JPS6311722Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6311722Y2 JPS6311722Y2 JP1983017821U JP1782183U JPS6311722Y2 JP S6311722 Y2 JPS6311722 Y2 JP S6311722Y2 JP 1983017821 U JP1983017821 U JP 1983017821U JP 1782183 U JP1782183 U JP 1782183U JP S6311722 Y2 JPS6311722 Y2 JP S6311722Y2
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- Japan
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- tablet
- resin
- resin composition
- curved surface
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- Expired
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 13
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 claims description 12
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 20
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 5
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 238000000748 compression moulding Methods 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 2
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Processing And Handling Of Plastics And Other Materials For Molding In General (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は半導体封止用樹脂組成物タブレツトの
改良に関するものである。
改良に関するものである。
半導体を樹脂、特にに熱硬化性樹脂で封止する
場合、通常、トランスフアーモールデングが用い
られる。
場合、通常、トランスフアーモールデングが用い
られる。
このトランスフアーモールデングに使用する金
型は、プランジヤーを備えた樹脂材料投入室、こ
の投入室から放射状に延在せる多数本のランナ
ー、各ランナーにゲートを介して連通せる多数箇
のキヤビテイから構成されている。而して、半導
体を樹脂で封止するには、上記各キヤビテイに半
導体を１箇づつ収納し、樹脂材料投入室に熱硬化
性樹脂組成物のタブレツト（粉末状組成物の円柱
状圧縮体）を供給し、このタブレツトをプランジ
ヤーで加圧すると共に金型熱によつてタブレツト
を軟化させ、プランジヤー圧力で樹脂組成物をラ
ンナー並びにゲートを経てキヤビテイに圧入して
いる。
型は、プランジヤーを備えた樹脂材料投入室、こ
の投入室から放射状に延在せる多数本のランナ
ー、各ランナーにゲートを介して連通せる多数箇
のキヤビテイから構成されている。而して、半導
体を樹脂で封止するには、上記各キヤビテイに半
導体を１箇づつ収納し、樹脂材料投入室に熱硬化
性樹脂組成物のタブレツト（粉末状組成物の円柱
状圧縮体）を供給し、このタブレツトをプランジ
ヤーで加圧すると共に金型熱によつてタブレツト
を軟化させ、プランジヤー圧力で樹脂組成物をラ
ンナー並びにゲートを経てキヤビテイに圧入して
いる。
この半導体封止方法においては、樹脂材料投入
室に残る樹脂、ランナー並びにゲートの樹脂がロ
スとなり、特にランナーの通路長、断面積が大で
あるためにランナーでの樹脂ロスが大である。ま
た、半導体はリードフレームの先端部と共に封止
する必要があり、このリードフレームと半導体と
が細線でボンデングされているので、上記キヤビ
テイへの樹脂の圧入を高速高圧で行うと、ボンデ
ング線の断線が避けられず、従つて、樹脂の流速
を低速にする必要があるが、この流速設定を誤る
と上記長パスランナーでの樹脂通過時間の長期化
が余儀なくされ、ランナーで樹脂の硬化が進行
し、樹脂が高粘度化し、このために上記ボンデン
グ線が断線するようになる。
室に残る樹脂、ランナー並びにゲートの樹脂がロ
スとなり、特にランナーの通路長、断面積が大で
あるためにランナーでの樹脂ロスが大である。ま
た、半導体はリードフレームの先端部と共に封止
する必要があり、このリードフレームと半導体と
が細線でボンデングされているので、上記キヤビ
テイへの樹脂の圧入を高速高圧で行うと、ボンデ
ング線の断線が避けられず、従つて、樹脂の流速
を低速にする必要があるが、この流速設定を誤る
と上記長パスランナーでの樹脂通過時間の長期化
が余儀なくされ、ランナーで樹脂の硬化が進行
し、樹脂が高粘度化し、このために上記ボンデン
グ線が断線するようになる。
かゝる不利を排除するためには、金型に樹脂材
料投入部を所定の配置で分散して設け、各投入部
にランナーを実質上介さずにゲートのみを介して
キヤビテイを連通する方式（以下、マルチ方式と
いう）が有利である。而るに、このマルチ方式に
おいては、一箇の樹脂材料投入部に対して連通で
きるキヤビテイの箇数は、そのキヤビテイの配置
位置が投入部に近接したその投入部周囲部分に限
定されるから、通常６箇以下である。
料投入部を所定の配置で分散して設け、各投入部
にランナーを実質上介さずにゲートのみを介して
キヤビテイを連通する方式（以下、マルチ方式と
いう）が有利である。而るに、このマルチ方式に
おいては、一箇の樹脂材料投入部に対して連通で
きるキヤビテイの箇数は、そのキヤビテイの配置
位置が投入部に近接したその投入部周囲部分に限
定されるから、通常６箇以下である。
ところで、半導体封止用タブレツトは、既述し
た通り、粉末状樹脂組成物を円柱状に冷間圧縮成
形したものであり、円柱状の上下縁部において欠
損が生じ易い。
た通り、粉末状樹脂組成物を円柱状に冷間圧縮成
形したものであり、円柱状の上下縁部において欠
損が生じ易い。
而るに、従来のトランスフアーモールド方式に
おいては、上述した通りランナーでの樹脂ロス分
が大きく、封止有効分（Ｎ％）が通常約50％であ
り、かつ１箇の樹脂投入室に対するキヤビテイ数
（Ｍ箇）が通常数百であるから、上記タブレツト
の欠損分が半導体封止に与える影響（Ｎ／Ｍ％）
は通常１％以下であり、無視できる。
おいては、上述した通りランナーでの樹脂ロス分
が大きく、封止有効分（Ｎ％）が通常約50％であ
り、かつ１箇の樹脂投入室に対するキヤビテイ数
（Ｍ箇）が通常数百であるから、上記タブレツト
の欠損分が半導体封止に与える影響（Ｎ／Ｍ％）
は通常１％以下であり、無視できる。
これに対し、上記したマルチ方式の場合は、樹
脂の封止有効分がほゞ100％であり、一箇の樹脂
投入部に対するキヤビテイ数が１〜６箇であるか
ら、上記タブレツトの欠損は過大な封止材料の欠
量を招来し、重大な問題となる。
脂の封止有効分がほゞ100％であり、一箇の樹脂
投入部に対するキヤビテイ数が１〜６箇であるか
ら、上記タブレツトの欠損は過大な封止材料の欠
量を招来し、重大な問題となる。
而して、上記マルチ方式の工業化のためには、
従来のトランスフアーモールデング方式では実際
上問題外であるタブレツトの縁部での細片欠損の
防止が極めて重要である。
従来のトランスフアーモールデング方式では実際
上問題外であるタブレツトの縁部での細片欠損の
防止が極めて重要である。
かゝる点に鑑み、本考案は上記タブレツトの縁
部を高密度化し、その部分の強度を増大して、タ
ブレツト取扱中でのタブレツト縁部の欠損を防止
し、かつ、タブレツトの圧縮成形時での欠損、ク
ラツク発生を排除することにある。
部を高密度化し、その部分の強度を増大して、タ
ブレツト取扱中でのタブレツト縁部の欠損を防止
し、かつ、タブレツトの圧縮成形時での欠損、ク
ラツク発生を排除することにある。
すなわち、本考案に係る半導体封止用樹脂組成
物タブレツトは、円柱状タブレツトの上下面を周
囲平坦面の凸曲面として周囲平坦部を高密度化
し、上下面の少くとも一方における上記平坦面と
凸曲面の境界面を湾曲面としたことを特徴とする
ものである。
物タブレツトは、円柱状タブレツトの上下面を周
囲平坦面の凸曲面として周囲平坦部を高密度化
し、上下面の少くとも一方における上記平坦面と
凸曲面の境界面を湾曲面としたことを特徴とする
ものである。
以下、図面により本考案を説明する。
第１図Ａは、本考案に係るタブレツトの側面図
を、第１図Ｂは同上タブレツトの上面図をそれぞ
れ示しており、底面図は上面図に同じであるので
省略している。
を、第１図Ｂは同上タブレツトの上面図をそれぞ
れ示しており、底面図は上面図に同じであるので
省略している。
本考案のタブレツトは、粉末状樹脂組成物例え
ば粉末状エポキシ樹脂組成物を圧縮成形するにあ
たり、従来の単なる円柱状圧縮に対し、その円柱
状の上下面を周囲平坦面１の凸曲面２とするよう
に圧縮している。而して、周囲平坦面１は深圧縮
され、その結果高密化される。
ば粉末状エポキシ樹脂組成物を圧縮成形するにあ
たり、従来の単なる円柱状圧縮に対し、その円柱
状の上下面を周囲平坦面１の凸曲面２とするよう
に圧縮している。而して、周囲平坦面１は深圧縮
され、その結果高密化される。
本考案タブレツトは第２図Ａに示すように、底
部に下ラム４１を挿入した金型４０の成形穴に粉
末状樹脂組成物を供給し、これを上ラム４２で冷
間圧縮することにより成形され、脱型は、第２図
Ｂに示すように下ラム４１で成形体を突き上げる
ことにより行う。この場合、タブレツト下面には
全体的に大なる突き上げ力が作用するが、その下
面の周囲平坦面１と凸曲面２との境界面を湾曲面
３とし、下面における角ばつたコーナーの存在を
排除しているから、上記突き上げ時での応力集中
をよく回避でき、従つて、タブレツトの欠損また
はクラツク発生を防止できる。
部に下ラム４１を挿入した金型４０の成形穴に粉
末状樹脂組成物を供給し、これを上ラム４２で冷
間圧縮することにより成形され、脱型は、第２図
Ｂに示すように下ラム４１で成形体を突き上げる
ことにより行う。この場合、タブレツト下面には
全体的に大なる突き上げ力が作用するが、その下
面の周囲平坦面１と凸曲面２との境界面を湾曲面
３とし、下面における角ばつたコーナーの存在を
排除しているから、上記突き上げ時での応力集中
をよく回避でき、従つて、タブレツトの欠損また
はクラツク発生を防止できる。
なお、上記湾曲面３は第３図に示すようにタブ
レツトの下面側にのみ設けてもよい。
レツトの下面側にのみ設けてもよい。
本考案において粉末状樹脂組成物には、ドライ
ブレンド法によるもの（固体のエポキシ樹脂に流
れ調整剤、フイラー等を溶融混合して微粉末体と
したものに硬化剤粉末を常温で機械的に乾式混
合）、溶融ブレンド法によるもの（上記微粉末体
に硬化剤を熱ロールまたはニーダで溶融し練り込
んだもの）の何れをも使用できる。
ブレンド法によるもの（固体のエポキシ樹脂に流
れ調整剤、フイラー等を溶融混合して微粉末体と
したものに硬化剤粉末を常温で機械的に乾式混
合）、溶融ブレンド法によるもの（上記微粉末体
に硬化剤を熱ロールまたはニーダで溶融し練り込
んだもの）の何れをも使用できる。
本考案タブレツトはトランスフアー方式でも使
用できるが、既述したマルチ方式で使用すること
が効果的であり、この場合、タブレツトの寸法
は、第１図Ａにおいて、Ｒ＝4.9〜14.2mmφ，ｈ
＝0.6R〜3.2R，ａ＝５／100Ｒ〜20／100Ｒ，ｂ＝５／10
Ｒ 〜9.5R／10，ｃ＝１／10Ｒ−２／10Ｒの範囲内で設定す る。
用できるが、既述したマルチ方式で使用すること
が効果的であり、この場合、タブレツトの寸法
は、第１図Ａにおいて、Ｒ＝4.9〜14.2mmφ，ｈ
＝0.6R〜3.2R，ａ＝５／100Ｒ〜20／100Ｒ，ｂ＝５／10
Ｒ 〜9.5R／10，ｃ＝１／10Ｒ−２／10Ｒの範囲内で設定す る。
上述した通り、本考案に係る半導体封止用樹脂
組成物タブレツトは円柱状の上下縁部を高密度化
したものであるから、それらの縁部の強度を充分
に大にでき、縁部欠損を効果的に防止できる。ま
た、上下縁部の高密度化のための上下面の形状で
ある周囲平坦面の凸曲面において、少くとも下面
における平坦面と凸曲面との境界面を湾曲面と
し、その下面での応力集中箇所を排除したから、
タブレツト成形後の突き上げ脱型時において、タ
ブレツトのクラツク発生乃至は欠損発生を防止で
きる。特に、タブレツト成形時の圧縮率を大と
し、従つて、上記脱型突き上げ力が大となつて
も、タブレツトを安全に脱型でき、タブレツトの
全体の高密度化によりタブレツトの空気含有率を
２〜５％にまで下げることが可能である。
組成物タブレツトは円柱状の上下縁部を高密度化
したものであるから、それらの縁部の強度を充分
に大にでき、縁部欠損を効果的に防止できる。ま
た、上下縁部の高密度化のための上下面の形状で
ある周囲平坦面の凸曲面において、少くとも下面
における平坦面と凸曲面との境界面を湾曲面と
し、その下面での応力集中箇所を排除したから、
タブレツト成形後の突き上げ脱型時において、タ
ブレツトのクラツク発生乃至は欠損発生を防止で
きる。特に、タブレツト成形時の圧縮率を大と
し、従つて、上記脱型突き上げ力が大となつて
も、タブレツトを安全に脱型でき、タブレツトの
全体の高密度化によりタブレツトの空気含有率を
２〜５％にまで下げることが可能である。
而して、本考案によれば、上記したマルチ方式
の工業化に有利な半導体樹脂組成物タブレツトを
提供でき。
の工業化に有利な半導体樹脂組成物タブレツトを
提供でき。
第１図Ａ並びに第１図Ｂは本考案に係るタブレ
ツトを示す側面図並びに上面図、第２図Ａ並びに
第２図Ｂは本考案タブレツトの成形方法を示す説
明図、第３図は本考案の別実施例を示す側面図で
ある。 図において、１は周囲平坦面、２は凸曲面、３
は湾曲面である。
ツトを示す側面図並びに上面図、第２図Ａ並びに
第２図Ｂは本考案タブレツトの成形方法を示す説
明図、第３図は本考案の別実施例を示す側面図で
ある。 図において、１は周囲平坦面、２は凸曲面、３
は湾曲面である。
Claims (1)
- 粉末状樹脂組成物を円柱状に圧縮形成せるタブ
レツトにおいて、円柱状タブレツトの上下面を周
囲平坦面の凸曲面として周囲平坦部を高密度化
し、上下面の少くとも一方における上記平坦面と
凸曲面の境界面を湾曲面としたことを特徴とする
半導体封止用樹脂組成物タブレツト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1782183U JPS59123337U (ja) | 1983-02-08 | 1983-02-08 | 半導体封止用樹脂組成物タブレツト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1782183U JPS59123337U (ja) | 1983-02-08 | 1983-02-08 | 半導体封止用樹脂組成物タブレツト |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59123337U JPS59123337U (ja) | 1984-08-20 |
| JPS6311722Y2 true JPS6311722Y2 (ja) | 1988-04-05 |
Family
ID=30149047
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1782183U Granted JPS59123337U (ja) | 1983-02-08 | 1983-02-08 | 半導体封止用樹脂組成物タブレツト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59123337U (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5065771B2 (ja) * | 2007-06-08 | 2012-11-07 | 住友重機械工業株式会社 | 樹脂封止装置および樹脂封止方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5857904A (ja) * | 1981-10-02 | 1983-04-06 | 飯田工業株式会社 | 多軸かんな盤の制御装置 |
-
1983
- 1983-02-08 JP JP1782183U patent/JPS59123337U/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5857904A (ja) * | 1981-10-02 | 1983-04-06 | 飯田工業株式会社 | 多軸かんな盤の制御装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59123337U (ja) | 1984-08-20 |
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