JPH08264577A - 半導体パッケージの製造方法およびこれに用いられる金型 - Google Patents
半導体パッケージの製造方法およびこれに用いられる金型Info
- Publication number
- JPH08264577A JPH08264577A JP7066492A JP6649295A JPH08264577A JP H08264577 A JPH08264577 A JP H08264577A JP 7066492 A JP7066492 A JP 7066492A JP 6649295 A JP6649295 A JP 6649295A JP H08264577 A JPH08264577 A JP H08264577A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- films
- sealing material
- film
- mold
- semiconductor package
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
- B29C45/14639—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components
- B29C45/14655—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components connected to or mounted on a carrier, e.g. lead frame
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/93—Batch processes
- H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
- B29C45/14639—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components
- B29C45/14655—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components connected to or mounted on a carrier, e.g. lead frame
- B29C2045/14663—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components connected to or mounted on a carrier, e.g. lead frame the mould cavity walls being lined with a film, e.g. release film
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 一対のフィルムを用いて半導体パッケージ
を製造する際に、半導体装置のワイヤーボンド部がフィ
ルムに接触することによって生じる同ボンド部の変形や
断線、および成形圧力によるフィルムの破断を防止す
る。 【構成】 金型１、２およびプランジャー５におい
て、封止樹脂１４とフィルム２１、２２とが接触するこ
ととなる空間部分に一端が対応位置し且つ他端が外部の
吸引源に接続される吸引孔６・・・６をあらかじめ設け
ておき、まず、各金型１、２のキャビティ面側に、それ
ぞれ対応するフィルム２１、２２をセットした状態で、
各吸引孔６を介して外部から上記空間部分を吸引するこ
とにより、その空間部分の金型面にフィルム２１、２２
を吸着させる。次に、両フィルム２１、２２間に半導体
装置１３および封止材料１４をセットした後、金型１、
２を閉じ、その状態で封止材料１４を加圧してキャビテ
ィ３内に注入する。
を製造する際に、半導体装置のワイヤーボンド部がフィ
ルムに接触することによって生じる同ボンド部の変形や
断線、および成形圧力によるフィルムの破断を防止す
る。 【構成】 金型１、２およびプランジャー５におい
て、封止樹脂１４とフィルム２１、２２とが接触するこ
ととなる空間部分に一端が対応位置し且つ他端が外部の
吸引源に接続される吸引孔６・・・６をあらかじめ設け
ておき、まず、各金型１、２のキャビティ面側に、それ
ぞれ対応するフィルム２１、２２をセットした状態で、
各吸引孔６を介して外部から上記空間部分を吸引するこ
とにより、その空間部分の金型面にフィルム２１、２２
を吸着させる。次に、両フィルム２１、２２間に半導体
装置１３および封止材料１４をセットした後、金型１、
２を閉じ、その状態で封止材料１４を加圧してキャビテ
ィ３内に注入する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置を樹脂封止
してなる半導体パッケージの製造方法およびこれに用い
られる金型に関する。
してなる半導体パッケージの製造方法およびこれに用い
られる金型に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えばチップ状のＬＳＩ等の半導体装置
を樹脂で封止してパッケージ化する方法として、トラン
スファ−成形による方法がある。これは、粉末状または
タブレット状の樹脂を加熱・加圧して溶融させたのち金
型に注入して固化させることによりパッケージ化するも
ので、これによれば、金型への樹脂注入を低速で行うこ
とで、一定品質の半導体パッケージを比較的低コストで
大量に生産することができる。このため、半導体装置の
樹脂封止方法として、従来はトランスファ−成形による
方法が最も多く用いられてきた。
を樹脂で封止してパッケージ化する方法として、トラン
スファ−成形による方法がある。これは、粉末状または
タブレット状の樹脂を加熱・加圧して溶融させたのち金
型に注入して固化させることによりパッケージ化するも
ので、これによれば、金型への樹脂注入を低速で行うこ
とで、一定品質の半導体パッケージを比較的低コストで
大量に生産することができる。このため、半導体装置の
樹脂封止方法として、従来はトランスファ−成形による
方法が最も多く用いられてきた。
【０００３】しかしながら、近年における半導体装置の
低価格化の要求に伴い、上述のような半導体装置の樹脂
封止の分野においても生産性の大幅な向上が必要となっ
てきた。その場合に、従来のトランスファ−成形方法に
おいては、封止材料である樹脂の付着等により汚れた金
型を頻繁にクリーニングする必要があること、また成形
後に金型からエジェクトピンを突き出して半導体パッケ
ージを離型させる際に半導体装置に対してダメージを与
えるおそれがあること、さらには金型にそのようなエジ
ェクトピンの突き出し機構を設けなければならない分だ
け金型コストが高くつくこと等の問題があったことか
ら、本願発明者らは、これらの問題を解消して生産性を
大幅に向上させうる技術として、次のような半導体パッ
ケージの製造方法を提案している。
低価格化の要求に伴い、上述のような半導体装置の樹脂
封止の分野においても生産性の大幅な向上が必要となっ
てきた。その場合に、従来のトランスファ−成形方法に
おいては、封止材料である樹脂の付着等により汚れた金
型を頻繁にクリーニングする必要があること、また成形
後に金型からエジェクトピンを突き出して半導体パッケ
ージを離型させる際に半導体装置に対してダメージを与
えるおそれがあること、さらには金型にそのようなエジ
ェクトピンの突き出し機構を設けなければならない分だ
け金型コストが高くつくこと等の問題があったことか
ら、本願発明者らは、これらの問題を解消して生産性を
大幅に向上させうる技術として、次のような半導体パッ
ケージの製造方法を提案している。
【０００４】すなわち、半導体装置を樹脂封止してなる
半導体パッケージを製造するに際し、半導体パッケージ
成形用金型上に半導体装置および封止材料を上下一対の
フィルム間に挿入した状態でセットしたのち、金型を閉
じ、次いで同フィルム間の封止材料を加圧および加熱し
て金型キャビティ内に注入することにより、半導体装置
を封止するというものである。これによれば、金型キャ
ビティ面に封止材料である樹脂を直接接触させることな
く半導体パッケージを成形することができるので金型が
汚れず、また成形後はフィルム間に保持された半導体パ
ッケージをフィルムごと金型から簡単に分離させること
ができるからエジェクトピンがなくても済むこととな
る。したがって、金型のクリーニング回数の削減による
連続成形性の大幅な向上と、エジェクトピンの不要化に
よる金型コストの削減、ひいては生産性の大幅な向上を
図ることができる。
半導体パッケージを製造するに際し、半導体パッケージ
成形用金型上に半導体装置および封止材料を上下一対の
フィルム間に挿入した状態でセットしたのち、金型を閉
じ、次いで同フィルム間の封止材料を加圧および加熱し
て金型キャビティ内に注入することにより、半導体装置
を封止するというものである。これによれば、金型キャ
ビティ面に封止材料である樹脂を直接接触させることな
く半導体パッケージを成形することができるので金型が
汚れず、また成形後はフィルム間に保持された半導体パ
ッケージをフィルムごと金型から簡単に分離させること
ができるからエジェクトピンがなくても済むこととな
る。したがって、金型のクリーニング回数の削減による
連続成形性の大幅な向上と、エジェクトピンの不要化に
よる金型コストの削減、ひいては生産性の大幅な向上を
図ることができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述のよう
な方法により半導体装置を封止する場合、金型のポット
部にタブレット状の封止材料を一対のフィルム間に挟ん
だ状態でセットし、これを同ポット部に挿入されたプラ
ンジャ−によって加圧溶融させることによりキャビティ
内に注入・充填するため、封止材料の注入・充填前にフ
ィルムが金型のポット部やキャビティ等の表面形状に沿
った状態になっていないと、封止材料を注入・充填した
時にフィルムがポット部等の表面形状に沿おうとして伸
びることとなる。その場合に、封止材料のセットされて
いるポット部およびその近傍でフィルムの伸びが最も大
きくなり、その部分でフィルムの破断が発生しやすいと
いう問題が生じる。
な方法により半導体装置を封止する場合、金型のポット
部にタブレット状の封止材料を一対のフィルム間に挟ん
だ状態でセットし、これを同ポット部に挿入されたプラ
ンジャ−によって加圧溶融させることによりキャビティ
内に注入・充填するため、封止材料の注入・充填前にフ
ィルムが金型のポット部やキャビティ等の表面形状に沿
った状態になっていないと、封止材料を注入・充填した
時にフィルムがポット部等の表面形状に沿おうとして伸
びることとなる。その場合に、封止材料のセットされて
いるポット部およびその近傍でフィルムの伸びが最も大
きくなり、その部分でフィルムの破断が発生しやすいと
いう問題が生じる。
【０００６】また、封止される半導体装置には、外部端
子となるリードフレームと半導体装置の回路側とを電気
的に接続する接続線（一般にワイヤーボンド部と呼ば
れ、通常は細い金線が用いられる）があらかじめ設けら
れていることから、金型上に一方のフィルムを介して半
導体装置および封止樹脂をセットした後その上に他方の
フィルムを被せる際に、半導体装置の回路面に対向位置
するフィルムがワイヤーボンド部に接触して、ワイヤー
ボンド部が変形したり断線したりするという問題が生じ
る。
子となるリードフレームと半導体装置の回路側とを電気
的に接続する接続線（一般にワイヤーボンド部と呼ば
れ、通常は細い金線が用いられる）があらかじめ設けら
れていることから、金型上に一方のフィルムを介して半
導体装置および封止樹脂をセットした後その上に他方の
フィルムを被せる際に、半導体装置の回路面に対向位置
するフィルムがワイヤーボンド部に接触して、ワイヤー
ボンド部が変形したり断線したりするという問題が生じ
る。
【０００７】本発明は、このような問題に対処するもの
で、一対のフィルムを用いて半導体パッケージを製造す
る場合に、金型ポット部にセットされた封止材料を加圧
してキャビティ内に注入・充填する際のフィルムの伸び
による破断、特にポット部近傍におけるフィルムの破断
を防止するとともに、半導体装置のワイヤーボンド部と
フィルムとの接触を回避してワイヤーボンド部の変形や
断線を防止し、ひいては上記半導体パッケージの製造工
程における信頼性を向上させることを目的とする。
で、一対のフィルムを用いて半導体パッケージを製造す
る場合に、金型ポット部にセットされた封止材料を加圧
してキャビティ内に注入・充填する際のフィルムの伸び
による破断、特にポット部近傍におけるフィルムの破断
を防止するとともに、半導体装置のワイヤーボンド部と
フィルムとの接触を回避してワイヤーボンド部の変形や
断線を防止し、ひいては上記半導体パッケージの製造工
程における信頼性を向上させることを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的達成のため、本
発明は、半導体装置を樹脂封止してなる半導体パッケー
ジを製造するに際し、半導体パッケージ成形用の一対の
金型を用い、まず両金型を開いた状態で、その一方の金
型上に半導体装置および封止材料を一対のフィルムの間
に挿入した状態でセットしたのち、両金型を閉じ、次い
でその両フィルム間の封止材料を加圧および加熱して金
型キャビティ内に注入することにより、半導体装置を封
止する半導体パッケージの製造方法において、次のよう
に構成したことを特徴とする。
発明は、半導体装置を樹脂封止してなる半導体パッケー
ジを製造するに際し、半導体パッケージ成形用の一対の
金型を用い、まず両金型を開いた状態で、その一方の金
型上に半導体装置および封止材料を一対のフィルムの間
に挿入した状態でセットしたのち、両金型を閉じ、次い
でその両フィルム間の封止材料を加圧および加熱して金
型キャビティ内に注入することにより、半導体装置を封
止する半導体パッケージの製造方法において、次のよう
に構成したことを特徴とする。
【０００９】すなわち、上記両金型と、このうちの一方
の金型のポット部に挿入されるプランジャーとに、それ
ぞれ、封止材料とフィルムとが接触することとなる空間
部分（金型のポット部とキャビティ部のみならず、同ポ
ット部からキャビティ部に到る通路部分）に一端が対応
位置し且つ他端が外部の吸引源に接続される直径５０〜
２００μｍの吸引孔をあらかじめ設けておき、上記一対
のフィルム間への半導体装置および封止材料の挿入に先
立って、上記吸引孔を介して外部から両金型およびプラ
ンジャにおける上記空間部分側を吸引することにより、
一対のフィルムをその対応する金型およびプランジャー
の表面に吸着させ、その状態で一対のフィルム間に半導
体装置および封止材料をセットした後に金型を閉じる。
の金型のポット部に挿入されるプランジャーとに、それ
ぞれ、封止材料とフィルムとが接触することとなる空間
部分（金型のポット部とキャビティ部のみならず、同ポ
ット部からキャビティ部に到る通路部分）に一端が対応
位置し且つ他端が外部の吸引源に接続される直径５０〜
２００μｍの吸引孔をあらかじめ設けておき、上記一対
のフィルム間への半導体装置および封止材料の挿入に先
立って、上記吸引孔を介して外部から両金型およびプラ
ンジャにおける上記空間部分側を吸引することにより、
一対のフィルムをその対応する金型およびプランジャー
の表面に吸着させ、その状態で一対のフィルム間に半導
体装置および封止材料をセットした後に金型を閉じる。
【００１０】ここで、吸引孔の直径を５０〜２００μｍ
とした点が重要である。この吸引孔の直径が５０μｍに
満たないと、樹脂ゴミや周囲のほこり等によって吸引孔
が詰まりやすくなり、フィルムを吸着する力が低下す
る。特に、半導体装置の回路面側の金型キャビティ部分
の吸着力が低下した場合には、半導体装置の回路とリー
ドフレームとを接続しているワイヤーボンド部が半導体
装置上のフィルムと接触して変形または断線するおそれ
がある。また、吸引孔の直径が２００μｍを超えると、
成形時の圧力によりフィルムが吸引孔側に押し付けられ
た時にフィルムが破断しやすくなり、その結果、封止材
料である樹脂が吸引孔に流れ込みやすくなる。
とした点が重要である。この吸引孔の直径が５０μｍに
満たないと、樹脂ゴミや周囲のほこり等によって吸引孔
が詰まりやすくなり、フィルムを吸着する力が低下す
る。特に、半導体装置の回路面側の金型キャビティ部分
の吸着力が低下した場合には、半導体装置の回路とリー
ドフレームとを接続しているワイヤーボンド部が半導体
装置上のフィルムと接触して変形または断線するおそれ
がある。また、吸引孔の直径が２００μｍを超えると、
成形時の圧力によりフィルムが吸引孔側に押し付けられ
た時にフィルムが破断しやすくなり、その結果、封止材
料である樹脂が吸引孔に流れ込みやすくなる。
【００１１】本発明に用いるフィルムとしては、封止工
程における高温時（１７５°Ｃ）の引張強さが０．５〜
１５．０ｋｇｆ／ｍｍ2 であり、かつ、その高温時の伸
び率が押出方向および直角方向のいずれにおいても２０
０％以上であるようなフィルムがよい。この場合の１７
５°Ｃにおける引張強さおよび伸び率は、ＪＩＳＣ２３
１８に準拠して測定した値である。このようなフィルム
を推奨するのは次のような理由による。すなわち、キャ
ビティ内への封止材料の注入・充填時には、その圧力を
受けて一対のフィルムが金型内面の凹凸、すなわちラン
ナ部、ゲート部およびキャビティの凹凸に沿おうとし
て、それらのフィルムに金型内面の凹凸形状および封止
材料の注入圧に応じた引張力が作用するため、フィルム
が当該引張力に応じて伸びないと、上記凹凸に沿うこと
ができずに破断してしまうおそれがあるが、上述の引張
強さおよび伸び率を有するフィルムであれば、その引張
力に応じて破断することなく伸びてキャビティ面に所定
の状態に沿うようになるからである。
程における高温時（１７５°Ｃ）の引張強さが０．５〜
１５．０ｋｇｆ／ｍｍ2 であり、かつ、その高温時の伸
び率が押出方向および直角方向のいずれにおいても２０
０％以上であるようなフィルムがよい。この場合の１７
５°Ｃにおける引張強さおよび伸び率は、ＪＩＳＣ２３
１８に準拠して測定した値である。このようなフィルム
を推奨するのは次のような理由による。すなわち、キャ
ビティ内への封止材料の注入・充填時には、その圧力を
受けて一対のフィルムが金型内面の凹凸、すなわちラン
ナ部、ゲート部およびキャビティの凹凸に沿おうとし
て、それらのフィルムに金型内面の凹凸形状および封止
材料の注入圧に応じた引張力が作用するため、フィルム
が当該引張力に応じて伸びないと、上記凹凸に沿うこと
ができずに破断してしまうおそれがあるが、上述の引張
強さおよび伸び率を有するフィルムであれば、その引張
力に応じて破断することなく伸びてキャビティ面に所定
の状態に沿うようになるからである。
【００１２】また、本発明で用いるフィルムの材料とし
ては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥ
Ｔ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリス
チレン（ＰＳ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦ
Ｅ）、ナイロン等をあげることができる。また、上述し
た性能を有するフィルムであれば、その厚みは任意であ
るが、一般的には、６μｍ〜１ｍｍ厚のものが使用でき
る。なお、封止材料との離型性を向上させるため、フィ
ルム表面に離型処理を施してもよい。
ては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥ
Ｔ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリス
チレン（ＰＳ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦ
Ｅ）、ナイロン等をあげることができる。また、上述し
た性能を有するフィルムであれば、その厚みは任意であ
るが、一般的には、６μｍ〜１ｍｍ厚のものが使用でき
る。なお、封止材料との離型性を向上させるため、フィ
ルム表面に離型処理を施してもよい。
【００１３】さらに、本発明で用いる一対のフィルムの
うち少なくとも一方のフィルムには、得られる半導体パ
ッケージの耐湿性や耐熱性等の性能を向上させるため、
半導体装置に対向することとなる面の所定位置に、当該
半導体パッケージの成形時にそのパッケージ表面に転写
される金属箔材料を設けることとしてもよい。その場
合、フィルムの所定位置に金属箔材料をあらかじめ積層
させた積層材料を用いることができる。この種の積層材
料としては、フィルム上に、封止材料に対して離型性を
有する仮固定用樹脂層を介して金属箔材料が設けられ、
かつ、その金属箔材料に対する仮固定用樹脂層の１８０
°剥離接着力が０．０５〜０．５０ｋｇｆ／ｃｍとされ
たものや、フィルム上に、封止材料に対して離型性を有
する仮固定用樹脂層が設けられ、その樹脂層上に、記録
材料層を有する金属箔材料が同記録材料層を介して積層
されており、その記録材料層に対する仮固定用樹脂層の
１８０°剥離接着力が０．０５〜０．５０ｋｇｆ／ｃｍ
とされたものが好ましい。いずれの場合も、フィルムと
金属箔材料との間に上述のような仮固定用樹脂層が設け
られていることにより、成形前および成形後の金属箔材
料の仮固定を確実に行えるとともに、成形後には得られ
た半導体パッケージの表面からフィルムを容易に剥離さ
せることができるからである。なお、上述の１８０°剥
離接着力は、ＪＩＳ．Ｋ６８５８の規定に準じて室温で
引張速度が２００ｍｍ／分の条件で測定した値である。
うち少なくとも一方のフィルムには、得られる半導体パ
ッケージの耐湿性や耐熱性等の性能を向上させるため、
半導体装置に対向することとなる面の所定位置に、当該
半導体パッケージの成形時にそのパッケージ表面に転写
される金属箔材料を設けることとしてもよい。その場
合、フィルムの所定位置に金属箔材料をあらかじめ積層
させた積層材料を用いることができる。この種の積層材
料としては、フィルム上に、封止材料に対して離型性を
有する仮固定用樹脂層を介して金属箔材料が設けられ、
かつ、その金属箔材料に対する仮固定用樹脂層の１８０
°剥離接着力が０．０５〜０．５０ｋｇｆ／ｃｍとされ
たものや、フィルム上に、封止材料に対して離型性を有
する仮固定用樹脂層が設けられ、その樹脂層上に、記録
材料層を有する金属箔材料が同記録材料層を介して積層
されており、その記録材料層に対する仮固定用樹脂層の
１８０°剥離接着力が０．０５〜０．５０ｋｇｆ／ｃｍ
とされたものが好ましい。いずれの場合も、フィルムと
金属箔材料との間に上述のような仮固定用樹脂層が設け
られていることにより、成形前および成形後の金属箔材
料の仮固定を確実に行えるとともに、成形後には得られ
た半導体パッケージの表面からフィルムを容易に剥離さ
せることができるからである。なお、上述の１８０°剥
離接着力は、ＪＩＳ．Ｋ６８５８の規定に準じて室温で
引張速度が２００ｍｍ／分の条件で測定した値である。
【００１４】上記金属箔材料としては、熱応力負荷時等
のパッケージの変形にも柔軟に対応できるようにするた
め、室温時の引張強さが５．０〜２０．０ｋｇｆ／ｍｍ
2 で室温時の伸び率が２０％以上であるものが良く、ま
た転写される半導体パッケージとの結合を強固にするた
め、封止材料に接する当該金属箔材料面の接触角（水に
対する接触角）が１００°以下、好ましくは９０°以下
であるものが良い。
のパッケージの変形にも柔軟に対応できるようにするた
め、室温時の引張強さが５．０〜２０．０ｋｇｆ／ｍｍ
2 で室温時の伸び率が２０％以上であるものが良く、ま
た転写される半導体パッケージとの結合を強固にするた
め、封止材料に接する当該金属箔材料面の接触角（水に
対する接触角）が１００°以下、好ましくは９０°以下
であるものが良い。
【００１５】さらに、仮固定用樹脂としては、成形温度
（通常１５０〜２００°Ｃ）で劣化することがないよ
う、ガラス転移点（Ｔｇ）が８０〜１５０°Ｃであるよ
うなものが良い。
（通常１５０〜２００°Ｃ）で劣化することがないよ
う、ガラス転移点（Ｔｇ）が８０〜１５０°Ｃであるよ
うなものが良い。
【００１６】
【作用】上記の構成によれば、金型上への半導体装置お
よび封止材料のセットに先立って、一対のフィルムが金
型上にセットされた状態で、金型および金型ポット部の
プランジャ−にそれぞれ設けられた吸引孔を介して外部
から金型内のポット部、ゲート部さらにはキャビティ等
の空間部分、つまり封止材料とフィルムとが接触するこ
ととなる部分が吸引されることにより、一対のフィルム
がその対応する金型およびプランジャーの吸引孔側の面
に吸着される。その結果、その吸着されたフィルム部分
がポット部やキャビティ等の表面形状に沿うように変形
して、同フィルムには当該ポット部やキャビティ等の表
面形状に応じた凹部ができる。したがって、この凹部内
のキャビティ位置に半導体装置をセットすることによ
り、半導体装置の回路とリードフレームとを接続してい
るワイヤーボンド部のフィルムに対する接触を回避でき
るから、そのようなフィルムとの接触によるワイヤーボ
ンド部の変形や断線を未然に防止することができる。
よび封止材料のセットに先立って、一対のフィルムが金
型上にセットされた状態で、金型および金型ポット部の
プランジャ−にそれぞれ設けられた吸引孔を介して外部
から金型内のポット部、ゲート部さらにはキャビティ等
の空間部分、つまり封止材料とフィルムとが接触するこ
ととなる部分が吸引されることにより、一対のフィルム
がその対応する金型およびプランジャーの吸引孔側の面
に吸着される。その結果、その吸着されたフィルム部分
がポット部やキャビティ等の表面形状に沿うように変形
して、同フィルムには当該ポット部やキャビティ等の表
面形状に応じた凹部ができる。したがって、この凹部内
のキャビティ位置に半導体装置をセットすることによ
り、半導体装置の回路とリードフレームとを接続してい
るワイヤーボンド部のフィルムに対する接触を回避でき
るから、そのようなフィルムとの接触によるワイヤーボ
ンド部の変形や断線を未然に防止することができる。
【００１７】一方、封止材料は上記凹部内のポット部位
置、つまりフィルムが吸着された状態のポット部にセッ
トされる。そして、この状態で金型が閉じられた後、両
フィルム間の封止材料が加熱・加圧されて金型キャビテ
ィ内に注入・充填されることにより、半導体パッケージ
が成形される。
置、つまりフィルムが吸着された状態のポット部にセッ
トされる。そして、この状態で金型が閉じられた後、両
フィルム間の封止材料が加熱・加圧されて金型キャビテ
ィ内に注入・充填されることにより、半導体パッケージ
が成形される。
【００１８】その場合、封止材料と接触するフィルム部
分には、その封止材料による圧力が作用するため、金型
内のポット部からキャビティに到る空間部分の表面に沿
って両フィルムが密着した状態になっていないと、それ
以外の部分ではフィルムが金型間に挟持された状態とな
っていることから、ポット部等の空間部分に対応位置す
るフィルム部分が同空間部分を形成している金型面に沿
おうとして伸びることとなる。特にポット部においてそ
の表面にフィルムが沿った状態となっていない場合に
は、プランジャ−によりポット部内の封止材料を加圧し
た時にフィルムが同ポット部の表面に沿おうとして大き
く伸びるため、その部分でフィルムが破断しやすくな
る。
分には、その封止材料による圧力が作用するため、金型
内のポット部からキャビティに到る空間部分の表面に沿
って両フィルムが密着した状態になっていないと、それ
以外の部分ではフィルムが金型間に挟持された状態とな
っていることから、ポット部等の空間部分に対応位置す
るフィルム部分が同空間部分を形成している金型面に沿
おうとして伸びることとなる。特にポット部においてそ
の表面にフィルムが沿った状態となっていない場合に
は、プランジャ−によりポット部内の封止材料を加圧し
た時にフィルムが同ポット部の表面に沿おうとして大き
く伸びるため、その部分でフィルムが破断しやすくな
る。
【００１９】しかし、本発明によれば、封止材料を加圧
する前の状態において、上述したように既にポット部か
らキャビティに到る金型面にフィルムが吸着されてその
表面に沿った形状となっているので、キャビティ内への
封止材料の加圧充填時において封止材料の圧力がフィル
ムに作用してもフィルムが大きく伸びる余地はない。し
たがって、封止材料の圧力が作用した際にフィルムがポ
ット部等の表面に沿おうとして大きく伸びることによる
フィルムの破断を回避することができる。
する前の状態において、上述したように既にポット部か
らキャビティに到る金型面にフィルムが吸着されてその
表面に沿った形状となっているので、キャビティ内への
封止材料の加圧充填時において封止材料の圧力がフィル
ムに作用してもフィルムが大きく伸びる余地はない。し
たがって、封止材料の圧力が作用した際にフィルムがポ
ット部等の表面に沿おうとして大きく伸びることによる
フィルムの破断を回避することができる。
【００２０】また、この時、フィルムを吸着している金
型およびプランジャ−側の吸引孔の直径は５０〜２００
μｍに設定されているから、その吸引孔近傍のフィルム
が封止材料の圧力により吸引孔側に押し付けられても、
その吸引孔内にフィルムが入り込むことはない。これに
より、吸引孔への押し付けによるフィルムの破断や、そ
のような破断によって生じる吸引孔内への封止材料の流
入も未然に防止されることとなる。
型およびプランジャ−側の吸引孔の直径は５０〜２００
μｍに設定されているから、その吸引孔近傍のフィルム
が封止材料の圧力により吸引孔側に押し付けられても、
その吸引孔内にフィルムが入り込むことはない。これに
より、吸引孔への押し付けによるフィルムの破断や、そ
のような破断によって生じる吸引孔内への封止材料の流
入も未然に防止されることとなる。
【００２１】
【実施例】以下、本発明の実施例および比較例について
説明する。まず、以下の実施例および比較例において使
用する半導体パッケージ製造装置について説明する。
説明する。まず、以下の実施例および比較例において使
用する半導体パッケージ製造装置について説明する。
【００２２】図１に示すように、この半導体パッケージ
製造装置は、トランスファ成型機（図示せず）に取り付
けられる開閉可能な上下一対の金型（この例では８０ピ
ンＱＦＰ用オートモールドの金型）１、２を有する。こ
れらの金型１、２には、半導体パッケージ成形用の複数
のキャビティ３・・・３と、これに連通し且つ後述する
封止材料（樹脂）がセットされる円形凹部状のポット部
４とが形成されているとともに、そのポット部４内には
トランスファ成型機における封止材料加圧用プランジャ
ー５が上下動可能に備えられている。ここで、両金型
１、２には、成形時に各金型１、２を所定温度まで加熱
するヒータ（図示せず）がそれぞれ備えられている。
製造装置は、トランスファ成型機（図示せず）に取り付
けられる開閉可能な上下一対の金型（この例では８０ピ
ンＱＦＰ用オートモールドの金型）１、２を有する。こ
れらの金型１、２には、半導体パッケージ成形用の複数
のキャビティ３・・・３と、これに連通し且つ後述する
封止材料（樹脂）がセットされる円形凹部状のポット部
４とが形成されているとともに、そのポット部４内には
トランスファ成型機における封止材料加圧用プランジャ
ー５が上下動可能に備えられている。ここで、両金型
１、２には、成形時に各金型１、２を所定温度まで加熱
するヒータ（図示せず）がそれぞれ備えられている。
【００２３】また、両金型１、２およびプランジャー５
には、後述する封止材料１４（図２参照）とフィルム２
１、２２とが接触することとなる空間部分、つまり封止
材料１４の充填時に同材料が存在することとなるポット
部４からキャビティ３にかけて形成された空間部分に一
端が対応位置し、かつ、他端が外部の図示しない吸引源
（例えば吸引ポンプ）に接続される複数の吸引孔６・・
・６がそれぞれ設けられている。そして、その外部の吸
引源側から各吸引孔６を介してキャビティ３側を吸引す
ることにより、両金型１、２およびプランジャー５の上
記空間部分側を吸引することにより、それらの表面に、
対応するフィルム２１、２２をそれぞれ吸着させること
ができるようになっている。
には、後述する封止材料１４（図２参照）とフィルム２
１、２２とが接触することとなる空間部分、つまり封止
材料１４の充填時に同材料が存在することとなるポット
部４からキャビティ３にかけて形成された空間部分に一
端が対応位置し、かつ、他端が外部の図示しない吸引源
（例えば吸引ポンプ）に接続される複数の吸引孔６・・
・６がそれぞれ設けられている。そして、その外部の吸
引源側から各吸引孔６を介してキャビティ３側を吸引す
ることにより、両金型１、２およびプランジャー５の上
記空間部分側を吸引することにより、それらの表面に、
対応するフィルム２１、２２をそれぞれ吸着させること
ができるようになっている。
【００２４】次に、このような装置を用いて半導体パッ
ケージを製造する方法について説明する。まず、図１に
示すように、上下の金型１、２を開いた状態で、それら
のキャビティ３側に、各金型１、２に対応する第１およ
び第２のフィルム（この例では厚み４０μｍのＰＴＦＥ
製フィルム）２１、２２をそれぞれ所定の状態にセット
する。
ケージを製造する方法について説明する。まず、図１に
示すように、上下の金型１、２を開いた状態で、それら
のキャビティ３側に、各金型１、２に対応する第１およ
び第２のフィルム（この例では厚み４０μｍのＰＴＦＥ
製フィルム）２１、２２をそれぞれ所定の状態にセット
する。
【００２５】次に、図２に示すように、各金型１、２お
よびプランジャー５に設けられた各吸引孔６を介して外
部の吸引源から各フィルム２１、２２の位置する側を吸
引する。このようにすると、それら吸引孔６の一端が位
置する金型面およびプランジャー端面に、対応するフィ
ルム２１、２２がそれぞれ吸着されて同金型面およびプ
ランジャー端面に沿った状態になる。そこで、この状態
で、下金型２上の第２フィルム２２の上に、リードフレ
ーム１１に金線からなるワイヤーボンド部（接続線）１
２を介して接続・固定された半導体装置１３と、封止材
料１４とをそれぞれセットする。このとき、半導体装置
１３についてはキャビティ３に対応位置するようにセッ
トし、また封止材料１４についてはプランジャ−上方の
ポット部４にセットする。
よびプランジャー５に設けられた各吸引孔６を介して外
部の吸引源から各フィルム２１、２２の位置する側を吸
引する。このようにすると、それら吸引孔６の一端が位
置する金型面およびプランジャー端面に、対応するフィ
ルム２１、２２がそれぞれ吸着されて同金型面およびプ
ランジャー端面に沿った状態になる。そこで、この状態
で、下金型２上の第２フィルム２２の上に、リードフレ
ーム１１に金線からなるワイヤーボンド部（接続線）１
２を介して接続・固定された半導体装置１３と、封止材
料１４とをそれぞれセットする。このとき、半導体装置
１３についてはキャビティ３に対応位置するようにセッ
トし、また封止材料１４についてはプランジャ−上方の
ポット部４にセットする。
【００２６】次いで、図３に示すように、上下の金型
１、２を閉じる。こうして金型１、２を閉じると、封止
材料１４は両フィルム２１、２２間に挟まれた状態でポ
ット部４内に位置することとなるが、各半導体装置１３
は上下の第１、第２フィルム２１、２２との間に一定の
空間を有する状態で対向位置することとなる。
１、２を閉じる。こうして金型１、２を閉じると、封止
材料１４は両フィルム２１、２２間に挟まれた状態でポ
ット部４内に位置することとなるが、各半導体装置１３
は上下の第１、第２フィルム２１、２２との間に一定の
空間を有する状態で対向位置することとなる。
【００２７】次に、この状態から、プランジャー５を図
４の矢印方向に押し上げてポット部４内の封止材料１４
を加圧することにより、同図４に示すように、その封止
材料１４を可塑化させたうえで両フィルム２１、２２間
を通じて各キャビティ３内に充填する。
４の矢印方向に押し上げてポット部４内の封止材料１４
を加圧することにより、同図４に示すように、その封止
材料１４を可塑化させたうえで両フィルム２１、２２間
を通じて各キャビティ３内に充填する。
【００２８】こうしてキャビティ３内に封止材料１４を
充填した後は、同材料が硬化するのを待って、図５に示
すように金型１、２を開き、その金型内からパッケージ
ングされた半導体装置１３つまり半導体パッケージ１５
を両フィルム２１、２２ごと取り出したうえで、そのパ
ッケージ表面から両フィルム２１、２２を剥離させ、さ
らに図６に示すように不要な成形部分１６をカットす
る。これにより、同図に示すように、封止材料１４によ
り形成された樹脂１４’で半導体装置１３が封止されて
なる半導体パッケージ１５を得る。
充填した後は、同材料が硬化するのを待って、図５に示
すように金型１、２を開き、その金型内からパッケージ
ングされた半導体装置１３つまり半導体パッケージ１５
を両フィルム２１、２２ごと取り出したうえで、そのパ
ッケージ表面から両フィルム２１、２２を剥離させ、さ
らに図６に示すように不要な成形部分１６をカットす
る。これにより、同図に示すように、封止材料１４によ
り形成された樹脂１４’で半導体装置１３が封止されて
なる半導体パッケージ１５を得る。
【００２９】以上の場合において、本発明の各実施例お
よび比較例では、両金型およびプランジャーにおける吸
引孔の直径を下記表１にそれぞれ示したような値に設定
した。そして、その各々について、フィルムが半導体装
置のワイヤーボンド部に接触したかどうか、封止材料が
吸引孔へ流れ込んだかどうか、さらにはポット部におい
てフィルムの破断が生じたかどうかといった点について
調べた。その結果を、上記吸引孔の直径の値と併せて表
１に示す。
よび比較例では、両金型およびプランジャーにおける吸
引孔の直径を下記表１にそれぞれ示したような値に設定
した。そして、その各々について、フィルムが半導体装
置のワイヤーボンド部に接触したかどうか、封止材料が
吸引孔へ流れ込んだかどうか、さらにはポット部におい
てフィルムの破断が生じたかどうかといった点について
調べた。その結果を、上記吸引孔の直径の値と併せて表
１に示す。
【００３０】
【表１】
【００３１】この表１に示すように、比較例１では吸引
孔の直径が比較的小さい（３０μｍ）ため、フィルム吸
着不良による同フィルムとワイヤーボンド部との接触が
生じ、また比較例２では吸引孔の直径が比較的大きいた
め、吸引孔への封止材料の流れ込みが発生したのに対
し、吸引孔の直径をそれぞれ６０μｍ、１２０μｍ、１
８０μｍにそれぞれ設定した本発明の実施例１〜３で
は、フィルムとワイヤーボンド部との接触や吸引孔への
封止材料の流れ込みは、いずれも生じなかった。こうし
て、本発明の各実施例によれば、一対のフィルムを用い
て半導体パッケージを製造する場合において、フィルム
が半導体装置のワイヤーボンド部に接触することがな
く、しかも吸引孔近傍やポット部におけるフィルムの破
断およびそれに伴う吸引孔への封止材料の流れ込みを回
避できることが確認された。
孔の直径が比較的小さい（３０μｍ）ため、フィルム吸
着不良による同フィルムとワイヤーボンド部との接触が
生じ、また比較例２では吸引孔の直径が比較的大きいた
め、吸引孔への封止材料の流れ込みが発生したのに対
し、吸引孔の直径をそれぞれ６０μｍ、１２０μｍ、１
８０μｍにそれぞれ設定した本発明の実施例１〜３で
は、フィルムとワイヤーボンド部との接触や吸引孔への
封止材料の流れ込みは、いずれも生じなかった。こうし
て、本発明の各実施例によれば、一対のフィルムを用い
て半導体パッケージを製造する場合において、フィルム
が半導体装置のワイヤーボンド部に接触することがな
く、しかも吸引孔近傍やポット部におけるフィルムの破
断およびそれに伴う吸引孔への封止材料の流れ込みを回
避できることが確認された。
【００３２】なお、以上の実施例では、両フィルムのい
ずれにも金属箔材料を設けていない場合について説明し
たが、得られる半導体パッケージの耐湿性や耐熱性等の
性能を向上させるため、半導体装置に対向位置するフィ
ルム面に成形時転写材料として金属箔材料を設けてなる
フィルムを使用してもよい。その場合、図７の（Ａ）〜
（Ｃ）に示すように、フィルム上に仮固定用樹脂層を介
して金属箔材料を積層させてなる各種の積層材料を使用
することが可能である。同図（Ａ）の積層材料３０は、
フィルム３３上に、封止材料に対して離型性を有する仮
固定用樹脂層３４を介して金属箔材料（例えばアルミ
箔）３５を設け、かつ、その金属箔材料３５に対する仮
固定用樹脂層３４の１８０°剥離接着力を０．０５〜
０．５０ｋｇｆ／ｃｍとしたもの、同図（Ｂ）および
（Ｃ）の積層材料４０および５０は、それぞれ、フィル
ム４３、５３上に、封止材料に対して離型性を有する仮
固定用樹脂層４４、５４を設け、その樹脂層４４、５５
上に、記録材料層４６、５６を有する金属箔材料４５、
５５を同記録材料層４６、５６を介して積層し、その記
録材料層４６、５６に対する仮固定用樹脂層４４、５４
の１８０°剥離接着力を０．０５〜０．５０ｋｇｆ／ｃ
ｍとしたものである。これらの積層材料を金型上にセッ
トする場合には、それぞれ、金属箔材料３５、４５、５
５の設けられていない側のフィルム面が金型キャビティ
面側となるようにセットすることは言うまでもない。
ずれにも金属箔材料を設けていない場合について説明し
たが、得られる半導体パッケージの耐湿性や耐熱性等の
性能を向上させるため、半導体装置に対向位置するフィ
ルム面に成形時転写材料として金属箔材料を設けてなる
フィルムを使用してもよい。その場合、図７の（Ａ）〜
（Ｃ）に示すように、フィルム上に仮固定用樹脂層を介
して金属箔材料を積層させてなる各種の積層材料を使用
することが可能である。同図（Ａ）の積層材料３０は、
フィルム３３上に、封止材料に対して離型性を有する仮
固定用樹脂層３４を介して金属箔材料（例えばアルミ
箔）３５を設け、かつ、その金属箔材料３５に対する仮
固定用樹脂層３４の１８０°剥離接着力を０．０５〜
０．５０ｋｇｆ／ｃｍとしたもの、同図（Ｂ）および
（Ｃ）の積層材料４０および５０は、それぞれ、フィル
ム４３、５３上に、封止材料に対して離型性を有する仮
固定用樹脂層４４、５４を設け、その樹脂層４４、５５
上に、記録材料層４６、５６を有する金属箔材料４５、
５５を同記録材料層４６、５６を介して積層し、その記
録材料層４６、５６に対する仮固定用樹脂層４４、５４
の１８０°剥離接着力を０．０５〜０．５０ｋｇｆ／ｃ
ｍとしたものである。これらの積層材料を金型上にセッ
トする場合には、それぞれ、金属箔材料３５、４５、５
５の設けられていない側のフィルム面が金型キャビティ
面側となるようにセットすることは言うまでもない。
【００３３】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、一対の
フィルム間に半導体装置および封止材料を挿入した状態
で半導体パッケージを製造する方法において、パッケー
ジ成形用金型上に半導体装置および封止材料をセットす
る前に、封止材料とフィルムとが接触することとなる部
分に一端を対応位置させた吸引孔を介して、フィルムを
その対応する金型面に吸着させるようにしたので、成形
時に加えられる圧力によりポット部等におけるフィルム
の破断を未然に防止することができるとともに、半導体
装置とリードフレームとを接続している接続線つまりワ
イヤーボンド部が同フィルムに接触することを回避する
ことができ、そのような接触によるワイヤーボンド部の
変形や断線を確実に防止することができる。また、この
場合において、特に吸引孔の直径を５０〜２００μｍと
したことにより、吸引孔近傍におけるフィルムの破断
や、そのような破断に伴う吸引孔への封止材料の流れ込
みをも効果的に回避することができるから、上述のワイ
ヤーボンド部へのフィルムの接触回避と合わせて、この
種の半導体パッケージ製造方法における信頼性が向上さ
れることとなる。
フィルム間に半導体装置および封止材料を挿入した状態
で半導体パッケージを製造する方法において、パッケー
ジ成形用金型上に半導体装置および封止材料をセットす
る前に、封止材料とフィルムとが接触することとなる部
分に一端を対応位置させた吸引孔を介して、フィルムを
その対応する金型面に吸着させるようにしたので、成形
時に加えられる圧力によりポット部等におけるフィルム
の破断を未然に防止することができるとともに、半導体
装置とリードフレームとを接続している接続線つまりワ
イヤーボンド部が同フィルムに接触することを回避する
ことができ、そのような接触によるワイヤーボンド部の
変形や断線を確実に防止することができる。また、この
場合において、特に吸引孔の直径を５０〜２００μｍと
したことにより、吸引孔近傍におけるフィルムの破断
や、そのような破断に伴う吸引孔への封止材料の流れ込
みをも効果的に回避することができるから、上述のワイ
ヤーボンド部へのフィルムの接触回避と合わせて、この
種の半導体パッケージ製造方法における信頼性が向上さ
れることとなる。
【図１】本発明実施例における一工程を示すもので、金
型を開いた状態で一対のフィルムをその対応する金型面
にセットする状態を示す断面図
型を開いた状態で一対のフィルムをその対応する金型面
にセットする状態を示す断面図
【図２】図１の状態から各フィルムをその対応する金型
面に吸着させた後、両フィルム間に半導体装置および封
止材料をセットする状態を示す断面図
面に吸着させた後、両フィルム間に半導体装置および封
止材料をセットする状態を示す断面図
【図３】そのセット後に金型を閉じた状態を示す断面図
【図４】その後に封止材料を加圧してキャビティ内に充
填した状態を示す断面図
填した状態を示す断面図
【図５】成形後に金型外に取り出された半導体パッケー
ジの表面から各フィルムを剥離させた状態を示す断面図
ジの表面から各フィルムを剥離させた状態を示す断面図
【図６】最終的に得られた半導体パッケージを示す断面
図
図
【図７】本発明の他の実施例で使用されるフィルムと金
属箔材料とを積層してなる積層材料の構造例を示すもの
で、（Ａ）はフィルム上に仮固定用樹脂層を介して金属
箔材料を積層したものを示す断面図、（Ｂ）および
（Ｃ）はフィルム上に仮固定用樹脂層を設け、かつ、そ
の樹脂層上に記録樹脂層を有する金属箔材料を同記録樹
脂層を介して積層させたものをそれぞれ示す断面図
属箔材料とを積層してなる積層材料の構造例を示すもの
で、（Ａ）はフィルム上に仮固定用樹脂層を介して金属
箔材料を積層したものを示す断面図、（Ｂ）および
（Ｃ）はフィルム上に仮固定用樹脂層を設け、かつ、そ
の樹脂層上に記録樹脂層を有する金属箔材料を同記録樹
脂層を介して積層させたものをそれぞれ示す断面図
１、２・・・半導体パッケージ成形用金型（１…上金
型、２…下金型） ３・・・キャビティ ４・・・ポット部 ５・・・プランジャー ６・・・吸引孔 １３・・・半導体装置 １４・・・封止材料 ２１、２２、３３、４３、５３・・・フィルム（２１・
・・第１フィルム、２２・・・第２フィルム） ３５、４５、５５・・・金属箔材料
型、２…下金型） ３・・・キャビティ ４・・・ポット部 ５・・・プランジャー ６・・・吸引孔 １３・・・半導体装置 １４・・・封止材料 ２１、２２、３３、４３、５３・・・フィルム（２１・
・・第１フィルム、２２・・・第２フィルム） ３５、４５、５５・・・金属箔材料
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体装置を樹脂封止してなる半導体パ
ッケージを製造するに際し、半導体パッケージ成形用の
一対の金型を用い、まず両金型を開いた状態で、その一
方の金型上に半導体装置および封止材料を一対のフィル
ムの間に挿入した状態でセットしたのち、両金型を閉
じ、次いでその両フィルム間の封止材料を加圧および加
熱して金型キャビティ内に注入することにより、半導体
装置を封止する半導体パッケージの製造方法において、
上記両金型と、そのうちの一方の金型のポット部に挿入
されるプランジャーとに、それぞれ、封止材料とフィル
ムとが接触することとなる空間部分に一端が対応位置し
且つ他端が外部の吸引源に接続される直径５０〜２００
μｍの吸引孔をあらかじめ設けておき、上記一対のフィ
ルム間への半導体装置および封止材料の挿入に先立っ
て、上記吸引孔を介して外部から両金型およびプランジ
ャにおける上記空間部分側を吸引することにより、一対
のフィルムをその対応する金型およびプランジャーの表
面に吸着させ、その状態で一対のフィルム間に半導体装
置および封止材料をセットした後に金型を閉じることを
特徴とする半導体パッケージの製造方法。 - 【請求項２】 一対のフィルムは、１７５°Ｃでの引張
強さが０．５０〜１５．０ｋｇｆ／ｍｍ2 であり、か
つ、伸び率が押出方向および直角方向のいずれも２００
％以上であることを特徴とする請求項１に記載の半導体
パッケージの製造方法。 - 【請求項３】 一対のフィルムのうち少なくとも一方の
フィルムには、半導体装置に対向することとなる面の所
定位置に、封止材料の注入による半導体パッケージの成
形時にそのパッケージ表面に転写される金属箔材料が設
けられていることを特徴とする請求項１または２に記載
の半導体パッケージの製造方法。 - 【請求項４】 請求項１に記載の半導体パッケージの製
造方法に用いられる金型であって、封止材料とフィルム
とが接触することとなる空間部分に一端が対応位置し、
かつ、他端が金型外の吸引源に接続される直径５０〜２
００μｍの吸引孔が設けられていることを特徴とする金
型。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7066492A JPH08264577A (ja) | 1995-03-24 | 1995-03-24 | 半導体パッケージの製造方法およびこれに用いられる金型 |
| US08/568,690 US5846477A (en) | 1994-12-08 | 1995-12-07 | Production method for encapsulating a semiconductor device |
| KR1019950049117A KR960026492A (ko) | 1994-12-08 | 1995-12-08 | 반도체 장치 제조 방법, 이 방법에 사용되는 몰딩막 및 몰드 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7066492A JPH08264577A (ja) | 1995-03-24 | 1995-03-24 | 半導体パッケージの製造方法およびこれに用いられる金型 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08264577A true JPH08264577A (ja) | 1996-10-11 |
Family
ID=13317364
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7066492A Pending JPH08264577A (ja) | 1994-12-08 | 1995-03-24 | 半導体パッケージの製造方法およびこれに用いられる金型 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08264577A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6200121B1 (en) * | 1998-06-25 | 2001-03-13 | Nec Corporation | Process for concurrently molding semiconductor chips without void and wire weep and molding die used therein |
| JP2002254481A (ja) * | 2001-03-01 | 2002-09-11 | Nec Corp | 樹脂モールド金型及び樹脂モールドパッケージの製造方法 |
| KR100611519B1 (ko) * | 1998-07-10 | 2006-08-11 | 아피쿠 야마다 가부시키가이샤 | 반도체 장치 제조 방법 및 수지 몰딩 장치 |
| KR20200026268A (ko) * | 2017-09-08 | 2020-03-10 | 다우 코닝 도레이 캄파니 리미티드 | 봉지 광학 반도체 장치의 제조 방법 |
| CN111033769A (zh) * | 2017-09-08 | 2020-04-17 | 道康宁东丽株式会社 | 用于生产密封光半导体装置的方法 |
-
1995
- 1995-03-24 JP JP7066492A patent/JPH08264577A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6200121B1 (en) * | 1998-06-25 | 2001-03-13 | Nec Corporation | Process for concurrently molding semiconductor chips without void and wire weep and molding die used therein |
| US6315540B1 (en) * | 1998-06-25 | 2001-11-13 | Nec Corporation | Molding die for concurrently molding semiconductor chips without voids and wire weep |
| KR100611519B1 (ko) * | 1998-07-10 | 2006-08-11 | 아피쿠 야마다 가부시키가이샤 | 반도체 장치 제조 방법 및 수지 몰딩 장치 |
| JP2002254481A (ja) * | 2001-03-01 | 2002-09-11 | Nec Corp | 樹脂モールド金型及び樹脂モールドパッケージの製造方法 |
| JP4658353B2 (ja) * | 2001-03-01 | 2011-03-23 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 樹脂モールド金型及び樹脂モールドパッケージの製造方法 |
| KR20200026268A (ko) * | 2017-09-08 | 2020-03-10 | 다우 코닝 도레이 캄파니 리미티드 | 봉지 광학 반도체 장치의 제조 방법 |
| CN111033770A (zh) * | 2017-09-08 | 2020-04-17 | 道康宁东丽株式会社 | 用于生产密封光半导体装置的方法 |
| CN111033769A (zh) * | 2017-09-08 | 2020-04-17 | 道康宁东丽株式会社 | 用于生产密封光半导体装置的方法 |
| CN111033770B (zh) * | 2017-09-08 | 2023-03-14 | 杜邦东丽特殊材料株式会社 | 用于生产密封光半导体装置的方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5846477A (en) | Production method for encapsulating a semiconductor device | |
| JP4268389B2 (ja) | 電子部品の樹脂封止成形方法及び装置 | |
| US6630374B2 (en) | Resin sealing method and resin sealing apparatus | |
| JP2002009096A (ja) | 樹脂封止方法及び樹脂封止装置 | |
| JP3450223B2 (ja) | 半導体装置封入用金型、及び、半導体装置封入方法 | |
| JP4052939B2 (ja) | 電子部品の樹脂封止成形方法及び装置 | |
| JPH08264577A (ja) | 半導体パッケージの製造方法およびこれに用いられる金型 | |
| JPH09117931A (ja) | 電子部品の樹脂封止成形方法及び装置 | |
| TWI244706B (en) | Method of resin sealing a semiconductor device, resin-sealed semiconductor device, and forming die for resin sealing the semiconductor device | |
| JPH08250533A (ja) | 半導体パッケージの製造方法 | |
| JP3139981B2 (ja) | チップサイズパッケージの樹脂封止方法及び樹脂封止装置 | |
| JP2709035B2 (ja) | 半導体パッケージの製造方法 | |
| JPH08241901A (ja) | 半導体パッケージの製造方法 | |
| TWI482251B (zh) | Lead frame and method of manufacturing | |
| JP2857075B2 (ja) | 半導体パッケージの製造方法と、これに用いられるフィルムおよび金型 | |
| JP3246037B2 (ja) | 半導体チップのトランスファーモールド用金型 | |
| WO2012145879A1 (zh) | 用于预塑封引线框的模具、预塑封方法以及封装结构 | |
| JP2008162016A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3590118B2 (ja) | 樹脂モールド方法及び樹脂モールド装置 | |
| JPS60257528A (ja) | 半導体封止用金型 | |
| JPH09262876A (ja) | 成型方法及び半導体集積回路装置用パッケージの成型方法並びに成型装置 | |
| JPH08203944A (ja) | 半導体パッケージの製造方法 | |
| JP2003249605A (ja) | 半導体装置、その製造方法、及びその金型 | |
| JPH09162215A (ja) | 半導体装置の製造方法とこれに使用される成形用フイルム | |
| JP2002026047A (ja) | チップサイズパッケージの樹脂封止方法及び樹脂封止装置 |