JPH06260518A - 半導体チップの樹脂封止方法及びトランスファーモールド用金型 - Google Patents
半導体チップの樹脂封止方法及びトランスファーモールド用金型Info
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
- B29C45/14639—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】ボイドや未充填部分がない薄型の樹脂封止型半
導体装置をうること。 【構成】半導体チップ２０を封止樹脂４０で所定の厚さ
のパッケージに封止するに当たり、先ず、第１段階とし
て、溶融した封止樹脂４０を前記所定の厚さよりも厚め
にして半導体チップ４０を仮封止し、次に、第２段階
で、前記第１段階の封止樹脂が硬化しない内に前記封止
樹脂４０を圧縮して前記所定の厚さのパッケージに形成
するようにした。このためのトランスファーモールド用
金型にも言及されている。 【効果】金型の押圧により、これまでに薄型パッケージ
に生じがちであった未充填やボイド、ウエルドラインの
融着不足、或いはその融合部におけるピンホールを減
少、或いは皆無にすることができる。
導体装置をうること。 【構成】半導体チップ２０を封止樹脂４０で所定の厚さ
のパッケージに封止するに当たり、先ず、第１段階とし
て、溶融した封止樹脂４０を前記所定の厚さよりも厚め
にして半導体チップ４０を仮封止し、次に、第２段階
で、前記第１段階の封止樹脂が硬化しない内に前記封止
樹脂４０を圧縮して前記所定の厚さのパッケージに形成
するようにした。このためのトランスファーモールド用
金型にも言及されている。 【効果】金型の押圧により、これまでに薄型パッケージ
に生じがちであった未充填やボイド、ウエルドラインの
融着不足、或いはその融合部におけるピンホールを減
少、或いは皆無にすることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体チップを封止
樹脂で所定の厚さ、特に薄型のパッケージに封止する封
止方法及びその封止用のトランスファーモールド用金型
に関するものである。
樹脂で所定の厚さ、特に薄型のパッケージに封止する封
止方法及びその封止用のトランスファーモールド用金型
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図４を用いて従来技術の半導体チップの
樹脂封止方法を説明する。この図４において、半導体チ
ップ２０をダイパッド２１に固定したリードフレーム２
２は、トランスファーモールド用金型（以下、単に「金
型」と記す）３０を構成する上金型３１及び下金型３２
の間に装着、締結され、その状態で前記上金型３１に設
けられた注入口３３から、その上金型３１のパッケージ
形成キャビティ３１Ａ及び下金型３２のパッケージ形成
キャビティ３２Ａへ、例えば、エポキシ樹脂のような熱
硬化性の封止樹脂４０を溶融した状態で注入し、その樹
脂を硬化させてパッケージとし、前記半導体チップ２０
を封止する方法が採られている。
樹脂封止方法を説明する。この図４において、半導体チ
ップ２０をダイパッド２１に固定したリードフレーム２
２は、トランスファーモールド用金型（以下、単に「金
型」と記す）３０を構成する上金型３１及び下金型３２
の間に装着、締結され、その状態で前記上金型３１に設
けられた注入口３３から、その上金型３１のパッケージ
形成キャビティ３１Ａ及び下金型３２のパッケージ形成
キャビティ３２Ａへ、例えば、エポキシ樹脂のような熱
硬化性の封止樹脂４０を溶融した状態で注入し、その樹
脂を硬化させてパッケージとし、前記半導体チップ２０
を封止する方法が採られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、例えば、ＴＳ
ＯＰ型やＴＱＦＰ型半導体装置のように、そのパッケー
ジの肉厚が薄くなる程、或いは前記半導体チップ２０の
大きさが大きくなる程、封止樹脂４０の成形が難しく、
封止樹脂４０の充填不足やボイド４１の発生等の問題が
多々あった。
ＯＰ型やＴＱＦＰ型半導体装置のように、そのパッケー
ジの肉厚が薄くなる程、或いは前記半導体チップ２０の
大きさが大きくなる程、封止樹脂４０の成形が難しく、
封止樹脂４０の充填不足やボイド４１の発生等の問題が
多々あった。
【０００４】これは封止樹脂４０が注入口３３から注入
される時に、リードフレーム２２や半導体チップ２０の
存在により、それらを境にして、溶融した封止樹脂４０
の流れのバランスが崩れて、前記金型３の両パッケージ
形成キャビティ３１Ａ、２２Ａ内に存在した空気を抱き
込み、空気層がエアーベント３４から抜け出ないために
発生する。
される時に、リードフレーム２２や半導体チップ２０の
存在により、それらを境にして、溶融した封止樹脂４０
の流れのバランスが崩れて、前記金型３の両パッケージ
形成キャビティ３１Ａ、２２Ａ内に存在した空気を抱き
込み、空気層がエアーベント３４から抜け出ないために
発生する。
【０００５】特に、パッケージの厚さを薄くするとなる
と、前記上下金型２１、２２の各内面との抵抗が増え、
ずり応力が増加して、益々流れ難くなり、半導体チップ
２０の上方とダイパッド２１の下方とを流れる封止樹脂
４０の流れのバランスが崩れ易くなる。また、この時、
金型３の内面との壁面抵抗による圧力損失も加わって、
封止樹脂４０の流れが乱されることがある。この発明は
これらの問題点を解決することを課題とするものであ
る。
と、前記上下金型２１、２２の各内面との抵抗が増え、
ずり応力が増加して、益々流れ難くなり、半導体チップ
２０の上方とダイパッド２１の下方とを流れる封止樹脂
４０の流れのバランスが崩れ易くなる。また、この時、
金型３の内面との壁面抵抗による圧力損失も加わって、
封止樹脂４０の流れが乱されることがある。この発明は
これらの問題点を解決することを課題とするものであ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、この発明の半導体チップの樹脂封止方法は、半導体
チップを封止樹脂で所定の厚さのパッケージに封止する
に当たり、先ず、第１段階として、溶融した封止樹脂を
前記所定の厚さよりも厚めにして半導体チップを仮封止
し、次に、第２段階で、前記第１段階の封止樹脂が硬化
しない内に前記封止樹脂を圧縮して前記所定の厚さのパ
ッケージに形成するようにした。
に、この発明の半導体チップの樹脂封止方法は、半導体
チップを封止樹脂で所定の厚さのパッケージに封止する
に当たり、先ず、第１段階として、溶融した封止樹脂を
前記所定の厚さよりも厚めにして半導体チップを仮封止
し、次に、第２段階で、前記第１段階の封止樹脂が硬化
しない内に前記封止樹脂を圧縮して前記所定の厚さのパ
ッケージに形成するようにした。
【０００７】そのためのトランスファーモールド用金型
は、上下金型から構成され、それらの金型で形成される
パッケージ形成キャビティの容積を可変できるようにし
た。
は、上下金型から構成され、それらの金型で形成される
パッケージ形成キャビティの容積を可変できるようにし
た。
【０００８】更に、前記上下金型のパッケージ形成キャ
ビティ面に、溶融樹脂を流し込むカルと、パッケージ形
成パッケージ形成キャビティと、余分な樹脂を収容する
捨てパッケージ形成キャビティと、前記カルと前記パッ
ケージ形成キャビティとに連通するランナーと、前記パ
ッケージ形成キャビティと前記捨てパッケージ形成キャ
ビティとに連通するランナーとを形成して、前記課題を
解決するようにした。
ビティ面に、溶融樹脂を流し込むカルと、パッケージ形
成パッケージ形成キャビティと、余分な樹脂を収容する
捨てパッケージ形成キャビティと、前記カルと前記パッ
ケージ形成キャビティとに連通するランナーと、前記パ
ッケージ形成キャビティと前記捨てパッケージ形成キャ
ビティとに連通するランナーとを形成して、前記課題を
解決するようにした。
【０００９】
【作用】前記の製造方法及び金型の構成を採れば、金型
の押圧により、これまでに薄型パッケージに生じがちで
あった未充填やボイド、ウエルドラインの融着不足、或
いはその融合部におけるピンホールを減少、或いは皆無
にすることができる。
の押圧により、これまでに薄型パッケージに生じがちで
あった未充填やボイド、ウエルドラインの融着不足、或
いはその融合部におけるピンホールを減少、或いは皆無
にすることができる。
【００１０】
【実施例】以下、この発明の実施例を図１乃至図３を用
いて説明する。図１はこの発明の半導体チップの樹脂封
止方法を説明するための、半導体チップを固定したリー
ドフレームを、この発明の一つである金型に装着して、
封止樹脂で半導体チップを封止する状態を示し、同図Ａ
はその封止樹脂で封止する第１段階の状態を示した断面
図であり、同図Ｂは同図Ａの第１段階に続く第２段階の
状態を示した断面図であり、図２は図１に示した金型に
用いることができる金型のキャビティ面を示した平面図
であり、そして図３はやはり図１に示したトランスファ
ーモールド用金型に用いることができる金型の他のキャ
ビティ面を示した平面図である。なお、従来技術と同一
の部分には同一の符号を付して説明する。
いて説明する。図１はこの発明の半導体チップの樹脂封
止方法を説明するための、半導体チップを固定したリー
ドフレームを、この発明の一つである金型に装着して、
封止樹脂で半導体チップを封止する状態を示し、同図Ａ
はその封止樹脂で封止する第１段階の状態を示した断面
図であり、同図Ｂは同図Ａの第１段階に続く第２段階の
状態を示した断面図であり、図２は図１に示した金型に
用いることができる金型のキャビティ面を示した平面図
であり、そして図３はやはり図１に示したトランスファ
ーモールド用金型に用いることができる金型の他のキャ
ビティ面を示した平面図である。なお、従来技術と同一
の部分には同一の符号を付して説明する。
【００１１】先ず、この発明の一つである金型１の構成
を説明する。この金型１は上金型２と下金型３とから構
成されていることは従来技術と同一である。上金型２の
パッケージ形成キャビティ４はその底面を構成し、側壁
５の内面に沿って上下方向に可動できる可動板６と前記
側壁５とで構成されており、一方の下金型３のパッケー
ジ形成キャビティ７もその底面を構成し、側壁８の内面
に沿って上下方向に可動できる可動板９と前記側壁８と
で構成されていて、これらの可動板６、９は電動モー
タ、油圧、圧縮空気などの動力源により駆動される押圧
ピン１０に連結されている。
を説明する。この金型１は上金型２と下金型３とから構
成されていることは従来技術と同一である。上金型２の
パッケージ形成キャビティ４はその底面を構成し、側壁
５の内面に沿って上下方向に可動できる可動板６と前記
側壁５とで構成されており、一方の下金型３のパッケー
ジ形成キャビティ７もその底面を構成し、側壁８の内面
に沿って上下方向に可動できる可動板９と前記側壁８と
で構成されていて、これらの可動板６、９は電動モー
タ、油圧、圧縮空気などの動力源により駆動される押圧
ピン１０に連結されている。
【００１２】前記上金型２及び又は下金型３のキャビテ
ィ面には、実際には図２にその一例を示したように、複
数のパッケージ形成用キャビティ４（７）と、それぞれ
に対応した外側に捨てキャビティ１１とが形成されてい
いる。また、符号１２で示した、溶融した封止樹脂４０
の注入口であるカルも設けられており、図示の実施例で
は、このカル１２は４個のパッケージ形成用キャビティ
４（７）に一つの割合で設けられている。
ィ面には、実際には図２にその一例を示したように、複
数のパッケージ形成用キャビティ４（７）と、それぞれ
に対応した外側に捨てキャビティ１１とが形成されてい
いる。また、符号１２で示した、溶融した封止樹脂４０
の注入口であるカルも設けられており、図示の実施例で
は、このカル１２は４個のパッケージ形成用キャビティ
４（７）に一つの割合で設けられている。
【００１３】これら各カル１２とその近傍に存在する４
個のパッケージ形成用キャビティ４（７）とは各ランナ
ー１３で連結されており、また、各パッケージ形成用キ
ャビティ４（７）と前記各捨てキャビティ１１とは１本
のランナー１４で連結されている。
個のパッケージ形成用キャビティ４（７）とは各ランナ
ー１３で連結されており、また、各パッケージ形成用キ
ャビティ４（７）と前記各捨てキャビティ１１とは１本
のランナー１４で連結されている。
【００１４】次に、このような構成の金型１を用いて半
導体チップ２０を封止樹脂４０で封止する方法を説明す
る。先ず、上下金型２、３を開き、下金型３の上に、図
１及び図２に示したように、ダイパッド２１に半導体チ
ップ２０を固定したリードフレーム２２を載置する。こ
の際、リードフレーム２２の側縁は前記捨てキャビティ
１１に掛からないように配置する。
導体チップ２０を封止樹脂４０で封止する方法を説明す
る。先ず、上下金型２、３を開き、下金型３の上に、図
１及び図２に示したように、ダイパッド２１に半導体チ
ップ２０を固定したリードフレーム２２を載置する。こ
の際、リードフレーム２２の側縁は前記捨てキャビティ
１１に掛からないように配置する。
【００１５】その後、上金型２を重ね、両上下金型２、
３を締結し、溶融した封止樹脂４０を前記カル１２から
前記各ランナー１３を通じて前記各パッケージ形成用キ
ャビティ４、７に注入する。これらのパッケージ形成用
キャビティ４、７で形成されるキャビティの容積は、通
常のＤＩＰ型、ＳＯＰ型、ＱＦＰ型などの半導体装置用
パッケージと同様の厚さ（２〜５ｍｍ）のパッケージが
形成される程度とする。
３を締結し、溶融した封止樹脂４０を前記カル１２から
前記各ランナー１３を通じて前記各パッケージ形成用キ
ャビティ４、７に注入する。これらのパッケージ形成用
キャビティ４、７で形成されるキャビティの容積は、通
常のＤＩＰ型、ＳＯＰ型、ＱＦＰ型などの半導体装置用
パッケージと同様の厚さ（２〜５ｍｍ）のパッケージが
形成される程度とする。
【００１６】前記半導体チップ２０やダイパッド２１の
周辺に充分に行き渡る封止樹脂４０が注入されると、次
に、その注入された封止樹脂４０が未だ硬化しない内
に、即ち、ゲルタイムの範囲の時間内に、前記動力源で
前記押圧ピン１０を押圧し、上金型２の可動板６及び下
金型３の可動板９を押圧し、注入された封止樹脂４０を
所定の厚さ（薄さ）のパッケージに成形されるように圧
縮する。図１Ｂの点線Ｌａ、Ｌｂは可動板６、９が図１
Ａに示した状態に在る場合の位置を示している。
周辺に充分に行き渡る封止樹脂４０が注入されると、次
に、その注入された封止樹脂４０が未だ硬化しない内
に、即ち、ゲルタイムの範囲の時間内に、前記動力源で
前記押圧ピン１０を押圧し、上金型２の可動板６及び下
金型３の可動板９を押圧し、注入された封止樹脂４０を
所定の厚さ（薄さ）のパッケージに成形されるように圧
縮する。図１Ｂの点線Ｌａ、Ｌｂは可動板６、９が図１
Ａに示した状態に在る場合の位置を示している。
【００１７】押圧された封止樹脂４０の余分な樹脂は前
記ランナー１４を通じて捨てキャビティ１１で受け留め
られる。金型１のキャビティ内に存在した空気も注入さ
れた前記封止樹脂４０で押されて、これらの捨てキャビ
ティ１１から外部に排出される。
記ランナー１４を通じて捨てキャビティ１１で受け留め
られる。金型１のキャビティ内に存在した空気も注入さ
れた前記封止樹脂４０で押されて、これらの捨てキャビ
ティ１１から外部に排出される。
【００１８】このような金型１のキャビティを可変させ
る手段は種々考えられる。例えば、図示していないが、
封止樹脂４０の圧縮を成形品の剥型用イジェクターピン
で行ってもよく、またこれらの圧縮動作は上下金型の締
結動作と連動するように構成し、先ず、圧力スイッチな
どを利用して、リードフレーム２２を締結し、その後ト
ランスファーのプランジャーの移動により成形して、所
定の圧力になると、更に圧力を加え、前記可動板６、９
またはイジェクターピンなどを可動させて薄型のパッケ
ージにすることができる。
る手段は種々考えられる。例えば、図示していないが、
封止樹脂４０の圧縮を成形品の剥型用イジェクターピン
で行ってもよく、またこれらの圧縮動作は上下金型の締
結動作と連動するように構成し、先ず、圧力スイッチな
どを利用して、リードフレーム２２を締結し、その後ト
ランスファーのプランジャーの移動により成形して、所
定の圧力になると、更に圧力を加え、前記可動板６、９
またはイジェクターピンなどを可動させて薄型のパッケ
ージにすることができる。
【００１９】図３に、多連のリードフレームの例として
３連のリードフレーム２２Ａに半導体チップ２０を固定
し、このような構成の半導体チップ２０（図示していな
い）を樹脂封止する場合に用いて有用な上下金型２Ａ
（３Ａ）の実施例を示した。図３に示した実施例では、
３連のリードフレーム２２Ａに対応して片側３列にパッ
ケージ形成用キャビティ４（７）が形成されており、各
パッケージ形成用キャビティ４（７）と一つのカル１２
とがランナー１３で連結され、その列の相隣るパッケー
ジ形成用キャビティ４（７）同士はスルーゲート１５で
連結され、そして、またそれら最側端部に形成された各
パッケージ形成用キャビティ４（７）とその最側縁部
で、それらの捨てキャビティ１１とを連結するランナー
１４とが形成された構成になっている。
３連のリードフレーム２２Ａに半導体チップ２０を固定
し、このような構成の半導体チップ２０（図示していな
い）を樹脂封止する場合に用いて有用な上下金型２Ａ
（３Ａ）の実施例を示した。図３に示した実施例では、
３連のリードフレーム２２Ａに対応して片側３列にパッ
ケージ形成用キャビティ４（７）が形成されており、各
パッケージ形成用キャビティ４（７）と一つのカル１２
とがランナー１３で連結され、その列の相隣るパッケー
ジ形成用キャビティ４（７）同士はスルーゲート１５で
連結され、そして、またそれら最側端部に形成された各
パッケージ形成用キャビティ４（７）とその最側縁部
で、それらの捨てキャビティ１１とを連結するランナー
１４とが形成された構成になっている。
【００２０】通常、このような上下金型２Ａ（３Ａ）を
用い、多連のリードフレームを用いて一挙に薄型パッケ
ージを成形する場合は、キャビティ内のスルーゲート１
５の存在で封止樹脂４０が流れ難く、成形不良起こし易
かった。しかし、前記構成の上下金型２Ａ（３Ａ）を用
い、この発明の２段階方式の樹脂封止方法を採れば、こ
のような高密度リードフレーム２２Ａの薄型化したパッ
ケージの半導体装置を多数効率よく得ることができる。
用い、多連のリードフレームを用いて一挙に薄型パッケ
ージを成形する場合は、キャビティ内のスルーゲート１
５の存在で封止樹脂４０が流れ難く、成形不良起こし易
かった。しかし、前記構成の上下金型２Ａ（３Ａ）を用
い、この発明の２段階方式の樹脂封止方法を採れば、こ
のような高密度リードフレーム２２Ａの薄型化したパッ
ケージの半導体装置を多数効率よく得ることができる。
【００２１】
【発明の効果】以上、説明したように、この発明の半導
体チップの樹脂封止方法及びトランスファーモールド用
金型によれば、リードフレームを上下金型で締結した第
１段階では、溶融した封止樹脂が金型のキャビティ内の
隅々まで注入することができ、その後、それらの金型の
押圧して、注入された封止樹脂を圧縮するので、これま
でに薄型パッケージに生じがちであった未充填やボイ
ド、ウエルドラインの融着不足、或いはその融合部にお
けるピンホールを減少、或いは皆無にすることができ
る。
体チップの樹脂封止方法及びトランスファーモールド用
金型によれば、リードフレームを上下金型で締結した第
１段階では、溶融した封止樹脂が金型のキャビティ内の
隅々まで注入することができ、その後、それらの金型の
押圧して、注入された封止樹脂を圧縮するので、これま
でに薄型パッケージに生じがちであった未充填やボイ
ド、ウエルドラインの融着不足、或いはその融合部にお
けるピンホールを減少、或いは皆無にすることができ
る。
【００２２】従って、成形不良に起因する耐湿性の改善
ができ、しかも、従来通りの封止樹脂も使用することも
できるので、特別に封止樹脂の流れを改善した樹脂を使
用する必要がない。
ができ、しかも、従来通りの封止樹脂も使用することも
できるので、特別に封止樹脂の流れを改善した樹脂を使
用する必要がない。
【図１】この発明の半導体チップの樹脂封止方法を説明
するための、半導体チップを固定したリードフレーム
を、この発明の一つであるトランスファーモールド用金
型に装着して、封止樹脂で半導体チップを封止する状態
を示し、同図Ａはその封止樹脂で封止する第１段階の状
態を示した断面図であり、同図Ｂは同図Ａの第１段階に
続く第２段階の状態を示した断面図である。
するための、半導体チップを固定したリードフレーム
を、この発明の一つであるトランスファーモールド用金
型に装着して、封止樹脂で半導体チップを封止する状態
を示し、同図Ａはその封止樹脂で封止する第１段階の状
態を示した断面図であり、同図Ｂは同図Ａの第１段階に
続く第２段階の状態を示した断面図である。
【図２】図１に示したトランスファーモールド用金型に
用いることができる金型のキャビティ面を示した平面図
である。
用いることができる金型のキャビティ面を示した平面図
である。
【図３】図１に示したトランスファーモールド用金型に
用いることができる金型の他のキャビティ面を示した平
面図である。
用いることができる金型の他のキャビティ面を示した平
面図である。
【図４】従来技術の半導体チップの樹脂封止方法を説明
するための一部断面図である。
するための一部断面図である。
【符号の説明】 １ トランスファーモールド用（金型） ２ 上金型 ３ 下金型 ４ パッケージ形成用キャビティ ４Ａ パッケージ形成用キャビティ ５ 側壁 ６ 可動板 ７ パッケージ形成用キャビティ ７Ａ パッケージ形成用キャビティ ８ 側壁 ９ 可動板 １０ 押圧ピン １１ 捨てキャビティ １２ カル １３ ランナー １４ ランナー １５ スルーゲート ２０ 半導体チップ ２１ ダイパッド ２２ リードフレーム ２２Ａ リードフレーム
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 // Ｂ２９Ｌ 31:34 4Ｆ
Claims (4)
- 【請求項１】半導体チップを封止樹脂で所定の厚さのパ
ッケージに封止するに当たり、先ず、第１段階で溶融し
た封止樹脂を前記所定の厚さよりも厚めにして半導体チ
ップを仮封止し、次に、第２段階で前記第１段階の封止
樹脂が硬化しない内に前記封止樹脂を圧縮して前記所定
の厚さのパッケージに形成することを特徴とする半導体
装置の樹脂封止方法。 - 【請求項２】上下金型から構成され、それらの金型で形
成されるキャビティの容積を可変できるトランスファー
モールド用金型。 - 【請求項３】前記上下金型の少なくとも一方が固定金型
であることを特徴とする請求項２に記載のトランスファ
ーモールド用金型。 - 【請求項４】前記上下金型のキャビティ面に、溶融樹脂
を流し込むカルと、パッケージ形成キャビティと、余分
な樹脂を収容する捨てキャビティと、前記カルと前記パ
ッケージ形成キャビティとに連通するランナーと、前記
パッケージ形成キャビティと前記捨てキャビティとに連
通するランナーとが形成されていることを特徴とする請
求項２に記載のトランスファーモールド用金型。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04412093A JP3246037B2 (ja) | 1993-03-04 | 1993-03-04 | 半導体チップのトランスファーモールド用金型 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04412093A JP3246037B2 (ja) | 1993-03-04 | 1993-03-04 | 半導体チップのトランスファーモールド用金型 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06260518A true JPH06260518A (ja) | 1994-09-16 |
| JP3246037B2 JP3246037B2 (ja) | 2002-01-15 |
Family
ID=12682750
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04412093A Expired - Fee Related JP3246037B2 (ja) | 1993-03-04 | 1993-03-04 | 半導体チップのトランスファーモールド用金型 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3246037B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999008850A2 (de) * | 1997-08-20 | 1999-02-25 | Infineon Technologies Ag | Pressform sowie verfahren zum herstellen eines kunststoffverbundkörpers |
| JP2002036270A (ja) * | 2000-07-21 | 2002-02-05 | Apic Yamada Corp | 樹脂封止方法及び樹脂封止装置 |
| JP2008277470A (ja) * | 2007-04-27 | 2008-11-13 | Asahi Engineering Kk | 半導体パッケージの製造方法及び製造装置 |
| JP2010173083A (ja) * | 2009-01-27 | 2010-08-12 | Towa Corp | 電子部品の樹脂封止成形方法及び装置 |
-
1993
- 1993-03-04 JP JP04412093A patent/JP3246037B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999008850A2 (de) * | 1997-08-20 | 1999-02-25 | Infineon Technologies Ag | Pressform sowie verfahren zum herstellen eines kunststoffverbundkörpers |
| WO1999008850A3 (de) * | 1997-08-20 | 1999-11-18 | Siemens Ag | Pressform sowie verfahren zum herstellen eines kunststoffverbundkörpers |
| JP2002036270A (ja) * | 2000-07-21 | 2002-02-05 | Apic Yamada Corp | 樹脂封止方法及び樹脂封止装置 |
| JP4484329B2 (ja) * | 2000-07-21 | 2010-06-16 | アピックヤマダ株式会社 | 樹脂封止方法及び樹脂封止装置 |
| JP2008277470A (ja) * | 2007-04-27 | 2008-11-13 | Asahi Engineering Kk | 半導体パッケージの製造方法及び製造装置 |
| JP2010173083A (ja) * | 2009-01-27 | 2010-08-12 | Towa Corp | 電子部品の樹脂封止成形方法及び装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3246037B2 (ja) | 2002-01-15 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |