面形状に形成されるとともに、下型の周
    囲に型開き時に下型の型面よりも端面が突出するクラン
    パが設けられ、 前記上型と下型の樹脂成形面を含むパーティング面の少
    なくとも被成形品が配置される領域に、金型および封止
    用の樹脂と容易に剥離するリリースフィルムを供給して
    被覆するリリースフィルムの供給機構およびリリースフ
    ィルムを金型面にエア吸着する吸引機構を設け、 前記上型と下型の樹脂成形面が前記リリースフィルムに
    より被覆された状態で前記下型に被成形品をセットし、
    被成形品の被成形面に封止用の樹脂を供給し、前記リリ
    ースフィルムを介して前記上型および下型により、被成
    形品とともに前記樹脂をクランプして被成形品の被成形
    面を樹脂封止する可動プラテン等のプレス装置を備えた
    ことを特徴とする樹脂封止装置。
  7. 【請求項7】 前記上型および下型のパーティング面
    に、エア吸引機構に接続してリリースフィルムをパーテ
    ィング面に吸着するエア吸着孔が設けられていることを
    特徴とする請求項記載の樹脂封止装置。
  8. 【請求項8】 前記上型および下型の前記エア吸着孔に
    囲まれた領域が、梨地等の粗面に形成されていることを
    特徴とする請求項7記載の樹脂封止装置。
  9. 【請求項9】 前記上型および下型のパーティング面に
    オーバーフロー用のキャビティが設けられ、該キャビテ
    ィの底面にエア機構に接続する通気孔が設けられている
    ことを特徴とする請求項6、7または8記載の樹脂封止
    装置。
  10. 【請求項10】 前記上型または下型に、樹脂の硬化を
    樹脂成形部の中央部から周辺に進行させる金型構造ある
    いはヒータ制御構造が設けられていることを特徴とする
    請求項6、7、8または9記載の樹脂封止装置。
JP31165599A 1998-07-10 1999-11-01 半導体装置の製造方法および樹脂封止装置 Expired - Lifetime JP3207837B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP31165599A JP3207837B2 (ja) 1998-07-10 1999-11-01 半導体装置の製造方法および樹脂封止装置

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP19572398 1998-07-10
JP10-195723 1999-02-08
JP11029469 1999-02-08
JP11-29469 1999-02-08
JP31165599A JP3207837B2 (ja) 1998-07-10 1999-11-01 半導体装置の製造方法および樹脂封止装置

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP11029469 Division 1998-07-10 1999-02-08

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001143329A Division JP3680005B2 (ja) 1998-07-10 2001-05-14 半導体装置の製造方法及び樹脂封止装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2000299335A JP2000299335A (ja) 2000-10-24
JP3207837B2 true JP3207837B2 (ja) 2001-09-10

Family

ID=27286587

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP31165599A Expired - Lifetime JP3207837B2 (ja) 1998-07-10 1999-11-01 半導体装置の製造方法および樹脂封止装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3207837B2 (ja)

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3494586B2 (ja) * 1999-03-26 2004-02-09 アピックヤマダ株式会社 樹脂封止装置及び樹脂封止方法
JP2002151531A (ja) * 2000-11-15 2002-05-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置の製造方法
JP4658353B2 (ja) * 2001-03-01 2011-03-23 ルネサスエレクトロニクス株式会社 樹脂モールド金型及び樹脂モールドパッケージの製造方法
JP3859457B2 (ja) * 2001-03-27 2006-12-20 沖電気工業株式会社 半導体装置の製造方法
JP3711333B2 (ja) * 2001-07-27 2005-11-02 沖電気工業株式会社 半導体装置の製造方法および樹脂封止装置
NL1021266C2 (nl) * 2002-08-13 2004-02-17 Otb Group Bv Werkwijze en inrichting voor het geheel of ten dele bedekken van ten minste één elektronische component met een compound.
JP2004186418A (ja) * 2002-12-03 2004-07-02 Sainekkusu:Kk 樹脂封止装置
KR100546372B1 (ko) * 2003-08-28 2006-01-26 삼성전자주식회사 웨이퍼 레벨 칩 사이즈 패키지의 제조방법
JP3825028B2 (ja) * 2003-11-17 2006-09-20 沖電気工業株式会社 半導体装置の製造方法
JP4455198B2 (ja) * 2004-07-15 2010-04-21 新日本無線株式会社 樹脂封止装置
JP2005119315A (ja) * 2004-11-24 2005-05-12 Nissha Printing Co Ltd 加飾シート成形用金型
JP2007109831A (ja) * 2005-10-13 2007-04-26 Towa Corp 電子部品の樹脂封止成形方法
JP4836661B2 (ja) * 2006-05-17 2011-12-14 Towa株式会社 電子部品の樹脂封止成形方法及び樹脂封止成形用金型
JP4454608B2 (ja) * 2006-09-13 2010-04-21 株式会社ルネサステクノロジ 半導体集積回路装置の製造方法
JP2008277325A (ja) * 2007-04-25 2008-11-13 Canon Inc 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP2009105273A (ja) * 2007-10-24 2009-05-14 Sumitomo Heavy Ind Ltd 樹脂封止金型
JP5159595B2 (ja) * 2008-12-25 2013-03-06 アピックヤマダ株式会社 半導体装置の製造装置
JP5419230B2 (ja) * 2011-08-01 2014-02-19 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP2013084788A (ja) * 2011-10-11 2013-05-09 Daiichi Seiko Co Ltd 樹脂封止金型装置および樹脂封止方法
JP2012256925A (ja) * 2012-08-10 2012-12-27 Sumitomo Heavy Ind Ltd 樹脂封止金型
JP6096081B2 (ja) * 2013-08-06 2017-03-15 アピックヤマダ株式会社 樹脂封止金型、樹脂封止方法、および樹脂封止金型のクリーニング方法
NL2013978B1 (en) 2014-12-15 2016-10-11 Besi Netherlands Bv Device and method for controlled moulding and degating of a carrier with electronic components and moulded product.
JP6667836B1 (ja) * 2019-03-20 2020-03-18 株式会社コバヤシ 金型と離型フィルムとの組合せ、離型フィルム、金型、及び成形体の製造方法
US11548273B2 (en) * 2020-01-31 2023-01-10 Asmpt Singapore Pte. Ltd. Apparatus and method for removing a film from a surface

Also Published As

Publication number Publication date
JP2000299335A (ja) 2000-10-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3207837B2 (ja) 半導体装置の製造方法および樹脂封止装置
JP3680005B2 (ja) 半導体装置の製造方法及び樹脂封止装置
US6344162B1 (en) Method of manufacturing semiconductor devices and resin molding machine
US6743389B2 (en) Resin molding machine and method of resin molding
TWI634627B (zh) 樹脂成型裝置、樹脂成型方法以及樹脂成型模具
EP1396323B1 (en) Resin encapsulation molding method of electronic part and resin encapsulation molding apparatus used therefor
JP4326786B2 (ja) 樹脂封止装置
TWI641471B (zh) Resin molding die and resin molding method
TW201446458A (zh) 樹脂成型模具與樹脂成型裝置
JP5817044B2 (ja) 樹脂封止装置および樹脂封止方法
JPH10305439A (ja) 樹脂モールド方法及び樹脂モールド装置
US6478562B1 (en) Resin molding machine
JP4484329B2 (ja) 樹脂封止方法及び樹脂封止装置
KR20200018314A (ko) 워크 반송 장치, 수지 반송 장치 및 수지 몰드 장치
JP3897565B2 (ja) 樹脂封止装置及び樹脂封止方法
JP6749286B2 (ja) モールド金型及び樹脂モールド方法
TWI810451B (zh) 成形模具、樹脂成形裝置及樹脂成形品的製造方法
TWI657910B (zh) 樹脂成形模具、樹脂成形方法、及成形品的製造方法
KR101052324B1 (ko) 봉지재 성형 방법
JP3667249B2 (ja) 樹脂封止装置
JP6397808B2 (ja) 樹脂成形金型および樹脂成形方法
KR20220117804A (ko) 수지 성형품의 제조 방법, 성형 다이 및 수지 성형 장치
JPH10305438A (ja) 液体樹脂を用いる樹脂モールド方法及び樹脂モールド装置
KR20000011536A (ko) 반도체장치제조방법및수지몰딩장치
TWI785738B (zh) 樹脂成形裝置及樹脂成形品的製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130706

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130706

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130706

Year of fee payment: 12

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term