JP2536418B2 - 半導体素子の樹脂封止用金型 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子を樹脂封止
して半導体パッケージを得るための樹脂封止用金型、特
に厚さが１ｍｍ以下の超薄型の半導体パッケージを得る
のに適している樹脂封止用金型に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体素子を樹脂封止するための
樹脂封止用金型として、キャビティへの入口であるゲー
トを、キャビティの幅と同じ幅に、かつ、キャビティの
深さと同じ深さに形成し、さらにシャッタにより開閉自
在にしたものが提案されている（特公平３−４１９８０
号公報）。

【０００３】以下に、この樹脂封止用金型について図１
１および図１２を参照して説明する。図１１は、従来の
樹脂封止用金型の一例の下型のキャビティ部の概略平面
図、図１２は、図１１に示した樹脂封止用金型の下型の
断面図である。図１１および図１２に示すように、下キ
ャビティ１０４ａへはランナー１０４ｂおよびサブラン
ナー１０４ｃを順次経由して樹脂が注入され、サブラン
ナー１０４ｃから下キャビティ１０４ａへ樹脂が流入す
る入口であるゲートは、下キャビティ１０４ａの全幅に
わたって、かつ、下キャビティ１０４ａの深さとほぼ同
じ深さに形成されている。サブランナー１０４ｃと下キ
ャビティ１０４ａの接する部分には、シャッタ１０６が
設けられている。シャッタ１０６は、下型１０４に形成
された溝に矢印方向に摺動可能に設けられており、樹脂
封止されたパッケージを下キャビティ１０４ａから突き
上げるエジェクタピン１１２と同様に、エジェクタプレ
ート１１８に取り付けられている。

【０００４】上記構成に基づき、樹脂注入に先立って、
シャッタ１０６はその先端が下キャビティ１０４ａの底
面と同一面になるように配置される。そして、半導体素
子（不図示）が電気的に接続されて搭載されたリードフ
レーム１１７を下型１０４にセットし、下型１０４と上
型（不図示）とを型締めして樹脂を注入する。樹脂の注
入が終ると直ちに、エジェクタプレート１１８が上昇
し、シャッタ１０６の先端がリードフレーム１１７の下
面よりも０．１ｍｍ程度下にくる位置で停止する。この
ように、０．１ｍｍ程度の空隙をおく理由は、ランナー
１０４ｂおよびサブランナー１０４ｃの樹脂と下キャビ
ティ１０４ａの樹脂とがプランジャ（不図示）からの圧
力を均等に受けられるようにするためである。樹脂硬化
後、下型１０４と上型とを型開きし、エジェクタプレー
ト１０８をさらに上昇させてエジェクターピン１１２に
よって樹脂封止されたパッケージを突き上げ、パッケー
ジを下型１０４から取り出す。その後、エジェクタプレ
ート１０８を下降させ、シャッタ１０６を最初の下キャ
ビティ１０４ａの底面と同一面の位置に戻す。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の樹脂封止用金型では、ゲートを大きくとってい
るので下キャビティへの樹脂の流れがよく、樹脂の未充
填やピンホール、ボイド等が防止できるものの、パッケ
ージの形状によっては完全な樹脂封止はできないことが
わかった。これは、厚さが１ｍｍ以下の超薄型のパッケ
ージを成形する場合に顕著であり、具体的な例を挙げる
と、厚さが０．２〜０．３ｍｍ、ゲート側から見た幅が
１０ｍｍ程度の半導体素子を、厚さが０．５ｍｍ、ゲー
ト側から見た幅が１６ｍｍのパッケージに樹脂成形する
場合、ゲート幅が１６ｍｍ、ゲート深さが下キャビティ
と同じ深さであると、流入樹脂の挙動が不均一になり、
半導体素子が露出したり、樹脂に封止されるべきリード
フレームの一部が露出してしまう。半導体素子やインナ
ーリードの露出は、製品の信頼性を低下させてしまう。

【０００６】流入樹脂の挙動が不均一になる理由は、以
下のとおりである。半導体素子の上面および下面は、キ
ャビティとの空隙が小さいので半導体素子の側面と比べ
て樹脂が流れにくく、樹脂は、先に半導体素子の側面か
ら回り込み、キャビティ内の空気や樹脂が発生するガス
を抜くエアベントを塞ぐことになる。そのため、半導体
素子の上面や下面に空隙が残ったり、インナーリードや
半導体素子の流動樹脂による移動、および発生ガスや巻
き込みエアによるボイドの発生といった不具合が発生す
る。

【０００７】そこで本発明は、超薄型のパッケージを樹
脂封止した場合でも、ボイドの発生や半導体素子の露出
を確実に防止できる、半導体素子の樹脂封止用金型を提
供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明の半導体素子の樹脂封止装置は、互いに開閉自在
に対向配置された二つの型からなり、一方の型には、半
導体素子を樹脂封止するキャビティと、前記キャビティ
へ樹脂を流すランナーと、前記ランナーの前記キャビテ
ィへの樹脂の入口であるゲート部を開閉するために移動
可能に設けられたシャッタとを有し、他方の型には前記
一方の型のキャビティに対応して形成されたキャビティ
を有する、半導体素子の樹脂封止用金型において、前記
ゲート部の幅が、前記ゲート部を樹脂が流動性よく流れ
る範囲で、前記キャビティ内に配置された半導体素子の
前記ゲート部側から見た幅以下であることを特徴とす
る。

【０００９】また、前記シャッタは、前記ゲート部の深
さ方向に移動可能に設けられ、前記ゲート部を最も開い
たときに前記キャビティの底面より突出した位置にある
ものや、前記一方の型の前記ゲート部の近傍部位は、前
記一方の型とは別部材で構成され前記一方の型に交換可
能に設けられるとともに、前記交換可能な別部材に対応
して、前記シャッタも交換可能に設けられているもので
あってもよい。

【００１０】そして、前記シャッタは、前記ゲート部の
深さ方向に、前記一方の型の他方の型との対向面を越え
る位置まで移動可能に設けられ、前記他方の型には、前
記他方の型のキャビティと連通し前記シャッタが進入可
能な凹部が形成されているものであってもよく、この場
合には、前記シャッタは、前記半導体素子を電気的に接
続して搭載する電極部材に形成された貫通孔を貫通し
て、前記凹部に進入されるものや、前記一方の型の前記
ゲート部の近傍部位、および前記他方の型の前記凹部の
近傍部位は、それぞれ前記一方の型および他方の型とは
別部材で構成され前記各型に交換可能に設けられている
とともに、前記交換可能な各別部材に対応して、前記シ
ャッタも交換可能に設けられているものであってもよ
い。

【００１１】

【作用】上記のとおり構成された本発明の半導体素子の
樹脂封止用金型では、キャビティへの樹脂の入口となる
ゲート部の幅が、ゲート部を樹脂が流動性よく流れる範
囲で、キャビティ内に配置された半導体素子のゲート部
側から見た幅以下であるので、キャビティ内に供給され
た樹脂は、先に半導体素子の中央部を通ってから側面に
回り込みキャビティ内に充填される。そのため、キャビ
ティ内の空気や樹脂が発生するガスを抜くエアベントは
先に塞がれず、キャビティ内での樹脂の流動挙動が安定
する。

【００１２】

【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。

【００１３】（第１実施例）図１は、本発明の樹脂封止
用金型の第１実施例の要部断面図であり、図２は、図１
に示した樹脂封止用金型に半導体素子をセットした状態
での下キャビティブロックの要部平面図である。図１に
示すように、上チェイス１に保持された上キャビティブ
ロック２と、下チェイス３に保持された下キャビティブ
ロック４とは、互いに開閉自在に対向配置されている。
上キャビティブロック２の下面には上キャビティ２ａが
形成される一方、下キャビティブロック４の上面の、上
キャビティ２ａと対向する部位には下キャビティ４ａが
形成され、上キャビティブロック２と下キャビティブロ
ック４とを型締めすることにより、上キャビティ２ａと
下キャビティ４ａとで囲まれた空間（以下、「樹脂充填
用空間」という）が形成される。この樹脂充填用空間へ
は、下キャビティブロック４に形成されたランナー４ｂ
を介して、射出ユニット（不図示）から溶融されて供給
された樹脂が充填され、これにより、電極部材としての
リードフレーム１７に電気的に接続されて搭載された状
態で下キャビティブロック４上にセットされた半導体素
子１６が樹脂封止される構成となっている。

【００１４】ランナー４ｂの、下キャビティ４ａへの入
口（以下「ゲート部」という）の幅は、図２に示すよう
に、ゲート部を樹脂が流動性よく流れる範囲で、リード
フレーム１７に搭載された半導体素子１６が下キャビテ
ィブロック４にセットされた状態でランナー４ｂ側から
見た半導体素子１６の幅以下となっている。

【００１５】下チェイス３の下方には、シャッタプレー
ト５が設けられている。シャッタプレート５は、下チェ
イス３の下面に固定された段付きボルト９の円筒部９ａ
に摺動自在に支持されるとともに、下チェイス３とシャ
ッタプレート５との間に設けられた圧縮ばね７により常
時下方に付勢され、シャッタプレート５の下端位置は段
付きボルト９の頭部９ｂによって規制されている。シャ
ッタプレート５の下方には、上下方向に移動されるロッ
ド１０が配置されており、ロッド１０を上昇させてシャ
ッタプレート５に押し付けることにより、シャッタプレ
ート５は圧縮ばね７の力に抗して上昇する。また、シャ
ッタプレート５には、シャッタプレート５を上昇させる
ことで、先端がゲート部に突出可能なシャッタ６が、下
キャビティブロック４および下チェイス３に形成された
溝に摺動自在に設けられている。シャッタ６の幅は、ゲ
ート部の幅と等しくなっている。シャッタ６は、下キャ
ビティブロック４にセットされたリードフレーム１７の
下面に当接する位置まで上昇され、その上昇端位置は、
シャッタプレート５に取り付けられたストッパ（不図
示）により設定可能となっている。

【００１６】さらに、シャッタプレート５の下方には、
樹脂封止された半導体素子１６を下キャビティ４ａから
突き出すための下エジェクタピン１２が固定されたエジ
ェクタプレート８が、上下方向に移動自在に設けられて
いる。そして、上キャビティブロック２にも、樹脂封止
された半導体素子１６を上キャビティ２ａから突き出す
ための上エジェクタピン１１が設けられている。

【００１７】次に、本実施例の樹脂封止用金型の動作に
ついて説明する。

【００１８】まず、図１に示すように、リードフレーム
１７に搭載された半導体素子１６を下キャビティブロッ
ク４にセットした状態で、上キャビティブロック２と下
キャビティブロック４とを型締めする。このときのシャ
ッタ６の位置を初期位置とし、シャッタ６の初期位置
は、先端がランナー４ｂの底面から突出しない位置であ
ればどの位置でもよい。

【００１９】次に、溶融した樹脂を、ランナー４ｂを介
して下キャビティ４ａ内に供給し、樹脂充填用空間に充
填させる。溶融した樹脂が樹脂充填用空間に充填された
時点で、図３に示すようにロッド１０が上昇し始めてシ
ャッタプレート５に押し付けられ、それによりシャッタ
プレート５は圧縮ばね７の力に抗して上昇し、シャッタ
６を上昇させる。

【００２０】その後、所定時間だけその状態を保持し、
充填された樹脂が硬化したら、図４に示すように、上キ
ャビティブロック２と下キャビティブロック４とを型開
きし、それと同時に、上キャビティブロック２に対して
相対的に上エジェクタピン１１を下降させる。これによ
り、樹脂によって封止された半導体素子１６である半導
体パッケージ１５は上キャビティ２ａから離型される。
さらに、エジェクタプレート８を上昇させて下エジェク
タピン１２によって半導体パッケージ１５を突き上げ、
半導体パッケージ１５を下キャビティ４ａから離型させ
る。このとき、シャッタ６は上昇完了時の位置のままで
ある。

【００２１】半導体パッケージ１５が各キャビティ２
ａ、４ａから離型したら、ロボットハンド（不図示）等
により半導体パッケージ１５を取り出し、図５に示すよ
うに、ロッド１０を下降させる。これにより、シャッタ
プレート５が圧縮ばね７の力で押し戻され、シャッタ６
は初期位置に戻される。

【００２２】以上で、樹脂封止成形の１サイクルを終了
し、上述した各動作を繰り返し行なう。

【００２３】以上説明したように、ゲート部の幅を、ゲ
ート部を樹脂が流動性よく流れる範囲で、ランナー４ｂ
側から見た半導体素子１６の幅よりも狭くすることで、
ランナー４ｂを通った樹脂は、先に半導体素子１６の中
央部を通ってから側面に回り込んで各キャビティ２ａ、
４ａ内に充填されるので、各キャビティ２ａ、４ａ内の
空気や、樹脂が発生するガスを抜くエアベントが先に塞
がれることはない。その結果、各キャビティ２ａ、４ａ
内での樹脂の流動挙動の不均一が改善され、厚さが１ｍ
ｍ以下の超薄型の半導体パッケージ１５を樹脂封止して
も、半導体素子１６の露出や、リードフレーム１７のう
ち樹脂に封止されるべき部位（以下、「インナーリー
ド」という）の露出、さらにはボイドの発生を防止する
ことができる。

【００２４】具体的には、厚さが０．２ｍｍ、ランナー
４ａ側から見た幅が１４．０９ｍｍの半導体素子１６
を、厚さが０．５ｍｍ、ランナー４ａ側から見た幅が１
６ｍｍのパッケージに樹脂封止する場合、ゲート部の幅
を１４ｍｍとすると、半導体素子１６の露出、インナー
リードの露出およびボイドが発生しないことが、実験で
確認された。

【００２５】（第２実施例）図６は、本発明の樹脂封止
用金型の第２実施例の要部断面図である。なお、上チェ
イスおよびそれに付属する部分については第１実施例の
ものと同様なので、図６では省略している。本実施例の
樹脂封止用金型は、シャッタプレート２５を支持する段
付きボルト２９を、第１実施例で用いたものよりも円筒
部２９ａの長さｈが短いものとした点が第１実施例と異
なる。これにより、シャッタ２６の下端位置（初期位
置）では、シャッタ２６の先端部はランナー２４ｂ内に
突出し、下キャビティブロック２４の上面からシャッタ
２６の先端までの距離すなわちゲート部の深さは下キャ
ビティ２４ａの深さよりも小さくなっている。この突出
量は、円筒部２９ａの長さｈの異なる段付きボルト２９
を用いることにより任意に設定できる。その他の構成お
よび動作については第１実施例のものと同様なので、そ
の説明は省略する。

【００２６】以上説明したように、ゲート部の深さを下
キャビティ２４ａの深さよりも浅くすることで、リード
フレーム（不図示）に対して上方のパッケージ部分（上
パッケージ）と下方のパッケージ部分（下パッケージ）
との厚さが異なる場合、特に、下パッケージの厚さが上
パッケージの厚さよりも厚い場合の樹脂封止に際して
も、半導体素子およびインナリードの露出を防ぐことが
できる。その理由は、下パッケージの厚さが上パッケー
ジの厚さよりも厚い場合、すなわち下キャビティ２４ａ
の深さが上キャビティ（不図示）の深さよりも深い場合
には、樹脂は下キャビティ４ａのほうが流れやすくなり
流動挙動が不均一になりやすいが、ゲート部の深さを下
キャビティ４ａの深さよりも浅くすることで、樹脂充填
用空間内での樹脂の流動挙動を安定させることができる
ためである。

【００２７】（第３実施例）図７は、本発明の樹脂封止
用金型の第３実施例の要部断面図であり、シャッタ５６
が上昇完了した状態を示す。本実施例の樹脂封止用金型
は、上キャビティブロック５２の下面に、シャッタ５６
が進入可能で、かつ上キャビティ５２ａに連通する凹部
５２ｂが形成され、シャッタ５６は、上昇が完了したと
きに先端部が下キャビティブロック５４の上面よりも上
方に突出し凹部５２ｂの上面に当接するように、シャッ
タプレート５５に支持される点が、第１実施例のものと
異なっている。一方、リードフレーム６７には、シャッ
タ５６の先端部が下キャビティブロック５４の上面より
も上方に突出可能に設けられていることに対応して、図
８に示すように、シャッタ５６を貫通可能とする逃げ部
６７ａが形成されている。その他の構成および動作につ
いては第１実施例のものと同様であるので、その説明は
省略する。

【００２８】以上説明したように、上キャビティブロッ
ク５２に凹部５２ｂを形成するとともに、リードフレー
ム６７に逃げ部６７ａを形成し、シャッタ５６を凹部５
２ｂ内まで突出可能に設けることで、樹脂は、ランナー
５４ｂから直接、樹脂充填用空間に充填されると同時
に、凹部５２ｂを経由しても樹脂充填用空間に充填され
る。すなわち、樹脂の樹脂充填用空間への流入口である
ゲート部を、下キャビティ５４ａだけでなく上キャビテ
ィ５２ａにも設けることができ、樹脂充填用空間での樹
脂の流動挙動をより安定させることができる。

【００２９】（第４実施例）図９は、本発明の樹脂封止
用金型の第４実施例の要部断面図であり、図１０は、図
９に示した樹脂封止用金型の下キャビティブロックの要
部平面図である。本実施例の樹脂封止用金型は、第３実
施例のものと同様にシャッタ７６を下キャビティブロッ
ク７４の上面よりも上方に突出可能に設けたものである
が、以下の点が第３実施例のものと異なる。すなわち、
下キャビティ７４ａへのゲート部が、下キャビティブロ
ック７４とは別体の下ゲートブロック９１で構成される
とともに、上キャビティ７２ａへのゲート部が、上キャ
ビティブロック７２とは別体の上ゲートブロック９２で
構成されている。

【００３０】下ゲートブロック９１は、その幅が、図１
０に示すようにランナー７４ｂ側から見た下キャビティ
７４ａの幅よりも大きく、シャッタ７６が摺動する溝９
１ａが形成されている。また、下ゲートブロック９１
は、下キャビティブロック７４に埋め込まれて下チェイ
ス５３の下方からねじ止めされ、交換可能に設けられて
いる。一方、上ゲートブロック９２も交換可能なもので
あり、上キャビティブロック７２に埋め込まれて上チェ
イス７１の上方からねじ止めされている。また、上ゲー
トブロック９２の幅も下ゲートブロック９１の幅と同様
であり、上ゲートブロック９２の下面には、シャッタ７
６が進入可能な凹部９２ａが形成されている。さらに、
シャッタ７６も、シャッタプレート７５の下方からねじ
止めすることで、上ゲートブロック９２および下ゲート
ブロック９１に対応して交換可能に設けられている。そ
の他の構成および動作については第３実施例のものと同
様であるので、その説明は省略する。

【００３１】以上説明したように、上ゲートブロック９
２、下ゲートブロック９１、およびシャッタ７６を交換
可能に設けることで、ゲート部の幅を必要に応じて変更
することができる。その結果、同一パッケージサイズに
対して半導体素子の大きさが複数種類ある場合などに、
半導体素子の大きさに対応したゲート幅とすることがで
き、樹脂充填用空間での樹脂の流動挙動をより安定させ
ることができる。

【００３２】以上説明した各実施例では、電極部材とし
てリードフレームを用いた例を示したが、それに限ら
ず、リードパターンが形成されたポリイミドテープを用
いてもよい。

【００３３】

【発明の効果】本発明は以上説明したとおり構成されて
いるので、以下に記載する効果を奏する。

【００３４】キャビティへの樹脂の入口となるゲート部
の幅が、ゲート部を樹脂が流動性よく流れる範囲で、キ
ャビティ内に配置された半導体素子のゲート部側から見
た幅以下とすることで、キャビティ内に樹脂を供給した
とき、エアベントが先に塞がれず、キャビティ内での樹
脂の流動挙動を安定させることができる。その結果、厚
さが１ｍｍ以下の超薄型の半導体パッケージを樹脂封止
しても、半導体素子の露出や、インナーリードの露出、
さらにはボイドの発生を防止することができる。

【００３５】また、シャッタを、ゲート部の深さ方向に
移動可能に設け、ゲート部を最も開いたときにキャビテ
ィの底面より突出した位置とすることで、一方の型のキ
ャビティの深さが他方の型のキャビティの深さよりも深
い場合に、キャビティ内での樹脂の流動挙動を安定させ
ることができる。

【００３６】さらに、シャッタを、ゲート部の深さ方向
に一方の型の他方の型との対向面を越える位置まで移動
可能に設け、他方の型に、他方の型のキャビティと連通
しシャッタが進入可能な凹部を形成することで、他方の
型にもゲート部を形成することができるので、キャビテ
ィ内での樹脂の流動挙動をより安定させることができ
る。

【００３７】加えて、一方の型のゲート部の近傍部位や
他方の型の凹部の近傍部位を、一方の型や他方の型に交
換可能に設け、それに対応して、シャッタも交換可能に
設けることで、ゲート部の幅を必要に応じて変更するこ
とができる。その結果、同一パッケージサイズに対して
半導体素子の大きさが複数種類ある場合などに、半導体
素子の大きさに対応したゲート幅とすることができ、キ
ャビティ内での樹脂の流動挙動をより安定させることが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の樹脂封止用金型の第１実施例の要部断
面図である。

【図２】図１に示した樹脂封止用金型に半導体素子をセ
ットした状態での下キャビティブロックの要部平面図で
ある。

【図３】図１に示した樹脂封止用金型の動作を説明する
ための図であり、各キャビティに樹脂を充填しシャッタ
を上昇させた状態を示す断面図である。

【図４】図１に示した樹脂封止用金型の動作を説明する
ための図であり、上キャビティブロックと下キャビティ
ブロックとを型開きし半導体パッケージを離型させた状
態を示す断面図である。

【図５】図１に示した樹脂封止用金型の動作を説明する
ための図であり、半導体パッケージを取り出しシャッタ
を下降させた状態を示す断面図である。

【図６】本発明の樹脂封止用金型の第２実施例の要部断
面図である。

【図７】本発明の樹脂封止用金型の第３実施例の要部断
面図である。

【図８】図７に示したリードフレームの平面図である。

【図９】本発明の樹脂封止用金型の第４実施例の要部断
面図である。

【図１０】図９に示した下キャビティブロックの要部平
面図である。

【図１１】従来の樹脂封止用金型の一例の下型のキャビ
ティ部の概略平面図である。

【図１２】図１１に示した樹脂封止用金型の下型の断面
図である。

【符号の説明】

１、７１ 上チェイス ２、５２、７２ 上キャビティブロック ２ａ、５２ａ、７２ａ 上キャビティ ３、５３ 下チェイス ４、２４、５４、７４ 下キャビティブロック ４ａ、２４ａ、５４ａ、７４ａ 下キャビティ ４ｂ、２４ｂ、５４ｂ、７４ｂ ランナー ５、２５、５５、７５ シャッタプレート ６、２６、５６、７６ シャッタ ７ 圧縮ばね ８ エジェクタプレート ９、２９ 段付きボルト ９ａ、２９ａ 円筒部 ９ｂ 頭部 １０ ロッド １１ 上エジェクタピン １２ 下エジェクタピン １５ 半導体パッケージ １６ 半導体素子 １７、６７ リードフレーム ５２ｂ、９２ａ 凹部 ６７ａ 逃げ部 ９１ 下ゲートブロック ９１ａ 溝 ９２ 上ゲートブロック

Claims (6)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 互いに開閉自在に対向配置された二つの
   型からなり、一方の型には、半導体素子を樹脂封止する
   キャビティと、前記キャビティへ樹脂を流すランナー
   と、前記ランナーの前記キャビティへの樹脂の入口であ
   るゲート部を開閉するために移動可能に設けられたシャ
   ッタとを有し、他方の型には前記一方の型のキャビティ
   に対応して形成されたキャビティを有する、半導体素子
   の樹脂封止用金型において、 前記ゲート部の幅が、前記ゲート部を樹脂が流動性よく
   流れる範囲で、前記キャビティ内に配置された半導体素
   子の前記ゲート部側から見た幅以下であることを特徴と
   する、半導体素子の樹脂封止用金型。
2. 【請求項２】 前記シャッタは、前記ゲート部の深さ方
   向に移動可能に設けられ、前記ゲート部を最も開いたと
   きに前記キャビティの底面より突出した位置にある請求
   項１に記載の半導体素子の樹脂封止用金型。
3. 【請求項３】 前記シャッタは、前記ゲート部の深さ方
   向に、前記一方の型の他方の型との対向面を越える位置
   まで移動可能に設けられ、 前記他方の型には、前記他方の型のキャビティと連通し
   前記シャッタが進入可能な凹部が形成されている請求項
   １または２に記載の半導体素子の樹脂封止用金型。
4. 【請求項４】 前記シャッタは、前記半導体素子を電気
   的に接続して搭載する電極部材に形成された貫通孔を貫
   通して、前記凹部に進入される請求項３に記載の半導体
   素子の樹脂封止用金型。
5. 【請求項５】 前記一方の型の前記ゲート部の近傍部位
   は、前記一方の型とは別部材で構成され前記一方の型に
   交換可能に設けられるとともに、 前記交換可能な別部材に対応して、前記シャッタも交換
   可能に設けられている請求項１または２に記載の半導体
   素子の樹脂封止装置。
6. 【請求項６】 前記一方の型の前記ゲート部の近傍部
   位、および前記他方の型の前記凹部の近傍部位は、それ
   ぞれ前記一方の型および他方の型とは別部材で構成され
   前記各型に交換可能に設けられているとともに、 前記交換可能な各別部材に対応して、前記シャッタも交
   換可能に設けられている請求項３または４に記載の半導
   体素子の樹脂封止装置。