JPH0440276Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0440276Y2 JPH0440276Y2 JP1841386U JP1841386U JPH0440276Y2 JP H0440276 Y2 JPH0440276 Y2 JP H0440276Y2 JP 1841386 U JP1841386 U JP 1841386U JP 1841386 U JP1841386 U JP 1841386U JP H0440276 Y2 JPH0440276 Y2 JP H0440276Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mold
- lower mold
- chamber
- resin
- molding
- Prior art date
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- Expired
Links
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- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 14
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 14
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 6
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- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 3
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- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
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Landscapes
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この考案は、半導体装置の封止工程に使用する
成形装置の改良に関するものである。
成形装置の改良に関するものである。
第５図は従来の成形装置を示す断面図であり、
図において、１は成形装置全体を示し、これは上
プラテン２、ポスト３、スライドテーブル４を備
え、上記プラテン２側には上型５を、又スライド
テーブル４側には下型６を装着している。
図において、１は成形装置全体を示し、これは上
プラテン２、ポスト３、スライドテーブル４を備
え、上記プラテン２側には上型５を、又スライド
テーブル４側には下型６を装着している。
ところで７は下型キヤビテイ８を設けた下型チ
エイスであり、これは下定盤９に取付けられてい
る。10AはノツクアウトピンＡで、下定盤９及び
下型チエイス７を摺動自在に貫通し、下型キヤビ
テイ８に一端を出し他端はエジエクター押え１１
によりエジエクタープレート１２に取付けられて
おり、成形された半導体製品をノツクアウト棒１
３及び上記エジエクタープレート１１の下方に取
付けられたノツクアウト受１３ａの作動を受けて
エジエクトする働きを行なうものである。１４は
成形樹脂を注入する働きをなす射出シリンダであ
り、その内部にはチヤンバー１５内を摺動するプ
ランジヤーヘツド１６と一体をなすプランジヤー
１８を収設している。
エイスであり、これは下定盤９に取付けられてい
る。10AはノツクアウトピンＡで、下定盤９及び
下型チエイス７を摺動自在に貫通し、下型キヤビ
テイ８に一端を出し他端はエジエクター押え１１
によりエジエクタープレート１２に取付けられて
おり、成形された半導体製品をノツクアウト棒１
３及び上記エジエクタープレート１１の下方に取
付けられたノツクアウト受１３ａの作動を受けて
エジエクトする働きを行なうものである。１４は
成形樹脂を注入する働きをなす射出シリンダであ
り、その内部にはチヤンバー１５内を摺動するプ
ランジヤーヘツド１６と一体をなすプランジヤー
１８を収設している。
１９は上型キヤビテイ２０を設けた上型チエイ
スであり、上定盤２１に取付けられている。２２
ＢはノツクアウトピンＢで上定盤２１及び上型チ
エイス１９を摺動自在に貫通し、一端を上型キヤ
ビテイ２０に出し、他端はエジエクタープレート
２３に対してエジエクト押え２４を介して取付け
られている。２５は上型センターブロツクに２６
に形成されたポツトであり、成形樹脂を各ブロツ
クに配分する作用を行なう。また２７Ｃはノツク
アウトピンＣで上記ポツト２５内の樹脂をエジエ
クトする働きをする。
スであり、上定盤２１に取付けられている。２２
ＢはノツクアウトピンＢで上定盤２１及び上型チ
エイス１９を摺動自在に貫通し、一端を上型キヤ
ビテイ２０に出し、他端はエジエクタープレート
２３に対してエジエクト押え２４を介して取付け
られている。２５は上型センターブロツクに２６
に形成されたポツトであり、成形樹脂を各ブロツ
クに配分する作用を行なう。また２７Ｃはノツク
アウトピンＣで上記ポツト２５内の樹脂をエジエ
クトする働きをする。
なお、図中２８は上下定盤２１，９内に組込ま
れたヒータ、２９は断熱盤、３０はガイドポス
ト、３１はリターンピン、３２はばねである。
れたヒータ、２９は断熱盤、３０はガイドポス
ト、３１はリターンピン、３２はばねである。
従来の装置は上記のような構成であり、フレー
ムセツト部７ａに半導体装置を装填してスライド
テーブル４を作動させ型締めした後、射出シリン
ダー１４を作動し、チヤンバー１５内に装填した
樹脂をポツト２５を経由して上下型キヤビテイ
８，２０内に送出充填させて所望の封止を行な
う。しかる後スライドテーブル４を作動して型開
きし、封止成形された半導体製品を取り出すので
ある。
ムセツト部７ａに半導体装置を装填してスライド
テーブル４を作動させ型締めした後、射出シリン
ダー１４を作動し、チヤンバー１５内に装填した
樹脂をポツト２５を経由して上下型キヤビテイ
８，２０内に送出充填させて所望の封止を行な
う。しかる後スライドテーブル４を作動して型開
きし、封止成形された半導体製品を取り出すので
ある。
上記のような従来の成形装置では、ポツト２５
部に残留する樹脂が排除されないことがある。つ
まり第６図ａに示すように型締め終了直前に射出
された成形樹脂はチヤンバー１５及びポツト２５
内に一定量残留し、いわゆる３３となる。この状
態で型開きすると、カル３３は第６図ｂに示すよ
うにノツクアウトピンＣ２７Ｃあるいはポツト２
５の表面に付着し残留するという欠点があつた。
このことは工程の自動化を著しく阻害する要因と
なるため一部では成形時間を長くとり、カルの硬
度を上げて剥離性をよくするという方法が採られ
ているが、成形時間を長くすることは生産性の低
下を招くことになり得策ではない。なお、近年成
形樹脂は耐湿性を向上させるために、金属に対す
る接着強度を益々増大させるという方向にあり、
この意味からもカル付着残留の現象は益々問題と
して提起されることになる。
部に残留する樹脂が排除されないことがある。つ
まり第６図ａに示すように型締め終了直前に射出
された成形樹脂はチヤンバー１５及びポツト２５
内に一定量残留し、いわゆる３３となる。この状
態で型開きすると、カル３３は第６図ｂに示すよ
うにノツクアウトピンＣ２７Ｃあるいはポツト２
５の表面に付着し残留するという欠点があつた。
このことは工程の自動化を著しく阻害する要因と
なるため一部では成形時間を長くとり、カルの硬
度を上げて剥離性をよくするという方法が採られ
ているが、成形時間を長くすることは生産性の低
下を招くことになり得策ではない。なお、近年成
形樹脂は耐湿性を向上させるために、金属に対す
る接着強度を益々増大させるという方向にあり、
この意味からもカル付着残留の現象は益々問題と
して提起されることになる。
この考案は上記の問題を解決するためになされ
たものであり、上型へのカル付着を皆無にし、成
形時間も短縮でき自動化を阻害することのない成
形装置を得ることを目的とする。
たものであり、上型へのカル付着を皆無にし、成
形時間も短縮でき自動化を阻害することのない成
形装置を得ることを目的とする。
この考案に係る成形装置は、樹脂射出チヤンバ
ーの内面に切込み部を付設し、カルを上記チヤン
バー内すなわち下型に残すようにしたものであ
る。
ーの内面に切込み部を付設し、カルを上記チヤン
バー内すなわち下型に残すようにしたものであ
る。
この考案においては、カルは成形された状態で
チヤンバーの切欠き部に食い込み、下型と共に下
降する。
チヤンバーの切欠き部に食い込み、下型と共に下
降する。
以下第１図〜第４図に示すこの考案の一実施例
にもとづいて説明する。即ちこの考案はチヤンバ
ー１５の内面１５ａの上部に切込み部３４を設け
たものであり、成形完了直前では第３図ａに示す
ようにプランジヤーヘツド１６により射出された
樹脂はポツト２５の内部及びチヤンバー１５の上
部で成形されゲル化する。この時チヤンバー１５
の内面に切込み部３４が付設されているので、樹
脂は当然この切込み部３４に食い込んだ形状で成
形される。したがつて成形工程が完了し、型開き
すると第３図ｂに示すようにカル３３はチヤンバ
ー１５に固定された状態で下型と共に下降する。
したがつて下降途中の工程において、第３図ｃに
示すようにプランジヤーヘツド１６を上昇させれ
ばカル３３はチヤンバー１５から離脱するのであ
つて、その後プランジヤーヘツド１６を再下降さ
せることにより全ての工程が完了する。
にもとづいて説明する。即ちこの考案はチヤンバ
ー１５の内面１５ａの上部に切込み部３４を設け
たものであり、成形完了直前では第３図ａに示す
ようにプランジヤーヘツド１６により射出された
樹脂はポツト２５の内部及びチヤンバー１５の上
部で成形されゲル化する。この時チヤンバー１５
の内面に切込み部３４が付設されているので、樹
脂は当然この切込み部３４に食い込んだ形状で成
形される。したがつて成形工程が完了し、型開き
すると第３図ｂに示すようにカル３３はチヤンバ
ー１５に固定された状態で下型と共に下降する。
したがつて下降途中の工程において、第３図ｃに
示すようにプランジヤーヘツド１６を上昇させれ
ばカル３３はチヤンバー１５から離脱するのであ
つて、その後プランジヤーヘツド１６を再下降さ
せることにより全ての工程が完了する。
ここでチヤンバー１５の切込み部３４はそれに
食い込んだ樹脂が第３図ｃの離脱時において、上
記切込み部３４の内部に残らないような形状に設
定する必要がある。つまり第２図はその一実施例
を示すものであるが、ちなみにＸ＝0.5〜１mm、
Ｙ＝0.5mm、Ｚ＝0.1〜0.2mmの条件で切込み部３４
を付設したところ良好な結果を得ることができ
た。
食い込んだ樹脂が第３図ｃの離脱時において、上
記切込み部３４の内部に残らないような形状に設
定する必要がある。つまり第２図はその一実施例
を示すものであるが、ちなみにＸ＝0.5〜１mm、
Ｙ＝0.5mm、Ｚ＝0.1〜0.2mmの条件で切込み部３４
を付設したところ良好な結果を得ることができ
た。
この考案は以上説明したとおり、下型に収設し
たチヤンバーの内面に切込み部を付設するという
簡単な構造により、上型へのカル付着を皆無にす
るという効果がある。
たチヤンバーの内面に切込み部を付設するという
簡単な構造により、上型へのカル付着を皆無にす
るという効果がある。
またこの考案を採用することにより、一部ノツ
クアウトピンの省略、更には成形時間の短縮が可
能であり、自動化も容易であるために生産性の向
上に大きく寄与するものである。
クアウトピンの省略、更には成形時間の短縮が可
能であり、自動化も容易であるために生産性の向
上に大きく寄与するものである。
第１図はこの考案の一実施例を示す断面図、第
２図は要部の部分断面図、第３図は型開き時の工
程動作説明図、第４図は第３図に示す工程のタイ
ミング図、第５図は従来の成形装置の全体構成を
示す断面図、第６図は従来の成形・型開き時のカ
ル付着状態を示す説明図である。 図中、１は成形装置、５は上型、６は下型、７
は下型チエイス、８はキヤビテイ、１４は射出シ
リンダー、１５はチヤンバー、１５ａは内面、１
６はプランジヤーヘツド、１９は上型チエイス、
２０はキヤビテイ、２５はポツト、３４は切込み
部である。尚、図中同一符号は同一または相当部
分を示す。
２図は要部の部分断面図、第３図は型開き時の工
程動作説明図、第４図は第３図に示す工程のタイ
ミング図、第５図は従来の成形装置の全体構成を
示す断面図、第６図は従来の成形・型開き時のカ
ル付着状態を示す説明図である。 図中、１は成形装置、５は上型、６は下型、７
は下型チエイス、８はキヤビテイ、１４は射出シ
リンダー、１５はチヤンバー、１５ａは内面、１
６はプランジヤーヘツド、１９は上型チエイス、
２０はキヤビテイ、２５はポツト、３４は切込み
部である。尚、図中同一符号は同一または相当部
分を示す。
Claims (1)
- それぞれ対向端面にキヤビテイを設けた上型チ
エイスと下型チエイスを有する上型と下型を備
え、これらを型締めした後、下型に設けた射出シ
リンダを作動させて下型のチヤンバー内に装填し
た樹脂を、これに対向する上型のポツトを経由し
て上下型キヤビテイ内に送出充填させて所定の封
止を行なう成形装置において、上記射出シリンダ
のプランジヤーヘツド部が摺動するチヤンバーの
上部内壁に、射出された残留樹脂を食い込ませる
切込み部を備え、型開き時に上記ポツト部に残留
する樹脂を離脱して下型と共に下降させるように
構成したことを特徴とする半導体装置の封止成形
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1841386U JPH0440276Y2 (ja) | 1986-02-12 | 1986-02-12 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1841386U JPH0440276Y2 (ja) | 1986-02-12 | 1986-02-12 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62131434U JPS62131434U (ja) | 1987-08-19 |
| JPH0440276Y2 true JPH0440276Y2 (ja) | 1992-09-21 |
Family
ID=30812067
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1841386U Expired JPH0440276Y2 (ja) | 1986-02-12 | 1986-02-12 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0440276Y2 (ja) |
-
1986
- 1986-02-12 JP JP1841386U patent/JPH0440276Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62131434U (ja) | 1987-08-19 |
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