JPH0440276Y2 - - Google Patents

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JPH0440276Y2
JPH0440276Y2 JP1841386U JP1841386U JPH0440276Y2 JP H0440276 Y2 JPH0440276 Y2 JP H0440276Y2 JP 1841386 U JP1841386 U JP 1841386U JP 1841386 U JP1841386 U JP 1841386U JP H0440276 Y2 JPH0440276 Y2 JP H0440276Y2
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mold
lower mold
chamber
resin
molding
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JP1841386U
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JPS62131434U (ja
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  • Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
  • Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この考案は、半導体装置の封止工程に使用する
成形装置の改良に関するものである。
〔従来の技術〕
第5図は従来の成形装置を示す断面図であり、
図において、1は成形装置全体を示し、これは上
プラテン2、ポスト3、スライドテーブル4を備
え、上記プラテン2側には上型5を、又スライド
テーブル4側には下型6を装着している。
ところで7は下型キヤビテイ8を設けた下型チ
エイスであり、これは下定盤9に取付けられてい
る。10AはノツクアウトピンAで、下定盤9及び
下型チエイス7を摺動自在に貫通し、下型キヤビ
テイ8に一端を出し他端はエジエクター押え11
によりエジエクタープレート12に取付けられて
おり、成形された半導体製品をノツクアウト棒1
3及び上記エジエクタープレート11の下方に取
付けられたノツクアウト受13aの作動を受けて
エジエクトする働きを行なうものである。14は
成形樹脂を注入する働きをなす射出シリンダであ
り、その内部にはチヤンバー15内を摺動するプ
ランジヤーヘツド16と一体をなすプランジヤー
18を収設している。
19は上型キヤビテイ20を設けた上型チエイ
スであり、上定盤21に取付けられている。22
BはノツクアウトピンBで上定盤21及び上型チ
エイス19を摺動自在に貫通し、一端を上型キヤ
ビテイ20に出し、他端はエジエクタープレート
23に対してエジエクト押え24を介して取付け
られている。25は上型センターブロツクに26
に形成されたポツトであり、成形樹脂を各ブロツ
クに配分する作用を行なう。また27Cはノツク
アウトピンCで上記ポツト25内の樹脂をエジエ
クトする働きをする。
なお、図中28は上下定盤21,9内に組込ま
れたヒータ、29は断熱盤、30はガイドポス
ト、31はリターンピン、32はばねである。
従来の装置は上記のような構成であり、フレー
ムセツト部7aに半導体装置を装填してスライド
テーブル4を作動させ型締めした後、射出シリン
ダー14を作動し、チヤンバー15内に装填した
樹脂をポツト25を経由して上下型キヤビテイ
8,20内に送出充填させて所望の封止を行な
う。しかる後スライドテーブル4を作動して型開
きし、封止成形された半導体製品を取り出すので
ある。
〔考案が解決しようとする問題点〕
上記のような従来の成形装置では、ポツト25
部に残留する樹脂が排除されないことがある。つ
まり第6図aに示すように型締め終了直前に射出
された成形樹脂はチヤンバー15及びポツト25
内に一定量残留し、いわゆる33となる。この状
態で型開きすると、カル33は第6図bに示すよ
うにノツクアウトピンC27Cあるいはポツト2
5の表面に付着し残留するという欠点があつた。
このことは工程の自動化を著しく阻害する要因と
なるため一部では成形時間を長くとり、カルの硬
度を上げて剥離性をよくするという方法が採られ
ているが、成形時間を長くすることは生産性の低
下を招くことになり得策ではない。なお、近年成
形樹脂は耐湿性を向上させるために、金属に対す
る接着強度を益々増大させるという方向にあり、
この意味からもカル付着残留の現象は益々問題と
して提起されることになる。
この考案は上記の問題を解決するためになされ
たものであり、上型へのカル付着を皆無にし、成
形時間も短縮でき自動化を阻害することのない成
形装置を得ることを目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
この考案に係る成形装置は、樹脂射出チヤンバ
ーの内面に切込み部を付設し、カルを上記チヤン
バー内すなわち下型に残すようにしたものであ
る。
〔作用〕
この考案においては、カルは成形された状態で
チヤンバーの切欠き部に食い込み、下型と共に下
降する。
〔実施例〕
以下第1図〜第4図に示すこの考案の一実施例
にもとづいて説明する。即ちこの考案はチヤンバ
ー15の内面15aの上部に切込み部34を設け
たものであり、成形完了直前では第3図aに示す
ようにプランジヤーヘツド16により射出された
樹脂はポツト25の内部及びチヤンバー15の上
部で成形されゲル化する。この時チヤンバー15
の内面に切込み部34が付設されているので、樹
脂は当然この切込み部34に食い込んだ形状で成
形される。したがつて成形工程が完了し、型開き
すると第3図bに示すようにカル33はチヤンバ
ー15に固定された状態で下型と共に下降する。
したがつて下降途中の工程において、第3図cに
示すようにプランジヤーヘツド16を上昇させれ
ばカル33はチヤンバー15から離脱するのであ
つて、その後プランジヤーヘツド16を再下降さ
せることにより全ての工程が完了する。
ここでチヤンバー15の切込み部34はそれに
食い込んだ樹脂が第3図cの離脱時において、上
記切込み部34の内部に残らないような形状に設
定する必要がある。つまり第2図はその一実施例
を示すものであるが、ちなみにX=0.5〜1mm、
Y=0.5mm、Z=0.1〜0.2mmの条件で切込み部34
を付設したところ良好な結果を得ることができ
た。
〔考案の効果〕
この考案は以上説明したとおり、下型に収設し
たチヤンバーの内面に切込み部を付設するという
簡単な構造により、上型へのカル付着を皆無にす
るという効果がある。
またこの考案を採用することにより、一部ノツ
クアウトピンの省略、更には成形時間の短縮が可
能であり、自動化も容易であるために生産性の向
上に大きく寄与するものである。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの考案の一実施例を示す断面図、第
2図は要部の部分断面図、第3図は型開き時の工
程動作説明図、第4図は第3図に示す工程のタイ
ミング図、第5図は従来の成形装置の全体構成を
示す断面図、第6図は従来の成形・型開き時のカ
ル付着状態を示す説明図である。 図中、1は成形装置、5は上型、6は下型、7
は下型チエイス、8はキヤビテイ、14は射出シ
リンダー、15はチヤンバー、15aは内面、1
6はプランジヤーヘツド、19は上型チエイス、
20はキヤビテイ、25はポツト、34は切込み
部である。尚、図中同一符号は同一または相当部
分を示す。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. それぞれ対向端面にキヤビテイを設けた上型チ
    エイスと下型チエイスを有する上型と下型を備
    え、これらを型締めした後、下型に設けた射出シ
    リンダを作動させて下型のチヤンバー内に装填し
    た樹脂を、これに対向する上型のポツトを経由し
    て上下型キヤビテイ内に送出充填させて所定の封
    止を行なう成形装置において、上記射出シリンダ
    のプランジヤーヘツド部が摺動するチヤンバーの
    上部内壁に、射出された残留樹脂を食い込ませる
    切込み部を備え、型開き時に上記ポツト部に残留
    する樹脂を離脱して下型と共に下降させるように
    構成したことを特徴とする半導体装置の封止成形
    装置。
JP1841386U 1986-02-12 1986-02-12 Expired JPH0440276Y2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1841386U JPH0440276Y2 (ja) 1986-02-12 1986-02-12

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JP1841386U JPH0440276Y2 (ja) 1986-02-12 1986-02-12

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS62131434U JPS62131434U (ja) 1987-08-19
JPH0440276Y2 true JPH0440276Y2 (ja) 1992-09-21

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ID=30812067

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JPS62131434U (ja) 1987-08-19

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