JPS6119105B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPS6119105B2
JPS6119105B2 JP4702779A JP4702779A JPS6119105B2 JP S6119105 B2 JPS6119105 B2 JP S6119105B2 JP 4702779 A JP4702779 A JP 4702779A JP 4702779 A JP4702779 A JP 4702779A JP S6119105 B2 JPS6119105 B2 JP S6119105B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
gate
holes
resin powder
block body
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP4702779A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS55138848A (en
Inventor
Hiroyuki Fujii
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electronics Corp filed Critical Matsushita Electronics Corp
Priority to JP4702779A priority Critical patent/JPS55138848A/ja
Publication of JPS55138848A publication Critical patent/JPS55138848A/ja
Publication of JPS6119105B2 publication Critical patent/JPS6119105B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
    • B29C45/17—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
    • B29C45/18—Feeding the material into the injection moulding apparatus, i.e. feeding the non-plastified material into the injection unit
    • B29C45/1808—Feeding measured doses
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/565—Moulds
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
    • B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
    • B29C45/14639—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components
    • B29C45/14655—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components connected to or mounted on a carrier, e.g. lead frame
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
  • Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、半導体装置の樹脂封止方法に関する
ものである。
従来、半導体装置を樹脂封止するにあたり、広
く用いられている樹脂封止装置は、第１図に示す
ように、加圧用ピストン１を具備するピストン支
持台２の下に樹脂を流し込むたｖめのランナー３
とこれに接続する複数個の注入ゲート４が形成さ
れた上金型５と加熱装置（図示せず）上に配置さ
れる下金型６とで構成されており、両金型の相対
向する面に穿たれた凹部によつて成型用の空所７
が形成されている。
かかる樹脂封止装置においては、ピストン１に
よつて加圧された溶融樹脂は、ランナー３とこれ
に繋がるゲート４を通つて成型用の空所７へ注入
される。
ところで、この溶融樹脂は比較的短い時間で硬
化する性質を有しており、したがつて、空所内へ
の注入を迅速に行なわないと成型用の空所７の中
へ注入が完了する以前に硬化が開始される不都合
を招く。この不都合を排除するためには、ピスト
ンによる溶融樹脂の加圧力を高め注入時間を短縮
する必要がある。
さらにゲート４の内部で硬化した樹脂と空所７
の内部で硬化した樹脂とは繋つており、このため
樹脂封止された製品をとり出す場合、この連繋部
を分断することが不可欠であり、この分断を容易
にするために、ゲート４の端部の断面積はできる
限り小さく選定されている。
したがつて、このような樹脂封止装置を用いた
場合、ピストンによる溶融樹脂の加圧力が大であ
ることと、ゲート端部の断面積が小さく選定され
ていることの２つの要因によつてゲート４から半
導体素子の組立構体の設置された空所７へ注入さ
れる溶融樹脂の圧力が極めて高くなり、半導体素
子組立構体の金属細線８に断線の生じるおそれが
あつた。また、樹脂封止の完了した製品をとり出
すときに行なわれるゲート内部と空所内の樹脂の
分断により完成した製品へのバリの発生が不可避
となる問題もあつた。
本発明は、上記の不都合をことごとく排除する
ことのできる半導体装置の樹脂封止方法を提供す
るものであつて、本発明の特徴はピトン等の加圧
手段を用いることなく、所定量の樹脂粉体を、金
型に設けられた成型用の空所に、自然落下等によ
り充填したのち、樹脂粉体加熱溶融させ、さらに
加圧気体または液体を送り込みながら硬化させる
樹脂封止方法にある。
次に、本発明の実施例について図面を参照しつ
つ説明する。第２図は本発明の樹脂封止方法を可
能にする樹脂封止の一部を示した断面構造図であ
り、樹脂粉体供給手段（図示せず）によつて、樹
脂粉体の供給される貫通孔２１が穿設された第１
のブロツク体２２、この下側に配置されれ前記貫
通孔２１と対向する位置に、ゲート２３が形成さ
れた第２のブロツク体の間に摺動自在の関係を成
立させて配置され、貫通孔２１とゲート２３との
間に樹脂粉体移送用の通路を選択的に形成するシ
ヤツター板２５をとよりなる上金型手段２６と、
加熱台（図示せず）上に載置され、かつ樹脂外殻
を形成するためのの空所となる凹部２７を備えた
下金型手段２８とを董対向配置させた構造であ
る。
以上の構成からなる本発明の樹脂封止装置を用
いた場合、以上のような操作の下で半導体素子の
樹脂封止がなされる。
まず、第３図ａで示すように、上金型手段２６
を引き上げ、下金型手段２８の凹部２７に組立て
の完了した半導体素子構体２９を設置する。３０
は金属細線である。続いて、上金型手段をその下
面が上金型手段２８の上面に当接する位置まで降
下させ（第３図ｂ）シヤツター２５を閉じた状態
で、ホツパー等の樹脂粉体供給手段（図示せず）
から、樹脂外殻の容積すなわち下金型手段に設け
られた凹部２７の容積相当量のエポキシ樹脂粉体
を、ゲート２３を通して凹部２７に落下させ充填
する（第３図ｃ）。そして、最後に、加熱手段に
よつて下金型手段２８を加熱することにより充填
されたエポキシ樹脂粉体を溶融させ、さらに前記
貫通孔２１から圧縮空気３１または適当な液体等
を送入し加圧しつつ硬化させることによつて、第
３図ｄで示すように凹部２７の形状で規制される
樹脂成型がなされる。なお樹脂封止された半導体
装置は、上金型手段を上昇させることによつて、
容易に金型から取り出すことができる。
以上説明してきたように、本発明樹脂封止によ
れば、成型用樹脂粉体金型内への充填が、自然落
下によつてなされるため、従来のように半導体素
子構体の金属細線に不要な応力が加わるおそれが
なく、このことに起因する金属細線の断線が防止
されるのみならず、成型用樹脂粉体の量が樹脂外
殻の容積とほぼ同量となり、従来のように不要な
残渣が発生しないため、成型用樹脂の使用量が大
幅に節約される。たとえば、集積回路においては
30％、個別素子においては60％の樹脂の節約効果
が奏された。さらに本発明では、空所内で溶融し
た樹脂は、液体または気体を介して加圧しつつ硬
化がなされるため、バリの発生がなく、ち密で外
観が美しい製品を得ることができる。
また、本発明の樹脂封止方法では、プレス機構
が不要となるため装置の小型化ならびに簡略化も
はかられ、半導体装置の製造等に大きく寄与する
ものである。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来の樹脂封止装置を示す断面図、第
２図は本発明の樹脂封止方法で使用する樹脂封止
用金型の断面構造図、第３図ａ〜ｄは本発明の樹
脂封止方法の工程断面図である。 ２１……貫通孔、２２……第１のブロツク体、
２３……ゲート、２４……第２のブロツク体、２
５……シヤツター、２６……上金型、２７……凹
部、２８……下金型手段、２９……半導体素子構
体。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ 樹脂粉体注入用の貫通孔が複数個穿設された
    第１のブロツク体と、この下側に配置され前記貫
    通孔と対向する位置にゲートが形成された第２の
    ブロツク体ならびりにこれらの間に摺動自在の関
    係を成立させて配置され、前記貫通孔とゲートと
    の間に樹脂粉体移送用の通路を選択的に形成する
    シヤツター板とよりなる上金型手段と、樹脂外殻
    を形成するための凹部を複数個備えた下金型手段
    とよりなる樹脂封止装置の前記凹部のそれぞれの
    内部へ半導体素子組体構体を設置したのち、前記
    シヤツタを閉じた状態で、前記複数個の貫通孔内
    へ所定量の樹脂粉体を供給し、次いで前記シヤツ
    タを操作して、前記貫通孔内の樹脂粉体を、前記
    第２のブレツク体のゲートを通して落下させて前
    記複数個の凹部内へ充填し、こののち充填された
    樹脂を加熱溶融させるとともに前記貫通孔より加
    圧気体又は液体を送入しつつ硬化させることを特
    徴とする半導体装置の樹脂封止方法。
JP4702779A 1979-04-16 1979-04-16 Resin sealing mold and method of sealing semiconductor device with resin using the same Granted JPS55138848A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4702779A JPS55138848A (en) 1979-04-16 1979-04-16 Resin sealing mold and method of sealing semiconductor device with resin using the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4702779A JPS55138848A (en) 1979-04-16 1979-04-16 Resin sealing mold and method of sealing semiconductor device with resin using the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS55138848A JPS55138848A (en) 1980-10-30
JPS6119105B2 true JPS6119105B2 (ja) 1986-05-15

Family

ID=12763685

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4702779A Granted JPS55138848A (en) 1979-04-16 1979-04-16 Resin sealing mold and method of sealing semiconductor device with resin using the same

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS55138848A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61167702A (ja) * 1985-01-18 1986-07-29 Sekitan Rotenbori Kikai Gijutsu Kenkyu Kumiai デイジタル制御弁
JPS6235115A (ja) * 1985-08-06 1987-02-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd 回転付勢装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61167702A (ja) * 1985-01-18 1986-07-29 Sekitan Rotenbori Kikai Gijutsu Kenkyu Kumiai デイジタル制御弁
JPS6235115A (ja) * 1985-08-06 1987-02-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd 回転付勢装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPS55138848A (en) 1980-10-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4480975A (en) Apparatus for encapsulating electronic components
JPH0336741A (ja) 樹脂封止タイプの半導体デバイス用樹脂封止装置
JPH05226396A (ja) 樹脂モールド型半導体装置の製造方法
US5520874A (en) Compressible mold plunger
JPS6119105B2 (ja)
US5932160A (en) Process and mold for encapsulating semiconductor chips having radial runners
US2332537A (en) Method of compression molding
JP2666630B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP7482352B2 (ja) インダクタの製造方法
JPH1050746A (ja) 電子部品の樹脂封止成形方法及びその成形方法に用い られる樹脂材料
JP2587539B2 (ja) 半導体装置の樹脂封止用金型
JP3022419B2 (ja) 半導体樹脂封止金型
JPS5827326A (ja) Ｉｃチツプの樹脂封止方法
JPH01216815A (ja) 被封止部品のトランスファ樹脂封止成形方法とこれに用いられる樹脂封止成形用金型装置及びフィルムキャリア
JP2723086B2 (ja) 半導体装置封止用樹脂タブレット
JPS58165838A (ja) 樹脂製歯科補綴物の製作法
JPS58201333A (ja) 樹脂封止型半導体装置の製造方法
JPH1140592A (ja) 封止成形方法およびその装置
JPH02122635A (ja) 電気部品の樹脂封止方法
JPH0440276Y2 (ja)
JPH0645380A (ja) 半導体装置封止用金型
JPH03290217A (ja) 樹脂封止用金型装置
JPS6359534B2 (ja)
JPS5967639A (ja) 半導体樹脂封止用金型
JPH0110182Y2 (ja)