JP3246037B2 - 半導体チップのトランスファーモールド用金型 - Google Patents
半導体チップのトランスファーモールド用金型Info
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 41
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 46
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 46
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 7
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 claims description 6
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 38
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 3
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 2
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
- B29C45/14639—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components
- B29C45/14655—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components connected to or mounted on a carrier, e.g. lead frame
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- B29C45/561—Injection-compression moulding
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体チップを封止
樹脂で所定の厚さ、特に薄型のパッケージに封止するた
めのトランスファーモールド用金型に関するものであ
る。
樹脂で所定の厚さ、特に薄型のパッケージに封止するた
めのトランスファーモールド用金型に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】図４を用いて従来技術の半導体チップの
樹脂封止方法を説明する。この図４において、半導体チ
ップ２０をダイパッド２１に固定したリードフレーム２
２は、トランスファーモールド用金型（以下、単に「金
型」と記す）３０を構成する上金型３１及び下金型３２
の間に装着、締結され、その状態で前記上金型３１に設
けられた注入口３３から、その上金型３１のパッケージ
形成キャビティ３１Ａ及び下金型３２のパッケージ形成
キャビティ３２Ａへ、例えば、エポキシ樹脂のような熱
硬化性の封止樹脂４０を溶融した状態で注入し、その樹
脂を硬化させてパッケージとし、前記半導体チップ２０
を封止する方法が採られている。
樹脂封止方法を説明する。この図４において、半導体チ
ップ２０をダイパッド２１に固定したリードフレーム２
２は、トランスファーモールド用金型（以下、単に「金
型」と記す）３０を構成する上金型３１及び下金型３２
の間に装着、締結され、その状態で前記上金型３１に設
けられた注入口３３から、その上金型３１のパッケージ
形成キャビティ３１Ａ及び下金型３２のパッケージ形成
キャビティ３２Ａへ、例えば、エポキシ樹脂のような熱
硬化性の封止樹脂４０を溶融した状態で注入し、その樹
脂を硬化させてパッケージとし、前記半導体チップ２０
を封止する方法が採られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、例えば、ＴＳ
ＯＰ型やＴＱＦＰ型半導体装置のように、そのパッケー
ジの肉厚が薄くなる程、或いは前記半導体チップ２０の
大きさが大きくなる程、封止樹脂４０の成形が難しく、
封止樹脂４０の充填不足やボイド４１の発生等の問題が
多々あった。
ＯＰ型やＴＱＦＰ型半導体装置のように、そのパッケー
ジの肉厚が薄くなる程、或いは前記半導体チップ２０の
大きさが大きくなる程、封止樹脂４０の成形が難しく、
封止樹脂４０の充填不足やボイド４１の発生等の問題が
多々あった。
【０００４】これは封止樹脂４０が注入口３３から注入
される時に、リードフレーム２２や半導体チップ２０の
存在により、それらを境にして、溶融した封止樹脂４０
の流れのバランスが崩れて、前記金型３の両パッケージ
形成キャビティ３１Ａ、３２Ａ内に存在した空気を抱き
込み、空気層がエアーベント３４から抜け出ないために
発生する。
される時に、リードフレーム２２や半導体チップ２０の
存在により、それらを境にして、溶融した封止樹脂４０
の流れのバランスが崩れて、前記金型３の両パッケージ
形成キャビティ３１Ａ、３２Ａ内に存在した空気を抱き
込み、空気層がエアーベント３４から抜け出ないために
発生する。
【０００５】特に、パッケージの厚さを薄くするとなる
と、前記上下金型２１、２２の各内面との抵抗が増え、
ずり応力が増加して、益々流れ難くなり、半導体チップ
２０の上方とダイパッド２１の下方とを流れる封止樹脂
４０の流れのバランスが崩れ易くなる。また、この時、
金型３の内面との壁面抵抗による圧力損失も加わって、
封止樹脂４０の流れが乱されることがある。この発明は
上記状況に鑑みてなされたもので、薄厚化を達成しつ
つ、パッケージに生じがちであった未充填やボイド、ウ
エルドラインの融着不足、或いはその融合部におけるピ
ンホールを減少、或いは皆無にするとともに、薄型化し
たパッケージの半導体装置を多数効率よく得られるよう
にすることを目的とする。
と、前記上下金型２１、２２の各内面との抵抗が増え、
ずり応力が増加して、益々流れ難くなり、半導体チップ
２０の上方とダイパッド２１の下方とを流れる封止樹脂
４０の流れのバランスが崩れ易くなる。また、この時、
金型３の内面との壁面抵抗による圧力損失も加わって、
封止樹脂４０の流れが乱されることがある。この発明は
上記状況に鑑みてなされたもので、薄厚化を達成しつ
つ、パッケージに生じがちであった未充填やボイド、ウ
エルドラインの融着不足、或いはその融合部におけるピ
ンホールを減少、或いは皆無にするとともに、薄型化し
たパッケージの半導体装置を多数効率よく得られるよう
にすることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、この発明の請求項１に係る半導体チップのトランス
ファーモールド用金型は、注入樹脂によって半導体チッ
プをモールドしたパッケージを成形するトランスファー
モールド用金型であって、前記半導体チップを 表裏から
挟む二つの金型を有し、該二つの金型のそれぞれに、前
記半導体チップに対面する距離を任意に変更できる可動
板が設けられるとともに、前記二つの金型により構成さ
れるパッケージ形成キャビティに溶融樹脂を流し込むカ
ルと、余分な樹脂を収容する捨てキャビティと、前記カ
ルと前記パッケージ形成キャビティとを連通させる第一
ランナーと、前記パッケージ形成キャビティと前記捨て
キャビティとを連通させる第二ランナーとが設けられた
トランスファーモールド用金型において、スルーゲート
によって連通した複数の前記パッケージキャビティが前
記二つの金型に連設されていることを特徴とする。
に、この発明の請求項１に係る半導体チップのトランス
ファーモールド用金型は、注入樹脂によって半導体チッ
プをモールドしたパッケージを成形するトランスファー
モールド用金型であって、前記半導体チップを 表裏から
挟む二つの金型を有し、該二つの金型のそれぞれに、前
記半導体チップに対面する距離を任意に変更できる可動
板が設けられるとともに、前記二つの金型により構成さ
れるパッケージ形成キャビティに溶融樹脂を流し込むカ
ルと、余分な樹脂を収容する捨てキャビティと、前記カ
ルと前記パッケージ形成キャビティとを連通させる第一
ランナーと、前記パッケージ形成キャビティと前記捨て
キャビティとを連通させる第二ランナーとが設けられた
トランスファーモールド用金型において、スルーゲート
によって連通した複数の前記パッケージキャビティが前
記二つの金型に連設されていることを特徴とする。
【０００７】 このトランスファーモールド用金型では、
第１段階で溶融した封止樹脂を所定の厚さよりも厚めに
して二つの金型間に配置した半導体チップを仮封止し、
次に、第２段階で前記第１段階の封止樹脂が硬化しない
内に、前記二つの金型の前記半導体チップに対面する距
離をそれぞれ任意に縮めて前記封止樹脂を圧縮し所定の
厚さのパッケージに形成する、２段階方式の樹脂封止方
法を採ることにより、多連のリードフレームを用いて一
挙に薄型パッケージを成形する場合においても、未充填
やボイド、ウエルドラインの融着不足、或いはその融合
部におけるピンホールが二つの金型の両方で減少し、或
いは皆無になって、薄型化したパッケージの半導体装置
が多数効率よく得られるようになる。
第１段階で溶融した封止樹脂を所定の厚さよりも厚めに
して二つの金型間に配置した半導体チップを仮封止し、
次に、第２段階で前記第１段階の封止樹脂が硬化しない
内に、前記二つの金型の前記半導体チップに対面する距
離をそれぞれ任意に縮めて前記封止樹脂を圧縮し所定の
厚さのパッケージに形成する、２段階方式の樹脂封止方
法を採ることにより、多連のリードフレームを用いて一
挙に薄型パッケージを成形する場合においても、未充填
やボイド、ウエルドラインの融着不足、或いはその融合
部におけるピンホールが二つの金型の両方で減少し、或
いは皆無になって、薄型化したパッケージの半導体装置
が多数効率よく得られるようになる。
【０００８】
【実施例】以下、この発明の実施例を図１乃至図３を用
いて説明する。図１はこの発明のトランスファーモール
ド用金型を用いた半導体チップの樹脂封止方法を説明す
るための、半導体チップを固定したリードフレームを金
型に装着して、封止樹脂で半導体チップを封止する状態
を示し、同図Ａはその封止樹脂で封止する第１段階の状
態を示した断面図であり、同図Ｂは同図Ａの第１段階に
続く第２段階の状態を示した断面図であり、図２は図１
に示した金型に用いることができる金型のキャビティ面
を示した平面図であり、そして図３はやはり図１に示し
たトランスファーモールド用金型に用いることができる
金型の他のキャビティ面を示した平面図である。なお、
従来技術と同一の部分には同一の符号を付して説明す
る。
いて説明する。図１はこの発明のトランスファーモール
ド用金型を用いた半導体チップの樹脂封止方法を説明す
るための、半導体チップを固定したリードフレームを金
型に装着して、封止樹脂で半導体チップを封止する状態
を示し、同図Ａはその封止樹脂で封止する第１段階の状
態を示した断面図であり、同図Ｂは同図Ａの第１段階に
続く第２段階の状態を示した断面図であり、図２は図１
に示した金型に用いることができる金型のキャビティ面
を示した平面図であり、そして図３はやはり図１に示し
たトランスファーモールド用金型に用いることができる
金型の他のキャビティ面を示した平面図である。なお、
従来技術と同一の部分には同一の符号を付して説明す
る。
【０００９】 先ず、この発明の一つである金型１の構成
を説明する。この上下金型（以下、単に「金型」と記
す）１は上金型２と下金型３とから構成されていること
は従来技術と同一である。上金型２のパッケージ形成キ
ャビティ４はその底面を構成し、側壁５の内面に沿って
上下方向に可動できる可動板６と前記側壁５とで構成さ
れており、一方の下金型３のパッケージ形成キャビティ
７もその底面を構成し、側壁８の内面に沿って上下方向
に可動できる可動板９と前記側壁８とで構成されてい
て、これらの可動板６、９は電動モータ、油圧、圧縮空
気などの動力源により駆動される押圧ピン１０に連結さ
れている。つまり、可動板６、９は、半導体チップ２０
に対面する距離を任意に変更できるようになっている。
なお、半導体チップ２０に対面する距離とは、半導体チ
ップ２０の表裏面と可動板６、９との間の距離をいう。
を説明する。この上下金型（以下、単に「金型」と記
す）１は上金型２と下金型３とから構成されていること
は従来技術と同一である。上金型２のパッケージ形成キ
ャビティ４はその底面を構成し、側壁５の内面に沿って
上下方向に可動できる可動板６と前記側壁５とで構成さ
れており、一方の下金型３のパッケージ形成キャビティ
７もその底面を構成し、側壁８の内面に沿って上下方向
に可動できる可動板９と前記側壁８とで構成されてい
て、これらの可動板６、９は電動モータ、油圧、圧縮空
気などの動力源により駆動される押圧ピン１０に連結さ
れている。つまり、可動板６、９は、半導体チップ２０
に対面する距離を任意に変更できるようになっている。
なお、半導体チップ２０に対面する距離とは、半導体チ
ップ２０の表裏面と可動板６、９との間の距離をいう。
【００１０】 前記上金型２及び又は下金型３のキャビテ
ィ面には、実際には図２にその一例を示したように、複
数のパッケージ形成用キャビティ４（７）と、それぞれ
に対応した外側に捨てキャビティ１１とが形成されてい
いる。また、符号１２で示した、溶融した封止樹脂４０
の注入口であるカルも設けられており、図示の実施例で
は、このカル１２は４個のパッケージ形成用キャビティ
４（７）に一つの割合で設けられている。
ィ面には、実際には図２にその一例を示したように、複
数のパッケージ形成用キャビティ４（７）と、それぞれ
に対応した外側に捨てキャビティ１１とが形成されてい
いる。また、符号１２で示した、溶融した封止樹脂４０
の注入口であるカルも設けられており、図示の実施例で
は、このカル１２は４個のパッケージ形成用キャビティ
４（７）に一つの割合で設けられている。
【００１１】 これら各カル１２とその近傍に存在する４
個のパッケージ形成用キャビティ４（７）とは第一ラン
ナーである各ランナー１３で連結されており、また、各
パッケージ形成用キャビティ４（７）と前記各捨てキャ
ビティ１１とは第二ランナーである１本のランナー１４
で連結されている。
個のパッケージ形成用キャビティ４（７）とは第一ラン
ナーである各ランナー１３で連結されており、また、各
パッケージ形成用キャビティ４（７）と前記各捨てキャ
ビティ１１とは第二ランナーである１本のランナー１４
で連結されている。
【００１２】 次に、このような構成の金型１を用いて半
導体チップ２０を封止樹脂４０で封止する方法を説明す
る。先ず、上下金型２、３を開き、下金型３の上に、図
１及び図２に示したように、ダイパッド２１に半導体チ
ップ２０を固定したリードフレーム２２を載置する。こ
の際、リードフレーム２２の側縁は前記捨てキャビティ
１１に掛からないように配置する。
導体チップ２０を封止樹脂４０で封止する方法を説明す
る。先ず、上下金型２、３を開き、下金型３の上に、図
１及び図２に示したように、ダイパッド２１に半導体チ
ップ２０を固定したリードフレーム２２を載置する。こ
の際、リードフレーム２２の側縁は前記捨てキャビティ
１１に掛からないように配置する。
【００１３】 その後、上金型２を重ね、両上下金型２、
３を締結し、溶融した封止樹脂４０を前記カル１２から
前記各ランナー１３を通じて前記各パッケージ形成用キ
ャビティ４、７に注入する。これらのパッケージ形成用
キャビティ４、７で形成されるキャビティの容積は、通
常のＤＩＰ型、ＳＯＰ型、ＱＦＰ型などの半導体装置用
パッケージと同様の厚さ（２〜５ｍｍ）のパッケージが
形成される程度とする。
３を締結し、溶融した封止樹脂４０を前記カル１２から
前記各ランナー１３を通じて前記各パッケージ形成用キ
ャビティ４、７に注入する。これらのパッケージ形成用
キャビティ４、７で形成されるキャビティの容積は、通
常のＤＩＰ型、ＳＯＰ型、ＱＦＰ型などの半導体装置用
パッケージと同様の厚さ（２〜５ｍｍ）のパッケージが
形成される程度とする。
【００１４】 前記半導体チップ２０やダイパッド２１の
周辺に充分に行き渡る封止樹脂４０が注入されると、次
に、その注入された封止樹脂４０が未だ硬化しない内
に、金型１の半導体チップ２０に対面する距離をそれぞ
れ縮める。即ち、ゲルタイムの範囲の時間内に、前記動
力源で前記押圧ピン１０を押圧し、上金型２の可動板６
及び下金型３の可動板９を押圧し、注入された封止樹脂
４０を所定の厚さ（薄さ）のパッケージに成形されるよ
うに圧縮する。図１Ｂの点線Ｌａ、Ｌｂは可動板６、９
が図１Ａに示した状態に在る場合の位置を示している。
周辺に充分に行き渡る封止樹脂４０が注入されると、次
に、その注入された封止樹脂４０が未だ硬化しない内
に、金型１の半導体チップ２０に対面する距離をそれぞ
れ縮める。即ち、ゲルタイムの範囲の時間内に、前記動
力源で前記押圧ピン１０を押圧し、上金型２の可動板６
及び下金型３の可動板９を押圧し、注入された封止樹脂
４０を所定の厚さ（薄さ）のパッケージに成形されるよ
うに圧縮する。図１Ｂの点線Ｌａ、Ｌｂは可動板６、９
が図１Ａに示した状態に在る場合の位置を示している。
【００１５】 押圧された封止樹脂４０の余分な樹脂は前
記ランナー１４を通じて捨てキャビティ１１で受け留め
られる。金型１のキャビティ内に存在した空気も注入さ
れた前記封止樹脂４０で押されて、これらの捨てキャビ
ティ１１から外部に排出される。
記ランナー１４を通じて捨てキャビティ１１で受け留め
られる。金型１のキャビティ内に存在した空気も注入さ
れた前記封止樹脂４０で押されて、これらの捨てキャビ
ティ１１から外部に排出される。
【００１６】 このような金型１のキャビティを可変させ
る手段は種々考えられる。例えば、図示していないが、
封止樹脂４０の圧縮を成形品の剥型用イジェクターピン
で行ってもよく、またこれらの圧縮動作は上下金型の締
結動作と連動するように構成し、先ず、圧力スイッチな
どを利用して、リードフレーム２２を締結し、その後ト
ランスファーのプランジャーの移動により成形して、所
定の圧力になると、更に圧力を加え、前記可動板６、９
またはイジェクターピンなどを可動させて薄型のパッケ
ージにすることができる。
る手段は種々考えられる。例えば、図示していないが、
封止樹脂４０の圧縮を成形品の剥型用イジェクターピン
で行ってもよく、またこれらの圧縮動作は上下金型の締
結動作と連動するように構成し、先ず、圧力スイッチな
どを利用して、リードフレーム２２を締結し、その後ト
ランスファーのプランジャーの移動により成形して、所
定の圧力になると、更に圧力を加え、前記可動板６、９
またはイジェクターピンなどを可動させて薄型のパッケ
ージにすることができる。
【００１７】 図３に、多連のリードフレームの例として
３連のリードフレーム２２Ａに半導体チップ２０を固定
し、このような構成の半導体チップ２０（図示してい
い）を樹脂封止する場合に用いて有用な上下金型２Ａ
（３Ａ）の実施例を示した。図３に示した実施例では、
３連のリードフレーム２２Ａに対応して片側３列にパッ
ケージ形成用キャビティ４（７）が形成されており、各
パッケージ形成用キャビティ４（７）と一つのカル１２
とがランナー１３で連結され、その列の相隣るパッケー
ジ形成用キャビティ４（７）同士はスルーゲート１５で
連結され、そして、またそれら最側端部に形成された各
パッケージ形成用キャビティ４（７）とその最側縁部
で、それらの捨てキャビティ１１とを連結するランナー
１４とが形成された構成になっている。
３連のリードフレーム２２Ａに半導体チップ２０を固定
し、このような構成の半導体チップ２０（図示してい
い）を樹脂封止する場合に用いて有用な上下金型２Ａ
（３Ａ）の実施例を示した。図３に示した実施例では、
３連のリードフレーム２２Ａに対応して片側３列にパッ
ケージ形成用キャビティ４（７）が形成されており、各
パッケージ形成用キャビティ４（７）と一つのカル１２
とがランナー１３で連結され、その列の相隣るパッケー
ジ形成用キャビティ４（７）同士はスルーゲート１５で
連結され、そして、またそれら最側端部に形成された各
パッケージ形成用キャビティ４（７）とその最側縁部
で、それらの捨てキャビティ１１とを連結するランナー
１４とが形成された構成になっている。
【００１８】 通常、このような上下金型２Ａ（３Ａ）を
用い、多連のリードフレームを用いて一挙に薄型パッケ
ージを成形する場合は、キャビティ内のスルーゲート１
５の存在で封止樹脂４０が流れ難く、成形不良起こし易
かった。しかし、前記構成の上下金型２Ａ（３Ａ）を用
い、この発明の２段階方式の樹脂封止方法を採れば、こ
のような高密度リードフレーム２２Ａの薄型化したパッ
ケージの半導体装置を多数効率よく得ることができる。
用い、多連のリードフレームを用いて一挙に薄型パッケ
ージを成形する場合は、キャビティ内のスルーゲート１
５の存在で封止樹脂４０が流れ難く、成形不良起こし易
かった。しかし、前記構成の上下金型２Ａ（３Ａ）を用
い、この発明の２段階方式の樹脂封止方法を採れば、こ
のような高密度リードフレーム２２Ａの薄型化したパッ
ケージの半導体装置を多数効率よく得ることができる。
【００１９】
【発明の効果】以上、説明したように、この発明の半導
体チップのトランスファーモールド用金型によれば、リ
ードフレームを二つの金型で締結した第１段階では、溶
融した封止樹脂が金型のキャビティ内の隅々まで注入す
ることができ、その後、二つの金型の半導体チップに対
面する距離をそれぞれ縮めて、注入された封止樹脂を圧
縮するので、これまでパッケージの薄型化を達成するに
際し、生じがちであった未充填やボイド、ウエルドライ
ンの融着不足、或いはその融合部におけるピンホールを
二つの金型の両方で減少、或いは皆無にすることができ
る。さらに、スルーゲートによって連通した複数のパッ
ケージ形成キャビティが上記の二つの金型に連設されて
いることにより、薄型化した半導体装置を多数効率 よく
得ることができる。
体チップのトランスファーモールド用金型によれば、リ
ードフレームを二つの金型で締結した第１段階では、溶
融した封止樹脂が金型のキャビティ内の隅々まで注入す
ることができ、その後、二つの金型の半導体チップに対
面する距離をそれぞれ縮めて、注入された封止樹脂を圧
縮するので、これまでパッケージの薄型化を達成するに
際し、生じがちであった未充填やボイド、ウエルドライ
ンの融着不足、或いはその融合部におけるピンホールを
二つの金型の両方で減少、或いは皆無にすることができ
る。さらに、スルーゲートによって連通した複数のパッ
ケージ形成キャビティが上記の二つの金型に連設されて
いることにより、薄型化した半導体装置を多数効率 よく
得ることができる。
【００２０】 従って、成形不良に起因する耐湿性の改善
ができ、しかも、従来通りの封止樹脂も使用することも
できるので、特別に封止樹脂の流れを改善した樹脂を使
用する必要がない。
ができ、しかも、従来通りの封止樹脂も使用することも
できるので、特別に封止樹脂の流れを改善した樹脂を使
用する必要がない。
【図１】この発明のトランスファーモールド用金型を用
いた半導体チップの樹脂封止方法を説明するための、半
導体チップを固定したリードフレームをトランスファー
モールド用金型に装着して、封止樹脂で半導体チップを
封止する状態を示し、同図Ａはその封止樹脂で封止する
第１段階の状態を示した断面図であり、同図Ｂは同図Ａ
の第１段階に続く第２段階の状態を示した断面図であ
る。
いた半導体チップの樹脂封止方法を説明するための、半
導体チップを固定したリードフレームをトランスファー
モールド用金型に装着して、封止樹脂で半導体チップを
封止する状態を示し、同図Ａはその封止樹脂で封止する
第１段階の状態を示した断面図であり、同図Ｂは同図Ａ
の第１段階に続く第２段階の状態を示した断面図であ
る。
【図２】図１に示したトランスファーモールド用金型に
用いることができる金型のキャビティ面を示した平面図
である。
用いることができる金型のキャビティ面を示した平面図
である。
【図３】図１に示したトランスファーモールド用金型に
用いることができる金型の他のキャビティ面を示した平
面図である。
用いることができる金型の他のキャビティ面を示した平
面図である。
【図４】従来技術の半導体チップの樹脂封止方法を説明
するための一部断面図である。
するための一部断面図である。
１ トランスファーモールド用（金型） ２ 上金型 ３ 下金型 ４ パッケージ形成用キャビティ ４Ａ パッケージ形成用キャビティ ５ 側壁 ６ 可動板 ７ パッケージ形成用キャビティ ７Ａ パッケージ形成用キャビティ ８ 側壁 ９ 可動板 １０ 押圧ピン １１ 捨てキャビティ １２ カル １３ ランナー １４ ランナー １５ スルーゲート ２０ 半導体チップ ２１ ダイパッド ２２ リードフレーム ２２Ａ リードフレーム
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ // Ｂ２９Ｌ 31:34 Ｂ２９Ｌ 31:34
Claims (1)
- 【請求項１】 注入樹脂によって半導体チップをモール
ドしたパッケージを成形するトランスファーモールド用
金型であって、 前記半導体チップを表裏から挟む二つの金型を有し、 該二つの金型のそれぞれに、前記半導体チップに対面す
る距離を任意に変更できる可動板が設けられるととも
に、 前記二つの金型により構成されるパッケージ形成キャビ
ティに溶融樹脂を流し込むカルと、 余分な樹脂を収容する捨てキャビティと、 前記カルと前記パッケージ形成キャビティとを連通させ
る第一ランナーと、 前記パッケージ形成キャビティと前記捨てキャビティと
を連通させる第二ランナーとが設けられたトランスファ
ーモールド用金型において、 スルーゲートによって連通した複数の前記パッケージ形
成キャビティが前記二つの金型に連設されていることを
特徴とするトランスファーモールド用金型。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04412093A JP3246037B2 (ja) | 1993-03-04 | 1993-03-04 | 半導体チップのトランスファーモールド用金型 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04412093A JP3246037B2 (ja) | 1993-03-04 | 1993-03-04 | 半導体チップのトランスファーモールド用金型 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06260518A JPH06260518A (ja) | 1994-09-16 |
| JP3246037B2 true JP3246037B2 (ja) | 2002-01-15 |
Family
ID=12682750
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04412093A Expired - Fee Related JP3246037B2 (ja) | 1993-03-04 | 1993-03-04 | 半導体チップのトランスファーモールド用金型 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3246037B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999008850A2 (de) * | 1997-08-20 | 1999-02-25 | Infineon Technologies Ag | Pressform sowie verfahren zum herstellen eines kunststoffverbundkörpers |
| JP4484329B2 (ja) * | 2000-07-21 | 2010-06-16 | アピックヤマダ株式会社 | 樹脂封止方法及び樹脂封止装置 |
| JP5065747B2 (ja) * | 2007-04-27 | 2012-11-07 | アサヒ・エンジニアリング株式会社 | 半導体パッケージの製造方法及び製造装置 |
| JP5215886B2 (ja) * | 2009-01-27 | 2013-06-19 | Ｔｏｗａ株式会社 | 電子部品の樹脂封止成形装置 |
-
1993
- 1993-03-04 JP JP04412093A patent/JP3246037B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06260518A (ja) | 1994-09-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |