JPS58201333A - 樹脂封止型半導体装置の製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS58201333A JPS58201333A JP8594482A JP8594482A JPS58201333A JP S58201333 A JPS58201333 A JP S58201333A JP 8594482 A JP8594482 A JP 8594482A JP 8594482 A JP8594482 A JP 8594482A JP S58201333 A JPS58201333 A JP S58201333A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- gate
- cut
- semiconductor device
- away
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229920005989 resin Polymers 0.000 title claims abstract description 67
- 239000011347 resin Substances 0.000 title claims abstract description 67
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 claims description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 7
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 6
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 6
- 230000013011 mating Effects 0.000 description 5
- 239000012778 molding material Substances 0.000 description 4
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 101100512786 Caenorhabditis elegans mei-2 gene Proteins 0.000 description 1
- 241001391944 Commicarpus scandens Species 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/565—Moulds
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C33/00—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor
- B29C33/0061—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor characterised by the configuration of the material feeding channel
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29L—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASS B29C, RELATING TO PARTICULAR ARTICLES
- B29L2031/00—Other particular articles
- B29L2031/34—Electrical apparatus, e.g. sparking plugs or parts thereof
- B29L2031/3406—Components, e.g. resistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は樹脂封止型半導体装置の製法に関する吃のであ
る。
る。
近年、半導体素子を熱硬化性樹脂成形材料を用いて封入
するｍ脂封止方式が採用され、コストダウンに大きく寄
与している。成形材料としてエポキシ樹脂コンパウンド
が用いられ、封入方式としてトランスファー成形が最も
一般的に行なわれている。トランスファー成形機はモー
ルドプレス機上にモールド金製をのせたものである。モ
ールド金型は上下の２枚型となっており、第１図（ａｌ
、 （ｂ） 。
するｍ脂封止方式が採用され、コストダウンに大きく寄
与している。成形材料としてエポキシ樹脂コンパウンド
が用いられ、封入方式としてトランスファー成形が最も
一般的に行なわれている。トランスファー成形機はモー
ルドプレス機上にモールド金製をのせたものである。モ
ールド金型は上下の２枚型となっており、第１図（ａｌ
、 （ｂ） 。
ｌｃ） 、 （ｄ）に従ってその構造を説明する。（ａ
）の部分断面図に示すように、上型１には樹脂投入口２
と半導体装置の外形の上半分を形作るための凹部（以下
、上型キャビティ部３と称す）が設けられている。（ｂ
）図はその上型１の合わせ面の一部を示す平面図であり
、次の（ｃ）図は下域４０合わせ面の一部を示す平面図
である。下型４には、投入式れだ樹脂が落ち込む凹Ｓ（
以下カル部５と称す）と、半導体装置外形の下半分を形
作る凹部（以下、下型キャビティ部６）と、カルｓ５か
ら下型キャビティ部６゛までＩｆ１４脂を導入する溝（
以下、ランナ一部７と称す）と、ランナ一部７に流れて
きた樹脂を絞って下型キャビティ部６に流入させるテー
パ部（以下ゲート部８と称す）が設けられている。ｉｄ
１図は樹脂封止方法を説明する金型の部分拡大断面図で
、トランスファー成形は前述の成形機を用いて行なわれ
る。まず、上型１．下型４とも１５０〜２００℃に加熱
する。組立済リードフレーム１１を下型４の定位置に載
置し、上型ｌ、下型４を型締めして組立済す−下フレー
ム１１を固定する。
）の部分断面図に示すように、上型１には樹脂投入口２
と半導体装置の外形の上半分を形作るための凹部（以下
、上型キャビティ部３と称す）が設けられている。（ｂ
）図はその上型１の合わせ面の一部を示す平面図であり
、次の（ｃ）図は下域４０合わせ面の一部を示す平面図
である。下型４には、投入式れだ樹脂が落ち込む凹Ｓ（
以下カル部５と称す）と、半導体装置外形の下半分を形
作る凹部（以下、下型キャビティ部６）と、カルｓ５か
ら下型キャビティ部６゛までＩｆ１４脂を導入する溝（
以下、ランナ一部７と称す）と、ランナ一部７に流れて
きた樹脂を絞って下型キャビティ部６に流入させるテー
パ部（以下ゲート部８と称す）が設けられている。ｉｄ
１図は樹脂封止方法を説明する金型の部分拡大断面図で
、トランスファー成形は前述の成形機を用いて行なわれ
る。まず、上型１．下型４とも１５０〜２００℃に加熱
する。組立済リードフレーム１１を下型４の定位置に載
置し、上型ｌ、下型４を型締めして組立済す−下フレー
ム１１を固定する。
この時、上型キャビティｓ３及び下型キャビティ部６に
よって作られた空間（以下キャビティ部と称す）の中央
部に、組立済リードフレーム１１に組込まれた半導体素
子１２を位置させる。この状態で上型１の樹脂投入口か
ら樹脂が供給され、モールドブレス機に設けられたプラ
ンジャーが駆動して、樹脂がカル部５．ランナ一部７．
ゲート部８を通って半導体素子１２に到達して封止が打
なわれる。封止状態を一定時間保持する挙によって樹脂
硬化を進めた彼外部に取り出し、ゲート部８から封止さ
れた組立済リードフレーム１１を折り離して樹脂封止作
業は終了する。
よって作られた空間（以下キャビティ部と称す）の中央
部に、組立済リードフレーム１１に組込まれた半導体素
子１２を位置させる。この状態で上型１の樹脂投入口か
ら樹脂が供給され、モールドブレス機に設けられたプラ
ンジャーが駆動して、樹脂がカル部５．ランナ一部７．
ゲート部８を通って半導体素子１２に到達して封止が打
なわれる。封止状態を一定時間保持する挙によって樹脂
硬化を進めた彼外部に取り出し、ゲート部８から封止さ
れた組立済リードフレーム１１を折り離して樹脂封止作
業は終了する。
この樹脂封止された半導体装置のほとんどに、外観でき
るもの及び内部に存在するものを含めて気泡が存在する
。父、封止樹脂中には細かい気泡が無数に分散している
。このためかなりの個数の半導体装置が不良品として除
去され、又良品である樹脂封止型半導体装置の耐湿性も
セラミ、クケース、カンケース等に封止された半導体装
置に比べ著しく劣るなどの問題点が指摘されていた。
るもの及び内部に存在するものを含めて気泡が存在する
。父、封止樹脂中には細かい気泡が無数に分散している
。このためかなりの個数の半導体装置が不良品として除
去され、又良品である樹脂封止型半導体装置の耐湿性も
セラミ、クケース、カンケース等に封止された半導体装
置に比べ著しく劣るなどの問題点が指摘されていた。
この不良原因となる気泡の発生は、下型のゲート部で！
Ｍ脂の流れを絞っている事と密接に関連している拳が判
明している。すなわち、ゲート部８のテーパ角度が大き
いほど樹脂の流れが妨げられて気泡発生数が多くなる。
Ｍ脂の流れを絞っている事と密接に関連している拳が判
明している。すなわち、ゲート部８のテーパ角度が大き
いほど樹脂の流れが妨げられて気泡発生数が多くなる。
又、ゲート部断面検が小さくなるほど気泡発生数が多く
なる。これはテーパ角腋が大きく、ゲート部断面棟が小
さいほど、キャビティ部に流入する樹脂の流れが乱れ、
気泡を巻き込みやすくなり、一方ゲート部８での圧力損
失が大きくなって充分に樹脂が充填されにくくなるため
と考えられる。そこでテーパ角度を小さくしてゲート部
断面槓を大きくすれば解決できそうであるが、そうする
と封止後に組立済リードフレームを折り離す拳が容易に
できなくなる。
なる。これはテーパ角腋が大きく、ゲート部断面棟が小
さいほど、キャビティ部に流入する樹脂の流れが乱れ、
気泡を巻き込みやすくなり、一方ゲート部８での圧力損
失が大きくなって充分に樹脂が充填されにくくなるため
と考えられる。そこでテーパ角度を小さくしてゲート部
断面槓を大きくすれば解決できそうであるが、そうする
と封止後に組立済リードフレームを折り離す拳が容易に
できなくなる。
本発明はかかる間聴点を解決するためになされたもので
、ゲート部のテーパをなくした状態で樹脂を注入し、樹
脂硬化前にゲート部に樹脂切り欠き板を入れ、樹脂硬化
後ゲート部の樹脂に封止部を折シ易くするための切欠部
を設ける事によってかかる問題点の解消を図ろうとする
本のである。
、ゲート部のテーパをなくした状態で樹脂を注入し、樹
脂硬化前にゲート部に樹脂切り欠き板を入れ、樹脂硬化
後ゲート部の樹脂に封止部を折シ易くするための切欠部
を設ける事によってかかる問題点の解消を図ろうとする
本のである。
以下に本発明の詳細について図面に従って読切する。第
２図（ａｌは本発明の詳細な説明する金型のゲート部及
びキャビティ部の拡大断面図で樹脂注入前の状態である
。（ｂ）図は同じく拡大断面図で樹脂注入後の状態であ
る。第２図（ａ）において、ゲート部８の底部には、上
下に可動する樹脂切シ欠き板９が埋設されている。樹脂
切り欠き板９は、金型外部のトランスファープレス機の
油圧回路に接続されている。樹脂切り欠き板９は、樹脂
注入終了後１〜３０秒の任意の時間経過彼に自動的に上
昇するように設定する。これは手動操作でも行なう事が
できる。
２図（ａｌは本発明の詳細な説明する金型のゲート部及
びキャビティ部の拡大断面図で樹脂注入前の状態である
。（ｂ）図は同じく拡大断面図で樹脂注入後の状態であ
る。第２図（ａ）において、ゲート部８の底部には、上
下に可動する樹脂切シ欠き板９が埋設されている。樹脂
切り欠き板９は、金型外部のトランスファープレス機の
油圧回路に接続されている。樹脂切り欠き板９は、樹脂
注入終了後１〜３０秒の任意の時間経過彼に自動的に上
昇するように設定する。これは手動操作でも行なう事が
できる。
では次に具体的な実施例について述べる。第２図（ｂｌ
において、エポキシ樹脂成形材料としてスパイラル７０
−８０〜１００ｃＲ，ゲルタイム３５〜４０秒の樹脂１
０を用い、金型は、上型１．下型４とも１７０〜１８０
℃にコントロールする。樹脂投入口からプリフォームさ
れた前記樹脂成形材料のタプレ、トを投入する。タプレ
、トはここで溶融する。次にトランスファープレス機の
プランジャーが下降して溶融樹脂をランナ一部７．ゲー
ト部８を通して１組立済リードフレーム１１が固定され
ているキャビティ部に移送し注入する。この時プランジ
ャー圧力は６０〜１５０ Ｋｇ／ｃＲ２とし、注入翔始
から封入終了までの時間（トランスファータイム）を２
０ 秒に設定しておく。こうすると、キャビティ部内の
組立済リードフレーム１１上の゛半導体素子１２は２０
秒のうちに封入される。
において、エポキシ樹脂成形材料としてスパイラル７０
−８０〜１００ｃＲ，ゲルタイム３５〜４０秒の樹脂１
０を用い、金型は、上型１．下型４とも１７０〜１８０
℃にコントロールする。樹脂投入口からプリフォームさ
れた前記樹脂成形材料のタプレ、トを投入する。タプレ
、トはここで溶融する。次にトランスファープレス機の
プランジャーが下降して溶融樹脂をランナ一部７．ゲー
ト部８を通して１組立済リードフレーム１１が固定され
ているキャビティ部に移送し注入する。この時プランジ
ャー圧力は６０〜１５０ Ｋｇ／ｃＲ２とし、注入翔始
から封入終了までの時間（トランスファータイム）を２
０ 秒に設定しておく。こうすると、キャビティ部内の
組立済リードフレーム１１上の゛半導体素子１２は２０
秒のうちに封入される。
封入が終了しても樹脂は約１５秒間＃融状態を保ってい
る。この間に樹脂切り欠き板９が上昇して溶Ｓ樹脂の中
に入り、キャビティ部とゲー１８とを分割する。この際
、完全に分断しないで樹脂がわずかにつながっている状
態で上昇を止める。
る。この間に樹脂切り欠き板９が上昇して溶Ｓ樹脂の中
に入り、キャビティ部とゲー１８とを分割する。この際
、完全に分断しないで樹脂がわずかにつながっている状
態で上昇を止める。
この状態でさらに３０〜１８０秒間保持する事によシ樹
脂硬化に至る。その後封止された組立済り−ドフレーム
１１を取抄出し、樹脂切り欠舞板９によって形成された
ゲート部８の樹脂切欠部から封止され九組立済リードフ
レーム１１を折シ離す。
脂硬化に至る。その後封止された組立済り−ドフレーム
１１を取抄出し、樹脂切り欠舞板９によって形成された
ゲート部８の樹脂切欠部から封止され九組立済リードフ
レーム１１を折シ離す。
切欠部で折シ易くするために、樹脂切９欠き板９の先端
形状は、ゲート部８０幅と同じ幅で厚さは薄い方が望ま
しい。切欠部の深さは深い方が折シ易い反面、封止され
た組立済リードフレーム１１を金型から外しにくいので
ゲート部厚さの５０〜９０優の深さがよい。ただし上型
にも樹脂切り欠き板を設ける場合は９０優以上も可能で
ある。又、樹脂切り欠き板の先端形状をナイフエッヂ状
にするとさらに折り易くなる。
形状は、ゲート部８０幅と同じ幅で厚さは薄い方が望ま
しい。切欠部の深さは深い方が折シ易い反面、封止され
た組立済リードフレーム１１を金型から外しにくいので
ゲート部厚さの５０〜９０優の深さがよい。ただし上型
にも樹脂切り欠き板を設ける場合は９０優以上も可能で
ある。又、樹脂切り欠き板の先端形状をナイフエッヂ状
にするとさらに折り易くなる。
本発明によって製造されたＷ脂封止型半導体装置は、樹
脂がゲート部で絞られていないために樹脂の流れに乱れ
がない。父、層流状態でキャビティ部に注入されるので
気泡の巻き込みがなく、ゲート部での圧力損失も少ない
ので樹脂がキャビティ部に均一に多く充填される。従っ
て封止さ扛た半導体装置は気泡巻き込みによる外観不良
が少なくなり、樹脂内部に分散している細かい気泡も少
なくなる。その結果、本発明によって製造される樹脂封
止型半導体装置の耐湿性全格段に向上させる事ができる
。
脂がゲート部で絞られていないために樹脂の流れに乱れ
がない。父、層流状態でキャビティ部に注入されるので
気泡の巻き込みがなく、ゲート部での圧力損失も少ない
ので樹脂がキャビティ部に均一に多く充填される。従っ
て封止さ扛た半導体装置は気泡巻き込みによる外観不良
が少なくなり、樹脂内部に分散している細かい気泡も少
なくなる。その結果、本発明によって製造される樹脂封
止型半導体装置の耐湿性全格段に向上させる事ができる
。
第１図は従来の樹脂封止に用いる金型を説明する図で、
（ａ）は上下金型の部分断面図、（ｂ）は上型の合わせ
面の一部を示す平面図、（Ｃ）は下型の合わせ面の一部
を示す平面図、（ｄ）はＷ脂封止状態を説明する上下金
型の部分拡大断面図、第２図は本発明の樹脂封止方法の
実施例を説明する上下金型の部分拡大断面図で、（ａ）
は樹脂注入前、（ｂ）は樹脂注入後を示す。 ｌ・・・・・・上型、２・・・・・・樹脂投入口、３・
・・・・・上型キャビティ部、４・・・・・・下型、５
・・・・・・カル部、６・・・・・・下型キャビティ部
、７・・・・・・ランナ一部、８・・・・・・ゲート部
、９・・・・・・樹脂切り欠き板、１０・・・・・・樹
脂、１１・・・・・・組立済リードフレーム、１２・・
・・・・半導体Ｊ ’（Ｃ）６− （σ） 冥 ２ 図 （０） Ｚり ｒｂノ
（ａ）は上下金型の部分断面図、（ｂ）は上型の合わせ
面の一部を示す平面図、（Ｃ）は下型の合わせ面の一部
を示す平面図、（ｄ）はＷ脂封止状態を説明する上下金
型の部分拡大断面図、第２図は本発明の樹脂封止方法の
実施例を説明する上下金型の部分拡大断面図で、（ａ）
は樹脂注入前、（ｂ）は樹脂注入後を示す。 ｌ・・・・・・上型、２・・・・・・樹脂投入口、３・
・・・・・上型キャビティ部、４・・・・・・下型、５
・・・・・・カル部、６・・・・・・下型キャビティ部
、７・・・・・・ランナ一部、８・・・・・・ゲート部
、９・・・・・・樹脂切り欠き板、１０・・・・・・樹
脂、１１・・・・・・組立済リードフレーム、１２・・
・・・・半導体Ｊ ’（Ｃ）６− （σ） 冥 ２ 図 （０） Ｚり ｒｂノ
Claims (1)
- トランスファー成形される樹脂封止型半導体装置の製造
方法において、金型のゲート部の断面積を一様に設け、
金型に注入した樹幡旨が浴融状態にある間にゲート部に
樹脂切り欠き根を入れてゲート線断ｔｈｌ横を絞り、ゲ
ート部の樹脂を切り欠きを入れた状態で硬化させること
を特徴とするａ（脂封止型半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8594482A JPS58201333A (ja) | 1982-05-20 | 1982-05-20 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8594482A JPS58201333A (ja) | 1982-05-20 | 1982-05-20 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58201333A true JPS58201333A (ja) | 1983-11-24 |
Family
ID=13872865
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8594482A Pending JPS58201333A (ja) | 1982-05-20 | 1982-05-20 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58201333A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996020501A1 (en) * | 1994-12-27 | 1996-07-04 | National Semiconductor Corporation | An integrated circuit package encapsulated by fiber laden molding material and its method of manufacturing |
| FR2803434A1 (fr) * | 1999-12-30 | 2001-07-06 | Schlumberger Systems & Service | Procede de protection d'un circuit integre dispose dans une cavite d'un corps de carte et outil correspondant |
| US6541320B2 (en) * | 2001-08-10 | 2003-04-01 | International Business Machines Corporation | Method to controllably form notched polysilicon gate structures |
-
1982
- 1982-05-20 JP JP8594482A patent/JPS58201333A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996020501A1 (en) * | 1994-12-27 | 1996-07-04 | National Semiconductor Corporation | An integrated circuit package encapsulated by fiber laden molding material and its method of manufacturing |
| FR2803434A1 (fr) * | 1999-12-30 | 2001-07-06 | Schlumberger Systems & Service | Procede de protection d'un circuit integre dispose dans une cavite d'un corps de carte et outil correspondant |
| US6541320B2 (en) * | 2001-08-10 | 2003-04-01 | International Business Machines Corporation | Method to controllably form notched polysilicon gate structures |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5052907A (en) | Resin sealing apparatus for use in manufacturing a resin-sealed semiconductor device | |
| JPH04147814A (ja) | 樹脂封入成形用金型 | |
| JPS58201333A (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| JP3727446B2 (ja) | 半導体装置の樹脂封止成形金型 | |
| JP2893085B2 (ja) | 電子部品の樹脂封止成形方法及び装置 | |
| JP2834257B2 (ja) | 半導体装置の製造方法およびモールド装置 | |
| JPS6124241A (ja) | 半導体装置の樹脂封止金型 | |
| JPH11176854A (ja) | 電子部品における合成樹脂製パッケージ体の成形装置 | |
| JPS60125616A (ja) | 樹脂封止用金型 | |
| JP2597010B2 (ja) | モールド用金型 | |
| JPH07221244A (ja) | リードフレーム | |
| JP2502387B2 (ja) | 半導体素子の樹脂封止方法及び樹脂封止金型 | |
| JPH0351111A (ja) | 樹脂封止装置 | |
| JPS63228631A (ja) | 半導体素子を樹脂封止する金型装置 | |
| JPS6359534B2 (ja) | ||
| JP2587539B2 (ja) | 半導体装置の樹脂封止用金型 | |
| JPH043770Y2 (ja) | ||
| JPS5839868Y2 (ja) | 樹脂封止金型 | |
| JPH01123713A (ja) | モールド金型 | |
| JPS60182141A (ja) | モ−ルド金型 | |
| JPS609133A (ja) | 半導体樹脂封止用金型 | |
| JPS59201429A (ja) | 半導体樹脂封止装置 | |
| JPH0982736A (ja) | 電子部品におけるパッケージモールド部の成形方法及びその装置 | |
| JPS6119105B2 (ja) | ||
| JPH1050746A (ja) | 電子部品の樹脂封止成形方法及びその成形方法に用い られる樹脂材料 |